JP3354726B2 - 光磁気記録媒体及び再生方法 - Google Patents
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光の照射による温
度上昇を利用して情報の記録及び消去を行い、磁気光学
効果によって記録信号の読み出しを行う光磁気記録媒体
及びその再生方法に関するものである。
度上昇を利用して情報の記録及び消去を行い、磁気光学
効果によって記録信号の読み出しを行う光磁気記録媒体
及びその再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録は、レーザ光の照射により磁
性膜を局部的にキュリー点又は補償温度以上に加熱し、
磁性膜の照射部を外部磁界の向きに磁化させ、記録磁区
を形成することである。この光磁気記録媒体への記録方
式の１つとして、一定強度のレーザ光を照射して記録磁
性膜の温度を上昇させ、記録信号に応じて向きが変調さ
れた外部磁界で熱磁気記録する磁界変調記録方式があ
る。また他の記録方式としては、一定強度の外部磁界を
印加し、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光を照
射し、記録磁性膜の温度を上昇させて熱磁気記録する光
変調記録方式がある。
性膜を局部的にキュリー点又は補償温度以上に加熱し、
磁性膜の照射部を外部磁界の向きに磁化させ、記録磁区
を形成することである。この光磁気記録媒体への記録方
式の１つとして、一定強度のレーザ光を照射して記録磁
性膜の温度を上昇させ、記録信号に応じて向きが変調さ
れた外部磁界で熱磁気記録する磁界変調記録方式があ
る。また他の記録方式としては、一定強度の外部磁界を
印加し、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光を照
射し、記録磁性膜の温度を上昇させて熱磁気記録する光
変調記録方式がある。
【０００３】従来の光磁気記録媒体では、記録磁区が再
生光スポット径以下に小さくなると、再生する記録磁区
の前後の磁区までが検出範囲に含まれ、それらの干渉の
ため再生信号が小さくなり、Ｓ／Ｎ比が低下するという
問題があった。
生光スポット径以下に小さくなると、再生する記録磁区
の前後の磁区までが検出範囲に含まれ、それらの干渉の
ため再生信号が小さくなり、Ｓ／Ｎ比が低下するという
問題があった。
【０００４】この問題を解決するため、図６に示すよう
な光磁気記録方式が提案されている（日経エレクトロニ
クス 1991.10.28 no.539参照）。この光磁気記録方式に
ついて簡単に説明する。図６（ｂ）において、光磁気記
録媒体６０は、再生磁性膜６３、転写磁性膜６４、中間
膜６５、記録磁性膜６６の各膜と図示しない基板とを含
んで構成される。
な光磁気記録方式が提案されている（日経エレクトロニ
クス 1991.10.28 no.539参照）。この光磁気記録方式に
ついて簡単に説明する。図６（ｂ）において、光磁気記
録媒体６０は、再生磁性膜６３、転写磁性膜６４、中間
膜６５、記録磁性膜６６の各膜と図示しない基板とを含
んで構成される。
【０００５】図６（ｂ）に示す矢印Ｘは光磁気記録ディ
スク６０のトラックに沿った移動方向である。上向きの
太い矢印６１は記録及び再生用の磁界である。また下向
きの太い矢印６２は初期化磁界である。一方、図６
（ａ）は光磁気記録媒体６０のトラックの一部を示す平
面図である。本図において情報の再生時にはそのトラッ
クに沿ってレーザ光による再生光スポット６７が形成さ
れる。
スク６０のトラックに沿った移動方向である。上向きの
太い矢印６１は記録及び再生用の磁界である。また下向
きの太い矢印６２は初期化磁界である。一方、図６
（ａ）は光磁気記録媒体６０のトラックの一部を示す平
面図である。本図において情報の再生時にはそのトラッ
クに沿ってレーザ光による再生光スポット６７が形成さ
れる。
【０００６】再生光スポット６７が回転中のディスクに
照射されるとき、再生磁性膜６３及び転写磁性膜６４を
含む磁性膜の温度分布は、再生光スポット６７の円中心
に対し、回転対称とはならない。具体的には再生光スポ
ット６７の照射済の部分である温度領域６９が高温領域
となり、その温度は転写磁性膜６４のキュリー温度Ｔc
以上の温度になる。そして温度領域６９の外部であっ
て、再生光スポット６７の左側に位置する３日月状の部
分を中間温度領域７０と呼ぶ。また中間温度領域７０の
右側であって、再生光スポット６７内の部分を低温領域
７１と呼ぶ。
照射されるとき、再生磁性膜６３及び転写磁性膜６４を
含む磁性膜の温度分布は、再生光スポット６７の円中心
に対し、回転対称とはならない。具体的には再生光スポ
ット６７の照射済の部分である温度領域６９が高温領域
となり、その温度は転写磁性膜６４のキュリー温度Ｔc
以上の温度になる。そして温度領域６９の外部であっ
て、再生光スポット６７の左側に位置する３日月状の部
分を中間温度領域７０と呼ぶ。また中間温度領域７０の
右側であって、再生光スポット６７内の部分を低温領域
７１と呼ぶ。
【０００７】さて信号（情報）は予め記録磁性膜６６に
記録磁区６８として熱磁気記録されていているものとす
る。転写磁性膜６４は再生磁性膜６３と強く交換結合し
ている。中間膜６５は、再生磁性膜６３と記録磁性膜６
６の磁化の向きが揃うときに、磁壁が安定になるように
設けられた膜である。
記録磁区６８として熱磁気記録されていているものとす
る。転写磁性膜６４は再生磁性膜６３と強く交換結合し
ている。中間膜６５は、再生磁性膜６３と記録磁性膜６
６の磁化の向きが揃うときに、磁壁が安定になるように
設けられた膜である。
【０００８】このように構成された光磁気記録媒体６０
の再生動作について説明する。最初は、再生磁性膜６３
が初期化磁界６２の方向に揃えられる。再生時には回転
中のディスクに対して再生用のレーザ光を図６（ｂ）に
示すｘ１〜ｘ２の範囲に照射する。そうすれば温度上昇
が起こり、光磁気記録媒体６０上には図６（ａ）に示す
ような温度分布が生じる。ここで、再生磁性膜６３は、
温度上昇によって保磁力が低下するため、中間温度領域
７０では記録磁性膜６６との交換結合が支配的となり、
再生磁性膜６３の磁化の向きは記録磁性膜６６の磁化の
向きに揃えられる。
の再生動作について説明する。最初は、再生磁性膜６３
が初期化磁界６２の方向に揃えられる。再生時には回転
中のディスクに対して再生用のレーザ光を図６（ｂ）に
示すｘ１〜ｘ２の範囲に照射する。そうすれば温度上昇
が起こり、光磁気記録媒体６０上には図６（ａ）に示す
ような温度分布が生じる。ここで、再生磁性膜６３は、
温度上昇によって保磁力が低下するため、中間温度領域
７０では記録磁性膜６６との交換結合が支配的となり、
再生磁性膜６３の磁化の向きは記録磁性膜６６の磁化の
向きに揃えられる。
【０００９】さらに図６（ｂ）に示す温度Ｔｃ以上の温
度領域６９においては、転写磁性膜６４の磁化が消失す
るため、その部分の再生磁性膜６３と記録磁性膜６６の
間の交換結合が遮断され、再生磁性膜６３の磁化は再生
磁界６１の向きに揃えられる。従って再生光スポット６
７内の低温領域７１と高温領域６９の両方が特定の記録
磁区６８をマスクすることになり、中間温度領域７０に
のみ存在する記録磁区６８ｘから情報を再生信号として
読み出すことができる。このように再生光スポット６７
のよりも小さな記録磁区６８であっても、前後の記録磁
区からの干渉を生じることなく情報を高密度で再生する
ことができる。
度領域６９においては、転写磁性膜６４の磁化が消失す
るため、その部分の再生磁性膜６３と記録磁性膜６６の
間の交換結合が遮断され、再生磁性膜６３の磁化は再生
磁界６１の向きに揃えられる。従って再生光スポット６
７内の低温領域７１と高温領域６９の両方が特定の記録
磁区６８をマスクすることになり、中間温度領域７０に
のみ存在する記録磁区６８ｘから情報を再生信号として
読み出すことができる。このように再生光スポット６７
のよりも小さな記録磁区６８であっても、前後の記録磁
区からの干渉を生じることなく情報を高密度で再生する
ことができる。
【００１０】しかしながら上記の光磁気記録媒体６０で
は、記録磁性膜６６の方向に再生磁性膜６３の磁化方向
を揃えるという初期化を行うため、初期化磁界６２が必
要であるという欠点があった。
