JP3647603B2 - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型の光記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、後から情報をオーバーライトすることができる光記録媒体として、相変化型の光記録媒体が実用化されている。このような光記録媒体は、単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系の構造が単純であるという特色を備え、コンピュータや映像音響関連の機器における記録媒体として応用されている。具体的には、円盤状の樹脂基板表面に０．８μｍ幅の案内溝を１．６μｍピッチで螺旋状に形成し、このような基板表面に相変化記録材料の薄膜からなる記録層を形成し、この記録層の上に保護層を設けた構造のものが広く知られている。
【０００３】
相変化型の光記録媒体における情報の記録、再生、及び消去の原理としては、レーザビームの照射による相変化記録材料の結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間の相転移を利用して情報の記録等を行うというものである。つまり、相変化記録材料は、加熱後の徐冷によって結晶質となり、溶融後に急冷すると非晶質となる。そこで、このような相変化記録材料の性質を利用し、これを結晶状態と非結晶状態とに可逆的に変化させることによって情報をマークの形態で記録する。つまり、記録信号に応じて、記録層に照射する光ビームの強度を記録層が結晶状態に留まる結晶レベルと非結晶状態になる非結晶レベルとの間で変化させる。この際、マークを形成する場合には光ビームの強度を記録層が溶融する程度の非結晶レベルに設定し、これによって記録層に非結晶化したマークを形成する。また、マーク以外の部分では光ビームの強度を記録層が溶融しない程度の結晶レベルに設定し、記録層を結晶化させる。この場合、マークを形成しない部分は、溶融しない程度に加熱されて徐冷されるため、以前の状態が非結晶状態であろうと結晶状態であろうと結晶状態になる。
【０００４】
ここで、相変化記録材料としては、GeTe，GeTeSe，GeTeS，GeSeS，GeSeSb，GeAsSe，InTe，SeTe，SeAs，Ge-Te-(Sn,Au,Pd)，GeTeSeSb，GeTeSb，Ag-In-Sb-Te等が用いられる。また、記録層をSiO2等の母材中に埋め込み、記録材料の不可逆的変化を抑制するようにした技術も提案されている（特開平５７−２０８６４８号）。さらに、相変化記録材料としてAg-In-Sb-Teを用いることも提案されている（特開平２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平２−４１５５８１号、特開平４−１４１４８５号）。 Ag-In-Sb-Teは、高感度で非結晶部分の輪郭が明確であるという特性を有するため、マークエッジ用の記録層として優れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
相変化型の光記録媒体では、繰り返し記録特性の改善が求められている。また、繰り返し記録特性とその他の特性、例えば変調度、所定の反射率等との両立が重要な課題となっている。このようなことから、記録層に窒素等を添加し、これによって記録層の流動を抑制して繰り返し記録特性を向上させるようにした発明が特開平４−１１３３６号公報、特開平４−１０９８０号公報、特開平４−１０９７９号公報、特開平４−５２１８８号公報、及び特開平４−５２１８９号公報等に開示されている。
【０００６】
しかしながら、低価格で比較的低い記録線速を有する光記録システムに光記録媒体を用いた場合、あるいは、ＣＤと再生互換性がある光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ）では、記録層に窒素等を添加したとしても、記録層の流動が抑制しきれず、また、オーバーライトに伴う粗大結晶粒の成長、レーザ照射時の熱衝撃による膜剥がれ、反射層に使用する金属の劣化等によって、繰り返し記録回数は数百〜百万回のレベルに留まる。このため、コンピュータの周辺機器等で頻繁に書き換えを行う場合にはこれに対応することができないという問題がある。特に、ＤＣ光照射により非結晶化する線速の下限である転移線速よりも低い線速で記録を行う場合、記録（非結晶化）のためにマルチパルスを必要とするが、この場合にはレーザ光の強度変調による熱衝撃が過大となり、繰り返し記録特性が劣化してしまう。
