JP2546477B2 - 光磁気記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置 - Google Patents

光磁気記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の書込・読出を行う光磁気記録
媒体およびその記録再生方法およびその記録再生装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の書込・読出を行
う光ディスク等は、記録密着が高いことから大容量記憶
装置として優れた特徴を有している。
【０００３】一般に書換可能な光ディスク等の光記録媒
体としては、磁気カー効果を利用した光磁気形のものが
用いられている。代表的な光磁気記録媒体の概略断面図
を図１０に従来の１例として示す（例えば、エス・ピー
・アイ・イー・プロシーディング第１３１６巻，８１頁
〜９０頁，１９９０年（ＳＰＩＥ：Ｖｏｌ．１３１６，
ｐ．８１〜９０，１９９０））。
【０００４】図１０に示す光磁気記録媒体は、透明基板
１０１の上に透明干渉層１０２、その上にＧd Ｆe Ｃo
の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の
光磁気層１０３、その上にＴb Ｆe の非晶質合金のフェ
リ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光磁
気層１０４、その上に誘電体保護層１０５を順に設けた
ものである。
【０００５】第１の光磁気層１０３の膜の保磁力は読出
を行う温度では比較的小さくされ、第２の光磁気層１０
４の膜の保磁力は読出を行う温度では比較的大きいよう
にされている。そして、読出を行う温度で、第１の光磁
気層１０３と第２の光磁気層１０４とは交換結合する性
質を備えている。
【０００６】書込および読出用のレーザー光は透明基板
１０１を通して入射し、第１の光磁気層１０３および第
２の光磁気層１０４の近傍で、その直径φが、およそ
１．４〔μｍ〕になるように図示しないフォーカシング
・サーボにより集束されている。また、レーザー光源と
しては波長λが８３００オングストローム前後の半導体
レーザーが用いられ、対物レンズの開口数ＮＡとしては
０．５５前後のものが用いられている。
【０００７】情報の書込は、情報に対応させて、第２の
光磁気層１０４の温度をこの膜のキュリー温度近傍に昇
温させ、この部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけ
ておくことにより、キュリー温度近傍に昇温させた部分
の磁化を，他の部分とは逆の方向に配向せしめることに
より行う。温度が下がった状態ではこの書込まれた反転
磁区は第１の光磁気層１０３に転写される。
【０００８】情報の読出は、ほぼ直線偏光にした集束レ
ーザー光を第１の光磁気層１０３に相対的に移動させな
がら照射し、そこからの反射光を検光子を介して光学的
に検出することにより行われる。光磁気膜は、磁気カー
効果により反射光の偏光面を回転させる効果がある。こ
の反射光の偏光面の回転角θｋは、光磁気膜の垂直磁化
の向きにより異なるので、反射光が光検出器に入る前に
検光子を通すことにより磁化の向きに対応した情報を光
量変化として読出すことができる。
【０００９】このような光磁気膜の材料は非常に酸化さ
れやすいので、透明干渉層１０２と誘電体保護層１０５
とで挟み込まれている。これにより、光磁気膜の酸化が
有効に防止されている。
【００１０】一方、上述した従来の光磁気記録媒体およ
びその記録再生方法では、高い記録密度で情報を記録再
生することには限界があった。これは記録された情報で
ある反転磁区のパターンを光学的に読み出すことにより
えられる再生信号の分解能は、再生光学系のレーザー光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとでほとんど決ま
り、その検出限界の反転磁区周期は、およそ「λ／（２
×ＮＡ）」とされていることに起因している。従って、
光磁気記録媒体の記録再生で高密度化を実現するために
は、再生光学系の光源波長λを短くし、対物レンズの開
口数ＮＡを大きくする必要がある。
【００１１】しかしながら、短波長のレーザー光源の開
発は、レーザー光源の寿命の観点で難しいものがある。
また、対物レンズの開口数を大きくすることは光磁気記
録媒体の反り等の問題があって難しいものとされてい
る。
【００１２】かかる状況を鑑み、光磁気記録媒体とその
読出方法を工夫することによる高記録密度化の試みもな
されている。例えば、特開平３−２４２８４５号公報で
は、読出用レーザー光照射による光磁気層の温度上昇を
利用し、書込まれている反転磁区パターンを変形して読
出を行うことにより、光学検出限界以下の反転磁区列に
対しても充分な再生出力が得られるような光磁気記録媒
体とその再生方法が提案されている。
【００１３】すなわち、特開平３−２４２８４５号公報
では、光磁気記録媒体は、図１１の断面図のように、透
明基板１１１の上に透明干渉層１１２，第１の光磁気層
１１３，第２の光磁気層１１４，第３の光磁気層１１
５，誘電体保護層１１６が順次積層されたものである。
ここでそれぞれの層の膜としては以下のように規定され
ている。
【００１４】第１の光磁気層１１３、第２の光磁気層１
１４、第３の光磁気層１１５はいずれも鉄族遷移金属と
希土類遷移金属との合金の垂直磁化膜であり、第１の光
磁気層１１３と第２の光磁気層１１４と第３の光磁気層
１１５とは室温で交換結合しており、第１の光磁気層１
１３の膜厚は２５０オングストローム以上、第２の光磁
気層１１４の膜厚は５０オングストローム以上が望まし
いとされている。
【００１５】具体的開示としては、透明基板１１１はガ
ラス２Ｐ基板、透明干渉層１１２はＳi3Ｎ4 で膜厚は８
００オングストローム、第１の光磁気層１１３はＧd Ｆ
e Ｃo で膜厚は３００オングストローム、第２の光磁気
層１１４はＴb Ｆe で膜厚は１５０オングストローム、
第３の光磁気層１１５はＴb Ｆe Ｃo で膜厚は５５０オ
ングストローム、誘電体保護１１６はＳi3Ｎ4 で膜厚は
８００オングストロームとされている。
【００１６】このような光磁気記録媒体に対し、従来か
ら周知の前述した書込方法で反転磁区パターンを形成し
た場合の光磁気記録媒体の断面図を図１２に示す。この
図１２における膜中の矢印は、磁化の向きを示してい
る。読出用レーザー光のビーム径が反転磁区ＭＫのピッ
チよりも大きいと、図１３に示す透明基板側から見た光
磁気記録媒体平面図のように、読出用レーザー光のビー
ムＬＢ内に複数の反転磁区ＭＫが存在してしまい、従来
の光磁気記録媒体の再生方法では反転磁区ＭＫを個々に
読出すことは不可能となる。（図１３においては、磁化
の向きが上向きの領域は右傾斜線で示しており、その形
状は模式的に円形としている）。
【００１７】一方、前述した特開平３−２４２８４５号
公報に記載された提案は、図１４に示すように、光磁気
記録媒体の移動の向きで見てレーザー光の前方部分領域
ＨＴ（左傾斜線領域）の光磁気膜の温度が高くなること
を利用している。
【００１８】即ち、左傾斜線領域ＨＴの温度を第２の光
磁気層１１４のキュリー温度ＴC2以上にすることにより
第２の光磁気層１１４の磁化が失われ、第１の光磁気層
１１３と第３の光磁気層１１５との交換結合は遮断され
る。この状態で第１の光磁気層１１３の保磁力よりも大
きな外部磁界ＨPBを印加すると、図１５の光磁気記録媒
体断面図に示すように、前記左傾斜線領域ＨＴの第１の
光磁気層１１３の磁化の向きは外部磁界ＨPBの向きに揃
えられる。
【００１９】一方、前記左傾斜線領域ＨＴ以外の領域す
なわち温度がＴC2よりも高くない領域では、第１の光磁
気層１１３と第３の光磁気層１１５との磁気的結合は維
持されているので、第３の光磁気層１１５に書込まれて
いる反転磁区は第１の光磁気層１１３にそのまま転写さ
れ保たれている。
【００２０】従って、図１６の透明基板側から見た光磁
気記録媒体平面図に示されるように、読出用レーザー光
のビーム径内の前方側の反転磁区ＭＫ２はあたかもマス
クされたかのようになり、この部分に記録されていた反
転磁区ＭＫ２は見かけ上消失し、ビーム径内には１つの
反転磁区ＭＫ１しか存在しないかのごとくになる。即
ち、情報再生時には読出用レーザー光から見た書込まれ
ている反転磁区の空間周波数は、実際よりも低く見え、
再生分解能が向上するというものである。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例にあっては、記録密度が必ずしも高いとは限らず、
また、ビットエラーレイト及び耐候性が悪いという不都
合が生じていた
【００２２】
【発明の目的】本発明の目的は、高い記録密度でかつビ
ットエラーレイトが良好でかつ耐候性に優れた光磁気記
録媒体およびその記録再生方法およびその装置を提供す
ることにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】まず、請求項１におい
て、本発明は、透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
順次積層され、集束したレーザ光を前記透明基板を介し
て前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射す
ると共に外部磁界を印加することにより情報の読み出し
が行われるように構成された光磁気記録媒体であって、
【００２４】第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo を主成分と
する非晶質合金で形成去れ、第２の光磁気層がＴb Ｆe
Ｔi を主成分とする非晶質合金で形成され、第３の光磁
気層がＴb Ｆe Ｃo Ｔi を主成分とする非晶質合金で形
成され、第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第
３の光磁気層とは、１０℃以上９０℃以下で交換結合す
る性質を有し、前記第２の光磁気層の磁化がほとんど失
われている温度では、前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは読出時の外部磁界で静磁結合しない性質を
備えている、という構成をとっている。
【００２５】また、請求項２において、本発明は、透明
