JP3237977B2

JP3237977B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP3237977B2
Application number: JP27805993A
Authority: JP
Inventors: 純子中村; 正彦 ▲高▼橋; 博之粟野
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-11-08
Filing date: 1993-11-08
Publication date: 2001-12-10
Anticipated expiration: 2016-12-10
Also published as: JPH07130015A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて記録
・再生あるいは消去を行う光記録において、特に短波長
光を用いた高密度記録に有用な光磁気記録媒体の構造に
関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクは大容量で媒体交換が可
能である等の特徴を持つことから、広くＯＡ機器などに
利用されつつある。この光磁気ディスクの代表的な記録
方式には、光変調方式と磁界変調方式があり、両者の変
調方式とも、外部から磁界を印加して情報の記録消去を
行う。従来膜であるＴｂＦｅＣｏ系の光磁気記録膜で
は、磁界に対する感度が良好であったために、小さな外
部磁界で記録消去を行うことができた。しかし、ＴｂＦ
ｅＣｏ系材料は短波長光になるに従ってカー回転角が減
少する。従って、レーザ光を短波長化して高密度記録を
行った場合、良好なＳ／Ｎを得ることができなかった。

【０００３】一方、Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜は、短波長光領
域でのカー回転角が大きいために、短波長光を用いた高
密度記録再生で高いＳ／Ｎを得ることができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、Ｐｔ
／Ｃｏ系多層膜は短波長光対応光磁気記録媒体として有
望である。しかし、Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜を記録膜とした
ディスクは、記録信号の消去に際して記録膜に４００Ｏ
ｅ以上の大きな外部磁界印加を必要とした。これより小
さな外部磁界で消去しようとすると信号の消え残りが生
じ、再度記録を行うときにノイズレベルが上昇してＳ／
Ｎが落ちるといった問題があった。記録再生装置に大き
な外部磁界を備えることは装置の大型化及び高コスト化
につながる。

【０００５】また、磁界変調方式は重ね書きができるた
めにデータ転送速度が速いという利点があり、最近では
この方式を採った製品も出荷され始めた。この磁界変調
方式でも、磁界感度の悪い光磁気記録媒体は、外部印加
磁界装置が大型化するために適さない。

【０００６】希土類遷移金属系の光磁気記録媒体に関し
ては、磁界感度の向上を目的としていくつかの提案がな
されている。しかし、Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜を記録膜とし
た光磁気ディスクに対応した磁界感度向上の提案はされ
ていない。

【０００７】本発明の目的は、光磁気記録媒体の磁界感
度を改善し、高Ｓ／Ｎを有しかつ磁界変調方式に適した
短波長対応高密度光磁気記録媒体を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するため、Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜中の任意の箇所、あ
るいは接して、面内磁化層を設けることにより達成され
る。この種の例として、希土類遷移金属系の光磁気記録
媒体では、高磁界感度化を達成するために、垂直磁化膜
に接して面内磁化層を形成し、その膜厚を調整した光磁
気記録媒体が提案されている（特開平3−95741号公
報）。

【０００９】本発明は、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜および／また
はＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜を記録膜とする光磁気記録媒体
の高磁界感度化を図る。すなわち、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を
記録膜とする光磁気記録媒体で、前記多層膜中の任意の
箇所に多層膜中のＣｏ層厚より厚いＣｏ層（以後Ｃｏ面
内層と呼ぶ）を少なくとも一層設け、その層厚が２ｎｍ
以下であることを特徴とする。Ｃｏ面内層は多層膜中の
どの箇所に設置しても良いが、Ｐｔに挾まれている状態
となっていることが望ましい。つまり、多層膜中のＣｏ
を面内層に置き換えた形が好ましい。

