JPH0855375A - 光磁気記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 透明基板１の少なくとも片面に光ビームを案
内するためのグルーブ部を有し、グルーブ部側の透明基
板１上に光磁気記録層３が設けられており、グルーブ部
の幅とグルーブ部間のランド部の幅とがほぼ等しく、グ
ルーブ部上のトラックおよびランド部上のトラックに対
し、情報の記録再生を行う光磁気ディスクは、グルーブ
部の深さｄ（トラック深さ）は、光ビームの波長をλ、
透明基板１の屈折率をｎとしたとき、０．１３×λ／ｎ
≦ｄ≦０．１８×λ／ｎを満足するように設定されてい
る。そして、トラックピッチｐは、照射する光ビームの
光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ² となる位
置での光ビームの直径をＬとしたとき、０．６≦Ｌ／ｐ
≦１．２を満足するように設定されている。 【効果】 グルーブ部やランド部の幅を小さくしてトラ
ック密度を高くしても、良好な信号品質が得られ、高記
録密度の光磁気ディスクを実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に用い
られる光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記憶素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクは、書き換えが可能な光
ディスクとして研究開発が進められ、その一部はすで
に、コンピューター用の外部メモリーとして実用化がな
されている。

【０００３】光磁気ディスクは記録媒体として垂直磁化
膜を用い、光を用いて記録再生を行うため、面内磁化膜
を用いたフロッピーディスクあるいはハードディスクに
比べて記憶容量が大きいことが特徴である。

【０００４】しかしながら、近年では、より大容量なメ
モリーが要求され、ハードディスクをはじめ、光磁気デ
ィスクにおいても、記録密度をより向上させるための研
究が精力的になされている。

【０００５】特公昭６３−５７８５９号公報では、透明
基板上に凹部（グルーブ部）と凸部（ランド部）の幅を
ほぼ１：１としたガイドトラックを設け、グルーブ部の
上のトラックとランド部の上のトラックとに対し、情報
の記録再生を行うことにより高記録密度を実現する光学
式記録再生装置が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、トラック密度を高くすると、グルーブ部
（または、ランド部）の上のトラックを再生したとき、
両隣のランド部（または、グルーブ部）の上のトラック
からのクロストークが大きくなる。このため、記録密度
をあまり上げることができないという問題点を有してい
る。

【０００７】本発明の目的は、トラック密度を高くして
も、すなわち、グルーブの幅およびランドの幅を小さく
しても、良好な信号品質が得られ、高記録密度を実現で
きる光磁気記憶素子を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の光磁気記憶素子は、透明基板の少な
くとも片面に光ビームを案内するためのグルーブを有
し、グルーブ側の透明基板上に光磁気記録層が設けられ
ており、グルーブの幅とグルーブ間のランドの幅とがほ
ぼ等しく、グルーブ上のトラックおよびランド上のトラ
ックに対し、情報の記録再生を行う光磁気記憶素子であ
って、グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明
基板の屈折率をｎとすると、 ０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ を満足するように設定されていることを特徴としてい
る。

【０００９】また、請求項２記載の光磁気記憶素子は、
請求項１記載の光磁気記憶素子において、照射する光ビ
ームの光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ² と
なる位置での光ビームの直径をＬとすると、トラックピ
ッチｐが、 ０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２ を満足するように設定されていることを特徴としてい
る。

【００１０】

【作用】上記の構成により、請求項１および２記載の光
磁気記憶素子は、グルーブ（または、ランド）の上のト
ラックを再生したとき、両隣のランド（または、グルー
ブ）の上のトラックからのクロストークが、上記条件を
満足しない場合と比較して大幅に少なくなる。これによ
り、トラック密度を高くしても、すなわち、グルーブの
幅およびランドの幅を小さくしても、良好な信号品質が
得られる。つまり、高記録密度を実現できる。

【００１１】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図３
に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施例に
係る光磁気ディスクは、図１に示すように、透明基板
１、透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘電体層
４、反射層５、オーバーコート層６がこの順に積層され
た構成を有している。

【００１２】透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のガラス基板で、表面には光ビーム案内
用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グルー
ブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍで形
成されている。

