JPH0765423A

JPH0765423A - 光磁気記憶素子

Info

Publication number: JPH0765423A
Application number: JP21295393A
Authority: JP
Inventors: Michinobu Saegusa; 理伸三枝; Hiroyuki Katayama; 博之片山; Akira Takahashi; 明高橋; Kenji Ota; 賢司太田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-08-27
Filing date: 1993-08-27
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】【構成】透明基板１の少なくとも片面に光ビームを案
内するためのグルーブ部を有し、グルーブ部側の透明基
板１上に光磁気記録層３が設けられており、グルーブ部
の幅とグルーブ部間のランド部の幅とがほぼ等しく、グ
ルーブ部上のトラックおよびランド部上のトラックに対
し、情報の記録再生を行う光磁気ディスクであって、グ
ルーブ部の深さｄ（トラック深さ）は、光ビームの波長
をλ、透明基板１の屈折率をｎとしたとき、０．１０×λ／ｎ≦ｄ≦０．１４×λ／ｎを満足するように設定されている光磁気ディスク。【効果】トラック密度を高くしても、すなわち、グル
ーブ部の幅およびランド部の幅を小さくしても、良好な
信号品質が得られる。つまり、高記録密度の光磁気ディ
スクを実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に用い
られる光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記憶素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクは、書き換えが可能な光
ディスクとして研究開発が進められ、その一部はすで
に、コンピューター用の外部メモリーとして実用化がな
されている。

【０００３】光磁気ディスクは記録媒体として垂直磁化
膜を用い、光を用いて記録再生を行うため、面内磁化膜
を用いたフロッピーディスクあるいはハードディスクに
比べて記憶容量が大きいことが特徴である。

【０００４】しかしながら、近年では、より大容量なメ
モリーが要求され、ハードディスクをはじめ、光磁気デ
ィスクにおいても、記録密度をより向上させるための研
究が精力的になされている。

【０００５】特公昭６３−５７８５９号公報では、透明
基板上に凹部（グルーブ部）と凸部（ランド部）の幅を
ほぼ１：１としたガイドトラックを設け、グルーブ部の
上のトラックとランド部の上のトラックとに対し、情報
の記録再生を行うことにより高記録密度を実現する光学
式記録再生装置が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、トラック密度を高くすると、グルーブ部
（または、ランド部）の上のトラックを再生したとき、
両隣のランド部（または、グルーブ部）の上のトラック
からのクロストークが大きくなる。このため、記録密度
をあまり上げることができないという問題点を有してい
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記憶
素子は、上記の課題を解決するために、透明基板の少な
くとも片面に光ビームを案内するためのグルーブを有
し、グルーブ側の透明基板上に光磁気記録層が設けられ
ており、グルーブの幅とグルーブ間のランドの幅とがほ
ぼ等しく、グルーブ上のトラックおよびランド上のトラ
ックに対し、情報の記録再生を行う光磁気記憶素子であ
って、グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明
基板の屈折率をｎとすると、０．１０×λ／ｎ≦ｄ≦０．１４×λ／ｎを満足するように設定されていることを特徴としてい
る。

【０００８】

【作用】上記の構成によれば、グルーブ（または、ラン
ド）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド（ま
たは、グルーブ）の上のトラックからのクロストーク
が、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に少なく
なる。これにより、トラック密度を高くしても、すなわ
ち、グルーブの幅およびランドの幅を小さくしても、良
好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度の光磁気
記憶素子を実現できる。

【０００９】

【実施例】本発明の第１の実施例について図１ないし図
３に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００１０】本実施例の光磁気ディスクは、図１に示す
ように、透明基板１、透明誘電体層２、光磁気記録層
３、透明誘電体層４、反射層５、オーバーコート層６が
この順に積層された構成を有している。

【００１１】透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のガラス基板で、表面には光ビーム案内
用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グルー
ブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍで形
成されている。

