KR20050117346A - 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 블루 레이저를 이용하는 광 디스크에서 초기화 단계 없이도 디스크의 제조를 가능하게 하는 상변화형 광 디스크를 제공하기 위한 것으로서, 기판 위에 반사층, 제 1 유전층, 기록층, 제 2 유전층, 보호층이 순차적으로 적층되는 구조를 갖는 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크에 있어서, 상기 제 1 유전층 위에 Sb 물질로 형성되어 광 디스크 전체 조성값을 블루 레이저에 상응하는 조성값으로 조정하는 Sb층과, 상기 Sb층과 기록층 사이에 Sb2Te3물질로 형성되어 상부에 형성되는 기록층의 결정화를 유도하는 Sb2Te3 하층을 포함하여 구성되는데 있다.
Description
본 발명은 상변화형 광 디스크에 관한 것으로, 특히 초기화 과정이 필요 없는 블루 레이저용 상변화형 광 디스크에 관한 것이다.
최근 들어 노트북, 디지털 카메라, 캠코더 그리고 모바일 폰 용으로 이용될 수 있는 고밀도 정보기록/재생 장치에 대한 요구가 증가하고 있다. 이에 따라 작은 크기를 갖으면서 고밀도의 기록이 되는 시스템이 많은 회사 및 연구소에서 연구되고 있다.
그 중에서도 가격이 저렴하면서 이동성(removability)이 좋은 광 디스크에도 많은 관심이 집중되고 있다. 이런 광 디스크 시스템에서 현재 주로 이용되고 있는 기록 방식은 레이저 광의 열 에너지를 통하여 기록층의 상변화를 이용하는 상변화형 광 디스크이다.
아울러 현재 광 디스크 분야의 고밀도화는 크게 두 가지 관점에서 진행되고 있다.
첫 번째는 사용되는 광의 파장을 줄임에 의한 것이고, 두 번째는 사용되는 렌즈의 개구수(Numerical Aperture : NA)를 증가시킴에 의한 것이다.
따라서 광 디스크의 기록밀도를 높이기 위한 추세는 블루 레이저를 사용하는 것으로, 현재 블루-레이(blue-ray) 디스크라는 차세대 DVD의 규격이 이루어지면서 제품이 출시되고 있다.
이와 같이 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크는 집속된 레이저 빔을 기록층의 국부적인 영역에 조사하여 승온/용융시키고 열의 확산속도를 빠르게 설계한 디스크 구조를 이용해 급냉(quenching)시켜 비정질 마크를 결정질 기지(matrix)에 만들어 줌으로써, 정보를 기록한다. 그리고 재생시에는 기록된 비정질 마크와 결정질 기지 사이의 반사도 차이로부터 정보를 읽어내게 된다.
기록된 정보를 소거하는 경우에는 기록시 보다 약간 파워가 낮은 레이저로 가열해 비정질 마크 부위를 결정질로 만들어 준다. 이렇게 결정질과 비정질 사이의 가역적인(reversible) 변화를 이용해 정보를 기록한다. 이와 같은 상변화형 광 기록매체의 기록층 재료로 폭 넓게 쓰이는 재료는 GST(Ge-Sb-Te)계 3 원계이다.
이런 기록층의 상, 하에는 광학적 특성 및 열적인 특성을 유지해주기 위해 유전체층을 설치하게 되며, 이때 사용되는 유전체층으로는 ZnS-SiO2계 박막이 많이 쓰이고 있다.
그리고 광 반사량을 높이면서 비정질 기록 마크의 형성을 위한 적절한 냉각속도를 얻도록 반사 방열층을 설치하게 되며, 이때 사용되는 반사 방열층의 재료로는 Al 합금, Ag 합금, Au 등의 박막이 많이 쓰이고 있다.
