JP2707769B2 - 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置Info
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- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
Description
〔産業上の利用分野〕 この発明は、光変調オーバーライト可能な光磁気記録
媒体に関するものである。 〔従来の技術〕 第10図に当社先願発明における光磁気記録装置の構成
図を示す。 図において、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導
体レーザー、（３）はビーム・スプリツター、（４）は
再生装置、（５）は外部磁界発生装置である。また第11
図に先願発明における光磁気記録媒体の構成を示す。 光磁気記録媒体は第11図に示すように基板上にスパツ
ター法等で例えば 誘電体層 :SiNx 650Å 第１磁性層 :Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 :Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 :Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 :Tb30Co70 400Å 保 護 層 :SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第１磁性層は情報の記録・保持を行なう記録層で
ある。第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層は情報媒
体の役割を有さず、光変調ダイレクト・オーバーライト
を可能にした付加層で、第４磁性層はレーザー照射によ
る温度上昇に対し動作範囲で副格子磁化の反転はせずバ
イアス磁界と拮抗する作用を有する初期化層である。第
３磁性層は第４磁性層からの交換力を高温で遮断するた
めの制御層である。 次に動作について説明する。
媒体に関するものである。 〔従来の技術〕 第10図に当社先願発明における光磁気記録装置の構成
図を示す。 図において、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導
体レーザー、（３）はビーム・スプリツター、（４）は
再生装置、（５）は外部磁界発生装置である。また第11
図に先願発明における光磁気記録媒体の構成を示す。 光磁気記録媒体は第11図に示すように基板上にスパツ
ター法等で例えば 誘電体層 :SiNx 650Å 第１磁性層 :Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 :Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 :Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 :Tb30Co70 400Å 保 護 層 :SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第１磁性層は情報の記録・保持を行なう記録層で
ある。第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層は情報媒
体の役割を有さず、光変調ダイレクト・オーバーライト
を可能にした付加層で、第４磁性層はレーザー照射によ
る温度上昇に対し動作範囲で副格子磁化の反転はせずバ
イアス磁界と拮抗する作用を有する初期化層である。第
３磁性層は第４磁性層からの交換力を高温で遮断するた
めの制御層である。 次に動作について説明する。
〔０〕初期化過程 光磁気記録媒体の成膜後、記録媒体を第２磁性層、第
３磁性層、第４磁性層を最初に一度だけ遷移金属副格子
磁化は下向きに配向させ、24個の磁化状態のうち第12図
の２通りの磁化状態にさせておく。この２状態が記録後
の記録状態になる。以下の図中の白抜き矢印は磁化を、
その中の矢印あるいは単独で表わす矢印は遷移金属副格
子磁化を、破線部は磁性層間で磁壁が生じている状態
を、横棒線はキユリー温度以上に昇温し強磁性が失われ
ている状態を示している。 バイアス磁界は、第４磁性層の副格子磁化と揃った状
態にある第２磁性層の副格子方向を逆方向に反転させる
ように印加する。つまり、第12図に示すように、第４磁
性層の副格子磁化が下向きに配向させてあり、かつ第２
磁性層がキュリー温度以下で補償温度を有する磁性体で
構成されている場合には、第２磁性層はキュリー温度近
傍における磁化方向は下向きにあるので、バイアス磁界
は上向きに発生させる。同様に、第２磁性層がキュリー
温度以下で補償温度を持たない磁性体で構成されている
場合には、第２磁性層はキュリー温度近傍における磁化
方向が上向きにあるのでバイアス磁界は下向きに発生さ
せる。上記のように第12図では補償温度を有する磁性体
で構成されているのでバイアス磁界は上向きに発生させ
ている。この実施例では上向きに発生させる。 以下で特に明示しない場合には遷移金属副格子磁化を
磁化と表記する。 〔１〕低温動作 以下、第１磁性層ないし第４磁性層のキュリー点をそ
れぞれ、Tc1、Tc2、Tc3およびTc4あわらすとき、第13図
に示すように再生時よりレーザー出力を上昇させ集光ス
ポツト内の磁性層が第１磁性層のキユリー温度Tc1近傍
にまで昇温したときは、第２磁性層の磁化方向は変化せ
ず、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され、第１磁
性層の磁化は下向きになる。 このとき第３磁性層、第４磁性層は動作に対する寄与
は特になく、第３磁性層の磁化が消失しても第４磁性層
との交換力で再び同方向に磁化され、初期状態「０」に
なる。 〔２〕高温動作 第14図に示すように第２磁性層のキユリー温度Tc2近
傍にまで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁
化は消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第
１磁性層、第３磁性層からの交換力を受けず外部磁界に
より第２磁性層の磁化は上向きになる。 第１磁性層のキユリー温度Tc1より降温したとき、第
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写される第１磁性層の