は、記録磁性膜６６の方向に再生磁性膜６３の磁化方向
を揃えるという初期化を行うため、初期化磁界６２が必
要であるという欠点があった。
【００１１】これを解決するために、図７のような光磁
気記録媒体８０が提案されている（特開平５−８１７１
７号公報参照）。光磁気記録媒体８０は、図７（ｂ）に
示すように再生磁性膜８２、記録磁性膜８３、これらの
磁性膜を支持する基板等により構成されている。そして
図６に示すものと異なり、再生磁性膜８２として面内磁
化膜が用いられる。
気記録媒体８０が提案されている（特開平５−８１７１
７号公報参照）。光磁気記録媒体８０は、図７（ｂ）に
示すように再生磁性膜８２、記録磁性膜８３、これらの
磁性膜を支持する基板等により構成されている。そして
図６に示すものと異なり、再生磁性膜８２として面内磁
化膜が用いられる。
【００１２】図７（ｂ）の矢印Ｘは光磁気記録媒体８０
のトラックに沿った移動方向である。図７（ａ）は光磁
気記録媒体８０のトラックの一部を示す平面図である。
図６の場合と同様に、情報の再生時には図７（ｂ）のｘ
１〜ｘ２の範囲でトラックに沿ってレーザ光による再生
光スポット８６を照射する。
のトラックに沿った移動方向である。図７（ａ）は光磁
気記録媒体８０のトラックの一部を示す平面図である。
図６の場合と同様に、情報の再生時には図７（ｂ）のｘ
１〜ｘ２の範囲でトラックに沿ってレーザ光による再生
光スポット８６を照射する。
【００１３】再生光スポット８６が回転中のディスクに
照射されるとき、再生磁性膜８２及び記録磁性膜８３の
温度分布は、再生光スポット８６の円の中心に対し、回
転対称とはならない。再生光スポット８６の照射済の部
分と、再生光スポット８６の左端部分とが高温領域８７
となる。そして高温領域８７の外部であって、再生光ス
ポット６７に含まれる部分を低温領域８８とする。この
場合も記録磁区８９は再生光スポット８６の領域よりも
遥かに小さい。
照射されるとき、再生磁性膜８２及び記録磁性膜８３の
温度分布は、再生光スポット８６の円の中心に対し、回
転対称とはならない。再生光スポット８６の照射済の部
分と、再生光スポット８６の左端部分とが高温領域８７
となる。そして高温領域８７の外部であって、再生光ス
ポット６７に含まれる部分を低温領域８８とする。この
場合も記録磁区８９は再生光スポット８６の領域よりも
遥かに小さい。
【００１４】このように構成された光磁気記録媒体８０
の再生動作について説明する。記録信号は熱磁気記録に
よって、記録磁性膜８３の各記録磁区８９に予め記録さ
れているものとする。再生磁性膜８２は室温で面内磁化
される膜であり、再生光スポット８６内の高温領域８７
の部分のみ垂直磁化膜となる。再生用のレーザ光が図７
（ｂ）のｘ１〜ｘ２の範囲で照射されると、この部分の
温度が上昇して高温領域８７と低温領域８８ができる。
の再生動作について説明する。記録信号は熱磁気記録に
よって、記録磁性膜８３の各記録磁区８９に予め記録さ
れているものとする。再生磁性膜８２は室温で面内磁化
される膜であり、再生光スポット８６内の高温領域８７
の部分のみ垂直磁化膜となる。再生用のレーザ光が図７
（ｂ）のｘ１〜ｘ２の範囲で照射されると、この部分の
温度が上昇して高温領域８７と低温領域８８ができる。
【００１５】高温領域８７では、再生磁性膜８２が垂直
磁化膜に変化し、交換結合によって記録磁性膜８３の磁
化の向きに揃う。また、光磁気記録媒体８０がＸ方向に
移動して温度が下がると、再生磁性膜８２は再び面内磁
化膜に変化する。こうして初期化磁界なしに、再生光ス
ポット８６よりも小さな記録磁区８９の情報を再生する
ことができる。
磁化膜に変化し、交換結合によって記録磁性膜８３の磁
化の向きに揃う。また、光磁気記録媒体８０がＸ方向に
移動して温度が下がると、再生磁性膜８２は再び面内磁
化膜に変化する。こうして初期化磁界なしに、再生光ス
ポット８６よりも小さな記録磁区８９の情報を再生する
ことができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このような再生磁性膜
８２に面内磁化膜を用いた光磁気記録媒体８０において
は、初期化磁界を不要にできる効果はあるものの、以下
のような欠点がある。 （１）レーザ光線の再生パワーが変動したとき、再生磁
性膜８２の面内磁化膜から垂直磁性膜になる臨界温度は
一定であるため、記録磁区８９が転写される領域が変化
し、波形干渉により再生特性が劣化する。 （２）記録磁性膜８３との交換結合により、再生磁性膜
８２の磁化は記録磁性膜８３の方向に引きつけられる。
このため理想的な面内磁化方向を維持できず、垂直成分
を有することになる。この結果、記録磁区８９の転写を
必要としない領域においても転写が発生し、再生時に解
像度不足が起こる。
８２に面内磁化膜を用いた光磁気記録媒体８０において
は、初期化磁界を不要にできる効果はあるものの、以下
のような欠点がある。 （１）レーザ光線の再生パワーが変動したとき、再生磁
性膜８２の面内磁化膜から垂直磁性膜になる臨界温度は
一定であるため、記録磁区８９が転写される領域が変化
し、波形干渉により再生特性が劣化する。 （２）記録磁性膜８３との交換結合により、再生磁性膜
８２の磁化は記録磁性膜８３の方向に引きつけられる。
このため理想的な面内磁化方向を維持できず、垂直成分
を有することになる。この結果、記録磁区８９の転写を
必要としない領域においても転写が発生し、再生時に解
像度不足が起こる。
【００１７】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、再生光スポット内の中間温度領
域においてのみ記録信号を読み取ることによって、初期
化磁界が不要であり、解像度の高い高性能な再生特性を
有する光磁気記録媒体を実現すること、及び高密度記録
に適した光磁気記録媒体の再生方法を実現することを目
的とする。
なされたものであって、再生光スポット内の中間温度領
域においてのみ記録信号を読み取ることによって、初期
化磁界が不要であり、解像度の高い高性能な再生特性を
有する光磁気記録媒体を実現すること、及び高密度記録
に適した光磁気記録媒体の再生方法を実現することを目
的とする。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【課題を解決するための手段】 本願の請求項１の発明
は、基板上に少なくとも再生磁性膜と制御磁性膜と記録
磁性膜を有し、記録光の照射による加熱と記録磁界の印
加により記録磁性膜を磁化して情報を記録し、再生光の
照射により記録磁性膜の各磁区の磁化を再生磁性膜に転
写することにより情報を再生する光磁気記録媒体であっ
て、再生磁性膜は、室温よりも高い温度Ｔsw１を境に、
Ｔsw１未満の温度では面内磁化膜であり、且つＴsw１以
上の温度では垂直磁化膜であり、制御磁性膜は、Ｔsw１
より高い温度Ｔsw２を境に、Ｔsw２未満の温度では面内
磁化膜であり、且つＴsw２以上の温度において垂直磁化
膜であり、且つＴsw２より高い温度Ｔsw３を境に、Ｔsw
３以上の温度では面内磁性膜であり、記録磁性膜は、記
録磁区が保持される垂直磁化膜であり、Ｔsw１とＴsw２
とＴsw３の間には、Ｔsw１＜Ｔsw２＜Ｔsw３なる関係が
成り立ち、Ｔsw２からＴsw３との間の温度領域で記録磁
性膜に保持された記録磁区が、交換結合力によって制御
磁性膜を介して再生磁性膜に転写されることを特徴とす
るものである。
は、基板上に少なくとも再生磁性膜と制御磁性膜と記録
磁性膜を有し、記録光の照射による加熱と記録磁界の印
加により記録磁性膜を磁化して情報を記録し、再生光の
照射により記録磁性膜の各磁区の磁化を再生磁性膜に転
写することにより情報を再生する光磁気記録媒体であっ
て、再生磁性膜は、室温よりも高い温度Ｔsw１を境に、
Ｔsw１未満の温度では面内磁化膜であり、且つＴsw１以
上の温度では垂直磁化膜であり、制御磁性膜は、Ｔsw１
より高い温度Ｔsw２を境に、Ｔsw２未満の温度では面内
磁化膜であり、且つＴsw２以上の温度において垂直磁化
膜であり、且つＴsw２より高い温度Ｔsw３を境に、Ｔsw
３以上の温度では面内磁性膜であり、記録磁性膜は、記
録磁区が保持される垂直磁化膜であり、Ｔsw１とＴsw２
とＴsw３の間には、Ｔsw１＜Ｔsw２＜Ｔsw３なる関係が
成り立ち、Ｔsw２からＴsw３との間の温度領域で記録磁
