JP2938284B2 - 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法Info
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- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク、光磁
気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体および、こ
れを用いた記録再生方法に関するものである。
気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体および、こ
れを用いた記録再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光ディスクメモリーとし
て、光磁気ディスクメモリーが実用化されている。この
光磁気ディスクメモリーでは、古い情報を消去した後、
新しい情報を記録することにより、情報を書き換えるこ
とができる。
て、光磁気ディスクメモリーが実用化されている。この
光磁気ディスクメモリーでは、古い情報を消去した後、
新しい情報を記録することにより、情報を書き換えるこ
とができる。
【０００３】また、磁界変調オーバーライトによれば、
古い情報を消去する必要がなくなるので、高速に情報を
書き換えることができる。しかし、高周波数で磁界変調
することは困難であり、しかも、充分な大きさの高周波
磁界を光磁気ディスクメモリーに印加するためには、磁
界発生機構を光磁気ディスクメモリーに近接させなくて
はならないという欠点がある。
古い情報を消去する必要がなくなるので、高速に情報を
書き換えることができる。しかし、高周波数で磁界変調
することは困難であり、しかも、充分な大きさの高周波
磁界を光磁気ディスクメモリーに印加するためには、磁
界発生機構を光磁気ディスクメモリーに近接させなくて
はならないという欠点がある。
【０００４】このため、特開昭６２−１７５９４８号公
報では、記録層と記録補助層からなる二層構造の光磁気
記録媒体を使用して、レーザーパワーを変調してオーバ
ーライトを行う、光変調オーバーライト方式が提案され
ている。これによれば、高周波磁界が不要となるので、
より高速なオーバーライトが可能になる。
報では、記録層と記録補助層からなる二層構造の光磁気
記録媒体を使用して、レーザーパワーを変調してオーバ
ーライトを行う、光変調オーバーライト方式が提案され
ている。これによれば、高周波磁界が不要となるので、
より高速なオーバーライトが可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、オーバーライトの度に予め記録補助層の磁化
の方向を揃えており、このために、記録磁界発生機構の
他に初期化磁界発生機構が必要になる。これにより、記
録再生装置の大型化を招くとともに、コストアップにも
つながるという問題点を有している。
構成では、オーバーライトの度に予め記録補助層の磁化
の方向を揃えており、このために、記録磁界発生機構の
他に初期化磁界発生機構が必要になる。これにより、記
録再生装置の大型化を招くとともに、コストアップにも
つながるという問題点を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、基体上
に光入射側から第１、第２、第３磁性層がこの順序に積
層されており、第１磁性層は室温で面内磁化膜であり昇
温すると垂直磁化膜になる磁性材料からなり、第２磁性
層は垂直磁化膜からなり、第３磁性層は第２磁性層より
も高いキュリー温度を有し、上記第２磁性層への記録時
に磁化方向が変わらないように設定された垂直磁化膜か
らなることを特徴としている。
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、基体上
に光入射側から第１、第２、第３磁性層がこの順序に積
層されており、第１磁性層は室温で面内磁化膜であり昇
温すると垂直磁化膜になる磁性材料からなり、第２磁性
層は垂直磁化膜からなり、第３磁性層は第２磁性層より
も高いキュリー温度を有し、上記第２磁性層への記録時
に磁化方向が変わらないように設定された垂直磁化膜か
らなることを特徴としている。
【０００７】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
上記請求項１記載の光磁気記録媒体において、上記第
１、第２磁性層の層間、または、第２、第３磁性層の層
間の少なくともいずれか一方に中間層が設けられてお
り、中間層は面内磁化膜あるいは非磁性膜からなること
を特徴としている。
上記請求項１記載の光磁気記録媒体において、上記第
１、第２磁性層の層間、または、第２、第３磁性層の層
間の少なくともいずれか一方に中間層が設けられてお
り、中間層は面内磁化膜あるいは非磁性膜からなること
を特徴としている。
【０００８】請求項３の発明に係る記録再生方法は、上
記の課題を解決するために、基体上に光入射側から第
１、第２、第３磁性層がこの順序に積層されており、第
１磁性層は室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化
膜になる磁性材料からなり、第２磁性層は垂直磁化膜か
らなり、第３磁性層は第２磁性層よりも高いキュリー温
度を有する垂直磁化膜からなり、第３磁性層の磁化が一
方向に揃えられている光磁気記録媒体を用いる記録再生
方法であって、光磁気記録媒体に一定の垂直記録磁界を
印加しながら、情報に応じて光強度をローパワーとハイ
パワーに変調した光ビームを基体側から照射することに
より、第２磁性層に対して光変調オーバーライトを行
い、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照射
することにより、光ビームスポットの中心付近に位置す
る第１磁性層を垂直磁化膜にし、この垂直磁化膜になっ
た部分を介して第２磁性層の記録情報を磁気光学的に再
生することを特徴としている。
記の課題を解決するために、基体上に光入射側から第
１、第２、第３磁性層がこの順序に積層されており、第
１磁性層は室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化
膜になる磁性材料からなり、第２磁性層は垂直磁化膜か
らなり、第３磁性層は第２磁性層よりも高いキュリー温
度を有する垂直磁化膜からなり、第３磁性層の磁化が一
方向に揃えられている光磁気記録媒体を用いる記録再生
方法であって、光磁気記録媒体に一定の垂直記録磁界を
印加しながら、情報に応じて光強度をローパワーとハイ
パワーに変調した光ビームを基体側から照射することに
より、第２磁性層に対して光変調オーバーライトを行
い、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照射
することにより、光ビームスポットの中心付近に位置す
る第１磁性層を垂直磁化膜にし、この垂直磁化膜になっ
た部分を介して第２磁性層の記録情報を磁気光学的に再
生することを特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１の構成によれば、第３磁性層の磁化を
一方向に揃えておき、一定の記録磁界を印加しながら、
情報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変調し
た光ビームを基体側から照射することにより、第２磁性
層に対して光変調オーバーライトを行える。第３磁性層
は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有しているの
で、光変調オーバーライトを第２磁性層のキュリー温度
付近で行えば、第３磁性層は、第３磁性層のキュリー温
度以上にならない。このため、第３磁性層の磁化を一度
一方向に揃えておけば、光変調オーバーライト時に磁化
方向が変わることがない。これにより、光変調オーバー
ライト毎に第３磁性層の磁化を一方向に揃えるための初
期化磁界発生機構が不要になる。一方、光変調オーバー
ライト時よりも弱い光ビームを照射することにより、第
２磁性層の記録情報を第１磁性層の垂直磁化膜になった
部分を介して磁気光学的に再生できる。第１磁性層にお
いて、垂直磁化膜になる部分の大きさは光ビーム強度に
より決まる。したがって、光ビーム強度を調整すれば、
その大きさを光ビームスポットよりも小さくできる。こ
れにより、光ビームスポットよりも小さい部分に記録さ
れた情報を再生できる。
一方向に揃えておき、一定の記録磁界を印加しながら、
情報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変調し
た光ビームを基体側から照射することにより、第２磁性
層に対して光変調オーバーライトを行える。第３磁性層
は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有しているの
で、光変調オーバーライトを第２磁性層のキュリー温度
付近で行えば、第３磁性層は、第３磁性層のキュリー温
度以上にならない。このため、第３磁性層の磁化を一度
一方向に揃えておけば、光変調オーバーライト時に磁化
方向が変わることがない。これにより、光変調オーバー
ライト毎に第３磁性層の磁化を一方向に揃えるための初
期化磁界発生機構が不要になる。一方、光変調オーバー
ライト時よりも弱い光ビームを照射することにより、第
２磁性層の記録情報を第１磁性層の垂直磁化膜になった
部分を介して磁気光学的に再生できる。第１磁性層にお
いて、垂直磁化膜になる部分の大きさは光ビーム強度に
より決まる。したがって、光ビーム強度を調整すれば、
その大きさを光ビームスポットよりも小さくできる。こ
れにより、光ビームスポットよりも小さい部分に記録さ
れた情報を再生できる。
【００１０】請求項２の構成によれば、上記請求項１の
作用に加え、第１、第２磁性層の層間に面内磁化膜から
なる中間層を設けると、第１と第２磁性層の間の交換結
合力の大きさを容易に制御できるので、第１、第２磁性
層の膜設計が容易になる。同様に、第２、第３磁性層の
層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第２と第
３磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御できる
ので、第１、第２磁性層の膜設計が容易になる。また、
第１、第２磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設
けると、第１と第２磁性層の間の交換結合力がなくな
り、第２、第３磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層
を設けると、第２と第３磁性層の間の交換結合力がなく
なるが、記録再生は可能である。さらに、第１、第２磁
性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設け、第２、
第３磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設けても
よい。同様に、第１、第２磁性層の層間に非磁性膜から
なる中間層を設け、第２、第３磁性層の層間に面内磁化
膜からなる中間層を設けてもよい。
作用に加え、第１、第２磁性層の層間に面内磁化膜から
なる中間層を設けると、第１と第２磁性層の間の交換結
合力の大きさを容易に制御できるので、第１、第２磁性
層の膜設計が容易になる。同様に、第２、第３磁性層の
層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第２と第
３磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御できる
ので、第１、第２磁性層の膜設計が容易になる。また、
