JP3122151B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

Info

Publication number
JP3122151B2
JP3122151B2 JP03059567A JP5956791A JP3122151B2 JP 3122151 B2 JP3122151 B2 JP 3122151B2 JP 03059567 A JP03059567 A JP 03059567A JP 5956791 A JP5956791 A JP 5956791A JP 3122151 B2 JP3122151 B2 JP 3122151B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
film
recording
dielectric
magneto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP03059567A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH056582A (ja
Inventor
悦郎 池田
正弘 吉川
隆 岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP03059567A priority Critical patent/JP3122151B2/ja
Priority to KR1019920002844A priority patent/KR100214037B1/ko
Priority to CA002061954A priority patent/CA2061954C/en
Priority to CA002292025A priority patent/CA2292025C/en
Priority to EP92103365A priority patent/EP0502425B1/en
Priority to AT92103365T priority patent/ATE165184T1/de
Priority to DE69225083T priority patent/DE69225083T2/de
Publication of JPH056582A publication Critical patent/JPH056582A/ja
Priority to US08/289,346 priority patent/US5585197A/en
Priority to US08/749,643 priority patent/US5741541A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3122151B2 publication Critical patent/JP3122151B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589—Details
    • G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9265—Special properties
    • Y10S428/928—Magnetic property
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12542—More than one such component
    • Y10T428/12549—Adjacent to each other
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12583—Component contains compound of adjacent metal
    • Y10T428/1259—Oxide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611—Oxide-containing component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、希土類−遷移金属合金
膜を記録層とする光磁気記録媒体に関するものであり、
特に低記録磁界化のための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録方式と
して、半導体レーザ光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利
用してこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されて
いる。この光磁気記録方式において使用される記録材料
としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，Ｃ
ｏ等の遷移金属を組み合わせた希土類−遷移金属合金膜
（以下、ＲＥ−ＴＭ膜と称する。）が代表的なものであ
り、ＲＥ−ＴＭ膜を記録層とする光磁気記録媒体とし
て、例えばＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、
Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、Ａｌ反射膜の４層構造を有するも
のが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の４層
構造を有する光磁気記録媒体においては、製造に際して
基板上に上記Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性
膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜及びＡｌ反射膜を順次スパッタ
リング等の手法により成膜する必要がある。そして、特
にＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜は、成膜チャンバー中にスパッタ
リングガスとしてＡｒ等の不活性ガスと反応ガスである
Ｎ2 等を導入し、ＲＦ反応性スパッタリングによって成
膜されるのが一般的である。しかしながら、このような
手法によって作製される光磁気記録媒体は、外部磁界１
５０エルステッド以上で記録しないと、満足なＣＮ比が