그러나 이런 상변화형 광 디스크는 대부분 스퍼터링에 의하여 PC 기판에 박막을 증착시키며, 이때 기록층으로 사용되는 GST(Ge-Sb-Te) 합금계는 비정질 구조를 갖는 박막으로 제조되기 때문에, 정보저장매체로 사용하기 전에 기록층을 결정질로 변형시켜 주어야 한다.
이런 과정은 초기화(initialization) 과정이라고 하며, 대부분의 경우에는 한쪽방향으로 긴 레이저를 이용하여 넓은 영역에 걸쳐서 국부적으로 승온시키는 방법을 이용한 장치를 많이 이용되고 있다.
이런 초기화의 단계는 디스크를 제조하는데 있어서 많은 시간이 걸리고, 또한 많은 비용이 들어가는 장치를 이용하게 된다. 특히 소형 디스크의 경우에는 초기화를 시키는데 특히 많은 문제점이 발생하게 된다.
이를 해결하기 위하여 새로운 많은 시도들이 진행되고 있는데, 이 중 한 방법으로 싱가포르의 DSI에 의해 제안된 초기화-프리(initialization-free) 시스템이 있다.
이 초기화-프리(initialization-free) 시스템은 기존에 사용되는 GST 계의 기록층 아래에 Sb2Te3 하층을 도포하여 GST 계 기록층을 증착시부터 결정화되도록 하고자 하는 방법이다. 이 방법은 레드(red) 레이저를 적용하는 DVD(Digital Versatile Disk)에서의 그 유용성이 증명되었다.
그러나, 블루 레이저를 사용하는 경우에는 어떤 초기화-프리( initialization-free) 시스템도 제안되지 않고 있다.
특히, 광 디스크의 크기가 12cm인 기존 디스크의 경우에는 상용화된 초기화 장비가 존재하므로 그 이용을 통하여 초기화를 할 수 있지만, 모바일(mobile) 용으로 응용되는 소형 디스크의 경우에는 기존의 장비를 이용하는데 무리가 있다.
따라서 블루 레이저를 이용하면서 초기화를 하지 않아도 되는 기록층은 소형 상변화형 광 디스크를 만드는데 있어서 매우 유용할 것으로 예상되며, 아울러, 많은 경비 절감과 더불어 개발 시간을 단축시킬 수 있는 장점이 발생될 것이다.
도 1 은 종래 기술에 따른 상변화형 광 디스크의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 1과 같이, 상변화형 광 디스크는 폴리카보네이트와 같은 투명 기판(10) 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층(20)과, ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층(30)과, GST 또는 AIST로 형성된 기록층(40)과, ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층(50)과, 보호층(60)이 순차적으로 적층된 구조로 구성된다.
이 중, 상기 기록층(40)은 Ge-Sb-Te(이하 GST라 칭함) 합금계나, Ag-In-Sb-Tb(이하 AIST라 칭함) 합금계를 이용하는데, 증착된 기록막은 비정질 상태로 제조된다. 따라서 상기 기록층(40)을 결정질 상태로 만들어주는 초기화 단계가 요구되는데, 일반적으로 이런 초기화를 위해서는 집속된 레이저를 기판의 기록층에 초점을 맞추어 상기 기록층(40)을 승온시킬 수 있는 장치를 이용한다.
따라서, 종래 기술에 따른 상변화형 광 디스크의 제조는 초기화시키는데 필요한 시간과 부가적인 초기화 장치로 인하여 많은 시간 및 비용을 유발시키게 된다.
이와 같은 초기화 단계를 없애기 위하여 싱가포르 DSI에 의해 제안된 초기화-프리(initialization-free) 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도를 도 2에서 나타내고 있다.
도 2와 같이, 상변화형 광 디스크는 폴리카보네이트와 같은 투명 기판(10) 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층(20)과, ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층(30)과, GST 또는 AIST로 형성된 기록층(40)과, ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층(30)과, 보호층(60)이 순차적으로 적층된 구조로 도 1과 동일하게 구성되며, 아울러 상기 제 1 유전층(30)과 기록층(40) 사이에 7nm의 두께를 갖는 Sb2Te3 하층(70)을 추가로 형성하고, 또한 상기 기록층(40)과 제 2 유전층(50) 사이에 3nm의 두께를 갖는 Sb2Te3 상층(80)을 추가로 형성하여 구성된다. 이때 상기 기록층(40)은 10nm의 두께로 형성된다.