第１、第２磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設
けると、第１と第２磁性層の間の交換結合力がなくな
り、第２、第３磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層
を設けると、第２と第３磁性層の間の交換結合力がなく
なるが、記録再生は可能である。さらに、第１、第２磁
性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設け、第２、
第３磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設けても
よい。同様に、第１、第２磁性層の層間に非磁性膜から
なる中間層を設け、第２、第３磁性層の層間に面内磁化
膜からなる中間層を設けてもよい。
【００１１】請求項３の構成によれば、上記請求項１の
光磁気記録媒体を使用して、初期化磁界発生機構を備え
ていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行うこ
とができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい部分
に記録された情報を再生できる。
光磁気記録媒体を使用して、初期化磁界発生機構を備え
ていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行うこ
とができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい部分
に記録された情報を再生できる。
【００１２】
【実施例】本発明の第１実施例について図１ないし図４
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１３】本実施例の光磁気記録媒体は、図１に示す
ように、基板６（基体）上に透明誘電体層７、第１の磁
性層１、第２の磁性層２、第３の磁性層３、透明誘電体
層８、オーバーコート層９を順次積層した構成になって
いる。
ように、基板６（基体）上に透明誘電体層７、第１の磁
性層１、第２の磁性層２、第３の磁性層３、透明誘電体
層８、オーバーコート層９を順次積層した構成になって
いる。
【００１４】磁性層１〜３の保磁力の温度依存性を図２
の曲線１１〜１３に示す。
の曲線１１〜１３に示す。
【００１５】磁性層１は、室温（ＴROOM）で面内磁化膜
でありＴP1以上の温度で垂直磁化膜になる磁性材料から
なり、情報の読み出し層として働く。記録時に磁化方向
が変わらないように、キュリー温度（ＴC1）は充分高い
必要がある。具体的には、ＴC1は３００℃以上であるこ
とが望ましい。
でありＴP1以上の温度で垂直磁化膜になる磁性材料から
なり、情報の読み出し層として働く。記録時に磁化方向
が変わらないように、キュリー温度（ＴC1）は充分高い
必要がある。具体的には、ＴC1は３００℃以上であるこ
とが望ましい。
【００１６】磁性層１には、例えば、希土類遷移金属合
金（ＲＥ−ＴＭ）が用いられる。ＲＥ−ＴＭは、フェリ
磁性体であり、ＲＥの副格子磁気モーメントとＴＭの副
格子磁気モーメントが互いに逆方向を向いている。これ
らの副格子磁気モーメントの温度特性は異なっており、
高温ではＴＭの副格子磁気モーメントがＲＥの副格子磁
気モーメントより大きくなる。そこで、ＲＥの含有量を
補償温度が室温になる組成のときよりも多くしておき、
ＴROOMで面内磁化膜となるようにしておく。光ビームを
照射すると、温度が上昇し、ＴＭの副格子磁気モーメン
トが相対的に大きくなる。したがって、ＲＥの副格子磁
気モーメントと釣り合うようになり、全体としての磁化
が小さくなる。これにより、温度が上昇すると、垂直磁
化膜になる。
金（ＲＥ−ＴＭ）が用いられる。ＲＥ−ＴＭは、フェリ
磁性体であり、ＲＥの副格子磁気モーメントとＴＭの副
格子磁気モーメントが互いに逆方向を向いている。これ
らの副格子磁気モーメントの温度特性は異なっており、
高温ではＴＭの副格子磁気モーメントがＲＥの副格子磁
気モーメントより大きくなる。そこで、ＲＥの含有量を
補償温度が室温になる組成のときよりも多くしておき、
ＴROOMで面内磁化膜となるようにしておく。光ビームを
照射すると、温度が上昇し、ＴＭの副格子磁気モーメン
トが相対的に大きくなる。したがって、ＲＥの副格子磁
気モーメントと釣り合うようになり、全体としての磁化
が小さくなる。これにより、温度が上昇すると、垂直磁
化膜になる。
【００１７】以上のように、磁性層１としては、ＲＥの
含有量を補償温度が室温になる組成のときよりも多くし
ておく必要がある。この組成を以下、ＲＥリッチと呼
ぶ。一方、ＴＭの含有量を補償温度が室温になる組成の
ときよりも多くした場合、ＴＭリッチと呼ぶ。
含有量を補償温度が室温になる組成のときよりも多くし
ておく必要がある。この組成を以下、ＲＥリッチと呼
ぶ。一方、ＴＭの含有量を補償温度が室温になる組成の
ときよりも多くした場合、ＴＭリッチと呼ぶ。
【００１８】磁性層２は、垂直磁化膜からなり、情報の
記録層として働く。磁化方向として記録された情報をＴ
ROOMで安定して保存できるように、ＴROOMでの保磁力
（ＨC2）は充分に高い必要がある。具体的には、外部磁
界等の外乱に対しては、ＨC2は１００ｋＡ／ｍ程度で充
分であるが、できれば４００ｋＡ／ｍ以上であることが
望ましい。また、半導体レーザーで記録できるように、
キュリー温度（ＴC2）は低い必要がある。具体的には、
ＴC2は１２５〜１７５℃であることが望ましい。なお、
補償温度は存在しても存在しなくてもよい。
記録層として働く。磁化方向として記録された情報をＴ
ROOMで安定して保存できるように、ＴROOMでの保磁力
（ＨC2）は充分に高い必要がある。具体的には、外部磁
界等の外乱に対しては、ＨC2は１００ｋＡ／ｍ程度で充
分であるが、できれば４００ｋＡ／ｍ以上であることが
望ましい。また、半導体レーザーで記録できるように、
キュリー温度（ＴC2）は低い必要がある。具体的には、
ＴC2は１２５〜１７５℃であることが望ましい。なお、
補償温度は存在しても存在しなくてもよい。
【００１９】磁性層３は、垂直磁化膜からなり、記録補
助層として働く。磁化方向が変わらないように、室温に
おける保磁力（ＨC3）は、磁性層２と同様に大きい必要
がある。しかし、あまり大き過ぎると、磁性層３の磁化
を最初に一方向に揃える際、大きい磁界が必要になる。
このため、実際的には、ＨC3は１５０〜４００ｋＡ／ｍ
であることが望ましい。また、記録時に磁化方向が変わ
らないように、キュリー温度（ＴC3）は充分高い必要が
ある。具体的には、３００℃以上であることが望まし
い。なお、補償温度は存在しても存在しなくてもよい。
助層として働く。磁化方向が変わらないように、室温に
おける保磁力（ＨC3）は、磁性層２と同様に大きい必要
がある。しかし、あまり大き過ぎると、磁性層３の磁化
を最初に一方向に揃える際、大きい磁界が必要になる。
このため、実際的には、ＨC3は１５０〜４００ｋＡ／ｍ
であることが望ましい。また、記録時に磁化方向が変わ
らないように、キュリー温度（ＴC3）は充分高い必要が
ある。具体的には、３００℃以上であることが望まし
い。なお、補償温度は存在しても存在しなくてもよい。
【００２０】次に、上記の光磁気記録媒体を使用した光
変調オーバーライトについて説明すると、以下の通りで
ある。
変調オーバーライトについて説明すると、以下の通りで
ある。
【００２１】光磁気記録媒体に一定の記録磁界（ＨEX）
を印加しながら、光ビームを照射し、磁性層２をＴC2近
傍まで昇温させたとき、磁性層２の磁化方向は、以下の
相互作用により決定される。すなわち、磁性層２の磁化
方向をＨEXの方向に揃えようとする静磁結合力と、磁性
層２と１の副格子磁気モーメントの方向を揃えようとす
る交換結合力と、磁性層２の磁化方向を磁性層１から発
生する浮遊磁界の方向に揃えようとする静磁結合力と、
磁性層２と３の副格子磁気モーメントの方向を揃えよう
とする交換結合力と、磁性層２の磁化方向を磁性層３か
ら発生する浮遊磁界の方向に揃えようとする静磁結合力
との釣り合いにより決定される。
を印加しながら、光ビームを照射し、磁性層２をＴC2近
傍まで昇温させたとき、磁性層２の磁化方向は、以下の
相互作用により決定される。すなわち、磁性層２の磁化
方向をＨEXの方向に揃えようとする静磁結合力と、磁性
層２と１の副格子磁気モーメントの方向を揃えようとす
る交換結合力と、磁性層２の磁化方向を磁性層１から発
生する浮遊磁界の方向に揃えようとする静磁結合力と、
磁性層２と３の副格子磁気モーメントの方向を揃えよう
とする交換結合力と、磁性層２の磁化方向を磁性層３か
ら発生する浮遊磁界の方向に揃えようとする静磁結合力
との釣り合いにより決定される。
【００２２】ローパワーの光ビームが照射され、磁性層
２の温度がＴC2の近傍の温度領域（図２のＴL ）まで上
昇した場合、磁性層２の磁化は非常に小さくなるか、ま
たは、なくなる。このため、磁性層１の磁化方向は、Ｈ
EXの方向を向く。また、光ビームが入射する側に配置さ
れた磁性層１の温度（Ｔ11）が、磁性層３の温度
（Ｔ33）より高くなるように各磁性層１〜３の膜厚を設
定しておくと、磁性層１・２の界面の温度（Ｔ12）が、
磁性層２・３の界面の温度（Ｔ23）よりも高くなる。こ
のため、磁性層２と３の交換結合力および静磁結合力が
相対的に強くなり、その結果、磁性層２の磁化方向を磁
性層３との交換結合により決定される方向に向けること
が可能となる。
２の温度がＴC2の近傍の温度領域（図２のＴL ）まで上
昇した場合、磁性層２の磁化は非常に小さくなるか、ま
たは、なくなる。このため、磁性層１の磁化方向は、Ｈ
EXの方向を向く。また、光ビームが入射する側に配置さ
れた磁性層１の温度（Ｔ11）が、磁性層３の温度
（Ｔ33）より高くなるように各磁性層１〜３の膜厚を設
定しておくと、磁性層１・２の界面の温度（Ｔ12）が、
磁性層２・３の界面の温度（Ｔ23）よりも高くなる。こ
のため、磁性層２と３の交換結合力および静磁結合力が
相対的に強くなり、その結果、磁性層２の磁化方向を磁
性層３との交換結合により決定される方向に向けること
が可能となる。
【００２３】ハイパワーの光ビームが照射され、磁性層
２の温度がＴC2より上の温度領域（図２のＴH ）まで上
昇した場合、上記と同様に膜厚方向に温度差が生じる。
しかし、温度下降過程において温度差はなくなり、ＴC2
近傍まで温度が下降した時点では、Ｔ11＝Ｔ33、Ｔ12＝
Ｔ23になる。また、ＴC2近傍まで温度が下降した時点で
は、磁性層２の磁化は非常に小さくなるか、または、な
くなる。このため、磁性層１の磁化方向は、ＨEXの方向
を向く。このため、磁性層２と１の交換結合力および静
磁結合力が相対的に強くなり、その結果、磁性層２の磁
化方向を磁性層１との交換結合により決定される方向に
向けることが可能となる。
２の温度がＴC2より上の温度領域（図２のＴH ）まで上
昇した場合、上記と同様に膜厚方向に温度差が生じる。
しかし、温度下降過程において温度差はなくなり、ＴC2
近傍まで温度が下降した時点では、Ｔ11＝Ｔ33、Ｔ12＝
Ｔ23になる。また、ＴC2近傍まで温度が下降した時点で
は、磁性層２の磁化は非常に小さくなるか、または、な
くなる。このため、磁性層１の磁化方向は、ＨEXの方向
を向く。このため、磁性層２と１の交換結合力および静
磁結合力が相対的に強くなり、その結果、磁性層２の磁
化方向を磁性層１との交換結合により決定される方向に
向けることが可能となる。
【００２４】したがって、ＨEXの方向と、予め一方向に
揃えられる磁性層３の磁化方向とを適切に設定すること
により、ローパワーの光ビームを照射したときと、ハイ
パワーの光ビームを照射したときとで、磁性層２の磁化
方向を変えることが可能となる。つまり、光変調オーバ
ーライトが可能となる。
揃えられる磁性層３の磁化方向とを適切に設定すること
により、ローパワーの光ビームを照射したときと、ハイ
