KR100595191B1 - 상변화형 광디스크의 제조 방법 - Google Patents

상변화형 광디스크의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100595191B1
KR100595191B1 KR1020030078372A KR20030078372A KR100595191B1 KR 100595191 B1 KR100595191 B1 KR 100595191B1 KR 1020030078372 A KR1020030078372 A KR 1020030078372A KR 20030078372 A KR20030078372 A KR 20030078372A KR 100595191 B1 KR100595191 B1 KR 100595191B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
phase change
crystallization
recording layer
recording
Prior art date
Application number
KR1020030078372A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050043464A (ko
Inventor
김종환
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020030078372A priority Critical patent/KR100595191B1/ko
Publication of KR20050043464A publication Critical patent/KR20050043464A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100595191B1 publication Critical patent/KR100595191B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/24018—Laminated discs
    • G11B7/24027—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
    • G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
    • G11B2220/2537—Optical discs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

본 발명은 광 디스크의 제조시에 새로운 씨드층(seed layer)을 도입하는 것에 의해 기록층을 증착시부터 결정질 구조(crystalline structure)로 만들어 초기화 단계를 별도로 필요로 하지 않는 상변화형 광디스크의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 다층 구조를 갖는 광디스크의 제조시에, 결정화 상태를 높이기 위한 금속 시드층, 결정화 유도층을 적층 형성하는 단계;상기 결정화 유도층상에 기록층 형성용 물질층을 증착하는 것과 동시에 결정화되도록 형성하는 단계를 포함하는 것이다.
광 디스크, 상변화형 광디스크, 결정화, 초기화 단계, seed layer

Description

상변화형 광디스크의 제조 방법{Method for fabricating of phase change small optical disk}
도 1은 종래 기술의 상변화형 광디스크의 단면 구조를 나타낸 구성도
도 2는 종래 기술에서 초기화 단계를 생략하기 위해 제안된 구조를 갖는 상변화형 광디스크의 구성도
도 3은 도 2의 구조를 갖는 상변화형 광디스크의 초기화에 따른 반사도 변화를 나타낸 특성 그래프
도 4는 본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 단면 구조를 나타낸 구성도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
41. 기판 42. 반사 방열층
43. 제 1 유전체층 44. 금속 시드층
45. 결정화 유도층 46. 기록층
47. 제 2 유전체층 48. 보호층
49. DLC 박막 50. 윤활층
본 발명은 광 디스크의 제조에 관한 것으로, 특히 새로운 씨드층(seed layer)을 도입하는 것에 의해 기록층을 증착시부터 결정질 구조(crystalline structure)로 만들어 초기화 단계를 별도로 필요로 하지 않는 상변화형 광디스크의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어 노트북, 디지털 카메라, 캠코더 그리고 모바일 폰(mobile phone)용으로 이용될 수 있는 고밀도 정보 기록/재생 장치에 대한 요구가 증가하고 있다.
이에 따라 작은 크기를 갖는 고밀도 기록 매체가 많은 회사, 연구소에서 연구 중에 있다. 이 분야에 관한 연구는 크게 두 가지 방향에서 접근되는데, 그 하나는 레이저 광의 열에너지를 통하여 기록층의 상변태를 이용하는 상 변화형 광 디스크이고, 다른 하나는 레이저 광의 열에너지 뿐 아니라 자기장을 추가로 인가하여 기록 마크를 기록하고 재생하는 광자기 디스크이다.
현재 주로 이용되고 있는 기록 방식은, 그 하나는 레이저 광의 열에너지를 통하여 기록층의 상변태를 이용하는 상 변화형 광디스크이다.
이하에서 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 상변화형 광디스크에 관하여 설명한다.
도 1은 종래 기술의 상변화형 광디스크의 단면 구조를 나타낸 구성도이고, 도 2는 종래 기술에서 초기화 단계를 생략하기 위해 제안된 구조를 갖는 상변화형 광디스크의 구성도이다.
그리고 도 3은 도 2의 구조를 갖는 상변화형 광디스크의 초기화에 따른 반사도 변화를 나타낸 특성 그래프이다.
