JP2001344808A - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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JP2001344808A JP2000296187A JP2000296187A JP2001344808A JP 2001344808 A JP2001344808 A JP 2001344808A JP 2000296187 A JP2000296187 A JP 2000296187A JP 2000296187 A JP2000296187 A JP 2000296187A JP 2001344808 A JP2001344808 A JP 2001344808A
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透 安孫子
Fuminori Takase
史則 高瀬
Hitoshi Shimomukai
仁 下向
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 線速度が4.8m/s以上であってもジッター劣化
や変調度減少を抑制し十分な記録特性を確保する。 【解決手段】 一主面２ａにランドとグルーブとが形成
されたディスク基板２上に、順次、第１の誘電体膜３、
相変化記録膜４、第２の誘電体膜５、反射膜６及び保護
膜７を設け、記録膜４をGeInSbTe合金、反射膜６をAgPd
Cu合金又はAlCu合金から構成する。GeInSbTe合金におけ
る組成比を、Geが1〜6wt％、Inが2〜6wt％、Sb/Teが2.2
〜3.0とし、AgPdCu合金における組成比を、Pdが0.9〜1.
5wt％、Cuが0.9〜1.1wt％とし、AlCu合金においてCuの
含有率を1.5wt％以下とする。グルーブコンディション
は、グルーブ深さを40〜50ｎｍ、グルーブ幅を0.40〜0.
65μｍとし、第１の誘電体膜３を75〜95ｎｍ、記録膜４
を12〜18ｎｍ、第２の誘電体膜５を20〜28ｎｍ、反射膜
６を60〜140ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学記録媒体に
関し、特に、繰り返し記録／消去を行うことが可能な、
相変化型光ディスクに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、光学
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できるなどの数々の利点を有する。この
ように、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を
可能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広
い用途が考えられている。
【０００３】上述したような光学記録方式のうち、書換
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスクなどが挙げられる。光
磁気ディスクでは、磁性材料からなる記録膜を部分的に
キュリー点または温度補償点以上に昇温させることによ
って記録膜の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印
加することによって記録膜の磁化方向を変化させて情報
信号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが
行われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と
非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料
からなる記録膜を備え、レーザ光などの照射により記録
膜を昇温させ、記録膜に相変化を生じさせて情報が記録
消去され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われ
る。
【０００４】従来の相変化型光ディスクとして、具体的
には、ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)が知られ
ており、広く普及している。このＣＤ−ＲＷのフォーマ
ットを以下に示す。
【０００５】レーザ光の波長：７８０ｎｍ 光学系のレンズの開口数（ＮＡ）： 記録／消去時 ＮＡ＝０．５０ 再生時 ＮＡ＝０．４５ 容量：６５０ＭＢ トラックピッチ：１．６μｍ 反射率：１５〜２５％ 変調度：５５〜７０％ リソリューション(Resolution)：４５〜６０％ 線速度：１．２〜４．８ｍ／ｓ（１倍速〜４倍速） 繰り返し記録回数：１０００回以上
【０００６】そして、このように規定された相変化型光
ディスク（具体的には、ＣＤ−ＲＷ）を実現するため
に、相変化材料として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金材料が
用いられるとともに、反射膜の材料として、Ａｌ−Ｔｉ
合金やＡｌ−Ｃｒ合金などが用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の相変化型光ディスクにおいて、高速記録や高速再
生のさらなる向上が望まれている。そして、このような
高速記録や高速再生を実現するために、線速度の向上を
図ると、次のような問題が生じる。すなわち、従来の線
速度における最高速度（線速度が約４．８ｍ／ｓ（４倍
速））以上の線速度によって、情報信号の記録再生を行
うと、ジッターの劣化や、変調度の減少を招いてしま
い、実用に供する十分な記録特性を得ることができなか
った。
【０００８】したがって、この発明の目的は、線速度が
４．８ｍ／ｓ以上の速度においても、ジッターの劣化や
変調度の減少を抑制することができ、これにより実用に
供する十分な記録特性を確保することができる光学記録
媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、一主面に凹凸の溝トラッ
ク形状を有する基板と、基板の一主面上に順次少なくと
も設けられた、第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の
誘電体膜および反射膜とを有する光学記録媒体であっ
て、相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からな
るとともに、反射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金材料からな
り、相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上６重
量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以
上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比
率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、反射膜
を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料において、Ｐｄの含
有率が０．９重量パーセント以上１．５重量パーセント
以下、Ｃｕの含有率が０．９重量パーセント以上１．１
重量パーセント以下であり、溝トラック形状における凹
部の深さが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるとともに、
溝トラック形状における凸部と凹部との境界のうち、凹
部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅が０．４０μｍ
以上０．６５μｍ以下であり、第１の誘電体膜の膜厚が
７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変化記録膜の膜厚が１２
ｎｍ以上１８ｎｍ以下、第２の誘電体膜の膜厚が２０ｎ
ｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚が６０ｎｍ以
上１４０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１０】この発明の第２の発明は、一主面に凹凸の
