JPH09156223A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH09156223A JPH09156223A JP7335744A JP33574495A JPH09156223A JP H09156223 A JPH09156223 A JP H09156223A JP 7335744 A JP7335744 A JP 7335744A JP 33574495 A JP33574495 A JP 33574495A JP H09156223 A JPH09156223 A JP H09156223A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特にジッターが少なく、繰り返し使用にすぐ
れた相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上に少なくとも記録層、誘電体
層、反射層を積層した相変化型光記録媒体において、該
記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする二層又
は三層構成からなり、二層構成の記録層では一方の層の
組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、３
５≦Ｓｂ＜５８、２０≦Ｔｅ≦３５で、他方の層の組成
比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜
Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とし、
三層構成の記録層では一つの層の組成比（原子％）が１
≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７０、２０
≦Ｔｅ≦３５で、この層を挟む二つの層の組成比（原子
％）が１＜Ａｇ≦６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７
０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とする光情報記
録媒体。
れた相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上に少なくとも記録層、誘電体
層、反射層を積層した相変化型光記録媒体において、該
記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする二層又
は三層構成からなり、二層構成の記録層では一方の層の
組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、３
５≦Ｓｂ＜５８、２０≦Ｔｅ≦３５で、他方の層の組成
比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜
Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とし、
三層構成の記録層では一つの層の組成比（原子％）が１
≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７０、２０
≦Ｔｅ≦３５で、この層を挟む二つの層の組成比（原子
％）が１＜Ａｇ≦６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７
０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とする光情報記
録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材
料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、か
つ書換えが可能な光情報記録媒体に関する。
し、詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材
料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、か
つ書換えが可能な光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つ
として、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光記録媒体の一つ
として、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化形光記録媒体がよく知
られている。特に、光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。
【０００３】その代表的な例としてＵＳＰ３５０４４１
に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、Ｇ
ｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、
ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカルコゲ
ン系合金材料があげられる。また、安定性、高速結晶化
等の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−
２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７
０１９０号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）など
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３
−２２８４３３号）の提案などもなされている。
に開示されているように、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、Ｇ
ｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、
ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓなどのいわゆるカルコゲ
ン系合金材料があげられる。また、安定性、高速結晶化
等の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−
２１９６９２号）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７
０１９０号）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号）など
を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上
を目的に、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳｂの組成比を
特定した材料（特開昭６２−７３４３８号、特開昭６３
−２２８４３３号）の提案などもなされている。
【０００４】しかしながら、そのいずれもが書替え型相
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消しの残りによる消去比低
