JPH029039A - 扁平多層磁気‐光学的記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は新規な扁平多層磁気−光学的記録材料に関する
ものである。

（従来技術） 光学的に透過性の、寸法安定性担体（Ａ）と、無定形ラ
ンタニド遷移金属合金から構成された熱変性可能の記録
月（Ｂ）とから成る扁平多層磁気−光学的記録材料は、
例えば米国特許４，６１２，０６８号、４．１２６．４
９４号、４，１５２，４８６号各明細書、英国特許出願
公開２，０７１．６９６号公報、米国特許４．８９３．
９３４号明細書、英国特許出願公開２，１７５．１６０
号公報、西独特許出願公告３３１７１０１号公報、米国
特許４，６９５，５１０号明細書、ヨーロッパ特許出願
公開０．２３３，０３４号公報、米国特許４．６８４．
４５４号、同４．６７０．３５８号、同４．６７０．３
５３号各明細書、ヨーロッパ特許出願公開０．２２９２
９２号及び同０．２２８．４０９号公報ならびに米国特
許４．６６１．４２０号明細書から公知である。

この公知の記録材料は、記録材料層（Ｂ）に集束され、
かつ／またはこれに直角に入射せしめられるパルス変調
レーザビームにより、データを記録し或は書込む作用を
イｒする。

データの記録乃至書込みに際し、記録５　（Ｂ）表面に
直角に指向される磁束線を有する外部補助磁場を記録材
料上に設定するか、或は記録Ｂ　（Ｂ）に同様に指向さ
れた居内在（固有）Ｆａ場を設ける。

周知のように無定形のフェリ磁性ランタニド遷移金属合
金から形成され、表面に対し直１り方向に磁化された磁
気記録Ｗ　（Ｂ）は、データの舎込みに際して、レーザ
ビームによりその入射位置において加熱される。この加
熱により合金の保磁力Ｈｃは低減する。それぞれに使用
される合金に応じて相途する臨界温度において、保はカ
が外部設定補助磁場或は内在磁場を下廻わると、当初の
方向に対向する磁化方向を示す領域が入射位置に生ずる
。

このような領域はスポットとも称される。

書込まれた記録は、必要に応じ、例えばレーザビームに
より、外部設定乃至内在磁場（その磁束線は記録５　（
Ｂ）の面に対し直角にｔｉ向される）の同時作用下に、
局部的な記録Ｆ１（Ｂ）の意図的加熱で消去され、新た
なデータの書込みが可能である。すなわち吉込み記録は
可逆的である。

データを読取るためには、記録材料が臨界温度をこえて
加熱されない程度の光量の、連続放射直線偏光レーザを
使用する。このレーザビームは記録ｆｌ　（Ｂ）自体か
ら、またその裏側の反射層がら反射し、これにより記録
層中の磁気モーメントとレーザ光波の磁気ベクトルとの
間の相互作用がもたらされる。この相互作用により、ス
ポット或はその裏側にある反射層から反射するレーザ光
偏光面Ｅは当初の平面に対して僅かな角度だけ旋回する
。この偏光面Ｃの旋回はレーザ光が記録層において反射
することにより生するので、これをカー効果と称し、こ
れによる旋回角度をカー旋回角と称する。これに対して
レーザ光が記録層中を２回口に通過する際に偏光面が旋
回する場をファラデイ効果と称し、その旋回角度をファ
ラデイ旋回角と称する。

この記録材料から反射するレーザ光偏光而市の旋回は、
適当な光学的、電子的装置により計Ｌ！ｊｌｌされ、信
号に変換され得る。

公知の記録材料においてファラデイ効果を利用する場合
には、記録層（Ｂ）は光透過性であるから、反射層を設
けることが必須不可欠である。さらに妨害的回折現象を
阻止するために干渉層も設けなければならない。

このような公知の記録材料においては、その記録層（Ｂ
）が水及び／或は空気中酸素により極めて迅速に破損さ
れ、その結果これに書込まれたデータが破壊されるので
、防蝕処理が基本的に重要である。従って記録Ｓ　（Ｂ
）の防蝕に関する研究は少なからずなされている。

例えば西独特許出願公開３３３５６８９号公報には２゜
乃至１１００ｎの厚さの記り、ｐ層を何する記録材料が
記載されている。その担体（Ａ）と反対の記録６　ＣＢ
）の而にさらに３月が設けられ、これらはそれぞれ明確
な作用を果たす。２．０以上の反射係数ををする材料、
例えばチタン、セリウム、アンチモン、タングステン、
珪素、ビスマス或はカドミウムの酸化物から成る第１居
は干渉層として機能する。第２届は銅、銀、クロム、ア
ルミニウム、ロジウム、金或はニッケルのような金属か
ら成り、反射層を構成する。最上層は酸化防止層として
作用し、マグネシウム、アルミニウム、珪素、チタン或
はトリウムの酸化物から構成される。

西独特許出願公開３５３４５７１号公報により公知の記
録材料もこれに類する構成を有する。この場合は記録層
（Ｂ）上に形成される第１層は珪素炭化物及び窒化物、
或は珪素炭化物及びアルミニウム窒化物の混合物から構
成され、保護層兼干渉層として機能する。第２層として
銅、アルミニウム或は金のような金属から成る反射層が
形成される。その上に防蝕層を設けることができる。こ
の記録材ｆ−１ハ、−酸化珪素、弗化マグネシウム或は
ニオブ、タンタルもしくはアルミニウムの酸化物、或は
アルミニウムもしくは珪素の窒化物を含仔する干渉層の
ような追加層を設けることもできるとしている。

