JP2001357558A - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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JP2001357558A JP2000296189A JP2000296189A JP2001357558A JP 2001357558 A JP2001357558 A JP 2001357558A JP 2000296189 A JP2000296189 A JP 2000296189A JP 2000296189 A JP2000296189 A JP 2000296189A JP 2001357558 A JP2001357558 A JP 2001357558A
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Toru Abiko
透 安孫子
Fuminori Takase
史則 高瀬
Hitoshi Shimomukai
仁 下向
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ジッター劣化や変調度減少を抑制して十分な
記録特性を確保しつつ、記録容量の増加を図る。 【解決手段】 一主面２ａにランドとグルーブとが形成
され、ウォブルが刻まれたディスク基板２上に、第１の
誘電体膜３、相変化記録膜４、第２の誘電体膜５、反射
膜６および保護膜７を順次設ける。記録膜４をGeInSbTe
合金、反射膜６をAgPdCu合金またはAlCu合金から構成す
る。GeInSbTe合金における組成比を、Geを1〜8wt％、In
を2〜6wt％、Sb/Teを2.2〜3.0とし、AgPdCu合金におけ
る組成比を、Pdを0.9〜1.5wt％、Cuを0.9〜1.1wt％と
し、AlCu合金においてCuの含有率を1.5wt％以下とす
る。グルーブコンディションは、グルーブ深さを35〜45
ｎｍ、グルーブ幅を0.35〜0.50μｍとし、第１の誘電体
膜３を75〜95ｎｍ、記録膜４を12〜20ｎｍ、第２の誘電
体膜５を16〜28ｎｍ、反射膜６を80〜160ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学記録媒体に
関し、特に、繰り返し記録／消去を行うことが可能な相
変化型光ディスクに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、光学
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録や再生を行
うことができるとともに、磁気記録方式に比べて一桁以
上も高い記録密度を達成することができる。また、この
ような光学記録方式は、再生専用型、追記型、書換可能
型のそれぞれのメモリー形態に対応できるなどの数々の
利点を有する。このように、光記録方式は、安価な大容
量ファイルの実現を可能とする記録方式として、産業用
から民生用まで幅広い用途が考えられている。
【０００３】上述したような光学記録方式のうち、書換
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや相変化型光ディスクなどを挙げることができ
る。これらのうち、光磁気ディスクにおいては、磁性材
料からなる記録膜を部分的にキュリー点または温度補償
点以上に昇温させて記録膜の保磁力を小さくし、外部か
ら記録磁界を印加することによって記録膜の磁化方向を
変化させて情報信号が記録され、また、磁気的に情報信
号の読み出しが行われる。一方、相変化型光ディスクに
おいては、結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆
的に生じる相変化材料からなる記録膜が設けられ、レー
ザ光などの照射により記録膜を昇温させ、記録膜に相変
化を生じさせて情報信号が記録、消去され、また、情報
信号の読み出しが光学的に行われる。
【０００４】従来の相変化型光ディスクとして、具体的
には、ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)が知られ
ており、広く普及している。この従来のＣＤ−ＲＷにお
けるフォーマットを以下に示す。
【０００５】媒体 記録ビット長：１ビット当たり０．５９μｍ 容量：６４０ＭＢ（ＩＳＯ９６６０） トラックピッチ：１．６μｍ 記録時 照射されるレーザ光の波長（λ）：λ＝７８０ｎｍ 光学系のレンズの開口数（ＮＡ）：ＮＡ＝０．５０ 線速度：１．２〜４．８ｍ／ｓ（１倍速〜４倍速） 繰り返し記録回数：１０００回以上 再生時 照射されるレーザ光の波長（λ）：λ＝７８０ｎｍ 光学系のレンズの開口数（ＮＡ）：ＮＡ＝０．４５ 反射率：１５〜２５％ 変調度：５５〜７０％ リソリューション(Resolution)：４５〜６０％
【０００６】そして、このように規定された相変化型光
ディスク（具体的には、ＣＤ−ＲＷ）を実現するため
に、相変化材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金材料が
用いられているとともに、反射膜の材料として、Ａｌ−
Ｔｉ合金やＡｌ−Ｃｒ合金などが用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
相変化型光ディスクにおいては、高速記録や高速再生の
さらなる向上が望まれているとともに、記録容量の大容
量化が望まれている。そして、これらのうちの高速記録
や高速再生を実現するために、線速度の向上を図ろうと
すると、次のような問題が生じる。すなわち、従来の線
速度における最高速度（線速度が約４．８ｍ／ｓ（４倍
速））以上の線速度によって、情報信号の記録／再生を
行おうとすると、ジッターの劣化や、変調度の減少を招
いてしまい、実用に供する十分な記録特性を得ることが
できない。
【０００８】さらに、本発明者の知見によれば、従来の
光学記録媒体の記録容量に比してより大容量化を図るた
めに、例えばトラックピッチの縮小化を図ったり、高Ｎ
Ａ化を図ったりしても、線速度の高速領域において十分
な記録／再生特性を得ることは非常に困難である。その
ため、線速度の高速領域においても十分な記録／再生特
性を確保しつつ大容量化を図ることができる技術の開発
が望まれていた。
【０００９】したがって、この発明の目的は、線速度の
高速領域においても、実用に供する十分な記録特性を確
保することができるとともに、記録容量の増加を図り、
大容量化された記録媒体を得ることができる光学記録媒
体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、一主面に、波形状でかつ
凹凸の溝トラック形状を有する基板と、基板の一主面上
に順次少なくとも設けられた、第１の誘電体膜、相変化
記録膜、第２の誘電体膜および反射膜とを有する光学記
録媒体であって、相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合
金材料からなるとともに、反射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金
材料からなり、相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴ
ｅ系合金材料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセン
ト以上８重量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パ
ーセント以上６重量パーセント以下、およびＴｅに対す
るＳｂの比率が２．２倍以上３．０倍以下であるととも
に、反射膜を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料におい
て、Ｐｄの含有率が０．９重量パーセント以上１．５重
量パーセント以下、Ｃｕの含有率が０．９重量パーセン
ト以上１．１重量パーセント以下であり、溝トラック形
状における凹部の深さが３５ｎｍ以上４５ｎｍ以下であ
るとともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境
界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅が
０．３５μｍ以上０．５０μｍ以下であり、第１の誘電
体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変化記録膜
の膜厚が１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の誘電体膜の