下の防止が解決すべき最重要課題となっている。
変化形光記録媒体として要求される諸特性のすべてを満
足しうるものとはいえない。特に、記録感度、消去感度
の向上、オーバーライト時の消しの残りによる消去比低
下の防止が解決すべき最重要課題となっている。
【０００５】これらの課題を解決するために、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録材料が開発された（特開平
２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平
２−４１５５８号、特開平４−１４１４８５号）。これ
らの混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ以下の記録
感度、消去感度を有する。特に、消去比が大きく、マー
クエッジ記録用の記録層として優れている。しかし、現
在提案されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録
材料を記録層とした光記録媒体の保存信頼性や繰返し信
頼性については、充分満足できるものとはいえず、更な
る改良が要求されている。もっとも、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする相変化型光記録媒体において
は、記録層の組成により、ジッター及び信頼性等が変化
することが知られているものの、信頼性の高い組成とジ
ッターの少ない組成は一致せず、これらの両立も課題と
なっている。
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録材料が開発された（特開平
２−３７４６６号、特開平２−１７１３２５号、特開平
２−４１５５８号、特開平４−１４１４８５号）。これ
らの混相記録材料は、ピークパワー１２ｍＷ以下の記録
感度、消去感度を有する。特に、消去比が大きく、マー
クエッジ記録用の記録層として優れている。しかし、現
在提案されているＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の混相記録
材料を記録層とした光記録媒体の保存信頼性や繰返し信
頼性については、充分満足できるものとはいえず、更な
る改良が要求されている。もっとも、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする相変化型光記録媒体において
は、記録層の組成により、ジッター及び信頼性等が変化
することが知られているものの、信頼性の高い組成とジ
ッターの少ない組成は一致せず、これらの両立も課題と
なっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の実情に鑑みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存安定性、繰返し信頼性にすぐれた相
変化形光記録媒体を提供するものである。
の実情に鑑みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、感
度、ジッター、保存安定性、繰返し信頼性にすぐれた相
変化形光記録媒体を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本出願人は前記目的を達
成するために、先に、記録を担う物質の相変化により記
録消去を行なうものとして、その記録層の構成元素が主
にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの構成比
α、β、γ、δ（原子％）が、０＜α≦３０、０＜β≦
３０、１０≦γ≦５０、１０≦δ≦８０、α＋β＋γ＋
δ＝１００とした光記録媒体を提案した（特開平６−３
３２５３２号）。本発明はこの提案した発明を再検討す
ることによって、更に良質の光情報記録媒体を提供する
ものである。
成するために、先に、記録を担う物質の相変化により記
録消去を行なうものとして、その記録層の構成元素が主
にＡｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂであり、それぞれの構成比
α、β、γ、δ（原子％）が、０＜α≦３０、０＜β≦
３０、１０≦γ≦５０、１０≦δ≦８０、α＋β＋γ＋
δ＝１００とした光記録媒体を提案した（特開平６−３
３２５３２号）。本発明はこの提案した発明を再検討す
ることによって、更に良質の光情報記録媒体を提供する
ものである。
【０００８】すなわち、本発明によれば、（１）透明基
板上に少なくとも記録層、誘電体層（保護層）、反射層
を積層したものであって、該記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする二層構成からなり、一方の層の
組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、３
５≦Ｓｂ＜５８、２０≦Ｔｅ≦３５で、他方の層の組成
比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜
Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体、が提供される。
板上に少なくとも記録層、誘電体層（保護層）、反射層
を積層したものであって、該記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅを主成分とする二層構成からなり、一方の層の
組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、３
５≦Ｓｂ＜５８、２０≦Ｔｅ≦３５で、他方の層の組成
比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜
Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体、が提供される。
【０００９】また本発明によれば、（２）透明基板上に
少なくとも記録層、誘電体層（保護層）、反射層を積層
したものであって、該記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
を主成分とする三層構成からなり、一つの層の組成比
（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓ
ｂ＜７０、２０≦Ｔｅ≦３５で、この層を挟む二つの層
の組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、
５８＜Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴
とする相変化型光情報記録媒体、が提供される。
少なくとも記録層、誘電体層（保護層）、反射層を積層
したものであって、該記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ
を主成分とする三層構成からなり、一つの層の組成比
（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓ
ｂ＜７０、２０≦Ｔｅ≦３５で、この層を挟む二つの層
の組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、７≦Ｉｎ≦２０、