【００１０】また、Ｃｏ面内層は一層だけでも高磁界感
度化を達成できるが、さらに層数を増やすことにより磁
気光学効果も増すことができ、その結果、信号出力が増
大し高Ｓ／Ｎを得ることができる。Ｃｏ面内層の厚さは
０.５〜２ｎｍが望ましい。この膜厚の範囲は、その磁
気特性、特に磁界感度を最適化し、かつ記録膜として優
れた垂直磁気異方性を有する観点から選ばれたものであ
り、上記範囲より薄い場合にはＣｏ面内層の効果が不十
分となり、また、この範囲を超えるとＣｏ面内層の面内
磁化成分が強くなりすぎて、記録膜の垂直磁気異方性が
劣化するおそれがある。Ｃｏ面内層の層厚のより好まし
い範囲は多層膜中のＣｏ層の２倍から４倍である。この
範囲では極めて良好な磁界感度を有し、小さな外部磁界
で記録・消去が可能である。また、このように、面内層
をＣｏ層にすることにより、新たにターゲットを用意す
る必要がなく、簡単な膜構造でＰｔ／Ｃｏ多層膜の高磁
界感度化を容易に達成できる。

【００１１】また、本発明の記録媒体は、Ｐｔ／ＣｏＮ
ｉ多層膜を記録膜とする光磁気記録媒体で、前記多層膜
中の任意の箇所に多層膜中のＣｏＮｉ層厚より厚いＣｏ
Ｎｉ層（以後ＣｏＮｉ面内層と呼ぶ）を少なくとも一層
設け、その層厚が２ｎｍ以下であることを特徴とする。
ＣｏＮｉ面内層もＣｏ面内層と同様、多層膜中のどの箇
所に設置しても良いが、Ｐｔに挾まれている状態となっ
ていることが望ましい。つまり、多層膜中のＣｏＮｉを
面内層に置き換えた形が好ましい。

【００１２】また、ＣｏＮｉ面内層を複数層設けること
により、磁界感度を向上できるだけでなく磁気光学効果
も増大することができ、その結果、信号出力が増大し高
Ｓ／Ｎを得ることができる。ＣｏＮｉ面内層の厚さは２
ｎｍ以下が望ましい。この範囲では極めて良好な磁界感
度を有し、小さな外部磁界で記録・消去が可能である。
ＣｏＮｉ面内層の厚さが２ｎｍより厚いと面内層の面内
磁化成分が強くなりすぎて、記録膜の垂直磁気異方性が
劣化するおそれがある。また、このように、面内層を多
層膜中の遷移金属元素であるＣｏＮｉ層にすることによ
り、新たにターゲットを用意する必要がなく、Ｐｔ／Ｃ
ｏＮｉ多層膜の高磁界感度化を容易に達成できる。

【００１３】また、本発明の光磁気記録媒体は、Ｐｔ／
Ｃｏ多層膜および／またはＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜を含む
光磁気記録媒体で、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜および／またはＰ
ｔ／ＣｏＮｉ多層膜に接してＰｔＣｏ合金膜および／ま
たはＰｔＣｏＮｉ合金膜を形成するものであり、前記合
金膜の膜厚を３０ｎｍ以下としたことを特徴とする。合
金膜のＣｏ含有量あるいはＣｏＮｉ含有量は１５％以上
が望ましい。この含有量は、磁界感度を向上させるため
に合金膜が有効に働くために選ばれたものであり、１５
％未満であると、合金膜の持っている面内磁化成分が垂
直磁化膜との磁気的な相互作用で弱くなり、高磁界感度
化の効果が弱くなる。前記合金膜の最適な膜厚は、合金
膜の組成によって変わる。遷移金属元素が１５％から３
５％の場合には、合金膜の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ
以下が好ましい。１０ｎｍより膜厚が薄いと、合金膜の
面内磁化成分の効果が不十分となり、３０ｎｍ以上では
面内磁化成分と垂直磁化成分との交換結合の結果、記録
膜全体としての垂直磁気異方性が劣化する。また、同様
の理由により、遷移金属元素が５０％以上の合金膜の場
合には、面内磁化成分が１０ｎｍ以下が好ましい。