膜厚が１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚
が８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であることを特徴とする
ものである。
【００１１】この発明の第２の発明は、一主面に、波形
上でかつ凹凸の溝トラック形状を有する基板と、基板の
一主面上に設けられた、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜および反射膜とを有する光学記録媒
体であって、相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
料からなるとともに、反射膜がＡｌＣｕ系合金材料から
なり、相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金
材料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上８
重量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント
以上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの
比率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、反射
膜を構成するＡｌＣｕ系合金材料において、Ｃｕの含有
率が１．５重量パーセント以下であり、溝トラック形状
における凹部の深さが３５ｎｍ以上４５ｎｍ以下である
とともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境界
のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅が
０．３５μｍ以上０．５０μｍ以下であり、第１の誘電
体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、記録膜の膜厚
が１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の誘電体膜の膜厚が
１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚が８０
ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であることを特徴とするもので
ある。
【００１２】この発明において、好適には、凹部を挟ん
で隣り合う２つの境界の間の幅は、０．４０μｍ以上
０．５０μｍ以下である。
【００１３】この発明において、好適には、Ｔｅに対す
るＳｂの比率は２．２倍以上２．８倍以下である。
【００１４】この発明において、光学記録媒体は、典型
的には、波長が７７５ｎｍ以上７９５ｎｍ以下、具体的
には７８０ｎｍ程度の光を、少なくとも相変化記録膜に
照射することにより、情報信号の記録可能および／また
は消去可能に構成されている。
【００１５】この発明において、典型的には、光学記録
媒体に対して情報信号の記録および／または消去を行う
際に用いられる光学系におけるレンズの開口数が、０．
５４以上０．５６以下であり、具体的には、０．５５程
度である。
【００１６】この発明において、典型的には、光学記録
媒体の記録線密度は、１ビット当たり０．４４μｍ程度
である。
【００１７】この発明において、典型的には、第１の誘
電体膜は、光学記録媒体に対する記録／再生を行う際に
用いられる光学系のレーザ光に対する吸収能が低い材料
からなり、好適には、第１の誘電体膜の材料としては、
その材料の消衰係数ｋの値が０．３以下（ｋ≦０．３）
であるものが用いられる。
【００１８】この発明において、典型的には、第２の誘
電体膜は、光学記録媒体に対する記録／再生を行う際に
用いられる光学系のレーザ光に対する吸収能が低い材料
からなり、好適には、第２の誘電体膜の材料としては、
その材料の消衰係数ｋの値が０．３以下（ｋ≦０．３）
であるものが用いられる。
【００１９】この発明において、典型的には、光学記録
媒体は、記録膜に相変化材料を用いた書換可能型の光学
記録媒体である。また、この発明による光学記録媒体に
おける凹凸の溝トラック形状におけるトラックピッチ
は、例えば１．１μｍ程度である。また、この発明によ
る光学記録媒体は、具体的には、記録容量が例えば１．
３ＧＢ程度のＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)で
ある。
【００２０】上述のように構成されたこの発明による光
学記録媒体によれば、光学記録媒体における相変化記録
膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からなるとともに、反
射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金材料またはＡｌＣｕ系合金材
料からなり、この相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂ
Ｔｅ系合金材料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセ
ント以上８重量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量
パーセント以上６重量パーセント以下、およびＴｅに対
するＳｂの比率が２．２倍以上３．０倍以下であるとと
もに、反射膜を構成する材料がＡｇＰｄＣｕ系合金材料
の場合において、Ｐｄの含有率が０．９重量パーセント
以上１．５重量パーセント以下、Ｃｕの含有率が０．９
重量パーセント以上１．１重量パーセント以下であり、
反射膜を構成する材料がＡｌＣｕ系合金材料の場合にお
いて、Ｃｕの含有率が１．５重量パーセント以下であ
り、さらに、基板の一主面における凹凸の溝トラック形
状における凹部の深さが３５ｎｍ以上４５ｎｍ以下であ
るとともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境
界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅が
０．３５μｍ以上０．５０μｍ以下であり、さらに、第
１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変
化記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の誘
電体膜の膜厚が１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射
膜の膜厚が８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であることによ
り、情報信号の記録および／または消去を行う場合にお
ける線速度を増加させた場合においても、ジッターの劣
化を防止することができるとともに、変調度の減少を抑
制することができ、光学記録媒体における十分な記録特
性を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。
【００２２】まず、この発明の第１の実施形態による光
学記録媒体について説明する。図１はこの第１の実施形
態による光学記録媒体の一例を示す。
【００２３】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる光学記録媒体は、相変化型のディスク状光記録媒体
（以下、光ディスク）である。この光ディスク１は、デ
ィスク基板２の一主面２ａ上に、第１の誘電体膜３、相
変化記録膜４、第２の誘電体膜５、反射膜６、および保
護膜７が順次積膜されて構成されている。
【００２４】ディスク基板２は、ポリカーボネート系樹
脂、ポリオレフィン樹脂またはアクリル系樹脂などのプ
ラスチック材料や、ガラスからなる。このディスク基板
の材料としては、少なくとも情報信号の記録／再生に用
いられるレーザ光が透過可能な材料が選ばれ、さらにコ
ストなどの観点からは、プラスチック材料を用いるのが
望ましい。また、このディスク基板２は例えば円盤状で
あり、寸法の一例を挙げると、厚さは例えば１．２ｍｍ
程度、直径は例えば１２ｃｍである。また、この第１の
実施形態によるディスク基板２の一主面２ａには、図２
に示すように、凹凸の溝トラックが形成されており、凸
部（ランド）１０および凹部（グルーブ）１１がトラッ
ク状に形成されている。ここで、このトラックピッチ