【０００７】
また、高機能のドライブによる高速での記録再生へ対応させる場合、比較的高い線速での再生では良好なＣ／Ｎを得るために高パワーでの再生が望ましい。しかし、この場合には再生光による記録層の劣化が問題となる。また、転移線速よりも速い比較的高い線速での記録では、レーザビームによる記録層の非結晶化が生じ易く、消去（結晶化）特性に問題が生ずる。このため、マークの形状に乱れが生じ易く、ジッタの発生防止、Ｃ／Ｎ比や変調度の確保等が困難であるという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、オーバーライト特性、繰り返し再生特性、高記録線速での消去特性に優れた光記録媒体を得ることである。
【０００９】
本発明の別の目的は、比較的低い記録線速での記録において、繰り返し記録特性に優れる光記録媒体を得ることである。
【００１０】
本発明のさらに別の目的は、ＣＤ−ＲＯＭと互換性がある光記録媒体やＤＶＤ−ＲＡＭにおいて、生産性の向上及び繰り返し記録特性の向上を図ることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、案内溝を有する基板上に、第１保護層、レーザビームの照射による昇温・冷却プロセスによって非結晶状態から結晶状態へ可逆的に変化する性質を有する相変化型の記録層、第２保護層、及び反射放熱層を順に積層した光記録媒体の製造方法であって、前記記録層の成膜に際して、薄膜形成雰囲気ガスに窒素ガスを添加することにより、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを有する相変化材料に結晶化温度を変化させる窒素を添加する工程と、前記相変化材料に窒素を添加する工程中、窒素ガス流量を変化させることにより前記記録層の膜厚方向における結晶化温度を制御する工程と、を具備する。ここで、「結晶化温度」というのは、初期結晶化における所定の時定数に対応する結晶化温度と、初期結晶化完了後の急冷により形成される非結晶相のための所定の時定数に対応する結晶化温度との両者を含む。
【００１４】
本発明中、「基板」は、ポリカーボネート等の樹脂やガラス等からなる透明体であり、基板が有する案内溝はトラッキングサーボに用いられる。「第１保護層及び第２保護層」は、ZnS・SiO2やAl等の公知の誘電体によって形成され、所定の屈折率を有している。「反射層」は、Al、Au、Ag、Cu、Pd、Pt、Fe、Cr、Ni、Si、Ge等の金属又は半導体、あるいはこれらの合金等の公知の反射放熱部材によって形成されている。もっとも、そのような金属、半導体、合金は、微量の他の添加元素を含んでいても良い。例えば、Al合金にはTiやNが含まれていても良い。
【００１５】
「記録層」は、 GeTe，GeTeSe，GeTeS，GeSeS，GeSeSb，GeAsSe，InTe，SeTe，SeAs，Ge-Te-(Sn,Au,Pd)，GeTeSeSb，GeTeSb，Ag-In-Sb-Te等の公知の相変化記録材料により形成されている。記録層の結晶化温度は、相変化材料の組成、添加元素の膜厚方向の差、添加元素の粒径等の形態の膜厚方向の差に応じて変化する。このように記録層の結晶化温度をその膜厚方向に異ならせることは、結晶化温度が異なる記録層を積層させたり、連続的に結晶化温度が膜厚方向に変化する構造を用いたりすることによって実現する。
【００１６】
ここで、「添加元素」というのは、記録層の結晶化温度を変化させる作用を有するＮ、Ｂ、Ｃ、Ｏ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、As、金属、半金属、半導体、希土類等である。添加元素には、その特性、例えば、熱伝導率、応力、引張り強さ膜の密着力等を変化させる副次的効果もある。
【００１７】