性膜に保持された記録磁区が、交換結合力によって制御
磁性膜を介して再生磁性膜に転写されることを特徴とす
るものである。
【００２２】
【００２３】本願の請求項３の発明は、請求項１又は２
記載の光磁気記録媒体の再生方法であって、再生光の照
射により制御磁性膜の一部をＴsw３以上の温度まで加熱
し、記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上Ｔ
sw３未満の温度で交換結合力によって制御磁性膜を介し
て再生磁性膜に転写し、再生磁性膜からの反射光又は透
過光によって各磁区の情報を再生することを特徴とする
ものである。
記載の光磁気記録媒体の再生方法であって、再生光の照
射により制御磁性膜の一部をＴsw３以上の温度まで加熱
し、記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上Ｔ
sw３未満の温度で交換結合力によって制御磁性膜を介し
て再生磁性膜に転写し、再生磁性膜からの反射光又は透
過光によって各磁区の情報を再生することを特徴とする
ものである。
【００２４】本願の請求項４の発明は、請求項１又は２
記載の光磁気記録媒体の再生方法であって、再生領域と
なる各磁性膜に垂直方向の再生磁界を印加し、再生光の
照射により制御磁性膜の一部をＴsw３以上の温度まで加
熱し、記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上
Ｔsw３未満の温度で交換結合力によって制御磁性膜を介
して再生磁性膜に転写し、再生磁性膜からの反射光又は
透過光によって各磁区の情報を再生することを特徴とす
るものである。
記載の光磁気記録媒体の再生方法であって、再生領域と
なる各磁性膜に垂直方向の再生磁界を印加し、再生光の
照射により制御磁性膜の一部をＴsw３以上の温度まで加
熱し、記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上
Ｔsw３未満の温度で交換結合力によって制御磁性膜を介
して再生磁性膜に転写し、再生磁性膜からの反射光又は
透過光によって各磁区の情報を再生することを特徴とす
るものである。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【作用】このような特徴を有する本発明の光磁気記録媒
体では、再生磁性膜は、室温よりも高い温度Ｔsw１を境
に、Ｔsw１以下の温度では面内磁化膜、且つＴsw１以上
の温度では垂直磁化膜に変化し、制御磁性膜は室温より
高い温度Ｔsw２を境に、Ｔsw２以下の温度では面内磁化
膜、且つＴsw２以上の温度において垂直磁化膜に変化
し、Ｔsw１とＴsw２との間には、Ｔsw１＜Ｔsw２の関係
が成り立つように設定する。そしてＴsw２以下の温度領
域において、再生磁性膜が記録磁性膜との交換結合によ
って垂直磁化膜になるのを押さえることができ、且つ垂
直磁化膜に変化する動作を急峻にすることができる。し
たがって、再生時に記録磁性膜の記録磁区が制御磁性膜
を介して再生磁性膜に転写される領域を制限することに
なり、再生解像度の高い光磁気記録媒体が得られる。
体では、再生磁性膜は、室温よりも高い温度Ｔsw１を境
に、Ｔsw１以下の温度では面内磁化膜、且つＴsw１以上
の温度では垂直磁化膜に変化し、制御磁性膜は室温より
高い温度Ｔsw２を境に、Ｔsw２以下の温度では面内磁化
膜、且つＴsw２以上の温度において垂直磁化膜に変化
し、Ｔsw１とＴsw２との間には、Ｔsw１＜Ｔsw２の関係
が成り立つように設定する。そしてＴsw２以下の温度領
域において、再生磁性膜が記録磁性膜との交換結合によ
って垂直磁化膜になるのを押さえることができ、且つ垂
直磁化膜に変化する動作を急峻にすることができる。し
たがって、再生時に記録磁性膜の記録磁区が制御磁性膜
を介して再生磁性膜に転写される領域を制限することに
なり、再生解像度の高い光磁気記録媒体が得られる。
【００２８】また本発明の光磁気記録媒体の再生方法に
よれば、先ず記録磁性膜に熱磁気記録によって記録磁区
が形成される。一方、再生時には、再生磁性膜にレーザ
光を照射することで、各磁性膜の温度上昇により制御磁
性膜が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして記
録磁性膜との磁気的結合が起こると、再生磁性膜の磁化
はより垂直方向に変化する。これによって記録磁区が再
生磁性膜に転写され、記録磁区の磁化方向に応じて反射
光又は透過光の偏光面が回転する磁気光学効果により、
記録信号が光信号として読み出される。このとき、再生
スポット内には温度分布が生じており、制御磁性膜がＴ
sw２以上の温度領域においてのみ垂直磁化膜となるた
め、再生光スポット内のＴsw２以下の温度領域にある磁
区がマスクされた形となり、再生スポットよりも小さい
記録磁区の情報が再生される。
よれば、先ず記録磁性膜に熱磁気記録によって記録磁区
が形成される。一方、再生時には、再生磁性膜にレーザ
光を照射することで、各磁性膜の温度上昇により制御磁
性膜が面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして記
録磁性膜との磁気的結合が起こると、再生磁性膜の磁化
はより垂直方向に変化する。これによって記録磁区が再
生磁性膜に転写され、記録磁区の磁化方向に応じて反射
光又は透過光の偏光面が回転する磁気光学効果により、
記録信号が光信号として読み出される。このとき、再生
スポット内には温度分布が生じており、制御磁性膜がＴ
sw２以上の温度領域においてのみ垂直磁化膜となるた
め、再生光スポット内のＴsw２以下の温度領域にある磁
区がマスクされた形となり、再生スポットよりも小さい
記録磁区の情報が再生される。
【００２９】また、制御磁性膜がＴsw２よりも高い、Ｔ
sw３の温度領域において、面内磁化膜となるようにする
ことにより、再生光スポット内のＴsw３以上の温度領域
もマスクされた形となるため、より小さい範囲を再生す
ることができる。
sw３の温度領域において、面内磁化膜となるようにする
ことにより、再生光スポット内のＴsw３以上の温度領域
もマスクされた形となるため、より小さい範囲を再生す
ることができる。
【００３０】
【実施例】本発明の各実施例における光磁気記録媒体に
ついて、図面を参照にしながら説明する。図１は本発明
の第１及び第２実施例における光磁気記録媒体１０の構
成を示す断面図である。本図において光磁気記録媒体１
０は、基板１１、第１の保護膜１２、再生磁性膜１３、
制御磁性膜１４、記録磁性膜１５、第２の保護膜１６、
保護層１７を含んで構成される。
ついて、図面を参照にしながら説明する。図１は本発明
の第１及び第２実施例における光磁気記録媒体１０の構
成を示す断面図である。本図において光磁気記録媒体１
０は、基板１１、第１の保護膜１２、再生磁性膜１３、
制御磁性膜１４、記録磁性膜１５、第２の保護膜１６、
保護層１７を含んで構成される。
【００３１】基板１１は光磁気ディスク（以下、ディス
クという）の基板となるもので、ガラスやプラスチック
等で構成される。第１，第２の保護膜１２，１６は例え
ばＺｎＳからなる保護膜である。再生磁性膜１３はＧｄ
ＦｅＣｏ膜で構成され、補償温度Ｔcomp以下の温度で面
内磁化膜から垂直磁化膜になる再生用の磁性膜である。
なお補償温度Ｔcompは磁性膜が温度上昇により自発磁化
を急激に減少し、その向きを反転する際の温度である。
制御磁性膜１４はＧｄＦｅＣｏで構成され、再生磁性膜
１３よりも高い温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になる
制御用の磁性膜である。記録磁性膜１５はＴｂＦｅＣｏ
膜から構成され、情報を記録する磁性膜であり、記録磁
区の垂直磁化膜として情報が保持される。保護層１７は
例えばエポキシアクリレート系樹脂からなる保護層であ
る。
クという）の基板となるもので、ガラスやプラスチック
等で構成される。第１，第２の保護膜１２，１６は例え
ばＺｎＳからなる保護膜である。再生磁性膜１３はＧｄ
ＦｅＣｏ膜で構成され、補償温度Ｔcomp以下の温度で面
内磁化膜から垂直磁化膜になる再生用の磁性膜である。
なお補償温度Ｔcompは磁性膜が温度上昇により自発磁化