【００１４】また、本発明の光磁気記録媒体は、Ｐｔ／
Ｃｏ多層膜および／またはＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜を含む
光磁気記録媒体で、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜および／またはＰ
ｔ／ＣｏＮｉ多層膜に接して、Ｐｔ／Ｃｏ面内磁化膜お
よび／またはＰｔ／ＣoＮi面内磁化膜を形成し、さら
に、これらの面内磁化膜中の遷移金属元素の層厚を、Ｐ
ｔ層厚の１／２以上とし、面内磁化膜の膜厚を３０ｎｍ
以下としたことを特徴とする。ここで、面内磁化膜と
は、膜面に垂直方向に測定したときのヒステリシス曲線
の角形比が１未満である磁性膜を指し、磁性膜に垂直磁
化成分が含まれていてもよい。面内磁化膜をＰｔ／Ｃｏ
多層膜および／またはＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜とした場
合、Ｃｏ層厚およびＣｏＮｉ層厚は、Ｐｔ層厚の１／２
以上であることが望ましい。この範囲の層厚比にするこ
とにより、高磁界感度化が達成される。この範囲よりＣ
ｏ量およびＣｏＮｉ量が少ないと面内磁化成分が弱くな
り磁界感度向上の効果が弱くなる。面内磁化膜の膜厚は
３０ｎｍが好ましい。上記範囲を越えると磁界感度，記
録感度がともに悪化する。

【００１５】

【作用】Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜中あるいはＰｔ／Ｃｏ系多
層膜に接して形成した面内磁化膜は、外部磁界を印加し
たときに、その磁界を助長するように記録膜に作用す
る。従って、記録膜は印加した磁界より大きな磁界を感
じ、その結果、外部磁界に対する磁界感度が向上する。

【００１６】

【実施例】

（実施例１）本発明の一実施例の光磁気記録媒体の断面
構造を図１に示す。本実施例は、Ｐｔ／Ｃｏ膜上にＣｏ
面内層が形成された光磁気ディスクの例である。光磁気
記録媒体は、マグネトロンスパッタリング装置を用い
て、以下のようにして作製した。

【００１７】マグネトロンスパッタ装置内に、表面に光
ヘッド案内溝およびアドレスなどを表すピットやセクタ
マークあるいは記録情報などの凹凸パターンを有する透
明なディスク状基板１をターゲットから１０cmの距離に
セットして回転させた。

【００１８】窒素濃度１０％のアルゴン窒素混合ガス中
で、Ｓｉターゲットよりスパッタガス圧１０ｍTorrでＳ
ｉを反応性スパッタし、誘電体膜２として窒化シリコン
を形成した。このとき、窒化シリコンの表面をスパッタ
エッチングすると、表面の平坦性が向上し、記録膜の磁
気特性が向上する。スパッタエッチングはアルゴンガス
圧１０ｍTorrで３分間行った。スパッタエッチング後の
窒化シリコンの膜厚は６５ｎｍである。

【００１９】つぎに記録膜を形成した。記録膜３は、Ｐ
ｔとＣｏを交互に積層した多層膜とした。Ｐｔ／Ｃｏ多
層膜は二元同時スパッタ法により作製した。スパッタガ
スにキセノンを、ターゲットにはＰｔ及びＣｏを使用
し、スパッタガス圧８ｍTorrでスパッタした。スパッタ
レートはＰｔが０.０４ｎｍ／sec，Ｃｏが０.０２ｎｍ
／secである。Ｐｔ，Ｃｏのそれぞれの厚さは、それぞ
れ、Ｐｔ；０.８ｎｍ，Ｃｏ；０.３ｎｍとし、Ｃｏ，
Ｐｔ，Ｃｏの順に交互に積層した。膜厚はターゲットの
開放時間によって制御した。Ｐｔ層とＣｏ層を１３組積
層した後、Ｃｏ面内層４を０.５ｎｍ積層し、最上層に
Ｐｔを０.８ｎｍ積層した。

【００２０】さらに同様にして、Ｃｏ面内層４の厚さを
０.７ｎｍ，１ｎｍ，１.５ｎｍ，２ｎｍ，２.５ｎｍと
した光磁気記録媒体をそれぞれ作製した。

【００２１】また、従来例として、上述した実施例と同
じスパッタ装置により、これらの実施例と同様のスパッ
タ条件で従来のＰｔ／Ｃｏ膜を積層した。Ｐｔ(０.８ｎ
ｍ)／Ｃｏ（０.３ｎｍ）多層膜を記録膜とし、Ｐｔ層と
Ｃｏ層を１４組積層した。