このような請求項１記載の製造方法により製造された光記録媒体では、記録層の結晶化温度に所定の膜厚依存性が生ずる。これは、記録層にレーザビームを照射した際に記録層内に温度分布を生ずるからである。このため、記録層の結晶化温度が記録層内の温度分布に適合化し、オーバーライト時の結晶化が良好に行われる。また、結晶化のタイミングの膜厚方向の差により、粗大結晶粒の成長が抑制され、これにより、境界が鮮明なマークが形成され、オーバーライト特性が良好になる。また、記録層の膜厚方向の温度分布を考慮に入れ、最高温度に達する記録層の内部温度の結晶化温度を高くすれば、再生光による非結晶部の結晶化という問題が解決される。さらに、消去光による温度分布、冷却速度を考慮に入れて記録層の結晶化温度を設定すれば、面内方向で良好な消去が可能となる。
また、請求項１記載の製造方法によれば、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを有する相変化材料に結晶化温度を変化させる窒素を添加し、記録層の膜厚方向の濃度に変化を持たせて、記録層の結晶化温度をその膜厚方向に異ならせた。Ａｒ等の薄膜形成雰囲気ガスに窒素ガスを添加することにより、容易にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ系記録層の結晶化温度が制御される。そして、膜厚方向の窒素濃度は、窒素ガス流量や成膜レート等を変化させることにより、単一ターゲット等を用いて容易に制御される。ここで、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ系の記録層は、窒素の添加によって結晶化温度が上昇する。したがって、請求項２記載の発明のように、保護層との界面付近の窒素濃度を記録層内部より高くした光記録媒体とすることも容易であり、このような光記録媒体では、比較的低い記録線速における繰り返し記録特性が向上する。
【００１８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記記録層の膜厚方向における結晶化温度を変化させる工程では、前記保護層との界面近傍の結晶化温度が他の部分の結晶化温度よりも高くなるように制御した。このような製造方法により製造された光記録媒体では、比較的低い線速での記録／消去プロセスの繰り返しにおいて、記録層の界面部分は記録層内部と比較して完全には結晶化しない。つまり、界面は結晶−非結晶の変化が生じにくく、繰り返しの記録に伴う構造変化が比較的小さい。このため、記録層の界面の構造が安定化し、繰り返し記録に伴う粗大結晶粒の成長や偏析が抑制され、これにより、オーバーライト特性が良好になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法により製造された光記録媒体の第一の実施の形態を図１に基づいて説明する。図示しない案内溝を有するポリカーボネート製の基板１上に第１保護層２、AgInSbTeからなる多層の記録層１０、第２保護層３、及び反射放熱層４が順に積層されている。保護層２，３はＺｎＳ（８０ｍｏｌ%）からなり、反射放熱層４はＡｌ−Ｓｉからなる。
【００２１】
ここで、記録層１０の積層数は２〜３０程度であり、全膜厚は５〜１００ｎｍの範囲にある。このような記録層１０は、結晶化温度が高い層１１と低い層１２とが交互に積層されて形成されている。したがって、加熱による結晶化のタイミングが膜厚方向で異なるため、結晶粒の粗大化が抑制され、オーバーライト特性が向上する。記録波長７８０ｎｍの場合の好ましい記録層１０の全膜厚範囲は、１５〜４０ｎｍである。その他の層２，３，４の膜厚は、光学特性、案内溝形状、熱特性、機械特性等を考慮に入れて最適化される。
【００２２】
ここで、記録層１０における結晶化温度が高い層１１と低い層１２とは、初期化後に発生するような構成としてもよい。つまり、初期化後の結晶化状態を完全なものとせず、初期結晶化状態の好ましい膜厚方向の差異を発生させ、初回書き込みと２回目以降のオーバーライト特性（変調度、ジッタ）との差異を解消するようにする。このような初期結晶化を実現する手法としては、記録層１０の一部を結晶化後に部分的に非結晶化するような所定の急冷速度を有するものとしたり、記録層１０を非結晶化する急冷速度よりは緩やかな冷却速度である比較的低い初期化温度で部分的に結晶化するものとしたりすることが考えられる。後者の記録層１０の場合、結晶化が不完全な部分が残存するような条件で初期化することになる。いずれの場合にも、記録層１０の結晶化温度の差異に対応する結晶化状態の膜厚方向の差異が生じ、初回書き込みと２回目以降のオーバーライト特性（変調、ジッタ）との差異が解消される。
