JP3328988B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP3328988B2 JP3328988B2 JP06177993A JP6177993A JP3328988B2 JP 3328988 B2 JP3328988 B2 JP 3328988B2 JP 06177993 A JP06177993 A JP 06177993A JP 6177993 A JP6177993 A JP 6177993A JP 3328988 B2 JP3328988 B2 JP 3328988B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- reproduction
- magneto
- reproducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は書き換えが可能な光磁気
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体は、レ−ザ−光照射による
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
【０００４】このような再生時の制約から決まる記録密
度を越えて、読み出すための改善の試みとして、少なく
とも再生層と記録保持層を有し再生層の磁化状態を変化
させながら記録信号を読み取る方法がＭＳＲ（Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と呼ばれて近年注目されている。例
えば、消滅型ＭＳＲあるいはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐ
ｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式は
特開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４
２号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小
させながら再生することにより再生分解能が向上する技
術である。この方式は、記録磁性層を再生層、中間層、
記録保持層からなる交換結合多層膜とし、再生光照射に
よる温度上昇を利用し、中間層のキュリ−温度以上の高
温領域で再生層を再生磁界の方向に常に向けることによ
り、ビ−ムスポットを部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
度を越えて、読み出すための改善の試みとして、少なく
とも再生層と記録保持層を有し再生層の磁化状態を変化
させながら記録信号を読み取る方法がＭＳＲ（Ｍａｇｎ
ｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ）と呼ばれて近年注目されている。例
えば、消滅型ＭＳＲあるいはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａｐ
ｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）とよばれる方式は
特開平１−１４３０４１号公報や特開平１−１４３０４
２号公報に開示され、記録ビットを再生時に拡大、縮小
させながら再生することにより再生分解能が向上する技
術である。この方式は、記録磁性層を再生層、中間層、
記録保持層からなる交換結合多層膜とし、再生光照射に
よる温度上昇を利用し、中間層のキュリ−温度以上の高
温領域で再生層を再生磁界の方向に常に向けることによ
り、ビ−ムスポットを部分的にいわばマスクするもの
で、再生時の符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下
の周期の信号を再生可能とするものである。
【０００５】また、浮き出し型ＭＳＲあるいはＲＡＤ
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
とよばれる方式は特開平３−９３０５８号公報に開示さ
れ、記録磁性層を再生層、再生補助層、中間層、記録保
持層からなる交換結合多層膜とし、再生前に初期化磁石
で再生層の磁化の向きを揃えた後、記録保持層の記録ビ
ットを再生層に転写しながら、再生することにより再生
分解能が向上する技術である。
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
とよばれる方式は特開平３−９３０５８号公報に開示さ
れ、記録磁性層を再生層、再生補助層、中間層、記録保
持層からなる交換結合多層膜とし、再生前に初期化磁石
で再生層の磁化の向きを揃えた後、記録保持層の記録ビ
ットを再生層に転写しながら、再生することにより再生
分解能が向上する技術である。
【０００６】多層膜の各層で最もキュリ−温度が低いの
はＦＡＤ方式においては中間層、ＲＡＤ方式においては
再生補助層である。これらの材料は、例えば特開平１−
１４３０４１号公報ではＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏ、特開平４−２５５９３７号公報ではＴｂＦｅ
ＣｏＡｌなどが示されている。
はＦＡＤ方式においては中間層、ＲＡＤ方式においては
再生補助層である。これらの材料は、例えば特開平１−
１４３０４１号公報ではＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏ、特開平４−２５５９３７号公報ではＴｂＦｅ
ＣｏＡｌなどが示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これらの複雑な多層膜
は通常スパッタ法で成膜されるが、合金タ−ゲットで成
膜したとしても最低膜の数だけのタ−ゲットが必要で、
さらに各層の最適の組み合わせを決める為には同時スパ
ッタを行う必要がありタ−ゲットの数はさらに多くな
る。
は通常スパッタ法で成膜されるが、合金タ−ゲットで成