を急激に減少し、その向きを反転する際の温度である。
制御磁性膜１４はＧｄＦｅＣｏで構成され、再生磁性膜
１３よりも高い温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になる
制御用の磁性膜である。記録磁性膜１５はＴｂＦｅＣｏ
膜から構成され、情報を記録する磁性膜であり、記録磁
区の垂直磁化膜として情報が保持される。保護層１７は
例えばエポキシアクリレート系樹脂からなる保護層であ
る。
【００３２】ここで基板１１上の前述した各膜をスパッ
タ法又は真空蒸着法で形成し、成膜完了後に保護層１７
をスピンコート法により形成する。各々の膜厚は、保護
膜１２、１６を６０〜１２０ｎｍ、再生磁性膜１３を１
０〜８０ｎｍ、制御磁性膜１５を５〜５０ｎｍ、記録磁
性膜１４を３０〜１００ｎｍとした。
タ法又は真空蒸着法で形成し、成膜完了後に保護層１７
をスピンコート法により形成する。各々の膜厚は、保護
膜１２、１６を６０〜１２０ｎｍ、再生磁性膜１３を１
０〜８０ｎｍ、制御磁性膜１５を５〜５０ｎｍ、記録磁
性膜１４を３０〜１００ｎｍとした。
【００３３】図８は光磁気記録媒体を基板側からみた室
温におけるカーループ（ヒステリシスループ）の概略図
である。横軸を印加磁界Ｈとし、縦軸をカー（Kerr）回
転角θｋとする。図８（ａ）は記録磁性膜と再生磁性膜
の２層構造を有する光磁気記録媒体のカーループであ
る。また図８（ｂ）は図１に示した本実施例の光磁気記
録媒体１０のカーループである。ここでは（ａ）、
（ｂ）両方の記録磁性膜は、一方向の磁界方向に着磁し
てある。
温におけるカーループ（ヒステリシスループ）の概略図
である。横軸を印加磁界Ｈとし、縦軸をカー（Kerr）回
転角θｋとする。図８（ａ）は記録磁性膜と再生磁性膜
の２層構造を有する光磁気記録媒体のカーループであ
る。また図８（ｂ）は図１に示した本実施例の光磁気記
録媒体１０のカーループである。ここでは（ａ）、
（ｂ）両方の記録磁性膜は、一方向の磁界方向に着磁し
てある。
【００３４】図８（ａ）に示す光磁気記録媒体のヒステ
リシスループは記録磁性膜の磁化方向にシフトしたもの
となる。これは、再生磁性膜が記録磁性膜との交換結合
によって磁界Ｈが０の状態においても、かなりの垂直成
分を有していることを表す。しかし図８（ｂ）の特性を
有する光磁気記録媒体１０では、室温（＜Ｔsw２）で面
内磁化膜である制御磁性膜１４を再生磁性膜１３と記録
磁性膜１５の間に設けているため、交換結合が制御さ
れ、再生磁性膜１３に影響を及ぼしていない。
リシスループは記録磁性膜の磁化方向にシフトしたもの
となる。これは、再生磁性膜が記録磁性膜との交換結合
によって磁界Ｈが０の状態においても、かなりの垂直成
分を有していることを表す。しかし図８（ｂ）の特性を
有する光磁気記録媒体１０では、室温（＜Ｔsw２）で面
内磁化膜である制御磁性膜１４を再生磁性膜１３と記録
磁性膜１５の間に設けているため、交換結合が制御さ
れ、再生磁性膜１３に影響を及ぼしていない。
【００３５】つぎに本発明の第１実施例における光磁気
記録媒体（ディスク）１０Ａについて図２を用いて説明
する。図２（ａ）は光磁気記録媒体１０Ａにおいて、制
御磁性膜１４の保磁力の温度特性を示すグラフである。
また図２（ｂ）はディスクのトラックに対する再生光ス
ポット２５付近の上面図である。図２（ａ）の横軸は温
度を示し、室温から温度Ｔsw２、補償温度Ｔcomp以上に
至る温度範囲を図示している。図２（ｂ）において曲線
Ｃ１内の部分はディスクのトラックが再生スポット２５
に照射されるとき、制御磁性膜１４の加熱温度がＴsw２
以上になる範囲を示している。本実施例の制御磁性膜１
４は、臨界温度Ｔsw２未満の領域２０で面内磁化膜を形
成し、臨界温度Ｔsw２以上の領域２１で垂直磁化膜を形
成する。
記録媒体（ディスク）１０Ａについて図２を用いて説明
する。図２（ａ）は光磁気記録媒体１０Ａにおいて、制
御磁性膜１４の保磁力の温度特性を示すグラフである。
また図２（ｂ）はディスクのトラックに対する再生光ス
ポット２５付近の上面図である。図２（ａ）の横軸は温
度を示し、室温から温度Ｔsw２、補償温度Ｔcomp以上に
至る温度範囲を図示している。図２（ｂ）において曲線
Ｃ１内の部分はディスクのトラックが再生スポット２５
に照射されるとき、制御磁性膜１４の加熱温度がＴsw２
以上になる範囲を示している。本実施例の制御磁性膜１
４は、臨界温度Ｔsw２未満の領域２０で面内磁化膜を形
成し、臨界温度Ｔsw２以上の領域２１で垂直磁化膜を形
成する。
【００３６】図２（ｂ）において従来例と同じく、再生
光スポット２５が回転中のディスクに照射されるとき、
再生磁性膜１３及び制御磁性膜１４の温度分布は、再生
光スポット２５の円中心に対してディスクの移動方向に
ずれる。いま再生光スポット２５の中心に記録磁区２４
が有る場合を想定する。ディスクが矢印Ｘ方向に移動
（回転）するとき、Ｔsw２以上の温度領域２２は再生光
スポット２５の中心より右側にずれる。従ってＴsw２未
満の温度領域２３は、再生光スポット２５の範囲内で
は、左側の３日月状の部分となる。
光スポット２５が回転中のディスクに照射されるとき、
再生磁性膜１３及び制御磁性膜１４の温度分布は、再生
光スポット２５の円中心に対してディスクの移動方向に
ずれる。いま再生光スポット２５の中心に記録磁区２４
が有る場合を想定する。ディスクが矢印Ｘ方向に移動
（回転）するとき、Ｔsw２以上の温度領域２２は再生光
スポット２５の中心より右側にずれる。従ってＴsw２未
満の温度領域２３は、再生光スポット２５の範囲内で
は、左側の３日月状の部分となる。
【００３７】再生磁性膜１３が面内磁化から垂直磁化に
変化する臨界温度をＴsw１とし、動作中の光磁気記録媒
体１０の環境温度（室温）をＴsw０とすると、Ｔsw０＜
Ｔsw１＜Ｔsw２の関係が成り立つ。また光磁気記録媒体
１０Ａの記録磁性膜１５のキュリー点Ｔｃは、熱磁気記
録した記録磁区２４を安定に保つため約２５０℃とし
た。ここで、制御磁性膜１４は希土類−遷移金属合金に
よって作製できる。また、制御磁性膜１４の面内異方性
が大きいほど、より再生磁性膜１３と記録磁性膜１５の
交換結合を制御することができるため、その組成として
ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏなどが考えられる。
変化する臨界温度をＴsw１とし、動作中の光磁気記録媒
体１０の環境温度（室温）をＴsw０とすると、Ｔsw０＜
Ｔsw１＜Ｔsw２の関係が成り立つ。また光磁気記録媒体
１０Ａの記録磁性膜１５のキュリー点Ｔｃは、熱磁気記
録した記録磁区２４を安定に保つため約２５０℃とし
た。ここで、制御磁性膜１４は希土類−遷移金属合金に
よって作製できる。また、制御磁性膜１４の面内異方性
が大きいほど、より再生磁性膜１３と記録磁性膜１５の
交換結合を制御することができるため、その組成として
ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏなどが考えられる。
【００３８】しかし、制御磁性膜１４の組成がＧｄＣｏ
の場合は、通常、面内磁化膜から垂直磁化膜になる組成
を持たない。また、ＧｄＦｅの場合、面内磁化膜から垂
直磁化膜に変化するが、垂直磁化膜の範囲が大きく、制
御磁性膜１４の作製が困難である。従って補償温度及び
面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度を制御するには、
組成を広範囲に取れることから、ＧｄＦｅＣｏが制御磁
性膜１４に適しているといえる。
の場合は、通常、面内磁化膜から垂直磁化膜になる組成
を持たない。また、ＧｄＦｅの場合、面内磁化膜から垂
直磁化膜に変化するが、垂直磁化膜の範囲が大きく、制
御磁性膜１４の作製が困難である。従って補償温度及び
面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度を制御するには、
組成を広範囲に取れることから、ＧｄＦｅＣｏが制御磁
性膜１４に適しているといえる。
【００３９】制御磁性膜１４であるＧｄＦｅＣｏ膜の作
製は以下のようにできる。補償温度ＴcompはＧｄ組成比
でほぼ決まり、Ｇｄ組成比２０〜２８％で５０〜２８０
