JPH0676406A - 光磁気記録媒体の再生方法とこれに用いる光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体の再生方法とこれに用いる光磁気記録媒体Info
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- JPH0676406A JPH0676406A JP23225292A JP23225292A JPH0676406A JP H0676406 A JPH0676406 A JP H0676406A JP 23225292 A JP23225292 A JP 23225292A JP 23225292 A JP23225292 A JP 23225292A JP H0676406 A JPH0676406 A JP H0676406A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トラック間のクロストークの回避をはかって
高トラック密度化をはかる。 【構成】 再生時第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2
を用い、第１の光ビームLB1 によって目的とするトラッ
ク上の記録ピットのみを再生可能に浮き出させ、第２の
光ビームLB2 によって光磁気相互作用によって記録ピッ
トによる情報を読み出す。
高トラック密度化をはかる。 【構成】 再生時第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2
を用い、第１の光ビームLB1 によって目的とするトラッ
ク上の記録ピットのみを再生可能に浮き出させ、第２の
光ビームLB2 によって光磁気相互作用によって記録ピッ
トによる情報を読み出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の再生
方法とこれに用いる光磁気記録媒体に係わる。
方法とこれに用いる光磁気記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光照射による局部的加熱によって
情報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報
を光磁気相互作用即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す再生方法を採る場合においても、その記
録密度を上げるには、その記録トラックの高密度化が望
まれるが、この場合、再生時の隣接するトラック相互の
干渉すなわちクロストークが問題となる。この再生時の
解像度（分解能）、すなわち再生光のスポット径は、そ
の波長λ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．とするとき、約
1.22λ／Ｎ．Ａ．で与えられ、例えばλ＝0 .78 ，ＮＡ
＝0.5 とすると、そのスポット径は、1,77になる。
情報記録ピット即ちバブル磁区を形成し、この記録情報
を光磁気相互作用即ちカー効果或いはファラデー効果に
よって読み出す再生方法を採る場合においても、その記
録密度を上げるには、その記録トラックの高密度化が望
まれるが、この場合、再生時の隣接するトラック相互の
干渉すなわちクロストークが問題となる。この再生時の
解像度（分解能）、すなわち再生光のスポット径は、そ
の波長λ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．とするとき、約
1.22λ／Ｎ．Ａ．で与えられ、例えばλ＝0 .78 ，ＮＡ
＝0.5 とすると、そのスポット径は、1,77になる。
【０００３】従って、通常、隣接トラック間のクロスト
ークを回避するには、トラック間の間隔は、1.5 〜1.6
μｍであって、これ以下では安定な信号検出ができなか
った。
ークを回避するには、トラック間の間隔は、1.5 〜1.6
μｍであって、これ以下では安定な信号検出ができなか
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、再生時の光
ビームのスポット径によって、記録トラックピッチが決
定されることがないようにして、高密度トラック化をは
かることができるようにした光磁気記録媒体の再生方法
とこれに用いる光磁気記録媒体を提供する。
ビームのスポット径によって、記録トラックピッチが決
定されることがないようにして、高密度トラック化をは
かることができるようにした光磁気記録媒体の再生方法
とこれに用いる光磁気記録媒体を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１に
本発明の光磁気記録媒体一例の略線的断面図を示すよう
に、少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これら層
間に介在する中間層１２とを有する光磁気記録媒体１０
を用いる。
本発明の光磁気記録媒体一例の略線的断面図を示すよう
に、少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これら層
間に介在する中間層１２とを有する光磁気記録媒体１０
を用いる。
【０００６】そして、この光磁気記録媒体に対して、第
１の光ビームLB1 を再生層１１に照射することにより、
この再生層１１を局部的に加熱して記録層１３に磁気的
に記録されている信号を再生層１１に転写し、第２の光
ビームLB2,によって再生層１１に転写された信号を読み
出す。
１の光ビームLB1 を再生層１１に照射することにより、
この再生層１１を局部的に加熱して記録層１３に磁気的
に記録されている信号を再生層１１に転写し、第２の光
ビームLB2,によって再生層１１に転写された信号を読み
出す。
【０００７】第２の本発明は、上述の再生方法におい
て、第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2 がレーザ光で
あって、第２の光ビームLB2 のレーザパワーを、第１の
光ビームLB2 のレーザパワーと同じ又はそれ以下に選定
する。
て、第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2 がレーザ光で
あって、第２の光ビームLB2 のレーザパワーを、第１の
光ビームLB2 のレーザパワーと同じ又はそれ以下に選定
する。
【０００８】第３の本発明は、上述の再生方法におい
て、第１及び第２の各光ビームLB1 及びLB2 を、それぞ
れ独立した光学ピックアップによって発生させる。
て、第１及び第２の各光ビームLB1 及びLB2 を、それぞ
れ独立した光学ピックアップによって発生させる。
【０００９】第４の本発明は、第１及び第２の各光ビー
ムLB1 及びLB2 を、モノリシック２ビームレーザダイオ
ードを具備する１つの光学ピックアップによって発生さ
せる。
ムLB1 及びLB2 を、モノリシック２ビームレーザダイオ
ードを具備する１つの光学ピックアップによって発生さ
せる。
【００１０】第５の本発明は、再生層１１、及び記録層
１３の各飽和磁化をそれぞれＭS1，及びＭS3とし、保磁
力をそれぞれＨC1，及びＨC3とするとき、再生層１１
は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移金属磁性層
