JPH06203417A - 光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法 - Google Patents

光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法

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JPH06203417A
JPH06203417A JP5001375A JP137593A JPH06203417A JP H06203417 A JPH06203417 A JP H06203417A JP 5001375 A JP5001375 A JP 5001375A JP 137593 A JP137593 A JP 137593A JP H06203417 A JPH06203417 A JP H06203417A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板１上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土
類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層３、記録層
４、記録補助層５が順次積層されており、記録層４は読
み出し層３および記録補助層５と比較して低いキュリー
温度ＴC2および高い室温保磁力ＨC2を有し、かつ、各層
に垂直な一定記録磁界ＨB を印加した状態で記録層４を
キュリー温度ＴC2近傍まで昇温させたとき、読み出し層
３と記録補助層５の希土類金属の副格子磁気モーメント
が反平行となるように、各層の合金組成が設定されてい
る光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法。 【効果】 光変調オーバーライトが可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体と、その記録方法、記録再生方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光ディスクメモリーとし
て、光磁気ディスクメモリーが実用化されている。
【０００３】ところが、この光磁気ディスクメモリー
は、すでに記録された部分に再記録しようとすると、前
に記録されていた情報を予め消去した後に記録する必要
があり、再記録の際、時間がかかるという欠点があっ
た。
【０００４】この欠点を解消するため、再記録前に消去
することなしで、オーバーライトを行う方法として、磁
界変調オーバーライトが行われている。
【０００５】しかし、この方法は、加える磁界の大きさ
を変調してオーバーライトを行うものであり、充分な大
きさの磁界を得るために、磁界発生機構を光磁気ディス
クに近づけなければならないという欠点と、高速で磁界
を変調することができないという欠点を有している。
【０００６】そこで、上記の欠点を解消すべく、特開昭
６２−１７５９４８号公報において、共に垂直磁化膜か
らなる記録層と記録補助層とで二層構造の光磁気記録媒
体を構成し、これを使用して、レーザーパワーのみを変
調してオーバーライトを行うことが可能な光変調オーバ
ーライト方式が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、オーバーライトを行う際、記録補助層の磁化
方向も変わってしまうため、オーバーライト前に、予め
記録補助層の磁化方向を揃えておく初期化が毎回必要と
なり、記録磁界発生機構の他に初期化磁界発生機構が必
要となる。そのため、光磁気記録装置の大型化を招くと
共に、コストアップを招くという問題点を有している。
【０００８】また、レーザー光を集光して得られた光ス
ポットの径に比べて、記録ビット径および記録ビット間
隔が小さくなってくると、光スポットの中に隣接する記
録ビットが入ってくるため、一つ一つの記録ビットを分
離して再生することができなくなるという問題点を有し
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、基体上
にそれぞれフェリ磁性を示し、希土類金属と遷移金属の
合金からなる読み出し層、記録層、記録補助層が順次積
層されており、記録層は読み出し層および記録補助層と
比較して低いキュリー温度および高い室温保磁力を有
し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で
記録層をキュリー温度近傍まで昇温させたとき、読み出
し層と記録補助層の希土類金属の副格子磁気モーメント
が反平行となるように、各層の合金組成が設定されてい
ることを特徴としている。
【００１０】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、基体上にそれぞれフェリ
磁性を示し、希土類金属と遷移金属の合金からなる読み
出し層、記録層、記録補助層が順次積層されており、記
録層は読み出し層および記録補助層と比較して低いキュ
リー温度および高い室温保磁力を有し、かつ、読み出し
層は室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化状態にあり
昇温すると垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行
し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で
記録層をキュリー温度近傍まで昇温させたとき、読み出
し層と記録補助層の希土類金属の副格子磁気モーメント
が反平行となるように、各層の合金組成が設定されてい
ることを特徴としている。
【００１１】請求項３の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項１または２の光磁
気記録媒体であって、読み出し層と記録層との間、また
は、記録層と記録補助層との間の少なくともいずれか一
方に面内磁化膜からなる中間層が形成されていることを
特徴としている。
【００１２】請求項４の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記の課題を解決するために、請求項１または２の光磁
気記録媒体であって、記録補助層の、記録層とは反対側
の面に放熱層が形成されていることを特徴としている。
【００１３】請求項５の発明に係る記録方法は、上記の
課題を解決するために、基体上にそれぞれフェリ磁性を
示し、希土類金属と遷移金属の合金からなる読み出し
層、記録層、記録補助層が順次積層されており、記録層
は読み出し層および記録補助層と比較して低いキュリー
温度および高い室温保磁力を有し、かつ、各層に垂直な
一定記録磁界を印加した状態で記録層をキュリー温度近
傍まで昇温させたとき、読み出し層と記録補助層の希土
類金属の副格子磁気モーメントが反平行となるように、
各層の合金組成が設定されている光磁気記録媒体に情報
の記録を行う記録方法であって、各層に垂直な一定記録
磁界を印加した状態で、情報に応じてレーザー光をハイ
パワーとローパワーとに変調して照射することにより、
記録層と読み出し層との間に働く交換結合力および記録
層と記録補助層との間に働く交換結合力を制御し、レー
ザー光のパワーに応じて記録層の磁化を上または下に向
けることを特徴としている。
【００１４】請求項６の発明に係る記録再生方法は、上
記の課題を解決するために、基体上にそれぞれフェリ磁
性を示し、希土類金属と遷移金属の合金からなる読み出
し層、記録層、記録補助層が順次積層されており、記録
層は読み出し層および記録補助層と比較して低いキュリ
ー温度および高い室温保磁力を有し、かつ、読み出し層
は室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化状態にあり昇
温すると垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行
し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で
記録層をキュリー温度近傍まで昇温させたとき、読み出
し層と記録補助層の希土類金属の副格子磁気モーメント
が反平行となるように、各層の合金組成が設定されてい
る光磁気記録媒体に情報の記録再生を行う記録再生方法
であって、記録時、各層に垂直な一定記録磁界を印加し
た状態で、情報に応じてレーザー光をハイパワーとロー
パワーとに変調して照射することにより、記録層と読み
出し層との間に働く交換結合力および記録層と記録補助
層との間に働く交換結合力を制御し、レーザー光のパワ
ーに応じて記録層の磁化を上または下に向け、再生時、
上記ローパワーより低く、かつ、レーザー光に照射され
た読み出し層の部分の中央部のみ垂直磁化状態に移行さ
せることができるパワーのレーザー光を基板側から照射
することにより、中央部の希土類金属の副格子磁気モー
メントを記録層の希土類金属の副格子磁気モーメントに
対して安定な方向に揃え、中央部の磁化の方向を、極カ
ー効果を利用して読み出すことにより、間接的に記録層
の情報を再生することを特徴としている。
【００１５】
【作用】請求項１の構成によれば、記録層のキュリー温
度近傍に温度が上昇したとき、記録層の磁化方向は、記
録磁界の方向に記録層の磁化方向を揃えようとする静磁
結合力と、読み出し層と記録層の副格子磁気モーメント
の方向を揃えようとする交換結合力と、記録補助層と記
録層の副格子磁気モーメントの方向を揃えようとする交
換結合力との釣り合いにより決定される。一定記録磁界
を印加した状態で記録層をキュリー温度近傍まで昇温さ
せたとき、読み出し層と記録補助層の希土類金属の副格
子磁気モーメントが反平行となるように、各層の合金組
成が設定されているので、レーザー光のパワーを変調す
ると、温度上昇および温度下降時に、各層に垂直な方向
の温度分布に差が生じる。これにより、前記釣り合い状
態における磁化方向が反対になる。すなわち、光変調オ
ーバーライトを行うことが可能となる。
【００１６】請求項２の構成によれば、請求項１の作用
とほぼ同様の作用があり、しかも、読み出し層は室温で
面内磁気異方性が優位な面内磁化状態にあり昇温すると
垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行するように
合金組成が設定されているので、レーザー光に照射され
た部分の内、中央部のみ垂直磁化状態に移行するように
レーザー光の強度を調整すれば、レーザースポット径よ
り小さい記録ビットの再生が可能になる。その結果、記
録密度をさらに大きくできる。
【００１７】請求項３の構成によれば、中間層を設けた
ので、請求項１または２の作用に加え、読み出し層と記
録層との間に働く交換結合力、あるいは、記録層と記録
補助層との間に働く交換結合力を制御できる。これによ
り、光変調オーバーライトを容易に実行できる。
【００１８】請求項４の構成によれば、放熱層を設けた
ので、請求項１または２の作用に加え、記録時、レーザ
ー光の照射により記録層が昇温した際、不要な熱が放熱
層に伝導する。つまり、層内方向への熱の伝導が抑制さ
れる。これにより、記録ビット形状がシャープになり、
高密度記録が可能になる。
【００１９】請求項５の構成によれば、請求項１の光磁
気記録媒体に対して、光変調オーバーライトを行うこと
ができる。
【００２０】請求項６の構成によれば、請求項２の光磁
気記録媒体に対して、光変調オーバーライトおよびレー
ザースポット径より小さい記録ビットの再生を行うこと
ができる。
【００２１】
【実施例】本発明の第１実施例について図１ないし図１
０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２２】本実施例の光磁気記録媒体は、図１に示す
ように、基板１上に、透明誘電体層２、読み出し層３、
記録層４、記録補助層５、保護層６、オーバーコート層
７を順次積層した構成になっている。記録再生は、レー
ザー光８を集光レンズ９で読み出し層３上に集光するこ
とにより行われる。
【００２３】透明誘電体層２は、光干渉作用により、読
み出し特性を改善するために設けられている。
【００２４】読み出し層３、記録層４および記録補助層
５は、それぞれ希土類金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）
との合金からなる非晶質膜であり、希土類金属と遷移金
属の副格子磁気モーメントが反平行となるフェリ磁性体
である。図では、希土類金属の副格子磁気モーメントの
方向が矢印で示されている。
【００２５】読み出し層３、記録層４および記録補助層
５の保磁力の温度依存性を図２に示す。また、これらを
基板１上に積層した状態での、保磁力の温度依存性を図
４に示す。
【００２６】保護層６（図１）は、読み出し層３、記録
層４および記録補助層５を酸化、腐食、破損等から保護
するために設けられている。
【００２７】以下、希土類金属と遷移金属の副格子磁気
モーメントの大きさが互いに等しくなる補償組成に対し
て、希土類金属をより多く含む組成をＲＥ−ｒｉｃｈと
呼びことにし、遷移金属をより多く含む組成をＴＭ−ｒ
ｉｃｈと呼ぶことにする。
【００２８】ＲＥ−ｒｉｃｈの場合、磁化は希土類金属
の副格子磁気モーメントの方向に向く。すなわち、磁化
と希土類金属の副格子磁気モーメントは平行になる。Ｔ
Ｍ−ｒｉｃｈの場合、磁化は遷移金属の副格子磁気モー
メントの方向に向く。すなわち、磁化と希土類金属の副
格子磁気モーメントとは反平行になる。
【００２９】読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４
がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録補助層５がＴＭ−ｒｉｃｈの場
合、図３に示したプロセスにより情報の再生および光変
調オーバーライトが行われる。図では、希土類金属の副
格子磁気モーメントの方向が矢印で示されており、磁化
の方向が白抜きの矢印で示されている。
【００３０】室温では、読み出し層３、記録層４および
記録補助層５の希土類金属の副格子磁気モーメントが、
すべて上向きである状態（ａ）と、すべて下向きである
状態（ｂ）とが存在する。読み出し層３の磁化と、記録
層４および記録補助層５の磁化とは反平行になる。
【００３１】なお、状態（ａ）では、遷移金属の副格子
磁気モーメントは、すべて下向きであり、状態（ｂ）で
は、すべて上向きである。以下、遷移金属の副格子磁気
モーメントは希土類金属の副格子磁気モーメントとは反
対向きであるので、遷移金属の副格子磁気モーメントの
方向についての説明は省略する。
【００３２】再生時、所定パワーのレーザー光８が光磁
気記録媒体に照射される。読み出し層３、記録層４およ
び記録補助層５の温度は図２のＴREADまで上昇し、状態
（ａ）、（ｂ）から状態（ａ１）、（ｂ１）に遷移す
る。ＴREADでは、記録層４の保磁力は低下するが、まだ
充分大きいため、状態（ａ１）、（ｂ１）の磁化および
副格子磁気モーメントの方向は状態（ａ）、（ｂ）のと
きと同一である。このため、読み出し層３の磁化方向を
極カー効果を利用して読み出すことにより、記録層４の
情報を再生できる。
【００３３】光変調オーバーライト時、再生時のパワー
よりも大きい第１のパワーのレーザー光８が光磁気記録
媒体に照射される。読み出し層３、記録層４および記録
補助層５の温度は図２のＴL まで上昇し、状態（ａ）、
（ｂ）から状態（ａ１）、（ｂ１）を経て状態（ａ
２）、（ｂ２）に遷移する。ここで、ＴL は記録層４の
キュリー温度ＴC2近傍の温度である。読み出し層３およ
び記録補助層５の磁化は外部からの記録磁界ＨB の方向
（本実施例では下向き）に向くので、読み出し層３の副
格子磁気モーメントと記録補助層５の副格子磁気モーメ
ントとは反平行になる。
【００３４】読み出し層３からの交換結合力は記録層４
の副格子磁気モーメントを下に向けるように働き、記録
補助層５からの交換結合力は記録層４の副格子磁気モー
メントを上に向けるように働き、記録磁界ＨB による静
磁結合力は記録層４の磁化を下に向けるように働く。レ
ーザー光８は読み出し層３側から照射されているため、
（読み出し層３の平均温度Ｔ１）＞（記録補助層５の平
均温度Ｔ２）になる。このため、記録層４の磁化を下に
向けようとする力が上に向けようとする力よりも強くな
る。その結果、状態（ａ２）、（ｂ２）では、記録層４
の磁化は下を向く。
【００３５】レーザー光８の照射を止めると、温度が下
がり、記録層４の保磁力は急激に増大する。このため、
記録層４の磁化は下向きのまま、状態（ａ２）、（ｂ
２）は共に、状態（ａ１）を経て状態（ａ）に遷移す
る。
【００３６】次に、第１のパワーのレーザー光８よりも
大きい第２のパワーのレーザー光８が光磁気記録媒体に
照射される。読み出し層３、記録層４および記録補助層
５の温度は図２のＴH まで上昇し、状態（ａ）、（ｂ）
