JPH04335233A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH04335233A JPH04335233A JP10622191A JP10622191A JPH04335233A JP H04335233 A JPH04335233 A JP H04335233A JP 10622191 A JP10622191 A JP 10622191A JP 10622191 A JP10622191 A JP 10622191A JP H04335233 A JPH04335233 A JP H04335233A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気光学効果を利用して
レーザー光により情報の記録・再生を行なう光ディスク
等の光磁気記録媒体に関する。
レーザー光により情報の記録・再生を行なう光ディスク
等の光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、書換可能な光記録媒体としては
、カー効果を利用した光磁気形のものが用いられている
。すなわち、基板の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属
との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直磁化可能な
光磁気層を形成し、集束したレーザー光を照射して照射
部分の光磁気層をキュリー点近傍に加熱し、この部分を
含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことにより、
この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめる
ことにより情報の書込を行なう。情報の読出は直線偏光
した集束レーザー光を光磁気層に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。
、カー効果を利用した光磁気形のものが用いられている
。すなわち、基板の上に鉄族遷移金属と希土類遷移金属
との非晶質合金のフェリ磁性体からなる垂直磁化可能な
光磁気層を形成し、集束したレーザー光を照射して照射
部分の光磁気層をキュリー点近傍に加熱し、この部分を
含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことにより、
この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめる
ことにより情報の書込を行なう。情報の読出は直線偏光
した集束レーザー光を光磁気層に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。
【０００３】光磁気層はカー効果により反射光の偏光面
を回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角
θｋが光磁気層の垂直磁化の向きにより異なることを利
用して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁
化の向きに対応した情報を光量変化として読出すことが
できる。
を回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角
θｋが光磁気層の垂直磁化の向きにより異なることを利
用して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁
化の向きに対応した情報を光量変化として読出すことが
できる。
【０００４】このような光磁気層は非常に酸化しやすい
ので、通常図３のような層構成になっている。すなわち
、基板１の上に、光学干渉層３２，光磁気層４，保護層
５をこの順に設け、酸化しやすい光磁気層４を光学干渉
層３２と保護層５とで挟みこむことにより光磁気層４が
酸化することを防いでいる。通常、光学干渉層３２や保
護層５としては窒化シリコン膜が用いられている。
ので、通常図３のような層構成になっている。すなわち
、基板１の上に、光学干渉層３２，光磁気層４，保護層
５をこの順に設け、酸化しやすい光磁気層４を光学干渉
層３２と保護層５とで挟みこむことにより光磁気層４が
酸化することを防いでいる。通常、光学干渉層３２や保
護層５としては窒化シリコン膜が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の光磁気記録媒体では、基板側からみたときの反射
率が大きすぎるという欠点があるとともに、高温高湿度
環境に長い時間保存しておくと基板と窒化シリコン膜の
光学干渉層とが剥れやすいという欠点があった。
従来の光磁気記録媒体では、基板側からみたときの反射
率が大きすぎるという欠点があるとともに、高温高湿度
環境に長い時間保存しておくと基板と窒化シリコン膜の
光学干渉層とが剥れやすいという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、基板上に光学干渉層と、鉄族遷移金属と希土類遷移
金属との非晶質合金の光磁気層とをこの順に少なくとも
設け、レーザー光を該基板を通して該光磁気層に集束し
て照射することにより情報の書込を行ない、レーザー光
を該基板を通して該光磁気層に集束して移動させながら
照射することにより情報の読出を行なうようにした光磁
気記録媒体であって、前記光学干渉層は硫化亜鉛と二酸
化シリコンとの混合層と、窒化シリコン層との２層から
なり、該混合層と該窒化シリコン層の光磁気記録再生光
の波長での屈折率は該混合層の屈折率の方を大きくする
ように構成する。
は、基板上に光学干渉層と、鉄族遷移金属と希土類遷移
金属との非晶質合金の光磁気層とをこの順に少なくとも
設け、レーザー光を該基板を通して該光磁気層に集束し
て照射することにより情報の書込を行ない、レーザー光
を該基板を通して該光磁気層に集束して移動させながら
照射することにより情報の読出を行なうようにした光磁
気記録媒体であって、前記光学干渉層は硫化亜鉛と二酸
化シリコンとの混合層と、窒化シリコン層との２層から
なり、該混合層と該窒化シリコン層の光磁気記録再生光
の波長での屈折率は該混合層の屈折率の方を大きくする
ように構成する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【０００８】図１は本発明の光磁気記録媒体の１実施例