は、例えば１．１μｍ程度である。また、グルーブ深さ
およびグルーブ幅は、サーボ信号であるプッシュプル(P
ush-Pull、ＰＰ)信号や、ラジアルコントラスト(Radial
Contrast、ＲＣ)信号に大きな影響を与えるため、これ
らの観点から選ばれ、具体的には、グルーブ深さが３５
〜４５ｎｍから選ばれるとともに、グルーブ幅が０．３
５〜０．５０μｍから選ばれる。そして、グルーブ深さ
およびグルーブ幅を、これらの値にすることによって、
ドライブのサーボ能力として十分な、プッシュプルマグ
ニチュード(Push-Pull Magnitude)およびＲＣを得るこ
とができる。なお、上述のグルーブ幅は、凸部（ランド
１０）と凹部（グルーブ１１）との境界のうち、凹部を
挟んで隣り合う２つの境界の間の幅で定義され、具体的
には、ランド１０とグルーブ１１との中間地点での幅、
すなわち、グルーブの底面における幅Ａと、互いに隣接
する２つのランドの間の間隔Ｂとから（Ａ＋Ｂ）／２を
算出した値をグルーブ幅とする。なお、これらのグルー
ブ深さおよびグルーブ幅の条件に関する詳細は後述す
る。
【００２５】また、図２に示すような溝トラックには、
情報の記録／再生時におけるアドレスを読み込むための
波形状のウォブル（図示せず）が形成されている。ここ
で、このウォブルにおける０−ピークでのウォブル振幅
は、十分なウォブル信号(Wobble Signal)の確保、およ
び記録信号特性の劣化防止の観点から選ばれる。すなわ
ち、ウォブル振幅を２５ｎｍ未満にしてしまうと、十分
なウォブル信号を得ることができず、他方、ウォブル振
幅を３５ｎｍより大きくしてしまうと、トラックピッチ
が１．１μｍの光ディスクにおける記録信号特性の劣化
を招いてしまう。そのため、ウォブル振幅は、具体的に
は２５〜３５ｎｍから選ばれる。なお、このウォブル振
幅条件に関する詳細は後述する。
【００２６】また、第１の誘電体膜３および第２の誘電
体膜５の材料は、記録／再生用のレーザ光に対して吸収
能が低い材料、好適には、消衰係数ｋが０．３以下の材
料から構成される。また、耐熱性の観点をも考慮する
と、第１の誘電体膜３および第２の誘電体膜５の材料と
しては、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）−酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）（特に、そのモル比率が約４：１のもの）混合
体が挙げられる。なお、これらの第１の誘電体膜３と第
２の誘電体膜５においては、それぞれ互いに異なる材料
を用いることも可能である。
【００２７】また、この第１の誘電体膜３における膜厚
は、反射率や変調度(Modulation)の観点から設定され
る。すなわち、この第１の誘電体膜３の膜厚を、７５ｎ
ｍ未満または９５ｎｍより大きくすると、反射率が上昇
し、変調度が減少してしまうため、具体的には７５〜９
５ｎｍから選ばれ、この第１の実施形態においては、第
１の誘電体膜３の膜厚は、例えば８５ｎｍに選ばれる。
なお、この第１の誘電体膜３の膜厚条件に関する詳細は
後述する。
【００２８】また、第２の誘電体膜５に関しては、第２
の誘電体膜５の膜厚を１６ｎｍ未満にすると、相変化記
録膜４が急冷されてしまい、十分なモジュレーション特
性を得ることができない。他方、第２の誘電体膜５の膜
厚を２８ｎｍより大きくすると、ジッター特性が劣化し
てしまい、所望の特性を得ることができない。したがっ
て、第２の誘電体膜５の膜厚は、１６〜２８ｎｍの範囲
から選ばれるのが好ましく、この第１の実施形態におい
ては、例えば２２ｎｍに選ばれる。なお、この第２の誘
電体膜５の膜厚条件に関する詳細は後述する。
【００２９】また、相変化記録膜４は、例えばＧｅＩｎ
ＳｂＴｅ合金からなる。そして、この相変化記録膜４を
構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ合金の組成において、まず、
Ｇｅの含有率に関しては、その含有率を１重量％未満に
すると保存安定性が低下してしまい、他方、８重量％よ
り高くすると、信号特性、特にジッター特性が低下して
しまう。また、Ｉｎの含有率に関しては、２重量％未満
とすると相変化記録膜４の結晶化が困難になってしま
い、他方、６重量％より高くすると、記録マークが消え
てしまうなど、再生安定性が低下してしまう。また、Ｔ
ｅに対するＳｂの比率に関しては、Ｓｂ／Ｔｅの値を
２．２未満にすると、線速度の高速領域において信号特
性が低下してしまい、他方、３．０より大きくすると、
線速度の低速領域において信号特性が低下してしまう。
したがって、相変化記録膜４を構成するＧｅＩｎＳｂＴ
ｅ合金においては、Ｇｅの含有率を１〜８重量％に設定
するとともに、Ｉｎの含有率を２〜６重量％に設定し、
さらにＴｅに対するＳｂの比率（Ｓｂ／Ｔｅ）を２．２
〜３．０に設定する。なお、これらの含有率をまとめる
と、相変化記録膜４の組成をＧｅpＩｎqＳｂrＴｅsとし
た場合、それぞれの組成比ｐ、ｑ、ｒおよびｓ（重量
％）が、１≦ｐ≦６、かつ２≦ｑ≦６、かつ２．２≦ｒ
／ｓ≦３．０という関係を満たす。なお、この相変化記
録膜４を構成する材料の組成条件に関する詳細は後述す
る。
【００３０】また、相変化記録膜４は、その膜厚が１２
ｎｍ未満になると、十分な反射率を得ることが困難にな
るのみならず、繰り返し記録特性も劣化してしまう、他
方、その膜厚を２０ｎｍより大きくすると、モジュレー
ションが小さくなってしまい、所望の特性を得ることが
できなくなってしまう。したがって、相変化記録膜４の
膜厚は、具体的には１２〜２０ｎｍから選ばれ、この第
１の実施形態においては、例えば１６ｎｍに選ばれる。
【００３１】また、反射膜６は、例えばＡｇ合金からな
り、この第１の実施形態においては、例えばＡｇＰｄＣ
ｕ合金からなる。そして、この反射膜６を構成するＡｇ
ＰｄＣｕ合金の組成において、まず、Ｐｄの含有率に関
しては、その含有率を０．９重量％未満にしたり、１．
５重量％より高くしたりすると、耐食性能が低下してし
まい、また、Ｃｕの含有率に関しても、その含有率を
０．９重量％未満にしたり、１．１重量％より大きくし
たりすると、耐食性能が低下してしまう。したがって、
この第１の実施形態による反射膜６を構成するＡｇＰｄ
Ｃｕにおいて、Ｐｄの含有率を０．９〜１．５重量％に
設定するとともに、Ｃｕの含有率を０．９〜１．１重量
％に設定する。なお、上述した反射膜６を構成する材料
の組成に関しての詳細は後述する。
【００３２】また、反射膜６において、その膜厚を８０
ｎｍ未満にすると、相変化記録膜４中に生じる熱の拡散
が十分にできず、熱冷却が不十分になってしまい、ジッ
ター特性が劣化してしまう。他方、反射膜６の膜厚を１
６０ｎｍより大きくすると、熱特性や光学的な特性に影
響が生じることはないが、スキューなどの機械的特性に
影響を与えてしまい、所望の特性を得ることができなく
なってしまう。したがって、反射膜６の膜厚は、具体的
には８０〜１６０ｎｍから選ばれ、この第１の実施形態
においては、例えば１２０ｎｍに選ばれる。
【００３３】また、保護膜７は、例えば紫外線硬化型樹
脂などからなる。
【００３４】以上のようにして構成された、この第１の
実施形態による光ディスク１に対して情報信号の記録を
行う場合には、まず、図１に示すディスク基板２の一主
面２ａとは反対側の他主面２ｂから、波長が例えば７８
０ｎｍ程度の、レーザ光などの記録光を部分的に照射し
て、相変化記録膜４の一部を所定の結晶相または非結晶
相に相変化させる。この第１の実施形態によるＧｅＩｎ
ＳｂＴｅ合金からなる相変化材料においては、加熱温度
によって異なるが、例えば急速加熱したりまたは急冷し
たりすることによって非晶質状態となり、徐冷すること
により結晶状態となる。このように、情報信号に応じて
相変化記録膜４における結晶部分と非結晶部分とを形成
することにより情報信号の記録が行われる。なお、この
第１の実施形態による光ディスク１の記録ビット長は、
例えば、１ビット当たり０．４４μｍ程度であり、ま
た、記録の際に用いられるレーザ光の波長は７８０ｎｍ
程度、開口数ＮＡは０．５５程度である。また、この第
１の実施形態における記録には、図４に示す記録波形が
用いられる。
【００３５】また、この光ディスク１に記録された情報
信号の再生を行う場合には、ディスク基板２の一主面２
ａとは反対側の他主面２ｂ側から、相変化記録膜４に向
けてレーザ光などの再生光を照射して、相変化記録膜４
中の異なる結晶相または非結晶相間の反射率の差異によ
り、結晶相および非結晶相に対応した情報信号の再生を
行う。なお、この再生光としては、相変化記録膜４に相