℃となる。面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度はＦｅ
／Ｃｏ組成比によって決まり、Ｆｅ組成比が小さくなる
ほど高い温度で垂直磁化膜になる。ここで、Ｔsw１＜Ｔ
sw２の関係を満足するには以下の条件が必要である。
製は以下のようにできる。補償温度ＴcompはＧｄ組成比
でほぼ決まり、Ｇｄ組成比２０〜２８％で５０〜２８０
℃となる。面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度はＦｅ
／Ｃｏ組成比によって決まり、Ｆｅ組成比が小さくなる
ほど高い温度で垂直磁化膜になる。ここで、Ｔsw１＜Ｔ
sw２の関係を満足するには以下の条件が必要である。
【００４０】即ちディスクドライブを動作させた場合、
環境温度の変動を考えると装置内温度は約５０℃程度に
まで上昇する。そのとき、再生に必要なパワーを確保し
ようとすると、Ｔsw１は少なくとも８０℃以上が望まし
く、Ｔsw２は１００℃以上が望ましい。一方、Ｔsw２が
記録磁性膜１５のキュリー温度Ｔｃよりも高くなると、
再生時に記録磁性膜１５の記録磁区を破壊する。従って
Ｔsw２＜Ｔｃでなくてはならない。通常、記録磁性膜１
５のキュリー温度Ｔｃは、半導体レーザにて記録できる
記録感度に設定され、２００〜３００℃程度が望まし
い。
環境温度の変動を考えると装置内温度は約５０℃程度に
まで上昇する。そのとき、再生に必要なパワーを確保し
ようとすると、Ｔsw１は少なくとも８０℃以上が望まし
く、Ｔsw２は１００℃以上が望ましい。一方、Ｔsw２が
記録磁性膜１５のキュリー温度Ｔｃよりも高くなると、
再生時に記録磁性膜１５の記録磁区を破壊する。従って
Ｔsw２＜Ｔｃでなくてはならない。通常、記録磁性膜１
５のキュリー温度Ｔｃは、半導体レーザにて記録できる
記録感度に設定され、２００〜３００℃程度が望まし
い。
【００４１】以上のことから、Ｔsw２は１００〜２５０
℃が望ましく、実験の結果、そのときのＧｄ組成比は２
３〜２８％の範囲であった。また、再生信号の品質を向
上させるために、Ｔsw２は許容温度範囲内でできるだけ
高く設定することが望ましく、Ｔsw２は１７０〜２５０
℃、Ｇｄ組成比は２５〜２７％が好適である。図２の特
性を示す光磁気記録媒体１０Ａでは、Ｔsw１が１００℃
の再生磁性膜１３、Ｇｄ組成比を２６．７％、Ｔcompを
約２４０℃、Ｆｅ／Ｃｏを５６％、Ｔsw２を約１５０℃
とした制御磁性膜１４を用いた。
℃が望ましく、実験の結果、そのときのＧｄ組成比は２
３〜２８％の範囲であった。また、再生信号の品質を向
上させるために、Ｔsw２は許容温度範囲内でできるだけ
高く設定することが望ましく、Ｔsw２は１７０〜２５０
℃、Ｇｄ組成比は２５〜２７％が好適である。図２の特
性を示す光磁気記録媒体１０Ａでは、Ｔsw１が１００℃
の再生磁性膜１３、Ｇｄ組成比を２６．７％、Ｔcompを
約２４０℃、Ｆｅ／Ｃｏを５６％、Ｔsw２を約１５０℃
とした制御磁性膜１４を用いた。
【００４２】図２（ａ）に示すように制御磁性膜１４の
保磁力は温度と共に増加し、Ｔsw２以下の温度領域２３
で面内磁化膜に、Ｔsw２以上の温度領域２２で垂直磁化
膜となる。再生時には、再生用のレーザ光が照射された
領域に図２（ｂ）のような温度分布ができるため、再生
光スポット２５内にはＴsw２未満の温度領域２３及びＴ
sw２以上の温度領域２２が存在する。このとき制御磁性
膜１４は、Ｔsw２以下の温度領域２３において面内磁化
膜になっているため、再生磁性膜１３と記録磁性膜１５
との交換結合は発生しない。そしてＴsw２以上の温度領
域２２においてのみ垂直磁化膜となって、再生磁性膜１
３と記録磁性膜１５との交換結合が制御磁性膜１４を介
して働く。従って再生光スポット２５内のＴsw２以上の
温度領域２２のみ記録信号を再生することができる。ま
た、再生磁性膜１３が再生温度以外の部分では面内磁化
膜であるので、記録磁性膜１５の情報が転写されておら
ず、初期化磁界の必要がない。
保磁力は温度と共に増加し、Ｔsw２以下の温度領域２３
で面内磁化膜に、Ｔsw２以上の温度領域２２で垂直磁化
膜となる。再生時には、再生用のレーザ光が照射された
領域に図２（ｂ）のような温度分布ができるため、再生
光スポット２５内にはＴsw２未満の温度領域２３及びＴ
sw２以上の温度領域２２が存在する。このとき制御磁性
膜１４は、Ｔsw２以下の温度領域２３において面内磁化
膜になっているため、再生磁性膜１３と記録磁性膜１５
との交換結合は発生しない。そしてＴsw２以上の温度領
域２２においてのみ垂直磁化膜となって、再生磁性膜１
３と記録磁性膜１５との交換結合が制御磁性膜１４を介
して働く。従って再生光スポット２５内のＴsw２以上の
温度領域２２のみ記録信号を再生することができる。ま
た、再生磁性膜１３が再生温度以外の部分では面内磁化
膜であるので、記録磁性膜１５の情報が転写されておら
ず、初期化磁界の必要がない。
【００４３】つぎに本発明の第２実施例における光磁気
記録媒体１０Ｂについて、図３を用いて説明する。図３
（ａ）は光磁気記録媒体１０Ｂにおいて、制御磁性膜１
４の保磁力の温度特性を示すグラフである。本実施例の
制御磁性膜１４は、温度Ｔsw２未満の領域３６で面内磁
化膜を形成し、温度Ｔsw２以上で且つ温度Ｔsw３未満の
領域３５で垂直磁化膜を形成し、温度Ｔsw３以上の領域
３４で再び面内磁化膜を形成するものとする。また図３
（ｂ）はディスクのトラックに対する再生光スポット３
３付近の上面図である。図２の場合と同様に図３（ａ）
の横軸は温度を示し、室温から温度Ｔsw１、温度Ｔsw
２、補償温度Ｔcomp、温度Ｔsw３以上に至る温度範囲を
図示している。図３（ｂ）はディスクのトラックが再生
光スポット３３に照射されるとき、制御磁性膜１４の加
熱温度の分布を示している。
記録媒体１０Ｂについて、図３を用いて説明する。図３
（ａ）は光磁気記録媒体１０Ｂにおいて、制御磁性膜１
４の保磁力の温度特性を示すグラフである。本実施例の
制御磁性膜１４は、温度Ｔsw２未満の領域３６で面内磁
化膜を形成し、温度Ｔsw２以上で且つ温度Ｔsw３未満の
領域３５で垂直磁化膜を形成し、温度Ｔsw３以上の領域
３４で再び面内磁化膜を形成するものとする。また図３
（ｂ）はディスクのトラックに対する再生光スポット３
３付近の上面図である。図２の場合と同様に図３（ａ）
の横軸は温度を示し、室温から温度Ｔsw１、温度Ｔsw
２、補償温度Ｔcomp、温度Ｔsw３以上に至る温度範囲を
図示している。図３（ｂ）はディスクのトラックが再生
光スポット３３に照射されるとき、制御磁性膜１４の加
熱温度の分布を示している。
【００４４】図３（ｂ）において従来例と同じく、再生
光スポット３３が回転中のディスクに照射されるとき、
再生磁性膜１３及び制御磁性膜１４の温度分布は、再生
光スポット３３の円中心に対してディスクの移動方向に
ずれる。いま再生光スポット３３の中心に記録磁区３７
があるとする。ディスクが矢印Ｘ方向に移動するとき、
Ｔsw２以上の温度領域３５は再生光スット３３の中心よ
り右側にずれる。従ってＴsw２未満の温度領域３６は、
再生光スポット３３の範囲内では、左側の３日月状の部
分となる。またＴsw３以上の温度領域３４が再生光スポ
ット３３の右側に生じる。
光スポット３３が回転中のディスクに照射されるとき、
再生磁性膜１３及び制御磁性膜１４の温度分布は、再生
光スポット３３の円中心に対してディスクの移動方向に
ずれる。いま再生光スポット３３の中心に記録磁区３７
があるとする。ディスクが矢印Ｘ方向に移動するとき、
Ｔsw２以上の温度領域３５は再生光スット３３の中心よ
り右側にずれる。従ってＴsw２未満の温度領域３６は、
再生光スポット３３の範囲内では、左側の３日月状の部
分となる。またＴsw３以上の温度領域３４が再生光スポ
ット３３の右側に生じる。
【００４５】ここで温度Ｔsw１、Ｔsw２、Ｔsw３の間に
は、Ｔsw１＜Ｔsw２＜Ｔsw３の関係が成り立つ。図３
（ａ）のように制御磁性膜１４の保磁力は温度と共に増
加し、補償温度Ｔcompを越えると減少する。制御磁性膜
１４はＴsw２未満の温度領域３６での面内磁化膜が形成
され、Ｔsw２以上の温度領域３５で垂直磁化膜が形成さ
れ、Ｔsw３以上の温度領域３４では再び面内磁化膜が形
成される。
は、Ｔsw１＜Ｔsw２＜Ｔsw３の関係が成り立つ。図３