基板上に、透明干渉層と，高キュリー温度の非晶質合金
から成る第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化
が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリ
ー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の
値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３
の光磁気層と，誘電体保護層とが、順次積層されて成
り、集束したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１
の光磁気層に相対的に移動させながら照射すると共に外
部磁界を印加することにより情報の読み出しが行われる
ように構成された光磁気記録媒体であって、
【００２６】第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo を主成分と
する非晶質合金で形成され、第２の光磁気層がＴb Ｆe
Ｃｒを主成分とする非晶質合金で形成され、第３の光磁
気層がＴb Ｆe Ｃo Ｃｒを主成分とする非晶質合金で形
成され、第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第
３の光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合す
る性質を有し、前記第２の光磁気層の磁化がほとんど失
われている温度では，前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層とは読出時の外部磁界で静磁結合しない性質を
備えている、という構成をとっている。
【００２７】次に、請求項３において、本発明は、透明
基板上に、透明干渉層と，高キュリー温度の非晶質合金
から成る第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化
が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリ
ー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の
値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３
の光磁気層と，誘電体保護層とが、順次積層されて成
り、集束したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１
の光磁気層に相対的に移動させながら照射すると共に外
部磁界を印加することにより情報の読み出しが行われる
ように構成された光磁気記録媒体であって、
【００２８】第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo を主成分と
する非晶質合金で形成され、第２の光磁気層がＴb Ｆe
Ｎi Ｃr を主成分とする非晶質合金で形成され、第３の
光磁気層がＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒを主成分とする非晶質
合金で形成されると共に、第１の光磁気層と前記第２の
光磁気層と前記第３の光磁気層とは，１０℃以上９０℃
以下で交換結合する性質を有し、前記第２の光磁気層の
磁化がほとんど失われている温度では，前記第１の光磁
気層と前記第３の光磁気層とは前記読出時の外部磁界で
静磁結合しない性質を備えている、という構成をとって
いる。
【００２９】請求項４において、本発明は、透明基板上
に、透明干渉層と，高キュリー温度の非晶質合金から成
る第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化が可能
な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリー温度
が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の値に設
定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３の光磁
気層と，誘電体保護層とが、順次積層されて成り、集束
したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁気
層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界を
印加することにより情報の読み出しが行われるように構
成された光磁気記録媒体であって、
【００３０】第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo を主成分と
する非晶質合金で形成され、第２の光磁気層がＴb Ｆe
Ｔａを主成分とする非晶質合金で形成され、第３の光磁
気層がＴb Ｆe Ｃo Ｔａを主成分とする非晶質合金で形
成され、更に、第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３
の光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合する
性質を有し、前記第２の光磁気層の磁化がほとんど失わ
れている温度では，前記第１の光磁気層と前記第３の光
磁気層とは前記読出時の外部磁界で静磁結合しない性質
を備えている、という構成をとっている。
【００３１】請求項５において、本発明は、透明基板上
に、透明干渉層と，高キュリー温度の非晶質合金から成
る第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化が可能
な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリー温度
が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の値に設
定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３の光磁
気層と，誘電体保護層とが、順次積層されて成り、集束
したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁気
層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界を
印加することにより情報の読み出しが行われるように構
成された光磁気記録媒体であって、
【００３２】第１乃至第３の各光磁気層の各々が、鉄族
遷移金属と希土類遷移金属とを主成分とする非晶質合金
で形成され、第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前
記第３の光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結
合する性質を有し、前記第２の光磁気層の磁化がほとん
ど失われている温度では，前記第１の光磁気層と前記第
３の光磁気層とは前記読出時の外部磁界で静磁結合しな
い性質を有し、第３の光磁気層と前記誘電体保護層との
間に、前記第１の光磁気層と同一の成分で且つ面内磁化
膜の非晶質合金から成る第４の光磁気層を積層する、と
いう構成をとっている。
【００３３】請求項６において、本発明は、請求項１〜
５において、第１の光磁気層は、２５０℃以上のキュリ
ー温度を有し，且つ１０℃以上９０℃以下で０．５キロ
エルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナント
のフェリ磁性を示し，更に膜厚が１００〜４００オング
ストロームに設定された非晶質合金から成り、
【００３４】前記第２の光磁気層は、１１０℃以上１６
０以下のキュリー温度を有し，且つ１０℃以上９０℃以
下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し，膜厚
が５０オングストローム以上に設定された非晶質合金か
ら成り、前記第３の光磁気層は、１９０℃以上のキュリ
ー温度を有し，且つ１１０℃以上１６０℃以下で１．０
キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナ
ントのフェリ磁性を示し，更に膜厚が２５０オングスト
ローム以上に設定された非晶質合金から成る、という限
定した構成をとっている。
【００３５】請求項７において、本発明は、透明基板上
に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保
護層とが順次積層され、前記第１の光磁気層と第２の光
磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で交
換結合する性質を有し、
【００３６】集束したレーザ光を前記透明基板を介して
前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射する
と共に外部磁界を印加することにより情報の読み出しが
行われるように構成された光磁気記録媒体を使用し、集
束したレーザー光の照射に際し、前記レーザ光のパワー
は部分領域的に前記第２の光磁気層の磁化がほとんど失
われるようにし、その際に外部磁界を印加しておくこと
により磁化がほとんど失われている前記第２の光磁気層
に隣接する前記第１の光磁気層の磁化を，前記外部磁界
の向きに変化させながら情報の読出を行う、という構成
をとっている。
【００３７】請求項８において、本発明は、透明基板上
に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，前記第１
の光磁気層と同一の非晶質合金から成り且つ面内磁化膜
を主とした第４の光磁気層と，誘電体保護層とが，順次
積層され、前記第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３
の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
質を有し、集束したレーザ光を前記透明基板を介して前
記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射すると
共に外部磁界を印加することにより情報の読み出しが行