より構成し、ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ，ＨC1≦４ｋＯ
ｅとし、記録層１３は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする希土
類−遷移金属磁性層より構成し、ＨC3≧５ｋＯｅであっ
て、この記録層１３が遷移金属優勢膜である場合はＭS3
≦３００ｅｍｕ／ｃｃ、希土類優勢膜である場合はＭS3
≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。
１３の各飽和磁化をそれぞれＭS1，及びＭS3とし、保磁
力をそれぞれＨC1，及びＨC3とするとき、再生層１１
は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移金属磁性層
より構成し、ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ，ＨC1≦４ｋＯ
ｅとし、記録層１３は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする希土
類−遷移金属磁性層より構成し、ＨC3≧５ｋＯｅであっ
て、この記録層１３が遷移金属優勢膜である場合はＭS3
≦３００ｅｍｕ／ｃｃ、希土類優勢膜である場合はＭS3
≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。
【００１１】
【作用】本発明は、再生時において、光磁気記録媒体１
０と第１の光ビームLB1 との相対的移動による温度分布
を利用して読み出し可能の記録ピットを、目的のトラッ
ク上においてのみ再生層１１に発生させるようにして第
２の光ビームLB2 によってカー効果ないしはファラデー
効果によって選択的にこのトラックについてのみの記録
ピットによる情報の読み出しを行い、結果的にトラック
間のクロストークの回避をはかり、これにより、高トラ
ック密度化をはかることができるようにするものであ
る。
０と第１の光ビームLB1 との相対的移動による温度分布
を利用して読み出し可能の記録ピットを、目的のトラッ
ク上においてのみ再生層１１に発生させるようにして第
２の光ビームLB2 によってカー効果ないしはファラデー
効果によって選択的にこのトラックについてのみの記録
ピットによる情報の読み出しを行い、結果的にトラック
間のクロストークの回避をはかり、これにより、高トラ
ック密度化をはかることができるようにするものであ
る。
【００１２】
【実施例】本発明を光磁気ディスクに適用する場合につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】この場合、図１に示すように、ガラス、ポ
リカーボネート樹脂等の光透過基板より成る基体２０上
に、例えば厚さ８００ÅＳｉＮ等より成る誘電体膜２
３、光磁気記録層２１の後述する各層、更に例えば厚さ
８００ÅのＳｉＮ等より成る保護膜２５を順次スパッタ
リング等によって構成する。
リカーボネート樹脂等の光透過基板より成る基体２０上
に、例えば厚さ８００ÅＳｉＮ等より成る誘電体膜２
３、光磁気記録層２１の後述する各層、更に例えば厚さ
８００ÅのＳｉＮ等より成る保護膜２５を順次スパッタ
リング等によって構成する。
【００１４】光磁気記録層２１は、順次磁気的に結合す
る少なくとも再生層１１、中間層１２、記録層１３の３
層構造を採り得るが、図１で示すように、再生層１１と
中間層１２との間に更に、再生補助層３１を介在させた
４層構造を採ることが、例えば再生層１１の室温での保
磁力の補償をする上で有利である。
る少なくとも再生層１１、中間層１２、記録層１３の３
層構造を採り得るが、図１で示すように、再生層１１と
中間層１２との間に更に、再生補助層３１を介在させた
４層構造を採ることが、例えば再生層１１の室温での保
磁力の補償をする上で有利である。
【００１５】この光磁気記録媒体、この例では光ディス
クへの記録は、光磁気記録層２１の各層、特に少なくと
も再生層１１と、記録層１３とが、同一向きをもって一
様に垂直磁化された例えば“０”の記録状態で磁界変
調、或いは外部磁界印加の下での光変調によって逆向き
の磁区すなわち記録ピットの形成によって例えば“１”
の記録を行って“０”，“１”の情報の記録がなされて
いる。
クへの記録は、光磁気記録層２１の各層、特に少なくと
も再生層１１と、記録層１３とが、同一向きをもって一
様に垂直磁化された例えば“０”の記録状態で磁界変
調、或いは外部磁界印加の下での光変調によって逆向き
の磁区すなわち記録ピットの形成によって例えば“１”
の記録を行って“０”，“１”の情報の記録がなされて
いる。
【００１６】本発明の再生方法では、図２に示すよう
に、光磁気記録媒体のディスク１０の回転途上に、後述
する初期化磁界Ｈｉと、再生磁界Ｈｒをそれぞれディス
ク１０に与える初期化磁界発生手段と７３と、再生部に
おいて再生磁界発生手段７２を設ける。
に、光磁気記録媒体のディスク１０の回転途上に、後述
する初期化磁界Ｈｉと、再生磁界Ｈｒをそれぞれディス
ク１０に与える初期化磁界発生手段と７３と、再生部に
おいて再生磁界発生手段７２を設ける。
【００１７】そして再生部に第１及び第２の光ビームLB
1 及びLB2 を、ディスク１０に対して第１の光ビームLB
1 が先行照射し、続いて第２の光ビームLB2 が照射する
ようになされる。
1 及びLB2 を、ディスク１０に対して第１の光ビームLB
1 が先行照射し、続いて第２の光ビームLB2 が照射する
ようになされる。
【００１８】更に、本発明再生方法について図３及び図
４を参照して説明する。図３は、光磁気記録媒体１０，
この例では、光ディスク上の隣り合う３本のトラックＴ
1 〜Ｔ3 の記録ピットを示した平面図で、図４は、その
磁化態様を示す模式的断面図である。この場合図３に示
すように、図２で示した第１及び第２の各光ビームLB 1
及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 に対して光磁気記録
媒体１０が矢印Ｄで示す方向に相対的に移動するように
なされている。また、この場合、光磁気記録層２１は、
説明の簡略化から垂直磁化膜より成る再生層１１と、中
間層１２と、記録層１３とによる場合を示す。図４中各
層１１，１２，１３中の矢印は、その磁気モーメントの
向きを模式的に示したもので、図示の例では下向きが初
期化状態で、これに図において上向きの磁化による磁区
をもって少なくとも記録層１３に情報記録ピット４が形
成される。
４を参照して説明する。図３は、光磁気記録媒体１０，
この例では、光ディスク上の隣り合う３本のトラックＴ
1 〜Ｔ3 の記録ピットを示した平面図で、図４は、その
磁化態様を示す模式的断面図である。この場合図３に示
すように、図２で示した第１及び第２の各光ビームLB 1
及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 に対して光磁気記録
媒体１０が矢印Ｄで示す方向に相対的に移動するように
なされている。また、この場合、光磁気記録層２１は、
説明の簡略化から垂直磁化膜より成る再生層１１と、中
間層１２と、記録層１３とによる場合を示す。図４中各
層１１，１２，１３中の矢印は、その磁気モーメントの
向きを模式的に示したもので、図示の例では下向きが初