상 변화형 광디스크는 집속된 레이저 빔을 기록층의 국부적인 영역에 조사하여 승온/용융시키고 열의 확산 속도를 빠르게 설계한 디스크 구조를 이용해 급냉(quenching)시켜 비정질 마크를 결정질 기지(matrix)에 만들어 줌으로써 정보를 기록한다.
그리고 재생시에는 기록된 비정질 마크와 결정질 기지 사이의 반사도 차이로부터 정보를 읽어내게 되고, 기록된 정보를 소거하는 경우에는 기록시 보다 약간 power가 낮은 레이저로 가열해 비정질 마크 부위를 결정질로 만들어 준다.
이렇게 결정질과 비정질 사이의 가역적인(reversible) 변태를 이용해 정보를 기록하는 상변화형 광 기록매체에서 기록층 재료로 폭 넓게 쓰이고 재료는 Ge-Sb-Te계 3원계이다.
이런 기록층의 상,하에는 광학적 특성 및 열적인 특성을 유지해주기 위해 유전체층을 설치하게 된다.
전체 구조는 도 1에서와 같이, 폴리카보네이트 기판(11)상에 비정질 기록 마크를 기록하기 위한 적절한 냉각 속도를 얻기 위한 반사 방열층(12)과, 기록층의 광학적 특성 및 열적인 특성을 유지해주기 위하여 형성되는 제 1 유전체층(13)과, 정보 기록을 위한 기록층(14), 기록층(14)상에 구성되는 제 2 유전체층(15)과, 보호층(16) 그리고 표면 보호를 위한 하드 코팅층으로 DLC(Diamond Like Carbon) 박막(17) 및 윤활층(Lubricant)(18)이 적층되는 구조이다.
여기서, 제 1,2 유전체층(13)(15)으로는 ZnS-SiO2 계 박막이 많이 쓰이고 있 다. 그리고 광 반사량을 높이면서 비정질 기록 마크의 형성을 위한 적절한 냉각 속도를 얻기 위한 반사 방열층(12)은 Al합금, Ag, Au등의 박막이 많이 쓰이고 있다.
이와 같은 상변화형 광디스크는 대부분 스퍼터링에 의하여 폴리카보네이트 기판에 박막을 증착시키는데, 기록층(14)으로 사용되는 Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te 합금계는 비정질 구조를 갖는 박막으로 제조되기 때문에, 정보 저장 매체로 사용하기 전에 기록층(14)을 결정질로 변형시켜 주어야 한다.
이런 과정을 초기화(initialization)라고 하며, 대부분의 경우에는 한쪽 방향으로 긴 레이저를 이용하여 넓은 영역에 걸쳐서 국부적으로 승온시키는 방법을 이용한 장치를 많이 이용하고 있다.
이와 같은 초기화의 단계는 디스크의 제조 시간, 제조 비용 측면에서 많은 문제를 야기하는데, 특히 소형디스크의 경우에는 초기화 단계에서 발생하는 많은 문제들의 해결이 필요하다.
이를 위하여 새로운 많은 시도들이 진행되고 있는데, 이중 한 방법으로 싱가포르(Singapore)의 DSI에 의해 제안된 Initialization-free system이 있다.
이 Initialization-free system은 GST계의 기록층 아래에 기록층의 결정화를 유도하기 위한 Sb2Te3 underlayer를 도포하여 GST계 기록층을 증착시부터 결정화되도록 하는 방법이다.
전체 구조는 도 2에서와 같이, 폴리카보네이트 기판(21)상에 비정질 기록 마크를 기록하기 위한 적절한 냉각 속도를 얻기 위한 반사 방열층(22)과, 기록층의 광학적 특성 및 열적인 특성을 유지해주기 위하여 형성되는 제 1 유전체층(23)이 형성되고, 기록층을 형성하기 전에 기록층의 결정화를 유도하기 위한 결정화 유도층(24)을 먼저 형성한 후에 기록층(25)을 형성하는 구조이다.
