JP2002269812A - 光学記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002269812A JP2002269812A JP2001071793A JP2001071793A JP2002269812A JP 2002269812 A JP2002269812 A JP 2002269812A JP 2001071793 A JP2001071793 A JP 2001071793A JP 2001071793 A JP2001071793 A JP 2001071793A JP 2002269812 A JP2002269812 A JP 2002269812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- recording medium
- optical recording
- medium according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24067—Combinations of two or more layers with specific interrelation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクにおける設計自由度を増加させる
とともに、ランド・グルーブの凹凸における記録層にお
いて信号特性を良好に保つことができ、高い信頼性を確
保することができる光学記録媒体を提供する。 【解決手段】 少なくとも一主面に凹凸溝トラックを形
成したディスク基板上に、第１の誘電体層、記録層、記
録補助層、第２の誘電体層および第１の反射層を順次積
層した積層膜を設ける。この積層膜を覆うようにして、
紫外線硬化樹脂層を設ける。記録層の膜厚ｄと記録補助
層の膜厚ａとの間に、ｄ／４＜ａ＜３ｄ、好ましくはｄ
／２≦ａ≦２ｄが成立するように記録補助層の膜厚を制
御する。積層膜の積層順は逆順であってもよく、この場
合、積層膜を覆うようにして接着層を介して光透過性シ
ートを設ける。
とともに、ランド・グルーブの凹凸における記録層にお
いて信号特性を良好に保つことができ、高い信頼性を確
保することができる光学記録媒体を提供する。 【解決手段】 少なくとも一主面に凹凸溝トラックを形
成したディスク基板上に、第１の誘電体層、記録層、記
録補助層、第２の誘電体層および第１の反射層を順次積
層した積層膜を設ける。この積層膜を覆うようにして、
紫外線硬化樹脂層を設ける。記録層の膜厚ｄと記録補助
層の膜厚ａとの間に、ｄ／４＜ａ＜３ｄ、好ましくはｄ
／２≦ａ≦２ｄが成立するように記録補助層の膜厚を制
御する。積層膜の積層順は逆順であってもよく、この場
合、積層膜を覆うようにして接着層を介して光透過性シ
ートを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学記録媒体お
よびその製造方法に関し、特に、ランド・グルーブ記録
方式を採用した光学記録媒体に適用して好適なものであ
る。
よびその製造方法に関し、特に、ランド・グルーブ記録
方式を採用した光学記録媒体に適用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクなどの光学記録媒体に
おける記録密度の高密度化に伴い、光ディスクの記録面
における面積を有効利用することによって、記録密度の
向上を図る技術の開発が進められている。
おける記録密度の高密度化に伴い、光ディスクの記録面
における面積を有効利用することによって、記録密度の
向上を図る技術の開発が進められている。
【０００３】すなわち、ディスク基板の記録面には、ラ
ンドおよびグルーブと呼ばれる凹凸が設けられている。
そして、従来の光ディスクにおいては、記録マークをこ
れらのランドまたはグルーブにのみ記録する方式が採用
されていた。ところが、近年の光ディスクにおける記録
密度の向上の要請から、この記録マークをランドおよび
グルーブの双方に記録する方式、いわゆるランド・グル
ーブ記録が、光ディスクのフォーマットとして採用され
始めている。このようなフォーマットとしてランド・グ
ルーブ記録が採用されている光ディスクとしては、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disc - Random Access
Memory）を挙げることができる。
ンドおよびグルーブと呼ばれる凹凸が設けられている。
そして、従来の光ディスクにおいては、記録マークをこ
れらのランドまたはグルーブにのみ記録する方式が採用
されていた。ところが、近年の光ディスクにおける記録
密度の向上の要請から、この記録マークをランドおよび
グルーブの双方に記録する方式、いわゆるランド・グル
ーブ記録が、光ディスクのフォーマットとして採用され
始めている。このようなフォーマットとしてランド・グ
ルーブ記録が採用されている光ディスクとしては、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disc - Random Access
Memory）を挙げることができる。
【０００４】しかしながら、このランド・グルーブ記録
を採用した光ディスクにおいては、記録用のレーザ光を
ランドとグルーブとに照射した際に、ランドとグルーブ
との物理的な形状の相違から、記録層に及ぼす熱特性が
異なってしまうという問題があった。また、これらのラ
ンドおよびグルーブは、レーザ光の波長に近い周期構造
を有する形状である。そのため、光のベクトル回折に起
因して、ランドとグルーブと照射されるレーザ光の強度
分布が異なることにより、ランドとグルーブとの双方に
おける記録マークを、高Ｃ／Ｎ比（搬送波対雑音比）で
記録／再生することは困難であった。
を採用した光ディスクにおいては、記録用のレーザ光を
ランドとグルーブとに照射した際に、ランドとグルーブ
との物理的な形状の相違から、記録層に及ぼす熱特性が
異なってしまうという問題があった。また、これらのラ
ンドおよびグルーブは、レーザ光の波長に近い周期構造
を有する形状である。そのため、光のベクトル回折に起
因して、ランドとグルーブと照射されるレーザ光の強度
分布が異なることにより、ランドとグルーブとの双方に
おける記録マークを、高Ｃ／Ｎ比（搬送波対雑音比）で
記録／再生することは困難であった。
【０００５】そこで、ランドおよびグルーブの相互の特
性を合わせるために、ランドとグルーブとのそれぞれの
溝幅を変えて、デューティ比を変えることなどが考えら
れている。ところが、デューティ比を変えるだけでは、
自由度が少ない。そこで、スパッタコンディションなど
により、グルーブ上に成膜される記録層の膜厚を、ラン
ド上に成膜される記録層の膜厚より大きくした光ディス
クが提案された（特開平２０００−２１５５１１公報、
文献１）。
性を合わせるために、ランドとグルーブとのそれぞれの
溝幅を変えて、デューティ比を変えることなどが考えら
れている。ところが、デューティ比を変えるだけでは、
自由度が少ない。そこで、スパッタコンディションなど
により、グルーブ上に成膜される記録層の膜厚を、ラン
ド上に成膜される記録層の膜厚より大きくした光ディス
クが提案された（特開平２０００−２１５５１１公報、
文献１）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、文献１
に記載された光ディスクにおいては、グルーブ上に成膜
される記録層をランド上に成膜される記録層より厚くす
るために、この記録層を成膜する際の成膜条件を変化さ
せている。そのため、記録層の成膜における最適成膜条
件から外れてしまい、記録層の信号特性の低下を招いて
しまうという問題があった。
に記載された光ディスクにおいては、グルーブ上に成膜
される記録層をランド上に成膜される記録層より厚くす
るために、この記録層を成膜する際の成膜条件を変化さ
せている。そのため、記録層の成膜における最適成膜条
件から外れてしまい、記録層の信号特性の低下を招いて
しまうという問題があった。
【０００７】これにより、記録層の最適成膜条件を犠牲
にすることなく、それぞれのランドおよびグルーブに対
して、互いに独立して記録特性を制御する方法の開発が
望まれていた。
にすることなく、それぞれのランドおよびグルーブに対
して、互いに独立して記録特性を制御する方法の開発が
望まれていた。
【０００８】したがって、この発明の目的は、ディスク
基板における凹凸が形成された面上に、記録層と記録補
助層とが隣接して積層された積層膜が設けられた光学記
録媒体において、設計自由度を増加させるとともに、凹
凸における記録層での信号特性を良好に保つことがで
き、高い信頼性を確保することができる光学記録媒体お
よびその製造方法を提供することにある。
基板における凹凸が形成された面上に、記録層と記録補
助層とが隣接して積層された積層膜が設けられた光学記
録媒体において、設計自由度を増加させるとともに、凹
凸における記録層での信号特性を良好に保つことがで
き、高い信頼性を確保することができる光学記録媒体お
よびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。
【００１０】すなわち、従来の、情報信号を記録する記
録層と、この記録層を補助する記録補助層との積層膜を
有する光学記録媒体の記録原理としては、記録層にレー
ザ光を照射して、記録層における室温以下の結晶化温度
よりも高い温度になると、結晶化補助層に生じた微結晶
を種結晶として記録層が結晶成長すると考えられる。こ
の原理は、記録補助層が設けられている光ディスクと、
設けられていない光ディスクとにおいて、記録マークの
振幅が異なることが確認されたことから想起される。
録層と、この記録層を補助する記録補助層との積層膜を
有する光学記録媒体の記録原理としては、記録層にレー
ザ光を照射して、記録層における室温以下の結晶化温度
よりも高い温度になると、結晶化補助層に生じた微結晶
を種結晶として記録層が結晶成長すると考えられる。こ
の原理は、記録補助層が設けられている光ディスクと、
設けられていない光ディスクとにおいて、記録マークの
振幅が異なることが確認されたことから想起される。
【００１１】本発明者は、このような点から、記録補助
層に関して、さらなる検討を進めた。すなわち、本発明
者が、デューティ比を固定し記録補助層の膜厚を種々変
えたサンプルにおいて２Ｔパルスを記録し、ランドおよ
びグルーブにおけるそれぞれのキャリアの記録パワー依
存性を測定したところ、ランドにおけるキャリアの記録
パワー依存性が、どの膜厚においても同様の傾向を有
し、さらに記録補助層の膜厚を変えても、ランドのキャ
リアはほとんど変化しないことを知見した。他方、グル
ーブにおけるキャリアの記録パワー依存性においては、
どの膜厚の場合でも同様の傾向を有しているが、記録補
助層の膜厚を変えた場合、膜厚を薄くするにつれて、キ
ャリアが上昇することを知見した。なお、この傾向は、
最適値付近までの範囲で見られた。
層に関して、さらなる検討を進めた。すなわち、本発明
者が、デューティ比を固定し記録補助層の膜厚を種々変
えたサンプルにおいて２Ｔパルスを記録し、ランドおよ
びグルーブにおけるそれぞれのキャリアの記録パワー依
存性を測定したところ、ランドにおけるキャリアの記録
パワー依存性が、どの膜厚においても同様の傾向を有
し、さらに記録補助層の膜厚を変えても、ランドのキャ
リアはほとんど変化しないことを知見した。他方、グル
ーブにおけるキャリアの記録パワー依存性においては、
どの膜厚の場合でも同様の傾向を有しているが、記録補
助層の膜厚を変えた場合、膜厚を薄くするにつれて、キ
ャリアが上昇することを知見した。なお、この傾向は、
最適値付近までの範囲で見られた。
【００１２】そして、本発明者は、上述の実験により得
られた現象を利用することを想起した。すなわち、デュ
ーティ比および記録パワーを固定した場合に、ランドと
グルーブとにおいては、特に、グルーブのキャリアにお
いて記録補助層の膜厚依存性が生じ、ランドにおいて
は、その膜厚依存性がほとんど表れない。これにより、
記録補助層の膜厚を変化させることにより、デューティ
比を変えることなく、ランドとグルーブのキャリアを合
わせることが可能であることを想起した。
られた現象を利用することを想起した。すなわち、デュ
ーティ比および記録パワーを固定した場合に、ランドと
グルーブとにおいては、特に、グルーブのキャリアにお
いて記録補助層の膜厚依存性が生じ、ランドにおいて
は、その膜厚依存性がほとんど表れない。これにより、
記録補助層の膜厚を変化させることにより、デューティ
比を変えることなく、ランドとグルーブのキャリアを合
わせることが可能であることを想起した。
【００１３】さらに、本発明者は、グルーブにおけるキ
ャリア変化に関しての、さらなる鋭意検討を行った。す
なわち、本発明者は有効フレネル係数法により、ＧｅＴ
ｅ合金からなる記録層の振幅変化の記録補助層膜厚依存
性を計算した。そして、この計算結果から、本発明者
は、記録補助層の膜厚が小さくなるに伴って、振幅が大
きくなることを知見した。また、記録補助層の膜厚が３
０ｎｍのときを基準として、膜厚を２０ｎｍから１０ｎ
ｍに小さくしたときの振幅の減少は、有効フレネル係数
法による計算によると約１ｄＢであった。
ャリア変化に関しての、さらなる鋭意検討を行った。す
なわち、本発明者は有効フレネル係数法により、ＧｅＴ
ｅ合金からなる記録層の振幅変化の記録補助層膜厚依存
性を計算した。そして、この計算結果から、本発明者
は、記録補助層の膜厚が小さくなるに伴って、振幅が大
きくなることを知見した。また、記録補助層の膜厚が３
０ｎｍのときを基準として、膜厚を２０ｎｍから１０ｎ
ｍに小さくしたときの振幅の減少は、有効フレネル係数
法による計算によると約１ｄＢであった。
【００１４】本発明者の検討によれば、以上の現象は、
グルーブが、ランドに比して光学ピックアップに近く、
さらにトラック溝による影響が少ないために、膜厚の違
いによる反射率の変動に伴って、振幅変化を反映しやす
い状況になるためであると考えられる。そして、グルー
ブ側のキャリア変動に関しては、膜厚構成の変更による
反射率の振幅変化が支配的ではないかと考えられる。
グルーブが、ランドに比して光学ピックアップに近く、
さらにトラック溝による影響が少ないために、膜厚の違
いによる反射率の変動に伴って、振幅変化を反映しやす
い状況になるためであると考えられる。そして、グルー
ブ側のキャリア変動に関しては、膜厚構成の変更による
反射率の振幅変化が支配的ではないかと考えられる。
【００１５】この発明は、以上の検討に基づいて案出さ
れたものである。
れたものである。
【００１６】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、ディスク基板の少なくとも一方
の面に凹凸が設けられ、ディスク基板の凹凸が設けられ
た面上に、レーザ光を照射することにより情報信号を記
録可能に構成された記録層と、記録層に隣接した記録補
助層とが少なくとも積層された積層膜が設けられた光学
記録媒体であって、記録層の膜厚をｄとし、記録補助層
の膜厚をａとしたときに、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立することを特徴とするものである。
の発明の第１の発明は、ディスク基板の少なくとも一方
の面に凹凸が設けられ、ディスク基板の凹凸が設けられ
た面上に、レーザ光を照射することにより情報信号を記
録可能に構成された記録層と、記録層に隣接した記録補
助層とが少なくとも積層された積層膜が設けられた光学
記録媒体であって、記録層の膜厚をｄとし、記録補助層
の膜厚をａとしたときに、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立することを特徴とするものである。
【００１７】この発明の第２の発明は、ディスク基板の
凹凸が設けられた面上に、レーザ光を照射することによ
り情報信号を記録可能に構成された記録層と、記録層に
隣接した記録補助層とが少なくとも積層された積層膜を
形成するようにした光学記録媒体の製造方法であって、
記録層の膜厚をｄとし、記録補助層の膜厚をａとしたと
きに、記録補助層を、ｄ／４＜ａ＜３ｄの膜厚に形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
凹凸が設けられた面上に、レーザ光を照射することによ
り情報信号を記録可能に構成された記録層と、記録層に
隣接した記録補助層とが少なくとも積層された積層膜を
形成するようにした光学記録媒体の製造方法であって、
記録層の膜厚をｄとし、記録補助層の膜厚をａとしたと
きに、記録補助層を、ｄ／４＜ａ＜３ｄの膜厚に形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【００１８】この発明において、好適には、記録層の膜
厚をｄとし、記録補助層の膜厚をａとしたときに、ｄ／
２≦ａ≦２ｄが成立する。
厚をｄとし、記録補助層の膜厚をａとしたときに、ｄ／
２≦ａ≦２ｄが成立する。
【００１９】この発明において、典型的には、記録層
は、可逆的に変化する少なくとも２つの状態の変化によ
り情報信号を記録可能に構成されており、好適には、記
録層は、結晶相と非晶質相との相変化により情報信号を
記録可能に構成された相変化材料からなる。
は、可逆的に変化する少なくとも２つの状態の変化によ
り情報信号を記録可能に構成されており、好適には、記
録層は、結晶相と非晶質相との相変化により情報信号を
記録可能に構成された相変化材料からなる。
【００２０】この発明において、典型的には、情報信号
の記録および／または再生に用いられるレーザ光が、積
層膜に対して、ディスク基板が存在する側から、記録層
に照射されるように構成されている。このとき、好適に
は、レーザ光が照射される側に記録層が設けられるよう
に構成されており、具体的に、積層膜は、ディスク基板
の凹凸が設けられた面に近い側から、第１の誘電体層、
記録層、記録補助層、第２の誘電体層および第１の反射
層が順次積層されて構成されている。そして、好ましく
は、このディスク基板上の積層膜を覆うようにして、デ
ィスク基板上の積層膜の上面（ディスク基板とは反対側
の面）には、積層膜の保護と強化のために、紫外線硬化
型の樹脂（ウレタン系、アクリル系、シリコン系、ポリ
エステル系など）やホットメルト系の接着剤などからな
る合成樹脂層が設けられている。そして、第１の誘電体
層および第２の誘電体層は、典型的には、屈折率が２．
１程度の硫化亜鉛・酸化シリコン混合体（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、または屈折率が２．０程度の窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4）からなるが、その他の材料を用いるこ