から状態（ａ１）、（ｂ１）、それから状態（ａ２）、
（ｂ２）を経て共に状態（ｃ）に遷移する。ここで、Ｔ
H は読み出し層３のキュリー温度ＴC1近傍の温度であ
る。読み出し層３のキュリー温度ＴC1は記録補助層５の
キュリー温度ＴC3とほぼ同じである。
【００３７】状態（ｃ）では、ＴH ＞ＴC2であるので、
記録層４の磁化はゼロになる。読み出し層３と記録補助
層５の磁化は外部からの記録磁界ＨB の方向に向くの
で、読み出し層３の副格子磁気モーメントと、記録補助
層５の副格子磁気モーメントとは反平行になる。
【００３８】レーザー光８の照射を止めると、温度が下
がり、ＴL で状態（ｃ２）になる。このとき、読み出し
層３および記録補助層５の磁化は記録磁界ＨB の方向に
向いたままであるので、読み出し層３の副格子磁気モー
メントと、記録補助層５の副格子磁気モーメントとは反
平行になる。
【００３９】読み出し層３からの交換結合力は記録層４
の副格子磁気モーメントを下に向けるように働き、記録
補助層５からの交換結合力は記録層４の副格子磁気モー
メントを上に向けるように働き、記録磁界ＨB による静
磁結合力は記録層４の磁化を下に向けるように働く。状
態（ｃ）では、（読み出し層３の平均温度Ｔ１’）＞
（記録補助層５の平均温度Ｔ２’）であるが、温度下降
過程において膜厚方向への熱拡散が進行し、膜厚方向の
温度差が解消されるので、状態（ｃ２）では、Ｔ１’＝
Ｔ２’になる。このため、記録層４の磁化を上に向けよ
うとする力が下に向けようとする力よりも強くなる。そ
の結果、状態（ｃ２）では、記録層４の磁化は上を向
く。
【００４０】さらに温度が下がると、記録層４の保磁力
は急激に増大する。このため、記録層４の磁化は上向き
のまま、ＴREADでの状態（ｃ１）を経て、室温での状態
（ｂ）に遷移する。
【００４１】以上のように、第１のパワーのレーザー光
８を照射した後、室温に戻すと、状態（ａ）、（ｂ）を
状態（ａ）に遷移させることができ、第２のパワーのレ
ーザー光８を照射した後、室温に戻すと、状態（ａ）、
（ｂ）を状態（ｂ）に遷移させることができる。すなわ
ち、光変調オーバーライトを行うことができる。
【００４２】読み出し層３、記録層４および記録補助層
５を基板１上に積層した場合（図４）、各層３〜５の間
に交換結合力が働くので、記録層４の磁化が有限である
限り、換言すれば、ＴC2より低い温度である限り、読み
出し層３の保磁力は読み出し層３が単独にある場合（図
２）よりも大きくなる。同様に、記録層４と記録補助層
５の保磁力はほぼ等しくなるか、記録補助層５の保磁力
がわずかに小さくなる。
【００４３】さらに、読み出し層３、記録層４および記
録補助層５を基板１上に積層した場合、読み出し層３
は、図５に示すように、記録層４の保磁力が大きい室温
およびＴREAD（読み出し温度）で、異常ヒステリシス特
性を示す。一方、記録層４および記録補助層５は通常の
ＴＭ−ｒｉｃｈの磁性体のヒステリシス特性を示してい
る。
【００４４】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第１の
サンプル（＃１−１）として、図２の磁気特性を示す読
み出し層３、記録層４および記録補助層５を備えた光磁
気ディスクを以下に示す。
【００４５】基板１は、直径８６mm、内径１５mm、厚さ
１．２mmの円盤状のガラスからなっている。基板１の片
側の表面には、図示していないが、光ビーム案内用の凹
凸状のガイドトラックが、ピッチが１．６μｍ、グルー
ブ（凹部）の幅が０．８μｍ、ランド（凸部）の幅が
０．８μｍで形成されている。
【００４６】基板１のガイドトラックが形成されている
側の面に、透明誘電体層２として、Ａ１Ｎが厚さ８０ｎ
ｍで形成されている。
【００４７】透明誘電体層２上に、図２の磁気特性を示
す読み出し層３、記録層４および記録補助層５が形成さ
れている。
【００４８】読み出し層３として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.26（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.74であり、そのキュリー温
度は約３００℃である。
【００４９】読み出し層３上に、記録層４として、希土
類遷移金属合金薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＤｙＦｅＣ
ｏが、厚さ５０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの
組成は、Ｄｙ0.23（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.77であり、そ
のキュリー温度は約２００℃である。
【００５０】記録層４上に、記録補助層５として、希土
類遷移金属合金薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣ
ｏが、厚さ５０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの
組成は、Ｇｄ0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そ
のキュリー温度は約３２０℃である。
【００５１】記録補助層５上には、保護層６として、Ａ
１Ｎが厚さ２０ｎｍで形成されている。
【００５２】保護層６上には、オーバーコート層７とし
て、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂
が、厚さ５μｍで形成されている。
【００５３】上記の光磁気ディスクは、以下の手順で製
造された。
【００５４】ガラスの基板１の表面のガイドトラック
は、反応性イオンエッチング法により形成された。
【００５５】透明誘電体層２、読み出し層３、記録層
４、記録補助層５及び保護層６は、いずれもスパッター
法により、同一スパッター装置内で、真空を破らずに形
成された。透明誘電体層２及び保護層６のＡ１Ｎは、Ａ
１ターゲットをＮ2 ガス雰囲気中でスパッターする反応
性スパッター法により形成された。読み出し層３、記録
層４及び記録補助層５は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上に
ＧｄあるいはＤｙのチップを並べた、いわゆる複合ター
ゲット、若しくはＧｄＦｅＣｏ及びＤｙＦｅＣｏの３元
合金ターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッターするこ
とにより形成された。
【００５６】オーバーコート層７は、スピンコーターに
よりポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を
塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当て、硬化させ
ることにより形成された。
【００５７】上記の光磁気ディスクを線速度が１０ｍ／
ｓとなるように回転させ、２５ｋＡ／ｍの記録磁界ＨB
を印加した状態で、レーザー光８の第１のパワーを６ｍ
Ｗとし、第２のパワーを１０ｍＷとして、２.5ＭＨｚの
周波数でレーザーパワーを変調して記録を行ったとこ
ろ、２μｍ毎に磁化が反転する磁区を記録層４に形成す
ることができた。
【００５８】次に、レーザー光８のパワーを２ｍＷとし
て、情報の再生を行ったところ、上記の反転磁区に対応
した２.5ＭＨｚの光磁気信号を読み出し層３から得るこ
とができた。
【００５９】それから、上記の反転磁区上に、５ＭＨｚ
の周波数でレーザーパワーを変調して光変調オーバーラ
イトを行ったところ、この反転磁区がなくなり、新たに
１μｍ毎に磁化が反転する磁区を記録層４に形成するこ
とができた。
【００６０】次に、レーザー光８のパワーを２ｍＷとし
て、情報の再生を行ったところ、上記の反転磁区に対応
した５ＭＨｚの光磁気信号を読み出し層３から得ること
ができた。
【００６１】以上の実験結果より、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。
【００６２】上記の光変調オーバーライトに関する説明
では、読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４がＴＭ
−ｒｉｃｈ、記録補助層５がＴＭ−ｒｉｃｈである光磁
気記録媒体を用いたが、読み出し層３の材料と記録補助
層５の材料を交換した光磁気記録媒体、すなわち、読み
出し層３がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録層４がＴＭ−ｒｉｃ
ｈ、記録補助層５がＲＥ−ｒｉｃｈである光磁気記録媒
体を用いても、図６に示したプロセスにより情報の再生
および光変調オーバーライトを行うことができる。
【００６３】さらに、読み出し層３、記録層４および記
録補助層５の保磁力が、それぞれ単独で図７の温度依存
性を示し、読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４が
ＲＥ−ｒｉｃｈ、記録補助層５がＴＭ−ｒｉｃｈの光磁
気記録媒体の場合においても、図８に示したプロセスに
より情報の再生および光変調オーバーライトを行うこと
ができる。
【００６４】この光磁気記録媒体の場合、記録層４がＲ
Ｅ−ｒｉｃｈになっているため、記録層４の希土類金属
の副格子磁気モーメントと磁化とは平行になる。したが
って、記録磁界ＨB が記録層４に及ぼす静磁結合力の方
向が変わるが、ＴL で膜厚方向の温度分布が生ずるよう
にすることにより、上記の光磁気記録媒体と同様にし
て、光変調オーバーライトを行うことができる。
【００６５】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第２の
サンプル（＃１−２）として、図７の磁気特性を示す読
み出し層３、記録層４および記録補助層５を備えた光磁
気ディスクを以下に示す。
【００６６】読み出し層３として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.26（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.74であり、そのキュリー温
度は約３００℃である。
【００６７】記録層４として、希土類遷移金属合金薄膜
であるＲＥ−ｒｉｃｈのＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍ
で形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.35（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.65であり、そのキュリー温
度は約１７０℃である。
【００６８】記録補助層５として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温
度は約３２０℃である。
【００６９】その他の構成は前記のサンプル（＃１−
１）と同一である。
【００７０】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。
【００７１】上記の光変調オーバーライトに関する説明
では、読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４がＲＥ
−ｒｉｃｈ、記録補助層５がＴＭ−ｒｉｃｈである光磁
気記録媒体を用いたが、読み出し層３の材料と記録補助
層５の材料を交換した光磁気記録媒体、すなわち、読み
出し層３がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録層４がＲＥ−ｒｉｃ
ｈ、記録補助層５がＲＥ−ｒｉｃｈである光磁気記録媒
体を用いても、情報の再生および光変調オーバーライト
を行うことができる。
【００７２】また、読み出し層３、記録層４および記録
補助層５の保磁力が、それぞれ単独で図９の温度依存性
を示し、読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４が補
償温度ＴCOMPを有する組成、記録補助層５がＴＭ−ｒｉ
ｃｈの光磁気記録媒体の場合においても、図１０に示し
たプロセスにより情報の再生および光変調オーバーライ
トを行うことができる。
【００７３】この光磁気記録媒体の場合、記録層４がＴ
READとＴL の間に補償温度ＴCOMPを有するため、記録層
４の磁化は補償温度ＴCOMPの前後で反転している。しか
し、ＴL での状態（ａ２）、（ｂ２）およびｃ（２）は
上記の光磁気記録媒体と同様である。したがって、上記
の光磁気記録媒体と同様にして、光変調オーバーライト
を行うことができる。
【００７４】しかも、記録層４の温度がＴC2から下降す
るとき、補償温度ＴCOMPに近づくにしたがって保磁力が
急激に大きくなるので、前記光磁気記録媒体よりも安定
した光変調オーバーライトが可能になる。
【００７５】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第３の
サンプル（＃１−３）として、図９の磁気特性を示す読
み出し層３、記録層４および記録補助層５を備えた光磁
気ディスクを以下に示す。
【００７６】読み出し層３として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.26（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.74であり、そのキュリー温
度は約３００℃である。
【００７７】記録層４として、補償温度ＴCOMPを有し、
希土類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣｏが、厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.25（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.75であり、そのキュリー温
度は約１９０℃である。
【００７８】記録補助層５として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温
度は約３２０℃である。
【００７９】その他の構成は前記のサンプル（＃１−
１）と同一である。
【００８０】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。
【００８１】上記の光変調オーバーライトに関する説明
では、読み出し層３がＲＥ−ｒｉｃｈ、記録層４が補償
温度ＴCOMPを有する組成、記録補助層５がＴＭ−ｒｉｃ
ｈである光磁気記録媒体を用いたが、読み出し層３の材
料と記録補助層５の材料を交換した光磁気記録媒体、す
なわち、読み出し層３がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録層４が補
償温度ＴCOMPを有する組成、記録補助層５がＲＥ−ｒｉ
ｃｈである光磁気記録媒体を用いても、情報の再生およ
び光変調オーバーライトをもちろん行うことができる。
【００８２】本発明の第２実施例について図１１ないし
図１９に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。
【００８３】本実施例の光磁気記録媒体は、図１１に示
すように、基板１上に、透明誘電体層２、読み出し層３
ａ、記録層４、記録補助層５、保護層６、オーバーコー
ト層７を順次積層した構成になっている。記録再生は、
レーザー光８を集光レンズ９で読み出し層３ａ上に集光
することにより行われる。
【００８４】本実施例の読み出し層３ａは、室温で面内
磁気異方性が優位な面内磁化状態にあり、温度上昇に伴
い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態になる点で前記
実施例とは異なっている。
【００８５】希土類金属−遷移金属合金からなる非晶質
膜は、フェリ磁性を示す。希土類金属の副格子磁気モー
メントと遷移金属の副格子磁気モーメントとでは、温度
依存性が異なり、高温では前者に比べ後者が大きくな
る。そこで、読み出し層３ａにＲＥ−ｒｉｃｈの材料を
用い、室温で面内磁化状態にあるようにしておく。レー
ザー光の照射により温度が上昇すると、希土類金属の副
格子磁気モーメントと遷移金属の副格子磁気モーメント
とが釣り合う。これにより、読み出し層３ａは垂直磁化
状態になる。以下、面内磁化状態から垂直磁化状態に移
行する温度をＴPとする。
【００８６】読み出し層３ａ、記録層４および記録補助
層５の保磁力の温度依存性を図１２に示す。また、これ
らを基板１上に積層した状態での、保磁力の温度依存性
を図１４に示す。
【００８７】記録層４がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録補助層５
がＴＭ−ｒｉｃｈの光磁気記録媒体の場合、図１３に示