그러나 상기 싱가포르 DSI에 의해 제안된 초기화-프리(initialization-free) 시스템에 따른 상변화형 광 디스크는 레드(red) 레이저 시스템에 최적화되어 제안된 구조로, 현재 광 디스크의 기록밀도를 높이기 위한 추세로 사용되는 블루 레이저를 적용하는 경우에 대해서는 제안되고 있지도 않다.
따라서 블루 레이저를 이용하는 경우에는 반드시 초기화 장비가 필요하다.
아울러, 기존의 초기화를 위해 사용되는 초기화 장치(initializer)는 12cm 크기의 일반적인 광 디스크에 맞추어져 있으므로, 디스크의 크기가 변화하는 경우에는 초기화 자체를 사용할 수 없게 된다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 블루 레이저를 이용하는 광 디스크에서 초기화 단계 없이도 디스크의 제조를 가능하게 하는 상변화형 광 디스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 일반적인 광 디스크 크기가 아닌 경우에도 기록막을 제조할 수 있는 상변화형 광 디스크를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상변화형 광 디스크의 제조 시에 형성되는 기록막을 증착 중에 결정화되도록 하는 상변화형 광 디스크를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크의 특징은 기판 위에 반사층, 제 1 유전층, 기록층, 제 2 유전층, 보호층이 순차적으로 적층되는 구조를 갖는 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크에 있어서, 상기 제 1 유전층 위에 Sb 물질로 형성되어 광 디스크 전체 조성값을 블루 레이저에 상응하는 조성값으로 조정하는 Sb층과, 상기 Sb층과 기록층 사이에 Sb2Te3물질로 형성되어 상부에 형성되는 기록층의 결정화를 유도하는 Sb2Te3 하층을 포함하여 구성되는데 있다.
이때, 상기 기록층, Sb층 및 Sb2Te3하층은 상기 기록층의 목표 조성을 통해 각 물질의 몰(mol) 비율, 밀도 및 분자량을 이용하여 전체 조성비에 따른 두께비를 산출하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 두께비는 상기 Sb층, Sb2Te3 하층 및 기록층의 두께 총합이 10 ~ 40nm 범위에서 적용되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크의 다른 특징은 기판 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층과, 상기 반사층 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층과, 상기 제 1 유전층 위에 디스크 전체 조성을 맞추기 위해 Sb 물질로 형성되는 Sb층과, 상기 Sb층 위에 Ge-Sb-Te 합금계 또는 Ag-In-Sb-Tb 합금계로 형성된 기록층과, 상기 결정화된 기록층 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층과, 상기 제 2 유전층 위에 UV 리전(resun)으로 형성된 보호층으로 구성되는데 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제 1 실시예
도 3 은 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 초기화-프리 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도를 나타낸 제 1 실시예 이다.
도 3과 같이, 폴리카보네이트와 같은 투명 기판(10) 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층(20)과, 상기 반사층(20) 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층(30)이 순차적으로 적층된다. 이어, 상기 제 1 유전층(30) 위에 디스크 전체 조성을 맞추기 위해 Sb 물질로 형성되는 Sb층(90)을 증착하고, 그 위에 GST 또는 AIST로 형성된 기록층(40)을 증착한다.
또한, 상기 Sb층(90)과 상기 기록층(40) 사이에 Sb2Te3물질로 형성된 Sb2Te3 하층(70)을 추가로 증착하며, 이때, 상기 Sb2Te3 하층(70)은 상기 기록층(40) 물질이 결정화된 구조의 격자상수와 비슷한 격자상수를 갖도록 한다.