溝トラック形状を有する基板と、基板の一主面上に設け
られた、第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体
膜および反射膜とを有する光学記録媒体であって、相変
化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からなるととも
に、反射膜がＡｌＣｕ系合金材料からなり、相変化記録
膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料において、Ｇ
ｅの含有率が１重量パーセント以上６重量パーセント以
下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以上６重量パーセ
ント以下、およびＴｅに対するＳｂの比率が２．２倍以
上３．０倍以下であるとともに、反射膜を構成するＡｌ
Ｃｕ系合金材料において、Ｃｕの含有率が１．５重量パ
ーセント以下であり、溝トラック形状における凹部の深
さが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるとともに、溝トラ
ック形状における凸部と凹部との境界のうち、凹部を挟
んで隣り合う２つの境界の間の幅が０．４０μｍ以上
０．６５μｍ以下であり、第１の誘電体膜の膜厚が７５
ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変化記録膜の膜厚が１２ｎｍ
以上１８ｎｍ以下、第２の誘電体膜の膜厚が２０ｎｍ以
上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚が６０ｎｍ以上１
４０ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１１】この発明において、典型的には、光学記録
媒体に対して情報信号の記録および／または消去を行う
際に、光学記録媒体の相変化記録膜に照射される光の波
長は、７７５ｎｍ以上７９５ｎｍ以下から選ばれ、具体
的には、例えば７８０ｎｍ程度である。
【００１２】この発明において、典型的には、光学記録
媒体に対して情報信号の記録および／または消去を行う
際に用いられる光学系におけるレンズの開口数は、０．
４９以上０．５１以下であるとともに、情報信号の再生
を行う際に用いられる光学系におけるレンズの開口数
は、０．４４以上０．４６以下であり、具体的には、光
学記録媒体に対して情報信号の記録および／または消去
を行う際に用いられる光学系におけるレンズの開口数が
０．５程度であるとともに、情報信号の再生を行う際に
用いられる光学系におけるレンズの開口数が０．４５程
度である。
【００１３】この発明において、典型的には、光学記録
媒体の記録線密度が１ビット当たり、０．５９μｍ程度
である。
【００１４】この発明において、好適には、相変化記録
膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料におけるＴｅ
に対するＳｂの比率は２．２倍以上２．８倍以下であ
る。
【００１５】この発明において、好適には、凹部を挟ん
で隣り合う２つの境界の間の幅は、０．５２μｍ以上
０．６５μｍ以下である。
【００１６】この発明において、典型的には、第１の誘
電体膜は、光学記録媒体に対する記録／再生を行う際に
用いられる光学系のレーザ光に対する吸収能が低い材料
からなり、好適には、第１の誘電体膜の材料としては、
その材料の消衰係数ｋの値が、０．３以下であるものが
用いられる。
【００１７】この発明において、典型的には、第２の誘
電体膜は、光学記録媒体に対する記録／再生を行う際に
用いられる光学系のレーザ光に対する吸収能が低い材料
からなり、好適には、第２の誘電体膜の材料としては、
その材料の消衰係数ｋの値が、０．３以下であるものが
用いられる。
【００１８】この発明において、典型的には、光学記録
媒体は、記録膜に相変化材料を用いた書換可能型の光学
記録媒体であり、具体的には、例えばＣＤ−ＲＷ(Compa
ct Disc-ReWritable)である。
【００１９】上述のように構成されたこの発明による光
学記録媒体によれば、光学記録媒体における相変化記録
膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からなるとともに、反
射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金材料またはＡｌＣｕ系合金材
料からなり、この相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂ
Ｔｅ系合金材料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセ
ント以上６重量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量
パーセント以上６重量パーセント以下、およびＴｅに対
するＳｂの比率が２．２倍以上３．０倍以下であるとと
もに、反射膜を構成する材料がＡｇＰｄＣｕ系合金材料
の場合において、Ｐｄの含有率が０．９重量パーセント
以上１．５重量パーセント以下、Ｃｕの含有率が０．９
重量パーセント以上１．１重量パーセント以下であり、
反射膜を構成する材料がＡｌＣｕ系合金材料の場合にお
いて、Ｃｕの含有率が１．５重量パーセント以下であ
り、さらに、基板の一主面における凹凸の溝トラック形
状における凹部の深さが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であ
るとともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境
界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅が
０．４０μｍ以上０．６５μｍ以下であり、さらに、第
１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変
化記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上１８ｎｍ以下、第２の誘
電体膜の膜厚が２０ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射
膜の膜厚が６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることによ
り、情報信号の記録および／または消去を行う場合にお
ける線速度を増加させた場合においても、ジッターの劣
化を防止することができるとともに、変調度の減少を抑
制することができ、光学記録媒体における十分な記録特
性を得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。
【００２１】まず、この発明の第１の実施形態による光
学記録媒体について説明する。図１はこの第１の実施形
態による光学記録媒体の一例を示す。
【００２２】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる光学記録媒体は、相変化型のディスク状光記録媒体
（以下、光ディスク）である。この光ディスク１は、デ
ィスク基板２の一主面２ａ上に、第１の誘電体膜３、相
変化記録膜４、第２の誘電体膜５、反射膜６、および保
護膜７が順次積膜されて構成されている。
【００２３】ディスク基板２は、ポリカーボネート系樹
脂、ポリオレフィン樹脂またはアクリル系樹脂などのプ
ラスチック材料や、ガラスからなる。このディスク基板
の材料としては、少なくとも情報信号の記録／再生に用
いられるレーザ光が透過可能な材料が選ばれ、さらにコ
ストなどの観点からは、プラスチック材料を用いるのが
望ましい。また、このディスク基板２の厚さは例えば
１．２ｍｍ程度である。また、この第１の実施形態によ
るディスク基板２の一主面２ａには、図２に示すよう
に、凹凸の溝トラックが形成されており、凸部（ラン
ド）１０および凹部（グルーブ）１１がトラック状に形
成されている。ここで、このトラックピッチは、例えば
１．６μｍである。また、グルーブ深さおよびグルーブ
幅は、サーボ信号であるプッシュプル(Push-Pull、Ｐ
