JP3071591B2 - 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体の再生方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスク等の光磁気記録媒体の記
録密度は、記録・再生に使用される光ビームの記録媒体
上での大きさ（以下、スポット径と称する）に依存す
る。このため、光ビームのスポット径を小さくすること
により記録密度を高密度化する方法が提案されている。

【０００３】従来より、スポット径を小さくする方法と
しては、例えば、光ビームの波長を短くし、集光レン
ズによる回折を大きくする、集光レンズの開口数(N.
A.)を大きくし、光ビームの絞り込み角度を大きくす
る、等が行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のの方法では、高出力半導体レーザの入手が難し
く、例えば短波長半導体レーザ等を用いて光ビームの波
長を短くすると、光ビーム強度が低くなってしまい、光
磁気記録媒体の記録に使用することが困難となるか、或
いは記録速度の低下を招くこととなる。また、上記従来
のの方法では、集光レンズに対する光磁気記録媒体の
傾きが大きくなると、記録媒体上でのスポット径は逆に
大きくなってしまう。このため、集光レンズの開口数
(N.A.)を大きくするには、光磁気記録装置の組み立て精
度、あるいは光磁気記録媒体の反り量をより一層厳密に
管理する必要が生じ、光磁気記録装置や光磁気記録媒体
の製造工程が煩雑となるという問題を有している。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の再生方法は、上記の課題を解決するために、情報を光
磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に
配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射に
より照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化か
ら垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録
媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の
再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、光磁気
記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レ
ンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集
光レンズに入射させることを特徴としている。

【０００６】また、本発明の光磁気再生装置は、上記の
課題を解決するために、情報を光磁気記録する記録層
と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内
磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定
温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行す
る読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビー
ムを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であっ
て、光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気
記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光源からの
光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を
有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる
光変換手段とを備えていることを特徴としている。

【０００７】

【作用】上記の光磁気記録媒体の再生方法、ならびに光
磁気再生装置によれば、光磁気記録媒体に照射する光ビ
ームのメインロープの径を小さくしてサイドロープが大
きくなっても、サイドロープの照射部分では読み出し層
が面内磁化状態を示すようにできるため、サイドロープ
照射部位を再生に関与させず、光ビームスポットの中心
部付近のみ再生に関与させることができる。これによ
り、高密度記録された光磁気記録媒体から高品質の再生
信号を得ることができる。

【０００８】

【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図３０
に基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、以下の
説明においては、光磁気記録媒体としての光磁気ディス
クを例に挙げることとする。

【０００９】本実施例にかかる光磁気ディスクは、図１
に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、保護層５、オーバーコート層６がこの順
に積層された構成を有している。

【００１０】上記の読み出し層３として使用される希土
類遷移金属合金の磁気状態図は、図２に示すようにな
り、光磁気ディスクが垂直磁化を示す組成範囲（図中、
Ａで示す）が非常に狭い。これは、希土類金属と遷移金
属の磁気モーメントが釣り合う補償組成（図中、Ｐで示
す）の近辺でしか垂直磁化が現れないからである。

【００１１】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントは、それぞれ温度特性が異なり、高温では遷移
金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくな
る。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有
量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁
化を示すようにしておく。すると、光ビームが照射され
ることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移金属
の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属
の磁気モーメントと釣り合うようになり、全体として垂
直磁化を示すようになる。

【００１２】次に、図３ないし図６に、読み出し層３の
膜面に垂直方向に印加された外部印加磁界Ｈ_ex（図中、
横軸）と、膜面に垂直方向から光ビームを入射させたと
きの磁気カー回転角θ_K （図中、縦軸）との関係、即ち
ヒステリシス特性を示す。図３は、図２における補償組
成Ｐでの、室温から温度Ｔ₁ までのヒステリシス特性を
示しており、図４ないし図６は、この順に、温度Ｔ₁ か
ら温度Ｔ₂ までのヒステリシス特性、温度Ｔ₂ から温度
Ｔ₃ までのヒステリシス特性、および温度Ｔ₃からキュ
リー温度Ｔｃまでのヒステリシス特性を示している。

【００１３】図３ないし図６から明らかなように、温度
Ｔ₁ から温度Ｔ₃ までの範囲では、外部印加磁界Ｈ_exに
対して磁気カー回転角θ_K の立ち上がりが急峻なヒステ
リシス特性を示すが、一方、室温から温度Ｔ₁ までの範
囲、および、温度Ｔ₃ からキュリー温度Ｔｃまでの範囲
では、磁気カー回転角θ_K は殆ど０となっていることが
わかる。

【００１４】以上のような特性を備えた希土類遷移金属
合金の薄膜を読み出し層３に使用することで、本実施例
の光磁気ディスクは記録密度を高くしている。尚、本実
施例では、読み出し層３として、例えばＧｄ_0.26 (Ｆｅ
_0.82Ｃｏ_0.18)_0.74 を使用しており、膜厚は50nmであ
る。また、そのキュリー温度Ｔｃは約 300℃である。そ
して、上記した理由で希土類金属の含有量を室温での補
償組成よりも多くしており、読み出し層３の磁化が、温
度Ｔ₁ で面内磁化から垂直磁化に移行するような補償組
成としている。

【００１５】上記の記録層４として、例えばＤｙ_0.23
(Ｆｅ_0.78Ｃｏ_0.22)_0.77 を使用しており、膜厚は50nm
である。また、そのキュリー温度Ｔｃは約 200℃であ
る。これら読み出し層３および記録層４を組み合わせる
ことにより、読み出し層３の磁化は、室温では面内磁化
となり、 100℃〜 125℃程度の温度で面内磁化から垂直
磁化に移行するようになっている。尚、ＤｙＦｅＣｏ
は、その垂直磁気異方性が小さく、そのため、記録時に
用いる外部印加磁界Ｈ_exを低くすることができ、例えば
磁界変調オーバーライトによる記録方式においては、記
録用外部磁界発生装置の小型化、消費電力の低減化を可
能とする。

【００１６】上記の基板１として、例えば直径86mm、内
径15mm、厚さ 1.2mmの円盤状のガラスを使用しており、
透明誘電体層２の側の表面には、例えば反応性イオンエ
ッチング法により、光ビーム案内用のガイドトラックが
ピッチ 1.6μm （グルーブ幅0.8μm 、ランド幅 0.8μm
）で形成されている。

【００１７】上記の透明誘電体層２として、屈折率 2.0
の透明なＡｌＮを使用しており、膜厚は80nmである。こ
のＡｌＮは、窒化膜の一種であり、非常に耐湿性に優れ
ている。また、保護層５として、屈折率 2.0のＡｌＮを
使用しており、膜厚は20nmである。尚、透明誘電体層
２、読み出し層３、記録層４、および保護層５は、例え
ばスパッタリングにより形成されている。即ち、透明誘
電体層２および保護層５は、ＡｌターゲットをＮ₂ ガス
雰囲気、もしくはＡｒガスとＮ₂ ガスの混合ガス雰囲気
でスパッタする、いわゆる反応性ＤＣスパッタリングを
行うことにより形成されている。読み出し層３および記
録層４は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤ
ｙのチップを並べた、いわゆる複合ターゲット、もしく
は、ＧｄＦｅＣｏおよびＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲ
ットを用いて、Ａｒガス雰囲気でスパッタすることによ
り形成されている。

【００１８】上記のオーバーコート層６として、ポリウ
レタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を使用してお
り、膜厚は 5μm である。この紫外線硬化型樹脂は、例
えばスピンコーターにより保護層５上に塗布された後、
紫外線照射装置により紫外線が照射されて硬化されてい
る。

【００１９】尚、上記の読み出し層３の膜厚は、勿論、
50nmに限定されるものではなく、20nm〜 100nm、好まし
くは50nm以上であればよい。読み出し層３の膜厚が20nm
よりも薄いと、読み出し層３の面内磁化による記録層４
のマスク効果が小さくなるために好ましくなく、また、
100nmよりも厚いと、記録層４の情報が転写され難くな
るために好ましくない。また、上記の記録層４の膜厚
は、勿論、50nmに限定されるものではなく、20nm〜 100
nmであればよい。さらに、透明誘電体層２の屈折率は、
例えばスパッタ時における雰囲気ガスの圧力、あるいは
ＡｒガスとＮ₂ ガスの混合比率等を変えることにより変
化させることが可能であり、 1.8〜 2.1が好適である。

【００２０】次に、上記構成の光磁気ディスクに情報の
記録・再生を行う光磁気記録装置の光ヘッドについて説
明する。図７に示すように、光ヘッド５０は、光源であ
る半導体レーザ５１、コリメータレンズ（光変換手段）
５２、整形プリズム５３、ビームスプリッタ５４・５
６、対物レンズ（集光レンズ）５５、レンズ５７・６
１、シリンドリカルレンズ５８、光検出器５９・６３・
６４、 1/2波長板６０、および偏光ビームスプリッタ６
２で構成されている。