得られないという問題がある。これは、オーバーライト
可能な磁界変調方式に適用しようとした場合に大きな障
害となり、したがってその改善が磁界変調方式を実現す
る上で大きな課題である。そこで本発明は、かかる従来
の実情に鑑みて提案されたものであって、記録層である
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜への不純物の混入が少なく、低磁界
記録が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと長期に亘って鋭意研究を重ねた結
果、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜に誘電体層の構成元素がどの程
度入り込んでいるかが特性に大きく影響するとの結論を
得るに至った。本発明は、このような知見に基づいて完
成されたもので、基板上に少なくとも希土類−遷移金属
合金膜からなる記録層と誘電体層がこの順に積層形成さ
れ、磁界変調方式により情報が記録される光磁気記録媒
体において、上記記録層と誘電体層の界面に酸素を含む
Ｔｂのみからなる層が遮断層として形成されており、オ
ージェ電子分光法による深さ方向の膜構造解析におい
て、前記記録層のうち前記誘電体層に由来する元素を含
む領域が、記録層と誘電体層の界面から７０Å以下であ
ることを特徴とするものである。
【０００５】本発明が適用される光磁気記録媒体は、Ｒ
Ｅ−ＴＭ磁性膜を記録層とするもので、少なくともこの
上に誘電体層が成膜されてなるものである。具体的に
は、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3
Ｎ4 誘電体膜、Ａｌ反射膜の４層構造を有する光磁気記
録媒体が挙げられる。ＲＥ−ＴＭ磁性膜は、ＴｂＦｅＣ
ｏやＧｄＦｅＣｏ等、これまで光磁気記録媒体の記録膜
として知られているものがいずれも使用可能である。こ
のＲＥ−ＴＭ磁性膜の膜厚は、実用的な磁気光学特性を
達成するという観点から、１００〜１０００Å程度に選
ばれる。また、記録層は、前記ＲＥ−ＴＭ磁性膜のみか
らなってもよいし、Ｔｂ等の希土類元素層をＲＥ−ＴＭ
磁性膜の表面に形成したものであってもよい。前記希土
類元素層は、記録再生特性に影響を与え低磁界下での記
録・再生を可能とするものであるが、あまり膜厚が厚い
とノイズが増加する傾向にあることから、その膜厚を１
〜３０Å程度に選ぶことが望ましい。
【０００６】一方、誘電体層は、耐蝕性の向上や多重反
射によるカー回転角，ファラデー回転角のエンハンスメ
ントを目的として設けられるものであり、Ｓｉ等の酸化
物，窒化物，オキシナイトライド等、さらにはジンクサ
ルファイド（ＺｎＳ）等を、１００〜２０００Å程度の
膜厚に成膜してなるものである。この誘電体膜が、記録
層（ＲＥ−ＴＭ膜）の上に積層されているか、ＲＥ−Ｔ
Ｍ磁性膜を挟んで両側に成膜されている場合に、本発明
は有効である。
【０００７】上述のように記録層（ＲＥ−ＴＭ磁性膜）
の上に誘電体膜が積層されている場合、成膜条件等によ
って誘電体膜の構成元素がある程度ＲＥ−ＴＭ磁性膜中
に入り込む現象が見られる。ところが、この誘電体膜の
構成元素を含むＲＥ−ＴＭ磁性膜は、特性の点で好まし
いものではなく、かかる領域のＲＥ−ＴＭ磁性膜中に占
める割合が記録に必要な外部磁界の大きさに大きな影響
を与える。そこで本発明においては、記録層のうち前記
誘電体層に由来する元素を含む領域を、記録層と誘電体
層の界面から７０Å以下とする。
【０００８】上記記録層と誘電体層の界面は、オージェ
電子分光法による深さ方向の膜構造解析によって決定さ
れるもので、本発明においては次のように定義される。
先ず、深さ方向のオージェプロファイルにおいて、誘電
体膜がＳｉ3Ｎ4 である場合にはＳｉの、ＺｎＳである
場合にはＺｎの平均ピーク高さを求め、前記記録層との
界面側でＳｉ（あるいはＺｎ）のピークがこの平均ピー
ク高さの１／２になる位置を求める。一方、記録層側に
おいても、ＲＥ−ＴＭ磁性膜のうちの希土類元素（例え
ばＴｂ）の平均ピーク高さを求め、誘電体膜との界面側
で希土類元素のピークがこの平均ピーク高さの１／２に
なる位置を求める。そして、これら２つの位置の中点を
記録層と誘電体層の界面とする。
【０００９】また、記録層のうち前記誘電体層に由来す
る元素を含む領域であるが、例えば誘電体膜がＳｉ3 Ｎ
4 である場合には、Ｎを含む領域がこれに相当し、Ｎが
前記界面からどれくらい入り込んでいるかによって判断
する。同様に、誘電体膜がＺｎＳである場合には、Ｓが
前記界面からどれくらい入り込んでいるかによって判断
する。
【００１０】上述のように誘電体層に由来する元素（例
えばＮ）のＲＥ−ＴＭ磁性膜への進入を７０Å以下とす
るには、例えば前記誘電体層と記録層の界面に、いわば
遮断層となる領域を設ければよい。この遮断層は、ＲＥ
−ＴＭ磁性膜中に存在しない異種元素（酸素）を３％以
上含むようなＴｂ層であって、例えば誘電体層と記録層
の間に観測される酸素のオージェ信号及び酸化して収率
が大きくなったことにより観測されるＴｂのオージェ信
号が遮断層に相当する。
【００１１】なお、遮断層の膜厚は、深さ方向のオージ
ェプロファイルにおいて、誘電体層と記録層の界面にピ
ークを有する信号の半値幅より求めることができるが、
上記異種元素が１原子並んだ状態でも十分に効果があ
り、かかる観点から見ると膜厚が数Å以上であればよ
い。ただし、あまりこの遮断層の膜厚を厚くすると、結
果として記録層（ＲＥ−ＴＭ磁性膜）の特性を損なうこ
とになるので、前記半値幅で１００Å以下とすることが
好ましい。
【００１２】上記誘電体層と記録層の界面に遮断層を形
成するには、ＲＥ−ＴＭ磁性膜を成膜した後、Ｔｂのみ
からなる希土類元素層を成膜し、そのまま３０分以上放
置するか、所定の酸素分圧を有する雰囲気中あるいは所
定の酸素分圧及び水蒸気分圧を有する雰囲気中に短時間
曝せばよい。この場合、酸素分圧としては３×１０−６
〜１×１０−１Torr程度、水蒸気分圧としては１×１０
−７〜１×１０−４Torr程度とすればよく、この範囲で
放置時間等を選定すれば上述の遮断層が形成される。
【００１３】
【作用】例えば、４層構造を有する光磁気記録媒体にお
いては、３層目のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜は、２層目のＴｂ
ＦｅＣｏ磁性膜の成膜後にスパッタリングによって形成