変化が生じないようなレーザ光が用いられる。
【００３６】次に、上述のように構成された、この第１
の実施形態による光学記録媒体の製造方法、具体的には
光ディスク１の製造方法について説明する。
【００３７】この第１の実施形態による光ディスクの製
造方法においては、まず、厚さが１．２ｍｍ程度で、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリ
ル系樹脂、またはガラスなどの少なくともレーザ光を透
過可能な材料からなるディスク基板２を用意した後、ス
パイラル状にトラッキング用のグルーブ１１を形成す
る。
【００３８】次に、ディスク基板２のグルーブ１１が形
成された面（一主面２ａ）上に、例えば、スパッタリン
グ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体などを成膜する。こ
れにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第１の誘電体膜３
が形成される。
【００３９】次に、例えばスパッタリング法により、第
１の誘電体膜３上に、相変化材料としてＧｅＩｎＳｂＴ
ｅ合金を成膜することにより相変化記録膜４を形成す
る。ここで、相変化記録膜４をスパッタリング法により
形成する際に、ＧｅpＩｎqＳｂ rＴｅs系材料をターゲッ
トとして用い、このＧｅpＩｎqＳｂrＴｅs系材料の組成
比ｐ、ｑ、ｒおよびｓ（重量％）が、１≦ｐ≦８、２≦
ｑ≦６、２．２≦ｒ／ｓ≦３．０となる関係を満たすよ
うにする。なお、このスパッタリング法においては、Ｇ
ｅからなるターゲット、Ｉｎからなるターゲット、Ｓｂ
からなるターゲットおよびＴｅからなるターゲットを用
いた同時スパッタリング法により行うようにしてもよ
く、また、真空蒸着法により行うことも可能である。そ
して、上述のスパッタターゲットの組成を上述のように
することで、相変化記録膜４の相変化速度を高めて、高
線速度における光ディスク１の記録特性を高めることが
できる。
【００４０】次に、相変化記録膜４上に、例えば、スパ
ッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ 2などを成膜するこ
とにより、第２の誘電体膜５を形成する。
【００４１】次に、例えばスパッタリング法により第２
の誘電体膜５上にＡｇＰｄＣｕ合金を成膜することによ
り、ＡｇＰｄＣｕ合金からなる反射膜６を形成する。こ
こで、反射膜６をスパッタリング法により形成する際
に、ＡｇＰｄＣｕ合金をターゲットとして用い、このＡ
ｇlＰｄmＣｕn系材料の組成比ｍおよびｎ（重量％）
が、０．９≦ｍ≦１．５、０．９≦ｎ≦１．１となる関
係を満たすようにする。なお、このスパッタリング法に
おいては、Ａｇからなるターゲット、Ｐｄからなるター
ゲット、およびＣｕからなるターゲットを用いた同時ス
パッタリング法により行うようにしてもよく、また、真
空蒸着法により行うことも可能である。
【００４２】最後に、例えばスピンコート法により、反
射膜６上に例えば紫外線硬化型樹脂を塗布する。これに
より、反射膜６上にディスク基板２上の膜を保護するた
めの保護膜７が形成される。
【００４３】以上のようにして、この第１の実施形態に
よる光ディスク１が製造される。
【００４４】次に、この第１の実施形態による光ディス
クに関する実験を行った。なお、この第１の実施形態に
よる光ディスクから外れた条件の光ディスクに関する実
験も併せて行った。
【００４５】まず、グルーブ深さ、グルーブ幅およびウ
ォブル振幅などのグルーブコンディションと、ＮＷＳ(N
ormalized Wobble Signal)、ＰＰ(Push-Pull Magnitud
e)、およびＲＣ(Radial Contrast)との関係に関する第
１の実験を行った。
【００４６】すなわち、この第１の実験おいては、ま
ず、グルーブコンディションの異なるディスク基板を用
意し、それぞれのディスク基板のグルーブが形成された
一主面上に、第１の実施形態におけると同様の製造方法
により、それぞれ第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２
の誘電体膜、および反射膜を順次形成する。次に、初期
化を行った後、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲＣを測定する。こ
れとともに、記録ストラテジーおよび記録パワーを最適
化して記録を行い、この記録後におけるＲＣを測定す
る。なお、この第１の実験に用いられる測定評価機にお
けるレーザ光の波長は、７８０ｎｍであり、ＮＡは０．
５５である。また、光ディスクにおける記録密度は、１
ビット当たり０．４４μｍである。
【００４７】以下の表１に、この第１の実験における測
定結果を示す。なお、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲＣのそれぞ
れの項目下の数値範囲は、それらの規格範囲を示し、Ｒ
Ｃに関しては、記録前(before)と記録後(after)とにお
ける規格値を併せて示す。また、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲ
Ｃに関する評価結果が規格範囲内であれば「○」とし、
規格範囲外であれば「×」とする。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１から、グルーブ幅を最適化して０．４
０μｍとし、グルーブ深さを、３０〜５０ｎｍの範囲に
おいてさまざまに変化させた場合、グルーブ深さが３０
ｎｍ以下となるときに、ＰＰが規格範囲外となることが
わかり、グルーブ深さが５０ｎｍ以上となるときに、Ｐ
Ｐおよび記録前後のＲＣが規格範囲外となることがわか
る。また、グルーブ深さが３５ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎ
ｍの場合（３５〜４５ｎｍ）において、ＮＷＳ、ＰＰ、
および記録前後のＲＣのいずれもが規格範囲内になるこ
とがわかる。したがって、グルーブ深さは、少なくとも
３０ｎｍより大きく５０ｎｍ未満の範囲から選択する必
要があり、好適には３５〜４５ｎｍの範囲から選択する
ことが望ましいことがわかる。
【００５０】また、表１から、グルーブ深さを最適化し
て４０ｎｍとし、グルーブ幅を０．３０〜０．５０μｍ
の範囲においてさまざまに変化させた場合、グルーブ幅
が０．３５μｍ未満の０．３μｍとなるときに、ＰＰお
よび記録前後のＲＣが規格範囲外となることがわかる。
また、グルーブ深さを最適化して４０ｎｍとし、グルー
ブ幅を０．３５〜０．５０μｍとした場合においては、
ＮＷＳ、ＰＰおよび記録前後のＲＣのいずれも規格範囲
内になることがわかる。したがって、グルーブ幅は、少
なくとも０．３０μｍより大きく０．５０μｍ以下であ
ることが望ましく、好適には、０．３５〜０．５０μｍ
の範囲から選択することが望ましいことがわかる。ま
た、より好適には、０．４０〜０．５０μｍの範囲から
選択することが望ましい。
【００５１】また、表１から、グルーブ深さおよびグル
ーブ幅を最適化して、それぞれ４０ｎｍおよび０．５μ
ｍとし、ウォブル振幅を、２０〜３５ｎｍの範囲におい
てさまざまに変化させた場合、ウォブル振幅が２５ｎｍ
未満の２０ｎｍとなるときに、ＮＷＳが規格範囲外にな
ることがわかる。また、ウォブル振幅を２５ｎｍ、３０
ｎｍ、および３５ｎｍとした場合においては、ＮＷＳ、
ＰＰおよび記録前後のＲＣのいずれも規格範囲内になる
ことがわかる。したがって、ウォブル振幅は、少なくと
も２０ｎｍより大きくし、好適には２５〜３５ｎｍの範
囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００５２】次に、光ディスクの信号特性における、第
１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および反
射膜のそれぞれの膜における膜厚依存性に関する第２の
実験を行った。
【００５３】すなわち、この第２の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜および反射膜のそれぞれの膜を形成
する。このとき、これらの膜の膜厚をさまざまに変化さ
せて光ディスクを作製する。その後、これらのさまざま
な光ディスクに関して、その記録特性の評価を行う。な
お、この第２の実験における測定評価機および光ディス
クの記録密度においては、第１の実験におけると同様で
あり、記録ストラテジーおよび記録パワーは最適化す
る。
【００５４】以下の表２に、この第２の実験における測