パワーの光ビームを照射したときとで、磁性層２の磁化
方向を変えることが可能となる。つまり、光変調オーバ
ーライトが可能となる。
【００２５】次に、情報の読み出し方法を説明する。
【００２６】磁性層２の磁化方向を読み出す場合、光変
調オーバーライト時のローパワーよりさらにローパワー
の光ビームが照射される。光ビームの強度は、ガウス分
布になっているため、光ビームスポット内の磁性層１の
温度分布もガウス分布となる。このため、光ビームスポ
ットの中央部分の磁性層１だけをＴP1以上にすることが
でき、この部分を垂直磁化状態にすることが可能であ
る。
調オーバーライト時のローパワーよりさらにローパワー
の光ビームが照射される。光ビームの強度は、ガウス分
布になっているため、光ビームスポット内の磁性層１の
温度分布もガウス分布となる。このため、光ビームスポ
ットの中央部分の磁性層１だけをＴP1以上にすることが
でき、この部分を垂直磁化状態にすることが可能であ
る。
【００２７】磁性層１の磁化方向は、以下の相互作用に
より決定される。すなわち、磁性層１と２の交換結合、
および、磁性層１の磁化方向を磁性層２から発生する浮
遊磁界の方向に向けようとする静磁結合により、磁性層
１と磁性層２の副格子磁気モーメントの方向を揃えるよ
うに決定される。このため、光ビームスポット径より小
さい光ビームスポットの中心部分の磁性層２の磁化方向
だけを読み出すことが可能となる。
より決定される。すなわち、磁性層１と２の交換結合、
および、磁性層１の磁化方向を磁性層２から発生する浮
遊磁界の方向に向けようとする静磁結合により、磁性層
１と磁性層２の副格子磁気モーメントの方向を揃えるよ
うに決定される。このため、光ビームスポット径より小
さい光ビームスポットの中心部分の磁性層２の磁化方向
だけを読み出すことが可能となる。
【００２８】次に、上記の光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクを挙げ、その製造方法を説明する。
て、光磁気ディスクを挙げ、その製造方法を説明する。
【００２９】Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏからなる五
元のターゲットを備えたスパッター装置内に、ポリカー
ボネート製のディスク状の基板６をターゲットに対向し
て配置する。ディスク状の基板６には、光ビームの案内
用のスパイラル状のプリグルーブおよびアドレス情報と
してのプリピットが形成されている。スパッター装置内
を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと
窒素の混合ガスを導入し、Ａｌのターゲットに電力を供
給して、ガス圧が４×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッター速度
が１２ｎｍ／ｍｉｎの条件で、ＡｌＮからなる透明誘電
体層７を基板６上に形成する。
元のターゲットを備えたスパッター装置内に、ポリカー
ボネート製のディスク状の基板６をターゲットに対向し
て配置する。ディスク状の基板６には、光ビームの案内
用のスパイラル状のプリグルーブおよびアドレス情報と
してのプリピットが形成されている。スパッター装置内
を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと
窒素の混合ガスを導入し、Ａｌのターゲットに電力を供
給して、ガス圧が４×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッター速度
が１２ｎｍ／ｍｉｎの条件で、ＡｌＮからなる透明誘電
体層７を基板６上に形成する。
【００３０】透明誘電体層７の膜厚は、再生特性を改善
するため、再生光の波長の１／４をその屈折率で除した
値程度に設定される。再生光の波長を例えば８００ｎｍ
とすると、透明誘電体層７の膜厚は１０〜８０ｎｍにな
る。なお、本実施例では、６０ｎｍとした。
するため、再生光の波長の１／４をその屈折率で除した
値程度に設定される。再生光の波長を例えば８００ｎｍ
とすると、透明誘電体層７の膜厚は１０〜８０ｎｍにな
る。なお、本実施例では、６０ｎｍとした。
【００３１】透明誘電体層７を成膜した後、スパッター
装置内を、再度、１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気して
から、アルゴンガスを導入し、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ
のターゲットに電力を供給して、ガス圧が４×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、スパッター速度が１５ｎｍ／ｍｉｎの条件で、
ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる磁性層１を形成する。
装置内を、再度、１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気して
から、アルゴンガスを導入し、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏ
のターゲットに電力を供給して、ガス圧が４×１０-3Ｔ
ｏｒｒ、スパッター速度が１５ｎｍ／ｍｉｎの条件で、
ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる磁性層１を形成する。
【００３２】磁性層１は、前述のように、室温で面内磁
化状態を示し、高温で垂直磁化状態となる必要があるた
め、ＲＥリッチである必要がある。補償温度は、存在し
ても存在しなくてもよいが、本実施例では、補償温度を
２７０℃とし、ＴC1を３５０℃とし、膜厚を５０ｎｍと
した。
化状態を示し、高温で垂直磁化状態となる必要があるた
め、ＲＥリッチである必要がある。補償温度は、存在し
ても存在しなくてもよいが、本実施例では、補償温度を
２７０℃とし、ＴC1を３５０℃とし、膜厚を５０ｎｍと
した。
【００３３】次に、Ｇｄのターゲットに供給していた電
力を停止し、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏのターゲットに電力を供
給して、ＤｙＦｅＣｏからなる磁性層２を形成する。磁
性層２は、ＲＥリッチ、ＴＥリッチのどちらでもよく、
補償温度は存在しても存在しなくてもよいが、本実施例
では、ＴROOMでのＨC2を８００ｋＡ／ｍとし、補償温度
が存在しないものとし、ＴC2を１５０℃とし、膜厚を５
０ｎｍとした。
力を停止し、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏのターゲットに電力を供
給して、ＤｙＦｅＣｏからなる磁性層２を形成する。磁
性層２は、ＲＥリッチ、ＴＥリッチのどちらでもよく、
補償温度は存在しても存在しなくてもよいが、本実施例
では、ＴROOMでのＨC2を８００ｋＡ／ｍとし、補償温度
が存在しないものとし、ＴC2を１５０℃とし、膜厚を５
０ｎｍとした。
【００３４】次に、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏに供給していた電
力を制御して、磁性層２とは異なる組成のＤｙＦｅＣｏ
からなる磁性層３を形成する。磁性層３は、ＲＥリッ
チ、ＴＥリッチのどちらでもよく、補償温度は存在して
も存在しなくてもよいが、本実施例では、ＴROOMでのＨ
C3を２５０ｋＡ／ｍとし、補償温度が存在しないものと
し、ＴC3を３５０℃とし、膜厚を５０ｎｍとした。
力を制御して、磁性層２とは異なる組成のＤｙＦｅＣｏ
からなる磁性層３を形成する。磁性層３は、ＲＥリッ
チ、ＴＥリッチのどちらでもよく、補償温度は存在して
も存在しなくてもよいが、本実施例では、ＴROOMでのＨ
C3を２５０ｋＡ／ｍとし、補償温度が存在しないものと
し、ＴC3を３５０℃とし、膜厚を５０ｎｍとした。
【００３５】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧が４×
１０-3Ｔｏｒｒ、スパッター速度が１２ｎｍ／ｍｉｎの
条件で、ＡｌＮからなる透明誘電体層８を形成する。透
明誘電体層８の膜厚は、磁性層１〜３を酸化等の腐食か
ら保護することが可能であればよく、本実施例では、５
０ｎｍとした。
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧が４×
１０-3Ｔｏｒｒ、スパッター速度が１２ｎｍ／ｍｉｎの
条件で、ＡｌＮからなる透明誘電体層８を形成する。透
明誘電体層８の膜厚は、磁性層１〜３を酸化等の腐食か
ら保護することが可能であればよく、本実施例では、５
０ｎｍとした。
【００３６】それから、紫外線硬化樹脂をスピンコート
し、紫外線を照射することにより、オーバーコート層９
を形成した。なお、紫外線硬化樹脂の代わりに、熱硬化
樹脂を使用してもよい。
し、紫外線を照射することにより、オーバーコート層９
を形成した。なお、紫外線硬化樹脂の代わりに、熱硬化
樹脂を使用してもよい。
【００３７】以上のようにして試作された４つの光磁気
ディスクのサンプルＡ1 〜Ｄ1 の特性を表１にまとめて
示す。
ディスクのサンプルＡ1 〜Ｄ1 の特性を表１にまとめて
示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 を用いて、図３
の光磁気ディスク装置で記録再生のテストを行った。光
磁気ディスク装置は、光磁気ディスク２０にレーザービ
ームを照射する半導体レーザー（図示されていない）を
備えた光学ヘッド２１と、ＨEXを発生するための一定磁
界発生機構２２からなっている。
の光磁気ディスク装置で記録再生のテストを行った。光
磁気ディスク装置は、光磁気ディスク２０にレーザービ
ームを照射する半導体レーザー（図示されていない）を
備えた光学ヘッド２１と、ＨEXを発生するための一定磁
界発生機構２２からなっている。
【００４０】サンプルＡ1 の光磁気ディスク２０を光磁
気ディスク装置にセットし、レーザービーム照射位置で
の光磁気ディスク２０の線速度が１０ｍ／ｓとなるよう
に光磁気ディスク２０を回転させ、一定磁界発生機構２
２から２５ｋＡ／ｍのＨEXを印加した状態で、５ＭＨｚ
でレーザーパワーを光変調し、ローパワー（６ｍＷ）と
ハイパワー（１０ｍＷ）に切り換えながら、記録を行っ
た。これにより、磁性層２に２μｍ周期で、１μｍの長
さの反転磁区を形成することができた。それから、レー
ザーパワーを２ｍＷとして、情報の再生を行ったとこ
ろ、５ＭＨｚの光磁気信号を磁性層１から得ることがで
きた。
気ディスク装置にセットし、レーザービーム照射位置で
の光磁気ディスク２０の線速度が１０ｍ／ｓとなるよう
に光磁気ディスク２０を回転させ、一定磁界発生機構２
２から２５ｋＡ／ｍのＨEXを印加した状態で、５ＭＨｚ
でレーザーパワーを光変調し、ローパワー（６ｍＷ）と
ハイパワー（１０ｍＷ）に切り換えながら、記録を行っ
た。これにより、磁性層２に２μｍ周期で、１μｍの長
さの反転磁区を形成することができた。それから、レー
ザーパワーを２ｍＷとして、情報の再生を行ったとこ
ろ、５ＭＨｚの光磁気信号を磁性層１から得ることがで
きた。
【００４１】次に、１０ＭＨｚでレーザーパワーを光変
調し、上記の５ＭＨｚで形成されている反転磁区上にオ
ーバーライトを行ったところ、５ＭＨｚで形成されてい
た磁区はなくなり、磁性層２には、新たに１μｍ周期
で、0.５μｍの長さの反転磁区を形成することができ
た。それから、レーザーパワーを２ｍＷとして、情報の
再生を行ったところ、１０ＭＨｚの光磁気信号だけを磁
性層１から得ることができた。このときの信号強度は、
上記の５ＭＨｚの光磁気信号の強度と同程度であった。
この実験結果は、磁性層１を使用すれば、レーザービー
ムスポットよりも小さい部分に記録された情報を再生で
きることを示している。すなわち、磁性層１が温度上昇
により垂直磁化状態となった部分に面した磁性層２の情