【００１２】この透明基板１のガイドトラックがある面
側に、透明誘電体層２として、ＡｌＮが厚さ８０ｎｍで
形成されている。

【００１３】この透明誘電体層２上に、光磁気記録層３
として、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ
２０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄ
ｙ_0. ₂₃（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77で、そのキュリー温度
は約２００℃である。

【００１４】光磁気記録層３上には、透明誘電体層４と
して、ＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘
電体層４上には、反射層５として、Ａｌが厚さ４０ｎｍ
で形成されている。反射層５上には、オーバーコート層
６として、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型
樹脂が厚さ５μｍで形成されている。

【００１５】透明基板１の表面のガイドトラックは、反
応性イオンエッチング法により、ガラス表面に直接形成
した。

【００１６】透明誘電体層２、光磁気記録層３、透明誘
電体層２及び反射層５は、いずれもスパッター法によ
り、同一スパッター装置内で、真空を破らずに形成し
た。

【００１７】透明誘電体層２及び４のＡｌＮは、Ａｌタ
ーゲットをＮ₂ガス雰囲気中でスパッターする反応性ス
パッター法により形成した。

【００１８】光磁気記録層３は、ＦｅＣｏ合金ターゲッ
ト上にＤｙのチップを並べた、いわゆる複合ターゲッ
ト、もしくはＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用い
て、Ａｒガスでスパッターすることにより形成した。

【００１９】オーバーコート層６は、スピンコーターに
より樹脂を塗布した後、紫外線照射装置で紫外線を当
て、硬化させることで形成した。

【００２０】上記の構成において、グルーブ部の上の光
磁気記録層３からなるトラックと、ランド部の上の光磁
気記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再
生が行われる。

【００２１】グルーブ部の深さとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが４０ｎｍ、５０
ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍのサンプルを作製
した。

【００２２】各サンプルのランド部の上の光磁気記録層
３にのみ信号を記録し、図２（ａ）に示すように、ビッ
ト長０．７６５μｍの記録ドメイン７ａ…を形成した。
それから、ランド部に光ビームスポット８を追従させな
がら、ランド部の上の光磁気記録層３に記録した信号を
再生し、信号レベルを測定した。

【００２３】また、各サンプルのグルーブ部の上の光磁
気記録層３にのみ信号を記録し、同図（ｂ）に示すよう
に、ビット長０．７６５μｍの記録ドメイン７ｂ…を形
成した。それから、ランド部に光ビームスポット８を追
従させながら、グルーブ部の上の光磁気記録層３に記録
した信号、すなわち漏れ信号を再生し、信号レベルを測
定した。

【００２４】そして、上記の二つの信号レベルの差をク
ロストーク量とした。測定に用いた光ビームの波長は７
８０ｎｍ、光ビームを光磁気ディスク上に光ビームスポ
ット８として収斂させると共に、光磁気ディスクからの
反射光を集光する対物レンズの開口数は０．５５、光ビ
ーム径、すなわち、光ビームスポット８において光強度
が中心の光強度の１／ｅ²になる位置での大きさは１．
２μｍである。

【００２５】表１に、測定結果を示す。これより、トラ
ック深さ、すなわち、グルーブ部の深さが６０ｎｍ近傍
で、クロストークが激減することが分かる。

【００２６】

【表１】

【００２７】トラック深さとクロストーク量との関係に
ついて、シミュレーションで得られた計算曲線を図３に
示す。計算曲線は、○印で示された実測値とほぼ一致し
ている。曲線よりトラック深さが６１ｎｍ（０．１１７
×λ／ｎ、λは光ビームの波長、ｎは透明基板１の屈折
率）近傍で、クロストークが最小となる。また、トラッ
ク深さが５２〜７３ｎｍの範囲で、クロストーク量は−
２０ｄＢ以下となる。すなわち、ガイドトラックの深さ
を、ｋ×λ／ｎとすると、０．１０≦ｋ≦０．１４のと
き、隣接トラックからのクロストークが低減され、良好
な再生信号品質が得られ、高密度記録が可能となる。