그리고 기록층(25)상에는 다시 결정화 유도층(26), 제 2 유전체층(27)과, 보호층(28) 그리고 표면 보호를 위한 하드 코팅층으로 DLC(Diamond Like Carbon) 박막(29) 및 윤활층(Lubricant)(30)이 적층된다.
그러나 이와 같이, 기록층(25)의 상,하에 구성되는 Sb2Te3를 이용한 결정화 유도층(24)(26)을 형성하는 것만으로는 도 3에서와 같이, 기록층으로 사용되는 GST계 박막의 결정화가 완전히 이루어지지 않고 부분적으로 이루어지며, 반사도 특성도 GST계 기록층을 초기화 한 경우에 비하여 나쁘게 나타난다.
도 3의 그래프는 DSI initialization-free 상변화형 광디스크의 초기화에 따른 반사도 변화 특성을 나타낸 것이다.
그러나 이상에서 설명한 종래 기술의 상변화형 광디스크는 다음과 같은 문제점이 있다.
종래 기술에서 기록층으로 사용되는 Ge-Sb-Te 또는 Ag-In-Sb-Te 합금계는 비정질 구조를 갖는 박막으로 제조되기 때문에, 정보 저장 매체로 사용하기 전에 기록층을 결정질로 변형시키는 초기화(initialization) 단계를 수행하여야 하는데, 이런 초기화의 단계는 디스크를 제조하는데 있어서 많은 시간이 걸리고, 또한 많은 비용이 소요된다.
또한, 초기화 단계를 스킵하기 위해 GST계의 기록층 아래에 Sb2Te3 underlayer를 도포하여 GST계 기록층을 증착시부터 결정화되도록 하고자 하는 방법에서는 GST계 박막의 결정화가 완전히 이루어지지 않고 부분적으로 이루어지며, 반사도 특성도 GST계 기록층을 초기화 한 경우에 비하여 나쁘게 나타난다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 상변화형 광디스크의 문제를 해결하기 위한 것으로, 광 디스크의 제조시에 새로운 씨드층(seed layer)을 도입하는 것에 의해 기록층을 증착시부터 결정질 구조(crystalline structure)로 만들어 초기화 단계를 별도로 필요로 하지 않는 상변화형 광디스크의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 제조 방법은 다층 구조를 갖는 광디스크의 제조시에, 결정화 상태를 높이기 위한 금속 시드층, 결정화 유도층을 적층 형성하는 단계;상기 결정화 유도층상에 기록층 형성용 물질층을 증착하는 것과 동시에 결정화되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 결정화 유도층은 기록층 형성용 물질보다 결정화되는 정도가 큰 물질을 사용하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 결정화 유도층을 Sb2Te3를 사용하여 형성하고, 기록층을 Ge- Sb-Te 합금계나 Ag-In-Sb-Te 합금계를 사용하여 형성하고, 금속 시드층을 결정화 유도층의 결정화 상태를 더 높이기 위하여 Al,Au,Ag,Cu,Cr의 어느 하나를 사용하거나, 그들 중의 어느 하나를 포함하는 합금을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하다.
그리고 금속 시드층을 스퍼터링 공정을 이용하여 1 ~ 5nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 이하에서의 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 제조 공정의 바람직한 실시예에 관하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 단면 구조를 나타낸 구성도이다.
본 발명은 기록층의 결정화를 유도하기 위한 결정화 유도층 아래에 새로운 씨앗층(seed layer)을 추가하여 기록층으로 사용되는 GST 박막의 완전한 결정화를 증착과 동시에 이룰 수 있도록하기 위한 것이다.
이를 위하여 결정화 유도층(underlayer) 아래에 Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, Au, Au alloy, Cu, Cu alloy, Cr, Cr alloy 등의 금속층(metallic seed layer)을 추가적으로 도포하여 금속 시드층을 형성하는 것에 의해 결정화 유도층의 결정화도를 증가시키고 더 나아가서 기록층으로 사용되는 GST, AIST계 박막의 결정화도를 증가시킨다.