したプロセスにより情報の再生および光変調オーバーラ
イトが行われる。
【００８８】室温での状態（ａ）、（ｂ）において、読
み出し層３ａの磁化の方向および副格子磁気モーメント
の方向が、前記実施例（図３）とは異なっているが、そ
の他の状態（ａ１）、（ａ２）、（ｂ１）、（ｂ２）、
（ｃ１）、（ｃ２）は同一である。したがって、前記実
施例と同様に、第１のパワーのレーザー光８を照射した
後、室温に戻すと、状態（ａ）、（ｂ）を状態（ａ）に
遷移させることができ、第２のパワーのレーザー光８を
照射した後、室温に戻すと、状態（ａ）、（ｂ）を状態
（ｂ）に遷移させることができる。すなわち、光変調オ
ーバーライトを行うことができる。
【００８９】読み出し層３ａ、記録層４および記録補助
層５を基板１上に積層した場合（図１４）、各層３ａ〜
５の間に交換結合力が働くので、記録層４の磁化が有限
である限り、換言すれば、ＴC2より低い温度である限
り、読み出し層３ａの保磁力は読み出し層３ａが単独に
ある場合（図１２）よりも大きくなる。同様に、記録層
４と記録補助層５の保磁力はほぼ等しくなるか、記録補
助層５の保磁力がわずかに小さくなる。
【００９０】さらに、読み出し層３ａ、記録層４および
記録補助層５を基板１上に積層した場合、読み出し層３
ａは、図１５に示すように、記録層４の保磁力が大きい
ＴRE AD（読み出し温度）で、異常ヒステリシス特性を示
す。一方、記録層４および記録補助層５は通常のＴＭ−
ｒｉｃｈの磁性体のヒステリシス特性を示している。な
お、読み出し層３ａが垂直磁化状態になる温度ＴP が、
交換結合により低い温度へと移動するため、読み出し層
３ａ、記録層４および記録補助層５を基板１上に積層し
た状態でＴP が室温とＴREADとの間になるように、読み
出し層３ａの組成を設定することが望ましい。
【００９１】次に、情報の再生について説明する。
【００９２】再生時、レーザー光８（図１１）が基板１
側から照射され、集光レンズ９によって読み出し層３ａ
上に光スポットとして収斂される。読み出し層３ａの、
レーザー光８に照射された部分の中央部が最も温度上昇
する。これは、レーザー光８が集光レンズ９により回折
限界まで絞り込まれているため、レーザー光８の光強度
分布がガウス分布になり、したがって、レーザー光８に
照射された部分の温度分布もガウス分布になることに起
因する。
【００９３】中央部がＴREAD以上になり、かつ、周辺部
がＴP 以下となるように、レーザー光８の強度を設定す
ると、ＴP 以上の温度になった部分だけが面内磁化状態
から垂直磁化状態に移行し、ＴP 以下の温度の部分は面
内磁化状態を維持する。垂直磁化状態になった部分の磁
化は、読み出し層３ａと記録層４との交換結合力によ
り、記録層４の磁化の方向に向く。レーザー光８を読み
出し層３ａに対して垂直に入射させた場合、極カー効果
は垂直磁化状態になった部分でのみ表れ、面内磁化状態
になった部分では表れない。したがって、読み出し層３
ａからの反射光より、ＴP 以上の温度になった部分の情
報だけを再生できる。
【００９４】レーザー光８が光磁気記録媒体に対して相
対移動すると、ＴP 以上の温度になっていた部分は温度
下降し、垂直磁化状態から面内磁化状態に戻る。したが
って、その部分による極カー効果は表れなくなる。つま
り、隣接記録ビットからの信号混入がなくなる。
【００９５】以上のように、本実施例の光磁気記録媒体
によれば、読み出し層３ａ上の光スポットよりも小さい
記録ビットを再生でき、しかも、隣接する記録ビットか
らの信号混入がなくなるので、記録密度を著しく高める
ことができる。
【００９６】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第１の
サンプル（＃２−１）として、図１２の磁気特性を示す
読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層５を備えた
光磁気ディスクを以下に示す。
【００９７】読み出し層３ａとして、希土類遷移金属合
金薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.71であり、そのキュリー温
度は約２８０℃である。
【００９８】記録層４として、希土類遷移金属合金薄膜
であるＴＭ−ｒｉｃｈのＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍ
で形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.23（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.77であり、そのキュリー温
度は約２００℃である。
【００９９】記録補助層５として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温
度は約３２０℃である。
【０１００】その他の構成は前記実施例の第１のサンプ
ル（＃１−１）と同一である。
【０１０１】読み出し層３ａ、記録層４および記録補助
層５を積層した場合、読み出し層３ａは室温でほぼ面内
磁化状態にあり、１００〜１２５℃で面内磁化状態から
垂直磁化状態に移行する。
【０１０２】上記の光磁気ディスクを線速度が１０ｍ／
ｓとなるように回転させ、２５ｋＡ／ｍの記録磁界ＨB
を印加した状態で、レーザー光８の第１のパワーを６ｍ
Ｗとし、第２のパワーを１０ｍＷとして、５ＭＨｚの周
波数でレーザーパワーを変調して記録を行ったところ、
１μｍ毎に磁化が反転する磁区を記録層４に形成するこ
とができた。
【０１０３】次に、レーザー光８のパワーを２ｍＷとし
て、情報の再生を行ったところ、上記の反転磁区に対応
した５ＭＨｚの光磁気信号を読み出し層３から得ること
ができた。
【０１０４】それから、上記の反転磁区上に、１０ＭＨ
ｚの周波数でレーザーパワーを変調して光変調オーバー
ライトを行ったところ、この反転磁区がなくなり、新た
に０.5μｍ毎に磁化が反転する磁区を記録層４に形成す
ることができた。
【０１０５】次に、レーザー光８のパワーを２ｍＷとし
て、情報の再生を行ったところ、上記の反転磁区に対応
した１０ＭＨｚの光磁気信号を読み出し層３から得るこ
とができた。
【０１０６】１０ＭＨｚの光磁気信号の信号強度は上記
５ＭＨｚの光磁気信号の信号強度とほぼ同じであった。
これは、読み出し層３ａの垂直磁化状態になった部分に
対応する記録層４の情報を再生していることを示してい
る。
【０１０７】以上の実験結果より、良好な光変調オーバ
ーライトおよび再生が可能であることが確認された。
【０１０８】上記の光変調オーバーライトおよび再生に
関する説明では、記録層４がＴＭ−ｒｉｃｈ、記録補助
層５がＴＭ−ｒｉｃｈである光磁気記録媒体を用いた
が、読み出し層３、記録層４および記録補助層５の保磁
力が、それぞれ単独で図１６の温度依存性を示し、記録
層４をＴＭ−ｒｉｃｈからＲＥ−ｒｉｃｈに代えた光磁
気記録媒体の場合においても、図１７に示したプロセス
により情報の再生および光変調オーバーライトを行うこ
とができる。
【０１０９】この光磁気記録媒体の場合、記録層４がＲ
Ｅ−ｒｉｃｈになっているため、記録層４の希土類金属
の副格子磁気モーメントと磁化とは平行になる。したが
って、記録磁界ＨB が記録層４に及ぼす静磁結合力の方
向が変わるが、ＴL で膜厚方向の温度分布が生ずるよう
にすることにより、上記の光磁気記録媒体と同様にし
て、光変調オーバーライトを行うことができる。しか
も、記録層４の温度がＴC2から下降するとき、保磁力が
急激に大きくなるので、前記光磁気記録媒体よりも安定
した光変調オーバーライトが可能になる。再生について
も、前記光磁気記録媒体と同様に、読み出し層３ａ上の
光スポットよりも小さい記録ビットを再生でき、しか
も、隣接する記録ビットからの信号混入がなくなるの
で、記録密度を著しく高めることができる。
【０１１０】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第２の
サンプル（＃２−２）として、図１６の磁気特性を示す
読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層５を備えた
光磁気ディスクを以下に示す。
【０１１１】読み出し層３ａとして、希土類遷移金属合
金薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.71であり、そのキュリー温
度は約２８０℃である。
【０１１２】記録層４として、希土類遷移金属合金薄膜
であるＲＥ−ｒｉｃｈのＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍ
で形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.35（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.65であり、そのキュリー温
度は約１７０℃である。
【０１１３】記録補助層５として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温
度は約３２０℃である。
【０１１４】読み出し層３ａ、記録層４および記録補助
層５を積層した場合、読み出し層３ａは室温でほぼ面内
磁化状態にあり、１００〜１２５℃で面内磁化状態から
垂直磁化状態に移行する。
【０１１５】その他の構成は前記のサンプル（＃２−
１）と同一である。
【０１１６】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトおよび高密度情報の再生が可能であることが確
認された。
【０１１７】また、読み出し層３、記録層４および記録
補助層５の保磁力が、それぞれ単独で図１８の温度依存
性を示し、記録層４が補償温度ＴCOMPを有する組成の光
磁気記録媒体の場合においても、図１９に示したプロセ
スにより情報の再生および光変調オーバーライトを行う
ことができる。
【０１１８】この光磁気記録媒体の場合、記録層４がＴ
READとＴL の間に補償温度ＴCOMPを有するため、記録層
４の磁化は補償温度ＴCOMPの前後で反転している。しか
し、ＴL で膜厚方向の温度分布が生ずるようにすること
により、上記の光磁気記録媒体と同様にして、光変調オ
ーバーライトを行うことができる。しかも、記録層４の
温度がＴC2から下降するとき、保磁力が急激に大きくな
るので、前記光磁気記録媒体よりも安定した光変調オー
バーライトが可能になる。再生についても、前記光磁気
記録媒体と同様に、読み出し層３ａ上の光スポットより
も小さい記録ビットを再生でき、しかも、隣接する記録
ビットからの信号混入がなくなるので、記録密度を著し
く高めることができる。
【０１１９】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第３の
サンプル（＃２−３）として、図１８の磁気特性を示す
読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層５を備えた
光磁気ディスクを以下に示す。
【０１２０】読み出し層３ａとして、希土類遷移金属合
金薄膜であるＲＥ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.71であり、そのキュリー温
度は約２８０℃である。
【０１２１】記録層４として、補償温度ＴCOMPを有し、
希土類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣｏが、厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.25（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.75であり、そのキュリー温
度は約１９０℃である。
【０１２２】記録補助層５として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＴＭ−ｒｉｃｈのＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温
度は約３２０℃である。
【０１２３】読み出し層３ａ、記録層４および記録補助
層５を積層した場合、読み出し層３ａは室温でほぼ面内
磁化状態にあり、１００〜１２５℃で面内磁化状態から
垂直磁化状態に移行する。
【０１２４】その他の構成は前記のサンプル（＃２−
１）と同一である。
【０１２５】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトおよび高密度情報の再生が可能であることが確
認された。
【０１２６】本発明の第３実施例について図２０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。
【０１２７】本実施例の光磁気記録媒体は、図２０に示
すように、基板１上に、透明誘電体層２、読み出し層
３、中間層１０、記録層４、中間層１１、記録補助層
５、保護層６、オーバーコート層７を順次積層した構成
になっており、前記第１実施例の読み出し層３と記録層
４との間に面内磁化膜からなる中間層１０を設け、記録
層４と記録補助層５との間に面内磁化膜からなる中間層
１１を設けた構成になっている。
【０１２８】中間層１０を設けることにより、読み出し
層３と記録層４との交換結合力を制御することが可能と
なる。これにより、光変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体を容易に実現できる。
【０１２９】中間層１１を設けることにより、記録層４
と記録補助層５との交換結合力を制御することが可能と
なる。これにより、光変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体を容易に実現できる。
【０１３０】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第１の
サンプル（＃３−１）として、読み出し層３と記録層４
との間に中間層１０を備えた光磁気ディスクを以下に示
す。
【０１３１】中間層１０として、面内磁化膜であるＦｅ
Ｃｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏの組成
は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１３２】その他の構成は第１実施例の第１のサンプ
ル（＃１−１）と同一である。
【０１３３】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１０を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値が３０
ｋＡ／ｍになった。
【０１３４】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第２の
サンプル（＃３−２）として、記録層４と記録補助層５
との間に中間層１１を備えた光磁気ディスクを以下に示
す。
【０１３５】中間層１１として、面内磁化膜であるＦｅ
Ｃｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏの組成
は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１３６】その他の構成は前記のサンプル（＃３−
１）と同一である。
【０１３７】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１１を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値が２０
ｋＡ／ｍになった。
【０１３８】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第３の
サンプル（＃３−３）として、上記中間層１０、１１を
備えた光磁気ディスクを以下に示す。
【０１３９】中間層１０、１１として、面内磁化膜であ
るＦｅＣｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏ
の組成は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１４０】その他の構成は前記のサンプル（＃３−
１）と同一である。
【０１４１】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１０、１１を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値
が２５ｋＡ／ｍになった。
【０１４２】本発明の第４実施例について図２１に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。
【０１４３】本実施例の光磁気記録媒体は、図２１に示