報だけを再生できることを意味している。
調し、上記の５ＭＨｚで形成されている反転磁区上にオ
ーバーライトを行ったところ、５ＭＨｚで形成されてい
た磁区はなくなり、磁性層２には、新たに１μｍ周期
で、0.５μｍの長さの反転磁区を形成することができ
た。それから、レーザーパワーを２ｍＷとして、情報の
再生を行ったところ、１０ＭＨｚの光磁気信号だけを磁
性層１から得ることができた。このときの信号強度は、
上記の５ＭＨｚの光磁気信号の強度と同程度であった。
この実験結果は、磁性層１を使用すれば、レーザービー
ムスポットよりも小さい部分に記録された情報を再生で
きることを示している。すなわち、磁性層１が温度上昇
により垂直磁化状態となった部分に面した磁性層２の情
報だけを再生できることを意味している。
【００４２】サンプルＡ1 では、磁性層１〜３はすべて
ＲＥリッチであり、図４（ａ）に示すように、各磁性層
１〜３の磁化Ｍ1 〜Ｍ3 とＲＥの副格子磁気モーメント
μ1〜μ3 は同一方向を向いている。ＨEXは、磁性層１
のＲＥの副格子磁気モーメントμ1 が下を向くように、
下向きに印加され、磁性層３のＲＥの副格子磁気モーメ
ントμ3 は、予め、上向きに揃えられている。
ＲＥリッチであり、図４（ａ）に示すように、各磁性層
１〜３の磁化Ｍ1 〜Ｍ3 とＲＥの副格子磁気モーメント
μ1〜μ3 は同一方向を向いている。ＨEXは、磁性層１
のＲＥの副格子磁気モーメントμ1 が下を向くように、
下向きに印加され、磁性層３のＲＥの副格子磁気モーメ
ントμ3 は、予め、上向きに揃えられている。
【００４３】磁性層２の磁化Ｍ2 を上に向けようとする
力としては、磁性層３からの交換結合力がある。一方、
磁性層２の磁化Ｍ2 を下に向けようとする力としては、
磁性層１からの交換結合力と、磁性層１からの静磁結合
力と、磁性層３からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。磁性層１では、温度上昇部分だけが垂直磁
化状態となるため、磁性層１から発生する浮遊磁界の方
向は、磁性層１の磁化Ｍ1 の方向と一致する。磁性層３
では、温度上昇部分における磁化Ｍ3 が周囲より小さく
なるため、温度上昇部分の磁化Ｍ3 の方向とは反対の方
向に浮遊磁界が発生する。このため、磁性層１と磁性層
３から発生する浮遊磁界の方向が一致し、静磁結合力の
方向も一致する。
力としては、磁性層３からの交換結合力がある。一方、
磁性層２の磁化Ｍ2 を下に向けようとする力としては、
磁性層１からの交換結合力と、磁性層１からの静磁結合
力と、磁性層３からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。磁性層１では、温度上昇部分だけが垂直磁
化状態となるため、磁性層１から発生する浮遊磁界の方
向は、磁性層１の磁化Ｍ1 の方向と一致する。磁性層３
では、温度上昇部分における磁化Ｍ3 が周囲より小さく
なるため、温度上昇部分の磁化Ｍ3 の方向とは反対の方
向に浮遊磁界が発生する。このため、磁性層１と磁性層
３から発生する浮遊磁界の方向が一致し、静磁結合力の
方向も一致する。
【００４４】以上のように、磁性層２の磁化Ｍ2 を上に
向けようとする力と下に向けようとする力が存在する
が、前述のように、ローパワーのレーザービームを照射
したとき磁性層３に比べて磁性層１の温度が高くなるよ
うに膜厚を設定し、ハイパワーレーザービームを照射し
たとき磁性層１と磁性層３の温度が同一になるように膜
厚を設定しておけば、磁性層１から働く力と磁性層３か
ら働く力に差が生じる。これにより、光変調オーバーラ
イトが可能になる。
向けようとする力と下に向けようとする力が存在する
が、前述のように、ローパワーのレーザービームを照射
したとき磁性層３に比べて磁性層１の温度が高くなるよ
うに膜厚を設定し、ハイパワーレーザービームを照射し
たとき磁性層１と磁性層３の温度が同一になるように膜
厚を設定しておけば、磁性層１から働く力と磁性層３か
ら働く力に差が生じる。これにより、光変調オーバーラ
イトが可能になる。
【００４５】サンプルＢ1 では、磁性層２がＴＭリッチ
であり、図４（ｂ）に示すように、磁性層２の磁化Ｍ2
とＲＥの副格子磁気モーメントμ2 は逆方向を向いてい
る。
であり、図４（ｂ）に示すように、磁性層２の磁化Ｍ2
とＲＥの副格子磁気モーメントμ2 は逆方向を向いてい
る。
【００４６】磁性層２の磁化Ｍ2 を上に向けようとする
力としては、磁性層１からの交換結合力がある。一方、
磁性層２の磁化Ｍ2 を下に向けようとする力としては、
磁性層３からの交換結合力と、磁性層１からの静磁結合
力と、磁性層３からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
力としては、磁性層１からの交換結合力がある。一方、
磁性層２の磁化Ｍ2 を下に向けようとする力としては、
磁性層３からの交換結合力と、磁性層１からの静磁結合
力と、磁性層３からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
【００４７】サンプルＢ1 においても、サンプルＡ1 と
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能であっ
た。
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能であっ
た。
【００４８】サンプルＣ1 では、磁性層３がＴＭリッチ
であり、図４（ｃ）に示すように、磁性層３の磁化Ｍ3
とＲＥの副格子磁気モーメントμ3 は逆方向を向いてい
る。
であり、図４（ｃ）に示すように、磁性層３の磁化Ｍ3
とＲＥの副格子磁気モーメントμ3 は逆方向を向いてい
る。
【００４９】磁性層２の磁化Ｍ2 を上に向けようとする
力としては、磁性層３からの交換結合力と、磁性層３か
らの静磁結合力がある。一方、磁性層２の磁化Ｍ2 を下
に向けようとする力としては、磁性層１からの交換結合
力と、磁性層１からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
力としては、磁性層３からの交換結合力と、磁性層３か
らの静磁結合力がある。一方、磁性層２の磁化Ｍ2 を下
に向けようとする力としては、磁性層１からの交換結合
力と、磁性層１からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
【００５０】サンプルＣ1 においても、サンプルＡ1 と
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能である
が、磁性層３からの静磁結合力が、磁性層２の磁化Ｍ2
を上に向けようとするため、最適なＨEXは、サンプルＡ
1 のときよりも大きくなり、３２ｋＡ／ｍとなった。
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能である
が、磁性層３からの静磁結合力が、磁性層２の磁化Ｍ2
を上に向けようとするため、最適なＨEXは、サンプルＡ
1 のときよりも大きくなり、３２ｋＡ／ｍとなった。
【００５１】サンプルＤ1 では、磁性層２と３がＴＭリ
ッチであり、図４（ｄ）に示すように、磁性層２の磁化
Ｍ2 とＲＥの副格子磁気モーメントμ2 が逆方向を向い
ていると共に、磁性層３の磁化Ｍ3 とＲＥの副格子磁気
モーメントμ3 も逆方向を向いている。
ッチであり、図４（ｄ）に示すように、磁性層２の磁化
Ｍ2 とＲＥの副格子磁気モーメントμ2 が逆方向を向い
ていると共に、磁性層３の磁化Ｍ3 とＲＥの副格子磁気
モーメントμ3 も逆方向を向いている。
【００５２】磁性層２の磁化Ｍ2 を上に向けようとする
力としては、磁性層１からの交換結合力と、磁性層３か
らの静磁結合力がある。一方、磁性層２の磁化Ｍ2 を下
に向けようとする力としては、磁性層３からの交換結合
力と、磁性層１からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
力としては、磁性層１からの交換結合力と、磁性層３か
らの静磁結合力がある。一方、磁性層２の磁化Ｍ2 を下
に向けようとする力としては、磁性層３からの交換結合
力と、磁性層１からの静磁結合力と、ＨEXからの静磁結
合力がある。
【００５３】サンプルＤ1 においても、サンプルＡ1 と
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能である
が、磁性層３からの静磁結合力が、磁性層２の磁化Ｍ2
を上に向けようとするため、最適なＨEXは、サンプルＡ
1 のときよりも大きくなり、３２ｋＡ／ｍとなった。
同様な光変調オーバーライトおよび再生が可能である
が、磁性層３からの静磁結合力が、磁性層２の磁化Ｍ2
を上に向けようとするため、最適なＨEXは、サンプルＡ
1 のときよりも大きくなり、３２ｋＡ／ｍとなった。
【００５４】以上のサンプルＡ1 〜Ｄ1 では、磁性層１
〜３の膜厚をそれぞれ５０ｎｍとしたが、磁性層１を５
０ｎｍとし、磁性層２を１００ｎｍとし、磁性層３を５
０ｎｍとすることにより、膜厚方向の温度差をより有効
的に利用することが可能になる。
〜３の膜厚をそれぞれ５０ｎｍとしたが、磁性層１を５
０ｎｍとし、磁性層２を１００ｎｍとし、磁性層３を５
０ｎｍとすることにより、膜厚方向の温度差をより有効
的に利用することが可能になる。
【００５５】本発明の第２の実施例について、図５に基
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００５６】本実施例の光磁気記録媒体は、図５に示す
ように、磁性層１と２の間に、面内磁化膜からなる中間
層４ａを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
ように、磁性層１と２の間に、面内磁化膜からなる中間
層４ａを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
【００５７】光変調オーバーライトおよび再生は、前記
実施例と同様にして行われる。本実施例では、面内磁化
膜からなる中間層４ａを設けたので、磁性層１と２の交
換結合力を制御することが可能になる。これにより、磁
性層１・２の膜設計が容易になる。
実施例と同様にして行われる。本実施例では、面内磁化
膜からなる中間層４ａを設けたので、磁性層１と２の交
換結合力を制御することが可能になる。これにより、磁
性層１・２の膜設計が容易になる。
【００５８】なお、中間層４ａのキュリー温度より高い
温度では、磁性層１、２間に交換結合力が働かなくなる
ので、確実な光変調オーバーライトを実現するために
は、中間層４ａのキュリー温度は、磁性層２のＴC2と同
程度であることが好ましい。
温度では、磁性層１、２間に交換結合力が働かなくなる
ので、確実な光変調オーバーライトを実現するために
は、中間層４ａのキュリー温度は、磁性層２のＴC2と同
程度であることが好ましい。
【００５９】上記の光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルＡ2 〜Ｄ2 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層４ａとしてＤｙＦｅＣｏからなる面内磁
化膜を形成した。中間層４ａのキュリー温度は、磁性層
１のＴC2と同じ１５０℃とした。
気ディスクのサンプルＡ2 〜Ｄ2 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層４ａとしてＤｙＦｅＣｏからなる面内磁
化膜を形成した。中間層４ａのキュリー温度は、磁性層
１のＴC2と同じ１５０℃とした。
【００６０】各サンプルＡ2 〜Ｄ2 は、中間層４ａを有
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ2 〜Ｄ2 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ2 〜Ｄ2 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