【００２１】半導体レーザ５１から出射された光ビーム
は、コリメータレンズ５２により、対物レンズ５５の開
口径ａよりも大きい直径ｗを有する平行光とされる。コ
リメータレンズ５２を透過した光ビームは、整形プリズ
ム５３により円形となされた後、ビームスプリッタ５４
および対物レンズ５５を介して光磁気ディスク７０上の
所定位置に集光される。また、光磁気ディスク７０で反
射された反射光は、対物レンズ５５を透過した後、ビー
ムスプリッタ５４で反射され、ビームスプリッタ５６に
入射される。ビームスプリッタ５６にて２分割された反
射光のうちの一方の光は、レンズ５７およびシリンドリ
カルレンズ５８を介して光検出器５９に導かれ、ここで
フォーカスサーボおよびラジアルサーボを行うための信
号が検出される。２分割された反射光のうちのもう一方
の光は、 1/2波長板６０およびレンズ６１を介して偏光
ビームスプリッタ６２に入射され、再度２分割されて光
検出器６３・６４に導かれ、光磁気信号、即ち光磁気デ
ィスク７０に記録されている情報が検出される。尚、光
ヘッドの構成は、勿論、上記の光ヘッド５０の構成に限
定されるものではなく、後述の如く、 a/wを小さくし
て、メインロープの半径を小さくすることが可能な構成
であればよい。

【００２２】次に、光ビームの直径ｗと、対物レンズ５
５の開口径ａとの関係について説明する。図８および図
９に示すように、光ビームを集光すると、光ビーム強度
分布がガウス分布をなしている円形のメインロープと、
このメインロープの外側に同心円状に発生するサイドロ
ープとを有するスポットが形成される。ここで、開口径
ａよりも光ビームの直径ｗを大きくすればするほど、即
ち、 a/wを小さくすればするほど、メインロープの半径
は小さくなるが、逆に、サイドロープは大きくなり、か
つ、その光ビーム強度も大きくなる。例えば、図１０に
示すように、 a/w＝1.1 の場合には、サイドロープは殆
ど形成されないが、 a/w＝0.5 の場合には、サイドロー
プの形成が顕著となる。尚、 a/w＝0.5 の場合のメイン
ロープの半径（スポットの中心から光ビーム強度が1/e²
となるまでの距離）は、 a/w＝1.1 の場合のメインロー
プの半径の約87％となっている。

【００２３】上記の構成において、図１１に示すよう
に、再生動作時には、基板１の側から対物レンズ５５を
介して再生光ビームが、読み出し層３の膜面に垂直に照
射される。このとき、例えば図１１に示す磁化の向きに
記録層４が記録されているとする。再生光ビームが照射
された読み出し層３は、スポットの中心部付近の部位の
温度が最も上昇する。これは、再生光ビームが、対物レ
ンズ５５により回折限界まで絞り込まれているため、そ
の光ビーム強度分布がガウス分布となり、光磁気ディス
ク上の再生部位の温度分布も略ガウス分布となるからで
ある。

【００２４】ここで、スポットの中心部付近の部位の温
度が先述の温度Ｔ₁ （図２）以上に達するような光ビー
ム強度を有する再生光ビームが照射されたとする。この
とき、スポットの中心部付近以外の部位の温度は温度Ｔ
₁ 未満となる。即ち、読み出し層３において、再生光ビ
ームが照射されたときに温度Ｔ₁ 以上に達する部位の大
きさは、再生光ビームのスポットの大きさよりも小さく
なっている。本実施例では、上記の温度Ｔ₁ 以上の温度
を有する部位のみを再生に関与させるので、再生光ビー
ムのスポットの径よりも小さい記録ビットの再生が行
え、記録密度は著しく向上することになる。

【００２５】そして、温度Ｔ₁ 以上の温度を有する部位
の磁化は、面内磁化から垂直磁化（即ち、図３の状態か
ら図４もしくは図５の状態）に移行する。このとき、読
み出し層３および記録層４の２層間に作用する交換結合
力により、記録層４の磁化の向きが読み出し層３に転写
される。一方、スポットの中心部付近以外の、温度Ｔ₁
未満の温度を有する部位の磁化は、面内磁化の状態が保
持される。この結果、読み出し層３の膜面に垂直に照射
された再生光ビームに対しては、磁気カー効果を示さな
い。

【００２６】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、再生光ビームの中心部付近
のみが磁気カー効果を示すようになり、該部位からの反
射光に基づいて記録層４に記録された情報が再生され
る。そして、光磁気ディスクが回転することにより再生
光ビームが移動して、次の記録ビットを再生するときに
は、先の再生部位の温度は低下して温度Ｔ₁ 未満とな
り、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、
この温度の低下した部位は磁気カー効果を示さなくな
る。従って、該温度の低下した部位からは情報が再生さ
れなくなり、雑音の原因である隣接の記録ビットからの
信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくなる。

【００２７】この光磁気ディスクを使用して、情報の記
録・再生を行えば、再生光ビームの中心部付近のみが磁
気カー効果を示すので、隣接する記録ビットの影響を受
けずに再生光ビームのスポット径よりも小さい記録ビッ
トの再生が行え、記録密度を著しく高めることが可能で
ある。つまり、本実施例の構成によれば、再生光ビーム
が照射されている部位の温度が温度Ｔ₁ 以上まで上昇す
ると、面内磁化から垂直磁化に移行する一方、周辺の部
位を含むその他の部位の温度は温度Ｔ₁ まで上昇しない
ので、面内磁化の状態が保持される。従って、再生光ビ
ームのスポット径よりも小さい記録ビットの再生が確実
に行えると共に、上記の温度Ｔ₁ に達していない部位か
らは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣接の
記録ビットからの信号の混入を回避できる。

【００２８】また、光磁気ディスクにおける記録密度
は、記録・再生に使用される光ビームのスポットの大き
さに左右されるが、上記したようにメインロープの半径
を小さくするとサイドロープが大きくなる。しかしなが
ら、上記の光磁気ディスクは、例えば、上述の如く a/w
を１以下の値とした光ヘッドを用いても、サイドロープ
によって記録ビットが再生される虞れはない。これは、
読み出し層３における、サイドロープが照射されている
部位に多少の温度上昇が生じても、この部位の磁化は面
内磁化の状態が保持され、磁気カー効果を示さないため
である。従って、メインロープによって再生された記録
ビットの信号に、サイドロープが照射された記録ビット
からの信号が混入することはない。これにより、 a/wを
小さくして、即ち、対物レンズ５５の開口径ａよりも光
ビームの直径ｗを大きくし、メインロープの半径を小さ
くしても、良好な記録・再生が行えるので、光磁気ディ
スクにおける記録密度を高密度化することが可能となっ
ている。

【００２９】次に、上記構成の光磁気ディスクを使用し
て、情報の記録・再生を行った具体例を示す。先ず、上
記構成の光磁気ディスクの磁気特性について説明する。
読み出し層３のヒステリシス特性を、温度を変えて測定
した測定結果を図１２および図１３に示す。室温（25
℃）でのヒステリシス特性を示す図１２から、室温にお
いては、外部印加磁界Ｈ_exが０のときに、磁気カー回転
角θ_K が殆ど０であることがわかる。これは、読み出し
層３の磁化が、面内磁化となっていることを示してい
る。また、 120℃でのヒステリシス特性を示す図１３か
ら、 120℃においては、外部印加磁界Ｈ_exが０のとき
に、磁気カー回転角θ_K が約0.5degであることがわか
る。これは、読み出し層３の磁化が、垂直磁化に移行し
ていることを示している。

【００３０】次に、 a/w＝1.1 、光ビームの波長 780n
m、対物レンズ５５の開口数(N.A.)0.55の光ヘッドを用
いて再生信号の振幅を測定した測定結果について説明す
る。先ず、光磁気ディスクの中心から26.5mmのところに
形成されているランドに、回転数 1800rpm（線速5m/s）
で、長さ 0.765μm の単一周波数記録ビットを予め記録
した。この記録は、記録層４の磁化の向きを一方向に揃
えて消去状態とし、その後、記録用外部磁界の方向をこ
れとは逆方向に固定して、長さ 0.765μm に相当する記
録周波数（約3.3MHz）で光ビームを変調することにより
行った。また、記録光ビーム強度は、約 8mWであった。
この記録ビット列を再生光ビーム強度を変えて再生し、
再生信号の振幅を測定した測定結果を図１４に示す。
尚、図中、再生光ビーム強度を横軸、再生信号の振幅を
縦軸とし、 0.5mW〜 3mWの範囲で測定して、 0.5mWのと
きの振幅で規格化した。同図において、曲線Ａが本実施
例の光磁気ディスクの測定結果である。また、曲線Ｂは
以下に示す比較光磁気ディスクの測定結果である。