【００２８】また、光ビーム径ｒ₀、トラックピッチｐ
をそれぞれ変化させたときのクロストーク量の変化をシ
ミュレーションした結果、上記トラック深さの範囲にお
いて、光ビーム径ｒ₀とトラックピッチｐが、０．５≦
ｒ₀／ｐ≦０．９の条件を満たすとき、上記と同様のク
ロストーク低減の効果が得られた。なお、上記の表１
は、ｒ₀／ｐ＝０．７５（＝１．２μｍ／１．６μｍ）
の下で得られたものである。

【００２９】上記実施例では光磁気記録層３の材料とし
てＤｙＦｅＣｏを採用したが、これに限る必要はなく、
従来の光磁気ディスクで開発、使用されている材料、す
なわち、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す材料
で、そのキュリー温度が記録に適した温度範囲、すなわ
ち、１５０〜２５０℃であればよい。実施例で示したＤ
ｙＦｅＣｏ以外に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏが
好適である。

【００３０】透明誘電体層２、４の材料としては、Ａｌ
Ｎ以外に、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌ
ＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂、Ｂ
ａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃等が好適である。

【００３１】透明基板１としては、ガラス基板以外、化
学強化されたガラスからなる基板、ガラス基板上に紫外
線硬化型樹脂を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基
板、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール
（ＰＶＣ）、エポキシのいずれかからなる基板が好適で
ある。

【００３２】透明基板１に化学強化されたガラスからな
る基板を採用した場合、機械特性（面振れ、偏心、反
り、傾き）に優れていること、硬度が高いため砂や埃に
より傷が付きにくいこと、化学的に安定であるため各種
溶剤に溶けないこと、プラスチック基板に比べて帯電し
にくいため埃や塵が付着しにくいこと、化学的に強化さ
れているため割れにくいこと、耐湿性、耐酸化性、耐熱
性に優れているため光磁気ディスクの長期信頼性が向上
すること、光学特性が優れているため高い信号品質が得
られること等が利点として挙げられる。

【００３３】透明基板１にＰＣ基板を採用した場合、射
出成形ができるため同一の基板を大量に安価に供給でき
ること、他のプラスチック基板に比べて吸水性が低いた
め光磁気ディスクの長期信頼性が向上すること、耐熱
性、耐衝撃性に優れていること等が利点として挙げられ
る。

【００３４】なお、ＰＣを含め、射出成形が可能な材料
を採用した透明基板１については、ガイドトラック、プ
リピット等は、射出成形時にスタンパーを成形用金型の
表面に取り付けておけば、成形と同時に基板表面に形成
される。

【００３５】なお、上記実施例では、反射層５を設けた
構成を示したが、反射層５を除いた構成でもかまわな
い。また、光磁気記録層３として、通常の、垂直磁化を
示す単層膜について示したが、光変調オーバーライトあ
るいは超解像を目的とした多層膜であってもかまわな
い。

【００３６】本発明の第２の実施例について図４ないし
図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、そ
の説明を省略する。

【００３７】本実施例の光磁気ディスクは、図４に示す
ように、透明基板１、透明誘電体層２、読み出し層９、
光磁気記録層３、透明誘電体層４、オーバーコート層６
がこの順に積層された構成を有している。

【００３８】透明基板１は、直径１３０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のガラス基板で、表面には光ビーム案内
用の凹凸のガイドトラックが１．６μｍピッチ、グルー
ブ部の幅が０．８μｍ、ランド部の幅が０．８μｍで形
成されている。

【００３９】この透明基板１のガイドトラックがある面
側に、透明誘電体層２として、ＡｌＮが厚さ８０ｎｍで
形成されている。

【００４０】透明誘電体層２上に、読み出し層９とし
て、希土類遷移金属合金であるＧｄＦｅＣｏが厚さ５０
ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ
_0.26（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.74で、そのキュリー温度は
約３００℃である。