【００６１】ただし、本実施例のサンプルＡ2 〜Ｄ2 で
は、前記実施例と比較して、中間層４ａが磁性層１と２
の交換結合力を制御し、その力が弱くなっている。その
ため、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異なり、サ
ンプルＡ2 の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ2
の場合、２０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ2 の場合、３
６ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ2 の場合、２８ｋＡ／ｍ
となった。
は、前記実施例と比較して、中間層４ａが磁性層１と２
の交換結合力を制御し、その力が弱くなっている。その
ため、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異なり、サ
ンプルＡ2 の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ2
の場合、２０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ2 の場合、３
６ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ2 の場合、２８ｋＡ／ｍ
となった。
【００６２】本発明の第３の実施例について、図６に基
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００６３】本実施例の光磁気記録媒体は、図６に示す
ように、磁性層１と２の間に、非磁性膜からなる中間層
４ｂを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
ように、磁性層１と２の間に、非磁性膜からなる中間層
４ｂを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
【００６４】本実施例では、非磁性膜からなる中間層４
ｂを設けたので、磁性層１、２間の交換結合力がなくな
る。したがって、光変調オーバーライトは、ＨEXの方向
に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力と、
磁性層１から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の磁化
方向を揃えようとする静磁結合力と、磁性層２と３の副
格子磁気モーメントの方向を揃えようとする交換結合力
と、磁性層３から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の
磁化方向を揃えようとする静磁結合力の釣り合いにより
行われる。また、再生時には、磁性層１には磁性層２か
らの静磁結合力だけが働く。
ｂを設けたので、磁性層１、２間の交換結合力がなくな
る。したがって、光変調オーバーライトは、ＨEXの方向
に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力と、
磁性層１から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の磁化
方向を揃えようとする静磁結合力と、磁性層２と３の副
格子磁気モーメントの方向を揃えようとする交換結合力
と、磁性層３から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の
磁化方向を揃えようとする静磁結合力の釣り合いにより
行われる。また、再生時には、磁性層１には磁性層２か
らの静磁結合力だけが働く。
【００６５】本実施例の光磁気記録媒体においても、光
変調オーバーライトおよび再生は、前記実施例と同様に
して行われる。
変調オーバーライトおよび再生は、前記実施例と同様に
して行われる。
【００６６】上記の光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルＡ3 〜Ｄ3 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層４ｂとしてＡｌからなる非磁性膜を形成
した。
気ディスクのサンプルＡ3 〜Ｄ3 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層４ｂとしてＡｌからなる非磁性膜を形成
した。
【００６７】各サンプルＡ3 〜Ｄ3 は、中間層４ｂを有
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ3 〜Ｄ3 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
サンプルＢ3 を除いて、良好なオーバーライト特性と再
生特性が得られた。
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ3 〜Ｄ3 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
サンプルＢ3 を除いて、良好なオーバーライト特性と再
生特性が得られた。
【００６８】ただし、磁性層１、２間の交換結合力がな
くなるので、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異な
り、サンプルＡ3 の場合、３２ｋＡ／ｍとなり、サンプ
ルＣ3 の場合、４０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ3 の場
合、２５ｋＡ／ｍとなった。
くなるので、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異な
り、サンプルＡ3 の場合、３２ｋＡ／ｍとなり、サンプ
ルＣ3 の場合、４０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ3 の場
合、２５ｋＡ／ｍとなった。
【００６９】なお、サンプルＢ3 の場合、磁性層２の磁
化Ｍ2 には一方向の力だけが働くことになるので、光変
調オーバーライトができなかった。
化Ｍ2 には一方向の力だけが働くことになるので、光変
調オーバーライトができなかった。
【００７０】本実施例では、中間層４ｂとしてＡｌを用
いたが、この代わりにＡｌＮを用いてもよい。また、上
記五元のターゲットとは別のターゲットを準備し、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＡｌＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ等の非磁性膜をを磁性層１上に形成するようにして
もよい。
いたが、この代わりにＡｌＮを用いてもよい。また、上
記五元のターゲットとは別のターゲットを準備し、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＡｌＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ等の非磁性膜をを磁性層１上に形成するようにして
もよい。
【００７１】本発明の第４の実施例について、図７に基
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００７２】本実施例の光磁気記録媒体は、図７に示す
ように、磁性層２と３の間に、面内磁化膜からなる中間
層５ａを設けた点で、前記第１の実施例とは異なってい
る。
ように、磁性層２と３の間に、面内磁化膜からなる中間
層５ａを設けた点で、前記第１の実施例とは異なってい
る。
【００７３】光変調オーバーライトおよび再生は、前記
実施例と同様にして行われる。本実施例では、面内磁化
膜からなる中間層５ａを設けたので、磁性層２と３の交
換結合力を制御することが可能になる。これにより、磁
性層２・３の膜設計が容易になる。
実施例と同様にして行われる。本実施例では、面内磁化
膜からなる中間層５ａを設けたので、磁性層２と３の交
換結合力を制御することが可能になる。これにより、磁
性層２・３の膜設計が容易になる。
【００７４】なお、中間層５ａのキュリー温度より高い
温度では、磁性層２、３間に交換結合力が働かなくなる
ので、確実な光変調オーバーライトを実現するために
は、中間層５ａのキュリー温度は、磁性層２のＴC2と同
程度であることが好ましい。
温度では、磁性層２、３間に交換結合力が働かなくなる
ので、確実な光変調オーバーライトを実現するために
は、中間層５ａのキュリー温度は、磁性層２のＴC2と同
程度であることが好ましい。
【００７５】上記の光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルＡ4 〜Ｄ4 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層２上に中間層５ａとしてＤｙＦｅＣｏからなる面内磁
化膜を形成した。中間層５ａのキュリー温度は、磁性層
１のＴC2と同じ１５０℃とした。
気ディスクのサンプルＡ4 〜Ｄ4 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層２上に中間層５ａとしてＤｙＦｅＣｏからなる面内磁
化膜を形成した。中間層５ａのキュリー温度は、磁性層
１のＴC2と同じ１５０℃とした。
【００７６】各サンプルＡ4 〜Ｄ4 は、中間層５ａを有
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ4 〜Ｄ4 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ4 〜Ｄ4 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
【００７７】ただし、本実施例のサンプルＡ4 〜Ｄ4 で
は、前記実施例と比較して、中間層５ａが磁性層１と２
の交換結合力を制御し、その力が弱くなっている。その
ため、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異なり、サ
ンプルＡ4 の場合、２０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ4
の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ4 の場合、２
８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ4 の場合、３６ｋＡ／ｍ
となった。
は、前記実施例と比較して、中間層５ａが磁性層１と２
の交換結合力を制御し、その力が弱くなっている。その
ため、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異なり、サ
ンプルＡ4 の場合、２０ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ4
の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ4 の場合、２
８ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ4 の場合、３６ｋＡ／ｍ
となった。
【００７８】本発明の第５の実施例について、図８に基
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００７９】本実施例の光磁気記録媒体は、図８に示す
ように、磁性層２と３の間に、非磁性膜からなる中間層
５ｂを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