【００３１】上記の比較光磁気ディスクは、基板１に、
ＡｌＮ層80nm、ＤｙＦｅＣｏからなる磁性層20nm、Ａｌ
Ｎ層25nm、ＡｌＮｉ層30nm、オーバーコート層６をこの
順に積層した構成となっている。即ち、希土類遷移金属
合金であるＤｙＦｅＣｏの薄膜の両側に誘電体層である
ＡｌＮ層を形成し、反射層であるＡｌＮｉ層を設けた構
成（いわゆる反射膜構造）となっている。また、磁性層
は、室温から高温までの間で垂直磁化を有している。

【００３２】また、直線Ｃは、原点および 0.5mWでの振
幅規格値を通り、再生光ビーム強度と再生信号の振幅と
の比例関係を表しており、次式で示される。即ち、 再生信号の振幅∝媒体反射光量×磁気カー回転角θ_K （但し、媒体反射光量は再生光ビーム強度に比例して増
加する値である。）光磁気ディスクの再生信号の振幅
は、再生光ビーム強度の増加に伴い増大し、2mW〜2.25m
Wで最大となる。また、曲線Ａが直線Ｃよりも上側に存
在することから、再生光ビーム強度の増加量以上に再生
信号の振幅が増加していることがわかる。このことは、
読み出し層３が、温度の低いときには磁気カー回転角θ
_K が殆ど０であり、温度の上昇に伴い急激に面内磁化か
ら垂直磁化に移行することを示している。一方、比較光
磁気ディスクの再生信号の振幅（曲線Ｂ）が直線Ｃより
も下側に存在するのは、以下の理由による。即ち、再生
光ビーム強度を増加させると、媒体反射光量は増加する
が、反面、磁性層の温度も上昇する。磁性層の磁化は、
一般に温度の上昇に伴い減少し、キュリー温度Ｔｃで０
になる性質を有している。従って、比較光磁気ディスク
においては、温度の上昇に伴い磁気カー回転角θ_K が小
さくなり、直線Ｃよりも常に下側の値となる。

【００３３】続いて、記録ビットをより小さくしたとき
の再生信号の品質の変化を測定した測定結果について説
明する。先ず、先程と同一の条件・装置で、記録周波数
を変更して記録を行い、記録ビット長さに対する再生信
号の信号品質(C/N) を測定した測定結果を図１５に示
す。同図において、曲線Ａが再生光ビーム強度を2.25mW
とした本実施例の光磁気ディスクの測定結果である。ま
た、曲線Ｂは再生光ビーム強度を 1mWとした比較光磁気
ディスクの測定結果である。長さが 0.6μm 以上の記録
ビットにおいては、両者に殆ど差が見られないものの、
長さが 0.6μm 未満の記録ビットにおいては、曲線Ａが
曲線Ｂよりも上側に存在しており、本実施例の光磁気デ
ィスクの再生信号の品質が良好であることがわかる。特
に、光学的分解能（後述する）の限界である 0.355μm
よりも短い記録ビットにおいても、凡そ30dBの信号品質
C/Nが得られた。

【００３４】一方、比較光磁気ディスクは、長さが 0.6
μm 未満の記録ビットにおいて急激に信号品質 C/Nが低
下している。これは、記録ビット長さが小さくなるに伴
い、再生光ビームのスポットの中に存在する記録ビット
の数（あるいは面積）が増加し、個々の記録ビットを識
別できなくなるためである。一般に、光ヘッドの光学的
分解能を表す指標として、カットオフ空間周波数があ
り、この値は、光ビームの波長と対物レンズの開口数N.
A.により定まる。例えば、上記の測定に用いた光ヘッド
のそれぞれの値（波長 780nm、開口数(N.A.)0.55）を用
いてカットオフ空間周波数を算出し、記録ビット長さに
換算すると、 780nm／(2×0.55) ／2 ＝ 0.355μm となる。即ち、上記の測定に用いた光ヘッドの光学的分
解能の限界は、記録ビット長さが 0.355μm である。従
って、比較光磁気ディスクでは、記録ビット長さ 0.355
μm において、信号品質 C/Nが略０となっている。

【００３５】以上のことから、本実施例の光磁気ディス
クは、光学的回折限界よりも小さな記録ビットの再生が
可能となり、記録密度を向上させることが可能となる。

【００３６】また、 a/w＝0.8 の光ヘッドを用い、上記
と同様にして信号品質 C/Nを測定したところ、本実施例
の光磁気ディスクでは、上述のメインロープの半径が a
/w＝1.1 の光ヘッドを用いたときの半径よりも小さくな
ったことにより、記録ビット長さが 0.355μm におい
て、信号品質 C/Nが 5dB以上改善された。尚、 a/w＝0.
5 の光ヘッドを用いた場合も、同様の測定結果が得られ
た。

【００３７】続いて、再生光ビーム強度とクロストーク
量との関係を測定した測定結果について説明する。測定
結果を図１６に示す。同図において、曲線Ａが本実施例
の光磁気ディスクの測定結果であり、曲線Ｂが比較光磁
気ディスクの測定結果である。一般に、光磁気ディスク
においては、例えばランド仕様であれば、ランドの幅を
広くし、グルーブの幅を狭くしたガイドトラックを形成
して、ランドのみを記録・再生に用いる。そして、クロ
ストークは、ランド仕様であれば、任意のランドの情報
を再生しているときに、その両隣のランドの情報が再生
されて混入することにより発生する。例えばIS 10089規
格では、ピッチ 1.6μm のガイドトラックにおいて、長
さが 0.765μm の記録ビットに対するクロストーク量が
−26dB以下であることが定められている。そこで、上記
のIS 10089規格に定められたクロストーク測定法に基づ
き、長さが 0.765μm の記録ビットに対するクロストー
ク量を、グルーブ幅 0.8μm 、ランド幅 0.8μm の基板
１を用いて測定した。本実施例の光磁気ディスクでは、
略−30dBで上記のIS 10089規格をクリアする値が得られ
たのに対し、比較光磁気ディスクでは、略−15dBとな
り、IS 10089規格をクリアする値が得られなかった。こ
の理由を以下に説明する。

【００３８】光磁気ディスクには、図１７に示すよう
に、ランド７１…およびグルーブ７２…にそれぞれ記録
ビット７３…が形成されている。ここで、或るランド７
１にサーボを掛けると、再生光ビームのスポット７４内
には、７個の記録ビット７３…が入ることになる（但
し、スポット７４の直径を1.73μm （エアリーディスク
径：1.22× 780nm／0.55）、また、説明の便宜上、記録
ビット７３…の直径を 0.355μm とする）。本実施例の
光磁気ディスクでは、スポット７４中心部付近の、周囲
よりも温度の高い部分７４ａが照射されている記録ビッ
ト７３ａの磁化のみが垂直磁化に移行し、スポット７４
におけるそれ以外の部分７４ｂが照射されている記録ビ
ット７３…の磁化は面内磁化のまま保持される。従っ
て、このようにスポット７４内に複数の記録ビット７３
…が入っていても、再生されるのは記録ビット７３ａだ
けとなる。即ち、スポット７４よりも記録ビット７３が
小さくてもクロストーク量を小さくすることが可能とな
る。

【００３９】一方、比較光磁気ディスクでは、スポット
７４が照射されている全ての記録ビット７３…の磁化が
垂直磁化に移行し、磁気カー効果を示すようになるた
め、これら記録ビット７３…からの信号を個々に分離す
ることができなくなる。即ち、スポット７４よりも記録
ビット７３…が小さいと、クロストーク量が大きくなっ
てしまう。

【００４０】以上のことから、本実施例の光磁気ディス
クは、比較光磁気ディスクよりも、クロストーク量の値
等から明らかなように、少なくとも 2倍以上に記録密度
を高密度化することが可能であることがわかる。

【００４１】また、 a/w＝0.8 の光ヘッドを用い、上記
と同様にしてクロストーク量を測定したところ、本実施
例の光磁気ディスクでは、−30dB以下の値が得られ、ク
ロストークが殆ど起こっていないことがわかった。これ
に対し、比較光磁気ディスクでは、−10dB〜−12dBとな
り、 a/wを小さくした光ヘッドを用いると、上述のサイ
ドロープによる隣接の記録ビットの再生が行われ、信号
の混入が一層大きくなることがわかった。尚、 a/w＝0.
5 の光ヘッドを用いた場合も、同様の測定結果が得られ
た。従って、サイドロープの出現が顕著となる a/w＜１
の範囲において、特に、本実施例の光磁気ディスクと比
較光磁気ディスクとの効果の差が顕著に現れることがわ
かる。