われるように構成された光磁気記録媒体を使用し、
【００３８】情報の書き込みに際しては、外部磁界の極
性を変調させ前記第３の光磁気層の垂直磁化の向きを変
調させることにより当該情報の書き込みを行い、 情報
の読み出しに際しては、前記集束したレーザー光の照射
に際し、前記レーザ光のパワーは部分領域的に前記第２
の光磁気層の磁化がほとんど失われるようにし、その際
に外部磁界を印加しておくことにより磁化がほとんど失
われている前記第２の光磁気層に隣接する前記第１の光
磁気層の磁化を，前記外部磁界の向きに変化させながら
当該情報の読出を行う、という構成をとっている。
【００３９】請求項９において、本発明は、透明基板上
に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保
護層とが，順次積層され、前記第１の光磁気層と第２の
光磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で
交換結合する性質を有し、集束したレーザ光を前記透明
基板を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させな
がら照射すると共に外部磁界を印加することにより情報
の読み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体
を使用し、
【００４０】集束した主レーザー光を前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射
するに際し、前記レーザー光のパワーは部分領域的に前
記第２の光磁気層の磁化ほとんど失われるようにし、隣
接して相対的に移動させながら照射する集束した副レー
ザー光のパワーでも隣接トラックの部分領域的に前記第
２の光磁気層の磁化がほとんど失われるようにし、その
際に外部磁界を印加しておくことにより磁化がほとんど
失われている前記第２の光磁気層に隣接する前記第１の
光磁気層の磁化を、前記外部磁界の向きに変化させなが
ら情報の読出を行う、という構成をとっている。
【００４１】請求項１０において、本発明は、前述した
請求項９において、副レーザー光は、その集束形状が、
相対的移動方向に垂直な方向が短軸となる楕円状である
こと、という構成をとっている。
【００４２】請求項１１において、本発明は、前述した
請求項９において、主レーザー光は、その集束形状が、
相対的移動方向が短軸となる楕円状であること、という
構成をとっている。
【００４３】請求項１２において、本発明は、透明基板
上に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保
護層とが，順次積層され、前記第１の光磁気層と第２の
光磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で
交換結合する性質を有し、集束したレーザ光を前記透明
基板を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させな
がら照射すると共に外部磁界を印加することにより情報
の読み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体
を使用し、
【００４４】集束した主レーザー光を前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射
するに際し、前記レーザー光のパワーは部分領域的に前
記第２の光磁気層の磁化ほとんど失われるようにし、隣
接して相対的に移動させながら照射する集束した副レー
ザー光のパワーでも隣接トラックの部分領域的に前記第
２の光磁気層の磁化がほとんど失われるようにし、
【００４５】その際に外部磁界を印加しておくことによ
り磁化がほとんど失われている前記第２の光磁気層に隣
接する前記第１の光磁気層の磁化を、前記外部磁界の向
きに変化させながら情報の読出を行うと共に、透明基板
への読出用レーザー光照射位置に応じて前記読出用レー
ザー光のパワーを変化させる、という構成をとってい
る。
【００４６】請求項１３において、本発明は、透明基板
上に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保
護層とが，順次積層され、前記第１の光磁気層と第２の
光磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で
交換結合する性質を有し、集束したレーザ光を前記透明
基板を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させな
がら照射すると共に外部磁界を印加することにより情報
の読み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体
を使用し、
【００４７】集束した主レーザー光を前記透明基板を通
して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら照射
するに際し、前記レーザー光のパワーは部分領域的に前
記第２の光磁気層の磁化ほとんど失われるようにし、更
に、隣接して相対的に移動させながら照射する集束した
副レーザー光のパワーでも隣接トラックの部分領域的に
前記第２の光磁気層の磁化がほとんど失われるように
し、同時に外部磁界を印加しておくことにより磁化が失
われている前記第２の光磁気層に隣接する前記第１の光
磁気層の磁化を、前記外部磁界の向きに変化させながら
情報の読出を行う読出用レーザー光照射手段を有し、透
明基板上に読出レーザー光用の複数のテスト領域を設
け、装置立ち上げ時等に、前記複数のテスト領域を利用
して前記読出用レーザー光のパワーを決定するレーザー
光用パワー決定手段を具備する、という構成をとってい
る。
【００４８】請求項１４において、本発明は、透明基板
上に、透明干渉層と，高キュリー温度の第１の光磁気層
と，低キュリー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から
成る第２の光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁
気層と第２の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が
可能な非晶質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保
護層とが，順次積層され、前記第１の光磁気層と第２の
光磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０℃以下で
交換結合する性質を有し、集束したレーザ光を前記透明
基板を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させな
がら照射すると共に外部磁界を印加することにより情報
の読み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体
を使用し、
【００４９】集束したレーザー光の照射時に、当該レー
ザー光のパワーは部分領域的に前記第２の光磁気層の磁
化がほとんど失われるようにし、その際に外部磁界を印
加しておくことにより磁化がほとんど失われている該第
２の光磁気層に隣接する該第１の光磁気層の磁化を，該
外部磁界の向きに変化させながら情報の読出を行うよう
にした読出用レーザー光照射手段を備え、光磁気記録媒
体用の書込用ーザー光照射手段と読出用レーザー光照射
手段とを別々に具備し、前記読出用レーザー光照射手段
には永久磁石が対応して装備されている、という構成を
とっている。
【００５０】これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
【００５１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照して説明する。
【００５２】図１は本発明における光磁気記録媒体の第
１実施例を示す断面図である。この図１に示す光磁気記
録媒体は、透明基板１には、透明干渉層２，第１の光磁
気層１３，第２の光磁気層１４，第３の光磁気層１５，
誘電体保護層６が順次積層されている。
【００５３】第１の光磁気層１３は、２５０℃以上のキ
ュリー温度を有し，かつ１０℃以上９０℃以下で０．５
キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナ
ントのフェリ磁性を示し，更にその膜厚が１００〜４０
０オングストロームに設定ていされたのＧd Ｆe Ｃo を
主成分とする非晶質合金により形成されている。
【００５４】第２の光磁気層１４は、１１０℃以上１６
０℃以下のキュリー温度を有し，かつ１０℃以上９０℃
以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し，か
つ膜厚は５０オングストローム以上の垂直磁化可能なＴ
b Ｆe Ｔi を主成分とする非晶質合金により形成されて
いる。
【００５５】第３の光磁気層１５は、１９０℃以上のキ
ュリー温度を有し，かつ１１０℃以上１６０℃以下で
１．０キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示し，かつ膜厚は２５０オン
グストローム以上の垂直磁化可能なＴb Ｆe Ｃo Ｔi を
主成分とする非晶質合金により形成されている。
【００５６】そして、１０℃以上９０℃以下では第１の
光磁気層１３と第２の光磁気層１４と第３の光磁気層１
５とは交換結合する性質を備えている。また、第２の光
磁気層１４の磁化がほとんど失われる温度では、第１の
光磁気層１３と第３の光磁気層１５とは静磁結合しない
性質を備えている。
【００５７】光磁気記録媒体は、図１のような構成のま
までレーザー光を透明基板１を通して入射することによ
り情報の読出を行う場合もあるが、誘電体保護層６の上
にＵＶ硬化樹脂の保護層を設けて情報の読出を行う場合
もある。また、そのＵＶ硬化樹脂の保護層の上にホット
メルト剤を塗布することにより、２つの光磁気記録媒体
を透明基板が外側になるように貼合わせて情報の読出を
行う場合もある。
【００５８】信頼性をさらに向上させた光磁気記録媒体
としては、透明干渉層２と反対側の透明基板１の上に、
Ｓi Ｏ2 等の透明なバックコート層を設ける場合もあ