５８＜Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５であることを特徴
とする相変化型光情報記録媒体、が提供される。
【００１０】さらに本発明によれば、（３）前記（１）
又は（２）において、光の波長６３０ｎｍの反射率が１
０％であり、かつ、その光の波長６３０ｎｍの反射率が
光の波長７８０ｎｍの反射率の６５％以上であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体、（４）前記（１）
又は（２）において、光の波長６３０ｎｍによる記録後
のアモルファスレベル（ロングマーク記録後のＲＦ信号
振幅のロウレベル）が光の波長７８０ｎｍによる記録後
のアモルファアスレベルの５０％以上であることを特徴
とする相変化型光情報記録媒体、（５）前記（１）又は
（２）において、透明基板の屈折率が１．５０〜１．６
２であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体、
（６）前記（１）又は（２）において、記録層の膜厚が
１０〜１００ｎｍであることを特徴とする相変化型光情
報記録媒体、（７）前記（１）又は（２）において、透
明基板と記録層との間の誘電体層（保護層）の屈折率と
膜厚との積が３００〜４５０ｎｍであることを特徴とす
る相変化型光情報記録媒体、（８）前記（１）又は
（２）において、反射層の膜厚が５０〜１５０ｎｍであ
ることを特徴とする相変化型光情報記録媒体、（９）前
記（１）又は（２）において、光の波長６３０ｎｍと７
８０ｎｍとでともに１０００回以上オーバーライトした
とき、いずれもエラーが２０％以内であることを特徴と
する相変化型光情報記録媒体、（１０）前記（１）又は
（２）において、最適の記録再生線速が１．２〜１４ｍ
／ｓｅｃであることを特徴とする相変化型光情報記録媒
体、（１１）前記（１）又は（２）において、透明基板
の溝の深さが３０〜１００ｎｍであることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体、（１２）前記（１）又は
（２）において、光の波長６３０ｎｍの反射率（ロング
マーク記録後のＲＦ信号振幅のハイレベル）が光の波長
７８０ｎｍの記録後の反射率の６５％以上であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体、が提供される。
又は（２）において、光の波長６３０ｎｍの反射率が１
０％であり、かつ、その光の波長６３０ｎｍの反射率が
光の波長７８０ｎｍの反射率の６５％以上であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体、（４）前記（１）
又は（２）において、光の波長６３０ｎｍによる記録後
のアモルファスレベル（ロングマーク記録後のＲＦ信号
振幅のロウレベル）が光の波長７８０ｎｍによる記録後
のアモルファアスレベルの５０％以上であることを特徴
とする相変化型光情報記録媒体、（５）前記（１）又は
（２）において、透明基板の屈折率が１．５０〜１．６
２であることを特徴とする相変化型光情報記録媒体、
（６）前記（１）又は（２）において、記録層の膜厚が
１０〜１００ｎｍであることを特徴とする相変化型光情
報記録媒体、（７）前記（１）又は（２）において、透
明基板と記録層との間の誘電体層（保護層）の屈折率と
膜厚との積が３００〜４５０ｎｍであることを特徴とす
る相変化型光情報記録媒体、（８）前記（１）又は
（２）において、反射層の膜厚が５０〜１５０ｎｍであ
ることを特徴とする相変化型光情報記録媒体、（９）前
記（１）又は（２）において、光の波長６３０ｎｍと７
８０ｎｍとでともに１０００回以上オーバーライトした
とき、いずれもエラーが２０％以内であることを特徴と
する相変化型光情報記録媒体、（１０）前記（１）又は
（２）において、最適の記録再生線速が１．２〜１４ｍ
／ｓｅｃであることを特徴とする相変化型光情報記録媒
体、（１１）前記（１）又は（２）において、透明基板
の溝の深さが３０〜１００ｎｍであることを特徴とする
相変化型光情報記録媒体、（１２）前記（１）又は
（２）において、光の波長６３０ｎｍの反射率（ロング
マーク記録後のＲＦ信号振幅のハイレベル）が光の波長
７８０ｎｍの記録後の反射率の６５％以上であることを
特徴とする相変化型光情報記録媒体、が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明をさらに詳細に説
明する。ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化型光記録材料は、特
開平２−１７１３２５号に記載されているように、Ａｇ
ＳｂＴｅ2とＩｎＳｂとの混相構造を形成していること
がわかっている。光記録の際には、ＡｇＳｂＴｅ2が結
晶−非結晶質間で相変化する。このときのＡｇＳｂＴｅ
2の大きさは、約１０ｎｍである。この様な混相構造に
おいて、物質移動経路は混相界面が支配的と考えられ
る。物質移動は、物質移動経路で移動物質を補足するこ
とでも軽減される。具体的には、炭素、窒素、酸素の各
元素は、４価、３価、２価の結合手を持っており、物質
移動を補足することができる。また、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
の各構成元素と合金化できるＡｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、
Ｐｄ、Ｐｂなどの添加も効果的である。記録層は、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズ
マＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、Ｎ、Ｏの添加に
は、ＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2ＯとＡｒとの混合
ガスなどがもちいられる。
明する。ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化型光記録材料は、特
開平２−１７１３２５号に記載されているように、Ａｇ
ＳｂＴｅ2とＩｎＳｂとの混相構造を形成していること
がわかっている。光記録の際には、ＡｇＳｂＴｅ2が結
晶−非結晶質間で相変化する。このときのＡｇＳｂＴｅ
2の大きさは、約１０ｎｍである。この様な混相構造に
おいて、物質移動経路は混相界面が支配的と考えられ
る。物質移動は、物質移動経路で移動物質を補足するこ
とでも軽減される。具体的には、炭素、窒素、酸素の各
元素は、４価、３価、２価の結合手を持っており、物質
移動を補足することができる。また、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
の各構成元素と合金化できるＡｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、
Ｐｄ、Ｐｂなどの添加も効果的である。記録層は、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、プラズ
マＣＶＤ法等によって作製できる。Ｃ、Ｎ、Ｏの添加に
は、ＣＨ4、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ2、Ｎ2ＯとＡｒとの混合
