JP3599789B2

JP3599789B2 - 光磁気記憶素子

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Publication number: JP3599789B2
Application number: JP19057394A
Authority: JP
Inventors: 理伸三枝; 博之片山; 明高橋; 賢司太田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-08-12
Filing date: 1994-08-12
Publication date: 2004-12-08
Anticipated expiration: 2019-12-08
Also published as: JPH0855375A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光磁気記録装置に用いられる光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記憶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気ディスクは、書き換えが可能な光ディスクとして研究開発が進められ、その一部はすでに、コンピューター用の外部メモリーとして実用化がなされている。
【０００３】
光磁気ディスクは記録媒体として垂直磁化膜を用い、光を用いて記録再生を行うため、面内磁化膜を用いたフロッピーディスクあるいはハードディスクに比べて記憶容量が大きいことが特徴である。
【０００４】
しかしながら、近年では、より大容量なメモリーが要求され、ハードディスクをはじめ、光磁気ディスクにおいても、記録密度をより向上させるための研究が精力的になされている。
【０００５】
特公昭６３−５７８５９号公報では、透明基板上に凹部（グルーブ部）と凸部（ランド部）の幅をほぼ１：１としたガイドトラックを設け、グルーブ部の上のトラックとランド部の上のトラックとに対し、情報の記録再生を行うことにより高記録密度を実現する光学式記録再生装置が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、トラック密度を高くすると、グルーブ部（または、ランド部）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド部（または、グルーブ部）の上のトラックからのクロストークが大きくなる。このため、記録密度をあまり上げることができないという問題点を有している。
【０００７】
本発明の目的は、トラック密度を高くしても、すなわち、グルーブの幅およびランドの幅を小さくしても、良好な信号品質が得られ、高記録密度を実現できる光磁気記憶素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１記載の光磁気記憶素子は、透明基板の少なくとも片面に光ビームを案内するためのグルーブを有し、グルーブ側の透明基板上に、室温からそのキュリー温度まで垂直磁化を示す光磁気記録層および昇温により面内磁化から垂直磁化に変わる読み出し層が設けられており、グルーブの幅とグルーブ間のランドの幅とが等しく、グルーブ上のトラックおよびランド上のトラックに対し、情報の記録再生を行う光磁気記憶素子であって、
グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとすると、
０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ
を満足するように設定されていることを特徴としている。
【０００９】
また、上記光磁気記憶素子は、トラックピッチｐは、照射する光ビームの光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ²となる位置での光ビームの直径をＬとすると、
０．８６≦Ｌ／ｐ≦１．３３
を満足するように設定されていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】
上記の構成により、請求項１記載の光磁気記憶素子は、グルーブ（または、ランド）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド（または、グルーブ）の上のトラックからのクロストークが、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に少なくなる。これにより、トラック密度を高くしても、すなわち、グルーブの幅およびランドの幅を小さくしても、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度を実現できる。
【００１１】
【実施例】
〔参考例〕
本発明の参考例について図１ないし図３に基づいて説明すれば、以下の通りである。本参考例に係る光磁気ディスクは、図１に示すように、透明基板１、透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘電体層４、反射層５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成を有している。
【００１２】
透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラス基板で、表面には光ビーム案内用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グルーブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍで形成されている。
【００１３】
この透明基板１の、ガイドトラックがある面側に、透明誘電体層２としてＡｌＮが厚さ８０ｎｍで形成されている。
【００１４】