（ａ）のように制御磁性膜１４の保磁力は温度と共に増
加し、補償温度Ｔcompを越えると減少する。制御磁性膜
１４はＴsw２未満の温度領域３６での面内磁化膜が形成
され、Ｔsw２以上の温度領域３５で垂直磁化膜が形成さ
れ、Ｔsw３以上の温度領域３４では再び面内磁化膜が形
成される。
【００４６】ディスクの再生時には、再生用のレーザ光
が照射された領域に図３（ａ）のような温度分布ができ
る。再生光スポット３３内にはＴsw３以上の温度領域３
４とＴsw２未満の温度領域３６及びその中間のＴsw２以
上の温度領域３５が存在する。このとき制御磁性膜１４
を、Ｔsw３以上の温度領域３４とＴsw２未満の温度領域
３６において面内磁化膜になるようにその組成を選択す
ると、再生磁性膜１３が垂直磁化膜になっていても、再
生磁性膜１３と記録磁性膜１５との交換結合は発生しな
い。そしてＴsw２以上の温度領域３５においてのみ垂直
磁化膜が形成され、記録磁性膜１５と交換結合が強く働
く。
が照射された領域に図３（ａ）のような温度分布ができ
る。再生光スポット３３内にはＴsw３以上の温度領域３
４とＴsw２未満の温度領域３６及びその中間のＴsw２以
上の温度領域３５が存在する。このとき制御磁性膜１４
を、Ｔsw３以上の温度領域３４とＴsw２未満の温度領域
３６において面内磁化膜になるようにその組成を選択す
ると、再生磁性膜１３が垂直磁化膜になっていても、再
生磁性膜１３と記録磁性膜１５との交換結合は発生しな
い。そしてＴsw２以上の温度領域３５においてのみ垂直
磁化膜が形成され、記録磁性膜１５と交換結合が強く働
く。
【００４７】従って、再生光スポット３３内の一部分か
ら記録信号を再生することができる。このとき制御磁性
膜１４は、Ｔcompにより近いところで垂直磁化膜にな
り、Ｔcompを越えたところで再び面内磁化膜となる。制
御磁性膜１４の組成をＧｄ24.7Ｆｅ41.4Ｃｏ33.9とする
と、Ｔcompは約１６０℃、面内磁化膜から垂直磁化膜に
なる温度Ｔsw2 は約１３０℃、垂直磁化膜から面内磁化
膜になる臨界温度Ｔsw３は約１９０℃である。
ら記録信号を再生することができる。このとき制御磁性
膜１４は、Ｔcompにより近いところで垂直磁化膜にな
り、Ｔcompを越えたところで再び面内磁化膜となる。制
御磁性膜１４の組成をＧｄ24.7Ｆｅ41.4Ｃｏ33.9とする
と、Ｔcompは約１６０℃、面内磁化膜から垂直磁化膜に
なる温度Ｔsw2 は約１３０℃、垂直磁化膜から面内磁化
膜になる臨界温度Ｔsw３は約１９０℃である。
【００４８】つぎに第１実施例の光磁気記録媒体１０Ａ
の再生時の動作について図４を用いて説明する。図４
（ａ）は制御磁性膜４１（１４）の温度に対する保磁力
の変化を表したグラフであり、横軸は温度、縦軸は保磁
力Ｈc の強さを示す。図４（ｂ）はそのときの記録層と
しての再生磁性膜４０（１３）、制御磁性膜４１（１
４）、記録磁性膜４２（１５）の磁化状態を示す。
の再生時の動作について図４を用いて説明する。図４
（ａ）は制御磁性膜４１（１４）の温度に対する保磁力
の変化を表したグラフであり、横軸は温度、縦軸は保磁
力Ｈc の強さを示す。図４（ｂ）はそのときの記録層と
しての再生磁性膜４０（１３）、制御磁性膜４１（１
４）、記録磁性膜４２（１５）の磁化状態を示す。
【００４９】図４（ａ）の矢印で示すように、再生磁界
４３が記録層の特定の記録磁区に印加される。制御磁性
膜４１はＴsw２未満の温度領域で面内磁化膜、Ｔsw２以
上の温度領域で垂直磁化膜になる磁性膜である。図４
（ａ）に示す領域４４は、再生磁性膜４０と記録磁性膜
４２との交換結合に必要な保持力をＨｃとするとき、そ
のときの再生磁性膜４０の保磁力Ｈｐと交換結合保持力
Ｈｃとの和が再生磁界Ｈｒよりも小さい領域（Ｈｒ＞Ｈ
ｃ＋Ｈｐ）である。
４３が記録層の特定の記録磁区に印加される。制御磁性
膜４１はＴsw２未満の温度領域で面内磁化膜、Ｔsw２以
上の温度領域で垂直磁化膜になる磁性膜である。図４
（ａ）に示す領域４４は、再生磁性膜４０と記録磁性膜
４２との交換結合に必要な保持力をＨｃとするとき、そ
のときの再生磁性膜４０の保磁力Ｈｐと交換結合保持力
Ｈｃとの和が再生磁界Ｈｒよりも小さい領域（Ｈｒ＞Ｈ
ｃ＋Ｈｐ）である。
【００５０】さてディスクの再生時には、制御磁性膜４
１は再生用のレーザ光の照射によって温度が上昇する。
そうすると制御磁性膜４１は面内磁化膜から垂直磁化膜
へと変化し、再生磁性膜４０と記録磁性膜４２に交換結
合が働く。このとき再生磁界４３を加えることにより、
Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐの領域４４において、再生磁性膜４０
の磁化の向きを再生磁界４３の向きに強制的に向けるこ
とができる。こうすると、これに続く再生磁性膜４０の
磁区には記録磁性膜４２の情報が転写され、再生光スポ
ットの径より小さい磁区の情報を再生することができ
る。
１は再生用のレーザ光の照射によって温度が上昇する。
そうすると制御磁性膜４１は面内磁化膜から垂直磁化膜
へと変化し、再生磁性膜４０と記録磁性膜４２に交換結
合が働く。このとき再生磁界４３を加えることにより、
Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐの領域４４において、再生磁性膜４０
の磁化の向きを再生磁界４３の向きに強制的に向けるこ
とができる。こうすると、これに続く再生磁性膜４０の
磁区には記録磁性膜４２の情報が転写され、再生光スポ
ットの径より小さい磁区の情報を再生することができ
る。
【００５１】つぎに第２実施例の光磁気記録媒体１０Ｂ
の再生時の動作について、図５を用いて説明する。図５
（ａ）は制御磁性膜５１の温度に対する保磁力の変化を
表したグラフであり、横軸は温度、縦軸は保磁力Ｈr の
強さを示す。図５（ｂ）はそのときの記録層としての再
生磁性膜５０（１３）、制御磁性膜５１（１４）、記録
磁性膜５２（１５）の磁化の状態を表したものである。
の再生時の動作について、図５を用いて説明する。図５
（ａ）は制御磁性膜５１の温度に対する保磁力の変化を
表したグラフであり、横軸は温度、縦軸は保磁力Ｈr の
強さを示す。図５（ｂ）はそのときの記録層としての再
生磁性膜５０（１３）、制御磁性膜５１（１４）、記録
磁性膜５２（１５）の磁化の状態を表したものである。
【００５２】制御磁性膜５１はＴsw２未満の温度領域で
面内磁化膜を形成し、Ｔsw２以上の温度領域で垂直磁化
膜を形成し、Ｔsw３以上の温度領域で面内磁化膜を形成
する磁性膜である。図５（ｂ）に示す領域５４は、再生
磁性膜５０と記録磁性膜５２との交換結合の保磁力Ｈｃ
と、そのときの再生磁性膜５０の保磁力Ｈｐとの和が、
再生磁界Ｈｒよりも小さい領域（Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐ）と
なる領域である。
面内磁化膜を形成し、Ｔsw２以上の温度領域で垂直磁化
膜を形成し、Ｔsw３以上の温度領域で面内磁化膜を形成
する磁性膜である。図５（ｂ）に示す領域５４は、再生
磁性膜５０と記録磁性膜５２との交換結合の保磁力Ｈｃ
と、そのときの再生磁性膜５０の保磁力Ｈｐとの和が、
再生磁界Ｈｒよりも小さい領域（Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐ）と
なる領域である。
【００５３】図５（ｂ）の矢印で示すように、再生磁界
５３を加えることにより、Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐの領域５４
において、再生磁性膜５０の磁化の向きを再生磁界５３
の向きに強制的に向けることができる。こうするとより
狭い範囲において記録情報の読み取りができる。
５３を加えることにより、Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐの領域５４
において、再生磁性膜５０の磁化の向きを再生磁界５３
の向きに強制的に向けることができる。こうするとより
狭い範囲において記録情報の読み取りができる。
【００５４】なお各実施例の光磁気記録媒体では、保護
膜１２及び１６としてＺｎＳ膜を用いたが、ＺｎＳ膜の
代わりに他のカルコゲン化物の膜、ＴａＯ2 膜等の酸化
物の膜、ＳｉＮ膜等の窒化物の膜、又はそれらの化合物