とも可能である。また、この発明において、第１の誘電
体層の膜厚は、誘電体を島状にならずに成膜することが
できる範囲で、かつ２００ｎｍ以下に選ばれる。また、
この発明において、典型的には、第２の誘電体層の膜厚
は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。さらに、この発
明において、典型的には、第１の反射層の膜厚は、２０
ｎｍ以上１００ｎｍ以下に選ばれる。また、第１の誘電
体層、記録層、記録補助層、第２の誘電体層および第１
の反射層は、典型的には、スパッタリング法により成膜
されるが、その他の成膜方法を用いることも可能であ
り、具体的には、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、エピ
タキシャル成長法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気
相成長（ＰＶＤ）法などあらゆる方法を用いることが可
能である。
の記録および／または再生に用いられるレーザ光が、積
層膜に対して、ディスク基板が存在する側から、記録層
に照射されるように構成されている。このとき、好適に
は、レーザ光が照射される側に記録層が設けられるよう
に構成されており、具体的に、積層膜は、ディスク基板
の凹凸が設けられた面に近い側から、第１の誘電体層、
記録層、記録補助層、第２の誘電体層および第１の反射
層が順次積層されて構成されている。そして、好ましく
は、このディスク基板上の積層膜を覆うようにして、デ
ィスク基板上の積層膜の上面（ディスク基板とは反対側
の面）には、積層膜の保護と強化のために、紫外線硬化
型の樹脂（ウレタン系、アクリル系、シリコン系、ポリ
エステル系など）やホットメルト系の接着剤などからな
る合成樹脂層が設けられている。そして、第１の誘電体
層および第２の誘電体層は、典型的には、屈折率が２．
１程度の硫化亜鉛・酸化シリコン混合体（ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2）、または屈折率が２．０程度の窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4）からなるが、その他の材料を用いるこ
とも可能である。また、この発明において、第１の誘電
体層の膜厚は、誘電体を島状にならずに成膜することが
できる範囲で、かつ２００ｎｍ以下に選ばれる。また、
この発明において、典型的には、第２の誘電体層の膜厚
は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。さらに、この発
明において、典型的には、第１の反射層の膜厚は、２０
ｎｍ以上１００ｎｍ以下に選ばれる。また、第１の誘電
体層、記録層、記録補助層、第２の誘電体層および第１
の反射層は、典型的には、スパッタリング法により成膜
されるが、その他の成膜方法を用いることも可能であ
り、具体的には、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、エピ
タキシャル成長法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気
相成長（ＰＶＤ）法などあらゆる方法を用いることが可
能である。
【００２１】この発明において、典型的には、情報信号
の記録および／または再生に用いられるレーザ光が、デ
ィスク基板に対して積層膜が存在する側から、記録層に
照射されるように構成されている。また、この発明にお
いて、好適には、積層膜が、ディスク基板の凹凸が設け
られた面に近い側から、第２の反射層、第３の誘電体
層、記録補助層、記録層および第４の誘電体層が順次積
層されて構成されており、好ましくは、ディスク基板上
の積層膜を覆うようにして、レーザ光を透過可能な光透
過層が設けられている。そして、第３の誘電体層および
第４の誘電体層は、典型的には、屈折率が２．１程度の
ＺｎＳ−ＳｉＯ2、または屈折率が２．０程度のＳｉＮ
やＳｉ3Ｎ4からなるが、その他の材料を用いることも可
能である。また、この発明において、典型的には、第３
の誘電体層の膜厚は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
また、この発明において、第４の誘電体層の膜厚は、誘
電体を島状にならずに成膜することができる範囲で、か
つ２００ｎｍ以下に選ばれる。さらに、この発明におい
て、典型的には、第２の反射層の膜厚は、２０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下に選ばれる。また、第２の反射層、第３
の誘電体層、記録補助層、記録層および第４の誘電体層
は、典型的には、スパッタリング法により成膜される
が、その他の成膜方法を用いることも可能であり、具体
的には、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、エピタキシャ
ル成長法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気相成長
（ＰＶＤ）法などあらゆる方法を用いることが可能であ
る。また、ディスク基板の積層膜を覆うようにして設け
られる光透過層は、典型的には、少なくとも、光透過性
を有する光透過性シートと、この光透過性シートをディ
スク基板に接着するための接着層とを有して構成され、
この接着層は、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤から
なる。また、光透過性シートを用いる代わりに、光透過
層として、紫外線硬化樹脂を用いることも可能である。
の記録および／または再生に用いられるレーザ光が、デ
ィスク基板に対して積層膜が存在する側から、記録層に
照射されるように構成されている。また、この発明にお
いて、好適には、積層膜が、ディスク基板の凹凸が設け
られた面に近い側から、第２の反射層、第３の誘電体
層、記録補助層、記録層および第４の誘電体層が順次積
層されて構成されており、好ましくは、ディスク基板上
の積層膜を覆うようにして、レーザ光を透過可能な光透
過層が設けられている。そして、第３の誘電体層および
第４の誘電体層は、典型的には、屈折率が２．１程度の
ＺｎＳ−ＳｉＯ2、または屈折率が２．０程度のＳｉＮ
やＳｉ3Ｎ4からなるが、その他の材料を用いることも可
能である。また、この発明において、典型的には、第３
の誘電体層の膜厚は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
また、この発明において、第４の誘電体層の膜厚は、誘
電体を島状にならずに成膜することができる範囲で、か
つ２００ｎｍ以下に選ばれる。さらに、この発明におい
て、典型的には、第２の反射層の膜厚は、２０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下に選ばれる。また、第２の反射層、第３
の誘電体層、記録補助層、記録層および第４の誘電体層
は、典型的には、スパッタリング法により成膜される
が、その他の成膜方法を用いることも可能であり、具体
的には、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、エピタキシャ
ル成長法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、物理気相成長
（ＰＶＤ）法などあらゆる方法を用いることが可能であ
る。また、ディスク基板の積層膜を覆うようにして設け
られる光透過層は、典型的には、少なくとも、光透過性
を有する光透過性シートと、この光透過性シートをディ
スク基板に接着するための接着層とを有して構成され、
この接着層は、紫外線硬化樹脂または感圧性粘着剤から
なる。また、光透過性シートを用いる代わりに、光透過
層として、紫外線硬化樹脂を用いることも可能である。
【００２２】このような、ディスク基板に対して、積層
膜が設けられた側からレーザ光が照射される光ディスク
としては、具体的には、ＤＶＲ(Digital Video Recordi
ng system)などの、薄い光透過層を有する光ディスクを
挙げることができ、この発明は、このＤＶＲなどの光デ
ィスクに適用することができ、発光波長が６５０ｎｍ程
度の半導体レーザを用いて情報信号の記録や再生を行う
ように構成された、いわゆるＤＶＲ−ｒｅｄや、発光波
長が４００ｎｍ程度の半導体レーザを用いて情報信号の
記録や再生を行うように構成された、いわゆるＤＶＲ−
ｂｌｕｅなどの光ディスクに適用することが可能であ
る。このＤＶＲは、好ましくは、２個のレンズを直列に
組み合わせることによりＮＡを０．８５程度にまで高め
た対物レンズを用いて、情報信号を記録可能に構成され
ており、具体的には、片面で２２ＧＢ程度の記憶容量を
有する。また、このＤＶＲなどの光ディスクは、好適に
はカートリッジに納められているが、この発明の適用
は、必ずしもカートリッジに納められているものに限定
されるものではない。
膜が設けられた側からレーザ光が照射される光ディスク
としては、具体的には、ＤＶＲ(Digital Video Recordi
ng system)などの、薄い光透過層を有する光ディスクを
挙げることができ、この発明は、このＤＶＲなどの光デ
ィスクに適用することができ、発光波長が６５０ｎｍ程
度の半導体レーザを用いて情報信号の記録や再生を行う
ように構成された、いわゆるＤＶＲ−ｒｅｄや、発光波
長が４００ｎｍ程度の半導体レーザを用いて情報信号の
記録や再生を行うように構成された、いわゆるＤＶＲ−
ｂｌｕｅなどの光ディスクに適用することが可能であ
る。このＤＶＲは、好ましくは、２個のレンズを直列に
組み合わせることによりＮＡを０．８５程度にまで高め
た対物レンズを用いて、情報信号を記録可能に構成され
ており、具体的には、片面で２２ＧＢ程度の記憶容量を
有する。また、このＤＶＲなどの光ディスクは、好適に
はカートリッジに納められているが、この発明の適用
は、必ずしもカートリッジに納められているものに限定
されるものではない。
【００２３】この発明において、ディスク基板上に設け
られた積層膜を薄い光透過層により覆う場合、典型的に
は、この光透過層は、少なくとも情報信号の記録／再生
に用いられる、ＧａＮ系半導体レーザ（発光波長４００
ｎｍ帯、青色発光）、ＺｎＳｅ系半導体レーザ（発光波
長５００ｎｍ帯、緑色）、またはＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザ（発光波長６３５〜６８０ｎｍ程度、赤色）な
どから照射されるレーザ光を透過可能な非磁性材料から
なり、具体的には、ポリカーボネートなどの光透過性を
有する熱可塑性樹脂からなる。
られた積層膜を薄い光透過層により覆う場合、典型的に
は、この光透過層は、少なくとも情報信号の記録／再生
に用いられる、ＧａＮ系半導体レーザ（発光波長４００
ｎｍ帯、青色発光）、ＺｎＳｅ系半導体レーザ（発光波
長５００ｎｍ帯、緑色）、またはＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザ（発光波長６３５〜６８０ｎｍ程度、赤色）な
どから照射されるレーザ光を透過可能な非磁性材料から
なり、具体的には、ポリカーボネートなどの光透過性を
有する熱可塑性樹脂からなる。
【００２４】この発明において、典型的には、ディスク
基板の凹凸が形成された部分において、レーザ光が入射
する側から近い部分における凹または凸の幅Ｄgと、レ
ーザ光の入射から遠い側の部分における凸または凹の幅
Ｄlとの比率が、０．５≦Ｄl／Ｄg≦２．０を満たし、
好適には、０．８≦Ｄl／Ｄg≦１．２を満たすように構
成されている。
基板の凹凸が形成された部分において、レーザ光が入射
する側から近い部分における凹または凸の幅Ｄgと、レ
ーザ光の入射から遠い側の部分における凸または凹の幅
Ｄlとの比率が、０．５≦Ｄl／Ｄg≦２．０を満たし、
好適には、０．８≦Ｄl／Ｄg≦１．２を満たすように構
成されている。
【００２５】この発明において、典型的には、情報信号
の記録および／または再生に用いられる対物レンズの開
口数は０．４５以上０．６０以下であり、この開口数の
範囲においては、光学記録媒体におけるディスク基板が
設けられた側からレーザ光が照射される。
の記録および／または再生に用いられる対物レンズの開
口数は０．４５以上０．６０以下であり、この開口数の
範囲においては、光学記録媒体におけるディスク基板が
設けられた側からレーザ光が照射される。
【００２６】この発明において、記録層が島状にならな
いようにしつつ、良好なシグナルを得るとともに、光学
的なコントラストを良好な状態に維持し、熱的な拡散を
抑制するために、記録層の膜厚は、典型的には、５ｎｍ
以上５０ｎｍ以下に選ばれ、好適には、１０ｎｍ以上４
０ｎｍ以下に選ばれる。
いようにしつつ、良好なシグナルを得るとともに、光学
的なコントラストを良好な状態に維持し、熱的な拡散を
抑制するために、記録層の膜厚は、典型的には、５ｎｍ
以上５０ｎｍ以下に選ばれ、好適には、１０ｎｍ以上４
０ｎｍ以下に選ばれる。
【００２７】この発明において、典型的には、記録補助
層の膜厚は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、好適に
は、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
層の膜厚は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、好適に
は、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【００２８】この発明において、典型的には、記録層
は、情報信号を追記的に記録可能に構成されている。こ
のとき、記録層は、好適には、ＧｅＴｅ系合金またはＧ
ｅＳｂＴｅ系合金からなるが、記録層の材料としては、
その他の材料、具体的には、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｓｂ、
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｐｄ、Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｃｒ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｓｎ−Ｏ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ
ｎ−Ａｕ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ、Ｉｎ−
Ｓｅ、Ｔｅ−Ｂｉなどを用いることができる。
は、情報信号を追記的に記録可能に構成されている。こ
のとき、記録層は、好適には、ＧｅＴｅ系合金またはＧ
ｅＳｂＴｅ系合金からなるが、記録層の材料としては、
その他の材料、具体的には、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｓｂ、
Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｐｄ、Ｔｅ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｃｒ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｓｎ−Ｏ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓ
ｎ−Ａｕ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ、Ｉｎ−
Ｓｅ、Ｔｅ−Ｂｉなどを用いることができる。
【００２９】この発明において、典型的には、光学記録
媒体は、凹凸が形成されたディスク基板の凹凸における
凸部分の上部と凹部分の底部とにレーザ光により記録マ
ークを記録するように構成されている。すなわち、この
発明による光学記録媒体は、具体的には、ランド・グル
ーブ記録方式を採用した光学記録媒体である。
媒体は、凹凸が形成されたディスク基板の凹凸における
凸部分の上部と凹部分の底部とにレーザ光により記録マ
ークを記録するように構成されている。すなわち、この
発明による光学記録媒体は、具体的には、ランド・グル
ーブ記録方式を採用した光学記録媒体である。
【００３０】この発明において、記録マークの再生光に
対する安定性を向上させるとともに、マークエッジ記録
で高密度記録を行う場合に良好なジッター特性を確保す
るために、典型的には、記録層を相変化材料から構成す
る場合、この相変化記録層は、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系合金
（Ｔｅ、Ｇｅ及びＳｂにこれら以外の元素が含まれてい
てもよい）からなり、その組成は、図６に示す、Ｔｅと
ＧｅとＳｂとの３成分の組成を座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓ
ｂ）で示す三角グラフで、Ａ（０．４７５，０．０５，
０．４７５）、Ｂ（０．６６５，０．０５，０．２８
５）、Ｃ（０．６０，０．４０，０）、Ｄ（０．４０，
０．６０，０）の４点に囲まれた範囲（点Ａの組成はＴ
ｅ47.5Ｇｅ5Ｓｂ47.5、点Ｂの組成はＴｅ66.5Ｇｅ5Ｓｂ
28.5、点Ｃの組成はＴｅ60Ｇｅ40、点Ｄの組成はＴｅ40
Ｇｅ60）内にあり、好適には、相変化記録層の直上また
は直下に、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴ
ｅ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3
からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を主
成分として含む記録補助層が設けられている。また、相
変化記録層の組成が、図６の三角グラフで、点Ａと点Ｂ
とを結ぶ直線より外側である（すなわちＧｅの含有率が
５原子％未満である）と、結晶化温度が低くなって、記
録マークの形成されていない部分（未記録部分）が再生
光で結晶化され易くなる。その結果、記録マークと未記
録部分との境界が鮮明でなくなって、記録マークが劣化
する恐れがある。また、相変化記録層の組成が、図６の
三角グラフで、点Ｂと点Ｃとを結ぶ直線より外側、およ
び点Ｄと点Ａとを結ぶ直線より外側であると、ジッター
特性が悪化する。また、相変化記録層の組成が、図６の
三角グラフで、点ＡＢＣＤに囲まれた範囲内ではある
が、点Ａと点Ｂとを結ぶ直線に近い組成（すなわちＧｅ
