JP3111479B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に係わ
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光照射による局部的加熱によって
情報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報
を光磁気相互作用即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す光磁気記録再生方法を採る場合、その光
磁気記録の記録密度を上げるには、その記録ピットの微
小化をはかることになるが、この場合その再生時の解像
度（分解能）が問題となって来る。この解像度は、再生
時のレーザ波長λ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．によっ
て決定される。
情報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報
を光磁気相互作用即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す光磁気記録再生方法を採る場合、その光
磁気記録の記録密度を上げるには、その記録ピットの微
小化をはかることになるが、この場合その再生時の解像
度（分解能）が問題となって来る。この解像度は、再生
時のレーザ波長λ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．によっ
て決定される。
【０００３】通常一般の光磁気記録再生方式を図８を参
照して説明する。図８Ａは記録パターンの模式的上面図
を示すもので、例えば両側が溝即ちグルーブ１によって
挟まれたランド部２に、斜線を付して示す記録ピット４
が、例えば２値情報“０”，“１”に応じて記録された
光磁気記録媒体３例えば光磁気ディスクについて、その
再生方法を説明する。いま読み出しレーザ光の光磁気記
録媒体３上でのビームスポットが符号５で示す円形スポ
ットである場合について見る。このとき、図８Ａに示す
ように１つのビームスポット５内に１個の記録ピット４
しか存在することができないようにピット間隔の選定が
なされている場合は、図８Ｂ或いは図８Ｃに示すよう
に、スポット５内に記録ピット４があるかないかの２態
様をとることになる。したがって記録ピット４が等間隔
に配列されている場合は、その出力波形は例えば図８Ｄ
に示すように、基準レベル０に対して正負に反転する例
えば正弦波出力となる。
照して説明する。図８Ａは記録パターンの模式的上面図
を示すもので、例えば両側が溝即ちグルーブ１によって
挟まれたランド部２に、斜線を付して示す記録ピット４
が、例えば２値情報“０”，“１”に応じて記録された
光磁気記録媒体３例えば光磁気ディスクについて、その
再生方法を説明する。いま読み出しレーザ光の光磁気記
録媒体３上でのビームスポットが符号５で示す円形スポ
ットである場合について見る。このとき、図８Ａに示す
ように１つのビームスポット５内に１個の記録ピット４
しか存在することができないようにピット間隔の選定が
なされている場合は、図８Ｂ或いは図８Ｃに示すよう
に、スポット５内に記録ピット４があるかないかの２態
様をとることになる。したがって記録ピット４が等間隔
に配列されている場合は、その出力波形は例えば図８Ｄ
に示すように、基準レベル０に対して正負に反転する例
えば正弦波出力となる。
【０００４】ところが、図９Ａに記録パターンの模式的
上面図を示すように、記録ピット４が高密度に配列され
ている場合はビームスポット５内に複数の記録ピット４
が入り込んでくる。いま例えば隣り合う３つの記録ピッ
ト４ａ，４ｂ，４ｃについて見ると、図９Ｂ及び図９Ｃ
に示すように、１つのビームスポット５に隣り合う記録
ピット４ａと４ｂが入り込んで来る場合と、記録ピット
４ｂと４ｃが入り込んで来る場合とで、再生出力に変化
が生じないため、その再生出力波形は図９Ｄに示すよう
に、例えば直線的になって、両者の識別ができない。
上面図を示すように、記録ピット４が高密度に配列され
ている場合はビームスポット５内に複数の記録ピット４
が入り込んでくる。いま例えば隣り合う３つの記録ピッ
ト４ａ，４ｂ，４ｃについて見ると、図９Ｂ及び図９Ｃ
に示すように、１つのビームスポット５に隣り合う記録
ピット４ａと４ｂが入り込んで来る場合と、記録ピット
４ｂと４ｃが入り込んで来る場合とで、再生出力に変化
が生じないため、その再生出力波形は図９Ｄに示すよう
に、例えば直線的になって、両者の識別ができない。
【０００５】このように、従来一般の光磁気記録再生方
式では、光磁気記録媒体３上に記録された記録ピット４
をそのままの状態で読み出すことから、高密度記録、即
ち高密度記録ピットの形成が可能であったとしても、そ
の再生時の解像度の制約から高い、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が
得られないという問題が生じ、十分な高密度記録再生が
できない。
式では、光磁気記録媒体３上に記録された記録ピット４
をそのままの状態で読み出すことから、高密度記録、即
ち高密度記録ピットの形成が可能であったとしても、そ
の再生時の解像度の制約から高い、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が
得られないという問題が生じ、十分な高密度記録再生が
できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＳ／Ｎ（Ｃ
／Ｎ）の問題を解決するには、再生時の解像度（分解
能）の改善をはかることが必要となるが、この分解能は
レーザ波長λ、レンズの開口数Ｎ．Ａ．等によって制約
されるという問題がある。このような問題点の解決をは
かるものとして、本出願人は先に超解像度（超分解能）
光磁気記録再生方式（以下ＭＳＲという）の提案をした
（例えば特願平１−２２５６８５号出願「光磁気記録再
生方法」、特願平１−２２９３９５「光磁気記録媒体に
おける信号再生方法」）。
／Ｎ）の問題を解決するには、再生時の解像度（分解
能）の改善をはかることが必要となるが、この分解能は
レーザ波長λ、レンズの開口数Ｎ．Ａ．等によって制約
されるという問題がある。このような問題点の解決をは
かるものとして、本出願人は先に超解像度（超分解能）