されるため、わずかな時間ではあるがＴｂＦｅＣｏ磁性
膜がＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜の成膜雰囲気であるＡｒとＮ2
ガスのプラズマ中に放置されることになり、さらにはス
パッタリングされたＳｉ粒子に曝されることになる。こ
のとき、プラズマ中で解離したりイオン化した活性元素
（特にＮやＮ+ 等）がＴｂＦｅＣｏ磁性膜中に入り込
み、特性が劣化するという現象が見られる。本発明にお
いては、記録層と誘電体層の界面に遮断層を設ける等の
手法により、記録層のうち誘電体層に由来する元素を含
む領域が前記界面から７０Å以下とされているので、特
性の劣化が抑制され、低記録磁界化が図られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて
説明する。
【００１５】実施例 本実施例で作製した光磁気記録媒体は、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電
体膜、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜、Ｓｉ3 Ｎ4 誘電体膜、Ａｌ
反射膜の４層構造を有するものであるが、なお、ＴｂＦ
ｅＣｏ磁性膜の表面には、希土類元素層としてＴｂ層が
形成されている。また、基板にはガラス２ｐ基板を用い
た。
【００１６】先ず、Ｓｉターゲットを使用し、１％の窒
素ガスを含有するＡｒ雰囲気中、ガス圧３×１０-3Torr
にてＲＦ反応性スパッタリングを行い、第１のＳｉ3 Ｎ
4 誘電体膜を成膜した。次いで、ＴｂターゲットとＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットを使用して、直流同時２元スパッタ
リングを行い、膜厚２２５ÅのＴｂＦｅＣｏ磁性膜を成
膜した。さらに、Ｔｂターゲットを使用して直流スパッ
タリングにより膜厚５ÅのＴｂ層を成膜した。
【００１７】Ｔｂ層を成膜した後、１×１０-6Torrの水
蒸気分圧と２×１０-4Torrの酸素分圧を有する雰囲気中
に１分間曝し、遮断層を形成した。次に、再びＳｉター
ゲットを使用してＲＦ反応性スパッタリングを行って第
２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜を成膜し、さらにＡｌターゲッ
トを使用して直流スパッタリングを行ってＡｌ反射膜を
成膜した。最後に、上記Ａｌ反射膜を覆って紫外線硬化
樹脂を塗布することにより保護膜を形成し、サンプルデ
ィスクを作製した。
【００１８】比較例１ ＴｂＦｅＣｏ磁性膜の膜厚を２３０Åとし、このＴｂＦ
ｅＣｏ磁性膜を成膜した後、直ちに第２のＳｉ3 Ｎ4 誘
電体膜を成膜した他は、先の実施例と同様の手法により
サンプルディスクを作製した。
【００１９】比較例２ Ｔｂ層を成膜した後、直ちに第２のＳｉ3 Ｎ4 誘電体膜
を成膜した他は、先の実施例と同様の手法によりサンプ
ルディスクを作製した。
【００２０】以上によって作製された各サンプルディス
クについて、先ずオージェ電子分光法による深さ方向の
膜構造解析を行った。各サンプルディスクのオージェプ
ロファイルを図１乃至図３に示す。なお、図１は実施
例、図２は比較例１、図３は比較例２にそれぞれ対応す
るものである。また、オージェ電子分光法の条件は、下
記の通りである。
【００２１】イオンエネルギー ： １ｋＶ エミッションカレント ： ２５ｍＡ 測定エリア ： ０．３×０．２ mm2 スパッタレート ： ８１Å／分 加速電圧 ： ２ｋＶ ビーム電流 ： ５×１０-7Ａ 測定圧力 ： ６．８×１０-8Ｐａ スポット半径 ： ３０μｍ
【００２２】これらオージェプロファイルを比較してみ
ると明らかなように、実施例においては、Ｓｉ3 Ｎ4 誘
電体膜とＴｂＦｅＣｏ磁性膜の間にＴｂ層と結合する酸
素のピークが観測される。この酸素のピークが遮断層に
相当し、ここでは膜厚約５０Åの遮断層が形成されてい
ることになる。そして、比較例１及び比較例２に比べて
実施例では、窒素（Ｎ）のＲＥ−ＴＭ磁性膜への混入が
少ない。具体的には、図示の如く実施例では界面から６
０Åであるのに対して、比較例１では約９０Å、Ｔｂ層
を設けた比較例２でも約８０Åである。
【００２３】そこで次に、これらサンプルディスクの磁
界変調方式による記録再生特性を調べた。記録再生特性
は、媒体線速１．３ｍ／秒、記録周波数７２０ｋＨｚ、
記録レーザーパワー４．５ｍＷ、再生レーザーパワー
０．６ｍＷの条件下で測定し、再生波形の全周波数帯域
について１０ｋＨｚの解像帯域でスペクトル分析を行っ
て記録外部磁界±７０エルステッドでのＣＮ比を求めた
ものである。結果を表１に示すが、実施例において磁界
感度が向上していることがわかる。
【表１】
【００２４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、記録層への誘電体層に由来する元素の入
り込みを記録層と誘電体層の界面から７０Å以下として
いるので、特性を劣化を抑制することができ、外部磁界
感度に優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】遮断層が形成された実施例のオージェプロファ
イルである。
【図２】比較例のオージェプロファイルである。
【図３】他の比較例のオージェプロファイルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 隆 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−32750（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−198240（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−252443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219655（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−57442（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105 511 G11B 11/105 526 G11B 11/105 506