の概略断面図である。光磁気記録媒体は基板１の上に、
硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合層２を設け、その上
に窒化シリコン層３を設け、その上に光磁気層４を設け
、その上に保護層５を少なくとも設ける。
の概略断面図である。光磁気記録媒体は基板１の上に、
硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合層２を設け、その上
に窒化シリコン層３を設け、その上に光磁気層４を設け
、その上に保護層５を少なくとも設ける。
【０００９】光磁気記録媒体は図１のような構成のまま
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の記録および再生を行なう場合もあるが、保護層５の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１の光磁気
記録媒体を基板１が外側になるように貼合せて記録・再
生する場合もある。このとき、保護層５の上にはＵＶ硬
化樹脂等のオーバーコートを行なってから貼合せてもよ
い。
で、レーザー光を基板１を通して入射することにより情
報の記録および再生を行なう場合もあるが、保護層５の
上にホットメルト剤を塗布することにより図１の光磁気
記録媒体を基板１が外側になるように貼合せて記録・再
生する場合もある。このとき、保護層５の上にはＵＶ硬
化樹脂等のオーバーコートを行なってから貼合せてもよ
い。
【００１０】本発明の基板１としては、フォトポリマー
のついたガラス板や、フォトポリマーのついたアクリル
板や、ポリカーボネイト樹脂板等を用いる。この基板１
には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを
形成しておくことが望ましい。
のついたガラス板や、フォトポリマーのついたアクリル
板や、ポリカーボネイト樹脂板等を用いる。この基板１
には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを
形成しておくことが望ましい。
【００１１】本発明の光磁気層４としては、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＣｒ等の単層膜や、ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＴ
ｉ，ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｒ，ＧｄＦｅＣｏ／Ｔｂ
ＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏＣｒ，Ｇｄ
ＦｅＣｏ／ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏ／Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ／ＴｂＦｅＴｉ，
ＧｄＦｅＣｏＴｉ／ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ／ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ／ＴｂＦ
ｅＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＣｒ／ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＦ
ｅＣｏＣｒ／ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ
／ＴｂＦｅＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｒ，Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ
／ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，
ＴｂＦｅＣｏＴｉ／ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ／ＴｂＦｅＣｏＣｒ等の２層の光磁気膜を用いる。光
磁気層４の厚さは４００オングストローム以上とする。
ｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ，Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙ
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／ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ／ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ，
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ｒ／ＴｂＦｅＣｏＣｒ等の２層の光磁気膜を用いる。光
磁気層４の厚さは４００オングストローム以上とする。
【００１２】本発明の保護層５としては窒化シリコンが
最も望ましいが、これに限定される必要はない。窒化シ
リコンの上にさらに別の保護膜を積層してもよい。保護
層５の厚さとしては厚い方が望ましい。およそ１５０オ
ングストローム以上が望ましい。
最も望ましいが、これに限定される必要はない。窒化シ
リコンの上にさらに別の保護膜を積層してもよい。保護
層５の厚さとしては厚い方が望ましい。およそ１５０オ
ングストローム以上が望ましい。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体は硫化亜鉛と二酸
化シリコンとの混合層２と、窒化シリコン層３とが従来
の光磁気記録媒体（図３）の光学干渉層３２の役割をし
ている。
化シリコンとの混合層２と、窒化シリコン層３とが従来
の光磁気記録媒体（図３）の光学干渉層３２の役割をし
ている。
【００１４】光磁気層４が８００オングストローム厚の
ＴｂＦｅＣｏＴｉで記録・再生用のレーザーの波長（λ
）が８３００オングストロームの場合、混合層２の中の
二酸化シリコンの割合をおよそ１５モル％にして、混合
