JPH04106744A - 低レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野〕 本発明は、記録磁界Ｈｂの向き及び強度を変調せずに、
光ヒームの強度を記録すべき情報に従い変調するだけて
オーバーライト（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）か可能な光磁
気記録媒体に間する。 〔従来の技術〕 最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再土製！及
び記録媒体を開発しようとする努力か成されている。 広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することかでき、再び新
たな情報を記録することか繰り返し何度も可能であると
いうユニークな利点のために、最も大きな魅力に満ちて
いる。 この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦ
ｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなとからなる。記録層
は一般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており
、このトランクの上に情報か記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又
は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）　Ｊの何れか一方を、
「Ａ向きＪ、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべ
き情報は、予め２値化されており、この情報か「Ａ向き
」の磁化を有するヒツト（Ｂ、）と、「逆Ａ向き」の磁
化を有するヒツト（Ｂｏ）の２つの信号て記録される。 これらのビットＢ、、Ｂｏは、デソタル信号の１．０の
何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般に
は記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁
場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。 この処理は初期化 （１旧ｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれる。その上でトラック
に「Ａ向き」の磁化を有するビット（Ｂ、）を形成する
。情報は、このビット（Ｂ１）の有無及び／又はビット
長によって記録される。尚、ヒツトは最近マークと呼ば
れている。 ビット形成の原理 ヒツトの形成に於いては、レーサーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）つ１有
利に使用され、レーサー光の波長によって決定される回
折限界とはとんと同し位にｒｐさいスポットにビームか
絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射さ
れ、記録層に直径か１μｍ以下のヒツトを形成すること
により情報か記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０８　ビット／ａｉまての記録密度を達成する
ことかできる。何故ならば、レーザビームはその波長と
ほとんと同し位に小さい直径を有するスポットにまで凝
縮（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することか出来るからで
ある。 第２図に示すように、光磁気記録においては、レーサー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。 そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆転磁化されたビットが形成
される。 フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュｌ　　、、
ｑ付近で減少するＨｃを有し、この現象に基ついて記録
か実行される。従って、Ｔｅｌ込み（キュリー点書込み
）と引用される。 他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有してるり、そこては磁化（Ｎ１）はセロになる。逆
にこの温度付近でＨｃか非常に大きくなり、その温度か
ら外れるとＥ（ｃか急激に低下する。この低下したＨｃ
は、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされ
る。つまり、記録か可能になる。この記録ブロモ又はＴ
ｃ、、、　　書込み（補償点書込み）と呼ばれる。 もっとも、キュリー屯又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要する（こ、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したＨｃを存する磁性材料に対
し、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　
’）を印１＋１１すれば、記録は可能である。 再生の原理 第３図は、光磁気２１Ｊ果にＷ−；情報再生の原理を示
す。光は、光路（二垂直′、；七面上で全ての方向二通
常は発散しているπ磁場・・タトルを存する電磁波であ
る。光か直線偏光

【、Ｎ２．に変換され、そして記録層
（１）に昭射５れ′ことき、光はその表面で反射されろ
う・又は２ｉＷ（１，）を透過する。 このとき、偏光面は磁化（Ｎ１　の向きに従って回転す
る。この回転する現象：ま、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果
又は磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａ〜　効果と呼はこる
。 例えば、もし反射光の偏光面か「Ａ向き」磁化に対して
θに反回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに反回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたヒラ１−（Ｂ、）から反射され
た光はアナライザーを透過することかできない。それに
対して「Ａ向きＪに磁化されたヒツト（Ｂ、）から反射
された光は、　（ｓｉｎ２θｋ）２を乗じた分かアナラ
イザーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲
される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたヒツト（Ｂ
、）は「逆Ａ向き」に磁化されたヒツト（Ｂ、）よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。このディテクターからの電気信号は、記録され
た情報に従って変調されるので、情報か再生されるので
ある。 ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するが、又は（１１）記録
装置に記録ヘットと同様な消去へｙドを併設するが、又
は（伍）予め、前段処理として記録装置又は消去装置を
用いて記録ずみ情報を消去する必要かある。 従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。 もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と［逆Ａ向きｊとの間で自由に変調することかで
きれば、オーバーライトか可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂか水火磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要かある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂか電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。 しかしなから、技術の進歩は著しく、記録磁界Ｈｂの強
度（ＯＮ、ＯＦＦを含む）又は記録磁界Ｈｂの向きを変