Ｐ)信号や、ラジアルコントラスト(RadialContrast、Ｒ
Ｃ)信号に大きな影響を与えるため、これらの観点から
選ばれ、具体的には、グルーブ深さが４０〜５０ｎｍか
ら選ばれるとともに、グルーブ幅が０．４０〜０．６５
μｍ、好適には０．５２〜０．６５μｍから選ばれる。
そして、グルーブ深さおよびグルーブ幅を、これらの値
にすることによって、プッシュプルマグニチュード(Pus
h-Pull Magnitude)として０．０８〜０．１２の値を得
ることができ、さらに記録前のＲＣとして５％以上、記
録後のＲＣとして０．３〜０．６％の値を得ることがで
きる。なお、上述のグルーブ幅は、凸部（ランド１０）
と凹部（グルーブ１１）との境界のうち、凹部を挟んで
隣り合う２つの境界の間の幅で定義され、具体的には、
ランド１０とグルーブ１１との中間地点での幅、すなわ
ち、グルーブの底面における幅Ａと、互いに隣接する２
つのランドの間の間隔Ｂとから（Ａ＋Ｂ）／２を算出し
た値をグルーブ幅とする。なお、これらのグルーブ深さ
およびグルーブ幅の条件に関する詳細は後述する。
【００２４】また、図２に示すような溝トラックには、
情報の記録／再生時におけるアドレスを読み込むための
波状のウォブル（図示せず）が形成されている。ここ
で、このウォブルにおける０−ピークでのウォブル振幅
は、十分なウォブル信号(Wobble Signal)の確保、およ
び記録信号特性の劣化防止の観点から選ばれる。すなわ
ち、ウォブル振幅を３０ｎｍ未満にしてしまうと、十分
なウォブル信号を得ることができず、他方、ウォブル振
幅を４０ｎｍより大きくしてしまうと、トラックピッチ
が１．６μｍの光ディスクにおける記録信号特性の劣化
を招いてしまう。そのため、ウォブル振幅は、具体的に
は３０〜４０ｎｍから選ばれる。なお、このウォブル振
幅条件に関する詳細は後述する。
【００２５】また、第１の誘電体膜３および第２の誘電
体膜５の材料は、記録／再生用のレーザ光に対して吸収
能が低い材料、好適には、消衰係数ｋが０．３以下の材
料から構成される。また、耐熱性の観点をも考慮する
と、第１の誘電体膜３および第２の誘電体膜５の材料と
しては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2（特に、そのモル比率
が約４：１のもの）が挙げられる。なお、これらの第１
の誘電体膜３と第２の誘電体膜５においては、それぞれ
互いに異なる材料を用いることも可能である。
【００２６】また、この第１の誘電体膜３における膜厚
は、反射率や変調度 (Modulation)の観点から設定され
る。すなわち、この第１の誘電体膜３の膜厚を７５ｎｍ
未満または９５ｎｍより大きくすると、反射率が上昇し
変調度が減少してしまうため、具体的には７５〜９５ｎ
ｍから選ばれ、この第１の実施形態においては、例えば
８５ｎｍに選ばれる。なお、この第１の誘電体膜３の膜
厚条件に関する詳細は後述する。
【００２７】また、第２の誘電体膜５に関しては、第２
の誘電体膜５の膜厚を２０ｎｍ未満にすると、相変化記
録膜４が急冷されてしまい、十分なモジュレーション特
性を得ることができない。他方、第２の誘電体膜５の膜
厚を２８ｎｍより大きくすると、ジッター特性が劣化し
てしまい、所望の特性を得ることができない。したがっ
て、第２の誘電体膜５の膜厚は、２０ｎｍ〜２８ｎｍの
範囲から選ばれるのが好ましく、この第１の実施形態に
おいては、例えば２４ｎｍに選ばれる。なお、この第２
の誘電体膜５の膜厚条件に関する詳細は後述する。
【００２８】また、相変化記録膜４は、例えばＧｅＩｎ
ＳｂＴｅ合金からなる。そして、この相変化記録膜４を
構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ合金の組成において、まず、
Ｇｅの含有率に関しては、その含有率を１重量％未満に
すると保存安定性が低下してしまい、他方、６重量％よ
り高くすると、信号特性、特にジッター特性が低下して
しまう。また、Ｉｎの含有率に関しては、２重量％未満
とすると相変化記録膜４の結晶化が困難になってしま
い、他方、６重量％より高くすると、記録マークが消え
てしまうなど、再生安定性が低下してしまう。また、Ｔ
ｅに対するＳｂの比率に関しては、Ｓｂ／Ｔｅの値を
２．２未満にすると、線速度の高速領域において信号特
性が低下してしまい、他方、３．０より大きくすると、
線速度の低速領域において信号特性が低下してしまう。
したがって、相変化記録膜４を構成するＧｅＩｎＳｂＴ
ｅ合金においては、Ｇｅの含有率を１〜６重量％に設定
するとともに、Ｉｎの含有率を２〜６重量％に設定し、
さらにＴｅに対するＳｂの比率（Ｓｂ／Ｔｅ）を２．２
〜３．０に設定する。なお、これらの含有率をまとめる
と、相変化記録膜４の組成をＧｅpＩｎqＳｂrＴｅsとし
た場合、それぞれの組成比ｐ、ｑ、ｒおよびｓ（重量
％）が、１≦ｐ≦６、かつ２≦ｑ≦６、かつ２．２≦ｒ
／ｓ≦３．０という関係を満たす。なお、この相変化記
録膜４を構成する材料の組成条件に関する詳細は後述す
る。
【００２９】また、相変化記録膜４は、その膜厚が１２
ｎｍ未満になると、十分な反射率を得ることが困難にな
るのみならず、繰り返し記録特性も劣化してしまう、他
方、その膜厚を１８ｎｍより大きくすると、モジュレー
ションが小さくなってしまい、所望の特性を得ることが
できなくなってしまう。したがって、相変化記録膜４の
膜厚は、具体的には１２〜１８ｎｍから選ばれ、この第
１の実施形態においては、例えば１６ｎｍに選ばれる。
【００３０】また、反射膜６は、例えばＡｇ合金からな
り、この第１の実施形態においては、例えばＡｇＰｄＣ
ｕ合金からなる。そして、この反射膜６を構成するＡｇ
ＰｄＣｕ合金の組成において、まず、Ｐｄの含有率に関
しては、その含有率を１．５重量％より高くしたり、
０．９重量％未満にしたりすると、耐食性能が低下して
しまい、また、Ｃｕの含有率に関しても、その含有率を
０．９重量％未満にしたり、１．１重量％より大きくし
たりすると、耐食性能が低下してしまう。したがって、
この第１の実施形態による反射膜６を構成するＡｇＰｄ
Ｃｕにおいて、Ｐｄの含有率を０．９〜１．５重量％に
設定するとともに、Ｃｕの含有率を０．９〜１．１重量
％に設定する。なお、上述した反射膜６を構成する材料
の組成に関しての詳細は後述する。
【００３１】また、反射膜６において、その膜厚を６０
ｎｍ未満にすると、相変化記録膜４中に生じる熱の拡散
が十分にできず、熱冷却が不十分になってしまい、ジッ
ター特性が劣化してしまう。他方、反射膜６の膜厚を１
４０ｎｍより大きくすると、熱特性や光学的な特性に影
響が生じることはないが、スキューなどの機械的特性に
影響を与えてしまい、所望の特性を得ることができなく
なってしまう。したがって、反射膜６の膜厚は、具体的
には６０〜１４０ｎｍから選ばれ、この第１の実施形態
においては、例えば１２０ｎｍに選ばれる。
【００３２】また、保護膜７は、例えば紫外線硬化型樹
脂などからなる。
【００３３】以上のようにして構成された、この第１の
実施形態による光ディスク１に対して情報信号の記録を
行う場合には、まず、図１に示すディスク基板２の一主
面２ａとは反対側の他主面２ｂから、波長が例えば７８
０ｎｍ程度の、レーザ光などの記録光を部分的に照射し
て、相変化記録膜４の一部を所定の結晶相または非結晶
相に相変化させる。この第１の実施形態によるＧｅＩｎ
ＳｂＴｅ合金からなる相変化材料においては、加熱温度
によって異なるが、例えば急速加熱したりまたは急冷し
たりすることによって非晶質状態となり、徐冷すること
により結晶状態となる。このように、情報信号に応じて
相変化記録膜４における結晶部分と非結晶部分とを形成
することにより情報信号の記録が行われる。なお、この
第１の実施形態による光ディスク１の記録ビット長は、
例えば１ビット当たり０．５９μｍ程度である。また、
記録の際に用いられるレーザ光の波長は、７７５〜７９
５ｎｍの範囲に選ばれ、具体的には、例えば７８０ｎｍ
程度である。また、開口数ＮＡは、０．４９〜０．５１
の範囲に選ばれ、具体的には例えば０．５程度である。
そして、この第１の実施形態における記録には、図４に
示す記録波形が用いられる。
【００３４】また、この光ディスク１に記録された情報
信号の再生を行う場合には、ディスク基板２の一主面２
ａとは反対側の他主面２ｂ側から、相変化記録膜４に向
けてレーザ光などの再生光を照射して、相変化記録膜４