【００２２】このように作製したそれぞれのディスク
に、波長８３０ｎｍのレーザ光を用い、回転数；１８０
０ｒｐｍ，記録レーザパワー；７〜８ｍＷ，記録周波
数；１ＭＨｚ，記録位置；ｒ＝４４ｍｍの条件で外部印
加磁界を−４００Ｏｅ〜６００Ｏｅに変化させて記録
し、再生レーザ出力；１ｍＷで再生した。

【００２３】従来ディスクにおける搬送波対雑音比の外
部印加磁界依存性を図２に、Ｃｏ面内層の厚さを０.５
ｎｍ，０.７ｎｍ，１ｎｍ，１.５ｎｍ，２ｎｍ，２.５
ｎｍとしたディスクにおける搬送波対雑音比の外部印加
磁界依存性を図３ないし図８に、それぞれ示す。従来デ
ィスクでは再生信号出力が０ｄＢになるのに必要な印加
磁界はマイナス４００Ｏｅ以上であったが、本実施例に
係る光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界で再生Ｃ／
Ｎを０ｄＢにすることができる。特にＣｏ面内層を１ｎ
ｍにした場合、図４に示すように、マイナス１５０Ｏｅ
の印加磁界で再生Ｃ／Ｎは０ｄＢとなった。また、Ｃｏ
面内層の膜厚が２ｎｍをこえると外部磁場依存性は逆に
悪化するため、Ｃｏ層の膜厚は２ｎｍ以下が好ましい。
本実施例の光磁気記録媒体は、記録信号の消し残りによ
るノイズの発生を抑え、高いＣ／Ｎを得ることができ
る。

【００２４】本実施例では記録膜の最上Ｃｏ層の膜厚を
変えたが、このＣｏ層を多層膜中のいかなる箇所に置い
ても本発明の効果は変わらない。この場合の膜構造は、
Ｃｏ面内層がＰｔ／Ｃｏ多層膜中のＣｏ層と置きかわっ
た構造とする。つまり、Ｃｏ面内層はＰｔ層にはさまれ
る形となる。

【００２５】Ｐｔ／Ｃｏ多層膜中の任意の箇所のＰｔ
を、多層膜中のＰｔ層厚より薄くすることによっても、
同様に磁界感度を向上させることができる。Ｐｔ層厚が
薄くなることにより、そのＰｔをはさんでいるＣｏある
いはＣｏＮｉ同士の交換結合が強くなり、その結果、Ｃ
ｏ層厚あるいはＣｏＮｉ層厚を厚くしたときと同じく面
内磁化成分が強くなるからである。

【００２６】また、本実施例の効果はＰｔ／Ｃｏ膜にお
けるＣｏ面内層だけでなく、Ｐｔ／ＣｏＮｉ膜における
ＣｏＮｉ面内層でも同様である。

【００２７】（実施例２）本発明の一実施例の光磁気記
録媒体の断面図を図９に示す。光磁気記録媒体は、実施
例１と同様にマグネトロンスパッタリング装置を用いて
作製した。本実施例では、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜に接してＰ
ｔＣｏ合金を積層し、その外部磁場依存性を測定した。

【００２８】マグネトロンスパッタ装置内に、表面に光
ヘッド案内溝およびアドレスなどを表すピットやセクタ
マークあるいは記録情報などの凹凸パターンを有する透
明なディスク状基板１をターゲットから１０cmの距離に
セットして回転させた。

【００２９】アルゴンガス中で、ＺｎＯターゲットより
スパッタガス圧１０ｍTorrでＺｎＯをスパッタし、誘電
体膜２として酸化亜鉛を形成した。スパッタエッチング
はアルゴンガス圧１０ｍTorrで５分間行った。スパッタ
エッチング後の酸化亜鉛の膜厚は８００Åである。