왜냐하면, 증착 중에 기록층(40)이 결정화가 되기 위해서는 상기 기록층(40)이 증착되는 면이 미리 결정화가 되어 있는 경우가 유리하기 때문에, 증착되는 면의 격자상수가 상기 기록층(40) 물질이 결정화된 구조의 격자상수와 비슷하게 되면 결정화 정도가 더욱 증가하게 된다.
따라서 상기 Sb2Te3 하층(70)의 증착시에 상기 기록층(40)에 비하여 결정화되는 정도가 매우 큰 Sb2Te3물질을 기록층(40) 아래에 먼저 증착하게 함으로써, 상기 기록층(40)의 결정화가 쉽게 일어나게 된다.
상기 기록층(40)의 결정화에 따른 상기 Sb2Te3 하층(70)의 소정 격자상수 설정에 따른 설명을 좀더 상세히 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 상기 Sb층(90), Sb2Te3 하층(70) 및 기록층(40)에 따른 두께비는 다음과 같이 계산된다.
블루 레이저에 최적화된 GeSbTe 합금계(기록층)(40)의 목표 조성을 A : B : C로 놓으면, Sb, Sb2Te3, 각 물질의 몰(mol) 비율을 : : 로 놓으면 된다.
설명의 간략화를 위해 상기 각각의 몰(mol) 비율을 D: E: F 라고 놓도록 한다.
이 경우 각 물질(Sb, Sb2Te3, )의 밀도는 다음과 같이 정의된다.
Sb = 6.618, Sb2Te3 = 6.50, = 6.50(대략적인 추정치)
이때, 단위는이다.
다음으로 각 물질(Sb, Sb2Te3, )의 분자량은 다음과 같이 정의된다.
Sb = 121.7 = G, Sb2Te3 = 626.2 = H, =
이때, 설명의 간략화를 위해 각 물질(Sb, Sb2Te3, )의 분자량을 각각 G, H, I라고 놓도록 한다.
이와 같이 정의될 때, 상기 Sb층(90), Sb2Te3 하층(70) 및 층(40)의 두께비는 다음 수학식 1과 같이 계산된다.
이에 따라, 상기 기록층(40)의 결정화에 따른 상기 Sb2Te3 하층(70)의 소정 격자상수 설정이 기록층(40) 물질이 결정화된 구조의 격자상수와 비슷하게 정의되도록 두께비를 적용함으로써, 상기 기록층(40)의 증착시에 결정화가 쉽게 일어나게 된다.
이때, 상기 수학식 1을 통해 계산하여 적용되는 두께비는 상기 Sb층(90), Sb2Te3 하층(70) 및 기록층(40)의 두께 총합이 10 ~ 40nm 범위에 있는 경우에 적용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 Sb층(90)은 전체 디스크의 조성비를 맞추어주는 역할을 하게 되는데, 종래의 상변화형 광 디스크 제조 시에는 기록층(40)의 증착시에 비정질 상태로 증착되기 때문에 조성비를 쉽게 조절할 수 있게 되었다. 그리고 조성비가 조절된 후에 초기화 방법을 통해 결정화가 되도록 형성된다.
그러나 본 발명에 따른 상변화형 광 디스크 제조 시에는 기록층(40)의 증착과 동시에 결정화가 되므로, 전체 디스크의 조성비를 조절하는데 어려움이 발생된다.
이 조성비는 기록층(40)에 기록된 정보의 소거 및 기록시에 소거율 및 기록률의 특성에 영향을 미치게 된다. 따라서 이 조성비의 조절이 이루어지지 않게 되면, 기록된 정보의 특성이 나빠지게 되는 문제가 발생된다.
이를 해결하기 위해 기록층 하부에 Sb층(90)을 증착하여 블루 레이저를 사용한 경우에 이에 따른 전체 디스크의 조성비를 Ge : Se : Te의 비가 1 : 17 : 4 ~ 1 : 18 : 5 정도로 맞추고 있다.