【００１３】この透明基板１の、ガイドトラックがある
面側に、透明誘電体層２としてＡｌＮが厚さ８０ｎｍで
形成されている。

【００１４】この透明誘電体層２上に、光磁気記録層３
として、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ
２０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄ
ｙ_{0. 23}（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77で、そのキュリー温度
は約２００℃である。

【００１５】光磁気記録層３上には、透明誘電体層４と
してＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘電
体層４上には、反射層５としてＡｌが厚さ４０ｎｍで形
成されている。反射層５上には、オーバーコート層６と
してポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂が
厚さ５μｍで形成されている。

【００１６】透明基板１の表面のガイドトラックは、反
応性イオンエッチング法によりガラス表面に直接形成し
た。

【００１７】透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘
電体層４及び反射層５は、いずれもスパッター法によ
り、同一スパッター装置内で真空を破らずに形成した。

【００１８】透明誘電体層２及び４のＡｌＮは、Ａｌタ
ーゲットをＮ₂ ガス雰囲気中でスパッターする反応性ス
パッター法により形成した。

【００１９】光磁気記録層３は、ＦｅＣｏ合金ターゲッ
ト上にＤｙのチップを並べたいわゆる複合ターゲット、
もしくはＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、
Ａｒガスでスパッターすることにより形成した。

【００２０】オーバーコート層６は、スピンコーターに
より樹脂を塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当
て、硬化させることで形成した。

【００２１】上記の構成において、グルーブ部の上の光
磁気記録層３からなるトラックとランド部の上の光磁気
記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再生
が行われる。

【００２２】グルーブ部の深さとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが５０ｎｍ、６０
ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍのサンプルを作製
した。

【００２３】各サンプルのランド部の上の光磁気記録層
３にのみ信号を記録し、図２（ａ）に示すように、ビッ
ト長０．７６５μｍの記録ドメイン７ａ…を形成した。
それから、ランド部に光ビームスポット８を追従させな
がら、ランド部の上の光磁気記録層３に記録した信号を
再生し、信号レベルを測定した。

【００２４】また、各サンプルのグルーブ部の上の光磁
気記録層３にのみ信号を記録し、同図（ｂ）に示すよう
に、ビット長０．７６５μｍの記録ドメイン７ｂ…を形
成した。それから、ランド部に光ビームスポット８を追
従させながら、グルーブ部の上の光磁気記録層３に記録
した信号、すなわち漏れ信号を再生し、信号レベルを測
定した。

【００２５】そして、上記の二つの信号レベルの差をク
ロストーク量とした。測定に用いた光ビームの波長は７
８０ｎｍ、光ビームを光磁気ディスク上に光ビームスポ
ット８として収斂させるとともに光磁気ディスクからの
反射光を集光する対物レンズの開口数は０．５５、光ビ
ーム径、すなわち、光ビームスポット８における光強度
がビーム中心の光強度の１／ｅ² になる位置での直径は
１．２μｍである。

【００２６】表１に、測定結果を示す。これより、トラ
ック深さ、すなわち、グルーブ部の深さが８０ｎｍ近傍
で、クロストークが激減することが分かる。

【００２７】

【表１】

【００２８】トラック深さとクロストーク量との関係に
ついて、シミュレーションで得られた計算曲線を図３に
示す。計算曲線は、□印で示された実測値とほぼ一致し
ている。曲線よりトラック深さが７８ｎｍ（０．１５×
λ／ｎ、λは光ビームの波長、ｎは透明基板１の屈折
率）近傍で、クロストークが最小となる。また、トラッ
ク深さが６６〜９２ｎｍの範囲で、クロストーク量は−
２３ｄＢ以下となる。すなわち、ガイドトラックの深さ
をｋ×λ／ｎとすると、０．１３≦ｋ≦０．１８のと
き、隣接トラックからのクロストークが低減されて良好
な再生信号品質が得られ、高密度記録が可能となる。

【００２９】上記トラック深さの範囲において、光ビー
ム径（直径）Ｌとトラックピッチｐとの比Ｌ／ｐを変化
させたときのクロストーク量を表２に示す。表２より、
Ｌ／ｐが１．２以下でクロストーク量が−２３ｄＢ以下
となる。またＬ／ｐが０．６より小さくなると上記トラ
ック深さの範囲外でもクロストーク量が−３０ｄＢ以下
となり本発明の効果は小さい。したがって、光ビーム径
Ｌとトラックピッチｐとが０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２の条
件を満たすとき、上記と同様のクロストーク低減の効果
が得られた。なお、上記の表１は、Ｌ／ｐ＝０．７５
（＝１．２μｍ／１．６μｍ）の下で得られたものであ
る。