すように、基板１上に、透明誘電体層２、読み出し層３
ａ、中間層１０、記録層４、中間層１１、記録補助層
５、保護層６、オーバーコート層７を順次積層した構成
になっており、前記第２実施例の読み出し層３ａと記録
層４との間に面内磁化膜からなる中間層１０を設け、記
録層４と記録補助層５との間に面内磁化膜からなる中間
層１１を設けた構成になっている。
【０１４４】中間層１０を設けることにより、読み出し
層３ａと記録層４との交換結合力を制御することが可能
となる。これにより、光変調オーバーライトが可能な光
磁気記録媒体を容易に実現できる。
【０１４５】中間層１１を設けることにより、記録層４
と記録補助層５との交換結合力を制御することが可能と
なる。これにより、光変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体を容易に実現できる。
【０１４６】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第１の
サンプル（＃４−１）として、読み出し層３ａと記録層
４との間に中間層１０を備えた光磁気ディスクを以下に
示す。
【０１４７】中間層１０として、面内磁化膜であるＦｅ
Ｃｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏの組成
は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１４８】その他の構成は第２実施例の第１のサンプ
ル（＃２−１）と同一である。
【０１４９】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１０を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値が３０
ｋＡ／ｍになった。
【０１５０】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第２の
サンプル（＃４−２）として、記録層４と記録補助層５
との間に中間層１１を備えた光磁気ディスクを以下に示
す。
【０１５１】中間層１１として、面内磁化膜であるＦｅ
Ｃｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏの組成
は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１５２】その他の構成は前記のサンプル（＃４−
１）と同一である。
【０１５３】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１１を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値が２０
ｋＡ／ｍになった。
【０１５４】次に、本実施例の光磁気記録媒体の第３の
サンプル（＃４−３）として、上記中間層１０、１１を
備えた光磁気ディスクを以下に示す。
【０１５５】中間層１０、１１として、面内磁化膜であ
るＦｅＣｏが、厚さ２ｎｍで形成されている。ＦｅＣｏ
の組成は、Ｆｅ0.8 Ｃｏ0.2 である。
【０１５６】その他の構成は前記のサンプル（＃４−
１）と同一である。
【０１５７】この光磁気ディスクに対して、上記と同様
に記録再生テストを行ったところ、良好な光変調オーバ
ーライトが可能であることが確認された。なお、中間層
１０、１１を設けたことにより、記録磁界ＨB の最適値
が２５ｋＡ／ｍになった。
【０１５８】次に、上記第１〜第４実施例で述べた光磁
気記録媒体の各構成要素について、詳述する。
【０１５９】上記の読み出し層３のGdFeCoの組成は、Gd
0.26(Fe0.82Co0.18)0.74に限定されるものではない。同
様に、読み出し層３ａの組成はGd0.29(Fe0.82Co0.18)
0.71に限定されるものではない。読み出し層３、３ａの
副格子磁気モーメントが記録層４のキュリー温度ＴC2近
傍で記録補助層５の副格子磁気モーメントと反平行にな
っており、かつ、読み出し層３の場合、そのキュリー温
度ＴC1まで垂直磁化状態であればよく、読み出し層３ａ
の場合、室温で面内磁化状態であり、室温以上の温度で
垂直磁化状態に移行すればよい。
【０１６０】なお、読み出し層３ａは、室温で完全な面
内磁化状態である必要はなく、室温以上の温度で完全な
垂直磁化状態に移行する必要もない。室温での磁化の傾
きがＴREADでの磁化の傾きと異なればよい。
【０１６１】希土類遷移金属合金においては、希土類と
遷移金属の比率を変えれば、希土類と遷移金属の磁化が
釣り合う補償温度が変わる。GdFeCoはこの補償温度付近
で垂直磁化を示す材料系であることから、GdとFeCoの比
率を変えることにより、上記の条件を満足する材料を得
ることが可能である。
【０１６２】図２２は、GdX (Fe0.82Co0.18)1-X の系に
おいてＸ、すなわちGdの組成を変えた場合の補償温度及
びキュリー温度を調べた結果である。
【０１６３】０.2０＜Ｘ＜０.2７にすれば、読み出し層
３の条件を満足させることができる。また、０.2７≦Ｘ
＜０.3２にすれば、読み出し層３ａの条件を満足させる
ことができる。
【０１６４】ただし、これらは、記録補助層５としてＴ
Ｍ−ｒｉｃｈの材料を用い、かつ、記録層４として５０
ｎｍの膜厚のDy0.23（Fe0.82Co0.18)77 を用いた場合に
おけるＸの範囲を示している。読み出し層３または３ａ
の磁気特性は記録層４の磁気特性の影響を受けて変化す
るため、読み出し層３または３ａの材料は記録層４に応
じて設定する方が好ましい。
【０１６５】また、読み出し層３または３ａとして、Gd
FeCoの他、GdFe、GdCo、GdTbFeCo、GdDyFeCo 、NdGdF
e、NdGdCo、NdGdTbFeCo、NdGdDyFeCo等の希土類遷移金
属合金からなる非晶質膜を使用することが可能である。
【０１６６】以上の材料に加えて、光ピックアップの光
源である半導体レーザーの波長が、前述の780nm より短
くなった場合に、その波長での極カー回転角が大きな材
料も好適である。
【０１６７】既に、説明した通り、光磁気ディスク等の
光磁気記録媒体において、その記録密度を制限するのは
光スポットの大きさであり、これはレーザー光８の波長
と集光レンズ９の開口数により決まるものである。従っ
て、今よりも波長の短い半導体レーザーが出現すれば、
それだけで光磁気記録媒体の記録密度は向上する。現在
では、既に670 〜680nm の波長の半導体レーザーがほぼ
実用化レベルにあり、波長400nm 以下のSHG レーザーも
精力的に研究が進められている。
【０１６８】希土類遷移金属合金の極カー回転角は、波
長依存性を有しており、一般には、波長が短くなると、
極カー回転角は減少してしまう。短波長で極カー回転角
の大きい膜を用いると、信号強度が大きくなり高品質の
再生信号が得られることになる。
【０１６９】上述の読み出し層３または３ａの材料にN
d,Pt,Pr,Pd のうち少なくとも１種類の元素を微量添加
することで、読み出し層３または３ａとして要求される
特性をほとんど損なわずに、短波長での極カー回転角を
増加することができ、短波長レーザーを用いた場合でも
高品質な再生信号が得られる光磁気記録媒体を提供でき
る。
【０１７０】更に、上述の読み出し層３または３ａの材
料に、微量のCr,V,Nb,Mn,Be,Niのうち少なくとも１種類
の元素を添加することで、読み出し層３または３ａ自体
の耐環境性が向上する。すなわち、水分、酸素侵入によ
る読み出し層３または３ａの材料の酸化による特性の劣
化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気記録媒体を提
供できる。
【０１７１】以上の実施例においては、読み出し層３ま
たは３ａの膜厚を50nmとしたが、膜厚はこれに限定され
るものではない。
【０１７２】記録時、読み出し層３と記録層４との間に
交換結合力を作用させるため、読み出し層３の膜厚を１
０ｎｍ以上に設定することが好ましい。
【０１７３】再生時、レーザー光８が読み出し層３ａを
透過して記録層４に入射することがないように、読み出
し層３ａの膜厚を２０ｎｍ以上に設定することが好まし
く、５０ｎｍ以上に設定することがさらに好ましい。ま
た、記録層４の情報が読み出し層３ａに容易に転写され
るようにするため、読み出し層３ａの膜厚を１００ｎｍ
以下に設定することが好ましい。
【０１７４】記録層4 の材料は、室温からキュリー温度
ＴC2まで垂直磁化を示す材料で、そのキュリー温度ＴC2
が記録に適した温度範囲、すなわち 150〜250 ℃程度で
あれば良い。記録層４の材料として、上記のDyFeCoの
他、TbFeCo, GdTbFe, NdDyFeCo, GdDyFeCo, GdTbFeCoが
好適である。
【０１７５】また、上記の記録層４の材料に、Cr, V, N
b, Mn, Be, Ni のうち少なくとも１種類の元素を添加す
ると、より長期信頼性を向上させることができる。ま
た、記録層４の膜厚は、読み出し層３または３ａの材
料、組成、膜厚との兼ね合いで決まるものであるが、20
nm程度以上で 100nm以下が好適である。
【０１７６】記録補助層５のＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇ
ｄ0.17（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83に限定されない。Ｇｄ
ＦｅＣｏの組成は、記録補助層５の副格子磁気モーメン
トが記録層４のキュリー温度ＴC2近傍で読み出し層３、
３ａの副格子磁気モーメントと反平行になるように、設
定されておればよい。希土類遷移金属合金においては、
希土類と遷移金属の比率を変えれば、希土類と遷移金属
の磁化が釣り合う補償温度が変わる。GdFeCoはこの補償
温度付近で垂直磁化を示す材料系であることから、Gdと
FeCoの比率を変えることにより、上記の条件を満足する
材料を得ることが可能である。
【０１７７】図２２は、GdX (Fe0.82Co0.18)1-X の系に
おいてＸ、すなわちGdの組成を変えた場合の補償温度及
びキュリー温度を調べた結果である。
【０１７８】ＲＥ−ｒｉｃｈの読み出し層３または３ａ
を用いた場合、０１０＜Ｘ＜０.2０にすれば、記録補助
層５の条件を満足させることができる。
【０１７９】記録補助層５として、GdFeCoの他、GdFe、
GdCo、GdTbFeCo、 GdDyFeCo 、NdGdFe、NdGdCo、NdGdTb
FeCo、NdGdDyFeCo等の希土類遷移金属合金からなる非晶
質膜を使用することが可能である。
【０１８０】上述の記録補助層５の材料に、微量のCr,
V,Nb,Mn,Be,Niのうち少なくとも１種類の元素を添加す
ることで、記録補助層５自体の耐環境性が向上する。す
なわち、水分、酸素侵入による記録補助層５の材料の酸
化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光
磁気記録媒体を提供できる。
【０１８１】以上の実施例においては、記録補助層５の
膜厚を50nmとしたが、膜厚はこれに限定されるものでは
ない。記録時、記録補助層５と記録層４との間に交換結
合力を作用させるため、記録補助層５の膜厚を１０ｎｍ
以上に設定することが好ましい。
【０１８２】透明誘電体２のＡｌＮの膜厚は、80nmに限
定されるものではない。
【０１８３】透明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク
を再生する際、読み出し層３からの極カー回転角を光の
干渉効果を利用して増大させる、いわゆるカー効果エン
ハンスメントを考慮して決定される。再生時の信号品質
(Ｃ／Ｎ）をできるだけ大きくさせるには、極カー回転
角を大きくさせることが必要であり、このため、透明誘
電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大きくなるよう
に設定される。
【０１８４】この膜厚は、再生光の波長、透明誘電体層
２の屈折率により変化する。上記実施例の場合は、 780
nmの再生光波長に対して、屈折率 2.0のＡｌＮを用いて
いるので、透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚を30〜 120nm
程度にすると、カー効果エンハンスメントの効果が大き
くなる。尚、好ましくは、透明誘電体層２のＡｌＮの膜
厚は、70〜 100nmであり、この範囲であれば極カー回転
角がほぼ最大になる。
【０１８５】上記の説明は、波長が 780nmの再生光に対
するものであったが、例えば波長が半分の 400nmの再生
光に対しては、透明誘電体層２の膜厚もほぼ半分にすれ
ば良い。
【０１８６】更に、透明誘電体層２の材料の違いあるい
は製法により透明誘電体層２の屈折率が変わった場合
は、屈折率と膜厚を乗じた値（光路長）が同じになるよ
うに、透明誘電体層２の膜厚を設定すれば良い。
【０１８７】すなわち、上記実施例においては、透明誘
電体層２のＡｌＮの屈折率２と膜厚80nmを乗じた、 160
nmが透明誘電体層２の光路長となるが、このＡｌＮの屈
折率が２から 2.5に変わった場合は、160nm/2.5=64nm程
度に膜厚を設定すれば良いことになる。
【０１８８】上記の説明からわかるように、透明誘電体
層２の屈折率は大きいほど、その膜厚は少なくて済む。
また、屈折率が大きいほど、極カー回転角のエンハンス
効果も大きくなる。
【０１８９】ＡｌＮは、スパッター時のスパッターガス
であるArとN2の比率、ガス圧力等を変えることにより、
その屈折率が変わるが、おおむね 1.8〜 2.1程度と比較
的屈折率が大きな材料であり、透明誘電体層２の材料と
して好適である。
【０１９０】また、透明誘電体層２は、上記のカー効果
エンハンスメントだけでなく、保護層６とともに読み出
し層３または３ａと記録層４の希土類遷移金属合金磁性
層の酸化を防止する役割がある。
【０１９１】希土類遷移金属からなる磁性膜は、非常に
酸化されやすく、特に希土類が酸化されやすい。このた
め外部からの酸素、水分侵入を極力防止しなければ、酸
化によりその特性が著しく劣化してしまう。
【０１９２】そのため、上記実施例においては、読み出
し層３または３ａ、記録層４および記録補助層５の両側
をＡｌＮで挟み込む形の構成を採っている。ＡｌＮは、
その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐湿性
に優れた材料である。
【０１９３】更に、ＡｌＮは、屈折率が２前後と比較的
大きく、かつ透明であり、その酸素をその成分に含まな
いので、長期安定性に優れた光磁気ディスクを提供でき
る。
【０１９４】加えて、Ａ１ターゲットを用いて、N2ガス
もしくはArとN2の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直流
電流）スパッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ
（高周波）スパッターに比べて成膜速度が大きい点でも
有利である。
【０１９５】ＡｌＮ以外の透明誘電体層２としては、比
較的屈折率が大きいＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、
ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、Ｔｉ
Ｏ2、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 等が好適である。こ
のうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴｉＮ、ＴｉＮ、
ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優
れた光磁気ディスクを提供することができる。
【０１９６】ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡ
ｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2 、
ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 は、スパッタリングにより
形成される。ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯ
2 は、反応性ＤＣスパッタリングを行うことが可能であ
り、ＲＦ（高周波）スパッターに比べて成膜速度が大き
い点でも有利である。なお、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａｌ
ＴａＮ、ＢＮ、ＳｉＡｌＯＮの屈折率は、１．８〜２．
１、ＴｉＮの屈折率は、２〜２．４、ＺｎＳ、ＴｉＯＮ
の屈折率は、２〜２．５、ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、Ｓ
