JPH11154354A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、高い記録密度をもち、繰返し記録
特性に優れていると共に、耐蝕性を向上させた光記録媒
体を提供することを目的とする。 【解決手段】 ポリカーボネイト基板１０上には、Ｚｎ
Ｓ・ＳｉＯ₂ 層からなる第１保護層２０、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ層からなる記録層３０、ＺｎＳ・ＺｎＯ・Ｓ
ｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０、Ａｇ及びＣｕを構成
元素とするＡｇ−Ｃｕ反射放熱層５０、及びＵＶ保護層
からなる環境保護層６０が順に積層されて形成されてい
る。ここで、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層５０が、Ａｇ（５０
ａｔ．％）−Ｃｕ（５０ａｔ．％）の組成をもち、Ａｇ
−Ｃｕ系の共晶組成近傍の組成範囲にあることから、析
出するＡｇ及びＣｕの組織形態は緻密なものとなり、高
熱伝導率を有すると共に、析出したＣｕ又はＡｇの結晶
粒界の構造は繰返し記録に伴う熱衝撃に対する高い耐性
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に係り、
特に光ビームを照射することにより記録層材料に光学的
な変化を生じさせて、情報の記録、再生を行ない、かつ
書換えが可能である相変化型光記録ディスクなどの光記
録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザビームの照射による情報の記録、
再生、及び消去が可能な光記録媒体の一つとして、結晶
−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移を利用する、い
わゆる相変化形光記録媒体がよく知られている。この相
変化形光記録媒体は、単一ビームによるオーバーライト
が可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であるこ
とを特徴とし、コンピュータ関連や映像音響に関する記
録媒体として応用されている。

【０００３】そして、この相変化形光記録媒体の記録材
料としては、例えばＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅ
Ｓ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴ
ｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、
Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅは、高感度でアモルファス部分の輪郭が明確な特徴を
有し、マークエッジ記録用の記録層として開発されてい
る（特開平０２−３７４６６号公報、特開平０２−１７
１３２５号公報、特開平０２−４１５５８１号公報、特
開平０４−１４１４８５号公報参照）。

【０００４】また、光記録媒体に使用される反射放熱層
材料を選定する際に、反射率（複素屈折率）、熱伝導
率、繰返し記録に伴う熱衝撃への耐久性、内部応力、耐
蝕性等が考慮されるが、特に高密度記録においては、反
射放熱層の熱伝導率を大きなものとすることが記録密度
を向上させる上で極めて重要である。こうした観点か
ら、反射放熱層材料としてはＡｇ、Ａｕ、Ｃｕが特に好
ましく、特公平８−１７０９号公報においては、Ａｇに
Ｃｕを含有せしめ、更にＴａ又はＴｉの少なくとも一種
を含有せしめたＡｇ合金からなる金属反射層が提案され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反射放
熱層材料としてＡｇ、Ａｕ、Ｃｕを用いる場合、以下に
述べる問題点があった。即ち、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕを反射
放熱層材料とする光記録媒体においては、初期特性は良
好であるものの、繰返し記録に伴い、反射放熱層の昇温
−冷却のヒートサイクルによる熱的なダメージに起因し
て、界面を接している保護層との付着力の低下、結晶粒
の成長やクラック等による実効的な熱伝導率の低下、熱
伝導のムラなどが発生する。このため、記録層の冷却速
度の低下や冷却速度の不均一性を招き、アモルファス−
結晶界面の輪郭が乱れ、ジッタ等のディスク特性が劣化
するという問題を生じた。

【０００６】この問題に対しては、保護層との界面部に
Ｃｒ、Ｔａ等の中間層を付加することによって繰返し記
録特性が改善されることが知られているものの、この方
法は、他方において反射率低下、熱特性の劣化等の副次
的問題を発生させ、初期記録密度に悪影響を与えること
となった。

【０００７】また、反射放熱層材料としてＣｕを用いる
際には、場合によってはＡｇを用いる際にも、耐蝕性が
十分に確保されないという問題を生じた。例えば、上記
特公平８−１７０９号公報にも開示されているように、
Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層においては高熱伝導率が得ら
れるものの、Ｃｕの含有量が３０ａｔ．％（原子％）を
上回る領域では耐蝕性は良好ではなかった。

【０００８】そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなさ
れたものであり、高い記録密度をもち、繰返し記録特性
に優れていると共に、耐蝕性を向上させた光記録媒体を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らは、従来は限られた範囲でしか検討され
てこなかった繰返し記録に伴う耐熱衝撃性に関するＣｕ
−Ａｇ系の反射放熱層の構造又は組成についての検討を
行い、更に、Ｃｕ−Ａｇ系の反射反射層の繰返し記録特
性を損なわないことを前提としつつ、耐蝕性の向上のた
めの添加元素についても検討を行い、本発明に想到し
た。従って、上記課題は、以下の本発明に係る光記録媒
体により達成される。