【００２３】
なお、実施にあたっては、必要に応じて反射保護層４上に環境保護層を付加してもよい。
【００２４】
本発明の製造方法により製造された光記録媒体の第二の実施の形態を図２に基づいて説明する。図示しない案内溝を有するポリカーボネート製の基板１上に第１保護層２、多層の記録層１０、第２保護層３、及び反射放熱層４が順に積層されている。保護層２，３はＺｎＳ（８０ｍｏｌ%）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ%）からなり、反射放熱層４はＡｌ−Ｓｉからなる。
【００２５】
ここで、記録層１０は、AgInSbTe（５：１０：５５：３０at. %）からなる第１記録層１１と、 AgInSbTe（５：５：６２：２８at. %）からなる第２記録層１２と、第１記録層１１とが順に積層されて形成されている。この場合、記録層１０の結晶化温度は第１記録層１１の方が高い。このため、低線速での記録に適した構成となっている。
【００２６】
各層の膜厚としては、第１保護層２の膜厚範囲は３０〜３００ｎｍであり、光学的な干渉を考慮に入れて考慮される。反射放熱層４、第２保護層３、第１保護層２に隣接する第１記録層１１、第２記録層１２、第２保護層３に隣接する第１記録層１１の膜厚は、それぞれ、所定の記録線速に対応して設定される。これにより、適切な第２記録層１２の冷却速度が得られ、かつ、良好な変調度が得られる。例えば、記録線速２．８ｍ／ｓ、記録波長７８０ｎｍの場合、反射放熱層４は１００ｎｍ、第２保護層３は２０ｎｍ、第１保護層２に隣接する第１記録層１１は５ｎｍ、第２記録層１２は２０ｎｍ、第２保護層３に隣接する第１記録層１１は５ｎｍである。
【００２７】
このような構成において、記録層１０は、結晶化温度が高い層１１と低い層１２とが交互に積層されて形成されている。したがって、加熱による結晶化のタイミングが膜厚方向で異なるため、結晶粒の粗大化が抑制され、オーバーライト特性が向上する。
【００２８】
また、比較的低い線速での記録／消去プロセスの繰り返しにおいて、第１記録層１１は第２記録層１２と比較して完全には結晶化しない。つまり、第１記録層１１は結晶−非結晶の変化が生じにくく、繰り返しの記録に伴う構造変化が比較的小さい。このため、第１記録層１１の構造が安定化し、繰り返し記録に伴う粗大結晶粒の成長や偏析が抑制され、これにより、オーバーライト特性が良好になる。
【００２９】
なお、実施にあたっては、第１の記録層１１と第２の記録層１２とを別の材料によって形成するようにしてもよい。
【００３０】
本発明の製造方法により製造された光記録媒体の第三の実施の形態を図３に基づいて説明する。図示しない案内溝を有するポリカーボネート製の基板１上に第１保護層２、AgInSbTeからなる多層の記録層１０、第２保護層３、及び反射放熱層４が順に積層されている。保護層２，３はＺｎＳ（８０ｍｏｌ%）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ%）からなり、反射放熱層４はＡｌ−Ｔｉからなる。
【００３１】
ここで、記録層１０は、第１記録層１１と第２記録層１２と第１記録層１１とが順に積層された構成となっており、各記録層１１，１２には窒素Ｎが添加されている。各記録層１１，１２における窒素濃度は第１記録層１１の方が高く、その窒素組成は、記録線速に応じ、所定の熱特性が得られる組成に最適化されている。第１記録層１１の窒素濃度の範囲は、概ね、２〜２０at.%で、第２記録層１２の窒素濃度の範囲は０〜１０at.%である。
【００３２】
このような構成において、記録層１０は、結晶化温度が高い層１１と低い層１２とが交互に積層されて形成されている。したがって、加熱による結晶化のタイミングが膜厚方向で異なるため、結晶粒の粗大化が抑制され、オーバーライト特性が向上する。
【００３３】
また、比較的低い線速での記録／消去プロセスの繰り返しにおいて、第１記録層１１は第２記録層１２と比較して完全には結晶化しない。つまり、第１記録層１１は結晶−非結晶の変化が生じにくく、繰り返しの記録に伴う構造変化が比較的小さい。このため、第１記録層１１の構造が安定化し、繰り返し記録に伴う粗大結晶粒の成長や偏析が抑制され、これにより、オーバーライト特性が良好になる。
【００３４】
