JPH06236587A - 再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置 - Google Patents
再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置Info
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- JPH06236587A JPH06236587A JP5100704A JP10070493A JPH06236587A JP H06236587 A JPH06236587 A JP H06236587A JP 5100704 A JP5100704 A JP 5100704A JP 10070493 A JP10070493 A JP 10070493A JP H06236587 A JPH06236587 A JP H06236587A
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- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録密度の向上
【構成】 少なくとも基板とその上に積層された磁性層
からなり、前記磁性層のトラックに沿って、再生用レー
ザーの照射により、磁化が所定の向きを向く第２微小領
域α1 （ピット又はマークに相当）と、所定の向きを向
かない第１微小領域α0 とが設けられ、前記微小領域の
一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さ又は
エッジ位置によって、情報を表す再生専用型の光磁気デ
ィスク。照射スポット内の蓄熱領域ａ内に、領域α1 が
位置したときのみ、そこの保磁力が低下する。そのた
め、補助磁界↑の影響で磁化が所定の向き↑を向く（あ
ぶり出し）。スポット内の領域α1 以外は↑に向かな
い。領域ａ内に領域α0 が位置してもスポット内の全域
で、磁化は所定の向き↑を向かない。そのため、スポッ
ト径より小さい領域α1 の存在を検知できる。 【効果】 従来のピットより領域α1 を小さくできるの
で、記録密度が向上
からなり、前記磁性層のトラックに沿って、再生用レー
ザーの照射により、磁化が所定の向きを向く第２微小領
域α1 （ピット又はマークに相当）と、所定の向きを向
かない第１微小領域α0 とが設けられ、前記微小領域の
一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さ又は
エッジ位置によって、情報を表す再生専用型の光磁気デ
ィスク。照射スポット内の蓄熱領域ａ内に、領域α1 が
位置したときのみ、そこの保磁力が低下する。そのた
め、補助磁界↑の影響で磁化が所定の向き↑を向く（あ
ぶり出し）。スポット内の領域α1 以外は↑に向かな
い。領域ａ内に領域α0 が位置してもスポット内の全域
で、磁化は所定の向き↑を向かない。そのため、スポッ
ト径より小さい領域α1 の存在を検知できる。 【効果】 従来のピットより領域α1 を小さくできるの
で、記録密度が向上
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な再生専用型の光
磁気ディスク、その再生方法及び再生装置に関する。
磁気ディスク、その再生方法及び再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方式は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方式は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される光磁
気ディスク（記録媒体）は、記録を残す層として１層又
は多層から成る磁性層を有する。磁性層は、初期の頃
は、水平磁化膜（磁化の向きが膜面に平行）であった。
その後、記録密度が高く、また信号強度も高い垂直磁化
膜（perpendicular magnetic layer or layers）が開発
された。今日、後者がほぼ１００％使用されている。こ
のような磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGdCo、
GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどから成る。垂直磁化膜
は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有してお
り、このトラックの上に情報が記録される。トラック
は、明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。
気ディスク（記録媒体）は、記録を残す層として１層又
は多層から成る磁性層を有する。磁性層は、初期の頃
は、水平磁化膜（磁化の向きが膜面に平行）であった。
その後、記録密度が高く、また信号強度も高い垂直磁化
膜（perpendicular magnetic layer or layers）が開発
された。今日、後者がほぼ１００％使用されている。こ
のような磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGdCo、
GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどから成る。垂直磁化膜
は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有してお
り、このトラックの上に情報が記録される。トラック
は、明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。
【０００４】〔明示的なトラック〕明示的なトラックを
有するディスクは、ディスク平面に対し垂直方向から見
た場合、情報を記録するトラックが渦巻状又は同心円状
に形成されている。隣接する２つのトラック間には、ト
ラッキングのため及び分離のための溝（グルーブgroov
e）が存在する。逆に溝と溝の間をランド（land）と呼
ぶ。実際には、ディスクの裏表でランドと溝が逆にな
る。そこでビームが入射する方向と同じにディスクを見
て、奥をランド、手前を溝と呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の
上にもランドの上にも一面に形成するので、溝の部分を
トラックにしてもよいし、ランドの部分をトラックにし
てもよい。溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係は
ない。
有するディスクは、ディスク平面に対し垂直方向から見
た場合、情報を記録するトラックが渦巻状又は同心円状
に形成されている。隣接する２つのトラック間には、ト
ラッキングのため及び分離のための溝（グルーブgroov
e）が存在する。逆に溝と溝の間をランド（land）と呼
ぶ。実際には、ディスクの裏表でランドと溝が逆にな
る。そこでビームが入射する方向と同じにディスクを見
て、奥をランド、手前を溝と呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の
上にもランドの上にも一面に形成するので、溝の部分を
トラックにしてもよいし、ランドの部分をトラックにし
てもよい。溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係は
ない。
【０００５】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。 〔黙示的なトラック〕黙示的なトラックを有するディス
クは、見掛け上のトラックを有しない。概念的なもので
ある。この場合、記録装置又は再生装置側の制御システ
ムがあり、光ヘッド又はピックアップから出射されたレ
ーザービーム（のスポット）が、渦巻状又は同心円状に
相対的にディスク上を走行（トラッキング）する。スポ
ットの走行の軌跡が黙示的なトラックを構成する。ある
いは、後述するマークそのものが、トラックに沿って点
在するので、点在するマークをなぞった帯状のものが黙
示的なトラックとなる。
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。 〔黙示的なトラック〕黙示的なトラックを有するディス
クは、見掛け上のトラックを有しない。概念的なもので
ある。この場合、記録装置又は再生装置側の制御システ
ムがあり、光ヘッド又はピックアップから出射されたレ
ーザービーム（のスポット）が、渦巻状又は同心円状に
相対的にディスク上を走行（トラッキング）する。スポ
ットの走行の軌跡が黙示的なトラックを構成する。ある
いは、後述するマークそのものが、トラックに沿って点
在するので、点在するマークをなぞった帯状のものが黙
示的なトラックとなる。
【０００６】〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上
向き(upward)」又は「下向き(downward)」のいずれか一
方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。本
発明で言う「所定の向き」の一例がこの「Ａ向き」と理
解されたい。記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0 ）の２つ
の信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デ
ジタル信号の１，０のいずれか一方と他方にそれぞれ相
当する。しかし、一般には記録されるトラックの磁化
は、記録前に強力な外部磁場を印加することによって、
「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁場の向きを揃える行
為は、初期化（initialize）と呼ばれる。その上でトラ
ックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)を形成す
る。マーク（Ｂ0)又は（Ｂ1)の一方を情報単位とし、情
報単位−−−−−−−通常はマーク（Ｂ1)−−−−−−
の有無又は長さによって表現される。長さによって情報
を表す手法には、マークのエッジ（前端及び／又は後
端）位置によって情報を表す手法が含まれる。なお、マ
ークは、過去にピット又はビットと呼ばれたことがある
が、最近はマークと呼ぶ。このマークは、本発明で言う
「第１微小領域α0 」又は「第２微小領域α1 」に相当
する。
向き(upward)」又は「下向き(downward)」のいずれか一
方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。本
発明で言う「所定の向き」の一例がこの「Ａ向き」と理
解されたい。記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0 ）の２つ
の信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デ
ジタル信号の１，０のいずれか一方と他方にそれぞれ相
当する。しかし、一般には記録されるトラックの磁化
は、記録前に強力な外部磁場を印加することによって、
「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁場の向きを揃える行
為は、初期化（initialize）と呼ばれる。その上でトラ
ックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)を形成す
る。マーク（Ｂ0)又は（Ｂ1)の一方を情報単位とし、情
報単位−−−−−−−通常はマーク（Ｂ1)−−−−−−
の有無又は長さによって表現される。長さによって情報
を表す手法には、マークのエッジ（前端及び／又は後
端）位置によって情報を表す手法が含まれる。なお、マ
ークは、過去にピット又はビットと呼ばれたことがある
が、最近はマークと呼ぶ。このマークは、本発明で言う
「第１微小領域α0 」又は「第２微小領域α1 」に相当
する。
【０００７】〔マーク形成の原理〕マークの形成におい
ては、レーザーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝
集性（coherence)が有利に使用され、レーザー光の波長
によって決定される回折限界とほとんど同じ位に小さい
スポットにビームが絞り込まれる。絞り込まれた光はト
ラック表面に照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下
のマークを形成することにより情報が記録される。光学
的記録においては、理論的に約108 マーク／cm2 までの
記録密度を達成することができる。何故なら、レーザー
ビームはその波長とほとんど同じ位に小さい直径を有す
るスポットにまで凝集（concentrate)することができる
からである。
ては、レーザーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝
集性（coherence)が有利に使用され、レーザー光の波長
によって決定される回折限界とほとんど同じ位に小さい
スポットにビームが絞り込まれる。絞り込まれた光はト
ラック表面に照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下
のマークを形成することにより情報が記録される。光学
的記録においては、理論的に約108 マーク／cm2 までの
記録密度を達成することができる。何故なら、レーザー
ビームはその波長とほとんど同じ位に小さい直径を有す
るスポットにまで凝集（concentrate)することができる
からである。
【０００８】図２に示すように、光磁気記録において
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜からなる磁性層
（２）の上に絞り込み、それを加熱する。その間、初期
化された向きとは反対の向きの記録磁界（Ｈｂ）を、加
熱された部分に外部から印加する。そうすると局部的に
加熱された部分の保磁力Ｈｃ（coersivity）は減少し、
記録磁界（Ｈｂ）より小さくなる。その結果、その部分
の磁化は、記録磁界の向きに並ぶ。こうして逆に磁化さ
れたマークが形成される。
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜からなる磁性層
（２）の上に絞り込み、それを加熱する。その間、初期
化された向きとは反対の向きの記録磁界（Ｈｂ）を、加
熱された部分に外部から印加する。そうすると局部的に
加熱された部分の保磁力Ｈｃ（coersivity）は減少し、
記録磁界（Ｈｂ）より小さくなる。その結果、その部分
の磁化は、記録磁界の向きに並ぶ。こうして逆に磁化さ
れたマークが形成される。
【０００９】〔再生の原理〕図３は、光磁気効果に基づ
く情報再生の原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で
全ての方向に通常は発散している電磁場ベクトルを有す
る電磁波である。光源からの光が直線偏光に（ＬP ）に
変換された後、磁性層（２）に入射する。光はその表面
で反射されるか又は磁性層（２）を透過する。このと
き、偏光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。但し、磁
性層が重希土類−遷移金属合金であるときは、回転は主
に遷移金属の副格子磁化の向きによる。この回転する現
象は、磁気カー（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Fara
day)効果と呼ばれる。
く情報再生の原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で
全ての方向に通常は発散している電磁場ベクトルを有す
る電磁波である。光源からの光が直線偏光に（ＬP ）に
変換された後、磁性層（２）に入射する。光はその表面
で反射されるか又は磁性層（２）を透過する。このと
き、偏光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。但し、磁