る。
【００５９】透明基板１としては、ポリカーボネイト樹
脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポ
リマーのついたアクリル樹脂板が用いられる。この透明
基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピ
ットを形成しておくことが望ましい。トラックピッチ
は、およそ０．８〜１．６〔μｍ〕に設定される。透明
干渉層２の材料としては、窒化シリコンまたは水素化炭
化シリコンがとくに望ましい。また、誘電体保護層６の
材料としても、窒化シリコンまたは水素化炭化シリコン
がとくに望ましい。
【００６０】書込および読出用のレーザー光は透明基板
１を通して入射され、第１の光磁気層１３から第３の光
磁気層１５の近傍で直径φがおよそ１．０〜１．４〔μ
ｍ〕になるようにフォーカシング・サーボにより集光す
る。また、レーザー光源としては、通常、波長６７００
〜８３００オングストローム前後の半導体レーザーを用
いられる。
【００６１】情報の書込は、高いパワーのレーザー光を
透明基板１を通して第１の光磁気層１３に集束して照射
することにより、少なくとも第１の光磁気層１３にレー
ザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギーに
変換させ、その熱で第３の光磁気層１５をキュリー温度
近傍に昇温させる。この状態のときに、この部分を含む
領域に記録バイアス磁界を印加しておく。高いパワーの
レーザー光の照射後の温度が下がった状態では、この書
込まれた第３の光磁気層１５の反転磁区は、第２の光磁
気層１４を介して第１の光磁気層１３に転写される。
【００６２】情報の読み出しは、読出用レーザー光照射
による第２の光磁気層１４の温度上昇を利用し、第３の
光磁気層１５に書き込み済の反転磁区パターンを第１の
光磁気層１３では変形させて施光性あるいは円二色性の
磁気光学効果により行う。
【００６３】ここで、発明者らは、特開平３−２４２８
４５号公報に記載された提案を追試し、そこから得た不
具合の知見から種々の改良を加えてみた。その結果、高
い記録密度で且つビットエラーレイトが良好で更に高温
高湿度保存耐性を良好なものとする、第１の光磁気層の
材料と第２の光磁気層の材料と第３の光磁気層の材料と
の組合せ及びそれらの膜特性の条件が最適なものを見い
だすことができた。
【００６４】即ち、第１の光磁気層１３としては、読み
出しのθk を大きくするため、膜のキュリー温度は２５
０℃以上とする必要があるを見いだした。また、その保
磁力は、１０℃以上９０℃以下で０．５キロエルステッ
ド未満程度に低く設定しないと、第３の光磁気層１５に
書込まれた反転磁区パターンが良好に転写されなくな
り、ビットエラーレイトが悪くなり、従ってその場合は
実用に供せなくなることを見いだした。この転写のため
と記録後ノイズが小さくするためには、鉄族遷移金属ド
ミナントのフェリ磁性を示すＧd Ｆe Ｃo を主成分とす
る非晶質合金がよい。
【００６５】その膜厚は、１００オングストロームより
も薄くすると、信号再生したときの信号振幅が小さくな
り実用に供せなり、一方、４００オングストロームより
も厚くすると、良好な形状の反転磁区を形成できなくな
るので、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）が悪くなり実用に供せ
なくなることを見いだすことができた。また、良好な形
状の反転磁区を形成するためにはＧd Ｆe Ｃo 膜それ自
身としては垂直磁化膜ではなく面内磁化膜でなければな
らないことも判明した。
【００６６】第２の光磁気層１４としては、比較的低い
読出用レーザー光パワーで第３の光磁気層１５に書込済
の反転磁区パターンを前述した第１の光磁気層１３で変
形可能とするためには、膜のキュリー温度は１１０℃以
上１６０℃以下とする必要があることを見いだした。膜
の材料としては、第３の光磁気層１５に書込まれた反転
磁区パターンが第１の光磁気層１３に良好に転写される
ためと，光磁気記録媒体の高温高湿度保存耐性を良好な
ものとするため、１０℃以上９０℃以下で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示し且つ垂直磁化可能なＴb
Ｆe Ｔi を主成分とする非晶質合金がよいことを見いだ
した。
【００６７】この場合、その膜厚は、５０オングストロ
ームよりも薄くすると、読出用レーザー光パワー照射で
第２の光磁気層１４の磁化を失わせたときに第３の光磁
気層１５に書込済の反転磁区パターンが静磁結合によっ
て第１の光磁気層１３の反転磁区パターンの変形に悪影
響を与え、ビットエラーレイトが悪くなり実用に供せな
くなることがわかった。
【００６８】第３の光磁気層１５としては、読出用レー
ザー光パワー照射で書込済の反転磁区パターンが変形し
ないようにするためと、書込まれる反転磁区形状が良好
となるためと、第１の光磁気層１３に良好に転写される
ためと、光磁気記録媒体の高温高湿度保存耐性を良好な
ものとするためとを考慮して種々検討した結果、キュリ
ー温度は１９０℃以上であり且つ１１０℃以上１６０℃
以下で１．０キロエルステッド以上の高い保磁力で鉄族
遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し，同時に垂直磁
化可能なＴb Ｆe Ｃo Ｔi を主成分とする非晶質合金が
よいことを見いだした。
【００６９】その膜厚は、良好なビットエラーレイトを
確保する意味で２５０オングストローム以上が必要であ
ることがわかった。
【００７０】良好な信号品質を得るためには、第１の光
磁気層１３と，第２の光磁気層１４と，第３の光磁気層
１５とは、１０℃以上９０℃以下で交換結合している必
要がある。
【００７１】次に、図１に示す第１実施例を更に具体的
に説明する。
【００７２】図１に示す実施例にあっては、案内溝が形
成されている直径１３０〔ｍｍ〕，厚さ１．２〔ｍｍ〕
のポリカーボネイト樹脂製ディスク状透明基板１を、案
内溝と反対側の面をハードコート処理した後にスパッタ
装置内に載置し、３×１０-7〔Ｔorr 〕以下に真空排気
する。しかる後、案内溝が形成されている側の表面をお
よそ５オングストローム程度アルゴンガスで逆スパッタ
し、しかる後、シリコンターゲットをアルゴンと窒素と
の混合ガスでスパッタする。これにより、まず、８２０
オングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２が得
る。
【００７３】次に、Ｇd Ｆe Ｃo ターゲット（Ｇd:Ｆe:
Ｃｏ＝20.5 :65.0 :14.5 原子％）をアルゴンガスでス
パッタすることにより、厚さ３００オングストロームの
ＧdＦe Ｃo の非晶質の第１の光磁気層１３を得る。続
いて、Ｔb Ｆe Ｔi ターゲット（Ｔb:Ｆe:Ｔi ＝ 18.6
:79.4 :2.0原子％）をアルゴンガスでスパッタするこ
とにより１００オングストローム厚のＴb Ｆe Ｔi の非
晶質の第２の光磁気層１４を得る。続いてＴb Ｆe Ｃo
Ｔi ターゲット（Ｔb:Ｆe:Ｃo:Ｔi:Ｔb ＝21.8 :57.2 :
18.0 3.0原子％）をアルゴンガスでスパッタすることに
より４００オングストローム厚のＴb Ｆe Ｃo Ｔi の非
晶質の第３の光磁気層１５を得る。
【００７４】そして、第３の光磁気層１５の外側に、シ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパ
ッタすることにより８２０オングストローム厚の窒化シ
リコンの誘電体保護層６を設け図１のような構成にし
た。この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、誘電
体保護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０〔μｍ〕厚の保
護層を設けた。その後このようなディスク２枚を、ＵＶ
硬化樹脂の保護層の上にホットメルト剤を塗布すること
により貼合わせて機械的強度を補強して光磁気記録媒体
とした。
【００７５】この光磁気記録媒体を３００〔rpm 〕で回
転させ、開口数０．５５の対物レンズを用い波長８３０
０オングストロームの半導体レーザー光を透明基板１を
通して第１の光磁気層１３上でそのビーム直径φを約
１．４〔μｍ〕に絞って照射した。半径３０〔ｍｍ〕の
ところで記録周波数１０〔ＭＨz 〕の信号をデューティ
５０％の光変調で記録パワーを９〔ｍＷ〕，記録バイア
ス磁界を３００エルステッドと設定して信号を記録した
後、同じ光ヘッドを用いて読出用レーザー光のパワーを
２．８〔ｍＷ〕とし読出用外部磁界を５００エルステッ
ドとして信号を再生したところ、４７〔ｄＢ〕のＣ／Ｎ
が得られた。比較のため読出用外部磁界を印加せずに信
号再生を行うと、４２〔ｄＢ〕のＣ／Ｎしか得られなか
った。
【００７６】すなわち、反転磁区ピッチが１．１３〔μ
ｍ〕と高密度であるにもかかわらず、信号品質の良好な
光磁気記録媒体およびその記録再生方法であることが確
認された。また、ビットエラーレイト測定を行っても実
用上充分である低いビットエラーレイトであることが確
認された。
【００７７】この光磁気記録媒体を８０〔℃〕で８０％
の高温高湿度環境に２００時間保存した後でも、情報の
記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録媒体お
よびその記録再生方法であることが確認された。
【００７８】第２の光磁気層をＴb Ｆe 、第３の光磁気
層Ｔb Ｆe Ｃo とした場合（従来例の場合）には、高温
高湿度保存耐性が良好ではなかった。また、高密度記録
再生を行う時のビットエラーレイトは良好ではなかっ
た。この原因は明確にはわかっていないが、高密度に反
転磁区を書き込むときに光磁気層３層の磁気バランスが
適切でないことから、反転磁区形状を良好にできないた
めと思われる。
【００７９】図２は、本発明における光磁気記録媒体の
第２実施例を示す断面図である。
【００８０】この図２に示す光磁気記録媒体は、図１に
示す実施例と次の点で異なっている。第１の光磁気層２
３の膜材料はＧd Ｆe Ｃo であるが、第２の光磁気層２
４の膜材料はＴb Ｆe Ｃr であり、第３の光磁気層２５
の膜材料はＴb Ｆe Ｃo Ｃrである。
【００８１】第１の光磁気層２３は、２５０℃のキュリ