定結果を示す。この第２の実験においては、Ｉtop（グ
ルーブに記録した１１Ｔ信号の高い方の反射率レベル、
図３参照）、モジュレーション(Modulation)（Ｉ11／Ｉ
top、図３参照）、リソリューション(Resolution)（Ｉ3
／Ｉtop、図３参照）、アシンメトリー(Asymmetry)
（（Ｉ3の中心−Ｉ11の中心）／Ｉ11、図３参照）、お
よび３Ｔジッター(3T Jitter)を、光ディスクを構成す
るそれぞれの膜をさまざまな膜厚に変化させた場合につ
いて測定する。なお、項目下の数値範囲は、それらの規
格範囲を示す。すなわち、Ｉtopにおいては１５〜２５
％、モジュレーションにおいては５５％以上、リソリュ
ーションにおいては２０％以上、アシンメトリーにおい
ては−１５〜５％、３Ｔジッター(3T Jitter)において
は１５％以下が規格範囲内である。また、Ｉtop、モジ
ュレーション、リソリューション、アシンメトリー、お
よび３Ｔジッターに関する評価結果が規格範囲内であれ
ば「○」とし、規格範囲外であれば「×」とする。
【００５５】
【表２】
【００５６】表２から、第１の誘電体膜の膜厚を、その
他の膜厚を最適化しておいて、６５〜１０５ｎｍの範囲
においてさまざまに変化させた場合、膜厚が７５ｎｍ未
満の６５ｎｍとなるときに、Ｉtopが規格範囲外になる
ことがわかり、膜厚が９５ｎｍより大きい１０５ｎｍと
なるときに、モジュレーションおよび３Ｔジッターが規
格範囲外になることがわかる。また、第１の誘電体膜の
膜厚が、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍの場
合（７５〜９０ｎｍ）において、いずれの特性も規格範
囲内になることがわかる。したがって、第１の誘電体膜
の膜厚は、少なくとも６５ｎｍより大きく１０５ｎｍ未
満の範囲内である必要があり、好適には７５〜９５ｎｍ
が望ましいことがわかる。
【００５７】また、表２から、第１の誘電体膜を最適化
して８０ｎｍまたは８５ｎｍとし、相変化記録膜の膜厚
を、１０〜２２ｎｍの範囲においてさまざまに変化させ
た場合、膜厚が１２ｎｍ未満の１０ｎｍとなるときに、
リソリューション以外の項目が規格範囲外になることが
わかる。また、相変化記録膜の膜厚が２２ｎｍとなると
きに、３Ｔジッターが規格範囲外になることがわかる。
また、第１の誘電体膜の膜厚を最適化して８０ｎｍと
し、相変化記録膜の膜厚を１２ｎｍ、１６ｎｍ、２０ｎ
ｍとした場合においては、その他の膜厚を最適化されて
いる時には、いずれの項目も規格範囲内になることがわ
かる。したがって、相変化記録膜の膜厚は、少なくとも
１０ｎｍより大きく２２ｎｍ未満である必要があり、好
適には、１２〜２０ｎｍの範囲から選択することが望ま
しいことがわかる。
【００５８】また、表２から、第１の誘電体膜および相
変化記録膜の膜厚を最適化して、それぞれ８５ｎｍおよ
び１６ｎｍとし、第２の誘電体膜の膜厚を、１４〜３０
ｎｍの範囲においてさまざまに変化させた場合、第２の
誘電体膜の膜厚が１６ｎｍ未満の１４ｎｍとなるとき
に、モジュレーションが規格範囲外になることがわか
る。また、第２の誘電体膜の膜厚を２８ｎｍより大きい
３０ｎｍとした場合に、モジュレーション、アシンメト
リーおよび３Ｔジッターが規格範囲外になることがわか
る。また、第２の誘電体膜の膜厚を１６ｎｍ、２４ｎｍ
および２８ｎｍとした場合においては、その他の膜厚が
最適化されている時には、すべての項目において、いず
れも規格範囲内になることがわかる。したがって、第２
の誘電体膜の膜厚は、少なくとも１４ｎｍより大きく３
０ｎｍ未満である必要があり、好適には、１６〜２８ｎ
ｍの範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００５９】また、表２から、第１の誘電体膜、相変化
記録膜および第２の誘電体膜の膜厚を最適化して、それ
ぞれ８５ｎｍ、１６ｎｍおよび２４ｎｍとし、反射膜の
膜厚を、４０〜１６０ｎｍの範囲において、さまざまに
変化させた場合、反射膜の膜厚を８０ｎｍ未満の４０ｎ
ｍとした場合に、モジュレーションおよび３Ｔジッター
が規格範囲外になることがわかる。また、反射膜の膜厚
を８０ｎｍ、１６０ｎｍとした場合においては、すべて
の項目において、いずれも規格範囲内になることがわか
る。したがって、反射膜の膜厚は、少なくとも４０ｎｍ
より大きくする必要があり、好適には、８０〜１６０ｎ
ｍの範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００６０】次に、光ディスクの信号特性における相変
化記録膜を構成する材料の組成依存性に関する第３の実
験を行った。
【００６１】すなわち、この第３の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜および反射膜のそれぞれの膜を形成
する。このとき、相変化記録膜の組成をさまざまに変化
させて光ディスクを作製する。その後、これらのさまざ
まな光ディスクに関して、記録時における線速度を３．
６ｍ／ｓと７．２ｍ／ｓとの２通りの線速度とし、ジッ
ター特性の評価を行った。そして、上述の２通りの線速
度において、ともにジッター特性が良好と評価された場
合にのみ、記録済の光ディスクを、温度が８０℃で湿度
が８５％の雰囲気下に１００時間保存し、この光ディス
クの再生特性が劣化しているか否か、すなわち保存安定
性が良好か否かについての評価を行った。なお、この第
３の実験における測定評価機および光ディスクの記録密
度においては、第１の実験におけると同様であり、記録
ストラテジーおよび記録パワーは最適化する。
【００６２】以下の表３に、この第３の実験における測
定結果を示す。この第３の実験においては、相変化記録
膜の材料組成をさまざまな組成に変化させた場合につい
て測定する。なお、ジッターの項目下の数値範囲はそれ
らの規格範囲を示す。すなわち、ジッターにおいては１
５％以下が規格範囲内である。また、ジッターに関する
評価結果が規格範囲内、すなわち１５％以下の場合を
「○」とし、規格範囲外、すなわち１５％を超えた場合
を「×」とし、保存安定性に関しては、劣化している場
合を「×」、劣化が生じておらず変化がない場合を
「○」とする。
【００６３】
【表３】
【００６４】表３から、Ｇｅの含有率（組成比）を、０
〜９重量％の範囲においてさまざまに変化させた場合、
Ｇｅの組成比が０重量％のとき、すなわち相変化記録膜
にＧｅが含まれていない場合に、保存安定性が不良とな
り劣化してしまうことがわかり、さらにＧｅの組成比が
８重量％より大きい９重量％のときに、線速度が７．２
ｍ／ｓおよび３．６ｍ／ｓのいずれの場合においても、
ジッターが規格範囲外となることがわかる。また、Ｇｅ
の組成比を１重量％、２重量％、４重量％、８重量％と
した場合において、そのほかの組成比が最適化されてい
るときには、いずれの特性も規格範囲内になることがわ
かる。したがって、Ｇｅの組成比は、少なくとも０重量
％より大きく９重量％未満である必要があり、好適には
１〜８重量％の範囲から選択することが望ましいことが
わかる。
【００６５】また、表３から、Ｇｅの組成比を最適化し
て２重量％または４重量％とし、Ｉｎの組成比を、０〜
８重量％の範囲においてさまざまに変化させた場合、Ｉ
ｎの組成比が０重量％のときに、線速度が３．６ｍ／ｓ
および７．２ｍ／ｓのいずれの場合においても、ジッタ
ーが規格範囲外となることがわかる。また、Ｉｎの組成
比が６重量％より大きい８重量％のときに、線速度が
３．６ｍ／ｓの場合のジッターが規格範囲外になること
がわかる。また、Ｇｅの組成比を最適化して２重量％ま
たは４重量％とし、Ｉｎの組成比を２重量％、３重量
％、４重量％、または６重量％とした場合においては、
いずれの項目も規格範囲内になることがわる。したがっ
て、Ｉｎの組成比は、少なくとも０重量％より大きく８
重量％未満である必要があり、好適には、２〜６重量％
の範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００６６】また、表３から、ＧｅおよびＩｎの組成比
をそれぞれ最適化して、それぞれ２重量％（または４重
量％）および４重量％とし、Ｓｂ／Ｔｅの比率を、２〜
３．２の範囲においてさまざまに変化させた場合、Ｓｂ
／Ｔｅの比率が２．２未満の２となるときに、線速度が
７．２ｍ／ｓの場合におけるジッターが規格範囲外にな
ることがわかる。他方、Ｓｂ／Ｔｅの比率が３．０より
大きく３．２とした場合に、線速度が３．６ｍ／ｓの場
合におけるジッターが規格範囲外になることがわかる。
また、ＧｅおよびＩｎの組成比を最適化した状態で、Ｓ
