JPS6211683A - 記録用媒体の製造法 - Google Patents
記録用媒体の製造法Info
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、新規な情報記銀材料、さらに詳しくいえば所
定の基板上に設けた記録層忙レーザー光のような活性光
を照射し、照射部分の反射率変化を利用して、情報を記
録するための媒体に関するものである。
定の基板上に設けた記録層忙レーザー光のような活性光
を照射し、照射部分の反射率変化を利用して、情報を記
録するための媒体に関するものである。
（従来の技術）
これまで、記録可能な情報記録媒体としては、基板上に
所定の記録材を設け、レーザー光を照射し、情報に応じ
た孔を形成させる方式と、レーザー光照射により光学特
性を変化させ、この光学特性の変化によって生じる反射
率の変化を利用する方式などが知られている。
所定の記録材を設け、レーザー光を照射し、情報に応じ
た孔を形成させる方式と、レーザー光照射により光学特
性を変化させ、この光学特性の変化によって生じる反射
率の変化を利用する方式などが知られている。
後者の光学特性の変化を利用する方式は、孔を形成させ
る方式に比べて記録層の溶融、分散、或いは蒸発という
過程を必要としないために、記録ピットの形状を制御す
ることが容易であるという利点がある。
る方式に比べて記録層の溶融、分散、或いは蒸発という
過程を必要としないために、記録ピットの形状を制御す
ることが容易であるという利点がある。
この方式を利用する記録材として、本発明者らは、Ｓｂ
、Ｔｅ ＊及び伽の３元素からなる記録材が、熱的に
安定であり、かつ、感度、Ｓ／Ｎ比忙優れていることを
以前に見い出した。
、Ｔｅ ＊及び伽の３元素からなる記録材が、熱的に
安定であり、かつ、感度、Ｓ／Ｎ比忙優れていることを
以前に見い出した。
しかし、このＳｂ 、 Ｔｅ 、及びαの３元素からな
る記録材は、形成直後の特性に於て、ばらつきを示す事
が、実用上の問題点であった。
る記録材は、形成直後の特性に於て、ばらつきを示す事
が、実用上の問題点であった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、このような事情に鑑み、Ｓｂ、Ｔｅ、及び（
ト）の３元素を含有する記録材を用いて光学特性の変化
を利用する情報記録用媒体において、初期特性のばらつ
きの少ない、実用１優れた記録材の提供をするものであ
る。
ト）の３元素を含有する記録材を用いて光学特性の変化
を利用する情報記録用媒体において、初期特性のばらつ
きの少ない、実用１優れた記録材の提供をするものであ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、加熱によって光の吸収係数、すなわち透過率
が変化する記録材からなり、光の反射率の変化として情
報の記録を行うものである。
が変化する記録材からなり、光の反射率の変化として情
報の記録を行うものである。
特性のばらつきは、透過率変化のばらつきが原因であり
、本発明者らは、記録材を形成後、予備加熱処理するこ
とにより、透過率変化のばらつきをおさえる事が可能で
ある事を見出し、本発明をなすに至った。
、本発明者らは、記録材を形成後、予備加熱処理するこ
とにより、透過率変化のばらつきをおさえる事が可能で
ある事を見出し、本発明をなすに至った。
記録層のＳｂ ＊ Ｔｅ及び伽の組成比は、一般式（Ｓ
ｂｘＴｅ Ｉ−ｘ ）ｙＧｅ Ｉ−ｙ で表わした場
合に、ｘが０．２〜０．７、好ましくは０．３〜０．６
、ｙが０．４へ０．８、好ましくは０．５〜０．７の範
囲である。Ｘの値が０．２より小さい場合及び０．７よ
り大きい場合は、加熱による吸収係数の変化が小さく、
十分なコントラストが得られず、したがってＳ／Ｎ比が
低くなる。一方、ｙの値が０，８より大きい場合は、加
熱による吸収係数の変化が低温で生じ、熱的安定性が悪
くなり、ｙの値が０．４より小さく、Ｓ／Ｎ比が極端に
