JP2809100B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の記録再生を行なう光磁気記録
媒体に関し、特に再生用レーザービームスポット中の温
度分布により磁区を部分的に消滅させ或いは拡大させる
ようにして情報の再生を行う方式の光磁気記録媒体に関
する。
てレーザー光により情報の記録再生を行なう光磁気記録
媒体に関し、特に再生用レーザービームスポット中の温
度分布により磁区を部分的に消滅させ或いは拡大させる
ようにして情報の再生を行う方式の光磁気記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の再生を行う光デ
ィスク等は、記録密度が高いことから、大容量記憶装置
として優れている。
ィスク等は、記録密度が高いことから、大容量記憶装置
として優れている。
【０００３】一般に書換可能な光ディスク等の光記録媒
体としては、磁気力−効果を利用した光磁気方式のもの
が用いられている。
体としては、磁気力−効果を利用した光磁気方式のもの
が用いられている。
【０００４】従来例の代表的な光磁気記録媒体の概略断
面図を、図８に示す（例えば、エス・ピー・アイ・イー
・ブロシーディング第1316巻，81頁〜90頁，1990年；Ｓ
ＰＩＥ Ｖol．1316，ｐ81〜90，1990）。
面図を、図８に示す（例えば、エス・ピー・アイ・イー
・ブロシーディング第1316巻，81頁〜90頁，1990年；Ｓ
ＰＩＥ Ｖol．1316，ｐ81〜90，1990）。
【０００５】この図８に示す光磁気記録媒体は、透明基
板１０１の上に透明干渉層１０２、その上にＧd Ｆe Ｃ
o の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１
の光磁気層１０３、その上にＴb Ｆe の非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層１０４、その上に誘電体保護層１０６を順に設け
たものである。
板１０１の上に透明干渉層１０２、その上にＧd Ｆe Ｃ
o の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１
の光磁気層１０３、その上にＴb Ｆe の非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層１０４、その上に誘電体保護層１０６を順に設け
たものである。
【０００６】第１の光磁気層１０３の膜の保磁力は再生
を行う温度では比較的小さくされ、第２の光磁気層１０
４の膜の保磁力は再生を行う温度では比較的大きいよう
にされ、再生を行う温度では第１の光磁気層１０３と第
２の光磁気層１０４とは交換結合するようにされてい
る。
を行う温度では比較的小さくされ、第２の光磁気層１０
４の膜の保磁力は再生を行う温度では比較的大きいよう
にされ、再生を行う温度では第１の光磁気層１０３と第
２の光磁気層１０４とは交換結合するようにされてい
る。
【０００７】記録および再生用のレーザー光は透明基板
１０１を通して入射し、第１の光磁気層１０３および第
２の光磁気層１０４の近傍でおよそ直径（以下、φで表
す）１．４〔μｍ〕になるようにフォーカシング・サー
ボにより集束される。レーザー光源としては波長λが８
３００オングストローム前後の半導体レーザーが用いら
れ、対物レンズの開口数ＮＡとしては０．５５前後のも
のが用いられる。
１０１を通して入射し、第１の光磁気層１０３および第
２の光磁気層１０４の近傍でおよそ直径（以下、φで表
す）１．４〔μｍ〕になるようにフォーカシング・サー
ボにより集束される。レーザー光源としては波長λが８
３００オングストローム前後の半導体レーザーが用いら
れ、対物レンズの開口数ＮＡとしては０．５５前後のも
のが用いられる。
【０００８】情報の記録は、情報に対応させて、第２の
光磁気層１０４の温度をこの膜のキュリー温度近傍に昇
温させ、この部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけ
ておくことにより、キュリー温度近傍に昇温させた部分
の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめることによ
って行う。温度が下がった状態ではこの記録された反転
磁区は第１の光磁気層１０３に転写される。
光磁気層１０４の温度をこの膜のキュリー温度近傍に昇
温させ、この部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけ
ておくことにより、キュリー温度近傍に昇温させた部分
の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめることによ
って行う。温度が下がった状態ではこの記録された反転
磁区は第１の光磁気層１０３に転写される。
【０００９】情報の再生は、ほぼ直線偏光にしたレーザ
ー光のビームスポットを第１の光磁気層１０３に相対的
に移動させながら照射し、そこからの反射光を検光子を
介して光学的に検出することによる。光磁気膜は磁気力
−効果により反射光の偏光面を回転させる性質がある。
この反射光を偏光面の回転角θｋは、光磁気層の垂直磁
化の向きにより異なるので、反射光が光検出器に入る前
に検光子を通すことにより磁化の向きに対応した情報を
光量変化として再生することができる。
ー光のビームスポットを第１の光磁気層１０３に相対的
に移動させながら照射し、そこからの反射光を検光子を
介して光学的に検出することによる。光磁気膜は磁気力
−効果により反射光の偏光面を回転させる性質がある。
この反射光を偏光面の回転角θｋは、光磁気層の垂直磁
化の向きにより異なるので、反射光が光検出器に入る前
に検光子を通すことにより磁化の向きに対応した情報を
光量変化として再生することができる。
【００１０】このような光磁気膜の材料は非常に酸化さ
れやすいので、透明干渉層１０２と誘電体保護層１０６
とで挟みこむことにより光磁気膜が酸化することを防ご
うとしている。
れやすいので、透明干渉層１０２と誘電体保護層１０６
とで挟みこむことにより光磁気膜が酸化することを防ご
うとしている。
【００１１】しかしながら上述した従来の光磁気記録媒
体及びその記録再生方法では、高い記録密度の情報を再
生することには限界があった。
体及びその記録再生方法では、高い記録密度の情報を再
生することには限界があった。
【００１２】この理由は、記録された情報である反転磁
区のパターンを光学的に読み出すことにより得られる再
生信号の分解能は、再生光学系のレーザー光源の波長λ
と対物レンズの開口数ＮＡとで決定され、その検出限界
の反転磁区周期はおよそλ／（２×ＡＮ）である。従っ
て、光磁気記録媒体の記録再生で高密度化を実現するた
めには、再生光学系の光源波長λを短くし、対物レンズ
の開口数ＮＡを大きくする必要がある。
区のパターンを光学的に読み出すことにより得られる再
生信号の分解能は、再生光学系のレーザー光源の波長λ
と対物レンズの開口数ＮＡとで決定され、その検出限界
の反転磁区周期はおよそλ／（２×ＡＮ）である。従っ
て、光磁気記録媒体の記録再生で高密度化を実現するた
めには、再生光学系の光源波長λを短くし、対物レンズ
の開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【００１３】一方、短波長のレーザー光源の開発はレー
ザー光源の寿命の観点で難しいものがある。また、対物
レンズの開口数を大きくすることは光磁気記録媒体の反
り等の観点で難しいものがある。
ザー光源の寿命の観点で難しいものがある。また、対物
レンズの開口数を大きくすることは光磁気記録媒体の反
り等の観点で難しいものがある。
【００１４】この状況を鑑み、光磁気記録媒体とその再
生方法を工夫することによる高記録密度化の試みもなさ
れている。
生方法を工夫することによる高記録密度化の試みもなさ
れている。
【００１５】例えば特開平３−２４２８４５号公報や特
開平４−２２９４３２号公報には、再生用レーザー光照
射による光磁気層の温度上昇を利用し、記録されている
反転磁区パターンを変形して再生を行うことにより、光
学検出限界以下の反転磁区列に対しても充分な再生出力
が得られるような光磁気記録媒体とその再生方法が図８
の改良として提案されている。
開平４−２２９４３２号公報には、再生用レーザー光照
射による光磁気層の温度上昇を利用し、記録されている
反転磁区パターンを変形して再生を行うことにより、光
学検出限界以下の反転磁区列に対しても充分な再生出力
が得られるような光磁気記録媒体とその再生方法が図８
の改良として提案されている。
【００１６】即ち、この従来例にあって、光磁気記録媒
体は、図９の概略断面図のように透明基板１１１の上に
透明干渉層１１２，第１の光磁気層１１３，第２の光磁
気層１１４，第３の光磁気層１１５，誘電体保護層１１
６が順次積層されたものである。ここでそれぞれの層の
膜としては以下のように規定されている。
体は、図９の概略断面図のように透明基板１１１の上に
透明干渉層１１２，第１の光磁気層１１３，第２の光磁
気層１１４，第３の光磁気層１１５，誘電体保護層１１
６が順次積層されたものである。ここでそれぞれの層の
膜としては以下のように規定されている。
【００１７】第１の光磁気層１１３，第２の光磁気層１
１４，第３の光磁気層１１５はいずれも鉄族遷移金属と
希土類遷移金属との合金の垂直磁化膜であり、第１の光
磁気層１１３と第２の光磁気層１１４と第３の光磁気層
１１５とは室温で交換結合しており、第１の光磁気層１
１３の膜厚は２５０オングストローム以上、第２の光磁
気層１１４の膜厚は５０オングストローム以上が望まし
いとされている。
１４，第３の光磁気層１１５はいずれも鉄族遷移金属と
希土類遷移金属との合金の垂直磁化膜であり、第１の光
磁気層１１３と第２の光磁気層１１４と第３の光磁気層
１１５とは室温で交換結合しており、第１の光磁気層１
１３の膜厚は２５０オングストローム以上、第２の光磁
気層１１４の膜厚は５０オングストローム以上が望まし
いとされている。
【００１８】具体的開示としては、透明基板１１１はガ
ラス２Ｐ基板，透明干渉層１１２はＳi 3 Ｎ4 膜８００
オングストローム，第１の光磁気層１１３はＧd Ｆe Ｃ
o 膜３００オングストローム，第２の光磁気層１１４は
Ｔb Ｆe 膜１５０オングストローム，第３の光磁気層１
１５はＴb Ｆe Ｃo 膜５５０オングストローム，誘電体
保護層１１６はＳi 3 Ｎ4 膜８００オングストロームと
されている。
ラス２Ｐ基板，透明干渉層１１２はＳi 3 Ｎ4 膜８００
オングストローム，第１の光磁気層１１３はＧd Ｆe Ｃ
o 膜３００オングストローム，第２の光磁気層１１４は
Ｔb Ｆe 膜１５０オングストローム，第３の光磁気層１
１５はＴb Ｆe Ｃo 膜５５０オングストローム，誘電体
保護層１１６はＳi 3 Ｎ4 膜８００オングストロームと
されている。
【００１９】このような光磁気記録媒体に従来から周知
の前述した記録方法で反転磁区パターンを形成した場合
の光磁気記録媒体の概略断面図を図１０に示す。この図