그리고 마지막으로 상기 결정화된 기록층(40) 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층(50)과, UV 리전(resun)으로 형성된 보호층(60)을 순차적으로 구성하여 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크를 완성하게 된다.
제 2 실시예
도 4 는 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 초기화-프리 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도를 나타낸 제 2 실시예 이다.
도 4와 같이, 폴리카보네이트와 같은 투명 기판(10) 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층(20)과, 상기 반사층(20) 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층(30)이 순차적으로 적층된다. 이어, 상기 제 1 유전층(30) 위에 디스크 전체 조성을 맞추기 위해 Sb 물질로 형성되는 Sb층(90)을 증착하고, 그 위에 GST 또는 AIST로 형성된 기록층(40)을 증착한다.
그리고 마지막으로 상기 결정화된 기록층(40) 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층(50)과, UV 리전(resun)으로 형성된 보호층(60)을 순차적으로 구성하여 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크를 완성하게 된다.
이와 같이, 제 2 실시예에 따른 초기화-프리 시스템의 상변화형 광 디스크는 기록층(40) 하단에 Sb2Te3 물질을 형성하지 않고, Sb층(90)만으로 상변화형 광 디스크의 기록층(40)을 결정화시키고 있다.
이 경우에는 상기 기록층 형성 물질 중 Ge와 Te의 비가 선택된 GeSbTe 합금계의 Ge : Te의 비에 의해서만 결정되므로 기록층으로 적용할 GeSbTe의 선택이 중요하다.
현재까지 블루 레이저에 적합하다고 알려진 기록층의 조성은 대략 Ge : Te의 비가 1:4 ~ 1:5 정도로 알려져 있으므로, 이 부근에서의 기록층(40)을 선택한다.
단지, 종래의 상변화형 광 디스크 제조 시에는 기록층(40)의 증착시에 비정질 상태로 증착되기 때문에 조성비를 쉽게 조절할 수 있었다. 그리고 이 조성비가 조절된 후에 초기화 방법을 통해 기록층(40)이 결정화가 되도록 형성하고 있다.
그러나 본 발명에 따른 상변화형 광 디스크 제조 시에는 기록층(40)의 증착과 동시에 결정화가 되므로, 전체 디스크의 조성비를 조절하는데 어려움이 발생된다.
이 조성비는 기록층(40)에 기록된 정보의 소거 및 기록시에 소거율 및 기록률의 특성에 영향을 미치게 된다. 따라서 이 조성비의 조절이 이루어지지 않게 되면, 기록된 정보의 특성이 나빠지게 되는 문제가 발생된다.
이를 해결하기 위해 기록층(40) 하부에 Sb층(90)을 추가로 증착하여 블루 레이저를 사용한 경우에 이에 따른 전체 디스크의 조성비를 Ge : Te의 비가 1:4 ~ 1:5 정도로 맞추고 있다.
이 경우에 상기 Sb층(90)의 두께는 제 1 실시예에서와 같이, 기록층(40)의 목표 조성을 통해 각 물질(Sb, )의 몰(mol) 비율, 밀도 및 분자량을 이용하여 전체 조성비에 맞는 두께비를 계산하여 적용시키게 된다.
다음 수학식 2는 이를 적용하여 나타내고 있다.
이때, 상기 수학식 2를 통해 계산하여 적용되는 두께비는 Sb층(90) 및 기록층(40)의 두께 총합이 10 ~ 40nm 범위에 있는 경우에 적용하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크를 제조할 때, 초기화 공정이 필요없게 되어 생산에 필요한 초기화 장치를 따로 구매할 필요가 없어질 뿐 아니라, 생산 시간도 많이 줄일 수 있다. 그와 더불어 블루 레이저 적용 소형 광 디스크의 제조 시에도 따로 초기화 장치를 만들 필요가 없다.
또한, 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크 및 소형 광 디스크를 초기화 장치 없이 제조할 수 있다.