の含有率が５原子％以上ではあるが、比較的少ない組
成）であると、非晶質状態と結晶状態とでの光学定数の
差が小さくなる。その結果、再生信号の振幅が減少する
ため、信号品質の点から好ましくない。
対する安定性を向上させるとともに、マークエッジ記録
で高密度記録を行う場合に良好なジッター特性を確保す
るために、典型的には、記録層を相変化材料から構成す
る場合、この相変化記録層は、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ系合金
（Ｔｅ、Ｇｅ及びＳｂにこれら以外の元素が含まれてい
てもよい）からなり、その組成は、図６に示す、Ｔｅと
ＧｅとＳｂとの３成分の組成を座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓ
ｂ）で示す三角グラフで、Ａ（０．４７５，０．０５，
０．４７５）、Ｂ（０．６６５，０．０５，０．２８
５）、Ｃ（０．６０，０．４０，０）、Ｄ（０．４０，
０．６０，０）の４点に囲まれた範囲（点Ａの組成はＴ
ｅ47.5Ｇｅ5Ｓｂ47.5、点Ｂの組成はＴｅ66.5Ｇｅ5Ｓｂ
28.5、点Ｃの組成はＴｅ60Ｇｅ40、点Ｄの組成はＴｅ40
Ｇｅ60）内にあり、好適には、相変化記録層の直上また
は直下に、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴ
ｅ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3
からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を主
成分として含む記録補助層が設けられている。また、相
変化記録層の組成が、図６の三角グラフで、点Ａと点Ｂ
とを結ぶ直線より外側である（すなわちＧｅの含有率が
５原子％未満である）と、結晶化温度が低くなって、記
録マークの形成されていない部分（未記録部分）が再生
光で結晶化され易くなる。その結果、記録マークと未記
録部分との境界が鮮明でなくなって、記録マークが劣化
する恐れがある。また、相変化記録層の組成が、図６の
三角グラフで、点Ｂと点Ｃとを結ぶ直線より外側、およ
び点Ｄと点Ａとを結ぶ直線より外側であると、ジッター
特性が悪化する。また、相変化記録層の組成が、図６の
三角グラフで、点ＡＢＣＤに囲まれた範囲内ではある
が、点Ａと点Ｂとを結ぶ直線に近い組成（すなわちＧｅ
の含有率が５原子％以上ではあるが、比較的少ない組
成）であると、非晶質状態と結晶状態とでの光学定数の
差が小さくなる。その結果、再生信号の振幅が減少する
ため、信号品質の点から好ましくない。
【００３１】この発明において、相変化記録層の組成の
より好ましい範囲は、図６と同様の三角グラフである図
７で、座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ）がそれぞれ、Ｅ（０．
４７，０．３０，０．２３）、Ｆ（０．５８，０．３
０，０．１２）、Ｇ（０．５６，０．４４，０）、Ｈ
（０．４４，０．５６，０）の範囲である。点Ｅの組成
は、Ｔｅ47Ｇｅ30Ｓｂ23であり、点Ｆの組成はＴｅ58Ｇ
ｅ30Ｓｂ12であり、点Ｇの組成はＴｅ56Ｇｅ44であり、
点Ｈの組成はＴｅ44Ｇｅ56である。
より好ましい範囲は、図６と同様の三角グラフである図
７で、座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ）がそれぞれ、Ｅ（０．
４７，０．３０，０．２３）、Ｆ（０．５８，０．３
０，０．１２）、Ｇ（０．５６，０．４４，０）、Ｈ
（０．４４，０．５６，０）の範囲である。点Ｅの組成
は、Ｔｅ47Ｇｅ30Ｓｂ23であり、点Ｆの組成はＴｅ58Ｇ
ｅ30Ｓｂ12であり、点Ｇの組成はＴｅ56Ｇｅ44であり、
点Ｈの組成はＴｅ44Ｇｅ56である。
【００３２】この発明において、相変化記録層の組成の
より好ましい範囲は、図６と同様の三角グラフである図
８で、座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ）がそれぞれ、Ｊ（０．
４７，０．４０，０．１３）、Ｋ（０．５５，０．４
０，０．０５）、Ｌ（０．５２，０．４８，０）、Ｍ
（０．４４，０．５６，０）の４点に囲まれた範囲であ
る。点Ｊの組成はＴｅ47Ｇｅ40Ｓｂ13であり、点Ｋの組
成はＴｅ55Ｇｅ40Ｓｂ5であり、点Ｌの組成はＴｅ52Ｇ
ｅ48であり、点Ｍの組成はＴｅ44Ｇｅ56である。
より好ましい範囲は、図６と同様の三角グラフである図
８で、座標（Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ）がそれぞれ、Ｊ（０．
４７，０．４０，０．１３）、Ｋ（０．５５，０．４
０，０．０５）、Ｌ（０．５２，０．４８，０）、Ｍ
（０．４４，０．５６，０）の４点に囲まれた範囲であ
る。点Ｊの組成はＴｅ47Ｇｅ40Ｓｂ13であり、点Ｋの組
成はＴｅ55Ｇｅ40Ｓｂ5であり、点Ｌの組成はＴｅ52Ｇ
ｅ48であり、点Ｍの組成はＴｅ44Ｇｅ56である。
【００３３】この発明において、典型的には、記録層に
隣接して設けられる記録補助層は、好適には、ＳｎＴ
ｅ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｎＳｅ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、Ｐ
ｂＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選
ばれた少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材
料からなる。また、記録補助層は、これらの化合物のい
ずれか一つ以上の混合により混晶状態となっているもの
であってもよい。光学記録媒体の保存寿命の観点からで
あれば、これらの化合物のうちＳｎＴｅを記録補助層の
主成分とすることが好ましい。また、この発明におい
て、記録補助層は、上述の特定の化合物を主成分とする
ものであり、これら以外の物質を含むこともできる。こ
の場合には、記録補助層を構成する物質全体における、
上述した特定の化合物の含有率を５０体積％以上とす
る。上述した特定の化合物の含有率が５０体積％未満で
あると、相変化記録層の結晶化が良好になされずに、再
生光のジッター特性が悪化する恐れがある。また、記録
補助層中の上述した特定の化合物の含有率は、７０体積
％以上であることが好ましい。具体的には、記録補助層
の材料としては、リン化トリウム（ＴｈＰ）、硫化ラン
タン（ＬａＳ）、スカンジウム・アンチモン（ＳｃＳ
ｂ）、トリウム・セレン（ＴｈＳｅ）、カルシウム・セ
レン（ＣａＳｅ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、スカンジウム・
ビスマス（ＳｃＢｉ）、ヒ化トリウム（ＴｈＡｓ）、Ｂ
ｉＳｅ、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、イットリウム・
テルル（ＹＴｅ）、ガリウム・アンチモン（ＧａＳ
ｂ）、ＰｂＳｅ、スズ・アンチモン（ＳｎＳｂ）、アル
ミニウム・アンチモン（ＡｌＳｂ）、ヨウ化銅（Ｃｕ
Ｉ）、ストロンチウム・セレン（ＳｒＳｅ）、ＳｎＴ
ｅ、トリウム・アンチモン（ＴｈＳｂ）、ＣａＴｅ、硫
化バリウム（ＢａＳ）、ＬａＴｅ、ＰｂＴｅ、ＢｉＴ
ｅ、ＳｒＴｅ、ヨウ化銀（ＡｇＩ）、Ｓｂ2Ｔｅ3、Ｂｉ
2Ｓｅ3、Ｂｉ 2Ｔｅ3などを用いることができるが、必要
に応じて、その他の材料を用いることも可能である。
隣接して設けられる記録補助層は、好適には、ＳｎＴ
ｅ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｎＳｅ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、Ｐ
ｂＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選
ばれた少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材
料からなる。また、記録補助層は、これらの化合物のい
ずれか一つ以上の混合により混晶状態となっているもの
であってもよい。光学記録媒体の保存寿命の観点からで
あれば、これらの化合物のうちＳｎＴｅを記録補助層の
主成分とすることが好ましい。また、この発明におい
て、記録補助層は、上述の特定の化合物を主成分とする
ものであり、これら以外の物質を含むこともできる。こ
の場合には、記録補助層を構成する物質全体における、
上述した特定の化合物の含有率を５０体積％以上とす
る。上述した特定の化合物の含有率が５０体積％未満で
あると、相変化記録層の結晶化が良好になされずに、再
生光のジッター特性が悪化する恐れがある。また、記録
補助層中の上述した特定の化合物の含有率は、７０体積
％以上であることが好ましい。具体的には、記録補助層
の材料としては、リン化トリウム（ＴｈＰ）、硫化ラン
タン（ＬａＳ）、スカンジウム・アンチモン（ＳｃＳ
ｂ）、トリウム・セレン（ＴｈＳｅ）、カルシウム・セ
レン（ＣａＳｅ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、スカンジウム・
ビスマス（ＳｃＢｉ）、ヒ化トリウム（ＴｈＡｓ）、Ｂ
ｉＳｅ、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、イットリウム・
テルル（ＹＴｅ）、ガリウム・アンチモン（ＧａＳ
ｂ）、ＰｂＳｅ、スズ・アンチモン（ＳｎＳｂ）、アル
ミニウム・アンチモン（ＡｌＳｂ）、ヨウ化銅（Ｃｕ
Ｉ）、ストロンチウム・セレン（ＳｒＳｅ）、ＳｎＴ
ｅ、トリウム・アンチモン（ＴｈＳｂ）、ＣａＴｅ、硫
化バリウム（ＢａＳ）、ＬａＴｅ、ＰｂＴｅ、ＢｉＴ
ｅ、ＳｒＴｅ、ヨウ化銀（ＡｇＩ）、Ｓｂ2Ｔｅ3、Ｂｉ
2Ｓｅ3、Ｂｉ 2Ｔｅ3などを用いることができるが、必要
に応じて、その他の材料を用いることも可能である。
【００３４】この発明において、ディスク基板上の積層
膜が反射層を有しない構造であり、記録補助層が記録層
に対してディスク基板とは反対側に設けられている場
合、記録補助層の記録層が接している面とは反対側の面
上に、保護層を設けることが望ましい。ここで、この保
護層は、金属または半金属の酸化物、炭化物、窒化物、
フッ化物および硫化物から選ばれた少なくとも１種類の
材料からなる。具体的には、この保護層としては、酸化
シリコン（ＳｉＯ2，ＳｉＯ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）、または酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）などの酸化
物、炭化シリコン（ＳｉＣ、シリコンカーバイト）や炭
化チタン（ＴｉＣ、チタンカーバイト）などの炭化物も
しくはカーボン（Ｃ）単体、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）
や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの窒化物、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）、硫化（ＳｍＳ）または硫化ストロンチウム
（ＳｒＳ）などの硫化物、およびフッ化マグネシウム
（ＭｇＦ2）などのフッ化物などをからなるものを挙げ
ることができる。また、これらの物質から選ばれた少な
くとも１種類、または複数種類の混合物を保護層材料と
することが望ましい。
膜が反射層を有しない構造であり、記録補助層が記録層
に対してディスク基板とは反対側に設けられている場
合、記録補助層の記録層が接している面とは反対側の面
上に、保護層を設けることが望ましい。ここで、この保
護層は、金属または半金属の酸化物、炭化物、窒化物、
フッ化物および硫化物から選ばれた少なくとも１種類の
材料からなる。具体的には、この保護層としては、酸化
シリコン（ＳｉＯ2，ＳｉＯ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ
5）、または酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）などの酸化
物、炭化シリコン（ＳｉＣ、シリコンカーバイト）や炭
化チタン（ＴｉＣ、チタンカーバイト）などの炭化物も
しくはカーボン（Ｃ）単体、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）
や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの窒化物、硫化亜鉛
（ＺｎＳ）、硫化（ＳｍＳ）または硫化ストロンチウム
（ＳｒＳ）などの硫化物、およびフッ化マグネシウム
（ＭｇＦ2）などのフッ化物などをからなるものを挙げ
ることができる。また、これらの物質から選ばれた少な
くとも１種類、または複数種類の混合物を保護層材料と
することが望ましい。
【００３５】この発明において、マークエッジ記録によ
る記録マークの長さの制御を精密に行うようにするため
に、典型的には、記録層を透過した光を反射させる第１
の反射層または第２の反射層は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上である材料で構成することが好ましい。そし
て、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料として
は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、ハフニウム（Ｈｆ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、およびＴｉからなる群より選択
される金属、またはこれらの金属の合金を挙げることが
できる。これらの材料のうち、種々の観点から反射層材
料として好ましいものは、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ
合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｃｕ合
金、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｖ合金、Ｔｉ−Ｐｄ−Ｃｕ
合金、Ａｇ合金などである。これらの合金の組成比は、
要求される特性に応じて設定される。また、必要に応じ
て、その他の材料を用いることも可能である。
る記録マークの長さの制御を精密に行うようにするため
に、典型的には、記録層を透過した光を反射させる第１
の反射層または第２の反射層は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上である材料で構成することが好ましい。そし
て、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料として
は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、ハフニウム（Ｈｆ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、およびＴｉからなる群より選択
される金属、またはこれらの金属の合金を挙げることが
できる。これらの材料のうち、種々の観点から反射層材
料として好ましいものは、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｃｒ
合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｃｕ合
金、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｖ合金、Ｔｉ−Ｐｄ−Ｃｕ
合金、Ａｇ合金などである。これらの合金の組成比は、
要求される特性に応じて設定される。また、必要に応じ
て、その他の材料を用いることも可能である。
【００３６】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、記録補助層の膜厚ａを、記録層の膜厚ｄの１／４よ
り大きく、かつ膜厚ｄの３倍未満にしていることによ
り、凹凸の寸法を変えるのみならず、記録補助層の膜厚
を変更することによって、信号特性を変えることができ
るので、信号特性の向上に必要な自由度を増加させるこ
とができる。
ば、記録補助層の膜厚ａを、記録層の膜厚ｄの１／４よ
り大きく、かつ膜厚ｄの３倍未満にしていることによ
り、凹凸の寸法を変えるのみならず、記録補助層の膜厚
を変更することによって、信号特性を変えることができ
るので、信号特性の向上に必要な自由度を増加させるこ
とができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００３８】まず、この発明の第１の実施形態による光
ディスクについて説明する。図１に、この第１の実施形
態による光ディスクを示す。なお、この第１の実施形態
による光ディスクは、情報信号が追記的に記録される追
記型光ディスクである。
ディスクについて説明する。図１に、この第１の実施形
態による光ディスクを示す。なお、この第１の実施形態
による光ディスクは、情報信号が追記的に記録される追
記型光ディスクである。
【００３９】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる光ディスク１は、ディスク基板２の一主面２ａ上
に、第１の誘電体層３、記録層４、記録補助層５、第２
の誘電体層６および第１の反射層７からなる積層膜と、
この積層膜を覆うようにして設けられた紫外線硬化樹脂
層８とから構成されている。
よる光ディスク１は、ディスク基板２の一主面２ａ上
に、第１の誘電体層３、記録層４、記録補助層５、第２
の誘電体層６および第１の反射層７からなる積層膜と、
この積層膜を覆うようにして設けられた紫外線硬化樹脂
層８とから構成されている。
【００４０】ディスク基板２は、少なくとも情報信号の
記録／再生に用いられるレーザ光が透過可能な材料から
なる。このディスク基板２を構成する材料としては、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリオレフィン樹脂、またはア
クリル系樹脂などのプラスチック材料や、ガラスなどを
挙げることができる。これらの材料のうち、コストなど
の観点からはプラスチック材料を用いるのが望ましく、
この第１の実施形態においては、例えばポリカーボネー
ト（ＰＣ）からなる。また、このディスク基板２の直径
は、例えば１３０ｍｍであり、厚さは例えば１．２ｍｍ
程度である。
記録／再生に用いられるレーザ光が透過可能な材料から