期化状態で、これに図において上向きの磁化による磁区
をもって少なくとも記録層１３に情報記録ピット４が形
成される。
【００１９】このような光磁気記録媒体、すなわち光デ
ィスク１０において、図２に示すように、これの回転途
上に設けられた、初期化磁界発生手段７３により、光デ
ィスク１０に先ず外部から初期化磁界Ｈｉを印加して、
再生層１１を図４において下向きに磁化して初期化す
る。即ち、再生層１１において、記録ピット４が消滅す
るが、このとき記録ピット４を有する部分において、再
生層１１と記録層１３との磁化の向きが中間層１２に生
じた磁壁によって逆向きに保持されるようになされてい
て、記録ピット４は、潜像記録ピット４１として残る。
ィスク１０において、図２に示すように、これの回転途
上に設けられた、初期化磁界発生手段７３により、光デ
ィスク１０に先ず外部から初期化磁界Ｈｉを印加して、
再生層１１を図４において下向きに磁化して初期化す
る。即ち、再生層１１において、記録ピット４が消滅す
るが、このとき記録ピット４を有する部分において、再
生層１１と記録層１３との磁化の向きが中間層１２に生
じた磁壁によって逆向きに保持されるようになされてい
て、記録ピット４は、潜像記録ピット４１として残る。
【００２０】一方、光ディスク１０には初期化磁界Ｈｉ
とは逆向きの再生磁界Ｈｒを少なくともその再生部で図
２に示すように、再生磁界発生手段７２によって与え
る。
とは逆向きの再生磁界Ｈｒを少なくともその再生部で図
２に示すように、再生磁界発生手段７２によって与え
る。
【００２１】また、この再生部において、光ディスク１
０の回転によって所要のトラック上を、順次第１の光ビ
ームLB1 が照射し、続いて第２の光ビームLB2 が照射す
るようになされる。
０の回転によって所要のトラック上を、順次第１の光ビ
ームLB1 が照射し、続いて第２の光ビームLB2 が照射す
るようになされる。
【００２２】これら第１及び第２の各光ビームLB1 及び
LB2 は、その光源として例えば半導体レーザ、ＳＨＧ
（光第２高調波発生）素子を用いたレーザ光源等を用い
得る。
LB2 は、その光源として例えば半導体レーザ、ＳＨＧ
（光第２高調波発生）素子を用いたレーザ光源等を用い
得る。
【００２３】この状態で光ディスク１０の移動に伴って
初期化された潜像記録ピット４１を有する領域が先ず第
１の光ビームLB1 のスポットＳ1 に入り、このビーム照
射により昇温された部分がスポットＳ1 の先端側、図３
及び図４において右側へと移行して来るとこのスポット
Ｓ1 の先端側に、図３中破線ａで囲んで示すように、実
質的に高温領域が生じ、図４に示すように、この高温領
域ａでは中間層１２の磁壁が消滅し、交換力で記録層１
３の磁化が再生層１１に転写され、記録層１３に存在し
ていた潜像記録ピット４１が再生層１１に、再生し得る
記録ピット４として浮き出される。
初期化された潜像記録ピット４１を有する領域が先ず第
１の光ビームLB1 のスポットＳ1 に入り、このビーム照
射により昇温された部分がスポットＳ1 の先端側、図３
及び図４において右側へと移行して来るとこのスポット
Ｓ1 の先端側に、図３中破線ａで囲んで示すように、実
質的に高温領域が生じ、図４に示すように、この高温領
域ａでは中間層１２の磁壁が消滅し、交換力で記録層１
３の磁化が再生層１１に転写され、記録層１３に存在し
ていた潜像記録ピット４１が再生層１１に、再生し得る
記録ピット４として浮き出される。
【００２４】このとき、第１の光ビームLB1 のスポット
径、レーザパワーの選定によってその高温領域、すなわ
ち記録ピット４の転写（浮き出し）領域ａが、丁度目的
とする再生すべきトラック上（図３では中央のトラック
Ｔ2 上）に限定的に位置するようにする。つまり、隣接
するトラックＴ1 及びＴ3 に関してはその少なくとも高
温領域ａが跨がらないようにする。
径、レーザパワーの選定によってその高温領域、すなわ
ち記録ピット４の転写（浮き出し）領域ａが、丁度目的
とする再生すべきトラック上（図３では中央のトラック
Ｔ2 上）に限定的に位置するようにする。つまり、隣接
するトラックＴ1 及びＴ3 に関してはその少なくとも高
温領域ａが跨がらないようにする。
【００２５】このようにして、目的とするトラックに関
してのみ転写された記録ピット４を、続く第２の光ビー
ムLB2 によって再生する。すなわちこの第２の光ビーム
LB 2 の再生層１１における磁化の向きによるカー効果或
いはファラデー効果によるビームスポットＳ2 の偏光面
の回転を検出すれば、この記録ピット４を読み出すこと
ができる。
してのみ転写された記録ピット４を、続く第２の光ビー
ムLB2 によって再生する。すなわちこの第２の光ビーム
LB 2 の再生層１１における磁化の向きによるカー効果或
いはファラデー効果によるビームスポットＳ2 の偏光面
の回転を検出すれば、この記録ピット４を読み出すこと
ができる。
【００２６】この本発明方法によれば、第１及び第２の
各光ビームLB1 及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 は、
トラック幅に規制されず、特に、その第１の光ビームLB
1 についてのみが、前述したように、その高温領域ａ
が、目的の例えば１のトラックＴ2 にのみ位置させれば
よいので、トラックピッチは、これら第１及び第２の各
光ビームLB1 及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 の径に
依存することなく充分小に、すなわち高トラック密度を
もって記録することができる。
各光ビームLB1 及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 は、
トラック幅に規制されず、特に、その第１の光ビームLB
1 についてのみが、前述したように、その高温領域ａ
が、目的の例えば１のトラックＴ2 にのみ位置させれば
よいので、トラックピッチは、これら第１及び第２の各
光ビームLB1 及びLB2 の各スポットＳ1 及びＳ2 の径に
依存することなく充分小に、すなわち高トラック密度を
もって記録することができる。
【００２７】ここに、第２の光ビームLB2 は、そのパワ
ーを、この光ビームLB2 によって再生層１１に浮き出さ
れた記録ピット４、すなわち、磁区を光磁気相互作用に
よって検出し得る程度のパワーであれば良く、これの照
射による昇温によって新に記録ピットを浮き出すことの
ない程度のパワー、スポット径に選定する。
ーを、この光ビームLB2 によって再生層１１に浮き出さ
れた記録ピット４、すなわち、磁区を光磁気相互作用に
よって検出し得る程度のパワーであれば良く、これの照
射による昇温によって新に記録ピットを浮き出すことの
ない程度のパワー、スポット径に選定する。
【００２８】したがって実際には、第２の光ビームLB2
のレーザパワーは、第１の光ビームLB1 のそれと同じま
たはそれ以下とする。
のレーザパワーは、第１の光ビームLB1 のそれと同じま
たはそれ以下とする。
【００２９】このような再生を行うために、初期化磁界
Ｈｉ、再生磁界Ｈｒ、各磁性層の保磁力、厚さ、磁化、
磁壁エネルギー等が、ビームスポットＳ1 内の高温領域
ａ及びこの領域ａ以外の温度に応じて選定される。すな
わち、再生層１１及び記録層１３の保磁力をＨC1，及び