【００３０】つぎに記録膜を形成した。記録膜は、Ｐｔ
／Ｃｏ系多層膜３に合金膜５としてＰｔＣｏ合金膜を積
層した交換結合膜とした。Ｐｔ／Ｃｏ多層膜は二元同時
スパッタ法により作製した。スパッタガスにキセノン
を、ターゲットにはＰｔ及びＣｏを使用し、スパッタガ
ス圧８ｍTorrでスパッタした。スパッタレートはＰｔが
０.４Å／sec，Ｃｏが０.３Å／secである。Ｐｔ，Ｃｏ
のそれぞれの厚さは、それぞれ、Ｐｔ；１０Å，Ｃｏ；
４Åとし、Ｃｏ，Ｐｔ，Ｃｏの順に交互に積層した。最
終層はＰｔで、Ｐｔ／Ｃｏの全膜厚は１５４Å（１１
組）である。

【００３１】ターゲットをＰｔＣｏターゲットに代え
て、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜上にＰｔＣｏ合金膜を製膜した。
スパッタガスにアルゴンを使用し、スパッタレートは３
Å／secとした。ＰｔＣｏ合金層の組成は、Ｐｔ₉₀Ｃｏ
₁₀，Ｐｔ₈₅Ｃｏ₁₅，Pt₇₅Co₂₅,Ｐｔ₆₈Ｃｏ₃₂，Ｐｔ₅₀Ｃ
ｏ₅₀，Ｐｔ₂₄Ｃｏ₇₆，Ｐｔ₈Ｃｏ₉₂の６種類を用意し
た。それぞれのＰｔＣｏ合金膜について、膜厚を３ｎ
ｍ，１０ｎｍ，１５ｎｍ，３０ｎｍ，４０ｎｍに変え、
Ｐｔ／Ｃｏ多層膜３上にそれぞれ積層した。従って、本
発明の光磁気記録媒体は３０種類である。また、従来例
として、合金膜を積層していない従来ディスクも作製し
た。

【００３２】作製したそれぞれのディスクに、波長５１
５ｎｍのレーザ光を用い、回転数；９００ｒｐｍ，記録
周波数；１ＭＨｚ，記録位置；ｒ＝４６ｍｍなる条件で
外部印加磁界を６００Ｏｅから−４００Ｏｅに変えて記
録し、再生レーザ出力；１ｍＷで再生した。記録パワー
は第二高調波が最小となるパワーとした。表１に各ディ
スクで再生Ｃ／Ｎが０ｄＢとなった外部印加磁界を示
す。

【００３３】

【表１】

【００３４】従来ディスクでは、再生Ｃ／Ｎが０ｄＢと
なる外部印加磁界は４００Ｏｅより大きかった。また、
ＰｔＣｏ合金膜厚が４０ｎｍの場合、いずれの組成でも
再生Ｃ／Ｎが０ｄＢとなる外部印加磁界は４００Ｏｅよ
り大きく、磁界感度の向上は見られなかった。これは、
面内磁化成分が強すぎて、逆に磁界感度を悪化させたた
めであると考えられる。また、組成によってもその感度
向上の効果は変わる。Ｃｏ量が１５％から３５％の合金
膜では、膜厚１５ｎｍから３０ｎｍで、３００Ｏｅ以下
の外部磁界で再生Ｃ／Ｎが０ｄＢとなった。これより、
Ｃｏ量が１５％から３５％の合金膜では、膜厚は１５ｎ
ｍから３０ｎｍが良い。また、Ｃｏ量が５０％以上の場
合、膜厚が１０ｎｍ以下で本発明の効果があった。特に
Ｃｏ量の多いＰｔ₈Ｃｏ₉₂合金では、膜厚３ｎｍのみで
従来ディスクより磁界感度が向上した。Ｃｏ量が多いほ
ど、磁界感度向上に必要な膜厚は薄くなる。従って、磁
界感度向上の効果は膜厚，組成によって変化し、その組
成に適した膜厚を選ぶことによって磁界感度は向上す
る。その組成はＣｏ量１５％以上、膜厚３０ｎｍ以下で
本発明は達成される。

【００３５】本発明による効果は、ＰｔＣｏ合金膜に限
るものではなく、Ｐｔ以外の元素、例えば、Ｐｄを用い
た多層膜でもなんら違いはない。また、Ｐｔ／Ｃｏ系多
層膜と磁気的に結合するように希土類−鉄族元素系合金
を積層した交換結合膜でも、その効果は変わらない。希
土類−鉄族元素系合金は、例えば、ＴｂＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏなどが挙げられる。