低くなる。一般式（ＳｂｘＴｅｌ−ｘ）ｙＧｅｌ−ｙで
示される記録層は、真空蒸着、スパッタリング等の蒸着
法で形成される。組成のコントロール忙は、真空蒸着の
場合は、３元共蒸着法や、或いは特定組成の蒸着物をフ
ラッシュ蒸着法で行うのが好ましい。
ｂｘＴｅ Ｉ−ｘ ）ｙＧｅ Ｉ−ｙ で表わした場
合に、ｘが０．２〜０．７、好ましくは０．３〜０．６
、ｙが０．４へ０．８、好ましくは０．５〜０．７の範
囲である。Ｘの値が０．２より小さい場合及び０．７よ
り大きい場合は、加熱による吸収係数の変化が小さく、
十分なコントラストが得られず、したがってＳ／Ｎ比が
低くなる。一方、ｙの値が０，８より大きい場合は、加
熱による吸収係数の変化が低温で生じ、熱的安定性が悪
くなり、ｙの値が０．４より小さく、Ｓ／Ｎ比が極端に
低くなる。一般式（ＳｂｘＴｅｌ−ｘ）ｙＧｅｌ−ｙで
示される記録層は、真空蒸着、スパッタリング等の蒸着
法で形成される。組成のコントロール忙は、真空蒸着の
場合は、３元共蒸着法や、或いは特定組成の蒸着物をフ
ラッシュ蒸着法で行うのが好ましい。
またスパッタリングの場合は、特定組成のターゲット材
料を用いたり、１つの元素或いは化合物のターゲツト材
の上に他の元素或いは化合物の破片を置いて行うのが有
利である。真空蒸着の場合、最も簡便には、５ｂ２Ｔｅ
ｌと（ト）の２元共蒸着でも作成することができる。共
蒸着によって記録層を形成させる場合には、膜厚方向に
特定の分布をもたせることなく、３つの元素が均一に混
るようにした方が、Ｓ／Ｎ比などの特性上好ましい。
料を用いたり、１つの元素或いは化合物のターゲツト材
の上に他の元素或いは化合物の破片を置いて行うのが有
利である。真空蒸着の場合、最も簡便には、５ｂ２Ｔｅ
ｌと（ト）の２元共蒸着でも作成することができる。共
蒸着によって記録層を形成させる場合には、膜厚方向に
特定の分布をもたせることなく、３つの元素が均一に混
るようにした方が、Ｓ／Ｎ比などの特性上好ましい。
一般式（８ｂｚＴｅ １−ｚ ）ｙＧｅ、−ｙ で示
される記録層に牙４の成分としてＡｔ ＊ Ｓｔ ｅ
Ｔｉ ＊ Ｖ ＃ Ｃｒ １Ｍｎ 、Ｆｅ ＋Ｃｏ、Ｎ
ｉ 、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ ＊Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ＋Ａｇ、 Ｃｄ 、 Ｉｎ 、 Ｓｎ 、 Ｌ
ａ ｅ Ｃｅ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍ 、 Ｇ
ｄ 、 Ｔｂ 。
される記録層に牙４の成分としてＡｔ ＊ Ｓｔ ｅ
Ｔｉ ＊ Ｖ ＃ Ｃｒ １Ｍｎ 、Ｆｅ ＋Ｃｏ、Ｎ
ｉ 、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ ＊Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ＋Ａｇ、 Ｃｄ 、 Ｉｎ 、 Ｓｎ 、 Ｌ
ａ ｅ Ｃｅ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍ 、 Ｇ
ｄ 、 Ｔｂ 。
Ｄｙ、Ｈｆ 、Ｔａ 、 Ｗ 、Ａｕ、Ｔｊ 、Ｐｂ、
Ｂｉ等から選ばれる金属（Ｍ）の１種又は２種以上を添
加しても良い。
Ｂｉ等から選ばれる金属（Ｍ）の１種又は２種以上を添
加しても良い。
特に、Ｓｎ ｅ Ｂｉ＋ Ｉｎ ＊ Ｔｔ ＋ Ｃｒ
＊ Ｆｅ ｅ Ｃｏ ＊ Ｎｉｅ Ｃｕ ＃ Ｚｎが安
定性に対し効果的である。好ましい矛４成分の金属（Ｍ
）の添加量は下記の一般式で表わされる。
＊ Ｆｅ ｅ Ｃｏ ＊ Ｎｉｅ Ｃｕ ＃ Ｚｎが安
定性に対し効果的である。好ましい矛４成分の金属（Ｍ
）の添加量は下記の一般式で表わされる。
（ＳｂｘＴｅＩ−ｘ）ｙＧｅｌ−ｙＭｚ（Ｘ：０．２〜
０．７ 、ｙ：ｏ、４〜Ｑ、８． Ｚ；ｏ、ｏｔ〜ｏ、
ｓ：）一般式（ＳｂｘＴｅＩ−ｘ）ｙＧｅｌ −）’