なる。このディスク基板２を構成する材料としては、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリオレフィン樹脂、またはア
クリル系樹脂などのプラスチック材料や、ガラスなどを
挙げることができる。これらの材料のうち、コストなど
の観点からはプラスチック材料を用いるのが望ましく、
この第１の実施形態においては、例えばポリカーボネー
ト（ＰＣ）からなる。また、このディスク基板２の直径
は、例えば１３０ｍｍであり、厚さは例えば１．２ｍｍ
程度である。
【００４１】また、このディスク基板２の一主面２ａに
は、凹凸がトラック状に形成されている。このトラック
状の凹凸における凸部は、レーザ光が入射する側から遠
い部分となり、この第１の実施形態においては、この凸
部をランド２ｂと呼ぶ。また、凹凸における凹部は、レ
ーザ光が入射する側から近い部分となり、この第１の実
施形態においては、この凹部をグルーブ２ｃと呼ぶ。こ
こで、このランド２ｂの幅Ｄlとグルーブ２ｃの幅Ｄgと
の比、すなわちデューティ比（Ｄl／Ｄg）は、０．５〜
２．０の範囲内から選ばれる。すなわち、デューティ比
が０．５未満となってしまうと、ランド２ｂの幅Ｄlが
グルーブ２ｃの幅Ｄgに比して半分未満になってしま
い、それぞれのランド２ｂおよびグルーブ２ｃにおい
て、信号特性を両立させることが困難になる。また、同
様に、デューティ比が２．０より大きくなってしまう
と、グルーブ２ｃの幅Ｄgがランド２ｂの幅Ｄlに比して
半分未満に狭くなってしまうので、やはり信号特性を両
立させることが困難になってしまう。また、デューティ
比の好ましい範囲は、０．８〜１．２である。ここで、
この第１の実施形態において、ディスク基板２の寸法の
一例を挙げると、凹凸の溝トラックにおけるトラックピ
ッチ（Ｔｐ）を０．７７μｍ、グルーブ２ｃの深さ（凹
部の深さ）を７０ｎｍ、ランド２ｂの幅Ｄlを０．８２
μｍ、グルーブ２ｃの幅Ｄgを０．７２μｍとして、デ
ューティ比は（０．８２／０．７２＝）１．１４とな
る。
は、凹凸がトラック状に形成されている。このトラック
状の凹凸における凸部は、レーザ光が入射する側から遠
い部分となり、この第１の実施形態においては、この凸
部をランド２ｂと呼ぶ。また、凹凸における凹部は、レ
ーザ光が入射する側から近い部分となり、この第１の実
施形態においては、この凹部をグルーブ２ｃと呼ぶ。こ
こで、このランド２ｂの幅Ｄlとグルーブ２ｃの幅Ｄgと
の比、すなわちデューティ比（Ｄl／Ｄg）は、０．５〜
２．０の範囲内から選ばれる。すなわち、デューティ比
が０．５未満となってしまうと、ランド２ｂの幅Ｄlが
グルーブ２ｃの幅Ｄgに比して半分未満になってしま
い、それぞれのランド２ｂおよびグルーブ２ｃにおい
て、信号特性を両立させることが困難になる。また、同
様に、デューティ比が２．０より大きくなってしまう
と、グルーブ２ｃの幅Ｄgがランド２ｂの幅Ｄlに比して
半分未満に狭くなってしまうので、やはり信号特性を両
立させることが困難になってしまう。また、デューティ
比の好ましい範囲は、０．８〜１．２である。ここで、
この第１の実施形態において、ディスク基板２の寸法の
一例を挙げると、凹凸の溝トラックにおけるトラックピ
ッチ（Ｔｐ）を０．７７μｍ、グルーブ２ｃの深さ（凹
部の深さ）を７０ｎｍ、ランド２ｂの幅Ｄlを０．８２
μｍ、グルーブ２ｃの幅Ｄgを０．７２μｍとして、デ
ューティ比は（０．８２／０．７２＝）１．１４とな
る。
【００４２】また、第１の誘電体層３の材料は、記録／
再生用のレーザ光に対して吸収能（吸収率）が低い材
料、具体的には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構
成することが好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、
例えばＳｉＮを挙げることができる。また、第１の誘電
体層３の膜厚は２００ｎｍ以下に選ばれ、この第１の実
施形態においては、例えば１０ｎｍに選ばれる。
再生用のレーザ光に対して吸収能（吸収率）が低い材
料、具体的には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構
成することが好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、
例えばＳｉＮを挙げることができる。また、第１の誘電
体層３の膜厚は２００ｎｍ以下に選ばれ、この第１の実
施形態においては、例えば１０ｎｍに選ばれる。
【００４３】また、記録層４は、例えばＧｅＴｅ合金か
らなる。また、記録層４は、その膜厚ｄが５ｎｍよりも
小さいと光学的に振幅が小さくなってしまい、他方、膜
厚ｄが５０ｎｍより大きいと、熱の拡散効果が低下して
記録層４自体に熱がこもりやすくなり、記録マークを鮮
明に記録できなくなってしまう。したがって、記録層４
の膜厚ｄは、５ｎｍ≦ｄ≦５０ｎｍの範囲から選ばれ
る。また、本発明者の記録層４における信号特性の実験
から得た知見によれば、良好なシグナルを得ることがで
きる範囲を考慮すると、記録層４の膜厚ｄは１０ｎｍ≦
ｄ≦４０ｎｍの範囲から選ばれることが望ましい。ここ
で、この第１の実施形態においては、記録層４の膜厚
は、例えば２０ｎｍ程度である。
らなる。また、記録層４は、その膜厚ｄが５ｎｍよりも
小さいと光学的に振幅が小さくなってしまい、他方、膜
厚ｄが５０ｎｍより大きいと、熱の拡散効果が低下して
記録層４自体に熱がこもりやすくなり、記録マークを鮮
明に記録できなくなってしまう。したがって、記録層４
の膜厚ｄは、５ｎｍ≦ｄ≦５０ｎｍの範囲から選ばれ
る。また、本発明者の記録層４における信号特性の実験
から得た知見によれば、良好なシグナルを得ることがで
きる範囲を考慮すると、記録層４の膜厚ｄは１０ｎｍ≦
ｄ≦４０ｎｍの範囲から選ばれることが望ましい。ここ
で、この第１の実施形態においては、記録層４の膜厚
は、例えば２０ｎｍ程度である。
【００４４】また、記録補助層５の材料は、ＳｎＴｅ、
ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅ、ＰｂＳ
ｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選ばれ
た少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材料で
あり、具体的には、上述した特定の化合物の含有率を５
０体積％以上、より好適には７０体積％以上としたもの
である。また、この記録補助層５は、記録層４に対して
均一に接触することが望ましい。ここで、この第１の実
施形態においては、記録補助層５は例えばＳｎＴｅから
構成される。
ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅ、ＰｂＳ
ｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選ばれ
た少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材料で
あり、具体的には、上述した特定の化合物の含有率を５
０体積％以上、より好適には７０体積％以上としたもの
である。また、この記録補助層５は、記録層４に対して
均一に接触することが望ましい。ここで、この第１の実
施形態においては、記録補助層５は例えばＳｎＴｅから
構成される。
【００４５】また、記録補助層５の膜厚ａは、記録層４
の膜厚ｄの１／４より大きく、３倍より小さい範囲から
選ばれる。すなわち、記録補助層５は、その膜厚ａと記
録層４の膜厚ｄとにおいて、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立するように構成され、好ましくは、 ｄ／２≦ａ≦２ｄ が成立するように構成される。なお、この記録補助層５
の膜厚に関する詳細は後述する。
の膜厚ｄの１／４より大きく、３倍より小さい範囲から
選ばれる。すなわち、記録補助層５は、その膜厚ａと記
録層４の膜厚ｄとにおいて、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立するように構成され、好ましくは、 ｄ／２≦ａ≦２ｄ が成立するように構成される。なお、この記録補助層５
の膜厚に関する詳細は後述する。
【００４６】また、第２の誘電体層６の材料は、記録／
再生用のレーザ光に対して吸収能が低い材料、具体的に
は、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構成することが
好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、例えばＺｎＳ
−ＳｉＯ2（特に、そのモル比率が約４：１のもの）を
挙げることができる。なお、この第１の実施形態におい
ては、第１の誘電体層３と第２の誘電体層６とを互いに
異なる材料から構成したが、それぞれ互いに同じ材料を
用いることも可能である。
再生用のレーザ光に対して吸収能が低い材料、具体的に
は、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構成することが
好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、例えばＺｎＳ
−ＳｉＯ2（特に、そのモル比率が約４：１のもの）を
挙げることができる。なお、この第１の実施形態におい
ては、第１の誘電体層３と第２の誘電体層６とを互いに
異なる材料から構成したが、それぞれ互いに同じ材料を
用いることも可能である。
【００４７】また、第１の反射層７は、例えばＡｌ合金
からなり、この第１の実施形態においては、例えばＡｌ
Ｔｉ合金からなる。また、第１の反射層７において、そ
の膜厚を２０ｎｍ未満にすると、記録層４において生じ
る熱の拡散が十分にできず、熱冷却が不十分になってし
まう。他方、第１の反射層７の膜厚を１００ｎｍより大
きくすると、熱特性や光学的な特性に影響が生じるとと
もに、第１の反射層７に生じる応力により、スキューな
どの機械的特性に影響を与えてしまい、所望の信号特性
を得ることができなくなってしまう。したがって、第１
の反射層７の膜厚は、具体的には２０〜１００ｎｍから
選ばれ、この第１の実施形態においては、例えば６０ｎ
ｍに選ばれる。
からなり、この第１の実施形態においては、例えばＡｌ
Ｔｉ合金からなる。また、第１の反射層７において、そ
の膜厚を２０ｎｍ未満にすると、記録層４において生じ
る熱の拡散が十分にできず、熱冷却が不十分になってし
まう。他方、第１の反射層７の膜厚を１００ｎｍより大
きくすると、熱特性や光学的な特性に影響が生じるとと
もに、第１の反射層７に生じる応力により、スキューな
どの機械的特性に影響を与えてしまい、所望の信号特性
を得ることができなくなってしまう。したがって、第１
の反射層７の膜厚は、具体的には２０〜１００ｎｍから
選ばれ、この第１の実施形態においては、例えば６０ｎ
ｍに選ばれる。
【００４８】また、紫外線硬化樹脂層８は、紫外線照射
により硬化された紫外線硬化樹脂からなる。
により硬化された紫外線硬化樹脂からなる。
【００４９】以上のようにして構成されたこの第１の実
施形態による光ディスクにおいては、図１に示すよう
に、レーザ光Ｌ1が、第１の誘電体層３、記録層４、記
録補助層５、第２の誘電体層６および第１の反射層７が
順次積層された積層膜に対して、ディスク基板２が存在
する側から入射され、記録層４に照射されることにより
情報信号の記録および／または再生が行われる。
施形態による光ディスクにおいては、図１に示すよう
に、レーザ光Ｌ1が、第１の誘電体層３、記録層４、記
録補助層５、第２の誘電体層６および第１の反射層７が
順次積層された積層膜に対して、ディスク基板２が存在
する側から入射され、記録層４に照射されることにより
情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００５０】次に、以上のように構成されたこの第１の
実施形態による光ディスク１の製造方法について説明す
る。
実施形態による光ディスク１の製造方法について説明す
る。
【００５１】すなわち、まず、例えば射出成形法によ
り、案内溝（凹凸溝トラック）を設けた清浄なディスク
基板２（例えば、厚さ：１．２ｍｍ、トラックピッチ：
０．７７μｍ、ランドの幅：０．８２μｍ、グルーブの
幅：０．７２μｍ、グルーブの深さ：７０ｎｍ）を製造
する。
り、案内溝（凹凸溝トラック）を設けた清浄なディスク
基板２（例えば、厚さ：１．２ｍｍ、トラックピッチ：
０．７７μｍ、ランドの幅：０．８２μｍ、グルーブの
幅：０．７２μｍ、グルーブの深さ：７０ｎｍ）を製造
する。
【００５２】次に、このディスク基板２を、Ｓｉターゲ
ットが設置された第１のスパッタリングチャンバ内に搬
入し、所定位置に載置する。その後、反応ガスとして窒
素（Ｎ2）ガスを用いたスパッタリング法により、ディ
スク基板２の一主面２ａ上に例えばＳｉＮを成膜する。
これにより、ディスク基板２の一主面２ａ上にＳｉＮか
らなる第１の誘電体層３が形成される。ここで、このス
パッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして、アル
ゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスとＮ2ガスの反応ガ
スを用い、それらの流量比をＡｒ：Ｎ2＝３：１、雰囲
気ガスの圧力を０．６Ｐａとし、スパッタリングパワー
を２．５ｋＷとする。その後、この第１の誘電体層３が
成膜されたディスク基板２を第１のスパッタリングチャ
ンバから搬出する。
ットが設置された第１のスパッタリングチャンバ内に搬
入し、所定位置に載置する。その後、反応ガスとして窒
素（Ｎ2）ガスを用いたスパッタリング法により、ディ
スク基板２の一主面２ａ上に例えばＳｉＮを成膜する。
これにより、ディスク基板２の一主面２ａ上にＳｉＮか
らなる第１の誘電体層３が形成される。ここで、このス
パッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして、アル
ゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスとＮ2ガスの反応ガ
スを用い、それらの流量比をＡｒ：Ｎ2＝３：１、雰囲
気ガスの圧力を０．６Ｐａとし、スパッタリングパワー
を２．５ｋＷとする。その後、この第１の誘電体層３が
成膜されたディスク基板２を第１のスパッタリングチャ
ンバから搬出する。
【００５３】次に、ディスク基板２を第２のスパッタリ
ングチャンバ内に搬入し、所定位置に載置する。その
後、スパッタリング法により、第１の誘電体層３上に、
例えばＧｅＴｅ合金を成膜する。これにより、ＧｅＴｅ
合金からなる記録層４が形成される。ここで、このスパ
ッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガス
などの不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．
３ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を０．４Ｐａ（３．０ｍＴｏ
ｒｒ）とする。このとき、記録層４は、成膜後の組成が
例えばＧｅ50Ｔｅ50となるように組成が調整されたＧｅ
Ｔｅ合金ターゲットを用いて成膜される。その後、この
記録層４まで形成されたディスク基板２を第２のスパッ
タリングチャンバから搬出する。
ングチャンバ内に搬入し、所定位置に載置する。その
後、スパッタリング法により、第１の誘電体層３上に、
例えばＧｅＴｅ合金を成膜する。これにより、ＧｅＴｅ
合金からなる記録層４が形成される。ここで、このスパ
ッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガス
などの不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．
３ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を０．４Ｐａ（３．０ｍＴｏ
ｒｒ）とする。このとき、記録層４は、成膜後の組成が
例えばＧｅ50Ｔｅ50となるように組成が調整されたＧｅ
Ｔｅ合金ターゲットを用いて成膜される。その後、この
記録層４まで形成されたディスク基板２を第２のスパッ
タリングチャンバから搬出する。
【００５４】次に、記録層４まで成膜されたディスク基
板２を、第３のスパッタリングチャンバ内に搬入し、所
定位置に載置する。その後、ＳｎＴｅ合金ターゲットを
用いたスパッタリング法により、記録層４上にＳｎＴｅ
合金を成膜する。これにより、記録層４上にＳｎＴｅ合
金からなる記録補助層５が均一に形成される。ここで、
このスパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして
Ａｒガスなどの不活性ガスを用い、スパッタリングパワ
ーを０．３ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐ
ａ（１．０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この記録補助
層５まで形成されたディスク基板２を、第３のスパッタ
リングチャンバから搬出する。
板２を、第３のスパッタリングチャンバ内に搬入し、所
定位置に載置する。その後、ＳｎＴｅ合金ターゲットを
用いたスパッタリング法により、記録層４上にＳｎＴｅ
合金を成膜する。これにより、記録層４上にＳｎＴｅ合
金からなる記録補助層５が均一に形成される。ここで、
このスパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして
Ａｒガスなどの不活性ガスを用い、スパッタリングパワ
ーを０．３ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐ
ａ（１．０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この記録補助
層５まで形成されたディスク基板２を、第３のスパッタ
リングチャンバから搬出する。
【００５５】次に、記録補助層５まで形成されたディス
ク基板２を、第４のスパッタリングチャンバ内に搬入
し、その所定位置に載置する。その後、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットを用いたスパッタリング法により、記録補
助層５上にＺｎＳ−ＳｉＯ2を成膜する。これにより、
記録補助層５上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第２の誘電
体層６が形成される。ここで、このスパッタ条件の一例