の膜を用いても良い。また再生磁性膜１３としてＧｄＦ
ｅＣｏ、記録磁性膜１５としてＴｂＦｅＣｏ膜、保護層
１７としてエポキシアクリレート系樹脂を用いたが、ウ
レタン系樹脂、あるいはホットメルト接着剤などで両面
張り合わせても良く、各磁性膜として希土類−遷移金属
系フェリ磁性膜又はＭｎＢｉＡｌ等のＭｎ系磁性膜、又
は他の磁性材料を用いても良い。更に再生磁性膜とし
て、補償温度Ｔcomp以下の温度では常に垂直磁化膜とな
るものを用いてもよい。
膜１２及び１６としてＺｎＳ膜を用いたが、ＺｎＳ膜の
代わりに他のカルコゲン化物の膜、ＴａＯ2 膜等の酸化
物の膜、ＳｉＮ膜等の窒化物の膜、又はそれらの化合物
の膜を用いても良い。また再生磁性膜１３としてＧｄＦ
ｅＣｏ、記録磁性膜１５としてＴｂＦｅＣｏ膜、保護層
１７としてエポキシアクリレート系樹脂を用いたが、ウ
レタン系樹脂、あるいはホットメルト接着剤などで両面
張り合わせても良く、各磁性膜として希土類−遷移金属
系フェリ磁性膜又はＭｎＢｉＡｌ等のＭｎ系磁性膜、又
は他の磁性材料を用いても良い。更に再生磁性膜とし
て、補償温度Ｔcomp以下の温度では常に垂直磁化膜とな
るものを用いてもよい。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明の光磁気記録媒体に
よれば、再生パワーが変動した場合においても、記録磁
性膜の記録磁区が転写される領域の大きさが変化しない
ため、波形干渉により再生特性が劣化しなくなる。ま
た、再生時に再生磁場Ｈｒをかけることにより、再生磁
性膜と記録磁性膜の交換結合力をＨｃ、そのときの再生
磁性膜の保磁力をＨｐとすると、Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐとな
る領域では、制御磁性膜が垂直磁化膜となっていても再
生磁場の方向に向けられる。このため転写される記録磁
区の範囲がより小さくなる。したがって再生する領域を
狭めることになり、より高密度記録が可能な光磁気記録
媒体が実現できる。
よれば、再生パワーが変動した場合においても、記録磁
性膜の記録磁区が転写される領域の大きさが変化しない
ため、波形干渉により再生特性が劣化しなくなる。ま
た、再生時に再生磁場Ｈｒをかけることにより、再生磁
性膜と記録磁性膜の交換結合力をＨｃ、そのときの再生
磁性膜の保磁力をＨｐとすると、Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐとな
る領域では、制御磁性膜が垂直磁化膜となっていても再
生磁場の方向に向けられる。このため転写される記録磁
区の範囲がより小さくなる。したがって再生する領域を
狭めることになり、より高密度記録が可能な光磁気記録
媒体が実現できる。
【００５６】また本発明の光磁気記録媒体の再生方法に
よれば、再生時に各磁性膜をレーザビームの照射により
加熱すると、加熱温度によって面内磁化膜から垂直磁化
膜に変化する。この場合再生磁性膜と記録磁性膜の交換
結合力が働き、記録磁性膜の記録磁区のみをマスクしな
がら情報を読みとることができる。このため情報の記録
及び再生密度を再生光の範囲より詰めることが可能とな
り、光磁気記録媒体により多くの情報量を記録再生でき
る。
よれば、再生時に各磁性膜をレーザビームの照射により
加熱すると、加熱温度によって面内磁化膜から垂直磁化
膜に変化する。この場合再生磁性膜と記録磁性膜の交換
結合力が働き、記録磁性膜の記録磁区のみをマスクしな
がら情報を読みとることができる。このため情報の記録
及び再生密度を再生光の範囲より詰めることが可能とな
り、光磁気記録媒体により多くの情報量を記録再生でき
る。
【図１】本発明の第１及び第２実施例における光磁気記
録媒体の構成を示す断面図である。
録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例における光磁気記録媒体の
特性を表し、（ａ）は制御磁性膜における保磁力の温度
依存性を示すグラフ、（ｂ）はディスクのトラックにお
ける再生光スポットの温度分布を示すグラフである。
特性を表し、（ａ）は制御磁性膜における保磁力の温度
依存性を示すグラフ、（ｂ）はディスクのトラックにお
ける再生光スポットの温度分布を示すグラフである。
【図３】本発明の第２実施例における光磁気記録媒体の
特性を表し、（ａ）は制御磁性膜における保磁力の温度
依存性を示すグラフ、（ｂ）はディスクのトラックにお
ける再生光スポットの温度分布を示すグラフである。
特性を表し、（ａ）は制御磁性膜における保磁力の温度
依存性を示すグラフ、（ｂ）はディスクのトラックにお
ける再生光スポットの温度分布を示すグラフである。
【図４】第１実施例の光磁気記録媒体の再生動作の説明
図である。
図である。
【図５】第２実施例の光磁気記録媒体の再生動作の説明
図である。
図である。
【図６】従来の光磁気記録媒体（その１）の動作を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】従来の光磁気記録媒体（その２）の動作を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】光磁気記録媒体のカーループ特性図である。
１０，１０Ａ，１０Ｂ 光磁気記録媒体 １１ 基板 １２ 保護膜 １３，４０，５０ 再生磁性膜 １４，４１，５１ 制御磁性膜 １５，４２，５２ 記録磁性膜 １６ 保護膜 １７ 保護層 ２０，３１ 面内磁化膜の領域 ２１，３２ 垂直磁化膜の領域 ２２，３５ Ｔsw２以上の温度領域 ２３，３６ Ｔsw２未満の温度領域 ２４，３７ 記録磁区 ２５，３３ 再生光スポット ３４ Ｔsw３以上の温度領域 ４４，５４ Ｈｒ＞Ｈｃ＋Ｈｐの領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−176412（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−244877（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−230637（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−254176（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−334877（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも再生磁性膜と制御磁
性膜と記録磁性膜を有し、記録光の照射による加熱と記
録磁界の印加により前記記録磁性膜を磁化して情報を記
録し、再生光の照射により前記記録磁性膜の各磁区の磁
化を前記再生磁性膜に転写することにより情報を再生す
る光磁気記録媒体において、 前記再生磁性膜は、室温よりも高い温度Ｔsw１を境に、
Ｔsw１未満の温度では面内磁化膜であり、且つＴsw１以
上の温度では垂直磁化膜であり、 前記制御磁性膜は、Ｔsw１より高い温度Ｔsw２を境に、
Ｔsw２未満の温度では面内磁化膜であり、且つＴsw２以
上の温度において垂直磁化膜であり、且つＴsw２より高
い温度Ｔsw３を境に、Ｔsw３以上の温度では面内磁性膜
であり、 前記記録磁性膜は、記録磁区が保持される垂直磁化膜で
あり、 前記Ｔsw１とＴsw２とＴsw３の間には、Ｔsw１＜Ｔsw２
＜Ｔsw３なる関係が成り立ち、Ｔsw２からＴsw３との間
の温度領域で前記記録磁性膜に保持された記録磁区が、
交換結合力によって前記制御磁性膜を介して前記再生磁
性膜に転写されるものであることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 前記制御磁性膜は、ＧｄＦｅＣｏを主成
分とする材料で構成されることを特徴とする請求項１記
載の光磁気記録媒体。を特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の光磁気記録媒体の
再生方法であって、 再生光の照射により前記制御磁性膜の一部をＴsw３以上
の温度まで加熱し、 前記記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上Ｔ
sw３未満の温度で交換結合力によって前記制御磁性膜を