光磁気記録再生方式（以下ＭＳＲという）の提案をした
（例えば特願平１−２２５６８５号出願「光磁気記録再
生方法」、特願平１−２２９３９５「光磁気記録媒体に
おける信号再生方法」）。
【０００７】このＭＳＲについて説明すると、このＭＳ
Ｒでは、光磁気記録媒体と再生用ビームスポット５との
相対的移動による温度分布を利用して光磁気記録媒体の
記録ピット４を、再生時においては、所定の温度領域に
おいてのみ発生させるようにして結果的に再生の高解像
度化をはかるものである。
Ｒでは、光磁気記録媒体と再生用ビームスポット５との
相対的移動による温度分布を利用して光磁気記録媒体の
記録ピット４を、再生時においては、所定の温度領域に
おいてのみ発生させるようにして結果的に再生の高解像
度化をはかるものである。
【０００８】このＭＳＲ方式の例としては、いわゆる浮
出し型の再生方式と、消滅型の再生方式とが考えられ
る。
出し型の再生方式と、消滅型の再生方式とが考えられ
る。
【０００９】先ず浮出し型ＭＳＲ方式について図１０を
参照して説明する。図１０Ａは光磁気記録媒体１０の記
録パターンを示す模式的上面図で、図１０Ｂはその磁化
態様を示す模式的断面図である。この場合図１０Ａに示
すように、レーザビームによるビームスポット５に対し
て光磁気記録媒体１０が矢印Ｄで示す方向に相対的に移
動するようになされている。この場合、例えば図１０Ｂ
に示すように、少なくとも垂直磁化膜より成る再生層１
１と、記録層１３とを有し、更に望ましくは両層１１及
び１３間に介在される中間層１２とを有して成る光磁気
記録媒体１０例えば光磁気ディスクが用いられる。図中
各層１１，１２，１３中の矢印は、その磁気モーメント
の向きを模式的に示したもので、図示の例では下向きが
初期化状態で、これに図において上向きの磁化による磁
区をもって少なくとも記録層１３に情報記録ピット４が
形成される。
参照して説明する。図１０Ａは光磁気記録媒体１０の記
録パターンを示す模式的上面図で、図１０Ｂはその磁化
態様を示す模式的断面図である。この場合図１０Ａに示
すように、レーザビームによるビームスポット５に対し
て光磁気記録媒体１０が矢印Ｄで示す方向に相対的に移
動するようになされている。この場合、例えば図１０Ｂ
に示すように、少なくとも垂直磁化膜より成る再生層１
１と、記録層１３とを有し、更に望ましくは両層１１及
び１３間に介在される中間層１２とを有して成る光磁気
記録媒体１０例えば光磁気ディスクが用いられる。図中
各層１１，１２，１３中の矢印は、その磁気モーメント
の向きを模式的に示したもので、図示の例では下向きが
初期化状態で、これに図において上向きの磁化による磁
区をもって少なくとも記録層１３に情報記録ピット４が
形成される。
【００１０】このような光磁気記録媒体１０において、
その再生態様を説明すると、先ず外部から初期化磁界Ｈ
ｉを印加して、再生層１１を図１０Ｂにおいて下向きに
磁化して初期化する。即ち、再生層１１において、記録
ピット４が消滅するが、このとき記録ピット４を有する
部分において、再生層１１と記録層１３との磁化の向き
が中間層１２に生じた磁壁によって逆向きに保持される
ようになされていて、記録ピット４は、潜像記録ピット
４１として残る。
その再生態様を説明すると、先ず外部から初期化磁界Ｈ
ｉを印加して、再生層１１を図１０Ｂにおいて下向きに
磁化して初期化する。即ち、再生層１１において、記録
ピット４が消滅するが、このとき記録ピット４を有する
部分において、再生層１１と記録層１３との磁化の向き
が中間層１２に生じた磁壁によって逆向きに保持される
ようになされていて、記録ピット４は、潜像記録ピット
４１として残る。
【００１１】一方光磁気記録媒体１０には初期化磁界Ｈ
ｉとは逆向きの再生磁界Ｈｒを少なくともその再生部で
与える。この状態で媒体１０の移動に伴って初期化され
た潜像記録ピット４１を有する領域がビームスポット５
下に入り、ビーム照射により昇温された部分がビームス
ポット５下の先端側、図８において左側へと移行して来
るとスポット５の先端側に、破線ａで囲んで斜線を付し
て示すように、実質的に高温領域１４が生じ、この領域
１４では中間層１２の磁壁が消滅し、交換力で記録層１
３の磁化が再生層１１に転写され、記録層１３に存在し
ていた潜像記録ピット４１が再生層１１に再生し得る記
録ピット４として浮き出される。
ｉとは逆向きの再生磁界Ｈｒを少なくともその再生部で
与える。この状態で媒体１０の移動に伴って初期化され
た潜像記録ピット４１を有する領域がビームスポット５
下に入り、ビーム照射により昇温された部分がビームス
ポット５下の先端側、図８において左側へと移行して来
るとスポット５の先端側に、破線ａで囲んで斜線を付し
て示すように、実質的に高温領域１４が生じ、この領域
１４では中間層１２の磁壁が消滅し、交換力で記録層１
３の磁化が再生層１１に転写され、記録層１３に存在し
ていた潜像記録ピット４１が再生層１１に再生し得る記
録ピット４として浮き出される。
【００１２】従ってこの再生層１１における磁化の向き
によるカー効果或いはファラデー効果によるビームスポ
ット５の偏光面の回転を検出すれば、この記録ピット４
を読み出すことができる。そしてこのときビームスポッ
ト５内の高温領域１４以外の低温領域１５においては、
潜像記録ピット４１が再生層１１に浮き出されず、結局
ビームスポット５内では斜線を付して示した幅狭の高温
領域１４においてのみ読み出し可能な記録ピット４が存
在することになって、結果的にビームスポット５内に複
数の記録ピット４が入り込むような記録密度とされた場
合においても、即ち高密度記録の光磁気記録媒体１０に
おいても単一の記録ピット４のみを読み出すことがで
き、高解像度再生を行うことができる。
によるカー効果或いはファラデー効果によるビームスポ
ット５の偏光面の回転を検出すれば、この記録ピット４
を読み出すことができる。そしてこのときビームスポッ
ト５内の高温領域１４以外の低温領域１５においては、
潜像記録ピット４１が再生層１１に浮き出されず、結局
ビームスポット５内では斜線を付して示した幅狭の高温
領域１４においてのみ読み出し可能な記録ピット４が存
在することになって、結果的にビームスポット５内に複
数の記録ピット４が入り込むような記録密度とされた場
合においても、即ち高密度記録の光磁気記録媒体１０に
おいても単一の記録ピット４のみを読み出すことがで
き、高解像度再生を行うことができる。
【００１３】このような再生を行うために、初期化磁界