【００３６】また、本実施例ではＰｔ／Ｃｏ多層膜を用
いたが、Ｐｄ／Ｃｏ多層膜でもその効果は変わらない。

【００３７】さらに、本実施例による効果は、合金膜を
Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜の上に積層するだけでなく、その下
部に設けても、その効果は変わらない。さらに、記録膜
の上部に窒化シリコンの誘電体膜やアルミニウム合金な
どの金属膜などの保護膜を設けても、その効果は変わら
ない。

【００３８】（実施例３）本発明の一実施例の光磁気記
録媒体の断面図を図１０に示す。本実施例は、Ｐｔ／Ｃ
ｏＮｉ膜上にＰｔ／ＣｏＮｉ面内磁化膜が形成された光
磁気ディスクの例である。光磁気記録媒体は、マグネト
ロンスパッタリング装置を用いて、以下のようにして作
製した。

【００３９】マグネトロンスパッタ装置内に、表面に光
ヘッド案内溝およびアドレスなどを表すピットやセクタ
マークあるいは記録情報などの凹凸パターンを有する透
明なディスク状基板１をターゲットから１０cmの距離に
セットし回転させた。

【００４０】窒素濃度１０％のアルゴン窒素混合ガス中
で、Ｓｉターゲットよりスパッタガス圧１０ｍTorrでＳ
ｉを反応性スパッタし、誘電体膜２として窒化シリコン
を形成した。窒化シリコンの表面は実施例１と同様スパ
ッタエッチングを行った。スパッタエッチングはアルゴ
ンガス圧１０ｍTorrで３分間行い、スパッタエッチング
後の窒化シリコンの膜厚は７５ｎｍとした。

【００４１】つぎに記録膜を形成した。記録膜は、垂直
磁気異方性の大きいＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜と、垂直磁気
異方性の小さいＰｔ／ＣｏＮｉ面内磁化膜の交換結合膜
とした。Ｐｔ／ＣｏＮｉ多層膜は二元同時スパッタ法に
より作製した。スパッタガスにキセノンを、ターゲット
にはＰｔ及びＣｏ₆₀Ｎｉ₄₀を使用し、スパッタガス圧８
ｍTorrでスパッタした。スパッタレートはＰｔが０.０
４ｎｍ／sec，ＣｏＮｉが０.０２ｎｍ／secである。Ｐ
ｔ，ＣｏＮｉのそれぞれの厚さは、それぞれ、Ｐｔ；
１.１ｎｍ，ＣｏＮｉ；０.６ｎｍとし、ＣｏＮｉ，Ｐ
ｔ，ＣｏＮｉの順に交互に積層した。Ｐｔ／ＣｏＮｉ全
膜厚は約２５ｎｍである。続いて面内磁化膜６を作製し
た。Ｐｔ／ＣｏＮｉ面内磁化膜は記録膜と同様、二元同
時スパッタ法により作製した。スパッタガスにはアルゴ
ンを使用し、スパッタガス圧１５ｍTorrでスパッタし
た。Ｐｔの膜厚は０.８ｎｍとし、ＣｏＮｉの厚さを、
０.３nm，０.５ｎｍ，１ｎｍとしたＰｔ／ＣｏＮｉ面
内磁化膜をそれぞれ記録膜上に製膜した。これらのＰｔ
とＣｏＮｉの膜厚比は、それぞれ約３：１，２：１，
１：１である。それぞれの面内磁化膜に対し、膜厚を１
５ｎｍ，３０ｎｍ，４０ｎｍの三種類とした。また、従
来例として面内磁化膜を積層していない従来ディスクも
作製した。

【００４２】本発明により作製したそれぞれのディスク
に、波長５１５ｎｍのレーザ光を用い、回転数；１８０
０ｒｐｍ，記録周波数；２ＭＨｚ，記録位置；ｒ＝４３
ｍｍなる条件で外部印加磁界を６００Ｏｅから−４００
Ｏｅに変えて記録し、再生レーザ出力；１ｍＷで再生し
た。記録パワーは第二高調波が最小となるパワーとし
た。表２に各ディスクで再生Ｃ／Ｎが０ｄＢとなった外
部印加磁界を示す。