層２と窒化シリコン層３の厚さを０〜１０００オングス
トロームに変化させて光磁気記録媒体を作製し、その反
射率を測定すると図２となる。図２から、本発明により
反射率を小さくすることができることがわかる。
ＴｂＦｅＣｏＴｉで記録・再生用のレーザーの波長（λ
）が８３００オングストロームの場合、混合層２の中の
二酸化シリコンの割合をおよそ１５モル％にして、混合
層２と窒化シリコン層３の厚さを０〜１０００オングス
トロームに変化させて光磁気記録媒体を作製し、その反
射率を測定すると図２となる。図２から、本発明により
反射率を小さくすることができることがわかる。
【００１５】例えば、従来光学干渉層３２を７５０オン
グストロームの窒化シリコン膜で形成していたのを、本
発明の光磁気記録媒体のように硫化亜鉛と二酸化シリコ
ン（１５モル％）との混合層２を６００オングストロー
ム厚で形成し、その上に窒化シリコン層３を１５０オン
グストローム形成して２層の光学干渉層とすることによ
り、反射率は３０．６％から２４．６％と小さくするこ
とができる。
グストロームの窒化シリコン膜で形成していたのを、本
発明の光磁気記録媒体のように硫化亜鉛と二酸化シリコ
ン（１５モル％）との混合層２を６００オングストロー
ム厚で形成し、その上に窒化シリコン層３を１５０オン
グストローム形成して２層の光学干渉層とすることによ
り、反射率は３０．６％から２４．６％と小さくするこ
とができる。
【００１６】このように反射率を小さくできるのは、窒
化シリコン層３の屈折率よりも混合層２の屈折率の方を
大きくした場合だけである。
化シリコン層３の屈折率よりも混合層２の屈折率の方を
大きくした場合だけである。
【００１７】一方、本発明の光磁気記録媒体を８０℃９
０％という高温高湿度の劣悪環境に１０００時間保存し
ても膜が剥れるということはなく、従来の窒化シリコン
の光学干渉層よりも耐候性に優れることが確認できた。
０％という高温高湿度の劣悪環境に１０００時間保存し
ても膜が剥れるということはなく、従来の窒化シリコン
の光学干渉層よりも耐候性に優れることが確認できた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
射率を小さくできるとともに耐候性に優れた光磁気記録
媒体を得ることができる。
射率を小さくできるとともに耐候性に優れた光磁気記録
媒体を得ることができる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一実施例の概略断面
図、
図、
【図２】本発明の実施例を説明するための反射率の膜厚
依存性を示す図、
依存性を示す図、
【図３】従来の光磁気記録媒体の概略断面図。
１ 基板
２ 硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合層３
窒化シリコン層 ４ 光磁気層 ５ 保護層 ３２ 光学干渉層
窒化シリコン層 ４ 光磁気層 ５ 保護層 ３２ 光学干渉層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に光学干渉層と、鉄族遷移金属
と希土類遷移金属との非晶質合金の光磁気層とをこの順
に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該光磁
気層に集束して照射することにより情報の書込を行ない
、レーザー光を該基板を通して該光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行なうよ
うにした光磁気記録媒体であって、前記光学干渉層は硫
化亜鉛と二酸化シリコンとの混合層と、窒化シリコン層
との２層からなり、該混合層と該窒化シリコン層の光磁
気記録再生光の波長での屈折率は該混合層の屈折率の方
を大きくしたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10622191A JPH04335233A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10622191A JPH04335233A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335233A true JPH04335233A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14428091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10622191A Pending JPH04335233A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04335233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1203371A2 (en) * | 1999-05-20 | 2002-05-08 | Dataplay.Inc | Removable optical storage device and system |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP10622191A patent/JPH04335233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1203371A2 (en) * | 1999-05-20 | 2002-05-08 | Dataplay.Inc | Removable optical storage device and system |
| EP1203371A4 (en) * | 1999-05-20 | 2008-06-18 | Dphi Aquisitions Inc | OPTICAL DEVICE AND SYSTEM FOR REMOVABLE DATA STORAGE |
| US7913270B2 (en) | 1999-05-20 | 2011-03-22 | Dphi Acquisitions, Inc. | First surface removable optical disc within a cartridge |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000718 |