ガスなどがもちいられる。
【００１２】本発明の光記録媒体の構成は、基板への熱
ダメージの抑制、ならびに、繰返しオーバーライトの際
の記録層物質の移動を凍結するためにも急冷構造とする
ことが望ましい。その代表的な層構成は、基板／第１保
護層（誘電体層）／記録層／第２保護層（誘電体層）／
反射層である。もう一つの代表的な層構成は、紫外線吸
収層／基板／第１保護層（誘電体層）／記録層／第２保
護層（誘電体層）／反射層である。なお、これらの構成
の光記録媒体においては、必要に応じて反射放熱層上に
紫外線硬化樹脂層が設けられていてもよい。
ダメージの抑制、ならびに、繰返しオーバーライトの際
の記録層物質の移動を凍結するためにも急冷構造とする
ことが望ましい。その代表的な層構成は、基板／第１保
護層（誘電体層）／記録層／第２保護層（誘電体層）／
反射層である。もう一つの代表的な層構成は、紫外線吸
収層／基板／第１保護層（誘電体層）／記録層／第２保
護層（誘電体層）／反射層である。なお、これらの構成
の光記録媒体においては、必要に応じて反射放熱層上に
紫外線硬化樹脂層が設けられていてもよい。
【００１３】既述のとおり、本発明に係る記録層はその
構成元素が主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂよりなるが、
これらと合金化又は化合物化できる元素（Ｃ、Ｎ、Ｏ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｐｂなど）を０．０１
〜７．０原子％の範囲で含有させたものであってもよ
い。記録層全体の厚さは１０〜１００ｎｍが適当であ
る。
構成元素が主に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂよりなるが、
これらと合金化又は化合物化できる元素（Ｃ、Ｎ、Ｏ、
Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ｐｂなど）を０．０１
〜７．０原子％の範囲で含有させたものであってもよ
い。記録層全体の厚さは１０〜１００ｎｍが適当であ
る。
【００１４】第１および第２保護層に異なる材料を用い
ることで繰返しオーバーライトによってできるボイドは
促進される。相変化型光記録媒体では、記録層をはさむ
保護層材料（誘電体層材料）が異なると、記録層の上下
でぬれ性が異なるため記録消去の際の溶融時に、よりぬ
れ性の良好な界面に記録材料が移動してしまい、ぬれ性
の良くない界面にボイドを形成してしまう。その結果、
オーバーライトの繰返しによる劣化を生じてしまう。し
たがって、第１保護層と第２保護層を同一材料とするこ
とで、オーバーライトの繰返し特性を向上することがで
きる。また、第１保護層と第２保護層の熱伝導率が異な
ると、熱応力分布を生じることとなり、やはり、物質移
動の原因となる。したがって、この様な観点からも、第
１および第２保護層が同一の材料であることが望まれ
る。
ることで繰返しオーバーライトによってできるボイドは
促進される。相変化型光記録媒体では、記録層をはさむ
保護層材料（誘電体層材料）が異なると、記録層の上下
でぬれ性が異なるため記録消去の際の溶融時に、よりぬ
れ性の良好な界面に記録材料が移動してしまい、ぬれ性
の良くない界面にボイドを形成してしまう。その結果、
オーバーライトの繰返しによる劣化を生じてしまう。し
たがって、第１保護層と第２保護層を同一材料とするこ
とで、オーバーライトの繰返し特性を向上することがで
きる。また、第１保護層と第２保護層の熱伝導率が異な
ると、熱応力分布を生じることとなり、やはり、物質移
動の原因となる。したがって、この様な観点からも、第
１および第２保護層が同一の材料であることが望まれ
る。
【００１５】本発明で使用する第１および第２保護層
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2０3、Ｔ
ｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状炭素、あるいは、その混合物が好ましい。こ
れら第１および第２保護層は、スパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によっ
て形成できる。第１保護層の膜厚は５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、更に好ましく
は、１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。第２保護層の膜厚
は５ｎｍ〜３００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍ
である。
は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2０3、Ｔ
ｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、Ｚ
ｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの硫化物、ＳｉＣ、Ｔａ
Ｃ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイ
ヤモンド状炭素、あるいは、その混合物が好ましい。こ
れら第１および第２保護層は、スパッタリング、イオン
プレーティング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によっ
て形成できる。第１保護層の膜厚は５０ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍ、更に好ましく
は、１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。第２保護層の膜厚
は５ｎｍ〜３００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍ
である。
【００１６】反射層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの
金属材料およびそれらとＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添加材
料が使用できる。反射層は、必ずしも必要ではないが、
記録消去の際に生じる過剰な熱を放出し、光記録媒体自
身への熱ダメージを軽減するために設けるほうが望まし
い。反射層は、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製でき
る。反射層の厚さは５０〜１５０ｎｍが適当である。
金属材料およびそれらとＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉなどの添加材
料が使用できる。反射層は、必ずしも必要ではないが、
記録消去の際に生じる過剰な熱を放出し、光記録媒体自
身への熱ダメージを軽減するために設けるほうが望まし
い。反射層は、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着、プラズマＣＶＤ法等によって作製でき
る。反射層の厚さは５０〜１５０ｎｍが適当である。
【００１７】紫外線硬化樹脂層にはウレタンアクリレー