調せずに、照射する光ビームの強度を記録才へき２値化
ｔｔｆ報に従い変調するたけて、オーバーライトか可能
な光磁気記録方法と、それこ使用されるオーバーライト
可能な光磁気記録媒体と、同しくそれに使用されるオー
ツー−ライト可能な記録装置か発明され、特許出願され
た（特開昭６２−１７５９４８号）。以下、この発明を
「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕 基本発明では、「垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録
＠（第菖層）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録
補助１ｉｉ＜第２＠）とを含み、両層ま交換結合してお
り、かつ、室温で第１層の磁化の向きは変えないで第２
層の磁化のみを所定の向きに向けておくことかできる多
層光磁気記録媒体」を使用する。そして、情報を［Ａ向
きＪ磁化を育するヒツトと［逆Ａ向きＪ磁化を育するピ
ントて第１層（場合により第２１ｉｆにも）に記録する
のである。 この媒体は、第２１ｉｉか外部手段（例えば初期補助磁
界旧慣、又は第３層からの交換結合力）によって、その
磁化の向きを「Ａ向き」に揃えることかてき、しかも、
そのとき、第１層は、磁化の向きは反転せず、更に、−
旦ｒＡ向きＪに揃えられた第２層の磁化の向きは、第１
層からの交換結合力を受けても反転せず、逆に第１層の
磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた第２１ｉｔから
の交換結合力を受けても反転しない。 そして、第２層は、第１層に比へて低い保磁力Ｈｅと高
いキュリー点Ｔｃを持つ。 基本発明の記録方法によれば、記録媒体は、先ず外部手
段により第２層の磁化の向きか「Ａ向き」に揃えられる
。この行為を本明細書では特別に「初期化」という。 その上て、２値化情報に従い、パルス変調されたレーザ
ービームか媒体に照射される。レーサービームの強度は
、高レベルと低レベルかあり、これはパルスの高レベル
と低レベルに相当する。尚、この低レベルは、再生時に
媒体を照射する非常な低しベノビよりも高い。 ビームか照射された部分の媒体に、向きも強度も変調さ
れない記録磁界Ｈｂ又は第４層からの交換結合力か作用
する。磁界Ｈｂは、ビームの照射された部分（スポット
領域）と同じ位の寸法に絞ることはてきず、磁界Ｈｂか
作用する領域は、スポット領域に比へれば、ずっと大き
い。 低レベルのビームか照射されると、前のビットの磁化の
向きに無関係に第１層の磁化の向きが、ｒＡ向きＪ又は
「逆Ａ向き」の何れか一方のビットか形成される。 そして、高レベルのビームか照射されると、前のビット
の磁化の向きに無関係に第１層の磁化の向きが、他方の
ビットか形成される。 これてオーバーライトか完了する。 基本発明では、レーサービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＥ　　　ＢＥＬＬ　　　ＳＹ
ＳＴＥＭ　　　ＴＥＣＨＮ［ＣＡＬ　　　ＪＯＵＲＮＡ
ＬＶｏｌ、　６２（１９８３）、　１９２３−１９３６
１：詳しく説明されティる。従って、ビーム強度の必要
な高しヘルと低レベルか与えられれば、従来の変調手段
を一部修正するたけて容易に入手できる。当業者にとっ
て、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベ
ルか与えられれば、容易であろう。 基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ヒム強度か高レベル
の時に、記録磁界Ｈｂその他の外部手段により記録補助
層（第２層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（
ｒｅｖｅｒｓｅ）させ、この第２層の「逆Ａ向き」磁化
によって記録層（第１層）に「逆Ａ向きＪ磁化〔又はＦ
Ａ向き」磁化〕を育するビットを形成する。ビーム強度
が低レベルの時は、第２層の「Ａ向き」磁化によって第
１層にｒＡ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を育す
るヒントを形成する。 なお、本明細書では、 Ｏ○・○〔又は△△△〕という表現は、先に〔〕の外の
○○○を読んだときには、以下のＣ・、つＯ〔又は△△
△〕のときにも、〔〕の外の○○○を読むことにする。 それに対して先に○○○を読まずに〔〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下のＯ○○〔又は△△△
〕のときにもＯＯ○を読まずに〔〕内の△△△を読むも
のとする。 すてに知られているように、記録をしない時にも、例え
ば媒体における所定の記録場所をアクセスするためにレ
ーサービームを非常な低しヘ４”で点灯することかある
。また、レーサービームを再生に兼用するときには、非
常な低しヘル°の強度でレーサービームを点灯させるこ
とがある。本発明においても、レーサービームの強度を
この非常な低レベル０にすることもある。しかし、ヒン
トを形成するときの低レベルは、この非常な低しへ九”
よりも高い。従って、例えは、基本発明におけるレーサ
ービームの出力波形は、第４図の通りになる。 なお、基本発明の詳細な説明記されていないが、基本発
明では、記録用の・−一部は、１本ではなく近接した２
本のビームを甲１・て、先行ビームを原則として変調し
ない低レベルのレーサービーム（消去用）とし、後行ビ
ームをＩｆ報に従い変調する高レベルのレーサービーム
（Ｉ込用）としてもよい。この場合、後行ビームは、高
レベルと基底レベル（低レベルと同−又はそれより低い
レベルであり、出力かぜ口でもよし・）どの間でパルス
変調される。この場合の出力波形は次の通りてあ基本発
明で使用される媒体は、第１実施懇様と第２実施態様と
に大別される。いずれの実施態様においても、記録媒体
は、記録層（第１層）と記録補助層（第２層）を含む多
層構造を存する。 第１層は、室温で保磁力か高く磁化反転温度か低い記録
層である。第２層は第１Ｎに比へ相対的に室温で保磁力
か低く磁化反転温度か高い記録補助層である。なお、第
１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成されてい
てもよい。場合により第１層と第２層との間に第３の層
（例えば、交換結合力σＷの調整層）か存在していても
よい。 更に第１層と第２層との間に明確な境界かなく、一方か
ら徐々に他方に変わってもよい。 第１実施態様では、記録＠（第１層）の保磁力をＨ８１
、記録補助層（第２層）のそれをＨＣ２、第１層のキュ
リー点をＴ　ｅ　ｌ、第２＠のそれをＴ　Ｃ２、室温を
Ｔ６、低レベルのレーサービームを照射した時の記録媒
体の温度をＴＬ、高レベルのレーサービームを照射した
時のそれをＴＨ１第１層か受ける結合磁界をＨｌ）　ｌ
、第２層か受ける結合磁界をＨＤ　２とした場合、記録
媒体は、下記の式Ｉを満足し、そして室温て式２〜５を
満足するものである。 Ｔ　Ｒ＜’Ｔ　Ｃｌｚ”ｒ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ２ｚＴ　Ｈ
−式１ＨＣＩ＞ＨＣ２＋　ＩＨ＋ｕ”Ｈｏ２’　　　　
　　式２ＨＣＩ＞ＨＤＩ’−−式３ ＨＣ２＞　Ｈｌ、２　　−　　　　　　　　　式４ＨＣ
２＋　ＨＤ２　＜　ｌＨ＋ｎ＋、　、’　＜Ｈｃ＋：：
Ｈｎｌ　　　式５上記式中、符号ｒ４Ｊは、等しいか又
はほぼ等しい（±２０°Ｃ位）ことを表す。また上記式
中、複合±、：については、上段か後述する Ａ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合
であり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイ
プの媒体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタ
イプに属する。 つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表子と、第６
図の々口くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層
のそれを表す。 従って、この記録媒体に室温で外部手段例えば初期補助
磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると、式５によれば、記録