性層が重希土類−遷移金属合金であるときは、回転は主
に遷移金属の副格子磁化の向きによる。この回転する現
象は、磁気カー（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Fara
day)効果と呼ばれる。
【００１０】例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」
磁化に対してθK 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θK 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θK 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0 ）か
ら反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ1 ）から反射された光は、（sin ２θk ）2 を乗じ
た分がアナライザーを透過し、ディテクター（光電変換
手段）に捕獲される。その結果、「Ａ向き」に磁化され
たマーク（Ｂ1 ）は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ0 ) よりも明るく見え、ディテクターにおいて、強
い電気信号を発生させる。従って、ディテクターからの
電気信号は、記録された情報に従って変調されるので、
情報が再生されるのである。アナライザーとディテクタ
ーが磁気光学的処理手段を構成するが、単なる偏光子を
アナライザーとする直接方だけでなく、偏向ビームスプ
リッタ（ＰＢＳ）をアナライザーとして入射光を２成分
に分解し、分解した２つの光をそれぞれにディテクター
で電気信号に変換し、差動（増幅）器で両信号の差動
（差を再生信号とする）を取る差動法もあり、この場合
には、ＰＢＳ、２つのディテクター及び差動（増幅）器
が光学的処理手段を構成する。
磁化に対してθK 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θK 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θK 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0 ）か
ら反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ1 ）から反射された光は、（sin ２θk ）2 を乗じ
た分がアナライザーを透過し、ディテクター（光電変換
手段）に捕獲される。その結果、「Ａ向き」に磁化され
たマーク（Ｂ1 ）は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ0 ) よりも明るく見え、ディテクターにおいて、強
い電気信号を発生させる。従って、ディテクターからの
電気信号は、記録された情報に従って変調されるので、
情報が再生されるのである。アナライザーとディテクタ
ーが磁気光学的処理手段を構成するが、単なる偏光子を
アナライザーとする直接方だけでなく、偏向ビームスプ
リッタ（ＰＢＳ）をアナライザーとして入射光を２成分
に分解し、分解した２つの光をそれぞれにディテクター
で電気信号に変換し、差動（増幅）器で両信号の差動
（差を再生信号とする）を取る差動法もあり、この場合
には、ＰＢＳ、２つのディテクター及び差動（増幅）器
が光学的処理手段を構成する。
【００１１】〔ＴＭとＲＥ〕磁性層（好ましくは垂直磁
化膜）は、遷移金属transition metal（以下、ＴＭと略
す）と重希土類金属heavy rare earth metal（以下、Ｒ
Ｅと略す）との合金からなる非晶質フェリ磁性体である
ことが好ましい。ＴＭの例には、Fe、Coがあり、ＲＥの
例には、Gd、Tb、Dy、Hoがある。合金の外部に現れる磁
化の向き及び大きさは、合金内部のＴＭの副格子磁化の
向き及び大きさと、ＲＥの副格子磁化の向き及び大きさ
との関係で決まる。合金の磁化はＴＭ副格子磁化ベクト
ルとＲＥ副格子磁化ベクトルの和になっている。ただ
し、合金の中ではＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化との
相互作用のために、その向きは必ず逆になっている。従
って、ＴＭの副格子磁化ベクトルとＲＥ副格子磁化ベク
トルの強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つま
り、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。室温
で、ゼロになるときの合金組成が、補償組成（compensa
tion composition）と呼ばれる。それ以外の組成のとき
には、合金は両方の副格子磁化の強度差に等しい強度
で、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きの
磁化を示す。前述のカー効果及びファラデー効果は、主
にＴＭ副格子磁化ベクトルの向きによるので、Tcomp.を
越えてもカー効果又はファラデー効果に変化はない。
化膜）は、遷移金属transition metal（以下、ＴＭと略
す）と重希土類金属heavy rare earth metal（以下、Ｒ
Ｅと略す）との合金からなる非晶質フェリ磁性体である
ことが好ましい。ＴＭの例には、Fe、Coがあり、ＲＥの
例には、Gd、Tb、Dy、Hoがある。合金の外部に現れる磁
化の向き及び大きさは、合金内部のＴＭの副格子磁化の
向き及び大きさと、ＲＥの副格子磁化の向き及び大きさ
との関係で決まる。合金の磁化はＴＭ副格子磁化ベクト
ルとＲＥ副格子磁化ベクトルの和になっている。ただ
し、合金の中ではＴＭ副格子磁化とＲＥ副格子磁化との
相互作用のために、その向きは必ず逆になっている。従
って、ＴＭの副格子磁化ベクトルとＲＥ副格子磁化ベク
トルの強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つま
り、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。室温
で、ゼロになるときの合金組成が、補償組成（compensa
tion composition）と呼ばれる。それ以外の組成のとき
には、合金は両方の副格子磁化の強度差に等しい強度
で、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きの
磁化を示す。前述のカー効果及びファラデー効果は、主
にＴＭ副格子磁化ベクトルの向きによるので、Tcomp.を
越えてもカー効果又はファラデー効果に変化はない。
【００１２】ある合金組成のＴＭベクトルとＲＥベクト
ルの強度が、どちらか一方大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとってＴＭリッチ又はＲＥリ
ッチであると呼ばれる。合金全体の磁化の向きは、○○
リッチの○○の副格子磁化の向きと一致する。副格子磁
化の強度は温度で変化する。ある温度で、両ベクトルの
強度が等しいとき、その温度を補償点Ｔcomp.(compensa
tion temperature）と言う。この温度を境にＴＭリッチ
からＲＥリッチへ又はその逆へ変化する。
ルの強度が、どちらか一方大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとってＴＭリッチ又はＲＥリ
ッチであると呼ばれる。合金全体の磁化の向きは、○○
リッチの○○の副格子磁化の向きと一致する。副格子磁
化の強度は温度で変化する。ある温度で、両ベクトルの
強度が等しいとき、その温度を補償点Ｔcomp.(compensa
tion temperature）と言う。この温度を境にＴＭリッチ
からＲＥリッチへ又はその逆へ変化する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】これまでの光磁気ディ
スクは、記録密度に限界があり、そのため、記録容量も
は限界値以上に大きくすることはできないと言う問題点
があった。何故ならば、レーザービームのスポット径よ
り小さいマークを再生することはできないからである。
スクは、記録密度に限界があり、そのため、記録容量も
は限界値以上に大きくすることはできないと言う問題点
があった。何故ならば、レーザービームのスポット径よ
り小さいマークを再生することはできないからである。
【００１４】本発明の目的は、光磁気記録ディスクが持
つ前記問題点の解決にある。
つ前記問題点の解決にある。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】そのため、本発明は以下の
発明を提供する。 （請求項１） 少なくとも基板とその上に積層された磁
性層からなる光磁気ディスクにおいて、前記磁性層のト
ラックに沿って、再生用レーザービームの照射により、
磁化が所定の向きを向く第２微小領域α1 と、所定の向
きを向かない第１微小領域α0 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
発明を提供する。 （請求項１） 少なくとも基板とその上に積層された磁
性層からなる光磁気ディスクにおいて、前記磁性層のト
ラックに沿って、再生用レーザービームの照射により、
磁化が所定の向きを向く第２微小領域α1 と、所定の向
きを向かない第１微小領域α0 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
【００１６】（請求項２） 少なくとも基板とその上に
積層された磁性層からなる光磁気ディスクにおいて、前
記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱拡散層が配
置されている第１微小領域α0 と、前記熱拡散層が配置
されていない第２微小領域α1 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
積層された磁性層からなる光磁気ディスクにおいて、前
記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱拡散層が配
置されている第１微小領域α0 と、前記熱拡散層が配置
されていない第２微小領域α1 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
【００１７】（請求項３） 少なくとも基板とその上に
積層された磁性層からなる光磁気ディスクにおいて、前
記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱遮断層が配
置されている第２微小領域α1 と、前記熱遮断層が配置
されていない第１微小領域α0 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
積層された磁性層からなる光磁気ディスクにおいて、前
記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱遮断層が配
置されている第２微小領域α1 と、前記熱遮断層が配置
されていない第１微小領域α0 とを設け、前記微小領域
の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さに
よって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光磁
気ディスク。
【００１８】（請求項４） 請求項３記載の光磁気ディ
スクにおいて、前記熱遮断層が配置されていない第１微
小領域α0 の前記磁性層に隣接して熱拡散層を配置した
ことを特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 （請求項５） 請求項２又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層を構成する材料の熱伝導率が 50
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以上であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。
スクにおいて、前記熱遮断層が配置されていない第１微
小領域α0 の前記磁性層に隣接して熱拡散層を配置した
ことを特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 （請求項５） 請求項２又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層を構成する材料の熱伝導率が 50
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以上であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。
【００１９】（請求項６） 請求項２又は４記載の光磁
気ディスクにおいて、前記熱拡散層を構成する材料の比
熱が 0.2〔Ｊ／ｇ・Ｋ〕より大きいことを特徴とする再
生専用型の光磁気ディスク。 （請求項７） 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層がダイヤモンド薄膜からなること
を特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。
気ディスクにおいて、前記熱拡散層を構成する材料の比
熱が 0.2〔Ｊ／ｇ・Ｋ〕より大きいことを特徴とする再
生専用型の光磁気ディスク。 （請求項７） 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層がダイヤモンド薄膜からなること
を特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。
【００２０】（請求項８） 請求項７記載の光磁気ディ
スクにおいて、前記ダイヤモンド薄膜の膜厚が 500Å以
上であることを特徴とする再生専用型の光磁気ディス
ク。 （請求項９） 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱遮断層を構成する材料の熱伝導率が４
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以下であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。
スクにおいて、前記ダイヤモンド薄膜の膜厚が 500Å以
上であることを特徴とする再生専用型の光磁気ディス
ク。 （請求項９） 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱遮断層を構成する材料の熱伝導率が４
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以下であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。
【００２１】（請求項１０） 請求項１〜請求項４のい
ずれかに記載の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層が
垂直磁気異方性を有することを特徴とする再生専用型の
光磁気ディスク。 （請求項１１） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０に記載の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層
の保磁力が４〔ｋＯe 〕以下であることを特徴とする再
生専用型の光磁気ディスク。
ずれかに記載の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層が
垂直磁気異方性を有することを特徴とする再生専用型の
光磁気ディスク。 （請求項１１） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０に記載の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層