ｂ／Ｔｅの比率の比率を２．２および３．０とした場合
においては、すべての項目において、いずれも規格範囲
内になることがわかる。したがって、Ｓｂ／Ｔｅの比率
は、少なくとも２より大きく３．２未満である必要があ
り、好適には、２．２〜３．０の範囲から選択すること
が望ましいことがわかる。
【００６７】次に、光ディスクの耐食性および信号特性
における反射膜の組成依存性に関する第４の実験を行っ
た。
【００６８】すなわち、この第４の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜を形成する。その後、第２の誘電体
膜上に、組成をさまざまに変化させた反射膜を成膜し、
光ディスクを作製する。その後、これらのさまざまな光
ディスクに関して、記録時における線速度を３．６ｍ／
ｓとしてジッター特性の評価を行う。さらに、この光デ
ィスクを温度が８０℃で湿度が８５％の雰囲気下に１０
０時間保存し、反射膜の面に腐食が生じるか否か、すな
わち耐食性が良好か否かについての評価を行った。な
お、この第４の実験における測定評価機および光ディス
クの記録密度においては、第１の実験におけると同様で
あり、記録ストラテジーおよび記録パワーは最適化す
る。
【００６９】以下の表４に、この第４の実験における測
定結果を示す。この第３の実験においては、反射膜を構
成するＡｇＰｄＣｕ合金の組成をさまざまな組成に変化
させた場合について測定する。なお、ジッターの項目下
の数値範囲はそれらの規格範囲を示す。すなわち、ジッ
ターにおいては１５％以下が規格範囲内である。また、
ジッターに関する評価結果が規格範囲内、すなわち１５
％以下の場合を「○」とし、規格範囲外、すなわち１５
％を超えた場合を「×」とする。また、耐食性に関して
は、腐食が生じている場合を「×」、腐食が生じていな
い場合を「○」とする。
【００７０】
【表４】
【００７１】表４から、Ａｇの組成比を１００重量％と
した場合にのみ腐食が生じ、それ以外の場合では、反射
膜の組成比がどのような組成比であっても、ジッターは
規格範囲内になることがわかる。すなわち、Ａｇに、さ
らにＰｄおよびＣｕが含まれている場合に、腐食が生じ
ず、耐食性が良好になることがわかる。したがって、反
射膜はＡｇＰｄＣｕ合金から構成する必要があり、好適
には、Ｐｄの組成比を０．５〜１．５重量％、好適には
０．９〜１．５重量％から選択し、Ｃｕの組成として、
１重量％近傍の０．９〜１．１重量％の範囲から選択す
ることが望ましいことがわかる。
【００７２】次に、３Ｔジッターの記録パワー依存性に
関する実験と、モジュレーションおよびリソリューショ
ンの記録パワー依存性に関する実験との第５の実験を行
った。
【００７３】すなわち、この第５の実験においては、第
１の実施形態における光ディスク１と同様に、ディスク
基板２上に、膜厚が８５ｎｍの第１の誘電体膜３、膜厚
が１６ｎｍの相変化記録膜４、膜厚が２２ｎｍの第２の
誘電体膜５および膜厚が８０ｎｍの反射膜６を順次形成
して、光ディスク１を作製する。そして、この光ディス
ク１に対して情報信号の記録を行う。このとき、これら
の記録時における記録パワーを１９〜２６ｍＷの間の値
にさまざまに変え、３Ｔジッター特性の記録パワー依存
性の評価と、モジュレーションおよびリソリューション
の記録パワー依存性の評価を行う。なお、この第５の実
験における測定評価機および光ディスクの記録密度にお
いては、第１の実験におけると同様であり、記録ストラ
テジーおよび記録パワーは最適化する。
【００７４】この第５の実験による結果を図５に示す。
図５Ａに、３Ｔジッターの記録パワー依存性を示し、図
５Ｂに、モジュレーションおよびリソリューションの記
録パワー依存性を示す。なお、図５Ａにおいては、マー
クとスペースとの両方における３Ｔジッターを示す。ま
た、ジッター軸における３５ｎｓは、ほぼジッターにお
ける１５％に相当する（１Ｔ＝２３１ｎｓ、３５／１Ｔ
≒０．１５＝１５％）。
【００７５】図５Ａから、記録パワーを１９〜２６ｍＷ
とした場合において、マークにおける３Ｔジッターが２
７ｎｓ（１１．６％程度）以下であるとともに、スペー
スにおける３Ｔジッターが３３ｎｓ（１４．３％程度）
以下であることがわかる。したがって、記録パワーを１
９〜２６ｍＷとした範囲内において、十分な記録特性を
得ることができることがわかる。
【００７６】図５Ｂから、記録パワーを１９〜２６ｍＷ
とした場合において、リソリューションが、０．２（２
０％）より大きい０．４（４０％）近傍で、ほとんど変
化がないことがわかり、良好なリソリューション特性の
確保が可能であることがわかる。また、モジュレーショ
ンが、０．５５（５５％）より大きい、０．７２〜０．
８１程度の範囲内において微増しており、この場合にお
いても、良好なモジュレーション特性の確保が可能であ
ることがわかる。
【００７７】以上により、この第１の実施形態による光
ディスクによれば、線速度の高速領域において、十分な
記録特性を確保しつつ、記録／再生を行うことが可能で
あることがわかる。
【００７８】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、光ディスク１における相変化記録膜４をＧｅ
ＩｎＳｂＴｅ合金から構成するとともに、反射膜をＡｇ
ＰｄＣｕ合金から構成し、この相変化記録膜４を構成す
るＧｅＩｎＳｂＴｅ合金において、Ｇｅの含有率を１〜
８重量％、Ｉｎの含有率を２〜６重量％、およびＳｂ／
Ｔｅを２．２〜３．０にするとともに、反射膜６を構成
するＡｇＰｄＣｕ合金において、Ｐｄの含有率を０．９
〜１．５重量％、Ｃｕの含有率を０．９〜１．１重量％
とし、グルーブ１１において、グルーブ深さを３５〜４
５ｎｍにするとともにグルーブ幅を０．３５〜０．５０
μｍとし、第１の誘電体膜３の膜厚を７５〜９５ｎｍ、
相変化記録膜４の膜厚を１２〜２０ｎｍ、第２の誘電体
膜５の膜厚を１６〜２８ｎｍ、および反射膜６の膜厚を
８０〜１６０ｎｍとしていることにより、線速度が３．
６〜７．２ｍ／ｓの場合においても、従来の光ディスク
におけると同様の特性を確保しつつ、記録／再生を行う
ことができるとともに、十分な記録パワーマージンの確
保を図ることができ、さらに、記録容量を大幅に増加す
ることができ、具体的には記録容量が例えば１．３ＧＢ
程度の光ディスクを得ることができる。
【００７９】次に、この発明の第２の実施形態による光
ディスクについて説明する。この第２の実施形態による
光ディスクにおいては、第１の実施形態におけると異な
り、反射膜６をＡｌＣｕ合金から構成する。ここで、Ａ
ｌＣｕ合金におけるＣｕの含有率は、１．５重量％以下
に選ばれ、具体的には、例えば１重量％に選ばれる。ま
た、その他の光ディスクの構成については第１の実施形
態におけると同様であるので、説明を省略する。
【００８０】次に、この第２の実施形態による光ディス
クにおいて、反射膜に関する耐食性および信号特性にお
ける反射膜の組成依存性に関する第６の実験を行った。
【００８１】すなわち、この第６の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の実施形態における製造方
法と同様にして、第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２
の誘電体膜を形成する。その後、第２の誘電体膜上に、
組成をさまざまに変化させたＡｌＣｕ合金からなる反射
膜を成膜して、光ディスクを作製する。その後、これら
のさまざまな光ディスクに関してジッター特性の評価を
行う。さらに、この光ディスクを温度が８０℃で湿度が
８５％の雰囲気下に１００時間保存し、反射膜の面に腐
食が生じるか否か、すなわち耐食性が良好か否かについ
ての評価を行った。なお、この第６の実験における測定
評価機および光ディスクの記録密度においては、第１の
実験におけると同様であり、記録ストラテジーおよび記
録パワーは最適化する。
【００８２】以下の表５に、この第６の実験における測
定結果を示す。この第６の実験においては、反射膜を構
成するＡｌＣｕ合金の組成をさまざまな組成に変化させ
た場合について測定する。なお、ジッターの項目下の数
値範囲はそれらの規格範囲を示す。すなわち、ジッター
においては１５％以下が規格範囲内である。また、ジッ
ターに関する評価結果が規格範囲内、すなわち１５％以
下の場合を「○」とし、規格範囲外、すなわち１５％を
超えた場合を「×」とする。また、耐食性に関しては、
腐食が生じている場合を「×」、腐食が生じていない場
合を「○」とする。
【００８３】
【表５】
【００８４】表５から、反射膜を構成するＣｕの含有率
が２重量％の時に、ジッターが規格範囲外となり、Ｃｕ
の含有率が２重量％未満の１．５重量％および１重量％