【００４１】上記の読み出し層９の磁化の方向は、室温
ではほぼ面内にあり、１００〜１２５℃の範囲で面内方
向から垂直方向に移行する。

【００４２】この読み出し層９上に、光磁気記録層３と
して、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏが厚さ５
０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ
_0.23（Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18）_0.77で、そのキュリー温度は
約２００℃である。

【００４３】光磁気記録層３上には、透明誘電体層４と
して、ＡｌＮが厚さ２０ｎｍで形成されている。透明誘
電体層４上には、オーバーコート層６として、ポリウレ
タンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂が厚さ５μｍで
形成されている。

【００４４】透明基板１、透明誘電体層２、光磁気記録
層３、透明誘電体層４、オーバーコート層６に関して
は、上記第１の実施例と同一の材料が用いられており、
同一の製法で形成された。

【００４５】読み出し層９は、ＦｅＣｏ合金ターゲット
上にＧｄのチップを並べた、いわゆる複合ターゲット、
もしくはＧｄＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、
Ａｒガスでスパッターすることにより形成された。

【００４６】上記読み出し層９の材料として使用される
希土類遷移金属合金の磁気状態図は、図５に示すように
なり、垂直磁化を示す組成範囲（図中、Ａで示す）は非
常に狭い。これは希土類金属と遷移金属の磁気モーメン
トが釣り合う補償組成（図中、Ｐで示す）の近辺でしか
垂直磁化が現れないからである。

【００４７】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントは、それぞれの温度特性が異なるため、高温で
は遷移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大き
くなる。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の
含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面
内磁化を示すようにしておく。そして、光ビームが照射
されることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移
金属の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類
金属の磁気モーメントと釣り合うようになり、垂直磁化
を示すようになる。

【００４８】図６ないし図９は、読み出し層９のヒステ
リシス特性の一例を示した図で、各図とも横軸が読み出
し層９の膜面に垂直方向に印加される外部磁界（Ｈｅ
ｘ）、縦軸が同じく膜面に垂直な方向から光を入射させ
た場合の極カー回転角（θｋ）を示している。図６は、
図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温から温度Ｔ
₁間のヒステリシス特性を示し、図７ないし図９は、そ
れぞれ、温度Ｔ₁から温度Ｔ₂のヒステリシス特性、温
度Ｔ₂から温度Ｔ₃のヒステリシス特性、温度Ｔ₃から
キュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示している。

【００４９】温度Ｔ₁から温度Ｔ₃の範囲では、外部磁
界に対して極カー回転角の立ち上がりが急峻なヒステリ
シス特性を示すが、それ以外の温度範囲では極カー回転
角はほとんど０である。

【００５０】読み出し層９を設けることにより、記録密
度を高くすることができる。次に、記録密度を高めるこ
とができる理由を説明する。

【００５１】光磁気記録媒体における記録密度は、記
録、再生に使用される光ビームの光磁気記録媒体上での
大きさに依存する。読み出し層９を用いることで、光ビ
ームの大きさよりも小さな記録ビットの再生が可能にな
る。

【００５２】再生時、図１０に示すように、透明基板１
の側から集光レンズ１０を介して再生用の光ビーム１１
が読み出し層９に照射される。このとき、光磁気記録層
３には、図に矢印で示されている磁化の向きに記録がな
されているとする。

【００５３】再生光ビーム１１が照射された読み出し層
９の部位は、その中心部近傍が最も温度が上昇し、周辺
の部位の温度よりも高くなる。これは、再生光ビーム１
１が、集光レンズ１０により回折限界まで絞り込まれて
いるため、その光強度分布がガウス分布になり、光磁気
ディスク上の再生部位の温度分布もほぼガウス分布にな
るからである。ここで、中心近傍の温度が前述の図５中
の温度Ｔ₁以上に達するような光ビーム１１の強度が与
えられたとする。このとき、周辺部位の温度は温度Ｔ₁
以下となる。この温度Ｔ₁以上の温度を有する領域のみ
を再生に関与させるので、光ビーム１１の径よりも小さ
な記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上する
ことになる。