の保磁力が４〔ｋＯe 〕以下であることを特徴とする再
生専用型の光磁気ディスク。
【００２２】（請求項１２） 請求項１〜請求項４のい
ずれか又は請求項１０又は請求項１１に記載の光磁気デ
ィスクにおいて、前記磁性層の補償点が室温以上でキュ
リー点以下であることを特徴とする再生専用型の光磁気
ディスク。 （請求項１３） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０又は請求項１１に記載の光磁気ディスクにおい
て、再生用レーザービームの照射を受け蓄熱効果により
前記磁性層が局所的に所定の高温ＴR になったとして、
前記磁性層の補償点が室温以上でかつ前記高温ＴH 以下
でかつキュリー点以下であることを特徴とする再生専用
型の光磁気ディスク。
ずれか又は請求項１０又は請求項１１に記載の光磁気デ
ィスクにおいて、前記磁性層の補償点が室温以上でキュ
リー点以下であることを特徴とする再生専用型の光磁気
ディスク。 （請求項１３） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０又は請求項１１に記載の光磁気ディスクにおい
て、再生用レーザービームの照射を受け蓄熱効果により
前記磁性層が局所的に所定の高温ＴR になったとして、
前記磁性層の補償点が室温以上でかつ前記高温ＴH 以下
でかつキュリー点以下であることを特徴とする再生専用
型の光磁気ディスク。
【００２３】（請求項１４） 請求項１〜請求項４のい
ずれか又は請求項１０又は請求項１１に記載の光磁気デ
ィスクにおいて、前記磁性層の補償点が室温以上２００
℃以下であることを特徴とする再生専用型の光磁気ディ
スク。 （請求項１５） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１１〜請求項１４のいずれかに記載の光磁気ディス
クにおいて、前記磁性層がGdFeCo又はGdTbFeCo又はGdDy
FeCoからなることを特徴とする再生専用型の光磁気ディ
スク。
ずれか又は請求項１０又は請求項１１に記載の光磁気デ
ィスクにおいて、前記磁性層の補償点が室温以上２００
℃以下であることを特徴とする再生専用型の光磁気ディ
スク。 （請求項１５） 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１１〜請求項１４のいずれかに記載の光磁気ディス
クにおいて、前記磁性層がGdFeCo又はGdTbFeCo又はGdDy
FeCoからなることを特徴とする再生専用型の光磁気ディ
スク。
【００２４】（請求項１６） 請求項１〜請求項４のい
ずれか又は請求項１１〜請求項１５のいずれかに記載の
光磁気ディスクにおいて、前記磁性層がレーザービーム
の照射方向から見て順に相対的にキュリー点が高い層と
キュリー点が低い層の少なくとも２層からなり、両層は
実質的に全部の接触領域で交換結合していることを特徴
とする再生専用型の光磁気ディスク。
ずれか又は請求項１１〜請求項１５のいずれかに記載の
光磁気ディスクにおいて、前記磁性層がレーザービーム
の照射方向から見て順に相対的にキュリー点が高い層と
キュリー点が低い層の少なくとも２層からなり、両層は
実質的に全部の接触領域で交換結合していることを特徴
とする再生専用型の光磁気ディスク。
【００２５】（請求項１７） 第１工程：前記第１微小領域α0 の磁化の向きと第２微
小領域α1 の磁化の向きが異なるときには同じ向きに揃
えられた、請求項１〜請求項１６のいずれかに記載され
た光磁気ディスクを用意し； 第２工程：前記ディスクを回転させ、トラックに沿っ
て、再生用レーザービームを照射することにより、前記
ビームのスポット径内に位置するトラック上に、実効的
な蓄熱効果による局所的な所定の高温ＴR 領域を作りだ
し、それにより、前記高温ＴR 領域に第２微小領域α1
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせ、他
方、前記高温ＴR 領域と同一の位置に第１微小領域α0
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせず； 第３工程：前記レーザービームが前記スポット径内でデ
ィスクから反射された反射光、又は前記レーザービーム
が前記スポット径内でディスクを透過した透過光を、光
学的に処理して電気信号に変換する； ことからなる磁気光学的再生方法。
小領域α1 の磁化の向きが異なるときには同じ向きに揃
えられた、請求項１〜請求項１６のいずれかに記載され
た光磁気ディスクを用意し； 第２工程：前記ディスクを回転させ、トラックに沿っ
て、再生用レーザービームを照射することにより、前記
ビームのスポット径内に位置するトラック上に、実効的
な蓄熱効果による局所的な所定の高温ＴR 領域を作りだ
し、それにより、前記高温ＴR 領域に第２微小領域α1
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせ、他
方、前記高温ＴR 領域と同一の位置に第１微小領域α0
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせず； 第３工程：前記レーザービームが前記スポット径内でデ
ィスクから反射された反射光、又は前記レーザービーム
が前記スポット径内でディスクを透過した透過光を、光
学的に処理して電気信号に変換する； ことからなる磁気光学的再生方法。
【００２６】（請求項１８） 請求項１〜請求項１６の
いずれかに記載されたディスクの回転手段、レーザービ
ーム光源、前記光源からのレーザービームを前記ディス
クに照射するための照射光学系、前記レーザービームを
照射したとき、第２微小領域α1 の磁化が所定の向きを
向くのを助ける補助磁界印加手段、前記レーザービーム
がディスクから反射された反射光又はディスクを透過し
た透過光を後述の光学的処理手段に導くための処理光学
系、及び光学的処理手段からなることを特徴とする再生
専用型光磁気ディスクの再生装置。
いずれかに記載されたディスクの回転手段、レーザービ
ーム光源、前記光源からのレーザービームを前記ディス
クに照射するための照射光学系、前記レーザービームを
照射したとき、第２微小領域α1 の磁化が所定の向きを
向くのを助ける補助磁界印加手段、前記レーザービーム
がディスクから反射された反射光又はディスクを透過し
た透過光を後述の光学的処理手段に導くための処理光学
系、及び光学的処理手段からなることを特徴とする再生
専用型光磁気ディスクの再生装置。
【００２７】（請求項１９） 請求項１８記載の再生装
置において、前記ディスクの第１微小領域α0 及び第２
微小領域α1 の磁化の向きを揃えるための外部磁界印加
手段を付加したことを特徴とする再生専用型光磁気ディ
スクの再生装置。 （請求項２０） 請求項１〜請求項１６のいずれかに記
載されたディスクの回転手段、レーザービーム光源、前
記光源からのレーザービームを前記ディスクに照射する
ための照射光学系、前記ディスクの第１微小領域α0 及
び第２微小領域α1 の磁化の向きとを揃えるための外部
磁界印加手段、前記レーザービームがディスクから反射
された反射光又はディスクを透過した透過光を後述の光
学的処理手段に導くための処理光学系、及び光学的処理
手段からなることを特徴とする再生専用型光磁気ディス
クの再生装置。
置において、前記ディスクの第１微小領域α0 及び第２
微小領域α1 の磁化の向きを揃えるための外部磁界印加
手段を付加したことを特徴とする再生専用型光磁気ディ
スクの再生装置。 （請求項２０） 請求項１〜請求項１６のいずれかに記
載されたディスクの回転手段、レーザービーム光源、前
記光源からのレーザービームを前記ディスクに照射する
ための照射光学系、前記ディスクの第１微小領域α0 及
び第２微小領域α1 の磁化の向きとを揃えるための外部
磁界印加手段、前記レーザービームがディスクから反射
された反射光又はディスクを透過した透過光を後述の光
学的処理手段に導くための処理光学系、及び光学的処理
手段からなることを特徴とする再生専用型光磁気ディス
クの再生装置。
【００２８】
【作用】図１と請求項１のディスクを引用し、本発明の
１つの原理を説明する。ここでは磁性膜が垂直磁化膜か
らなる。従って、「所定の向き」は、「Ａ向き」を意味
する。図１の（ａ）は、ディスクの垂直断面の一部を示
す概念図であり、同（ｂ）は平面の一部を示す概念図で
ある。ディスクは、少なくとも基板（１）とその上に積
層された磁性層（２）からなる。磁性層（２）には、ト
ラックに沿って、第２微小領域α1 が点在し、その間は
第１微小領域α0 が存在する。つまり、トラックは交互
に並んだα1 とα0 から構成されている。最小寸法のα
1 又はα0 は、図１の（ｂ）に示すように、再生用レー
ザービームのスポット径より小さい。図の例では、２個
の最小α1 と２個の最小α0 を含む。この場合、最小α
1 と最小α0 が図１の左から右に向かって、α0 、
α1 、α0 、α1 の順序で並んでいるが、従来の技術で
は、この順序を特定して再生することはできない。
１つの原理を説明する。ここでは磁性膜が垂直磁化膜か
らなる。従って、「所定の向き」は、「Ａ向き」を意味
する。図１の（ａ）は、ディスクの垂直断面の一部を示
す概念図であり、同（ｂ）は平面の一部を示す概念図で
ある。ディスクは、少なくとも基板（１）とその上に積
層された磁性層（２）からなる。磁性層（２）には、ト
ラックに沿って、第２微小領域α1 が点在し、その間は
第１微小領域α0 が存在する。つまり、トラックは交互
に並んだα1 とα0 から構成されている。最小寸法のα
1 又はα0 は、図１の（ｂ）に示すように、再生用レー
ザービームのスポット径より小さい。図の例では、２個
の最小α1 と２個の最小α0 を含む。この場合、最小α
1 と最小α0 が図１の左から右に向かって、α0 、
α1 、α0 、α1 の順序で並んでいるが、従来の技術で
は、この順序を特定して再生することはできない。
【００２９】磁性層の磁化の向きは、例えば、「Ａ向
き」に揃えられている。図１の例では、スポットは図１
の左から右に向かって動くので、磁性層はスポット径内
の左（後方）ほど長い時間、光に曝され、熱エネルギー
が蓄積される。これを蓄熱効果と呼ぶ。その結果、スポ
ット径内の左方（後方）に斜線で示す局所的な蓄熱領域
ａが形成される。領域ａ内の放熱状態が一定あれば、こ
の領域ａは全て高温ＴR に達する。蓄熱領域ａ内に、第
２微小領域α1 が位置した場合には、保磁力が低下す
る。この低下した保磁力より大きい補助磁界を印加す
る。そうすると、蓄熱領域ａ内にあるα1 の磁化のみが
反転して「逆Ａ向き」となる。その結果、α1 からの反
射光成分又はα1 の透過光成分は、カー効果又はファラ
デー効果により、偏光面の回転がその他の領域（磁化の
向きが反転せず、全て「Ａ向き」）とは異なるため、ス
ポット径内全体の磁化の向きが同じ（つまり「逆Ａ向
き」に反転した局所的な領域がない）場合に比べて、偏
光成分が異なってくる。
き」に揃えられている。図１の例では、スポットは図１
の左から右に向かって動くので、磁性層はスポット径内
の左（後方）ほど長い時間、光に曝され、熱エネルギー
が蓄積される。これを蓄熱効果と呼ぶ。その結果、スポ
ット径内の左方（後方）に斜線で示す局所的な蓄熱領域
ａが形成される。領域ａ内の放熱状態が一定あれば、こ
の領域ａは全て高温ＴR に達する。蓄熱領域ａ内に、第
２微小領域α1 が位置した場合には、保磁力が低下す
る。この低下した保磁力より大きい補助磁界を印加す
る。そうすると、蓄熱領域ａ内にあるα1 の磁化のみが
反転して「逆Ａ向き」となる。その結果、α1 からの反
射光成分又はα1 の透過光成分は、カー効果又はファラ
デー効果により、偏光面の回転がその他の領域（磁化の
向きが反転せず、全て「Ａ向き」）とは異なるため、ス
ポット径内全体の磁化の向きが同じ（つまり「逆Ａ向
き」に反転した局所的な領域がない）場合に比べて、偏
光成分が異なってくる。
【００３０】このことは、（磁気）光学的処理手段を介
して、電気信号の変化をもたらし、結局、α1 が検出
（再生）されることになる。当然のことながら高温ＴR
はキュリー点以下でなければならない。そうしないと、
カー効果及びファラデー効果が得られない。他方、蓄熱
領域ａ内に、第１微小領域α0 が位置した場合には、こ
れは材料が磁化の向きの反転を起こさないものであるの
で、スポット径内全体の磁化の向きが同じ「Ａ向き」で
ある。つまり「逆Ａ向き」に反転した局所的な領域がな
い。
して、電気信号の変化をもたらし、結局、α1 が検出
（再生）されることになる。当然のことながら高温ＴR
はキュリー点以下でなければならない。そうしないと、
カー効果及びファラデー効果が得られない。他方、蓄熱
領域ａ内に、第１微小領域α0 が位置した場合には、こ
れは材料が磁化の向きの反転を起こさないものであるの
で、スポット径内全体の磁化の向きが同じ「Ａ向き」で
ある。つまり「逆Ａ向き」に反転した局所的な領域がな
い。
【００３１】こうして、スポット径より小さい第２微小
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。トラ
ックが同じ磁性材料だけで構成されていても、本発明は
可能である。例えば、図４に示すように、熱拡散層を磁
性層の上層又は下層に直接又は第３の層を介して隣接し
て、配置する。このとき、この熱拡散層をトラックに沿
って点在させる。これにより、熱拡散層が隣接する第１
微小領域α0 と、前記熱拡散層が隣接しない第２微小領
域α1 がトラックに沿って設けられる。この場合にも、
図５に示すように、まず、スポット内の後方に、光が長
時間照射され、そのため、蓄熱領域ａが形成される。こ
の蓄熱領域ａ内に、熱拡散層が隣接する第１微小領域α
0 が位置するときと、熱拡散層が隣接しない第２微小領
域α1 が位置するときで、事情が異なってくる。
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。トラ
ックが同じ磁性材料だけで構成されていても、本発明は
可能である。例えば、図４に示すように、熱拡散層を磁
性層の上層又は下層に直接又は第３の層を介して隣接し
て、配置する。このとき、この熱拡散層をトラックに沿
って点在させる。これにより、熱拡散層が隣接する第１
微小領域α0 と、前記熱拡散層が隣接しない第２微小領
域α1 がトラックに沿って設けられる。この場合にも、
図５に示すように、まず、スポット内の後方に、光が長
時間照射され、そのため、蓄熱領域ａが形成される。こ
の蓄熱領域ａ内に、熱拡散層が隣接する第１微小領域α
0 が位置するときと、熱拡散層が隣接しない第２微小領
域α1 が位置するときで、事情が異なってくる。
【００３２】第２微小領域α1 が位置したときには、α
1 に隣接して熱拡散層がないため、蓄熱効果が実効的に
働く。そのため、α1 の温度は高温ＴR 以上になる。そ
うすると、保磁力が低下するので、この低下した保磁力
より大きい補助磁界を印加することで、α1 の磁化が
「逆Ａ向き」に反転する。同じスポット径内でも、蓄熱
領域ａ以外の部分は、磁化はもとの「Ａ向き」である。
1 に隣接して熱拡散層がないため、蓄熱効果が実効的に
働く。そのため、α1 の温度は高温ＴR 以上になる。そ
うすると、保磁力が低下するので、この低下した保磁力
より大きい補助磁界を印加することで、α1 の磁化が
「逆Ａ向き」に反転する。同じスポット径内でも、蓄熱
領域ａ以外の部分は、磁化はもとの「Ａ向き」である。
【００３３】他方、蓄熱領域ａ内に第１微小領域α0 が
位置したときには、α0 に隣接して熱拡散層があるた
め、蓄熱効果が実効的に働かない。そのため、領域α0
は高温ＴR に達しない。そうすると、保磁力が余り低下
せず、先の補助磁界を印加しても補助磁界が保磁力より
小さいので、α1 の磁化の向きは反転しない。つまり、
スポット径内は、全て磁化が「Ａ向き」のままである。
補助磁界は再生中は常時印加される。何故ならば、α0
を検出する手段がないので、α0 に合わせて補助磁界を
オン、オフ又は強度変調することはできないからであ
る。
位置したときには、α0 に隣接して熱拡散層があるた
め、蓄熱効果が実効的に働かない。そのため、領域α0