膜したとしても最低膜の数だけのタ−ゲットが必要で、
さらに各層の最適の組み合わせを決める為には同時スパ
ッタを行う必要がありタ−ゲットの数はさらに多くな
る。
【０００８】本発明が解決しようとする課題は、できる
だけ少ない数のタ−ゲットで成膜が可能なＭＳＲ媒体を
得ることを可能とするものである。
だけ少ない数のタ−ゲットで成膜が可能なＭＳＲ媒体を
得ることを可能とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、誘電体成
膜に必要なＳｉに注目して、中間層あるいは再生補助層
をＴｂＦｅＣｏＳｉとすることでタ−ゲットの数を少な
くすることを可能とし、本発明を完成するに至った。
膜に必要なＳｉに注目して、中間層あるいは再生補助層
をＴｂＦｅＣｏＳｉとすることでタ−ゲットの数を少な
くすることを可能とし、本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち本発明は、透明基板上にＳｉを含む誘
電体層を介して、少なくとも再生層、中間層、記録保持
層をこの順に積層して交換結合多層膜を形成し、該再生
層および該記録保持層が希土類遷移金属の磁性膜で構成
され、再生光照射による温度上昇により前記中間層のキ
ュリー温度以上となった高温領域で前記再生層を再生磁
界の方向に向けることにより、ビームスポットを部分的
にマスクしながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体に
おいて、前記記録保持層がＴｂ、Ｆｅ及びＣｏを含み、
前記中間層が（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ）1-xＳｉx（但し、
０．０７＜ｘ≦０．１８）により構成され、かつ、該中
間層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保
持層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じである
ことを特徴とする光磁気記録媒体、並びに、透明基板上
にＳｉを含む誘電体層を介して、少なくとも再生層、再
生補助層、中間層、記録保持層をこの順に積層して交換
結合多層膜を形成し、該再生層および該記録保持層が希
土類遷移金属の磁性膜で構成され、再生前に初期化磁石
で再生層の磁化の向きを揃えることでマスクし、再生光
照射による温度上昇により記録保持層の記録磁化を再生
層に転写しながら再生することにより記録信号を読み出
す光磁気記録媒体において、前記記録保持層がＴｂ、Ｆ
ｅ及びＣｏを含み、前記再生補助層が（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ） 1-x Ｓｉ x （但し、０．０７＜ｘ≦０．１８）により
構成され、かつ、該再生補助層のＦｅとＣｏの組成比
（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保持層のＦｅとＣｏの組成比
（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じであることを特徴とする光磁気記
録媒体に関する。
電体層を介して、少なくとも再生層、中間層、記録保持
層をこの順に積層して交換結合多層膜を形成し、該再生
層および該記録保持層が希土類遷移金属の磁性膜で構成
され、再生光照射による温度上昇により前記中間層のキ
ュリー温度以上となった高温領域で前記再生層を再生磁
界の方向に向けることにより、ビームスポットを部分的
にマスクしながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体に
おいて、前記記録保持層がＴｂ、Ｆｅ及びＣｏを含み、
前記中間層が（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ）1-xＳｉx（但し、
０．０７＜ｘ≦０．１８）により構成され、かつ、該中
間層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保
持層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じである
ことを特徴とする光磁気記録媒体、並びに、透明基板上
にＳｉを含む誘電体層を介して、少なくとも再生層、再
生補助層、中間層、記録保持層をこの順に積層して交換
結合多層膜を形成し、該再生層および該記録保持層が希
土類遷移金属の磁性膜で構成され、再生前に初期化磁石
で再生層の磁化の向きを揃えることでマスクし、再生光
照射による温度上昇により記録保持層の記録磁化を再生
層に転写しながら再生することにより記録信号を読み出
す光磁気記録媒体において、前記記録保持層がＴｂ、Ｆ
ｅ及びＣｏを含み、前記再生補助層が（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ） 1-x Ｓｉ x （但し、０．０７＜ｘ≦０．１８）により
構成され、かつ、該再生補助層のＦｅとＣｏの組成比
（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保持層のＦｅとＣｏの組成比
（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じであることを特徴とする光磁気記
録媒体に関する。
【００１１】なお、本発明においては、ＦＡＤ方式の光
磁気記録媒体における中間層、及び、ＲＡＤ方式の光磁
気記録媒体における再生補助層を共に特定層と称する
が、この特定層は、本発明の光磁気記録媒体の交換結合
多層膜を形成する膜中で最も低いキュリー温度をもつ層
である。特定層としてＴｂＦｅＣｏにＳｉを含有させた
場合、Ｓｉ濃度ｘを高くすることでキュリ−温度が下が
り、ｘ＝０．１８でＳｉを含有しないとき（ＴｂＦｅＣ
ｏのみ）と比べて約１５０℃下がる。ｘ＞０．１８にな
ってもさらにキュリ−温度は下がるが、垂直磁気異方性