【００１０】即ち、請求項１に係る光記録媒体は、基板
上に、第１の保護層、記録層、第２の保護層、反射放熱
層、及び環境保護層が順に積層されている光記録媒体で
あって、反射放熱層がＡｇ及びＣｕを構成元素とし、反
射放熱層中のＡｇとＣｕとの元素比がＡｇ−Ｃｕ系の共
晶組成近傍の組成範囲にあることを特徴とする。

【００１１】このように請求項１に係る光記録媒体にお
いては、Ａｇ及びＣｕを構成元素とする反射放熱層中の
ＡｇとＣｕとの元素比がＡｇ−Ｃｕ系の共晶組成近傍の
組成範囲にあるが、このＡｇ−Ｃｕ系は２相分離となる
系であり、析出するＡｇ及びＣｕの組織形態は共晶組成
近傍で緻密なものとなるため、Ａｇ、Ｃｕ共に高熱伝導
率を有する相であることが相乗して、相変化光ディスク
として好ましい高熱伝導率を有する反射放熱層となり、
高い記録密度をもつ光記録媒体が実現される。また、一
旦析出したＣｕ又はＡｇの結晶粒界の構造は、繰返し記
録に伴う熱衝撃に対する高い耐性を有するため、繰返し
記録特性に優れた光記録媒体が実現される。更に、繰返
し記録に伴って準安定固溶体から析出するＡｇ、Ｃｕの
結晶粒も微細であるため、記録特性に悪影響を与える粗
大結晶粒に起因する熱伝導ムラはなくなり、ディスク特
性の劣化等が防止される。

【００１２】ここで、光記録媒体の各構成要素について
説明すると、基板は、例えばポリカーボネート等の樹脂
又はガラス等の透明体を材料として、トラッキングサー
ボのための案内溝を有しているものを使用すればよい。

【００１３】また、第１保護層及び第２保護層は、例え
ばＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 、ＡｌＮ等の公知の誘電体又はこれ
らの積層体であって、所定の屈折率及び屈折率分布を有
しているものを材料として使用すればよい。

【００１４】また、記録層は、上記従来の技術に示した
ように、例えばＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、
ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、
ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐ
ｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂ、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ等の中から、記録線速、記録方式、密度等を
考慮して適宜選択したものを材料として使用すればよ
い。

【００１５】また、反射放熱層は、ＡｇとＣｕとの元素
比がＡｇ−Ｃｕ系の共晶組成近傍の組成範囲にある状態
においては、ＡｇとＣｕとの２相、準安定的な固溶体の
相、又はＡｇとＣｕと準安定的な固溶体との３相によっ
て構成される。なお、準安定的な固溶体は、スパッタリ
ングなどの非熱平衡下の薄膜形成プロセスで形成される
場合があり、この相は、基板温度が低い場合や基板又は
下地層との格子整合がない場合に特に出現し易い。

【００１６】また、環境保護層は、耐蝕性のある公知の
金属、合金、誘電体、樹脂等、例えばＡｌ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｐｂ−Ｓｎ、Ｓｉ
₃ Ｎ₄、ＡｌＮ、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、紫外線硬化樹脂等
を材料として使用すればよい。なお、金属を材料として
使用する場合、環境保護層は放熱補助層としての作用も
有することになる。

【００１７】また、基板上の各層の膜厚としては、第１
保護層の膜厚が３０〜３００ｎｍ、記録層が５〜５０ｎ
ｍ、第２保護層が５〜１００ｎｍ、反射放熱層が３０〜
３００ｎｍ、環境保護層が５０ｎｍ以上の範囲であるこ
と望ましい。また、これらの各層の形成方法としては、
スパッタ法、真空蒸着法、スピンコート法等の公知の薄
膜形成方法を用いればよい。

【００１８】また、請求項２に係る光記録媒体は、上記
請求項１に係る光記録媒体において、反射放熱層中のＡ
ｇとＣｕとの原子数の比が、 ０．８≦Ａｇ／Ｃｕ≦２．２ であることを特徴とする。即ち、反射放熱層中のＡｇと
Ｃｕとの元素比がＡｇ−Ｃｕ系の共晶組成近傍の組成範
囲にあることを具体的に数値限定して表すと、反射放熱
層中のＡｇとＣｕとの原子数の比は、 ０．８≦Ａｇ／Ｃｕ≦２．２ となる。そして、本発明者らの実験によれば、更に限定
して、 １．２≦Ａｇ／Ｃｕ≦１．８ であることが好適である。この場合、上記請求項１の場
合の作用が顕著に奏される。