磁化は上向きになる。 第３磁性層のキユリー温度Tc3より降温したとき、第
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになつて、初期状態
「１」になる。 以上のような動作によりレーザー光強度のみを変調す
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の光磁気記録媒体は以上のように構成されダイレ
クト・オーバーライトが可能となつているが、外部磁界
発生装置が更なる光磁気記録装置の小型化の妨げにな
る。 また、外部磁界発生装置が光磁気記録媒体を挟んで光
ヘツドの対向位置にあり光磁気記録媒体を両面張り合わ
せ媒体を用いても光ヘツドを光磁気記録媒体を挟んで対
向位置に配置できない等の問題点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、光磁気記録媒体の記録層に対して、この記
録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザビームを変
調し、このレーザビームを照射して、情報を上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録する
光磁気記録方式に用いる光磁気記録媒体において、 この磁気記録媒体が、垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、この第１磁性層に設けられ上記第１磁性層と交
換力で結合された第２磁性層、この第２磁性層に設けら
れ上記第２磁性層と交換力で結合された第３磁性層、こ
の第３磁性層に設けられ上記第３磁性層と交換力で結合
された第４磁性層を備え、 上記第１磁性層から第４磁性層までの各層のキュリ
ー温度をそれぞれTc1、Tc2、Tc3およびTc4とあらわすと
き、上記各磁性層のキュリー温度の関係が、Tc4＞Tc1、
Tc4＞Tc3、Tc4＞Tc2、Tc2＞Tc1、Tc2＞Tc3を満足し、か
つ室温にて上記第１磁性層の磁化は上記第２磁性層の磁
化反転により反転せず、かつ記録後に室温にて上記第２
磁性層ないし第４磁性層の副格子磁化方向が上向き又は
下向きに揃っているように初期化され、上記第４磁性層
の副格子磁化方向は上記レーザビームの照射により反転
せず、 上記レーザビームの照射により記録媒体を上記第２
磁性層のキュリー温度近傍まで昇温した時、上記第２磁
性層の副格子磁化方向を上記初期化方向と逆方向に記録
されるように上記第４磁性層の発生する浮遊磁界が作用
することを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。 さらに、本発明は、光磁気記録媒体の記録層に対し
て、この記録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザ
ビームを変調し、このレーザビームを照射して、情報を
上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビット
で記録する光磁気記録装置において、上記本発明の光磁
気記録媒体を使用し、上記レーザビームを媒体に照射す
る手段が上記光磁気記録媒体の両側にあることを特徴と
する光磁気記録再生装置を提供する。 〔作用〕 上記のように、各磁性層のキュリー温度を構成し、室
温にて第１磁性層の磁化は第２磁性層の磁化反転により
反転せず、かつ記録後に室温にて第２磁性層ないし第４
磁性層の副格子磁化方向が上向き又は下向きに揃ってい
るように初期化されるように交換力の相対関係を構成す
るとともに、第４磁性層の副格子磁化方向はレーザビー
ムの照射により反転しないようにして、第２磁性層のキ
ュリー温度近傍まで昇温した時、第２磁性層の副格子磁
化方向を初期化方向と逆方向に記録されるように第４磁
性層の発生する浮遊磁界が作用するようにしたので、外
部に磁界発生装置を設けなくてもダイレクト・オーバー
ライトが可能になる。 〔発明の実施例〕 以下、この発明を実施例により具合的に説明する。 実施例１ 第１図にこの発明の一実施例の光磁気記録媒体の断面
図を示す。第４磁性層以外は従来例と同様であり、低温
動作に対する交換力による作用は同様のものである。 記録媒体はガラス基板上にスパツター法等で例えば、 誘電体層 :SiNx 650Å 第１磁性層 :Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 :Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 :Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 :Tb20Co80 800Å 保 護 層 :SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第４磁性層は初期化層からの静磁結合力と拮抗す
る交換力を有する配向層である。 次に動作について説明する。
３磁性層、第４磁性層を最初に一度だけ遷移金属副格子
磁化は下向きに配向させ、24個の磁化状態のうち第12図
の２通りの磁化状態にさせておく。この２状態が記録後
の記録状態になる。以下の図中の白抜き矢印は磁化を、
その中の矢印あるいは単独で表わす矢印は遷移金属副格
子磁化を、破線部は磁性層間で磁壁が生じている状態
を、横棒線はキユリー温度以上に昇温し強磁性が失われ
ている状態を示している。 バイアス磁界は、第４磁性層の副格子磁化と揃った状
態にある第２磁性層の副格子方向を逆方向に反転させる
ように印加する。つまり、第12図に示すように、第４磁
性層の副格子磁化が下向きに配向させてあり、かつ第２
磁性層がキュリー温度以下で補償温度を有する磁性体で
構成されている場合には、第２磁性層はキュリー温度近
傍における磁化方向は下向きにあるので、バイアス磁界
は上向きに発生させる。同様に、第２磁性層がキュリー
温度以下で補償温度を持たない磁性体で構成されている
場合には、第２磁性層はキュリー温度近傍における磁化
方向が上向きにあるのでバイアス磁界は下向きに発生さ
せる。上記のように第12図では補償温度を有する磁性体
で構成されているのでバイアス磁界は上向きに発生させ
ている。この実施例では上向きに発生させる。 以下で特に明示しない場合には遷移金属副格子磁化を
磁化と表記する。 〔１〕低温動作 以下、第１磁性層ないし第４磁性層のキュリー点をそ
れぞれ、Tc1、Tc2、Tc3およびTc4あわらすとき、第13図
に示すように再生時よりレーザー出力を上昇させ集光ス
ポツト内の磁性層が第１磁性層のキユリー温度Tc1近傍
にまで昇温したときは、第２磁性層の磁化方向は変化せ
ず、第２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され、第１磁
性層の磁化は下向きになる。 このとき第３磁性層、第４磁性層は動作に対する寄与
は特になく、第３磁性層の磁化が消失しても第４磁性層
との交換力で再び同方向に磁化され、初期状態「０」に
なる。 〔２〕高温動作 第14図に示すように第２磁性層のキユリー温度Tc2近
傍にまで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁
化は消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第
１磁性層、第３磁性層からの交換力を受けず外部磁界に
より第２磁性層の磁化は上向きになる。 第１磁性層のキユリー温度Tc1より降温したとき、第
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写される第１磁性層の
磁化は上向きになる。 第３磁性層のキユリー温度Tc3より降温したとき、第
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになつて、初期状態
「１」になる。 以上のような動作によりレーザー光強度のみを変調す
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の光磁気記録媒体は以上のように構成されダイレ
クト・オーバーライトが可能となつているが、外部磁界
発生装置が更なる光磁気記録装置の小型化の妨げにな
る。 また、外部磁界発生装置が光磁気記録媒体を挟んで光
ヘツドの対向位置にあり光磁気記録媒体を両面張り合わ
せ媒体を用いても光ヘツドを光磁気記録媒体を挟んで対
向位置に配置できない等の問題点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、光磁気記録媒体の記録層に対して、この記
録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザビームを変
調し、このレーザビームを照射して、情報を上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録する
光磁気記録方式に用いる光磁気記録媒体において、 この磁気記録媒体が、垂直磁気異方性を有する第１
磁性層、この第１磁性層に設けられ上記第１磁性層と交
換力で結合された第２磁性層、この第２磁性層に設けら
れ上記第２磁性層と交換力で結合された第３磁性層、こ
の第３磁性層に設けられ上記第３磁性層と交換力で結合
された第４磁性層を備え、 上記第１磁性層から第４磁性層までの各層のキュリ
ー温度をそれぞれTc1、Tc2、Tc3およびTc4とあらわすと
き、上記各磁性層のキュリー温度の関係が、Tc4＞Tc1、
Tc4＞Tc3、Tc4＞Tc2、Tc2＞Tc1、Tc2＞Tc3を満足し、か
つ室温にて上記第１磁性層の磁化は上記第２磁性層の磁
化反転により反転せず、かつ記録後に室温にて上記第２
磁性層ないし第４磁性層の副格子磁化方向が上向き又は
下向きに揃っているように初期化され、上記第４磁性層
の副格子磁化方向は上記レーザビームの照射により反転
せず、 上記レーザビームの照射により記録媒体を上記第２
磁性層のキュリー温度近傍まで昇温した時、上記第２磁
性層の副格子磁化方向を上記初期化方向と逆方向に記録
されるように上記第４磁性層の発生する浮遊磁界が作用
することを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。 さらに、本発明は、光磁気記録媒体の記録層に対し
て、この記録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザ
ビームを変調し、このレーザビームを照射して、情報を
上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビット
で記録する光磁気記録装置において、上記本発明の光磁
気記録媒体を使用し、上記レーザビームを媒体に照射す
る手段が上記光磁気記録媒体の両側にあることを特徴と
する光磁気記録再生装置を提供する。 〔作用〕 上記のように、各磁性層のキュリー温度を構成し、室
温にて第１磁性層の磁化は第２磁性層の磁化反転により
反転せず、かつ記録後に室温にて第２磁性層ないし第４
磁性層の副格子磁化方向が上向き又は下向きに揃ってい
るように初期化されるように交換力の相対関係を構成す
るとともに、第４磁性層の副格子磁化方向はレーザビー
ムの照射により反転しないようにして、第２磁性層のキ
ュリー温度近傍まで昇温した時、第２磁性層の副格子磁
化方向を初期化方向と逆方向に記録されるように第４磁
性層の発生する浮遊磁界が作用するようにしたので、外
部に磁界発生装置を設けなくてもダイレクト・オーバー
ライトが可能になる。 〔発明の実施例〕 以下、この発明を実施例により具合的に説明する。 実施例１ 第１図にこの発明の一実施例の光磁気記録媒体の断面
図を示す。第４磁性層以外は従来例と同様であり、低温
動作に対する交換力による作用は同様のものである。 記録媒体はガラス基板上にスパツター法等で例えば、 誘電体層 :SiNx 650Å 第１磁性層 :Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 :Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 :Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 :Tb20Co80 800Å 保 護 層 :SiNx 700Å を形成した。ここで隣接する磁性層は交換力で結合して
いる。第４磁性層は初期化層からの静磁結合力と拮抗す
る交換力を有する配向層である。 次に動作について説明する。
〔０〕初期化過程 光磁気記録媒体の成膜後の初期化過程は従来例と同様
である。外部磁界は配向層に機能を付加したので不要に
なる。 〔１〕低温動作 低温動作も基本的には従来例と同様である。 〔２〕高温動作 第２図に示すように第２磁性層のキユリー温度Tc2近
傍にまで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁
化は消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第
１磁性層、第３磁性層からの交換力を受けず主に第４磁
性層との静磁結合力により第２磁性層の磁化は上向きに
なる。 第１磁性層のキユリー温度Tc1より降温したとき、第
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され第１磁性層の磁
化は上向きになる。 第３磁性層のキユリー温度Tc3より降温したとき、第
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになつて、初期状態
「１」になる。 この発明における特徴として第４磁性層との静磁結合
力を利用している。高温動作で局所的に昇温した光磁気
記録媒体において、第４磁性層の磁化分布は第３図のよ
うになり、実効的に上向きに磁界が発生する。 以上のような動作によりレーザー光強度のみを変調す
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。1.6μｍ間隔の溝付き基板に上記誘電体層、磁
性層、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビツト
長２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11
m/sec,レーザーパワーをピークパワー13mW,ボトムパワ
ーを5mWに光変調して消し残りなくCN比45dBが得られ
た。 実施例２〜６ 第１表，第２表は２〜６の実施例を示す。４元のRFマ
グネトロンスパツター装置を用いて、Tb,Coチツプを配
したFeターゲツト、Gd,Coチツプを配したFeターゲツ
ト、Tbチツプを配したFeターゲツト、Tbチツプを配した
Coターゲツトを置く。厚さ1.2mm、直径86mmで1.6μｍピ
ツチのグループがあらかじめ設けられているガラス基板
を該装置のチヤンバー内にセツトする。 該装置のチヤンバー内を一旦８×10-7Torr以下の真空
に排気した後、Arガス3mTorrを導入する。堆積速度約10
0Å/minでスパツターを行なう。これにより基板上に厚
さ800ÅTbFeCoの第１磁性層を形成する。続いて真空状
態を保持したまま同様に厚さ1500ÅGdDyFeCoの第２磁性
層、厚さ100ÅTbFeの第３磁性層、厚さ400ÅTbCoの第４
磁性層を形成する。各磁性層ともに垂直磁化膜であり、
隣接する各磁性層は交換力で結合している。下表にター
ゲツト上のチツプ数あるいはスパツター時間を変えたと
き、ビツト長２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号
を、線速11m/secの条件下での記録・再生特性を示す。
この時消し残り信号は見れず、ダイレクト・オーバーラ
イト動作が確認された。 ここで各磁性層ともに、これ自体多層膜から構成され
ていてもよく、例えば第１磁性層を形成する前に磁気光
学効果の大きい交換結合された磁性層を設けてもよく、
ガラス基板上にスパツター法等で例えば、 誘電体層 SiNx 650Å 再 生 層 Tb15Fe70Co15 100Å 第１磁性層 Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 Tb20Co80 800Å 保 護 層 SiNx 700Å を形成し、1dBのCNR向上がみられた。 また交換力を制御するための磁性層、誘電体層、酸化
物層等を磁性層間に形成してもよい。又各磁性層は、Gd
Fe、GdTbFeCo、TbDyFeCo、NdDyFeCo、DyCo、TbHoFeCo、
DyHoCo等のフエリ磁性体で構成してもよい。 実施例７ ２枚の単板媒体を２液混合型エポキシ系樹脂で貼合わ
せた。例えば実施例１の光磁気記録媒体を貼合わせた場
合、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビツト長
２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11m/
sec,レーザーパワーをピークパワー14mW,ボトムパワー
を5mWに光変調して消し残りなくCN比45dBが得られた。
ここで熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等で貼合わせてもよ
く、貼合せるものが再生専用型光デイスク、追記型光デ
イスク等であつてもよい。また媒体形状として例えばカ
ード状等のデイスク状以外でもよい。 実施例８ 第４図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導体レーザ
ー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再生装
置である。半導体レーザーは記録レーザービームを記録
情報に従つて再生時のレーザービーム強度より大きい出
力で、２値のビーム強度に変調できるようにしてある。
実施例１の光磁気記録媒体を用いて、ビツト長２μｍの
信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,レー
ザーパワーをピークパワー13mW,ボトムパワーmWに光変
調して消し残りなくCN比45dBが得られた。 実施例９ 第５図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導体レーザ
ー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再生装
置である。半導体レーザーから出射されるレーザービー
ムを記録情報の最大周波数の20倍のパルス列で構成され
た高温動作に対応するパルスパターンと記録情報の最大
周波数の10倍のパルス列で構成された低温動作に対応す
るパルスパターンが発生できるようにした。このときの
構成パルス幅はそれぞれ同じ値を用いた。実施例１の光
磁気記録媒体を用いて、ビツト長２μｍの信号上にビツ
ト長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,レーザーパワーを
ピークパワー15mWに光変調して消し残りなく記録可能で
あつた。 実施例10 第６図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は半導体レーザ、（３）は偏光ビームスプリツター、
（４）は再生装置である。（５）はビームスプリツター
である。半導体レーザー（２−１）、（２−２）は波長
830nm、最大連続出射出力16mWであり、光磁気記録媒体
の近接した部位に集光される。１つのレーザーは低温動
作に対応する定常レーザー出力を発生し、もう一つのレ
ーザーは情報‘1'に対応する時のみに高温動作に必要の
温度に達するレーザー出力を発生する。このとき実施例
１の光磁気記録媒体を用いて最高レーザー出力は記録媒
体面上10mWと3mW減少されて、ダイレクト・オーバーラ
イトが可能であつた。 実施例11 第７図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は半導体レーザー、（３）は偏光ビームスプリツター、
（４）は再生装置である。（５）はビームスプリツター
である。半導体レーザー（２−１）は波長830nm、最大
連続出射出力20mWの記録用であり、（２−２）は波長78
0nm、最大連続出射出力4mWの再生装置であり、（２−
１）のレーザースポツトを追従するようにされており、
オーバーライト記録と同時にベリフアイを行なえるよう
になつている。これにより記録時のデータ転送速度は再
生時と同程度になつた。 実施例12 第８図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は波長830nm、最大連続出射出力20mWの同一の半導体レ
ーザー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再
生装置である。（５）はビームスプリツターである。レ
ーザービームは光磁気記録媒体の隣接したトラツク上に
集光され同時記録できるようにしてある。 ここでは光磁気記録媒体を移動してあるが、レーザー
をアレイあるいはマトリツクスに構成してもよく、光磁
気記録媒体を移動させずに記録・再生してもよい。 また１本のレーザービームの光路に例えば液晶板等の
空間的に透過率が変化できる光学素子を配置してもよ
い。 実施例13 第９図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気媒体、（２−１）、（２−２）は半
導体レーザーで光記録媒体の両側にある。（３）は偏光
ビームスプリツター、（４−１）（４−２）は再生装置
である。光記録媒体は実施例７の光記録媒体を用い、半
導体レーザー（２−２）及び再生装置（４−２）は再生
専用型光デイスクを再生できるものである。 また上記実施例８〜13で、光ヘツドからの漏れ磁界を
第４磁性層からの静磁結合力と同方向に発生するように
構成してもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば交換結合４磁性層記
録媒体で、配向層に交換力及び静磁結合力の２つの拮抗
する作用を持たせ如何なる外部磁界発生装置を有うさず
にダイレクト・オーバーライトが可能になつた。
である。外部磁界は配向層に機能を付加したので不要に
なる。 〔１〕低温動作 低温動作も基本的には従来例と同様である。 〔２〕高温動作 第２図に示すように第２磁性層のキユリー温度Tc2近
傍にまで昇温したときは、第１磁性層、第３磁性層の磁
化は消失するが第４磁性層の磁化方向は変化しない。第
１磁性層、第３磁性層からの交換力を受けず主に第４磁
性層との静磁結合力により第２磁性層の磁化は上向きに
なる。 第１磁性層のキユリー温度Tc1より降温したとき、第
２磁性層の磁化が第１磁性層に転写され第１磁性層の磁
化は上向きになる。 第３磁性層のキユリー温度Tc3より降温したとき、第
３磁性層の磁化は第４磁性層と揃い下向きになり、さら
に温度が下がり第２磁性層の磁化は第３磁性層を介して
第４磁性層の磁化と揃い下向きになつて、初期状態
「１」になる。 この発明における特徴として第４磁性層との静磁結合
力を利用している。高温動作で局所的に昇温した光磁気
記録媒体において、第４磁性層の磁化分布は第３図のよ
うになり、実効的に上向きに磁界が発生する。 以上のような動作によりレーザー光強度のみを変調す
ることにより、光変調ダイレクトオーバーライトが可能
である。1.6μｍ間隔の溝付き基板に上記誘電体層、磁
性層、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビツト
長２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11
m/sec,レーザーパワーをピークパワー13mW,ボトムパワ
ーを5mWに光変調して消し残りなくCN比45dBが得られ
た。 実施例２〜６ 第１表，第２表は２〜６の実施例を示す。４元のRFマ
グネトロンスパツター装置を用いて、Tb,Coチツプを配
したFeターゲツト、Gd,Coチツプを配したFeターゲツ
ト、Tbチツプを配したFeターゲツト、Tbチツプを配した
Coターゲツトを置く。厚さ1.2mm、直径86mmで1.6μｍピ
ツチのグループがあらかじめ設けられているガラス基板
を該装置のチヤンバー内にセツトする。 該装置のチヤンバー内を一旦８×10-7Torr以下の真空
に排気した後、Arガス3mTorrを導入する。堆積速度約10
0Å/minでスパツターを行なう。これにより基板上に厚
さ800ÅTbFeCoの第１磁性層を形成する。続いて真空状
態を保持したまま同様に厚さ1500ÅGdDyFeCoの第２磁性
層、厚さ100ÅTbFeの第３磁性層、厚さ400ÅTbCoの第４
磁性層を形成する。各磁性層ともに垂直磁化膜であり、
隣接する各磁性層は交換力で結合している。下表にター
ゲツト上のチツプ数あるいはスパツター時間を変えたと
き、ビツト長２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号
を、線速11m/secの条件下での記録・再生特性を示す。
この時消し残り信号は見れず、ダイレクト・オーバーラ
イト動作が確認された。 ここで各磁性層ともに、これ自体多層膜から構成され
ていてもよく、例えば第１磁性層を形成する前に磁気光
学効果の大きい交換結合された磁性層を設けてもよく、
ガラス基板上にスパツター法等で例えば、 誘電体層 SiNx 650Å 再 生 層 Tb15Fe70Co15 100Å 第１磁性層 Tb22Fe69Co9 800Å 第２磁性層 Gd8Dy17Fe60Co15 1500Å 第３磁性層 Tb16Fe84 200Å 第４磁性層 Tb20Co80 800Å 保 護 層 SiNx 700Å を形成し、1dBのCNR向上がみられた。 また交換力を制御するための磁性層、誘電体層、酸化
物層等を磁性層間に形成してもよい。又各磁性層は、Gd
Fe、GdTbFeCo、TbDyFeCo、NdDyFeCo、DyCo、TbHoFeCo、
DyHoCo等のフエリ磁性体で構成してもよい。 実施例７ ２枚の単板媒体を２液混合型エポキシ系樹脂で貼合わ
せた。例えば実施例１の光磁気記録媒体を貼合わせた場
合、保護層を設けた光磁気記録媒体において、ビツト長
２μｍの信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11m/
sec,レーザーパワーをピークパワー14mW,ボトムパワー
を5mWに光変調して消し残りなくCN比45dBが得られた。
ここで熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等で貼合わせてもよ
く、貼合せるものが再生専用型光デイスク、追記型光デ
イスク等であつてもよい。また媒体形状として例えばカ
ード状等のデイスク状以外でもよい。 実施例８ 第４図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導体レーザ
ー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再生装
置である。半導体レーザーは記録レーザービームを記録
情報に従つて再生時のレーザービーム強度より大きい出
力で、２値のビーム強度に変調できるようにしてある。
実施例１の光磁気記録媒体を用いて、ビツト長２μｍの
信号上にビツト長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,レー
ザーパワーをピークパワー13mW,ボトムパワーmWに光変
調して消し残りなくCN比45dBが得られた。 実施例９ 第５図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２）は半導体レーザ
ー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再生装
置である。半導体レーザーから出射されるレーザービー
ムを記録情報の最大周波数の20倍のパルス列で構成され
た高温動作に対応するパルスパターンと記録情報の最大
周波数の10倍のパルス列で構成された低温動作に対応す
るパルスパターンが発生できるようにした。このときの
構成パルス幅はそれぞれ同じ値を用いた。実施例１の光
磁気記録媒体を用いて、ビツト長２μｍの信号上にビツ
ト長0.76μｍの信号を、線速11m/sec,レーザーパワーを
ピークパワー15mWに光変調して消し残りなく記録可能で
あつた。 実施例10 第６図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は半導体レーザ、（３）は偏光ビームスプリツター、
（４）は再生装置である。（５）はビームスプリツター
である。半導体レーザー（２−１）、（２−２）は波長
830nm、最大連続出射出力16mWであり、光磁気記録媒体
の近接した部位に集光される。１つのレーザーは低温動
作に対応する定常レーザー出力を発生し、もう一つのレ
ーザーは情報‘1'に対応する時のみに高温動作に必要の
温度に達するレーザー出力を発生する。このとき実施例
１の光磁気記録媒体を用いて最高レーザー出力は記録媒
体面上10mWと3mW減少されて、ダイレクト・オーバーラ
イトが可能であつた。 実施例11 第７図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は半導体レーザー、（３）は偏光ビームスプリツター、
（４）は再生装置である。（５）はビームスプリツター
である。半導体レーザー（２−１）は波長830nm、最大
連続出射出力20mWの記録用であり、（２−２）は波長78
0nm、最大連続出射出力4mWの再生装置であり、（２−
１）のレーザースポツトを追従するようにされており、
オーバーライト記録と同時にベリフアイを行なえるよう
になつている。これにより記録時のデータ転送速度は再
生時と同程度になつた。 実施例12 第８図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気記録媒体、（２−１）、（２−２）
は波長830nm、最大連続出射出力20mWの同一の半導体レ
ーザー、（３）は偏光ビームスプリツター、（４）は再
生装置である。（５）はビームスプリツターである。レ
ーザービームは光磁気記録媒体の隣接したトラツク上に
集光され同時記録できるようにしてある。 ここでは光磁気記録媒体を移動してあるが、レーザー
をアレイあるいはマトリツクスに構成してもよく、光磁
気記録媒体を移動させずに記録・再生してもよい。 また１本のレーザービームの光路に例えば液晶板等の
空間的に透過率が変化できる光学素子を配置してもよ
い。 実施例13 第９図に光磁気記録装置の構成図を示す。図におい
て、（１）は光磁気媒体、（２−１）、（２−２）は半
導体レーザーで光記録媒体の両側にある。（３）は偏光
ビームスプリツター、（４−１）（４−２）は再生装置
である。光記録媒体は実施例７の光記録媒体を用い、半
導体レーザー（２−２）及び再生装置（４−２）は再生
専用型光デイスクを再生できるものである。 また上記実施例８〜13で、光ヘツドからの漏れ磁界を
第４磁性層からの静磁結合力と同方向に発生するように
構成してもよい。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば交換結合４磁性層記
録媒体で、配向層に交換力及び静磁結合力の２つの拮抗
する作用を持たせ如何なる外部磁界発生装置を有うさず
にダイレクト・オーバーライトが可能になつた。
第１図この発明の光磁気デイスク媒体の一実施例を示す
構成図、第２図は高温での記録動作を示す説明図、第３
図は第４磁性層の磁化分布を示す説明図、第４図から第
10図はこの発明の実施例の光磁気記録装置の構成図、第
11図従来の光磁気デイスク媒体を示す構成図、第12図は
初期化を説明する説明図、第13図は低温での記録動作を
示す説明図、第14図は高温での記録動作を示す説明図で
ある。図において、（１）は光磁気記録媒体、（２）は
半導体レーザー、（３）はビーム・スプリツター、
（４）は再生装置、（５）は外部磁界発生装置である。 図中同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
構成図、第２図は高温での記録動作を示す説明図、第３
図は第４磁性層の磁化分布を示す説明図、第４図から第
10図はこの発明の実施例の光磁気記録装置の構成図、第
11図従来の光磁気デイスク媒体を示す構成図、第12図は
初期化を説明する説明図、第13図は低温での記録動作を
示す説明図、第14図は高温での記録動作を示す説明図で
ある。図において、（１）は光磁気記録媒体、（２）は
半導体レーザー、（３）はビーム・スプリツター、
（４）は再生装置、（５）は外部磁界発生装置である。 図中同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田口 元久 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (72)発明者 堤 和彦 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−237238（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】光磁気記録媒体の記録層に対して、この記
録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザビームを変
調し、このレーザビームを照射して、情報を上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録する
光磁気記録方式に用いる光磁気記録媒体において、 この磁気記録媒体が、垂直磁気異方性を有する第１磁
性層、この第１磁性層に設けられ上記第１磁性層と交換
力で結合された第２磁性層、この第２磁性層に設けられ
上記第２磁性層と交換力で結合された第３磁性層、この
第３磁性層に設けられ上記第３磁性層と交換力で結合さ
れた第４磁性層を備え、 上記第１磁性層から第４磁性層までの各層のキュリー
温度をそれぞれTc1、Tc2、Tc3およびTc4とあらわすと
き、上記各磁性層のキュリー温度の関係が、Tc4＞Tc1、
Tc4＞Tc3、Tc4＞Tc2、Tc2＞Tc1、Tc2＞Tc3を満足し、か
つ室温にて上記第１磁性層の磁化は上記第２磁性層の磁
化反転により反転せず、かつ記録後に室温にて上記第２
磁性層、第３磁性層及び第４磁性層の副格子磁化方向が
上向き又は下向きに揃っているように初期化され、上記
第４磁性層の副格子磁化方向は上記レーザビームの照射
により反転せず、 上記レーザビームの照射により記録媒体を上記第２磁
性層のキュリー温度近傍まで昇温した時、上記第２磁性
層の副格子磁化方向を上記初期化方向と逆方向に記録さ
れるように上記第４磁性層の発生する浮遊磁界が作用す
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】第２磁性層はそのキュリー温度以下で補償
温度を有する磁性体層であり、かつ第４磁性層は温度上
昇と共に、遷移金属副格子磁化と同方向に依存する磁化
が減少する磁性体層であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】第２磁性層は室温において希土類金属副格
子磁化が優勢で、補償温度を有さない磁性体層であり、
かつ第４磁性層は温度上昇と共に希土類金属副格子磁化
と同方向に依存する磁化が減少する磁性体層であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体と、再生専用型光記録媒体又は追記型光記録媒体とを
貼り合わせたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】光磁気記録媒体の記録層に対して、この記
録層に記録すべき２値化情報に従ってレーザビームを変
調し、このレーザビームを照射して、情報を上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットで記録する
光磁気記録装置において、 垂直磁気異方性を有する第１磁性層、この第１磁性層
に設けられ上記第１磁性層と交換力で結合された第２磁
性層、この第２磁性層に設けられ上記第２磁性層と交換
力で結合された第３磁性層、この第３磁性層に設けられ
上記第３磁性層と交換力で結合された第４磁性層を備
え、 上記第１磁性層から第４磁性層までの各層のキュリー
温度をそれぞれTc1、Tc2、Tc3およびTc4とあらわすと
き、上記各磁性層のキュリー温度の関係が、 Tc4＞Tc1、Tc4＞Tc3、Tc4＞Tc2、Tc2＞Tc1、Tc2＞Tc3を
満足し、 室温において上記第１磁性層の磁化は上記第２磁性層
の磁化反転により反転せず、かつ記録後に室温において
上記第２磁性層、第３磁性層及び第４磁性層の副格子磁
化方向が上向きまたは下向きに揃っているように初期化
され、上記第４磁性層の副格子磁化方向は上記レーザビ
ームの照射により反転せず、 上記レーザビームの照射により記録媒体を上記第２磁
性層のキュリー温度近傍まで昇温した時、上記第２磁性
層の副格子磁化方向を上記初期化方向と逆方向に記録さ
れるように上記第４磁性層の発生する浮遊磁界が作用す
る光磁気記録媒体を使用し、 上記レーザビームを媒体に照射する手段が上記光磁気記
録媒体の両側にあることを特徴とする光磁気記録再生装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296856A JP2707769B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
| DE69029709T DE69029709T2 (de) | 1989-11-14 | 1990-11-07 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger und Vorrichtung |
| EP90312172A EP0428321B1 (en) | 1989-11-14 | 1990-11-07 | Magnetic-optical recording media and apparatus |
| US07/612,798 US5208797A (en) | 1989-11-14 | 1990-11-14 | Magneto-optical recording media and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296856A JP2707769B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156751A JPH03156751A (ja) | 1991-07-04 |