は高温ＴR に達しない。そうすると、保磁力が余り低下
せず、先の補助磁界を印加しても補助磁界が保磁力より
小さいので、α1 の磁化の向きは反転しない。つまり、
スポット径内は、全て磁化が「Ａ向き」のままである。
補助磁界は再生中は常時印加される。何故ならば、α0
を検出する手段がないので、α0 に合わせて補助磁界を
オン、オフ又は強度変調することはできないからであ
る。
【００３４】こうして、スポット径より小さく第２微小
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。再生
前に、磁化の向きが乱れている（図４の（１）では、磁
性層（１）の磁化の向きを消してある）場合には、前処
理として、その保磁力より大きな外部磁界を印加し、磁
性層の磁化の向きを一方向「Ａ向き」に揃えることが好
ましい。この状態が図４の（２）である。ディスクは、
一度、再生すると、磁化の向きが乱れることである。本
発明のディスクは、繰り返し前述の前処理が可能であ
り、前処理後に再生すればよい。
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。再生
前に、磁化の向きが乱れている（図４の（１）では、磁
性層（１）の磁化の向きを消してある）場合には、前処
理として、その保磁力より大きな外部磁界を印加し、磁
性層の磁化の向きを一方向「Ａ向き」に揃えることが好
ましい。この状態が図４の（２）である。ディスクは、
一度、再生すると、磁化の向きが乱れることである。本
発明のディスクは、繰り返し前述の前処理が可能であ
り、前処理後に再生すればよい。
【００３５】熱拡散層に代えて熱遮断層を設けてもよ
い。この場合には、熱遮断層が隣接しない微小領域が第
１微小領域α0 で、前記熱遮断層が隣接する微小領域が
第２微小領域α1 となる。スポット内の後方に蓄熱領域
ａが形成される。この蓄熱領域ａ内に、熱遮断層が隣接
する第２微小領域α1 が位置すると、蓄熱効果が実効的
に働く。そのため、α1 の温度は高温ＴR 以上になる。
そうすると、保磁力が低下するので、この低下した保磁
力より大きい補助磁界を印加する。それにより、α1 の
磁化が「逆Ａ向き」に反転する。同じスポット径内で
も、蓄熱領域ａ以外の部分は、磁化はもとの「Ａ向き」
である。
い。この場合には、熱遮断層が隣接しない微小領域が第
１微小領域α0 で、前記熱遮断層が隣接する微小領域が
第２微小領域α1 となる。スポット内の後方に蓄熱領域
ａが形成される。この蓄熱領域ａ内に、熱遮断層が隣接
する第２微小領域α1 が位置すると、蓄熱効果が実効的
に働く。そのため、α1 の温度は高温ＴR 以上になる。
そうすると、保磁力が低下するので、この低下した保磁
力より大きい補助磁界を印加する。それにより、α1 の
磁化が「逆Ａ向き」に反転する。同じスポット径内で
も、蓄熱領域ａ以外の部分は、磁化はもとの「Ａ向き」
である。
【００３６】他方、蓄熱領域ａ内に第１微小領域α0 が
位置したときには、熱遮断層が隣接しないため、蓄熱効
果が実効的に働かない。そのため、領域α0 は高温ＴR
に達しない。そうすると、保磁力が余り低下せず、先の
補助磁界を印加しても補助磁界が保磁力より小さいの
で、α1 の磁化の向きは反転しない。つまり、スポット
径内は、全て磁化が「Ａ向き」のままである。
位置したときには、熱遮断層が隣接しないため、蓄熱効
果が実効的に働かない。そのため、領域α0 は高温ＴR
に達しない。そうすると、保磁力が余り低下せず、先の
補助磁界を印加しても補助磁界が保磁力より小さいの
で、α1 の磁化の向きは反転しない。つまり、スポット
径内は、全て磁化が「Ａ向き」のままである。
【００３７】こうして、スポット径より小さい第２微小
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。磁性
層は、室温とキュリー点との間に補償点を持つものが、
次に述べる理由から好ましい。磁界は、現在のところ１
μｍ程度の小さい領域に集中させることは困難である。
そのため、補助磁界をスポットに照らされた磁性層に印
加する場合に、その周囲の磁性層にも、補助磁界印加さ
れてしまう。スポット位置付近に、補助磁界印加手段を
位置させておき、ディスクを回転させる。そうすると、
例えば、補助磁界を「Ａ向き」とすると、磁性層は、ス
ポットに照らされる前に、この補助磁界により、「Ａ向
き」の磁化に揃えられてしまう。次に、ディスクが移動
してスポットで照らされると、磁性層の温度は上昇して
補償点を越える。そうすると、スポット内の磁性層の磁
化の向きは、反転して「逆Ａ向き」となる。更に移動し
て、磁性層が蓄熱領域ａに位置し、蓄熱効果が実効的に
働く場合には、磁性層の温度が高温ＴR 以上となる。そ
のため、そこの保磁力は更に低下するので、「Ａ向き」
の補助磁界により、高温ＴR の磁性層は、「Ａ向き」に
再反転する。つまり、スポット内で高温ＴR の磁性層の
みが「Ａ向き」でそれ以外の部分は「逆Ａ向き」であ
る。もちろん、スポット内の磁性層がどこでも高温ＴR
になっていない場合は、磁化はすべて「Ａ向き」であ
る。
領域α1 （マークに相当）が、検出（再生）される。こ
のプロセスは、スポット内の一部で第２微小領域α1 だ
けが「あぶり出し」されると考えると理解し易い。磁性
層は、室温とキュリー点との間に補償点を持つものが、
次に述べる理由から好ましい。磁界は、現在のところ１
μｍ程度の小さい領域に集中させることは困難である。
そのため、補助磁界をスポットに照らされた磁性層に印
加する場合に、その周囲の磁性層にも、補助磁界印加さ
れてしまう。スポット位置付近に、補助磁界印加手段を
位置させておき、ディスクを回転させる。そうすると、
例えば、補助磁界を「Ａ向き」とすると、磁性層は、ス
ポットに照らされる前に、この補助磁界により、「Ａ向
き」の磁化に揃えられてしまう。次に、ディスクが移動
してスポットで照らされると、磁性層の温度は上昇して
補償点を越える。そうすると、スポット内の磁性層の磁
化の向きは、反転して「逆Ａ向き」となる。更に移動し
て、磁性層が蓄熱領域ａに位置し、蓄熱効果が実効的に
働く場合には、磁性層の温度が高温ＴR 以上となる。そ
のため、そこの保磁力は更に低下するので、「Ａ向き」
の補助磁界により、高温ＴR の磁性層は、「Ａ向き」に
再反転する。つまり、スポット内で高温ＴR の磁性層の
みが「Ａ向き」でそれ以外の部分は「逆Ａ向き」であ
る。もちろん、スポット内の磁性層がどこでも高温ＴR
になっていない場合は、磁化はすべて「Ａ向き」であ
る。
【００３８】〔ディスクの構造〕磁性層は薄くてよいの
で、一般には円板状の基板（例えば、ガラスやプラスチ
ック基板）上に形成される。基板は、トラッキングのた
めのガイドとなる溝を有していてもよい。溝がなくと
も、トラックには、領域α0 又はα1 が形成されている
ので、これを頼りにトラッキングすることができる。
で、一般には円板状の基板（例えば、ガラスやプラスチ
ック基板）上に形成される。基板は、トラッキングのた
めのガイドとなる溝を有していてもよい。溝がなくと
も、トラックには、領域α0 又はα1 が形成されている
ので、これを頼りにトラッキングすることができる。
【００３９】基板上に真空蒸着、スパッタリング等の真
空薄膜成形技術により、磁性層を形成する。磁性層の材
料としては、遷移金属−重希土類合金が好ましい。ま
た、磁性層は垂直磁化膜が好ましいが、水平磁化膜でも
よい。磁性層の膜厚は、一般に100 〜1000Å程度であ
る。磁性層のトラックに沿って領域α0 、α1 を形成す
るには、所望の情報に従い所定パターンにパターニング
する必要がある。パターニングするには、フォトリソグ
ラフィが使用される。均一に形成された磁性層の上にフ
ォトレジストを塗布し、このレジストにビームを所定パ
ターン又はその反転パターンに従い、照射する。最小の
領域α0 又はα1 をできるだけ小さくし、それにより記
録密度を上げたいときには、出来るだけ波長の短いビー
ムを使用する必要がある。ビームは可視光に限らず、電
子線やＸ線、紫外線、放射線などを用いてもよい。そう
することで、現在の技術でも、0.2 〜0.4 ｍμ程度の長
さの領域α0 、α1 を形成することができる。これは、
ＬＤ、ＣＤなどに現在使用されている半導体レーザーの
波長（830 ｎｍ）で再生できる最小領域の約１ｍμより
ずっと小さい。
空薄膜成形技術により、磁性層を形成する。磁性層の材
料としては、遷移金属−重希土類合金が好ましい。ま
た、磁性層は垂直磁化膜が好ましいが、水平磁化膜でも
よい。磁性層の膜厚は、一般に100 〜1000Å程度であ
る。磁性層のトラックに沿って領域α0 、α1 を形成す
るには、所望の情報に従い所定パターンにパターニング
する必要がある。パターニングするには、フォトリソグ
ラフィが使用される。均一に形成された磁性層の上にフ
ォトレジストを塗布し、このレジストにビームを所定パ
ターン又はその反転パターンに従い、照射する。最小の
領域α0 又はα1 をできるだけ小さくし、それにより記
録密度を上げたいときには、出来るだけ波長の短いビー
ムを使用する必要がある。ビームは可視光に限らず、電
子線やＸ線、紫外線、放射線などを用いてもよい。そう
することで、現在の技術でも、0.2 〜0.4 ｍμ程度の長
さの領域α0 、α1 を形成することができる。これは、
ＬＤ、ＣＤなどに現在使用されている半導体レーザーの
波長（830 ｎｍ）で再生できる最小領域の約１ｍμより
ずっと小さい。
【００４０】照射の後、現像するとパターンが得られ
る。次に磁性層のエッチングを行う。磁性層上のレジス
トに覆われていない部分はエッチングを受けて消滅す
る。その後、最後に残ったレジストをアッシング等によ
り除去する。この結果、所定パターン（トラックに沿っ
て交互に領域α0 、α1 又はその前駆体が並んでいる）
が形成された磁性層が得られる。
る。次に磁性層のエッチングを行う。磁性層上のレジス
トに覆われていない部分はエッチングを受けて消滅す
る。その後、最後に残ったレジストをアッシング等によ
り除去する。この結果、所定パターン（トラックに沿っ
て交互に領域α0 、α1 又はその前駆体が並んでいる）
が形成された磁性層が得られる。
【００４１】領域α0 とα1 で磁性層の種類を違えると
きには、例えば、次のようなプロセスでディスクを製造
する。第１の磁性層のエッチングを上記の方法で行った
後、最後に残ったレジストを除去せずに、第２の磁性層
を積層する。その後、最後に残ったレジストの上に位置
する部分の第２の磁性層をその下地のレジストとともに
リフトオフする。場合により、第１の磁性層を均一に形
成した後、レーザーマーキングの技術により直接にパタ
ーニングしてもよい。
きには、例えば、次のようなプロセスでディスクを製造
する。第１の磁性層のエッチングを上記の方法で行った
後、最後に残ったレジストを除去せずに、第２の磁性層
を積層する。その後、最後に残ったレジストの上に位置
する部分の第２の磁性層をその下地のレジストとともに
リフトオフする。場合により、第１の磁性層を均一に形
成した後、レーザーマーキングの技術により直接にパタ
ーニングしてもよい。
【００４２】磁性層に隣接して熱拡散層、熱遮断層を設
ける場合、これも真空薄膜成形技術により形成する。熱
拡散層の材料としては、熱伝導率が５０〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕
以上或いは比熱が０．２〔Ｊ／ｇ・Ｋ〕より大きいもの
が好ましい。このような材料としては、例えば、Al、C
u、Geなどの非磁性金属、ダイヤモンドなどがある。熱
遮断層の材料としては、熱伝導率が、４〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕
以下であるものが好ましい。このような材料としては、
例えば、GeN 、SiN 、SiO 2 、SiO 、Al2 O 3 、TiO
2 、SiC などの無機窒化物、無機酸化物、無機炭化物
がある。熱拡散層、熱遮断層の膜厚は、一般に１００〜
１０００Åでよい。熱拡散層、熱遮断層は、トラックに
沿って領域α0 又はα1 を形成するために、所望の情報
に従い所定パターンにパターニングする必要がある。パ
ターニングの方法は、上記のとおりである。場合によ
り、熱拡散層、熱遮断層を均一に形成した後、レーザー
マーキングの技術により直接にパターニングしてもよ
い。トラック方向に沿って、熱拡散層と熱遮断層を交互
に設けてもよい。熱拡散層に隣接する磁性層部分が第１
微小領域α0 となり、熱遮断層に隣接する磁性層部分が
第２微小領域α1 となる。この場合、熱拡散層、熱遮断
層の一方をベタに形成した後、その上に他方をトラック
に沿って点在させ、その上に磁性層をベタに形成しても
よい。
ける場合、これも真空薄膜成形技術により形成する。熱
拡散層の材料としては、熱伝導率が５０〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕
以上或いは比熱が０．２〔Ｊ／ｇ・Ｋ〕より大きいもの
が好ましい。このような材料としては、例えば、Al、C
u、Geなどの非磁性金属、ダイヤモンドなどがある。熱
遮断層の材料としては、熱伝導率が、４〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕
以下であるものが好ましい。このような材料としては、
例えば、GeN 、SiN 、SiO 2 、SiO 、Al2 O 3 、TiO
2 、SiC などの無機窒化物、無機酸化物、無機炭化物
がある。熱拡散層、熱遮断層の膜厚は、一般に１００〜
１０００Åでよい。熱拡散層、熱遮断層は、トラックに
沿って領域α0 又はα1 を形成するために、所望の情報
に従い所定パターンにパターニングする必要がある。パ
ターニングの方法は、上記のとおりである。場合によ
り、熱拡散層、熱遮断層を均一に形成した後、レーザー
マーキングの技術により直接にパターニングしてもよ
い。トラック方向に沿って、熱拡散層と熱遮断層を交互
に設けてもよい。熱拡散層に隣接する磁性層部分が第１
微小領域α0 となり、熱遮断層に隣接する磁性層部分が
第２微小領域α1 となる。この場合、熱拡散層、熱遮断
層の一方をベタに形成した後、その上に他方をトラック
に沿って点在させ、その上に磁性層をベタに形成しても
よい。
【００４３】ダイヤモンド薄膜をパターニングする場合
には、ダイヤモンド薄膜をベタ（均一）に形成した後、
酸素雰囲気中で、ArF エキシマレーザービームを所定パ
ターンに従い照射し、酸素によるダイヤモンド薄膜のエ
ッチングを行う。ダイヤモンド薄膜に対してレーザービ
ームが照射された部分はエッチングを受けて除去され
る。この結果、所定パターンのダイヤモンド薄膜が得ら
れる。尚、ダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンドライク薄
膜、ダイヤモンド状炭素薄膜又は硬質炭素薄膜とも呼ば
れるものを含む。
には、ダイヤモンド薄膜をベタ（均一）に形成した後、
酸素雰囲気中で、ArF エキシマレーザービームを所定パ
ターンに従い照射し、酸素によるダイヤモンド薄膜のエ
ッチングを行う。ダイヤモンド薄膜に対してレーザービ
ームが照射された部分はエッチングを受けて除去され
る。この結果、所定パターンのダイヤモンド薄膜が得ら
れる。尚、ダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンドライク薄
膜、ダイヤモンド状炭素薄膜又は硬質炭素薄膜とも呼ば
れるものを含む。
【００４４】以下、本発明を実施例を引用して、より具
体的に説明するが、本発明はこれに限られるものではな
い。
体的に説明するが、本発明はこれに限られるものではな
い。
【００４５】
【実施例１】（ディスク・・・図１参照） （１）深さｈ＝700 Å、幅ｗ＝0.6 μｍの溝が1.6 μｍ
ピッチで同心円状に多数形成されている２Ｐ基板（直径
＝ 130ｍｍ）を用意する。溝と溝との間はランドと呼ば
れ、ランドがトラックに対応する。 （２）最初に基板上に第１磁性層（キュリー点Ｔc ＝ 2
50℃、100 ℃における保磁力Ｈc ＝100 Ｏe)を 300Åの
厚さに形成する。その後、フォトリソグラフィ（露光用
レーザー光の波長λ＝248 ｎｍ、レーザーは所定周波数
で変調する）及びエッチング技術により、第１磁性層に