【００１９】また、請求項３に係る光記録媒体は、上記
請求項１又は２に係る光記録媒体において、環境保護層
が、反射放熱層との密着性が良好なバッファ層と、反射
放熱層を腐蝕から保護するための樹脂層とが積層された
構造を有することを特徴とする。

【００２０】このように請求項３に係る光記録媒体にお
いては、環境保護層がバッファ層と樹脂層との２層構造
となり、耐蝕性に乏しい反射放熱層と耐蝕性の高い樹脂
層との間に、反射放熱層との密着性が良好なバッファ層
が介在していることにより、樹脂層とＡｇ−Ｃｕ系の反
射放熱層との密着性が必ずしも良好でなくとも、バッフ
ァ層が密着性よく反射放熱層を覆っているため、衝撃に
よるＡｇ−Ｃｕ系の反射放熱層表面の露出が防止され、
耐蝕性が維持される。ここで、バッファ層上に積層され
る樹脂層としては、環境保護に有効なＵＶ硬化樹脂、熱
硬化樹脂、ホットメルト樹脂等を使用すればよい。

【００２１】また、請求項４に係る光記録媒体は、上記
請求項３に係る光記録媒体において、バッファ層が、Ａ
ｕ層、Ａｕ合金層、Ａｇ層、Ａｇ合金層、Ａｌ層、Ａｌ
合金層、Ｇｅ層、Ｐｂ層、又はＳｉ層であることを特徴
とする。

【００２２】即ち、Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層との密着
性に優れたバッファ層としては、これらのＡｕ層、Ａｕ
合金層、Ａｇ層、Ａｇ合金層、Ａｌ層、Ａｌ合金層、Ｇ
ｅ層、Ｐｂ層、又はＳｉ層が好適である。そして、これ
らのバッファ層は熱伝導補助層としても作用するという
利点を有している。

【００２３】また、請求項５に係る光記録媒体は、上記
請求項１〜４に係る光記録媒体において、反射放熱層
に、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、又はＴａが添加されていることを特徴とする。

【００２４】このように請求項５に係る光記録媒体にお
いては、反射放熱層にＡｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、又はＴａが添加されていることによ
り、Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層の耐蝕性が高められる。
このため、環境保護層を安価な樹脂のみとしても高い耐
久性が確保され、高信頼性の光記録媒体が低コストで得
られることになる。なお、これらの添加元素の濃度は、
十分な耐蝕性の向上が得られると共に、反射放熱層にお
けるＡｇ−Ｃｕ系の相分離を損なわない範囲であること
が必要である。

【００２５】また、請求項６に係る光記録媒体は、上記
請求項５に係る光記録媒体において、反射放熱層に添加
されているＰｄ又はＰｔの濃度が１〜５ａｔ％の範囲内
であることを特徴とする。

【００２６】即ち、Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層への添加
元素がＰｄ又はＰｔの場合、反射放熱層の耐蝕性の十分
な向上が得られる一方において、Ｐｄ又はＰｔの添加に
よって反射放熱層の熱伝導率の低下を招くことから、こ
の悪影響を抑制するためにはＰｄ又はＰｔの濃度を１〜
５ａｔ％の範囲内に限定することが望ましい。

【００２７】また、請求項７に係る光記録媒体は、上記
請求項５に係る光記録媒体において、反射放熱層に添加
されているＴｉ又はＴａの濃度が１〜３ａｔ％の範囲内
であることを特徴とする。

【００２８】即ち、Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層への添加
元素がＴｉ又はＴａの場合、反射放熱層の耐蝕性の十分
な向上が得られる一方において、Ｔｉ又はＴａの添加に
よって反射放熱層の熱伝導率の低下を招くことから、こ
の悪影響を抑制するためにはＴｉ又はＴａの濃度を１〜
３ａｔ％の範囲内に限定することが望ましい。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係る光記
録媒体は、請求項１、２に係る光記録媒体に対応するも
のであり、その概略断面を図１に示す。ポリカーボネイ
ト基板１０は、図示はしないが、例えばピッチ７４０ｎ
ｍの案内溝を有している。このそして、このポリカーボ
ネイト基板１０上には、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 層からなる第
１保護層２０が形成されている。また、この第１保護層
２０上には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層からなる記録層
３０が形成されている。また、この記録層３０上には、
ＺｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０が
形成されている。

【００３０】また、この第２保護層４０上には、Ａｇ
（５０ａｔ．％）−Ｃｕ（５０ａｔ．％）の組成をもつ
Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層５０が形成されている。また、こ
のＡｇ−Ｃｕ反射放熱層５０上には、ＵＶ保護層からな
る環境保護層６０が形成されている。