ー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で０．５キロ
エルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナント
のフェリ磁性を示し、かつ膜厚は１００〜４００オング
ストロームの非晶質合金で形成されている。第２の光磁
気層２４は、１１０℃以上１６０℃以下のキュリー温度
を有し、１０℃以上９０℃以下で鉄族遷移金属ドミナン
トのフェリ磁性を示し、且つ膜厚は５０オングストロー
ム以上の垂直磁化可能な非晶質合金で形成されている。
第３の光磁気層２５は、１９０℃以上のキュリー温度を
有し、かつ１１０℃以上１６０℃以下で１．０キロエル
ステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフ
ェリ磁性を示し、かつ膜厚は２５０オングストローム以
上の垂直磁化可能な非晶質合金で形成されている。
【００８２】第１の光磁気層２３と第２の光磁気層２４
と第３の光磁気層２５とは、１０℃以上９０℃以下で交
換結合するようになって形成されており、また、第２の
光磁気層２４の磁化がほとんど失われている温度では、
第１の光磁気層２３と第３の光磁気層２５とは読出時外
部磁界で静磁結合しないように形成されている。その他
の構成は前述した図１の実施例と同一となっている。
【００８３】図３は、本発明における光磁気記録媒体の
第３実施例を示す断面図である。
【００８４】この図３に示す第３実施例では、図１に示
す実施例と次の点で異なっている。第１の光磁気層３３
の膜材料はＧｄＦｅＣｏであるが、第２の光磁気層３４
の膜材料はＴb Ｆe Ｎi Ｃr であり、第３の光磁気層３
５の膜材料はＴb Ｆe Ｃo Ｎi Ｃr である。
【００８５】第１の光磁気層３３と第２の光磁気層３４
と第３の光磁気層３５との関係は、第１の光磁気層３３
は、２５０℃以上のキュリー温度を有し、かつ１０℃以
上９０℃以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁力
で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜
厚は１００〜４００オングストロームの非晶質合金で形
成されている。
【００８６】第２の光磁気層３４は、１１０℃以上１６
０℃以下のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃
以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、か
つ膜厚は５０オングストローム以上の垂直磁化可能な非
晶質合金で形成されている。
【００８７】第３の光磁気層３５は、１９０℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１１０℃以上１６０℃以下で
１．０キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜厚は２５０オン
グストローム以上の垂直磁化可能な非晶質合金で形成さ
れている。
【００８８】第１の光磁気層３３と第２の光磁気層３４
と第３の光磁気層３５とは、１０℃以上９０℃以下で交
換結合し、第２の光磁気層３４の磁化がほとんど失われ
ている温度では、第１の光磁気層３３と第３の光磁気層
３５とは読出時外部磁界で静磁結合しないように形成さ
れている。その他の構成は前述した図１の実施例と同一
となっている。
【００８９】図４は、本発明における光磁気記録媒体の
第４実施例を示す断面図である。
【００９０】この図４に示す第４実施例は、図１に示す
実施例と次の点で異なっている。第１の光磁気層４３の
膜材料はＧd Ｆe Ｃo であるが、第２の光磁気層４４の
膜材料はＴb Ｆe Ｔa であり、第３の光磁気層４５の膜
材料はＴb Ｆe Ｃo Ｔa である。
【００９１】第１の光磁気層４３と第２の光磁気層４４
と第３の光磁気層４５との関係は、第１の光磁気層４３
は、２５０℃以上のキュリー温度を有し、かつ１０℃以
上９０℃以下で０．５キロエルステッド未満の低保磁力
で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜
厚は１００〜４００オングストロームの非晶質合金で形
成されている。
【００９２】第２の光磁気層４４は、１１０℃以上１６
０℃以下のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃
以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示しかつ
膜厚は５０オングストローム以上の垂直磁化可能な非晶
質合金で形成されている。
【００９３】第３の光磁気層４５は、１９０℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１１０℃以上１６０℃以下で
１．０キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜厚は２５０オン
グストローム以上の垂直磁化可能な非晶質合金で形成さ
れている。
【００９４】第１の光磁気層４３と第２の光磁気層４４
と第３の光磁気層４５とは、１０℃以上９０℃以下で交
換結合し、第２の光磁気層４４の磁化がほとんど失われ
ている温度では、第１の光磁気層４３と第３の光磁気層
４５とは読出時外部磁界で静磁結合しないように形成さ
れている。その他の構成は前述した図１の実施例と同一
となっている。
【００９５】図５は、本発明における光磁気記録媒体の
第５実施例を示す断面図である。
【００９６】この図５に示す実施例は、図１に示す実施
例とは次の点で異なっている。光磁気層は第１の光磁気
層５３と第２の光磁気層５４と第３の光磁気層５５と第
４の光磁気層５７の４層である。第１の光磁気層５３と
第２の光磁気層５４と第３の光磁気層５５と第４の光磁
気層５７との関係は、第１の光磁気層５３は、２５０℃
以上のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下
で０．５キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金
属ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜厚は１００〜
４００オングストロームの鉄族遷移金属と希土類遷移金
属との非晶質合金で形成されている。
【００９７】第２の光磁気層５４は、１１０℃以上１６
０℃以下のキュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃
以下で鉄族遷移金属ドミナントのフェリ磁性を示し、か
つ膜厚は５０オングストローム以上の垂直磁化可能な鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金で形成され
ている。
【００９８】第３の光磁気層５５は、１９０℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１１０℃以上１６０℃以下で
１．０キロエルステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属
ドミナントのフェリ磁性を示し、かつ膜厚は２５０オン
グストローム以上の垂直磁化可能な鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金で形成されている。
【００９９】第４の光磁気層５７は、２５０℃以上のキ
ュリー温度を有し、かつ１０℃以上９０℃以下で０．５
キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミナ
ントのフェリ磁性を示し、かつＧd Ｆe Ｃo を主成分と
するほとんど面内磁化膜の非晶質合金で形成されてい
る。
【０１００】第１の光磁気層５３と第２の光磁気層５４
と第３の光磁気層５５とは、１０℃以上９０℃以下で交
換結合し、第２の光磁気層５４の磁化がほとんど失われ
ている温度では、第１の光磁気層５３と第３の光磁気層
５５とは読出時外部磁界で静磁結合しないように形成さ
れている。
【０１０１】この光磁気記録媒体への信号記録方法は、
図１の実施例のところで述べた光変調方式でもよいが、
磁界変調方式のほうが高密度記録の観点で望ましい。磁
界変調記録方式とは、集束した書込用レーザー光を透明
基板１を通して第１の光磁気層５３に照射することによ
り、第３の光磁気層５５をキュリー温度近傍に昇温さ
せ、この状態のときにこの部分を含む領域に情報に対応
させた極性の磁界を印加することにより情報に対応した
反転磁区パターンを形成するものである（特公昭６０−
４８８０６号公報）。
【０１０２】図５の光磁気記録媒体では、この磁界変調
記録と、第３の光磁気層５５に書込済の反転磁区パター
ンを第１の光磁気層５３で変形させることによる高密度
再生とを両立させることを可能にしている。この理由は
明確ではないが、第４の光磁気層５７として飽和磁化の
小さい面内磁化膜のＧd Ｆe Ｃo にしたためと思われ
る。
【０１０３】次に、本発明における光磁気記録媒体の記
録再生方法の他の実施例を図６に基づいて説明する。
【０１０４】この図６は、本発明の光磁気記録媒体の記
録再生方法の他の実施例を示す透明基板側から見た光磁
気記録媒体の拡大部分平面図である。光磁気記録媒体の
膜構成としては図１〜図５のいずれを用いてもよい。
【０１０５】図６において、情報トラックは便宜上３ト
ラックのみを示している。中央のトラックが情報を読出
そうとしているトラックであり、その上を主レーザー光
のビームＬＢ１を相対的に移動させ、隣のトラックには
副レーザー光のビームＬＢ２、ＬＢ３を配置して相対的
に移動させる。その際、主レーザー光のビームＬＢ１と
副レーザー光のビームＬＢ２，ＬＢ３との位置関係を読
出そうとする反転磁区ＭＫ１に移動方向に垂直な方向に
隣接する反転磁区ＭＫ２，ＭＫ３をマスクするように配
置する。これにより、移動方向（情報トラック方向）に
垂直な方向にも高密度化することが可能となる。
【０１０６】図７は本発明の光磁気記録媒体の記録再生
方法のその他の実施例を示す図である。
【０１０７】図６と異なるところは、副レーザー光のビ
ームＬＢ４，ＬＢ５の集束形状は相対的移動方向に垂直
な方向に短軸をもつ楕円状であることである。これによ