ように、磁性層２と３の間に、非磁性膜からなる中間層
５ｂを設けた点で、前記実施例とは異なっている。
【００８０】本実施例では、非磁性膜からなる中間層５
ｂを設けたので、磁性層２、３間の交換結合力がなくな
る。したがって、光変調オーバーライトは、ＨEXの方向
に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力と、
磁性層１と２の副格子磁気モーメントの方向を揃えよう
とする交換結合力と、磁性層１から発生する浮遊磁界の
方向に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力
と、磁性層３から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の
磁化方向を揃えようとする静磁結合力の釣り合いにより
行われる。また、再生時には、磁性層１には磁性層２か
らの静磁結合力および交換結合力が働く。
ｂを設けたので、磁性層２、３間の交換結合力がなくな
る。したがって、光変調オーバーライトは、ＨEXの方向
に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力と、
磁性層１と２の副格子磁気モーメントの方向を揃えよう
とする交換結合力と、磁性層１から発生する浮遊磁界の
方向に磁性層２の磁化方向を揃えようとする静磁結合力
と、磁性層３から発生する浮遊磁界の方向に磁性層２の
磁化方向を揃えようとする静磁結合力の釣り合いにより
行われる。また、再生時には、磁性層１には磁性層２か
らの静磁結合力および交換結合力が働く。
【００８１】本実施例の光磁気記録媒体においても、光
変調オーバーライトおよび再生は、前記実施例と同様に
して行われる。
変調オーバーライトおよび再生は、前記実施例と同様に
して行われる。
【００８２】上記の光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルＡ5 〜Ｄ5 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層５ｂとしてＡｌからなる非磁性膜を形成
した。
気ディスクのサンプルＡ5 〜Ｄ5 を試作した。製造に
は、前記実施例と同一のスパッター装置を使用し、磁性
層１上に中間層５ｂとしてＡｌからなる非磁性膜を形成
した。
【００８３】各サンプルＡ5 〜Ｄ5 は、中間層５ｂを有
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ5 〜Ｄ5 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
サンプルＡ5 を除いて、良好なオーバーライト特性と再
生特性が得られた。
している点を除いて、前記のサンプルＡ1 〜Ｄ1 と同じ
である。サンプルＡ5 〜Ｄ5 を前記実施例と同様に光磁
気ディスク装置にセットし、記録再生を行ったところ、
サンプルＡ5 を除いて、良好なオーバーライト特性と再
生特性が得られた。
【００８４】ただし、磁性層２、３間の交換結合力がな
くなるので、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異な
り、サンプルＢ3 の場合、３２ｋＡ／ｍとなり、サンプ
ルＣ3 の場合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ3 の場
合、４０ｋＡ／ｍとなった。
くなるので、最適なＨEXの大きさは、前記実施例と異な
り、サンプルＢ3 の場合、３２ｋＡ／ｍとなり、サンプ
ルＣ3 の場合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＤ3 の場
合、４０ｋＡ／ｍとなった。
【００８５】なお、サンプルＡ5 の場合、磁性層２の磁
化Ｍ2 には一方向の力だけが働くことになるので、光変
調オーバーライトができなかった。
化Ｍ2 には一方向の力だけが働くことになるので、光変
調オーバーライトができなかった。
【００８６】本実施例では、中間層４ｂとしてＡｌを用
いたが、この代わりにＡｌＮを用いてもよい。また、上
記五元のターゲットとは別のターゲットを準備し、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＡｌＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ等の非磁性膜を磁性層１上に形成するようにしても
よい。
いたが、この代わりにＡｌＮを用いてもよい。また、上
記五元のターゲットとは別のターゲットを準備し、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＡｌＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ等の非磁性膜を磁性層１上に形成するようにしても
よい。
【００８７】本発明の第６の実施例について、図９に基
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の
便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００８８】本実施例の光磁気記録媒体は、図９に示す
ように、磁性層１と２の間に面内磁化膜からなる中間層
４ａまたは非磁性膜からなる中間層４ｂを設け、かつ、
磁性層２と３の間に面内磁化膜からなる中間層５ａまた
は非磁性膜からなる中間層５ｂを設けた点で、前記実施
例とは異なっている。中間層４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂの
作用効果、製造方法は前記実施例と同様である。
ように、磁性層１と２の間に面内磁化膜からなる中間層
４ａまたは非磁性膜からなる中間層４ｂを設け、かつ、
磁性層２と３の間に面内磁化膜からなる中間層５ａまた
は非磁性膜からなる中間層５ｂを設けた点で、前記実施
例とは異なっている。中間層４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂの
作用効果、製造方法は前記実施例と同様である。
【００８９】中間層４ａと５ａを備えた光磁気ディスク
のサンプルＡ6 〜Ｄ6 では、良好なオーバーライト特性
と再生特性が得られた。最適なＨEXの大きさは、サンプ
ルＡ6 の場合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ6 の場
合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ6 の場合、３２ｋ
Ａ／ｍとなり、サンプルＤ6 の場合、３２ｋＡ／ｍとな
った。
のサンプルＡ6 〜Ｄ6 では、良好なオーバーライト特性
と再生特性が得られた。最適なＨEXの大きさは、サンプ
ルＡ6 の場合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＢ6 の場
合、２５ｋＡ／ｍとなり、サンプルＣ6 の場合、３２ｋ
Ａ／ｍとなり、サンプルＤ6 の場合、３２ｋＡ／ｍとな
った。
【００９０】中間層４ｂと５ａを備えた光磁気ディスク
のサンプルＡ7 〜Ｄ7 では、サンプルＢ7 を除いて、良
好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。最適な
ＨEXの大きさは、サンプルＡ7 の場合、２８ｋＡ／ｍと
なり、サンプルＣ7 の場合、３６ｋＡ／ｍとなり、サン
プルＤ7 の場合、２８ｋＡ／ｍとなった。
のサンプルＡ7 〜Ｄ7 では、サンプルＢ7 を除いて、良
好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。最適な
ＨEXの大きさは、サンプルＡ7 の場合、２８ｋＡ／ｍと
なり、サンプルＣ7 の場合、３６ｋＡ／ｍとなり、サン
プルＤ7 の場合、２８ｋＡ／ｍとなった。
【００９１】中間層４ａと５ｂを備えた光磁気ディスク
のサンプルＡ8 〜Ｄ8 では、サンプルＡ8 を除いて、良
好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。最適な
ＨEXの大きさは、サンプルＢ8 の場合、２８ｋＡ／ｍと
なり、サンプルＣ8 の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サン
プルＤ8 の場合、３６ｋＡ／ｍとなった。
のサンプルＡ8 〜Ｄ8 では、サンプルＡ8 を除いて、良
好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。最適な
ＨEXの大きさは、サンプルＢ8 の場合、２８ｋＡ／ｍと
なり、サンプルＣ8 の場合、２８ｋＡ／ｍとなり、サン
プルＤ8 の場合、３６ｋＡ／ｍとなった。
【００９２】中間層４ｂと５ｂを備えた光磁気ディスク
のサンプルＡ9 〜Ｄ9 では、サンプルＡ9 とＢ9 を除い
て、良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
最適なＨEXの大きさは、サンプルＣ9 の場合、３２ｋＡ
／ｍとなり、サンプルＤ9 の場合、３２ｋＡ／ｍとなっ
た。
のサンプルＡ9 〜Ｄ9 では、サンプルＡ9 とＢ9 を除い
て、良好なオーバーライト特性と再生特性が得られた。
最適なＨEXの大きさは、サンプルＣ9 の場合、３２ｋＡ
／ｍとなり、サンプルＤ9 の場合、３２ｋＡ／ｍとなっ
た。
【００９３】以上の実施例では、光磁気記録媒体として
光磁気ディスクを挙げて説明したが、光磁気カードや光
磁気テープにも本発明を応用できる。なお、光磁気テー
プの場合は、基板の代わりにポリエチレンテレフタレー
ト等からなるテープベース（基体）を用いればよい。
光磁気ディスクを挙げて説明したが、光磁気カードや光
磁気テープにも本発明を応用できる。なお、光磁気テー
プの場合は、基板の代わりにポリエチレンテレフタレー
ト等からなるテープベース（基体）を用いればよい。
【００９４】請求項１に対応する光磁気記録媒体は、基
板６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１
はＴROOMで面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜にな
る磁性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、
磁性層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を
有する垂直磁化膜からなるので、磁性層３の磁化を一方
向に揃えておき、一定のＨEXを印加しながら、情報に応
じて光強度をローパワーとハイパワーに変調した光ビー
ムを基板６側から照射することにより、磁性層２に対し
て光変調オーバーライトを行える。磁性層３は磁性層２
よりも高いキュリー温度を有しているので、光変調オー
バーライトを磁性層２のキュリー温度（ＴC2）付近で行
えば、磁性層３は、ＴC3以上にならない。このため、磁
性層３の磁化を一度一方向に揃えておけば、光変調オー
バーライト時に磁化方向が変わることがない。これによ
り、光変調オーバーライト毎に磁性層３の磁化を一方向
に揃えるための初期化磁界発生機構が不要になる。一
方、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照射
することにより、磁性層２の記録情報を磁性層１の垂直
磁化膜になった部分を介して磁気光学的に再生できる。
磁性層１において、垂直磁化膜になる部分の大きさは光
ビーム強度により決まる。したがって、光ビーム強度を
調整すれば、その大きさを光ビームスポットよりも小さ
くできる。これにより、光ビームスポットよりも小さい
部分に記録された情報を再生できる。
板６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１