さらに西独特許出願公開３５００３１４号公報には、酸
化物及び窒化物の混合物から成る干渉層兼防蝕層の作用
をする１層を何する記録材料が開示されている。

干渉層、反射層及び酸化防止層の公知の１１１合せは、
単一層ではなく、複数の別個の層を成す防蝕層を構成す
るものと解される。その（１１■ｉ成及び構造は！１１
に防蝕効果のみでなく他の作用を主として決定されるか
らである。

防蝕効果について公知の組合せは欠点を汀する。ことに
空気と接する側に例えば酸化アルミニウムから成る比較
的厚い居を持たない限り酸累遮断効果は余り期待できな
い。さらに他の層の組成分の選択の観点から、各月間の
接着性、耐摩耗性、管内部応力乃至機械的強度に関する
他の居の欠点が生ずる。干渉乃至反射の点について公知
の組合せが良好であるにしても防蝕性に関しては不滴足
である。或はまた防蝕効果の点で満足すべきものでも、
耐摩耗性については期待され得ない。また表面の特に高
い硬度をもたらす組成を選択すると、公知の居組成分の
組合せでは全体的に脆くなる。さらに内部応力により亀
裂をもたらす可能性もある。これらはすべて防蝕効果に
ついて不利となるものである。

従って、これまで公知の防蝕効果に関する居組成分の組
合せは、その製造、届形成及び／或は材料構成に関して
改善される必要がある。

西独特許出願公開３５２８７０１号公報には、担体（Ａ
）から遠い方の記録６　（Ｂ）の面がタングステン、硼
素、モリブデン、ハフニウム、ニオブ、チタン、クロム
、バナジウム、タンタル或は珪素の炭化物で被覆された
記録材料が開示されている。

米国特許４．６８０．７４２ｚ明細吉から、担体（Ａ）
と記録層（Ｂ）との間に窒化珪素から成る干渉居に、防
蝕作用の観点からイツトリウム、ランタン、セリウム、
チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデン、アンチモ
ン、ビスムス、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、アルミニ
ウム、亜鉛もしくはカドミウム、或はその酸化物、窒化
物、硫化物、珪化物を添加して改善した記録材料が公知
となっている。この添加物は窒化珪素中に０．１乃至２
０モル％ことに４乃至２０モル％含有される。

さらにヨーロッパ特許出願公開０，２３３．０６２号公
報から、記録ｌ１ｉｌＩ（Ｂ）の少なくとも一方の面が
、珪素、アルミニウム、酸素及び窒素から成る１Ｆから
選ばれ、少なくとも３個の共イ丁結合を有する組成分か
ら成る保＝１輪至防蝕層で被覆された記録材料が公知と
なっている。

さらにヨーロッパ特許出願公開０，２３１．６７２号公
報には、記録Ｅ　（Ｂ）の少なくとも担体（Ａ）に対向
している方の面が、 （ｔ）Ｌａ１Ｃｅ１Ｐｒ１Ｎｄ１Ｐｒ、Ｓ＋ｓｓ　Ｅｕ
ｓ　Ｇｄｔ　Ｔｂｘ　ＤＹＮ１１ｏ１Ｅｒ％Ｔ１％　Ｙ
ｂ或はＬｕ及びθ１）ＳｉＯ２、＾Ｉａ（１＋、Ｃａｂ
ｓ　　Ｌａ２０ｙ、ＭｇＯ１Ｓｂ２０３．５ＩＯ１Ｓｎ
Ｏ３、ＺｒＯ□、ＺｎＳ１　ｃｄｓ、ｐｂｓ、ＳｂＳ、
ｌｓ　　＾ＩＦ３、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＭｇＦ２、Ｎ
ａＡＩＦｓ、ＮａＦｑ　　ＬＩＦ％　　ＮａＦ：＋、ｐ
ｂＦ２、ＴｈＦ４、ＡｌＮ５　５１３Ｎ４、ＴｌＮ１　
ＴＩＣ％　　ＳＩＣ，Ｃｒ３Ｃ２、ＭＯ２Ｃ或はＷＣ の気相から相互分離により形成された保ｍｆｆ１乃至防
蝕層で被覆された記録材料を開示している。

さらにまた本出願人の出願に係る西独特許出願Ｐ３７１
６７３６．７号（日木国特許出願昭８３−１１５０００
号）には、２種類以上の組成分から成り、それぞれ各１
組成から成る４居以上の分離された防蝕層（厚さ３０乃
至２５０ｎｍ）が記載されている。これは硼素、アルミ
ニウム、珪素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バ
ナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タ
ングステンの各元素の群から成る組成分の少な（とも１
種類と、その炭化物、窒化物、酸化物の群から成る他の
組成分の少な（とも１種類から選択される。直接隣接す
る居は常に互いに異なる組成分から構成される。

これらの製法、居形成及び／或は材料組成の異なる従来
技術は、いずれも記録層（Ｂ）におけるピンホール腐蝕
を常に確実に抑止することには成功していない。上記西
独特許出願Ｐ３７１６７３６．７号明細古に記載されて
いる防蝕層により記録層（Ｂ）を酸素及び水から保：Ｑ
する口約について有意の改善が期待され得るにしても、
記録再生の質、ならびに記録材料の耐用寿命に対する次
第に増大する要望にこたえ、ことに記録層（Ｂ）のピン
、ホール腐蝕を抑止するためにはさらに一層の改冴が必
要である。