ト、アクリル酸エステル、およびそれらの混合物などＵ
Ｖ硬化型樹脂を用いて厚さ１〜１０μｍくらいに形成す
る。
ト、アクリル酸エステル、およびそれらの混合物などＵ
Ｖ硬化型樹脂を用いて厚さ１〜１０μｍくらいに形成す
る。
【００１８】本発明で使用する透明基板の材料は、屈折
率１．５０〜１．６２であるのが望ましく、通常、ガラ
ス、セラミックス、あるいは、樹脂であり、なかでも樹
脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の代表
例として、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
スチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂
などが使用できるが、加工法、光学特性等から、ポリカ
ーボネート樹脂が好ましい。
率１．５０〜１．６２であるのが望ましく、通常、ガラ
ス、セラミックス、あるいは、樹脂であり、なかでも樹
脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の代表
例として、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
スチレン樹脂、アクリルニトリル−スチレン共重合体樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂
などが使用できるが、加工法、光学特性等から、ポリカ
ーボネート樹脂が好ましい。
【００１９】しかしながら、樹脂基板は紫外線を吸収し
て、光分解してしまう。そのため、太陽光のもとに長時
間放置することができない。その対策として、樹脂基板
の読み取りレーザー光の入射面に紫外線吸収層を設ける
ことが効果的である。用いられる紫外線吸収層は、樹脂
基板の紫外線吸収波長によって選択される。たとえばポ
リカーボネート基板では、波長４５０ｎｍ程度から吸収
が認められ、３００ｎｍ以下の紫外領域での透過性はな
い。したがって、ポリカーボネート基板の紫外線吸収層
としては、波長４００ｎｍからそれ以下に吸収のある材
料が選択される。たとえば、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、Ｉｎ
Ｏｘなどの低級酸化物、Ｎｄ2、Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、Ｉｎ2Ｏ3などの酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｓｂ2Ｓ
3などの硫化物、非晶性炭素、Ｓｉなどあげられる。な
かでも低級酸化物は、光吸収領域をその酸化状態によっ
で制御しやすく有効である。
て、光分解してしまう。そのため、太陽光のもとに長時
間放置することができない。その対策として、樹脂基板
の読み取りレーザー光の入射面に紫外線吸収層を設ける
ことが効果的である。用いられる紫外線吸収層は、樹脂
基板の紫外線吸収波長によって選択される。たとえばポ
リカーボネート基板では、波長４５０ｎｍ程度から吸収
が認められ、３００ｎｍ以下の紫外領域での透過性はな
い。したがって、ポリカーボネート基板の紫外線吸収層
としては、波長４００ｎｍからそれ以下に吸収のある材
料が選択される。たとえば、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ、Ｉｎ
Ｏｘなどの低級酸化物、Ｎｄ2、Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、Ｉｎ2Ｏ3などの酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｓｂ2Ｓ
3などの硫化物、非晶性炭素、Ｓｉなどあげられる。な
かでも低級酸化物は、光吸収領域をその酸化状態によっ
で制御しやすく有効である。
【００２０】透明基板の形状は、ディスク状、カード状
あるいは、シート状であってもよい。基板の厚さは１．
２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意のものが使用で
きるが、クロストークの基板チルト依存性の観点から、
より基板厚の小さいものが望まれる。しかし、製膜上の
困難や、歩留まり等を考慮すると０．６ｍｍが好まし
い。またグルーブの溝の深さは３０〜１００ｎｍのもの
の使用が望ましい。
あるいは、シート状であってもよい。基板の厚さは１．
２ｍｍ、０．６ｍｍ、０．３ｍｍ等任意のものが使用で
きるが、クロストークの基板チルト依存性の観点から、
より基板厚の小さいものが望まれる。しかし、製膜上の
困難や、歩留まり等を考慮すると０．６ｍｍが好まし
い。またグルーブの溝の深さは３０〜１００ｎｍのもの
の使用が望ましい。
【００２１】これまでは光ディスクを例にとって説明し
たが、これに限られるものではなく、光カード等光エネ
ルギーを用いて記録を行なうメディアであれば、どの様
なものにでも適用出来ることは言うまでもない。
たが、これに限られるものではなく、光カード等光エネ
ルギーを用いて記録を行なうメディアであれば、どの様
なものにでも適用出来ることは言うまでもない。
【００２２】
【実施例】次に実施例、比較例をあげて本発明をより具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００２３】比較例１ 相変化型光情報記録媒体の記録層にあっては、Ｃ／Ｎの
高い組成と信頼性の高い組成とは一般に一致しない。そ
こで、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系相変化型光情報記録媒
体において、表１に示したように、記録層の組成をいろ
いろかえて複数のディスクを作製し、ジッター及び信頼
性の評価を行なった。ここでの“信頼性”とはアーカイ
バル及びシェルフ保存特性を意味する。評価条件は、線
速２．８ｍ／ｓｅｃ、オーバーライト記録時のクロック
周波数８．６４ＭＨｚとした。この結果、表１に示すよ
うにＳｂの濃度が５８原子％を越えると、ジッターは良
くなるが信頼性が悪くなることが判った。なお、ディス
クの構成は図１の記録層を一層とした以外は同じで、厚
み等は下記のとおりである。 基板：ポリカーボネート（屈折率１．５８、厚み１．２
ｍ、直径１２０ｍ） トラック深さ：５０ｎｍ 保護層１：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 １８００Å 記録層 ：１９０Å 保護層２：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ２５０Å 反射層 ：Ａｌ−Ｔｉ １０００Å
高い組成と信頼性の高い組成とは一般に一致しない。そ
こで、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系相変化型光情報記録媒
体において、表１に示したように、記録層の組成をいろ
いろかえて複数のディスクを作製し、ジッター及び信頼
性の評価を行なった。ここでの“信頼性”とはアーカイ
バル及びシェルフ保存特性を意味する。評価条件は、線
速２．８ｍ／ｓｅｃ、オーバーライト記録時のクロック
周波数８．６４ＭＨｚとした。この結果、表１に示すよ
うにＳｂの濃度が５８原子％を越えると、ジッターは良