１０において膜中の矢印は磁化の向きを表している。再
生用レーザー光のビームスポット径が反転磁区ＭＫのピ
ッチよりも大きいと、図１１に示す透明基板側から見た
光磁気記録媒体の概略平面図のように再生用レーザー光
のビームスポットＬＢ内に複数の反転磁区ＭＫが存在し
てしまい、従来の光磁気記録媒体の再生方法では反転磁
区ＭＫを個々に再生することは不可能となる（図１１に
おいては、磁化の向きが上向きの領域は右傾斜線で示し
ており、その形状は模式的に円形としている）。
の前述した記録方法で反転磁区パターンを形成した場合
の光磁気記録媒体の概略断面図を図１０に示す。この図
１０において膜中の矢印は磁化の向きを表している。再
生用レーザー光のビームスポット径が反転磁区ＭＫのピ
ッチよりも大きいと、図１１に示す透明基板側から見た
光磁気記録媒体の概略平面図のように再生用レーザー光
のビームスポットＬＢ内に複数の反転磁区ＭＫが存在し
てしまい、従来の光磁気記録媒体の再生方法では反転磁
区ＭＫを個々に再生することは不可能となる（図１１に
おいては、磁化の向きが上向きの領域は右傾斜線で示し
ており、その形状は模式的に円形としている）。
【００２０】これに対して特開平３−２４２８４５号公
報や特開平４−２２９４３２号公報に記載された提案
は、図１２に示すように、光磁気記録媒体の移動の向き
で見てレーザー光の前方部分領域をＨＴ（左傾斜線領
域）の光磁気膜の温度が高くなることを利用している。
即ち、左傾斜線領域ＨＴの温度を第２の光磁気層１１４
のキュリー温度ＴC2以上にすることにより第２の光磁気
層１１４の磁化が失われ、第１の光磁気層１１３と第３
の光磁気層１１５との交換結合は遮断される。この状態
で第１の光磁気層１１３の保磁力よりも大きな外部磁界
ＨPBを印加すると、図１３の光磁気記録媒体の概略断面
図に示すように、前述した左傾斜線領域ＨＴの第１の光
磁気層１１３の磁化の向きは外部磁界ＨPBの向きに揃え
られる。
報や特開平４−２２９４３２号公報に記載された提案
は、図１２に示すように、光磁気記録媒体の移動の向き
で見てレーザー光の前方部分領域をＨＴ（左傾斜線領
域）の光磁気膜の温度が高くなることを利用している。
即ち、左傾斜線領域ＨＴの温度を第２の光磁気層１１４
のキュリー温度ＴC2以上にすることにより第２の光磁気
層１１４の磁化が失われ、第１の光磁気層１１３と第３
の光磁気層１１５との交換結合は遮断される。この状態
で第１の光磁気層１１３の保磁力よりも大きな外部磁界
ＨPBを印加すると、図１３の光磁気記録媒体の概略断面
図に示すように、前述した左傾斜線領域ＨＴの第１の光
磁気層１１３の磁化の向きは外部磁界ＨPBの向きに揃え
られる。
【００２１】一方この左傾斜線領域ＨＴ以外の領域，即
ち温度がＴC2よりも高くない領域では、第１の光磁気層
１１３と第３の光磁気層１１５との磁気的結合は維持さ
れているので、第３の光磁気層１１５に記録されている
反転磁区は第１の光磁気層１１３にそのまま転写され保
たれている。したがって、図１４の透明基板側から見た
光磁気記録媒体の概略平面図に示されるように、再生用
レーザー光のビーム径内の前方側の反転磁区ＭＫ２はあ
たかもマスクされたかのようになり、この部分に記録さ
れていた反転磁区ＭＫ２は見かけ上消失し、ビーム径内
には１つの反転磁区ＭＫ１しか存在しないかのごとくに
なる。即ち、情報再生時には再生用レーザー光から見た
記録されている反転磁区の空間周波数は、実際よりも低
く見え、再生分解能が向上するというものである。
ち温度がＴC2よりも高くない領域では、第１の光磁気層
１１３と第３の光磁気層１１５との磁気的結合は維持さ
れているので、第３の光磁気層１１５に記録されている
反転磁区は第１の光磁気層１１３にそのまま転写され保
たれている。したがって、図１４の透明基板側から見た
光磁気記録媒体の概略平面図に示されるように、再生用
レーザー光のビーム径内の前方側の反転磁区ＭＫ２はあ
たかもマスクされたかのようになり、この部分に記録さ
れていた反転磁区ＭＫ２は見かけ上消失し、ビーム径内
には１つの反転磁区ＭＫ１しか存在しないかのごとくに
なる。即ち、情報再生時には再生用レーザー光から見た
記録されている反転磁区の空間周波数は、実際よりも低
く見え、再生分解能が向上するというものである。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
実施例にあっては、記録密度が高く且つビットエラーレ
イトが良好で，しかも耐候性のよい光磁気記録媒体は見
当たらない。
実施例にあっては、記録密度が高く且つビットエラーレ
イトが良好で，しかも耐候性のよい光磁気記録媒体は見
当たらない。
【００２３】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに高い記録密度で且つビットエラーレイ
トが良好で，更に耐候性に優れた実用性ある光磁気記録
媒体を提供することを、その目的とする。
を改善し、とくに高い記録密度で且つビットエラーレイ
トが良好で，更に耐候性に優れた実用性ある光磁気記録
媒体を提供することを、その目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、その請求項１
では、透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁気層，第
２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保護層とが
順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が１００〜
４００オングストロームに形成され，２５０〔℃〕以上
のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で且つ
0.5 キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃo を必須構成元
素とする非晶質合金からなり、集束されたレーザ光を相
対的に移動させながら前記透明基板を通して前記第１の
光磁気層に照射するとともに，外部磁界を印加すること
によって情報の再生を行い得るように構成された光磁気
記録媒体において、第２の光磁気層は、膜厚が１００〜
２００オングストロームに形成され，１００〜１６０
〔℃〕のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕
で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化
状態を維持するＴb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成元素とする
非晶質合金からなる。
では、透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁気層，第
２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保護層とが
順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が１００〜
４００オングストロームに形成され，２５０〔℃〕以上
のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で且つ
0.5 キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃo を必須構成元
素とする非晶質合金からなり、集束されたレーザ光を相
対的に移動させながら前記透明基板を通して前記第１の
光磁気層に照射するとともに，外部磁界を印加すること
によって情報の再生を行い得るように構成された光磁気
記録媒体において、第２の光磁気層は、膜厚が１００〜
２００オングストロームに形成され，１００〜１６０
〔℃〕のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕
で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化
状態を維持するＴb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成元素とする
非晶質合金からなる。
【００２５】第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４０
０オングストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキ
ュリー温度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロ
エルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナント
のフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９
０〔℃〕で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃo を含む
少なくとも四つの元素，即ち，Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi 或いは
Ｔb Ｆe Ｃo Ｃr 或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃr 或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｔa 或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb 或いはＴb Ｆe
Ｃo Ｐt を必須構成元素とする非晶質合金非晶質合金か
らなる。
０オングストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキ
ュリー温度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロ
エルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナント
のフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９
０〔℃〕で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃo を含む
少なくとも四つの元素，即ち，Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi 或いは
Ｔb Ｆe Ｃo Ｃr 或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃr 或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｔa 或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb 或いはＴb Ｆe
Ｃo Ｐt を必須構成元素とする非晶質合金非晶質合金か