【００３１】また、ポリカーボネイト基板１０上の各層
の膜厚は、第１保護層２０が１５０ｎｍであり、記録層
３０が２０ｎｍであり、第２保護層４０が２０ｎｍであ
り、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層５０が１００ｎｍであり、Ｕ
Ｖ保護層からなる環境保護層６０が１０μｍである。

【００３２】以上のように本実施形態によれば、共に高
熱伝導率を有するＡｇ及びＣｕを構成元素とするＡｇ−
Ｃｕ反射放熱層５０が、Ａｇ（５０ａｔ．％）−Ｃｕ
（５０ａｔ．％）の組成をもち、Ａｇ−Ｃｕ系の共晶組
成近傍の組成範囲にあることにより、析出するＡｇ及び
Ｃｕの組織形態は緻密なものとなるため、相変化光ディ
スクとして好ましい高熱伝導率を有する反射放熱層とな
り、高い記録密度をもつ光記録媒体を実現することがで
きる。また、一旦析出したＣｕ又はＡｇの結晶粒界の構
造は、繰返し記録に伴う熱衝撃に対する高い耐性を有す
るため、繰返し記録特性に優れた光記録媒体を実現する
ことができる。更に、繰返し記録に伴って準安定固溶体
から析出するＡｇ、Ｃｕの結晶粒も微細であるため、記
録特性に悪影響を与える粗大結晶粒に起因する熱伝導ム
ラがなくなり、ディスク特性の劣化等を防止することが
できる。

【００３３】なお、本実施形態においては、Ａｇ−Ｃｕ
反射放熱層５０がＡｇ（５０ａｔ．％）−Ｃｕ（５０ａ
ｔ．％）の組成をもつ場合について述べたが、この組成
に限定されることなく、Ａｇ−Ｃｕ系の共晶組成近傍の
組成範囲、例えばＡｇ−Ｃｕ反射放熱層５０中のＡｇと
Ｃｕとの原子数の比が、 ０．８≦Ａｇ／Ｃｕ≦２．２ であれば、同様の効果を奏することが可能である。更
に、 １．２≦Ａｇ／Ｃｕ≦１．８ に限定される場合には、特に顕著な効果を奏することが
できる。

【００３４】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係る光記録媒体は、請求項３、４に係る光記録媒体
に対応するものであり、その概略断面を図２に示す。な
お、上記図１に示す光記録媒体の構成要素と同一の要素
には同一の符号を付して説明を省略する。上記第１の実
施形態の場合と同様に、ピッチ７４０ｎｍの案内溝を有
しているポリカーボネイト基板１０上には、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ₂ 層からなる第１保護層２０が形成され、この第１
保護層２０上には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層からなる
記録層３０が形成され、この記録層３０上には、ＺｎＳ
・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０が形成さ
れ、この第２保護層４０上には、Ａｇ（５０ａｔ．％）
−Ｃｕ（５０ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ反射放
熱層５０が形成されている。

【００３５】そして、このＡｇ−Ｃｕ反射放熱層５０上
に、Ａｕバッファ層６１とＵＶ保護層６２とが順に積層
された環境保護層６０ａが形成されており、この点に本
実施形態の特徴がある。

【００３６】また、ポリカーボネイト基板１０上の各層
の膜厚は、上記第１の実施形態の場合と同様、第１保護
層２０が１５０ｎｍであり、記録層３０が２０ｎｍであ
り、第２保護層４０が２０ｎｍであるが、上記第１の実
施形態の場合と異なり、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層５０が５
０ｎｍであり、また環境保護層６０ａを構成するＡｕバ
ッファ層６１が５０ｎｍであり、ＵＶ保護層６２が１０
μｍである。

【００３７】以上のように本実施形態によれば、上記第
１の実施形態の場合の効果を奏することに加えて、環境
保護層６０ａがＡｕバッファ層６１とＵＶ保護層６２と
の２層構造となり、耐蝕性に乏しいＡｇ−Ｃｕ反射放熱
層５０と耐蝕性の高いＵＶ保護層６２との間に、Ａｇ−
Ｃｕ反射放熱層５０との密着性が良好なＡｕバッファ層
６１が介在していることにより、Ａｕバッファ層６１が
密着性よくＡｇ−Ｃｕ反射放熱層５０を覆っており、Ａ
ｇ−Ｃｕ反射放熱層５０とＡｕバッファ層６１との間の
密着力がＡｕバッファ層６１とＵＶ保護層６２との間の
密着力よりも高いため、仮りに衝撃によって微小な剥離
が生じたとしても、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層５０表面の露
出を防止して、耐蝕性を維持することができる。