ｒＴｉＯ3 の屈折率は、２．２〜２．８であり、これら
の屈折率はスパッタリング条件により変わる。
【０１９７】ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮは、熱伝導率が比較的
小さいため、高記録感度光磁気ディスクに適している。
ＡｌＴａＮ、ＴｉＮはそれぞれＴａ、Ｔｉが含まれてい
るため、耐食性（孔食性）に優れた光磁気ディスクが得
られる。ＢＮは非常に硬く、摩耗に強いので、傷の発生
を防ぎ、長期安定性に優れた光磁気ディスクが得られ
る。ＺｎＳ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＯＮは、ターゲットが
安価である。ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 は、屈折率が非常に大きいので、再生信号品質に優れ
た光磁気ディスクが得られる。
【０１９８】保護層６のＡｌＮの膜厚は、上記実施例で
は20nmとしたが、これに限定するものではない。保護層
６の膜厚の範囲としては、1 〜200nm が好適である。
【０１９９】本実施例においては、読み出し層３または
３ａ、記録層４および記録補助層５を合わせた膜厚は15
0nm であり、この膜厚になるとレーザー光８はほとんど
これらの磁性層を透過しない。したがって、保護層６の
膜厚に特に制限はなく、磁性層の酸化を長期に渡って防
止するに必要な膜厚であれば良い。酸化防止能力が低い
材料であれば膜厚を厚く、高ければ薄くすれば良い。
【０２００】保護層６は、透明誘導体層２と共に、その
熱伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザーパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気デ
ィスクに入射された光はそのほとんどが、透明誘導体層
2 を通過し、吸収膜である読み出し層３または３ａ、記
録層４、記録補助層５に吸収されて、熱に変わる。この
とき、これらの磁性層の熱が透明誘導体層2 、保護層６
に熱伝導により移動する。したがって、透明誘導体層2
、保護層６の熱伝導率および熱容量（比熱) が記録感
度に影響を及ぼす。
【０２０１】このことは、光磁気記録媒体の記録感度を
保護層６の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザーパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層６の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザー寿命を延ばすため、記録
感度はある程度高い方が有利であり、保護層６の膜厚は
薄い方が良い。
【０２０２】ＡｌＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優
れるので、保護層６として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供する
ことができる。
【０２０３】本実施例では、保護層６を透明誘導体層２
と同じＡｌＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気ディ
スクを提供でき、かつ保護層６と透明誘導体層2 を同じ
材料で形成することで、生産性も向上させることができ
る。ＡｌＮは、前述の通り、非常に耐湿性に優れた材料
であるので、比較的薄い膜厚である20nmに設定すること
ができる。生産性を考慮しても薄いほうが有利である。
また、保護層６の材料としては、ＡｌＮ以外に、前述
の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導体層２の材
料として用いられる、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａ
Ｎ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、
ＴｉＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 が好適である。
【０２０４】また、透明誘導体層2 と同じ材料を用いれ
ば生産性の点でも有利である。
【０２０５】このうち特に、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａｌ
ＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含
まず、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することが
できる。
【０２０６】基板１の材料としては、上記のガラス以外
に、化学強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫
外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラ
ス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタク
リレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン
（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニ
ール（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板１を使用することが
可能である。
【０２０７】基板１に化学強化されたガラスを採用した
場合、機械特性（光磁気ディスクの場合、面振れ、偏
心、反り、傾き等）に優れていること、硬度が大きく、
砂や埃により傷が付きにくいこと、化学的に安定なた
め、各種溶剤に溶けないこと、プラスチックに比べ帯電
しにくいので埃や塵が付着しにくいこと、化学的に強化
されているので割れにくいこと、耐湿性、耐酸化性、耐
熱性に優れているので、光磁気記録媒体の長期信頼性が
向上すること、光学特性に優れており、高い信号品質が
得られること等が利点として挙げられる。
【０２０８】尚、基板１として、上記のガラス、化学強
化ガラスを用いた場合に、光ビーム案内用のガイドトラ
ック、及びアドレス信号等の情報を得るために予め基板
に形成されるプリピットと呼ばれる凹凸信号を基板上に
形成する方法としては、これらガラス基板表面を反応性
ドライエッチングすることにより形成される。また、２
Ｐ層と呼ばれる紫外線硬化型樹脂を照射して樹脂を硬化
させた後、スタンパーをはがして樹脂層上に上記のガイ
ドトラック、プリピット等を形成する方法がある。
【０２０９】基板１にＰＣを採用した場合、射出成型が
できるため、同一の基板１を大量に、安価に供給できる
こと、ほかのプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、耐熱性、
耐衝撃性に優れていることなどが利点として挙げられ
る。なお、この材料も含め、以下に述べる射出成型が可
能な材料については、ガイドトラック、プリピット等
は、射出成型時にスタンパーを成型金型表面に取り付け
ておけば、成型と同時に基板１の表面に形成される。
【０２１０】基板１にＰＭＭＡを採用した場合、射出成
型ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給で
きること、他のプラスチックに比べ、複屈折が小さいの
で、光学特性に優れており、高い信号品質が得られるこ
と、耐久性に優れていること等が利点として挙げられ
る。
【０２１１】基板１にＡＰＯを採用した場合、射出成型
ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給でき
ること、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、複屈折が
小さいので、光学特性に優れており、高い信号品質が得
られること、耐熱性、耐衝撃性に優れていること等が利
点として挙げられる。
【０２１２】基板１にＰＳを採用した場合、射出成型が
できるため、同一の基板１を大量に、安価に供給できる
こと、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、光
磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること等が利点とし
て挙げられる。
【０２１３】基板１にＰＶＣを採用した場合、射出成型
ができるため、同一の基板１を大量に、安価に供給でき
ること、他のプラスチックに比べ、吸水率が低いので、
光磁気記録媒体の長期信頼性が向上すること、難燃性で
あること等が利点として挙げられる。
【０２１４】基板１にエポキシを採用した場合、他のプ
ラスチックに比べ、吸水率が低いので、光磁気記録媒体
の長期信頼性が向上すること、熱硬化性樹脂であるた
め、耐熱性に非常に優れていること等が利点として挙げ
られる。
【０２１５】以上のように基板１として、各種材料を使
用することが可能であるが、それらの材料を光磁気ディ
スクの基板１として使用する場合、以下の光学特性、機
械特性を満足していることが望ましい。
【０２１６】屈折率 ：１．４４〜１．６２ 複屈折 ：１００ｎｍ以下（平行光で測定された往
復複屈折） 透過率 ：９０％以上 厚さ変動 ：±０．１ｍｍ チルト ：１０ｍｒａｄ以下 面振れ加速度：１０ｍ／ｓ2 以下 径方向加速度：３ｍ／ｓ2 以下 記録層４にレーザー光８を集光するための光ピックアッ
プは、基板１の屈折率に合わせて設計されるため、基板
１の屈折率の変動が大きくなるとレーザー光８を十分に
集光することができなくなる。レーザー光８の集光状態
が変わってくると記録媒体（つまり、読み出し層３また
は３ａと記録層４）の温度分布が変化することになり、
記録再生に影響を及ぼす。本発明においては、再生時の
記録媒体の温度分布が特に重要となってくるため、使用
する基板１の屈折率を１．４４〜１．６２の範囲内に抑
えることが望ましい。
【０２１７】また、基板１を通してレーザー光８を入射
させるため、基板１に複屈折が存在すると、レーザー光
８が基板１を通過する際、その偏光状態が変わってしま
う。本発明は読み出し層３または３ａの磁化状態の変化
をカー効果を利用して偏光状態の変化として再生するた
め、基板１を通過する際に偏光状態が変わってしまうと
再生することができなくなってしまう。そのため、平行
光で測定した際の基板１の往復複屈折は100nm 以下であ
ることが望ましい。
【０２１８】また、基板１の透過率が低くなると、例え
ば記録時において、光ピックアップからの光ビームが基
板１を通過する際、その光量が減少してしまう。そのた
め、記録に必要である光量を記録媒体で得ようとする
と、より高出力なレーザー光源が必要となる。特に本発
明においては、記録媒体が記録層４と読み出し層３また
は３ａの２層からなっており、従来の単層の（読み出し
層３または３ａのない）記録媒体に比べて、記録媒体を
昇温するためには、より多くの光量を必要とするため、
基板１の透過率は９０％以上であることが望ましい。
【０２１９】また、記録媒体にレーザー光８を集光する
ための光ピックアップは、基板１の厚さに合わせて設計
されるため、基板１の厚さの変動が大きくなるとレーザ
ー光８を十分に集光することができなくなる。レーザー
光８の集光状態が変わってくると記録媒体の温度分布が
変化することになり、記録再生に悪影響を及ぼす。本発
明においては、再生時の記録媒体の温度分布が特に重要
となってくるため、使用する基板１の厚さ変動を±0.1m
m の範囲内に抑えることが望ましい。
【０２２０】また、基板１にチルトが存在すると光ピッ
クアップからのレーザー光８は、傾いた記録媒体面に集
光されることになり、チルトの状態に応じて集光状態が
変化することになり、基板１の厚さが変動した場合と同
様に、記録再生に悪影響を及ぼす。そのため、本発明に
おいては、基板１のチルトを10mrad以下、もっと好まし
くは5mrad 以下とすることが望ましい。
【０２２１】また、基板１が光ピックアップに対して上
下に移動した場合、光ピックアップはその上下動を補償
し記録媒体面にレーザー光８を集光すべく動作するが、
上下動が大きくなり過ぎると光ピックアップの補償動作
が不完全なものとなり、記録媒体面でのレーザー光８の
集光状態は不完全なものとなる。レーザー光８の集光状
態が不完全なものとなると記録媒体の温度分布が変化す
ることになり、記録再生に悪影響を及ぼす。本発明にお
いては、再生時の記録媒体の温度分布が特に重要となっ
てくるため、使用する基板の回転時の上下動について
は、その面振れ加速度を１０ｍ／ｓ2 以下に抑えること
が望ましい。
【０２２２】また、基板１にはあらかじめ１．０〜１．
６μｍピッチで光ビーム案内用のガイドトラックが設け
られているが、ガイドトラックに偏心が存在すると、回
転時にガイドトラックは光ピックアップに対して半径方
向に移動することになる。この時、光ピックアップはそ
の半径方向の移動を補償しガイドトラックと一定の関係
を保つべくレーザー光８を集光させるが、ガイドトラッ
クの半径方向への移動が大きくなり過ぎると光ピックア
ップの補償動作が不完全なものとなり、ガイドトラック
と一定の関係を保った状態でレーザー光８を集光させる
ことができなくなる。本発明においては、再生時の記録
媒体の温度分布が特に重要となってくるため、使用する
基板の回転時の半径方向への移動については、その径方
向加速度を３ｍ／ｓ2 以下に抑えることが望ましい。
【０２２３】集光されたレーザー光８を光磁気ディスク
の所定の位置に導く方法として、スパイラル状、また
は、同心円状のガイドトラックを利用した連続サーボ方
式と、スパイラル状、または、同心円状のピット列を利
用したサンプルサーボ方式が考えられる。
【０２２４】連続サーボ方式の場合、図２３に示すよう
に、１．２〜１．６μｍピッチで、０．２〜０．６μｍ
幅のグルーブが、λ／（８ｎ）程度の深さで形成され、
ランド部分で情報の記録再生が行われるのが一般的であ
る。これはランド仕様の光磁気ディスクと呼ばれる。こ
こで、λはレーザビームの波長であり、ｎは使用される
基板の屈折率である。
【０２２５】このような、一般的な方式に本発明を適用
することは十分に可能である。本発明においては、隣接
トラックの記録ビットのよるクロストークが大幅に低減
されることにより、例えば、ランド仕様の光磁気ディス
クにおいては、０．５〜１．２μｍピッチで、０．１〜
０．４μｍ幅のグルーブを形成した場合でも、隣接記録
ビットからのクロストークに影響されることなく、記録
再生を行うことが可能になり、記録密度は大幅に向上す
る。
【０２２６】更に、図２４に示すように、０．８〜１．
６μｍピッチで、同一幅のグルーブとランドを形成し、
グルーブ部分とランド部分の両方で記録再生を行った場
合においても隣接トラックの記録ビットからのクロスト
ークに影響されることなく、グルーブ部分とランド部分
の両方で記録再生を行うことが可能となり、記録密度は
大幅に向上する。
【０２２７】一方、サンプルサーボ方式の場合は、図２
５に示すように、１．２〜１．６μｍピッチでもってウ
ォブルピットが（λ／（４ｎ））程度の深さで形成さ
れ、レーザビームが常にウォブルピットの中心を走査す
るように情報の記録再生が行われるのが一般的である。
このような一般的な方式に本発明を適用することは十分
に可能である。本発明においては、隣接する記録ビット
からのクロストークが大幅に低減されることにより、
０．５〜１．２μｍピッチで、ウォブルピットを形成し
た場合でも、隣接する記録ビットからのクロストークに
影響される事なく、記録再生を行うことが可能となり、
記録密度は大幅に向上する。
【０２２８】さらに、図２６に示すように、０．８〜
１．６μｍピッチで、ウォブルピットを形成し、ウォブ
ルピットが逆極性で存在する位置に情報の記録再生を行
った場合において隣接記録ビットからのクロストークに
影響される事なく記録再生を行うことが可能となり、記
録密度は大幅に向上する。
【０２２９】また、図２７に示すように、連続サーボ方
式において、グルーブをウォブリングさせることにより
光磁気ディスクの位置情報を得る場合は、ウォブリング
状態が逆位相となった部分において、隣接グルーブに存
在する記録ビットからのクロストークが大きくなるとい
う問題が存在したが、本発明を適用することによりウォ
ブリング状態が逆位相となった部分においても、隣接グ
ルーブに存在する記録ビットからのクロストークが発生
する事なく、良好な記録再生を行うことが可能となる。
【０２３０】本実施例の光磁気ディスクは、また、以下
に説明するような種々の記録再生用光ピックアップにも
好適である。
【０２３１】例えば、複数の光ビームを使用したマルチ
ビーム方式の光ピックアップを採用する場合、図２８に
示すように、複数の光ビームの両端の光ビームがガイド