らなる。
【００２６】そして、第１の光磁気層と第２の光磁気層
と第３の光磁気層とは、１０〜９０〔℃〕で交換結合
し、第２の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度
では，第１の光磁気層と第３の光磁気層とが再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えている、という構成
を採っている。
と第３の光磁気層とは、１０〜９０〔℃〕で交換結合
し、第２の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度
では，第１の光磁気層と第３の光磁気層とが再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えている、という構成
を採っている。
【００２７】本発明は、その請求項２では、前述した請
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｃr を含む構成とした点に特徴を備えている。
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｃr を含む構成とした点に特徴を備えている。
【００２８】本発明は、その請求項３では、前述した請
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｎi Ｃr を含む構成とした点に特徴を備えている。
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｎi Ｃr を含む構成とした点に特徴を備えている。
【００２９】本発明は、その請求項４では、前述した請
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｔa を含む構成とした点に特徴を備えている。
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｔa を含む構成とした点に特徴を備えている。
【００３０】本発明は、その請求項５では、前述した請
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｎb を含む構成とした点に特徴を備えている。
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｎb を含む構成とした点に特徴を備えている。
【００３１】本発明は、その請求項６では、前述した請
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｐt を含む構成とした点に特徴を備えている。
求項１における第２の光磁気層の非晶質合金をＴb Ｄy
Ｆe Ｐt を含む構成とした点に特徴を備えている。
【００３２】これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
するものである。
【００３３】
【作 用】情報の記録は、高いパワーのレーザ光を透明
基板１を通して第１の光磁気層１３に集束して照射する
ことにより、少なくとも第１の光磁気層１３にレーザ光
のエネルギを吸収させ、それを熱エネルギに変換させ、
その熱で第３の光磁気層１５をキュリー温度近傍に上昇
させる。この状態のときにこの部分を含む領域に記録バ
イアス磁界を印加しておく。高いパワーのレーザ光の照
射後の温度が下がった状態では、この記録された第３の
光磁気層１５の反転磁区は第２の光磁気層１４を介して
第１の光磁気層１３に転写される。
基板１を通して第１の光磁気層１３に集束して照射する
ことにより、少なくとも第１の光磁気層１３にレーザ光
のエネルギを吸収させ、それを熱エネルギに変換させ、
その熱で第３の光磁気層１５をキュリー温度近傍に上昇
させる。この状態のときにこの部分を含む領域に記録バ
イアス磁界を印加しておく。高いパワーのレーザ光の照
射後の温度が下がった状態では、この記録された第３の
光磁気層１５の反転磁区は第２の光磁気層１４を介して
第１の光磁気層１３に転写される。
【００３４】情報の再生は、再生用レーザー光照射によ
り第２の光磁気層１４の温度上昇を利用して第３の光磁
気層１５に記録されている反転磁区パターンを第１の光
磁気層１３での磁区パターンでは変形させて旋光性ある
いは円二色性の磁気光学効果により行う。
り第２の光磁気層１４の温度上昇を利用して第３の光磁
気層１５に記録されている反転磁区パターンを第１の光
磁気層１３での磁区パターンでは変形させて旋光性ある
いは円二色性の磁気光学効果により行う。
【００３５】また、記録周波数とＣ／Ｎの関係は、実験
的には４４〔ｄＢ〕のＣ／Ｎが得られた（図２の曲線
Ａ）。比較のため再生用外部磁界を印加せずに信号再生
を行うと４０〔ｄＢ〕のＣ／Ｎしか得られなかった（図
２の曲線Ｂ）。この実験例では反転磁区ピッチが１．０
５〔μｍ〕と高密度であるにもかかわらず信号品質の良
好な光磁気記録媒体であることが確認された。また、ビ
ットエラーレイト測定を行っても実用上充分である低い
ビットエラーレイトであることが確認された。更に、こ
の光磁気記録媒体を８０〔℃〕，８０〔％〕の高温高湿
度環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に問
題はなく、実用に供せる光磁気記録媒体であることが確
認された。
的には４４〔ｄＢ〕のＣ／Ｎが得られた（図２の曲線
Ａ）。比較のため再生用外部磁界を印加せずに信号再生
を行うと４０〔ｄＢ〕のＣ／Ｎしか得られなかった（図
２の曲線Ｂ）。この実験例では反転磁区ピッチが１．０
５〔μｍ〕と高密度であるにもかかわらず信号品質の良
好な光磁気記録媒体であることが確認された。また、ビ
ットエラーレイト測定を行っても実用上充分である低い
ビットエラーレイトであることが確認された。更に、こ
の光磁気記録媒体を８０〔℃〕，８０〔％〕の高温高湿
度環境に２００時間保存した後でも情報の記録再生に問
題はなく、実用に供せる光磁気記録媒体であることが確
認された。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の第１実施例について、図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００３７】図１は本発明の一実施例を示す光磁気記録
媒体の基本構造を表す概略断面図である。
媒体の基本構造を表す概略断面図である。
【００３８】図１に示す光磁気記録媒体は、透明基板上
１の上に透明干渉層２を設け、その上に、膜厚が１００
〜４００オングストロームであり、２５０℃以上のキュ
リー温度を有し、１０℃以上９０℃以下で０．５キロエ
ルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナントの
フェリ磁性を示し、Ｇd Ｆe Ｃo を必須構成元素とする
非晶質合金の第１の光磁気層１３を設ける。
１の上に透明干渉層２を設け、その上に、膜厚が１００
〜４００オングストロームであり、２５０℃以上のキュ
リー温度を有し、１０℃以上９０℃以下で０．５キロエ
ルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナントの
フェリ磁性を示し、Ｇd Ｆe Ｃo を必須構成元素とする
非晶質合金の第１の光磁気層１３を設ける。
【００３９】また、その上に、膜厚が１００〜２００オ
ングストロームであり、１００℃以上１６０℃以下のキ
ュリー温度を有し、１０℃以上９０℃以下で鉄族遷移金
属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり、
Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成元素とする非晶質合金の第
２の光磁気層１４を設ける。
ングストロームであり、１００℃以上１６０℃以下のキ
ュリー温度を有し、１０℃以上９０℃以下で鉄族遷移金
属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり、
Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成元素とする非晶質合金の第
２の光磁気層１４を設ける。
【００４０】更に、その上に、膜厚が２５０〜１４００
オングストロームであり、１９０℃以上のキュリー温度
を有し、１００℃以上１６０℃以下で１．０キロエルス
テッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェ
リ磁性を示す垂直磁化状態であり、１０℃以上９０℃以
下でも垂直磁化状態であり、Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi を必須構
成元素とする非晶質合金の第３の光磁気層１５を設け
る。
オングストロームであり、１９０℃以上のキュリー温度
を有し、１００℃以上１６０℃以下で１．０キロエルス
テッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェ
リ磁性を示す垂直磁化状態であり、１０℃以上９０℃以
下でも垂直磁化状態であり、Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi を必須構
成元素とする非晶質合金の第３の光磁気層１５を設け
る。
【００４１】そして、その上に誘電体保護層６を順に設
けたものであり、１０℃以上９０℃以下では、第１の光
磁気層１３と第２の光磁気層１４と第３の光磁気層１５
とは交換結合するようにし、第２の光磁気層の磁化がほ
とんど失われている温度では、第１の光磁気層１３と第
３の光磁気層１５とは静磁結合しないようにする。
けたものであり、１０℃以上９０℃以下では、第１の光
磁気層１３と第２の光磁気層１４と第３の光磁気層１５
とは交換結合するようにし、第２の光磁気層の磁化がほ
とんど失われている温度では、第１の光磁気層１３と第
３の光磁気層１５とは静磁結合しないようにする。
【００４２】光磁気記録媒体は、図１のような構成のま
まで、レーザー光を透明基板１を通して入射することに
より情報の再生を行う場合もあるが、誘電保護層６の上
にＵＶ硬化樹脂の保護層を設けて情報の再生を行っても
よい。また、そのＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホットメ
ルト剤を塗布することにより、２つの光磁気記録媒体を
透明基板が外側になるように貼合わせた状態で情報の再
生を行ってもよい。
まで、レーザー光を透明基板１を通して入射することに
より情報の再生を行う場合もあるが、誘電保護層６の上
にＵＶ硬化樹脂の保護層を設けて情報の再生を行っても
よい。また、そのＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホットメ
ルト剤を塗布することにより、２つの光磁気記録媒体を
透明基板が外側になるように貼合わせた状態で情報の再
生を行ってもよい。
【００４３】信頼性をさらに向上させた光磁気記録媒体