層（第１層）の磁化の向きは反転せずに記録補助＠（第
２＠）の磁化のみか反転する。そこで、記録前に媒体に
初期補助磁界（Ｈｉｎｉ）を印加すると、第２昔のみを
「Ａ向き」□ここでは「Ａ向き４１を便宜的に本明細書
紙面において上向きの矢？て示し、「逆Ａ向き」を下向
きの矢８て小す　　　　　に磁化させることかできる。 そして、Ｈｉｎｉ　　かセロになっても、式４により、
第２１の磁化９は再反転せずにそのまま保持される。 外部手段により第２層のみが、記録直前まで「、へ向き
、・今に磁化されている状態を概念的に表すと、第７図
に示す如くになる。 第７図で第１層における磁化の向き０は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係かないので、これをＸて示し簡略化すると、第
７図は第８図状態１て示せる。 ここにおいて、高レベルのレーサービームを照射して媒
体温度をＴ□に上昇させる。すると、Ｔ１．ｌはキュリ
ー点Ｔ。、より高温度なので記録１（第１層）の磁化は
消失してしまう。更にＴ。はキュ１）−くＴｃ２付近な
ので記録補助層（第２層）の磁化も全く又はほぼ消失す
るっここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は１′逆
４へ向きＪの記録磁界Ｈｂを印加する。記録磁界Ｈｂは
、媒体自身からの浮遊磁界てもよい。説明を簡単にする
ためこ「逆Ａ向き」の記録磁界Ｆ（ｂを印加し≠ことす
る。 媒体は移動しているので、−射された部分は、レーサー
ビームから直ζ゛に遠ざかり、冷却される。 Ｈｂの存在下で、媒体の温度つ・低下すると、第２層の
磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「逆、へ向き」の磁化
となる（第８図状態２．・。 そして、さらに放冷か進み、媒体温度つ）Ｔ　ｒ−１よ
り少し下がると、再び第１者の磁化つ＼現れる。その場
合、磁気的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化
の向きは、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結
果、媒体に応して８（Ｐタイプの媒体の場合）又は介（
Ａタイプの媒体の場合）か生しる。この状態か第８図状
態３　（Ｐタイプ）又は状態４　（Ａタイプ）である。 この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。 次に、低レベルのレーサービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。Ｔ、はキュリー薇Ｔ　ｃ　＋付近な
ので第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キ
ュリー点Ｔ　Ｃ２よりは低温であるので第２層の磁化は
消失しない。この状態は第８図状態５て示される。ここ
では、記録磁界Ｈｂは、不要であるが、高速度（短時間
）てＨｂを０ＮＯＦＦすることは不可能である。従って
、止むを得ず高温サイクルのときのままになっている。 しかし、ＨＣ２はまた大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化か反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーサービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却か進むと、再び第１層の磁
化か現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のため
に第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
によって０（Ｐタイプの場合）又は８（Ａタイプの場合
）の磁化か出現する。二の磁化は室温でも変わらない。 この状態か第８図状態６（Ｐタイプ）又は状態上（Ａタ
イプ）である。 この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。 以上、説明したように、第１層の磁化の向きかとうてあ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化？又は８を有するビットか形成される。つ
まり、レーサービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトか可能となる。第９
図を参照されたい。第９図の磁化の状態は、いずれも室
温又は室温に戻ったときの結果として描いである。 これまでの説明は、第１層、第２Ｎともに室温とキュリ
ー点との間に補償温度Ｔ　ｅ　ａ　＋ｍ　ｐ　　かない
磁性体組成について説明した。しかし、補償温度Ｔｃ。 、、か存在する場合には、それを越えると・↑磁化の向
きか反転することと■Ａ、Ｐタイプつ・逆になるので、
説明はそれたけ複雑になる。この場合、記録磁界Ｈｂの
向きも、室温で考えた場合、前頁の説明の向き↓と逆に
なる。つまり、「初期化」のときに揃えられた第２層の
磁化の向き↑と固し向きのＨｂを印加する。 記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒体ｊよ
回転される。そのため、記録された部分（ヒツト）は、
１回転する間に再び外部手段例えばＨｉｎｉ　　の作用
を受け、その結果、第２層の磁化ま元の「Ａ向き」合に
揃えられる。しかし、室温では、第２層の磁化の影響か
第１層に及ぶことはな二、そのため記録された情報は保
持される。 そこで、第１層に直線偏光を照射すれは、その反射光に
は情報か含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様にｆＷＮか再生される。なお、第１層と第２１の組成
設計によっては、再生前に再生磁界Ｈ１を印加すること
により、元の「Ａ向き」會に揃えられた第２層１こ第１
層の情報を転写させる方法や、再生磁界Ｈアを印加せず
ともＨｉｎｉ、の影響３・な二なるや否や第２層に第１
層の情報か自然転写されるものかあるので、この場合に
は、第２＠から情報を再生してもよい。 このような記録層（第１層）及び記録補助層（第２層）
を構成する垂直磁化膜は、■補償温度を有せずキュリー
、ヴを存するフェリ磁性体啄びフェリ磁性体、並びに■
補償温度、キュリー占の双方を有するフェリ磁性体の非
晶實或いは結晶質からなる群から選択される。 以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様は室温より高い所定の温度にｒいて低下したＨｃを利
用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に於
；７るＴ　Ｃｌの代わりに記録層（第ト１か記ｎ補助−
（第２石）に磁気結合される温度Ｔ　ｆｆｌを使用し、
ＴＣ２の代わりに第２層かＨｂて反転する＠度Ｔ　ｓ　
２を使用すれば、第１実施懸様と同様に説明される。 第２実施懸様では、第１層の保磁力をＨｃｌ、第２層の
それをＨＣ２、第１層か第２層に磁気的に結合される温
度をＴ、ｌとし、第２層の磁化かＨｂて反転する温度を
Ｔ　３２、室温をＴ３、低レベルのレーサービームを照
射した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーサービー
ムを照射した時のそれをＴＨ１第１層か受ける結合磁界
を）ＩＤ＋、第２層が受ける結合磁界をＨＯ２とした場
合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜
ＩＯを満足するものである。 Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　Ｊ　ＩｚＴＬ＜　Ｔ　ｒ　ｔｚＴ　ｈ　
””’−−式６ＨＣＩ＞ＨＣ２＋　　Ｈｏ＋：Ｈｎｚ’
　−−−−−式７ＨＣｌ　＞　Ｈ１１！−＝−−−−−
式８Ｈ（２＞　ＨＤ　２　”””””””””””””
”””””””−式９Ｈｃ２　＋　ＨＯ２＜　　Ｈｌｎ
ｌ、　ｌ　　＜　Ｈｃｌ±ＨＤ　ｌ−一式１０上記式中
、複合±、；については、上段かＡ（ａｎｔｉｐａｒａ
ｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段はＰ　（ｐ
ａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。 第２実施懸様では、高温Ｔ、のとき、第２層の磁化は消