中の異なる結晶相または非結晶相間の反射率の差異によ
り、結晶相および非結晶相に対応した情報信号の再生を
行う。なお、この再生光としては、相変化記録膜４に相
変化が生じないようなレーザ光が用いられる。なお、こ
の再生時において用いられる光学系におけるレンズの開
口数ＮＡは、０．４４〜０．４６の範囲に選ばれ、具体
的には、例えば０．４５程度である。
【００３５】次に、上述のように構成された、この第１
の実施形態による光学記録媒体の製造方法、具体的には
光ディスク１の製造方法について説明する。
【００３６】この第１の実施形態による光ディスクの製
造方法においては、まず、厚さが１．２ｍｍ程度で、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリ
ル系樹脂、またはガラスなどの少なくともレーザ光を透
過可能な材料からなるディスク基板２を用意した後、ス
パイラル状にトラッキング用のグルーブ１１を形成す
る。
【００３７】次に、ディスク基板２のグルーブ１１が形
成された面（一主面２ａ）上に、例えばスパッタリング
法により、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などを成膜する。これによ
り、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第１の誘電体膜３が形成
される。
【００３８】次に、例えばスパッタリング法により、第
１の誘電体膜３上に、相変化材料としてＧｅＩｎＳｂＴ
ｅ合金を成膜することにより相変化記録膜４を形成す
る。ここで、相変化記録膜４をスパッタリング法により
形成する際に、ＧｅpＩｎqＳｂ rＴｅs系材料をターゲッ
トとして用い、このＧｅpＩｎqＳｂrＴｅs系材料の組成
比ｐ、ｑ、ｒおよびｓ（重量％）が、１≦ｐ≦６、２≦
ｑ≦６、２．２≦ｒ／ｓ≦３．０となる関係を満たすよ
うにする。なお、このスパッタリング法においては、Ｇ
ｅからなるターゲット、Ｉｎからなるターゲット、Ｓｂ
からなるターゲットおよびＴｅからなるターゲットを用
いた同時スパッタリング法により行うようにしてもよ
く、また、真空蒸着法により行うことも可能である。そ
して、上述のスパッタターゲットの組成を上述のように
することで、相変化記録膜４の相変化速度を高めて、高
線速度における光ディスク１の記録特性を高めることが
できる。
【００３９】次に、例えばスパッタリング法により、相
変化記録膜４上にＺｎＳ−ＳｉＯ2などを成膜すること
により、第２の誘電体膜５を形成する。
【００４０】次に、例えばスパッタリング法により、第
２の誘電体膜５上にＡｇＰｄＣｕ合金を成膜することに
より、ＡｇＰｄＣｕ合金からなる反射膜６を形成する。
ここで、反射膜６をスパッタリング法により形成する際
に、ＡｇＰｄＣｕ合金をターゲットとして用い、このＡ
ｇlＰｄmＣｕn系材料の組成比ｍおよびｎ（重量％）
が、０．９≦ｍ≦１．５、０．９≦ｎ≦１．１となる関
係を満たすようにする。なお、このスパッタリング法に
おいては、Ａｇからなるターゲット、Ｐｄからなるター
ゲット、およびＣｕからなるターゲットを用いた同時ス
パッタリング法により行うようにしてもよく、また、真
空蒸着法により行うことも可能である。
【００４１】最後に、例えばスピンコート法により、反
射膜６上に例えば紫外線硬化型樹脂を塗布する。これに
より、反射膜６上にディスク基板２上の膜を保護するた
めの保護膜７が形成される。
【００４２】以上のようにして、この第１の実施形態に
よる光ディスク１が製造される。
【００４３】次に、この第１の実施形態による光ディス
クに関する実験を行った。なお、この第１の実施形態に
よる光ディスクから外れた条件の光ディスクに関する実
験も併せて行った。
【００４４】まず、グルーブ深さ、グルーブ幅およびウ
ォブル振幅などのグルーブコンディションと、ＮＷＳ(N
ormalized Wobble Signal)、ＰＰ(Push-Pull Magnitud
e)、およびＲＣ(Radial Contrast)との関係に関する第
１の実験を行った。
【００４５】すなわち、この第１の実験おいては、ま
ず、グルーブコンディションの異なるディスク基板を用
意し、それぞれのディスク基板のグルーブが形成された
一主面上に、第１の実施形態におけると同様の製造方法
により、それぞれ第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２
の誘電体膜、および反射膜を順次形成する。次に、初期
化を行った後、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲＣを測定する。こ
れとともに、記録ストラテジーおよび記録パワーを最適
化して記録を行い、この記録後におけるＲＣを測定す
る。なお、この第１の実験に用いられる測定評価機にお
けるレーザ光の波長は、７８０ｎｍであり、ＮＡは０．
５である。また、光ディスクにおける記録密度は、１ビ
ット当たり０．５９μｍである。
【００４６】以下の表１に、この第１の実験における測
定結果を示す。なお、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲＣのそれぞ
れの項目下の数値範囲は、それらの規格範囲を示し、Ｒ
Ｃに関しては、記録前(before)と記録後(after)とにお
ける規格値を併せて示す。また、ＮＷＳ、ＰＰおよびＲ
Ｃに関する評価結果が規格範囲内であれば「○」とし、
規格範囲外であれば「×」とする。
【００４７】
【表１】
【００４８】表１から、グルーブ幅を最適化して、０．
５５μｍとし、グルーブ深さを、３５〜５５ｎｍの範囲
においてさまざまに変化させた場合、グルーブ深さが３
５ｎｍ以下となるときに、ＰＰが規格範囲外となること
がわかり、グルーブ深さが５５ｎｍ以上となるときに、
ＲＣが規格範囲外となることがわかる。また、グルーブ
深さが４０ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍの場合（４０〜５
０ｎｍ）において、ＮＷＳ、ＰＰ、および記録前後のＲ
Ｃのいずれもが規格範囲内になることがわかる。したが
って、グルーブ深さは、少なくとも３５ｎｍより大きく
５５ｎｍ未満の範囲から選択する必要があり、好適には
４０〜５０ｎｍの範囲から選択することが望ましいこと
がわかる。
【００４９】また、表１から、グルーブ深さを最適化し
て４５ｎｍとし、グルーブ幅を、０．３５〜０．６５μ
ｍの範囲においてさまざまに変化させた場合、グルーブ
幅が０．４０μｍ未満の０．３５μｍとなるときに、Ｐ
Ｐおよび記録前後のＲＣが規格範囲外となることがわか
る。また、グルーブ深さを最適化して４５ｎｍとし、グ
ルーブ幅を０．４０μｍ、０．５２μｍ、０．５５μ
ｍ、および０．６５μｍとした場合においては、ＮＷ
Ｓ、ＰＰおよび記録前後のＲＣのいずれも規格範囲内に
なることがわかる。したがって、グルーブ幅は、好適に
は、０．４０〜０．６５μｍの範囲から選択することが
好ましく、より好適には、０．５２〜０．６５μｍの範
囲から選択することが望ましい。
【００５０】また、表１から、グルーブ深さおよびグル
ーブ幅を最適化して、それぞれ４５ｎｍおよび０．５５
μｍとし、ウォブル振幅を、２５〜４０ｎｍの範囲にお
いてさまざまに変化させた場合、ウォブル振幅が３０ｎ
ｍ未満の２５ｎｍとなるときに、ＮＷＳが規格範囲外に
なることがわかる。また、ウォブル振幅を３０ｎｍ、３
５ｎｍ、および４０ｎｍとした場合においては、ＮＷ
Ｓ、ＰＰおよび記録前後のＲＣのいずれも規格範囲内に
なることがわかる。したがって、ウォブル振幅は、少な
くとも２５ｎｍより大きくし、好適には３０〜４０ｎｍ
の範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００５１】次に、光ディスクの信号特性における、第
１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および反
射膜のそれぞれの膜における膜厚依存性に関する第２の
実験を行った。
【００５２】すなわち、この第２の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜および反射膜のそれぞれの膜を形成
する。このとき、これらの膜の膜厚をさまざまに変化さ
せて光ディスクを作製する。その後、これらのさまざま
な光ディスクに関して、その記録特性の評価を行う。ま