としては、透明干渉層２と反対側の主面の透明基板１の
上にＳi Ｏ2 等の透明なバックコート層を設けてもよ
い。
としては、透明干渉層２と反対側の主面の透明基板１の
上にＳi Ｏ2 等の透明なバックコート層を設けてもよ
い。
【００４４】透明基板１としては、ポリカーボネイト樹
脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポ
リマーのついたアクリル樹脂板を用いる。この透明基板
１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ビット
を形成しておくことが望ましい。トラックピッチはおよ
そ0.1 〜1.6 〔μｍ〕である。
脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポ
リマーのついたアクリル樹脂板を用いる。この透明基板
１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ビット
を形成しておくことが望ましい。トラックピッチはおよ
そ0.1 〜1.6 〔μｍ〕である。
【００４５】透明干渉層２の材料としては、窒化シリコ
ンまたは水素化炭化シリコンまたは酸化タンタルがとく
に望ましい。
ンまたは水素化炭化シリコンまたは酸化タンタルがとく
に望ましい。
【００４６】誘電保護層６の材料としても、窒化シリコ
ンまたは水素化炭化シリコンまたは酸化タンタルがとく
に望ましい。
ンまたは水素化炭化シリコンまたは酸化タンタルがとく
に望ましい。
【００４７】記録および再生用のレーザー光は透明基板
１を通して入射し、第１の光磁気層１３から第３の光磁
気層１５の近傍でおよそφ1.0 〜φ1.4 〔μｍ〕になる
ようにフォーカシング・サーボにより集光する。レーザ
光源としては波長５３００〜８３００オングストローム
前後の半導体レーザが用いられている。
１を通して入射し、第１の光磁気層１３から第３の光磁
気層１５の近傍でおよそφ1.0 〜φ1.4 〔μｍ〕になる
ようにフォーカシング・サーボにより集光する。レーザ
光源としては波長５３００〜８３００オングストローム
前後の半導体レーザが用いられている。
【００４８】情報の記録は、高いパワーのレーザ光を透
明基板１を通して第１の光磁気層１３に集束して照射す
ることにより、少なくとも第１の光磁気層１３にレーザ
光のエネルギを吸収させ、それを熱エネルギに変換さ
せ、その熱で第３の光磁気層１５をキュリー温度近傍に
上昇させる。この状態のときにこの部分を含む領域に記
録バイアス磁界を印加しておく。高いパワーのレーザ光
の照射後の温度が下がった状態では、この記録された第
３の光磁気層１５の反転磁区は第２の光磁気層１４を介
して第１の光磁気層１３に転写される。
明基板１を通して第１の光磁気層１３に集束して照射す
ることにより、少なくとも第１の光磁気層１３にレーザ
光のエネルギを吸収させ、それを熱エネルギに変換さ
せ、その熱で第３の光磁気層１５をキュリー温度近傍に
上昇させる。この状態のときにこの部分を含む領域に記
録バイアス磁界を印加しておく。高いパワーのレーザ光
の照射後の温度が下がった状態では、この記録された第
３の光磁気層１５の反転磁区は第２の光磁気層１４を介
して第１の光磁気層１３に転写される。
【００４９】情報の再生は、再生用レーザー光照射によ
り第２の光磁気層１４の温度上昇を利用して第３の光磁
気層１５に記録されている反転磁区パターンを第１の光
磁気層１３での磁区パターンでは変形させて旋光性ある
いは円二色性の磁気光学効果により行う。
り第２の光磁気層１４の温度上昇を利用して第３の光磁
気層１５に記録されている反転磁区パターンを第１の光
磁気層１３での磁区パターンでは変形させて旋光性ある
いは円二色性の磁気光学効果により行う。
【００５０】本発明者らは特開平３−２４２８４５号公
報や特開平４−２２９４３２号公報に記載された提案を
追試し、そこから得た不具合の知見から改良を加えたも
のである。
報や特開平４−２２９４３２号公報に記載された提案を
追試し、そこから得た不具合の知見から改良を加えたも
のである。
【００５１】本発明者らは、高い記録密度で且つビット
エラーレイトが良好でかつ高温高湿度保存耐性を良好な
ものとするための第１の光磁気層の材料と第２の光磁気
層の材料と第３の光磁気層の材料との組合せ，およびそ
れらの膜特性の条件が最適なものを見いだした。
エラーレイトが良好でかつ高温高湿度保存耐性を良好な
ものとするための第１の光磁気層の材料と第２の光磁気
層の材料と第３の光磁気層の材料との組合せ，およびそ
れらの膜特性の条件が最適なものを見いだした。
【００５２】第１の光磁気層１３としては、再生時のθ
ｋを大きくするための膜のキュリー温度は２５０〔℃〕
以上とする必要がある。また、その保磁力は、１０
〔℃〕以上９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未
満と低くないと、第３の光磁気層１５に記録された反転
磁区パターンが良好に転写されなくなり、ビットエラー
レイトが悪くなり実用に供しなくなる。
ｋを大きくするための膜のキュリー温度は２５０〔℃〕
以上とする必要がある。また、その保磁力は、１０
〔℃〕以上９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未
満と低くないと、第３の光磁気層１５に記録された反転
磁区パターンが良好に転写されなくなり、ビットエラー
レイトが悪くなり実用に供しなくなる。
【００５３】この転写のためと記録後ノイズを小さくす
るためには、鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
すＧd Ｆe Ｃo を必須構成元素とする非晶質合金がよ
い。この場合、その膜厚は、１００オングストロームよ
りも薄くすると、再生したときの信号振幅が小さくなり
実用に供せなくなる。また、４００オングストロームよ
りも厚くすると、良好な形状の反転磁区を形成できなく
なるので、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）が悪くなり実用に供
せなくなる。良好な形状の反転磁区を形成するために
は、Ｇd Ｆe Ｃo 膜それ自身としては、垂直磁化膜では
なく面内磁化膜でなければならない。
るためには、鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
すＧd Ｆe Ｃo を必須構成元素とする非晶質合金がよ
い。この場合、その膜厚は、１００オングストロームよ
りも薄くすると、再生したときの信号振幅が小さくなり
実用に供せなくなる。また、４００オングストロームよ
りも厚くすると、良好な形状の反転磁区を形成できなく
なるので、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）が悪くなり実用に供
せなくなる。良好な形状の反転磁区を形成するために
は、Ｇd Ｆe Ｃo 膜それ自身としては、垂直磁化膜では
なく面内磁化膜でなければならない。
【００５４】第２の光磁気層１４としては、第３の光磁
気層１５に記録された反転磁区パターンの第１の光磁気
層１３での転写磁区パターンを比較的低い再生用レーザ
ー光パワーで変形可能とするために、膜のキュリー温度
は１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下とする必要があ
る。
気層１５に記録された反転磁区パターンの第１の光磁気
層１３での転写磁区パターンを比較的低い再生用レーザ
ー光パワーで変形可能とするために、膜のキュリー温度
は１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下とする必要があ
る。
【００５５】膜材料としては、第３の光磁気層１５に記
録された反転磁区パターンが第１の光磁気層１３に良好
に転写されるためと、光磁気記録媒体の高温高湿度保存
耐性を良好なものとするためとには、１０〔℃〕以上９
０〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を
示す垂直磁化状態であり、Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成
元素とする非晶質合金がよい。その膜厚は、１００オン
グストロームよりも薄くすると、再生用レーザー光パワ
ー照射で第２の光磁気層１４の磁化を失わせたときに第
３の光磁気層１５に記録されている反転磁区パターンが
静磁結合により第１の光磁気層１３の反転磁区パターン
の変形に悪影響を与えビットエラーレイトが悪くなり実
用に供せなくなる。
録された反転磁区パターンが第１の光磁気層１３に良好
に転写されるためと、光磁気記録媒体の高温高湿度保存
耐性を良好なものとするためとには、１０〔℃〕以上９
０〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を
示す垂直磁化状態であり、Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi を必須構成
元素とする非晶質合金がよい。その膜厚は、１００オン
グストロームよりも薄くすると、再生用レーザー光パワ
ー照射で第２の光磁気層１４の磁化を失わせたときに第
３の光磁気層１５に記録されている反転磁区パターンが
静磁結合により第１の光磁気層１３の反転磁区パターン
の変形に悪影響を与えビットエラーレイトが悪くなり実
用に供せなくなる。
【００５６】第３の光磁気層１５としては、記録されて
いる反転磁区パターンが再生用レーザー光パワー照射で
変形しないようにするためと、記録される反転磁区形状
が良好となるためと、第１の光磁気層１３に良好に転写
されるためと、光磁気記録媒体の高温高湿度保存耐性を
良好なものとするためとには、キュリー温度は１９０
〔℃〕以上であり、１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下
で1.0 キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり、１
０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化状態であり、
Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe ＣoＴ，a 或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt を必須構成元
素とする非晶質合金がよい。その膜厚は、良好なビット
エラーレイトを確保する意味で２５０〜１４００オング
ストロームがよい。
いる反転磁区パターンが再生用レーザー光パワー照射で
変形しないようにするためと、記録される反転磁区形状
が良好となるためと、第１の光磁気層１３に良好に転写
されるためと、光磁気記録媒体の高温高湿度保存耐性を
良好なものとするためとには、キュリー温度は１９０
〔℃〕以上であり、１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下