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも希土類−遷移金属合
    金膜からなる記録層と誘電体層がこの順に積層形成さ
    れ、磁界変調方式により情報が記録される光磁気記録媒
    体において、上記記録層と誘電体層の界面に酸素を含むＴｂのみから
    なる層が遮断層として形成されており、 オージェ電子分光法による深さ方向の膜構造解析におい
    て、前記記録層のうち前記誘電体層に由来する元素を含
    む領域が、記録層と誘電体層の界面から７０Å以下であ
    ることを特徴とする光磁気記録媒体。
JP03059567A 1991-02-28 1991-03-01 光磁気記録媒体 Expired - Lifetime JP3122151B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03059567A JP3122151B2 (ja) 1991-02-28 1991-03-01 光磁気記録媒体
KR1019920002844A KR100214037B1 (ko) 1991-02-28 1992-02-25 광자기기록매체
CA002292025A CA2292025C (en) 1991-02-28 1992-02-27 Magneto-optical recording medium and method for producing same
EP92103365A EP0502425B1 (en) 1991-02-28 1992-02-27 Method of producing a magneto-optical recording medium
CA002061954A CA2061954C (en) 1991-02-28 1992-02-27 Magneto-optical recording medium and method for producing same
AT92103365T ATE165184T1 (de) 1991-02-28 1992-02-27 Verfahren zur herstellung eines magnetooptischen aufzeichnungsmediums
DE69225083T DE69225083T2 (de) 1991-02-28 1992-02-27 Verfahren zur Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums
US08/289,346 US5585197A (en) 1991-02-28 1994-08-11 Magneto-optical recording medium having a rave earth-transition metal alloy layer, a rave earth layer, a rare earth oxide layer, and a SiN layer
US08/749,643 US5741541A (en) 1991-02-28 1996-11-15 Method for producing magneto-optical recording medium