【００４２】以上の種々の測定結果から、本実施例の光
磁気ディスクは、再生時に、 a/wを小さく、即ちメイン
ロープの半径を小さくした光ヘッドを用いることによ
り、読み出し層３における、メインロープの中心部付近
の温度の高い部分が照射された部位の磁化のみが面内磁
化から垂直磁化に移行され、記録層４の情報が読み出さ
れると共に、サイドロープによる信号の混入が低減され
る。これにより、記録密度を高密度化することが可能と
なる。

【００４３】尚、上記種々の測定においては、光ヘッド
の対物レンズの開口数(N.A.)0.55、光ビームの波長 780
nmとしたが、開口数N.A.や波長は、これら値に限定され
るものではない。開口数N.A.を 0.6〜0.95としたり、あ
るいは波長 670nm〜 680nmの半導体レーザ光や、波長 4
80nmのＡｒレーザ光、第二高周波発生素子（ＳＨＧ素
子）を用いた波長 335nm〜 600nmのレーザ光を使用する
ことにより、光ビームのスポット径を小さくすれば、光
磁気ディスクの記録密度は更に向上する。

【００４４】また、読み出し層３は、上記のＧｄ_0.26
(Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.74 に限定されるものではない。
読み出し層３としては、室温以上に補償温度を有し、該
補償温度付近で垂直磁化を示すものが良く、上記したよ
うに、希土類遷移金属合金が好適である。所定の組成範
囲の希土類遷移金属アモルファス合金は、希土類の磁化
と遷移金属の磁化が釣り合う補償温度を有する。

【００４５】ここで、Ｇｄ_x ( Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_1-xに
おいて、キュリー温度Ｔｃと補償温度Ｔ_compの組成依存
性について図１８を参照しながら以下に説明する。但
し、補償温度Ｔ_compは、保磁力（Ｈｃ）が無限大となる
温度であり、キュリー温度Ｔｃは、保磁力Ｈｃが０とな
り磁化が消失する温度である。

【００４６】図１８から明らかなように、補償温度Ｔ
_compが室温（25℃）以上となる組成範囲は、ｘ≧0.18で
あり、好ましくは、0.19＜ｘ＜0.29である。この範囲で
あれば、読み出し層３の磁化が面内磁化から垂直磁化に
移行する温度が室温〜 200℃となる。尚、この温度が高
くなると、再生光ビーム強度を記録光ビーム強度と同程
度の強度にしなければならず、記録層４への記録がなさ
れる虞れが生じるために好ましくない。

【００４７】次に、Ｇｄ_x ( Ｆｅ_1-y Ｃｏ_y )_1-xにおい
て、キュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔ_comp
の組成依存性とについて図１９および図２０を参照しな
がら以下に説明する。先ず、Ｃｏの組成比ｙが０の場
合、即ち、Ｇｄ_x Ｆｅ_1-x の場合は、図１９に示すよう
なキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔ_compの
組成依存性とを示し、同図より明らかなように、Ｇｄの
組成比ｘが0.24＜ｘ＜0.35で補償温度Ｔ_compが室温以上
となり、例えばＧｄの組成比ｘが 0.3のときには、キュ
リー温度Ｔｃは約 200℃、補償温度Ｔ_compは約 120℃で
ある。また、Ｆｅの組成比(1-y) が０の場合、即ち、Ｇ
ｄ_x Ｃｏ_1-x の場合は、図２０に示すようなキュリー温
度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔ_compの組成依存性と
を示し、同図より明らかなように、Ｇｄの組成比ｘが0.
20＜ｘ＜0.35で補償温度Ｔ_compが室温以上となり、例え
ばＧｄの組成比ｘが 0.3のときには、キュリー温度Ｔｃ
は約400℃、補償温度Ｔ_compは約 220℃である。

【００４８】以上のことから、Ｇｄの組成比ｘを同一と
しても、Ｃｏの組成比ｙが大きくなると、キュリー温度
Ｔｃおよび補償温度Ｔ_compが上昇することがわかる。そ
して、再生時の磁気カー回転角θ_K が大きいほど、高い
信号品質 C/Nが得られることから、読み出し層３のキュ
リー温度Ｔｃは高いほうが有利となるが、反面、Ｃｏの
組成比ｙを大きくすると面内磁化から垂直磁化に移行す
る温度が高くなる。このため、Ｇｄ_x ( Ｆｅ_1-y Ｃ
ｏ_y )_1-xにおけるＣｏの組成比ｙは、 0.1＜y ＜0.5 が
好ましい。但し、読み出し層３の特性は、読み出し層３
および記録層４間に働く磁気的な交換結合力により、記
録層４の材料や組成、膜厚等の影響を受ける。従って、
読み出し層３は、記録層４に応じた最適の組成や膜厚等
となるようにすればよい。

【００４９】同様に、Ｔｂ_x ( Ｆｅ_y Ｃｏ_1-y )_1-xは、
Ｔｂの組成比ｘが0.20＜ｘ＜0.30（このとき、Ｆｅの組
成比ｙは任意）で補償温度Ｔ_compが室温以上となる。ま
た、Ｄｙ_x ( Ｆｅ_y Ｃｏ_1-y )_1-xは、Ｄｙの組成比ｘが
0.24＜ｘ＜0.33（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で
補償温度Ｔ_compが室温以上となる。さらに、Ｍｏ_x (Ｆ
ｅ_y Ｃｏ_1-y )_1-xは、Ｍｏの組成比ｘが0.25＜ｘ＜0.45
（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で補償温度Ｔ_comp
が室温以上となる。

【００５０】また、希土類遷移金属合金の磁気カー回転
角θ_K は、波長依存性を有しており、一般に、光ビーム
の波長が短くなると磁気カー回転角θ_K は減少するが、
上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｐｔお
よびＰｄのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添加
することにより、希土類遷移金属合金の特性を損なうこ
となく、光ビームの波長が短い場合においても、磁気カ
ー回転角θ_K の大きさを維持することが可能となる。さ
らに、上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の
元素を微量に添加することにより、水分や酸素の侵入に
よる希土類遷移金属合金の酸化を低減することが可能と
なり、希土類遷移金属合金の耐環境性が向上する。

【００５１】また、記録層４は、上記のＤｙＦｅＣｏに
限定されるものではない。記録層４としては、室温およ
びキュリー温度Ｔｃ間で垂直磁化を示し、そのキュリー
温度Ｔｃが 150℃〜 250℃であればよい。例えば、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ、およびＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属
合金が好適である。また、上述の各種希土類遷移金属合
金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの
少なくとも一種類の元素を微量に添加することにより、
希土類遷移金属合金の耐環境性が向上する。

【００５２】次に、上記の透明誘電体層２の膜厚は、勿
論、80nmに限定されるものではなく、その屈折率や、再
生光ビームの波長等により適宜設定すればよい。透明誘
電体層２の膜厚は、読み出し層３の磁気カー回転角θ_K
を光ビームの干渉効果を用いて増大させる、いわゆるカ
ー効果エンハンスメントを考慮して決定すればよく、ま
た、再生時の信号品質 C/Nを大きくするには、磁気カー
回転角θ_K を大きくすればよい。例えば、波長 780nmの
再生光ビームに対しては、透明誘電体層２の膜厚は30nm
〜 120nm、好ましくは70nm〜 100nmとすればよい。ま
た、例えば、波長400nmの再生光ビームに対しては、透
明誘電体層２の膜厚を上記の略半分とすればよい。さら
に、透明誘電体層２の材質、あるいは屈折率が異なる場
合には、屈折率に膜厚を乗じた値である光路長（例え
ば、屈折率 2.0、膜厚80nmのときには160nmとなる）が
等しくなるように、上記の膜厚を設定すればよい。そし
て、屈折率が大きければ膜厚を薄くすることができ、ま
た、カー効果エンハンスメントを大きくすることができ
る。

【００５３】また、上記の保護層５の膜厚は、勿論、20
nmに限定されるものではなく、 1nm〜 200nmとすればよ
い。但し、保護層５および透明誘電体層２の熱伝導率お
よび熱容量（比熱）が記録層４の記録感度に影響を与え
るので、例えば記録感度を上げるためには保護層５の膜
厚を薄くすればよい。

【００５４】尚、透明誘電体層２および保護層５は、上
記のＡｌＮに限定されるものではなく、ＡｌＮ以外に、
例えば、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯ
Ｎ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂ 、Ｂａ
ＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 等が好適である。透明誘電体層
２および保護層５を同一の材料で形成することにより、
光磁気ディスクの生産性を向上させることができる。