Ｈｉ、再生磁界Ｈｒ、各磁性層の保磁力、厚さ、磁化、
磁壁エネルギー等が、ビームスポット５内の高温領域１
４及び低温領域１５の温度に応じて選定される。即ち、
再生層１１及び記録層１３の保磁力をＨC1，及びＨC3、
厚さをｈ1 ，及びｈ3 、飽和磁化ＭS をＭS1及びＭS3と
すると、再生層１１のみを初期化する条件としては、下
記数１となる。
Ｈｉ、再生磁界Ｈｒ、各磁性層の保磁力、厚さ、磁化、
磁壁エネルギー等が、ビームスポット５内の高温領域１
４及び低温領域１５の温度に応じて選定される。即ち、
再生層１１及び記録層１３の保磁力をＨC1，及びＨC3、
厚さをｈ1 ，及びｈ3 、飽和磁化ＭS をＭS1及びＭS3と
すると、再生層１１のみを初期化する条件としては、下
記数１となる。
【００１４】
【数１】Ｈｉ＞Ｈc1＋σw2／２Ｍs1ｈ1
【００１５】ここにσw2は、再生層１１及び記録層１３
間の界面磁壁エネルギーを示す。
間の界面磁壁エネルギーを示す。
【００１６】またその磁界で記録層１３の情報が維持さ
れるための条件は数２となる。
れるための条件は数２となる。
【数２】Ｈｉ＜Ｈc3−σw2／２Ｍs3ｈ3
【００１７】また初期化磁界Ｈｉ下を通過して後も再生
層１１と記録層１３間の中間層１２による磁壁が維持さ
れるためには、下記数３の条件が必要となる。
層１１と記録層１３間の中間層１２による磁壁が維持さ
れるためには、下記数３の条件が必要となる。
【数３】Ｈc1＞σw2／２Ｍs1ｈ1
【００１８】そして高温領域１４内で選定される温度Ｔ
H において、下記数４の条件が必要となる。
H において、下記数４の条件が必要となる。
【数４】 Ｈc1−σw2／２Ｍs1ｈ1 ＜Ｈr ＜Ｈc1＋σw2／２Ｍs1ｈ1
【００１９】このような数４が成り立つ再生磁界Ｈｒを
印加することよって、中間層１２による磁壁が存在する
部分のみに再生層１１に記録層１３の潜像記録ピット４
１の磁化を転写即ち記録ピット４として浮き出させるこ
とができる。
印加することよって、中間層１２による磁壁が存在する
部分のみに再生層１１に記録層１３の潜像記録ピット４
１の磁化を転写即ち記録ピット４として浮き出させるこ
とができる。
【００２０】上述したＭＳＲ方式に用いた磁気記録媒体
１０としては、再生層１１と中間層１２と記録層１３の
３層構造を採る場合について説明したが、図１１にその
模式的断面図を示すように再生層１１の中間層１２側に
再生補助層３１が設けられた４層構造とすることもでき
る。
１０としては、再生層１１と中間層１２と記録層１３の
３層構造を採る場合について説明したが、図１１にその
模式的断面図を示すように再生層１１の中間層１２側に
再生補助層３１が設けられた４層構造とすることもでき
る。
【００２１】この再生補助層３１は、再生層１１の特性
を補助するためのものであって、これによって再生層１
１の室温での保磁力を補償し、初期化磁界Ｈｉによって
揃えられた再生層１１の磁化が、磁壁の存在によっても
安定に存在し、また再生温度近傍では保磁力が急激に減
少するようにして中間層１２に閉じ込められていた磁壁
が再生補助層３１に広がり、最終的に再生層１１を反転
させ磁壁を消滅させて記録ピットの浮出しが良好に行わ
れるようにする。
を補助するためのものであって、これによって再生層１
１の室温での保磁力を補償し、初期化磁界Ｈｉによって
揃えられた再生層１１の磁化が、磁壁の存在によっても
安定に存在し、また再生温度近傍では保磁力が急激に減
少するようにして中間層１２に閉じ込められていた磁壁
が再生補助層３１に広がり、最終的に再生層１１を反転
させ磁壁を消滅させて記録ピットの浮出しが良好に行わ
れるようにする。
【００２２】そして、このように再生補助層３１を有す
る４層構造を採るときは、再生層１１の保磁力ＨC1は、
次の数５によるＨCAに置き換えられ、σW2／ＭS1ｈ1 は
σW2／（ＭS1ｈ1 ＋ＭS1S ｈ1s）に置き換えられる。
る４層構造を採るときは、再生層１１の保磁力ＨC1は、
次の数５によるＨCAに置き換えられ、σW2／ＭS1ｈ1 は
σW2／（ＭS1ｈ1 ＋ＭS1S ｈ1s）に置き換えられる。
【００２３】
【数５】 ＨCA＝（ＭS1ｈ1ＨC1＋ＭS1Sｈ1SＨC1S）／（ＭS1ｈ1＋ＭS1Sｈ1S） （但し上述の浮出し型ＭＳＲではＨC1＜ＨCA＜ＨC1S） ここに、ＭS1S 、ＨC1S 、ｈ1Sはそれぞれ再生補助層３
１の磁化、保磁力、厚さを表わす。
１の磁化、保磁力、厚さを表わす。
【００２４】次に消滅型のＭＳＲについて図１２を参照
して説明する。図１２Ａは光磁気記録媒体１０の記録パ
ターンを示す模式的上面図で、図１２Ｂはその磁化態様
を示す模式的断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂにお
いて、図１０Ａ及び図１０Ｂに対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。この場合においては初
期化磁界Ｈｉを必要としないものである。
して説明する。図１２Ａは光磁気記録媒体１０の記録パ
ターンを示す模式的上面図で、図１２Ｂはその磁化態様
を示す模式的断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂにお
いて、図１０Ａ及び図１０Ｂに対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。この場合においては初
期化磁界Ｈｉを必要としないものである。
【００２５】このような光磁気記録媒体１０において、
その再生態様を説明すると、この場合高温領域１４にお
いて下記数６が成り立つようにして、これによって、レ
ーザビームスポット５内においても、高温領域１４にお
いては外部から印加する再生磁界Ｈｒによって図におい
て下向きに磁化がそろえられて再生層１１における記録
ピット４が消滅するようにする。つまり、この消滅型Ｍ
ＳＲ方式では、ビームスポット５の低温領域１５内の記
録ピット４についてのみの再生を行うことができるよう
にして解像度の向上をはかる。
その再生態様を説明すると、この場合高温領域１４にお
いて下記数６が成り立つようにして、これによって、レ
ーザビームスポット５内においても、高温領域１４にお
いては外部から印加する再生磁界Ｈｒによって図におい
て下向きに磁化がそろえられて再生層１１における記録
ピット４が消滅するようにする。つまり、この消滅型Ｍ