で示される記録層を情報記録媒体に用いる場合に、こ
の記録層単独で用いても、記録層の上又は下に記録層に
接した形で反射層を設けて用いてもよく、いずれの場合
も実用上充分な特性が得られるが、記録層の上又は下に
反射層を設けた方が高いＳ／Ｎ比を得ることができるの
で、より好ましい。
０．７ 、ｙ：ｏ、４〜Ｑ、８． Ｚ；ｏ、ｏｔ〜ｏ、
ｓ：）一般式（ＳｂｘＴｅＩ−ｘ）ｙＧｅｌ −）’
で示される記録層を情報記録媒体に用いる場合に、こ
の記録層単独で用いても、記録層の上又は下に記録層に
接した形で反射層を設けて用いてもよく、いずれの場合
も実用上充分な特性が得られるが、記録層の上又は下に
反射層を設けた方が高いＳ／Ｎ比を得ることができるの
で、より好ましい。
一般式（ＳｂｘＴｅ １−ｘ ）ｙＧｅ １−ｙ で
示される記録層の膜厚は、記録層の上或いは下に反射層
を設けずｋ。
示される記録層の膜厚は、記録層の上或いは下に反射層
を設けずｋ。
記録層のみの反射率変化を利用する場合には、７００Ａ
以上、好ましくは、８００Ａから２０００１の間が望ま
しい。他方、記録層の上或いは下に反射層を設ける場合
には、記録層の膜厚は、反射層の材料によって、２００
＾から１０００＾の間が好ましく・。
以上、好ましくは、８００Ａから２０００１の間が望ま
しい。他方、記録層の上或いは下に反射層を設ける場合
には、記録層の膜厚は、反射層の材料によって、２００
＾から１０００＾の間が好ましく・。
反射層に用いることのできる材料としては、特に制限さ
れることはないが、ｋｌ ｅ Ｔｔ ＠ Ｃｒ ＃ Ｃ
ｏ ＠ Ｎｔ ＩＳｅ、Ｚｒ 、Ａｇ ｓＩｎ 、Ｓｎ
、ｓｂ 、Ｔｅ 、ｐｔ 、Ａｕ 、Ｐｂ 、Ｂｉ
。
れることはないが、ｋｌ ｅ Ｔｔ ＠ Ｃｒ ＃ Ｃ
ｏ ＠ Ｎｔ ＩＳｅ、Ｚｒ 、Ａｇ ｓＩｎ 、Ｓｎ
、ｓｂ 、Ｔｅ 、ｐｔ 、Ａｕ 、Ｐｂ 、Ｂｉ
。
等の金属、或いはそれらの合金が好ましい。特化、Ａｊ
＋ Ｓｂ ｔ Ｂｉ及びＢ１１Ｔｅ３が好ましい。反射
層は、これらの元素や合金の単独でもよいが、２種以上
の元素或いは合金を積層してもよい。
＋ Ｓｂ ｔ Ｂｉ及びＢ１１Ｔｅ３が好ましい。反射
層は、これらの元素や合金の単独でもよいが、２種以上
の元素或いは合金を積層してもよい。
反射層の膜厚は、１００Ｘ以上が好ましく、感度の点か
ら１００Ａから１００ＯＡの間が好ましい。
ら１００Ａから１００ＯＡの間が好ましい。
上記の記録層の少なくとも上又は下に金属酸化物又は金
属窒化物を設ける事により、エラーの経時的増大をおさ
えることができる。
属窒化物を設ける事により、エラーの経時的増大をおさ
えることができる。
本発明に用いる金属酸化物又は窒化物としては、ＡＪ
、Ｃｒ ｌＳ ｔ ＊ Ｇｅ ＊ Ｚｒ ｅ Ｔｔ ＃
Ｖ 、Ｈｆ ＋ Ｃｅ 、Ｓｎ −Ｌａ ＋Ｓｍ、Ｙ
ｅＳｂ、Ｔａ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅからなる群より
選ばれた元素の酸化物又は窒化物が好ましい。
、Ｃｒ ｌＳ ｔ ＊ Ｇｅ ＊ Ｚｒ ｅ Ｔｔ ＃
Ｖ 、Ｈｆ ＋ Ｃｅ 、Ｓｎ −Ｌａ ＋Ｓｍ、Ｙ
ｅＳｂ、Ｔａ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅからなる群より
選ばれた元素の酸化物又は窒化物が好ましい。
これらの金属酸化物又は金属窒化物を記録層の上又は下
に設けると、空気中や基板中から記録材に浸透してくる
水や酸素などの浸入が防がれ、記録材の劣化が大巾に抑
制される。
に設けると、空気中や基板中から記録材に浸透してくる
水や酸素などの浸入が防がれ、記録材の劣化が大巾に抑
制される。
金属酸化物の中では、Ｓｉの酸化物が好ましく、Ｓｉの
酸化物は、５ｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）で示されるような低
酸化物が好ましい。
酸化物は、５ｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）で示されるような低