失していないが、十分に弱い。第１層の磁化は消失して
いるが、又は十分に弱い。第１層、第２層ともに十分に
弱い磁化を残留していても、記録磁界Ｈｂ↓か十分に大
きく、Ｈｂ↓か第２層及び場合により第１層の磁化の向
きをＥ（ｂ↓に従わせる。この状態か第１０図状態２で
ある。 この後、■直ちに又は■レーサービームの照射か無くな
って放冷か進み、媒体温度かＴ８より下かった時又は■
Ｈｂから遠ざかった時、第２百かσ、を介して第１否に
影響を及はして第１層の向きを安定な向きに従わせる。 その結果、第１０図状態３．（Ｐタイプ）又は状態４．
＜Ａタイプ）となる。 但し、前の記録状態（ヒツト）が、第１層の磁化の向き
にとって安定であるときは、第１＠の磁化の向きは変化
しない。この変化しない状態は第１０図状態３又は状態
４と同一である。 他方、低温ＴＬのとき、第トＬ第２層共に磁化を消失し
ていないが、第１層のそれは十分に弱い。この場合、ビ
ットの状態には、Ｐタイプの場合、第１０図状態５と状
態６の２種類あり１．へタイプの場合、第１０図状態７
と状態８の２種類ある。 状態６及び状態８ては、第１層と第２層との間に界面磁
壁（−で示す）か生しており、やや不安定（準安定）な
状態である。この状態の媒体部分が、レーサービームの
照射位置に来る直前に、Ｈｂ９の印加を受ける。それて
も、この状態６又は状態８は保持される。何故ならば、
第２層は、室温で、十分な磁化を有するので、磁化かＨ
ｂ　↓によって反転することはない。また、Ｈｂ　↓と
向きか反対の状態８の第１層は、Ｈｂ　↓の影響より大
きな第２盲からの交換結合力σ１の影響を受け、Ｐタイ
プ故に第２層と同し向きに、磁化の向きか保持される。 その後、まもなく状態６又は状態８は低レベルのレーサ
ービームの照射を受ける。そのため、媒体温度は上昇す
る。それに伴い両層の保磁力は低下する。しかし、第２
＠は高いキュリー点を有するので、保磁力Ｈｃｌの低下
は雀かてあり、Ｈｂ　↓に負げることかなく、「Ａ向き
４　宕か維持される。 他方、第１層は低いキュリー点を存するものの、媒体温
度は未だ第１層のキュリー点Ｔｏｌより低いので、保磁
力ＨＣｌは残存する。しかし、それは小さいので、第１
層は、・↑Ｈｂ　↓の影響と・；第２層からの交換結合
力σ、を介した影響（Ｐタイプの場合、同し向きを向か
せようとする力）を受ける。 この場合、後者の方か強（、Ｐタイプの場合、式 ％式％ か同時に満足される。Ａタイプの場合には、式 ％式％ ： か同時に満足される。これら、つ式フ・同時に満足され
る！＆ら低い温度をＴ１．と呼ぶ。換言すれは、状態６
又は状態８の磁壁か消滅する最低温度かＴ１゜である。 その結果、状態６は状態９に移行し、状態８は状態１０
ｊこ移行する。他方、磁壁かもともとない状態５は状態
９と同してあり、状態７は状態ｌＯと同しであるから、
結局、前の状Ｑ（Ｐタイプの場合、状！！！５か６が、
Ａタイプの場合、状態７か８か）に関係なく、低レベル
のビームの照射により状態９　（Ｐタイプ）又は状！！
１１０（Ａタイプ）のビットか形成される。 この状態は、その後ビットかレーザービームの照射か止
んだり又は照射位置から外れたりして媒体温度か低下し
、室温に戻った時にも、変わらない。この第１Ｏ図状態
９　（Ｐタイプ）又は状態１０（Ａタイプ）は、第８図
状態６　（Ｐタイプ）又は状態７　（Ａタイプ）と同一
である。 これにより、第１層のキュリー点Ｔ　Ｃｌまて媒体温度
を高めることなく、低温サイクルか実施されることか理
解されよう。実は低温サイクルをＴ。 以上で実施する場合にも、媒体温度か室温からＴ　ｅ　
ｌに上昇する途中でＴ　Ｌ　Ｓを通るので、そのとき、
Ｐタイプの場合、状態６から状態９への移行が、Ａタイ
プの場合、状態８から状態１０への移行かそれぞれ起こ
るのである。その後、Ｔｏに至り、第８図状態５となる
のである。 以上の説明は、第１層、第２Ｎともに室温とキュリー類
との間に補償温度Ｔ　ｅａ１１９　　かない磁性体組成
について説明した。しかし、補償温度Ｔ　ｅ＠ｍｍか存
在する場合には、それを越えると■磁化の向きか反転す
ることと■Ａ、Ｐタイプか逆になるので、説明はそれた
け複雑になる。また、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考
えた場合の向きと逆になる。 第１１第２実施態様ともに、記録層（第１層）、記録補
助ＩＮ（第２層）か遷移金属（例えばＦｅＣｏ）−重希
土類金属（例えばＧｄ、　Ｔｂ、　ＤＹその他）合金組
成から選択された非晶質フェリ磁性体である記録媒体か
好ましい。 第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属
（ｈｅａｖｙ　ｒａｒｅｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合
金組成から選択された場合には、各合金としての外部に
現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原
子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及
び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のス
ピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴＭの
スピンの向き及び大きさを仁線のベクトル°て表わし、
ＲＥのスピンのそれを実線のベクトル↑て表し、合金全
体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトル？て表
す。このどき、ベクトル合はベクトル゛とベクトルＴと
の和として表わされる。たたし、合金の中てはＴＭスピ
ンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル：とベク
トル↑とは、向きか必ず逆になっている。従って、二と
Ｔとの和或いは↓と゛との和は、両者の強度か等しいと
き、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化
の大きさはゼロ）になる。このセａになるときの合金組
成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔ　ｉｏｎｃｏｍｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときに
は、合金は両スピンの強度差に等しい強度を有し、いず
れか大きい方のベクトルｌ゛又はＴの向きに等しい向き
を有するベクトル９又は８を持つ。 そこで、合金のスピン状態をベクトル：と↑を隣接して
例えば第１１図に示すように書き表す。合金のスピン状
態には大別すると４通りあり、これを第１２ｔｌＫ（Ｉ
Ａ）〜（４Ａ）に示す。そこに示されるスピン状態の合
金か示すベクトル９又は８は、第１２図（ＩＢ）〜（４
Ｂ）に対応して示す。例えば、（ＩＡ）に示されるスピ
ン状態の合金は（ＩＢ）に示すベクトルを有する。尚、
補償温度（Ｔｃ、、、）より低い温度てはＲＥのスピン
Ｔの方かＴＭスピン゛より大きい。 ある合金組成のＴＭスピンどＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、とちらか一方か大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリンチであると呼ばれる。 第１層と第２１１の両方について、Ｔ　Ｎｉ　’Ｊ　ノ
チな組成とＲＥリンチな組成とに分けられる。従って、
縦軸座標に第１層の組成を横軸ｆｌｕｆｆに第２＠の組
成をとると、基本発明の媒体全体としては、種類を下記
に示す４象限に分類することかできる。 ＲＥリッチ（第１層） ＴＭリンチ　（第１層） 〔座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕先に述へた
ＰタイプはＩ象限と■象限に属するものであり、Ａタイ
プは■象限と■象限に属するものである。 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力か一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