そこでこの分野の技術的課題は、（Ａ）光学的に透過性
の、寸法安定性担体と、（Ｂ）ｊ！！！定形ランタニド
遷移金属合金から構成される熱変性可能の記録層とを有
し、上述した従来技術の欠点を示さない新規な扇平多届
磁気−光学的記録材料を提供することである。

（発明の要約） しかるに上記の技術的課題は、本発明による、（Ａ）光
学的に透過性の、寸法安定性担体と、（Ｂ）少なくとも
担体（Ａ）から遠い方の面において２０ｏｍまでの厚さ
を打し、炭素、酸素及び／或は窒素を含有する表面層部
分を有する、無定形ランタニド／遷移金属合金から構成
された熱変性可能の記録層とから成る扁平多層磁気−光
学的記録材料により解決されるに至った。

このように定義される扁平多層磁気−光学的記録材料は
、以下においてｒ本発明記録材料」と略称される。

（発明の構成） 本発明について「扁平」と称するのは、長さ及び幅に対
して厚さが著しく小さい、あらゆる空間占有形状を意味
する。従って本発明記録材料はテープ、板体或は円盤体
であることができ、ことにデータプレート乃至ディスク
と称されている円盤体がを利である。

本発明記録材料の木質的構成部分は、以下において「新
規記録ｆｆｌ　（Ｂ）Ｊと称される無定形ランタニド遷
移金属合金から成る新規な熱変性可能の記録層（Ｂ）で
ある。

新規記録Ｆｙ！１（Ｂ）は、これまで公知の磁気−光学
的記録層と同様に、！！（定形ランタニド遷移金属合金
から成り、１０乃至５００ｎｍの厚さををする。この新
規記２７層（Ｂ）は、公知技術におけると同様に、ラン
タニドのプラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロ
ピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロンラム及
びホルミウムならびに遷移金属の鉄及びコバルトを含有
し、このランタニドと遷移金属との適当な混合割合は一
般的に公知である。さらに無定形ランタニド／遷移金属
合金は、他の元素、例えばスカンジウム、イツトリウム
、ランタン、バナジン、ニオブ、クンタル、クロム、モ
リブデン、タングステン、マンガン、ニッケル、銅、銀
、金、亜鉛、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、燐、砒素、アンチモ
ン及び／或はビスムスを公知慣用の割合で含有すること
ができる。

新規記録８’（Ｂ）を形成するための適当なランタニド
／遷移金属合金は例えば以下のものである。

（Ｎｄｏ　、２Ｂ−０，３１１ＤＹＯ、ｏ３Ｆｅｏ　、
５−０　、ＱＣＯＯ−＋　）ｏ　、ｏｏ（Ｔ　Ｉ、Ｃｒ
）Ｏ−０ Ｇｄｏ　、２−０−Ｊｅｏ　、７−０．８、Ｇｄｏ−２
−Ｏ−３ＣＯＯ−７−０，８Ｔ　ｂｏ、＋５−ｏ、２ａ
Ｆｅｏ、７５−ｏ、５ｌｓｘ　　Ｇｄｏ、＋＋ｓ−ｏ、
２ｓｃＯｏ、ｔｓＤｙｏ−＋ａ−ｏ−２ａＦｅｏ−７□
−０，８２、Ｇｄｏ　、　ｌ３Ｔｂｏ　、　ＩＪｅｏ−
７４（Ｓｍｏ−ｏｏ−ｏ・ａ＋Ｔｂｏ、ｏｏ−ｏ、ｏ４
）ｏ−＋ＩＩ−ｏ・＊５Ｆｅｏ、ｅ５（（Ｓ１１ｏ、＋
−ｏ−２ｏＴｂｏ、＋４−ｏ、ｏ）ｏ、ａＧｄｏ、４）
ｏ−＊Ｊｅ（Ｔｂｏ　・２５Ｆｅｏ　・７５）　　Ｏ、
ｏｚＰｔｏ　・ａｓ新規記録５（Ｂ）は少なくとも担体
（Ａ）から遠い方の而に２０ｒ＋ｍまでの厚さの炭素、
酸素及び／或は窒素を含有する表面層部分を有するか、
或はその両面に２０ｏｍまでの厚さの炭素、酸素及び／
或は窒素を含有する表面層部分を有し、この両面に表面
層部分を有する場合には両者の厚さ、構造及び組成はほ
ぼ或は全く等しい。

新規記録Ｆ！Ｊ（Ｂ）が上記表面層部分を一方の而のみ
に打するか或は両方の而に仔するかに関係なく、この表
面層部分は２０ｒ＋ｎ＋より厚くなることはない。この
表面層ｍく分乃至帯域の厚さがそれ以上となってもその
有利な技術的効果は全く増大することはないからである
。他方において、この表面層部分の厚さはＯ，Ｉｎｍを
下廻ってはならない。この場合ピンホール腐蝕の防止効
果が十分に期待され得ないからである。本発明において
、この好ましい厚さは０．５乃至２０ｏｍことに１乃至
１８ｒ＋Ｉ１１である。