【００３０】なお、上記したようにＬ／ｐが０．６より
小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロストー
ク量が−３０ｄＢ以下となるが、この場合は、光ビーム
径Ｌをより小さくせねばならず、技術的に困難である。
あるいは、トラックピッチｐを大きくせねばならず、高
密度記録することができなくなる。

【００３１】

【表２】

【００３２】上記実施例では光磁気記録層３の材料とし
てＤｙＦｅＣｏを採用したが、これに限る必要はなく、
従来の光磁気ディスクで開発、使用されている材料、す
なわち、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す材料
で、そのキュリー温度が記録に適した温度範囲、すなわ
ち、１５０〜２５０℃であればよい。実施例で示したＤ
ｙＦｅＣｏ以外に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等
が好適である。

【００３３】透明誘電体層２、４の材料としては、Ａｌ
Ｎ以外に、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌ
ＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂ 、Ｂ
ａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 等が好適である。

【００３４】透明基板１としては、ガラス基板以外に
も、化学強化されたガラスからなる基板、ガラス基板上
に紫外線硬化型樹脂を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガ
ラス基板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン
（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニ
ール（ＰＶＣ）、エポキシのいずれかからなる基板が好
適である。

【００３５】透明基板１に化学強化されたガラスからな
る基板を採用した場合、機械特性（面振れ、偏心、反
り、傾き）に優れていること、硬度が高いため砂や埃に
より傷が付きにくいこと、化学的に安定であるため各種
溶剤に溶けないこと、プラスチック基板に比べて帯電し
にくいため埃や塵が付着しにくいこと、化学的に強化さ
れているため割れにくいこと、耐湿性、耐酸化性、耐熱
性に優れているため光磁気ディスクの長期信頼性が向上
すること、光学特性が優れているため高い信号品質が得
られること等が利点として挙げられる。

【００３６】透明基板１にＰＣ基板を採用した場合、射
出成形ができるため同一の基板を大量に安価に供給でき
ること、他のプラスチック基板に比べて吸水性が低いた
め光磁気ディスクの長期信頼性が向上すること、耐熱
性、耐衝撃性に優れていること等が利点として挙げられ
る。

【００３７】なお、ＰＣを含め、射出成形が可能な材料
を採用した透明基板１については、ガイドトラック、プ
リピット等は、射出成形時にスタンパーを成形用金型の
表面に取り付けておけば、成形と同時に基板表面に形成
される。

【００３８】なお、上記実施例では、反射層５を設けた
構成を示したが、反射層５を除いた構成でもかまわな
い。また、光磁気記録層３として、通常の、垂直磁化を
示す単層膜について示したが、光変調オーバーライトあ
るいは超解像を目的とした多層膜であってもかまわな
い。

【００３９】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図４ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記し、その説明を省略する。本実施例の光磁気ディスク
は、図４に示すように、透明基板１、透明誘電体層２、
読み出し層９、光磁気記録層３、透明誘電体層４、オー
バーコート層６がこの順に積層された構成を有してい
る。

【００４０】透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のガラス基板であり、表面には光ビーム
案内用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グ
ルーブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍ
で形成されている。

【００４１】この透明基板１のガイドトラックがある面
側に、透明誘電体層２として、ＡｌＮが厚さ８０ｎｍで
形成されている。

【００４２】透明誘電体層２上に、読み出し層９とし
て、希土類遷移金属合金であるＧｄＦｅＣｏが厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
_0.26（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.74で、そのキュリー温度は
約３００℃である。

【００４３】上記の読み出し層９の磁化の方向は、室温
ではほぼ面内にあり、１００〜１２５℃の範囲で面内方
向から垂直方向に移行する。

【００４４】この読み出し層９上に、光磁気記録層３と
して、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77で、そのキュリー温度は
約２００℃である。