酸化物が好ましい。
金属窒化物では、ｋｌ 、 Ｔｉ 、 Ｚｒの窒化物が
好ましい。
好ましい。
本発明に用いる金属酸化物層又は金属窒化物層は、同一
化合物の単一層又は２種以上の複層として記録層の上又
は下の片方又は上方に形成される記録層の上下両方に設
ける場合、上下の化合物の種類が異なっても良い。
化合物の単一層又は２種以上の複層として記録層の上又
は下の片方又は上方に形成される記録層の上下両方に設
ける場合、上下の化合物の種類が異なっても良い。
本発明に用いる金属酸化物又は窒化物は、真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング等の形成法で形成
される。金属酸化物又は、金属窒化物層の膜厚は１００
大から５００ＯＡの間が好ましい。
パッタリング、イオンブレーティング等の形成法で形成
される。金属酸化物又は、金属窒化物層の膜厚は１００
大から５００ＯＡの間が好ましい。
本発明における基板としては、ガラスやガラス上に光硬
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂やポリスチレンなどのプラスチック基
板、Ａｔ合金などの金属板などが用いられる。
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂やポリスチレンなどのプラスチック基
板、Ａｔ合金などの金属板などが用いられる。
本発明の記録媒体を実際に情報記録媒体として用いる場
合は、基板上に記録材を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化したいわゆるエアーサンドイッチ構
造や、２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互い忙
対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接着
し一体化させたいわゆる全面接着構造、或いはこれらと
は全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材を設け
、このシートをロール状に巻いた構造等いずれの構造に
してもよい。
合は、基板上に記録材を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化したいわゆるエアーサンドイッチ構
造や、２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互い忙
対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接着
し一体化させたいわゆる全面接着構造、或いはこれらと
は全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材を設け
、このシートをロール状に巻いた構造等いずれの構造に
してもよい。
基板上に形成された記録層は、一般に多くの格子欠陥や
空隙を有するが、本発明忙用いたカルコ ′ゲン化合
物の組成に於ける初期特性のばらつきもこれらの原因で
生ずるものと推定された。従って本発明者らは、記録膜
の製造後、予備加熱を行なって、初期特性のばらつきを
少なくする方法を鋭意、検討し、本発明をなすに至った
。
空隙を有するが、本発明忙用いたカルコ ′ゲン化合
物の組成に於ける初期特性のばらつきもこれらの原因で
生ずるものと推定された。従って本発明者らは、記録膜
の製造後、予備加熱を行なって、初期特性のばらつきを
少なくする方法を鋭意、検討し、本発明をなすに至った
。
すなわち、記録膜形成後、基板と共に該記録層を少なく
とも４０℃以上、基板の変形温度以下好ましくは１５０
℃以下さら忙好ましくは１００℃以下の予備加熱をする
ことたより特性のばらつきが低減される。高い温度で短
時間予備加熱するよりは、低い温度で予備加熱する方が
よい。