り、図６よりもさらに移動方向（情報トラック）に垂直
な方向に高密度化することが可能となる。
【０１０８】図８は本発明の光磁気記録媒体の記録再生
方法の更に他の実施例を示す図である。
【０１０９】図６と異なるところは、主レーザー光のビ
ームＬＢ６の集束形状は相対的移動方向に短軸をもつ楕
円状であることである。これにより、図６よりもさらに
移動方向（情報トラック方向）に高密度化することが可
能となる。
【０１１０】次に、本発明の光磁気記録再生装置の実施
例について説明する。
【０１１１】光磁気記録媒体としては、図１〜図５で説
明したようなものを用いる。情報の書込は、前述したよ
うに、光変調方式でも磁界変調方式でもよい。情報の読
出は、前述したように、集束した読出用レーザー光を透
明基板を通して第１の光磁気層に相対的に移動させなが
ら照射するときに部分領域的に第２の光磁気層の磁化が
ほとんど失われるようにし、その際に、外部磁界を印加
しておくことにより磁化がほとんど失われている第２の
光磁気層に隣接する第１の光磁気層の磁化を外部磁界の
向きに変化させることにより第１の光磁気層の反転磁区
パターンを第３の光磁気層の反転磁区パターンとは異な
るように変形させながら信号再生することによる。
【０１１２】この信号再生を良好なビットエラーレイト
で行うためには、透明基板への読出用レーザー光照射位
置に応じて読出用レーザー光のパワーを適切に変化させ
ることにより、前述した第１の光磁気層の反転磁区パタ
ーンを第３の光磁気層の反転磁区パターンとは異なるよ
うな変形を確実なものにするからである。
【０１１３】透明基板の読出位置に応じて読出用レーザ
ー光のパワーを適切に変化させる具体的な手法として
は、種々の場合がある。光磁気記録媒体がディスク状で
あり、それを等角速度（ＣＡＶ）で回転させて情報の記
録再生を行う場合には、読出半径位置が外側になるほど
光磁気層と読出用レーザー光との相対的移動速度は大き
くなる。
【０１１４】光磁気記録媒体の各層が半径方向にほぼ均
一にできており、かつ読出用レーザー光のパワーが一定
の場合には、外側の半径位置のときのほうが第２の光磁
気層のレーザー光照射時温度は内側のときに比べて低く
なり、第２の光磁気層の磁化は失われにくくなり、第１
の光磁気層の反転磁区パターンを第３の光磁気層の反転
磁区パターンとは独立に読出時外部磁界で変形させにく
くなる。従って、この場合には外側の半径位置になるほ
ど読出用レーザー光のパワーを大きくする必要がある。
【０１１５】次に、本発明の光磁気記録再生装置の他の
実施例について説明する。
【０１１６】第１の光磁気層の反転磁区パターンを第３
の光磁気層の反転磁区パターンとは独立に読出時外部磁
界で変形させて高密度再生を可能にする本発明の光磁気
記録再生方式で良好なビットエラーレイトを安定に得る
ためには、以下に述べることが必要である。すなわち、
透明基板上に複数のテスト領域を設け、読出用レーザー
光パワーをパラメーターとしてテスト信号を再生した時
のエラーの個数を検出する。
【０１１７】同一領域に対して上記読出用レーザー光パ
ワーを変化させて同様のテストを繰り返して行い、エラ
ーの一番少ないパワー設定を以後の再生に使用すること
によって、装置立ち上げ時、および、基板交換時、およ
び、経時変化に対して常に最適な読出用レーザー光パワ
ーで情報の読出を行うことができる。また、基板上位置
の異ところで上記テストを行い、それぞれの位置での最
適な読出用レーザー光パワーを求めておき、以後の再生
のときには任意の位置に応じて最適な読出用レーザー光
パワーを推定しながらそのパワーで情報の読出を行うよ
うにすることにより、基板全域で良好なビットエラーレ
イトの情報の読出を行うことができる。
【０１１８】次に、本発明の光磁気記録再生装置のその
他の実施例について説明する。
【０１１９】図９に、本発明の光磁気記録再生装置のそ
の他の実施例を示す。
【０１２０】この図９において、符号９１は円板上の光
磁気記録媒体（光磁気ディスク）を示す。この光磁気記
録媒体９１は、モータ９２により回転駆動されるように
なっている。この光磁気記録媒体９１には、情報の書込
用レーザー光照射手段と読出用レーザー光照射手段とが
別々に装備されている。書込用レーザー光照射手段は、
記録用光ヘッド９３と記録用電磁石９４とにより構成さ
れている。
【０１２１】また、本実施例では読出用レーザー光照射
手段は、再生用光ヘッド９５と再生用永久磁石９６とに
より構成されている。一方、前述した書込用レーザー光
照射手段の記録用電磁石９４は磁区の向きを反転させる
ために使用するので、極性が反転する磁界を発生できる
必要があり、このため、電磁石が用いられている。符号
９７はレーザ光用のパワー決定手段を示す。
【０１２２】また、第１の光磁気層の反転磁区パターン
と第３の光磁気層の反転磁区パターンとは、独立に読出
時外部磁界で変形させて高密度再生を可能となってい
る。本実施例の光磁気記録再生方式によると、記録用光
ヘッド９３と記録用電磁石９４とを用いて情報を高密度
に読出すことは可能となっている。
【０１２３】しかしながら従来例に合っては、長時間信
号を再生しているとビットエラーレイトが悪くなるとい
う現象が生じていた。かかる現象は、種々繰り返し試験
の結果、長時間の信号再生に際しては、光磁気記録媒体
近傍の温度が上昇するため設定していた読出用レーザー
パワーでは第３の光磁気層の反転磁区パターンを第１の
光磁気層に良好に変形させることが出来なくなることを
見いだした。この光磁気記録媒体近傍の温度が上昇は電
磁石９４の発熱であることがわかり、この結果、本実施
例では読出用として再生用光ヘッド９５と再生用永久磁
石９６とを専用に設け、再生用の磁界を永久磁石で形成
することにより上記問題を解決した。
【０１２４】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、第１の光磁気層をＧd Ｆe Ｃo を
主成分とする非晶質合金で形成すると共に、第２の光磁
気層をＴb Ｆe Ｔi を主成分とする非晶質合金で、第３
の光磁気層をＴb Ｆe Ｃo Ｔi を主成分とする非晶質合
金で形成し、第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の
光磁気層とは、１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
質を有し、第２の光磁気層の磁化がほとんど失われてい
る温度では、第１の光磁気層と第３の光磁気層とは読出
時の外部磁界で静磁結合しない性質を備えているとした
ので、記録密度をより高密度に設定することが可能とな
り、かつビットエラーレイトを大きくすることが可能と
なり、同時に本発明における再生装置にあっては情報読
み出し側の磁界を永久磁界で形成するようにしたので、
耐久性及び耐候性の増大を図ることが出来るという従来
にない優れた光磁気記録媒体とその記録再生方法及び記
録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す拡大部分断面図であ
る。
【図２】本発明の第２実施例を示す拡大部分断面図であ
る。
【図３】本発明の第３実施例を示す拡大部分断面図であ
る。
【図４】本発明の第４実施例を示す拡大部分断面図であ
る。
【図５】本発明の第５実施例を示す拡大部分断面図であ
る。
【図６】本発明における光磁気記録媒体の記録再生方法
の一実施例を示す説明図である。
【図７】本発明における光磁気記録媒体の記録再生方法
の他の実施例のを示す説明図である。
【図８】本発明における光磁気記録媒体の記録再生方法
のその他の実施例を示す説明図である。
【図９】本発明における光磁気記録再生装置の一実施例
を示す説明図である。
【図１０】従来例を示す拡大部分断面図である。
【図１１】他の従来例を示す拡大部分断面図である。
【図１２】図１１における従来例の第１の光磁気層の反
転磁区パターンを第３の光磁気層の反転磁区パターンと
は独立に読出時外部磁界で変形させて高密度再生を可能
にする方法を示す説明図である。
【図１３】図１１における従来例の書込後の第１の光磁
気層の反転磁区パターンを示す説明図である。
【図１４】図１１における従来例の読出時のレーザー光
照射による温度分布を示す説明図である。
【図１５】図１４における磁化状態を模式的に示す説明
図である。
【図１６】従来例における読出時の光磁気層の反転磁区
パターンを示す説明図である。
【符号の説明】
１，１０１，１１１ 透明基板 ２，１０２，１１３ 透明干渉層 １３，２３，３３，４３，５３ 第１の光磁気層 １４，２４，３４，４４，５４ 第２の光磁気層 １５，２５，３５，４５，５５ 第３の光磁気層 ６ 誘電体保護層 ９１ 光磁気記録媒体 ９２ モーター ９３ 記録用光ヘッド ９４ 記録用電磁石 ９５ 再生用光ヘッド ９６ 再生用永久磁石

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
    リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
    光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
    の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
    質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
    順次積層されて成り、集束したレーザ光を前記透明基板
    を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら
    照射すると共に外部磁界を印加することにより情報の読
    み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体であ
    って、 前記第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo から成る非晶質合金
    で形成され、前記第２の光磁気層がＴb Ｆe Ｔi から成
    る非晶質合金で形成され、前記第３の光磁気層がＴb Ｆ
    e Ｃo Ｔi から成る非晶質合金で形成され、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