た、この第２の実験においては、記録時における線速度
を４．８ｍ／ｓ（４倍速）と１２ｍ／ｓ（１０倍速）と
の２通りの線速度において行った。なお、この第２の実
験における測定評価機および光ディスクの記録密度にお
いては、第１の実験におけると同様であり、記録ストラ
テジーおよび記録パワーは最適化する。
【００５３】以下の表２に、この第２の実験における測
定結果を示す。この第２の実験においては、Ｉtop（グ
ルーブに記録した１１Ｔ信号の高い方の反射率レベル、
図３参照）、モジュレーション(Modulation)（Ｉ11／Ｉ
top、図３参照）、リソリューション(Resolution)（Ｉ3
／Ｉtop、図３参照）、アシンメトリー(Asymmetry)
（（Ｉ3の中心−Ｉ11の中心）／Ｉ11、図３参照）、お
よび３Ｔジッター(3T Jitter)を、光ディスクを構成す
るそれぞれの膜をさまざまな膜厚に変化させた場合につ
いて測定する。なお、項目下の数値範囲は、それらの規
格範囲を示す。すなわち、Ｉtopにおいては１５〜２５
％、モジュレーションにおいては５５〜７０％、リソリ
ューションにおいては４５〜６０％、アシンメトリーに
おいては−１５〜５％、３Ｔジッター(3T Jitter)にお
いては１５％以下が規格範囲内である。また、Ｉtop、
モジュレーション、リソリューション、アシンメトリ
ー、および３Ｔジッターに関する評価結果が規格範囲内
であれば「○」とし、規格範囲外であれば「×」とす
る。
【００５４】
【表２】
【００５５】表２から、第１の誘電体膜の膜厚を、その
他の膜厚を最適化しておいて、６５〜１０５ｎｍの範囲
においてさまざまに変化させた場合、膜厚が７５ｎｍ未
満の６５ｎｍとなるときに、Ｉtopが規格範囲外になる
ことがわかり、膜厚が９５ｎｍより大きい１０５ｎｍと
なるときに、モジュレーションおよび３Ｔジッターが規
格範囲外になることがわかる。また、第１の誘電体膜の
膜厚が、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍの場
合（７５〜９０ｎｍ）において、いずれの特性も規格範
囲内になることがわかる。したがって、第１の誘電体膜
の膜厚は、少なくとも６５ｎｍより大きく１０５ｎｍ未
満の範囲内である必要があり、好適には７５〜９５ｎｍ
が望ましいことがわかる。
【００５６】また、表２から、第１の誘電体膜を最適化
して８０ｎｍまたは８５ｎｍとし、相変化記録膜の膜厚
を、１０〜２１ｎｍの範囲においてさまざまに変化させ
た場合、膜厚が１２ｎｍ未満の１０ｎｍとなるときに、
リソリューション以外の項目が規格範囲外になることが
わかる。また、相変化記録膜の膜厚が２１ｎｍとなると
きに、３Ｔジッターが規格範囲外になることがわかる。
また、第１の誘電体膜の膜厚を最適化して８０ｎｍと
し、相変化記録膜の膜厚を１２ｎｍ、１８ｎｍとした場
合においては、いずれの項目も規格範囲内になることが
わかる。したがって、相変化記録膜の膜厚は、少なくと
も１０ｎｍより大きく２１ｎｍ未満である必要があり、
好適には、１２〜１８ｎｍの範囲から選択することが望
ましいことがわかる。
【００５７】また、表２から、第１の誘電体膜および相
変化記録膜の膜厚を最適化して、それぞれ８５ｎｍおよ
び１６ｎｍとし、第２の誘電体膜の膜厚を、１８〜３０
ｎｍの範囲においてさまざまに変化させた場合、第２の
誘電体膜の膜厚が２０ｎｍ未満の１８ｎｍとなるとき
に、モジュレーションが規格範囲外になることがわか
る。また、第２の誘電体膜の膜厚を３０ｎｍとした場合
に、モジュレーション、アシンメトリーおよび３Ｔジッ
ターが規格範囲外になることがわかる。また、第２の誘
電体膜の膜厚を２０ｎｍ、２４ｎｍおよび２８ｎｍとし
た場合においては、すべての項目において、いずれも規
格範囲内になることがわかる。したがって、第２の誘電
体膜の膜厚は、少なくとも１８ｎｍより大きく３０ｎｍ
未満である必要があり、好適には、２０〜２８ｎｍの範
囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００５８】また、表２から、第１の誘電体膜、相変化
記録膜および第２の誘電体膜の膜厚を最適化して、それ
ぞれ８５ｎｍ、１６ｎｍおよび２４ｎｍとし、反射膜の
膜厚を、４０〜１４０ｎｍの範囲において、さまざまに
変化させた場合、反射膜の膜厚を６０ｎｍ未満の４０ｎ
ｍとした場合に、モジュレーションおよび３Ｔジッター
が規格範囲外になることがわかる。また、反射膜の膜厚
を６０ｎｍ、１４０ｎｍとした場合においては、すべて
の項目において、いずれも規格範囲内になることがわか
る。したがって、反射膜の膜厚は、少なくとも４０ｎｍ
より大きくする必要があり、好適には、６０〜１４０ｎ
ｍの範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００５９】次に、光ディスクの信号特性における相変
化記録膜を構成する材料の組成依存性に関する第３の実
験を行った。
【００６０】すなわち、この第３の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜および反射膜のそれぞれの膜を形成
する。このとき、相変化記録膜の組成をさまざまに変化
させて光ディスクを作製する。その後、これらのさまざ
まな光ディスクに関して、記録時における線速度を４．
８ｍ／ｓ（４倍速）と１２ｍ／ｓ（１０倍速）との２通
りの線速度とし、ジッター特性の評価を行った。そし
て、上述の２通りの線速度において、ともにジッター特
性が良好と評価された場合にのみ、記録済の光ディスク
を、温度が８０℃で湿度が８５％の雰囲気下に１００時
間保存し、この光ディスクの再生特性が劣化しているか
否か、すなわち保存安定性が良好か否かについての評価
を行った。なお、この第３の実験における測定評価機お
よび光ディスクの記録密度においては、第１の実験にお
けると同様であり、記録ストラテジーおよび記録パワー
は最適化する。
【００６１】以下の表３に、この第３の実験における測
定結果を示す。この第３の実験においては、相変化記録
膜の材料組成をさまざまな組成に変化させた場合につい
て測定する。なお、ジッターの項目下の数値範囲はそれ
らの規格範囲を示す。すなわち、ジッターにおいては１
５％以下が規格範囲内である。また、ジッターに関する
評価結果が規格範囲内、すなわち１５％以下の場合を
「○」とし、規格範囲外、すなわち１５％を超えた場合
を「×」とし、保存安定性に関しては、劣化している場
合を「×」、劣化が生じておらず変化がない場合を
「○」とする。
【００６２】
【表３】
【００６３】表３から、Ｇｅの含有率（組成比）を、０
〜７重量％の範囲においてさまざまに変化させた場合、
Ｇｅの組成比が０重量％のときに、保存安定性が不良と
なり劣化してしまうことがわかり、さらにＧｅの組成比
が６重量％より大きい７重量％のときに、線速度が１０
倍速および４倍速のいずれの場合においても、ジッター
が規格範囲外となることがわかる。また、Ｇｅの組成比
を１重量％、２重量％、４重量％、６重量％とした場合
において、そのほかの組成比が最適化されているときに
は、いずれの特性も規格範囲内になることがわかる。し
たがって、Ｇｅの組成比は、少なくとも０重量％より大
きく７重量％未満である必要があり、好適には１〜６重
量％の範囲から選択することが望ましいことがわかる。
【００６４】また、表３から、Ｇｅの組成比を最適化し
て２重量％または４重量％とし、Ｉｎの組成比を、０〜
８重量％の範囲においてさまざまに変化させた場合、Ｉ
ｎの組成比が０重量％のときに、線速度が１０倍速およ
び４倍速のいずれの場合においても、ジッターが規格範
囲外となることがわかる。また、Ｉｎの組成比が６重量
％より大きい８重量％のときに、線速度が４倍速の場合
のジッターが規格範囲外になることがわかる。また、Ｇ
ｅの組成比を最適化して２重量％または４重量％とし、
Ｉｎの組成比を２重量％、３重量％、４重量％、または
６重量％とした場合においては、いずれの項目も規格範
囲内になることがわる。したがって、Ｉｎの組成比は、
少なくとも０重量％より大きく８重量％未満である必要
があり、好適には、２〜６重量％の範囲から選択するこ
とが望ましいことがわかる。
【００６５】また、表３から、ＧｅおよびＩｎの組成比
をそれぞれ最適化して、それぞれ２重量％（または４重
量％）および４重量％とし、Ｓｂ／Ｔｅの比率を、２〜