さらにイｆ利であるのは２乃至１６ｏｍの厚さ範囲であ
って、上記範囲内において適宜に厚さを変え、それぞれ
ランタニド／遷移金属合金の適用特性、記録層（Ｂ）全
体の厚さ及び／或は本発明記録材料に含有される居の合
計厚さに十分にかつ簡単に適応せしめることができる。

新規記録層（Ｂ）の表面層部分は炭素、酸素及び／或は
窒素を含有する。すなわち、ランタニド／遷移金属合金
のみでなく、さらに炭素、酸素或は窒素を、或は酸素及
び窒素を、酸素及び炭素を、炭素及び窒素を、或は炭素
、酸素及び窒素を含有する。表面層部分はさらにまた炭
化物の、酸化物の、窒化物の、酸化物／窒化物の、酸化
物／炭化物の、炭化物／窒化物の或は炭化物／酸化物／
窒化物の層部分を有することもできる。このうち−般に
酸素及び窒素を、或は酸素及び炭素を使用すること、す
なわち表面層部分は酸素及び窒素を、或は酸素及び炭素
を含有するのが好ましい。

新規記録ｆｆｌ　（１１）の表面層部分は炭素、酸素及
び／或は窒素を均斉含有するのが有利である。すなわち
この表面層部分は炭素、酸素及び／或は窒素の含有割合
について差違がない。表面層部分は化学量論的量の炭素
、窒素及び／或は窒素を、すなわち化学ｍ論的量で結合
されたランタニド−遷移金属−酸化物の、−窒化物の、
−炭化物の、−酸化物／炭化物の、−酸化物／窒化物の
、−炭化物／窒化物の或は−炭化物／酸化物／窒化物の
層部分を含有する。しかしながらこの表面ＦＩＲ分は準
化学量論的量の炭素、酸素或は窒素を、すなわち共を結
合性のランタニド−遷移金属−酸化物、窒化物、−炭化
物、−酸化物／炭化物、−酸化物／窒化物、−炭化物／
窒化物或は−炭化物／酸化物／窒化物の相を含有する。

本発明における表面層部分は準化学量論的量の炭素、酸
素及び／或は窒素を含有するのが好ましい。

従って、本発明は炭素、酸素及び／或は窒素の量におい
て異なること、すなわち表面層部分において炭素、酸素
及び／或は窒素の量が異なることもできる。

表面層が炭素、酸素或は窒素を含有する限り、表面８部
分は少なくとも部分的に準化学量論的組成を有するか或
は炭素、窒素及び酸素のない部分或は居が存在すること
になる。

表面層が酸素と窒素、酸素と炭素、炭素と窒素或は炭素
と酸素と窒素を含有する限り、含有割合に関し少なくと
も部分的に準化学量論的組成となり、それぞれの全組成
分割合に関しては化学量論的或は準化学ｍ論的組成であ
ることができる。

本発明において、それぞれの個別的ｍ割合に関して県化
学量論的組成であり、しかも各ｍ割合が異なる表面層部
分をイｆすることがを利である。

個別的なｍ割合が表面層部分の外方境界面から内方境界
面に向かって減少する場合、この個別的ｍ割合の減少が
連続的であれ、非連続的であれ、特に有利である。

酸素及び／或は炭素の、炭素及び／或は窒素の、酸素及
び／或は窒素の、或は炭素、酸素及び／或は窒素の含有
量割合が表面層部分において内方へ向けて非連続的に減
少する限り、表面層部分において分離された層の形成が
必須となる。この分離層の場合、酸素及び／或は炭素、
炭素及び／或は窒素、酸素及び／或は窒素の、或は炭素
、酸素及び／或は窒素の含有割合が互いに異なる月であ
ることが重要である。さらにランタニドと遷移金属との
みから成る層も存在し得る。分離層は互いに針切な境界
面を有しても、或は除々に、すなわち非連続的に移行し
てもよい。要するに各含有量割合は、表面層部分の外方
境界面から内方境界面に向けて減少する。

６含をｍ割合の減少が連続的であるか非連続的であるか
に関係なく、表面層部分の内方境界面は公知慣用の炭素
、酸素或は窒素のための検出法による検出限度以下まで
減少する。すなわちその含有割合は実際上界となる。

本発明において、それぞれの個別的ｎ割合すべてについ
て県化学量論的量の組成であり、しかもｎ割合が相異し
、しかも個別的ｍ割合が非連続的に減少するのでなく非
連続的に変化する表面層がことに好ましい。この場合各
個別的ｍ割合が表面層部分の外方境界面からまず減少し
、次いで増加し、次いで再び減少する。この変化は、表
面層部分内において１回乃至複数回生起し得る。変化は
個別的ｍ割合、例えば酸素或は窒素のみのｍ割合に関す
るものであり、或はすべての個別的ｍ割合に関するもの
であることができる。表面層部分内の各個別的ｍ割合が
非連続的に変化する場合には、炭素、酸素及び／或は窒
素のｍ割合は公知慣用の検出方法の検出限界以下にまで
低下減少し、事実上零にすることができる。この場合新
規記録層（Ｂ）における表面す部分の内方境界面では炭
素、酸素及び／或は窒素のｍ割合は、上述した場合と同
様に事実上零になる。

炭素ζ酸素及び／或は窒素の非連続的変化は、表面層部
分に分類された層を形成することになる。

この場合、−層中における炭素、酸素及び／或は窒素の
全割合は隣接朽のものに対して急激に変化し、従って各
層は相互的にｉす然とした境界面を存する。２割合の変
化は除々に、すなわち境界なく行われることもできる。