はＴROOMで面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜にな
る磁性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、
磁性層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を
有する垂直磁化膜からなるので、磁性層３の磁化を一方
向に揃えておき、一定のＨEXを印加しながら、情報に応
じて光強度をローパワーとハイパワーに変調した光ビー
ムを基板６側から照射することにより、磁性層２に対し
て光変調オーバーライトを行える。磁性層３は磁性層２
よりも高いキュリー温度を有しているので、光変調オー
バーライトを磁性層２のキュリー温度（ＴC2）付近で行
えば、磁性層３は、ＴC3以上にならない。このため、磁
性層３の磁化を一度一方向に揃えておけば、光変調オー
バーライト時に磁化方向が変わることがない。これによ
り、光変調オーバーライト毎に磁性層３の磁化を一方向
に揃えるための初期化磁界発生機構が不要になる。一
方、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照射
することにより、磁性層２の記録情報を磁性層１の垂直
磁化膜になった部分を介して磁気光学的に再生できる。
磁性層１において、垂直磁化膜になる部分の大きさは光
ビーム強度により決まる。したがって、光ビーム強度を
調整すれば、その大きさを光ビームスポットよりも小さ
くできる。これにより、光ビームスポットよりも小さい
部分に記録された情報を再生できる。
【００９５】請求項２に対応する光磁気記録媒体は、基
板６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１
は室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる
磁性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、磁
性層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を有
する垂直磁化膜からなり、磁性層１・２の層間、また
は、磁性層２・３の層間の少なくともいずれか一方に中
間層４ａまたは５ａあるいは中間層４ｂまたは５ｂが設
けられており、中間層４ａまたは５ａは面内磁化膜から
なり、中間層４ｂまたは５ｂは非磁性膜からなるので、
上記請求項１の作用に加え、中間層４ａまたは５ａによ
り、磁性層１・２の間の交換結合力の大きさ、あるい
は、磁性層２・３の間の交換結合力の大きさを容易に制
御できる。これにより、磁性層１、２の膜設計、あるい
は、磁性層２、３の膜設計が容易になる。また、中間層
４ｂまたは５ｂにより、磁性層１・２の間の交換結合
力、あるいは、磁性層２・３の間の交換結合力をなくす
ことができる。
板６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１
は室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる
磁性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、磁
性層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を有
する垂直磁化膜からなり、磁性層１・２の層間、また
は、磁性層２・３の層間の少なくともいずれか一方に中
間層４ａまたは５ａあるいは中間層４ｂまたは５ｂが設
けられており、中間層４ａまたは５ａは面内磁化膜から
なり、中間層４ｂまたは５ｂは非磁性膜からなるので、
上記請求項１の作用に加え、中間層４ａまたは５ａによ
り、磁性層１・２の間の交換結合力の大きさ、あるい
は、磁性層２・３の間の交換結合力の大きさを容易に制
御できる。これにより、磁性層１、２の膜設計、あるい
は、磁性層２、３の膜設計が容易になる。また、中間層
４ｂまたは５ｂにより、磁性層１・２の間の交換結合
力、あるいは、磁性層２・３の間の交換結合力をなくす
ことができる。
【００９６】請求項３に対応する記録再生方法は、基板
６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１は
室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁
性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、磁性
層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を有す
る垂直磁化膜からなり、磁性層１・２の層間、または、
磁性層２・３の層間の少なくともいずれか一方に中間層
４ａまたは５ａが設けられており、中間層４ａまたは５
ａは第２磁性層よりも高いキュリー温度を有する面内磁
化膜からなり、磁性層３の磁化が一方向に揃えられてい
る光磁気記録媒体を用いる記録再生方法であって、光磁
気記録媒体に一定のＨEXを印加しながら、情報に応じて
光強度をローパワーとハイパワーに変調した光ビームを
基板６側から照射することにより、磁性層２に対して光
変調オーバーライトを行い、光変調オーバーライト時よ
りも弱い光ビームを照射することにより、光ビームスポ
ットの中心付近に位置する磁性層１を垂直磁化膜にし、
この垂直磁化膜になった部分を介して磁性層２の記録情
報を磁気光学的に再生するので、初期化磁界発生機構を
備えていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行
うことができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい
部分に記録された情報を再生できる。
６上に磁性層１〜３が順次積層されており、磁性層１は
室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁
性材料からなり、磁性層２は垂直磁化膜からなり、磁性
層３は磁性層２よりも高いキュリー温度（ＴC3）を有す
る垂直磁化膜からなり、磁性層１・２の層間、または、
磁性層２・３の層間の少なくともいずれか一方に中間層
４ａまたは５ａが設けられており、中間層４ａまたは５
ａは第２磁性層よりも高いキュリー温度を有する面内磁
化膜からなり、磁性層３の磁化が一方向に揃えられてい
る光磁気記録媒体を用いる記録再生方法であって、光磁
気記録媒体に一定のＨEXを印加しながら、情報に応じて
光強度をローパワーとハイパワーに変調した光ビームを
基板６側から照射することにより、磁性層２に対して光
変調オーバーライトを行い、光変調オーバーライト時よ
りも弱い光ビームを照射することにより、光ビームスポ
ットの中心付近に位置する磁性層１を垂直磁化膜にし、
この垂直磁化膜になった部分を介して磁性層２の記録情
報を磁気光学的に再生するので、初期化磁界発生機構を
備えていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行
うことができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい
部分に記録された情報を再生できる。
【００９７】
【発明の効果】請求項１の発明に係る光磁気記録媒体
は、以上のように、基体上に光入射側から第１、第２、
第３磁性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は
室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁
性材料からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第
３磁性層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有し、
上記第２磁性層への記録時に磁化方向が変わらないよう
に設定された垂直磁化膜からなるので、第３磁性層の磁
化を一方向に揃えておき、一定の記録磁界を印加しなが
ら、情報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変
調した光ビームを基体側から照射することにより、第２
磁性層に対して光変調オーバーライトを行える。第３磁
性層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有している
ので、光変調オーバーライトを第２磁性層のキュリー温
度付近で行えば、第３磁性層は、第３磁性層のキュリー
温度以上にならない。このため、第３磁性層の磁化を一
度一方向に揃えておけば、光変調オーバーライト時に磁
化方向が変わることがない。これにより、光変調オーバ
ーライト毎に第３磁性層の磁化を一方向に揃えるための
初期化磁界発生機構が不要になるという効果を奏する。
一方、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照
射することにより、第２磁性層の記録情報を第１磁性層
の垂直磁化膜になった部分を介して磁気光学的に再生で
きる。第１磁性層において、垂直磁化膜になる部分の大
きさは光ビーム強度により決まる。したがって、光ビー
ム強度を調整すれば、その大きさを光ビームスポットよ
りも小さくできる。これにより、光ビームスポットより
も小さい部分に記録された情報を再生できるという効果
を併せて奏する。
は、以上のように、基体上に光入射側から第１、第２、
第３磁性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は
室温で面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁
性材料からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第
３磁性層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有し、
上記第２磁性層への記録時に磁化方向が変わらないよう
に設定された垂直磁化膜からなるので、第３磁性層の磁
化を一方向に揃えておき、一定の記録磁界を印加しなが
ら、情報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変
調した光ビームを基体側から照射することにより、第２
磁性層に対して光変調オーバーライトを行える。第３磁
性層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有している
ので、光変調オーバーライトを第２磁性層のキュリー温
度付近で行えば、第３磁性層は、第３磁性層のキュリー
温度以上にならない。このため、第３磁性層の磁化を一
度一方向に揃えておけば、光変調オーバーライト時に磁
化方向が変わることがない。これにより、光変調オーバ
ーライト毎に第３磁性層の磁化を一方向に揃えるための
初期化磁界発生機構が不要になるという効果を奏する。
一方、光変調オーバーライト時よりも弱い光ビームを照
射することにより、第２磁性層の記録情報を第１磁性層
の垂直磁化膜になった部分を介して磁気光学的に再生で
きる。第１磁性層において、垂直磁化膜になる部分の大
きさは光ビーム強度により決まる。したがって、光ビー
ム強度を調整すれば、その大きさを光ビームスポットよ
りも小さくできる。これにより、光ビームスポットより
も小さい部分に記録された情報を再生できるという効果
を併せて奏する。
【００９８】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
以上のように、上記請求項１記載の光磁気記録媒体にお
いて、上記第１、第２磁性層の層間、または、第２、第