| JP2707769B2 true JP2707769B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=17839048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1296856A Expired - Fee Related JP2707769B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208797A (ja) |
| EP (1) | EP0428321B1 (ja) |
| JP (1) | JP2707769B2 (ja) |
| DE (1) | DE69029709T2 (ja) |
Families Citing this family (17)
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|---|---|---|---|---|
| JPH03156752A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5361248A (en) * | 1992-06-01 | 1994-11-01 | Eastman Kodak Company | Direct overwrite magneto-optical storage medium not requiring an initialization magnet |
| KR100292604B1 (ko) * | 1992-09-28 | 2001-06-15 | 가나이 쓰도무 | 오버라이트가능한광기록매체및그의기록방법 |
| JPH06131722A (ja) * | 1992-10-16 | 1994-05-13 | Canon Inc | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JP3056902B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2000-06-26 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 2000-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3567472B2 (ja) * | 1993-09-29 | 2004-09-22 | ソニー株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JP3354726B2 (ja) * | 1994-09-27 | 2002-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録媒体及び再生方法 |
| JP3277245B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2002-04-22 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US5717662A (en) * | 1995-05-12 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Super-resolution magneto-optical recording medium using magnetostatic coupling and information reproduction method using the medium |
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| JPH09167388A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-06-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体、該媒体を用いた情報記録再生装置及び情報記録再生方法 |
| JPH09120595A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-06 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP3215311B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2001-10-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JP3452451B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2003-09-29 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| US8241766B2 (en) * | 2006-01-20 | 2012-08-14 | Seagate Technology Llc | Laminated exchange coupling adhesion (LECA) media for heat assisted magnetic recording |
| US7678476B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-16 | Seagate Technology Llc | Composite heat assisted magnetic recording media with temperature tuned intergranular exchange |
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| AU600576B2 (en) * | 1987-04-24 | 1990-08-16 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled multi-layer structure of perpendicular anisotropy magnetic film |
| WO1990002400A1 (en) * | 1988-08-24 | 1990-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium and method of producing the same |
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