くなるが信頼性が悪くなることが判った。なお、ディス
クの構成は図１の記録層を一層とした以外は同じで、厚
み等は下記のとおりである。 基板：ポリカーボネート（屈折率１．５８、厚み１．２
ｍ、直径１２０ｍ） トラック深さ：５０ｎｍ 保護層１：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 １８００Å 記録層 ：１９０Å 保護層２：ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ２５０Å 反射層 ：Ａｌ−Ｔｉ １０００Å
【００２４】
【表１】 （注）○：良好、×：不良
【００２５】実施例１ 図１に示すように、記録層のＳｂの組成が異なる二つの
記録層を積層した構成のディスクを作製した。基板に近
い記録層１の組成（原子％）はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ
＝５：１０：６０：２５とし、そのすぐ上部にＡｇ：Ｉ
ｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：９：５８：３０という組成（原子
％）の記録層２を積層した。その他各層（保護層１、保
護層２、反射層）の膜厚などは記録層を除いて比較例１
と同じである。記録層の膜厚は、基板に近い側が９０
Å、その上の層が１００Åである。このディスクの保存
特性（７０℃、８５％ＲＨの条件下）及びジッターを評
価した結果が図２と表２である。記録層を二層構成とし
たディスクは、従来のＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：
８：５８：３０の組成（原子％）からなる一層構成（膜
厚：１９０Å）のディスクと比較すると、ジッターはほ
ぼ同様であるが、信頼性の向上していることが判る。
記録層を積層した構成のディスクを作製した。基板に近
い記録層１の組成（原子％）はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ
＝５：１０：６０：２５とし、そのすぐ上部にＡｇ：Ｉ
ｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：９：５８：３０という組成（原子
％）の記録層２を積層した。その他各層（保護層１、保
護層２、反射層）の膜厚などは記録層を除いて比較例１
と同じである。記録層の膜厚は、基板に近い側が９０
Å、その上の層が１００Åである。このディスクの保存
特性（７０℃、８５％ＲＨの条件下）及びジッターを評
価した結果が図２と表２である。記録層を二層構成とし
たディスクは、従来のＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：
８：５８：３０の組成（原子％）からなる一層構成（膜
厚：１９０Å）のディスクと比較すると、ジッターはほ
ぼ同様であるが、信頼性の向上していることが判る。
【００２６】
【表２】
【００２７】また、記録層を二層構造にしたものにおい
ては、７８０ｎｍの光に対する反射率は２０％、６３０
ｎｍの光に対する反射率は１５％であり、６３０ｎｍと
いう短波長のレーザーによっても安定に記録、再生が可
能であった。６３０ｎｍの光で記録後のアモルファスレ
ベルと７８０ｎｍの光で記録した時のアモルファスレベ
ルの比は７５％であった。ここで、記録後のアモルファ
スレベルとは、ロングマーク記録後のＲＦ信号振幅のＬ
レベルを意味する。更に、ＲＦ信号のＨレベルは、６３
０ｎｍの光源を用いたときに、７８０ｎｍの光源を用い
たときの７５％であった。このことから、このメディア
は短波長の光によっても、安定した記録が行なえること
が判る。また、このことは波長６３０ｎｍの光の反射率
が１０％で、この波長６３０ｎｍの光の反射率が波長７
８０ｎｍの反射率の６５％以上であればよいことを物語
っている。１０００回記録後のエラー率も、２０％以下
であった。これらの値をＧｅＳｂＴｅを記録層に用いた
サンプルと比較すると、６．０ｎｍでの反射率は約９
％、記録後の反射率比（６３０ｎｍ／７８０ｎｍ）はＬ
レベルで５３％、Ｈレベルで６０％である。また、１０
００回記録後のエラー率も２０以％を越えるは１０回程
度が限度であった。
ては、７８０ｎｍの光に対する反射率は２０％、６３０
ｎｍの光に対する反射率は１５％であり、６３０ｎｍと
いう短波長のレーザーによっても安定に記録、再生が可
能であった。６３０ｎｍの光で記録後のアモルファスレ
ベルと７８０ｎｍの光で記録した時のアモルファスレベ
ルの比は７５％であった。ここで、記録後のアモルファ
スレベルとは、ロングマーク記録後のＲＦ信号振幅のＬ
レベルを意味する。更に、ＲＦ信号のＨレベルは、６３
０ｎｍの光源を用いたときに、７８０ｎｍの光源を用い
たときの７５％であった。このことから、このメディア
は短波長の光によっても、安定した記録が行なえること
が判る。また、このことは波長６３０ｎｍの光の反射率
が１０％で、この波長６３０ｎｍの光の反射率が波長７
８０ｎｍの反射率の６５％以上であればよいことを物語
っている。１０００回記録後のエラー率も、２０％以下
であった。これらの値をＧｅＳｂＴｅを記録層に用いた
サンプルと比較すると、６．０ｎｍでの反射率は約９
％、記録後の反射率比（６３０ｎｍ／７８０ｎｍ）はＬ
レベルで５３％、Ｈレベルで６０％である。また、１０
００回記録後のエラー率も２０以％を越えるは１０回程
度が限度であった。
【００２８】実施例２ 図３に示すような記録層が三層構造のディスクを作製
し、前記と同様の評価を行なった。記録層１と記録層３
とはＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：８：５８：３０の組
成（原子％）を持っており、膜厚は共に４５Å、記録層
２の組成（原子％）はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝５：１
０：６０：２５で、膜厚は１００Åである。その他は比
較例１と同じである。評価結果は図４、表３（ジッタ
ー）に示したとおりで、実施例１より更に信頼性が向上
していることが判る。 この層構成においても、前記に
示した基本的な特性はほとんど変化が無かった。
し、前記と同様の評価を行なった。記録層１と記録層３
とはＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝４：８：５８：３０の組
成（原子％）を持っており、膜厚は共に４５Å、記録層
２の組成（原子％）はＡｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝５：１
０：６０：２５で、膜厚は１００Åである。その他は比
較例１と同じである。評価結果は図４、表３（ジッタ
ー）に示したとおりで、実施例１より更に信頼性が向上
していることが判る。 この層構成においても、前記に
示した基本的な特性はほとんど変化が無かった。
【００２９】
【表３】
【００３０】実施例３ 表４にＡｇＩｎＴｅ2が存在するスパッタリングターゲ
ットの組成、及びそれらを用いた場合のディスク特性を
示す。これは幅約０．６μｍ、深さ約６００Åのグルー
ブが形成されているディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）上