トラックに沿って、孔を点在させる。このとき、レジス
トを残しておく。孔の大きさは幅 0.6μｍ、長さ0.3 μ
ｍで、孔と孔の間隔が0.3 μｍである。孔は第２微小領
域α1 に、孔と孔の間隔は第１微小領域α0 にそれぞれ
対応する。 （３）次に第２磁性層（キュリー点Ｔc ＝ 350℃、100
℃における保磁力Ｈc ＝１ＫＯe)を 300Åの厚さに積層
し、その後、リフトオフ法により、第１の磁性層上に載
っている第２の磁性層を除去する。こうして、図１に示
すごとき光磁気ディスクが得られる。ここでは、領域α
0 が第１磁性層で構成され、領域α1 が第２磁性層で構
成される。
ピッチで同心円状に多数形成されている２Ｐ基板（直径
＝ 130ｍｍ）を用意する。溝と溝との間はランドと呼ば
れ、ランドがトラックに対応する。 （２）最初に基板上に第１磁性層（キュリー点Ｔc ＝ 2
50℃、100 ℃における保磁力Ｈc ＝100 Ｏe)を 300Åの
厚さに形成する。その後、フォトリソグラフィ（露光用
レーザー光の波長λ＝248 ｎｍ、レーザーは所定周波数
で変調する）及びエッチング技術により、第１磁性層に
トラックに沿って、孔を点在させる。このとき、レジス
トを残しておく。孔の大きさは幅 0.6μｍ、長さ0.3 μ
ｍで、孔と孔の間隔が0.3 μｍである。孔は第２微小領
域α1 に、孔と孔の間隔は第１微小領域α0 にそれぞれ
対応する。 （３）次に第２磁性層（キュリー点Ｔc ＝ 350℃、100
℃における保磁力Ｈc ＝１ＫＯe)を 300Åの厚さに積層
し、その後、リフトオフ法により、第１の磁性層上に載
っている第２の磁性層を除去する。こうして、図１に示
すごとき光磁気ディスクが得られる。ここでは、領域α
0 が第１磁性層で構成され、領域α1 が第２磁性層で構
成される。
【００４６】
【実施例２】（再生） （１）実施例１のディスクを回転させ、５ＫＯe の外部
磁界印加手段により、第１、第２磁性層の磁化の向きを
「Ａ向き」に揃える。 （２）回転しているディスクに対して、再生用レーザー
ビーム（波長λ＝ 780ｎｍ）を照射する。ビームはトラ
ックを照明し、トラック上に直径１μｍのスポットを作
る。スポット位置には、「逆Ａ向き」の200 Ｏe の補助
磁界を印加する。
磁界印加手段により、第１、第２磁性層の磁化の向きを
「Ａ向き」に揃える。 （２）回転しているディスクに対して、再生用レーザー
ビーム（波長λ＝ 780ｎｍ）を照射する。ビームはトラ
ックを照明し、トラック上に直径１μｍのスポットを作
る。スポット位置には、「逆Ａ向き」の200 Ｏe の補助
磁界を印加する。
【００４７】スポット内の一部は、蓄熱効果により蓄熱
領域ａを形成し、そこの温度は高温ＴR ＝ 100℃を越え
る。そのため、そこに第１磁性層つまり第１微小領域α
0 が位置した場合には、保磁力Ｈc が100 Ｏe に低下す
るので、α0 の磁化は「逆Ａ向き」に反転する。それに
対して、領域ａ以外のスポット内は、ＴR ＝ 100℃より
低いので、保磁力は十分に大きく、補助磁界で「逆Ａ向
き」に反転されることはない。そのため、スポットから
の反射光の偏光成分は、一部「逆Ａ向き」の磁化による
＋θk の回転と、残り「Ａ向き」による−θk の回転を
含む。これを第１状態と仮に呼ぶ。
領域ａを形成し、そこの温度は高温ＴR ＝ 100℃を越え
る。そのため、そこに第１磁性層つまり第１微小領域α
0 が位置した場合には、保磁力Ｈc が100 Ｏe に低下す
るので、α0 の磁化は「逆Ａ向き」に反転する。それに
対して、領域ａ以外のスポット内は、ＴR ＝ 100℃より
低いので、保磁力は十分に大きく、補助磁界で「逆Ａ向
き」に反転されることはない。そのため、スポットから
の反射光の偏光成分は、一部「逆Ａ向き」の磁化による
＋θk の回転と、残り「Ａ向き」による−θk の回転を
含む。これを第１状態と仮に呼ぶ。
【００４８】また、仮に蓄熱領域ａに第２磁性層つまり
第２微小領域α1 が位置した場合には、保磁力Ｈc は１
ＫＯe と大きいので、α1 の磁化は「逆Ａ向き」に反転
することはない。むろん、領域ａ以外のスポット内は、
ＴR ＝ 100℃より低いので、保磁力は十分に大きく、補
助磁界で「逆Ａ向き」に反転されることはない。そのた
め、スポットからの反射光の偏光成分は、全て「逆Ａ向
き」の磁化による＋θｋの回転を含む。これを第２状態
と仮に呼ぶ。
第２微小領域α1 が位置した場合には、保磁力Ｈc は１
ＫＯe と大きいので、α1 の磁化は「逆Ａ向き」に反転
することはない。むろん、領域ａ以外のスポット内は、
ＴR ＝ 100℃より低いので、保磁力は十分に大きく、補
助磁界で「逆Ａ向き」に反転されることはない。そのた
め、スポットからの反射光の偏光成分は、全て「逆Ａ向
き」の磁化による＋θｋの回転を含む。これを第２状態
と仮に呼ぶ。
【００４９】第１状態と第２状態は、反射光をアナライ
ザーに通し、ディテクターで電気信号に変換すると、電
気信号の強弱として分離される。従って、スポットより
ずっと小さい蓄熱領域ａ内に第１微小領域α0 がやって
来たか否かが、電気信号の強又は弱として検出される。
ザーに通し、ディテクターで電気信号に変換すると、電
気信号の強弱として分離される。従って、スポットより
ずっと小さい蓄熱領域ａ内に第１微小領域α0 がやって
来たか否かが、電気信号の強又は弱として検出される。
【００５０】
【実施例３】（熱拡散層付きディスク・・・図４参照） （１）実施例１の２Ｐ基板を用意する。 （２）ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
【００５１】最初にSiターゲットを用い、Arガスに加え
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜・
図示せず）を 700Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導
入を止め、５×10-3TorrのArガス中でTbDyFeCo系合金タ
ーゲットを用いて、スパッタリングを行う。これにより
第１保護膜の上にTbDyFeCo系垂直磁化膜からなる磁性層
（Tb10Dy17Fe68Co10）を形成した。磁性層は膜厚が 500
Åである（表１のNo.１参照）。
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜・
図示せず）を 700Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導
入を止め、５×10-3TorrのArガス中でTbDyFeCo系合金タ
ーゲットを用いて、スパッタリングを行う。これにより
第１保護膜の上にTbDyFeCo系垂直磁化膜からなる磁性層
（Tb10Dy17Fe68Co10）を形成した。磁性層は膜厚が 500
Åである（表１のNo.１参照）。
【００５２】真空状態を保持したまま、Alターゲットに
取り替え、スパッタリングを行う。これによりAlからな
る熱拡散層を形成した。熱拡散層の膜厚は 600Åとし
た。得られた中間製品をスパッタリング装置から取り出
した後、スピンコーターを用いて、熱拡散層の上にフォ
トレジストを塗布する。フォトレジストの膜厚は２μｍ
とした。その後、プリベーキングして中間製品を回転さ
せながら、エキシマレーザー（ラムダ＝248 ｎｍ）を照
射する。レーザーは、所定の周波数（標準情報）で変調
した。現像及びポストベーキングすると、所定のレジス
トパターンが得られた。パターンはトラックに沿って島
状のレジスト（ピットに類似）が点々と並んでいるもの
である。１個の島は、直径が 0.4μｍである。前後の島
と島の間隔は、 0.4μｍである。次にArプラズマを用い
たドライエッチングを行った。これにより島以外の部分
のAl膜は除去された。更に、磁性層を保護するために窒
化シリコン（第２保護膜）を 700Åの厚さに形成した
（図示せず）。
取り替え、スパッタリングを行う。これによりAlからな
る熱拡散層を形成した。熱拡散層の膜厚は 600Åとし
た。得られた中間製品をスパッタリング装置から取り出
した後、スピンコーターを用いて、熱拡散層の上にフォ
トレジストを塗布する。フォトレジストの膜厚は２μｍ
とした。その後、プリベーキングして中間製品を回転さ
せながら、エキシマレーザー（ラムダ＝248 ｎｍ）を照
射する。レーザーは、所定の周波数（標準情報）で変調
した。現像及びポストベーキングすると、所定のレジス
トパターンが得られた。パターンはトラックに沿って島
状のレジスト（ピットに類似）が点々と並んでいるもの
である。１個の島は、直径が 0.4μｍである。前後の島
と島の間隔は、 0.4μｍである。次にArプラズマを用い
たドライエッチングを行った。これにより島以外の部分
のAl膜は除去された。更に、磁性層を保護するために窒
化シリコン（第２保護膜）を 700Åの厚さに形成した
（図示せず）。
【００５３】他の材料についても上記した方法と同様に
記録層を形成し、それぞれの場合について、初期化磁界
（25度における）、キュリー点、補償点、磁化反転温度
（外部磁界： 300Ｏｅ）を表１に示す。表１のNo.1は磁
性層が単層膜構造で、No.2〜No.5は２層膜構造である。
記録層を形成し、それぞれの場合について、初期化磁界
（25度における）、キュリー点、補償点、磁化反転温度
（外部磁界： 300Ｏｅ）を表１に示す。表１のNo.1は磁
性層が単層膜構造で、No.2〜No.5は２層膜構造である。
【００５４】
【実施例４】（再生装置・・・図７参照） この装置は、図７に示すように、主として、ディスクの
回転手段（76）、外部磁界（初期化磁界）印加手段（7
8）、外部磁界印加手段（78）の川下に位置するレーザ
ービーム光源（71）、光源と反対側に位置する補助磁界
印加手段（77）、及び光源と同じ側に位置する光学的処
理手段からなる。補助磁界印加手段（77）は、「Ａ向
き」↑の10ｋＯｅ（ディスク面上で）の磁界を出力する
永久磁石からなる。使用するディスクの磁性層が補償点
を持つ場合には、補助磁界印加手段（77）が外部磁界印
加手段（78）を兼用できるので、手段（78）を省略でき
る。
回転手段（76）、外部磁界（初期化磁界）印加手段（7
8）、外部磁界印加手段（78）の川下に位置するレーザ
ービーム光源（71）、光源と反対側に位置する補助磁界
印加手段（77）、及び光源と同じ側に位置する光学的処
理手段からなる。補助磁界印加手段（77）は、「Ａ向
き」↑の10ｋＯｅ（ディスク面上で）の磁界を出力する
永久磁石からなる。使用するディスクの磁性層が補償点
を持つ場合には、補助磁界印加手段（77）が外部磁界印
加手段（78）を兼用できるので、手段（78）を省略でき
る。
【００５５】光源（71）は、λ＝ 780ｎｍ、開口率（Ｎ
Ａ）＝0.55 の半導体レーザーである。 （磁気）光学
的手段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は
非偏光）ビームスプリッタ（72）、アナライザー（73）
及びディテクター（74）からなる。ディスク（75）は回
転手段により回転され、先ず、初期化磁界が印加され
る。これにより前処理が完了する。
Ａ）＝0.55 の半導体レーザーである。 （磁気）光学
的手段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は
非偏光）ビームスプリッタ（72）、アナライザー（73）
及びディテクター（74）からなる。ディスク（75）は回
転手段により回転され、先ず、初期化磁界が印加され
る。これにより前処理が完了する。
【００５６】次にレーザービームが照射される。光源
（71）から出射したビームはビームスプリッタ（72）を
透過してディスク（75）に入射し、ディスクで反射され
る。この反射光は、ビームスプリッタ（72）で反射さ
れ、アナライザー（73）及びディテクター（74）に向か
う。アナライザー（72）は、偏光ビームスプリッタでも
よく、その場合には、情報を含む光は２つに分割されて
出射する。出射した光は、それぞれに用意したディテク
ターで電気信号に変換される。変換された電気信号から
差をとることにより、ＣＮ比の高い信号が得られる。
（71）から出射したビームはビームスプリッタ（72）を
透過してディスク（75）に入射し、ディスクで反射され
る。この反射光は、ビームスプリッタ（72）で反射さ
れ、アナライザー（73）及びディテクター（74）に向か
う。アナライザー（72）は、偏光ビームスプリッタでも
よく、その場合には、情報を含む光は２つに分割されて
出射する。出射した光は、それぞれに用意したディテク
ターで電気信号に変換される。変換された電気信号から
差をとることにより、ＣＮ比の高い信号が得られる。
【００５７】
【実施例５】（再生） 実施例３のディスクを実施例４の装置にセットし、ディ
スクを1800rpm で回転させる。ディスクが外部磁界印加
手段の近くを通ったとき、磁性層の磁化は１０ｋＯC の
磁界を受けて「Ａ向き」↑に揃えられる。これが前処理
となる。前処理されたディスクは、やがてレーザービー
ム（直線偏光）の照射位置に来る。照射位置では、磁性
層ビームが照射され、そのスポット（直径 1.3μｍ）内
の磁性層の温度が上昇する。そのうち、特に、スポット
内の後半の領域（図４のａ）の磁性層の温度は、蓄熱効
果により高温になる。このとき、磁性層に隣接して熱拡
散層を設けていない領域α1 が、領域ａに位置するとき
には、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α1 の
温度は補償点を越えて磁化が「逆Ａ向き」↓に反転し、
更に所定の高温ＴR を越えて、保磁力が相当に低下す
る。
スクを1800rpm で回転させる。ディスクが外部磁界印加
手段の近くを通ったとき、磁性層の磁化は１０ｋＯC の
磁界を受けて「Ａ向き」↑に揃えられる。これが前処理
となる。前処理されたディスクは、やがてレーザービー
ム（直線偏光）の照射位置に来る。照射位置では、磁性
層ビームが照射され、そのスポット（直径 1.3μｍ）内
の磁性層の温度が上昇する。そのうち、特に、スポット
内の後半の領域（図４のａ）の磁性層の温度は、蓄熱効
果により高温になる。このとき、磁性層に隣接して熱拡
散層を設けていない領域α1 が、領域ａに位置するとき
には、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α1 の
温度は補償点を越えて磁化が「逆Ａ向き」↓に反転し、
更に所定の高温ＴR を越えて、保磁力が相当に低下す
る。
【００５８】スポット付近の磁性層は、補助磁界印加手
段により「Ａ向き」↑の補助磁界を受けている。そのた
め、領域α1 は、磁化の向きが再反転し、「Ａ向き」↑
となる。スポット内の領域ａ以外は、蓄熱効果がないの
で、温度は所定の高温ＴR を越えず、そのため、磁化の
向きは、再反転せずに、「Ａ向き」（Tcomp.を越えて
いる場合）又は「逆Ａ向き」（Tcomp.を越えている場
合）である。カー効果は磁化の向きではなく、主にＴＭ
副格子磁化に依存するので、どちらでも差し支えな
い。
段により「Ａ向き」↑の補助磁界を受けている。そのた
め、領域α1 は、磁化の向きが再反転し、「Ａ向き」↑
となる。スポット内の領域ａ以外は、蓄熱効果がないの
で、温度は所定の高温ＴR を越えず、そのため、磁化の
向きは、再反転せずに、「Ａ向き」（Tcomp.を越えて
いる場合）又は「逆Ａ向き」（Tcomp.を越えている場
合）である。カー効果は磁化の向きではなく、主にＴＭ
副格子磁化に依存するので、どちらでも差し支えな
い。
【００５９】他方、熱拡散層が設けられている領域α0
が、領域ａに位置するときには、蓄熱効果が実効的に働
かない。そのため、蓄熱領域ａと言えども、磁性層の温
度は所定の高温ＴR を越えず、磁化の向きは、「Ａ向
き」又は「逆Ａ向き」である。むろん、スポット内の
領域ａ以外は、蓄熱効果がないので、温度は所定の高温
ＴR を越えず、磁化の向きは「Ａ向き」又は「逆Ａ
向き」である。
が、領域ａに位置するときには、蓄熱効果が実効的に働
かない。そのため、蓄熱領域ａと言えども、磁性層の温
度は所定の高温ＴR を越えず、磁化の向きは、「Ａ向
き」又は「逆Ａ向き」である。むろん、スポット内の
領域ａ以外は、蓄熱効果がないので、温度は所定の高温