ＨC3、厚さをｈ1 ，及びｈ3 、飽和磁化ＭS をＭS1及び
ＭS3とすると、再生層１１のみを初期化する条件として
は、下記数１となる。
Ｈｉ、再生磁界Ｈｒ、各磁性層の保磁力、厚さ、磁化、
磁壁エネルギー等が、ビームスポットＳ1 内の高温領域
ａ及びこの領域ａ以外の温度に応じて選定される。すな
わち、再生層１１及び記録層１３の保磁力をＨC1，及び
ＨC3、厚さをｈ1 ，及びｈ3 、飽和磁化ＭS をＭS1及び
ＭS3とすると、再生層１１のみを初期化する条件として
は、下記数１となる。
【００３０】
【数１】Ｈｉ＞Ｈc1＋σw2／２Ｍs1ｈ1
【００３１】ここにσw2は、再生層１１及び記録層１３
間の界面磁壁エネルギーを示す。
間の界面磁壁エネルギーを示す。
【００３２】またその磁界で記録層１３の情報が維持さ
れるための条件は数２となる。
れるための条件は数２となる。
【数２】Ｈｉ＜Ｈc3−σw2／２Ｍs3ｈ3
【００３３】また初期化磁界Ｈｉ下を通過して後も再生
層１１と記録層１３間の中間層１２による磁壁が維持さ
れるためには、下記数３の条件が必要となる。
層１１と記録層１３間の中間層１２による磁壁が維持さ
れるためには、下記数３の条件が必要となる。
【数３】Ｈc1＞σw2／２Ｍs1ｈ1
【００３４】そして高温領域ａ内で選定される温度ＴH
において、下記数４の条件が必要となる。
において、下記数４の条件が必要となる。
【数４】 Ｈc1−σw2／２Ｍs1ｈ1 ＜Ｈr ＜Ｈc1＋σw2／２Ｍs1ｈ1
【００３５】このような数４が成り立つ再生磁界Ｈｒを
印加することよって、中間層１２による磁壁が存在する
部分のみに再生層１１に記録層１３の潜像記録ピット４
１の磁化を転写即ち記録ピット４として浮き出させるこ
とができる。
印加することよって、中間層１２による磁壁が存在する
部分のみに再生層１１に記録層１３の潜像記録ピット４
１の磁化を転写即ち記録ピット４として浮き出させるこ
とができる。
【００３６】上述した再生方法に用いた磁気記録媒体１
０としては、再生層１１と中間層１２と記録層１３の３
層構造を採る場合について説明したが、図１にその模式
的断面図を示すように、再生層１１の中間層１２側に、
再生補助層３１が設けられた４層構造とすることもでき
る。
０としては、再生層１１と中間層１２と記録層１３の３
層構造を採る場合について説明したが、図１にその模式
的断面図を示すように、再生層１１の中間層１２側に、
再生補助層３１が設けられた４層構造とすることもでき
る。
【００３７】この再生補助層３１は、再生層１１の特性
を補助するためのものであって、これによって再生層１
１の室温での保磁力を補償し、初期化磁界Ｈｉによって
揃えられた再生層１１の磁化が、磁壁の存在によっても
安定に存在し、また再生温度近傍では保磁力が急激に減
少するようにして中間層１２に閉じ込められていた磁壁
が再生補助層３１に広がり、最終的に再生層１１を反転
させ磁壁を消滅させて記録ピット４の浮出しが良好に行
われるようにする。
を補助するためのものであって、これによって再生層１
１の室温での保磁力を補償し、初期化磁界Ｈｉによって
揃えられた再生層１１の磁化が、磁壁の存在によっても
安定に存在し、また再生温度近傍では保磁力が急激に減
少するようにして中間層１２に閉じ込められていた磁壁
が再生補助層３１に広がり、最終的に再生層１１を反転
させ磁壁を消滅させて記録ピット４の浮出しが良好に行
われるようにする。
【００３８】そして、このように再生補助層３１を有す
る４層構造を採るときは、再生層１１の保磁力ＨC1は、
次の数５によるＨCAに置き換えられ、σW2／ＭS1ｈ1 は
σW2／（ＭS1ｈ1 ＋ＭS1S ｈ1s）に置き換えられる。
る４層構造を採るときは、再生層１１の保磁力ＨC1は、
次の数５によるＨCAに置き換えられ、σW2／ＭS1ｈ1 は
σW2／（ＭS1ｈ1 ＋ＭS1S ｈ1s）に置き換えられる。
【００３９】
【数５】 ＨCA＝（ＭS1ｈ1ＨC1＋ＭS1Sｈ1SＨC1S）／（ＭS1ｈ1＋ＭS1Sｈ1S） （但し上述の浮出し型ＭＳＲではＨC1＜ＨCA＜ＨC1S） ここに、ＭS1S 、ＨC1S 、ｈ1Sはそれぞれ再生補助層３
１の磁化、保磁力、厚さを表わす。
１の磁化、保磁力、厚さを表わす。
【００４０】本発明は、この光磁気記録媒体１０におい
て、その再生層１１を、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土
類−遷移金属磁性層により構成し、室温でＭS1≦４５０
ｅｍｕ／ｃｃ，ＨC1≦４ｋＯｅとする。例えばＧｄＦｅ
Ｃｏを主体として、これに必要に応じて信頼性を上げる
ためにＣｒ等を、短波長レーザー光に対応するためにＮ
ｄ等を添加する。そして、その厚さｈ1 は、再生時に充
分なカー効果が得られる程度に厚く、かつ所要の温度分
布を得るに要する再生パワーが高くなり過ぎない程度の
１５０Å〜１０００Åに選定する。またそのキュリー温
度ＴC1は、再生時照射される第１及び第２の各光ビーム
LB1 及びLB2 のレーザ光による昇温によってカー回転角
θK が劣化することのない程度の、即ち機能的には２０
０℃程度以上に選定する。そして、その飽和磁化Ｍ
S1は、ＴＭリッチ（室温で）０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／
ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃとす
る。
て、その再生層１１を、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土
類−遷移金属磁性層により構成し、室温でＭS1≦４５０
ｅｍｕ／ｃｃ，ＨC1≦４ｋＯｅとする。例えばＧｄＦｅ
Ｃｏを主体として、これに必要に応じて信頼性を上げる
ためにＣｒ等を、短波長レーザー光に対応するためにＮ
ｄ等を添加する。そして、その厚さｈ1 は、再生時に充
分なカー効果が得られる程度に厚く、かつ所要の温度分
布を得るに要する再生パワーが高くなり過ぎない程度の
１５０Å〜１０００Åに選定する。またそのキュリー温
度ＴC1は、再生時照射される第１及び第２の各光ビーム
LB1 及びLB2 のレーザ光による昇温によってカー回転角
θK が劣化することのない程度の、即ち機能的には２０
０℃程度以上に選定する。そして、その飽和磁化Ｍ
S1は、ＴＭリッチ（室温で）０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／
ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃとす
る。
【００４１】記録層１３は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする
希土類−遷移金属磁性層により構成し、ＨC3≧５ｋＯｅ
とし、ＴＭリッチ膜によって構成するときは、ＭS3≦３
００ｅｍｕ／ｃｃとし、ＲＥリッチ膜によって構成する
ときは、ＭS3≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。そして、そ
の厚さｈ3 はおおよそ２００Å程度以上であれば良い。
希土類−遷移金属磁性層により構成し、ＨC3≧５ｋＯｅ
とし、ＴＭリッチ膜によって構成するときは、ＭS3≦３
００ｅｍｕ／ｃｃとし、ＲＥリッチ膜によって構成する
ときは、ＭS3≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。そして、そ