【００３８】また、Ａｕバッファ層６１は熱伝導補助層
としても作用するため、このことに対応して、Ａｇ−Ｃ
ｕ反射放熱層５０の膜厚を減少させることが可能にな
り、本実施形態においては、上記第１の実施形態の場合
の１００ｎｍから５０ｎｍに半減させた場合について述
べた。

【００３９】なお、本実施形態においては、Ａｇ−Ｃｕ
反射放熱層５０との密着性に優れたバッファ層としては
Ａｕバッファ層６１を用いているが、このＡｕバッファ
層６１の代わりに、例えばＡｕ合金バッファ層、Ａｇバ
ッファ層、Ａｇ合金バッファ層、Ａｌバッファ層、Ａｌ
合金バッファ層、Ｇｅバッファ層、Ｐｂバッファ層、又
はＳｉバッファ層を用いてもよい。そして、これらのバ
ッファ層も、Ａｕバッファ層６１の場合と同様に、熱伝
導補助層としても作用する。

【００４０】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係る光記録媒体は、請求項５に係る光記録媒体に対
応するものであり、その概略断面を図３に示す。なお、
上記図１〜２に示す光記録媒体の構成要素と同一の要素
には同一の符号を付して説明を省略する。上記第１の実
施形態の場合と同様に、ピッチ７４０ｎｍの案内溝を有
しているポリカーボネイト基板１０上には、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ₂ 層からなる第１保護層２０が形成され、この第１
保護層２０上には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層からなる
記録層３０が形成され、この記録層３０上には、ＺｎＳ
・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０が形成さ
れている。

【００４１】そして、この第２保護層４０上に、Ａｕが
添加されて、Ａｇ（５５ａｔ．％）−Ｃｕ（３７ａｔ．
％）−Ａｕ（８ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ａ
ｕ反射放熱層５０ａが形成されており、この点に本実施
形態の特徴がある。また、このＡｇ−Ｃｕ−Ａｕ反射放
熱層５０ａ上には、ＵＶ保護層からなる環境保護層６０
が形成されている。

【００４２】また、ポリカーボネイト基板１０上の各層
の膜厚は、上記第１の実施形態の場合と同様、第１保護
層２０が１５０ｎｍであり、記録層３０が２０ｎｍであ
り、第２保護層４０が２０ｎｍであり、ＵＶ保護層から
なる環境保護層６０が１０μｍである。そして、Ａｇ−
Ｃｕ−Ａｕ反射放熱層５０ａが１００ｎｍである。

【００４３】以上のように本実施形態によれば、Ａｇ−
Ｃｕ−Ａｕ反射放熱層５０ａがＡｇ（５５ａｔ．％）−
Ｃｕ（３７ａｔ．％）−Ａｕ（８ａｔ．％）の組成をも
ち、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層に８ａｔ．％のＡｕが添加さ
れていることにより、上記第１の実施形態の場合の効果
に加えて、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層の耐蝕性を高めること
ができる。従って、環境保護層６０が安価なＵＶ保護層
のみからなる場合であっても、高い耐久性を確保するこ
とができるため、高信頼性の光記録媒体を低コストで得
ることができる。また、Ａｇ−Ｃｕ−Ａｕ反射放熱層５
０ａはＡｕの添加によってもその熱伝導率を殆ど損なう
ことはないため、光記録媒体の高い記録密度を低下させ
ることもない。

【００４４】なお、本実施形態においては、Ａｇ−Ｃｕ
−Ａｕ反射放熱層５０ａにおける添加元素Ａｕの濃度は
８ａｔ．％であるが、本発明者らの実験によれば、Ａｕ
の添加による耐蝕性の向上という効果は、Ａｕの濃度が
１ａｔ．％以上の場合に顕著であった。また、コストの
上昇を抑制すると共に、Ａｇ−Ｃｕ系の相分離を損なわ
ず、Ａｇ−Ｃｕ系の共晶構造に起因する高繰返し記録特
性を維持するためには、Ａｕの濃度が１５ａｔ．％以下
であることが好ましい。また、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層に
Ａｕを添加する代わりに、例えばＺｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、又はＴａを添加した場合におい
ても、同様の効果を奏することができる。

【００４５】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態に係る光記録媒体は、請求項６に係る光記録媒体に対
応するものであり、その概略断面を図４に示す。なお、
上記図１〜３に示す光記録媒体の構成要素と同一の要素
には同一の符号を付して説明を省略する。上記第１の実
施形態の場合と同様に、ピッチ７４０ｎｍの案内溝を有
しているポリカーボネイト基板１０上には、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ₂ 層からなる第１保護層２０が形成され、この第１
保護層２０上には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層からなる
記録層３０が形成され、この記録層３０上には、ＺｎＳ
・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０が形成さ
れている。