トラック上を走査するように位置決めし、その間に位置
する複数の光ビームで記録再生を行う方法が一般的であ
るが、本発明の光磁気ヘッドディスクを用いることによ
り、光ビームの間隔を狭くしても隣接記録ビットからの
クロストークの影響を受けることなく再生することが可
能となり、ガイドトラックのピッチを短くすることが可
能となるか、又は、一対のガイドトラックの間により多
くのレーザービームで記録再生することが可能となり、
記録密度は大幅に向上する。
【０２３２】以上の説明では、使用する光ピックアップ
の対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）が一般的な値である
０．４〜０．６を有するとし、また、レーザー光の波長
が６７０ｎｍ〜８４０ｎｍであるとして、ガイドトラッ
クのピッチ等について議論しているが、Ｎ．Ａ．を更に
大きく０．６〜０．９５とすることで、レーザー光を更
に小さく絞り込み、本発明の光磁気ディスクを適用する
ことにより、ガイドトラックのピッチ及び幅を更に狭く
することが可能となり、更に高密度な記録再生が可能と
なる。
【０２３３】また、波長４８０ｎｍのアルゴンレーザー
光やＳＨＧ素子を利用した３３５ｎｍ〜６００ｎｍの波
長のレーザー光を使用することにより、レーザー光を更
に小さく絞り込み、本発明を適用することにより、ガイ
ドトラックのピッチ及び幅を更に狭くすることが可能と
なり、更に高密度な記録再生が可能となる。
【０２３４】ａ／ｗに関しては、０．３〜１．０のもの
が使える。ここで、ａはレンズの光学的に有効な直径、
ｗはレンズに入る光束の直径でガウス分布している場合
は中心強度の１／ｅ2 の強度になる半径である。
【０２３５】次に、本実施例の光磁気ディスクに適用す
る際のディスクフォーマットについて記述する。
【０２３６】一般に、光磁気ディスクにおいては、異な
るメーカー間、あるいは、異なる光磁気ディスク間の互
換性を維持するために、それぞれの半径位置での記録、
消去パワーをどのような値あるいは、デューティーに設
定するかを、内外周の一部に（λ／（４ｎ））程度の深
さのプリピット列であらかじめ記録されている。また、
読み取ったそれらの値を元に、実際に記録再生を行える
テスト領域が内外周に設けられている（例えば、IS1008
9 規格を参照）。
【０２３７】一方、再生パワーについても、特定の再生
パワーとするための情報が、内外周の一部にプリピット
列であらかじめ記録されている。
【０２３８】本発明の光磁気ディスクにおいては、再生
時の記録媒体の温度分布が再生特性に大きな影響を及ぼ
すため、再生パワーの設定方法が非常に重要である。
【０２３９】再生パワーの設定方法として、例えば、再
生パワーについても記録パワーと同様に、内外周に再生
パワーを設定するためのテスト領域を設け、テスト領域
において得られた再生パワーからそれぞれの半径位置で
の再生パワーを最適化するための情報を、内外周の一部
にピット列で予め記録しておく方が望ましい。
【０２４０】特に光磁気ディスクの回転数が常に一定で
あるＣＡＶ方式を用いる光磁気ディスク・ドライブにお
いては、半径位置に応じて光磁気ディスクの線速が変わ
るため、半径位置に応じて再生レーザーパワーを変えた
ほうがより好ましい。したがって、できるだけ多くの半
径方向領域に区切った情報をプリピット列として記録し
ておいたほうが良い。
【０２４１】また、同じく、各半径位置でより最適な再
生レーザーパワーを設定する方法として、記録領域を半
径位置により複数のゾーンに分けて、ゾーンとゾーンの
境界部分にそれぞれのゾーンごとに記録パワー及び再生
パワーをテスト領域において最適化することにより、再
生時の記録媒体の温度分布をより正確に制御することが
可能となり、良好な記録再生が可能となる。
【０２４２】次に、本実施例の光磁気ディスクは、以下
に説明する種々の記録方式に適応するものである点につ
いて説明する。
【０２４３】まず、オーバーライトができない第１世代
の光磁気ディスクの記録方法について説明する。
【０２４４】第１世代の光磁気ディスクは、ＩＳ10089
規格（ＩＳＯの５．２５”書き換え型光ディスクについ
て定めた規格）に準拠して、既に多く市販されており、
オーバーライトができないため、すでに情報が記録され
ている所に、新たに情報を記録する場合には、一旦その
部分の消去を行い、次に記録を行うという動作が必要に
なる。そのため、最低２回の光磁気ディスクの回転が必
要になり、データ転送速度が遅いという欠陥がある。
【０２４５】しかしながら、磁性膜に要求される性能
は、次に説明するオーバーライト可能な光磁気ディスク
に比べて、それほど高くないという利点はある。
【０２４６】オーバーライトができない欠点を無くすた
めに、例えば複数個の光学ヘッドを配して、回転待ちの
ロスを無くし、データ転送速度を向上させる方法は一部
の装置で採用されている。
【０２４７】例えば、２個の光学ヘッドを用いて、先行
する光学ヘッドで既に記録されている情報を消去し、後
から追いかける光学ヘッドで新しい情報を記録する方法
である。再生の際は、どちらか一方の光学ヘッドを用い
て再生する。
【０２４８】また、３個の光学ヘッドを用いて記録する
場合は、先行する光学ヘッドが既に記録されている情報
を消去し、次の光学ヘッドで新しい情報を記録し、残り
の光学ヘッドでベリファイ（新しい情報が正しく記録さ
れているかを確認）する。
【０２４９】また、複数の光学ヘッドを用いる代わり
に、１個の光学ヘッドをビームスプリッターを用いて複
数のビームを作り出し、これを上記複数の光学ヘッドと
同じように用いても良い。
【０２５０】これにより、既に記録されている情報の消
去過程を経ることなく、新たな情報の記録が行え、第１
世代の光磁気ディスクを用いての疑似オーバーライトが
実現できる。
【０２５１】本実施例の光磁気ディスクは、読み出し層
３または３ａと記録補助層５の磁化方向を記録磁界で制
御することにより、記録層４に情報を記録することが可
能である。したがって、本記録方式を適用できる。
【０２５２】次に、磁界変調オーバーライト記録方式に
ついて説明をする。
【０２５３】本実施例の光磁気ディスクは、読み出し層
３または３ａと記録補助層５の磁化方向を記録磁界で制
御することにより、記録層４に情報を記録することが可
能である。したがって、磁界変調オーバーライト記録方
式を適用できる。
【０２５４】磁界変調オーバーライト記録方式とは、光
磁気記録媒体に一定のパワーのレーザーを照射しなが
ら、情報に応じて磁界強度を変調して記録する方法であ
り、図２９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０２５５】図２９は、光磁気ディスク２４に磁界変調
オーバーライトを行う光磁気ディスク装置の一例を示す
模式図であり、記録及び再生時にレーザー光を照射する
レーザー光源（図示されていない）、及び記録及び再生
時に光磁気ディスク２４からの反射光を受光する受光素
子（図示されていない）等を内蔵した光学ヘッド２１
と、光学ヘッド２１と機械的、もしくは電気的に連結さ
れた浮上型磁気ヘッド２２を備えている。
【０２５６】浮上型磁気ヘッド２２は浮上スライダー２
２ａとＭｎＺｎフェライト等からなるコアにコイルが巻
回された磁気ヘッド２２ｂから構成され、浮上型磁気ヘ
ッド２２はサスペンション２３により光磁気ディスク２
４に押圧され、数μｍ〜数十μｍ程度の一定の間隙で浮
上している。
【０２５７】この状態で浮上型磁気ヘッド２２および光
学ヘッド２１を光磁気ディスク２４の記録領域内の所望
の半径位置に移動させ、光学ヘッド２１から光磁気ディ
スク２４の記録層に２〜１０ｍＷ程度のレーザー光を集
光して照射し、記録層４をキュリー温度（又は保磁力が
ほぼ“０”になる温度）近傍まで昇温させた上で、記録
すべき情報に応じて上向きと下向きとに反転する磁界を
磁気ヘッド２２ｂにより印加する。これにより、既に記
録されている情報の消去過程を経ることなく、オーバー
ライト記録方式で情報の記録を行うことができる。
【０２５８】尚、本実施例では、磁界変調オーバーライ
ト時に、レーザーパワーを一定としたが、磁界の極性が
切り替わる時にレーザーパワーを記録されないパワーま
で下げて、記録がなされないようにすると、記録される
記録ビット形状がよりきれいになり、再生信号品質が向
上する。
【０２５９】上記光磁気ディスク２４は、一般には片面
タイプと呼ばれる。この光磁気ディスク２４は、透明誘
電体層２、読み出し層３または３ａ、記録層４、記録補
助層５、保護層６の薄膜部分を総じて記録媒体層と称す
ることにすると、図３０に示すように、基板１、記録媒
体層２９、オーバーコート層７の構造となる。
【０２６０】これに対して、図３１に示すように、基板
１の上に記録媒体層２９を形成したものを２枚、記録媒
体層２９・２９が対向するように接着層３０で接着した
光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれている。
【０２６１】尚、接着層３０の材料はポリウレタンアク
リレート系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱
及び嫌気性の３タイプの硬化機能が組み合わされたもの
であり、紫外線が透過しない記録媒体層２９の影になる
部分の硬化が熱及び嫌気性硬化機能により硬化されると
いう利点を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期
安定性に極めて優れた両面タイプの光磁気ディスクを提
供することができる。
【０２６２】片面タイプは、両面タイプと比べて光磁気
ディスクの厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求
される記録再生装置に有利である。
【０２６３】両面タイプは、両面再生が可能なため、例
えば大容量を要求される記録再生装置に有利である。
【０２６４】片面タイプ、両面タイプのいずれを採用す
るかは上記のような光磁気ディスクの厚さ、容量を考慮
する以外に、以下に説明するように、記録方式にも大き
く依存する。
【０２６５】光磁気ディスクへの情報の記録には、周知
のごとく、光ビームと磁界が用いられる。図２９の光磁
気ディスク装置においては、半導体レーザー等の光源か
らの光ビームを集光レンズ９で基板１を通して記録媒体
層２９上に集光させて照射し、これと対峙した位置に設
けられた磁石、電磁石等の磁界発生装置（例えば、浮上
型磁気ヘッド２２）により磁界が記録媒体層２９に印加
されるようになっている。記録の際には光ビーム強度を
再生時よりも高くすることで、集光された部分の記録媒
体層２９の温度が上昇し、その部分の磁性膜の保磁力が
小さくなる。この時に外部から保磁力以上の大きさの磁
界を印加すると、印加された磁界の方向に磁性膜の磁化
がならい、記録が完了する。
【０２６６】例えば、情報に応じて記録用磁界を変調す
る磁界変調オーバーライト方式では、磁界発生装置（多
くは電磁石）を極力記録媒体層２９に近づける必要があ
る。これは、電磁石のコイルの発熱、装置消費電力、大
きさ等の制限により、記録に必要な周波数（一般には数
百ｋHz〜数十ＭHz）で変調し、記録に必要な磁界（一般
的には５００ｅ〜数百Ｏｅ程度）を発生させようとする
と、記録媒体に０．２mm以下程度、多くの場合は５０μ
ｍ程度まで近づける必要が生じる。このため、両面タイ
プの光磁気ディスクでは、基板１の厚さが一般に１．２
mm前後であり薄くても０．５mm程度必要なため、光ビー
ムを対峙させて電磁石を配した場合、記録磁界強度が不
足してしまい、記録が行えない、従って、記録変調オー
バーライト方式に適した記録媒体層２９を採用した場合
は、片面タイプの光磁気ディスクが多く用いられる。
【０２６７】これに対して、情報に応じて光ビームを変
調する光変調オーバーライト方式では、記録用の磁界が
一方向を向いたままである。よって、発生磁界の強い、
例えば永久磁石を用いることができ、磁界変調オーバー
ライト方式の場合のように記録媒体層２９に極力近づけ
て配置せずとも、記録媒体層２９から数mm程度離して配
置できる。従って、片面タイプだけでなく、両面タイプ
も採用できる。
【０２６８】本実施例の光磁気ディスクを片面ディスク
として用いる場合、構造上、以下に説明するようなバリ
エーションが可能である。
【０２６９】第１のバリエーションは、オーバーコート
層７上にハードコート層（図示されていない）を形成し
た光磁気ディスクであり、基板１／記録媒体層２９／オ
ーバーコート層７／ハードコート層の構造を有してい
る。ハードコート層として、例えばアクリレート系の紫
外線硬化型ハードコート樹脂膜を、例えばポリウレタン
アクリレート系の紫外線硬化型樹脂からなり膜厚が約６
μｍのオーバーコート層７の上に形成する。ハードコー
ト層の膜厚は、例えば３μｍである。
【０２７０】オーバーコート層７を形成することで、記
録媒体層２９の酸化による特性劣化を防ぎ、長期信頼性
を確保することができる。これに加えて、ハードコート
膜を設けることで、例えば記録用の磁石がディスクに接
触してしまっても、硬度の高い、耐摩耗性にすぐれたハ
ードコート膜の作用で、傷を付きにくくし、また傷が発
生しても、それが記録媒体層２９にまで達することを防
ぐことができる。
【０２７１】また、当然のことながら、オーバーコート
層７にハードコート層の機能を付加させてオーバーコー
ト層７だけで済ませても良い。
【０２７２】第２のバリエーションは、オーバーコート
層７上にハードコート層を形成すると共に、基板１の記
録媒体層２９とは反対側の面にハードコート層（図示さ
れていない）を形成した光磁気ディスクであり、ハード
コート層／基板１／記録媒体層２９／オーバーコート層
７／ハードコート層の構造を有している。
【０２７３】光磁気ディスク用の基板１の材料として、
ＰＣをはじめとするプラスチックが多く用いられるが、
これらの材料はガラスに比べて、非常に柔らかく、爪で
こすっただけでも傷が入ってしまう。この傷は、光ビー
ムで記録再生を行う際にひどい場合には、サーボ飛びを
生じさせ、情報の記録再生が不可能になる場合もある。
【０２７４】本実施例の光磁気ディスクにおいては、光
ビームの中心近傍だけを利用して再生を行うので、基板
１の表面の傷等の欠陥が再生に及ぼす影響が従来の光磁
気ディスクよりも大きくなってしまう。このため、ハー
ドコート層を基板１の記録媒体層９とは反対側の面に設
けることで、傷発生を防ぐことができる本構成は非常に
有効である。
【０２７５】また、両面タイプにおいても、光磁気ディ
スクのそれぞれの基板１・１の表面にハードコート層を
設ければ、同様の効果があることは明らかである。
【０２７６】第３のバリエーションは、上記第１、第２
のバリエーションのオーバーコート層７上、あるいは、
ハードコート層上に更に、帯電防止コート層（図示され
ていない）、あるいは、帯電防止機能を付加させた層を
形成した光磁気ディスクである。
【０２７７】基板１の表面にゴミ、ほこりが付くと、傷
と同様に情報の記録再生が不可能となる場合がある。ま
た、オーバーコート膜７上にほこりが付くと、磁界変調
オーバーライト方式の場合に、磁石を浮上型磁気ヘッド
２２（図２９）として、オーバーコート膜７上を数μｍ
のギャップで配置しているような場合には、ゴミ、ほこ
りが浮上型磁気ヘッド２２、記録媒体層２９の損傷を生
じさせてしまう。
【０２７８】本構成のように、基板１側の表面または記
録媒体層２９側表面に帯電防止機能を有する層が設けら
れた構成を採れば、空気中のゴミ、ほこり等が基板１の
表面あるいはオーバーコート層７上に付着するのを防止
することができる。
【０２７９】本実施例の光磁気ディスクにおいては、光
ビームの中心近傍だけを利用して再生を行うので、基板
１の表面のゴミ、ほこり等の欠陥が再生に及ぼす影響が
従来の光磁気ディスクよりも大きいので、本構成は極め
て有効である。
【０２８０】帯電防止層としては、例えば、導電性フィ
ラーを混入したアクリル系ハードコート樹脂を使用する
ことができ、その膜厚は約２〜３μｍが適当である。
【０２８１】また、帯電防止層は、プラスチックの基板
１、ガラスの基板１を問わず、表面抵抗率を下げ、ゴ
ミ、ほこり等を付きにくくする目的で設けられる。
【０２８２】また、当然のことながら、オーバーコート
層６またはハードコート層に帯電防止効果を付加させて
も良い。
【０２８３】また、両面タイプにおいても、光磁気ディ
スクのそれぞれの基板１・１の表面に対して、本構成を
適用できることは明らかである。
【０２８４】第４のバリエーションは、オーバーコート
層７上に潤滑層（図示されていない）を形成した光磁気
ディスクであり、基板１／記録媒体層２９／オーバーコ
ート層７／潤滑層の構造を有している。潤滑層として
は、例えば、フッ素系樹脂を使用することができ、その
膜厚は約２μｍが適当である。
【０２８５】潤滑層を設けることで、磁界変調オーバー
ライト方式で浮上型磁気ヘッド２２を用いた場合、浮上
型磁気ヘッド２２と光磁気ディスクとの間の潤滑性を向
上させることができる。