そして、これらの効果は、各記録層１１，１２の窒素濃度を適宜設定するとによって容易に得られる。したがって、光記録媒体の製造が容易になる。
【００３５】
課題を解決するための手段の項で、「請求項１記載の製造方法によれば、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを有する相変化材料に結晶化温度を変化させる窒素を添加し、記録層の膜厚方向の濃度に変化を持たせて、記録層の結晶化温度をその膜厚方向に異ならせた。Ａｒ等の薄膜形成雰囲気ガスに窒素ガスを添加することにより、容易にＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ系記録層の結晶化温度が制御される。そして、膜厚方向の窒素濃度は、窒素ガス流量や成膜レート等を変化させることにより、単一ターゲット等を用いて容易に制御される。ここで、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ系の記録層は、窒素の添加によって結晶化温度が上昇する。したがって、請求項２記載の発明のように、保護層との界面付近の窒素濃度を記録層内部より高くした光記録媒体とすることも容易であり、このような光記録媒体では、比較的低い記録線速における繰り返し記録特性が向上する。」と述べた。
ここで、記録層１０の結晶化温度は、窒素Ｎの添加量に略比例して高くなる。本発明の発明者等は、これを実験によって確かめた。表１は、AgInSbTeからなる記録層１０に窒素Ｎを添加した場合の初期結晶化に関するＤＳＣ熱分析結果（昇温レート１０℃／ｍｉｎ）を示す。
【００３６】
【表１】

【００３７】
表１より、成膜時の窒素流量が増加すると、記録層１０の結晶化温度も高くなることが分かる。この場合、ＳＩＭＳ分析の結果から、窒素流量１ｓｃｃｍでの窒素濃度は約５×１０²⁰／ｃｍ³ 程度と推定され、窒素濃度は窒素流量に比例すると考えられる。したがって、記録層１０の結晶化温度は、窒素濃度、つまり、窒素Ｎの添加量に略比例して高まることになる。
【００３８】
本発明の発明者は、第三の実施の形態に示す光記録媒体をＣＤ−ＲＷとして試作し、繰り返し記録後の３Ｔジッタの記録パワー依存性を実験により確かめた。比較のための、記録層１０として第１記録層１１のみ有する光記録媒体（比較例）も試作して同様の実験をした。実験条件としては、記録信号はＥＦＭランダムパターン（８０６４ＭＨｚ）で、記録再生線速は２．４ｍ／ｓである。そして、各層の膜厚は、第１保護層２を１００ｎｍ、反射放熱層４を１４０ｎｍ、第２保護層３を２０ｎｍ、第１保護層２側の第１記録層１１を２ｎｍ、第２記録層１２を１７ｎｍ、第２保護層３側の第１記録層１１を１０ｎｍとした。
【００３９】
図４は、オーバーライト回数１０００回での３Ｔジッタの記録パワー依存性を示すグラフである。図４のグラフからも明らかなように、第三の実施の形態の光記録媒体によれば、比較例との比較で記録パワー依存性が極めて少ない。
【００４０】
また、本発明の発明者等は、第三の実施の形態に示す光記録媒体を用い、記録層１０の初期結晶化状態とオーバーライト特性との関係を実験によって確かめた。実験では、初期化専用の大出力・大口径の半導体レーザによって光記録媒体を８．５ｍＷ、９．０ｍＷ、９．５ｍＷの初期化パワーでそれぞれ初期化を行ない、記録パワーが１２ｍＷで記録再生線速が２．４ｍ／ｓという記録条件で１３００回オーバーライトした後のジッタ値を計測した。表２は、初期化パワーと光記録媒体の特性（初期反射率（％）・１３００回オーバーライト後のジッタ値（ｎｓ）・初期変調度（％））との関係を示す。
【００４１】
【表２】

【００４２】
表２中、初期反射率及び初期変調度の値より、初期化パワーが増加すると記録層１０が十分に加熱され、初期結晶化がより進行することが分かる。そして、初期化パワーを９．５ｍＷに設定した場合には記録層１０の全てが完全に初期結晶化し、このような光記録媒体では、オーバーライト特性に劣化が認められることが分かる。すなわち、本発明の光記録媒体では、既に述べたように、結晶化温度が高い記録層１１の結晶化が不完全な段階に留まるという初期化条件が存在し、これによって記録層１０の結晶化温度に膜厚分布が生ずる。これに対し、このような初期化条件より強いパワーのレーザビームで記録層１０の全体を過度に結晶化させた場合、ジッタ値が増加してオーバーライト特性に悪影響が及んでしまう。これは、初期化パワーを８．５ｍＷに設定した場合の１３００回オーバーライト後ジッタ値が１２ｎｓ、初期化パワーを９．０ｍＷに設定した場合の１３００回オーバーライト後ジッタ値が１３．５ｎｓであるのに対し、初期化パワーを９．５ｍＷに設定した場合には１３００回オーバーライト後ジッタ値が２５．１ｎｓと急激に高まることから明かである。よって、本発明の光記録媒体にとって望ましい初期化状態は、記録層１０の膜厚方向の結晶化状態が異なる程度に留まるような初期化状態である。