【００４６】そして、この第２保護層４０上に、Ｐｄが
添加されて、Ａｇ（６３ａｔ．％）−Ｃｕ（３３ａｔ．
％）−Ｐｄ（４ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ｐ
ｄ反射放熱層５０ｂが形成されており、この点に本実施
形態の特徴がある。また、このＡｇ−Ｃｕ−Ｐｄ反射放
熱層５０ｂ上には、ＵＶ保護層からなる環境保護層６０
が形成されている。

【００４７】また、ポリカーボネイト基板１０上の各層
の膜厚は、上記第１の実施形態の場合と同様、第１保護
層２０が１５０ｎｍであり、記録層３０が２０ｎｍであ
り、第２保護層４０が２０ｎｍであり、ＵＶ保護層から
なる環境保護層６０が１０μｍである。そして、Ａｇ−
Ｃｕ−Ｐｄ反射放熱層５０ｂが１００ｎｍである。

【００４８】以上のように本実施形態によれば、Ａｇ−
Ｃｕ−Ｐｄ反射放熱層５０ｂがＡｇ（６３ａｔ．％）−
Ｃｕ（３３ａｔ．％）−Ｐｄ（４ａｔ．％）の組成をも
ち、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層に４ａｔ．％のＰｄが添加さ
れていることにより、上記第３の実施形態の場合と同様
の効果を奏することができる。本発明者らの実験によれ
ば、Ｐｄの添加による耐蝕性の向上という効果は、Ｐｄ
の濃度が１ａｔ．％以上の場合に顕著であった。

【００４９】なお、本実施形態においては、Ａｇ−Ｃｕ
反射放熱層にＰｄを添加しているが、このＰｄの代わり
に、例えばＰｔを添加した場合においても、同様の効果
を奏することができる。但し、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層へ
の添加元素がＰｄ又はＰｔの場合には、反射放熱層の耐
蝕性の十分な向上を得ることができる一方において、Ｐ
ｄ又はＰｔの添加によって反射放熱層の熱伝導率の低下
を招くことから、この悪影響を抑制するために、Ｐｄ又
はＰｔの濃度を５ａｔ％以下に限定することが望まし
い。

【００５０】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態に係る光記録媒体は、請求項３、７に係る光記録媒体
に対応するものであり、その概略断面を図５に示す。な
お、上記図１〜４に示す光記録媒体の構成要素と同一の
要素には同一の符号を付して説明を省略する。上記第１
の実施形態の場合と同様に、ピッチ７４０ｎｍの案内溝
を有しているポリカーボネイト基板１０上には、ＺｎＳ
・ＳｉＯ₂ 層からなる第１保護層２０が形成され、この
第１保護層２０上には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層から
なる記録層３０が形成され、この記録層３０上には、Ｚ
ｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層４０が形
成されている。

【００５１】そして、この第２保護層４０上に、Ｔｉが
添加されて、Ａｇ（５９ａｔ．％）−Ｃｕ（３９ａｔ．
％）−Ｔｉ（２ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ｔ
ｉ反射放熱層５０ｃが形成されており、この点に本実施
形態の特徴がある。また、このＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ反射放
熱層５０ｃ上に、Ａｌ−Ｔｉバッファ層６１ａとＵＶ保
護層６２とが順に積層された環境保護層６０ｂが形成さ
れており、この点にも本実施形態の特徴がある。

【００５２】また、ポリカーボネイト基板１０上の各層
の膜厚は、上記第１の実施形態の場合と同様、第１保護
層２０が１５０ｎｍであり、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記
録層３０が２０ｎｍであり、ＺｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂
第２保護層４０が２０ｎｍである。そして、Ａｇ−Ｃｕ
−Ｔｉ反射放熱層５０ｃが１００ｎｍであり、環境保護
層６０ａを構成するＡｌ−Ｔｉバッファ層６１ａが１０
０ｎｍであり、ＵＶ保護層６２が１０μｍである。

【００５３】以上のように本実施形態によれば、Ａｇ−
Ｃｕ−Ｔｉ反射放熱層５０ｃがＡｇ（５９ａｔ．％）−
Ｃｕ（３９ａｔ．％）−Ｔｉ（２ａｔ．％）の組成をも
ち、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層に２ａｔ．％のＴｉが添加さ
れていることにより、上記第３の実施形態の場合と同様
の効果を奏することができる。本発明者らの実験によれ
ば、Ｔｉの添加による耐蝕性の向上という効果は、Ｔｉ
の濃度が１ａｔ．％以上の場合に顕著であった。