とも４０℃以上、基板の変形温度以下好ましくは１５０
℃以下さら忙好ましくは１００℃以下の予備加熱をする
ことたより特性のばらつきが低減される。高い温度で短
時間予備加熱するよりは、低い温度で予備加熱する方が
よい。
一般には１日以上予備加熱することが好ましい。
この予備加熱は本発明の感材のように、特にエネルギー
の吸収により、変態して記録する場合に重要である。
の吸収により、変態して記録する場合に重要である。
ここで特性としては、感度、Ｃ／Ｎ比、エラー率をあげ
る事ができるが、その他に反射率などもあげる事ができ
る。基板の８ｉ類によっては、例えばアクリル板の場合
など）１５０℃の様な高温では、基板の変形が起り、実
用上、適さないが、少くとも基板の熱変形温度以下迄の
予備加熱は、適用可能である。アクリル基板の場合には
、吸湿により、熱変形温度も低下するので、高温下での
予備加熱は、一般に７５℃以下に限定される。一方、湿
度の影響もあり、高湿下の予備加熱の方が、特性ばらつ
きの低減に効果がある事が認められ、特にアクリル基板
では、効果が顕著である。
る事ができるが、その他に反射率などもあげる事ができ
る。基板の８ｉ類によっては、例えばアクリル板の場合
など）１５０℃の様な高温では、基板の変形が起り、実
用上、適さないが、少くとも基板の熱変形温度以下迄の
予備加熱は、適用可能である。アクリル基板の場合には
、吸湿により、熱変形温度も低下するので、高温下での
予備加熱は、一般に７５℃以下に限定される。一方、湿
度の影響もあり、高湿下の予備加熱の方が、特性ばらつ
きの低減に効果がある事が認められ、特にアクリル基板
では、効果が顕著である。
（実施例）
以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例１
射出成形により、あらかじめ溝（深さ７ｏｏｄ。
巾０．６５μｍ、ピッチ１．ｓμｍ）を設けた厚さ１．
５ ｎのアクリル基板上ｋ、電子ビーム蒸着法によりＧ
ｅｍ、をｚｏｏＡの厚みに形成した後、抵抗加熱法によ
り、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びαを入れた３つの蒸着ポートか
ら３元共蒸着によって、Ｓｂ Ｏ，２５Ｔｅ Ｏ，３５
Ｇｅ Ｏ，４０の組成−比の膜を１０００Ｘの厚みた形
成し、最後に電子ビーム蒸着法によってＧｅｍ、を２０
ＯＡの厚みに形成した同一のサンプルを５枚作成した。
５ ｎのアクリル基板上ｋ、電子ビーム蒸着法によりＧ
ｅｍ、をｚｏｏＡの厚みに形成した後、抵抗加熱法によ
り、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びαを入れた３つの蒸着ポートか
ら３元共蒸着によって、Ｓｂ Ｏ，２５Ｔｅ Ｏ，３５
Ｇｅ Ｏ，４０の組成−比の膜を１０００Ｘの厚みた形
成し、最後に電子ビーム蒸着法によってＧｅｍ、を２０
ＯＡの厚みに形成した同一のサンプルを５枚作成した。
これらのサンプルを、９００ｒｐｍで基板回転させ、透
明な基板越しに半導体レーザー（波長８３０ ｎｍ）の
光を集光させて照射し円板上の直径約１４ｏＯ０所に情
報信号を書き込んだ。情報信号としては、Ｍ”ＦＭ変調
方弐に従った単一周波数（１１ＭＨｚ ）のパルス列を
用いた。信号の再生には、同一波Ｇｅの半導体レーザー
光を用い、１．２論で再生を行ない、記録した情報信号
と比較してビットエラー率を求めた。ビットエラー率を
求める際に、レーザーの記録パワーを変化させて、位相
マージンを測定し、最も位相マージンの広い時の記録パ
ワーを最適書き込みパワーとした。
明な基板越しに半導体レーザー（波長８３０ ｎｍ）の
光を集光させて照射し円板上の直径約１４ｏＯ０所に情
報信号を書き込んだ。情報信号としては、Ｍ”ＦＭ変調
方弐に従った単一周波数（１１ＭＨｚ ）のパルス列を
用いた。信号の再生には、同一波Ｇｅの半導体レーザー
光を用い、１．２論で再生を行ない、記録した情報信号
と比較してビットエラー率を求めた。ビットエラー率を