【００４３】
【発明の効果】
請求項１記載の発明では、記録層をその膜厚方向に結晶化温度が異なるようにしたので、記録層の結晶化温度が記録層内の温度分布に適合化し、オーバーライト時の結晶化を良好に行うことができる。また、結晶化のタイミングの膜厚方向の差により、粗大結晶粒の成長を抑制し、これにより、オーバーライト特性を良好にして境界が鮮明なマークを形成することができる。また、記録層の膜厚方向の温度分布を考慮に入れ、最高温度に達する記録層の内部温度の結晶化温度を高くすれば、再生光による非結晶部の結晶化という問題を解決することができる。さらに、消去光による温度分布、冷却速度を考慮に入れて記録層の結晶化温度を設定すれば、面内方向で良好な消去を可能とすることができる。この際、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを有する相変化材料に結晶化温度を変化させる窒素を添加して記録層を形成し、窒素の膜厚方向の濃度に変化を持たせて記録層の結晶化温度を異ならせたので、単一ターゲット等を用いて容易に記録層を形成することができ、その製造の容易化を図ることができる。
【００４４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、記録層における保護層との界面近傍の結晶化温度を他の部分の結晶化温度よりも高くしたので、比較的低い線速での記録／消去プロセスの繰り返しにおいて、記録層の界面部分が記録層内部と比較して完全には結晶化しないようにすることができ、これにより、繰り返しの記録に伴う構造変化を比較的小さくすることができる。このため、記録層の界面の構造の安定化や、繰り返し記録に伴う粗大結晶粒の成長や偏析の抑制等を図ることができ、これにより、オーバーライト特性を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す光記録媒体の縦断側面図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態を示す光記録媒体の縦断側面図である。
【図３】本発明の第三の実施の形態を示す光記録媒体の縦断側面図である。
【図４】第三の実施の形態の光記録媒体におけるレーザビームのパワーとジッタとの対応関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 基板
２ 第１保護層
３ 第２保護層
４ 反射放熱層
１０ 記録層

Claims (2)

1. 案内溝を有する基板上に、第１保護層、レーザビームの照射による昇温・冷却プロセスによって非結晶状態から結晶状態へ可逆的に変化する性質を有する相変化型の記録層、第２保護層、及び反射放熱層を順に積層した光記録媒体の製造方法であって、
   前記記録層の成膜に際して、薄膜形成雰囲気ガスに窒素ガスを添加することにより、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを有する相変化材料に結晶化温度を変化させる窒素を添加する工程と、
   前記相変化材料に窒素を添加する工程中、窒素ガス流量を変化させることにより前記記録層の膜厚方向における結晶化温度を制御する工程と、
   を具備することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
2. 前記記録層の膜厚方向における結晶化温度を変化させる工程では、前記保護層との界面近傍の結晶化温度が他の部分の結晶化温度よりも高くなるように制御したことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。

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