の厚さｈ3 はおおよそ２００Å程度以上であれば良い。
【００４２】再生補助層３１は、例えばＴｂＦｅＣｏを
主体とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS1S は、
ＴＭリッチ（室温で）で１００ｅｍｕ／ｃｃ〜６００ｅ
ｍｕ／ｃｃとする。この再生補助層３１の保磁力ＨC1S
は７ｋＯｅ以下が好ましいが、前記数５によるＨCAが、
４ｋＯｅ以下となるようにする。そして、キュリー温度
ＴC15 は、６０℃〜２００℃程度とする。この再生補助
層３１の構成材料としては、上述のＴｂＦｅＣｏ系を主
体とするものの、これにＧｄ，Ｃｒ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ａｌ
を微量添加して特性の調整、特に保磁力ＨC1S の温度特
性の調整を行うことができる。
主体とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS1S は、
ＴＭリッチ（室温で）で１００ｅｍｕ／ｃｃ〜６００ｅ
ｍｕ／ｃｃとする。この再生補助層３１の保磁力ＨC1S
は７ｋＯｅ以下が好ましいが、前記数５によるＨCAが、
４ｋＯｅ以下となるようにする。そして、キュリー温度
ＴC15 は、６０℃〜２００℃程度とする。この再生補助
層３１の構成材料としては、上述のＴｂＦｅＣｏ系を主
体とするものの、これにＧｄ，Ｃｒ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ａｌ
を微量添加して特性の調整、特に保磁力ＨC1S の温度特
性の調整を行うことができる。
【００４３】中間層１２は、例えばＧｄＦｅＣｏを主体
とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS2は、ＴＭリ
ッチで０＜ＭS2≦７００ｅｍｕ／ｃｃ，ＲＥリッチで０
＜Ｍ S2≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。補償温度は１００
℃以下で、膜厚ｈ2 は５０Å程度以上であれば良い。
とする磁性層によって構成し、飽和磁化ＭS2は、ＴＭリ
ッチで０＜ＭS2≦７００ｅｍｕ／ｃｃ，ＲＥリッチで０
＜Ｍ S2≦２００ｅｍｕ／ｃｃとする。補償温度は１００
℃以下で、膜厚ｈ2 は５０Å程度以上であれば良い。
【００４４】尚、本明細書における飽和磁化は、室温に
おける値とする。
おける値とする。
【００４５】本発明の再生方法における第１及び第２の
光ビームLB1 及びLB2 は、１つの光ピックアップによっ
て、或いは、それぞれ独立の光学ピックアップによって
発生させることができる。
光ビームLB1 及びLB2 は、１つの光ピックアップによっ
て、或いは、それぞれ独立の光学ピックアップによって
発生させることができる。
【００４６】図５及び図６は共に、１つの光学ピックア
ップによって第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2 を光
磁気記録媒体に照射させるようにした場合である。
ップによって第１及び第２の光ビームLB1 及びLB2 を光
磁気記録媒体に照射させるようにした場合である。
【００４７】まず図５について説明すると、この場合、
１つの半導体チップに２つの独立駆動型のレーザ光を発
生させるようにしたモノリシック２ビームレーザダイオ
ードを光源５１として用い、これよりの独立に選ばれた
パワーの直線偏光ビームLB1及びLB2 をレンズ系５２、
ビームスプリッタ５３、対物レンズ系５４によって、光
磁気記録媒体１０の光磁気記録層にフォーカシングさせ
る。
１つの半導体チップに２つの独立駆動型のレーザ光を発
生させるようにしたモノリシック２ビームレーザダイオ
ードを光源５１として用い、これよりの独立に選ばれた
パワーの直線偏光ビームLB1及びLB2 をレンズ系５２、
ビームスプリッタ５３、対物レンズ系５４によって、光
磁気記録媒体１０の光磁気記録層にフォーカシングさせ
る。
【００４８】そして、この光磁気記録層からの図３及び
図４で説明した再生層１１に読み出し可能状態に浮き出
した記録ピットによって周知の方法で、すなわち磁気光
学効果（カー効果）よってカー回転の生じた反射光を、
ビームスプリッタ５３、λ／２板５５、レンズ系５６、
偏光ビームスプリッタ５７を通じて例えば対のフォトダ
イオード等の検出素子５８1 ，５８2 に入力し、これを
検出し、両検出素子５８1 ，５８2 によって差動的に出
力検出を行う。
図４で説明した再生層１１に読み出し可能状態に浮き出
した記録ピットによって周知の方法で、すなわち磁気光
学効果（カー効果）よってカー回転の生じた反射光を、
ビームスプリッタ５３、λ／２板５５、レンズ系５６、
偏光ビームスプリッタ５７を通じて例えば対のフォトダ
イオード等の検出素子５８1 ，５８2 に入力し、これを
検出し、両検出素子５８1 ，５８2 によって差動的に出
力検出を行う。
【００４９】図６の例は、１つの光ビームを得るレーザ
光源５１を用い、これよりの直線偏光を、回折格子５９
に導入して、例えば＋１次光、−１次光による２つのビ
ームLB1,LB2 を得るようにした場合で、図６において図
５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
光源５１を用い、これよりの直線偏光を、回折格子５９
に導入して、例えば＋１次光、−１次光による２つのビ
ームLB1,LB2 を得るようにした場合で、図６において図
５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
【００５０】上述したように、本発明では、第１の光ビ
ームLB1 で目的とするトラック上の情報ピットを浮き出
させて後、第２の光ビームLB2 でこれを読み出すという
態様を採るので、１つの光ビームで情報ピットを浮き出
させつつ同時にこのビームで、その読み出しを行う場合
に比し、第２の光ビームLB2 による読み出し状態での記
録ピットは、形状性にすぐれ、再生信号の歪も改善され
る。
ームLB1 で目的とするトラック上の情報ピットを浮き出
させて後、第２の光ビームLB2 でこれを読み出すという
態様を採るので、１つの光ビームで情報ピットを浮き出
させつつ同時にこのビームで、その読み出しを行う場合
に比し、第２の光ビームLB2 による読み出し状態での記
録ピットは、形状性にすぐれ、再生信号の歪も改善され
る。
【００５１】今、トラックピッチ１．６μｍ（ランドの
幅及びグルーブ幅が共に０．８μｍ）の光磁気ディスク
を用いて、ランド上に５．９ＭＨｚの単一周波数信号
（ピット長０．８μｍ）を記録し、これの両隣りのグル
ーブ上にそれぞれ５．７ＭＨｚ、６．１ＭＨｚの信号を
記録した、つまり、このときの等価的トラック間隔は、
０．８μｍで、これは従来のディスク再生の約１／２の
トラック間隔に相当するものである。このときの本発明
再生方法による場合の再生特性すなわち再生信号スペク
トラムは、図７Ａとなった。これに対し、一旦記録ピッ
トを初期化磁界で潜像化して、浮き出させるという本発
明方法によることなく、記録ピットをそのまま読み出す
という通常一般の方法によるときは、図７Ｂで示す結果
となり、この従来方法によるときは、両隣りのトラック
から約２５ｄＢの信号のもれ込みが生じたが、本発明方
法では、そのもれ込みは観察されなかった。尚、この場
合、再生光のパワー２ｍＷとした。
幅及びグルーブ幅が共に０．８μｍ）の光磁気ディスク
を用いて、ランド上に５．９ＭＨｚの単一周波数信号
（ピット長０．８μｍ）を記録し、これの両隣りのグル
ーブ上にそれぞれ５．７ＭＨｚ、６．１ＭＨｚの信号を
記録した、つまり、このときの等価的トラック間隔は、
０．８μｍで、これは従来のディスク再生の約１／２の
トラック間隔に相当するものである。このときの本発明
再生方法による場合の再生特性すなわち再生信号スペク
トラムは、図７Ａとなった。これに対し、一旦記録ピッ
トを初期化磁界で潜像化して、浮き出させるという本発
明方法によることなく、記録ピットをそのまま読み出す
という通常一般の方法によるときは、図７Ｂで示す結果
となり、この従来方法によるときは、両隣りのトラック
から約２５ｄＢの信号のもれ込みが生じたが、本発明方
法では、そのもれ込みは観察されなかった。尚、この場
合、再生光のパワー２ｍＷとした。
【００５２】この結果はトラック間隔０．８μｍが実現
できることを示し、この高いクロストーク除去率は、
０．８μｍ以下のトラック間隔でも再生能力があること
を示す。
できることを示し、この高いクロストーク除去率は、
０．８μｍ以下のトラック間隔でも再生能力があること
を示す。
【００５３】図８は、２の光ビームLB1,LB2 スポットを
等しい光強度としたときの再生パワーに対するＣ／Ｎレ
ベルの測定結果を示し、同図中曲線８１は、その読み出
しの目的とするトラックについてのＣ／Ｎ、曲線８２は
その両隣りのトラックからのもれ込みを示す。
等しい光強度としたときの再生パワーに対するＣ／Ｎレ
ベルの測定結果を示し、同図中曲線８１は、その読み出
しの目的とするトラックについてのＣ／Ｎ、曲線８２は
その両隣りのトラックからのもれ込みを示す。
【００５４】これによれば、０．８ｍＷで再生層への転
写、すなわち読み出し可能の情報ピットの浮き出しが始
まり、２．２ｍＷでクロストークが生じて来る。したが
って、第１の光ビームLB1 スポットパワーは、１．０〜
２．４ｍＷであれば良いことが分り、これに伴って第２
の光ビームLB2 スポットパワーは、この範囲で、第１の
光ビームスポットパワー以下とすれば良い。
写、すなわち読み出し可能の情報ピットの浮き出しが始
まり、２．２ｍＷでクロストークが生じて来る。したが
って、第１の光ビームLB1 スポットパワーは、１．０〜
２．４ｍＷであれば良いことが分り、これに伴って第２
の光ビームLB2 スポットパワーは、この範囲で、第１の
光ビームスポットパワー以下とすれば良い。
【００５５】上述したように本発明では、歪の改善、再
生特性の改善から、再生装置の回路系における例えばイ
コライザの構成の簡略化がはかられる。
生特性の改善から、再生装置の回路系における例えばイ
コライザの構成の簡略化がはかられる。
【００５６】例えば、光磁気記録の再生回路系における
イコライザとしては、図９に示すように、パルス送出時
間間隔毎に、タップＴを有する遅延線の、各タップＴか
ら、それぞれ適当な重み係数Ｗ0 〜Ｗn を乗じた各信号
を加減算して出力信号を得るようにしたいわゆるトラン
スバーサル・フィルタ型のイコライザを用いる場合にお
いてそのタップ数の減少化をはかることができ、その設
計及び回路の簡易化をはかることができる。
イコライザとしては、図９に示すように、パルス送出時
間間隔毎に、タップＴを有する遅延線の、各タップＴか
ら、それぞれ適当な重み係数Ｗ0 〜Ｗn を乗じた各信号
を加減算して出力信号を得るようにしたいわゆるトラン
スバーサル・フィルタ型のイコライザを用いる場合にお
いてそのタップ数の減少化をはかることができ、その設
計及び回路の簡易化をはかることができる。
【００５７】尚、上述の再生は、情報ピットの浮き出し
化によってなすが、これを再び初期化磁界Ｈｉによって
潜像ピットとし、次に、第１の光ビームLB1 で浮き出す
という作業によって繰返し再生が可能であることは云う
までもない。
化によってなすが、これを再び初期化磁界Ｈｉによって
潜像ピットとし、次に、第１の光ビームLB1 で浮き出す
という作業によって繰返し再生が可能であることは云う
までもない。
【００５８】次に、光磁気記録媒体１０の具体例を実施
例１，２として挙げる。
例１，２として挙げる。
【００５９】実施例１ 図１で説明した構成において、誘電体膜２３を８００Å
のＳｉＮ膜によって構成し、再生層１１を、厚さｈ1 ＝
３５０ÅのＧｄＦｅＣｏ（ＭS1＝２２５ｅｍｕ／ｃｃ）
によって構成した。また、再生補助層３１は、厚さｈ15
＝２００ÅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS1S ＝３２０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成し、ＨCA＝３ｋＯｅとした。中間層１
２は、厚さｈ2 ＝１５０Å、ＨC2＝８００（Ｏｅ）のＧ
ｄＦｅＣｏ（ＭS2＝２００ｅｍｕ／ｃｃ）によって構成
した。記録層１３は、厚さｈ3 ＝４００Å、保磁力ＨC3
＞１５ｋＯｅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS3＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成した。このようにして５．２５インチ
の光磁気ディスクを作成した。
のＳｉＮ膜によって構成し、再生層１１を、厚さｈ1 ＝
３５０ÅのＧｄＦｅＣｏ（ＭS1＝２２５ｅｍｕ／ｃｃ）
によって構成した。また、再生補助層３１は、厚さｈ15
＝２００ÅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS1S ＝３２０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成し、ＨCA＝３ｋＯｅとした。中間層１
２は、厚さｈ2 ＝１５０Å、ＨC2＝８００（Ｏｅ）のＧ
ｄＦｅＣｏ（ＭS2＝２００ｅｍｕ／ｃｃ）によって構成
した。記録層１３は、厚さｈ3 ＝４００Å、保磁力ＨC3
＞１５ｋＯｅのＴｂＦｅＣｏ（ＭS3＝５０ｅｍｕ／ｃ
ｃ）によって構成した。このようにして５．２５インチ
の光磁気ディスクを作成した。
【００６０】この実施例１による光磁気ディスクにおい
て、回転速度２４００ｒｐｍで、半径ｒ＝３０ｍｍにお
いての線速度ＶＬを８ｍ／ｓｅｃ、信号周波数ｆ＝１０
ＭＨｚ即ち、０．８μｍピッチ（ピット長０．４μｍ）
とし、読み出しのレーザパワーＰr ＝３．０ｍＷとした
ときの再生層１１の組成を変えて室温におけるその磁化
ＭS に対するＣ／Ｎを測定したところ、図１０に示す結
果が得られた。これによれば、ＴＭリッチで０＜ＭS1≦
４５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅ
ｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが分
る。
て、回転速度２４００ｒｐｍで、半径ｒ＝３０ｍｍにお
いての線速度ＶＬを８ｍ／ｓｅｃ、信号周波数ｆ＝１０
ＭＨｚ即ち、０．８μｍピッチ（ピット長０．４μｍ）
とし、読み出しのレーザパワーＰr ＝３．０ｍＷとした
ときの再生層１１の組成を変えて室温におけるその磁化
ＭS に対するＣ／Ｎを測定したところ、図１０に示す結
果が得られた。これによれば、ＴＭリッチで０＜ＭS1≦
４５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜ＭS1≦３５０ｅ
ｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることが分
る。
【００６１】図１０、更に後述する図１１〜図１３では
ＲＥリッチの磁化を負、ＴＭリッチの磁化を正の値で示
している。
ＲＥリッチの磁化を負、ＴＭリッチの磁化を正の値で示
している。
【００６２】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて、再生補助層３１の組成を変えて上述と同条件下
でＣ／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量
を変えて室温でのその磁化ＭS1S に対するＣ／Ｎを測定
したところ図１１に示す結果が得られた。これによれ
ば、ＴＭリッチで１００〜６００ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎが得られることが分る。
おいて、再生補助層３１の組成を変えて上述と同条件下
でＣ／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量
を変えて室温でのその磁化ＭS1S に対するＣ／Ｎを測定
したところ図１１に示す結果が得られた。これによれ
ば、ＴＭリッチで１００〜６００ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎが得られることが分る。
【００６３】そして、ＨC1S ＜７ｋＯｅ、ＨCA＜Ｈｉ
（〜４ｋＯｅ）を満足する。
（〜４ｋＯｅ）を満足する。
【００６４】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて中間層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ／
Ｎを測定した。ＧｄＦｅＣｏのＧｄの含有量を変えて室
温でのその磁化ＭS2に対するＣ／Ｎを測定したところ図
１２に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチ
でＭS2＜７００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭS2≦２０
０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られること
が分る。
おいて中間層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ／
Ｎを測定した。ＧｄＦｅＣｏのＧｄの含有量を変えて室
温でのその磁化ＭS2に対するＣ／Ｎを測定したところ図
１２に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッチ
でＭS2＜７００ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチでＭS2≦２０
０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られること
が分る。
【００６５】更に、実施例１における光磁気ディスクに
おいて、記録層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ
／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量を変
えて室温でのそのＭS3に対するＣ／Ｎを測定したところ
図１３に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッ
チで０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜
ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得
られることが分る。
おいて、記録層１３の組成を変えて上述と同条件下でＣ
／Ｎを測定した。即ちＴｂＦｅＣｏのＴｂの含有量を変
えて室温でのそのＭS3に対するＣ／Ｎを測定したところ
図１３に示す結果が得られた。これによれば、ＴＭリッ
チで０＜ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ、ＲＥリッチで０＜
ＭS1≦３５０ｅｍｕ／ｃｃで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得
られることが分る。
【００６６】因みに、上述のＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣ
ｏなどはフェリ磁性体であって、Ｔｂ，Ｇｄ等の希土類
の副格子磁化とＦｅＣｏ等の遷移金属の副格子磁化は常
に逆向きである。飽和磁化ＭS は２種の副格子磁化の差
し引きである。
ｏなどはフェリ磁性体であって、Ｔｂ，Ｇｄ等の希土類
の副格子磁化とＦｅＣｏ等の遷移金属の副格子磁化は常
に逆向きである。飽和磁化ＭS は２種の副格子磁化の差
し引きである。
【００６７】そしてこの場合に、遷移金属ＴＭに希土類
元素ＲＥを添加していくと希土類元素の増加に伴ってＭ
S は小さくなり、ある添加量でＴＭとＲＥの副格子磁化
同じとなりＭS が０になる。
元素ＲＥを添加していくと希土類元素の増加に伴ってＭ
S は小さくなり、ある添加量でＴＭとＲＥの副格子磁化
同じとなりＭS が０になる。
【００６８】更に、それ以上にＲＥを加えていくとＲＥ
の副格子の磁化がＴＭより大きくなりまたＭS は大きく
なっていく。
の副格子の磁化がＴＭより大きくなりまたＭS は大きく
なっていく。
【００６９】また、実施例１において、再生補助層３１
の厚さｈ1Sを変えてＣ／Ｎを測定した結果を図１４に示
す。これによれば、この膜厚ｈ1sは特性に差程影響しな
いことが分る。
の厚さｈ1Sを変えてＣ／Ｎを測定した結果を図１４に示
す。これによれば、この膜厚ｈ1sは特性に差程影響しな
いことが分る。
【００７０】尚、中間層１２，補助層３１は上述した例
に限らず種々の希土類−遷移金属磁性層によって構成す
ることができるし、実施例１における４層構造の光磁気
記録層２１に限らず再生補助層３１を持たない３層構造
とすることもできる。
に限らず種々の希土類−遷移金属磁性層によって構成す
ることができるし、実施例１における４層構造の光磁気
記録層２１に限らず再生補助層３１を持たない３層構造
とすることもできる。
【００７１】
【発明の効果】上述したところから明らかなように、本
発明では、読み出しを行おうとする目的のトラックに対
してのみ、第１の光ビームLB1 によって再生可能な記録
ピットを浮き出させ、これを第２の光ビームLB2 によっ
て光磁気相互作用で読み出すようにしたことによってト
ラック間のクロストークを回避できるので、トラック間
隔及びピッチを充分小さくすることができ、トラックの
高密度化、したがって記録容量を大幅に向上することが
できる。
発明では、読み出しを行おうとする目的のトラックに対
してのみ、第１の光ビームLB1 によって再生可能な記録
ピットを浮き出させ、これを第２の光ビームLB2 によっ
て光磁気相互作用で読み出すようにしたことによってト