【００４３】

【表２】

【００４４】従来ディスクでは、消去方向に４００Ｏｅ
以上の外部磁界を印加しないと記録されてしまった。組
成比では、Ｐｔ：ＣｏＮｉの膜厚比が３：１の場合、顕
著な磁界感度向上の効果は見られなかったが、膜厚比が
２：１と１：１の場合はいずれも磁界感度が向上した。
従って、ＣｏＮｉ膜厚はＰｔ膜厚の１／２以上厚いこと
が好ましい。さらに、Ｐｔ／ＣｏＮｉ面内磁化膜の厚さ
が４０ｎｍの場合、いずれの組成でも再生Ｃ／Ｎが０ｄ
Ｂとなるのに必要な外部印加磁界は４００Ｏｅより大き
く、磁界感度の向上は見られなかったが、３０ｎｍ以下
の場合には、磁界感度が向上した。このことから、面内
磁化膜の厚さは３０ｎｍ以下が良い。磁界感度向上の効
果は膜厚，組成によって変化し、その組成に適した膜厚
を選ぶことによって磁界感度は向上する。

【００４５】本発明による効果は、Ｐｔ／ＣｏＮｉ面内
磁化膜に限るものではなく、Ｐｔ以外の元素、例えば、
Ｐｄを用いた多層膜でもなんら違いはない。また、面内
磁化膜としてＰｔ／Ｃｏ多層膜を用いても同様の効果が
ある。さらに、記録膜であるＰｔ／Ｃｏ系多層膜と磁気
的に結合するように希土類−鉄族元素系合金を積層した
交換結合膜でも、その効果は変わらない。希土類−鉄族
元素系合金は、例えば、ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏが挙げられる。

【００４６】また、本実施例では記録膜としてＰｔ／Ｃ
ｏＮｉ多層膜を用いたが、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜でもその効
果は変わらない。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、Ｐｔ／Ｃｏ系多層膜を
用いた光磁気記録媒体の磁界感度が向上する。その結
果、短波長レーザ光による高密度記録再生に適し、かつ
磁界感度の良好な光磁気記録媒体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における光磁気記録媒体の断面図。

【図２】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図３】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図４】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図５】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図６】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図７】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図８】光磁気記録媒体における搬送波対雑音比の外部
印加磁界依存性を示す特性図。

【図９】本発明における光磁気記録媒体の断面図。

【図１０】本発明における光磁気記録媒体の断面図。

【符号の説明】

１…ディスク状基板、２…誘電体膜、３…Ｐｔ／Ｃｏ系
多層膜、４…面内層、５…合金膜、６…面内磁化膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平５−128603（ＪＰ，Ａ) 特開平４−255934（ＪＰ，Ａ) 特開平３−19156（ＪＰ，Ａ) 特開平２−247846（ＪＰ，Ａ) 特開平５−342651（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｐｔ／Ｃｏ多層膜および／またはＰｔ／Ｃ
ｏＮｉ多層膜を含む光磁気記録媒体において、多層膜中
の任意の箇所に、多層膜中の遷移金属元素の層より厚い
Ｃｏ層あるいはＣｏＮｉ層を少なくとも一層設けたこと
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１において、多層膜中の遷移金属元
素の層より厚いＣｏ層あるいはCoNi層の層厚が２ｎｍ以
下である光磁気記録媒体。
【請求項３】Ｐｔ／Ｃｏ多層膜および／またはＰｔ／Ｃ
ｏＮｉ多層膜を含む光磁気記録媒体において、Ｐｔ／Ｃ
ｏ多層膜および／またはＰｔ／ＣｏＮｉ多層膜に接して
面内磁化膜を形成し、前記面内磁化膜としてＰｔ／Ｃｏ
多層膜及び／またはＰｔ／CoNi多層膜を用い、前記多層
膜中の遷移金属元素の層厚がＰｔ層厚の１／２以上であ
り、前記多層膜の膜厚を３０ｎｍ以下とした光磁気記録
媒体。