で1.0 キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態であり、１
０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化状態であり、
Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe ＣoＴ，a 或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt を必須構成元
素とする非晶質合金がよい。その膜厚は、良好なビット
エラーレイトを確保する意味で２５０〜１４００オング
ストロームがよい。
【００５７】良好な信号品質を得るためには、第１の光
磁気層１３と第２の光磁気層１４と第３の光磁気層１５
とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で交換結合してい
る必要がある。
磁気層１３と第２の光磁気層１４と第３の光磁気層１５
とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で交換結合してい
る必要がある。
【００５８】次に、図１を参照して、更に具体的に説明
する。
する。
【００５９】いま、1.1 〔μｍ〕ピッチの案内溝が形成
されている直径130 〔ｍｍ〕，厚さ1.2 〔ｍｍ〕のポリ
カーボネイト樹脂製ディスク状透明基板１を、案内溝と
反対側の主面にハードコート処理した後にスパッタ装置
内に載置し、３×１０-7〔Ｔｏｒｒ〕以下に真空排気し
た。しかる後、案内溝が形成されている側の表面をおよ
を２オングストローム程度アルゴンガスで逆スパッタ
し、しかる後、シリコンターゲットをアルゴンと窒素と
の混合ガスでスパッタすることにより８００オングスト
ローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を設けた。
されている直径130 〔ｍｍ〕，厚さ1.2 〔ｍｍ〕のポリ
カーボネイト樹脂製ディスク状透明基板１を、案内溝と
反対側の主面にハードコート処理した後にスパッタ装置
内に載置し、３×１０-7〔Ｔｏｒｒ〕以下に真空排気し
た。しかる後、案内溝が形成されている側の表面をおよ
を２オングストローム程度アルゴンガスで逆スパッタ
し、しかる後、シリコンターゲットをアルゴンと窒素と
の混合ガスでスパッタすることにより８００オングスト
ローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を設けた。
【００６０】次に、Ｇd Ｆe Ｃo ターゲット（Ｇd ：Ｆ
e ：Ｃo ＝20.5：65.0：14.5原子％）をアルゴンガスで
スパッタすことにより３００オングストローム厚のＧd
ＦeＣo の非晶質の第１の光磁気層１３を設け、ひきつ
づきＴb Ｄy Ｆe Ｔi ターゲット（Ｔb ：Ｄy ：Ｆe ：
Ｔi ＝9.3 ：9.3 ：79.4：2.0 原子％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより、１５０オングストローム厚
のＴb Ｄy Ｆe Ｔi の非晶質の第２の光磁気層１４を設
け、引き続きＴb Ｆe Ｃo Ｔi ターゲット（Ｔb ：Ｆe
：Ｃo ：Ｔi ＝23.0：61.0：13.0：3.0 原子％）をア
ルゴンガスでスパッタすることによって４００オングス
トローム厚のＴb Ｆe Ｃo Ｔi の非晶質の0第３の光磁
気層１５を設けた。その上に、シリコンターゲットをア
ルゴンガスと窒素との混合ガスでスパッタすることによ
り８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保
護層６を設け、図１のような構成にした。
e ：Ｃo ＝20.5：65.0：14.5原子％）をアルゴンガスで
スパッタすことにより３００オングストローム厚のＧd
ＦeＣo の非晶質の第１の光磁気層１３を設け、ひきつ
づきＴb Ｄy Ｆe Ｔi ターゲット（Ｔb ：Ｄy ：Ｆe ：
Ｔi ＝9.3 ：9.3 ：79.4：2.0 原子％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより、１５０オングストローム厚
のＴb Ｄy Ｆe Ｔi の非晶質の第２の光磁気層１４を設
け、引き続きＴb Ｆe Ｃo Ｔi ターゲット（Ｔb ：Ｆe
：Ｃo ：Ｔi ＝23.0：61.0：13.0：3.0 原子％）をア
ルゴンガスでスパッタすることによって４００オングス
トローム厚のＴb Ｆe Ｃo Ｔi の非晶質の0第３の光磁
気層１５を設けた。その上に、シリコンターゲットをア
ルゴンガスと窒素との混合ガスでスパッタすることによ
り８００オングストローム厚の窒化シリコンの誘電体保
護層６を設け、図１のような構成にした。
【００６１】その後、スパッタ装置から大気中に取り出
し、誘電体保護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート
してＵＶ照射することにより、ＵＶ硬化樹脂の１０〔μ
ｍ〕厚の保護層を設けた。更にその後、このようなディ
スク２枚を、ＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホットメルト
剤を塗布することにより貼り合わせて機械的強度を補強
して光磁気記録媒体とした。
し、誘電体保護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート
してＵＶ照射することにより、ＵＶ硬化樹脂の１０〔μ
ｍ〕厚の保護層を設けた。更にその後、このようなディ
スク２枚を、ＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホットメルト
剤を塗布することにより貼り合わせて機械的強度を補強
して光磁気記録媒体とした。
【００６２】この光磁気記録媒体を３６００〔ｒｐｍ〕
で回転させ、開口数０．５５の対物レンズを用いて波長
６８００オングストロームの半導体レーザー光を透明基
板１を通して第１の光磁気層１３上でおよそφ1.2 〔μ
ｍ〕に絞って照射した。半径30.7〔ｍｍ〕のところで記
録周波数11〔ＭＨｚ〕の信号をデューティ26〔％〕の光
変調で、記録パワー11〔ｍＷ〕，記録バイアス磁界３０
０エルステッドで信号を記録した後、同じ光ヘッドを用
いて再生用レーザー光のパワーを2.0 〔ｍＷ〕とし、再
生用外部磁界を３００エルステッドとして信号を再生を
試みた。
で回転させ、開口数０．５５の対物レンズを用いて波長
６８００オングストロームの半導体レーザー光を透明基
板１を通して第１の光磁気層１３上でおよそφ1.2 〔μ
ｍ〕に絞って照射した。半径30.7〔ｍｍ〕のところで記
録周波数11〔ＭＨｚ〕の信号をデューティ26〔％〕の光
変調で、記録パワー11〔ｍＷ〕，記録バイアス磁界３０
０エルステッドで信号を記録した後、同じ光ヘッドを用
いて再生用レーザー光のパワーを2.0 〔ｍＷ〕とし、再
生用外部磁界を３００エルステッドとして信号を再生を
試みた。
【００６３】図２に、記録周波数とＣ／Ｎの関係の測定
結果を示す。これより明らかのように、４４〔ｄＢ〕の
Ｃ／Ｎが得られた（図２の曲線Ａ）。比較のため再生用
外部磁界を印加せずに信号再生を行うと４０〔ｄＢ〕の
Ｃ／Ｎしか得られなかった（図２の曲線Ｂ）。即ち、反
転磁区ピッチが１．０５〔μｍ〕と高密度であるにもか
かわらず信号品質の良好な光磁気記録媒体であることが
確認された。また、ビットエラーレイト測定を行っても
実用上充分である低いビットエラーレイトであることが
確認された。
結果を示す。これより明らかのように、４４〔ｄＢ〕の
Ｃ／Ｎが得られた（図２の曲線Ａ）。比較のため再生用
外部磁界を印加せずに信号再生を行うと４０〔ｄＢ〕の
Ｃ／Ｎしか得られなかった（図２の曲線Ｂ）。即ち、反
転磁区ピッチが１．０５〔μｍ〕と高密度であるにもか
かわらず信号品質の良好な光磁気記録媒体であることが
確認された。また、ビットエラーレイト測定を行っても
実用上充分である低いビットエラーレイトであることが
確認された。
【００６４】この光磁気記録媒体を８０〔℃〕，８０
〔％〕の高温高湿度環境に２００時間保存した後でも情
報の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録媒
体であることが確認された。
〔％〕の高温高湿度環境に２００時間保存した後でも情
報の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録媒
体であることが確認された。
【００６５】ここで、第３の光磁気層をＴb Ｆe Ｃo Ｃ
ｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo
Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐ
t にした場合にも、前述と同様に実用に供せる光磁気記
録媒体が得ることができた。
ｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo
Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐ
t にした場合にも、前述と同様に実用に供せる光磁気記
録媒体が得ることができた。
【００６６】また、比較のために他の例を一部開示する
と、第２の光磁気層をＴb Ｆe ，第３の光磁気層をＴb
Ｆe Ｃo にした場合には、高温高湿度保存耐性が良好で
はなかった。また、高密度記録再生を行う時のビットエ
ラーレイトも良好ではなかった。この原因は明確には分
かっていないが、反転磁区を高密度に記録しようとする
と第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層と
の磁化のバランスが適切でないために反転磁区形状を良
好にできないためと思われる。
と、第２の光磁気層をＴb Ｆe ，第３の光磁気層をＴb
Ｆe Ｃo にした場合には、高温高湿度保存耐性が良好で
はなかった。また、高密度記録再生を行う時のビットエ
ラーレイトも良好ではなかった。この原因は明確には分
かっていないが、反転磁区を高密度に記録しようとする
と第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層と
の磁化のバランスが適切でないために反転磁区形状を良
好にできないためと思われる。
【００６７】次に、第２実施例を図３に基づいて説明す
る。
る。
【００６８】この図３に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例とは次の点で異なっている。
示す実施例とは次の点で異なっている。
【００６９】第１の光磁気層２３の膜材料はＧd Ｆe Ｃ
o であり、第２の光磁気層２４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｃｒである。第３の光磁気層２５の膜材料は、Ｔb Ｆe
ＣoＣｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb Ｆe Ｃo
Ｎi Ｃｒ，或いはＴb ＦeＣo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃ
o Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。
o であり、第２の光磁気層２４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｃｒである。第３の光磁気層２５の膜材料は、Ｔb Ｆe
ＣoＣｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb Ｆe Ｃo
Ｎi Ｃｒ，或いはＴb ＦeＣo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃ
o Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。
【００７０】第１の光磁気層２３と第２の光磁気層２４
と第３の光磁気層２５との関係は、第１の光磁気層２３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層２４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
と第３の光磁気層２５との関係は、第１の光磁気層２３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層２４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
【００７１】また、第３の光磁気層２５は、膜厚が２５
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
【００７２】そして、第１の光磁気層２３と前記第２の
光磁気層２４と第３の光磁気層２５とは、１０〔℃〕以
上９０〔℃〕以下で交換結合し、第２の光磁気層２４の
磁化がほとんど失われている温度では、第１の光磁気層
２３と第３の光磁気層２５とは再生時外部磁界で静磁結
合しないように構成する。
光磁気層２４と第３の光磁気層２５とは、１０〔℃〕以
上９０〔℃〕以下で交換結合し、第２の光磁気層２４の
磁化がほとんど失われている温度では、第１の光磁気層
２３と第３の光磁気層２５とは再生時外部磁界で静磁結
合しないように構成する。
【００７３】次に、第３実施例を図４に基づいて説明す
る。
る。
【００７４】この図４に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例とは次の点で異なっている。
示す実施例とは次の点で異なっている。
【００７５】第１の光磁気層３３の膜材料はＧd Ｆe Ｃ
o であり、第２の光磁気層３４の膜材料は、Ｔb Ｄy Ｆ
e Ｎi Ｃｒである。また、第３の光磁気層３５の膜材料
は、Ｔb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，
或いはＴb Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔa ，或
いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt であ
る。
o であり、第２の光磁気層３４の膜材料は、Ｔb Ｄy Ｆ
e Ｎi Ｃｒである。また、第３の光磁気層３５の膜材料
は、Ｔb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，
或いはＴb Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔa ，或
いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt であ
る。
【００７６】第１の光磁気層３３と第２の光磁気層３４
と第３の光磁気層３５との関係は、第１の光磁気層３３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層３４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
と第３の光磁気層３５との関係は、第１の光磁気層３３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層３４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
【００７７】また、第３の光磁気層３５は、膜厚が２５
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態の非晶質合金である。
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態の非晶質合金である。
【００７８】第１の光磁気層３３と第２の光磁気層３４
と第３の光磁気層３５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層３４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層３３と第３の
光磁気層３５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
と第３の光磁気層３５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層３４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層３３と第３の
光磁気層３５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
【００７９】次に、第４実施例を図５に基づいて説明す
る。
る。
【００８０】この図５に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例とは次の点で異なっている。
示す実施例とは次の点で異なっている。
【００８１】第１の光磁気層４３の膜材料はＧd Ｆe Ｃ
o であり、第２の光磁気層４４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｔa である。また、第３の光磁気層４５の膜材料は、Ｔ
b Ｆe Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ、或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｎb 、或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。
o であり、第２の光磁気層４４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｔa である。また、第３の光磁気層４５の膜材料は、Ｔ
b Ｆe Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ、或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｎb 、或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。
【００８２】第１の光磁気層４３と第２の光磁気層４４
と第３の光磁気層４５との関係は、第１の光磁気層４３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層４４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金であり、第３の光磁気層４
５は、膜厚が２５０〜１４００オングストロームであ
り、１９０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１００
〔℃〕以上１６０〔℃〕以下で１．０キロエルステッド
以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性
を示す垂直磁化状態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下でも垂直磁化状態の非晶質合金である。
と第３の光磁気層４５との関係は、第１の光磁気層４３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層４４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金であり、第３の光磁気層４
５は、膜厚が２５０〜１４００オングストロームであ
り、１９０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１００
〔℃〕以上１６０〔℃〕以下で１．０キロエルステッド
以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性
を示す垂直磁化状態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下でも垂直磁化状態の非晶質合金である。
【００８３】第１の光磁気層４３と第２の光磁気層４４
と第３の光磁気層４５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層４４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層４３と第３の
光磁気層４５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
と第３の光磁気層４５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層４４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層４３と第３の
光磁気層４５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
【００８４】次に、第５実施例を図６に基づいて説明す
る。
る。
【００８５】この図６に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例とは次の点で異なっている。
示す実施例とは次の点で異なっている。
【００８６】第１の光磁気層５３の膜材料はＧd Ｆe Ｃ
o であり、第２の光磁気層５４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｎb である。また、第３の光磁気層５５の膜材料は、Ｔ
b Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。第１
の光磁気層５３と第２の光磁気層５４と第３の光磁気層
５５との関係は、第１の光磁気層５３は、膜厚が１００
〜４００オングストロームであり、２５０〔℃〕以上の
キュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で
０．５キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質合金であり、第２
の光磁気層５４は、膜厚が１００〜２００オングストロ
ームであり、１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下のキュ
リー温度を有し、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で鉄族
遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態の
非晶質合金である。
o であり、第２の光磁気層５４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｎb である。また、第３の光磁気層５５の膜材料は、Ｔ
b Ｆe Ｃo Ｎb ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb
Ｆe Ｃo Ｃｒ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒ，或いはＴ
b Ｆe Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｐt である。第１
の光磁気層５３と第２の光磁気層５４と第３の光磁気層
５５との関係は、第１の光磁気層５３は、膜厚が１００
〜４００オングストロームであり、２５０〔℃〕以上の
キュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で
０．５キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質合金であり、第２
の光磁気層５４は、膜厚が１００〜２００オングストロ
ームであり、１００〔℃〕以上１６０〔℃〕以下のキュ
リー温度を有し、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下で鉄族
遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態の
非晶質合金である。
【００８７】また、第３の光磁気層５５は、膜厚が２５
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
【００８８】第１の光磁気層５３と第２の光磁気層５４
と第３の光磁気層５５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層５４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層５３と第３の
光磁気層５５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
と第３の光磁気層５５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層５４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層５３と第３の
光磁気層５５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
【００８９】次に、第６実施例を図７に基づいて説明す
る。
る。
【００９０】この図７に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例とは次の点で異なっている。
示す実施例とは次の点で異なっている。
【００９１】第１の光磁気層６３の膜材料はＧd Ｆe Ｃ
o であり、第２の光磁気層６４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｐt である。又、第３の光磁気層６５の膜材料は、Ｔb
ＦeＣo Ｐt ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb Ｆe
Ｃo Ｃｒ，或いはＴb ＦeＣo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆ
e Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb である。
o であり、第２の光磁気層６４の膜材料はＴb Ｄy Ｆe
Ｐt である。又、第３の光磁気層６５の膜材料は、Ｔb
ＦeＣo Ｐt ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｔi ，或いはＴb Ｆe
Ｃo Ｃｒ，或いはＴb ＦeＣo Ｎi Ｃｒ，或いはＴb Ｆ
e Ｃo Ｔa ，或いはＴb Ｆe Ｃo Ｎb である。
【００９２】第１の光磁気層６３と第２の光磁気層６４
と第３の光磁気層６５との関係は、第１の光磁気層６３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層６４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
と第３の光磁気層６５との関係は、第１の光磁気層６３
は、膜厚が１００〜４００オングストロームであり、２
５０〔℃〕以上のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上
９０〔℃〕以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁
力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す非晶質
合金であり、第２の光磁気層６４は、膜厚が１００〜２
００オングストロームであり、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下のキュリー温度を有し、１０〔℃〕以上９０
〔℃〕以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示
す垂直磁化状態の非晶質合金である。
【００９３】また、第３の光磁気層６５は、膜厚が２５
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
０〜１４００オングストロームであり、１９０〔℃〕以
上のキュリー温度を有し、１００〔℃〕以上１６０
〔℃〕以下で１．０キロエルステッド以上の高保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状
態であり、１０〔℃〕以上９０〔℃〕以下でも垂直磁化
状態の非晶質合金である。
【００９４】第１の光磁気層６３と第２の光磁気層６４
と第３の光磁気層６５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層６４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層６３と第３の
光磁気層６５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
と第３の光磁気層６５とは、１０〔℃〕以上９０〔℃〕
以下で交換結合し、第２の光磁気層６４の磁化がほとん
ど失われている温度では、第１の光磁気層６３と第３の
光磁気層６５とは再生時外部磁界で静磁結合しないよう
に構成する。
【００９５】なお、第３の光磁気層の膜材料は、上述の
材料に加えてＧd 或いはＮｄを添加してもよい。
材料に加えてＧd 或いはＮｄを添加してもよい。
【００９６】この光磁気記録媒体への信号記録方法は、
図１の実施例のところで述べた光変調方式でもよいが、
磁界変調方式でもよい。磁界変調記録方式とは、集束し
た記録用レーザー光を透明基板を通して第１の光磁気層
に照射することにより第３の光磁気層をキュリー温度近
傍に上昇させ、この状態のときにこの部分を含む領域に
情報に対応させた極性の磁界を印加することにより情報
に対応した反転磁区パターンを形成するものである。
図１の実施例のところで述べた光変調方式でもよいが、
磁界変調方式でもよい。磁界変調記録方式とは、集束し
た記録用レーザー光を透明基板を通して第１の光磁気層
に照射することにより第３の光磁気層をキュリー温度近
傍に上昇させ、この状態のときにこの部分を含む領域に
情報に対応させた極性の磁界を印加することにより情報
に対応した反転磁区パターンを形成するものである。
【００９７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によると、光磁気層の材質を特定するとともに、各層
の性質を前述したように限定したので、高い記録密度で
かつビットエラーレイトが良好でかつ耐候性を著しく強
化することができるという従来にない優れた光磁気記録
媒体を提供することができる。
明によると、光磁気層の材質を特定するとともに、各層
の性質を前述したように限定したので、高い記録密度で
かつビットエラーレイトが良好でかつ耐候性を著しく強
化することができるという従来にない優れた光磁気記録
媒体を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例における光磁気記録媒体の
基本構造を示す概略断面図である。
基本構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例の光磁気記録媒体の記録再生
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図３】第２実施例における光磁気記録媒体の基本構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図４】第３実施例における光磁気記録媒体の基本構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図５】第４実施例における光磁気記録媒体の基本構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図６】第５実施例における光磁気記録媒体の基本構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図７】第６実施例における光磁気記録媒体の基本構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図８】従来例の光磁気記録媒体の基本構造を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図９】他の従来例の光磁気記録媒体の基本構造を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１０】第１の光磁気層の反転磁区パターンを第３の
光磁気層の反転磁区パターンとは独立に再生時外部磁界
で変形させて高密度再生を可能にする方法を説明するた
めの光磁気記録媒体の模式的な概略断面図である。
光磁気層の反転磁区パターンとは独立に再生時外部磁界