ＴR を越えず、磁化の向きは「Ａ向き」又は「逆Ａ
向き」である。
【００６０】磁性層から反射されたビームを（磁気）光
学的手段で処理することにより、情報が再生される。上
記ディスクを上記の再生装置、再生方法で再生し、ＣＮ
比を測定した。磁性層を表１のNo.2〜No.5に示す通りに
代えた種々のディスクを製造し、ＣＮ比を測定した結果
を表１に示す。
学的手段で処理することにより、情報が再生される。上
記ディスクを上記の再生装置、再生方法で再生し、ＣＮ
比を測定した。磁性層を表１のNo.2〜No.5に示す通りに
代えた種々のディスクを製造し、ＣＮ比を測定した結果
を表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】表１に示した各種磁性層からなる光磁気デ
ィスクのＣＮ比は、43〜46dBの範囲にある。従来の光磁
気ディクの場合、レーザービームの照射スポットの大き
さ以下のマークの再生は不可能である。本発明における
マーク（α0 又はα1 ）の大きさは従来よりも小さく、
熱拡散層で微小領域を形成しない場合、再生することは
できない。表１の結果は、従来、再生が不可能であった
レーザービームの照射スポット以下の小さいマークを熱
拡散層を設けることによって、高いＣＮ比で再生可能で
きることを示している。
ィスクのＣＮ比は、43〜46dBの範囲にある。従来の光磁
気ディクの場合、レーザービームの照射スポットの大き
さ以下のマークの再生は不可能である。本発明における
マーク（α0 又はα1 ）の大きさは従来よりも小さく、
熱拡散層で微小領域を形成しない場合、再生することは
できない。表１の結果は、従来、再生が不可能であった
レーザービームの照射スポット以下の小さいマークを熱
拡散層を設けることによって、高いＣＮ比で再生可能で
きることを示している。
【００６３】
【実施例６】実施例３と同様に、熱拡散層の材料を変え
てディスクを製造し、そのＣＮ比を測定した。その結果
を表２に示す。
てディスクを製造し、そのＣＮ比を測定した。その結果
を表２に示す。
【００６４】
【表２】
【００６５】熱拡散層の熱伝導率が磁性層よりも高い
と、磁性層との熱伝導率の差が大きくなり、従って、熱
拡散層が配置されている第１微小領域α0 と熱拡散層が
配置されていない第２微小領域α1 とで、レーザービー
ムを照射したときのスポット内の磁性層の温度差が大き
くなる。そのため、磁化の反転がより明瞭になり、高い
ＣＮ比が得られる。また、熱拡散層の比熱が低過ぎる
と、熱伝導率が大きくても小さな熱量で飽和してしま
う。これにより、α0 とα1 の磁性層の温度差が小さく
なる。熱拡散層の比熱を大きくすることでα0 とα1 の
磁性層の温度差を大きくでき、ＣＮ比を高くできる。
と、磁性層との熱伝導率の差が大きくなり、従って、熱
拡散層が配置されている第１微小領域α0 と熱拡散層が
配置されていない第２微小領域α1 とで、レーザービー
ムを照射したときのスポット内の磁性層の温度差が大き
くなる。そのため、磁化の反転がより明瞭になり、高い
ＣＮ比が得られる。また、熱拡散層の比熱が低過ぎる
と、熱伝導率が大きくても小さな熱量で飽和してしま
う。これにより、α0 とα1 の磁性層の温度差が小さく
なる。熱拡散層の比熱を大きくすることでα0 とα1 の
磁性層の温度差を大きくでき、ＣＮ比を高くできる。
【００６６】
【実施例７】（ダイヤモンド薄膜付きディスク） （１）実施例１の２Ｐ基板を用意した。 （２）ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
【００６７】最初にSiターゲットを用い、Arガスに加え
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜）
を700 Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導入を止め、
５×10-3TorrのArガス中でTbGdFeCo系合金ターゲットを
用いて、スパッタリングを行う。これにより第１保護膜
の上にTbGdFeCo系垂直磁化膜からなる磁性層（Tb4 Gd23
Fe63Co10）を形成した。磁性層は膜厚が500Åである。
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜）
を700 Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導入を止め、
５×10-3TorrのArガス中でTbGdFeCo系合金ターゲットを
用いて、スパッタリングを行う。これにより第１保護膜
の上にTbGdFeCo系垂直磁化膜からなる磁性層（Tb4 Gd23
Fe63Co10）を形成した。磁性層は膜厚が500Åである。
【００６８】次に得られた中間製品をスパッタリング装
置から取り出し、ＣＶＤ装置にセットし真空排気後メタ
ンガスを導入し、ＣＶＤによりダイヤモンド薄膜を膜厚
800Åの厚さに形成した。得られた中間製品をＣＶＤ装
置から取り出し、露光装置にセットする。所定パターン
にパターニングされたレチクルと中間製品を回転させ、
ダイヤモンド薄膜に酸素ガスを吹き付けながらエキシマ
レーザー（λ＝ 192ｎｍ）を照射する。レーザーは 100
Ｈｚの周波数で照射した。これによってレーザー照射部
のダイヤモンド薄膜は除去され、ダイヤモンド層のパタ
ーニングが行われた。パターンはトラックに沿って島状
のピットが点々と並んでいるものである。１個の島は直
径が0.4μｍである。前後の島と島の間隔は、 0.4μｍ
である。
置から取り出し、ＣＶＤ装置にセットし真空排気後メタ
ンガスを導入し、ＣＶＤによりダイヤモンド薄膜を膜厚
800Åの厚さに形成した。得られた中間製品をＣＶＤ装
置から取り出し、露光装置にセットする。所定パターン
にパターニングされたレチクルと中間製品を回転させ、
ダイヤモンド薄膜に酸素ガスを吹き付けながらエキシマ
レーザー（λ＝ 192ｎｍ）を照射する。レーザーは 100
Ｈｚの周波数で照射した。これによってレーザー照射部
のダイヤモンド薄膜は除去され、ダイヤモンド層のパタ
ーニングが行われた。パターンはトラックに沿って島状
のピットが点々と並んでいるものである。１個の島は直
径が0.4μｍである。前後の島と島の間隔は、 0.4μｍ
である。
【００６９】更に、磁性層を保護するために窒化シリコ
ン（第２保護膜）を 700Åの厚さに形成した。これによ
り、本実施例のディスクが製造された。磁性層の材料を
代えて、同様にディスクを製造した。これらのディスク
の磁性層の組成、保磁力（室温＝25℃における）、キュ
リー点、補償点、磁化反転温度（外部磁界：１ｋＯｅ）
を表３に示す。
ン（第２保護膜）を 700Åの厚さに形成した。これによ
り、本実施例のディスクが製造された。磁性層の材料を
代えて、同様にディスクを製造した。これらのディスク
の磁性層の組成、保磁力（室温＝25℃における）、キュ
リー点、補償点、磁化反転温度（外部磁界：１ｋＯｅ）
を表３に示す。
【００７０】
【表３】
【００７１】いずれも、磁性層の保磁力の温度特性は、
図６の通りである。室温付近では、ＲＥリッチで保磁力
は１ＫＯｅ弱である。補償点（Ｔcomp.)が室温とキュリ
ー点との間にある。補償点を越えるとＴＭリッチとな
り、保磁力が急激に低下する。
図６の通りである。室温付近では、ＲＥリッチで保磁力
は１ＫＯｅ弱である。補償点（Ｔcomp.)が室温とキュリ
ー点との間にある。補償点を越えるとＴＭリッチとな
り、保磁力が急激に低下する。
【００７２】
【実施例７】（再生装置） この装置は、主として、ディスクの回転手段、レーザー
ビーム光源、光源と反対側に位置する補助磁界印加手段
（外部磁界印加手段を兼用）、及び光源と同じ側に位置
する磁気光学的処理手段からなる。補助磁界印加手段
は、「Ａ向き」のｌｋＯｅ（ディスク面）の磁界を出力
する永久磁石からなる。光源は、λ＝780ｎｍの半導体
レーザーで開口率（ＮＡ）＝0.55である。磁気光学的手
段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は非偏
光）ビームスプリッタ、アナライザー及びディテクター
からなる。ディスクは回転手段により回転され、照射前
に補助磁界を受ける。
ビーム光源、光源と反対側に位置する補助磁界印加手段
（外部磁界印加手段を兼用）、及び光源と同じ側に位置
する磁気光学的処理手段からなる。補助磁界印加手段
は、「Ａ向き」のｌｋＯｅ（ディスク面）の磁界を出力
する永久磁石からなる。光源は、λ＝780ｎｍの半導体
レーザーで開口率（ＮＡ）＝0.55である。磁気光学的手
段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は非偏
光）ビームスプリッタ、アナライザー及びディテクター
からなる。ディスクは回転手段により回転され、照射前
に補助磁界を受ける。
【００７３】
【実施例９】（再生） 実施例７のディスクを実施例８の装置にセットし、ディ
スクを1800rpm で回転させる。レーザービーム（直線偏
光）の照射位置付近に来ると、磁性層の磁化は１ｋＯｅ
の補助磁界を受けて「Ａ向き」に揃えられる。レーザー
ビーム照射位置では、磁性層はビームを受けて、そのス
ポット（直径 1.3μｍ）の磁性層の温度は上昇する。そ
のため、磁性層は補償点を越えて「逆Ａ向き」に反転す
る。
スクを1800rpm で回転させる。レーザービーム（直線偏
光）の照射位置付近に来ると、磁性層の磁化は１ｋＯｅ
の補助磁界を受けて「Ａ向き」に揃えられる。レーザー
ビーム照射位置では、磁性層はビームを受けて、そのス
ポット（直径 1.3μｍ）の磁性層の温度は上昇する。そ
のため、磁性層は補償点を越えて「逆Ａ向き」に反転す
る。
【００７４】スポット内の後半の領域（図４の領域ａ）
は、蓄熱効果により高温になる。この場合、領域ａ内
に、ダイヤモンド薄膜が隣接しない領域α1 が位置する
ときには、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α
1 の温度は所定の高温ＴR に達して、保磁力は急激に低
下する。この付近には「Ａ向き」の補助磁界がある。そ
のため、領域α1 の磁化は、再反転して「Ａ向き」とな
る。領域ａ以外のスポット内は、蓄熱効果がないので、
温度は高温ＴR に達しない。そのため、保磁力は余り低
下しない。従って、「Ａ向き」の補助磁界を受けても再
反転せず、磁化の向きは「逆Ａ向き」のままである。ス
ポット内の一部は「Ａ向き」で、残りは「逆Ａ向き」で
ある。
は、蓄熱効果により高温になる。この場合、領域ａ内
に、ダイヤモンド薄膜が隣接しない領域α1 が位置する
ときには、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α
1 の温度は所定の高温ＴR に達して、保磁力は急激に低
下する。この付近には「Ａ向き」の補助磁界がある。そ
のため、領域α1 の磁化は、再反転して「Ａ向き」とな
る。領域ａ以外のスポット内は、蓄熱効果がないので、
温度は高温ＴR に達しない。そのため、保磁力は余り低
下しない。従って、「Ａ向き」の補助磁界を受けても再
反転せず、磁化の向きは「逆Ａ向き」のままである。ス
ポット内の一部は「Ａ向き」で、残りは「逆Ａ向き」で
ある。
【００７５】他方、領域ａ内に、ダイヤモンド薄膜が隣
接する領域α0 が位置するときは、蓄熱効果が実効的に
働らかない。そのため、領域α0 の温度は所定の高温Ｔ
R に達せず、保磁力は余り低下しない。従って、「Ａ向
き」の補助磁界を受けても再反転せず、磁化の向きは
「逆Ａ向き」のままである。もちろん、領域ａ以外のス
ポット内は、蓄熱効果がないので、温度は高温ＴR に達
しない。そのため、磁化の向きは「逆Ａ向き」のままで
ある。スポット内の全域で「逆Ａ向き」である。
接する領域α0 が位置するときは、蓄熱効果が実効的に
働らかない。そのため、領域α0 の温度は所定の高温Ｔ
R に達せず、保磁力は余り低下しない。従って、「Ａ向
き」の補助磁界を受けても再反転せず、磁化の向きは
「逆Ａ向き」のままである。もちろん、領域ａ以外のス
ポット内は、蓄熱効果がないので、温度は高温ＴR に達
しない。そのため、磁化の向きは「逆Ａ向き」のままで
ある。スポット内の全域で「逆Ａ向き」である。
【００７６】磁性層から反射されたビームを（磁気）光
学的手段で処理することにより、情報が再生される。測
定されたＣＮ比を上記の表３に合わせて示す。また、ダ
イヤモンド薄膜の膜厚を変えて同様にディスクを製造
し、上記の再生装置、再生方法で再生した。測定したＣ
Ｎ比の結果を表４に示す。
学的手段で処理することにより、情報が再生される。測
定されたＣＮ比を上記の表３に合わせて示す。また、ダ
イヤモンド薄膜の膜厚を変えて同様にディスクを製造
し、上記の再生装置、再生方法で再生した。測定したＣ
Ｎ比の結果を表４に示す。
【００７７】
【表４】
【００７８】表３の結果から、各種磁性層からなる光磁
気ディスクのＣＮ比は、４３〜４６ｄＢの範囲にある。
従来の光磁気ディスクの場合、レーザービームの照射ス
ポットの大きさ以下のマークの再生は不可能である。そ
のため本発明におけるマーク（α1 、α0 ）の大きさは
従来よりも小さく、ダイヤモンド薄膜で微小領域を形成
しない場合、再生することはできない。表３の結果は、
従来、再生が不可能であったレーザービームの照射スポ
ット以下の小さなマークをダイヤモンド薄膜の層を設け
ることによって高いＣＮ比で再生可能なことを示してい
る。
気ディスクのＣＮ比は、４３〜４６ｄＢの範囲にある。
従来の光磁気ディスクの場合、レーザービームの照射ス
ポットの大きさ以下のマークの再生は不可能である。そ
のため本発明におけるマーク（α1 、α0 ）の大きさは
従来よりも小さく、ダイヤモンド薄膜で微小領域を形成
しない場合、再生することはできない。表３の結果は、
従来、再生が不可能であったレーザービームの照射スポ
ット以下の小さなマークをダイヤモンド薄膜の層を設け
ることによって高いＣＮ比で再生可能なことを示してい
る。
【００７９】また、表４の結果は、ダイヤモンド薄膜の
膜厚が厚い方がＣＮ比が高く、 500Å以上でほぼ同等の
性能であることを示している。
膜厚が厚い方がＣＮ比が高く、 500Å以上でほぼ同等の
性能であることを示している。
【００８０】
【実施例１０】（熱遮断層付きディスク・・・図８参
照） （１）実施例１の２Ｐ基板を用意する。 （２）ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
照） （１）実施例１の２Ｐ基板を用意する。 （２）ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と多種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦、７×10-7Torr以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr導入す
る。
【００８１】最初にSiターゲットを用い、Arガスに加え
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜：
図示せず）を 700Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導
入を止め、５×10-3TorrのArガス中でGdFeCo系合金ター
ゲットを用いて、スパッタリングを行う。これにより第
１の保護膜の上にGdFeCo系垂直磁化膜からなる第１磁性
層Gd22Fe55Co23（５）を形成した。更に、TbDyFeCo系合
金ターゲットを用いて、スパッタリングを行う。これに
よりGd22Fe55Co23の上に第２磁性層Tb10Dy16Fe64Co
10（６）を形成した。第１磁性層（５）の膜厚は 500
Å、第２磁性層（６）の膜厚は 300Åである。両層が本
発明で言う「磁性層」を構成する。
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１保護膜：
図示せず）を 700Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導
入を止め、５×10-3TorrのArガス中でGdFeCo系合金ター