【００５５】さらに、基板１は、上記のガラスに限定さ
れるものではなく、例えば、化学強化されたガラス、ガ
ラス表面に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる2P
層付きガラス、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタ
クリレート(PMMA)、アモルファスポリオレフィン(APO)
、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化ビニル(PVC) 、エポキ
シ樹脂等を用いることができる。そして、化学強化され
たガラスを基板１として使用した場合には、硬度が大
きいので傷が付き難く割れ難いこと、化学的に安定で
各種溶剤に不溶であること、帯電し難いので埃・塵が
付着し難いこと、面振れ、偏心、反り、傾き等の機械
的特性、耐湿性、耐酸化性、耐熱性に優れていることか
ら、光磁気ディスクの信頼性が向上すると共に、光学
特性に優れていることから、高い信号品質 C/Nを得るこ
とが可能となる。尚、化学強化されたガラスにガイドト
ラックおよびプリピットを形成するには、例えば反応性
ドライエッチング法を行えばよい。また、2P層付きガラ
スにガイドトラック等を形成するには、例えばスタンパ
を紫外線硬化型樹脂層に押圧した後、紫外線を照射して
樹脂層を硬化させればよい。また、上記の各種プラスチ
ックを基板１として使用した場合には、これらプラスチ
ックは射出成型可能なため大量生産することができ、生
産性が向上する。

【００５６】尚、基板１に用いられる材料は、以下に示
す各種光学特性および機械的特性を満足すれば、上記の
材料に限定されない。即ち、屈折率：1.44〜1.62、
複屈折（平行光で測定された往復複屈折）： 100nm以
下、透過率：90％以上、厚さ変動：± 0.1mm、チ
ルト：10mrad以下（好ましくは 5mrad以下）、面振れ
加速度：10m/s²以下、径方向加速度： 3m/s²以下。

【００５７】次に、上記構成の光ヘッドにおいて、対物
レンズにより集光された光ビームを光磁気ディスクの所
定位置に導く方法としては、スパイラル状もしくは同心
円状のガイドトラックを用いた連続サーボ方式、あるい
は、スパイラル状もしくは同心円状のピット列を用いた
サンプルサーボ方式が一般的である。

【００５８】通常、連続サーボ方式が行われる光磁気デ
ィスクは、図２１に示すように、基板１上に、例えば、
幅 0.2μm 〜 0.6μm 、深さλ／(8n)のグルーブ８２…
と、記録ビット７３…を有するランド８１…とからなる
ピッチｄ 1.2μm 〜 1.6μmのガイドトラックが形成さ
れている（但し、λは光ビームの波長、ｎは基板１の屈
折率である）。しかしながら、本実施例の光磁気ディス
クは、スポット７４内における隣接の記録ビット７３…
によるクロストーク量が小さいため、グルーブ８２…の
幅を 0.1μm 〜 0.4μm 、ガイドトラックのピッチｄを
0.5μm 〜 1.2μm としても、良好な記録・再生を行う
ことができ、記録密度を高密度化することが可能となっ
ている。また、図２２に示すように、基板１上に、例え
ば、同一の幅を有するグルーブ８４…とランド８３…と
からなるピッチｄ 0.8μm 〜 1.6μm のガイドトラック
が形成され、グルーブ８４…およびランド８３…にそれ
ぞれ記録ビット７３…が設けられている場合において
も、本実施例の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を
行うことができる。さらに、図２３に示すように、グル
ーブ８８…をウォブリングさせることによりディスクの
位置情報を得る場合においても、本実施例の光磁気ディ
スクは、ランド８７を挟んでウォブリング状態が逆位相
となった隣接のグルーブ８８の記録ビットからのクロス
トークが発生しないので、良好な記録・再生を行うこと
ができる。

【００５９】また、通常、サンプルサーボ方式が行われ
る光磁気ディスクは、図２４に示すように、基板１上
に、例えば、ピッチ 1.2μm 〜 1.6μm 、深さλ／(4n)
のウォブルピット８５…が形成されており、光ビームが
図中の一点鎖線上を常に走査するようになっている。し
かしながら、本実施例の光磁気ディスクは、スポット７
４内における隣接の記録ビット７３…によるクロストー
ク量が小さいため、ウォブルピット８５…のピッチを
0.5μm 〜 1.2μm としても、良好な記録・再生を行う
ことができ、記録密度を高密度化することが可能となっ
ている。また、図２５に示すように、基板１上に、例え
ば、ピッチ 0.8μm 〜 1.6μm のウォブルピット８５…
が形成され、ウォブルピット８５…が逆極性で存在する
位置に記録ビット７３…が設けられている場合において
も、本実施例の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を
行うことができる。

【００６０】ここで、本実施例にかかる光磁気ディスク
の記録方法について説明すると、以下の通りである。上
述のように本実施例の光磁気ディスクは、記録・再生・
消去を行うことができ、磁界変調オーバーライトや光変
調オーバーライト等による記録方法が可能となってい
る。

【００６１】先ず、磁界変調オーバーライトによる記録
方法について説明する。図２６に示すように、磁界変調
オーバーライトを行う光磁気記録装置は、記録・再生時
に光ビームを照射する光源および光磁気ディスク７０か
らの反射光を受光する受光素子を内蔵した光ヘッド９０
と、この光ヘッド９０と機械的もしくは電気的に連結さ
れた浮上型磁気ヘッド９１とを備えている。浮上型磁気
ヘッド９１は、浮上スライダー９２と、ＭｎＺｎフェラ
イト等からなるコアにコイルが巻回された磁気ヘッド９
３とを有しており、サスペンション９４により光磁気デ
ィスク７０側に付勢されて、光磁気ディスク７０から数
μm 〜数十μm 程度離れた位置に浮上している。

【００６２】この状態で光ヘッド９０および浮上型磁気
ヘッド９１を光磁気ディスク７０の所定位置に移動さ
せ、光ヘッド９０から光磁気ディスク７０の記録層に 2
mW〜10mWの光ビームを照射し、記録層をキュリー温度Ｔ
ｃ近傍まで昇温させた後、浮上型磁気ヘッド９１により
上向きと下向きとに反転する外部印加磁界Ｈ_ex（50Oe〜
数百Oe）を印加して情報を記録する。これにより、光磁
気ディスク７０は、既に記録されている情報の消去過程
を経ることなく、新しい情報をオーバーライト（重ね書
き）することができる。尚、光ビーム出力を一定にして
記録する代わりに、浮上型磁気ヘッド９１の外部印加磁
界Ｈ_exの極性が切り替わるときに光ビーム出力を低下さ
せて記録がなされないようにすると、記録ビットの形状
がより鮮明となり、再生信号の品質が向上する。

【００６３】本実施例の光磁気ディスクは、記録層４を
垂直磁気異方性の小さなＤｙＦｅＣｏで形成すると共
に、キュリー温度Ｔｃを 150℃〜 250℃としているの
で、記録時の外部印加磁界Ｈ_exが弱くとも良好な記録を
行うことが可能となっている。

【００６４】次に、光変調オーバーライトによる記録方
法について説明する。先ず、本実施例の光磁気ディスク
に対して、低レベルに強度変調された光ビーム（以下、
簡単のために、低レベルの光ビームと称する）、あるい
は高レベルに強度変調された光ビーム（以下、簡単のた
めに、高レベルの光ビームと称する）を照射した場合の
記録動作、および再生動作について、図２７および図２
８を参照しながら以下に詳細に説明する。尚、図２７
は、上記の光磁気ディスクにおける読み出し層３および
記録層４の膜面に対して垂直方向の保磁力Ｈｃの温度依
存性、および記録磁界Ｈ_W を示している。

【００６５】記録磁界Ｈ_W を印加しながら、高・低２レ
ベルに強度変調された光ビームを照射することによっ
て、記録動作が行われる。即ち、図２８中にＩで示す高
レベルの光ビーム（以下、光ビームＩと称する）が照射
されると、読み出し層３および記録層４が共にキュリー
温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 付近、またはそれ以上となる温度Ｔ_H ま
で昇温する（このとき、読み出し層３の保磁力Ｈ₁ が記
録層４の保磁力Ｈ₂ よりも大きい付近まで昇温する）よ
うになっている。一方、図２８中にIIで示す低レベルの
光ビーム（以下、光ビームIIと称する）が照射される
と、記録層４のみがキュリー温度Ｔ₂ 以上となる温度Ｔ
_L まで昇温する（面内磁化から垂直磁化に移行する温度
以上、かつ、補償温度Ｔ_comp以下の範囲で昇温する）よ
うになっている。