【００５４】つまり、温度Ｔ₁以上の温度を有する領域
の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する（図６から
図７もしくは図８へ）。この時、読み出し層９及び光磁
気記録層３の２層間の交換結合力により、光磁気記録層
３の磁化の向きが読み出し層９に転写される。一方、再
生光ビーム１１の中心近傍に対応する以外の、周辺部位
では温度が温度Ｔ₁以下であるため、面内磁化の状態
（図６）が保持される。この結果、膜面に垂直方向か照
射された光ビーム１１に対しては、極カー効果を示さな
い。

【００５５】このようにして、温度上昇部位が面内磁化
から垂直直に移行すると、再生光ビーム１１の中心近傍
のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射
光に基づいて光磁気記録層３に記録された情報が再生さ
れる。

【００５６】そして、再生光ビーム１１が移動して（光
磁気ディスクが回転して）、次の記録ビットを再生する
ときは、先の再生部位の温度は温度Ｔ₁以下に下がり、
垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴い、この温
度が低下した部位は極カー効果を示さなくなる。したが
って、該温度の低下した部位からは情報が再生されなく
なり、雑音の原因である隣接ビットからの信号混入がな
くなる。

【００５７】以上のように、読み出し層９を用いれば、
光ビーム１１の径よりも小さな記録信号の再生が行え、
隣接する記録信号の影響を受けないため、記録密度を高
めることが可能となる。

【００５８】上記の構成において、グルーブ部の上の光
磁気記録層３からなるトラックと、ランド部の上の光磁
気記録層３からなるトラックとに対して、情報の記録再
生が行われる。

【００５９】グルーブ部の深さとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが４０ｎｍ、５０
ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍのサンプルを作製
した。さらに、トラックピッチとクロストーク量との関
係を調べるために、グルーブ部の深さが６０ｎｍであ
り、トラックピッチが１．２μｍ、１．３μｍ、１．４
μｍのサンプルを作製した。

【００６０】これらのサンプルについて、前記実施例と
同じ方法でクロストーク量を測定した。

【００６１】表２に、測定結果を示す。これより、トラ
ック深さ、すなわち、グルーブ部の深さが６０ｎｍ近傍
で、前記実施例と同様に、クロストークが激減すること
が分かる。

【００６２】

【表２】

【００６３】トラック深さとクロストーク量との関係に
ついて、前記実施例と同様のシミュレーションで得られ
た計算曲線を図１１に示す。計算曲線は、△印で示され
た実測値とほぼ一致している。トラック深さが６１ｎｍ
近傍で、クロストーク量が最小となっており、その値は
前記実施例と比べて小さくなっている。

【００６４】また、光ビーム径ｒ₀、トラックピッチｐ
をそれぞれ変化させたときのクロストーク量の変化をシ
ミュレーションした結果、上記トラック深さの範囲にお
いて、光ビーム径ｒ₀とトラックピッチｐが、０．５≦
ｒ₀／ｐ≦０．９の条件を満たすとき、上記と同様のク
ロストーク低減の効果が得られた。したがって、前記実
施例と比べてトラックピッチをさらに詰めることが可能
となる。

【００６５】トラック深さが６０ｎｍのサンプルでは、
トラックピッチを１．２μｍにしても、クロストーク量
は−３０ｄＢ以下である。したがって、より高密度記録
が可能である。

【００６６】以上の実施例において、読み出し層９のＧ
ｄＦｅＣｏの組成は、上記のＧｄ_0. ₂₆（Ｆｅ_0.82Ｃｏ
_0.18）_0.74に限定されるものではない。読み出し層９と
しては、室温でほぼ面内磁化を有し、室温以上の温度で
面内磁化から垂直磁化に移行すればよい。実施例で示し
たＧｄＦｅＣｏ以外に、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＨｏＦｅＣｏが好適である。

【００６７】なお、上記実施例では、読み出し層９およ
び光磁気記録層３を透明誘電体層２と４とで挟んだ構成
を示したが、透明誘電体層４とオーバーコート層６との
間に反射層５を形成した構成あるいは、透明誘電体層４
の代わりに放熱層（図示されていない）を設けた構成で
もかまわない。また、光磁気記録層３として、通常の光
磁気記録媒体の単層膜について示したが、光変調オーバ
ーライトを目的とした多層膜であってもかまわない。

【００６８】以上の実施例では、光磁気ディスクについ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記憶素子に
も適用できる。

【００６９】本発明に対応する光磁気ディスクは、透明
基板１の少なくとも片面に光ビーム１１を案内するため
のグルーブ部を有し、グルーブ部側の透明基板１上に光
磁気記録層３が設けられており、グルーブ部の幅とグル
ーブ部間のランド部の幅とがほぼ等しく、グルーブ部上
のトラックおよびランド部上のトラックに対し、情報の
記録再生を行う光磁気ディスクであって、グルーブ部の
深さｄ（トラック深さ）は、光ビーム１１の波長をλ、
透明基板１の屈折率をｎとすると、０．１０×λ／ｎ≦ｄ≦０．１４×λ／ｎを満足するように設定されている構成である。

【００７０】これによれば、グルーブ部（または、ラン
ド部）の上のトラックを再生したとき、両隣のランド部
（または、グルーブ部）の上のトラックからのクロスト
ークが、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に少
なくなる。これにより、トラック密度を高くしても、す
なわち、グルーブ部の幅およびランド部の幅を小さくし
ても、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度
の光磁気ディスクを実現できる。

【００７１】

【発明の効果】本発明に係る光磁気記憶素子は、以上の
ように、グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透
明基板の屈折率をｎとすると、０．１０×λ／ｎ≦ｄ≦０．１４×λ／ｎを満足するように設定されているので、グルーブ（また
は、ランド）の上のトラックを再生したとき、両隣のラ
ンド（または、グルーブ）の上のトラックからのクロス
トークが、上記条件を満足しない場合と比較して大幅に
少なくなる。これにより、トラック密度を高くしても、
すなわち、グルーブの幅およびランドの幅を小さくして
も、良好な信号品質が得られる。つまり、高記録密度の
光磁気記憶素子を実現できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すものであり、光磁
気ディスクの概略の構成を示す縦断面図である。

【図２】図１の光磁気ディスクのクロストーク量の測定
方法を示すための説明図である。

【図３】図１の光磁気ディスクのクロストークのトラッ
ク深さ依存性を示すグラフである。

【図４】本発明の第１の実施例を示すものであり、光磁
気ディスクの概略の構成を示す縦断面図である。

【図５】図１の光磁気ディスクの読み出し層に使用され
る材料の磁気状態図である。

【図６】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、室温か
ら温度Ｔ₁間のヒステリシス特性を示すグラフである。

【図７】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₁から温度Ｔ₂のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。

【図８】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₂から温度Ｔ₃のヒステリシス特性を示すグラフであ
る。

【図９】図５の磁気状態図における組成Ｐ点の、温度Ｔ
₃からキュリー温度Ｔｃのヒステリシス特性を示すグラ
フである。

【図１０】図４の光磁気ディスクの再生方法を示すため
の説明図である。

【図１１】図４の光磁気ディスクのクロストークのトラ
ック深さ依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１透明基板３光磁気記録層９読み出し層１１光ビーム

フロントページの続き (72)発明者太田賢司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板の少なくとも片面に光ビームを案
内するためのグルーブを有し、グルーブ側の透明基板上
に光磁気記録層が設けられており、グルーブの幅とグル
ーブ間のランドの幅とがほぼ等しく、グルーブ上のトラ
ックおよびランド上のトラックに対し、情報の記録再生
を行う光磁気記憶素子であって、グルーブの深さｄは、光ビームの波長をλ、透明基板の
屈折率をｎとすると、０．１０×λ／ｎ≦ｄ≦０．１４×λ／ｎを満足するように設定されていることを特徴とする光磁
気記憶素子。