のときに、ジッターは規格範囲内となることがわかる。
また、Ｃｕの含有率がどのような値であっても、腐食が
生じず、耐食性が良好であることがわかる。したがっ
て、この第２の実施形態による反射膜６を、少なくとも
Ｃｕを２重量％未満含有したＡｌＣｕ合金から構成する
必要があり、好適には、Ｃｕの含有率を１．５重量％以
下から選択することが望ましいことがわかる。
【００８５】この第２の実施形態によれば、反射膜６を
ＡｌＣｕ合金から構成すること以外のことは第１の実施
形態におけると同様であるので、第１の実施形態におけ
ると同様の効果を得ることができる。
【００８６】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００８７】例えば、上述の実施形態において挙げた、
各膜の成膜方法、ディスク基板や保護膜の材料はあくま
でも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる成膜方法
や、異なる材料からなるディスク基板や保護膜を用いて
もよい。
【００８８】また、例えば上述の第１および第２の実施
形態においては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜
の材料として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体を用いたが、消
衰係数ｋが０．３以下の材料であれば、どのような材料
を用いることも可能である。具体的には、第１の誘電体
膜および第２の誘電体膜の材料として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、
Ｌａ、Ｇｅなどの金属および半金属などの元素の、窒化
物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒
炭化物、または酸炭化物などからなる材料や、これらを
主成分とする材料を用いることが可能である。また、よ
り具体的には、第１の誘電体膜３および第２の誘電体膜
５の材料として、ＡｌＮx（０．５≦ｘ≦１、特に、Ａ
ｌＮ））、Ａｌ2Ｏ3-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ａｌ
2Ｏ3））、Ｓｉ3Ｎ4-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ｓｉ
3Ｎ4））、ＳｉＯx（１≦ｘ≦２、（特に、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ）、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＴｉＯx（１
≦ｘ≦２、（特に、ＴｉＯ2））、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴ
ｉＯ3、Ｔａ2Ｏ5-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ｔａ
2Ｏ5））、ＧｅＯx（１≦ｘ≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、
ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、Ｃａ
Ｆ2、ＬａＦ、ＭｇＦ2、ＮａＦ、ＴｉＦ4などを用いる
ことも可能であり、さらに、これらの材料を主成分とす
る材料や、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−Ｓｉ
Ｏ2を用いることも可能である。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明によれば、相変化記録膜をＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金
材料から構成するとともに、反射膜をＡｇＰｄＣｕ系合
金材料から構成し、相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳ
ｂＴｅ系合金材料において、Ｇｅの含有率を１重量パー
セント以上８重量パーセント以下、Ｉｎの含有率を２重
量パーセント以上６重量パーセント以下、およびＴｅに
対するＳｂの比率を２．２倍以上３．０倍以下にすると
ともに、反射膜を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料にお
いて、Ｐｄの含有率を０．９重量パーセント以上１．５
重量パーセント以下、Ｃｕの含有率を０．９重量パーセ
ント以上１．１重量パーセント以下とし、溝トラック形
状における凹部の深さが３５ｎｍ以上４５ｎｍ以下であ
るとともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境
界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅を
０．３５μｍ以上０．５０μｍ以下とし、第１の誘電体
膜の膜厚を７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変化記録膜の
膜厚を１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の誘電体膜の膜
厚を１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚を
８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下としていることにより、記
録時においてＮＡを０．５５とした場合において、実用
可能な記録／再生特性を確保しつつ、線速度を３．６〜
７．２ｍ／ｓとした場合においても、ジッターの劣化や
変調度の減少を抑制することができ、十分な記録パワー
マージンを得ることができ、実用に供する十分な記録／
再生特性が確保しつつ、記録容量が飛躍的に増加された
光学記録媒体を得ることができる。
【００９０】また、この発明の第２の発明によれば、相
変化記録膜をＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料から構成する
とともに、反射膜をＡｌＣｕ系合金材料から構成し、相
変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料にお
いて、Ｇｅの含有率を１重量パーセント以上８重量パー
セント以下、Ｉｎの含有率を２重量パーセント以上６重
量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比率を
２．２倍以上３．０倍以下とするとともに、反射膜を構
成するＡｌＣｕ系合金材料において、Ｃｕの含有率を
１．５重量パーセント以下とし、基板に形成された溝ト
ラック形状における凹部の深さを３５ｎｍ以上４５ｎｍ
以下とするとともに、溝トラック形状における凸部と凹
部との境界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の
間の幅を０．３５μｍ以上０．５０μｍ以下とし、第１
の誘電体膜の膜厚を７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、記録膜
の膜厚を１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の誘電体膜の
膜厚を１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚
を８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下としていることにより、
記録時においてＮＡを０．５５とし、規格に基づいた記
録／再生特性を確保しつつ、線速度を３．６〜７．２ｍ
／ｓとした場合においても、ジッターの劣化や変調度の
減少を抑制することができ、十分な記録パワーマージン
を得ることができるので、実用に供する十分な記録／再
生特性が確保しつつ、記録容量が飛躍的に増加された光
学記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による光ディスクを
示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるグルーブ幅、
グルーブ深さを説明するためのディスク基板の断面図で
ある。
【図３】この発明の第１の実施形態において評価が行わ
れる反射率に関する特性の定義を説明するためのグラフ
である。