뿐만 아니라, 이 기록층을 이용하는 경우 초기화 단계가 필요없게 되어 광 디스크 생산시에 시간이 단축될 뿐만 아니라 초기화 장치가 필요없게 되어 경비가 절감된다.
도 1 은 종래 기술에 따른 상변화형 광 디스크의 단면도를 나타낸 도면
도 2 는 종래 기술에 따른 초기화 단계를 없애기 위하여 싱가포르 DSI에 의해 제안된 초기화-프리(initialization-free) 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도
도 3 은 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 초기화-프리 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도를 나타낸 제 1 실시예
도 4 는 본 발명에 따른 블루 레이저를 이용하는 초기화-프리 시스템의 상변화형 광 디스크 단면도를 나타낸 제 2 실시예
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 20 : 반사층
30 : 제 1 유전층 40 : 기록층
50 : 제 2 유전층 60 : 보호층
70 : Sb2Te3 하층 80 : Sb2Te3 상층
90 : Sb층
Claims (11)
- 기판 위에 반사층, 제 1 유전층, 기록층, 제 2 유전층, 보호층이 순차적으로 적층되는 구조를 갖는 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크에 있어서,상기 제 1 유전층 위에 Sb 물질로 형성되는 Sb층과,상기 Sb층과 기록층 사이에 Sb2Te3물질로 형성되어 상부에 형성되는 기록층의 결정화를 유도하는 Sb2Te3 하층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 상변화형 광 디스크는 블루 레이저 광의 열 에너지를 이용하여 상기 기록층의 상변화를 변화시키는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 Sb층은 Ge : Se : Te의 조성비가 블루 레이저에 상응하는 1 : 17 : 4 ~ 1 : 18 : 5로 조정하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 기록층, Sb층 및 Sb2Te3하층은 상기 기록층의 목표 조성을 통해 각 물질의 몰(mol) 비율, 밀도 및 분자량을 이용하여 전체 조성비에 따른 두께비를 산출하는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 4 항에 있어서, 상기 두께비 산출은Sb층 : Sb2Te3하층 : 기록층 =을 통해 산출되는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 4 항에 있어서,상기 두께비는 상기 Sb층, Sb2Te3 하층 및 기록층의 두께 총합이 10 ~ 40nm 범위에서 적용되는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 기판 위에 AgPdCu물질로 형성된 반사층과,상기 반사층 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 1 유전층과,상기 제 1 유전층 위에 Sb 물질로 형성되는 Sb층과,상기 Sb층 위에 Ge-Sb-Te 합금계 또는 Ag-In-Sb-Tb 합금계로 형성된 기록층과,상기 결정화된 기록층 위에 ZnS-SiO2물질로 형성된 제 2 유전층과,상기 제 2 유전층 위에 UV 리전(resun)으로 형성된 보호층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 7 항에 있어서,상기 Sb층은 Ge : Te의 조성비가 블루 레이저에 상응하는 1 : 4 ~ 1 : 5로 조정하는 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
- 제 7 항에 있어서,상기 기록층은 블루 레이저 광의 열 에너지를 이용하여 상변화를 변화시키는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 7 항에 있어서,상기 Sb층 및 기록층은 상기 기록층의 목표 조성을 통해 각 물질의 몰(mol) 비율, 밀도 및 분자량을 이용하여 전체 조성비에 따른 두께비를 산출하는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
- 제 10 항에 있어서,상기 두께비는 상기 Sb층 및 기록층의 두께 총합이 10 ~ 40nm 범위에서 적용되는 것을 특징으로 하는 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708184B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-04-16 | 삼성전자주식회사 | 다층 광기록 매체 및 그 제조 방법 |
| CN102832340A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种相变存储器单元及其制备方法 |
| CN109065708A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-12-21 | 东华大学 | 一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法 |
-
2004
- 2004-06-10 KR KR1020040042637A patent/KR20050117346A/ko not_active Application Discontinuation
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