ＳＲ方式では、ビームスポット５の低温領域１５内の記
録ピット４についてのみの再生を行うことができるよう
にして解像度の向上をはかる。
【００２６】
【数６】Ｈｒ＞ＨC1＋σW2／２ＭS1ｈ1
【００２７】しかしながらこの場合、消滅状態において
も記録層１３においては記録ピット４が潜像記録ピット
４１として残存するように、その保磁力等の諸条件を設
定し、室温では、再生層１１に、記録層１３の磁化、即
ち情報ピット４が転写して再生可能な状態で保持される
ようになされる。
も記録層１３においては記録ピット４が潜像記録ピット
４１として残存するように、その保磁力等の諸条件を設
定し、室温では、再生層１１に、記録層１３の磁化、即
ち情報ピット４が転写して再生可能な状態で保持される
ようになされる。
【００２８】上述の浮出し型及び消滅型のＭＳＲ方式に
よれば、その再生レーザービームスポットの一部の領域
における記録ピットを再生するようにしたので、再生時
の解像度の向上がはかられる。
よれば、その再生レーザービームスポットの一部の領域
における記録ピットを再生するようにしたので、再生時
の解像度の向上がはかられる。
【００２９】
【００３０】
【００３１】このようにＭＳＲの各方式によれば、超解
像度再生を、波長λ及び対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．に
制約されずに行うことができる。
像度再生を、波長λ及び対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．に
制約されずに行うことができる。
【００３２】したがって、このＭＳＲ方式によるとき
は、読み出し光としては、短波長化に捉らわれずに磁気
光学効果、光吸収による温度上昇、光検出部の感度等を
考慮した波長に選定することができる。
は、読み出し光としては、短波長化に捉らわれずに磁気
光学効果、光吸収による温度上昇、光検出部の感度等を
考慮した波長に選定することができる。
【００３３】云い換えれば、読み出し光として例えばそ
の波長が比較的長い半導体レーザ光（７８０ｎｍ）を用
いても、高い再生解像度を得ることができることにな
る。
の波長が比較的長い半導体レーザ光（７８０ｎｍ）を用
いても、高い再生解像度を得ることができることにな
る。
【００３４】本発明が解決しようとする課題は、上述し
た浮出し型ＭＳＲ方式、或いは浮出し型と消滅型の組合
のＭＳＲ方式、特に０．４μｍ長のピットで４０ｄＢ程
度以上の高いＣ／Ｎを示す再生を確実かつ安定に行うこ
とのできる光磁気記録媒体を提供することである。
た浮出し型ＭＳＲ方式、或いは浮出し型と消滅型の組合
のＭＳＲ方式、特に０．４μｍ長のピットで４０ｄＢ程
度以上の高いＣ／Ｎを示す再生を確実かつ安定に行うこ
とのできる光磁気記録媒体を提供することである。
【００３５】
【課題を解決するための手段】 本発明による光磁気記録
媒体は、 図１にその一例の略線的断面図を示すように、
少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これら間に介
在する再生補助層３１と中間層１２とが隣り合う層相互
が磁気的に結合するように積層され、再生層１１の磁化
状態を読み出し光の光の照射の下で変化させ乍ら記録信
号を読み出す光磁気記録媒体であって、その再生層１
１、記録層１３及び再生補助層３１の各飽和磁化を、そ
れぞれＭS1 、ＭS3 及びＭ S1S とし、その再生層及び記録
層の保磁力をそれぞれＨc1及びＨc3とする。
媒体は、 図１にその一例の略線的断面図を示すように、
少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これら間に介
在する再生補助層３１と中間層１２とが隣り合う層相互
が磁気的に結合するように積層され、再生層１１の磁化
状態を読み出し光の光の照射の下で変化させ乍ら記録信
号を読み出す光磁気記録媒体であって、その再生層１
１、記録層１３及び再生補助層３１の各飽和磁化を、そ
れぞれＭS1 、ＭS3 及びＭ S1S とし、その再生層及び記録
層の保磁力をそれぞれＨc1及びＨc3とする。
【００３６】本発明は、この光磁気記録媒体において、
その再生層１１は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−
遷移金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜である場合
は、ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢膜であ
る場合は、Ｍ S1 ≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈc1≦４ｋ
Ｏｅとする。
その再生層１１は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−
遷移金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜である場合
は、ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢膜であ
る場合は、Ｍ S1 ≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈc1≦４ｋ
Ｏｅとする。
【００３７】記録層１３は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする
希土類−遷移金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜であ
る場合は、ＭS3≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢
膜である場合は、Ｍ S3 ≦１５０ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈ c3
≦５ｋＯｅとする。再生補助層３１は、遷移金属優勢膜
で２００ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍ S1S ≦５００ｅｍｕ／ｃｃと
する。
希土類−遷移金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜であ
る場合は、ＭS3≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢
膜である場合は、Ｍ S3 ≦１５０ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈ c3
≦５ｋＯｅとする。再生補助層３１は、遷移金属優勢膜
で２００ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍ S1S ≦５００ｅｍｕ／ｃｃと
する。
【００３８】
【作用】この本発明による光磁気記録媒体１０に対する
情報の記録即ち記録ピット４の形成は、少なくとも記録
層１３においてなされる。この記録は例えば磁界変調方
式によって記録できる。
情報の記録即ち記録ピット４の形成は、少なくとも記録
層１３においてなされる。この記録は例えば磁界変調方
式によって記録できる。
【００３９】そして、このように記録層１３に記録ピッ
ト４として情報が記録された光磁気記録媒体１０、例え
ば光磁気ディスクからの情報の読み出しは、図２に示す
ように、読み出し光例えば半導体レーザ光（波長７８０
ｎｍ）の直線偏光によるレーザービームＬを対物レンズ
７１によって、矢印Ｄ方向に回転する媒体１０上に、図
１で説明した基体２０側から照射しフォーカシングす
る。
ト４として情報が記録された光磁気記録媒体１０、例え
ば光磁気ディスクからの情報の読み出しは、図２に示す
ように、読み出し光例えば半導体レーザ光（波長７８０
ｎｍ）の直線偏光によるレーザービームＬを対物レンズ
７１によって、矢印Ｄ方向に回転する媒体１０上に、図
１で説明した基体２０側から照射しフォーカシングす
る。
【００４０】そして記録ビット４を、ここにおける特に
再生層１１によるカー効果による偏光面の回転の他との
相違を検出することによって読み出す。
再生層１１によるカー効果による偏光面の回転の他との
相違を検出することによって読み出す。
【００４１】そして、このレーザービームＬの媒体１０
のビームスポット５の照射部を含んでその近傍に媒体１
０の面に直交する所要の直流磁界による再生磁界Ｈｒを
与える再生磁界発生手段７２を設ける。
のビームスポット５の照射部を含んでその近傍に媒体１
０の面に直交する所要の直流磁界による再生磁界Ｈｒを
与える再生磁界発生手段７２を設ける。
【００４２】一方、このビームスポット５下に入り込む
前に、再生磁界Ｈｒとは逆向きの直流初期化磁界Ｈｉを
与える初期化磁界発生手段７３を設け、図１０及び図１
１で説明した動作による浮出し型ＭＳＲ方式による再
生、或いは図１３で説明した浮出し型と消滅型の組合せ
による再生、即ち少なくとも再生層１１に記録ピット４
を浮出してこれを読み出す方式の再生を行う。
前に、再生磁界Ｈｒとは逆向きの直流初期化磁界Ｈｉを
与える初期化磁界発生手段７３を設け、図１０及び図１
１で説明した動作による浮出し型ＭＳＲ方式による再
生、或いは図１３で説明した浮出し型と消滅型の組合せ
による再生、即ち少なくとも再生層１１に記録ピット４
を浮出してこれを読み出す方式の再生を行う。
【００４３】
【実施例】本発明を光磁気ディスクに適用する場合につ
いて説明する。
いて説明する。
【００４４】図１に示すように、ガラス、ポリカーボー
ネート樹脂等の光透過性の基板２０上に、例えば厚さ８
００ÅのＳｉＮ等より成る誘電体膜２３、光磁気記録層
２１、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る保護膜２
５を順次例えばスパッタリングによって構成し得る。
ネート樹脂等の光透過性の基板２０上に、例えば厚さ８
００ÅのＳｉＮ等より成る誘電体膜２３、光磁気記録層
２１、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る保護膜２
５を順次例えばスパッタリングによって構成し得る。
【００４５】光磁気記録層２１は、図１０で説明したよ
うな、順次磁気的に結合する再生層１１、中間層１２、
記録層１３の３層構造を採り得るが、図１１で説明した
順次磁気的に結合する再生層１１、再生補助層３１、中
間層１２、記録層１３の４層構造を採ることが例えば再
生層１１の室温での保磁力の補償を行う上で有利であ
る。
うな、順次磁気的に結合する再生層１１、中間層１２、
記録層１３の３層構造を採り得るが、図１１で説明した
順次磁気的に結合する再生層１１、再生補助層３１、中
間層１２、記録層１３の４層構造を採ることが例えば再
生層１１の室温での保磁力の補償を行う上で有利であ
る。
【００４６】これら光磁気記録層２１を構成する各再生
層１１、再生補助層３１、中間層１２、記録層１３は、
連続スパッタリングによって構成し得る。
層１１、再生補助層３１、中間層１２、記録層１３は、
連続スパッタリングによって構成し得る。
【００４７】再生層１１は、例えばＧｄＦｅＣｏを主体
として、これに必要に応じて信頼性を上げるためにＣｒ
等を、短波長レーザー光に対応するためにＮｄ等を添加
する。そして、その厚さｈ1 は、再生時に充分なカー効
果が得られる程度に厚く、かつ所要の温度分布を得るに
要する再生パワーが高くなり過ぎない程度の１５０Å〜
１０００Åに選定する。またそのキュリー温度ＴC1は、
再生時照射されるレーザ光による昇温によってカー回転
角θK が劣化することのない程度の、即ち機能的には２
００℃程度以上に選定する。そして、その飽和磁化ＭS1
は、ＴＭリッチ（室温で）０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃとす
る。
として、これに必要に応じて信頼性を上げるためにＣｒ
等を、短波長レーザー光に対応するためにＮｄ等を添加
する。そして、その厚さｈ1 は、再生時に充分なカー効
果が得られる程度に厚く、かつ所要の温度分布を得るに
要する再生パワーが高くなり過ぎない程度の１５０Å〜
１０００Åに選定する。またそのキュリー温度ＴC1は、
再生時照射されるレーザ光による昇温によってカー回転
角θK が劣化することのない程度の、即ち機能的には２
００℃程度以上に選定する。そして、その飽和磁化ＭS1
は、ＴＭリッチ（室温で）０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃとす
る。
【００４８】再生補助層３１は、例えばＴｂＦｅＣｏを
主体とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS1S は、
ＴＭリッチ（室温で）２００ｅｍｕ／ｃｃ〜５００ｅｍ
ｕ／ｃｃとする。この再生補助層３１の保磁力Ｈc1S は
７ｋＯｅ以下が好ましいが、前記数５によるＨcAが、４
ｋＯｅ以下となるようにする。そして、キュリー温度Ｔ
c1S は、６０℃〜２００℃程度とする。この再生補助層
３１の構成材料としては、上述のＴｂＦｅＣｏ系を主体
とするものの、これにＧｄ，Ｃｒ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ａｌを
微量添加して特性の調整、特に保磁力Ｈc1S の温度特性
の調整を行うことができる。
主体とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS1S は、
ＴＭリッチ（室温で）２００ｅｍｕ／ｃｃ〜５００ｅｍ
ｕ／ｃｃとする。この再生補助層３１の保磁力Ｈc1S は
７ｋＯｅ以下が好ましいが、前記数５によるＨcAが、４
ｋＯｅ以下となるようにする。そして、キュリー温度Ｔ
c1S は、６０℃〜２００℃程度とする。この再生補助層
３１の構成材料としては、上述のＴｂＦｅＣｏ系を主体
とするものの、これにＧｄ，Ｃｒ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ａｌを
微量添加して特性の調整、特に保磁力Ｈc1S の温度特性
の調整を行うことができる。
【００４９】中間層１２は、例えばＧｄＦｅＣｏを主体
とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS2は、ＴＭリ
ッチでＭ S2 ≦６００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭ S2 ≦
１００ｅｍｕ／ｃｃとする。補償温度は１００℃以下
で、膜厚ｈ2 は５０Å程度以上であれば良い。
とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS2は、ＴＭリ
ッチでＭ S2 ≦６００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭ S2 ≦
１００ｅｍｕ／ｃｃとする。補償温度は１００℃以下
で、膜厚ｈ2 は５０Å程度以上であれば良い。
【００５０】記録層１３は、例えばＴｂＦｅＣｏを主体
とする磁性層によって構成し、その飽和磁化ＭS3は、Ｔ
Ｍリッチで０＜ＭS3≦３００ｅｍｕ／ｃｃ，ＲＥリッチ
で０＜ＭS3≦２００ｅｍｕ／ｃｃとなる。そして、この
記録層１３においてもその厚さｈ3 はおおよそ２００Å
程度以上であれば良い。
とする磁性層によって構成し、その飽和磁化ＭS3は、Ｔ
Ｍリッチで０＜ＭS3≦３００ｅｍｕ／ｃｃ，ＲＥリッチ
で０＜ＭS3≦２００ｅｍｕ／ｃｃとなる。そして、この
記録層１３においてもその厚さｈ3 はおおよそ２００Å
程度以上であれば良い。
【００５１】尚、本明細書における飽和磁化は、室温に
おける値とする。
おける値とする。
【００５２】この構成による光磁気記録媒体１０、即ち
光磁気ディスクは、図２で説明した光磁気再生ドライブ
装置によって再生層１１からのカー効果による記録ピッ
トの読み出しを図１０、図１１及び図１３で説明した原
理によって行う。
光磁気ディスクは、図２で説明した光磁気再生ドライブ
装置によって再生層１１からのカー効果による記録ピッ
トの読み出しを図１０、図１１及び図１３で説明した原
理によって行う。
【００５３】実施例１ 図１で説明した構成において、誘電体膜２３を８００Å
のＳｉＮ膜によって構成し、再生層１１を、厚さｈ1 ＝
３５０ÅのＧｄＦｅＣｏ（ＭS1＝２２５ｅｍｕ／ｃｃ）
によって構成した。また、再生補助層３１は、厚さｈ15
＝２００ÅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS1S ＝３２０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成し、ＨCA＝３ｋＯｅとした。中間層１
２は、厚さｈ2 ＝１５０Å、ＨC2＝８００（Ｏｅ）のＧ
ｄＦｅＣｏ（ＭS2＝２００ｅｍｕ／ｃｃ）によって構成
した。記録層１３は、厚さｈ3 ＝４００Å、保磁力ＨC3
＞１５ｋＯｅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS3＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成した。このようにして５．２５インチ
の光磁気ディスクを作成した。
のＳｉＮ膜によって構成し、再生層１１を、厚さｈ1 ＝
３５０ÅのＧｄＦｅＣｏ（ＭS1＝２２５ｅｍｕ／ｃｃ）
によって構成した。また、再生補助層３１は、厚さｈ15
＝２００ÅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS1S ＝３２０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成し、ＨCA＝３ｋＯｅとした。中間層１
２は、厚さｈ2 ＝１５０Å、ＨC2＝８００（Ｏｅ）のＧ
ｄＦｅＣｏ（ＭS2＝２００ｅｍｕ／ｃｃ）によって構成
した。記録層１３は、厚さｈ3 ＝４００Å、保磁力ＨC3
＞１５ｋＯｅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS3＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成した。このようにして５．２５インチ
の光磁気ディスクを作成した。
【００５４】この実施例１による光磁気ディスクにおい
て、回転速度２４００ｒｐｍで、半径ｒ＝３０ｍｍにお
いての線速度ＶＬを８ｍ／ｓｅｃ、信号周波数ｆ＝１０
ＭＨｚ即ち、０．８μｍピッチ（ピット長０．４μｍ）
とし、読み出しのレーザパワーＰr ＝３．０ｍＷとした
ときの再生層１１の組成を変えて室温におけるその磁化
ＭS に対するＣ／Ｎを測定したところ、図３に示す結果
が得られた。これによれば、ＴＭリッチで０＜ＭS1≦４
５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍ
ｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが分
る。
て、回転速度２４００ｒｐｍで、半径ｒ＝３０ｍｍにお
いての線速度ＶＬを８ｍ／ｓｅｃ、信号周波数ｆ＝１０
ＭＨｚ即ち、０．８μｍピッチ（ピット長０．４μｍ）
とし、読み出しのレーザパワーＰr ＝３．０ｍＷとした
ときの再生層１１の組成を変えて室温におけるその磁化
ＭS に対するＣ／Ｎを測定したところ、図３に示す結果
が得られた。これによれば、ＴＭリッチで０＜ＭS1≦４
５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍ
ｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが分
る。
【００５５】図３、更に後述する図４〜図６ではＲＥリ
ッチの磁化を負、ＴＭリッチの磁化を正の値で示してい
る。
ッチの磁化を負、ＴＭリッチの磁化を正の値で示してい
る。
【００５６】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて、再生補助層３１の組成を変えて上述と同条件下
でＣ／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量
を変えて室温でのその磁化ＭS1S に対するＣ／Ｎを測定
したところ図４に示す結果が得られた。これによれば、
ＴＭリッチで２００〜５００ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以
上のＣ／Ｎが得られることが分かる。
おいて、再生補助層３１の組成を変えて上述と同条件下
でＣ／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量
を変えて室温でのその磁化ＭS1S に対するＣ／Ｎを測定
したところ図４に示す結果が得られた。これによれば、
ＴＭリッチで２００〜５００ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以
上のＣ／Ｎが得られることが分かる。
【００５７】そして、ＨC1S ＜７ｋＯｅ、ＨCA＜Ｈｉ
（〜４ｋＯｅ）を満足する。
（〜４ｋＯｅ）を満足する。
【００５８】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて中間層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ／
Ｎを測定した。ＧｄＦｅＣｏのＧｄの含有量を変えて室
温でのその磁化ＭS2に対するＣ／Ｎを測定したところ図
５に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチで
Ｍ S2 ≦６００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭ S2 ≦１００
ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが
分る。
おいて中間層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ／
Ｎを測定した。ＧｄＦｅＣｏのＧｄの含有量を変えて室
温でのその磁化ＭS2に対するＣ／Ｎを測定したところ図
５に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチで
Ｍ S2 ≦６００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭ S2 ≦１００
ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが
分る。
【００５９】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて、記録層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ
／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量を変
えて室温でのそのＭS3に対するＣ／Ｎを測定したところ
図６に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチ
で０＜Ｍ S3 ≦３００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜Ｍ
S3 ≦１５０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れることが分かる。
おいて、記録層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ
／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量を変
えて室温でのそのＭS3に対するＣ／Ｎを測定したところ
図６に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチ
で０＜Ｍ S3 ≦３００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜Ｍ
S3 ≦１５０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れることが分かる。
【００６０】因みに、上述のＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣ
ｏなどはフェリ磁性体であって、Ｔｂ，Ｇｄ等の希土類
の副格子磁化とＦｅＣｏ等の遷移金属の副格子磁化は常
に逆向きである。飽和磁化ＭS は２種の副格子磁化の差
し引きである。
ｏなどはフェリ磁性体であって、Ｔｂ，Ｇｄ等の希土類
の副格子磁化とＦｅＣｏ等の遷移金属の副格子磁化は常
に逆向きである。飽和磁化ＭS は２種の副格子磁化の差
し引きである。
【００６１】そしてこの場合に、遷移金属ＴＭに希土類
元素ＲＥを添加していくと希土類元素の増加に伴ってＭ
S は小さくなり、ある添加量でＴＭとＲＥの副格子磁化
同じとなりＭS が０になる。
元素ＲＥを添加していくと希土類元素の増加に伴ってＭ
S は小さくなり、ある添加量でＴＭとＲＥの副格子磁化
同じとなりＭS が０になる。
【００６２】更に、それ以上にＲＥを加えていくとＲＥ
の副格子の磁化がＴＭより大きくなりまたＭS は大きく
なっていく。
の副格子の磁化がＴＭより大きくなりまたＭS は大きく
なっていく。
【００６３】また、実施例１において、再生補助層３１
の厚さｈ1Sを変えてＣ／Ｎを測定した結果を図７に示