この透明誘電体層２上に、光磁気記録層３として、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ２０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ_０．２３（Ｆｅ_０．８２Ｃｏ_０．１８）_０．７７で、そのキュリー温度は約２００℃である。
【００１５】
光磁気記録層３上には、透明誘電体層４としてＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘電体層４上には、反射層５としてＡｌが厚さ４０ｎｍで形成されている。反射層５上には、オーバーコート層６としてポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂が厚さ５μｍで形成されている。
【００１６】
透明基板１の表面のガイドトラックは、反応性イオンエッチング法によりガラス表面に直接形成した。
【００１７】
透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘電体層４及び反射層５は、いずれもスパッター法により、同一スパッター装置内で真空を破らずに形成した。
【００１８】
透明誘電体層２及び４のＡｌＮは、ＡｌターゲットをＮ_２ガス雰囲気中でスパッターする反応性スパッター法により形成した。
【００１９】
光磁気記録層３は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＤｙのチップを並べたいわゆる複合ターゲット、もしくはＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッターすることにより形成した。
【００２０】
オーバーコート層６は、スピンコーターにより樹脂を塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当て、硬化させることで形成した。
【００２１】
上記の構成において、グルーブ部の上の光磁気記録層３からなるトラックとランド部の上の光磁気記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再生が行われる。
【００２２】
グルーブ部の深さとクロストーク量との関係を調べるために、グルーブ部の深さが５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍのサンプルを作製した。
【００２３】
各サンプルのランド部の上の光磁気記録層３にのみ信号を記録し、図２（ａ）に示すように、ビット長０．７６５μｍの記録ドメイン７ａ…を形成した。それから、ランド部に光ビームスポット８を追従させながら、ランド部の上の光磁気記録層３に記録した信号を再生し、信号レベルを測定した。
【００２４】
また、各サンプルのグルーブ部の上の光磁気記録層３にのみ信号を記録し、同図（ｂ）に示すように、ビット長０．７６５μｍの記録ドメイン７ｂ…を形成した。それから、ランド部に光ビームスポット８を追従させながら、グルーブ部の上の光磁気記録層３に記録した信号、すなわち漏れ信号を再生し、信号レベルを測定した。
【００２５】
そして、上記の二つの信号レベルの差をクロストーク量とした。測定に用いた光ビームの波長は７８０ｎｍ、光ビームを光磁気ディスク上に光ビームスポット８として収斂させるとともに光磁気ディスクからの反射光を集光する対物レンズの開口数は０．５５、光ビーム径、すなわち、光ビームスポット８における光強度がビーム中心の光強度の１／ｅ^２になる位置での直径は１．２μｍである。
【００２６】
表１に、測定結果を示す。これより、トラック深さ、すなわち、グルーブ部の深さが８０ｎｍ近傍で、クロストークが激減することが分かる。
【００２７】
【表１】

【００２８】
トラック深さとクロストーク量との関係について、シミュレーションで得られた計算曲線を図３に示す。計算曲線は、□印で示された実測値とほぼ一致している。曲線よりトラック深さが７８ｎｍ（０．１５×λ／ｎ、λは光ビームの波長、ｎは透明基板１の屈折率）近傍で、クロストークが最小となる。また、トラック深さが６６〜９２ｎｍの範囲で、クロストーク量は−２３ｄＢ以下となる。すなわち、ガイドトラックの深さをｋ×λ／ｎとすると、０．１３≦ｋ≦０．１８のとき、隣接トラックからのクロストークが低減されて良好な再生信号品質が得られ、高密度記録が可能となる。
【００２９】
上記トラック深さの範囲において、光ビーム径（直径）Ｌとトラックピッチｐとの比Ｌ／ｐを変化させたときのクロストーク量を表２に示す。表２より、Ｌ／ｐが１．２以下でクロストーク量が−２３ｄＢ以下となる。またＬ／ｐが０．６より小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロストーク量が−３０ｄＢ以下となり本発明の効果は小さい。したがって、光ビーム径Ｌとトラックピッチｐとが０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２の条件を満たすとき、上記と同様のクロストーク低減の効果が得られた。なお、上記の表１は、Ｌ／ｐ＝０．７５（＝１．２μｍ／１．６μｍ）の下で得られたものである。
【００３０】
なお、上記したようにＬ／ｐが０．６より小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロストーク量が−３０ｄＢ以下となるが、この場合は、光ビーム径Ｌをより小さくせねばならず、技術的に困難である。あるいは、トラックピッチｐを大きくせねばならず、高密度記録することができなくなる。
【００３１】
【表２】

【００３２】
上記参考例では光磁気記録層３の材料としてＤｙＦｅＣｏを採用したが、これに限る必要はなく、従来の光磁気ディスクで開発、使用されている材料、すなわち、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す材料で、そのキュリー温度が記録に適した温度範囲、すなわち、１５０〜２５０℃であればよい。参考例で示したＤｙＦｅＣｏ以外に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等が好適である。