を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの不活性ガ
スを用い、スパッタリングパワーを０．６ｋＷ、雰囲気
ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍＴｏｒｒ）
とする。その後、この第２の誘電体層６まで形成された
ディスク基板２を、第４のスパッタリングチャンバから
搬出する。
ク基板２を、第４のスパッタリングチャンバ内に搬入
し、その所定位置に載置する。その後、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットを用いたスパッタリング法により、記録補
助層５上にＺｎＳ−ＳｉＯ2を成膜する。これにより、
記録補助層５上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる第２の誘電
体層６が形成される。ここで、このスパッタ条件の一例
を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの不活性ガ
スを用い、スパッタリングパワーを０．６ｋＷ、雰囲気
ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍＴｏｒｒ）
とする。その後、この第２の誘電体層６まで形成された
ディスク基板２を、第４のスパッタリングチャンバから
搬出する。
【００５６】次に、第２の誘電体層６まで形成されたデ
ィスク基板２を、第５のスパッタリングチャンバ内に搬
入し、その所定位置に載置する。その後、ＡｌＴｉ合金
からなるターゲットを用いたスパッタリング法により、
第２の誘電体層６上に、ＡｌＴｉ合金を成膜する。これ
により、第２の誘電体層６上に、ＡｌＴｉ合金からなる
第１の反射層７が形成される。ここで、このスパッタ条
件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの
不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを２．５ｋ
Ｗ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍ
Ｔｏｒｒ）とする。その後、この第１の反射層７まで形
成されたディスク基板２を、第５のスパッタリングチャ
ンバから搬出する。
ィスク基板２を、第５のスパッタリングチャンバ内に搬
入し、その所定位置に載置する。その後、ＡｌＴｉ合金
からなるターゲットを用いたスパッタリング法により、
第２の誘電体層６上に、ＡｌＴｉ合金を成膜する。これ
により、第２の誘電体層６上に、ＡｌＴｉ合金からなる
第１の反射層７が形成される。ここで、このスパッタ条
件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの
不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを２．５ｋ
Ｗ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍ
Ｔｏｒｒ）とする。その後、この第１の反射層７まで形
成されたディスク基板２を、第５のスパッタリングチャ
ンバから搬出する。
【００５７】その後、第１の反射層７の表面に、例えば
スピンコート法やロールコート法などにより、紫外線硬
化樹脂層８を形成する。
スピンコート法やロールコート法などにより、紫外線硬
化樹脂層８を形成する。
【００５８】以上により、記録層４として相変化材料の
ＧｅＴｅを用いた、この第１の実施形態による追記型の
光ディスク１が製造される。
ＧｅＴｅを用いた、この第１の実施形態による追記型の
光ディスク１が製造される。
【００５９】本発明者は、以上のように製造されたこの
第１の実施形態による光ディスク１において、記録補助
層５の膜厚ａを、ｄ／４≦ａ≦３ｄの範囲内、具体的に
は、ａ＝ｄ／４、ａ＝ｄ／２、ａ＝ｄ、ａ＝２ｄ、ａ＝
３ｄとした光ディスク１をそれぞれ製造し、それらの光
ディスク１における記録再生特性を、評価器を用いて測
定した。すなわち、５種類の光ディスク１の記録再生特
性を評価することによって、キャリアの記録補助層５の
膜厚依存性を評価した。なお、この光ディスクを評価し
た際に用いられた評価器においては、レーザ光の波長を
６６０ｎｍとし、対物レンズの開口数ＮＡを０．５７５
とする。
第１の実施形態による光ディスク１において、記録補助
層５の膜厚ａを、ｄ／４≦ａ≦３ｄの範囲内、具体的に
は、ａ＝ｄ／４、ａ＝ｄ／２、ａ＝ｄ、ａ＝２ｄ、ａ＝
３ｄとした光ディスク１をそれぞれ製造し、それらの光
ディスク１における記録再生特性を、評価器を用いて測
定した。すなわち、５種類の光ディスク１の記録再生特
性を評価することによって、キャリアの記録補助層５の
膜厚依存性を評価した。なお、この光ディスクを評価し
た際に用いられた評価器においては、レーザ光の波長を
６６０ｎｍとし、対物レンズの開口数ＮＡを０．５７５
とする。
【００６０】この評価における結果を図２に示す。な
お、図２のグラフにおいて、横軸を記録補助層５の膜
厚、縦軸をキャリアとし、ランドの評価値を「◆」で示
し、グルーブの評価値を「■」で示す。さらに、本発明
者は、レーザ光の振幅の、記録補助層５の膜厚依存性に
ついての光学計算を行った。その計算結果を図３に示
す。
お、図２のグラフにおいて、横軸を記録補助層５の膜
厚、縦軸をキャリアとし、ランドの評価値を「◆」で示
し、グルーブの評価値を「■」で示す。さらに、本発明
者は、レーザ光の振幅の、記録補助層５の膜厚依存性に
ついての光学計算を行った。その計算結果を図３に示
す。
【００６１】図２から、グルーブにおいては、記録補助
層５の膜厚ａを、ｄ／４〜３ｄの範囲内で減少させてい
くのに伴い、キャリアが上昇していくことが分かる。こ
れに対し、ランドにおいては、記録補助層５の膜厚ａ
を、ｄ／４〜３ｄの範囲内で減少させていった場合で
も、キャリアの変化が小さくなることが分かる。
層５の膜厚ａを、ｄ／４〜３ｄの範囲内で減少させてい
くのに伴い、キャリアが上昇していくことが分かる。こ
れに対し、ランドにおいては、記録補助層５の膜厚ａ
を、ｄ／４〜３ｄの範囲内で減少させていった場合で
も、キャリアの変化が小さくなることが分かる。
【００６２】すなわち、キャリア変化における記録補助
層５の膜厚依存性は、グルーブの方が顕著に表れること
が分かる。これにより、記録補助層５の膜厚を意図的に
変化させることにより、ランドにおける信号特性をほぼ
一定にしつつ、グルーブにおける信号特性を変化可能と
なることが分かる。
層５の膜厚依存性は、グルーブの方が顕著に表れること
が分かる。これにより、記録補助層５の膜厚を意図的に
変化させることにより、ランドにおける信号特性をほぼ
一定にしつつ、グルーブにおける信号特性を変化可能と
なることが分かる。
【００６３】また、図３から、記録補助層５の膜厚ａ
を、記録層４の膜厚ｄの１／４倍以下に小さくするのに
伴って、振幅が急激に減少していくことが分かる。これ
により、所望の振幅を確保することを目的として行われ
る、記録補助層５の膜厚の制御が、非常に困難になるこ
とが分かる。他方、記録補助層５の膜厚ａを、記録層４
の膜厚ｄの１／４倍より大きくした場合には、振幅の変
化は非常に緩やかになり、記録補助層５の膜厚の制御を
容易に行うことができることが分かる。このような観点
から、記録補助層５の膜厚ａは、記録層４の膜厚ｄの１
／４倍より大きくすることが望ましい。
を、記録層４の膜厚ｄの１／４倍以下に小さくするのに
伴って、振幅が急激に減少していくことが分かる。これ
により、所望の振幅を確保することを目的として行われ
る、記録補助層５の膜厚の制御が、非常に困難になるこ
とが分かる。他方、記録補助層５の膜厚ａを、記録層４
の膜厚ｄの１／４倍より大きくした場合には、振幅の変
化は非常に緩やかになり、記録補助層５の膜厚の制御を
容易に行うことができることが分かる。このような観点
から、記録補助層５の膜厚ａは、記録層４の膜厚ｄの１
／４倍より大きくすることが望ましい。
【００６４】さらに、図２から、記録補助層５の膜厚ａ
をより小さくすると、ｄ／４になる段階において、ラン
ドにおけるキャリアの値とグルーブにおけるキャリアの
値とが、ともに減少していくことが分かる。すなわち、
記録補助層５の膜厚ａを記録層４の膜厚ｄの１／４以下
（ａ≦ｄ／４）にすると、ランドの信号特性とグルーブ
の信号特性とがともに劣化してしまうことが分かる。す
なわち、記録補助層５の膜厚ａは、少なくとも記録層４
の膜厚ｄの１／４より大きく（ｄ／４＜ａ）する必要が
あり、さらには、記録層４の膜厚ｄの１／２以上（ｄ／
２≦ａ）にするのが好ましい。また、本発明者の成膜実
験から得た知見によれば、記録補助層５の膜厚ａを記録
層４の膜厚ｄの１／４より大きく（ｄ／４＜ａ）するこ
とによって、記録補助層５を構成する材料を、記録層４
上に、島状構造にならないように成膜することができ
る。これによって、記録補助層５を均一に形成すること
が可能となる。
をより小さくすると、ｄ／４になる段階において、ラン
ドにおけるキャリアの値とグルーブにおけるキャリアの
値とが、ともに減少していくことが分かる。すなわち、
記録補助層５の膜厚ａを記録層４の膜厚ｄの１／４以下
（ａ≦ｄ／４）にすると、ランドの信号特性とグルーブ
の信号特性とがともに劣化してしまうことが分かる。す
なわち、記録補助層５の膜厚ａは、少なくとも記録層４
の膜厚ｄの１／４より大きく（ｄ／４＜ａ）する必要が
あり、さらには、記録層４の膜厚ｄの１／２以上（ｄ／
２≦ａ）にするのが好ましい。また、本発明者の成膜実
験から得た知見によれば、記録補助層５の膜厚ａを記録
層４の膜厚ｄの１／４より大きく（ｄ／４＜ａ）するこ
とによって、記録補助層５を構成する材料を、記録層４
上に、島状構造にならないように成膜することができ
る。これによって、記録補助層５を均一に形成すること
が可能となる。
【００６５】また、図３から、記録補助層５の膜厚ａを
大きくしていくと、緩やかではあるが振幅が減少してい
くことが分かる。そのため、記録補助層５の膜厚ａはあ
まり大きすぎない方が良く、記録層４の膜厚ｄの３倍以
下にすることが望ましい。
大きくしていくと、緩やかではあるが振幅が減少してい
くことが分かる。そのため、記録補助層５の膜厚ａはあ
まり大きすぎない方が良く、記録層４の膜厚ｄの３倍以
下にすることが望ましい。
【００６６】さらに、図２から、記録補助層５の膜厚ａ
を増加させ、その膜厚ａが記録層４の膜厚ｄの３倍以上
（３ｄ≦ａ）となった段階で、ランドのキャリアの値と
グルーブのキャリアの値とがともに、大幅に減少してし
まうことが分かる。したがって、記録補助層５の膜厚ａ
を記録層４の膜厚ｄの３倍以上（３ｄ≦ａ）にすると、
ランドの信号特性とグルーブの信号特性とがともに劣化
してしまい、図３に示す計算結果に準じた結果となるこ
とがわかる。すなわち、記録補助層５の膜厚ａは、少な
くとも記録層４の膜厚ｄの３倍未満（ａ＜３ｄ）にする
必要があり、さらには、記録層４の膜厚ｄの２倍以下
（ａ≦２ｄ）にするのが好ましい。
を増加させ、その膜厚ａが記録層４の膜厚ｄの３倍以上
（３ｄ≦ａ）となった段階で、ランドのキャリアの値と
グルーブのキャリアの値とがともに、大幅に減少してし
まうことが分かる。したがって、記録補助層５の膜厚ａ
を記録層４の膜厚ｄの３倍以上（３ｄ≦ａ）にすると、
ランドの信号特性とグルーブの信号特性とがともに劣化
してしまい、図３に示す計算結果に準じた結果となるこ
とがわかる。すなわち、記録補助層５の膜厚ａは、少な
くとも記録層４の膜厚ｄの３倍未満（ａ＜３ｄ）にする
必要があり、さらには、記録層４の膜厚ｄの２倍以下
（ａ≦２ｄ）にするのが好ましい。
【００６７】さらに、本発明者は、光学的なクロストー
クの記録補助層膜厚依存性を調べるために、記録補助層
５の膜厚をさまざまに変化させた場合において、２Ｔマ
ークを記録した際の、ランドからグルーブへのクロスト
ークの信号量およびグルーブからランドへのクロストー
クの信号量を測定した。図４に、これらのクロストーク
の信号量における記録補助層５の膜厚依存性を示す。な
お、図４において縦軸は、キャリアの値と比較可能にす
るために相対的なデシベル（ｄＢ）表示とし、グルーブ
からランドへのクロストークを「◆」で示し、ランドか
らグルーブへのクロストークを「■」で示した。
クの記録補助層膜厚依存性を調べるために、記録補助層
５の膜厚をさまざまに変化させた場合において、２Ｔマ
ークを記録した際の、ランドからグルーブへのクロスト
ークの信号量およびグルーブからランドへのクロストー
クの信号量を測定した。図４に、これらのクロストーク
の信号量における記録補助層５の膜厚依存性を示す。な
お、図４において縦軸は、キャリアの値と比較可能にす
るために相対的なデシベル（ｄＢ）表示とし、グルーブ
からランドへのクロストークを「◆」で示し、ランドか
らグルーブへのクロストークを「■」で示した。
【００６８】図４から、記録補助層５の膜厚ａを３ｄか
らｄ／２に減少させるのに伴い、グルーブにおける信号
量（キャリア）が大きくなっていく（図２参照）にもか
かわらず、グルーブからランドに漏れ込むクロストーク
は減少していくことが分かる。他方、ランドからグルー
ブに漏れ込むクロストークは、記録補助層５の膜厚ａを
３ｄからｄ／２に減少させるのに伴い、若干増加する程
度であり、顕著な増加は確認されない。すなわち、記録
補助層５の膜厚を意図的に変化させた場合でも、クロス
トークの増加を抑制しつつ、ランドおよびグルーブにお
けるキャリアを制御可能となることが分かる。
らｄ／２に減少させるのに伴い、グルーブにおける信号
量（キャリア）が大きくなっていく（図２参照）にもか
かわらず、グルーブからランドに漏れ込むクロストーク
は減少していくことが分かる。他方、ランドからグルー
ブに漏れ込むクロストークは、記録補助層５の膜厚ａを
３ｄからｄ／２に減少させるのに伴い、若干増加する程
度であり、顕著な増加は確認されない。すなわち、記録
補助層５の膜厚を意図的に変化させた場合でも、クロス
トークの増加を抑制しつつ、ランドおよびグルーブにお
けるキャリアを制御可能となることが分かる。
【００６９】以上説明したように、この第１の実施形態
による光ディスクによれば、ディスク基板２の一主面上
に、第１の誘電体層３、記録層４、記録補助層５、第２
の誘電体層６および第１の反射層７からなる積層膜が設
けられ、ランド・グルーブ記録方式を採用した光ディス
クにおいて、記録補助層５の膜厚ａを記録層４の膜厚ｄ
の１／４倍より大きくかつ３倍未満にすることにより、
特にグルーブ２ｃの信号振幅を大きくすることができる
とともに、ランド２ｂにおける信号特性を最適化した後
に記録補助層５の膜厚を制御することで、ランド２ｂに
おける信号特性とグルーブ２ｃにおける信号特性とをと
もに良好な状態で確保することができる。また、記録補
助層５の膜厚を意図的に制御することにより、ランド２
ｂにおける信号振幅を一定に保ちつつ、グルーブ２ｃに
おける信号振幅を変化させることができるので、ランド
２ｂにおける信号振幅とグルーブ２ｃにおける信号振幅
とを、互いに独立して変化させることができるので、設
計自由度を増加させることができ、記録層４における最
適な成膜条件を維持しつつ、ランド２ｂおよびグルーブ
２ｃの最適化を行うことができる。したがって、光ディ
スクにおいて、信号特性を良好な状態として、情報信号
の再生を行うことができるので、高い信頼性を有する光
ディスクを得ることができる。
による光ディスクによれば、ディスク基板２の一主面上
に、第１の誘電体層３、記録層４、記録補助層５、第２
の誘電体層６および第１の反射層７からなる積層膜が設
けられ、ランド・グルーブ記録方式を採用した光ディス
クにおいて、記録補助層５の膜厚ａを記録層４の膜厚ｄ
の１／４倍より大きくかつ３倍未満にすることにより、
特にグルーブ２ｃの信号振幅を大きくすることができる
とともに、ランド２ｂにおける信号特性を最適化した後
に記録補助層５の膜厚を制御することで、ランド２ｂに
おける信号特性とグルーブ２ｃにおける信号特性とをと
もに良好な状態で確保することができる。また、記録補
助層５の膜厚を意図的に制御することにより、ランド２
ｂにおける信号振幅を一定に保ちつつ、グルーブ２ｃに
おける信号振幅を変化させることができるので、ランド
２ｂにおける信号振幅とグルーブ２ｃにおける信号振幅
とを、互いに独立して変化させることができるので、設
計自由度を増加させることができ、記録層４における最
適な成膜条件を維持しつつ、ランド２ｂおよびグルーブ
２ｃの最適化を行うことができる。したがって、光ディ
スクにおいて、信号特性を良好な状態として、情報信号
の再生を行うことができるので、高い信頼性を有する光
ディスクを得ることができる。
【００７０】次に、この発明の第２の実施形態による光
ディスクについて説明する。図５に、この第２の実施形
態による光ディスクを示す。なお、この第２の実施形態
による光ディスクは、情報信号を書き換え可能な、書換
型光ディスクである。
ディスクについて説明する。図５に、この第２の実施形
態による光ディスクを示す。なお、この第２の実施形態
による光ディスクは、情報信号を書き換え可能な、書換
型光ディスクである。
【００７１】図５に示すように、この第２の実施形態に
よる光ディスク１１は、ディスク基板１２の一主面１２
ａ上に、第２の反射層１３、第３の誘電体層１４、記録
補助層１５、記録層１６および第４の誘電体層１７が順
次積層された積層膜と、この積層膜を覆うようにして設
けられた光透過層１８とから構成されている。
よる光ディスク１１は、ディスク基板１２の一主面１２
ａ上に、第２の反射層１３、第３の誘電体層１４、記録
補助層１５、記録層１６および第４の誘電体層１７が順
次積層された積層膜と、この積層膜を覆うようにして設
けられた光透過層１８とから構成されている。
【００７２】ディスク基板１２は、例えばポリカーボネ
ート（ＰＣ）やシクロオレフィンポリマー（例えば、ゼ
オネックス（登録商標））などの低吸水性の材料から構
成される。また、このディスク基板１２の厚さは、例え
ば０．６〜１．２ｍｍであり、この第２の実施形態にお
いては、例えば１．１ｍｍ程度である。また、このディ
スク基板１２の直径は、例えば１２０ｍｍである。ここ
で、この第２の実施形態による光ディスクは、ディスク
基板１２に対して薄い光透過層１８が設けられた側から
レーザ光を照射することにより、情報信号の記録／再生
を行うように構成されている。そのため、ディスク基板
１２としては、透過性を有するか否かを考慮する必要が
ないので、例えばＡｌなどの金属からなる基板を用いる
ことも可能である。また、ディスク基板１２として、ガ
ラス基板、または、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテ
レフタレートなどの樹脂からなる基板を用いることも可