かある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｅ、、、、　）　　と呼ばれる。 補償温度は、７Ｍリッチの合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない。室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書て補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。 第１層と第２層の補償温度の育無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。ｌ’Ｉ象限の媒体は
、４つ全部のタイプか含まれる。そこで、記録層（第１
層）と記録補助層（第２層）の両方についてＲＥリッチ
か７Ｍリッチかて分け、かつ補償温度を持つか持たない
かて分けると、録媒体は次の９クラスに分類される。 第 ■ 表 １゛。。□ なし Ｔｃ０□ なし 記 第 表 （続き） 次に第１表に示した各クラスごとに例をあげて更に詳細
にオーバーライト原理について説明する。 いずれも「初期化」の外部手段として初期補助磁界１旧
、を用いた例で説明するが、これに代えて第３の層から
の交換結合力を用いてもよい。記録磁界についても、そ
れに代えて第３の層又は第４の層からの交換結合力を用
いてもよい。 〔クラスｌの説明〕 クラス１の記録媒体（Ｐタイプ・■象限・タイプｌ）に
属する特定の媒体Ｎα１を例にとり、オーバーライトの
原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎａ１は、次式ｌＩ Ｔ　Ｒ＜　Ｔ　Ｃｏ１１ｎ１＜　Ｔｃ＋−Ｔ　Ｌ　ｚＴ
ｅｏｓｐ、　２　＜　Ｔ　＋２ｚＴ。 の関係を存する。この関係をグラフで示すと、第１３図
の如くなる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線
は第２＠のグラフを示す。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉ。 により反転せずに第２層のみか反転する条件は、式１２
である。この媒体Ｎα１は式１２を満足する。式１ま たたし、ＨＣｌ　　第１層の保磁力 ＨＣ２第２百の保磁力 Ｍ５□　第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏ
ｎ）Ｎ１，２　　第２闇の飽和磁気モーメントｔ、　第
１層の膜厚 ｔ２　、第２層の膜厚 σ１．交換交換力又は界面磁壁エネ ルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式１５て示される。 Ｈｉｎｉ　　か無くなると、反転した第２層の磁化は交
換結合力により第１層の磁ｒヒの影響を受ける。それて
も第２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式
１３〜１４て示される。この媒体Ｎα１は式１３〜１４
を満足する。 ２Ｍｓ＋ｔｚ 式１５ 室温て式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足する旧
１１　により例えば「Ａ向き」宕（第１２図Ｎ、４・′
ＩＢ参叩゛１に揃えられる。このとき、第１層はぼこ行
状態のままで残る。二〇状態つ１第１４図の状態）又；
ま状態２である。この状態は記録直前まて保持５Ｌる。 ニニては記録磁界Ｈｂは、　「、へ向き２↑に臼和する
。 一−−−−低温サイクル 低コｔ、７・し○ビームを照射して媒体温度をＴＬに上
でゴせる。そろすると、Ｔ、は第１層のキュノー占Ｔ。 、に５よは等しいので、第１１の磁化は消失ｆ−Ｅ、こ
の状態を第１４図に状態３として示す。 ぜ態３に於し・てレーサービーＬのスボ・ト領域つ・ら
外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度−丁。よ
り少し下がると、第２１のＲＥ、ＴＮ１スコ゛、・、第
１２図・１八゛、１の影響う・又換結合力により第１習
ご・各スピ、Ｉこ及ふっつまり、ＲＥスピン同士　゛」
、Ｔ＼丁スビノ同士（、）を揃える力が働：っその結果
、第１＠のＲＥ、ＴＭスピンの状態：ま、第１２図・２
Ａゝとなり、　７逆Ａ向き」８の磁化か記録磁界↑Ｈｂ
に打ち勝って出現する。この状態を第１４図に状態４と
して示す。この状態の温度は丁ｅ。、、、、、、Ｕ上な
のて丁Ｍスピンの方かＲＥスピンより大きい。 媒体温度か更にＴ、。、３１反下に冷えると、第１−の
ＲＥスピノとＴ　Ｍスピンとの大小関係つ・逆転し、ス
ビ〉状態は、第１２図（２Ａ）から第１２図（ＩＡ）に
移行する。その結果、第１＠の磁化は「、へ向き」？と
なる。二の状態を第１４図に状態５として示す。 状態５は媒体温度か室温まで下かっても保持される。こ
の結果、前に記録５れたヒツトに関係な：第１＠の磁ｒ
ヒは［、へ向き、つとなり、その而きのヒツトか形成さ
れる。 高温サイクル 高レベルのビームか照射されて媒体温度う＜Ｔ。 に上昇すると、■、は第１舊のキュリー、２丁。、にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態を第
１４図に状態６として示す。 更に照射か続：と、媒体の温度は更に上昇する。 媒体の温度か第２層のＴ、。、、２より少し高し１＠度
になったとき、ＲＥＳＴＮ４の各スピンの方向は変わら
ないが、強度の大小関係か逆転し、スピンの状態は、第
１２図（ＩＡ）から第１２図（２Ａ）に移行する。 そのため、第２層の磁化か反転し、「逆Ａ向き」８の磁
化になる。この状態を第１４図に状態７として示す。 しかし、この温度ではＨ８２かまだ大きいのて、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化か反転されることはない。さらに
温度か上昇し、Ｔ、になると、第２層の温度はほぼキュ
リー点Ｔ　Ｃ２となり、第２層の磁化も消失する。この
状態を第１４図に状態８として示す。 状態８においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体の温度は低下を始める。 媒体の温度かＴ　ｃ２より少し下がると、第２層に磁化
か現れる。この場合、↑Ｈｂによって「Ａ向き」介の磁
化か現れる。温度はＴｅ。。、２以上であるから、７Ｍ
スピンの方か強く、スピン状態は、第１２図（４Ａ）で
示される。この状態を第１４図に状態９として示す。し
かし、温度はまたＴ　ｅ　ｌより高いのて第１層には磁
化は現れない。 そして、媒体の温度か更に下かり、Ｔｅ６ｍ１１２以下
になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係か逆転し、スピンの状態は第１２図（
４Ａ）から第１２図（３Ａ）に移行する。 その結果、第２層の合金全体の磁化は反転し、？から「
逆Ａ向き」８になる。この状態を第１４図に状態１０と
して示す。 状態１０ては媒体の温度はＴｃ１より高いので第１層の
磁化はまだ消失したままである。また、その温度でのＨ
Ｃ２は大きいので第２＠の磁化８は、↑Ｈｂて反転する
ことはない。 そして、更に温度か低下してＴ。１より少し下がると、
第１層に磁化か出現する。そのとき第２層からの交換結
合力かＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（：゛）
を揃えるように働く。そして、第１層の温度はＴｅｏｍ
ｐ、１以上なのでＴＭスビ〉の方か大きく、そのため第
１層には第１２図（４Ａ）に示すスピン状態か生まれ、
同図（４Ｂ）に示す磁化？か出現する。この状態か状態
１１である。 媒体の温度か状態１１のときの温度から更に低下して、
Ｔｅａｍ、−ｌ以下になると、第１層のＲＥスピンと７
Ｍスピンの強度の大小関係の逆転か起こり、スピン状態
は、第１２図（４Ａ）から第１２図（３Ａ）に移行する
。その結果、第１２図（３Ｂ）に示す８の磁化か出現す
る。この状態を第１４図に状態１２として示す。 やかで媒体の温度は状！９！！１２のときの温度から室
温まで低下する。室温でのＨＣｌは十分に大きいので第
１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状０
１２か保持される。こうして、「逆Ａ向き」８のビット
形成か完了する。 〔クラス２の説明〕 第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ２）に属する特定の媒体Ｎα２を例にとり、オ
ーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体ＮＣＬ２は、次式１６ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフて示すと、第１６図