    光磁気層とは、１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
    質を有し、前記第２の光磁気層の厚さは５０オングスト
    ローム以上であることを特徴とした光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
    リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
    光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
    の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
    質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
    順次積層されて成り、集束したレーザ光を前記透明基板
    を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら
    照射すると共に外部磁界を印加することにより情報の読
    み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体であ
    って、 前記第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo から成る非晶質合金
    で形成され、前記第２の光磁気層がＴb Ｆe Ｃｒから成
    る非晶質合金で形成され、前記第３の光磁気層がＴb Ｆ
    e Ｃo Ｃｒから成る非晶質合金で形成され、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
    光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
    質を有し、前記第２の光磁気層の厚さは５０オングスト
    ローム以上であることを特徴とした光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
    リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
    光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
    の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
    質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
    順次積層されて成り、集束したレーザ光を前記透明基板
    を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら
    照射すると共に外部磁界を印加することにより情報の読
    み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体であ
    って、 前記第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo から成る非晶質合金
    で形成され、前記第２の光磁気層がＴb Ｆe Ｎi Ｃr か
    ら成る非晶質合金で形成され、前記第３の光磁気層がＴ
    b Ｆe Ｃo Ｎi Ｃｒから成る非晶質合金で形成されると
    共に、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
    光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
    質を有し、前記第２の光磁気層の厚さは５０オングスト
    ローム以上であることを特徴とした光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
    リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
    光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
    の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
    質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
    順次積層されて成り、集束したレーザ光を前記透明基板
    を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら
    照射すると共に外部磁界を印加することにより情報の読
    み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体であ
    って、 前記第１の光磁気層がＧd Ｆe Ｃo から成る非晶質合金
    で形成され、前記第２の光磁気層がＴb Ｆe Ｔａから成
    る非晶質合金で形成され、前記第３の光磁気層がＴb Ｆ
    e Ｃo Ｔａから成る非晶質合金で形成され、 更に、前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記
    第３の光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合
    する性質を有し、前記第２の光磁気層の厚さは５０オン
    グストローム以上であることを特徴とした光磁気記録媒
    体。
  5. 【請求項５】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の非晶質合金から成る第１の光磁気層と，低キュ
    リー温度で垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第２の
    光磁気層と，キュリー温度が前記第１の光磁気層と第２
    の光磁気層の中間の値に設定され垂直磁化が可能な非晶
    質合金から成る第３の光磁気層と，誘電体保護層とが、
    順次積層されて成り、集束したレーザ光を前記透明基板
    を介して前記第１の光磁気層に相対的に移動させながら
    照射すると共に外部磁界を印加することにより情報の読
    み出しが行われるように構成された光磁気記録媒体であ
    って、 前記第１乃至第３の各光磁気層の各々が、鉄族遷移金属
    と希土類遷移金属とから成る非晶質合金で形成され、 前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層と前記第３の
    光磁気層とは，１０℃以上９０℃以下で交換結合する性
    質を有し、前記第２の光磁気層の厚さは５０オングスト
    ローム以上であり、 前記第３の光磁気層と前記誘電体保護層との間に、前記
    第１の光磁気層と同一の成分で且つ面内磁化膜の非晶質
    合金から成る第４の光磁気層を積層したことを特徴とす
    る光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 前記第１の光磁気層は、２５０℃以上の
    キュリー温度を有し，且つ１０℃以上９０℃以下で０．
    ５キロエルステッド未満の低保磁力で鉄族遷移金属ドミ
    ナントのフェリ磁性を示し，更に膜厚が１００〜４００
    オングストロームに設定された非晶質合金から成り、 前記第２の光磁気層は、１１０℃以上１６０以下のキュ
    リー温度を有し，且つ１０℃以上９０℃以下で鉄族遷移
    金属ドミナントのフェリ磁性を示し，膜厚が５０オング
    ストローム以上に設定された非晶質合金から成り、 前記第３の光磁気層は、１９０℃以上のキュリー温度を
    有し，且つ１１０℃以上１６０℃以下で１．０キロエル
    ステッド以上の高保磁力で鉄族遷移金属ドミナントのフ
    ェリ磁性を示し，更に膜厚が２５０オングストローム以
    上に設定された非晶質合金から成ることを特徴とした請
    求項１，２，３，４又は５記載の光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化
    が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリ
    ー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の
    値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３
    の光磁気層と，誘電体保護層とが順次積層され、前記第
    １の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層とは１
    ０℃以上９０℃以下で交換結合する性質を有し、集束し
    たレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁気層
    に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界を印
    加することにより情報の読み出しが行われるように構成
    された光磁気記録媒体を使用し、 前記集束したレーザー光の照射に際し、前記レーザ光の
    パワーは部分領域的に前記第２の光磁気層の磁化がほと
    んど失われるようにし、その際に外部磁界を印加してお
    くことにより磁化がほとんど失われている前記第２の光
    磁気層に隣接する前記第１の光磁気層の磁化を，前記外
    部磁界の向きに変化させながら情報の読出を行うことを
    特徴とした光磁気記録媒体の記録再生方法。
  8. 【請求項８】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化
    が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリ
    ー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の
    値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３