能である。
ート（ＰＣ）やシクロオレフィンポリマー（例えば、ゼ
オネックス（登録商標））などの低吸水性の材料から構
成される。また、このディスク基板１２の厚さは、例え
ば０．６〜１．２ｍｍであり、この第２の実施形態にお
いては、例えば１．１ｍｍ程度である。また、このディ
スク基板１２の直径は、例えば１２０ｍｍである。ここ
で、この第２の実施形態による光ディスクは、ディスク
基板１２に対して薄い光透過層１８が設けられた側から
レーザ光を照射することにより、情報信号の記録／再生
を行うように構成されている。そのため、ディスク基板
１２としては、透過性を有するか否かを考慮する必要が
ないので、例えばＡｌなどの金属からなる基板を用いる
ことも可能である。また、ディスク基板１２として、ガ
ラス基板、または、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテ
レフタレートなどの樹脂からなる基板を用いることも可
能である。
【００７３】また、このディスク基板１２の一主面１２
ａには、凹凸がトラック状に形成されている。このトラ
ック状の凹凸における凹部は、レーザ光が入射する側か
ら遠い部分となり、この第２の実施形態においては、こ
の凹部をランド１２ｂと呼ぶ。また、凹凸における凸部
は、レーザ光が入射する側から近い部分となり、この第
２の実施形態においては、この凸部をグルーブ１２ｃと
呼ぶ。ここで、このランド１２ｂの幅Ｄlとグルーブ１
２ｃの幅Ｄgとの比、すなわちデューティ比（Ｄ l／
Ｄg）は、第１の実施形態におけると同様の理由によ
り、典型的には０．５〜２．０の範囲内から選ばれ、好
適には０．８〜１．２の範囲内から選ばれる。ここで、
この第２の実施形態において、ディスク基板１２の凹凸
における寸法の一例を挙げると、凹凸の溝トラックにお
けるトラックピッチ（Ｔｐ）を０．７７μｍ、グルーブ
の深さ（凹部の深さ）を７０ｎｍとし、ランドの幅Ｄl
を０．８２μｍ、グルーブの幅Ｄgを０．７２μｍとし
て、デューティ比は（０．８２／０．７２＝）１．１４
となる。
ａには、凹凸がトラック状に形成されている。このトラ
ック状の凹凸における凹部は、レーザ光が入射する側か
ら遠い部分となり、この第２の実施形態においては、こ
の凹部をランド１２ｂと呼ぶ。また、凹凸における凸部
は、レーザ光が入射する側から近い部分となり、この第
２の実施形態においては、この凸部をグルーブ１２ｃと
呼ぶ。ここで、このランド１２ｂの幅Ｄlとグルーブ１
２ｃの幅Ｄgとの比、すなわちデューティ比（Ｄ l／
Ｄg）は、第１の実施形態におけると同様の理由によ
り、典型的には０．５〜２．０の範囲内から選ばれ、好
適には０．８〜１．２の範囲内から選ばれる。ここで、
この第２の実施形態において、ディスク基板１２の凹凸
における寸法の一例を挙げると、凹凸の溝トラックにお
けるトラックピッチ（Ｔｐ）を０．７７μｍ、グルーブ
の深さ（凹部の深さ）を７０ｎｍとし、ランドの幅Ｄl
を０．８２μｍ、グルーブの幅Ｄgを０．７２μｍとし
て、デューティ比は（０．８２／０．７２＝）１．１４
となる。
【００７４】また、第２の反射層１３は、例えばＡｌ合
金からなり、この第２の実施形態においては、例えばＡ
ｌＴｉ合金からなる。また、この第２の反射層１３の膜
厚は、第１の実施形態におけると同様の理由により、具
体的には、２０〜１００ｎｍから選ばれ、例えば６０ｎ
ｍに選ばれる。
金からなり、この第２の実施形態においては、例えばＡ
ｌＴｉ合金からなる。また、この第２の反射層１３の膜
厚は、第１の実施形態におけると同様の理由により、具
体的には、２０〜１００ｎｍから選ばれ、例えば６０ｎ
ｍに選ばれる。
【００７５】また、第３の誘電体層１４の材料は、記録
／再生用のレーザ光に対して吸収能が低い材料、具体的
には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構成すること
が好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、例えばＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（特に、そのモル比率が約４：１のもの）
を挙げることができる。
／再生用のレーザ光に対して吸収能が低い材料、具体的
には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構成すること
が好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、例えばＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（特に、そのモル比率が約４：１のもの）
を挙げることができる。
【００７６】また、記録補助層１５の材料は、ＳｎＴ
ｅ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅ、Ｐ
ｂＳｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選
ばれた少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材
料であり、具体的には、上述した特定の化合物の含有率
を５０体積％以上、より好適には７０体積％以上とした
ものである。また、この記録補助層１５は、記録層１６
に対して均一に接触することが望ましい。ここで、この
第２の実施形態においては、記録補助層１５は例えばＳ
ｎＴｅから構成される。
ｅ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＧｅＮ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳｅ、Ｐ
ｂＳｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選
ばれた少なくとも１種類の化合物を主成分として含む材
料であり、具体的には、上述した特定の化合物の含有率
を５０体積％以上、より好適には７０体積％以上とした
ものである。また、この記録補助層１５は、記録層１６
に対して均一に接触することが望ましい。ここで、この
第２の実施形態においては、記録補助層１５は例えばＳ
ｎＴｅから構成される。
【００７７】また、記録補助層１５の膜厚ａは、第１の
実施形態におけると同様の理由から、後述する記録層１
６の膜厚ｄの１／４より大きく、３倍より小さい範囲か
ら選ばれる。すなわち、記録補助層１５は、その膜厚ａ
と記録層１６の膜厚ｄとにおいて、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立するように構成され、信号特性の向上の観点か
ら、 ｄ／２≦ａ≦２ｄ が成立するように構成される。
実施形態におけると同様の理由から、後述する記録層１
６の膜厚ｄの１／４より大きく、３倍より小さい範囲か
ら選ばれる。すなわち、記録補助層１５は、その膜厚ａ
と記録層１６の膜厚ｄとにおいて、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立するように構成され、信号特性の向上の観点か
ら、 ｄ／２≦ａ≦２ｄ が成立するように構成される。
【００７８】また、記録層１６は、例えばＧｅＳｂＴｅ
合金からなる。また、この記録層１６の膜厚ｄは、第１
の実施形態におけると同様の理由から、５ｎｍ≦ｄ≦５
０ｎｍの範囲から選ばれる。また、本発明者の記録層１
６における信号特性の実験から得た知見によれば、良好
なシグナルを得ることができる膜厚ｄの範囲を考慮する
と、記録層１６の膜厚ｄは１０ｎｍ≦ｄ≦４０ｎｍの範
囲から選ばれることが望ましい。ここで、この第２の実
施形態においては、記録層１６の膜厚は、例えば２０ｎ
ｍ程度である。
合金からなる。また、この記録層１６の膜厚ｄは、第１
の実施形態におけると同様の理由から、５ｎｍ≦ｄ≦５
０ｎｍの範囲から選ばれる。また、本発明者の記録層１
６における信号特性の実験から得た知見によれば、良好
なシグナルを得ることができる膜厚ｄの範囲を考慮する
と、記録層１６の膜厚ｄは１０ｎｍ≦ｄ≦４０ｎｍの範
囲から選ばれることが望ましい。ここで、この第２の実
施形態においては、記録層１６の膜厚は、例えば２０ｎ
ｍ程度である。
【００７９】また、第４の誘電体層１７の材料は、記録
／再生用のレーザ光に対して吸収能（吸収率）が低い材
料、具体的には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構
成することが好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、
例えばＳｉＮを挙げることができる。また、第４の誘電
体層１７の膜厚は２００ｎｍ以下に選ばれ、この第２の
実施形態においては、例えば１０ｎｍに選ばれる。な
お、この第２の実施形態においては、第３の誘電体層１
４と第４の誘電体層１７とを互いに異なる材料から構成
したが、それぞれ互いに同じ材料を用いることも可能で
ある。
／再生用のレーザ光に対して吸収能（吸収率）が低い材
料、具体的には、消衰係数ｋが０．３以下の材料より構
成することが好ましく、耐熱性の観点をも考慮すると、
例えばＳｉＮを挙げることができる。また、第４の誘電
体層１７の膜厚は２００ｎｍ以下に選ばれ、この第２の
実施形態においては、例えば１０ｎｍに選ばれる。な
お、この第２の実施形態においては、第３の誘電体層１
４と第４の誘電体層１７とを互いに異なる材料から構成
したが、それぞれ互いに同じ材料を用いることも可能で
ある。
【００８０】以上のようにして構成されたこの第２の実
施形態による光ディスクにおいては、図５に示すよう
に、ディスク基板１２に対して積層膜が存在する側か
ら、レーザ光Ｌ2が入射されて、ランド１２ｂの上方お
よびグルーブ１２ｃの上方のそれぞれの記録層１６に照
射されることにより情報信号の記録および／または再生
が行われる。
施形態による光ディスクにおいては、図５に示すよう
に、ディスク基板１２に対して積層膜が存在する側か
ら、レーザ光Ｌ2が入射されて、ランド１２ｂの上方お
よびグルーブ１２ｃの上方のそれぞれの記録層１６に照
射されることにより情報信号の記録および／または再生
が行われる。
【００８１】次に、以上のように構成されたこの第２の
実施形態による光ディスク１１の製造方法について説明
する。
実施形態による光ディスク１１の製造方法について説明
する。
【００８２】すなわち、まず、例えば射出成形法によ
り、案内溝（凹凸溝トラック）を設けた清浄なディスク
基板１２（例えば、厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッ
チ：０．７７μｍ、ランドの幅：０．８２μｍ、グルー
ブの幅：０．７２μｍ、グルーブの深さ：７０ｎｍ）を
製造する。
り、案内溝（凹凸溝トラック）を設けた清浄なディスク
基板１２（例えば、厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッ
チ：０．７７μｍ、ランドの幅：０．８２μｍ、グルー
ブの幅：０．７２μｍ、グルーブの深さ：７０ｎｍ）を
製造する。
【００８３】次に、凹凸溝トラックが形成されたディス
ク基板１２を、第１のスパッタリングチャンバ内に搬入
し、その所定位置に載置する。その後、ＡｌＴｉ合金か
らなるターゲットを用いたスパッタリング法により、少
なくとも凹凸が形成された溝トラック上に、ＡｌＴｉ合
金を成膜する。これにより、ディスク基板１２上に、Ａ
ｌＴｉ合金からなる第２の反射層１３が形成される。こ
こで、このスパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガス
としてＡｒガスなどの不活性ガスを用い、スパッタリン
グパワーを２．５ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１
０-1Ｐａ（１．０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この第
２の反射層１３が形成されたディスク基板１２を、第１
のスパッタリングチャンバから搬出する。
ク基板１２を、第１のスパッタリングチャンバ内に搬入
し、その所定位置に載置する。その後、ＡｌＴｉ合金か
らなるターゲットを用いたスパッタリング法により、少
なくとも凹凸が形成された溝トラック上に、ＡｌＴｉ合
金を成膜する。これにより、ディスク基板１２上に、Ａ
ｌＴｉ合金からなる第２の反射層１３が形成される。こ
こで、このスパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガス
としてＡｒガスなどの不活性ガスを用い、スパッタリン
グパワーを２．５ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１
０-1Ｐａ（１．０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この第
２の反射層１３が形成されたディスク基板１２を、第１
のスパッタリングチャンバから搬出する。
【００８４】次に、第２の反射層１３まで形成されたデ
ィスク基板１２を、第２のスパッタリングチャンバ内に
搬入し、その所定位置に載置する。その後、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ 2ターゲットを用いたスパッタリング法により、第
２の反射層１３上にＺｎＳ−ＳｉＯ2を成膜する。これ
により、第２の反射層１３上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からな
る第３の誘電体層１４が形成される。ここで、このスパ
ッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガス
などの不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．
６ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．
０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この第３の誘電体層１
４まで形成されたディスク基板１２を、第２のスパッタ
リングチャンバから搬出する。
ィスク基板１２を、第２のスパッタリングチャンバ内に
搬入し、その所定位置に載置する。その後、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ 2ターゲットを用いたスパッタリング法により、第
２の反射層１３上にＺｎＳ−ＳｉＯ2を成膜する。これ
により、第２の反射層１３上にＺｎＳ−ＳｉＯ2からな
る第３の誘電体層１４が形成される。ここで、このスパ
ッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガス
などの不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．
６ｋＷ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．
０ｍＴｏｒｒ）とする。その後、この第３の誘電体層１
４まで形成されたディスク基板１２を、第２のスパッタ
リングチャンバから搬出する。
【００８５】次に、第３の誘電体層１４まで成膜された
ディスク基板１２を、第３のスパッタリングチャンバ内
に搬入し、その所定位置に載置する。その後、ＳｎＴｅ
合金ターゲットを用いたスパッタリング法により、第３
の誘電体層１４上にＳｎＴｅ合金を成膜する。これによ
り、第３の誘電体層１４上にＳｎＴｅ合金からなる記録
補助層１５が均一に形成される。ここで、このスパッタ
条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなど
の不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．３ｋ
Ｗ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍ
Ｔｏｒｒ）とする。その後、この記録補助層１５まで形
成されたディスク基板１２を、第３のスパッタリングチ
ャンバから搬出する。
ディスク基板１２を、第３のスパッタリングチャンバ内
に搬入し、その所定位置に載置する。その後、ＳｎＴｅ
合金ターゲットを用いたスパッタリング法により、第３
の誘電体層１４上にＳｎＴｅ合金を成膜する。これによ
り、第３の誘電体層１４上にＳｎＴｅ合金からなる記録
補助層１５が均一に形成される。ここで、このスパッタ
条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなど
の不活性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．３ｋ
Ｗ、雰囲気ガスの圧力を１．３×１０-1Ｐａ（１．０ｍ
Ｔｏｒｒ）とする。その後、この記録補助層１５まで形
成されたディスク基板１２を、第３のスパッタリングチ
ャンバから搬出する。
【００８６】次に、この記録補助層１５まで形成された
ディスク基板１２を第４のスパッタリングチャンバ内に
搬入し、所定位置に載置する。その後、スパッタリング
法により、記録補助層１５上に、例えばＧｅＳｂＴｅ合
金を成膜する。これにより、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる
記録層１６が形成される。ここで、このスパッタ条件の
一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの不活
性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．３ｋＷ、雰
囲気ガスの圧力を０．４Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）とす
る。その後、この記録層１６まで形成されたディスク基
板１２を第４のスパッタリングチャンバから搬出する。
ディスク基板１２を第４のスパッタリングチャンバ内に
搬入し、所定位置に載置する。その後、スパッタリング
法により、記録補助層１５上に、例えばＧｅＳｂＴｅ合
金を成膜する。これにより、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる
記録層１６が形成される。ここで、このスパッタ条件の
一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスなどの不活
性ガスを用い、スパッタリングパワーを０．３ｋＷ、雰
囲気ガスの圧力を０．４Ｐａ（３．０ｍＴｏｒｒ）とす