介して前記再生磁性膜に転写し、 前記再生磁性膜からの反射光又は透過光によって各磁区
の情報を再生することを特徴とする再生方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の光磁気記録媒体の
再生方法であって、 再生領域となる各磁性膜に垂直方向の再生磁界を印加
し、 再生光の照射により前記制御磁性膜の一部をＴsw３以上
の温度まで加熱し、 前記記録磁性膜に保持された記録磁区を、Ｔsw２以上Ｔ
sw３未満の温度で交換結合力によって前記制御磁性膜を
介して前記再生磁性膜に転写し、 前記再生磁性膜からの反射光又は透過光によって各磁区
の情報を再生することを特徴とする再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25878394A JP3354726B2 (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光磁気記録媒体及び再生方法 |
| US08/534,182 US5814418A (en) | 1994-09-27 | 1995-09-26 | Magneto-optical recording medium and method for reading out information from the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25878394A JP3354726B2 (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光磁気記録媒体及び再生方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896430A JPH0896430A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3354726B2 true JP3354726B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=17325021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25878394A Expired - Fee Related JP3354726B2 (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 光磁気記録媒体及び再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP1028424A4 (en) * | 1998-08-31 | 2008-06-25 | Sanyo Electric Co | MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM |
| US6268073B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-07-31 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media |
| US6381200B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-04-30 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for first surface magneto-optical media |
| US6355342B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-03-12 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for high density multilayer magneto-optical media |
| US6324131B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-11-27 | Seagate Technology Llc | Low glide magneto-optical recording medium |
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|---|---|---|---|---|
| US5265073A (en) * | 1987-03-13 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same |
| CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
| US5142513A (en) * | 1989-04-20 | 1992-08-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical storage medium and magneto-optical overwrite system with magnetic characteristic change by variation of thermal condition for recording information |
| JPH0395745A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-22 | Canon Inc | 光磁気記録方法及び記録装置 |
| JPH03119537A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-21 | Canon Inc | 光磁気記録媒体および記録方法 |
| US5258237A (en) * | 1989-11-14 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium |
| JP2707769B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
| JP2839783B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1998-12-16 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法 |
| US5282095A (en) * | 1991-04-24 | 1994-01-25 | U.S. Philips Corporation | Direct over-write magneto-optical recording medium having multiple recording layers, and method of recording new information by directly overwriting pre-existing recorded information on such medium |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH06103631A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | オーバーライト可能な光磁気記録再生方法およびそれに用いる光磁気記録再生装置および光磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP25878394A patent/JP3354726B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-26 US US08/534,182 patent/US5814418A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5814418A (en) | 1998-09-29 |
| JPH0896430A (ja) | 1996-04-12 |
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