求める際に、レーザーの記録パワーを変化させて、位相
マージンを測定し、最も位相マージンの広い時の記録パ
ワーを最適書き込みパワーとした。
このよう忙して上記のサンプルを評価したところ、実施
例サンプルの最適書き込みパワー及びビットエラー率（
以下ＢＥＲと略すこととする）は、５枚のサンプルで表
−１に示す如くなった。
例サンプルの最適書き込みパワー及びビットエラー率（
以下ＢＥＲと略すこととする）は、５枚のサンプルで表
−１に示す如くなった。
これらのサンプルを６０℃、８２％ＲＨの恒温恒湿槽中
に入れ、２日間の処理をした後、同様に評価した結果を
表＝１に示した。
に入れ、２日間の処理をした後、同様に評価した結果を
表＝１に示した。
表−１から判る様に、記録層を形成直後は、感度、ＢＥ
Ｒに、ばらつきがあるが、熱処理により、はぼ、均一の
特性が得られる事が判る。
Ｒに、ばらつきがあるが、熱処理により、はぼ、均一の
特性が得られる事が判る。
実施例２
実施例１と同様のアクリル基板上に電子ビーム蒸着法に
よってＳｉＯを３０ＯＡ形成させ、その上に抵抗加熱法
たよりＳｂ、Ｔｅ、と（ト）を入れた２つの蒸着ボート
から２元系蒸着によって、５ｂ２Ｔｅｓを２２０＾、Ｇ
ｅを１１０Ｘ相当設けた後、この上に電子ビーム蒸着法
によってｓｂをｚｏｏｉ形成させ、更にこの上ＫＳｉＯ
を電子ビーム蒸着法によって３０ＯＡ形成・した。
よってＳｉＯを３０ＯＡ形成させ、その上に抵抗加熱法
たよりＳｂ、Ｔｅ、と（ト）を入れた２つの蒸着ボート
から２元系蒸着によって、５ｂ２Ｔｅｓを２２０＾、Ｇ
ｅを１１０Ｘ相当設けた後、この上に電子ビーム蒸着法
によってｓｂをｚｏｏｉ形成させ、更にこの上ＫＳｉＯ
を電子ビーム蒸着法によって３０ＯＡ形成・した。
同一のサンプルを５枚作成した。
これらのサンプルを実施例１と同様の方法で評価を行な
い、更＜、ｓｏ℃、９０％ＲＨの熱処理条件で３日間処
理したサンプルの評価結果を表−２に示す。表より明ら
かな様に、熱処理により、製造初期特性のばらつきが低
減する事が判る。
い、更＜、ｓｏ℃、９０％ＲＨの熱処理条件で３日間処
理したサンプルの評価結果を表−２に示す。表より明ら
かな様に、熱処理により、製造初期特性のばらつきが低
減する事が判る。
表−２
実施例１と同様のアクリル基板上に、スパッタ法によっ
てＳｉＯを４０ＯＡ、 Ｓｂ０．２Ｔｅ０．３Ｇ８０．
５の組成比の膜を３５ＯＡ％ｓｂを２５ＯＡ、更にＳｉ
Ｏを４０ＯＡ順次形成させた。
てＳｉＯを４０ＯＡ、 Ｓｂ０．２Ｔｅ０．３Ｇ８０．
５の組成比の膜を３５ＯＡ％ｓｂを２５ＯＡ、更にＳｉ
Ｏを４０ＯＡ順次形成させた。
同一方法によりサンプルを３枚作成した。
これらのサンプルを実施例１と同様の方法で評価を行な
い、更ｉ７０℃、８０％ＲＨ，２日間の予備加熱処理を
行なった結果を表−３に示す。
い、更ｉ７０℃、８０％ＲＨ，２日間の予備加熱処理を
行なった結果を表−３に示す。
表−３により、予備加熱処理により、初期特性のばらつ
きが少なくなる事が判る。
きが少なくなる事が判る。
表−３
実施例４
厚さ１．５ｊＥｌ、直径３０５ｆｌの強化ガラスの円板
上に、光硬化性樹′脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７
００Ａ、幅０．６ μｍ、ピッチ１．６／ＪＦＦＩ）を
形成した基板上に、電子ビーム蒸着法によってＡＩ、Ｏ
，を４００Ｘの厚さに形成させた後、抵抗加熱法によっ
て、Ｓｂ、Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートから
２元系共蒸着によってＳｂ、Ｔｅ、を２０ＯＡ、Ｇｅを
１００Ａ相当形成させ、この上に同様の抵抗加熱法によ
りｓｂを４０ＯＡ形成させた後、更にこの上ｋｓｉｏを
電子ビームたよって５０ＯＡ形成した。
上に、光硬化性樹′脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７
００Ａ、幅０．６ μｍ、ピッチ１．６／ＪＦＦＩ）を