【００５４】また、環境保護層６０ａがＡｌ−Ｔｉバッ
ファ層６１ａとＵＶ保護層６２との２層構造となり、Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｔｉ反射放熱層５０ｃとＵＶ保護層６２との
間に、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ反射放熱層５０ｃとの密着性が
良好なＡｌ−Ｔｉバッファ層６１ａが介在していること
により、このＡｌ−Ｔｉバッファ層６１ａが密着性よく
Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ反射放熱層５０ｃを覆っているため、
上記第２の実施形態の場合と同様の効果を奏することが
できる。

【００５５】なお、本実施形態においては、Ａｇ−Ｃｕ
反射放熱層にＴｉを添加しているが、このＴｉの代わり
に、例えばＴａを添加した場合においても、同様の効果
を奏することができる。但し、Ａｇ−Ｃｕ反射放熱層へ
の添加元素がＴｉ又はＴａの場合には、反射放熱層の耐
蝕性の十分な向上を得ることができる一方において、Ｔ
ｉ又はＴａの添加によって反射放熱層の熱伝導率の低下
を招くことから、この悪影響を抑制するために、Ｔｉ又
はＴａの濃度を３ａｔ％以下に限定することが望まし
い。

【００５６】次に、上記第１〜第５の実施形態に係る光
記録媒体の最適記録パワーにおける繰返し記録可能回数
を、反射放熱層の材料を変化させた第１〜第５の比較例
と比較して、下記の表１に示す。なお、このときの記録
条件は、記録波長が６３５ｎｍ（ＮＡ＝０．６）、記録
線速が３．５ｍ／ｓ、線記録密度が０．４μｍ／ｂｉｔ
（ＥＦＭランダムパターン）である。繰返し記録可能回
数は、ジッタσ（ｓ）をウインド幅Ｔｗ（ｓ）で割った
値が１２％を上回らない条件、即ち、 σ／Ｔｗ≦１２％ において判定した。

【００５７】また、第１〜第５の比較例は、上記第１の
実施形態に係る光記録媒体とほぼ同様の構成を有してお
り、その反射放熱層のみを変えたものである。即ち、各
比較例における反射放熱層は、第１の比較例がＡｇ反射
放熱層であり、第２の比較例がＡｕ反射放熱層であり、
第３の比較例がＣｕ反射放熱層であり、第４の比較例が
Ａｕ（５０ａｔ・％）−Ｃｕ（５０ａｔ．％）の組成を
もつＡｇ−Ｃｕ反射放熱層であり、第５の比較例がＡｇ
（５０ａｔ．％）−Ａｕ（５０ａｔ．％）の組成をもつ
Ａｇ−Ａｕ反射放熱層である。

【００５８】

【表１】

【００５９】この表から明らかなように、反射放熱層の
材料としてＡｇ、Ａｕ、Ｃｕやこれらの２元合金系を用
いる場合においては、上記第１〜第５の実施形態に係る
光記録媒体の反射放熱層に用いたＡｇ−Ｃｕ系に、固有
のオーバーライト特性の向上が認められる。

【００６０】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る光記録媒体によれば、次のような効果を奏することが
できる。即ち、請求項１に係る光記録媒体によれば、高
熱伝導率を有するＡｇ及びＣｕを構成元素とする反射放
熱層中のＡｇとＣｕとの元素比がＡｇ−Ｃｕ系の共晶組
成近傍の組成範囲にあることにより、析出するＡｇ及び
Ｃｕの組織形態が緻密なものとなるため、相変化光ディ
スクとして好ましい高熱伝導率を有する反射放熱層とな
り、高い記録密度をもつ光記録媒体を実現することがで
きる。また、一旦析出したＣｕ又はＡｇの結晶粒界の構
造は、繰返し記録に伴う熱衝撃に対する高い耐性を有す
るため、繰返し記録特性に優れた光記録媒体を実現する
ことができる。繰返し記録に伴って準安定固溶体から析
出するＡｇ、Ｃｕの結晶粒も微細であるため、記録特性
に悪影響を与える粗大結晶粒に起因する熱伝導ムラはな
くなり、ディスク特性の劣化等を防止することができ
る。

【００６１】また、請求項２に係る光記録媒体によれ
ば、Ａｇ及びＣｕを構成元素とする反射放熱層中のＡｇ
とＣｕとの原子数の比が、 ０．８≦Ａｇ／Ｃｕ≦２．２ であることにより、Ａｇ−Ｃｕ系の共晶組成近傍の組成
範囲にあるため、上記請求項１の場合と同様の効果を奏
することができる。

【００６２】また、請求項３に係る光記録媒体によれ
ば、環境保護層がバッファ層と樹脂層との２層構造とな
り、耐蝕性に乏しい反射放熱層と耐蝕性の高い樹脂層と
の間に反射放熱層との密着性が良好なバッファ層が介在
していることにより、バッファ層が密着性よく反射放熱
層を覆っているため、衝撃によるＡｇ−Ｃｕ系の反射放
熱層表面の露出を防止して、耐蝕性を維持することがで
きる。