ゲットを用いて、スパッタリングを行う。これにより第
１の保護膜の上にGdFeCo系垂直磁化膜からなる第１磁性
層Gd22Fe55Co23（５）を形成した。更に、TbDyFeCo系合
金ターゲットを用いて、スパッタリングを行う。これに
よりGd22Fe55Co23の上に第２磁性層Tb10Dy16Fe64Co
10（６）を形成した。第１磁性層（５）の膜厚は 500
Å、第２磁性層（６）の膜厚は 300Åである。両層が本
発明で言う「磁性層」を構成する。
【００８２】第２磁性層の上に熱遮断層（４）としてSi
O 2 層を 500Åの膜厚で形成した。得られた中間製品
（図８の（ａ）参照）をスパッタリング装置から取り出
した後、スピンコーターを用いて、熱遮断層の上にフォ
トレジストを塗布した。フォトレジストの膜厚は１μｍ
とした。その後、プリベーキングした中間製品を回転さ
せながら、エキシマレーザー（λ＝ 248ｎｍ）を照射す
る。レーザーは所定の周波数（標準情報）で変調した。
現像及びポストベーキングすると、所定のレジストパタ
ーンが得られた。パターンはトラックに沿って島状のレ
ジスト（ピットに相応）が点々と並んでいるものである
（図８の（ｂ）参照）。１個の島は、直径が 0.4μｍで
ある。前後の島と島の間隔は、 0.4μｍである。
O 2 層を 500Åの膜厚で形成した。得られた中間製品
（図８の（ａ）参照）をスパッタリング装置から取り出
した後、スピンコーターを用いて、熱遮断層の上にフォ
トレジストを塗布した。フォトレジストの膜厚は１μｍ
とした。その後、プリベーキングした中間製品を回転さ
せながら、エキシマレーザー（λ＝ 248ｎｍ）を照射す
る。レーザーは所定の周波数（標準情報）で変調した。
現像及びポストベーキングすると、所定のレジストパタ
ーンが得られた。パターンはトラックに沿って島状のレ
ジスト（ピットに相応）が点々と並んでいるものである
（図８の（ｂ）参照）。１個の島は、直径が 0.4μｍで
ある。前後の島と島の間隔は、 0.4μｍである。
【００８３】次にArプラズマを用いたドライエッチング
を行った。これにより島以外の部分のSiO 2 は除去され
る。ここまでの製品を再びスパッタリング装置に配置
し、ターゲットをAlターゲットに取り替え、スパッタリ
ングを行う。これによりAlからなる熱拡散層（３）を形
成した（図８の（Ｃ）参照）。熱拡散層（３）の膜厚は
500Åとした。
を行った。これにより島以外の部分のSiO 2 は除去され
る。ここまでの製品を再びスパッタリング装置に配置
し、ターゲットをAlターゲットに取り替え、スパッタリ
ングを行う。これによりAlからなる熱拡散層（３）を形
成した（図８の（Ｃ）参照）。熱拡散層（３）の膜厚は
500Åとした。
【００８４】この光磁気ディスクについてＣＮ比を測定
した。
した。
【００８５】
【実施例１１】（再生装置） この装置は、図７と同じく、主として、ディスクの回転
手段（76）、外部磁界印加手段（78）、手段（78）の川
下に位置するレーザービーム光源（71）、光源（71）の
反対側に位置する補助磁界印加手段（77）、及び光源
（71）と同じ側に位置する磁気光学的処理手段からな
る。
手段（76）、外部磁界印加手段（78）、手段（78）の川
下に位置するレーザービーム光源（71）、光源（71）の
反対側に位置する補助磁界印加手段（77）、及び光源
（71）と同じ側に位置する磁気光学的処理手段からな
る。
【００８６】外部磁界印加手段（78）は、「Ａ向き」↑
の10ｋＯｅ（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石
からなる。補助磁界印加手段（77）は、「逆Ａ向き」↓
の300 Ｏｅ（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石
からなる。光源（71）は、λ＝780 ｎｍ、開口率（Ｎ
Ａ）＝0.55の半導体レーザーである。（磁気）光学的手
段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は非偏
光）ビームスプリッタ（72）、アナライザー（73）及び
ディテクター（74）からなる。
の10ｋＯｅ（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石
からなる。補助磁界印加手段（77）は、「逆Ａ向き」↓
の300 Ｏｅ（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石
からなる。光源（71）は、λ＝780 ｎｍ、開口率（Ｎ
Ａ）＝0.55の半導体レーザーである。（磁気）光学的手
段は、光源とディスクとの間に置かれた（偏光又は非偏
光）ビームスプリッタ（72）、アナライザー（73）及び
ディテクター（74）からなる。
【００８７】ディスク（75）は回転手段（67）により回
転され、先ず、外部磁界を印加される。ビームの照射前
に、磁化は「Ａ向き」↑に揃えられる。これにより前処
理が完了する。次にレーザービームが照射される。光源
から出射したビームはビームスプリッタを透過（図８と
反対に反射でも可）してディスクに入射し、ディスクで
反射（図８と反対に透過でも可）される。この反射光
は、ビームスプリッタで反射され、アナライザー及びデ
ィテクターに向かう。
転され、先ず、外部磁界を印加される。ビームの照射前
に、磁化は「Ａ向き」↑に揃えられる。これにより前処
理が完了する。次にレーザービームが照射される。光源
から出射したビームはビームスプリッタを透過（図８と
反対に反射でも可）してディスクに入射し、ディスクで
反射（図８と反対に透過でも可）される。この反射光
は、ビームスプリッタで反射され、アナライザー及びデ
ィテクターに向かう。
【００８８】
【実施例１２】（再生） 実施例１０のディスクを実施例１１の装置にセットし、
ディスクを1800rpm で回転させる。ディスクが外部磁界
印加手段の近くに来たとき、磁性層の磁化は10ｋＯｅの
磁界を受けて「Ａ向き」↑に揃えられる。これが前処理
となる。前処理されたディスクは、やがてレーザービー
ム（直線偏光）の照射位置に来る。照射位置では、磁性
層にビームが照射され、そのスポット（直径 1.3μｍ）
内の磁性層の温度は上昇する。そのうち、特にスポット
内の後半の領域（図４）の蓄熱領域ａに相当）は、蓄熱
効果により高温になる。この場合、蓄熱領域ａ内に熱遮
断層が隣接する領域α1 が位置するときには、放熱が少
ないので、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α
1 の温度は所定の高温ＴR に達して、保磁力は急激に低
下する。この付近には「逆Ａ向き」↓の補助磁界があ
る。
ディスクを1800rpm で回転させる。ディスクが外部磁界
印加手段の近くに来たとき、磁性層の磁化は10ｋＯｅの
磁界を受けて「Ａ向き」↑に揃えられる。これが前処理
となる。前処理されたディスクは、やがてレーザービー
ム（直線偏光）の照射位置に来る。照射位置では、磁性
層にビームが照射され、そのスポット（直径 1.3μｍ）
内の磁性層の温度は上昇する。そのうち、特にスポット
内の後半の領域（図４）の蓄熱領域ａに相当）は、蓄熱
効果により高温になる。この場合、蓄熱領域ａ内に熱遮
断層が隣接する領域α1 が位置するときには、放熱が少
ないので、蓄熱効果が実効的に働く。そのため、領域α
1 の温度は所定の高温ＴR に達して、保磁力は急激に低
下する。この付近には「逆Ａ向き」↓の補助磁界があ
る。
【００８９】そのため、領域α1 の磁化は、反転して
「逆Ａ向き」↓となる。領域ａ以外のスポット内は蓄熱
効果がないので、温度は高温ＴR に達しない。そのた
め、保磁力は余り低下しない。従って、「逆Ａ向き」↓
の補助磁界を受けても反転せず、磁化の向きは「Ａ向
き」↑のままである。スポット内の一部（領域ａ）は
「逆Ａ向き」↓で、残りは「Ａ向き」↓である。
「逆Ａ向き」↓となる。領域ａ以外のスポット内は蓄熱
効果がないので、温度は高温ＴR に達しない。そのた
め、保磁力は余り低下しない。従って、「逆Ａ向き」↓
の補助磁界を受けても反転せず、磁化の向きは「Ａ向
き」↑のままである。スポット内の一部（領域ａ）は
「逆Ａ向き」↓で、残りは「Ａ向き」↓である。
【００９０】他方、領域ａ内に、熱遮断層が隣接しない
領域α0 が位置するときは、放熱が多いので、蓄熱効果
が実効的に働かない。そのため、領域α0 の温度は所定
の高温ＴR に達せず、保磁力は余り低下しない。従っ
て、「逆Ａ向き」↓の補助磁界を受けても反転せず、磁
化の向きは「Ａ向き」↑のままである。もちろん、領域
ａ以外のスポット内は、蓄熱効果がないので、温度は高
温ＴR に達しない。そのため、磁化の向きは「Ａ向き」
↑のままである。スポット内の全域で「Ａ向き」↑であ
る。
領域α0 が位置するときは、放熱が多いので、蓄熱効果
が実効的に働かない。そのため、領域α0 の温度は所定
の高温ＴR に達せず、保磁力は余り低下しない。従っ
て、「逆Ａ向き」↓の補助磁界を受けても反転せず、磁
化の向きは「Ａ向き」↑のままである。もちろん、領域
ａ以外のスポット内は、蓄熱効果がないので、温度は高
温ＴR に達しない。そのため、磁化の向きは「Ａ向き」
↑のままである。スポット内の全域で「Ａ向き」↑であ
る。
【００９１】磁性層から反射されたビームを（磁気）光
学的手段で処理することにより、情報が再生される。測
定されたＣＮ比は43dBであった。実施例１０のディスク
では、熱遮断層が隣接しない第１微小領域α0 に熱拡散
層が隣接している。そのため、熱遮断層が隣接する第２
微小領域α1 と熱遮断層が隣接しない第１微小領域α0
（熱拡散層が隣接）との熱伝導率（換言すれば放熱量）
が大きく異なる。従って、蓄熱領域ａに位置する磁性層
の温度差が大きくなり、良好なＣＮ比が得られる。場合
により、熱拡散層を設けなくともよい。
学的手段で処理することにより、情報が再生される。測
定されたＣＮ比は43dBであった。実施例１０のディスク
では、熱遮断層が隣接しない第１微小領域α0 に熱拡散
層が隣接している。そのため、熱遮断層が隣接する第２
微小領域α1 と熱遮断層が隣接しない第１微小領域α0
（熱拡散層が隣接）との熱伝導率（換言すれば放熱量）
が大きく異なる。従って、蓄熱領域ａに位置する磁性層
の温度差が大きくなり、良好なＣＮ比が得られる。場合
により、熱拡散層を設けなくともよい。
【００９２】
【実施例１３】熱遮断層の材料を代えた外は実施例１０
と同様にしてディスクを製造し、ＣＮ比を測定した。そ
の結果を表５に示す。
と同様にしてディスクを製造し、ＣＮ比を測定した。そ
の結果を表５に示す。
【００９３】
【表５】
【００９４】
【実施例１４】熱拡散層の材料を代えた外は実施例１０
と同様にしてデイスクを製造し、ＣＮ比を測定した。そ
の結果を表６に示す。
と同様にしてデイスクを製造し、ＣＮ比を測定した。そ
の結果を表６に示す。
【００９５】
【表６】
【００９６】熱拡散層に用いる材料としてCu、Ge、Taを
用いた場合、これまで再生不可能な小さなマークの再生
が、30dB以上のＣＮ比で再生可能となった。
用いた場合、これまで再生不可能な小さなマークの再生
が、30dB以上のＣＮ比で再生可能となった。
【００９７】
【発明の効果】以上の通り、本発明は、初めて再生専用
型の光磁気ディスクを提供する。磁性層の保磁力を低下
させる高温領域ａがスポット内の一部に形成されること
で、磁気的な超解像が得られる。本発明のディスクで
は、この現像を利用して、これまで再生不可能だった再
生用ビームのスポット径よりも小さい微小領域α0 、α
1と言う情報単位（マークに相当）が検出される。その
ため、本発明のディスクは高い記録密度、高い記憶容量
を持つ。
型の光磁気ディスクを提供する。磁性層の保磁力を低下
させる高温領域ａがスポット内の一部に形成されること
で、磁気的な超解像が得られる。本発明のディスクで
は、この現像を利用して、これまで再生不可能だった再
生用ビームのスポット径よりも小さい微小領域α0 、α
1と言う情報単位（マークに相当）が検出される。その
ため、本発明のディスクは高い記録密度、高い記憶容量
を持つ。
【００９８】また、本発明のディスクは、誤って過大な
磁場を受け、又は異常に高い温度を受け、そのため、磁
性層の磁化の向きが乱れてしまっても問題がない。前述
の前処理をすれば、情報の再生が可能となる。さらに磁
性層を多層構造にすれば、高温（再生時の温度）でカー
回転角を大きくできるため、より高いＣＮ比が得られ
る。加えて、熱伝導率の高い物質を熱拡散層に用いるこ
とにより、より高いＣＮ比が得られる。
磁場を受け、又は異常に高い温度を受け、そのため、磁
性層の磁化の向きが乱れてしまっても問題がない。前述
の前処理をすれば、情報の再生が可能となる。さらに磁
性層を多層構造にすれば、高温（再生時の温度）でカー
回転角を大きくできるため、より高いＣＮ比が得られ
る。加えて、熱伝導率の高い物質を熱拡散層に用いるこ
とにより、より高いＣＮ比が得られる。
【図１】本発明の一実施例にかかるディスクの垂直断面
（ａ）と上面（ｂ）を示す概念図である。
（ａ）と上面（ｂ）を示す概念図である。
【図２】光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図で
ある。
ある。
【図３】光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図で
ある。
ある。
【図４】本発明の他の実施例にかかるディスクの垂直断
面を示す概念図である。
面を示す概念図である。
【図５】本発明の他の実施例にかかるディスクの垂直断
面（ａ）と上面（ｂ）を示す概念図である。
面（ａ）と上面（ｂ）を示す概念図である。
【図６】補償点を持つ磁性層の保持力の温度特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】本発明の一実施例にかかる再生装置の全体構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図８】本発明の他の実施例にかかるディスク又はその
半製品の垂直断面を示す概念図である。
半製品の垂直断面を示す概念図である。
Ｌ ：レーザービーム ＬP ：直線偏光 Ｂ1 ：「Ａ向き」↑の磁化を有するマーク Ｂ0 ：「逆Ａ向き」↓の磁化を有するマーク α1 ：２値化情報の１に相当する第１微小領域 α0 ：２値化情報の０に相当する第２微小領域 ａ ：スポット径内の蓄熱領域 １ ：基板又は２Ｐ基板 ２ ：磁性層 ３ ：熱拡散層 ４ ：熱遮断層 ５ ：第１磁性層 ６ ：第２磁性層 ７ ：レジスト 以上
Claims (20)
- 【請求項１】 少なくとも基板とその上に積層された磁
性層からなる光磁気ディスクにおいて、 前記磁性層のトラックに沿って、再生用レーザービーム
の照射により、磁化が所定の向きを向く第２微小領域α
1 と、所定の向きを向かない第１微小領域α0とを設
け、前記微小領域の一方を情報単位とし、この情報単位
の有無又は長さによって、情報を表すことを特徴とする
再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項２】 少なくとも基板とその上に積層された磁
性層からなる光磁気ディスクにおいて、 前記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱拡散層が
配置されている第１微小領域α0 と、前記熱拡散層が配
置されていない第２微小領域α1 とを設け、前記微小領
域の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さ
によって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光
磁気ディスク。 - 【請求項３】 少なくとも基板とその上に積層された磁
性層からなる光磁気ディスクにおいて、 前記磁性層に、トラックに沿って、隣接して熱遮断層が
配置されている第２微小領域α1 と、前記熱遮断層が配
置されていない第１微小領域α0 とを設け、前記微小領
域の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は長さ
によって、情報を表すことを特徴とする再生専用型の光
磁気ディスク。 - 【請求項４】 請求項３記載の光磁気ディスクにおい