【００６６】光ビームIIが照射されると、読み出し層３
の照射部位の保磁力Ｈ₁ は充分小さいので、該照射部位
の磁化の向きは記録磁界Ｈ_W の向きに従い、冷却の過程
で２層間に作用する交換結合力によって記録層４に転写
される（即ち、図１１中、上向きになる）。これによ
り、記録層４の所望の部位に情報を記録できる。

【００６７】一方、光ビームＩが照射されると、読み出
し層３の照射部位は温度上昇し、その補償温度Ｔ_compに
達するに伴って、上向きだった該照射部位の磁化は略０
になる。そして、光ビームＩが照射され続けて、やがて
補償温度Ｔ_compを越えると、該照射部位の磁化は０から
徐々に下向きに大きくなる。つまり、光ビームＩを照射
することによって、読み出し層３の磁化の向きは、光ビ
ームIIを照射しながら記録磁界Ｈ_W により記録された場
合とは逆向き（即ち、下向き）になる。

【００６８】そして、光ビームＩの照射が停止される
と、読み出し層３は、その冷却過程で、光ビームIIが照
射された場合に相当する温度まで下がる。しかし、この
とき、読み出し層３と記録層４の冷却過程における温度
変化が異なる（記録層４の方が読み出し層３よりも速く
冷却される）ので、先ず記録層４のみが低レベルの光ビ
ームが照射された温度Ｔ_L となり、読み出し層３の磁化
の向き（下向き）が記録層４に転写される（図１１中の
下向きになる）。

【００６９】その後、読み出し層３は、光ビームIIが照
射された場合に相当する温度まで下がり、記録磁界Ｈ_W
の向きに従って上向きになる（図１１参照）。このと
き、記録層４の照射部位の磁化の向きは、その保磁力Ｈ
₂ が記録磁界Ｈ_W より充分大きいので、記録磁界Ｈ_W の
向きには従わない（下向きの状態を保持する）。これに
より、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、消去
部位に新たに別の情報を記録する（重ね書きする）場
合、前述のように、記録磁界Ｈ_W を印加しながら、再
度、光ビームIIを照射すればよい。

【００７０】上記のようにして記録された情報は、以下
のようにして再生される。つまり、再生動作時の再生光
ビーム（図２８中のIII で示す強度）が照射されると、
読み出し層３の温度は上昇して温度Ｔ_R （図２７）前後
に達する。つまり、読み出し層３が面内磁化から垂直磁
化に移行する温度となるので、記録層４および読み出し
層３の両層とも垂直磁気異方性を示すようになる。この
とき、記録磁界Ｈ_W は印加されないか、あるいは印加さ
れても記録層４の保磁力Ｈ₂ よりも充分小さいので、再
生動作時には読み出し層３の磁化の向きは界面に作用す
る交換結合力によって記録層４の対応する部位の磁化の
向きと一致するようになる。そして、読み出し層３から
の反射光の偏光面の回転を検出することによって、情報
の再生動作が完了する。

【００７１】以上のように、本実施例の光磁気ディスク
の記録方法によれば、重ね書き時に初期化磁界Ｈ_ini を
印加する必要がなくなる。また、読み出し層３にキュリ
ー温度Ｔｃの高い材料を使用しているので磁気カー回転
角θ_K が大きくとれ、読み出される信号レベルが大きく
なるので、信頼性が著しく向上する。さらに、再生動作
時の読み出し層３は再生光ビーム中心部付近に対応する
部位の温度のみが上昇するので、読み出し層３の面内磁
化から垂直磁化に移行する温度となる部位は、光ビーム
のスポット径よりも小さくなり、従って光ビームのスポ
ット径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記録密度
が著しく向上する。尚、読み出し層３において、再生光
ビームの中心部付近に対応する部位以外は、温度上昇が
生じず、従って面内磁化の状態が保持されることにな
る。この結果、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さ
なくなる。

【００７２】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、再生光ビームの中心部付近
のみが磁気光学効果を示すようになり、該部位からの反
射光に基づいて記録層４に記録された情報が再生され
る。そして、再生光ビームが移動して次の記録ビットを
再生するときには、先の再生部位の温度が低下し、垂直
磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温度
の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、雑音の
原因である隣接の記録ビットからの信号が混入すること
がなくなる。

【００７３】ここで、前述の光磁気ディスクを使用して
行う他の記録方法について、図２９を参照しながら以下
に説明する。記録動作は、記録磁界Ｈ_W を印加しなが
ら、図２９に示すような強度変調された２種類の光ビー
ムＩ、光ビームIIを照射することにより行われる。即
ち、光ビームＩが照射されると、読み出し層３および記
録層４が共にキュリー温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 付近またはそれ以
上となる温度Ｔ_H まで昇温するようになっている。一
方、光ビームIIが照射されると、記録層４のみがキュリ
ー温度Ｔ₂ 以上となる温度Ｔ_L まで昇温するようになっ
ている。尚、上記の光ビームＩは、図２９に示すよう
に、第１パルス部（同図のＩで示すパルスのうちの最初
のパルス）と第２パルス部（同図のＩで示すパルスのう
ちの２つ目のパルス）とからなり、第２パルス部は、第
１パルス部に対して所定の時間だけ遅れて照射されるよ
うになっている。

【００７４】光ビームIIが照射されると、読み出し層３
の照射部位の磁化の向きは記録磁界Ｈ_W の向き（例え
ば、上向き）に従い、その冷却過程で交換結合力により
記録層４に転写される（即ち、上向き）。これにより、
情報を記録層４の所望の部位に記録できる。光ビームＩ
の第１パルス部が照射されると、読み出し層３の照射部
位は温度上昇し、補償温度Ｔ_compを越えると該照射部位
の磁化は徐々に逆向きに大きくなる。つまり、光ビーム
Ｉを照射することによって、読み出し層３の磁化の向き
は、光ビームIIを照射しながら記録磁界Ｈ_W により記録
された場合とは逆向き（即ち、下向き）になる。

【００７５】そして、第１パルス部の照射が停止される
と、読み出し層３は、その冷却過程で、光ビームIIが照
射された場合に相当する温度まで下がる。しかし、この
とき、読み出し層３には、光ビームＩの第２パルス部
（高レベル以下の強度）が照射されるので、記録層４の
みが光ビームIIを照射した場合に相当する温度Ｔ_L にな
り、読み出し層３の磁化の向きが記録層４に転写される
（例えば、下向き）。その後、読み出し層３が光ビーム
IIを照射した場合に相当する温度まで下がり、記録磁界
Ｈ_W の向きに従う（例えば、上向き）。このとき、記録
層４の磁化の向きは、その保磁力Ｈ₂ が記録磁界Ｈ_W よ
り充分大きいので、記録磁界Ｈ_W の向きに従わない。こ
れにより、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、
消去部位に新たに別の情報を重ね書きする場合、前述の
ように、記録磁界Ｈ_W を印加しながら、再度、光ビーム
IIを照射すればよい。

【００７６】以上のように本記録方法によれば、特に高
レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層３と記
録層４の冷却過程における温度変化が大きく異なるよう
にできる（記録層４の方がより速く冷却される）ため、
遥かに容易に重ね書きが行える。

【００７７】ここで、前述の光磁気ディスクを使用して
行うさらに他の記録方法について、図３０を参照しなが
ら以下に説明する。記録動作は、記録磁界Ｈ_W を印加し
ながら、図３０に示すような強度変調された２種類の光
ビームＩ、光ビームIIを照射することにより行われる。
即ち、光ビームＩが照射されると、読み出し層３および
記録層４が共にキュリー温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 付近またはそれ
以上となる温度Ｔ_H まで昇温するようになっている。一
方、光ビームIIが照射されると、記録層４のみがキュリ
ー温度Ｔ₂ 以上となる温度Ｔ_L まで昇温するようになっ
ている。尚、上記の光ビームＩは、図３０に示すよう
に、第１パルス部（同図のＩで示すパルスのうちの最初
のパルス）と第２パルス部（同図のＩで示すパルスで上
記の第１パルス部に後続するパルス）とからなり、例え
ば第２パルス部は、第１パルス部より光強度が小さくな
っている。

【００７８】光ビームIIが照射されると、読み出し層３
の照射部位の磁化の向きは記録磁界Ｈ_W の向き（例え
ば、上向き）に従い、その冷却過程で交換結合力により
記録層４に転写される（即ち、上向き）。これにより、
情報を記録層４の所望の部位に記録できる。光ビームＩ
の第１パルス部が照射されると、照射部位は補償温度Ｔ
_compを越える。そして、該照射部位の磁化の向きは、記
録磁界Ｈ_W によって光ビームIIの照射時とは逆向き（下
向き）になる。冷却過程において、光ビームIIを照射し
た場合に相当する温度まで下がるが、ここで読み出し層
３には、光ビームＩの第２パルス部が引続き暫く照射さ
れるので、記録層４のみが光ビームIIを照射した場合に
相当する温度Ｔ_L になり、読み出し層３の磁化の向きが
記録層４に転写される（即ち、下向き）。