３．２の範囲においてさまざまに変化させた場合、Ｓｂ
／Ｔｅの比率が２．２未満の２となるときに、線速度が
１０倍速の場合におけるジッターが規格範囲外になるこ
とがわかる。また、Ｓｂ／Ｔｅの比率が３．０より大き
く３．２とした場合に、線速度が４倍速の場合における
ジッターが規格範囲外になることがわかる。また、Ｇｅ
およびＩｎの組成比を最適化した状態で、Ｓｂ／Ｔｅの
比率の比率を２．２、２．８および３．０とした場合に
おいては、すべての項目において、いずれも規格範囲内
になることがわかる。したがって、Ｓｂ／Ｔｅの比率
は、少なくとも２より大きく３．２未満である必要があ
り、好適には、２．２〜３．０の範囲から選択すること
が望ましく、より好適には、２．２〜２．８から選択す
ることが望ましいことがわかる。
【００６６】次に、光ディスクの耐食性および信号特性
における反射膜の組成依存性に関する第４の実験を行っ
た。
【００６７】すなわち、この第４の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の誘電体膜、相変化記録
膜、第２の誘電体膜を形成する。その後、第２の誘電体
膜上に、組成をさまざまに変化させた反射膜を成膜し、
光ディスクを作製する。その後、これらのさまざまな光
ディスクに関して、記録時における線速度を４．８ｍ／
ｓ（４倍速）としてジッター特性の評価を行う。さら
に、この光ディスクを温度が８０℃で湿度が８５％の雰
囲気下に１００時間保存し、反射膜の面に腐食が生じる
か否か、すなわち耐食性が良好か否かについての評価を
行った。なお、この第４の実験における測定評価機およ
び光ディスクの記録密度においては、第１の実験におけ
ると同様であり、記録ストラテジーおよび記録パワーは
最適化する。
【００６８】以下の表４に、この第４の実験における測
定結果を示す。この第３の実験においては、反射膜を構
成するＡｇＰｄＣｕ合金の組成をさまざまな組成に変化
させた場合について測定する。なお、ジッターの項目下
の数値範囲はそれらの規格範囲を示す。すなわち、ジッ
ターにおいては１５％以下が規格範囲内である。また、
ジッターに関する評価結果が規格範囲内、すなわち１５
％以下の場合を「○」とし、規格範囲外、すなわち１５
％を超えた場合を「×」とする。また、耐食性に関して
は、腐食が生じている場合を「×」、腐食が生じていな
い場合を「○」とする。
【００６９】
【表４】
【００７０】表４から、Ａｇの組成比を１００重量％と
した場合にのみ腐食が生じ、それ以外の場合では、反射
膜の組成比がどのような組成比であっても、ジッターは
規格範囲内になることがわかる。すなわち、Ａｇに、さ
らにＰｄおよびＣｕが含まれている場合に、腐食が生じ
ず、耐食性が良好になることがわかる。したがって、反
射膜はＡｇＰｄＣｕ合金から構成する必要があり、好適
には、Ｐｄの組成比を０．５〜１．５重量％、好適には
０．９〜１．５重量％から選択し、Ｃｕの組成として、
１重量％近傍の０．９〜１．１重量％の範囲から選択す
ることが望ましいことがわかる。
【００７１】次に、ＤＯＷ特性に関する第５の実験を行
った。
【００７２】すなわち、この第５の実験においては、第
１の実施形態におけると同様にして、ディスク基板２上
に、膜厚が８５ｎｍの第１の誘電体膜３、膜厚が１６ｎ
ｍの相変化記録膜４、膜厚が２４ｎｍの第２の誘電体膜
５および膜厚が８０ｎｍの反射膜６を順次形成して、光
ディスク１を作製する。そして、この光ディスク１に対
して、線速度を４．８ｍ／ｓ（４倍速）として情報信号
の記録を行う。また、同様の光ディスク１に対して、線
速度を１２ｍ／ｓ（１０倍速）として情報信号の記録を
行う。さらに、これらの２通りの線速度においてオーバ
ーライトを繰り返し行い、ジッター特性の評価を行う。
この第５の実験における測定評価機および光ディスクの
記録密度においては、第１の実験におけると同様であ
り、記録ストラテジーおよび記録パワーは最適化する。
【００７３】この第５の実験による結果を図５に示す。
図５Ａに、線速度を４．８ｍ／ｓとした場合の３Ｔジッ
ターのオーバーライト回数依存性を示し、図５Ｂに、線
速度を１２ｍ／ｓとした場合の３Ｔジッターのオーバー
ライト回数依存性を示す。なお、図５においては、マー
クとスペースとの両方における３Ｔジッターを示す。ま
た、ジッター軸における３５ｎｓが、ほぼジッターにお
ける１５％に相当する（１Ｔ＝２３１ｎｓであり、３５
／１Ｔ≒０．１５＝１５％）。
【００７４】図５Ａおよび図５Ｂから、線速度が４．８
ｍ／ｓおよび１２ｍ／ｓのいずれの場合においても、オ
ーバーライトの繰り返し記録回数が１０００回の段階に
おいて、マークにおける３Ｔジッターが２５ｎｓ（１１
％程度）以下であるとともに、スペースにおけるジッタ
ーが３０ｎｓ（１３％程度）以下であり、十分な記録特
性を得ることができることが確認された。
【００７５】以上により、この第１の実施形態による光
ディスクによれば、線速度が４．８〜１２ｍ／ｓの場合
においても、十分な記録特性を確保しつつ、記録／再生
を行うことが可能であることがわかる。
【００７６】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、光ディスク１における相変化記録膜４をＧｅ
ＩｎＳｂＴｅ合金から構成するとともに、反射膜をＡｇ
ＰｄＣｕ合金から構成し、この相変化記録膜４を構成す
るＧｅＩｎＳｂＴｅ合金において、Ｇｅの含有率を１〜
６重量％、Ｉｎの含有率を２〜６重量％、およびＳｂ／
Ｔｅの比率を２．２〜３．０にするとともに、反射膜６
を構成するＡｇＰｄＣｕ合金において、Ｐｄの含有率を
０．９〜１．５重量％、Ｃｕの含有率を０．９〜１．１
重量％とし、グルーブ１１において、グルーブ深さを４
０〜５０ｎｍにするとともにグルーブ幅を０．４０〜
０．６５μｍとし、第１の誘電体膜３の膜厚を７５〜９
５ｎｍ、相変化記録膜４の膜厚を１２〜１８ｎｍ、第２
の誘電体膜５の膜厚を２０〜２８ｎｍ、および反射膜６
の膜厚を６０〜１４０ｎｍとしていることにより、線速
度が４．８ｍ／ｓ以上で１２ｍ／ｓの場合においても、
従来の相変化型光ディスクの規格（レーザ光の波長：７
８０ｎｍ、容量６５０ＭＢ、トラックピッチ：１．６μ
ｍ、（再生時、ＮＡ：０．４５、反射率：１５〜２５
％、変調度：５５〜７０％、リソリューション：４５〜
６０％）、（記録時、ＮＡ：０．５、繰り返し記録回
数：１０００回以上））における特性を確保しつつ、記
録／再生を行うことができるとともに、十分な記録パワ
ーマージンを得ることができる。
【００７７】次に、この発明の第２の実施形態による光
ディスクについて説明する。この第２の実施形態による
光ディスクにおいては、第１の実施形態におけると異な
り、反射膜６をＡｌＣｕ合金から構成する。ここで、Ａ
ｌＣｕ合金におけるＣｕの含有率は、１．５重量％以下
に選ばれ、具体的には、例えば１重量％に選ばれる。な
お、その他の光ディスクの構成については第１の実施形
態におけると同様であるので、説明を省略する。
【００７８】次に、この第２の実施形態による光ディス
クにおいて、反射膜に関する耐食性および信号特性にお
ける反射膜の組成依存性に関する第６の実験を行った。
【００７９】すなわち、この第６の実験においては、ま
ず、ディスク基板上に、第１の実施形態における製造方
法と同様にして、第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２
の誘電体膜を形成する。その後、第２の誘電体膜上に、
組成をさまざまに変化させたＡｌＣｕ合金からなる反射
膜を成膜して、光ディスクを作製する。その後、これら
のさまざまな光ディスクに関して、記録時における線速
度を４．８ｍ／ｓ（４倍速）としてジッター特性の評価
を行う。さらに、この光ディスクを温度が８０℃で湿度
が８５％の雰囲気下に１００時間保存し、反射膜の面に
腐食が生じるか否か、すなわち耐食性が良好か否かにつ
いての評価を行った。なお、この第６の実験における測
定評価機および光ディスクの記録密度においては、第１
の実験におけると同様であり、記録ストラテジーおよび
記録パワーは最適化する。
【００８０】以下の表５に、この第６の実験における測
定結果を示す。この第６の実験においては、反射膜を構
成するＡｌＣｕ合金の組成をさまざまな組成に変化させ
た場合について測定する。なお、ジッターの項目下の数
値範囲はそれらの規格範囲を示す。すなわち、ジッター
においては１５％以下が規格範囲内である。また、ジッ