に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１８０ｎｍ厚の下部保護
層、実施例１と同じ二層からなる記録層、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2からなる２５ｎｍ厚の上部保護層、アルミニウム合
金（厚さ１００ｎｍ）からなる反射放熱層、紫外線硬化
型樹脂（厚さ４μｍ）からなる保護層を設置してディス
クを作成する。なお、記録層のスパッタリング方法は背
圧を９×１０-7ｔｏｒｒで、アルゴンガスを入れ３×１
０-3ｔｏｒｒにして、ＲＦｐｏｗｅｒ３００ワットで行
なった。このディスクで最もＣ／Ｎが高くなる線速で測
定し、マーク長約１μｍのマークの記録特性、約３μｍ
のマークでオーバーライトしたときの消去特性について
評価した。ここで、半導体レーザーの波長は７８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．５である。
ットの組成、及びそれらを用いた場合のディスク特性を
示す。これは幅約０．６μｍ、深さ約６００Åのグルー
ブが形成されているディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）上
に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる１８０ｎｍ厚の下部保護
層、実施例１と同じ二層からなる記録層、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2からなる２５ｎｍ厚の上部保護層、アルミニウム合
金（厚さ１００ｎｍ）からなる反射放熱層、紫外線硬化
型樹脂（厚さ４μｍ）からなる保護層を設置してディス
クを作成する。なお、記録層のスパッタリング方法は背
圧を９×１０-7ｔｏｒｒで、アルゴンガスを入れ３×１
０-3ｔｏｒｒにして、ＲＦｐｏｗｅｒ３００ワットで行
なった。このディスクで最もＣ／Ｎが高くなる線速で測
定し、マーク長約１μｍのマークの記録特性、約３μｍ
のマークでオーバーライトしたときの消去特性について
評価した。ここで、半導体レーザーの波長は７８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．５である。
【００３１】ディスク特性の欄の評価値はジッター及び
ディスクの保存特性で評価した。保存条件は７０℃、８
５％ＲＨとした。結果をまとめて表４に示す。
ディスクの保存特性で評価した。保存条件は７０℃、８
５％ＲＨとした。結果をまとめて表４に示す。
【００３２】実施例４ 記録層を実施例２と同じ三層構成とした以外は実施例３
と同様にしてディスクを作成し、実施例３と同じ評価を
行なった。結果をまとめて表４に示す。
と同様にしてディスクを作成し、実施例３と同じ評価を
行なった。結果をまとめて表４に示す。
【００３３】比較例２ 記録層を比較例１と同じ一層構成とした以外は実施例３
と同様にしてディスクを作成し、実施例３と同じ評価を
行なった。結果をまとめて表４に示す。
と同様にしてディスクを作成し、実施例３と同じ評価を
行なった。結果をまとめて表４に示す。
【００３４】
【表４】 （注）実施例３の記録層構成で下段は第１記録層、上段は第２記録層である。 実施例４の記録層構成で下断は第１記録層、中段は第２記録層、上段は第 ３記録層である。
【００３５】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ジッターの少
ない記録層と、高信頼性の記録層とを積層することで、
ジッター、信頼性ともに満足する記録層構成とすること
ができた。請求項２の発明によれば、ジッターの少ない
記録層を高信頼性を有する記録層で挟むことより、より
信頼性の高い記録層構成を得ることができた。請求項３
の発明によれば、６３０ｎｍの光に対する反射率が７８
０ｎｍの光の反射率に対して６５％と比較的高くするこ
とで、低いジッター、高信頼性を維持したまま、短波長
光でも安定してトラッキングをすることが出来、記録再
生が可能となった。請求項４の発明によれば、６３０ｎ
ｍの光に対する、記録後のアモルファスレベルが７８０
ｎｍの光による記録後のアモルファスレベルの５０％以
上とすることで、低いジッター、高信頼性を維持したま
ま、短波長光による安定した記録再生が可能となった。
請求項５の発明によれば、透明基板の屈折率を１．５０
〜１．６２とすることや低いジッター、高信頼性を維持
したまま、反射率の波長変動の少ない光記録媒体を得る
ことが可能となった。請求項６の発明によれば、記録層
の膜厚を１０〜１００ｎｍとすることで、低いジッタ
ー、高信頼性を維持したまま、反射率の波長変動を減ら
すことができた。請求項７の発明によれば、透明基板と
記録層の間の誘電体層の屈折率と膜厚の積を３００〜４
５０ｎｍとすることで、高いＣ／Ｎ、高信頼性を維持し
たまま、反射率の波長依存性を減らすことができた。請
求項８の発明によれば、反射層の膜厚を５０〜１５０ｎ
ｍとすることで、低いジッター、高信頼性を維持したま
ま、反射率の波長依存性を減らすことができた。請求項
９の発明によれば、請求項１また２のような材料と層構
成を取ることで、１０００回以上オーバーライトを行な
っても、エラーが２０％以内にすることが可能となっ
た。請求項１０の発明によれば、記録再生線速を１．２
〜１４ｍ／ｓｅｃとすることで、低いジッターと高信頼
性を維持したまま、短波長でも安定した記録再生が可能
となった。請求項１１の発明によれば、透明基板の溝の
深さを３０〜１００ｎｍとすることで、低いジッターと
高信頼性を維持したまま、波長依存の少ない安定した記
録再生が可能となった。請求項１２の発明によれば、６
３０ｎｍの光によるロングマーク記録後のＲＦ信号のハ
イレベルが７８０ｎｍの光により記録されたものと比較
して６５％以上とすることで、低いジッター、高信頼性
を維持したまま、短波長光でも安定してトラッキングを
することができ、記録再生が可能となった。
ない記録層と、高信頼性の記録層とを積層することで、
ジッター、信頼性ともに満足する記録層構成とすること
ができた。請求項２の発明によれば、ジッターの少ない
記録層を高信頼性を有する記録層で挟むことより、より
信頼性の高い記録層構成を得ることができた。請求項３
の発明によれば、６３０ｎｍの光に対する反射率が７８
０ｎｍの光の反射率に対して６５％と比較的高くするこ
とで、低いジッター、高信頼性を維持したまま、短波長
光でも安定してトラッキングをすることが出来、記録再
生が可能となった。請求項４の発明によれば、６３０ｎ
ｍの光に対する、記録後のアモルファスレベルが７８０
ｎｍの光による記録後のアモルファスレベルの５０％以
上とすることで、低いジッター、高信頼性を維持したま
ま、短波長光による安定した記録再生が可能となった。
請求項５の発明によれば、透明基板の屈折率を１．５０
〜１．６２とすることや低いジッター、高信頼性を維持
したまま、反射率の波長変動の少ない光記録媒体を得る
ことが可能となった。請求項６の発明によれば、記録層
の膜厚を１０〜１００ｎｍとすることで、低いジッタ
ー、高信頼性を維持したまま、反射率の波長変動を減ら
すことができた。請求項７の発明によれば、透明基板と
記録層の間の誘電体層の屈折率と膜厚の積を３００〜４
５０ｎｍとすることで、高いＣ／Ｎ、高信頼性を維持し
たまま、反射率の波長依存性を減らすことができた。請