【００３３】
透明誘電体層２、４の材料としては、ＡｌＮ以外に、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３等が好適である。
【００３４】
透明基板１としては、ガラス基板以外にも、化学強化されたガラスからなる基板、ガラス基板上に紫外線硬化型樹脂を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エポキシのいずれかからなる基板が好適である。
【００３５】
透明基板１に化学強化されたガラスからなる基板を採用した場合、機械特性（面振れ、偏心、反り、傾き）に優れていること、硬度が高いため砂や埃により傷が付きにくいこと、化学的に安定であるため各種溶剤に溶けないこと、プラスチック基板に比べて帯電しにくいため埃や塵が付着しにくいこと、化学的に強化されているため割れにくいこと、耐湿性、耐酸化性、耐熱性に優れているため光磁気ディスクの長期信頼性が向上すること、光学特性が優れているため高い信号品質が得られること等が利点として挙げられる。
【００３６】
透明基板１にＰＣ基板を採用した場合、射出成形ができるため同一の基板を大量に安価に供給できること、他のプラスチック基板に比べて吸水性が低いため光磁気ディスクの長期信頼性が向上すること、耐熱性、耐衝撃性に優れていること等が利点として挙げられる。
【００３７】
なお、ＰＣを含め、射出成形が可能な材料を採用した透明基板１については、ガイドトラック、プリピット等は、射出成形時にスタンパーを成形用金型の表面に取り付けておけば、成形と同時に基板表面に形成される。
【００３８】
なお、上記参考例では、反射層５を設けた構成を示したが、反射層５を除いた構成でもかまわない。また、光磁気記録層３として、通常の、垂直磁化を示す単層膜について示したが、光変調オーバーライトあるいは超解像を目的とした多層膜であってもかまわない。
【００３９】
〔実施例〕
本発明の実施例について図４ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、参考例の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。本実施例の光磁気ディスクは、図４に示すように、透明基板１、透明誘電体層２、読み出し層９、光磁気記録層３、透明誘電体層４、オーバーコート層６がこの順に積層された構成を有している。
【００４０】
透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラス基板であり、表面には光ビーム案内用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グルーブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍで形成されている。
【００４１】
この透明基板１のガイドトラックがある面側に、透明誘電体層２として、ＡｌＮが厚さ８０ｎｍで形成されている。
【００４２】
透明誘電体層２上に、読み出し層９として、希土類遷移金属合金であるＧｄＦｅＣｏが厚さ５０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ_０．２６（Ｆｅ_０．８２Ｃｏ_０．１８）_０．７４で、そのキュリー温度は約３００℃である。
【００４３】
上記の読み出し層９の磁化の方向は、室温ではほぼ面内にあり、１００〜１２５℃の範囲で面内方向から垂直方向に移行する。
【００４４】
この読み出し層９上に、光磁気記録層３として、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ５０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ_０．２３（Ｆｅ_０．８２Ｃｏ_０．１８）_０．７７で、そのキュリー温度は約２００℃である。
【００４５】
光磁気記録層３上には、透明誘電体層４として、ＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘電体層４上には、オーバーコート層６として、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂が厚さ５μｍで形成されている。
【００４６】
透明基板１、透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘電体層４、オーバーコート層６に関しては、上記参考例と同一の材料が用いられており、同一の製法で形成された。
【００４７】
読み出し層９は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄのチップを並べた、いわゆる複合ターゲット、もしくはＧｄＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、Ａｒガスでスパッターすることにより形成された。
【００４８】
上記読み出し層９の材料として使用される希土類遷移金属合金の磁気状態図を図５に示す。図中、横軸（ＲＥ）は希土類金属の含有率、縦軸は温度である。同図に示すように、垂直磁化を示す組成範囲（図中、Ａで示す）は非常に狭い。これは希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償組成（図中、Ｐで示す）の近辺でしか垂直磁化が現れないからである。
【００４９】
ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントは、それぞれの温度特性が異なるため、高温では遷移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくなる。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁化を示すようにしておく。そして、光ビームが照射されることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移金属の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属の磁気モーメントと釣り合うようになり、垂直磁化を示すようになる。
【００５０】
図６ないし図９は、読み出し層９のヒステリシス特性の一例を示した図で、各図とも横軸が読み出し層９の膜面に垂直方向に印加される外部磁界（Ｈｅｘ）、縦軸が同じく膜面に垂直な方向から光を入射させた場合の極カー回転角（θｋ）を示している。図６は、図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温から温度Ｔ_１間のヒステリシス特性を示し、図７ないし図９は、それぞれ、温度Ｔ_１から温度Ｔ_２のヒステリシス特性、温度Ｔ_２から温度Ｔ_３のヒステリシス特性、温度Ｔ_３からキュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示している。
【００５１】
温度Ｔ_１から温度Ｔ_３の範囲では、外部磁界に対して極カー回転角の立ち上がりが急峻なヒステリシス特性を示すが、それ以外の温度範囲では極カー回転角はほとんど０である。
【００５２】
読み出し層９を設けることにより、記録密度を高くすることができる。次に、記録密度を高めることができる理由を説明する。
光磁気記録媒体における記録密度は、記録、再生に使用される光ビームの光磁気記録媒体上での大きさに依存する。読み出し層９を用いることで、光ビームの大きさよりも小さな記録ビットの再生が可能になる。
【００５３】
再生時、図１０に示すように、透明基板１の側から集光レンズ１０を介して再生用の光ビーム１１が読み出し層９に照射される。このとき、光磁気記録層３には、図に矢印で示されている磁化の向きに記録がなされているとする。
【００５４】
光ビーム１１が照射された読み出し層９の部位は、その中心部近傍が最も温度が上昇し、周辺の部位の温度よりも高くなる。これは、光ビーム１１が、集光レンズ１０により回折限界まで絞り込まれているため、その光強度分布がガウス分布になり、光磁気ディスク上の再生部位の温度分布もほぼガウス分布になるからである。ここで、中心近傍の温度が前述の図５中の温度Ｔ_１以上に達するような強度の光ビーム１１が与えられたとする。このとき、周辺部位の温度は温度Ｔ_１以下となる。この温度Ｔ_１以上の温度を有する領域のみを再生に関与させるので、光ビーム１１の径よりも小さな記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上することになる。
【００５５】
つまり、温度Ｔ_１以上の温度を有する領域の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する（図６から図７もしくは図８へ）。この時、読み出し層９および光磁気記録層３の２層間の交換結合力により、光磁気記録層３の磁化の向きが読み出し層９に転写される。一方、光ビーム１１の中心近傍に対応する以外の、周辺部位では温度が温度Ｔ_１以下であるため、面内磁化の状態（図６）が保持される。この結果、膜面に垂直方向から照射された光ビーム１１に対しては、極カー効果を示さない。
【００５６】
このようにして、温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、光ビーム１１の中心近傍に対応する部位のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて光磁気記録層３に記録された情報が再生される。
【００５７】
そして、光ビーム１１が移動して（光磁気ディスクが回転して）、次の記録ビットを再生するときは、先の再生部位の温度は温度Ｔ_１以下に下がり、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴い、この温度が低下した部位は極カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣接ビットからの信号混入がなくなる。
【００５８】
以上のように、読み出し層９を用いれば、光ビーム１１の径よりも小さな記録信号の再生が行え、隣接する記録信号の影響を受けないため、記録密度を高めることが可能となる。
【００５９】
上記の構成において、グルーブ部の上の光磁気記録層３からなるトラックと、ランド部の上の光磁気記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再生が行われる。
【００６０】
グルーブ部の深さとクロストーク量との関係を調べるために、グルーブ部の深さが５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍのサンプルを作製した。さらに、トラックピッチとクロストーク量との関係を調べるために、グルーブ部の深さが８０ｎｍであり、トラックピッチが１．２μｍ、１．３μｍ、１．４μｍのサンプルを作製した。
【００６１】
これらのサンプルについて、前記参考例と同じ方法でクロストーク量を測定した。表３に、測定結果を示す。これより、トラック深さ、すなわち、グルーブ部の深さが８０ｎｍ近傍で、前記参考例と同様に、クロストークが減少することが分かる。
【００６２】
【表３】

【００６３】
トラック深さとクロストーク量との関係について、前記参考例と同様のシミュレーションで得られた計算曲線を図１１に示す。計算曲線は、△印で示された実測値とほぼ一致している。トラック深さが７６ｎｍ近傍でクロストーク量が最小となっており、その値は前記参考例と比べて小さくなっている。
【００６４】