ターに関する評価結果が規格範囲内、すなわち１５％以
下の場合を「○」とし、規格範囲外、すなわち１５％を
超えた場合を「×」とする。また、耐食性に関しては、
腐食が生じている場合を「×」、腐食が生じていない場
合を「○」とする。
【００８１】
【表５】
【００８２】表５から、反射膜を構成するＣｕの含有率
が２重量％の時に、ジッターが規格範囲外となり、２重
量％未満の１．５重量％および１重量％のときに、ジッ
ターは規格範囲内となることがわかる。また、Ｃｕの含
有率がどのような値であっても、腐食が生じず、耐食性
が良好であることがわかる。したがって、この第２の実
施形態による反射膜６を、少なくともＣｕを２重量％未
満含有したＡｌＣｕ合金から構成する必要があり、好適
には、Ｃｕの含有率を１．５重量％以下から選択するこ
とが望ましいことがわかる。
【００８３】この第２の実施形態によれば、反射膜６を
ＡｌＣｕ合金から構成すること以外のことは第１の実施
形態におけると同様であるので、第１の実施形態におけ
ると同様の効果を得ることができる。
【００８４】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００８５】例えば、上述の実施形態において挙げた、
各膜の成膜方法、ディスク基板や保護膜の材料はあくま
でも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる成膜方法
や、異なる材料からなるディスク基板や保護膜を用いて
もよい。
【００８６】また、例えば上述の第１および第２の実施
形態においては、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜
の材料として、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いたが、消衰係数
ｋが０．３以下の材料であれば、どのような材料を用い
ることも可能である。具体的には、第１の誘電体膜およ
び第２の誘電体膜の材料として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、
Ｇｅなどの金属および半金属などの元素の、窒化物、酸
化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化
物、または酸炭化物などからなる材料や、これらを主成
分とする材料を用いることが可能である。また、より具
体的には、第１の誘電体膜３および第２の誘電体膜５の
材料として、ＡｌＮx（０．５≦ｘ≦１、特に、Ａｌ
Ｎ））、Ａｌ2Ｏ3-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ａｌ
2Ｏ3））、Ｓｉ3Ｎ4-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ｓｉ
3Ｎ4））、ＳｉＯx（１≦ｘ≦２、（特に、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＯ）、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＴｉＯx（１
≦ｘ≦２、（特に、ＴｉＯ2））、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴ
ｉＯ3、Ｔａ2Ｏ5-x（０≦ｘ≦１、（特に、Ｔａ
2Ｏ5））、ＧｅＯx（１≦ｘ≦２）、ＳｉＣ、ＺｎＳ、
ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、Ｃａ
Ｆ2、ＬａＦ、ＭｇＦ2、ＮａＦ、ＴｉＦ4などを用いる
ことも可能であり、さらに、これらの材料を主成分とす
る材料や、これらの材料の混合物、例えばＡｌＮ−Ｓｉ
Ｏ2を用いることも可能である。
【００８７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明によれば、相変化記録膜をＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金
材料から構成するとともに、反射膜をＡｇＰｄＣｕ系合
金材料から構成し、相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳ
ｂＴｅ系合金材料において、Ｇｅの含有率を１重量パー
セント以上６重量パーセント以下、Ｉｎの含有率を２重
量パーセント以上６重量パーセント以下、およびＴｅに
対するＳｂの比率を２．２倍以上３．０倍以下にすると
ともに、反射膜を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料にお
いて、Ｐｄの含有率を０．９重量パーセント以上１．５
重量パーセント以下、Ｃｕの含有率を０．９重量パーセ
ント以上１．１重量パーセント以下とし、溝トラック形
状における凹部の深さが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であ
るとともに、溝トラック形状における凸部と凹部との境
界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の間の幅を
０．４０μｍ以上０．６５μｍ以下とし、第１の誘電体
膜の膜厚を７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、相変化記録膜の
膜厚を１２ｎｍ以上１８ｎｍ以下、第２の誘電体膜の膜
厚を２０ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚を
６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下としていることにより、記
録時においてＮＡを０．５程度とし、再生時においてＮ
Ａを０．４５程度とした、従来の規格に基づいた記録／
再生特性を確保しつつ、線速度を４．８〜１２ｍ／ｓと
した場合においても、ジッターの劣化や変調度の減少を
抑制することができ、十分な記録パワーマージンを得る
ことができ、実用に供する十分な記録／再生特性が確保
された光学記録媒体を得ることができる。
【００８８】また、この発明の第２の発明によれば、相
変化記録膜をＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料から構成する
とともに、反射膜をＡｌＣｕ系合金材料から構成し、相
変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料にお
いて、Ｇｅの含有率を１重量パーセント以上６重量パー
セント以下、Ｉｎの含有率を２重量パーセント以上６重
量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比率を
２．２倍以上３．０倍以下とするとともに、反射膜を構
成するＡｌＣｕ系合金材料において、Ｃｕの含有率を
１．５重量パーセント以下とし、基板に形成された溝ト
ラック形状における凹部の深さを４０ｎｍ以上５０ｎｍ
以下とするとともに、溝トラック形状における凸部と凹
部との境界のうち、凹部を挟んで隣り合う２つの境界の
間の幅を０．４０μｍ以上０．６５μｍ以下とし、第１
の誘電体膜の膜厚を７５ｎｍ以上９５ｎｍ以下、記録膜
の膜厚を１２ｎｍ以上１８ｎｍ以下、第２の誘電体膜の
膜厚を２０ｎｍ以上２８ｎｍ以下、および反射膜の膜厚
を６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下としていることにより、
記録時においてＮＡを０．５程度とし、再生時において
ＮＡを０．４５程度とした、従来の規格に基づいた記録
／再生特性を確保しつつ、線速度を４．８〜１２ｍ／ｓ
とした場合においても、ジッターの劣化や変調度の減少
を抑制することができ、十分な記録パワーマージンを得
ることができ、実用に供する十分な記録／再生特性が確
保された光学記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による光ディスクを
示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるグルーブ幅、
グルーブ深さを説明するためのディスク基板の断面図で
ある。
【図３】この発明の第１の実施形態において評価が行わ
れる反射率に関する特性の定義を説明するためのグラフ