【００７９】その後、読み出し層３が光ビームIIを照射
した場合に相当する温度まで下がり、記録磁界Ｈ_W の向
きに従う（例えば、上向き）。このとき、記録層４の磁
化の向きは、その保磁力Ｈ₂ が記録磁界Ｈ_W より充分大
きいので、記録磁界Ｈ_W の向きに従わない。これによ
り、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、消去部
位に新たに別の情報を重ね書きする場合、前述のよう
に、記録磁界Ｈ_W を印加しながら、再度、光ビームIIを
照射すればよい。また、上記の第２パルス部の光強度
は、第１パルス部の光強度以下であればよい。

【００８０】以上のように本記録方法によれば、特に高
レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層３と記
録層４の冷却過程における温度変化が大きく異なるよう
にできる（記録層４の方がより速く冷却される）ため、
遥かに容易に重ね書きが行える。

【００８１】ところで、上記種々の記録方法は、放熱層
が設けられた光磁気ディスクに対しても適用できる。つ
まり、この光磁気ディスクは、図３１に示すように、基
板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、放熱
層１５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成
である。

【００８２】上記の放熱層１５は、膜厚 100nmのＡｌか
らなる。尚、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、
記録層４、およびオーバーコート層６のそれぞれの構
成、膜厚、および諸特性は、図１で説明した光磁気ディ
スクの各層と同じであるので、ここでは詳細な説明を省
略する。

【００８３】上記構成の光磁気ディスクを使用すれば、
特に高レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層
３と記録層４との冷却過程における温度変化に明確な差
を付与することができる。つまり、記録層４が放熱層１
５上に設けられているので、記録層４の方が読み出し層
３よりも一層速く冷却されることになる。これにより、
放熱層１５が設けられていない光磁気ディスクを使用し
て行う記録方法よりも、遥かに容易に重ね書きを行うこ
とができる。

【００８４】また、上記構成の光磁気ディスクを使用す
れば、記録時に形成される記録ビットの形状をより鮮明
にすることができる。つまり、記録層４が放熱層１５上
に設けられているので、特に高レベルの光ビームが照射
されて記録ビットが形成されたときに、記録層４の熱を
放熱層１５（即ち、記録層４における厚さ方向）へ逃が
すことができ、ディスクの横方向（即ち、記録層４にお
ける膜内方向）への熱の拡がりを低減することができ
る。これにより、隣接して形成される次の記録ビットに
熱干渉等の熱的な悪影響が及ぶことはなく、従って記録
ビットがガイドトラックの幅方向に拡がったり、所望の
長さ以上に長く形成されることはない。よって、放熱層
１５が設けられていない光磁気ディスクを使用して行う
記録方法よりも、遥かに高速に重ね書きを行うことがで
きると共に、高精度・高密度に情報の再生が行える。

【００８５】尚、放熱層１５の材料は上記のＡｌに限定
されるものではなく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ
等、あるいはＳＵＳからなるものでもよく、読み出し層
３および記録層４よりも熱伝導率が大きい材料が好まし
い。そして、上記の各材料は、耐酸化性、耐湿性、耐孔
蝕性等に優れているので、光磁気ディスクの信頼性をよ
り一層向上させることができる。また、放熱層１５の膜
厚は上記の 100nmに限定されるものではなく、 5nm〜 2
00nm、好ましくは10nm〜 100nmとすることができる。さ
らに、記録層４および放熱層１５間に、透明誘電体層２
と同一の材料からなる膜厚10nm〜 100nmの誘電体層を形
成してもよい。

【００８６】さらに、上記種々の記録方法は、反射層が
設けられた光磁気ディスクに対しても適用できる。つま
り、この光磁気ディスクは、図３２に示すように、基板
１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、透明誘
電体層２２、反射層２５、オーバーコート層６がこの順
に積層された構成である。

【００８７】上記の透明誘電体層２２は、膜厚30nmのＡ
ｌＮからなる。また、反射層２５は、膜厚30nmのＡｌか
らなる。上記のＡｌは、光ビーム波長での反射率が約80
％となっている。尚、基板１、透明誘電体層２、読み出
し層３、記録層４、およびオーバーコート層６のそれぞ
れの構成、膜厚、および諸特性は、読み出し層３および
記録層４の膜厚をそれぞれ15nmとした以外は、図１で説
明した光磁気ディスクの各層と同じであるので、ここで
は詳細な説明を省略する。

【００８８】上記構成の光磁気ディスクを使用すれば、
入射された光ビームのうち、読み出し層３、記録層４お
よび透明誘電体層２２を透過した光ビームは、反射層２
５によって反射される。これにより、反射層２５によっ
て反射され、再び記録層４および読み出し層３を透過し
た反射光と、読み出し層３表面で反射された反射光とが
干渉して、磁気光学効果をエンハンスする。従って、磁
気カー回転角θ_K が大きくなるので、反射層２５が設け
られていない光磁気ディスクを使用して行う記録方法よ
りも、高精度に情報の再生が行え、再生信号の品質が向
上する。

【００８９】尚、透明誘電体層２２の屈折率を透明誘電
体層２の屈折率よりも大きくすれば、磁気光学効果をよ
り一層エンハンスすることができる。また、透明誘電体
層２２の膜厚は上記の30nmに限定されるものではなく、
反射率等を考慮して15nm〜50nmとすることができる。さ
らに、反射層２５の膜厚は上記の30nmに限定されるもの
ではなく、磁気光学効果のエンハンス等を考慮して20nm
〜 100nmとすることができる。また、読み出し層３およ
び記録層４を合わせた膜厚は、10nm〜50nmが好適であ
る。膜厚が50nm以上になると光ビームが透過しなくなる
ので、上記の効果が期待できなくなる。

【００９０】尚、反射層２５は、Ａｌに限定されるもの
ではなく、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｃｒ等、あるいはＳＵＳからなるものでもよく、光
ビーム波長での反射率が50％以上の材料が好ましい。そ
して、上記の各材料は、耐酸化性、耐湿性、耐孔蝕性等
に優れているので、光磁気ディスクの信頼性を一層向上
させることができる。

【００９１】さらに、上記種々の記録方法は、以下に示
す各層を設けた光磁気ディスクに対しても適用できる。
つまり、これらの光磁気ディスクは、オーバーコート
層６表面にハードコート層がさらに積層された構成、
基板１裏面およびオーバーコート層６表面にハードコー
ト層がさらに積層された構成、上記の、で形成さ
れたハードコート層表面に帯電防止層がさらに積層され
た構成、オーバーコート層６表面に潤滑層がさらに積
層された構成、基板１裏面に透湿防止層、オーバーコ
ート層がこの順でさらに積層された構成である。

【００９２】上記の構成の光磁気ディスクにおけるハ
ードコート層は、例えば膜厚 3μmのアクリレート系の
紫外線硬化型樹脂からなり、高硬度で、耐摩耗性に優れ
ている。このハードコート層を設けることにより、傷が
一層付き難くなる。尚、ハードコート層を設ける代わり
に、オーバーコート層６にハードコート機能を付与させ
て１層としてもよい。そして、上記の構成の光磁気デ
ィスクは、上記の光磁気ディスクの基板１裏面にもハ
ードコート層が設けられるので、傷がより一層付き難く
なる。

【００９３】上記の構成の光磁気ディスクにおける帯
電防止層は、例えば膜厚 2μm 〜 3μm の、導電性フィ
ラーを混入したアクリル系のハードコート樹脂からな
り、表面抵抗率を低下させる。この帯電防止層を設ける
ことにより、埃・塵等が一層付着し難くなる。尚、帯電
防止層を設ける代わりに、ハードコート層に帯電防止機
能を付与させて１層としてもよい。

【００９４】上記の構成の光磁気ディスクにおける潤
滑層は、例えば膜厚 2μm のフッ素系樹脂からなる。こ
の潤滑層を設けることにより、例えば浮上型磁気ヘッド
を用いて記録等を行った場合に、該磁気ヘッドと光磁気
ディスクとの潤滑性が向上し、吸着による磁気ヘッドの
破損を防止できる。尚、潤滑層に耐湿機能を付与させて
もよい。