で変形させて高密度再生を可能にする方法を説明するた
めの光磁気記録媒体の模式的な概略断面図である。
【図１１】記録後の第１の光磁気層の反転磁区パターン
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図１２】再生時のレーザー光照射による温度分布を示
す図である。
す図である。
【図１３】図１１における場合の磁化状態を模式的に示
した断面図である。
した断面図である。
【図１４】再生時の第１の光磁気層の反転パターンを示
す模式図である。
す模式図である。
１ 透明基板 ２ 透明干渉層 ６ 誘電体保護層 １３，２３，３３，４３，５３，６３ Ｇd Ｆe Ｃo の
第１の光磁気層 １４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi の第２の光磁気層 １５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi の第３の光磁気層 ２４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｃｒの第２の光磁気層 ２５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｃｒの第３の光磁気層 ３４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｎi Ｃｒの第２の光磁気層 ３５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒの第３の光磁気層 ４４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｔa の第２の光磁気層 ４５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｔa の第３の光磁気層 ５４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｎb の第２の光磁気層 ５５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｎb の第３の光磁気層 ６４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｐt の第２の光磁気層 ６５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｐt の第３の光磁気層 １０６ 誘電体保護層
第１の光磁気層 １４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｔi の第２の光磁気層 １５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｔi の第３の光磁気層 ２４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｃｒの第２の光磁気層 ２５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｃｒの第３の光磁気層 ３４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｎi Ｃｒの第２の光磁気層 ３５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒの第３の光磁気層 ４４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｔa の第２の光磁気層 ４５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｔa の第３の光磁気層 ５４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｎb の第２の光磁気層 ５５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｎb の第３の光磁気層 ６４ Ｔb Ｄy Ｆe Ｐt の第２の光磁気層 ６５ Ｔb Ｆe Ｃo Ｐt の第３の光磁気層 １０６ 誘電体保護層
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe Ｔiを必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つの元素を必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe Ｃrを必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つ以上の元素を必須構成元素とする非晶質合金から
なり、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe ＮiＣr を必須構成元素とする非晶質合金か
らなり、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つの元素を必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe Ｔaを必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つの元素を必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe Ｎbを必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つの元素を必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 透明基板上に、透明干渉層，第１の光磁
気層，第２の光磁気層，第３の光磁気層および誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層は、膜厚が
１００〜４００オングストロームに形成され，２５０
〔℃〕以上のキュリー温度を有し，同時に１０〜９０
〔℃〕で且つ０．５キロエルステッド未満の低保磁力で
鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃ
o を必須構成元素とする非晶質合金からなり、集束され
たレーザ光を相対的に移動させながら前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に照射するとともに，外部磁界
を印加することによって情報の再生を行い得るように構
成された光磁気記録媒体において、 前記第２の光磁気層は、膜厚が１００〜２００オングス
トロームに形成され，１００〜１６０〔℃〕のキュリー
温度を有し，同時に１０〜９０〔℃〕で鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示す垂直磁化状態を維持するＴ
b Ｄy Ｆe Ｐtを必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第３の光磁気層は、膜厚が２５０〜１４００オング
ストロームに形成され，１９０〔℃〕以上のキュリー温
度を有し，１００〜１６０〔℃〕で１．０キロエルステ
ッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ
磁性を示す垂直磁化状態であり，且つ１０〜９０〔℃〕
で垂直磁化状態を維持するＴb Ｆe Ｃoを含む少なくと
も四つの元素を必須構成元素とする非晶質合金からな
り、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは１０〜９０〔℃〕で交換結合し、前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われている温度では，前
記第１の光磁気層と第３の光磁気層とが前記再生時の外
部磁界で静磁結合しない性質を備えていることを特徴と
した光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴb
Ｆe Ｃo Ｔiを含む非晶質合金により構成されているこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴb
Ｆe Ｃo Ｃrを含む非晶質合金により構成されているこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴb
Ｆe Ｃo ＮiＣr を含む非晶質合金により構成されてい
ることを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴ
b Ｆe Ｃo Ｔa を含む非晶質合金により構成されている
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴ
b Ｆe Ｃo Ｎb を含む非晶質合金により構成されている
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 前記第３の光磁気層が、少なくともＴ
b Ｆe Ｃo Ｐt を含む非晶質合金により構成されている
ことを特徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載
の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427294A JP2809100B2 (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427294A JP2809100B2 (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302444A JPH07302444A (ja) | 1995-11-14 |
| JP2809100B2 true JP2809100B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=14633670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11427294A Expired - Fee Related JP2809100B2 (ja) | 1994-04-30 | 1994-04-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JP6732875B2 (ja) | 2018-12-28 | 2020-07-29 | サントリーホールディングス株式会社 | 容器詰茶飲料 |
-
1994
- 1994-04-30 JP JP11427294A patent/JP2809100B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07302444A (ja) | 1995-11-14 |
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