【図４】この発明の第１の実施形態による光ディスクの
ジッター特性を評価する際に用いられる記録発光パター
ンを示すグラフである。
【図５】この発明の第１の実施形態による光ディスク
の、３Ｔジッター、並びにモジュレーションおよびリソ
リューションの記録パワー依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１・・・光ディスク、２・・・ディスク基板、２ａ・・
・一主面、２ｂ・・・他主面、３・・・第１の誘電体
膜、４・・・相変化記録膜、５・・・第２の誘電体膜、
６・・・反射膜、７・・・保護膜、１０・・・ランド、
１１・・・グルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｍ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 下向 仁 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 FA01 FA12 FA21 FB05 FB09 FB12 FB21 5D029 JA01 JB35 KB03 LB07 MA13 MA14 WB03 WB11 WB17 WC01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一主面に、波形状でかつ凹凸の溝トラッ
    ク形状を有する基板と、 上記基板の上記一主面上に順次少なくとも設けられた、
    第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および
    反射膜とを有する光学記録媒体であって、 上記相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からな
    るとともに、上記反射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金材料から
    なり、 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
    料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上８重
    量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以
    上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比
    率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、上記反
    射膜を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料において、Ｐｄ
    の含有率が０．９重量パーセント以上１．５重量パーセ
    ント以下、Ｃｕの含有率が０．９重量パーセント以上
    １．１重量パーセント以下であり、 上記溝トラック形状における凹部の深さが３５ｎｍ以上
    ４５ｎｍ以下であるとともに、上記溝トラック形状にお
    ける凸部と凹部との境界のうち、上記凹部を挟んで隣り
    合う２つの境界の間の幅が０．３５μｍ以上０．５０μ
    ｍ以下であり、 上記第１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以
    下、上記相変化記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上２０ｎｍ以
    下、上記第２の誘電体膜の膜厚が１６ｎｍ以上２８ｎｍ
    以下、および上記反射膜の膜厚が８０ｎｍ以上１６０ｎ
    ｍ以下であることを特徴とする光学記録媒体。
  2. 【請求項２】 上記凹部を挟んで隣り合う２つの境界の
    間の幅が０．４０μｍ以上０．５０μｍ以下であること
    を特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
  3. 【請求項３】 上記Ｔｅに対するＳｂの比率が２．２倍
    以上２．８倍以下であることを特徴とする請求項１記載
    の光学記録媒体。
  4. 【請求項４】 波長が７７５ｎｍ以上７９５ｎｍ以下の
    光を少なくとも上記相変化記録膜に照射することによ
    り、上記光学記録媒体に対して情報信号を記録可能およ
    び／または消去可能に構成されていることを特徴とする
    請求項１記載の光学記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記光学記録媒体に対して情報信号の記
    録および／または消去を行う際に用いられる光学系にお
    けるレンズの開口数が、０．５４以上０．５６以下であ
    ることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
  6. 【請求項６】 上記光学記録媒体の記録線密度が、１ビ
    ット当たり、０．４４μｍ程度であることを特徴とする
    請求項１記載の光学記録媒体。
  7. 【請求項７】 一主面に、波形上でかつ凹凸の溝トラッ
    ク形状を有する基板と、 上記基板の上記一主面上に設けられた、第１の誘電体
    膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および反射膜とを有
    する光学記録媒体であって、 上記相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からな
    るとともに、上記反射膜がＡｌＣｕ系合金材料からな
    り、 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
    料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上８重
    量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以
    上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比
    率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、上記反
    射膜を構成するＡｌＣｕ系合金材料において、Ｃｕの含
    有率が１．５重量パーセント以下であり、 上記溝トラック形状における凹部の深さが３５ｎｍ以上
    ４５ｎｍ以下であるとともに、上記溝トラック形状にお
    ける凸部と凹部との境界のうち、上記凹部を挟んで隣り
    合う２つの境界の間の幅が０．３５μｍ以上０．５０μ
    ｍ以下であり、 上記第１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以
    下、上記記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上２０ｎｍ以下、上
    記第２の誘電体膜の膜厚が１６ｎｍ以上２８ｎｍ以下、
    および上記反射膜の膜厚が８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下
    であることを特徴とする光学記録媒体。
  8. 【請求項８】 上記凹部を挟んで隣り合う２つの境界の
    間の幅が０．４０μｍ以上０．５０μｍ以下であること
    を特徴とする請求項７記載の光学記録媒体。
  9. 【請求項９】 上記Ｔｅに対するＳｂの比率が２．２倍
    以上２．８倍以下であることを特徴とする請求項７記載
    の光学記録媒体。
  10. 【請求項１０】 波長が７７５ｎｍ以上７９５ｎｍ以下
    の光を少なくとも上記相変化記録膜に照射することによ
    り、上記光学記録媒体に対して情報信号を記録可能およ
    び／または消去可能に構成されていることを特徴とする
    請求項７記載の光学記録媒体。
  11. 【請求項１１】 上記光学記録媒体に対して情報信号の
    記録および／または消去を行う際に用いられる光学系に
    おけるレンズの開口数が、０．５４以上０．５６以下で
    あることを特徴とする請求項７記載の光学記録媒体。
  12. 【請求項１２】 上記光学記録媒体の記録線密度が、１
    ビット当たり０．４４μｍであることを特徴とする請求
    項７記載の光学記録媒体。
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