す。これによれば、この膜厚ｈ1sは特性に差程影響しな
いことが分る。
の厚さｈ1Sを変えてＣ／Ｎを測定した結果を図７に示
す。これによれば、この膜厚ｈ1sは特性に差程影響しな
いことが分る。
【００６４】上述したように本発明によれば４０ｄＢ以
上の高いＣ／Ｎを得ることができるが、これは、各層１
１，１２，１３，３１が確実に機能動作して再生レーザ
光の照射によって図１０及び図１１で説明した温度領域
１４に限定的に記録層１３の潜像記録ピット４１の転写
即ち浮出しによって記録ピット４が生じたことに因る。
上の高いＣ／Ｎを得ることができるが、これは、各層１
１，１２，１３，３１が確実に機能動作して再生レーザ
光の照射によって図１０及び図１１で説明した温度領域
１４に限定的に記録層１３の潜像記録ピット４１の転写
即ち浮出しによって記録ピット４が生じたことに因る。
【００６５】尚、中間層１２，補助層３１は上述した例
に限らず種々の希土類−遷移金属磁性層によって構成す
ることができるし、実施例１における４層構造の光磁気
記録層２１に限らず再生補助層３１を持たない３層構造
とすることもできるし、再生層１１、中間層１２、記録
層１３を基本構造とする各種の浮出し型を基本とするＭ
ＳＲ例えば図１１のＭＳＲに適用することもできる。
に限らず種々の希土類−遷移金属磁性層によって構成す
ることができるし、実施例１における４層構造の光磁気
記録層２１に限らず再生補助層３１を持たない３層構造
とすることもできるし、再生層１１、中間層１２、記録
層１３を基本構造とする各種の浮出し型を基本とするＭ
ＳＲ例えば図１１のＭＳＲに適用することもできる。
【００６６】
【発明の効果】上述したところから明らかなように、本
発明による光磁気記録媒体１０は、浮出し型ＭＳＲに適
用して安定して、確実に記録周波数１０ＭＨｚの高密度
記録で４０ｄＢ以上のＣ／Ｎを得ることができるもので
あって、その実用上の利益は極めて大である。
発明による光磁気記録媒体１０は、浮出し型ＭＳＲに適
用して安定して、確実に記録周波数１０ＭＨｚの高密度
記録で４０ｄＢ以上のＣ／Ｎを得ることができるもので
あって、その実用上の利益は極めて大である。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一実施例の略線
的断面図である。
的断面図である。
【図２】本発明による光磁気記録媒体の一例の再生状態
一態様を示す斜視図である。
一態様を示す斜視図である。
【図３】本発明による光磁気記録媒体の再生層の磁化と
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図４】本発明による光磁気記録媒体の再生補助層の磁
化とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
化とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図５】本発明による光磁気記録媒体の中間層の磁化と
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図６】本発明による光磁気記録媒体の記録層の磁化と
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
Ｃ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図７】本発明による光磁気記録媒体の再生補助層の厚
さとＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
さとＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図８】従来の光磁気記録再生態様の説明図である。
【図９】従来の光磁気記録再生態様の説明図である。
【図１０】浮出し型ＭＳＲの説明図である。
【図１１】浮出し型ＭＳＲの他の例の説明図である。
【図１２】消滅型ＭＳＲの説明図である。
１１ 再生層 ３１ 再生補助層 １２ 中間層 １３ 記録層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも記録層と、再生層と、これら
各層間に介在する再生補助層と中間層とを有し、再生層
の磁化状態を変化させ乍ら記録信号を読み出す光磁気記
録媒体であって、 上記再生層、記録層、再生補助層及び中間層の各飽和磁
化を、それぞれＭS1，ＭS3，ＭS1S 及びＭS2とし、上記
再生層及び記録層の保磁力をそれぞれＨc1及びＨc3とす
るとき、 上記再生層は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移
金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜である場合は、Ｍ
S1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢膜である場合
は、ＭS1≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈc1≦４ｋ〔Ｏ
ｅ〕であり、 上記記録層は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移
金属磁性層より成り、遷移金属優勢膜である場合は、Ｍ
S3≦３００ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢膜である場合
は、ＭS3≦１５０ｅｍｕ／ｃｃとし、Ｈ c3 ≧５ｋ〔Ｏ
ｅ〕であり、 上記再生補助層は、遷移金属優勢膜で２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ≦ＭS1S ≦５００ｅｍｕ／ｃｃとし、 上記中間層は、遷移金属優勢膜である場合は、ＭS2≦６
００ｅｍｕ／ｃｃとし、希土類優勢膜である場合は、Ｍ
S2≦１００ｅｍｕ／ｃｃとすることを特徴とする光磁気
記録媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03018077A JP3111479B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 光磁気記録媒体 |
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