の如くなる。 室温Ｔ、て第１１の磁化か初期補助磁界旧０１により反
転せずに第２層の磁化のみか反転する条件は、式１７で
ある。この媒体Ｎα２は式１７を満足する。　式１７ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式は、式２０て示される
。 １旧、か無くなると、反転した第２層の磁化は交換結合
力により第１層の磁化の影響を受ける。それても第２層
の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式１８〜１
９て示される。この媒体に２は式１８〜１９を満足する
。 式２０ 室温て式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足する１
旧、により例えば「Ａ向き」合（スピン状態は第１２図
（ＩＡ）参照）に揃えられる。このとき、第１層は記録
状態のままで残る。この状態を第１６図に状態ｌ又は状
態２として示す。この状態は記録直前まで保持される。 ここでは記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加する。 低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ　ｅ　ｌ
にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態
を第１６図に状態３として示す。 状態３に於いてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ　ｌ
より少し下がると、第２＠のＲＥ、７Ｍスピン（第１２
図（ＩＡ）参照）の影響か交換結合力により第１層の各
スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（、）を揃える力か働く。その結果、第１層に
は、第１２図（ＩＡ）に示すスピン状態か生まれ、「Ａ
向き」９の磁化か出現する。この状態を第１６図に状態
４として示す。 状態４は媒体温度か更に低下しても変化かない。 この結果、前に記録されたヒツトに関係なく第１層の磁
化は「Ａ向き」９となり、ＦＡ向き」宕のビットか形成
される。 室温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１百のキュリーヴＴｃ１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態か状
態５である。 更に照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒体
の温度か第２層のＴｃｏ、、、ｘより少し高い温度にな
ったとき、ＲＥ、Ｔ〜１の各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係か逆転し、スピン状管は第１２図（
ＩＡ）から第１２図（２Ａ）に移行する。 そのため、第２層の合金全体の磁化か反転し、第１２図
（２Ｂ）に示す「逆Ａ向き」尽の磁化となる。二〇状態
を第１６図に状態６として示す。 しつ１し、この温度てはＨＣｌかまた大きいので、↑Ｈ
ｂ；二よって第２層の磁化か反転されることはない。さ
らに温度か上昇し、Ｔ１．ｌになると、第２層の温度は
ほぼキュリー点Ｔ。２となり、第２層の磁化は消失する
。これか状態７である。 状ｔｆ！７においてレーサービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度つ＼
Ｔ　ｃ２より少し下がると、第２Ｎに磁化か現れる。こ
の場合、↑Ｈｂによって「Ａ向き」”の磁化今か現れる
。媒体温度はＴｅｏｓｐ、２より高いのて、７Ｍスピン
の方か優勢であり、従って、スピン状態は、第１２図（
４Ａ）に示される状態となる。 しかし、温度はまたＴｃ１より高いので第１層には磁化
は現れない。この状態か状態８である。 媒体の温度か更に下かり、Ｔ、。。２．以下になると、
ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度の大
小関係か逆転し、スピン状態は、第１２図（４Ａ）から
第１２図（３Ａ）に移行する。そのため、第２層合合金
体の磁化は反転して？から「逆Ａ向き」８になる。二〇
状態を第１６図に状態９として示す。 状態９ては媒体の温度はＴ　ｅ　ｌより高いので第１層
の磁化はまだ消失したままである。また、その温度での
Ｈ６２は大きいので第２層の磁化か↑Ｈｂて反転するこ
とはない。 更に温度か低下してＴ　ｃ　＋より少し下がると、第１
層に磁化か出現する。そのとき第２層からき交換結合力
かＲＥスピン同士（Ｌ）、ＴＭスピン同士（゛）を揃え
るように勤口。そのため第１層には、第１２図（３Ａ）
に示すスピ７状懇の磁化つまり第１２図（３Ｂ）に示す
磁化８か出現する。この状態か第１６図状態１０である
。 やがて媒体の温度は状態１ｏのときの温度から室温まで
低下する。室温でのＨｃｌは十分に大きいので第１層の
磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状態１０が
保持される。こうして、「逆Ａ向き」８のヒツト形成か
完了する。 〔クラス３の説明〕 第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■象限
・タイプ３）に属する特定の媒体Ｎα３を例にとり、オ
ーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα３は、次式２１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、第１７図
の如くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉにより
反転せずに第２層のみか反転する条件は、式２２である
。この媒体Ｎα３は式２２を満足する。 式２２ ％式％ このとき、）Ｉｉｎｉ　　の条件式は、式２５で示され
る。 Ｈｉｎｉ　　か無くなると、反転した第２層の磁化は交
換結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても
第２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式２
３〜２４て示される。この媒体Ｎα３は式２３〜２４を
満足する。 σ。 Ｍｓ１ｔ σ。 式２４１　　ＨＣ２＞ ２Ｍｓ＋ｆ２ 式２５ ％式％ 室温て式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２＠
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」會（スピン状態は第
１２図（ロ）参照）に向けられる。このとき、第１＠は
前の記録状態のままで残る。二〇状態を第１８図に状態
１又は状態２として示す。この状態ま記録直前まて保持
される。ここでは記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓に印加
される。 温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ　ｅ　ｌ
にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。しかし、
この温度ではまた第２層のＨｏ。 ま大きいので、第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転され
ることはない。この７響を第１８図に状態３として示す
。 状態３においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ。１より
少し下がると、第１２図（１鹸に示す第２層のＲＥ、Ｔ
Ｍスピンの影響う・交換結合力により第１層の各スピン
に及ふ。つまりＲＥスビノ同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士
（、）を揃える力か働く。その結果、第１層には、第１
２図（ＩＡ）のスピン状態を持つ磁化（第１２図（２Ｂ
）の８）か出現する。 この場合、温度はＴ。。。、１以上なのでＴＭスピン、
の方か大きい。この状態を第１８図に７誓４として示す
。 媒体温度か更にＴ、。、９１以下に冷えると第１層のＲ
ＥスピンとＴＭヌピンとの大小関係か逆転し、スピンの