【００９５】上記の構成の光磁気ディスクにおける透
湿防止層は、透明誘電体層２と同一の材料からなり、例
えば膜厚 5nmである。また、オーバーコート層は、オー
バーコート層６と同一の材料からなる。透湿防止層を設
けることにより、基板１の吸湿がなくなり、湿度の変化
に対する光磁気ディスクの反り量を低減させることがで
きる。尚、オーバーコート層にハードコート機能や帯電
防止機能を付与させてもよい。

【００９６】尚、上記の実施例では、図３３に示すよう
に、基板１、記録媒体層３０（即ち、透明誘電体層２、
読み出し層３、記録層４および保護層５を示す）、オー
バーコート層６がこの順に積層されて構成された、いわ
ゆる片面型の光磁気ディスクについて説明したが、図３
４に示すように、基板１、記録媒体層３０、接着層３
１、記録媒体層３０、基板１がこの順で積層されて構成
された、いわゆる両面型の光磁気ディスクに対しても適
用できる。

【００９７】上記の接着層３１は、例えばポリウレタン
アクリレート系の接着剤からなり、耐湿性を有する。光
磁気ディスクを両面型とすることにより、より一層高密
度に情報の記録・再生が行える。

【００９８】以上のように、本発明に係る光磁気記録媒
体の記録再生方法によれば、記録層に対して光入射側に
配された読み出し層に光ビームが照射されると、この光
ビームの光強度分布はガウス分布となっているので、照
射された部位の温度分布もほぼガウス分布になる。この
ため、或る温度以上の温度を有する部位は、光ビームの
直径よりも小さくなっている。即ち、光ビームの直径よ
りも小さい部位のみが温度上昇する。

【００９９】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、記
録磁界が印加されていると、上記の照射部位は記録磁界
の向きに従う。そして、その冷却過程において、読み出
し層および記録層の２層間に作用する交換結合力によ
り、読み出し層の磁化の向きが記録層に転写される。こ
れにより、情報を記録層の所望の部位に記録できる。一
方、温度上昇部位近傍の部位の磁化は、面内磁化の状態
が保持される。この結果、光ビームに対しては磁気光学
効果を示さず、記録には関与しない。

【０１００】従って、集光レンズの開口よりも大きな直
径を有する光ビームを上記集光レン ズに入射し、スポッ
ト径（即ち、光ビームの記録媒体上での大きさ）を小さ
くすることにより記録密度を高密度化することが可能と
なる。

【０１０１】尚、再生時は、再生光ビームが読み出し層
の所望の部位に照射され、該照射部位が温度上昇する。
この温度上昇に伴って、温度上昇部位は、面内磁化から
垂直磁化に移行する。つまり、読み出し層および記録層
の２層間に作用する交換結合力により、記録層の磁化の
向きが読み出し層に転写される。

【０１０２】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移
行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示すよう
になり、該部位からの反射光に基づいて記録層に記録さ
れた情報が再生される。そして、光ビームが移動して次
の部位（記録ビット）を再生するときには、先の再生部
位の温度は低下し、垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学効果
を示さなくなり、記録層に記録された磁化は読み出し層
の面内磁化にマスクされて読み出されることがなくな
る。これにより、雑音の原因である隣接の記録ビットか
らの信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくなる。

【０１０３】以上のように、所定温度以上の温度を有す
る部位のみを記録・再生に関与させるので、スポット径
よりも小さい記録ビットの記録・再生が行え、記録密度
は著しく向上することになる。

【０１０４】尚、上記の実施例では、光磁気記録媒体と
して光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カー
ド等にも適用できる。また、発明の詳細な説明の項にお
いてなした具体的な実施態様、または実施例は、あくま
でも本発明の技術内容を明らかにするものであって、そ
のような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきも
のではなく、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内
で、いろいろと変更して実施することができるものであ
る。

【０１０５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、
以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記
録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す
一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に
上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し
層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光
ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再
生方法であって、光磁気記録媒体上に光ビームを集光す
る上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を
有する光ビームを上記集光レンズに入射させる方法であ
る。

【０１０６】また、本発明の光磁気再生装置は、以上の
ように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に
対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、
光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇す
ると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを
備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報
の再生を行う光磁気再生装置であって、光ビームを出射
する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光さ
せる集光レンズと、上記光源からの光ビームを、上記集
光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変
換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備え
ている構成である。

【０１０７】これにより、光磁気記録媒体に照射する光
ビームのメインロープの径を小さくしてサイドロープが
大きくなっても、サイドロープの照射部分では読み出し
層が面内磁化状態を示すようにできるため、サイドロー
プ照射部位を再生に関与させず、光ビームスポットの中
心部付近のみ再生に関与させることができる。よって、
高密度記録された光磁気記録媒体から高品質の再生信号
を得ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクの構成を示す説明図である。

【図２】上記の光磁気ディスクの読み出し層の磁気状態
図である。

【図３】室温から温度Ｔ₁ において、上記の読み出し層
に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を
示す説明図である。

【図４】温度Ｔ₁ から温度Ｔ₂ において、上記の読み出
し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関
係を示す説明図である。

【図５】温度Ｔ₂ から温度Ｔ₃ において、上記の読み出
し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関
係を示す説明図である。

【図６】温度Ｔ₃ からキュリー温度Ｔｃにおいて、上記
の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転
角との関係を示す説明図である。

【図７】上記の光磁気ディスクに情報を記録・再生する
光ヘッドの構成を示すブロック図である。

【図８】光ビームのメインロープとサイドロープとの関
係を示す説明図である。

【図９】光ビームのメインロープとサイドロープとの関
係および両者の光ビーム強度を示す説明図である。

【図１０】a/wを変えた場合において、光ビームの強度
分布を示す説明図である。

【図１１】図１の光磁気ディスクに対して、再生動作を
行っている状態を示す説明図である。

【図１２】室温において、図２の読み出し層に印加され
る外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定したグ
ラフである。

【図１３】120℃において、図２の読み出し層に印加さ
れる外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定した
グラフである。

【図１４】図２の読み出し層において、再生光ビーム強
度と再生信号の振幅との関係を測定したグラフである。

【図１５】図２の読み出し層において、記録ビット長さ
と再生信号の信号品質との関係を測定したグラフであ
る。

【図１６】図２の読み出し層において、再生光ビーム強
度とクロストーク量との関係を測定したグラフである。

【図１７】図１の光磁気ディスクに光ビームが照射され
た状態を示す説明図である。

【図１８】Ｇｄ_x ( Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_1-xのキュリー温
度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔ_compの組成依存性と
を示す説明図である。

【図１９】Ｇｄ_x Ｆｅ_1-x のキュリー温度Ｔｃの組成依
存性と、補償温度Ｔ_compの組成依存性とを示す説明図で
ある。

【図２０】Ｇｄ_x Ｃｏ_1-x のキュリー温度Ｔｃの組成依
存性と、補償温度Ｔ_compの組成依存性とを示す説明図で
ある。

【図２１】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状の一例を示す説明図である。

【図２２】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状の他の例を示す説明図である。

【図２３】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状のさらに他の例を示す説明図であ
る。

【図２４】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の一例を示す説明図である。

【図２５】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の他の例を示す説明図である。

【図２６】磁界変調オーバーライトを行う光磁気記録装
置の概略の構成を示すブロック図である。

【図２７】図１の光磁気ディスクの読み出し層と記録層
の保磁力の温度依存性を示す説明図である。

【図２８】図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生
の各動作時に照射される光ビームの強度の一例を示す説
明図である。

【図２９】図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生
の各動作時に照射される光ビームの強度の他の例を示す
説明図である。

【図３０】図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生
の各動作時に照射される光ビームの強度のさらに他の例
を示す説明図である。

【図３１】本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁
気ディスクの他の構成を示す説明図である。

【図３２】本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁
気ディスクのさらに他の構成を示す説明図である。

【図３３】片面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図
である。

【図３４】両面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 １５ 放熱層 ２２ 透明誘電体層 ２５ 反射層 ５０ 光ヘッド５２ コリメータレンズ（光変換手段） ５５ 対物レンズ（集光レンズ） ７３ 記録ビット ７４ スポット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−158938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−3833（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−163732（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 7/135

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】情報を光磁気記録する記録層と、上記記録
   層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一
   方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上
   昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層
   とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビ
   ームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生
   方法であって、 光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの
   集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを
   上記集光レンズに入射させることを特徴とする光磁気記
   録媒体の再生方法。
2. 【請求項２】情報を光磁気記録する記録層と、上記記録
   層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一
   方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上
   昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層
   とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して
   情報の再生を行う光磁気再生装置であって、 光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録
   媒体上に集光させる集光レンズと、上記光源からの光ビ
   ームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有す
   る光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変
   換手段とを備えていることを特徴とする光磁気再生装
   置。