    の光磁気層と，前記第１の光磁気層と同一の非晶質合金
    から成り且つ面内磁化膜を主とした第４の光磁気層と，
    誘電体保護層とが，順次積層され、前記第１の光磁気層
    と第２の光磁気層と第３の光磁気層とは１０℃以上９０
    ℃以下で交換結合する性質を有し、集束したレーザ光を
    前記透明基板を介して前記第１の光磁気層に相対的に移
    動させながら照射すると共に外部磁界を印加することに
    より情報の読み出しが行われるように構成された光磁気
    記録媒体を使用し、 情報の書き込みに際しては、外部磁界の極性を変調させ
    前記第３の光磁気層の垂直磁化の向きを変調させること
    により当該情報の書き込みを行い、 情報の読み出しに際しては、前記集束したレーザー光の
    照射に際し、前記レーザ光のパワーは部分領域的に前記
    第２の光磁気層の磁化がほとんど失われるようにし、そ
    の際に外部磁界を印加しておくことにより磁化がほとん
    ど失われている前記第２の光磁気層に隣接する前記第１
    の光磁気層の磁化を，前記外部磁界の向きに変化させな
    がら当該情報の読出を行うことを特徴とした光磁気記録
    媒体の記録再生方法。
  9. 【請求項９】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュリ
    ー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁化
    が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュリ
    ー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間の
    値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第３
    の光磁気層と，誘電体保護層とが，順次積層され、前記
    第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層とは
    １０℃以上９０℃以下で交換結合する性質を有し、集束
    したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁気
    層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界を
    印加することにより情報の読み出しが行われるように構
    成された光磁気記録媒体を使用し、 集束した主レーザー光を前記透明基板を通して前記第１
    の光磁気層に相対的に移動させながら照射するに際し、
    前記レーザー光のパワーは部分領域的に前記第２の光磁
    気層の磁化がほとんど失われるようにし、隣接して相対
    的に移動させながら照射する集束した副レーザー光のパ
    ワーでも隣接トラックの部分領域的に前記第２の光磁気
    層の磁化がほとんど失われるようにし、その際に外部磁
    界を印加しておくことにより磁化がほとんど失われてい
    る前記第２の光磁気層に隣接する前記第１の光磁気層の
    磁化を、前記外部磁界の向きに変化させながら情報の読
    出を行うことを特徴とする光磁気記録媒体の記録再生方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記副レーザー光は、その集束形状
    が、相対的移動方向に垂直な方向が短軸となる楕円状で
    あることを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録媒体
    の記録再生方法。
  11. 【請求項１１】 前記主レーザー光は、その集束形状
    が、相対的移動方向が短軸となる楕円状であることを特
    徴とする請求項９に記載の光磁気記録媒体の記録再生方
    法。
  12. 【請求項１２】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュ
    リー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁
    化が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュ
    リー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間
    の値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第
    ３の光磁気層と，誘電体保護層とが，順次積層され、前
    記第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層と
    は１０℃以上９０℃以下で交換結合する性質を有し、集
    束したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁
    気層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界
    を印加することにより情報の読み出しが行われるように
    構成された光磁気記録媒体を使用し、 集束した主レーザー光を前記透明基板を通して前記第１
    の光磁気層に相対的に移動させながら照射するに際し、
    前記レーザー光のパワーは部分領域的に前記第２の光磁
    気層の磁化がほとんど失われるようにし、隣接して相対
    的に移動させながら照射する集束した副レーザー光のパ
    ワーでも隣接トラックの部分領域的に前記第２の光磁気
    層の磁化がほとんど失われるようにし、 その際に外部磁界を印加しておくことにより磁化がほと
    んど失われている前記第２の光磁気層に隣接する前記第
    １の光磁気層の磁化を、前記外部磁界の向きに変化させ
    ながら情報の読出を行うと共に、 前記透明基板への読出用レーザー光照射位置に応じて前
    記読出用レーザー光のパワーを変化させることを特徴と
    した光磁気記録媒体の記録再生方法。
  13. 【請求項１３】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュ
    リー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁
    化が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュ
    リー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間
    の値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第
    ３の光磁気層と，誘電体保護層とが，順次積層され、前
    記第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層と
    は１０℃以上９０℃以下で交換結合する性質を有し、集
    束したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁
    気層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界
    を印加することにより情報の読み出しが行われるように
    構成された光磁気記録媒体を使用し、 集束した主レーザー光を前記透明基板を通して前記第１
    の光磁気層に相対的に移動させながら照射するに際し、
    前記レーザー光のパワーは部分領域的に前記第２の光磁
    気層の磁化がほとんど失われるようにし、更に、隣接し
    て相対的に移動させながら照射する集束した副レーザー
    光のパワーでも隣接トラックの部分領域的に前記第２の
    光磁気層の磁化がほとんど失われるようにし、同時に外
    部磁界を印加しておくことにより磁化が失われている前
    記第２の光磁気層に隣接する前記第１の光磁気層の磁化
    を、前記外部磁界の向きに変化させながら情報の読出を
    行う読出用レーザー光照射手段を有し、 前記透明基板上に読出レーザー光用の複数のテスト領域
    を設け、装置立ち上げ時等に、前記複数のテスト領域を
    利用して前記読出用レーザー光のパワーを決定するレー
    ザー光用パワー決定手段を具備したことを特徴とする光
    磁気記録媒体の記録再生装置。
  14. 【請求項１４】 透明基板上に、透明干渉層と，高キュ
    リー温度の第１の光磁気層と，低キュリー温度で垂直磁
    化が可能な非晶質合金から成る第２の光磁気層と，キュ
    リー温度が前記第１の光磁気層と第２の光磁気層の中間
    の値に設定され垂直磁化が可能な非晶質合金から成る第
    ３の光磁気層と，誘電体保護層とが，順次積層され、前
    記第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の光磁気層と
    は１０℃以上９０℃以下で交換結合する性質を有し、集
    束したレーザ光を前記透明基板を介して前記第１の光磁
    気層に相対的に移動させながら照射すると共に外部磁界
    を印加することにより情報の読み出しが行われるように
    構成された光磁気記録媒体を使用し、 前記集束したレーザー光の照射時に、当該レーザー光の
    パワーは部分領域的に前記第２の光磁気層の磁化がほと
    んど失われるようにし、その際に外部磁界を印加してお
    くことにより磁化がほとんど失われている該第２の光磁
    気層に隣接する該第１の光磁気層の磁化を，該外部磁界
    の向きに変化させながら情報の読出を行うようにした読
    出用レーザー光照射手段を備え、 前記光磁気記録媒体用の書込用レーザー光照射手段と読
    出用レーザー光照射手段とを別々に具備し、前記読出用
    レーザー光照射手段には永久磁石が対応して装備されて
    いることを特徴とする光磁気記録媒体の記録再生装置。
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