状態は第１２図（２Ａ）から第１２図（ＩＡ）に移行す
る。その結果、第１層の磁化は、↓Ｈｂに抗して第１２
図（ＩＢ）に示されたＩＡ向き」９を向く。この状態を
第１８図に状態５として示す。 状態５は媒体温度か室温まで下かっても保持される。こ
の結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁化
は「Ａ向き」９となり、「Ａ向き、１合のビットか形成
される。 室温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
Ｌに上昇すると、Ｔ、は第１＠のキュリー点Ｔ　ｅ　ｌ
にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これか状
態６である。 更にビームの照射か続き、媒体の温度かＴＨとなると、
Ｔ□は第２層のＴｅ２にほぼ等しいので、第２層の磁化
も消失する。これか状態７である。 状態７においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度かＴ　Ｃ２
より少し下がると、第２層に磁化か現れる。この場合、
↓Ｈｂによって８の磁化が現れる。スピン状態は、温度
かＴ　ｃ６□、より低いので第１２図（３Ａ）に示され
る。しかし、温度はまだＴ　ｅ　ｌより高いので第１層
には磁化は現れない。これが状態８である。 更に、媒体温度か低下してＴ　ｃ　ｔより少し下がると
、第１層にも磁化か８現する。この場合、第２層の磁化
か交換結合力により第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピ
ン同士（↓）、ＴＭスピン同士（“）を揃える力か働く
。この場合、媒体温度はまだＴｃｏ＋ｍｐ、１以上にあ
るので、Ｔ　Ｍスピンの方かＲＥスピンより大きく、ス
ピン状態は第１２図（４Ａ）である。その結果、第２層
に、第１２図（４Ｂ）に示されるｒＡ向きＪ９の磁化か
出現する。この状態を第１８図に状態９として示す。 状態９の温度から、媒体温度か更に低下してＴｃ６ｍ１
ｌ以下になると、第１層のＴ〜１スピンとＲＥスピンの
強度の大小関係か逆転し、スピン状態は第１２図（４Ａ
）から第１２図（３Ａ）に移行する。そのため、第１Ｎ
の磁化か反転し、第１２図（３Ｂ）に示される１１１！
Ａ向きＪ８の磁化になる。この状態を第１８図に状態１
０として示す。 やがて媒体の温度は状態１０のときの温度から室温まで
低下する。室温でのＨ６１は十分に大きいので第１百の
磁化は、安定に保持される。 二５・して、「逆Ａ向き、１８のヒツト形成か完了する
。 このことは、以下のクラス４〜９の説明でも同様である
。 以上のクラス１〜３の説明では、低温サイクルは、第１
層の保磁力かほぼ消失する工程を含む。 しつ・し、低温サイクルの目的は、磁壁のある状態２の
七ノドから磁壁のない状態のヒントを形成するこごであ
る。従って、磁壁がない状態１のヒツトは、そのまま放
置しておいて、磁壁がある状態２のピ・トたけを、磁壁
かない状態のヒツトに変えれはよし・。磁壁かある状態
２のビア！トは、準安定状態てあり、磁壁かない状態ｌ
のヒツトに比へ不安定である。それは、第２層が、σ冑
を通して、第１層の磁化の向きを安定な状態（全体て見
ると磁壁−Ｘｊ６い状態）に向（７たいと作用するから
である。そのため、第１＠の保磁力をほぼ消失させなく
とし、弱めれば、よい。弱めるたけてよ÷ブれば、媒体
温度をＴｃｌ付近に上げなくともよい。 〔クラス４の説明〕 第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎ１１４を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα４は、次式２６ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、第１９図
の如くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈ】旧により反
転せずに第２層のみか反転する条件は、式２７である。 この媒体Ｎα４は式２７を満足する。 式２７ ％式％ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３０て示される。 Ｈｉｎｉ　　か無くなると、反転した第２層の磁化は交
換結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても
第２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式２
８〜２９て示される。この媒体Ｎα４は式２８〜２９を
満足する。 式３０・ 室温て式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」？に向ニブられる。 スピンの状態は、Ｔｏ、工、以下であるからＲＥスピン
の方か強いので、第１２図（］　Ａ　）で示される。 このとき、第１層は記録状態のままで残る。この状態を
第２０図に状Ｑｌ又は状態２として示す。この状態は記
録直前まで維持される。ここでは記録磁界Ｈｂは「逆、
へ向きシ、↓に印加する。 □低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、Ｔ、は第１頁のキュリー点Ｔ　ｅ　ｌ
を越えているので、第１層の磁化は消失する。この状態
ては、Ｈｃｌはまた十分に大きいので、第２Ｎの磁化９
は↓Ｈｂて反転することはない。この状態か第２０図の
状態３である。 状態３においてレーサービームのスボ、ト領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ　ｌ
より少し下がると、第２層のＲＥ、　ＴＭスピン（二　
）の影響か交換結合力により第１層の各スピンに及ぶ。 つまり交換結合力はＲＥスピン同士（丁）、ＴＭスピン
同士（、）を揃えるように働（。その結果、第１層に第
１２図（ＩＡ’に示すスピン状態か現れる。その結果、
第１２図（ＩＢ：に示される「Ａ向き」磁化？が、↓Ｈ
ｂに抗して、出現する。二〇状態か第２０図状聾４であ
る。 状態４は媒体温度つ１室温まで下がっても維持される。 この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁
化は「Ａ向き」今となり、「Ａ向き」９のヒントか形成
される。 室温サイクル 高レベルのビームを照射する。二の結果、媒体温度かＴ
Ｌに上昇すると、Ｔ−は第１層のキュリー占Ｔ、１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これか第２０
図状ｔＩＩ５である。 ビームの照射か続いて、媒体温度が更に上昇しＴ□にな
ると、第２層の温度Ｔ８はキュリー占Ｔ　Ｃ２にほぼ等
しいので、第２盲の磁化も消失する。 これか状態６である。 状態６においてレーサービームのスポ７・上領域から外
れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度かＴ。 、より少し下がると、第２層の磁化が出現する。この場
合、↓Ｈｂのために「逆Ａ向き」８の磁化か出現する。 このとき、媒体温度はＴｃ、、ｍ、２以下であるがらＲ
Ｅスピンの方が優勢であり、そのため、スピン状態は第
１２図（３Ａ゛・どなる。 しかし、温度はＴ　ｅ　ｌより高し１ので第１層には磁
化か現れない。この状態が第２ｏ図状態７である。 媒体温度か更に下かり、Ｔ　ｅｌより少し下がると、第
１層に磁化か出現する。そのとき第２層からの交換結合
力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（１゛）を
揃えるように働く。そのため第１層に第１２図（３Ａ）
に示すスピン状態の磁化つまり第１２図（３Ｂ）に示す
磁化８か出現する。この状態か第２０図状態８である。 やがて媒体の温度は状態８のときの温度から室温まで低
下する。室温てのＨｅｌは十分に大きいので第１層の磁
化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き」８のビ
ット形成か完了する。 〔クラス５の説明〕 第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ３）に属する特定の媒体ＮＣＬ５を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、第１７図