求項８の発明によれば、反射層の膜厚を５０〜１５０ｎ
ｍとすることで、低いジッター、高信頼性を維持したま
ま、反射率の波長依存性を減らすことができた。請求項
９の発明によれば、請求項１また２のような材料と層構
成を取ることで、１０００回以上オーバーライトを行な
っても、エラーが２０％以内にすることが可能となっ
た。請求項１０の発明によれば、記録再生線速を１．２
〜１４ｍ／ｓｅｃとすることで、低いジッターと高信頼
性を維持したまま、短波長でも安定した記録再生が可能
となった。請求項１１の発明によれば、透明基板の溝の
深さを３０〜１００ｎｍとすることで、低いジッターと
高信頼性を維持したまま、波長依存の少ない安定した記
録再生が可能となった。請求項１２の発明によれば、６
３０ｎｍの光によるロングマーク記録後のＲＦ信号のハ
イレベルが７８０ｎｍの光により記録されたものと比較
して６５％以上とすることで、低いジッター、高信頼性
を維持したまま、短波長光でも安定してトラッキングを
することができ、記録再生が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の一例の断面図。
【図２】記録層が一層と二層とで形成した場合の光記録
媒体のジッターと保存時間との関係を表わした図。
媒体のジッターと保存時間との関係を表わした図。
【図３】本発明の光記録媒体の他の一例の断面図。
【図４】記録層を三層で形成した場合の光記録媒体のジ
ッターと保存時間との関係を表わした図。
ッターと保存時間との関係を表わした図。
１ 基板 ２ 反射層 ３１，３２ 保護層 ４１，４２，４３ 記録層
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも記録層、誘電体
層、反射層を積層した相変化型光記録媒体において、該
記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする二層構
成からなり、一方の層の組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜
６、７≦Ｉｎ≦２０、３５≦Ｓｂ＜５８、２０≦Ｔｅ≦
３５で、他方の層の組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜６、
７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦３５
であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板上に少なくとも記録層、誘電体
層、反射層を積層した相変化型光記録媒体において、該
記録層はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする三層構
成からなり、一つの層の組成比（原子％）が１≦Ａｇ＜
６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７０、２０≦Ｔｅ≦
３５で、この層を挟む二つの層の組成比（原子％）が１
＜Ａｇ≦６、７≦Ｉｎ≦２０、５８＜Ｓｂ≦７０、２０
≦Ｔｅ≦３５であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、光の波長６３
０ｎｍの反射率が１０％であり、かつ、その光の波長６
３０ｎｍの反射率が光の波長７８０ｎｍの反射率の６５
％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１又は２において、光の波長６３
０ｎｍによる記録後のアモルファスレベル（ロングマー
ク記録後のＲＦ信号振幅のロウレベル）が光の波長７８
０ｎｍによる記録後のアモルファアスレベルの５０％以
上であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１又は２において、透明基板の屈
折率が１．５〜１．６２であることを特徴とする光情報
記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１又は２において、記録層の膜厚
が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項７】 請求項１又は２において、透明基板と記
録層との間の誘電体層の屈折率と膜厚との積が３００〜
４５０ｎｍであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１又は２において、反射層の膜厚
が５０〜１５０ｎｍであることを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項９】 請求項１又は２において、光の波長６３
０ｎｍと７８０ｎｍとでともに１０００回以上オーバー
ライトしたとき、いずれもエラーが２０％以内であるこ
とを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項１又は２において、最適の記録
再生線速が１．２〜１４ｍ／ｓｅｃであることを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項１１】 請求項１又は２において、透明基板の
溝の深さが３０〜１００ｎｍであることを特徴とする光
情報記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項１又は２において、光の波長６
３０ｎｍの反射率（ロングマーク記録後のＲＦ信号振幅
のハイレベル）が光の波長７８０ｎｍの記録後の反射率
の６５％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335744A JPH09156223A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7335744A JPH09156223A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09156223A true JPH09156223A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18291995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7335744A Pending JPH09156223A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09156223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7335744A patent/JPH09156223A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
| EP1426940A4 (en) * | 2001-09-12 | 2006-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND CORRESPONDING RECORDING METHOD |
| US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
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