３磁性層の層間の少なくともいずれか一方に中間層が設
けられており、中間層は面内磁化膜あるいは非磁性膜か
らなるので、上記請求項１の作用に加え、第１、第２磁
性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第
１と第２磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御
できる。これにより、第１、第２磁性層の膜設計が容易
になるという効果を奏する。同様に、第２、第３磁性層
の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第２と
第３磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御でき
る。これにより、第１、第２磁性層の膜設計が容易にな
るという効果を奏する。また、第１、第２磁性層の層間
に非磁性膜からなる中間層を設けると、第１と第２磁性
層の間の交換結合力がなくなり、第２、第３磁性層の層
間に非磁性膜からなる中間層を設けると、第２と第３磁
性層の間の交換結合力がなくなるが、記録再生は可能で
ある。さらに、第１、第２磁性層の層間に面内磁化膜か
らなる中間層を設け、第２、第３磁性層の層間に非磁性
膜からなる中間層を設けてもよい。同様に、第１、第２
磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設け、第２、
第３磁性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けて
もよい。
以上のように、上記請求項１記載の光磁気記録媒体にお
いて、上記第１、第２磁性層の層間、または、第２、第
３磁性層の層間の少なくともいずれか一方に中間層が設
けられており、中間層は面内磁化膜あるいは非磁性膜か
らなるので、上記請求項１の作用に加え、第１、第２磁
性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第
１と第２磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御
できる。これにより、第１、第２磁性層の膜設計が容易
になるという効果を奏する。同様に、第２、第３磁性層
の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けると、第２と
第３磁性層の間の交換結合力の大きさを容易に制御でき
る。これにより、第１、第２磁性層の膜設計が容易にな
るという効果を奏する。また、第１、第２磁性層の層間
に非磁性膜からなる中間層を設けると、第１と第２磁性
層の間の交換結合力がなくなり、第２、第３磁性層の層
間に非磁性膜からなる中間層を設けると、第２と第３磁
性層の間の交換結合力がなくなるが、記録再生は可能で
ある。さらに、第１、第２磁性層の層間に面内磁化膜か
らなる中間層を設け、第２、第３磁性層の層間に非磁性
膜からなる中間層を設けてもよい。同様に、第１、第２
磁性層の層間に非磁性膜からなる中間層を設け、第２、
第３磁性層の層間に面内磁化膜からなる中間層を設けて
もよい。
【００９９】請求項３の発明に係る記録再生方法は、以
上のように、基体上に光入射側から第１、第２、第３磁
性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は室温で
面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁性材料
からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第３磁性
層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有する垂直磁
化膜からなり、第３磁性層の磁化が一方向に揃えられて
いる光磁気記録媒体を用いる記録再生方法であって、光
磁気記録媒体に一定の垂直記録磁界を印加しながら、情
報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変調した
光ビームを基体側から照射することにより、第２磁性層
に対して光変調オーバーライトを行い、光変調オーバー
ライト時よりも弱い光ビームを照射することにより、光
ビームスポットの中心付近に位置する磁性層１を垂直磁
化膜にし、この垂直磁化膜になった部分を介して磁性層
２の記録情報を磁気光学的に再生するので、請求項１の
光磁気記録媒体を使用して、初期化磁界発生機構を備え
ていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行うこ
とができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい部分
に記録された情報を再生できるという効果を奏する。
上のように、基体上に光入射側から第１、第２、第３磁
性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は室温で
面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁性材料
からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第３磁性
層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有する垂直磁
化膜からなり、第３磁性層の磁化が一方向に揃えられて
いる光磁気記録媒体を用いる記録再生方法であって、光
磁気記録媒体に一定の垂直記録磁界を印加しながら、情
報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変調した
光ビームを基体側から照射することにより、第２磁性層
に対して光変調オーバーライトを行い、光変調オーバー
ライト時よりも弱い光ビームを照射することにより、光
ビームスポットの中心付近に位置する磁性層１を垂直磁
化膜にし、この垂直磁化膜になった部分を介して磁性層
２の記録情報を磁気光学的に再生するので、請求項１の
光磁気記録媒体を使用して、初期化磁界発生機構を備え
ていない記録再生装置で光変調オーバーライトを行うこ
とができ、しかも、光ビームスポットよりも小さい部分
に記録された情報を再生できるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
【図２】図１の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。
力の温度依存性を示すグラフである。
【図３】光磁気ディスク装置の概略の構成図である。
【図４】図１の光磁気記録媒体における各磁性層の磁化
および希土類金属の副格子磁気モーメントを示す説明図
である。
および希土類金属の副格子磁気モーメントを示す説明図
である。
【図５】本発明の第２の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
【図７】本発明の第４の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
【図８】本発明の第５の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
【図９】本発明の第６の実施例を示すものであり、光磁
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
気記録媒体の概略の構成を示す縦断面図である。
１ 磁性層（第１磁性層） ２ 磁性層（第２磁性層） ３ 磁性層（第３磁性層） ４ａ 中間層 ４ｂ 中間層 ５ａ 中間層 ５ｂ 中間層 ６ 基板（基体） ７ 透明誘電体層 ８ 透明誘電体層 ９ オーバーコート層
フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特許2812817（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506
Claims (3)
- 【請求項１】基体上に光入射側から第１、第２、第３磁
性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は室温で
面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁性材料
からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第３磁性
層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有し、上記第
２磁性層への記録時に磁化方向が変わらないように設定
された垂直磁化膜からなることを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項２】上記第１、第２磁性層の層間、または、第
２、第３磁性層の層間の少なくともいずれか一方に中間
層が設けられており、中間層は面内磁化膜あるいは非磁
性膜からなることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項３】基体上に光入射側から第１、第２、第３磁
性層がこの順序に積層されており、第１磁性層は室温で
面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜になる磁性材料
からなり、第２磁性層は垂直磁化膜からなり、第３磁性
層は第２磁性層よりも高いキュリー温度を有する垂直磁
化膜からなり、第３磁性層の磁化が一方向に揃えられて
いる光磁気記録媒体を用いる記録再生方法であって、 光磁気記録媒体に一定の垂直記録磁界を印加しながら、
情報に応じて光強度をローパワーとハイパワーに変調し
た光ビームを基体側から照射することにより、第２磁性
層に対して光変調オーバーライトを行い、光変調オーバ
ーライト時よりも弱い光ビームを照射することにより、
光ビームスポットの中心付近に位置する第１磁性層を垂
直磁化膜にし、この垂直磁化膜になった部分を介して第
２磁性層の記録情報を磁気光学的に再生することを特徴
とする記録再生方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267346A JP2938284B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
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| US08/102,349 US5428585A (en) | 1992-10-06 | 1993-08-05 | Magneto-optical recording medium comprising first, second and third magnetic layers and method of recording on same |
| EP93307922A EP0592199B1 (en) | 1992-10-06 | 1993-10-06 | Magneto-optical recording medium and method of recording and reproducing using same |
| DE69327290T DE69327290T2 (de) | 1992-10-06 | 1993-10-06 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger sowie ihn verwendende Aufzeichnungs- und Wiedergabemethode |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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