る。その後、この記録層１６まで形成されたディスク基
板１２を第４のスパッタリングチャンバから搬出する。
【００８７】次に、この記録層１６まで形成されたディ
スク基板１２を、Ｓｉターゲットが設置された第５のス
パッタリングチャンバ内に搬入し、所定位置に載置す
る。その後、反応ガスとしてＮ2ガスを用いたスパッタ
リング法により、第２の反射層１３上に例えばＳｉＮを
成膜する。これにより、第２の反射層１３上にＳｉＮか
らなる第３の誘電体層１４が形成される。ここで、この
スパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして、Ａ
ｒガスなどの不活性ガスとＮ2ガスの反応ガスを用い、
それらの流量比をＡｒ：Ｎ2＝３：１、圧力を０．６Ｐ
ａとし、スパッタリングパワーを２．５ｋＷとする。そ
の後、この第４の誘電体層１７が形成されたディスク基
板１２を第５のスパッタリングチャンバから搬出する。
スク基板１２を、Ｓｉターゲットが設置された第５のス
パッタリングチャンバ内に搬入し、所定位置に載置す
る。その後、反応ガスとしてＮ2ガスを用いたスパッタ
リング法により、第２の反射層１３上に例えばＳｉＮを
成膜する。これにより、第２の反射層１３上にＳｉＮか
らなる第３の誘電体層１４が形成される。ここで、この
スパッタ条件の一例を挙げると、雰囲気ガスとして、Ａ
ｒガスなどの不活性ガスとＮ2ガスの反応ガスを用い、
それらの流量比をＡｒ：Ｎ2＝３：１、圧力を０．６Ｐ
ａとし、スパッタリングパワーを２．５ｋＷとする。そ
の後、この第４の誘電体層１７が形成されたディスク基
板１２を第５のスパッタリングチャンバから搬出する。
【００８８】その後、第２の反射層１３、第３の誘電体
層１４、記録補助層１５、記録層１６および第４の誘電
体層１７からなる積層膜を覆うようにして、所定の貼り
合わせ装置（図示せず）を用いて、接着層１８ａを介し
て光透過性シート１８ｂを貼り合わせる。これにより、
光透過層１８が形成される。
層１４、記録補助層１５、記録層１６および第４の誘電
体層１７からなる積層膜を覆うようにして、所定の貼り
合わせ装置（図示せず）を用いて、接着層１８ａを介し
て光透過性シート１８ｂを貼り合わせる。これにより、
光透過層１８が形成される。
【００８９】以上により、この第２の実施形態による光
ディスク１１が製造される。
ディスク１１が製造される。
【００９０】この第２の実施形態による光ディスク１１
によれば、記録補助層１５の膜厚ａを記録層１６の膜厚
ｄに対して、ｄ／４＜ａ＜３ｄの範囲内にしていること
により、第１の実施形態におけると同様の効果を得るこ
とができ、このように構成された光ディスク１１におい
ても、第１の実施形態による光ディスク１と同様の効果
を得ることができることが確認された。
によれば、記録補助層１５の膜厚ａを記録層１６の膜厚
ｄに対して、ｄ／４＜ａ＜３ｄの範囲内にしていること
により、第１の実施形態におけると同様の効果を得るこ
とができ、このように構成された光ディスク１１におい
ても、第１の実施形態による光ディスク１と同様の効果
を得ることができることが確認された。
【００９１】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００９２】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値、材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと
異なる数値、材料を用いてもよい。
値、材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと
異なる数値、材料を用いてもよい。
【００９３】例えば、上述の第１の実施形態において
は、この発明を、相変化材料からなる記録層４を有し、
記録が追記的に行われる追記型光ディスクに適用する場
合について説明したが、必ずしも追記型光ディスクに限
るものではなく、その他の光ディスク、具体的には、書
換可能型光ディスクなどに適用することも可能である。
は、この発明を、相変化材料からなる記録層４を有し、
記録が追記的に行われる追記型光ディスクに適用する場
合について説明したが、必ずしも追記型光ディスクに限
るものではなく、その他の光ディスク、具体的には、書
換可能型光ディスクなどに適用することも可能である。
【００９４】また、例えば上述の第２の実施形態におい
ては、第２の反射層１３の材料としてＡｌＴｉ合金を用
いたが、第２の反射層１３の材料としては、ＡｌＴｉ合
金以外にも、ＡｌＣｕ合金などの他のＡｌ合金、Ａｌ、
銀（Ａｇ）、ＡｇＰｄＣｕ合金などのＡｇ合金、銅（Ｃ
ｕ）、Ｃｕ合金などを用いることも可能である。また、
上述の第２の実施形態においては、記録層１６として、
ＧｅＳｂＴｅ合金からなるものを用いたが、記録層１６
としては、所望とする特性に応じて、ＧｅＴｅ合金、Ｇ
ｅＩｎＳｂＴｅ合金、ＡｇＩｎＳｂＴｅ合金などのその
他の材料を用いることも可能である。
ては、第２の反射層１３の材料としてＡｌＴｉ合金を用
いたが、第２の反射層１３の材料としては、ＡｌＴｉ合
金以外にも、ＡｌＣｕ合金などの他のＡｌ合金、Ａｌ、
銀（Ａｇ）、ＡｇＰｄＣｕ合金などのＡｇ合金、銅（Ｃ
ｕ）、Ｃｕ合金などを用いることも可能である。また、
上述の第２の実施形態においては、記録層１６として、
ＧｅＳｂＴｅ合金からなるものを用いたが、記録層１６
としては、所望とする特性に応じて、ＧｅＴｅ合金、Ｇ
ｅＩｎＳｂＴｅ合金、ＡｇＩｎＳｂＴｅ合金などのその
他の材料を用いることも可能である。
【００９５】また、例えば上述の第２の実施形態におい
ては、ディスク基板１２の一主面１２ａに形成された凹
凸溝トラックにおけるトラックピッチＴｐを０．７７μ
ｍとしたが、必要に応じてこの値以外の値でも良く、具
体的にレーザ光として波長が４０５ｎｍ程度の青色レー
ザを用い、２群レンズを用いてＮＡを高め、０．８５程
度とした場合には、トラックピッチＴｐを０．７４μｍ
以下、具体的には０．３μｍ程度にしてもよい。
ては、ディスク基板１２の一主面１２ａに形成された凹
凸溝トラックにおけるトラックピッチＴｐを０．７７μ
ｍとしたが、必要に応じてこの値以外の値でも良く、具
体的にレーザ光として波長が４０５ｎｍ程度の青色レー
ザを用い、２群レンズを用いてＮＡを高め、０．８５程
度とした場合には、トラックピッチＴｐを０．７４μｍ
以下、具体的には０．３μｍ程度にしてもよい。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ディスク基板の少なくとも一方の面に凹凸が設けら
れ、ディスク基板の凹凸が設けられた面上に、レーザ光
を照射することにより情報信号を記録可能に構成された
記録層と、記録層に隣接した記録補助層とが少なくとも
積層された積層膜が設けられた光学記録媒体を、記録層
の膜厚ｄと記録補助層の膜厚ａとの間において、ｄ／４
＜ａ＜３ｄが成立するように構成していることにより、
良好な信号特性を得るための自由度を向上させることが
でき、記録や再生などにおいて、信号特性に優れ、高い
信頼性を有する光学記録媒体を得ることができる。
ば、ディスク基板の少なくとも一方の面に凹凸が設けら
れ、ディスク基板の凹凸が設けられた面上に、レーザ光
を照射することにより情報信号を記録可能に構成された
記録層と、記録層に隣接した記録補助層とが少なくとも
積層された積層膜が設けられた光学記録媒体を、記録層
の膜厚ｄと記録補助層の膜厚ａとの間において、ｄ／４
＜ａ＜３ｄが成立するように構成していることにより、
良好な信号特性を得るための自由度を向上させることが
でき、記録や再生などにおいて、信号特性に優れ、高い
信頼性を有する光学記録媒体を得ることができる。
【図１】この発明の第１の実施形態による光ディスクを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による光ディスクに
おけるキャリアの記録補助層の膜厚依存性を示すグラフ
である。
おけるキャリアの記録補助層の膜厚依存性を示すグラフ
である。
【図３】この発明の第１の実施形態による光ディスクに
おける信号振幅における記録補助層の膜厚依存性を示す
グラフである。
おける信号振幅における記録補助層の膜厚依存性を示す
グラフである。
【図４】この発明の第１の実施形態による光ディスクに
おけるクロストーク信号の記録補助層の膜厚依存性を示
すグラフである。
おけるクロストーク信号の記録補助層の膜厚依存性を示
すグラフである。
【図５】この発明の第２の実施形態による光ディスクを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】この発明による光学記録媒体における相変化記
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
【図７】この発明による光学記録媒体における相変化記
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
【図８】この発明による光学記録媒体における相変化記
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
録層の好適な組成を示す三角グラフである。
１，１１・・・光ディスク、２，１２・・・ディスク基
板、２ａ，１２ａ・・・一主面、２ｂ，１２ｂ・・・ラ
ンド、２ｃ，１２ｃ・・・グルーブ、３・・・第１の誘
電体層、４，１６・・・記録層、５，１５・・・記録補
助層、６・・・第２の誘電体層、７・・・第１の反射
層、８・・・紫外線硬化樹脂層、１３・・・第２の反射
層、１４・・・第３の誘電体層、１７・・・第４の誘電
体層、１８・・・光透過層、１８ａ・・・接着層、１８
ｂ・・・光透過性シート
板、２ａ，１２ａ・・・一主面、２ｂ，１２ｂ・・・ラ
ンド、２ｃ，１２ｃ・・・グルーブ、３・・・第１の誘
電体層、４，１６・・・記録層、５，１５・・・記録補
助層、６・・・第２の誘電体層、７・・・第１の反射
層、８・・・紫外線硬化樹脂層、１３・・・第２の反射
層、１４・・・第３の誘電体層、１７・・・第４の誘電
体層、１８・・・光透過層、１８ａ・・・接着層、１８
ｂ・・・光透過性シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB05 JB35 JB45 WA01 WA27 WA29 WB12 WB13 WC10 WD11 5D121 AA01 AA04 AA05 EE03 EE13 EE14 EE27
Claims (41)
- 【請求項１】 ディスク基板の少なくとも一方の面に凹
凸が設けられ、 上記ディスク基板の凹凸が設けられた面上に、レーザ光
を照射することにより情報信号を記録可能に構成された
記録層と、上記記録層に隣接した記録補助層とが少なく
とも積層された積層膜が設けられた光学記録媒体であっ
て、 上記記録層の膜厚をｄとし、上記記録補助層の膜厚をａ
としたときに、 ｄ／４＜ａ＜３ｄ が成立することを特徴とする光学記録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層が、可逆的に変化する少なく
とも２つの状態の変化により上記情報信号を記録可能に
構成されていることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。 - 【請求項３】 上記記録層が、結晶相と非晶質相との相
変化により上記情報信号を記録可能に構成された相変化
材料からなることを特徴とする請求項１記載の光学記録
媒体。 - 【請求項４】 情報信号の記録および／または再生に用
いられるレーザ光が、上記積層膜に対して、上記ディス
ク基板が存在する側から、上記記録層に照射されるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１記載の光学
記録媒体。 - 【請求項５】 上記積層膜が、上記ディスク基板の上記
凹凸が設けられた面に近い側から、第１の誘電体層、上
記記録層、上記記録補助層、第２の誘電体層および第１
の反射層が順次積層されて構成されていることを特徴と
する請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項６】 上記ディスク基板上の上記積層膜を覆う
ようにして、合成樹脂からなる層が設けられていること
を特徴とする請求項４記載の光学記録媒体。 - 【請求項７】 情報信号の記録および／または再生に用
いられるレーザ光が、上記ディスク基板に対して、上記
積層膜が存在する側から、上記記録層に照射されるよう
に構成されていることを特徴とする請求項１記載の光学
記録媒体。 - 【請求項８】 上記積層膜が、上記ディスク基板の上記
凹凸が設けられた面に近い側から、第２の反射層、第３
の誘電体層、上記記録補助層、上記記録層および第４の
誘電体層が順次積層されて構成されていることを特徴と
する請求項７記載の光学記録媒体。 - 【請求項９】 上記ディスク基板上の上記積層膜を覆う
ようにして、上記レーザ光を透過可能な光透過層が設け
られていることを特徴とする請求項７記載の光学記録媒
体。 - 【請求項１０】 上記ディスク基板の凹凸が形成された
部分において、上記レーザ光が入射側から近い部分にお
ける段差の幅Ｄgと、上記レーザ光の入射から遠い側の
部分における段差の幅Ｄlとの比率が、０．５≦Ｄl／Ｄ
g≦２．０を満たすことを特徴とする請求項１記載の光
学記録媒体。 - 【請求項１１】 上記ディスク基板の凹凸が形成された
部分において、上記レーザ光の入射から近い側の部分に
おける段差の幅Ｄgと、上記レーザ光の入射から遠い側
の部分における幅Ｄlとの比率が、０．８≦Ｄl／Ｄg≦
１．２を満たすことを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。 - 【請求項１２】 上記情報信号の記録および／または再
生に用いられる対物レンズの開口数が０．４５以上０．
６０以下であることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。 - 【請求項１３】 上記記録層の膜厚が、５ｎｍ以上５０
ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。 - 【請求項１４】 上記記録層の膜厚が、１０ｎｍ以上４
０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光学
記録媒体。 - 【請求項１５】 上記記録補助層の膜厚が、３ｎｍ以上
１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
光学記録媒体。 - 【請求項１６】 上記記録補助層の膜厚が、５ｎｍ以上
６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光
学記録媒体。 - 【請求項１７】 上記記録層が、上記情報信号を追記的
に記録可能に構成されていることを特徴とする請求項１
記載の光学記録媒体。 - 【請求項１８】 上記記録層がＧｅＴｅ系合金またはＧ
ｅＳｂＴｅ系合金からなることを特徴とする請求項１記
載の光学記録媒体。 - 【請求項１９】 上記記録補助層が、ＳｎＴｅ、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＳｎＳｅ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、
Ｂｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選ばれた少
なくとも１種類の化合物を主成分として含む材料からな
ることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項２０】 上記レーザ光により、上記ディスク基
板の凹凸における凸部分の上方に設けられた記録層と、
凹部分の底部の上方に設けられた記録層とに記録マーク
を記録可能に構成されていることを特徴とする請求項１
記載の光学記録媒体。 - 【請求項２１】 上記レーザ光が照射される側に上記記
録層が設けられるように構成されていることを特徴とす
る請求項１記載の光学記録媒体。 - 【請求項２２】 ディスク基板の凹凸が設けられた面上
に、レーザ光を照射することにより情報信号を記録可能
に構成された記録層と、上記記録層に隣接した記録補助
層とが少なくとも積層された積層膜を形成するようにし
た光学記録媒体の製造方法であって、 上記記録層の膜厚をｄとし、上記記録補助層の膜厚をａ
としたときに、 上記記録補助層を、 ｄ／４＜ａ＜３ｄの膜厚に形成するようにしたことを特
徴とする光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項２３】 上記記録層を、可逆的に変化する少な
くとも２つの状態の変化により上記情報信号を記録可能
な材料から形成するようにしたことを特徴とする請求項
２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項２４】 上記記録層を、結晶相と非晶質相との
相変化により上記情報信号を記録可能な相変化材料から
形成するようにしたことを特徴とする請求項２２記載の
光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項２５】 上記レーザ光を、上記積層膜に対して
上記ディスク基板が存在する側から、上記記録層に照射
することにより、上記記録層に上記情報信号を記録する
ようにしたことを特徴とする請求項２２記載の光学記録
媒体の製造方法。 - 【請求項２６】 上記ディスク基板の上記凹凸が設けら
れた面に近い側から、第１の誘電体層、上記記録層、上
記記録補助層、第２の誘電体層および第１の反射層を順
次成膜することにより、上記積層膜を形成するようにし
たことを特徴とする請求項２５記載の光学記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２７】 上記ディスク基板上に上記積層膜を形
成した後、上記積層膜を覆うようにして合成樹脂からな
る層を形成することを特徴とする請求項２５記載の光学
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２８】 上記レーザ光を、上記ディスク基板に
対して上記積層膜が存在する側から、上記記録層に照射
することにより、上記記録層に上記情報信号を記録可能
に形成することを特徴とする請求項２２記載の光学記録
媒体の製造方法。 - 【請求項２９】 上記ディスク基板の上記凹凸が設けら
れた面上に、第２の反射層、第３の誘電体層、上記記録
補助層、上記記録層および第４の誘電体層を順次成膜す
ることにより、上記積層膜を形成するようにしたことを