何れの場合においても酸素含有居が酸素無含仔居に隣接
することができ、酸素無含有居について炭素及び／或は
窒素含何層及び／或はランタニド−遷移金属居が問題と
なる。この場合、酸素含ａ層は比較的少量の炭素及び／
或は窒素含有量を仔することができる。

除々に、すなわち境界なしに別個の層が推移するのが本
発明において最も好ましい。

新規記録Ｊｉ！Ｉ（Ｂ）の表面層部分が上述した種類の
何れであるかに関係なく、また新規記録Ｆ！Ｊ（Ｂ）が
このような両表面色部分を仔するか否かに関係なく、新
規記録層（Ｂ）は直接隣接する層（Ｃ）と明確に区劃さ
れる。

新規記録層（Ｂ）が上述した表面層部分を一方の而のみ
にイｒするか或は両方の而に何するかに関係なく、また
その外方境界面が直接隣接する層（Ｃ）に急激に移行す
るか除々に移行するかに関係なく、データの良好な磁気
−光学的書込み及び読出しを確保するためには、形成さ
れた新規記録層（Ｂの表面層部分の厚さは、常にこれに
含まれる層が純粋なランタニド−遷移金属合金を厚くす
るようになされねばならない。このために、一般に純粋
なランタニド−遷移金属合金の層は１０乃至５００ｒ＋
ｍの厚さである。これに応じて表面層部分の厚さは上述
した０、１乃至２０ｎｍ１好ましくは０．５乃至２０ｎ
＋ｌｑことに１乃至１８　ｎ　ｍ　、特に２乃至＋６ｎ
ｍの厚さ範囲内で、所定の新規記録層（Ｂ）内において
良好なデータの磁気−光学的書込み及び読出しに必要な
純粋合金の最低限厚さが１０ｎｍを下廻らないように選
択されねばならない。

新規記録層（Ｉｔ）の形成は、本発明記録材料の形成の
枠内において行われる。

本発明記録材料は、新規記録層（Ｂ）のほかに光学的透
過比、１法安定性の担体（Ａ）を必須の構成要素として
有する。

有利なｊＱ体は公知慣用のものでよく、直径９０或は１
３０■、７さｌ　、　２　ｍ箇の光学的透過性、寸法安
定性の円盤体である。これは一般にガラス或は合成樹脂
、例えばポリカルボナート、ポリメチルメタクリラート
、ポリメチルペンテン、セルロースアセトブチラード或
はポリ（ビニリデンフルオリド）とポリメチルメタクリ
ラートの、もしくはポリスチレンとポリ（２，６−ジメ
チノにフェン−１，４−イレン−エーテル）の混合物か
ら構成される。

合成樹脂から構成するのが有利である。

新規記録５（Ｂ）に対向する担体（八）の面には凹凸構
造を形成することができる。

担体（Ａ）表面の凹凸構造はミクロン乃至サブミクロン
のオーダである。これはレーザビームを正確に案内する
作用をなし、ディスク駆動装置のレーザ光学的口込み及
び読出しヘッドにおけるトラック位置サーボ機構及び自
動集束装置の迅速かつ正確な応答を保証し、トラッキン
グを可能とじ或は改碧する。さらにこの凹凸構造は例え
ば公知のオーディオ或はビデオコンパクトディス゛りに
おけるようにそれ自体データとして作用し、或は書込ま
れたデータのコード化を行うことができる。この構造は
突出部及び／或は陥没部としてＨＩＷ成され、辻続する
同心円状或は蛇腹状条溝或は独立した隆起及び／或は孔
隙の形態をとることができる。さらにこれは多少平ｔけ
な波形状であってもよい。上記条溝がことに好ましい。

その凹断面は矩形の鋸歯状、７字状或は梯形状をなすこ
とができる。この陥没域を一般にグループ、隆起域をラ
ンドと称する。ことに有利であるのは、深さ５０乃至２
００ｎｍｓ幅０．４乃至０．８μｍの条７１＋ｒ＃であ
って、これらグループ間に１乃至３μｍ幅のランドが存
在する。

特にを利な担体（Ａ）の製造は、それ自体公知の態様で
清浄室内において例えば西独特許Ｐ３７２７０９３号に
記載のようにして、合成樹脂乃至その混合物を射出成形
法により成形処理することにより行われる。

本発明記録材料は、担体（Ａ）及びｔｒｒ規記録ＦＪ（
Ｂ）のほかにさらにＢ　（Ｃ）をイｆすることができる
。

例えば担体（Ａ）と新規記録層（Ｂ）との間に高屈折率
を有する光学的に透過性の材料から成る公知慣用の干渉
ｆｆｉ　（Ｃ）を設けることができる。この材料は慣用
の通り酸化物及び／或は窒化物を含何し或はこれにより
構成される。

なお新規記録層（Ｂ）の担体（Ａ）から遠い方の而に公
知慣用の金属から成る反射層（Ｄ）を設けることもでき
る。

なお新規記録層（Ｂ）と反射層（Ｄ）との間に、さらに
酸化物及び／或は窒化物を含有し、或は酸化物及び／或
は窒化物から成る光学的透過性５（Ｃ）を設けることも
できる。