【００４５】光磁気記録層３上には、透明誘電体層４と
して、ＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘
電体層４上には、オーバーコート層６として、ポリウレ
タンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂が厚さ５μｍで
形成されている。

【００４６】透明基板１、透明誘電体層２、光磁気記録
層３、透明誘電体層４、オーバーコート層６に関して
は、上記第１の実施例と同一の材料が用いられており、
同一の製法で形成された。

【００４７】読み出し層９は、ＦｅＣｏ合金ターゲット
上にＧｄのチップを並べた、いわゆる複合ターゲット、
もしくはＧｄＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、
Ａｒガスでスパッターすることにより形成された。

【００４８】上記読み出し層９の材料として使用される
希土類遷移金属合金の磁気状態図を図５に示す。図中、
横軸（ＲＥ）は希土類金属の含有率、縦軸は温度であ
る。同図に示すように、垂直磁化を示す組成範囲（図
中、Ａで示す）は非常に狭い。これは希土類金属と遷移
金属の磁気モーメントが釣り合う補償組成（図中、Ｐで
示す）の近辺でしか垂直磁化が現れないからである。

【００４９】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントは、それぞれの温度特性が異なるため、高温で
は遷移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大き
くなる。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の
含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面
内磁化を示すようにしておく。そして、光ビームが照射
されることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移
金属の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類
金属の磁気モーメントと釣り合うようになり、垂直磁化
を示すようになる。

【００５０】図６ないし図９は、読み出し層９のヒステ
リシス特性の一例を示した図で、各図とも横軸が読み出
し層９の膜面に垂直方向に印加される外部磁界（Ｈｅ
ｘ）、縦軸が同じく膜面に垂直な方向から光を入射させ
た場合の極カー回転角（θｋ）を示している。図６は、
図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温から温度Ｔ
₁ 間のヒステリシス特性を示し、図７ないし図９は、そ
れぞれ、温度Ｔ₁ から温度Ｔ₂ のヒステリシス特性、温
度Ｔ₂ から温度Ｔ₃ のヒステリシス特性、温度Ｔ₃ から
キュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示している。

【００５１】温度Ｔ₁ から温度Ｔ₃ の範囲では、外部磁
界に対して極カー回転角の立ち上がりが急峻なヒステリ
シス特性を示すが、それ以外の温度範囲では極カー回転
角はほとんど０である。

【００５２】読み出し層９を設けることにより、記録密
度を高くすることができる。次に、記録密度を高めるこ
とができる理由を説明する。光磁気記録媒体における記
録密度は、記録、再生に使用される光ビームの光磁気記
録媒体上での大きさに依存する。読み出し層９を用いる
ことで、光ビームの大きさよりも小さな記録ビットの再
生が可能になる。

【００５３】再生時、図１０に示すように、透明基板１
の側から集光レンズ１０を介して再生用の光ビーム１１
が読み出し層９に照射される。このとき、光磁気記録層
３には、図に矢印で示されている磁化の向きに記録がな
されているとする。

【００５４】光ビーム１１が照射された読み出し層９の
部位は、その中心部近傍が最も温度が上昇し、周辺の部
位の温度よりも高くなる。これは、光ビーム１１が、集
光レンズ１０により回折限界まで絞り込まれているた
め、その光強度分布がガウス分布になり、光磁気ディス
ク上の再生部位の温度分布もほぼガウス分布になるから
である。ここで、中心近傍の温度が前述の図５中の温度
Ｔ₁ 以上に達するような強度の光ビーム１１が与えられ
たとする。このとき、周辺部位の温度は温度Ｔ₁以下と
なる。この温度Ｔ₁ 以上の温度を有する領域のみを再生
に関与させるので、光ビーム１１の径よりも小さな記録
ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上することに
なる。

【００５５】つまり、温度Ｔ₁ 以上の温度を有する領域
の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する（図６から
図７もしくは図８へ）。この時、読み出し層９および光
磁気記録層３の２層間の交換結合力により、光磁気記録
層３の磁化の向きが読み出し層９に転写される。一方、
光ビーム１１の中心近傍に対応する以外の、周辺部位で
は温度が温度Ｔ₁ 以下であるため、面内磁化の状態（図
６）が保持される。この結果、膜面に垂直方向から照射
された光ビーム１１に対しては、極カー効果を示さな
い。