도 4를 참고하여 본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 제조 공정을 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 상변화형 광디스크는 폴리카보네이트 기판(41)상에 비정질 기록 마크를 기록하기 위한 적절한 냉각 속도를 얻기 위한 반사 방열층(42)과, 기록층의 광학적 특성 및 열적인 특성을 유지해주기 위하여 형성되는 제 1 유전체층(43)이 형성되고, 기록층 및 결정화 유도층을 형성하기 전에 기록층의 완전한 결정화를 위하여 금속 시드층(44),기록층의 결정화를 유도하기 위한 결정화 유도층(45)을 먼저 형성한 후에 기록층(46)을 형성하는 구조이다.
그리고 기록층(46)상에는 제 2 유전체층(47)과, 보호층(48) 그리고 표면 보호를 위한 하드 코팅층으로 DLC(Diamond Like Carbon) 박막(49) 및 윤활층(Lubricant)(50)이 적층된다.
이와 같은 본 발명은 상변화형 광디스크의 초기화 과정을 생략할 수 있도록 금속 시드층(44) 및 결정화 유도층(45)에 의해 기록막을 증착과 동시에 결정화가 되도록 하는 것이다.
여기서, 기록층(46)을 GST, AIST계의 박막으로 형성하고, 결정화 유도층(45)은 Sb2Te3를 도포하여 형성하고, 결정화 유도층(45) 아래에 형성되는 금속 시드층(44)은 Al, Au, Ag, Cu, Cr 및 그 합금들을 사용하여 형성한다.
이와 같은 상변화형 광디스크의 제조 공정시에 금속 시드층(44)을 형성하기 위한 물질이 기록/재생 과정중에 기록층(46)까지 확산되지 않도록 금속 시드층 형 성용 물질층을 1 - 5nm 정도로 매우 얇게 스퍼터링한다.
그리고 기록층으로 Ge-Sb-Te 합금계나 Ag-In-Sb-Te 합금계를 이용하는 상변화형 광디스크는 증착되는 기록막이 비정질 상태로 제조되는데, 본 발명에서는 기록층(46)을 결정질 상태로 만들어주는 초기화 단계를 진행하지 않고 기록층을 형성하기 위한 증착중에 기록층이 결정화되도록 하는 것이다.
이와 같은 증착 공정중의 결정화는 기록층(46)을 형성하기 위한 물질층이 증착되는 면이 결정화가 되어 있는 상태를 갖고, 증착되는 면의 격자상수가 기록층 물질이 결정화된 구조의 격자 상수와 유사하도록 하여 결정화 정도를 높일 수 있도록하는 것이다.
이를 위하여 기록층에 비하여 결정화되는 정도가 매우 큰 결정화 유도층(45)으로 Sb2Te3를 기록층(46) 아래에 먼저 증착하고, Sb2Te3를 증착하는 것만으로는 기록층(46)의 완전한 결정화를 이루기 어려우므로 Sb2Te3의 결정화 정도를 더욱 증가시켜 GST 및 AIST 기록층의 결정화를 증가시키기 위하여 Sb2Te3의 아래에 결정화가 매우 잘 되는 금속막을 얇게 증착한다.
이와 같이 결정화 유도층(45)과 결정화 유도층(45)의 결정화를 더 촉진할 수 있는 금속 시드층(44)을 적층한 후에 기록층(46)을 형성하는 것에 의해 GST 및 AIST 기록층의 결정화를 완전히 할 수 있다.
본 발명은 이전에 사용되던 직경 120mm용 초기화 장치를 그대로 이용해서는 초기화할 수 없는 직경 20mm - 40mm 범위의 크기를 갖는 상변화형 소형 광디스크의 경우에 있어서, 증착 상태에서 기록층이 결정화되도록 할 수 있다.
이 경우에 초기화단계 없이도 상변화형 소형 광 디스크가 가능하게 되어, 생산 원가를 절감시킬 수 있게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 상변화형 광디스크의 제조 방법은 기록층의 결정화를 유도하기 위한 결정화 유도층 아래에 새로운 금속 시드층을 형성하는 것에 의해 기록층 증착시에 결정화를 이룰 수 있으므로 상변화형 소형 광 디스크를 제조시에 초기화 공정이 필요없게 된다.