の下がり方が著しくなり良好なＭＳＲ特性が得られなく
なる。
磁気記録媒体における中間層、及び、ＲＡＤ方式の光磁
気記録媒体における再生補助層を共に特定層と称する
が、この特定層は、本発明の光磁気記録媒体の交換結合
多層膜を形成する膜中で最も低いキュリー温度をもつ層
である。特定層としてＴｂＦｅＣｏにＳｉを含有させた
場合、Ｓｉ濃度ｘを高くすることでキュリ−温度が下が
り、ｘ＝０．１８でＳｉを含有しないとき（ＴｂＦｅＣ
ｏのみ）と比べて約１５０℃下がる。ｘ＞０．１８にな
ってもさらにキュリ−温度は下がるが、垂直磁気異方性
の下がり方が著しくなり良好なＭＳＲ特性が得られなく
なる。
【００１２】キュリ−温度、垂直磁気異方性の関係から
特定層は、 （Ｔｂy（Ｆｅ1-zＣｏz））1-xＳｉx （但し、ｘ≦０．１８、０．１４≦ｙ≦０．３０、０≦
ｚ≦０．２０）なる構成をとることが好ましい。
特定層は、 （Ｔｂy（Ｆｅ1-zＣｏz））1-xＳｉx （但し、ｘ≦０．１８、０．１４≦ｙ≦０．３０、０≦
ｚ≦０．２０）なる構成をとることが好ましい。
【００１３】また、本発明の光磁気記録媒体の特定層に
は、耐久性を高める為にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等を０．１〜
１５ａｔｍ％含んでいてもよい。
は、耐久性を高める為にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等を０．１〜
１５ａｔｍ％含んでいてもよい。
【００１４】本発明の光磁気記録媒体の製造方法として
は、例えばＧｄ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ、Ｓｉをタ−ゲットと
してそれらの任意の同時スパッタの組み合わせで成膜す
ることが可能である。より具体的にはＦＡＤの場合、誘
電体層を窒化ケイ素、再生層をＧｄＦｅＣｏ、中間層を
ＴｂＦｅＣｏＳｉ、記録保持層をＴｂＦｅＣｏとして成
膜することができ、ＲＡＤの場合、誘電体層を窒化ケイ
素、再生層をＧｄＦｅＣｏ、再生補助層をＴｂＦｅＣｏ
Ｓｉ、中間層をＧｄＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏＳｉ、
記録保持層をＴｂＦｅＣｏとして成膜することができ
る。従来、中間層にＡｌを添加したり、記録保持層と中
間層とでＣｏとＦｅの組成比を変えたりする方法が取ら
れていたが、このような方法ではさらに１〜２個のタ−
ゲットを追加して、スパッタチャンバ−の個数も増加せ
ざるを得なかった。
は、例えばＧｄ、Ｔｂ、ＦｅＣｏ、Ｓｉをタ−ゲットと
してそれらの任意の同時スパッタの組み合わせで成膜す
ることが可能である。より具体的にはＦＡＤの場合、誘
電体層を窒化ケイ素、再生層をＧｄＦｅＣｏ、中間層を
ＴｂＦｅＣｏＳｉ、記録保持層をＴｂＦｅＣｏとして成
膜することができ、ＲＡＤの場合、誘電体層を窒化ケイ
素、再生層をＧｄＦｅＣｏ、再生補助層をＴｂＦｅＣｏ
Ｓｉ、中間層をＧｄＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏＳｉ、
記録保持層をＴｂＦｅＣｏとして成膜することができ
る。従来、中間層にＡｌを添加したり、記録保持層と中
間層とでＣｏとＦｅの組成比を変えたりする方法が取ら
れていたが、このような方法ではさらに１〜２個のタ−
ゲットを追加して、スパッタチャンバ−の個数も増加せ
ざるを得なかった。
【００１５】本発明の光磁気記録媒体で、記録保持層が
ＴｂＦｅＣｏ、特定層がＴｂＦｅＣｏＳｉからなる場
合、ＣｏとＦｅの組成比が同一となるため、特定層と記
録保持層とのキュリ−温度の差により顕著なＭＳＲ効果
を得るためには、Ｓｉ濃度ｘを０．０７＜ｘとすること
が好ましい。
ＴｂＦｅＣｏ、特定層がＴｂＦｅＣｏＳｉからなる場
合、ＣｏとＦｅの組成比が同一となるため、特定層と記
録保持層とのキュリ−温度の差により顕著なＭＳＲ効果
を得るためには、Ｓｉ濃度ｘを０．０７＜ｘとすること
が好ましい。
【００１６】
実施例１ Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ0.87Ｃｏ0.13およびＳｉの各タ−ゲッ
トをそれぞれ単独あるいは同時スパッタの組合せとして
用い、図１に示すようなＦＡＤ方式の光磁気記録媒体を
製造した。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素か
らなる誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、
ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：３００オングス
トローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、キュリー
温度：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる中間層４
（膜厚：１００オングストローム、補償組成、キュリー
温度：８０〜２００℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる記録保
持層５（膜厚：４００オングストローム、保磁力：＞１
２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０℃）、さらに窒化ケイ
素層６（膜厚：８００オングストローム）を成膜した。
トをそれぞれ単独あるいは同時スパッタの組合せとして
用い、図１に示すようなＦＡＤ方式の光磁気記録媒体を
製造した。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素か
らなる誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、
ＧｄＦｅＣｏからなる再生層３（膜厚：３００オングス
トローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、キュリー
温度：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる中間層４
（膜厚：１００オングストローム、補償組成、キュリー
温度：８０〜２００℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる記録保
持層５（膜厚：４００オングストローム、保磁力：＞１
２ｋＯｅ、キュリー温度：２６０℃）、さらに窒化ケイ
素層６（膜厚：８００オングストローム）を成膜した。
【００１７】中間層のキュリ−温度を８０〜２００℃で
変化させるためにＴｂＦｅＣｏＳｉ中のＳｉ濃度はｘ＝
０．０８〜０．１９で変化させた。補償組成とするため
にＴｂ濃度も同時に変化させた。図２にＳｉ濃度ｘに対
してキュリ−温度、補償組成のＴｂ濃度ｙを示す。
変化させるためにＴｂＦｅＣｏＳｉ中のＳｉ濃度はｘ＝
０．０８〜０．１９で変化させた。補償組成とするため
にＴｂ濃度も同時に変化させた。図２にＳｉ濃度ｘに対
してキュリ−温度、補償組成のＴｂ濃度ｙを示す。
【００１８】次に、この光磁気記録媒体を記録再生装置
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．４ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．４ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
【００１９】消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈ
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１〜２．５ｍＷで調
整して再生し、得られた最大のＣ／Ｎの値をＳｉ濃度と
比較して図３に示す。Ｓｉ濃度が０．１８以下で４０ｄ
Ｂ以上の良好なＣ／Ｎが、特にｘ＜０．１５では４５ｄ
Ｂ以上の更に良好なＣ／Ｎが得られた。
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１〜２．５ｍＷで調
整して再生し、得られた最大のＣ／Ｎの値をＳｉ濃度と
比較して図３に示す。Ｓｉ濃度が０．１８以下で４０ｄ
Ｂ以上の良好なＣ／Ｎが、特にｘ＜０．１５では４５ｄ
Ｂ以上の更に良好なＣ／Ｎが得られた。
【００２０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、ＭＳＲ媒
体の特定層をＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉから構成するこ
とで、誘電体成膜に必要なＳｉタ−ゲットとタ−ゲット
を共通化して多層膜成膜に必要なタ−ゲットの数を少な
くすることを可能とした。また、Ｓｉ添加による垂直磁
気異方性の低下が緩やかなので、Ｓｉ濃度の調整だけで
特定層のキュリ−温度の選択の幅を１５０℃程度取るこ
とができ、マ−ジンを考慮したＭＳＲ媒体の設計が可能
である。
体の特定層をＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＳｉから構成するこ
とで、誘電体成膜に必要なＳｉタ−ゲットとタ−ゲット
を共通化して多層膜成膜に必要なタ−ゲットの数を少な
くすることを可能とした。また、Ｓｉ添加による垂直磁
気異方性の低下が緩やかなので、Ｓｉ濃度の調整だけで
特定層のキュリ−温度の選択の幅を１５０℃程度取るこ
とができ、マ−ジンを考慮したＭＳＲ媒体の設計が可能
である。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 ＴｂＦｅＣｏＳｉ中間層のＳｉ濃度を変化さ
せたときのキュリ−温度または補償組成との関係を示す
図である。
せたときのキュリ−温度または補償組成との関係を示す
図である。
【図３】 実施例１の光磁気記録媒体をＦＡＤ再生した
ときのＳｉ濃度とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
ときのＳｉ濃度とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−97140（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−251445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−196444（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−100637（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−255937（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上にＳｉを含む誘電体層を介し
て、少なくとも再生層、中間層、記録保持層をこの順に
積層して交換結合多層膜を形成し、該再生層および該記
録保持層が希土類遷移金属の磁性膜で構成され、再生光
照射による温度上昇により前記中間層のキュリー温度以
上となった高温領域で前記再生層を再生磁界の方向に向
けることにより、ビームスポットを部分的にマスクしな
がら記録信号を読み出す光磁気記録媒体において、前記
記録保持層がＴｂ、Ｆｅ及びＣｏを含み、前記中間層が
（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ）1-xＳｉx（但し、０．０７＜ｘ≦
０．１８）により構成され、かつ、該中間層のＦｅとＣ
ｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保持層のＦｅとＣ
ｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じであることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板上にＳｉを含む誘電体層を介し
て、少なくとも再生層、再生補助層、中間層、記録保持
層をこの順に積層して交換結合多層膜を形成し、該再生
層および該記録保持層が希土類遷移金属の磁性膜で構成
され、再生前に初期化磁石で再生層の磁化の向きを揃え
ることでマスクし、再生光照射による温度上昇により記
録保持層の記録磁化を再生層に転写しながら再生するこ
とにより記録信号を読み出す光磁気記録媒体において、
前記記録保持層がＴｂ、Ｆｅ及びＣｏを含み、前記再生
補助層が（Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ） 1-x Ｓｉ x （但し、０．０
７＜ｘ≦０．１８）により構成され、かつ、該再生補助
層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）と前記記録保持
層のＦｅとＣｏの組成比（Ｆｅ／Ｃｏ）が同じであるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06177993A JP3328988B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06177993A JP3328988B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274951A JPH06274951A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3328988B2 true JP3328988B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=13180926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06177993A Expired - Fee Related JP3328988B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328988B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP06177993A patent/JP3328988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06274951A (ja) | 1994-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2812817B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2910250B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2763419B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3328988B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000315310A (ja) | 情報記録媒体及び情報記録再生用スライダ | |
| JP3218735B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3074104B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08180497A (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 | |
| JP2929918B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3446297B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0589536A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3355759B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3328989B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3172708B2 (ja) | 記録再生装置 | |
| JP3454955B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体再生装置 | |
| JP2001331985A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2981474B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3467574B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びデータの記録方法 | |
| JP3111960B2 (ja) | 光磁気記録媒体における信号再生方法 | |
| JPH10162441A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0696479A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05217227A (ja) | 交換結合２層光磁気記録媒体 | |
| JPH08315435A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0554452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06338083A (ja) | 両面タイプのオーバーライト可能な光磁気記録媒体 及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |