JPH06180874A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 光磁気ディスクは、室温で面内磁化状態を示
し、温度Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し
層１と、キュリー温度Ｔ₃ の垂直磁化膜である中間層３
と、キュリー温度Ｔ₂ の垂直磁化膜である記録層２とが
この順で積層された交換結合３層膜を備えている。上記
温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係にな
っている。記録層２に記録されたビットの中で、光ビー
ムの照射により再生される記録ビットは、光ビームの照
射領域２２内に存在し、且つ、温度Ｔ₁ 以上の領域内３
３に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域４４外に存在す
る記録ビット１３のみである。 【効果】 光ビームの照射領域２２よりも非常に小さな
記録ビットの再生が行えるので、記録密度を著しく向上
させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、磁気ヘッドを用いて記録・再生が
行われる磁気記録媒体と比べて高い記録密度を実現でき
る新しい記憶媒体として実用化が進んできた光磁気ディ
スク等の光磁気記録媒体において、最近、記録密度をさ
らに向上させようとする研究開発が活発になっている。

【０００３】上記光磁気記録媒体の記録密度は、記録・
再生に使用される光ビームの記録媒体上での大きさに依
存する。例えば、光磁気記録媒体上に集光された光ビー
ムのビーム径に比べて記録ビット径および記録ビット間
隔が小さい場合、光ビームの中に複数の記録ビットが存
在することになり、一つ一つの記録ビットを分離して再
生することができず、再生特性の劣化が生じる。

【０００４】上記のような光磁気記録媒体の欠点を解決
すべく、最近、光ビームの大きさより小さい記録ビット
を再生する方法が提案されている。

【０００５】通常、光記録において、光ビームは、集光
レンズにより回折限界まで絞りこまれているため、その
光強度分布がガウス分布になり、記録媒体上の温度分布
もほぼガウス分布になる。このため、ある温度以上の温
度を有する領域は、光ビームより小さくなっている。そ
こで、上述の光ビームの大きさより小さい記録ビットを
再生する方法は、ある温度以上の領域のみを再生に関与
させようとするものである。

【０００６】上記方法を行うに際して、室温で高保磁力
を有する垂直磁化膜である読み出し層と、室温での保磁
力が小さい垂直磁化膜である記録層とから成る交換結合
二層膜を備えた光磁気ディスクが用いられる。この光磁
気ディスクに対する記録は、通常の光熱磁気記録方法で
行われる。そして、上記光磁気ディスクに記録されたビ
ットの再生は、次のようにして行われる。即ち、予め補
助磁界発生装置によって補助磁界を読み出し層に印加
し、この読み出し層の磁化の向きが所定の向きに揃うよ
うに初期化する。次に、上記光磁気ディスクに再生ビー
ムを照射し、局部温度上昇させて記録層の磁化情報を読
み出し層に転写する。こうすると、再生ビームの照射さ
れた部位の中心部の温度が上昇した部位のみの情報が再
生できる。従って、光ビームより小さな記録ビットでも
読み出せる。

【０００７】しかしながら、上記光磁気ディスクを用い
た場合、再生動作に先立って、補助磁界発生装置により
補助磁界を印加しなければならない。また、再生時に、
記録層から読み出し層に転写された記録ビットは、その
部位の温度が下がっても、そのまま残ってしまう。この
ため、次の記録ビットを再生するために光ビームを移動
させると、前の記録ビットは依然として光ビームの中に
存在するので、この残存ビットも再生されてしまい、こ
れが雑音の原因となり、記録密度を向上させる際の制限
事項になる。

【０００８】そこで、本願発明者等は、再生動作に先立
つ初期化のための補助磁界発生装置が不要であると共
に、雑音の原因である隣接ビット（前の記録ビット）か
らの信号混入を回避できる光磁気記録媒体を先に提案し
ている（特願平４−７４６０５号）。この光磁気記録媒
体と、これを用いた再生方法について、図１４を参照し
て以下に説明する。尚、同図（ａ）は、光磁気記録媒体
を光ビーム照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同
図（ａ）の光磁気記録媒体のＡ−Ａ線断面における各磁
性層５１・５２の磁化状態を示すものである。

【０００９】上記光磁気記録媒体は、１５０℃程度のキ
ュリー温度点を有する記録層５２と、室温では面内磁化
状態を示す一方、約５０℃以上の読み出し温度において
垂直磁化状態を示す読み出し層５１とを有している。こ
の光磁気記録媒体に対する記録は、該光磁気記録媒体へ
記録磁界を印加すると共に、高いパワーの光ビームを該
光磁気記録媒体へ照射して記録層５２の温度をキュリー
温度近傍まで上昇させることにより行われる。これによ
り、上記記録層５２に記録ビットが形成される。

【００１０】一方、上記光磁気記録媒体に記録された情
報の再生は、次のようにして行われる。先ず、記録時よ
りも低いパワーの光ビームが光磁気記録媒体に照射され
ることになる。この際、光ビームは記録媒体に対して相
対的に矢印Ｐで示す方向に移動しており、光磁気記録媒
体上で最も温度が高くなる部位は、光ビームの中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、光
ビームの照射により読み出し層５１の温度が約５０℃以
上に上昇して読み出し可能となる領域８３（領域の中
心）は、光ビームの照射領域７２（領域の中心）に対し
て後方にずれた位置に存在することになる。そして、上
記領域８３のみにおいて、読み出し層５１は垂直磁化状
態となり、記録層５２からの交換結合力を受けて、読み
出し層５１の磁化方向は、記録層５２の磁化方向と同一
方向となる。ここで、読み出し層５１における、光ビー
ムの照射領域７２と、温度上昇により読み出し可能とな
る領域８３とにずれが生じているため、実際に再生が行
われる情報は、光ビームの照射領域７２内に存在し、且
つ、読み出し可能領域８３に存在する情報６３のみとな
り、それ以外の情報は再生されることはない。

【００１１】このように、光ビームの照射領域７２内の
高温領域のみが一種の光学的なアパチャーとして働くこ
とにより、情報再生に寄与する実効的な光スポットが小
さくなり、検出分解能が向上する。これにより、光ビー
ムの大きさより小さい記録ビットでも、一つ一つの記録
ビットを分離して再生することが可能である。そして、
読み出し層５１における温度上昇しない部位、或いは温
度の低下した部位は面内磁化を示すので、磁気光学効果
を示さなくなり、記録層５２に記録された情報は読み出
し層５１の面内磁化にマスクされて読み出されることが
なくなる。これにより、雑音の原因である隣接ビットか
らの信号が混入することを回避できる。更に、再生動作
に先立つ初期化のための補助磁界発生装置が不要であ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ここで、上記光磁気記
録媒体において、記録密度を更に高めた場合を、図１５
を参照して考えてみる。尚、同図（ａ）は、光磁気記録
媒体を光ビーム照射側から見た図であり、同図（ｂ）
は、同図（ａ）の光磁気記録媒体のＡ−Ａ線断面におけ
る各磁性層５１・５２の磁化状態を示すものである。

【００１３】読み出し層５１における光ビームの照射領
域７２、および該光ビームの照射による温度上昇により
読み出し可能となる範囲８３を、上記図１４に示した場
合と同様にした場合、光ビームの照射領域７２内に存在
し、且つ、読み出し可能領域８３に存在する情報は２つ
（情報９３・９３′）となり、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することができなくなってしまう。

【００１４】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その第１の目的は、本願発明者が先に提案した光磁
気記録媒体の有する特徴（前の記録ビットからの信号混
入を回避できる等）を有しながら、その光磁気記録媒体
よりも更に記録密度を高めた場合でも、一つ一つの記録
ビットを分離して再生可能であり、記録密度を向上させ
ることができる光磁気記録媒体を提供することにある。

【００１５】ところで、上記のように再生分解能を上げ
ることで、記録密度の向上を実現しようとする場合、次
のような問題が生じることになる。即ち、光磁気ディス
クの場合、トラックピッチを狭くし、ビット周期をつめ
て線記録密度を高めていくにつれて、記録の際の隣接ト
ラックへの熱干渉や、記録ビット間の熱的相互作用の影
響が無視できなくなってくる。これは、光磁気記録の原
理自体が、光ビーム照射による磁性体の温度上昇に伴う
保磁力の低下を利用していることによる。

【００１６】即ち、トラックピッチが狭くなってトラッ
ク同士が接近するようになってくると、記録トラック内
での記録時の温度上昇の影響が、横方向の熱拡散により
隣接トラック内に既に記録された情報ビット列に及ぶよ
うになり、そこの磁気状態に乱れが生じることになる。
また、トラック方向についても、ビット周期が詰まって
くると、前後の記録ビット間での熱干渉の影響が避けら
れなくなり、上記同様既に記録された情報ビットの磁気
状態に乱れが生じることになる。このため、記録パルス
の形状を工夫するといった記録補償の技術が必要となっ
て、装置システム側の負荷を増大させることになる。

【００１７】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その第２の目的は、光磁気記録において高密度化を
進めていく上で問題となってくる記録時の隣接記録ビッ
トへの熱干渉による悪影響を回避し、記録密度を向上さ
せることができる光磁気記録媒体を提供することにあ
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】請求項１ないし請求項３
の発明に係る光磁気記録媒体は、上記の課題を解決する
ために、室温において面内磁化状態を示す一方、温度Ｔ
₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、室温
において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ
₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層とを有するもので
あって、以下の手段を講じたことを特徴としている。

【００１９】即ち、請求項１の発明に係る光磁気記録媒
体は、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温
において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ
₃ まで垂直磁化状態を保持する中間層を有し、上記温度
Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている。

【００２０】また、請求項２の発明に係る光磁気記録媒
体は、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温
において垂直磁化状態を示す一方、温度Ｔ₂ 以上で面内
磁化状態へと移行する中間層を有し、上記温度Ｔ₁ 、Ｔ
₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている。

【００２１】また、請求項３の発明に係る光磁気記録媒
体は、上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温
において面内磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ
₃ まで面内磁化状態を保持する中間層を有し、上記温度
Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている。

【００２２】そして、請求項４の発明に係る光磁気記録
媒体は、上記の課題を解決するために、室温において垂
直磁化状態を示し、室温からキュリー温度まで垂直磁化
状態を保持する第１磁性層と、上記第１磁性層に比べて
相対的に低いキュリー温度を有するものであり、室温に
おいて垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度まで
垂直磁化状態を保持する第２磁性層と、上記第１磁性層
と第２磁性層との間に設けられ、室温において面内磁化
状態を示す一方、上記第２磁性層の磁化の向きが外部磁
界の存在下での光ビームの照射によって反転する温度よ
り高い温度で、垂直磁化状態へと移行する第３磁性層と
を有している。

【００２３】

【作用】上記請求項１ないし請求項３の構成によれば、
情報の記録は、光磁気記録媒体へ記録磁界を印加すると
共に、光ビームを該光磁気記録媒体へ照射し、記録層の
温度をキュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることによ
り行われる。これにより、上記記録層の磁化の向きが反
転し、該記録層上に記録ビットが形成される。

【００２４】尚、光磁気記録媒体に光ビームが照射され
ると、照射された部位の温度分布はガウス分布になるの
で、温度Ｔ₁ 以上になる領域は、光ビームの照射領域よ
りも小さく、また、温度Ｔ₃ 以上になる領域は、上記温
度Ｔ₁ 以上の領域よりもさらに小さくなる。

【００２５】また、光ビームは光磁気記録媒体に対して
所定の線速度で相対的に移動することになるので、媒体
上で最も温度が高くなる部位は、光ビームの中心から後
方にずれた位置に存在することになる。このため、光ビ
ームの照射領域内には、温度Ｔ₁ 以上の領域の一部（お
よび温度Ｔ₃ 以上の領域の一部）が存在し、温度Ｔ₁以
上になる領域内に存在しても、光ビームの照射領域内に
存在しない記録ビットは再生されない。

【００２６】また、読み出し層における温度Ｔ₁ 以上の
領域外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射
光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、光ビ
ームの照射領域内に存在しても、温度Ｔ₁ 以上の領域外
に存在する記録ビットは再生されない。

【００２７】上記請求項１の構成では、中間層は、温度
Ｔ₃ 以上の領域で磁化が消失する一方、温度Ｔ₃ 以上の
領域外の部位では垂直磁化状態を示す。また、上記読み
出し層は、温度Ｔ₁ 以上の領域で垂直磁化状態を示す一
方、温度Ｔ₁ 以上の領域外の部位では面内磁化状態を示
す。したがって、温度Ｔ₁ 以上の領域内にあり、且つ、
温度Ｔ₃ 以上の領域外の領域では、記録層と読み出し層
との間に設けられた中間層の垂直磁化を介して、記録層
と読み出し層との間に作用する交換結合力により、記録
層に記録されている磁化情報が読み出し層に転写され
る。

【００２８】一方、中間層に磁化が存在しなくなった温
度Ｔ₃ 以上の領域では、記録層の磁化情報が、読み出し
層に交換結合力を作用させることができなくなり、読み
出し層の磁化状態は、その特性、即ち、垂直磁気異方性
の大きさに依存することとなる。

【００２９】例えば、垂直磁気異方性が比較的大きい読
み出し層では、中間層に磁化が存在しない領域（温度Ｔ
₃ 以上の領域）でも垂直磁化状態を示す。この場合、再
生時に外部磁界が印加されていると、読み出し層におけ
る温度Ｔ₃ 以上の領域に対応する部位の磁化の向きは、
外部磁界の向きに従う。これにより、温度Ｔ₃ 以上の領
域に存在する記録ビットは再生されることはない。

【００３０】一方、垂直磁気異方性が比較的小さい読み
出し層では、中間層に磁化が存在しない領域（温度Ｔ₃
以上の領域）においては面内磁化状態となってしまい、
垂直入射光に対して磁気光学効果を示さない。これによ
り、温度Ｔ₃ 以上の領域に存在する記録ビットは再生さ
れることはない。この場合、上記外部磁界の印加は必要
ない。

【００３１】上記より、光ビームの照射により再生され
る情報は、光ビームの照射領域内に存在し、且つ、温度
Ｔ₁ 以上の領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域
外に存在する記録ビットのみである。したがって、上記
光磁気記録媒体は、再生分解能の向上が図れ、記録密度
を向上させることができる。

【００３２】また、上記請求項２の構成では、中間層
は、温度Ｔ₃ 以上の領域で垂直磁化状態から面内磁化状
態に移行する一方、温度Ｔ₃ 以上の領域外の部位で垂直
磁化状態を保持する。また、上記読み出し層は、温度Ｔ
₁ 以上の領域で垂直磁化状態を示す一方、温度Ｔ₁ 以上
の領域外の部位では面内磁化状態を示すことになる。し
たがって、温度Ｔ₁ 以上の領域内にあり、且つ、温度Ｔ
₃ 以上の領域外の領域では、記録層と読み出し層との間
に設けられた中間層の垂直磁化を介して記録層と読み出
し層との間に作用する交換結合力により、記録層に記録
されている磁化情報が読み出し層に転写される。

【００３３】一方、中間層が面内磁化状態を示す温度Ｔ
₃ 以上の領域では、中間層を介して記録層と読み出し層
との間に作用する交換結合力が非常に弱くなり、読み出
し層の磁化状態は、その特性、即ち、垂直磁気異方性の
大きさに依存することとなる。

【００３４】例えば、垂直磁気異方性が比較的大きい読
み出し層では、中間層を介した記録層からの交換結合力
が非常に弱くなった領域（温度Ｔ₃ 以上の領域）におい
ても、垂直磁化状態を保ち、記録層の磁化方向と同じ方
向を向こうとする。しかしながら、記録層と読み出し層
との間に作用する交換結合力が非常に弱いため、読み出
し層に適当な外部磁界を印加することにより、記録層か
ら転写された上記読み出し層の磁化情報を保持した状態
のまま、読み出し層における温度Ｔ₃ 以上の領域に対応
する部位の磁化方向を、同一方向にそろえておくことが
可能となる。これにより、温度Ｔ₃ 以上の領域に存在す
る記録ビットは再生されることはない。

【００３５】一方、垂直磁気異方性が比較的小さい読み
出し層では、中間層を介した記録層からの交換結合力が
非常に弱くなった領域（温度Ｔ₃ 以上の領域）において
は面内磁化状態となってしまい、垂直入射光に対して磁
気光学効果を示さない。これにより、温度Ｔ₃ 以上の領
域に存在する記録ビットは再生されることはない。この
場合、上記外部磁界の印加は必要ない。

【００３６】上記より、光ビームの照射により再生され
る情報は、光ビームの照射領域内に存在し、且つ、温度
Ｔ₁ 以上の領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域
外に存在する記録ビットのみである。したがって、上記
光磁気記録媒体は、再生分解能の向上が図れ、記録密度
を向上させることができる。

【００３７】また、上記請求項３の構成では、中間層
は、温度Ｔ₃ 以上の領域で磁化が消失する一方、温度Ｔ
₃ 以上の領域以外の部位では、面内磁化状態を示す。ま
た、上記読み出し層は、温度Ｔ₁ 以上の領域で垂直磁化
状態を示す一方、温度Ｔ₁ 以上の領域外の部位では面内
磁化状態を示す。したがって、温度Ｔ₁ 以上の領域内に
あり、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域外の領域では、記録層
と読み出し層との間に設けられた中間層の面内磁化を介
して記録層と読み出し層との間に作用する交換結合力に
より、記録層に記録されている磁化情報が読み出し層に
転写される。

【００３８】一方、中間層に磁化が存在しなくなった温
度Ｔ₃ 以上の領域では、記録層の磁化情報が、読み出し
層に交換結合力を作用させることができなくなり、読み
出し層の磁化状態は、その特性、即ち、垂直磁気異方性
の大きさに依存することとなる。

【００３９】例えば、垂直磁気異方性が比較的大きい読
み出し層では、中間層に磁化が存在しない領域でも垂直
磁化状態を示す。この場合、再生時に外部磁界が印加さ
れていると、読み出し層における温度Ｔ₃ 以上の領域に
対応する部位の磁化の向きは、外部磁界の向きに従う。
これにより、温度Ｔ₃ 以上の領域に存在する記録ビット
は再生されることはない。

【００４０】一方、垂直磁気異方性が比較的小さい読み
出し層では、中間層に磁化が存在しない領域においては
面内磁化状態となってしまい、垂直入射光に対して磁気
光学効果を示さない。これにより、温度Ｔ₃ 以上の領域
に存在する記録ビットは再生されることはない。この場
合、上記外部磁界の印加は必要ない。

【００４１】上記より、光ビームの照射により再生され
る情報は、光ビームの照射領域内に存在し、且つ、温度
Ｔ₁ 以上の領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域
外に存在する記録ビットのみである。したがって、上記
光磁気記録媒体は、再生分解能の向上が図れ、記録密度
を向上させることができる。

【００４２】また、上記請求項４の構成によれば、情報
の記録、即ち情報ビットとなる磁区の形成は、外部磁界
の存在下での光ビームの照射によって、先ず、第１磁性
層よりキュリー温度の低い第２磁性層において、その磁
化の向きが反転することにより行われる。この第２磁性
層の磁化反転は、光ビーム照射による照射部位の温度上
昇によって小さくなった第２磁性層の保磁力並びに磁気
モーメントの大きさと、印加外部磁界の強さとの釣り合
いでもって生じ、第２磁性層の磁化反転領域は、あるし
きい値温度（反転温度）以上に加熱された領域である。

【００４３】そして、磁化反転によって形成された第２
磁性層上の記録ビットは、第２磁性層と第１磁性層との
間に設けられた第３磁性層を介した交換結合によって、
最終的には第１磁性層に磁気転写記憶されることにな
る。この場合、実際に第２磁性層と第１磁性層との間で
磁気転写が行われるのは、第３磁性層が垂直磁化を示し
ている領域だけに限定される。即ち、第３磁性層が面内
磁化状態の場合、第１磁性層と第２磁性層との間に作用
する交換結合力が非常に弱くなり、第２磁性層の磁化状
態は第１磁性層には転写されない。

【００４４】ここで、第３磁性層が面内磁化から垂直磁
化へ移行する温度が、上記第２磁性層の反転温度より高
く設定されているため、第３磁性層が垂直磁化を示す領
域は、第２磁性層の磁化反転領域よりも小さい。したが
って、結果的に第１磁性層には第２磁性層に形成された
記録ビットと比べて相対的に小さな記録ビットが形成さ
れることになる。

【００４５】上記第２磁性層の磁化反転という最初の記
録過程では、第２磁性層上において、横方向およびトラ
ック方向の熱拡散の影響で、隣接トラックや同一トラッ
ク内の近接ビットへの熱干渉が生じ、第２磁性層に既に
記録されているビットの磁化状態を乱してしまうことに
なる。

【００４６】しかしながら、第２磁性層における磁化状
態に乱れが生じている部分は、第３磁性層の面内磁化に
よってマスキングされ、第１磁性層に磁気転写されるこ
とがなく、上記第２磁性層において生じる熱干渉による
影響が最終的に情報を記録する第１磁性層にまで及ぶこ
とはない。

【００４７】したがって、上記光磁気記録媒体は、トラ
ックピッチを狭くしたり、記録ビット周期を短くして
も、記録時の隣接記録ビットへの熱干渉による悪影響を
回避することができ、記録密度を向上させることができ
る。

【００４８】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１、図７およ
び図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００４９】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、図７に示すように、基板４、透明誘電体膜
５、読み出し層１、中間層３、記録層２、透明誘電体膜
６、オーバーコート膜７がこの順に積層された構成を有
している。

【００５０】上記読み出し層１は、室温で面内磁化状態
を示し、温度Ｔ₁ 以上の読み出し温度において垂直磁化
状態へ移行するものであり（図８参照）、この読み出し
層１としては、例えば希土類遷移金属を使用することが
できる。

【００５１】尚、希土類金属と遷移金属の磁気モーメン
トは、それぞれ温度特性が異なり、高温では遷移金属の
磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくなる。そこ
で、上記のような特性を示す読み出し層１を希土類遷移
金属で形成する場合、室温の補償組成より希土類金属の
含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面
内磁化を示すようにすると共に、上記温度Ｔ₁ で垂直磁
化になるようにしておく。これにより、光ビームが照射
された部位の温度が温度Ｔ₁ に上昇したとき、遷移金属
の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属
の磁気モーメントとつりあい、全体として垂直磁化を示
すようになる。

【００５２】上記読み出し層１は、垂直磁気異方性が比
較的大きいものであり、例えば膜厚が５０ｎｍのＤｙ
_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_0.65 を使用することができ
る。尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化へと移行
する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好ましい。

【００５３】上記中間層３は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで垂直磁化状態
を保持する垂直磁化膜である（図８参照）。この中間層
３のキュリー温度Ｔ₃ は、上記した読み出し層１が面内
磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁ よりも高く設定
される（Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ）。この中間層３として、例えば膜
厚が５０ｎｍのＨｏ_0.28 (Ｆｅ_0.85Ｃｏ_0.15)_0.72 、膜
厚が５０ｎｍのＤｙ_{0. 21}Ｆｅ_0.79等を使用することがで
きる。尚、中間層３のキュリー温度Ｔ₃ は、６０℃〜９
０℃が好ましい。

【００５４】上記記録層２は、室温において垂直磁化状
態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₂ まで垂直磁化状態
を保持する垂直磁化膜である（図８参照）。この記録層
２のキュリー温度Ｔ₂ は、上記した中間層３のキュリー
温度Ｔ₃ よりも高く設定される（Ｔ₃ ＜Ｔ₂ ）。即ち、
上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。上記記録層２として、例えば膜厚
が５０ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 を使用
することができる。尚、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂ は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。

【００５５】上記透明誘電体膜５は、再生特性を良くす
る、即ち、反射防止機能によって磁気カー回転角をエン
ハンスするために設けられるものであり、例えばＡｌ
Ｎ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯＮ、ＴｉＯ₂ 等を
使用でき、その膜厚は再生光の波長の１／４を屈折率で
除した値程度に設定される。例えば、再生光の波長を８
００ｎｍとすると透明誘電体膜２の膜厚は１０ｎｍ〜８
０ｎｍ程度となる。また、上記透明誘電体膜６は、例え
ばＡｌＮ等の窒化物からなる保護膜であり膜厚は５０ｎ
ｍである。

【００５６】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【００５７】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図１を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・３の磁化状態を示すものである。

【００５８】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁ 以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層３の温度
がキュリー温度Ｔ₃ 以上に上昇する領域４４（領域の中
心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中心）
に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【００５９】ここで、上記中間層３においては、その温
度がキュリー温度Ｔ₃ 以上の領域４４で、磁化が消失す
ることになる。一方、中間層３における上記領域４４以
外の部位では、垂直磁化状態を示し、記録層２および中
間層３の２層間に作用する交換結合力により、記録層２
の磁化の向きが中間層３に転写される。

【００６０】また、上記読み出し層１は、その温度が温
度Ｔ₁ 以上に上昇する領域３３で、垂直磁化状態を示す
一方、領域３３以外の部位では面内磁化状態を示すこと
になる。この場合、読み出し層１における、領域３３内
にあり、且つ、領域４４外の部位では、中間層３および
読み出し層１の２層間に作用する交換結合力により、中
間層３の磁化の向きが読み出し層１に転写される。即
ち、記録層２の磁化情報は、中間層３の磁化を経由して
読み出し層１に転写され、領域３３内にあり、且つ、領
域４４外にある読み出し層１の磁化方向は、記録層２の
磁化方向と同一方向となる。

【００６１】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層３の磁化を経由して読み出し層１に転写されるよう
になっているので、中間層３のキュリー温度Ｔ₃ 以上と
なって中間層３に磁化が存在しなくなった領域４４で
は、記録層２の磁化情報が読み出し層１に転写されな
い。即ち、中間層３に磁化が存在しなくなった領域４４
では、記録層２の磁化情報が、読み出し層１に交換結合
力を作用させることができなくなる。したがって、読み
出し層１における上記領域４４に対応する部位は、中間
層３からの交換結合力を受けない自由な状態となり、そ
の磁化状態は、読み出し層１の特性、即ち、垂直磁気異
方性の大きさに依存することとなる。

【００６２】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層３からの交換結合力が存
在しない上記領域４４においても、垂直磁化状態を保持
している。このため、本実施例では、再生時、上記領域
４４に対応する読み出し層１の磁化方向を、常に同一方
向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exが光磁気ディスク
に印加されることになる。これにより、温度Ｔ₃ 以上に
なる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生され
ることはない。

【００６３】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層１の
温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁ 以上
になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリー温
度Ｔ₃ 以上になる領域４４の一部が存在することとな
る。したがって、温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存在
しても、レーザビーム８の照射領域２２内に存在しない
情報１４・１４′は再生されない。

【００６４】また、読み出し層１における上記領域３３
以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射光
に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レーザ
ビーム８の照射領域２２内に存在しても、温度Ｔ₁ 以上
になる領域３３外にある情報１２…は、再生されない。

【００６５】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃ 以上になる領域
４４外に存在する情報１３のみである。これにより、本
実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案し
た光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）より
更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分
離して再生することが可能であり、記録密度を著しく向
上させることができる。

【００６６】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００６７】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【００６８】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えたスパッタリング装置内に、プリ
グルーブおよびプリピットを有するポリカーボネート製
のディスク基板４を、ターゲットに対向して配置した。
このスパッタリング装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真
空排気した後、アルゴンおよび窒素の混合ガスを該装置
内に導入し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２ｎｍ／ｍｉｎ
でスパッタ蒸着を行い、上記ディスク基板４上にＡｌＮ
からなる透明誘電体膜５を形成した。この透明誘電体膜
５は、上述のように、再生特性を改善するものであり、
その膜厚は再生光の波長の１／４を屈折率で除した値程
度に設定される。本実施例では、波長８００ｎｍの再生
光を使用するので、透明誘電体膜５の膜厚を６０ｎｍと
した。

【００６９】次に、再度スパッタリング装置内を１×１
０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを該装
置内に導入し、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏのターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１
５ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ蒸着を行い、上記透明誘電体
膜５上に、膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃ
ｏ_{0. 5} )_0.65 からなる読み出し層１を形成した。この読
み出し層１は、室温で面内磁化状態であり、６０℃以上
の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６０℃）し、その
キュリー温度は３２０℃であった。

【００７０】次に、Ｄｙのターゲット供給していた電力
を停止する一方、Ｈｏのターゲットに電力を供給し、上
記読み出し層１を形成したのと同様な条件でスパッタ蒸
着を行い、上記読み出し層１上に、膜厚５０ｎｍのＨｏ
_0.28 (Ｆｅ_0.85Ｃｏ_0.15)_{0.7 2} からなる中間層３を形成
した。この中間層３は、そのキュリー温度Ｔ₃ が９０℃
の垂直磁化膜であった。

【００７１】次に、Ｈｏのターゲット供給していた電力
を停止する一方、Ｄｙのターゲットに電力を供給し、上
記読み出し層１を形成したのと同様な条件でスパッタ蒸
着を行い、上記中間層３上に、膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23
(Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 からなる記録層２を形成し
た。この記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁
化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂ は１６０℃であっ
た。

【００７２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスをスパッ
タリング装置内に導入し、Ａｌのターゲットに電力を供
給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２
ｎｍ／ｍｉｎでスパッタ蒸着を行い、上記ディスク基板
４上にＡｌＮからなる透明誘電体膜６を形成した。ここ
で、この透明誘電体膜６は、上記磁性層（記録層２、中
間層３、読み出し層１）を酸化等の腐食から保護するこ
とが可能なだけの膜厚を有すればよく、本実施例では５
０ｎｍの膜厚とした。

【００７３】次に、上記透明誘電体膜６上に、紫外線硬
化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照射
し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【００７４】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
１０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に１μｍ周期で0.５μｍの長さの反
転磁区を形成することができた。

【００７５】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数１０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【００７６】また、記録を行うための１０ｍＷのレーザ
ビーム８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調
磁界を２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに
印加したところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍ
の長さの反転磁区を形成することができた。

【００７７】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【００７８】〔比較例〕上記実施例１の比較例として、
実施例１の光磁気ディスクにおいて中間層３が存在しな
い図１４に示す構成の光磁気ディスクを用いて、実施例
１と同様の記録および再生を行った。１０ＭＨｚの周波
数で記録を行った場合には、実施例１と同様に周波数１
０ＭＨｚの再生信号を得ることができたが、２０ＭＨｚ
の周波数で記録を行った場合には、隣接する記録情報を
分離することができず、周波数２０ＭＨｚの再生信号を
得ることができなかった。

【００７９】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図２、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通
りである。

【００８０】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の読み出し層１の代わりに読
み出し層２０１が用いられている以外は、上記実施例１
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
２０１以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間
層、記録層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞ
れの構成および諸特性は、実施例１と同じであるので、
これらの各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、
詳細な説明をここでは省略する（図７参照）。

【００８１】上記読み出し層２０１は、実施例１の読み
出し層１と同様、室温で面内磁化状態を示し、温度Ｔ₁
（図８参照）以上の読み出し温度において垂直磁化状態
となるものであるが、実施例１の読み出し層１は、垂直
磁気異方性が比較的大きいものであったのに対して、本
実施例の読み出し層２０１は、垂直磁気異方性が比較的
小さいものとなっている。上記読み出し層２０１として
は、希土類遷移金属を使用でき、例えば膜厚が５０ｎｍ
のＧｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72 を使用することが
できる。

【００８２】尚、読み出し層２０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層３のキュリー温度Ｔ₃ は、６０℃〜９
０℃が好ましい。また、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂ は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。そして、上記各
温度Ｔ₁ ・Ｔ₂ ・Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。

【００８３】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【００８４】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図２を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層２０１
・２・３の磁化状態を示すものである。

【００８５】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層２０１の温度が温度Ｔ₁ 以上に上昇
する領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射
領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存
在することとなる。また、中間層３の温度がキュリー温
度Ｔ₃ 以上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レー
ザビーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方
にずれた位置に存在することとなる。

【００８６】この場合、実施例１と同様、上記中間層３
においては、上記領域４４以外の垂直磁化状態を示す部
位で、記録層２および中間層３の２層間に作用する交換
結合力により、記録層２の磁化の向きが中間層３に転写
される。

【００８７】また、上記読み出し層２０１においても、
実施例１と同様、領域３３内にあり、且つ、領域４４外
の部位では、記録層２の磁化情報が中間層３の磁化を経
由して読み出し層２０１に転写されることにより、その
磁化方向が記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【００８８】ここで、本実施例の読み出し層２０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層３からの交
換結合力が存在しない上記領域４４においては、面内磁
化状態となり、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さ
なくなる。このため、上記領域４４に対応する記録層２
に記録された情報１３′・１４′は、読み出し層２０１
の面内磁化にマスクされて読み出されることがなくな
る。したがって、本実施例では、再生時、実施例１で用
いた、領域４４に対応する読み出し層の磁化方向を常に
同一方向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exの印加は必
要なくなる。

【００８９】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層２０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃ 以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【００９０】また、読み出し層２０１における上記領域
３３以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入
射光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しても、上記領域
３３外にある情報１２…は、再生されない。

【００９１】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層２０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃ 以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【００９２】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層２０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【００９３】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【００９４】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
ポリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層２０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72 、中間層３として膜厚
５０ｎｍのＤｙ_0.21Ｆｅ_0.79、記録層２として膜厚５０
ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 、透明誘電体
膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成した。

【００９５】上記のＧｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72
からなる読み出し層２０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ_0.21Ｆｅ_0.79からなる中間層３は、その
キュリー温度Ｔ₃ が９０℃の垂直磁化膜であった。ま
た、上記のＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 からなる
記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であ
り、そのキュリー温度Ｔ₂ は１６０℃であった。

【００９６】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【００９７】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
１０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に１μｍ周期で0.５μｍの長さの反
転磁区を形成することができた。

【００９８】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数１０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層２０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例１において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【００９９】また、記録を行うための１０ｍＷのレーザ
ビーム８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調
磁界を２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに
印加したところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍ
の長さの反転磁区を形成することができた。

【０１００】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層２０１から得ることができた。

【０１０１】〔実施例３〕本発明の他の実施例について
図３、図７および図８に基づいて説明すれば、以下の通
りである。

【０１０２】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の中間層３の代わりに中間層
３０３が用いられている以外は、上記実施例１の光磁気
ディスクと同様の構成であり、上記中間層３０３以外の
各層、即ち、基板、透明誘電体膜、読み出し層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例１と同じであるので、これらの
各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。

【０１０３】上記中間層３０３は、室温で垂直磁化状態
を示し、温度Ｔ₃ で面内磁化状態となるものであり（図
８参照）、例えば膜厚が５０ｎｍのＤｙ_0.13 (Ｆｅ_0.5
Ｃｏ_0.5 )_0.87 等を使用することができる。上記中間層
３０３が垂直磁化から面内磁化へと移行する温度Ｔ
₃ は、６０℃〜９０℃が好ましい。

【０１０４】尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化
へと移行する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好ましい。
また、記録層２のキュリー温度Ｔ₂ は、１２０℃〜１８
０℃が好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁ ・Ｔ₂ ・Ｔ₃
は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。

【０１０５】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１０６】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図３を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・３０３の磁化状態を示すものである。

【０１０７】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層１の温度が温度Ｔ₁ 以上に上昇する
領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射領域
２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存在す
ることとなる。また、中間層３０３の温度が温度Ｔ₃ 以
上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レーザビーム
８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた
位置に存在することとなる。

【０１０８】ここで、上記中間層３０３においては、温
度Ｔ₃ 以上の領域４４で、垂直磁化状態から面内磁化状
態に移行する。一方、中間層３０３における上記領域４
４以外の部位では、垂直磁化状態が保持されており、記
録層２および中間層３０３の２層間に作用する交換結合
力により、記録層２の磁化の向きが中間層３０３に転写
される。

【０１０９】また、上記読み出し層１は、その温度が温
度Ｔ₁ 以上に上昇する領域３３で、垂直磁化状態を示す
一方、領域３３以外の部位では面内磁化状態を示すこと
になる。この場合、読み出し層１における、領域３３内
にあり、且つ、領域４４外の部位では、中間層３０３お
よび読み出し層１の２層間に作用する交換結合力によ
り、中間層３０３の磁化の向きが読み出し層１に転写さ
れる。即ち、記録層２の磁化情報は、中間層３０３の磁
化を経由して読み出し層１に転写され、領域３３内にあ
り、且つ、領域４４外にある読み出し層１の磁化方向
は、記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【０１１０】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層３０３の磁化を経由して読み出し層１に交換結合力
を作用させるため、再生時、領域４４内において中間層
３０３が面内磁化状態になると、記録層２の磁化情報が
読み出し層１に作用させる交換結合力は、領域４４外に
において中間層３０３が垂直磁化状態になっている場合
に比べて著しく小さくなる。このように、記録層２と読
み出し層１との間に作用する交換結合力が非常に弱くな
った領域４４では、読み出し層１の磁化状態は、読み出
し層１の特性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存す
ることとなる。

【０１１１】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層３０３を介した記録層２
からの交換結合力が非常に弱くなった上記領域４４にお
いても、垂直磁化状態を保ち、記録層２の磁化方向と同
じ方向を向こうとする。しかしながら、記録層２と読み
出し層１との間に作用する交換結合力が非常に弱いた
め、読み出し層１に適当な外部磁界Ｈ_exを印加すること
により、領域３３内にあり、且つ、領域４４外にある読
み出し層１に記録層２より転写された磁化情報を保持し
た状態のまま、読み出し層１における領域４４に対応す
る部位の磁化方向を、常に同一方向にそろえておくこと
が可能となる。したがって、再生時に読み出し層１に適
当な外部磁界Ｈ_exを印加することにより、温度Ｔ₃ 以上
になる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生さ
れることはない。

【０１１２】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、上記温度Ｔ₁ 以
上になる領域３３の一部、および、温度Ｔ₃ 以上になる
領域４４の一部が存在することとなる。したがって、温
度Ｔ₁ 以上になる領域３３に存在しても、レーザビーム
８の照射領域２２内に存在しない情報１４・１４′は再
生されない。

【０１１３】また、読み出し層１における温度Ｔ₁ 以上
になる領域３３以外の部位では、面内磁化状態が保持さ
れ、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さない。した
がって、レーザビーム８の照射領域２２内に存在して
も、温度Ｔ₁ 以上になる領域３３外にある情報１２…
は、再生されない。

【０１１４】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層３０３が温度Ｔ₃ 以上になる領域４４
外に存在する情報１３のみである。これにより、本実施
例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案した光
磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）より更に
小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分離し
て再生することが可能であり、記録密度を著しく向上さ
せることができる。

【０１１５】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１１６】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１１７】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
ポリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層１として膜厚５０ｎｍのＤｙ
_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5)_0.65 、中間層３０３として膜
厚５０ｎｍのＤｙ_0.13 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_0.87、記録
層２として膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃ
ｏ_0.18)_0.77 、透明誘電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡ
ｌＮを順次形成した。

【０１１８】上記のＤｙ_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_0.65
からなる読み出し層１は、室温で面内磁化状態であり、
６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６０
℃）し、そのキュリー温度は３２０℃であった。また、
上記のＤｙ_0.13 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_0.87 からなる中間
層３０３は、室温で垂直磁化状態を示し、９０℃以上の
温度で面内磁化状態に移行（Ｔ₃ ＝９０℃）し、そのキ
ュリー温度は３８０℃であった。また、上記のＤｙ_0.23
(Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 からなる記録層２は、ほぼ室
温に補償点を有する垂直磁化膜であり、そのキュリー温
度Ｔ₂ は１６０℃であった。

【０１１９】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１２０】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍの長さ
の反転磁区を形成することができた。

【０１２１】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【０１２２】〔実施例４〕請求項２の発明の他の実施例
について、図４および図７に基づいて説明すれば以下の
通りである。

【０１２３】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例３の読み出し層１の代わりに読
み出し層４０１が用いられている以外は、上記実施例３
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例３と同じであるので、これらの
各層には実施例３と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。また、本実施例の
読み出し層４０１は、実施例２に示した読み出し層２０
１と同じ構成および諸特性を示すものであり、その詳細
な説明をここでは省略する。

【０１２４】尚、読み出し層４０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層３０３が垂直磁化から面内磁化へと移
行する温度Ｔ₃ は、６０℃〜９０℃が好ましい。また、
記録層２のキュリー温度Ｔ₂は、１２０℃〜１８０℃が
好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁ ・Ｔ₂ ・Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。

【０１２５】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１２６】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図４を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層４０１
・２・３０３の磁化状態を示すものである。

【０１２７】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、レーザビーム８の照
射により読み出し層１の温度が温度Ｔ₁ 以上に上昇する
領域３３（領域の中心）は、レーザビーム８の照射領域
２２（領域の中心）に対して後方にずれた位置に存在す
ることとなる。また、中間層３０３の温度が温度Ｔ₃ 以
上に上昇する領域４４（領域の中心）は、レーザビーム
８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にずれた
位置に存在することとなる。

【０１２８】この場合、実施例１と同様、上記中間層３
０３においては、上記領域４４以外の垂直磁化状態を示
す部位で、記録層２および中間層３０３の２層間に作用
する交換結合力により、記録層２の磁化の向きが中間層
３０３に転写される。

【０１２９】また、上記読み出し層４０１においても、
実施例３と同様、領域３３内にあり、且つ、領域４４外
の部位では、記録層２の磁化情報が中間層３０３の磁化
を経由して読み出し層４０１に転写されることにより、
その磁化方向が記録層２の磁化方向と同一方向となる。

【０１３０】ここで、本実施例の読み出し層４０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層３からの交
換結合力が非常に弱くなってしまった上記領域４４にお
いては、面内磁化状態となり、垂直入射光に対して磁気
光学効果を示さなくなる。このため、上記領域４４に対
応する記録層２に記録された情報１３′・１４′は、読
み出し層４０１の面内磁化にマスクされて読み出される
ことがなくなる。したがって、本実施例では、再生時、
実施例３で必要であった、領域４４に対応する読み出し
層の磁化方向を常に同一方向にそろえておくための外部
磁界Ｈ_exは必要なくなる。

【０１３１】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層４０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃ 以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【０１３２】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層４０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃ 以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【０１３３】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層４０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１３４】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１３５】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層４０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72 、中間層３０３として
膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.13 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_{0 .87} 、記
録層２として膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ
_0.18)_0.77 、透明誘電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌ
Ｎを順次形成した。

【０１３６】上記のＧｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72
からなる読み出し層４０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ_0.13 (Ｆｅ_0.5Ｃｏ_0.5 )_0.87 からなる
中間層３０３は、室温で垂直磁化状態を示し、９０℃以
上の温度で面内磁化状態に移行（Ｔ₃ ＝９０℃）し、そ
のキュリー温度は３８０℃であった。また、上記のＤｙ
_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 からなる記録層２は、ほ
ぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であり、そのキュリ
ー温度Ｔ₂ は１６０℃であった。

【０１３７】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１３８】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍの長さ
の反転磁区を形成することができた。

【０１３９】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層４０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例３において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【０１４０】〔実施例５〕請求項３の発明の一実施例に
ついて、図５、図７および図８に基づいて説明すれば、
以下の通りである。

【０１４１】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例１の中間層３の代わりに中間層
５０３が用いられている以外は、上記実施例１の光磁気
ディスクと同様の構成であり、上記中間層５０３以外の
各層、即ち、基板、透明誘電体膜、読み出し層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例１と同じであるので、これらの
各層には実施例１と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。

【０１４２】上記中間層５０３は、室温において面内磁
化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで面内磁化
状態を保持する面内磁化膜であり（図８参照）、例えば
膜厚が５０ｎｍＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91等を使用することがで
きる。尚、上記中間層５０３のキュリー温度Ｔ₃ は、６
０℃〜９０℃が好ましい。

【０１４３】尚、読み出し層１が面内磁化から垂直磁化
へと移行する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好ましい。
また、記録層２のキュリー温度Ｔ₂ は、１２０℃〜１８
０℃が好ましい。そして、上記各温度Ｔ₁ ・Ｔ₂ ・Ｔ₃
は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。

【０１４４】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１４５】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図５を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層１・２
・５０３の磁化状態を示すものである。

【０１４６】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁ 以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層５０３の
温度がキュリー温度Ｔ₃ 以上に上昇する領域４４（領域
の中心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中
心）に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【０１４７】ここで、上記中間層５０３においては、そ
の温度がキュリー温度Ｔ₃ 以上の領域４４で、磁化が消
失することになる一方、上記領域４４以外の部位では、
面内磁化状態が保持されることになる。また、上記読み
出し層１においては、その温度が温度Ｔ₁ 以上に上昇す
る領域３３で、垂直磁化状態となる一方、該領域３３以
外の部位では面内磁化状態が保持されることになる。こ
のため、温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内で、且つ、温度
Ｔ₃ 以上になる領域４４外の領域において、読み出し層
１は、中間層５０３の面内磁化を介して記録層２からの
交換結合力を受け、記録層２の磁化方向と同じ方向を向
くことになる。

【０１４８】上記のように、記録層２の磁化情報は、中
間層５０３の面内磁化を介して読み出し層１に転写され
るようになっているので、中間層５０３に磁化が存在し
なくなった領域４４では、記録層２の磁化情報が読み出
し層１に転写されない。即ち、中間層５０３に磁化が存
在しなくなった領域４４では、記録層２の磁化情報が、
読み出し層１に交換結合力を作用させることができなく
なる。したがって、読み出し層１における上記領域４４
に対応する部位は、中間層５０３からの交換結合力を受
けない自由な状態となり、その磁化状態は、読み出し層
１の特性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存するこ
ととなる。

【０１４９】本実施例の読み出し層１は、垂直磁気異方
性が比較的大きいため、中間層５０３からの交換結合力
が存在しない上記領域４４においても、垂直磁化状態を
保持する。このため、本実施例では、再生時、上記領域
４４に対応する読み出し層１の磁化方向を、常に同一方
向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exが光磁気ディスク
に印加されることになる。これにより、温度Ｔ₃ 以上に
なる領域４４に存在する情報１３′・１４′は再生され
ることはない。

【０１５０】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層１の
温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁ 以上
になる領域３３の一部、および、中間層５０３がキュリ
ー温度Ｔ₃ 以上になる領域４４の一部が存在することと
なる。したがって、温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存
在しても、レーザビーム８の照射領域２２内に存在しな
い情報１４・１４′は再生されない。

【０１５１】また、読み出し層１における上記領域３３
以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入射光
に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レーザ
ビーム８の照射領域２２内に存在しても、温度Ｔ₁ 以上
になる領域３３外にある情報１２…は再生されない。

【０１５２】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層１の温度が面内磁化から垂直磁
化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存在
し、且つ、中間層５０３がキュリー温度Ｔ₃ 以上になる
領域４４外に存在する情報１３のみである。これによ
り、本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に
提案した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参
照）より更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビ
ットを分離して再生することが可能であり、記録密度を
著しく向上させることができる。

【０１５３】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層１は垂直磁化から面内磁化に移行する。
これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学カー
効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下した部
位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣
接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１５４】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１５５】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層１として膜厚５０ｎｍのＤｙ
_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5)_0.65 、中間層５０３として膜
厚５０ｎｍのＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91、記録層２として膜厚５
０ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 、透明誘電
体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成した。

【０１５６】上記のＤｙ_0.35 (Ｆｅ_0.5 Ｃｏ_0.5 )_0.65
からなる読み出し層１は、室温で面内磁化状態であり、
６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６０
℃）し、そのキュリー温度は３２０℃であった。また、
上記のＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91からなる中間層５０３は、室温
で面内磁化状態を示し、そのキュリー温度Ｔ₃ が９０℃
であった。また上記のＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)
_0.77 からなる記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する
垂直磁化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂ は１６０℃で
あった。

【０１５７】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１５８】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍの長さ
の反転磁区を形成することができた。

【０１５９】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして、＋５ｋＡ／ｍの一定磁界（外部磁界Ｈ_ex）を光
磁気ディスクに印加した状態で、記録情報の再生を行っ
たところ、記録層２に形成された反転磁区にしたがっ
て、周波数２０ＭＨｚの再生信号を読み出し層１から得
ることができた。

【０１６０】〔実施例６〕請求項３の発明の他の実施例
について、図６および図７に基づいて説明すれば、以下
の通りである。

【０１６１】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、上記実施例５の読み出し層１の代わりに読
み出し層６０１が用いられている以外は、上記実施例５
の光磁気ディスクと同様の構成であり、上記読み出し層
以外の各層、即ち、基板、透明誘電体膜、中間層、記録
層、透明誘電体膜、オーバーコート膜のそれぞれの構成
および諸特性は、実施例５と同じであるので、これらの
各層には実施例５と同一の参照番号を付記し、詳細な説
明をここでは省略する（図７参照）。また、本実施例の
読み出し層６０１は、実施例２に示した読み出し層２０
１と同じ構成および諸特性を示すものであり、その詳細
な説明をここでは省略する。

【０１６２】尚、読み出し層６０１が面内磁化から垂直
磁化へと移行する温度Ｔ₁ は、４０℃〜７０℃が好まし
い。また、中間層５０３のキュリー温度Ｔ₃ は、６０℃
〜９０℃が好ましい。また、記録層２のキュリー温度Ｔ
₂ は、１２０℃〜１８０℃が好ましい。そして、上記各
温度Ｔ₁ ・Ｔ₂ ・Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係になっている。

【０１６３】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する記録は、該光磁気ディスクへ記録磁界を印加すると
共に、高いパワーのレーザビーム８を対物レンズ９によ
り集光して光磁気ディスクへ照射し、記録層２の温度を
キュリー温度Ｔ₂ の近傍まで上昇させることにより行わ
れる。これにより、上記記録層２に記録ビットが形成さ
れる。

【０１６４】次に、上記光磁気ディスクに記録された情
報の再生について、図６を参照して以下に説明する。
尚、同図（ａ）は、光磁気ディスクをレーザビーム８の
照射側から見た図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）の
光磁気ディスクのＡ−Ａ線断面における各磁性層６０１
・５０３・２の磁化状態を示すものである。

【０１６５】先ず、記録時よりも低いパワーのレーザビ
ーム８が光磁気ディスクに照射されることになる。この
際、レーザビーム８は光磁気ディスクに対して相対的に
矢印Ｑで示す方向に移動しており、光磁気ディスク上で
最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心から
後方にずれた位置に存在することになる。このため、レ
ーザビーム８の照射により読み出し層１の温度が温度Ｔ
₁ 以上に上昇する領域３３（領域の中心）は、レーザビ
ーム８の照射領域２２（領域の中心）に対して後方にず
れた位置に存在することとなる。また、中間層５０３の
温度がキュリー温度Ｔ₃ 以上に上昇する領域４４（領域
の中心）は、レーザビーム８の照射領域２２（領域の中
心）に対して後方にずれた位置に存在することとなる。

【０１６６】この場合、上記実施例５と同様に、上記中
間層５０３においては、その温度がキュリー温度Ｔ₃ 以
上の領域４４で、磁化が消失することになる一方、上記
領域４４以外の部位では、面内磁化状態が保持されるこ
とになる。また、上記読み出し層６０１においては、そ
の温度が温度Ｔ₁ 以上に上昇する領域３３で、垂直磁化
状態を示そうとする一方、該領域３３以外の部位では面
内磁化状態が保持されることになる。このため、温度Ｔ
₁ 以上になる領域３３内で、且つ、温度Ｔ₃ 以上になる
領域４４外の領域において、読み出し層６０１は、中間
層５０３の面内磁化を介して記録層２からの交換結合力
を受け、記録層２の磁化方向と同じ方向を向くことにな
る。

【０１６７】尚、前記実施例４では、領域４４において
中間層３０３が面内磁化状態を示した場合には、垂直磁
気異方性が比較的小さい読み出し層４０１が、面内磁化
状態を示すと説明したが、これは、最も高温となる領域
４４に存在する中間層３０３の温度上昇に伴う磁化減少
により、領域４４においては、読み出し層４０１と中間
層３０３との間に作用すに交換結合力が極端に弱くなる
からである（以上、図４参照）。

【０１６８】一方、中間層５０３に磁化が存在しなくな
った領域４４では、記録層２の磁化情報が、読み出し層
１に交換結合力を作用させることができなくなる。した
がって、読み出し層１における上記領域４４に対応する
部位は、中間層５０３からの交換結合力を受けない自由
な状態となり、その磁化状態は、読み出し層６０１の特
性、即ち、垂直磁気異方性の大きさに依存することとな
る。

【０１６９】ここで、本実施例の読み出し層６０１は、
垂直磁気異方性が比較的小さいため、中間層５０３から
の交換結合力が存在しない上記領域４４においては、面
内磁化状態となり、垂直入射光に対して磁気光学効果を
示さなくなる。このため、上記領域４４に対応する記録
層２に記録された情報１３′・１４′は、読み出し層６
０１の面内磁化にマスクされて読み出されることがなく
なる。したがって、本実施例では、再生時、実施例５で
必要であった、領域４４に対応する読み出し層の磁化方
向を常に同一方向にそろえておくための外部磁界Ｈ_exは
必要なくなる。

【０１７０】上述のように、再生時、光磁気ディスク上
で最も温度が高くなる部位は、レーザビーム８の中心か
ら後方にずれた位置に存在することになる。このため、
レーザビーム８の照射領域２２内には、読み出し層６０
１の温度が面内磁化から垂直磁化へと移行する温度Ｔ₁
以上になる領域３３の一部、および、中間層３がキュリ
ー温度Ｔ₃ 以上になる領域４４の一部のみが存在するこ
ととなる。したがって、上記領域３３に存在しても、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しない情報１４・
１４′は再生されない。

【０１７１】また、読み出し層６０１における上記領域
３３以外の部位では、面内磁化状態が保持され、垂直入
射光に対して磁気光学効果を示さない。したがって、レ
ーザビーム８の照射領域２２内に存在しても、上記領域
３３外にある情報１２…は、再生されない。

【０１７２】上記より、レーザビーム８の照射により再
生される情報は、レーザビーム８の照射領域２２内に存
在し、且つ、読み出し層６０１の温度が面内磁化から垂
直磁化へと移行する温度Ｔ₁ 以上になる領域３３内に存
在し、且つ、中間層３がキュリー温度Ｔ₃ 以上になる領
域４４外に存在する情報１３のみである。これにより、
本実施例の光磁気ディスクは、本願発明者等が先に提案
した光磁気記録媒体（特願平４−７４６０５号参照）よ
り更に小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを
分離して再生することが可能であり、記録密度を著しく
向上させることができる。

【０１７３】そして、レーザビーム８が移動して次の記
録ビットを再生する時は、先の再生部位の温度は低下
し、読み出し層６０１は垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
カー効果を示さなくなる。したがって、該温度の低下し
た部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因であ
る隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０１７４】ここで、本実施例をさらに具体的に説明す
る。

【０１７５】ターゲットとして、Ａｌ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｏを備えた実施例１で使用したスパッタリ
ング装置内に、プリグルーブおよびプリピットを有する
パリカーボネート製のディスク基板４を、ターゲットに
対向して配置した。このスパッタリング装置により、実
施例１と同様にして、透明誘電体膜５として膜厚６０ｎ
ｍのＡｌＮ、読み出し層６０１として膜厚５０ｎｍのＧ
ｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72 、中間層５０３３とし
て膜厚５０ｎｍのＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91、記録層２として膜
厚５０ｎｍのＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)_0.77 、透明
誘電体膜６として膜厚５０ｎｍのＡｌＮを順次形成し
た。

【０１７６】上記のＧｄ_0.28 (Ｆｅ_0.8 Ｃｏ_0.2 )_0.72
からなる読み出し層６０１は、室温で面内磁化状態であ
り、６０℃以上の温度で垂直磁化状態に移行（Ｔ₁ ＝６
０℃）し、そのキュリー温度は３５０℃であった。ま
た、上記のＤｙ_0.09Ｆｅ_0.91からなる中間層３は、室温
で面内磁化状態を示し、そのキュリー温度Ｔ₃ は９０℃
であった。また、上記のＤｙ_0.23 (Ｆｅ_0.82Ｃｏ_0.18)
_0.77 からなる記録層２は、ほぼ室温に補償点を有する
垂直磁化膜であり、そのキュリー温度Ｔ₂ は１６０℃で
あった。

【０１７７】この後、上記透明誘電体膜６上に、紫外線
硬化樹脂をスピンコートにより塗布した後、紫外線を照
射し、透明誘電体膜６上にオーバーコート膜７を形成し
た。尚、上記オーバーコート膜７として、熱硬化樹脂を
用いてもよい。

【０１７８】上記のようにして作製した光磁気ディスク
にレーザビーム８を対物レンズ９により集光して照射
し、このレーザビーム８の光磁気ディスクに対する相対
線速度が１０ｍ／ｓとなるように該ディスクを回転させ
た。そして、記録を行うための１０ｍＷのレーザビーム
８を連続照射した状態で、±１５ｋＡ／ｍの変調磁界を
２０ＭＨｚの周波数で変調して光磁気ディスクに印加し
たところ、記録層２に0.５μｍ周期で0.２５μｍの長さ
の反転磁区を形成することができた。

【０１７９】この後、レーザビーム８のパワーを２ｍＷ
にして記録情報の再生を行ったところ、記録層２に形成
された反転磁区にしたがって、周波数２０ＭＨｚの再生
信号を読み出し層６０１から得ることができた。本実施
例では、上記実施例５において再生時に必要であった一
定磁界（外部磁界Ｈ_ex）は不要であった。

【０１８０】〔実施例７〕請求項４の発明の一実施例に
ついて、図９ないし図１３に基づいて説明すれば、以下
の通りである。

【０１８１】本実施例の光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクは、基板７０１、透明誘電体膜７０２、第１磁
性層７０３、第３磁性層７０４、第２磁性層７０５、透
明誘電体膜７０６、オーバーコート膜７０７がこの順に
積層された構成となっており、各磁性層７０３〜７０５
間には交換結合力が作用するようになっている。

【０１８２】上記の基板７０１、透明誘電体膜７０２、
透明誘電体膜７０６およびオーバーコート膜７０７は、
前記実施例１の基板４、透明誘電体膜５、透明誘電体膜
６およびオーバーコート膜７のそれぞれの構成および諸
特性と同じであるので、詳細な説明をここでは省略す
る。

【０１８３】上記第１磁性層７０３は、室温で垂直磁化
状態を示し、キュリー温度Ｔ₇₁まで垂直磁化状態を保持
する垂直磁化膜である。この第１磁性層７０３は、記録
層と再生層との機能を兼ね備えており、そのキュリー温
度Ｔ₇₁は、上記第２磁性層７０５のキュリー温度よりも
高く設定されている。この第１磁性層７０３としては、
例えば、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属を使用す
ることができる。この第１磁性層７０３は、再生層とし
ての機能が重要視されるため、そのキュリー温度Ｔ₇₁が
高く、また、カー回転角Θ_k が大きくなるようなものが
望ましい。本実施例では、第１磁性層７０３として、膜
厚５０ｎｍのＧｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23が使用
される。このＧｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23のキュ
リー温度Ｔ₇₁は３００℃と高く、また、このＧｄ_0.10Ｄ
ｙ_0.13Ｆｅ_0.54Ｃｏ_0.23に、波長８００ｎｍ程度のレー
ザビームを照射した場合のカー回転角Θ_k は、0.４程度
と比較的大きい。したがって、Ｇｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ
_0.54Ｃｏ_0.23は、再生層として優れたものである。

【０１８４】尚、第１磁性層７０３は、上記ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏに限定されるものではなく、それ以外には、例え
ば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、
ＧｄＮｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ／Ｃｏあるいは
Ｐｄ／Ｃｏ等であってもよい。特に、第１磁性層７０３
として、ＧｄＮｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、Ｐｔ／Ｃｏ
あるいはＰｄ／Ｃｏを使用した場合は、短波長の再生光
でより大きな再生性能を得られるので、短波長レーザビ
ームを用いてビーム径をより小さくすることで、より高
い記録密度が実現できるという利点がある。

【０１８５】上記第２磁性層７０５は、室温で垂直磁化
状態を示し、室温からキュリー温度まで垂直磁化状態を
保持する垂直磁化膜である。この第２磁性層７０５は、
記録層としての機能が求められるため、そのキュリー温
度は、３つの磁性層７０３〜７０５の中で最も低く設定
されている。この第２磁性層７０５としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属を使用することができ
る。本実施例では、第２磁性層７０５として、膜厚１０
０ｎｍのＴｂ_0.20Ｆｅ_0.75Ｃｏ_0.05が使用される。この
Ｔｂ_0.20Ｆｅ_0.75Ｃｏ_0.05のキュリー温度は１５０℃と
比較的低く、記録層として優れている。

【０１８６】尚、第２磁性層７０５は、上記ＴｂＦｅＣ
ｏに限定されるものではなく、それ以外には、例えば、
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ等で
あってもよい。

【０１８７】ここで、図１１に、Ｇｄ_0.10Ｄｙ_0.13Ｆｅ
_0.54Ｃｏ_0.23からなる第１磁性層７０３と、Ｔｂ_0.20Ｆ
ｅ_0.75Ｃｏ_0.05からなる第２磁性層７０５との保磁力の
温度依存性を示す。

【０１８８】本実施例の場合、記録時に、光磁気ディス
クに外部磁界が印加されるが、同図に示すように、この
外部磁界の大きさを２０００ｅに設定しているので、第
２磁性層７０５が磁化反転を生じる温度（以下、第２磁
性層磁化反転温度と称する）Ｔ₇₂、即ち、第２磁性層７
０５の保磁力が外部磁界の大きさ（２０００ｅ）より小
さくなる温度は、約１４５℃に相当する。

【０１８９】上記第３磁性層７０４は、上記の第１磁性
層７０３と第２磁性層７０５との交換結合を仲介する中
間層の役目を担うものであり、室温で面内磁化状態を示
し、上記の第２磁性層磁化反転温度Ｔ₇₂より高い温度で
垂直磁化状態を示すように設定されている。この第３磁
性層７０４としては、例えば、ＧｄＦｅＣｏ等の希土類
遷移金属を使用することができる。本実施例では、第３
磁性層７０４として、膜厚４０ｎｍのＧｄ_0.23Ｆｅ_0.46
Ｃｏ_0.31が使用される。このＧｄ_0.23Ｆｅ_0.46Ｃｏ_0.31
は、室温では面内磁化状態を示し、垂直磁化に移行する
温度Ｔ₇₃が約１７０℃（＞Ｔ₇₂≒１４５℃）であり、キ
ュリー温度３００℃まで垂直磁化状態を保持するもので
ある。

【０１９０】また、本実施例では、透明誘電体膜５とし
て膜厚８０ｎｍのＡｌＮ、透明誘電体膜６として膜厚５
０ｎｍのＡｌＮ、オーバーコート膜７として紫外線硬化
性樹脂膜が用いられている。

【０１９１】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する情報の記録は、該光磁気ディスクへ２０００ｅの大
きさの外部磁界を印加すると共に、高いパワーのレーザ
ビーム８を対物レンズ９により集光して光磁気ディスク
へ照射し、第２磁性層７０５の温度をキュリー温度の近
傍まで上昇させることにより行われる。

【０１９２】ここで、図１０に、トラック内に形成され
た情報ビット７２１…と、レーザビーム８の照射によっ
て第２磁性層磁化反転温度Ｔ₇₂以上となり、第２磁性層
７０５が磁化反転を生じる領域（以下、第２磁性層磁化
反転領域と称する）７２２と、第３磁性層７０４が面内
磁化から垂直磁化に移行する温度Ｔ₇₃以上となり、第３
磁性層７０４が垂直磁化を呈する領域（以下、第３磁性
層垂直磁化領域と称する）７２３との相対関係を示す。
尚、ここでは、実際に記録が行われているトラックに隣
接した両トラック内には、既に情報が記録されているも
のとし、既に記録された情報は、黒く塗り潰したビット
パターンとして表示している。また、光磁気ディスクは
レーザビーム８に対して、矢印Ｒで示す方向に移動して
いる。

【０１９３】上記外部磁界の存在下でのレーザビーム８
の照射により、上記第２磁性層磁化反転領域７２２にお
いて、第２磁性層７０５の磁化反転が生じ、第２磁性層
７０５上に記録ビットが形成されることになる。

【０１９４】そして、上記第２磁性層７０５上に形成さ
れた記録ビットは、第３磁性層７０４を介した交換結合
によって、最終的には第１磁性層７０３に磁気転写記憶
されることになる。この場合、実際に第２磁性層７０５
と第１磁性層７０３との間で磁気転写が行われるのは、
第３磁性層７０４が垂直磁化を示している領域だけに限
定されることになる。即ち、第３磁性層７０４が面内磁
化状態の場合、第１磁性層７０３と第２磁性層７０５と
の間に作用する交換結合力が非常に弱くなり、第２磁性
層７０５の磁化状態は第１磁性層には転写されないので
ある。

【０１９５】ここで、第３磁性層７０４が面内磁化から
垂直磁化に移行する温度Ｔ₇₃は、第２磁性層磁化反転温
度Ｔ₇₂より高く設定されており、上記第３磁性層垂直磁
化領域７２３は、上記第２磁性層磁化反転領域７２２よ
りも小さいため、結果的に第１磁性層７０３には第２磁
性層７０５に形成された記録ビットと比べて相対的に小
さな記録ビットが形成されることになる。

【０１９６】ところで、同図に示すように、記録時にお
ける横方向およびトラック方向の熱拡散の影響で、記録
層である第２磁性層７０５の磁化反転領域７２２は、既
に記録済みの隣接トラックや直前に記録したビットにま
でおよび、第２磁性層７０５における既記録部の磁化状
態を乱してしまうことになる。

【０１９７】しかしながら、第２磁性層７０５における
磁化状態に乱れが生じている部分は、第３磁性層７０４
の面内磁化によってマスキングされ、第１磁性層７０３
に磁気転写されない。即ち、本実施例の光磁気ディスク
では、上記第２磁性層７０５において生じる熱干渉によ
る影響が、最終的に情報を記録する第１磁性層７０３に
まで及ばないような構成になっており、第１磁性層７０
３に既に記録されている情報の乱れは殆ど生じない。し
たがって、上記光磁気ディスクの第１磁性層７０３に
は、信頼性の高い高密度のビット情報が記録されること
になる。

【０１９８】次に、本実施例の光磁気ディスクと、本実
施例の光磁気ディスクから第３磁性層７０４を省いた光
磁気ディスクとに、下表１に示す条件で情報を記録し
た。そして、下表１に示す条件でそれぞれの光磁気ディ
スクに記録された情報の再生を行ったときのトラックピ
ッチに対する再生信号のＣ／Ｎの変化を、図１２に示
す。尚、同図中において、本実施例の光磁気ディスクを
用いた場合を実線で、また、第３磁性層７０４がない従
来型の光磁気ディスクを用いた場合を点線で示してい
る。

【０１９９】

【表１】

【０２００】同図から明らかなように、トラックピッチ
を狭くして高密度化を図るにつれて、第３磁性層７０４
のない従来型（交換結合２層膜構造）の光磁気ディスク
の場合は、記録時の隣接トラック間クロストークの影響
で、再生信号のＣ／Ｎの劣化が顕著である。これに対
し、本実施例の交換結合３層膜構造の光磁気ディスクの
場合は、記録時の隣接トラック間クロストークが抑えら
れ、高密度になっても再生信号のＣ／Ｎの劣化は僅かで
ある。