光ビーム径（直径）Ｌとトラックピッチｐとの比Ｌ／ｐを変化させたときのクロストーク量を表４に示す。表４より、Ｌ／ｐが１．３３以下でクロストーク量が−２３ｄＢ以下となる。またＬ／ｐが０．８６より小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロストーク量が−３０ｄＢ以下となり本発明の効果は小さい。したがって、光ビーム径Ｌとトラックピッチｐとが０．８６≦Ｌ／ｐ≦１．３３の条件を満たすとき、上記と同様のクロストーク低減の効果が得られた。したがって、参考例に比べトラックピッチをさらに詰めることが可能となる。
【００６５】
なお、上記したようにＬ／ｐが０．８６より小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロストーク量が−３０ｄＢ以下となるが、この場合は、光ビーム径Ｌをより小さくせねばならず、技術的に困難である。あるいは、トラックピッチｐを大きくせねばならず、高密度記録することができなくなる。
【００６６】
表３より、トラック深さが８０ｎｍのサンプルでは、トラックピッチを１．２μｍにしても、クロストーク量は−２３ｄＢ以下である。したがって、より高密度記録が可能である。
【００６７】
【表４】

【００６８】
以上の実施例において、読み出し層９のＧｄＦｅＣｏの組成は、上記のＧｄ_０．２６（Ｆｅ_０．８２Ｃｏ_０．１８）_０．７４に限定されるものではない。読み出し層９としては、室温でほぼ面内磁化を有し、室温以上の温度で面内磁化から垂直磁化に移行すればよい。実施例で示したＧｄＦｅＣｏ以外に、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＨｏＦｅＣｏ等が好適である。
【００６９】
なお、上記実施例では、読み出し層９および光磁気記録層３を透明誘電体層２と４とで挟んだ構成を示したが、透明誘電体層４とオーバーコート層６との間に反射層５を形成した構成あるいは、透明誘電体層４の代わりに放熱層（図示されていない）を設けた構成でもかまわない。また、光磁気記録層３として、通常の光磁気記録媒体の単層膜について示したが、光変調オーバーライトを目的とした多層膜であってもかまわない。
【００７０】
以上では、光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記憶素子にも適用できる。
【００７２】
上述の構成によれば、グルーブ部（または、ランド部）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド部（または、グルーブ部）の上のトラックからのクロストークが、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に少なくなる。これにより、トラック密度を高くしても、すなわち、グルーブ部の幅およびランド部の幅を小さくしても、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度の光磁気ディスクを実現できる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明の光磁気記憶素子は、トラック密度を高くしても、すなわち、グルーブの幅およびランドの幅を小さくしても、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例の光磁気ディスクの概略の構成を示す縦断面図である。
【図２】図１の光磁気ディスクのクロストーク量の測定方法を示す説明図である。
【図３】図１の光磁気ディスクのクロストークのトラック深さ依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例の光磁気ディスクの概略の構成を示す縦断面図である。
【図５】図４の光磁気ディスクの読み出し層に使用される材料の磁気状態図である。
【図６】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温から温度Ｔ１間のヒステリシス特性を示すグラフである。
【図７】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ１から温度Ｔ２のヒステリシス特性を示すグラフである。
【図８】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ２から温度Ｔ３のヒステリシス特性を示すグラフである。
【図９】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ３からキュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示すグラフである。
【図１０】図４の光磁気ディスクの再生方法を示すための説明図である。
【図１１】図４の光磁気ディスクのクロストークのトラック深さ依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１透明基板
３光磁気記録層
９読み出し層
１１光ビーム

Claims

透明基板の少なくとも片面に光ビームを案内するためのグルーブを有し、グルーブ側の透明基板上に、室温からそのキュリー温度まで垂直磁化を示す光磁気記録層および昇温により面内磁化から垂直磁化に変わる読み出し層が設けられており、グルーブの幅とグルーブ間のランドの幅とが等しく、グルーブ上のトラックおよびランド上のトラックに対し、情報の記録再生を行う光磁気記憶素子であって、
トラックピッチｐは、照射する光ビームの光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ ² となる位置での光ビームの直径をＬとすると、
０．８６≦Ｌ／ｐ≦１．３３
を満足するように設定され、
グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとすると、
０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ
を満足するように設定されていることを特徴とする光磁気記憶素子。