本発明記録材料は、上記反射層（Ｄ）の新規記録層（Ｂ
）から遠い方の面に、同じく炭化物、酸化物及び／或は
窒化物を含有し、或は炭化物、酸化物及び／或は窒化物
から成る公知慣用の保護層乃至防１１．４ＩＩ　ｓをを
することもできる。

これら追加的）Ｍ　（Ｃ）及び（Ｄ）は別個の多数層か
ら構成され得る。なお届（Ｃ）はレントゲンアモルファ
ス或は多結晶質であることができる。

これら追加的層（Ｃ）及び（Ｄ）の厚さは一般的に公知
であり、本明細吉口頭に掲記した公知文献中に記載され
ている。

特定の目的のため本発明記録材料は、さらに少なくとも
１月の公知慣用の磁化可能層を有することができる。こ
の磁化可能層は硬磁性もしくは軟磁性居、或は公知慣用
の磁気−光学的記録層である。このため新規記録層（Ｂ
）も使用され得る。

これらの追加的ｆｌ　（Ｃ）及び（Ｄ）ならびにさらに
他の磁化可能層の製造は、本発明記録材料製造の範囲内
にあり、本発明記録材料の形成に必要な一連の製造工程
に属する。

上述した本発明記録材料の二名はまたサンドイッチ状に
互いに結合され、記録ｆｌ（Ｂ）２Ｊｆｆｌは互いに対
向し、両者間に一定の間隔を保持する。このため２枚の
記録材料を重畳結合するための公知慣用の方法が使用さ
れる。

本発明記録材料の製造は、上述した担体（Ａ）から出発
し、その表面に新規記録層（Ｂ）が所望の厚さに重ねら
れ、これに本発明に必要な内部構成と必要に応じ層（Ｃ
）及び（ＤＪならびにさらに池の磁化可能層が任意所望
の順序、層数乃至枚数及び厚さで重ねられる。それぞれ
の層形成は気体相からもたらされ、しかる後、新規記録
層（Ｂ）に対しこの平面に直交して公知慣用の方法で磁
化が行われる。

新規記録層（Ｂ）及び場合によりさらに他の各月の重ね
合せは、薄層形成のための公知慣用の方法で、蒸着、反
応性蒸着、イオン鍍金、イオンクラスタービーム沈積（
ＩＣＢ）　、！１３極スパッタリング、反応性陰極スパ
ッタリング、マグネトロン陰極スパッタリング或は反応
性マグネトロン陰極スパッタリングにより行われる。こ
のうち陰極スパッタリング（通常単にスパッタリングと
称される）がことに好ましい。

コ１７）　ｒ２　極スパッタリングにおいては、相当す
る金属、炭化物、酸化物、窒化物及び／或は場合により
使用されるその他の化合物を任意所望の順序及び量にお
いてＫＬ、空下に陰極（ターゲット）から噴霧し、担体
（Ａ）或はすでにその上に形成された層上に分離沈着さ
せる。一般にこのための処理ガスとして希元素ガス、例
えばアルゴンが使用される。

反応性陰極スパッタリング（反応性スパッタリング）の
場合には、処理ガスにさらに反応性ガス、例えば水素、
炭化水素、酸素、窒素などの適当量を適当な時点に添加
混合する。例えば炭化水素、酸泰及び／或は窒素の存在
下、処理ガス中において、金属ガス噴霧により金属の酸
化物、窒化物、炭化物、炭化酸化物、炭化窒化物、酸化
窒化物或は炭化酸化窒化物の層が直接的に分離形成され
る。この場合関連する府の厚さ、構造及び組成は、噴霧
量乃至速度、分離速度、処理ガス圧力及び処理ガス組成
により公知の如く極めて正確に、また再現可能制御され
る。

（反応性）マグネトロン陰極スパッタリングの場合、タ
ーゲットは磁場内に置かれる。

新規記録５　（Ｂ）の形成は、（マグネトロン）陰極ス
パッタリング法によるのが好ましい。この場合すでに接
層の担体（Ａ）から遠い方の面には２０ｒ＋ｍまでの厚
さの炭素、酸素及び／或は窒素含有表面層部分が形成さ
れる。或はまた純粋ランタニド−遷移金属合金属の形成
後に、部分的或は全体的な反応により２０ｎｍまでの厚
さの炭素、酸素及び／或は窒素含有表面層部分を形成す
ることもできる。

この場合新規記録層（Ｂ）形成の間に表面層ｍ５分を形
成するのが特に好ましい。これにより相当する表面層部
分が反応性（マグネトロン）ド３極スパッタリングによ
り、これがな（でも使用されるランタニド−遷移金属合
金が炭化水素、酸素及び／或は窒素の存在下に形成され
るからである。この場合、形成法パラメータは公知慣用
の態様で調節され、かつ／もしくは簡単な予備実験で確
認され、上述した態様の移行域がもたらされる。

新規記録Ｆｌ　（Ｂ）はまた担体（Ａ）に対向する方の
平面上も２Ｏｎ腸までの厚さの炭化物、酸化物及び／或
は窒化物を含をする表面層部分を有することができる。

この表面層部分は （０炭化水素、酸素及び／或は窒素の存在下に２０ｎｍ
までの厚さのランタニド−遷移金属合金の層を形成する
ことにより、或は （ｉｉ）２０ｒ＋ｍまでの厚さのランタニド−４移金属
合金の形成と、その後のこれと炭素、酸素及び／或は窒
素との部分的或は全体的反応とにより形成され、しかる
後に純粋ランタニド−遷移金属合金を任意所Ｓ！の厚さ
まで遊離形成させる。