이는 생산에 필요한 초기화 장치를 따로 구매할 필요가 없어질 뿐 아니라, 생산 시간도 많이 줄일 수 있도록 하여 제조 비용 및 제조 시간 측면에서 유리한 효과를 갖는다.

Claims (8)

  1. 다층 구조를 갖는 광디스크 제조시에,
    결정화 상태를 높이기 위한 금속 시드층, 결정화 유도층을 적층 형성하는 단계;
    상기 결정화 유도층상에 기록층 형성용 물질층을 증착하는 것과 동시에 결정화되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 결정화 유도층은 기록층 형성용 물질보다 결정화되는 정도가 큰 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 결정화 유도층을 Sb2Te3를 사용하여 형성하고, 기록층을 Ge-Sb-Te 합금계나 Ag-In-Sb-Te 합금계를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 금속 시드층을 결정화 유도층의 결정화 상태를 더 높이기 위하여 Al,Au,Ag,Cu,Cr의 어느 하나를 사용하거나, 그들 중의 어느 하나를 포함하는 합금을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 금속 시드층을 스퍼터링 공정을 이용하여 1 ~ 5nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 적층 형성된 금속 시드층,결정화 유도층,기록층의 상,하에는 기록층의 광학적,열적 특성을 높이기 위한 유전체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 유전체층을 ZnS-SiO2계 박막을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 기록층은 별도의 초기화 단계를 진행하지 않고도 정보 기록 매체로 사용할 수 있는 상태로 결정화되는 것을 특징으로 하는 상변화형 광디스크의 제조 방법.
KR1020030078372A 2003-11-06 2003-11-06 상변화형 광디스크의 제조 방법 KR100595191B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030078372A KR100595191B1 (ko) 2003-11-06 2003-11-06 상변화형 광디스크의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030078372A KR100595191B1 (ko) 2003-11-06 2003-11-06 상변화형 광디스크의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050043464A KR20050043464A (ko) 2005-05-11
KR100595191B1 true KR100595191B1 (ko) 2006-06-30

Family

ID=37244199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030078372A KR100595191B1 (ko) 2003-11-06 2003-11-06 상변화형 광디스크의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100595191B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708184B1 (ko) * 2005-09-26 2007-04-16 삼성전자주식회사 다층 광기록 매체 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050043464A (ko) 2005-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2261904B1 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6852384B2 (en) Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US7241549B2 (en) Information recording medium
US6670013B2 (en) Optical recording medium and use of such optical recording medium
US6828000B2 (en) Optical recording medium
KR100753968B1 (ko) 다시 쓰기 가능한 광학 정보 기록매체
US5718961A (en) Phase change type optical disk
KR100595191B1 (ko) 상변화형 광디스크의 제조 방법
US7787353B2 (en) Optical recording medium and method for manufacturing same
US20040228259A1 (en) Optical information recording medium and method for producing the same
JP3651824B2 (ja) 光記録媒体
JP3532427B2 (ja) 相変化光記録媒体
JP4086689B2 (ja) 光学的情報記録媒体とその製造方法
JPH10289478A (ja) 光学式情報記録媒体及びその製造方法
EP1683143B1 (en) Rewritable optical data storage medium and use of such a medium
JP2967949B2 (ja) 光学的情報記録用媒体
KR20050117346A (ko) 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크
JP2001331972A (ja) 光情報記録媒体
JP3647603B2 (ja) 光記録媒体の製造方法
JP3523799B2 (ja) 相変化記録媒体
JP2002100076A (ja) 光記録媒体及びその製造方法
JP2004047034A (ja) 多層相変化型情報記録媒体およびそれを用いた情報の記録再生方法
KR100207647B1 (ko) 상변화형 광디스크
JP2000268407A (ja) 光ディスク
JP2002251787A (ja) 光情報記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee