JPH08180497A - 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体Info
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- JPH08180497A JPH08180497A JP6336564A JP33656494A JPH08180497A JP H08180497 A JPH08180497 A JP H08180497A JP 6336564 A JP6336564 A JP 6336564A JP 33656494 A JP33656494 A JP 33656494A JP H08180497 A JPH08180497 A JP H08180497A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生時のＣ／Ｎを向上させる。
【構成】 例えば、図１に示されるような基板２上に静
磁結合された保磁力の大きい記録再生磁性層４とこの記
録再生磁性層４より保磁力の小さい補助磁性層６とが積
層して設けられた光磁気ディスク１を用い、上記両磁性
層に記録を行い、再生に先立ちあるいは再生とともに、
あるいはこれらの両方において、補助磁性層６を初期化
し、その後記録再生磁性層４の記録磁化情報を記録再生
磁性層４側から再生光を照射して読み出す。
磁結合された保磁力の大きい記録再生磁性層４とこの記
録再生磁性層４より保磁力の小さい補助磁性層６とが積
層して設けられた光磁気ディスク１を用い、上記両磁性
層に記録を行い、再生に先立ちあるいは再生とともに、
あるいはこれらの両方において、補助磁性層６を初期化
し、その後記録再生磁性層４の記録磁化情報を記録再生
磁性層４側から再生光を照射して読み出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の再生
方法およびこれに用いる光磁気記録媒体に関する。
方法およびこれに用いる光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置等における
大容量情報担持媒体として光磁気記録媒体が注目されて
いる。光磁気記録方式は、磁性層にレーザー光を照射す
るとともに磁界を印加し、光または磁界を変調して記録
マークを形成し情報を記録するものである。そして、情
報の読み出しは、カー効果を利用して行う。
大容量情報担持媒体として光磁気記録媒体が注目されて
いる。光磁気記録方式は、磁性層にレーザー光を照射す
るとともに磁界を印加し、光または磁界を変調して記録
マークを形成し情報を記録するものである。そして、情
報の読み出しは、カー効果を利用して行う。
【０００３】このような光磁気記録媒体の再生時のＣ／
Ｎを向上させることについて種々の検討が行われてい
る。光磁気記録媒体の光磁気記録層は通常１層であり、
主に光磁気記録層の組成を種々変えることで再生時のＣ
／Ｎの向上を図ることが試みられている。
Ｎを向上させることについて種々の検討が行われてい
る。光磁気記録媒体の光磁気記録層は通常１層であり、
主に光磁気記録層の組成を種々変えることで再生時のＣ
／Ｎの向上を図ることが試みられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
な媒体構成および再生システムを用い、再生時のＣ／Ｎ
を向上させた光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記
録媒体を提供することにある。
な媒体構成および再生システムを用い、再生時のＣ／Ｎ
を向上させた光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記
録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、静磁結合
された積層構造の磁性層を用いる場合について検討し
た。
された積層構造の磁性層を用いる場合について検討し
た。
【０００６】本発明は、下記（１）〜（７）の構成をも
つ。 （１）保磁力の異なる少なくとも２層の磁性層を有する
光磁気記録媒体を用いて記録磁化情報の再生を行う方法
において、前記光磁気記録媒体が、その室温〜再生光照
射時の温度でのポーラーカーヒステリシス曲線にて、磁
化反転を示す部分を複数有し、前記磁性層のうち、少な
くとも保磁力のより大きい第１の磁性層と保磁力のより
小さい第２の磁性層との間で、第１の磁性層が磁化反転
せず、第２の磁性層が磁化反転した状態にあるときの見
かけ上のカー回転角をθk1、前記第１および第２の磁性
層が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカー回転
角をθk2とするとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足するものであり、再生に先立って、および
再生を行いながらのうちの少なくとも一方の時期に、前
記光磁気記録媒体に外部磁界を印加し、前記第１の磁性
層側から再生光を照射して再生を行う光磁気記録媒体の
再生方法。 （２）前記第１の磁性層の保磁力をＨc1、前記第２の磁
性層の保磁力をＨc2、前記第２の磁性層を一方向に磁化
するための外部磁界強度をＨini としたとき、室温〜再
生光照射時の温度にて、Ｈc1＞Ｈini ＞Ｈc2の関係を満
足する上記（１）の光磁気記録媒体の再生方法。 （３）基板上に保磁力の大きい記録再生磁性層が設けら
れ、この記録再生磁性層上に、この記録再生磁性層より
保磁力の小さい補助磁性層が設けられている光磁気記録
媒体であって、その室温〜再生光照射時の温度でのポー
ラーカーヒステリシス曲線にて、磁化反転を示す部分を
複数有し、少なくとも前記記録磁性層と前記補助磁性層
との間で、前記記録再生磁性層が磁化反転せず、前記補
助磁性層が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカ
ー回転角をθk1、前記記録再生磁性層および補助磁性層
が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカー回転角
をθk2とするとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足し、基板を通して記録再生を行う光磁気記
録媒体。 （４）前記再生における室温〜再生光照射時の温度での
ポーラーカーによるマイナーループにて、前記記録再生
磁性層が磁化反転せず、前記補助磁性層が磁化反転した
状態から印加する外部磁界を０に減少させたときに、カ
ー回転角が印加する外部磁界を０に減少させる前と同等
となる上記（３）の光磁気記録媒体。 （５）前記補助磁性層が、前記記録再生磁性層上に非磁
性層を介して設けられているか、または表面に界面処理
を行った記録再生磁性層上に設けられている上記（３）
または（４）の光磁気記録媒体。 （６）前記記録再生磁性層と前記補助磁性層との保磁力
の差が、室温〜再生光照射時の温度でのポーラーカーヒ
ステリシス曲線から求めた値で、２０００Oe〜１５００
０Oeである上記（３）〜（５）のいずれかの光磁気記録
媒体。 （７）前記記録再生磁性層の厚さが１５０A 〜１５００
A である上記（３）〜（６）のいずれかの光磁気記録媒
体。
つ。 （１）保磁力の異なる少なくとも２層の磁性層を有する
光磁気記録媒体を用いて記録磁化情報の再生を行う方法
において、前記光磁気記録媒体が、その室温〜再生光照
射時の温度でのポーラーカーヒステリシス曲線にて、磁
化反転を示す部分を複数有し、前記磁性層のうち、少な
くとも保磁力のより大きい第１の磁性層と保磁力のより
小さい第２の磁性層との間で、第１の磁性層が磁化反転
せず、第２の磁性層が磁化反転した状態にあるときの見
かけ上のカー回転角をθk1、前記第１および第２の磁性
層が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカー回転
角をθk2とするとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足するものであり、再生に先立って、および
再生を行いながらのうちの少なくとも一方の時期に、前
記光磁気記録媒体に外部磁界を印加し、前記第１の磁性
層側から再生光を照射して再生を行う光磁気記録媒体の
再生方法。 （２）前記第１の磁性層の保磁力をＨc1、前記第２の磁
性層の保磁力をＨc2、前記第２の磁性層を一方向に磁化
するための外部磁界強度をＨini としたとき、室温〜再
生光照射時の温度にて、Ｈc1＞Ｈini ＞Ｈc2の関係を満
足する上記（１）の光磁気記録媒体の再生方法。 （３）基板上に保磁力の大きい記録再生磁性層が設けら
れ、この記録再生磁性層上に、この記録再生磁性層より
保磁力の小さい補助磁性層が設けられている光磁気記録
媒体であって、その室温〜再生光照射時の温度でのポー
ラーカーヒステリシス曲線にて、磁化反転を示す部分を
複数有し、少なくとも前記記録磁性層と前記補助磁性層
との間で、前記記録再生磁性層が磁化反転せず、前記補
助磁性層が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカ
ー回転角をθk1、前記記録再生磁性層および補助磁性層
が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカー回転角
をθk2とするとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足し、基板を通して記録再生を行う光磁気記
録媒体。 （４）前記再生における室温〜再生光照射時の温度での
ポーラーカーによるマイナーループにて、前記記録再生
磁性層が磁化反転せず、前記補助磁性層が磁化反転した
状態から印加する外部磁界を０に減少させたときに、カ
ー回転角が印加する外部磁界を０に減少させる前と同等
となる上記（３）の光磁気記録媒体。 （５）前記補助磁性層が、前記記録再生磁性層上に非磁
性層を介して設けられているか、または表面に界面処理
を行った記録再生磁性層上に設けられている上記（３）
または（４）の光磁気記録媒体。 （６）前記記録再生磁性層と前記補助磁性層との保磁力
の差が、室温〜再生光照射時の温度でのポーラーカーヒ
ステリシス曲線から求めた値で、２０００Oe〜１５００
０Oeである上記（３）〜（５）のいずれかの光磁気記録
媒体。 （７）前記記録再生磁性層の厚さが１５０A 〜１５００
A である上記（３）〜（６）のいずれかの光磁気記録媒
体。
【０００７】
【作用】本発明によれば、光磁気記録媒体の磁性層を、
静磁結合させた記録再生磁性層と補助磁性層とが積層さ
れた構成とし、記録再生磁性層の記録磁化情報を再生す
るに先立ち、あるいは再生とともに、あるいはこれらの
両時期において、補助磁性層を初期化して磁化方向を一
方向に揃え、その後記録再生磁性層側から再生光を照射
して記録磁化情報を読み出している。このため、記録再
生磁性層と補助磁性層とで、補助磁性層の初期化前にお
いては、両層における未記録部および記録点ないし記録
マークのそれぞれの磁化方向が互いに同方向であった状
態が、この初期化によって補助磁性層のみ磁化方向が均
一となるため、再生時のＣ／Ｎが向上すると推定され
る。
静磁結合させた記録再生磁性層と補助磁性層とが積層さ
れた構成とし、記録再生磁性層の記録磁化情報を再生す
るに先立ち、あるいは再生とともに、あるいはこれらの
両時期において、補助磁性層を初期化して磁化方向を一
方向に揃え、その後記録再生磁性層側から再生光を照射
して記録磁化情報を読み出している。このため、記録再
生磁性層と補助磁性層とで、補助磁性層の初期化前にお
いては、両層における未記録部および記録点ないし記録
マークのそれぞれの磁化方向が互いに同方向であった状
態が、この初期化によって補助磁性層のみ磁化方向が均
一となるため、再生時のＣ／Ｎが向上すると推定され
る。
【０００８】本発明による積層構造の磁性層の補助磁性
層側からのポーラーカーによるヒステリシスループを図
４に示す。このポーラーカーヒステリシス曲線において
は記録再生磁性層と補助磁性層が十分大きな外部磁界
（Ｈext ）を印加することによって一方向に磁化された
後、逆方向に外部磁界の印加方向を変化させたとき（＋
側から−側へ、あるいは−側から＋側へ）に、保磁力の
小さい補助磁性層が反転を終了し、保磁力の大きい記録
再生層が未だ反転を開始しない時のカー回転角（θk ）
の方が、補助磁性層および記録再生磁性層が共に反転を
終了した時のカー回転角よりも見かけ上大きくなってい
る様子が表れている。すなわち、＋側から−側に外部磁
界（Ｈext ）を変化させる場合、上記の補助磁性層のみ
が反転を終了した時の見かけ上のカー回転角をθk1、上
記の補助磁性層および記録再生磁性層がともに反転を終
了した時の見かけ上のカー回転角をθk2とすると、｜θ
k1｜＞｜θk2｜の関係を満足する。この関係は、上記に
おいて、外部磁界（Ｈext ）を−側から＋側に変化させ
る場合においても同様である。このことが、前記の初期
化による再生時のＣ／Ｎ向上に起因していると推定され
る。
層側からのポーラーカーによるヒステリシスループを図
４に示す。このポーラーカーヒステリシス曲線において
は記録再生磁性層と補助磁性層が十分大きな外部磁界
（Ｈext ）を印加することによって一方向に磁化された
後、逆方向に外部磁界の印加方向を変化させたとき（＋
側から−側へ、あるいは−側から＋側へ）に、保磁力の
小さい補助磁性層が反転を終了し、保磁力の大きい記録
再生層が未だ反転を開始しない時のカー回転角（θk ）
の方が、補助磁性層および記録再生磁性層が共に反転を
終了した時のカー回転角よりも見かけ上大きくなってい
る様子が表れている。すなわち、＋側から−側に外部磁
界（Ｈext ）を変化させる場合、上記の補助磁性層のみ
が反転を終了した時の見かけ上のカー回転角をθk1、上
記の補助磁性層および記録再生磁性層がともに反転を終
了した時の見かけ上のカー回転角をθk2とすると、｜θ
k1｜＞｜θk2｜の関係を満足する。この関係は、上記に
おいて、外部磁界（Ｈext ）を−側から＋側に変化させ
る場合においても同様である。このことが、前記の初期
化による再生時のＣ／Ｎ向上に起因していると推定され
る。
【０００９】なお、特開平３−８８１５６号公報には、
互いに静磁結合された再生磁性層と記録保持磁性層とが
積層形成された光磁気記録媒体を用いることが提案され
ている。この方法は、再生に先立って再生磁性層を初期
化し、この初期化した再生磁性層に記録情報を、記録保
持磁性層の記録磁化による静磁気的磁界によって転写し
て、転写された磁化情報を再生磁性層側から再生光を照
射して読み出すものである。
互いに静磁結合された再生磁性層と記録保持磁性層とが
積層形成された光磁気記録媒体を用いることが提案され
ている。この方法は、再生に先立って再生磁性層を初期
化し、この初期化した再生磁性層に記録情報を、記録保
持磁性層の記録磁化による静磁気的磁界によって転写し
て、転写された磁化情報を再生磁性層側から再生光を照
射して読み出すものである。
【００１０】しかし、この提案は隣接するトラック同士
の記録磁区のクローストークを防止し、高記録密度を達
成する旨のものであり、本発明とは全く異なる。また、
本発明では、積層構造の保磁力の異なる磁性層のうち、
下層の高保磁力の記録再生磁性層の情報を下層側から読
み出しているのに対し、上記公報の方法では、上層の高
保磁力の記録保持層の情報を下層の低保磁力の再生磁性
層側から読み出している。このように、低保磁力の磁性
層から読み出しているため、本発明に比べ、信号再生中
の環境磁界などによる信号品質の低下を招きやすく、エ
ラーレート増加の原因となる可能性がある。また、上記
公報の方法では記録情報を記録保持磁性層から再生磁性
層に転写した状態のまま、初期化を行わずに再生するた
め、高品質の出力を得にくく、また初期化を行っても低
保磁力側から読み出しているため正常な出力を得るのは
困難である。
の記録磁区のクローストークを防止し、高記録密度を達
成する旨のものであり、本発明とは全く異なる。また、
本発明では、積層構造の保磁力の異なる磁性層のうち、
下層の高保磁力の記録再生磁性層の情報を下層側から読
み出しているのに対し、上記公報の方法では、上層の高
保磁力の記録保持層の情報を下層の低保磁力の再生磁性
層側から読み出している。このように、低保磁力の磁性
層から読み出しているため、本発明に比べ、信号再生中
の環境磁界などによる信号品質の低下を招きやすく、エ
ラーレート増加の原因となる可能性がある。また、上記
公報の方法では記録情報を記録保持磁性層から再生磁性
層に転写した状態のまま、初期化を行わずに再生するた
め、高品質の出力を得にくく、また初期化を行っても低
保磁力側から読み出しているため正常な出力を得るのは
困難である。
【００１１】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の再生方法には、
静磁結合された記録再生磁性層と補助磁性層とが積層さ
れた構成の磁性層を設けた、本発明の光磁気記録媒体が
用いられる。
静磁結合された記録再生磁性層と補助磁性層とが積層さ
れた構成の磁性層を設けた、本発明の光磁気記録媒体が
用いられる。
【００１３】このような光磁気記録媒体としては、例え
ば図１に示される光磁気ディスクが挙げられる。図１の
光磁気ディスク１は、基板２の表面上に、エンハンス層
３、記録再生磁性層４、非磁性層５、補助磁性層６およ
び保護コート７を有する。また、基板２の裏面側（磁性
層設層側の面と反対側）には、図示のように、ハードコ
ート８を設けてもよい。なお、非磁性層５を設けるかわ
りに、後述のように記録再生磁性層４の表面に界面処理
を行って酸化物層を形成し、この酸化物層上に補助磁性
層６を設けてもよい。
ば図１に示される光磁気ディスクが挙げられる。図１の
光磁気ディスク１は、基板２の表面上に、エンハンス層
３、記録再生磁性層４、非磁性層５、補助磁性層６およ
び保護コート７を有する。また、基板２の裏面側（磁性
層設層側の面と反対側）には、図示のように、ハードコ
ート８を設けてもよい。なお、非磁性層５を設けるかわ
りに、後述のように記録再生磁性層４の表面に界面処理
を行って酸化物層を形成し、この酸化物層上に補助磁性
層６を設けてもよい。
【００１４】図示の光磁気ディスク１では、非磁性層５
を介在させることによって、記録再生磁性層４と補助磁
性層６とを静磁結合させている。また記録再生磁性層４
の方が補助磁性層６より保磁力Ｈｃが大きい。
を介在させることによって、記録再生磁性層４と補助磁
性層６とを静磁結合させている。また記録再生磁性層４
の方が補助磁性層６より保磁力Ｈｃが大きい。
【００１５】本発明において、光磁気記録媒体に対し記
録を行うには、通常の方法によってよい。具体的には、
外部磁界を与えた状態で信号に応じたレーザー光を照射
して局部昇温を行い、磁化反転によって記録点ないし記
録マークを形成する光変調方式によってもよく、また印
加磁界を高速で反転することにより情報を記録する磁界
変調方式によってもよい。
録を行うには、通常の方法によってよい。具体的には、
外部磁界を与えた状態で信号に応じたレーザー光を照射
して局部昇温を行い、磁化反転によって記録点ないし記
録マークを形成する光変調方式によってもよく、また印
加磁界を高速で反転することにより情報を記録する磁界
変調方式によってもよい。
【００１６】このような記録を行うことによって、例え
ば図１の光磁気ディスク１に従って説明すれば、記録再
生磁性層４と補助磁性層６とには同様の記録点ないし記
録マークが形成される。すなわち、両層において、図２
に模式的に示されるように、未記録部および記録点ない
し記録マークの磁化方向がそれぞれ一致したものとな
る。
ば図１の光磁気ディスク１に従って説明すれば、記録再
生磁性層４と補助磁性層６とには同様の記録点ないし記
録マークが形成される。すなわち、両層において、図２
に模式的に示されるように、未記録部および記録点ない
し記録マークの磁化方向がそれぞれ一致したものとな
る。
【００１７】次に再生を行うが、再生に際し、記録再生
磁性層４の記録磁化情報である記録点ないし記録マーク
はそのままとし、補助磁性層６のみを外部磁界を印加し
て初期化する。このときの初期化の磁場方向は記録磁場
方向であっても消去磁場方向であってもよいが、通常は
記録磁場方向とする。このようにして補助磁性層６の磁
化方向は、例えば図３に示されるように、磁界発生手段
１０による初期化外部磁界によって一方向に揃えられ
る。
磁性層４の記録磁化情報である記録点ないし記録マーク
はそのままとし、補助磁性層６のみを外部磁界を印加し
て初期化する。このときの初期化の磁場方向は記録磁場
方向であっても消去磁場方向であってもよいが、通常は
記録磁場方向とする。このようにして補助磁性層６の磁
化方向は、例えば図３に示されるように、磁界発生手段
１０による初期化外部磁界によって一方向に揃えられ
る。
【００１８】そして、このような補助磁性層６の磁化状
態を保持したままで、補助磁性層６に記録再生磁性層４
の記録点ないし記録マークが再び転写しないような再生
レーザーパワー（通常１．０〜２．０mW）にて、図３に
示されるように、記録再生磁性層４側から再生光である
レーザー光Ｌを照射して信号の読み出し（再生）を行
う。
態を保持したままで、補助磁性層６に記録再生磁性層４
の記録点ないし記録マークが再び転写しないような再生
レーザーパワー（通常１．０〜２．０mW）にて、図３に
示されるように、記録再生磁性層４側から再生光である
レーザー光Ｌを照射して信号の読み出し（再生）を行
う。
【００１９】本発明において、補助磁性層６の初期化
は、再生光を照射して信号の読み出しを行う再生時まで
に行えばよく、通常は、上記のように、補助磁性層６の
保磁力よりも小さい記録磁界を用いて、記録再生磁性層
４と同様の記録点ないし記録マークを補助磁性層６に形
成してから初期化するが、記録時に、記録時温度におけ
る補助磁性層６の保磁力よりも大きな記録磁界を用い
て、記録再生磁性層４に対する記録点ないし記録マーク
の形成（記録）と同時に、補助磁性層６の初期化を行っ
てもよい。なお、補助磁性層６に対する記録は、上記の
ように記録磁界を用いて初期化することも含むものとす
る。このような再生時までに、すなわち再生に先立って
行う初期化は、通常、外部磁界を一度印加するのみです
む。また、場合によっては再生を行いながら外部磁界を
印加して補助磁性層６の初期化を行ってもよい。
は、再生光を照射して信号の読み出しを行う再生時まで
に行えばよく、通常は、上記のように、補助磁性層６の
保磁力よりも小さい記録磁界を用いて、記録再生磁性層
４と同様の記録点ないし記録マークを補助磁性層６に形
成してから初期化するが、記録時に、記録時温度におけ
る補助磁性層６の保磁力よりも大きな記録磁界を用い
て、記録再生磁性層４に対する記録点ないし記録マーク
の形成（記録）と同時に、補助磁性層６の初期化を行っ
てもよい。なお、補助磁性層６に対する記録は、上記の
ように記録磁界を用いて初期化することも含むものとす
る。このような再生時までに、すなわち再生に先立って
行う初期化は、通常、外部磁界を一度印加するのみです
む。また、場合によっては再生を行いながら外部磁界を
印加して補助磁性層６の初期化を行ってもよい。
【００２０】上記において用いる記録時の外部磁界の強
度は、室温（１５℃〜２８℃程度）にて、５０〜１００
Oe程度、また補助磁性層６の初期化のための外部磁界強
度は、室温にて、１５０〜１０００Oe程度とする。ま
た、記録と補助磁性層６の初期化を同時に行うときの外
部磁界の強度は、室温にて、１５０〜５００Oe程度とす
る。再生を行いながら補助磁性層６の初期化を行うとき
の外部磁界の強度は、室温にて１５０〜１０００Oe程度
とする。
度は、室温（１５℃〜２８℃程度）にて、５０〜１００
Oe程度、また補助磁性層６の初期化のための外部磁界強
度は、室温にて、１５０〜１０００Oe程度とする。ま
た、記録と補助磁性層６の初期化を同時に行うときの外
部磁界の強度は、室温にて、１５０〜５００Oe程度とす
る。再生を行いながら補助磁性層６の初期化を行うとき
の外部磁界の強度は、室温にて１５０〜１０００Oe程度
とする。
【００２１】以上のような光磁気記録再生方法を用いる
ため、記録再生磁性層４の保磁力をＨc1、補助磁性層６
の保磁力をＨc2、補助磁性層６の初期化のための外部磁
界強度をＨini としたとき、室温〜再生光照射時（３０
℃〜８０℃程度）の温度において、 Ｈc1＞Ｈini ＞Ｈc2 の関係を満足するものとする。
ため、記録再生磁性層４の保磁力をＨc1、補助磁性層６
の保磁力をＨc2、補助磁性層６の初期化のための外部磁
界強度をＨini としたとき、室温〜再生光照射時（３０
℃〜８０℃程度）の温度において、 Ｈc1＞Ｈini ＞Ｈc2 の関係を満足するものとする。
【００２２】また、再生光照射時の温度において、記録
再生磁性層４から補助磁性層６に与えられる浮遊磁界強
度をＨs 、補助磁性層６の反磁界強度をＨd 、補助磁性
層６の保磁力をＨc2としたとき、 Ｈs ＋Ｈd ＜Ｈc2 の関係を満足するものとする。
再生磁性層４から補助磁性層６に与えられる浮遊磁界強
度をＨs 、補助磁性層６の反磁界強度をＨd 、補助磁性
層６の保磁力をＨc2としたとき、 Ｈs ＋Ｈd ＜Ｈc2 の関係を満足するものとする。
【００２３】記録再生磁性層４の保磁力Ｈc1は、補助磁
性層と積層した状態（例えば、２００A 程度の厚さの非
磁性層を介して２００A 程度の厚さの記録再生磁性層と
８００A 程度の厚さの補助磁性層とを積層したサンプ
ル）で、室温〜再生光照射時の温度でのポーラーカーヒ
ステリシス曲線から求めたときに、５０００〜１５００
０Oe、好ましくは７０００〜１３０００Oe、より好まし
くは１００００〜１２０００Oeであることが好ましい。
性層と積層した状態（例えば、２００A 程度の厚さの非
磁性層を介して２００A 程度の厚さの記録再生磁性層と
８００A 程度の厚さの補助磁性層とを積層したサンプ
ル）で、室温〜再生光照射時の温度でのポーラーカーヒ
ステリシス曲線から求めたときに、５０００〜１５００
０Oe、好ましくは７０００〜１３０００Oe、より好まし
くは１００００〜１２０００Oeであることが好ましい。
【００２４】このようなＨc1とすることによって、良好
な記録を行うことができる。Ｈc1が小さくなりすぎる
と、テレビ等の環境磁界で記録点ないし記録マークが消
去されるおそれがあり、クロストークが大きくなるおそ
れがある。またＨc1が大きくなりすぎると、記録前に行
う室温での全面初期化が困難となりやすい。
な記録を行うことができる。Ｈc1が小さくなりすぎる
と、テレビ等の環境磁界で記録点ないし記録マークが消
去されるおそれがあり、クロストークが大きくなるおそ
れがある。またＨc1が大きくなりすぎると、記録前に行
う室温での全面初期化が困難となりやすい。
【００２５】一方、補助磁性層６の保磁力Ｈc2は、記録
再生磁性層４の場合と同条件で、室温〜再生光照射時の
温度でのポーラーカーヒステリシス曲線から求めたと
き、５０〜３０００Oe、好ましくは１００〜２０００O
e、より好ましくは１５０〜１０００Oeであることが好
ましい。
再生磁性層４の場合と同条件で、室温〜再生光照射時の
温度でのポーラーカーヒステリシス曲線から求めたと
き、５０〜３０００Oe、好ましくは１００〜２０００O
e、より好ましくは１５０〜１０００Oeであることが好
ましい。
【００２６】このようなＨc2とすることによって、良好
な再生を行うことができる。これに対し、Ｈc2が小さす
ぎると再生時に記録再生磁性層の記録点ないし記録マー
クが転写しやすくなる。またＨc2が大きくなりすぎる
と、再生に際し磁化を一方向に揃えるときの磁化反転が
困難となりやすく、特にドライブ搭載磁気ヘッドでの再
生時の磁化反転が困難となりやすい。
な再生を行うことができる。これに対し、Ｈc2が小さす
ぎると再生時に記録再生磁性層の記録点ないし記録マー
クが転写しやすくなる。またＨc2が大きくなりすぎる
と、再生に際し磁化を一方向に揃えるときの磁化反転が
困難となりやすく、特にドライブ搭載磁気ヘッドでの再
生時の磁化反転が困難となりやすい。
【００２７】このようなことから、良好な記録および再
生を行うには、記録再生磁性層のＨc1と補助磁性層のＨ
c2との差は、上記の積層状態でのポーラーカーヒステリ
シスにおける保磁力の測定値で、２０００〜１５０００
Oe、好ましくは５０００〜１３０００Oe、より好ましく
は８０００〜１２０００Oeであることが好ましい。
生を行うには、記録再生磁性層のＨc1と補助磁性層のＨ
c2との差は、上記の積層状態でのポーラーカーヒステリ
シスにおける保磁力の測定値で、２０００〜１５０００
Oe、好ましくは５０００〜１３０００Oe、より好ましく
は８０００〜１２０００Oeであることが好ましい。
【００２８】また、記録再生磁性層４の厚さｔ1 は１５
０A 〜１５００A 、好ましくは１５０A 〜７００A 、よ
り好ましくは１５０A 〜５００A とすることが好まし
い。このような厚さとすることにより、記録および再生
を良好に行うことができる。これに対し、薄すぎると記
録担持層としての機能が十分に得られにくくなり、厚す
ぎると信号の記録、消去に要するレーザーパワーが大き
くなりすぎ、通常のドライブ搭載の半導体レーザーでは
出力不足となりやすい。
０A 〜１５００A 、好ましくは１５０A 〜７００A 、よ
り好ましくは１５０A 〜５００A とすることが好まし
い。このような厚さとすることにより、記録および再生
を良好に行うことができる。これに対し、薄すぎると記
録担持層としての機能が十分に得られにくくなり、厚す
ぎると信号の記録、消去に要するレーザーパワーが大き
くなりすぎ、通常のドライブ搭載の半導体レーザーでは
出力不足となりやすい。
【００２９】一方、補助磁性層６の厚さｔ2 は１００A
〜２０００A 、好ましくは２００A〜１０００A とする
ことが好ましい。このような厚さとすることにより良好
に再生を行うことができる。これに対し、薄すぎると本
発明の実効が得られにくくなり、厚すぎると信号の記
録、消去に要するレーザーパワーが大きくなりすぎ、通
常のドライブ搭載の半導体レーザーでは出力不足となり
やすい。
〜２０００A 、好ましくは２００A〜１０００A とする
ことが好ましい。このような厚さとすることにより良好
に再生を行うことができる。これに対し、薄すぎると本
発明の実効が得られにくくなり、厚すぎると信号の記
録、消去に要するレーザーパワーが大きくなりすぎ、通
常のドライブ搭載の半導体レーザーでは出力不足となり
やすい。
【００３０】また、記録再生磁性層４と補助磁性層６と
を静磁結合させるための非磁性層５の厚さは１０A 〜１
０００A 、好ましくは１０A 〜５００A であることが好
ましい。このような厚さとすることによって非磁性層と
して十分機能する。これに対し、薄すぎると非磁性層と
しての実効が十分に得られにくくなり、厚すぎると記録
再生磁性層に対する補助磁性層の作用が弱くなりすぎて
しまい、本発明の効果が得られなくなる。
を静磁結合させるための非磁性層５の厚さは１０A 〜１
０００A 、好ましくは１０A 〜５００A であることが好
ましい。このような厚さとすることによって非磁性層と
して十分機能する。これに対し、薄すぎると非磁性層と
しての実効が十分に得られにくくなり、厚すぎると記録
再生磁性層に対する補助磁性層の作用が弱くなりすぎて
しまい、本発明の効果が得られなくなる。
【００３１】なお、本発明において、記録再生磁性層と
補助磁性層とが、本発明のように、静磁結合しているこ
とは、室温（１５℃〜２８℃程度）〜再生光照射時の温
度（３０℃〜８０℃程度）での光磁気記録媒体のポーラ
ーカーによるマイナーループから確認できる。すなわ
ち、記録再生磁性層が磁化反転せず、補助磁性層が磁化
反転した状態から印加する外部磁界を０に減少させたと
きに、カー回転角が印加する外部磁界を０に減少させる
前と同等となる特性を示す。また、このような特性は、
初期化によって一方向に揃った補助磁性層の磁化方向が
再生中において変化することなく維持されることを示し
ている。
補助磁性層とが、本発明のように、静磁結合しているこ
とは、室温（１５℃〜２８℃程度）〜再生光照射時の温
度（３０℃〜８０℃程度）での光磁気記録媒体のポーラ
ーカーによるマイナーループから確認できる。すなわ
ち、記録再生磁性層が磁化反転せず、補助磁性層が磁化
反転した状態から印加する外部磁界を０に減少させたと
きに、カー回転角が印加する外部磁界を０に減少させる
前と同等となる特性を示す。また、このような特性は、
初期化によって一方向に揃った補助磁性層の磁化方向が
再生中において変化することなく維持されることを示し
ている。
【００３２】また、前出のとおり、本発明の光磁気記録
媒体の補助磁性層側からの室温〜再生光照射時の温度で
のポーラーカーヒステリシス曲線は図４に示されるよう
なものになる。すなわち、磁化反転を示す部分を複数
（図示例では４箇所）有し、記録再生磁性層が磁化反転
せず、補助磁性層が磁化反転した状態の見かけ上のカー
回転角をθk1、記録再生磁性層および補助磁性層がとも
に磁化反転した状態の見かけ上のカー回転角をθk2とし
たとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足する。この場合の｜θk1｜、｜θk2｜の値
は、膜構造、測定レーザー波長等の測定条件などによっ
て異なるが、例えば記録再生磁性層の厚さを２００A 程
度、補助磁性層の厚さを８００A 程度、これら両層に介
在させる非磁性層の厚さを２００A 程度とするような条
件では、７８０nm程度の記録再生光波長で｜θk1｜が
０．３〜１．３°程度、｜θk2｜が０．２〜１°程度で
ある。また、この条件での｜θk1｜−｜θk2｜は０．０
５〜０．５°程度である。
媒体の補助磁性層側からの室温〜再生光照射時の温度で
のポーラーカーヒステリシス曲線は図４に示されるよう
なものになる。すなわち、磁化反転を示す部分を複数
（図示例では４箇所）有し、記録再生磁性層が磁化反転
せず、補助磁性層が磁化反転した状態の見かけ上のカー
回転角をθk1、記録再生磁性層および補助磁性層がとも
に磁化反転した状態の見かけ上のカー回転角をθk2とし
たとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足する。この場合の｜θk1｜、｜θk2｜の値
は、膜構造、測定レーザー波長等の測定条件などによっ
て異なるが、例えば記録再生磁性層の厚さを２００A 程
度、補助磁性層の厚さを８００A 程度、これら両層に介
在させる非磁性層の厚さを２００A 程度とするような条
件では、７８０nm程度の記録再生光波長で｜θk1｜が
０．３〜１．３°程度、｜θk2｜が０．２〜１°程度で
ある。また、この条件での｜θk1｜−｜θk2｜は０．０
５〜０．５°程度である。
【００３３】また、記録再生磁性層側からの室温〜再生
光照射時の温度でのポーラーカーヒステリシス曲線は図
５に示されるようなものになる。このような曲線におい
ても本発明の光磁気記録媒体における磁性層の特徴を図
４の場合と同様に知ることができる。なお、図５中のθ
k1、θk2は図４のものと同義に用いている。
光照射時の温度でのポーラーカーヒステリシス曲線は図
５に示されるようなものになる。このような曲線におい
ても本発明の光磁気記録媒体における磁性層の特徴を図
４の場合と同様に知ることができる。なお、図５中のθ
k1、θk2は図４のものと同義に用いている。
【００３４】本発明の光磁気記録媒体は、上記のような
記録再生磁性層を第１の磁性層とし、上記のような補助
磁性層を第２の磁性層としたとき、第１および第２の磁
性層において上記の関係を満たすものである。そして、
上記の関係を満たす第１の磁性層と第２の磁性層との組
み合わせが、媒体中に、少なくとも１組存在するもので
ある。
記録再生磁性層を第１の磁性層とし、上記のような補助
磁性層を第２の磁性層としたとき、第１および第２の磁
性層において上記の関係を満たすものである。そして、
上記の関係を満たす第１の磁性層と第２の磁性層との組
み合わせが、媒体中に、少なくとも１組存在するもので
ある。
【００３５】記録再生磁性層４および補助磁性層６は、
各々、磁性材料で構成され、好ましくは垂直磁気異方性
をもつ磁性材料で構成することが好ましい。このような
磁性材料は、好ましくは、希土類元素および遷移元素を
含有する合金である。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される
少なくとも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、
Ｆｅを必須とし、さらにＣｏが含まれることが好まし
い。
各々、磁性材料で構成され、好ましくは垂直磁気異方性
をもつ磁性材料で構成することが好ましい。このような
磁性材料は、好ましくは、希土類元素および遷移元素を
含有する合金である。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される
少なくとも１種の元素が好ましく、遷移元素としては、
Ｆｅを必須とし、さらにＣｏが含まれることが好まし
い。
【００３６】各元素の具体的含有量は、要求されるキュ
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、希土類元素をＲとし原子比組成をＲA ＦｅB Ｃ
ｏCとしたとき、通常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７５、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。磁性層中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏや、Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。さらに
はＰｔ−Ｃｏ系の合金などであってもよい。
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、希土類元素をＲとし原子比組成をＲA ＦｅB Ｃ
ｏCとしたとき、通常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７５、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。磁性層中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏや、Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。さらに
はＰｔ−Ｃｏ系の合金などであってもよい。
【００３７】記録再生磁性層４と補助磁性層６とは各々
希土類元素リッチの組成比を有するもの、遷移元素リッ
チの組成比を有するもののどちらでもよく、その組み合
わせとしては以下のものが挙げられる。なお、数値は原
子％である。
希土類元素リッチの組成比を有するもの、遷移元素リッ
チの組成比を有するもののどちらでもよく、その組み合
わせとしては以下のものが挙げられる。なお、数値は原
子％である。
【００３８】 組み合わせ 記録再生磁性層 補助磁性層 No. １ Tb21.1-Fe68.7-Co7.2-Cr3.0 Gd20.3-Fe69.7-Co10.0 No. ２ Tb19.5-Fe70.5-Co7.0-Cr3.0 Gd22.0-Fe64.0-Co14.0 No. ３ Tb19.0-Fe72.0-Co6.0-Cr3.0 Gd25.0-Fe75.0 No. ４ Dy13.0-Tb8.0-Fe72.0-Co7.0 Gd28.0-Fe64.0-Co8.0
【００３９】記録再生磁性層４は、図１においては１層
構成としているが、２層以上の特性の異なる磁性層を交
換結合させた多層構成としてもよい。多層構成の場合、
前記の補助磁性層６等との磁気特性の関係は、存在する
すべての記録再生磁性層６において満足することが好ま
しい。
構成としているが、２層以上の特性の異なる磁性層を交
換結合させた多層構成としてもよい。多層構成の場合、
前記の補助磁性層６等との磁気特性の関係は、存在する
すべての記録再生磁性層６において満足することが好ま
しい。
【００４０】なお、記録再生磁性層のカー回転角に特に
限定はないが、単層膜で測定した場合、通常０．２°〜
０．４°程度である。
限定はないが、単層膜で測定した場合、通常０．２°〜
０．４°程度である。
【００４１】記録再生磁性層４と補助磁性層６との間に
介在させる非磁性層５は非磁性材料で構成すればよく、
このような非磁性材料としては、例えばＳｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＡ
ｌＯＮ等の酸窒化物などの誘電体材料が挙げられ、さら
にはＡｌなどの非磁性金属材料であってもよい。
介在させる非磁性層５は非磁性材料で構成すればよく、
このような非磁性材料としては、例えばＳｉＯ2 、Ｔａ
2 Ｏ5 等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＡ
ｌＯＮ等の酸窒化物などの誘電体材料が挙げられ、さら
にはＡｌなどの非磁性金属材料であってもよい。
【００４２】非磁性層５を設けるかわりに、本発明で
は、前述のように、記録再生磁性層４を形成した後、こ
の記録再生磁性層４の表面に界面処理を行って表面およ
び表層部を酸化することによって酸化物層を形成しても
よい。このときの界面処理としては、０．１〜２PaのＡ
ｒ等の不活性ガス中に酸素を１０〜１０００ppm 含む雰
囲気中に所定時間（通常１分〜６０分間程度）、記録再
生磁性層表面をさらす方法や、酸素を含む雰囲気中で記
録再生磁性層表面にプラズマ処理を行う方法などがあ
る。プラズマ処理は、通常の方法によればよく、酸素を
１０〜１０００ppm程度含む不活性ガスなどを処理ガス
として用いて行えばよい。このような界面処理によって
形成される酸化物層の厚さは３０〜１００A 程度であ
る。このとき形成される酸化物は必ずしも化学量論組成
を満足するものでなくてもよい。
は、前述のように、記録再生磁性層４を形成した後、こ
の記録再生磁性層４の表面に界面処理を行って表面およ
び表層部を酸化することによって酸化物層を形成しても
よい。このときの界面処理としては、０．１〜２PaのＡ
ｒ等の不活性ガス中に酸素を１０〜１０００ppm 含む雰
囲気中に所定時間（通常１分〜６０分間程度）、記録再
生磁性層表面をさらす方法や、酸素を含む雰囲気中で記
録再生磁性層表面にプラズマ処理を行う方法などがあ
る。プラズマ処理は、通常の方法によればよく、酸素を
１０〜１０００ppm程度含む不活性ガスなどを処理ガス
として用いて行えばよい。このような界面処理によって
形成される酸化物層の厚さは３０〜１００A 程度であ
る。このとき形成される酸化物は必ずしも化学量論組成
を満足するものでなくてもよい。
【００４３】図１の構成において、光磁気ディスク１に
対し記録および再生を行うときには、基板２の裏面側
（図中下側）からレーザー光が照射される。このため、
基板２はレーザー光（波長４００〜９００nm程度、特に
５００〜８００nm程度の半導体レーザー光、特に７８０
nm）に対し高透過率（好ましくは８８％以上）をもつ透
明基板が用いられる。具体的には、ガラスやポリカーボ
ネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレ
ン系樹脂等の透明樹脂が用いられる。
対し記録および再生を行うときには、基板２の裏面側
（図中下側）からレーザー光が照射される。このため、
基板２はレーザー光（波長４００〜９００nm程度、特に
５００〜８００nm程度の半導体レーザー光、特に７８０
nm）に対し高透過率（好ましくは８８％以上）をもつ透
明基板が用いられる。具体的には、ガラスやポリカーボ
ネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレ
ン系樹脂等の透明樹脂が用いられる。
【００４４】またエンハンス層３は、Ｃ／Ｎの向上およ
び記録再生磁性層４の腐食の防止を目的として設層され
るものであり、その厚さは４００A 〜２０００A 程度で
ある。エンハンス層３は、非磁性層５に用いられる誘電
体材料で構成すればよい。
び記録再生磁性層４の腐食の防止を目的として設層され
るものであり、その厚さは４００A 〜２０００A 程度で
ある。エンハンス層３は、非磁性層５に用いられる誘電
体材料で構成すればよい。
【００４５】エンハンス層３、記録再生磁性層４、非磁
性層５（界面処理による場合を除く。）および補助磁性
層６の各層は、スパッタ法により形成される。スパッタ
の条件等は通常のものとしてよい。
性層５（界面処理による場合を除く。）および補助磁性
層６の各層は、スパッタ法により形成される。スパッタ
の条件等は通常のものとしてよい。
【００４６】保護コート７は、補助磁性層６までのスパ
ッタ積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保
護コート７を構成する樹脂は特に限定されないが、放射
線硬化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線
硬化型化合物としては（メタ）アクリル基を有するもの
が好ましく、これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有
する塗膜を、紫外線や電子線により硬化して保護コート
を形成することが好ましい。保護コート７の厚さは、通
常、１μm 〜３０μm 、好ましくは２μm 〜２０μm と
する。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成することが困難
となり、耐久性が不十分となってくる。また、厚すぎる
と、硬化の際の収縮によりクラックが生じたり、ディス
クに反りが発生しやすくなってくる。
ッタ積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保
護コート７を構成する樹脂は特に限定されないが、放射
線硬化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線
硬化型化合物としては（メタ）アクリル基を有するもの
が好ましく、これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有
する塗膜を、紫外線や電子線により硬化して保護コート
を形成することが好ましい。保護コート７の厚さは、通
常、１μm 〜３０μm 、好ましくは２μm 〜２０μm と
する。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成することが困難
となり、耐久性が不十分となってくる。また、厚すぎる
と、硬化の際の収縮によりクラックが生じたり、ディス
クに反りが発生しやすくなってくる。
【００４７】なお、基板２の裏面側には、図示されるよ
うに透明なハードコート８を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート７と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
うに透明なハードコート８を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート７と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
【００４８】このほか、図１の光磁気ディスク１には、
必要に応じ、補助磁性層６上にさらに誘電体材料から構
成されるエンハンス層を設けてもよい。このようなエン
ハンス層はＣ／Ｎの向上や保護膜としての機能を目的と
するもので、その厚さは１００A 〜１０００A 程度とす
る。また誘電体材料としてはＳｉやＡｌを含む化合物が
好ましく、具体的にはＳｉＮ、ＡｌＮ等が好ましい。ま
た、さらに、このようなエンハンス層上あるいは補助磁
性層６上には反射層を設けてもよい。反射層は、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、
あるいはこれらの合金、あるいはこれらの化合物である
ことが好ましい。反射層の厚さは３００A 〜２０００A
程度とすればよい。このようなエンハンス層、反射層は
スパッタ法により形成すればよい。
必要に応じ、補助磁性層６上にさらに誘電体材料から構
成されるエンハンス層を設けてもよい。このようなエン
ハンス層はＣ／Ｎの向上や保護膜としての機能を目的と
するもので、その厚さは１００A 〜１０００A 程度とす
る。また誘電体材料としてはＳｉやＡｌを含む化合物が
好ましく、具体的にはＳｉＮ、ＡｌＮ等が好ましい。ま
た、さらに、このようなエンハンス層上あるいは補助磁
性層６上には反射層を設けてもよい。反射層は、Ａｕ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、
あるいはこれらの合金、あるいはこれらの化合物である
ことが好ましい。反射層の厚さは３００A 〜２０００A
程度とすればよい。このようなエンハンス層、反射層は
スパッタ法により形成すればよい。
【００４９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
に挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
【００５０】実施例１ 基板２として、外径８６mm、内径１５mm、厚さ１．２mm
のディスク状ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板（トラ
ックピッチ１．６μm ）を用い、エンハンス層３、記録
再生磁性層４、非磁性層５、補助磁性層６および保護コ
ート７を順次設層し、図１に示されるような光磁気ディ
スク１を作製した。
のディスク状ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板（トラ
ックピッチ１．６μm ）を用い、エンハンス層３、記録
再生磁性層４、非磁性層５、補助磁性層６および保護コ
ート７を順次設層し、図１に示されるような光磁気ディ
スク１を作製した。
【００５１】まず、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下ま
で減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真空槽内に流し
ながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネトロンスパッタ
を行い、Ｓｉ−Ｎを主成分とするエンハンス層３を基板
２上に形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー１
kW（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス流量
３１SCCM、Ｎ2 ガス流量１９SCCMとした。エンハンス層
３の厚さは６００A であった。
で減圧した後、ＡｒガスとＮ2 ガスとを真空槽内に流し
ながら、Ｓｉをターゲットとしてマグネトロンスパッタ
を行い、Ｓｉ−Ｎを主成分とするエンハンス層３を基板
２上に形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー１
kW（ＲＦ）、スパッタガス圧力０．１Pa、Ａｒガス流量
３１SCCM、Ｎ2 ガス流量１９SCCMとした。エンハンス層
３の厚さは６００A であった。
【００５２】エンハンス層３の形成後、磁性層形成用真
空槽に真空中で搬送し、真空槽内を５．０×１０-5Pa以
下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、Ｔｂ
21−Ｆｅ69−Ｃｏ7 −Ｃｒ3 ［数値は原子％である。］
合金をターゲットとしてマグネトロンスパッタを行い、
Ｔｂ21.1−Ｆｅ68.7−Ｃｏ7.2 −Ｃｒ3.0 の組成の記録
再生磁性層４を形成した。スパッタの際の条件は、投入
パワー１kW（ＤＣ）、スパッタガス圧力０．２Pa、Ａｒ
ガス流量９８SCCMとした。記録再生磁性層４の厚さは２
００A であった。記録再生磁性層４の形成後、前記のエ
ンハンス層３と同様にして非磁性層５を形成した。非磁
性層５の厚さは２００A であった。
空槽に真空中で搬送し、真空槽内を５．０×１０-5Pa以
下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、Ｔｂ
21−Ｆｅ69−Ｃｏ7 −Ｃｒ3 ［数値は原子％である。］
合金をターゲットとしてマグネトロンスパッタを行い、
Ｔｂ21.1−Ｆｅ68.7−Ｃｏ7.2 −Ｃｒ3.0 の組成の記録
再生磁性層４を形成した。スパッタの際の条件は、投入
パワー１kW（ＤＣ）、スパッタガス圧力０．２Pa、Ａｒ
ガス流量９８SCCMとした。記録再生磁性層４の厚さは２
００A であった。記録再生磁性層４の形成後、前記のエ
ンハンス層３と同様にして非磁性層５を形成した。非磁
性層５の厚さは２００A であった。
【００５３】その後、非磁性層５上に記録再生磁性層４
と同様にして、Ｇｄ20−Ｆｅ70−Ｃｏ10［数値は原子％
である。］合金をターゲットとしてマグネトロンスパッ
タを行い、Ｇｄ20.3−Ｆｅ69.7−Ｃｏ10.0の組成の補助
磁性層６を形成した。補助磁性層６の厚さは８００A で
あった。
と同様にして、Ｇｄ20−Ｆｅ70−Ｃｏ10［数値は原子％
である。］合金をターゲットとしてマグネトロンスパッ
タを行い、Ｇｄ20.3−Ｆｅ69.7−Ｃｏ10.0の組成の補助
磁性層６を形成した。補助磁性層６の厚さは８００A で
あった。
【００５４】さらに、補助磁性層６上に、下記の重合用
組成物の塗膜をスピンコートによって形成し、この塗膜
に紫外線を照射して硬化し、保護コート７を形成した。
硬化後の平均厚さは約５μm であった。
組成物の塗膜をスピンコートによって形成し、この塗膜
に紫外線を照射して硬化し、保護コート７を形成した。
硬化後の平均厚さは約５μm であった。
【００５５】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート （分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部
【００５６】このようにして光磁気ディスクサンプルN
o. １を得た。なお、上記においてスパッタ法によって
形成した各層の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間
とから算出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の
条件と同じ条件で長時間スパッタを行って厚い膜を形成
し、実測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出し
た。
o. １を得た。なお、上記においてスパッタ法によって
形成した各層の厚さは、スパッタレートとスパッタ時間
とから算出した。スパッタレートは、実際の成膜の際の
条件と同じ条件で長時間スパッタを行って厚い膜を形成
し、実測により求めた膜厚とスパッタ時間とから算出し
た。
【００５７】また、上記の光磁気ディスクサンプルNo.
１の室温（２０℃）における補助磁性層側からのポーラ
ーカーヒステリシスを測定した。ポーラーカーヒステリ
シス曲線は図４に示されるようなものであった。このポ
ーラーカーヒステリシス曲線より求めた保磁力は、記録
再生磁性層の保磁力Ｈc1が１１０００Oe、補助磁性層の
保磁力Ｈc2が１９０Oeであった。
１の室温（２０℃）における補助磁性層側からのポーラ
ーカーヒステリシスを測定した。ポーラーカーヒステリ
シス曲線は図４に示されるようなものであった。このポ
ーラーカーヒステリシス曲線より求めた保磁力は、記録
再生磁性層の保磁力Ｈc1が１１０００Oe、補助磁性層の
保磁力Ｈc2が１９０Oeであった。
【００５８】さらに、上記と同じポーラーカーヒステリ
シス曲線から求めた｜θk1｜は０．４１°、｜θk2｜は
０．３２°であった。なお、この曲線を得る際の外部磁
界の強度は、−１５kOe 〜＋１５kOe の間で変化させた
ものである。また、記録再生磁性層側からのポーラーカ
ーヒステリシス曲線は図５に示されるようなものであっ
た。
シス曲線から求めた｜θk1｜は０．４１°、｜θk2｜は
０．３２°であった。なお、この曲線を得る際の外部磁
界の強度は、−１５kOe 〜＋１５kOe の間で変化させた
ものである。また、記録再生磁性層側からのポーラーカ
ーヒステリシス曲線は図５に示されるようなものであっ
た。
【００５９】また、室温（２０℃）と再生光照射時の温
度（５０℃程度）でのポーラーカーによるマイナールー
プを得たが、カー回転角に関し、補助磁性層のみが磁化
反転した状態で印加磁界を０に減少させたときと、印加
磁界を０に減少させる前と同等となることが確認され
た。
度（５０℃程度）でのポーラーカーによるマイナールー
プを得たが、カー回転角に関し、補助磁性層のみが磁化
反転した状態で印加磁界を０に減少させたときと、印加
磁界を０に減少させる前と同等となることが確認され
た。
【００６０】次に、上記の光磁気ディスクサンプルNo.
１に対し、波長７８０nmの半導体レーザー光を用いて光
変調記録を行った。記録条件は、線速度８m/s 、記録周
波数４MHz 、記録時の外部磁界強度５０Oeとし、最適記
録パワー（二次高調波が最小となる記録パワー；３．５
mW）で記録した。
１に対し、波長７８０nmの半導体レーザー光を用いて光
変調記録を行った。記録条件は、線速度８m/s 、記録周
波数４MHz 、記録時の外部磁界強度５０Oeとし、最適記
録パワー（二次高調波が最小となる記録パワー；３．５
mW）で記録した。
【００６１】このようにして記録した後の光磁気ディス
クサンプルNo. １に対し、波長７８０nmの半導体レーザ
ー光を用いて読み出した。リードパワーは２．０mWとし
た。この再生に際し、光磁気ディスクサンプルNo. １に
対し、記録時の外部磁界の磁場方向と同一方向の外部磁
界（磁界強度３００Oe）を印加し、補助磁性層６を初期
化した。次に、基板２裏面側（記録再生磁性層４側）か
ら波長７８０nmのレーザー光を照射して読み出し、この
再生時のＣ／Ｎを測定した。
クサンプルNo. １に対し、波長７８０nmの半導体レーザ
ー光を用いて読み出した。リードパワーは２．０mWとし
た。この再生に際し、光磁気ディスクサンプルNo. １に
対し、記録時の外部磁界の磁場方向と同一方向の外部磁
界（磁界強度３００Oe）を印加し、補助磁性層６を初期
化した。次に、基板２裏面側（記録再生磁性層４側）か
ら波長７８０nmのレーザー光を照射して読み出し、この
再生時のＣ／Ｎを測定した。
【００６２】再生時のＣ／Ｎは４４．６dBであった。
【００６３】実施例２ 実施例１において、再生に際して、補助磁性層の初期化
を行うときの磁場方向を消去磁場方向とするほかは同様
にして、Ｃ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎを４４．
２dBであった。
を行うときの磁場方向を消去磁場方向とするほかは同様
にして、Ｃ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎを４４．
２dBであった。
【００６４】実施例３ 実施例１において、記録時の外部磁界強度を３００Oeと
し、記録とともに、補助磁性層の初期化を行い、再生す
るものとするほかは同様にして、Ｃ／Ｎを測定した。こ
の場合のＣ／Ｎを４４．６dBであった。
し、記録とともに、補助磁性層の初期化を行い、再生す
るものとするほかは同様にして、Ｃ／Ｎを測定した。こ
の場合のＣ／Ｎを４４．６dBであった。
【００６５】実施例４ 実施例１において、再生を行いながら補助磁性層の初期
化を行うものとするほかは同様にして、Ｃ／Ｎを測定し
た。初期化のための外部磁界強度は３００Oeとした。Ｃ
／Ｎは４４．６dBであった。
化を行うものとするほかは同様にして、Ｃ／Ｎを測定し
た。初期化のための外部磁界強度は３００Oeとした。Ｃ
／Ｎは４４．６dBであった。
【００６６】実施例５ 実施例１の光磁気ディスクサンプルNo. １において、非
磁性層を形成するかわりに、記録再生磁性層を２００A
厚に形成した後、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで
減圧し、処理ガスとしてＯ2 を１０００ppm 含むＡｒを
用い、ガス圧を１．０Paに保ちながら記録再生磁性層表
面を曝露したまま１０分間保持して界面処理を行って酸
化物層を形成し、この酸化物層上に補助磁性層を８００
A 厚に形成するほかは同様にして光磁気ディスクサンプ
ルNo. ２を作製した。この界面処理によって記録再生磁
性層表面から７０A の深さの領域に酸化物層が形成され
ることが、オージェ電子分光法の測定によってわかっ
た。
磁性層を形成するかわりに、記録再生磁性層を２００A
厚に形成した後、真空槽内を５．０×１０-5Pa以下まで
減圧し、処理ガスとしてＯ2 を１０００ppm 含むＡｒを
用い、ガス圧を１．０Paに保ちながら記録再生磁性層表
面を曝露したまま１０分間保持して界面処理を行って酸
化物層を形成し、この酸化物層上に補助磁性層を８００
A 厚に形成するほかは同様にして光磁気ディスクサンプ
ルNo. ２を作製した。この界面処理によって記録再生磁
性層表面から７０A の深さの領域に酸化物層が形成され
ることが、オージェ電子分光法の測定によってわかっ
た。
【００６７】この光磁気ディスクサンプルNo. ２に対
し、実施例１〜４の記録再生方法を各々実施し、再生時
のＣ／Ｎを測定したところ、実施例１〜４とほぼ同等の
結果を示した。
し、実施例１〜４の記録再生方法を各々実施し、再生時
のＣ／Ｎを測定したところ、実施例１〜４とほぼ同等の
結果を示した。
【００６８】比較例１ 実施例１において、記録後、再生を行うに際し、補助磁
性層の初期化を行うことなく、そのまま再生を行うもの
として、再生時のＣ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎ
は４２．４dBであった。
性層の初期化を行うことなく、そのまま再生を行うもの
として、再生時のＣ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎ
は４２．４dBであった。
【００６９】比較例２ 実施例１の光磁気ディスクサンプルNo. １において、補
助磁性層を設けるかわりに、ＡｌＮｉ反射層を８００A
厚さに設けるほかは、同様にして光磁気ディスクサンプ
ルNo. ３を作製した。ＡｌＮｉ反射層は、ＳｉＮ誘電体
非磁性層を形成した後、再び真空槽内を５．０×１０-5
Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、
Ａｌ−Ｎｉ合金をターゲットとしてマグネトロンスパッ
タにより形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー
７５０W （ＤＣ）、スパッタガス圧力０．１５Pa、Ａｒ
ガス流量１０SCCMとした。
助磁性層を設けるかわりに、ＡｌＮｉ反射層を８００A
厚さに設けるほかは、同様にして光磁気ディスクサンプ
ルNo. ３を作製した。ＡｌＮｉ反射層は、ＳｉＮ誘電体
非磁性層を形成した後、再び真空槽内を５．０×１０-5
Pa以下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、
Ａｌ−Ｎｉ合金をターゲットとしてマグネトロンスパッ
タにより形成した。スパッタの際の条件は、投入パワー
７５０W （ＤＣ）、スパッタガス圧力０．１５Pa、Ａｒ
ガス流量１０SCCMとした。
【００７０】この光磁気ディスクサンプルNo. ３に対
し、実施例１と同様の記録および再生を行い、再生時の
Ｃ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎは４１．４dBであ
った。
し、実施例１と同様の記録および再生を行い、再生時の
Ｃ／Ｎを測定した。この場合のＣ／Ｎは４１．４dBであ
った。
【００７１】以上の結果より、静磁結合された保磁力の
異なる記録再生磁性層および補助磁性層を有する光磁気
ディスクを用い、補助磁性層を初期化してから再生を行
う本発明の方法を適用することによって再生時のＣ／Ｎ
が向上することがわかる。
異なる記録再生磁性層および補助磁性層を有する光磁気
ディスクを用い、補助磁性層を初期化してから再生を行
う本発明の方法を適用することによって再生時のＣ／Ｎ
が向上することがわかる。
【００７２】なお、実施例１〜５において、記録再生磁
性層と補助磁性層とにおける組成の組み合わせを前出の
組み合わせNo. ２〜４にかえても、実施例１〜５と同等
の良好な結果が得られた。
性層と補助磁性層とにおける組成の組み合わせを前出の
組み合わせNo. ２〜４にかえても、実施例１〜５と同等
の良好な結果が得られた。
【００７３】
【発明の効果】本発明によれば、再生におけるカー効果
を改善でき、再生時のＣ／Ｎが向上する。
を改善でき、再生時のＣ／Ｎが向上する。
【図１】本発明の光磁気ディスクの構成例を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光磁気記録再生方法を説明するための
模式図である。
模式図である。
【図３】本発明の光磁気記録再生方法を説明するための
模式図である。
模式図である。
【図４】本発明における積層構造の磁性層の室温〜再生
光照射時の温度での補助磁性層側からのポーラーカーヒ
ステリシス曲線を示すグラフである。
光照射時の温度での補助磁性層側からのポーラーカーヒ
ステリシス曲線を示すグラフである。
【図５】本発明における積層構造の磁性層の室温〜再生
光照射時の温度での記録再生磁性層側からのポーラーカ
ーヒステリシス曲線を示すグラフである。
光照射時の温度での記録再生磁性層側からのポーラーカ
ーヒステリシス曲線を示すグラフである。
１ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ エンハンス層 ４ 記録再生磁性層 ５ 非磁性層 ６ 補助磁性層 ７ 保護コート ８ ハードコート １０ 磁界発生手段
フロントページの続き (72)発明者 小須田 正則 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 保磁力の異なる少なくとも２層の磁性層
を有する光磁気記録媒体を用いて記録磁化情報の再生を
行う方法において、 前記光磁気記録媒体が、その室温〜再生光照射時の温度
でのポーラーカーヒステリシス曲線にて、磁化反転を示
す部分を複数有し、前記磁性層のうち、少なくとも保磁
力のより大きい第１の磁性層と保磁力のより小さい第２
の磁性層との間で、第１の磁性層が磁化反転せず、第２
の磁性層が磁化反転した状態にあるときの見かけ上のカ
ー回転角をθk1、前記第１および第２の磁性層が磁化反
転した状態にあるときの見かけ上のカー回転角をθk2と
するとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足するものであり、 再生に先立って、および再生を行いながらのうちの少な
くとも一方の時期に、前記光磁気記録媒体に外部磁界を
印加し、前記第１の磁性層側から再生光を照射して再生
を行う光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項２】 前記第１の磁性層の保磁力をＨc1、前記
第２の磁性層の保磁力をＨc2、前記第２の磁性層を一方
向に磁化するための外部磁界強度をＨini としたとき、
室温〜再生光照射時の温度にて、Ｈc1＞Ｈini ＞Ｈc2の
関係を満足する請求項１の光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項３】 基板上に保磁力の大きい記録再生磁性層
が設けられ、この記録再生磁性層上に、この記録再生磁
性層より保磁力の小さい補助磁性層が設けられている光
磁気記録媒体であって、 その室温〜再生光照射時の温度でのポーラーカーヒステ
リシス曲線にて、磁化反転を示す部分を複数有し、少な
くとも前記記録磁性層と前記補助磁性層との間で、前記
記録再生磁性層が磁化反転せず、前記補助磁性層が磁化
反転した状態にあるときの見かけ上のカー回転角を
θk1、前記記録再生磁性層および補助磁性層が磁化反転
した状態にあるときの見かけ上のカー回転角をθk2とす
るとき、 ｜θk1｜＞｜θk2｜ の関係を満足し、基板を通して記録再生を行う光磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 前記再生における室温〜再生光照射時の
温度でのポーラーカーによるマイナーループにて、前記
記録再生磁性層が磁化反転せず、前記補助磁性層が磁化
反転した状態から印加する外部磁界を０に減少させたと
きに、カー回転角が印加する外部磁界を０に減少させる
前と同等となる請求項３の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記補助磁性層が、前記記録再生磁性層
上に非磁性層を介して設けられているか、または表面に
界面処理を行った記録再生磁性層上に設けられている請
求項３または４の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記記録再生磁性層と前記補助磁性層と
の保磁力の差が、室温〜再生光照射時の温度でのポーラ
ーカーヒステリシス曲線から求めた値で、２０００Oe〜
１５０００Oeである請求項３〜５のいずれかの光磁気記
録媒体。 - 【請求項７】 前記記録再生磁性層の厚さが１５０A 〜
１５００A である請求項３〜６のいずれかの光磁気記録
媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6336564A JPH08180497A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
| US08/574,138 US5710746A (en) | 1994-12-22 | 1995-12-18 | Magneto-optical recording medium and reading method with magnetic layers of different coercivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6336564A JPH08180497A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08180497A true JPH08180497A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18300451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6336564A Pending JPH08180497A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5710746A (ja) |
| JP (1) | JPH08180497A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743569B2 (en) * | 1999-03-31 | 2004-06-01 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Photosensitive resin laminate and production method thereof |
| JP2005332474A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 熱アシスト磁気記録装置 |
| US20060273785A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Lindblom Steven L | Magnetic field sensing device |
| US9348000B1 (en) | 2012-12-20 | 2016-05-24 | Seagate Technology Llc | Magneto optic kerr effect magnetometer for ultra-high anisotropy magnetic measurements |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187694A (en) * | 1987-08-21 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium |
| JP2910082B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録再生方法 |
| US5547751A (en) * | 1992-04-10 | 1996-08-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6336564A patent/JPH08180497A/ja active Pending
-
1995
- 1995-12-18 US US08/574,138 patent/US5710746A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5710746A (en) | 1998-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020326 |