ラック間のクロストークを回避できるので、トラック間
隔及びピッチを充分小さくすることができ、トラックの
高密度化、したがって記録容量を大幅に向上することが
できる。
【００７２】また、上述の本発明方法及び光磁気記録媒
体は、あらゆる信号変調方式に対応できるなど、その実
用上の利益は大である。
体は、あらゆる信号変調方式に対応できるなど、その実
用上の利益は大である。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一例の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の方法の実施態様の一例の説明図であ
る。
る。
【図３】本発明方法の動作説明図である。
【図４】本発明方法の動作説明に供する磁化状態を示す
図である。
図である。
【図５】光ピックアップの一例の構成図である。
【図６】光ピックアップの一例の構成図である。
【図７】再生信号スペクトラムである。
【図８】再生Ｃ／Ｎ及びクロストーク特性である。
【図９】イコライザの回路図である。
【図１０】本発明による光磁気記録媒体の再生層の磁化
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図１１】本発明による光磁気記録媒体の再生補助層の
磁化とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
磁化とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図１２】本発明による光磁気記録媒体の中間層の磁化
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図１３】本発明による光磁気記録媒体の記録層の磁化
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
とＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
【図１４】本発明による光磁気記録媒体の再生補助層の
厚さとＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
厚さとＣ／Ｎの関係の測定曲線図である。
１１ 再生層 ３１ 再生補助層 １２ 中間層 １３ 記録層
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも再生層と、記録層と、これら
層間に介在する中間層とを有する光磁気記録媒体に、第
１の光ビームを上記再生層に照射することにより、該再
生層を局部的に加熱して上記記録層に磁気的に記録され
ている信号を上記再生層に転写し、 第２の光ビームによって上記再生層に転写された上記信
号を読み出すことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方
法。 - 【請求項２】 第１及び第２の各光ビームがレーザ光で
あって、上記第２の光ビームのレーザパワーは、上記第
１の光ビームのレーザパワーと同じまたはそれ以下に選
定されたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録
媒体の再生方法。 - 【請求項３】 第１及び第２の各光ビームを、共通の光
学ピックアップまたはそれぞれ独立した光学ピックアッ
プによって発生させるようにしたことを特徴とする請求
項または２に記載の光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項４】 第１及び第２の各光ビームを、モノリシ
ック２ビームレーザダイオードを具備する１つの光学ピ
ックアップによって発生させるようにしたことを特徴と
する請求項１、２または３に記載の光磁気記録媒体の再
生方法。 - 【請求項５】 再生層、及び記録層の各飽和磁化をそれ
ぞれＭS1，及びＭS3とし、保磁力をそれぞれＨC1，及び
ＨC3とするとき、 上記再生層は、ＧｄＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移
金属磁性層より成り、ＭS1≦４５０ｅｍｕ／ｃｃ，ＨC1
≦４ｋＯｅとし、 上記記録層は、ＴｂＦｅＣｏを主体とする希土類−遷移
金属磁性層より成り、ＨC3≧５ｋＯｅであって、この記
録層が遷移金属優勢膜である場合はＭS3≦３００ｅｍｕ
／ｃｃ、希土類優勢膜である場合はＭS3≦２００ｅｍｕ
／ｃｃとしたことを特徴とする請求項１２、３、または
４に記載の光磁気記録媒体の再生方法に用いる光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23225292A JPH0676406A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光磁気記録媒体の再生方法とこれに用いる光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23225292A JPH0676406A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光磁気記録媒体の再生方法とこれに用いる光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676406A true JPH0676406A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16936364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23225292A Pending JPH0676406A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 光磁気記録媒体の再生方法とこれに用いる光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765849B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-07-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for reproducing data from a recording medium using light beam with adjustable power |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23225292A patent/JPH0676406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765849B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-07-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for reproducing data from a recording medium using light beam with adjustable power |
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