【００６３】また、請求項４に係る光記録媒体によれ
ば、バッファ層がＡｕ層、Ａｕ合金層、Ａｇ層、Ａｇ合
金層、Ａｌ層、Ａｌ合金層、Ｇｅ層、Ｐｂ層、又はＳｉ
層であることにより、これらのバッファ層と反射放熱層
との良好な密着性が確保され、上記請求項３の場合の効
果を奏することができる。

【００６４】また、請求項５に係る光記録媒体によれ
ば、反射放熱層にＡｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、又はＴａが添加されていることによ
り、Ａｇ−Ｃｕ系の反射放熱層の耐蝕性が高められるた
め、環境保護層を安価な樹脂のみとしても高い耐久性を
確保し、高信頼性の光記録媒体を低コストで得ることが
できる。

【００６５】また、請求項６に係る光記録媒体によれ
ば、反射放熱層に添加されているＰｄ又はＰｔの濃度が
１〜５ａｔ％の範囲内であることにより、上記請求項５
の効果を奏しつつ、Ｐｄ又はＰｔの添加による反射放熱
層の熱伝導率の低下という悪影響を抑制することができ
る。

【００６６】また、請求項７に係る光記録媒体によれ
ば、反射放熱層に添加されているＴｉ又はＴａの濃度が
１〜３ａｔ％の範囲内であることにより、上記請求項５
の効果を奏しつつ、Ｔｉ又はＴａの添加による反射放熱
層の熱伝導率の低下という悪影響を抑制することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る光記録媒体を示
す概略断面である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る光記録媒体を示
す概略断面である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る光記録媒体を示
す概略断面である。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る光記録媒体を示
す概略断面である。

【図５】本発明の第５の実施形態に係る光記録媒体を示
す概略断面である。

【符号の説明】

１０ ポリカーボネイト基板 ２０ ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 層からなる第１保護層 ３０ Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ層からなる記録層 ４０ ＺｎＳ・ＺｎＯ・ＳｉＯ₂ 層からなる第２保護層 ５０ Ａｇ（５０ａｔ．％）−Ｃｕ（５０ａｔ．％）の
組成をもつＡｇ−Ｃｕ反射放熱層 ５０ａ Ａｇ（５５ａｔ．％）−Ｃｕ（３７ａｔ．％）
−Ａｕ（８ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ａｕ反
射放熱層 ５０ｂ Ａｇ（６３ａｔ．％）−Ｃｕ（３３ａｔ．％）
−Ｐｄ（４ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ｐｄ反
射放熱層 ５０ｃ Ａｇ（５９ａｔ．％）−Ｃｕ（３９ａｔ．％）
−Ｔｉ（２ａｔ．％）の組成をもつＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ反
射放熱層 ６０ ＵＶ保護層からなる環境保護層 ６０ａ 環境保護層 ６０ｂ 環境保護層 ６１ Ａｕバッファ層 ６１ａ Ａｌ−Ｔｉバッファ層 ６２ ＵＶ保護層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、第１の保護層、記録層、第２
   の保護層、反射放熱層、及び環境保護層が順に積層され
   ている光記録媒体であって、 前記反射放熱層が、Ａｇ及びＣｕを構成元素とし、前記
   反射放熱層中のＡｇとＣｕとの元素比が、Ａｇ−Ｃｕ系
   の共晶組成近傍の組成範囲にあることを特徴とする光記
   録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体において、 前記反射放熱層中のＡｇとＣｕとの原子数の比が、 ０．８≦Ａｇ／Ｃｕ≦２．２ であることを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の光記録媒体にお
   いて、 前記環境保護層が、前記反射放熱層との密着性が良好な
   バッファ層と、前記反射放熱層を腐蝕から保護するため
   の樹脂層とが積層された構造を有することを特徴とする
   光記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項３記載の光記録媒体において、 前記バッファ層が、Ａｕ層、Ａｕ合金層、Ａｇ層、Ａｇ
   合金層、Ａｌ層、Ａｌ合金層、Ｇｅ層、Ｐｂ層、又はＳ
   ｉ層であることを特徴とする光記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の光記
   録媒体において、 前記反射放熱層に、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ
   ｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、又はＴａが添加されていることを特徴
   とする光記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項５記載の光記録媒体において、 前記反射放熱層に添加されているＰｄ又はＰｔの濃度
   が、１乃至５原子％の範囲内であることを特徴とする光
   記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項５記載の光記録媒体において、 前記反射放熱層に添加されているＴｉ又はＴａの濃度
   が、１乃至３原子％の範囲内であることを特徴とする光
   記録媒体。