【０２８６】すなわち、浮上型磁気ヘッド２２は記録媒
体層２９上に数μｍから数十μｍのギャップを保ちなが
ら情報の記録を行うために配置されるものであり、浮上
型磁気ヘッド２２を記録媒体層２９に押し付けるよう働
くサスペンション２３による押圧と、光磁気ディスクの
高速回転による空気流により発生して浮上型磁気ヘッド
２２を記録媒体層２９から離すように働く浮上力をバラ
ンスして、上記ギャップが保たれる。
【０２８７】このような浮上型磁気ヘッド２２を用い
て、光磁気ディスクの回転開始時、所定回転数に達する
までの時間、及び、回転終了時、所定回転数より停止に
至るまでの間、浮上型磁気ヘッド２２と光磁気ディスク
とが接するＣＳＳ（Contact-Start-Stop）方式を採用す
る場合には、浮上型磁気ヘッド２２と光磁気ディスクと
が吸着すると、光磁気ディスクの回転開始時、浮上型磁
気ヘッド２２が破損されることがある。しかしながら、
本実施例の光磁気ディスクによれば、オーバーコート層
７上に潤滑膜を設けたので、浮上型磁気ヘッド２２と光
磁気ディスクとの間の潤滑性が向上し、吸着による浮上
型磁気ヘッド２２の破損を防止できる。
【０２８８】当然のことながら、記録媒体層２９の劣化
を防ぐ、耐湿保護性能も兼ね備えた材料であれば、オー
バーコート層７と潤滑層を別々に設ける必要はない。
【０２８９】第５のバリエーションは、基板１の記録媒
体層２９とは反対側の面に透湿防止層（図示されていな
い）と第２のオーバーコート層（図示されていない）と
を積層した光磁気ディスクであり、オーバコート層／透
湿防止層／基板１／記録媒体層２９／オーバコート層７
の構造を有している。
【０２９０】透湿防止層には、例えば、A1N, A1SiN, Si
N, A1TaN, SiO, ZnS, TiO2等の透明誘電体材料を使用で
き、その膜厚は５nm程度が適当である。第２のオーバコ
ート層は、特に基板１としてＰＣ等の吸湿性の高いプラ
スチックを基板１に用いた場合に有効である。
【０２９１】透湿防止層は、環境湿度変化に対する光磁
気ディスクの反り変化を低く押さえる効果を有してい
る。これについて、以下に説明する。
【０２９２】基板１の光入射側にこの透湿防止膜がない
場合は、例えば環境湿度が大きく変化した場合に、記録
媒体層２９のない側、すなわち基板１の入射光側からの
みプラスチックの基板１に水分が吸湿されたり放湿され
たりする。この吸湿、放湿によりプラスチックの基板１
には局部的な体積変化が生じ、プラスチックの基板１に
反りが生じてしまう。
【０２９３】この光磁気ディスクの反りは、情報の再
生、記録等に用いられる光ビームの光軸に対して基板１
が傾いた状態になるため、サーボがずれて信号品質が劣
化したり、ひどい場合にはサーボ飛びが生じたりしてし
まう。
【０２９４】また、基板１にチルトが存在すると光学ヘ
ッド２１（図２９）からのレーザー光は、傾いた記録媒
体層２９の面に集光されることになり、チルトの状態に
応じて集光状態が変化することになり、記録再生に悪影
響を及ぼす。
【０２９５】更に、基板１が光学ヘッド２１に対して上
下に移動した場合、光学ヘッド２１はその上下動を補償
し記録媒体層２９の面にレーザー光を集光すべく動作す
るが、上下動が大きくなり過ぎると光学ヘッド２１の補
償動作が不完全なものとなり、記録媒体層９の面でのレ
ーザー光の集光状態は不完全なものとなる。レーザー光
の集光状態が不完全なものとなると記録媒体層２９の温
度分布が変化することになり、記録再生に影響を及ぼ
す。本実施例においては、再生時の記録媒体層２９の温
度分布が特に重要となってくるため、極力基板１の反
り、環境による反り変化を押さえることが必要となって
くる。
【０２９６】本構成の光磁気ディスクであれば、透湿防
止層があることにより基板１の表面側における水分の吸
湿、放出がなくなるため、環境変化時の基板１の反りを
大幅に押さえることができ、上記説明の通り、本発明の
光磁気ディスクに特に適した構成となる。
【０２９７】尚、透湿防止層上の第２のオーバコート層
は、透湿防止層への傷発生の防止、基板１の表面の保護
等の目的で設けられており、その材料は、記録媒体層２
９上のオーバコート層７と同じでも良い。
【０２９８】更に、本構成に加えて前述の、例えば、ハ
ードコート層あるいは帯電防止層を第２のオーバコート
層の代わりに、あるいはその上に設けても良い。
【０２９９】本発明の第５実施例を図３２に基づいて説
明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前
記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【０３００】本実施例の光磁気記録媒体は、図３２に示
すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３ａ、
記録層４、記録補助層５、放熱層１２、オーバコート層
７がこの順に積層された構成を有している。
【０３０１】放熱層１２には、例えば、Ａｌを使用で
き、その膜厚は、約１００ｎｍが適当である。基板１、
透明誘電体層２、読み出し層３ａ、記録層４、記録補助
層５、オーバコート層７には、前記実施例と同一の材料
を使用できる。
【０３０２】本実施例の光磁気記録媒体は、前記第２実
施例で示した光磁気記録媒体の記録補助層５上に放熱層
１２を設けた構成になっており、第２実施例で示した作
用効果に加え、以下に示す作用効果を示す。
【０３０３】記録補助層５上に放熱層１２を設けたの
で、記録の際に、記録ビット形状をよりシャープにする
効果がある。これは、次の理由による。
【０３０４】入射面側から入射された光ビームは、その
ほとんどが読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層
５に吸収され熱に変わる。この時、熱は読み出し層３
ａ、記録層４および記録補助層５の厚さ方向に伝導する
とともに、層内方向、つまり横方向にも伝導する。この
横方向への熱伝導量が多く、かつ、熱伝導する速度が遅
いと、例えば、より高速に、高い記録密度で記録を行お
うとする場合、次に記録しようとする記録ビットに対し
て熱的な悪影響を及ぼす。このため、既定の長さよりも
長い記録ビットになってしまったり、あるいはガイドト
ラックに対して横方向に広がった記録ビットが形成され
たりする。横方向に記録ビットが広がってしまうと、ク
ロストーク量の増加につながり、良好な記録再生を行う
ことができない。
【０３０５】本実施例では、熱伝導の高いＡｌ等の放熱
層１２を記録補助層５上に形成しているので、横方向へ
の熱の広がりを放熱層１２側、つまり厚さ方向へ逃がす
ことができ、上記のような横方向への熱の広がりを低減
させることができる。したがって、より密度の高い、よ
り高速な記録条件下で、熱干渉のない記録を行うことが
可能になる。
【０３０６】また、放熱層１２を設けると、以下に説明
するように、光変調オーバーライト記録の際にも、有利
となる。
【０３０７】放熱層１２があることにより、記録の過程
で、光ビーム照射により一旦昇温した領域が冷えると
き、読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層５のそ
れぞれの層の温度変化に、よりはっきりとした差をもた
せることができる。これにより、より容易に光変調オー
バーライトを実行できる。
【０３０８】放熱層１２の材料として、例えばＡｌは、
読み出し層３ａ、記録層４および記録補助層５に用いら
れる希土類遷移金属合金膜よりもその熱伝導率が高く、
放熱層１２に適した材料である。加えて、透明誘電体層
２にＡｌＮを用いる場合、このＡｌＮは、Ａｌターゲッ
トをArおよびN2ガスで反応性スパッターすることにより
形成されるので、同じＡｌターゲットをArガスでスパッ
ターすることで放熱層１２を容易に形成できる。また、
Ａｌは非常に安価な材料でもある。
【０３０９】本実施例の光磁気記録媒体として、光磁気
ディスクを挙げ、そのサンプル（＃５−１）を以下に示
す。
【０３１０】基板１は、直径８６mm、内径１５mm、厚さ
１．２mmの円盤状のガラスからなっている。基板１の片
側の表面には、図示していないが、光ビーム案内用の凹
凸状のガイドトラックが、ピッチが１．６μｍ、グルー
ブ（凹部）の幅が０．８μｍ、ランド（凸部）の幅が
０．８μｍで形成されている。
【０３１１】基板１のガイドトラックが形成されている
側の面に、透明誘電体層２として、Ａ１Ｎが厚さ８０ｎ
ｍで形成されている。
【０３１２】透明誘電体層２上に、読み出し層３ａ、記
録層４および記録補助層５が形成されている。
【０３１３】読み出し層３ａとして、希土類遷移金属合
金薄膜であるＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍで形成され
ている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.82Ｃ
ｏ0. 18）0.71であり、そのキュリー温度は約２８０℃で
ある。
【０３１４】読み出し層３ａ上に、記録層４として、希
土類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
0.23（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.77であり、そのキュリー温
度は約２００℃である。
【０３１５】上記読み出し層３ａと記録層４の組み合わ
せにより、読み出し層３ａは室温でほぼ面内磁化状態に
あり、１００〜１２５℃で垂直磁化状態に移行する。
【０３１６】記録層４上に、記録補助層５として、希土
類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０ｎ
ｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ0.17
（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.83であり、そのキュリー温度は
約３２０℃である。
【０３１７】記録補助層５上には、放熱層１２として、
Ａ１Ｎが厚さ１００ｎｍで形成されている。
【０３１８】放熱層１２上には、オーバーコート層７と
して、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂
が、厚さ５μｍで形成されている。
【０３１９】放熱層１２の材料は、Ａｌの他、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，ＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒ等のように、読み出し層
３ａ、記録層４および記録補助層５より熱伝導率が大き
い材料であればよい。
【０３２０】放熱層にＡｕ，Ａｇ，Ｃｕを採用した場
合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に優れているので、長
期信頼性が向上する。
【０３２１】放熱層にＳＵＳ，Ｔａ，Ｃｒを採用した場
合、耐酸化性、耐湿性、耐孔食性に極めて優れているの
で、長期信頼性が向上する。
【０３２２】尚、本実施例では、放熱層１２の膜厚を10
0nm としたが、厚くするほど放熱効果は高くなり、加え
て、長期信頼性も向上する。しかしながら、既に説明し
た通り、光磁気ディスクの記録感度にも影響を及ぼすの
で、材料の熱伝導率、比熱に応じた膜厚の設定が必要で
あり、5 〜200nm の範囲が良い。とりわけ、10〜100nm
が好適である。熱伝導率が比較的高く、耐食性に優れた
材料であれば、膜厚は10〜100nm 程度と薄くて済み、製
造時の膜形成に要する時間も短縮することができる。
【０３２３】また、記録補助層５と放熱層１２の間に誘
電体層（図示されていない）を挿入してもかまわない。
誘電体層の膜厚は、10〜100nm の範囲が良い。誘電体層
には、透明誘電体層２と同じ材料を用いれば良く、A1N,
SiN, A1SiN 等、前記実施例で説明した材料を使用でき
る。特に、A1N, SiN, A1SiN 、TiN 、Ａ１ＴａＮ， Ｚ
ｎＳ， ＢＮ等の成分に酸素を含まない窒化膜を用いれ
ば、長期信頼性により優れた光磁気ディスクを提供する
ことができる。
【０３２４】以上の実施例では、光磁気記録媒体として
光磁気ディスクを挙げて説明したが、光磁気カード、光
磁気テープにも本発明を応用できる。なお、光磁気テー
プの場合、リジッドな基板１の代わりに、可撓性のある
テープベース（基体）、例えば、ポリエチレンテレフタ
レートからなるテープベースを用いるとよい。
【０３２５】請求項１の発明に対応する光磁気記録媒体
は、基板１上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土類金属
と遷移金属の合金からなる読み出し層３、記録層４、記
録補助層５が順次積層されており、記録層４は読み出し
層３および記録補助層５と比較して低いキュリー温度Ｔ
C2および高い室温保磁力ＨC2を有し、かつ、各層に垂直
な一定記録磁界ＨB を印加した状態で記録層４をキュリ
ー温度ＴC2近傍まで昇温させたとき、読み出し層３と記
録補助層５の希土類金属の副格子磁気モーメントが反平
行となるように、各層の合金組成が設定されている。
【０３２６】したがって、レーザー光８のパワーを変調
すると、温度上昇および温度下降時に、各層に垂直な方
向の温度分布に差が生じる。このため、記録磁界ＨB の
方向に記録層４の磁化方向を揃えようとする静磁結合力
と、読み出し層３と記録層４の副格子磁気モーメントの
方向を揃えようとする交換結合力と、記録補助層５と記
録層４の副格子磁気モーメントの方向を揃えようとする
交換結合力との釣り合いにより決定される記録層４の磁
化方向がレーザー光８のパワーに応じて反転する。すな
わち、光変調オーバーライトが可能になる。
【０３２７】請求項２の発明に対応する光磁気記録媒体
は、基板１上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土類金属
と遷移金属の合金からなる読み出し層３ａ、記録層４、
記録補助層５が順次積層されており、記録層４は読み出
し層３ａおよび記録補助層５と比較して低いキュリー温
度ＴC2および高い室温保磁力ＨC2を有し、かつ、読み出
し層３ａは室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化状態
にあり昇温すると垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態
に移行し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界ＨB を印加
した状態で記録層４をキュリー温度ＴC2近傍まで昇温さ
せたとき、読み出し層３ａと記録補助層５の希土類金属
の副格子磁気モーメントが反平行となるように、各層の
合金組成が設定されている。
【０３２８】したがって、請求項１の作用効果とほぼ同
様の作用効果があり、しかも、レーザー光８に照射され
た部分の内、中央部のみ垂直磁化状態に移行するように
レーザー光８の強度を調整すれば、レーザースポット径
より小さい記録ビットの再生が可能になる。したがっ
て、記録密度をさらに大きくできる。
【０３２９】請求項３の発明に対応する光磁気記録媒体
は、請求項１または２の光磁気記録媒体の読み出し層３
（または、３ａ）と記録層４との間、または、記録層４
と記録補助層５との間の少なくともいずれか一方に面内
磁化膜からなる中間層１０（または、１１）が形成され
ている。
【０３３０】したがって、請求項１の作用効果に加え、
読み出し層３（または、３ａ）と記録層４との間に働く
交換結合力、あるいは、記録層４と記録補助層５との間
に働く交換結合力を制御できる。これにより、光変調オ
ーバーライトをさらに容易に実行できる。
【０３３１】請求項４の発明に対応する光磁気記録媒体
は、請求項１または３の光磁気記録媒体であって、記録
補助層５の、記録層４とは反対側の面に放熱層１２が形
成されている。
【０３３２】したがって、請求項１または２の作用効果
に加え、記録時、レーザー光８の照射により記録層４が
昇温した際、不要な熱が放熱層１２に伝導する。つま
り、層内方向への熱の伝導が抑制される。これにより、
記録ビット形状がシャープになり、高密度記録が可能に
なる。
【０３３３】請求項５の発明に対応する記録方法は、各
層に垂直な一定記録磁界ＨB を印加した状態で、情報に
応じてレーザー光８をハイパワーとローパワーとに変調
して照射することにより、記録層４と読み出し層３との
間に働く交換結合力および記録層４と記録補助層５との
間に働く交換結合力を制御し、レーザー光８のパワーに
応じて記録層４の磁化を上または下に向ける。
【０３３４】したがって、請求項１の光磁気記録媒体に
対して、光変調オーバーライトを行うことができる。
【０３３５】請求項６の発明に対応する記録再生方法
は、記録時、各層に垂直な一定記録磁界ＨB を印加した