形成した基板上に、電子ビーム蒸着法によってＡＩ、Ｏ
，を４００Ｘの厚さに形成させた後、抵抗加熱法によっ
て、Ｓｂ、Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートから
２元系共蒸着によってＳｂ、Ｔｅ、を２０ＯＡ、Ｇｅを
１００Ａ相当形成させ、この上に同様の抵抗加熱法によ
りｓｂを４０ＯＡ形成させた後、更にこの上ｋｓｉｏを
電子ビームたよって５０ＯＡ形成した。
このサンプルを実施例１と同様の方法で評価を行ない、
又、６０℃、８０％ＲＨ２日間の予備加熱処理を行なっ
た後、評価した結果を表−４に示す。
又、６０℃、８０％ＲＨ２日間の予備加熱処理を行なっ
た後、評価した結果を表−４に示す。
この表より、予備加熱処理により、初期特性のばらつき
が減少する事が判る。
が減少する事が判る。
表−４
Claims (1)
- （１）基板上に、Ｓｂ、Ｔｅ、及びＧｅの３元素を含有
する記録層を設け、加熱による該記録層の吸収係数の変
化によつて生ずる光の反射率の変化によつて情報を記録
する情報記録媒体の製造において、記録膜形成後予備加
熱処理する事を特徴とする情報記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15001885A JPS6211683A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 記録用媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15001885A JPS6211683A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 記録用媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211683A true JPS6211683A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15487684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15001885A Pending JPS6211683A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 記録用媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JPH03142731A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Dowa Mining Co Ltd | 光ディスクの作製方法 |
| US7452148B2 (en) | 2004-03-19 | 2008-11-18 | Mitsubishi Pencil Co., Ltd. | Lead holding structure of mechanical pencil |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15001885A patent/JPS6211683A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JPH03142731A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-18 | Dowa Mining Co Ltd | 光ディスクの作製方法 |
| US7452148B2 (en) | 2004-03-19 | 2008-11-18 | Mitsubishi Pencil Co., Ltd. | Lead holding structure of mechanical pencil |
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