【００５６】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、光ビーム１１の中心近傍に
対応する部位のみが極カー効果を示すようになり、該部
位からの反射光に基づいて光磁気記録層３に記録された
情報が再生される。

【００５７】そして、光ビーム１１が移動して（光磁気
ディスクが回転して）、次の記録ビットを再生するとき
は、先の再生部位の温度は温度Ｔ₁ 以下に下がり、垂直
磁化から面内磁化に移行する。これに伴い、この温度が
低下した部位は極カー効果を示さなくなる。したがっ
て、該温度の低下した部位からは情報が再生されなくな
り、雑音の原因である隣接ビットからの信号混入がなく
なる。

【００５８】以上のように、読み出し層９を用いれば、
光ビーム１１の径よりも小さな記録信号の再生が行え、
隣接する記録信号の影響を受けないため、記録密度を高
めることが可能となる。

【００５９】上記の構成において、グルーブ部の上の光
磁気記録層３からなるトラックと、ランド部の上の光磁
気記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再
生が行われる。

【００６０】グルーブ部の深さとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが５０ｎｍ、６０
ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍのサンプルを作製
した。さらに、トラックピッチとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが８０ｎｍであ
り、トラックピッチが１．２μｍ、１．３μｍ、１．４
μｍのサンプルを作製した。

【００６１】これらのサンプルについて、前記実施例１
と同じ方法でクロストーク量を測定した。表３に、測定
結果を示す。これより、トラック深さ、すなわち、グル
ーブ部の深さが８０ｎｍ近傍で、前記実施例１と同様
に、クロストークが減少することが分かる。

【００６２】

【表３】

【００６３】トラック深さとクロストーク量との関係に
ついて、前記実施例１と同様のシミュレーションで得ら
れた計算曲線を図１１に示す。計算曲線は、△印で示さ
れた実測値とほぼ一致している。トラック深さが７６ｎ
ｍ近傍でクロストーク量が最小となっており、その値は
前記実施例と比べて小さくなっている。

【００６４】光ビーム径（直径）Ｌとトラックピッチｐ
との比Ｌ／ｐを変化させたときのクロストーク量を表４
に示す。表４より、Ｌ／ｐが１．３３以下でクロストー
ク量が−２３ｄＢ以下となる。またＬ／ｐが０．８６よ
り小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロスト
ーク量が−３０ｄＢ以下となり本発明の効果は小さい。
したがって、光ビーム径Ｌとトラックピッチｐとが０．
８６≦Ｌ／ｐ≦１．３３の条件を満たすとき、上記と同
様のクロストーク低減の効果が得られた。したがって、
実施例１に比べトラックピッチをさらに詰めることが可
能となる。

【００６５】なお、上記したようにＬ／ｐが０．８６よ
り小さくなると上記トラック深さの範囲外でもクロスト
ーク量が−３０ｄＢ以下となるが、この場合は、光ビー
ム径Ｌをより小さくせねばならず、技術的に困難であ
る。あるいは、トラックピッチｐを大きくせねばなら
ず、高密度記録することができなくなる。

【００６６】表３より、トラック深さが８０ｎｍのサン
プルでは、トラックピッチを１．２μｍにしても、クロ
ストーク量は−２３ｄＢ以下である。したがって、より
高密度記録が可能である。

【００６７】

【表４】

【００６８】以上の実施例において、読み出し層９のＧ
ｄＦｅＣｏの組成は、上記のＧｄ_{0. 26}（Ｆｅ_0.82Ｃｏ
_0.18）_0.74に限定されるものではない。読み出し層９と
しては、室温でほぼ面内磁化を有し、室温以上の温度で
面内磁化から垂直磁化に移行すればよい。実施例で示し
たＧｄＦｅＣｏ以外に、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＨｏＦｅＣｏ等が好適である。

【００６９】なお、上記実施例では、読み出し層９およ
び光磁気記録層３を透明誘電体層２と４とで挟んだ構成
を示したが、透明誘電体層４とオーバーコート層６との
間に反射層５を形成した構成あるいは、透明誘電体層４
の代わりに放熱層（図示されていない）を設けた構成で
もかまわない。また、光磁気記録層３として、通常の光
磁気記録媒体の単層膜について示したが、光変調オーバ
ーライトを目的とした多層膜であってもかまわない。