である。
【図４】この発明の第１の実施形態による光ディスクの
ジッター特性を評価する際に用いられる記録発光パター
ンを示すグラフである。
【図５】この発明の第１の実施形態による光ディスクの
オーバーライト回数とジッターとの関係を示すグラフで
ある。
【符号の説明】
１・・・光ディスク、２・・・ディスク基板、２ａ・・
・一主面、２ｂ・・・他主面、３・・・第１の誘電体
膜、４・・・相変化記録膜、５・・・第２の誘電体膜、
６・・・反射膜、７・・・保護膜、１０・・・ランド、
１１・・・グルーブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｍ 7/135 7/135 Ａ (72)発明者 下向 仁 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB35 JB47 LB07 MA13 MA14 WB11 WB17 WC01 WD11 5D119 AA24 BA01 BB04 DA01 DA05 DA07 JA43 JB02

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一主面に凹凸の溝トラック形状を有する
    基板と、 上記基板の上記一主面上に順次少なくとも設けられた、
    第１の誘電体膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および
    反射膜とを有する光学記録媒体であって、 上記相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からな
    るとともに、上記反射膜がＡｇＰｄＣｕ系合金材料から
    なり、 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
    料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上６重
    量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以
    上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比
    率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、上記反
    射膜を構成するＡｇＰｄＣｕ系合金材料において、Ｐｄ
    の含有率が０．９重量パーセント以上１．５重量パーセ
    ント以下、Ｃｕの含有率が０．９重量パーセント以上
    １．１重量パーセント以下であり、 上記溝トラック形状における凹部の深さが４０ｎｍ以上
    ５０ｎｍ以下であるとともに、上記溝トラック形状にお
    ける凸部と凹部との境界のうち、上記凹部を挟んで隣り
    合う２つの境界の間の幅が０．４０μｍ以上０．６５μ
    ｍ以下であり、 上記第１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以
    下、上記相変化記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上１８ｎｍ以
    下、上記第２の誘電体膜の膜厚が２０ｎｍ以上２８ｎｍ
    以下、および上記反射膜の膜厚が６０ｎｍ以上１４０ｎ
    ｍ以下であることを特徴とする光学記録媒体。
  2. 【請求項２】 上記光学記録媒体に対して情報信号の記
    録および／または消去を行う際に、上記光学記録媒体の
    上記相変化記録膜に照射される光の波長が７７５ｎｍ以
    上７９５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
    の光学記録媒体。
  3. 【請求項３】 上記光学記録媒体に対して情報信号の記
    録および／または消去を行う際に用いられる光学系にお
    けるレンズの開口数が０．４９以上０．５１以下である
    とともに、情報信号の再生を行う際に用いられる光学系
    におけるレンズの開口数が０．４４以上０．４６以下で
    あることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
  4. 【請求項４】 上記光学記録媒の記録線密度が１ビット
    当たり、０．５９μｍ程度であることを特徴とする請求
    項１記載の光学記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳ
    ｂＴｅ系合金材料において、上記Ｔｅに対するＳｂの比
    率が２．２倍以上２．８倍以下であることを特徴とする
    請求項１記載の光学記録媒体。
  6. 【請求項６】 上記凹部を挟んで隣り合う２つの境界の
    間の幅が、０．５２μｍ以上０．６５μｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
  7. 【請求項７】 一主面に凹凸の溝トラック形状を有する
    基板と、 上記基板の上記一主面上に設けられた、第１の誘電体
    膜、相変化記録膜、第２の誘電体膜および反射膜とを有
    する光学記録媒体であって、 上記相変化記録膜がＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材料からな
    るとともに、上記反射膜がＡｌＣｕ系合金材料からな
    り、 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎＳｂＴｅ系合金材
    料において、Ｇｅの含有率が１重量パーセント以上６重
    量パーセント以下、Ｉｎの含有率が２重量パーセント以
    上６重量パーセント以下、およびＴｅに対するＳｂの比
    率が２．２倍以上３．０倍以下であるとともに、上記反
    射膜を構成するＡｌＣｕ系合金材料において、Ｃｕの含
    有率が１．５重量パーセント以下であり、 上記溝トラック形状における凹部の深さが４０ｎｍ以上
    ５０ｎｍ以下であるとともに、上記溝トラック形状にお
    ける凸部と凹部との境界のうち、上記凹部を挟んで隣り
    合う２つの境界の間の幅が０．４０μｍ以上０．６５μ
    ｍ以下であり、 上記第１の誘電体膜の膜厚が７５ｎｍ以上９５ｎｍ以
    下、上記記録膜の膜厚が１２ｎｍ以上１８ｎｍ以下、上
    記第２の誘電体膜の膜厚が２０ｎｍ以上２８ｎｍ以下、
    および上記反射膜の膜厚が６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下
    であることを特徴とする光学記録媒体。
  8. 【請求項８】 上記光学記録媒体に対して情報信号の記
    録および／または消去を行う際に、上記光学記録媒体の
    上記相変化記録膜に照射される光の波長が７７５ｎｍ以
    上７９５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７記載
    の光学記録媒体。
  9. 【請求項９】 上記光学記録媒体に対して情報信号の記
    録および／または消去を行う際に用いられる光学系にお
    けるレンズの開口数が０．４９以上０．５１以下である
    とともに、情報信号の再生を行う際に用いられる光学系
    におけるレンズの開口数が０．４４以上０．４６以下で
    あることを特徴とする請求項７記載の光学記録媒体。
  10. 【請求項１０】 上記光学記録媒体の記録線密度が１ビ
    ット当たり、０．５９μｍ程度であることを特徴とする
    請求項７記載の光学記録媒体。
  11. 【請求項１１】 上記相変化記録膜を構成するＧｅＩｎ
    ＳｂＴｅ系合金材料において、上記Ｔｅに対するＳｂの
    比率が２．２倍以上２．８倍以下であることを特徴とす
    る請求項７記載の光学記録媒体。
  12. 【請求項１２】 上記凹部を挟んで隣り合う２つの境界
    の間の幅が、０．５２μｍ以上０．６５μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項７記載の光学記録媒体。
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