て、前記熱遮断層が配置されていない第１微小領域α0
の前記磁性層に隣接して熱拡散層を配置したことを特徴
とする再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項５】 請求項２又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層を構成する材料の熱伝導率が 50
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以上であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。 - 【請求項６】 請求項２又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層を構成する材料の比熱が 0.2〔Ｊ
／ｇ・Ｋ〕より大きいことを特徴とする再生専用型の光
磁気ディスク。 - 【請求項７】 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱拡散層がダイヤモンド薄膜からなること
を特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項８】 請求項７記載の光磁気ディスクにおい
て、前記ダイヤモンド薄膜の膜厚が 500Å以上であるこ
とを特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項９】 請求項３又は４記載の光磁気ディスクに
おいて、前記熱遮断層を構成する材料の熱伝導率が４
〔Ｗ／ｍ・Ｋ〕以下であることを特徴とする再生専用型
の光磁気ディスク。 - 【請求項１０】 請求項１〜請求項４のいずれかに記載
の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層が垂直磁気異方
性を有することを特徴とする再生専用型の光磁気ディス
ク。 - 【請求項１１】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０に記載の光磁気ディスクにおいて、前記磁性層
の保磁力が４〔ｋＯe 〕以下であることを特徴とする再
生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項１２】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０又は請求項１１に記載の光磁気ディスクにおい
て、前記磁性層の補償点が室温以上でキュリー点以下で
あることを特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項１３】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０又は請求項１１に記載の光磁気ディスクにおい
て、再生用レーザービームの照射を受け蓄熱効果により
前記磁性層が局所的に所定の高温ＴR になったとして、
前記磁性層の補償点が室温以上でかつ前記高温ＴH 以下
でかつキュリー点以下であることを特徴とする再生専用
型の光磁気ディスク。 - 【請求項１４】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１０又は請求項１１に記載の光磁気ディスクにおい
て、前記磁性層の補償点が室温以上２００℃以下である
ことを特徴とする再生専用型の光磁気ディスク。 - 【請求項１５】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１１〜請求項１４のいずれかに記載の光磁気ディス
クにおいて、前記磁性層がGdFeCo又はGdTbFeCo又はGdDy
FeCoからなることを特徴とする再生専用型の光磁気ディ
スク。 - 【請求項１６】 請求項１〜請求項４のいずれか又は請
求項１１〜請求項１５のいずれかに記載の光磁気ディス
クにおいて、前記磁性層がレーザービームの照射方向か
ら見て順に相対的にキュリー点が高い層とキュリー点が
低い層の少なくとも２層からなり、両層は実質的に全部
の接触領域で交換結合していることを特徴とする再生専
用型の光磁気ディスク。 - 【請求項１７】第１工程：前記第１微小領域α0 の磁化
の向きと第２微小領域α1 の磁化の向きが異なるときに
は同じ向きに揃えられた、請求項１〜請求項１６のいず
れかに記載された光磁気ディスクを用意し； 第２工程：前記ディスクを回転させ、トラックに沿っ
て、再生用レーザービームを照射することにより、前記
ビームのスポット径内に位置するトラック上に、実効的
な蓄熱効果による局所的な所定の高温ＴR 領域を作りだ
し、それにより、前記高温ＴR 領域に第２微小領域α1
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせ、他
方、前記高温ＴR 領域と同一の位置に第１微小領域α0
が位置するとき、その磁化を所定の向きに向かせず； 第３工程：前記レーザービームが前記スポット径内でデ
ィスクから反射された反射光、又は前記レーザービーム
が前記スポット径内でディスクを透過した透過光を、光
学的に処理して電気信号に変換する； ことからなる磁気光学的再生方法。 - 【請求項１８】 請求項１〜請求項１６のいずれかに記
載されたディスクの回転手段、レーザービーム光源、前
記光源からのレーザービームを前記ディスクに照射する
ための照射光学系、前記レーザービームを照射したと
き、第２微小領域α1 の磁化が所定の向きを向くのを助
ける補助磁界印加手段、前記レーザービームがディスク
から反射された反射光又はディスクを透過した透過光を
後述の光学的処理手段に導くための処理光学系、及び光
学的処理手段からなることを特徴とする再生専用型光磁
気ディスクの再生装置。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の再生装置において、
前記ディスクの第１微小領域α0 及び第２微小領域α1
の磁化の向きを揃えるための外部磁界印加手段を付加し
たことを特徴とする再生専用型光磁気ディスクの再生装
置。 - 【請求項２０】 請求項１〜請求項１６のいずれかに記
載されたディスクの回転手段、レーザービーム光源、前
記光源からのレーザービームを前記ディスクに照射する
ための照射光学系、前記ディスクの第１微小領域α0 及
び第２微小領域α1 の磁化の向きとを揃えるための外部
磁界印加手段、前記レーザービームがディスクから反射
された反射光又はディスクを透過した透過光を後述の光
学的処理手段に導くための処理光学系、及び光学的処理
手段からなることを特徴とする再生専用型光磁気ディス
クの再生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100704A JPH06236587A (ja) | 1992-05-19 | 1993-04-27 | 再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置 |
| PCT/JP1993/000647 WO1993023850A1 (en) | 1992-05-19 | 1993-05-18 | Read-only optomagnetic disk, and reproducing method and equipment |
| EP93910350A EP0596136A4 (en) | 1992-05-19 | 1993-05-18 | READ-ONLY MAGNETOOPTIC DISK AND PLAYBACK METHOD AND DEVICE. |
| US08/170,261 US5532984A (en) | 1992-05-19 | 1993-05-18 | High resolution read-only magneto-optical disk and method and apparatus for reproducing information therefrom |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12524692 | 1992-05-19 | ||
| JP4-125247 | 1992-05-19 | ||
| JP12524792 | 1992-05-19 | ||
| JP4-125246 | 1992-05-19 | ||
| JP33610292 | 1992-12-16 | ||
| JP4-336102 | 1992-12-16 | ||
| JP5100704A JPH06236587A (ja) | 1992-05-19 | 1993-04-27 | 再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236587A true JPH06236587A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=27468854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5100704A Pending JPH06236587A (ja) | 1992-05-19 | 1993-04-27 | 再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532984A (ja) |
| JP (1) | JPH06236587A (ja) |
| WO (1) | WO1993023850A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1092045A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Canon Inc | 信号再生装置 |
| JPH1092047A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Canon Inc | 光学的情報記録再生方法と光学的情報記録再生装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
| JP2646398B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1997-08-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 光磁気記録媒体 |
| JP2575511B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JPH0474328A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH04106744A (ja) * | 1990-08-28 | 1992-04-08 | Nikon Corp | 低レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JP3038853B2 (ja) * | 1990-09-13 | 2000-05-08 | 株式会社ニコン | 高レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| US5241520A (en) * | 1990-12-28 | 1993-08-31 | Sony Corporation | System and method of reproducing signals recorded on a magneto-optic recording medium |
| JP2969963B2 (ja) * | 1990-12-28 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| DE69119414T2 (de) * | 1991-02-05 | 1997-01-02 | Sony Corp | Verfahren zur Wiedergabe eines Signals aus einem optischen Aufzeichnungsmedium |
| JP3111479B2 (ja) * | 1991-02-08 | 2000-11-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH04255945A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気情報記録再生装置 |
| JPH04255936A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Sony Corp | 高密度光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2959586B2 (ja) * | 1991-02-12 | 1999-10-06 | ソニー株式会社 | 光磁気ディスクの再生方法 |
| JP3626211B2 (ja) * | 1991-02-15 | 2005-03-02 | ソニー株式会社 | 光記録媒体の信号再生方法 |
| JPH04355238A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録膜の情報再生方法 |
| JPH04366444A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録膜の情報再生方法 |
| JP3192685B2 (ja) * | 1991-07-03 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 光ディスク装置 |
| JP2690634B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1997-12-10 | シャープ株式会社 | 光ヘッド |
| JPH05101471A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Sony Corp | 光磁気記録再生方法 |
| JP2900661B2 (ja) * | 1991-10-18 | 1999-06-02 | 日本電気株式会社 | 光磁気ディスクの光磁気記録再生方法 |
| JP3306885B2 (ja) * | 1991-10-25 | 2002-07-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録再生方法 |
| US5384758A (en) * | 1991-12-02 | 1995-01-24 | Nikon Corporation | Reproduction-only magneto-optical disk with selectively exchange coupled layers, and reproduction method and reproduction apparatus therefor |
| JPH06243522A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nikon Corp | 光磁気ディスク及びその再生方法 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5100704A patent/JPH06236587A/ja active Pending
- 1993-05-18 WO PCT/JP1993/000647 patent/WO1993023850A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1993-05-18 US US08/170,261 patent/US5532984A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1993023850A1 (en) | 1993-11-25 |
| US5532984A (en) | 1996-07-02 |
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