特徴とする請求項２８記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３０】 上記ディスク基板上の上記積層膜を形
成した後、上記積層膜を覆うようにして、上記レーザ光
を透過可能な光透過層を形成するようにしたことを特徴
とする請求項２８記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３１】 上記ディスク基板の凹凸が形成された
部分において、上記レーザ光が入射側から近い部分にお
ける段差の幅Ｄgと、上記レーザ光の入射から遠い側の
部分における段差の幅Ｄlとの比率が、０．５≦Ｄl／Ｄ
g≦２．０を満たすことを特徴とする請求項２２記載の
光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３２】 上記ディスク基板の凹凸が形成された
部分において、上記レーザ光の入射から近い側の部分に
おける段差の幅Ｄgと、上記レーザ光の入射から遠い側
の部分における幅Ｄlとの比率が、０．８≦Ｄl／Ｄg≦
１．２を満たすことを特徴とする請求項２２記載の光学
記録媒体の製造方法。 - 【請求項３３】 上記情報信号の記録および／または再
生の際に用いられる対物レンズの開口数が０．４５以上
０．６０以下であることを特徴とする請求項２２記載の
光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３４】 上記記録層を、５ｎｍ以上５０ｎｍ以
下の膜厚に形成するようにしたことを特徴とする請求項
２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３５】 上記記録層を、１０ｎｍ以上４０ｎｍ
以下の膜厚に形成するようにしたことを特徴とする請求
項２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３６】 上記記録補助層を、３ｎｍ以上１００
ｎｍ以下の膜厚に形成するようにしたことを特徴とする
請求項２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３７】 上記記録補助層の膜厚を、５ｎｍ以上
６０ｎｍ以下の膜厚に形成するようにしたことを特徴と
する請求項２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３８】 上記記録層を、上記情報信号を追記的
に記録可能に形成するようにしたことを特徴とする請求
項２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項３９】 上記記録層を、ＧｅＴｅ系合金または
ＧｅＳｂＴｅ系合金から形成するようにしたことを特徴
とする請求項２２記載の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項４０】 上記記録補助層を、ＳｉＣ、ＳｉＮ、
ＳｎＴｅ、ＳｎＳｅ、ＧｅＮ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、Ｂ
ｉ2Ｔｅ3およびＳｂ2Ｔｅ3からなる群より選ばれた少な
くとも１種類の化合物を主成分として含む材料から形成
するようにしたことを特徴とする請求項２２記載の光学
記録媒体の製造方法。 - 【請求項４１】 上記凹凸が形成された上記ディスク基
板の上記凹凸における凸部分の上部と凹部分の底部とに
上記レーザ光により記録マークを記録可能に形成するこ
とを特徴とする請求項２２記載の光学記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001071793A JP2002269812A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
| PCT/JP2002/001412 WO2002073611A1 (fr) | 2001-03-14 | 2002-02-19 | Support d'enregistrement optique et son procede de fabrication |
| EP02712452A EP1369859A4 (en) | 2001-03-14 | 2002-02-19 | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US10/276,126 US7353528B2 (en) | 2001-03-14 | 2002-02-19 | Optical recording medium and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001071793A JP2002269812A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002269812A true JP2002269812A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18929470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001071793A Pending JP2002269812A (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7353528B2 (ja) |
| EP (1) | EP1369859A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002269812A (ja) |
| WO (1) | WO2002073611A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010020825A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Elpida Memory Inc | 相変化固体メモリの記録材料及び相変化固体メモリ |
| US7787353B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1562188A1 (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-10 | Optodisc Technology Corporation | Improved rewritable optical storage medium |
| TWI356404B (en) * | 2004-03-08 | 2012-01-11 | Panasonic Corp | Optical recording medium, method for manufacturing |
| KR100597992B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2006-07-10 | 한국과학기술연구원 | 초해상층을 갖는 광 정보저장 매체 |
| US8277919B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-10-02 | VMO Systems, Inc. | Reflective coating for an optical disc |
| JP2012164372A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Sony Corp | 光情報記録媒体の製造方法および光情報記録媒体 |
| EP2874182A1 (fr) * | 2013-11-19 | 2015-05-20 | Gemalto SA | Procédé de fabrication de dispositifs électroniques |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185233A (en) * | 1986-04-11 | 1993-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of optical recording employing free radicals |
| US5026623A (en) * | 1986-04-21 | 1991-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| JPH0340238A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| US5475656A (en) * | 1989-09-27 | 1995-12-12 | Hitachi, Ltd. | Optical disk memory and information processing apparatus |
| US5354590A (en) * | 1991-02-16 | 1994-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
| JPH0528498A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Ricoh Co Ltd | 光照射方法並びに光学的情報記録媒体及びそれを用いた記録方法と再生方法 |
| DE69317459T2 (de) * | 1992-04-17 | 1998-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zum Entwurf seiner Struktur |
| JPH05342629A (ja) | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体 |
| EP0762410A4 (en) * | 1994-05-10 | 1998-01-07 | Hitachi Maxell | MAGNETOOPIC RECORDING MEDIUM, RECORDING AND PLAYBACK METHOD AND DEVICE |
| WO1997026652A1 (fr) * | 1996-01-19 | 1997-07-24 | Seiko Epson Corporation | Support d'enregistrement magneto-optique |
| AU724629B2 (en) | 1997-04-16 | 2000-09-28 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing optical information recording medium and optical information recording medium produced by the process |
| CN1141703C (zh) * | 1997-05-08 | 2004-03-10 | 松下电器产业株式会社 | 光记录媒体 |
| WO1999030908A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques |
| US6551679B1 (en) * | 1998-02-24 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| JP2000298875A (ja) * | 1999-02-13 | 2000-10-24 | Sony Corp | 光記録媒体 |
| TW484126B (en) | 1999-03-26 | 2002-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing and recording regeneration method for information record medium |
| US6802073B1 (en) * | 1999-06-11 | 2004-10-05 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium |
| TWI233098B (en) * | 2000-08-31 | 2005-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Data recoding medium, the manufacturing method thereof, and the record reproducing method thereof |
| JP2002117577A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-19 | Tdk Corp | 光記録媒体および光学的情報記録方法 |
| JP2002123977A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sony Corp | 追記型光学記録媒体 |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001071793A patent/JP2002269812A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-19 EP EP02712452A patent/EP1369859A4/en not_active Withdrawn
- 2002-02-19 WO PCT/JP2002/001412 patent/WO2002073611A1/ja active Application Filing
- 2002-02-19 US US10/276,126 patent/US7353528B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7787353B2 (en) | 2003-02-06 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing same |
| JP2010020825A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Elpida Memory Inc | 相変化固体メモリの記録材料及び相変化固体メモリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1369859A1 (en) | 2003-12-10 |
| EP1369859A4 (en) | 2009-01-07 |
| US20060072435A1 (en) | 2006-04-06 |
| US7353528B2 (en) | 2008-04-01 |
| WO2002073611A1 (fr) | 2002-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4059714B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4834666B2 (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2001344824A (ja) | 光記録媒体の製造方法および光記録媒体 | |
| EP1345218B1 (en) | Optical information recording medium and manufacturing method and recording/reproducing method for the same | |
| WO1999030908A1 (fr) | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques | |
| EP1276105B1 (en) | Optical information recording medium and recording method using the same | |
| WO2005029482A1 (ja) | ２層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP2002269812A (ja) | 光学記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2002518782A (ja) | 書換可能型光学情報媒体 | |
| EP1131819A1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JP2002279693A (ja) | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 | |
| JP4125566B2 (ja) | 多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JPWO2003098619A1 (ja) | 光記録媒体 | |
| US20070076579A1 (en) | Optical storage medium | |
| JP2003335064A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP2004025801A (ja) | 相変化型情報記録媒体 | |
| JP4086689B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP4357169B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2006247855A (ja) | 多層相変化型光記録媒体 | |
| JP4216178B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| KR20050026477A (ko) | 다층 광 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| US20050207329A1 (en) | Optical recording medium | |
| KR20050117346A (ko) | 블루 레이저를 이용하는 상변화형 광 디스크 | |
| JP2004047038A (ja) | 多層相変化型情報記録媒体とそれを用いた情報の記録再生方法 | |
| JP2001126312A (ja) | 情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080304 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100119 |