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5801491 1991-02-28
JP3-58014 1991-02-28
JP03059567A JP3122151B2 (ja) 1991-02-28 1991-03-01 光磁気記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH056582A JPH056582A (ja) 1993-01-14
JP3122151B2 true JP3122151B2 (ja) 2001-01-09

Family

ID=26399104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03059567A Expired - Lifetime JP3122151B2 (ja) 1991-02-28 1991-03-01 光磁気記録媒体

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5585197A (ja)
EP (1) EP0502425B1 (ja)
JP (1) JP3122151B2 (ja)
KR (1) KR100214037B1 (ja)
AT (1) ATE165184T1 (ja)
CA (1) CA2061954C (ja)
DE (1) DE69225083T2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5577020A (en) * 1993-10-08 1996-11-19 Tdk Corporation Magneto-optical disc with intermediate film layer between a recording film and a dielectric film
US5593789A (en) * 1993-12-14 1997-01-14 Tdk Corporation Magneto-optical recording medium
JPH11120635A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Sony Corp 光ディスク及びその製造方法
JP2000231749A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sony Corp 光磁気記録媒体及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766528B2 (ja) * 1983-03-18 1995-07-19 富士写真フイルム株式会社 磁気記録媒体
US4615944A (en) * 1983-05-17 1986-10-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Amorphous magneto optical recording medium
US4741967A (en) * 1983-06-08 1988-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
US4666759A (en) * 1984-06-30 1987-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Data recording medium
US4740430A (en) * 1987-02-18 1988-04-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Magneto-optic memory
DE3803000A1 (de) * 1988-02-02 1989-08-10 Basf Ag Flaechenfoermiges, mehrschichtiges magneto-optisches aufzeichnungsmaterial

Also Published As

Publication number Publication date
ATE165184T1 (de) 1998-05-15
CA2061954C (en) 2000-11-28
EP0502425B1 (en) 1998-04-15
JPH056582A (ja) 1993-01-14
KR920017047A (ko) 1992-09-26
EP0502425A2 (en) 1992-09-09
DE69225083T2 (de) 1998-11-19
EP0502425A3 (en) 1993-08-11
US5741541A (en) 1998-04-21
DE69225083D1 (de) 1998-05-20
CA2061954A1 (en) 1992-08-29
KR100214037B1 (ko) 1999-08-02
US5585197A (en) 1996-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3781823B2 (ja) 光磁気記録媒体及びその再生方法
US5772856A (en) Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same
US5577020A (en) Magneto-optical disc with intermediate film layer between a recording film and a dielectric film
US5476713A (en) Magneto-optical recording medium
JPH09180276A (ja) 光磁気記録媒体およびその再生方法
JP3122151B2 (ja) 光磁気記録媒体
JP3363409B2 (ja) 光メモリ素子及びその製造方法
JPH09231631A (ja) 光磁気記録媒体
JP3248278B2 (ja) 光磁気記録媒体
US5710746A (en) Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity
US5536589A (en) Magneto-optical recording medium
US4999260A (en) Magneto-optical recording medium comprising a rare-earth-transition metal dispersed in a dielectric
CA2292025C (en) Magneto-optical recording medium and method for producing same
US5626965A (en) Magnetooptical recording medium
JP2754658B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPH07121918A (ja) 光磁気記録媒体
JP2957425B2 (ja) 光磁気ディスクおよびその製造方法
JP3418088B2 (ja) 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の再生方法
JP3237977B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPS6353735A (ja) 光磁気記録媒体
JPH08124229A (ja) 光磁気記録媒体
JPH07141709A (ja) 光磁気記録媒体
JPH0917050A (ja) 光磁気ディスク
JPH0944919A (ja) 光磁気ディスク
JPH10188377A (ja) 光磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990817

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020

Year of fee payment: 11