【００７０】以上の実施例では、光磁気ディスクについ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記憶素子に
も適用できる。

【００７１】本発明に対応する光磁気ディスクは、透明
基板１の少なくとも片面に光ビーム１１を案内するため
のグルーブ部を有し、グルーブ部側の透明基板１上に光
磁気記録層３が設けられており、グルーブ部の幅とグル
ーブ部間のランド部の幅とがほぼ等しく、グルーブ部上
のトラックおよびランド部上のトラックに対し、情報の
記録再生を行う光磁気ディスクであって、グルーブ部の
深さｄ（トラック深さ）は、光ビーム１１の波長をλ、
透明基板１の屈折率をｎとすると、 ０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ を満足するように設定されており、トラックピッチｐ
は、照射する光ビームの光強度がビーム中心の１／ｅ²
となる位置での光ビームの直径をＬとすると、 ０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２ を満足するように設定されている構成である。

【００７２】これによれば、グルーブ部（または、ラン
ド部）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド部
（または、グルーブ部）の上のトラックからのクロスト
ークが、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に少
なくなる。これにより、トラック密度を高くしても、す
なわち、グルーブ部の幅およびランド部の幅を小さくし
ても、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度
の光磁気ディスクを実現できる。

【００７３】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光磁気記憶素子は、透明基板の少なくとも片面に光ビー
ムを案内するためのグルーブを有し、グルーブ側の透明
基板上に光磁気記録層が設けられており、グルーブの幅
とグルーブ間のランドの幅とがほぼ等しく、グルーブ上
のトラックおよびランド上のトラックに対し、情報の記
録再生を行う光磁気記憶素子であって、グルーブの深さ
ｄは、光ビームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとす
ると、 ０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ を満足するように設定されている構成である。

【００７４】また、請求項２記載の光磁気記憶素子は、
請求項１記載の光磁気記憶素子において、照射する光ビ
ームの光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ² と
なる位置での光ビームの直径をＬとすると、トラックピ
ッチｐが、 ０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２ を満足するように設定されている構成である。

【００７５】それゆえ、請求項１および２記載の光磁気
記憶素子は、トラック密度を高くしても、すなわち、グ
ルーブの幅およびランドの幅を小さくしても、良好な信
号品質が得られる。つまり、高記録密度を実現できると
いう効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の光磁気ディスクの概略の構
成を示す縦断面図である。

【図２】図１の光磁気ディスクのクロストーク量の測定
方法を示す説明図である。

【図３】図１の光磁気ディスクのクロストークのトラッ
ク深さ依存性を示すグラフである。

【図４】本発明の他の実施例の光磁気ディスクの概略の
構成を示す縦断面図である。

【図５】図４の光磁気ディスクの読み出し層に使用され
る材料の磁気状態図である。

【図６】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温か
ら温度Ｔ₁ 間のヒステリシス特性を示すグラフである。

【図７】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₁ から温度Ｔ₂ のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。

【図８】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₂ から温度Ｔ₃ のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。

【図９】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₃ からキュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示すグラ
フである。

【図１０】図４の光磁気ディスクの再生方法を示すため
の説明図である。

【図１１】図４の光磁気ディスクのクロストークのトラ
ック深さ依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 透明基板 ３ 光磁気記録層 ９ 読み出し層 １１ 光ビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板の少なくとも片面に光ビームを案
   内するためのグルーブを有し、グルーブ側の透明基板上
   に光磁気記録層が設けられており、グルーブの幅とグル
   ーブ間のランドの幅とがほぼ等しく、グルーブ上のトラ
   ックおよびランド上のトラックに対し、情報の記録再生
   を行う光磁気記憶素子であって、 グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明基板の
   屈折率をｎとすると、 ０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎ を満足するように設定されていることを特徴とする光磁
   気記憶素子。
2. 【請求項２】トラックピッチｐは、照射する光ビームの
   光強度がビーム中心における光強度の１／ｅ² となる位
   置での光ビームの直径をＬとすると、 ０．６≦Ｌ／ｐ≦１．２ を満足するように設定されていることを特徴とする請求
   項１記載の光磁気記憶素子。