この場合、処理（ｉ）により表面層部分を形成するのが
特に好ましく、シかも反応性（マグネトロン）陰極スパ
ッタリング法を使用するのが特に好ましい。

それぞれ担体（Ａ）の表面から出光して種々の本発明記
録材料に到達するための特に好ましい処理ｍｎ序は以下
の（Ｉ）乃至１’）である。

処Ｐ１１順序（Ｉ） （Ｉ−１）反応性（マグネトロン）陰極スパッタリング
による層（Ｃ）形成、 （１−２）（マグネトロン）　ＩＧ陰極スパッタリング
よる新規記録層（Ｂ）、反応性（マグネトロン）陰極ス
パッタリングによる表面層部分形成、（１−３）反応性
（マグネトロン）陰極スパッタリングによる８（Ｃ）形
成。

処理順序（ＩＩ） （ｎ−１）土間順序（Ｉ）によると同様の層（Ｃ）形成
、 （ＩＩ−２）上回順序（Ｉ）によると同様の新規記録層
形成、 （Ｕ−３）上掲ｍａ序（Ｉ）ｉ：ヨると同様の層（Ｃ）
形成、 （ｎ−４）（マグネトロン）陰極スパッタリングによる
反射層（Ｄ）形成、 （ＩＩ−５）上回順序ＣＩ）によると同様の層（Ｃ）形
成、 処理順序（ＩＩＩ） （Ｉｌｌ−１）反応性（マグネトロン）陰極スパッタリ
ングによる新規記録層（Ｂ）の第１表面Ｆ１部分形成、 （マグネトロン）陰極スパッタリングによる純粋ランタ
ニド−」１移金属合金層形成、反応性（マグネトロン）
Ｉ！３極スパッタリングによる新規記録層（Ｂ）の第２
表面層部分形成、（ＩＩＩ−２）上１ｕ順序（Ｉ）ニＪ
ニルと同様の層（Ｃ）形成、 処理順序（ＩＶ） （ＴＶ−１）上回順序（Ｉ）によると同様のＦＪ（Ｃ）
形成、 （ｒＶ−２）上置順序ＣＴＩ）によると同様の新規記録
層（Ｂ）形成、 （ＩＶ−３）上置順序（Ｉ）によると同様の層（Ｃ）形
成、 （ＴＶ−４）上ｆＫｊ順序（ＩＩ）によると同様の反射
層（Ｄ）形成、 （ｒＶ−５）上回順序（Ｉ）によると同様の層（Ｃ）形
成、 本発明による記録材料は、慣用の方法で光学的透過性、
寸法安定性担体（Ａ）の側から、パルス変調により、新
規記録層（Ｂ）に集束され、がっ／もしくは＋＋：（角
に入射せしめられるＩｏｏｏｎｍより小さい波長λの書
込みレーザビームにより磁化スポットの形態において書
込まれる。しかる後、書込まれた記録５（Ｂ）上に集束
され、かつ／もしくは直角に入射せしめられる連続レー
ザビームによりデータの読出しが行われる。この場合記
録層（Ｂ）自体から或は反射ｆｆｉ　（Ｄ）から反射さ
れるレーザ光が検出され信号に変換される。本発明によ
るデータ盤体乃至ディスクの場合、公知慣用の半導体レ
ーザとレーザ光学的ヘッドを備えたディスクドライブが
使用され得る。

本発明記録材料は、従来技術のものにくらべて著しい利
点を有する。すなわち公知の記録材料よりも高い感度を
有し、従って低いレーザ出力で吉込み可能である。本発
明による磁気光学的データ盤体（ディスク）は公知ディ
スクより低いレーザ出力、高いディスク回転数で吉込み
を行い得る。

またそのビット密度は従来技術に比し著しく高い。また
読出しに際しては、無ひずみの信号がもたらされ、ジグ
ナス／ノイズ比は５５ｄＢ以上である。また７０℃、相
対湿度９０９Ａで１０００時間以上貯蔵した後において
ビット誤り率の増大に至らず、情報欠１ｍをもたらすこ
とがない。

本発明記録材料は新規記録層（Ｂ）を有する。この新規
記録層（Ｂ）は簡単でしかも秀れた聾様で本発明記録材
料のその他の層の特徴的パターンに適合せしめられ、こ
れにより従来未知の、かつ／もしくは従来実現不可能と
考えられていた理想的な磁気光学的記録材料の実現が可
能となった。この新規記録層（Ｂ）はことに担体（Ａ）
及び／或は炭化物、酸化物及び／或は窒化吻合（Ｊ）ｆ
ｆｌ（Ｃ）の表面と極めて強固に接若され、従って長時
間使用しても対向層から剥離することがない。特にこの
新規記録層は従来技術による磁気光学的記録層に比しピ
ンホール腐蝕に対して著しく安定である。

実施例１乃至４ 本発明磁気光学的記録材料の製造及びその使用特性 担体（Ａ）として直径１３０■■、厚さ１．２−■で条
溝を有するポリカルボナート円盤８枚を清浄室条件下に
射出成形した。

次いでポリカルボナート円盤体（Ａ）（実施例１乃至４
で４枚）の回転下に条溝形成面上に、実施例１及び２に
おいては以下の処理順序（Ｉ）で、実施例３及び４にお
いては以下の処理順１Ｆ（ＩＩ）で各層形成を行った。