状態で、情報に応じてレーザー光８をハイパワーとロー
パワーとに変調して照射することにより、記録層４と読
み出し層３ａとの間に働く交換結合力および記録層４と
記録補助層５との間に働く交換結合力を制御し、レーザ
ー光８のパワーに応じて記録層４の磁化を上または下に
向け、再生時、上記ローパワーより低く、かつ、レーザ
ー光８に照射された読み出し層３ａの部分の中央部のみ
垂直磁化状態に移行させることができるパワーのレーザ
ー光８を基板側から照射することにより、中央部の希土
類金属の副格子磁気モーメントを記録層４の希土類金属
の副格子磁気モーメントに対して安定な方向に揃え、中
央部の磁化の方向を、極カー効果を利用して読み出すこ
とにより、間接的に記録層４の情報を再生する。
【０３３６】したがって、請求項２の光磁気記録媒体に
対して、光変調オーバーライトおよびレーザースポット
径より小さい記録ビットの再生を行うことができる。
【０３３７】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光磁気記録媒体
は、以上のように、基体上にそれぞれフェリ磁性を示
し、希土類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、
記録層、記録補助層が順次積層されており、記録層は読
み出し層および記録補助層と比較して低いキュリー温度
および高い室温保磁力を有し、かつ、各層に垂直な一定
記録磁界を印加した状態で記録層をキュリー温度近傍ま
で昇温させたとき、読み出し層と記録補助層の希土類金
属の副格子磁気モーメントが反平行となるように、各層
の合金組成が設定されているので、レーザー光のパワー
を変調すると、温度上昇および温度下降時に、各層に垂
直な方向の温度分布に差が生じる。これにより、記録磁
界の方向に記録層の磁化方向を揃えようとする静磁結合
力と、読み出し層と記録層の副格子磁気モーメントの方
向を揃えようとする交換結合力と、記録補助層と記録層
の副格子磁気モーメントの方向を揃えようとする交換結
合力との釣り合いにより決定される記録層の磁化方向が
レーザー光のパワーに応じて反転する。すなわち、光変
調オーバーライトが可能になるという効果を奏する。
【０３３８】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、基体上にそれぞれフェリ磁性を示し、希
土類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、記録
層、記録補助層が順次積層されており、記録層は読み出
し層および記録補助層と比較して低いキュリー温度およ
び高い室温保磁力を有し、かつ、読み出し層は室温で面
内磁気異方性が優位な面内磁化状態にあり昇温すると垂
直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行し、かつ、各
層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で記録層をキュ
リー温度近傍まで昇温させたとき、読み出し層と記録補
助層の希土類金属の副格子磁気モーメントが反平行とな
るように、各層の合金組成が設定されているので、請求
項１の効果とほぼ同様の効果があり、しかも、レーザー
光に照射された部分の内、中央部のみ垂直磁化状態に移
行するようにレーザー光の強度を調整すれば、レーザー
スポット径より小さい記録ビットの再生が可能になる。
その結果、記録密度を大きくできるという効果を奏す
る。
【０３３９】請求項３の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項１または２の光磁気記録媒体の読
み出し層と記録層との間、または、記録層と記録補助層
との間の少なくともいずれか一方に面内磁化膜からなる
中間層が形成されているので、請求項１または２の効果
に加え、読み出し層と記録層との間に働く交換結合力、
あるいは、記録層と記録補助層との間に働く交換結合力
を制御できる。これにより、光変調オーバーライトがさ
らに容易に実行可能になるという効果を奏する。
【０３４０】請求項４の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、請求項１または２の光磁気記録媒体であ
って、記録補助層の、記録層とは反対側の面に放熱層が
形成されているので、請求項１または２の効果に加え、
記録時、レーザー光の照射により記録層が昇温した際、
不要な熱が放熱層に伝導する。つまり、層内方向への熱
の伝導が抑制される。これにより、記録ビット形状がシ
ャープになり、高密度記録が可能になるという効果を奏
する。
【０３４１】請求項５の発明に係る記録方法は、以上の
ように、各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で、
情報に応じてレーザー光をハイパワーとローパワーとに
変調して照射することにより、記録層と読み出し層との
間に働く交換結合力および記録層と記録補助層との間に
働く交換結合力を制御し、レーザー光のパワーに応じて
記録層の磁化を上または下に向けるので、請求項１の光
磁気記録媒体に対して、光変調オーバーライトを行うこ
とができるという効果を奏する。
【０３４２】請求項６の発明に係る記録再生方法は、以
上のように、記録時、各層に垂直な一定記録磁界を印加
した状態で、情報に応じてレーザー光をハイパワーとロ
ーパワーとに変調して照射することにより、記録層と読
み出し層との間に働く交換結合力および記録層と記録補
助層との間に働く交換結合力を制御し、レーザー光のパ
ワーに応じて記録層の磁化を上または下に向け、再生
時、上記ローパワーより低く、かつ、レーザー光に照射
された読み出し層の部分の中央部のみ垂直磁化状態に移
行させることができるパワーのレーザー光を基板側から
照射することにより、中央部の希土類金属の副格子磁気
モーメントを記録層の希土類金属の副格子磁気モーメン
トに対して安定な方向に揃え、中央部の磁化の方向を、
極カー効果を利用して読み出すことにより、間接的に記
録層の情報を再生するので、請求項２の光磁気記録媒体
に対して、光変調オーバーライトおよびレーザースポッ
ト径より小さい記録ビットの再生を行うことができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すものであり、光磁気
記録媒体の概略構成を示す説明図である。
【図２】図１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在する
場合における、各層の保磁力の温度依存性の一例を示す
グラフである。
【図３】図１の光磁気記録媒体の各層が図２の磁気特性
を有する場合における、記録再生プロセスを示す説明図
である。
【図４】図２の各層を積層した場合の保磁力の温度依存
性を示すグラフである。
【図５】図２の各層の極カー回転角の磁界によるヒステ
リシス特性を温度を変えてプロットしたグラフである。
【図６】図１の光磁気記録媒体の記録再生プロセスの他
の例を示す説明図である。
【図７】図１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在する
場合における、保磁力の温度依存性の他の例を示すグラ
フである。
【図８】図１の光磁気記録媒体の各層が図７の磁気特性
を有する場合における、記録再生プロセスを示す説明図
である。
【図９】図１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在する
場合における、保磁力の温度依存性の他の例を示すグラ
フである。
【図１０】図１の光磁気記録媒体の各層が図９の磁気特
性を有する場合における、記録再生プロセスを示す説明
図である。
【図１１】本発明の第２実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略構成を示す説明図である。
【図１２】図１１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在
する場合における、各層の保磁力の温度依存性の一例を
示すグラフである。
【図１３】図１１の光磁気記録媒体の各層が図１２の磁
気特性を有する場合における、記録再生プロセスを示す
説明図である。
【図１４】図１２の各層を積層した場合の保磁力の温度
依存性を示すグラフである。
【図１５】図１２の各層の極カー回転角の磁界によるヒ
ステリシス特性を温度を変えてプロットしたグラフであ
る。
【図１６】図１１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在
する場合における、保磁力の温度依存性の他の例を示す
グラフである。
【図１７】図１１の光磁気記録媒体の各層が図１６の磁
気特性を有する場合における、記録再生プロセスを示す
説明図である。
【図１８】図１１の光磁気記録媒体の各層が単独に存在
する場合における、保磁力の温度依存性のその他の例を
示すグラフである。
【図１９】図１１の光磁気記録媒体の各層が図１８の磁
気特性を有する場合における、記録再生プロセスを示す
説明図である。
【図２０】本発明の第３実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略構成を示す説明図である。
【図２１】本発明の第４実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略構成を示す説明図である。
【図２２】GdX (Fe0.82Co0.18)1-X のキュリー温度(Tc)
と補償温度(Tcomp) の組成依存性を示したグラフであ
る。
【図２３】光磁気ディスクの基板上に形成されたラン
ド、グルーブ形状の一例を示す説明図である。
【図２４】光磁気ディスクの基板上に形成されたラン
ド、グルーブ形状の他の例を示す説明図である。
【図２５】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の一例を示す説明図である。
【図２６】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の他の例を示す説明図である。
【図２７】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルリンググルーブの一例を示す説明図である。
【図２８】光磁気ディスクにおける、複数の光ビームを
用いた場合の記録再生方法を示す説明図である。
【図２９】光磁気ディスクを用いた磁界変調オーバーラ
イト記録方法を示す説明図である。
【図３０】図１の光磁気ディスクの片面タイプを示す説
明図である。
【図３１】図１の光磁気ディスクの両面タイプを示す説
明図である。
【図３２】本発明の第５実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成図である。
【符号の説明】
１ 基板（基体） ２ 透明誘電体層 ３ 読み出し層 ３ａ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 記録補助層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ８ レーザー光 ９ 集光レンズ １０ 中間層 １１ 中間層 １２ 放熱層 ２９ 記録媒体層 ３０ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土
    類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、記録層、
    記録補助層が順次積層されており、記録層は読み出し層
    および記録補助層と比較して低いキュリー温度および高
    い室温保磁力を有し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界
    を印加した状態で記録層をキュリー温度近傍まで昇温さ
    せたとき、読み出し層と記録補助層の希土類金属の副格
    子磁気モーメントが反平行となるように、各層の合金組
    成が設定されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】基体上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土
    類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、記録層、
    記録補助層が順次積層されており、記録層は読み出し層
    および記録補助層と比較して低いキュリー温度および高
    い室温保磁力を有し、かつ、読み出し層は室温で面内磁
    気異方性が優位な面内磁化状態にあり昇温すると垂直磁
    気異方性が優位な垂直磁化状態に移行し、かつ、各層に
    垂直な一定記録磁界を印加した状態で記録層をキュリー
    温度近傍まで昇温させたとき、読み出し層と記録補助層
    の希土類金属の副格子磁気モーメントが反平行となるよ
    うに、各層の合金組成が設定されていることを特徴とす
    る光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】読み出し層と記録層との間、または、記録
    層と記録補助層との間の少なくともいずれか一方に面内
    磁化膜からなる中間層が形成されていることを特徴とす
    る請求項１、２のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】記録補助層の、記録層とは反対側の面に放
    熱層が形成されていることを特徴とする請求項１、２の
    いずれかに記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】基体上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土
    類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、記録層、
    記録補助層が順次積層されており、記録層は読み出し層
    および記録補助層と比較して低いキュリー温度および高
    い室温保磁力を有し、かつ、各層に垂直な一定記録磁界
    を印加した状態で記録層をキュリー温度近傍まで昇温さ
    せたとき、読み出し層と記録補助層の希土類金属の副格
    子磁気モーメントが反平行となるように、各層の合金組
    成が設定されている光磁気記録媒体に情報の記録を行う
    記録方法であって、 各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で、情報に応
    じてレーザー光をハイパワーとローパワーとに変調して
    照射することにより、記録層と読み出し層との間に働く
    交換結合力および記録層と記録補助層との間に働く交換
    結合力を制御し、レーザー光のパワーに応じて記録層の
    磁化を上または下に向けることを特徴とする記録方法。
  6. 【請求項６】基体上にそれぞれフェリ磁性を示し、希土
    類金属と遷移金属の合金からなる読み出し層、記録層、
    記録補助層が順次積層されており、記録層は読み出し層
    および記録補助層と比較して低いキュリー温度および高
    い室温保磁力を有し、かつ、読み出し層は室温で面内磁
    気異方性が優位な面内磁化状態にあり昇温すると垂直磁
    気異方性が優位な垂直磁化状態に移行し、かつ、各層に
    垂直な一定記録磁界を印加した状態で記録層をキュリー
    温度近傍まで昇温させたとき、読み出し層と記録補助層
    の希土類金属の副格子磁気モーメントが反平行となるよ
    うに、各層の合金組成が設定されている光磁気記録媒体
    に情報の記録再生を行う記録再生方法であって、 記録時、各層に垂直な一定記録磁界を印加した状態で、
    情報に応じてレーザー光をハイパワーとローパワーとに
    変調して照射することにより、記録層と読み出し層との
    間に働く交換結合力および記録層と記録補助層との間に
    働く交換結合力を制御し、レーザー光のパワーに応じて
    記録層の磁化を上または下に向け、 再生時、上記ローパワーより低く、かつ、レーザー光に
    照射された読み出し層の部分の中央部のみ垂直磁化状態
    に移行させることができるパワーのレーザー光を基板側
    から照射することにより、中央部の希土類金属の副格子
    磁気モーメントを記録層の希土類金属の副格子磁気モー
    メントに対して安定な方向に揃え、中央部の磁化の方向
    を、極カー効果を利用して読み出すことにより、間接的
    に記録層の情報を再生することを特徴とする記録再生方
    法。
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