【０２０１】したがって、本実施例の光磁気ディスクを
用いることにより、装置システム側の負荷を増大させる
ことなく、記録密度を向上させることができる。

【０２０２】また、本実施例の第１〜第３磁性層７０３
〜７０５を記録層としてのみ用い、図１３に示すよう
に、第１磁性層７０３上に前記実施例１〜６に用いた中
間層および読み出し層をこの順に積層し、交換結合５層
膜構造とすることができる。即ち、本実施例の交換結合
３層膜において実際に高密度の情報を記憶するのは、第
１磁性層７０３であるので、第１磁性層７０３を読み出
し層として使用せずに記録層としてのみ機能させ、この
第１磁性層７０３を前記実施例１〜６に示した記録層２
として用いるわけである。このような交換結合５層膜を
用いた光磁気記録媒体は、前記実施例１〜６に示したよ
うに再生時の分解能の向上が図れるという効果と共に、
記録時の隣接記録ビットへの熱干渉による悪影響をも回
避できるという効果を併せて奏するものとなり、情報の
高密度記録を実現できるものとなり得る。

【０２０３】尚、上記各実施例では、光磁気記録媒体と
して光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カー
ド等にも適用できる。

【０２０４】また、発明の詳細な説明の項においてなし
た具体的な実施態様、又は実施例は、あくまでも本発明
の技術内容を明らかにするものであって、そのような具
体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではな
く、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろ
いろと変更して実施することができるものである。

【０２０５】

【発明の効果】請求項１の発明の光磁気記録媒体は、以
上のように、室温において面内磁化状態を示す一方、温
度Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、
室温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温
度Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層と、上記読み
出し層と記録層との間に設けられ、室温において垂直磁
化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで垂直磁化
状態を保持する中間層とを有し、上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、
Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている構成である。

【０２０６】それゆえ、記録層に記録されたビットの中
で光ビームの照射により再生される記録ビットは、光ビ
ームの照射領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₁ 以上の領域
内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域外に存在する記
録ビットのみである。このように、上記光磁気記録媒体
は、光ビームの照射領域よりも非常に小さな記録ビット
の再生が行えるので、記録密度を著しく向上させること
ができるという効果を奏する。

【０２０７】請求項２の発明の光磁気記録媒体は、以上
のように、室温において面内磁化状態を示す一方、温度
Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、室
温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度
Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層と、上記読み出
し層と記録層との間に設けられ、室温において垂直磁化
状態を示す一方、温度Ｔ₂ 以上で面内磁化状態へと移行
する中間層とを有し、上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている構成である。

【０２０８】それゆえ、記録層に記録されたビットの中
で光ビームの照射により再生される記録ビットは、光ビ
ームの照射領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₁ 以上の領域
内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域外に存在する記
録ビットのみである。このように、上記光磁気記録媒体
は、光ビームの照射領域よりも非常に小さな記録ビット
の再生が行えるので、記録密度を著しく向上させること
ができるという効果を奏する。

【０２０９】請求項３の発明の光磁気記録媒体は、以上
のように、室温において面内磁化状態を示す一方、温度
Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、室
温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度
Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層と、上記読み出
し層と記録層との間に設けられ、室温において面内磁化
状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで面内磁化状
態を保持する中間層とを有し、上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ
₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしている構成である。

【０２１０】それゆえ、記録層に記録されたビットの中
で光ビームの照射により再生される記録ビットは、光ビ
ームの照射領域内に存在し、且つ、温度Ｔ₁ 以上の領域
内に存在し、且つ、温度Ｔ₃ 以上の領域外に存在する記
録ビットのみである。このように、上記光磁気記録媒体
は、光ビームの照射領域よりも非常に小さな記録ビット
の再生が行えるので、記録密度を著しく向上させること
ができるという効果を奏する。

【０２１１】請求項４の発明の光磁気記録媒体は、以上
のように、室温において垂直磁化状態を示し、室温から
キュリー温度まで垂直磁化状態を保持する第１磁性層
と、上記第１磁性層に比べて相対的に低いキュリー温度
を有するものであり、室温において垂直磁化状態を示
し、室温からキュリー温度まで垂直磁化状態を保持する
第２磁性層と、上記第１磁性層と第２磁性層との間に設
けられ、室温において面内磁化状態を示す一方、上記第
２磁性層の磁化の向きが外部磁界の存在下での光ビーム
の照射によって反転する温度より高い温度で、垂直磁化
状態へと移行する第３磁性層とを有している構成であ
る。

【０２１２】それゆえ、外部磁界の存在下での光ビーム
の照射によって、第２磁性層に形成された記録ビット
は、第３磁性層の垂直磁化を介した交換結合によって、
最終的には第１磁性層に磁気転写記憶されることにな
る。この場合、熱拡散の影響で、隣接トラックや同一ト
ラック内の近接ビットへの熱干渉が生じ、第２磁性層に
既に記録されているビットの磁化状態に乱れが生じる
が、第２磁性層における磁化状態に乱れが生じている部
分は、第３磁性層の面内磁化によってマスキングされ、
第１磁性層に磁気転写されることはない。したがって、
上記光磁気記録媒体は、トラックピッチを狭くしたり、
記録ビット周期を短くしても、記録時の隣接記録ビット
への熱干渉による悪影響を回避することができ、記録密
度を著しく向上させることができるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１の発明の一実施例を示すものであり、
レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性層の
磁化状態を示す説明図である。

【図２】請求項１の発明の他の実施例を示すものであ
り、レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性
層の磁化状態を示す説明図である。

【図３】請求項２の発明の一実施例を示すものであり、
レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性層の
磁化状態を示す説明図である。

【図４】請求項２の発明の他の実施例を示すものであ
り、レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性
層の磁化状態を示す説明図である。

【図５】請求項３の発明の一実施例を示すものであり、
レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性層の
磁化状態を示す説明図である。

【図６】請求項３の発明の他の実施例を示すものであ
り、レーザビームが照射された光磁気ディスクの各磁性
層の磁化状態を示す説明図である。

【図７】図１ないし図６の光磁気ディスクの構成を示す
説明図である。

【図８】図１ないし図６の光磁気ディスクの各磁性層の
保持力の温度依存性を示す説明図である。

【図９】請求項４の発明の一実施例を示すものであり、
光磁気ディスクの構成を示す説明図である。

【図１０】上記光磁気ディスクに形成された情報ビット
パターンと、レーザビームの照射により第２磁性層が磁
化反転を生じる領域と、第３磁性層が垂直磁化を呈する
領域との相対関係を示す説明図である。

【図１１】上記光磁気ディスクの第１磁性層および第２
磁性層の保持力の温度依存性を示す説明図である。

【図１２】上記光磁気ディスク、および、上記光磁気デ
ィスクから第３磁性層のみを省いた光磁気ディスクのト
ラックピッチに対する再生信号のＣ／Ｎの変化を示す説
明図である。

【図１３】上記光磁気ディスクの第１ないし第３磁性層
上に、さらに図１ないし図６の光磁気ディスクの中間層
および読み出し層を積層した構成を示す説明図である。

【図１４】特願平４−７４６０５号の光磁気記録媒体に
レーザビームが照射された場合の各磁性層の磁化状態を
示す説明図である。

【図１５】高密度記録された上記光磁気記録媒体にレー
ザビームが照射された場合の各磁性層の磁化状態を示す
説明図である。

【符号の説明】

１・２０１・４０１・６０１ 読み出し層 ２ 記録層 ３・３０３・５０３ 中間層 ４ 基板 ５・６ 透明誘電体膜 ８ レーザビーム（光ビー
ム） ７０１ 基板 ７０２・７０６ 透明誘電体膜 ７０３ 第１磁性層 ７０４ 第３磁性層 ７０５ 第２磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】室温において面内磁化状態を示す一方、温
   度Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、 室温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温
   度Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層とを有する光
   磁気記録媒体において、 上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温におい
   て垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで
   垂直磁化状態を保持する中間層を有し、 上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしていることを特徴とする光磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】室温において面内磁化状態を示す一方、温
   度Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、 室温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温
   度Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層とを有する光
   磁気記録媒体において、 上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温におい
   て垂直磁化状態を示す一方、温度Ｔ₂ 以上で面内磁化状
   態へと移行する中間層を有し、 上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしていることを特徴とする光磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】室温において面内磁化状態を示す一方、温
   度Ｔ₁ 以上で垂直磁化状態へと移行する読み出し層と、 室温において垂直磁化状態を示し、室温からキュリー温
   度Ｔ₂ まで垂直磁化状態を保持する記録層とを有する光
   磁気記録媒体において、 上記読み出し層と記録層との間に設けられ、室温におい
   て面内磁化状態を示し、室温からキュリー温度Ｔ₃ まで
   面内磁化状態を保持する中間層を有し、 上記温度Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ は、 Ｔ₁ ＜Ｔ₃ ＜Ｔ₂ の関係を満たしていることを特徴とする光磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】室温において垂直磁化状態を示し、室温か
   らキュリー温度まで垂直磁化状態を保持する第１磁性層
   と、 上記第１磁性層に比べて相対的に低いキュリー温度を有
   するものであり、室温において垂直磁化状態を示し、室
   温からキュリー温度まで垂直磁化状態を保持する第２磁
   性層と、 上記第１磁性層と第２磁性層との間に設けられ、室温に
   おいて面内磁化状態を示す一方、上記第２磁性層の磁化
   の向きが外部磁界の存在下での光ビームの照射によって
   反転する温度より高い温度で、垂直磁化状態へと移行す
   る第３磁性層とを有していることを特徴とする光磁気記
   録媒体。