処理順序（Ｉ） （Ｉ−１）反応性（マグネトロン）陰極スパッタリング
により酸化物及び／或は窒化物含打層（Ｃ）形成、 （Ｉ−２）（υマグネトロン陰極スパッタリングにより
ランタニド／遷移金属合金朽形成、（ＩＩ）炭素、酸素
及び／或は窒素の存在下、反応性マグネトロン陰極スパ
ッタリングにより上記ランタニド／遷移金属合金に表面
居部分形成を経て新規記録層（Ｂ）形成、 Ｃｌ−３）反応性マグネトロン陰極スパッタリングにさ
らに他のｆｌ　（Ｃ）形成、 処理順序（ｎ） （ＩＩ−１）土間処理順序（■）（実施例１及び２）と
同様にして居（Ｃ）形成、 （ｎ−２）土間処理順序（■）（実施例１及び２）と同
様にして新規記録Ｆｆ！Ｊ（Ｂ）形成、（ｎ−３）土間
処理順序（１）（実施例１及び２）と同様にしてさらに
他の層（Ｃ）形成、（ＩＩ−４）マグネトロン陰極スパ
ッタリングにより反射層ＣＤ）形成、 （ｎ−５）土間処理順序（Ｉ）と同様にして第３Ｆ！Ｊ
（Ｃ）形成、 方法パラメータは、下掲表１に示される本発明データ盤
体ｌ乃至４のπ１１成をもたらすように選定された。

製造結果の検査及び分析のため、本発明によるデータ盤
体のさらに４枚を厳密に対比し得る条件下に製造した（
実施例１ａ乃至４ａ）。これらの盤体について新規記録
層（Ｂ）の構造及び組成は、公知慣用の、一部は材料構
造分析法、例えば化学的元素分析、光学的顕微鏡検査、
電子走査顕微鏡検査、レントゲン分光＋ｊｌ′ｌｉ、レ
ントゲン線照射、レントゲン線回折、ＥＳＣＡ（科学的
分析用エレクトロン分光試験）、炎光光度法により検査
された。さらに公知慣用の非破壊及び分光法により本発
明データ盤体の６対（実施例１．１ａ乃至４．４ａ）が
それぞれ同じであって、データ盤体１ａ乃至４ａにつき
表１における結果をもたらすことが確認された。

実施例１乃至４による本発明データ盤体の新規記録層（
Ｂ）は、その形成後直ちに平面に直交して磁化される。

次いでデータ盤体は２３±２°Ｃの１ａ度、＋０３±３
．５ｋＰａの空気圧、４５乃至５５％の相対空気温度で
４８時間保管された。

しかる後この処理盤体は、公知慣用のディスクドライブ
により厳密に対比可能の条件下にデータ書込みが行われ
た。このためにＧａＡｌＡｓのパルス変調半導体レーザ
が使用されたが、これは波長λ＝８３０ｎｍの偏光直進
レーザ光を放射した。ビット長さ、すなわち磁化スポッ
トの直径も、ビット間隔、すなわちスポットとスポット
の間隔も約１ａｍであった。

書込まれたデータのカー効果による読出しく実施例１及
び２）或はファラデイ効果による読出しく実施例３及び
４）のためＮＩｍＷ以下の光出力の連続波のＧａ八へＡ
ｓ半導体レーザを使用した。未補正のビット１誤り率は
、公知慣用の態様でタイムインターバルアナライザ（Ｔ
ＩＡ）により測定された。

データ盤体は書込み直後に読出しを行った（第１読出し
）。しかる後、磁気光学的記録材料に典型的な「加速耐
用寿命試験」により６０．７０及び８０°Ｃの各１１□
１度、９０％の相対湿度で検合し、しかる後改めて読出
しを行った（第２読出し）。これにより得られたデータ
盤体記録層（Ｂ）の未補正ビット誤り率及び光学顕微鏡
ならびに電子顕微鏡検査結果から、常ｆコ条件（３０°
Ｃ１９０％相対空気温度）下の耐用寿命が評価された。

その結果は表２に示された。

対比試験界■、及び■２ 公知記録材料の製造及びその使用特性 実施例１乃至４に記載されたようにして２枚のデータ盤
体を製造し、その構造及び組成を西独特許出願公開３３
３５６８９号公報から公知の試料Ａ−２及びＢ−５と比
較した。対比盤体の構造は表１において本発明盤体のそ
れと対比して掲載されている。

公知データ盤体は実施例１乃至４に記載されたように磁
化され、データ書込みされ、読出され、試験に付された
。これにより得られた対比試験結果は、表２において実
施例１乃至４の結果と対比して掲載される。

両者を比較して、公知組成の記録材料は本発明記録材料
に対して貯蔵安定性において劣っており、ビット１誤り
率は本発明の場合公知のものに対して著しく高められて
いる。さらにピンホール腐蝕についても本発明は従来技
術に対して著しく改善されている。

手 続 補 正 書 平成１年 ５月 １日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （Ａ）光学的に透過性の、寸法安定性担体と、 （Ｂ）少なくとも担体（Ａ）から遠い方の面において２
   ０ｎｍまでの厚さを有し、炭素、酸素及び／或は窒素を
   含有する表面層部分を有する、無定形ランタニド／遷移
   金属合金から構成された熱変性可能の記録層とから成る
   扁平多層磁気−光学的記録材料。