の如くなる。 室温ＴＲで第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉ。 により反転せずに第２層のみか反転する条件は、式３２
である。この媒体Ｎ１１５は式３２を満足する。 式３２゛ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３５て示される。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１＠の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式３３
〜３４て示される。この媒体Ｎα５は式３３〜３４を満
足する。 ２Ｍ５１ｔ ２〜（ｓ２ｔ　２ 式３５ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」？に向けられるっス
ピンの状態は、Ｔｃｏｍ９．２か室温より低いことづ・
ら７Ｍスピンの方か優勢であり、第１２図（４Ａ）で示
される。このとき、第１層は記録状態のままで残る。こ
の状態を第２１図に状態１又は状態２として示す。この
状態は記録直前まで維持される。ここでは、記録磁界Ｈ
ｂは［逆Ａ向きゴ↓に印加ざわる。 温サイクル 上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ
ｃ１にほぼ−等しいので、第１層の磁化は消失する。し
かし、この温度ではまた第２＠のＨ＋２は大きいので、
第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない。 二の状態を第２１図に状態３として示す。 状態３てビームの照射か終了すると、媒体温度は降下し
始める。媒体温度かＴｃユより少し下がると、第１２図
（４Ａ）に示した第２１のＲＥ、７Ｍスピンか交換結合
力により第１層の各スピンに影響を及ぼす。つまりＲＥ
スピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（”）を揃える力か
働：。その結果、第１層には、第１２図（４Ａ）に示し
たスピン状態か出現する。媒体温度はＴ　ｅａｓ＋＋　
ｌより高いので、７Ｍスピンの方か強い。このスピン状
態は、第１２図（４Ｂ）に示した「Δ向き、？の磁化を
第１＠く二もたらす。 この磁化ｔは↓Ｈｂに抗して出現する。この状態を第２
１図に状態４として示す。 媒体温度か更にＴ。。ｍ、　、ｐ下に冷えると、第１層
のＲＥスピンとＴＭスピレとの大小関係か逆転低レベル
のビームを照射して媒体温度をＴ、にし、第１２図（４
Ａ）のスピン状態は第１２図（３Ａ）に移行する。その
結果、第１層の磁化は第１２図（３Ｂ）に示したように
「逆Ａ向きＪの磁化ａとなる。この状態を第２１図に状
！！！５として示す。 状態５は媒体温度か室温まで下かっても保持される。そ
の結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁化
は［逆Ａ向きＪ８となり、「逆Ａ向き」８のビットか形
成される。 □高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
、に上昇すると、Ｔ、は第１層のキュリー点Ｔ。ｌにほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態か第
２１図状態６である。 更にビームの照射か続くと、媒体の温度がＴ、ｌとなる
と、Ｔ、はＴ。２にほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する。これか状態７である。 状態７においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度かＴＣ２よ
り少し下がると、第２層の磁化が出現する。この場合、
↓Ｈｂのために「逆Ａ向きＪ８の磁化が出現する。この
場合、媒体温度はＴ。。、、、より高いので７Ｍスピン
の方かＲＥスピンより強いことから、第１２図（２Ａ）
のスピン状態となる。しかし、温度はＴ　ｃ　＋より高
いので第１層には磁化か現れない。この状態か状態８で
ある。 更に、媒体温度か低下してＴｃ＋より少し下がると、第
１層にも磁化か出現する。この場合、第２層の磁化か交
換結合力により第１Ｎに及ぶ。その結果、ＲＥスピン同
士（↑）、Ｔ〜１スピン同士（、）を揃える力か働く。 この場合、媒体温度はまだＴｃ、、□１以上にあるので
、７Ｍスピンの方力・ＲＥスピンより強い。このスピン
状態は第１２図（２Ａ）で示される。その結果、第１層
に第１２図（２Ｂ）で示される「逆Ａ向き」８の磁化か
出現する。この状態を第２１図に状態９として示す。 状態９の温度から、媒体温度か更に低下してＴｅａｍｓ
、ｌ以下になると、第１＠の７ＭスピンとＲＥスピンの
強度の大小関係か逆転し、スピン状態か第１２図（２Ａ
）から第１２図（ＩＡ）に移行する。それと同時に媒体
はＰタイプからＡタイプになる。そのため、第１層の磁
化が反転し、第１２図（ＩＢ）に示される「Ａ向き」９
の磁化になる。この状態を第２１図に状態ｌＯとして示
す。 やがて媒体の温度は状態１０のときの温度から室温まで
低下する。室温でのＨＣｌは十分に大きいので第１１の
磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」合のビ
ット形成が完了する。 〔クラス６の説明〕 第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα６を例にとり、オ
ーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα６は、次式３６ ％式％ の関係を存する。この関係をグラフで示すと、第１９図
の如くなる。 室温Ｔアで第１層の磁化が初明補助磁界Ｈｉｎ二より反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７である。 この媒体Ｎα６は式３７を満足する。 式３７ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式は、式４ｏて示される
。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第冒層の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化か再度反転せずｌこ保持される条件は、式３
８〜３９て示されるっこの媒体Ｎα６は式３８〜３９を
満足する。 ２Ｍａ＋ｔ＋ Ｍｓｚｔｉ 式４０ ％式％ 室温て式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？に向けられる。今、
媒体温度は室温でありＴｅ、、、２より高いのて７Ｍス
ピンかＲＥスピンより強いことから、スピン状態は第１
２図（４Ａ）で示される。第１層は前の記録状態のまま
で残る。従って、今の状態は第２２図状態３又は状態２
て示される。この状態は記録直前まで維持される。ここ
では記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓の向きに印加する。 温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴ、に上昇させ
る。そうすると、Ｔ、は記録再生第１層のキュリー点Ｔ
　ｅ　ｌにほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。 この状態では、Ｈｅｍはまだ十分に大きいので、第２層
の磁化會は↓Ｈｂで反転することはない。この状態か第
２２図状態３である。 状態３においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ。１より
少し下がると、第１層に磁化か現れる。このとき、第１
２図（４Ａ）に示す第２層のＲＥ。 ７Ｍスピンか交換結合力により第１層の各スピンに影響
を及ぼす。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、ＴＭス
ピン同士（：）を揃えるように働き、第１層には、第１
２図（３Ａ）に示すスピン状態か出現する。これにより
、第層には、第１２図（３Ｂ）に示される「逆Ａ向き」
０の磁化か出現する。この状態か第２２図状態４である
。 状態４は媒体温度か室温まで下がっても保持される。こ
の結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁化
は「逆Ａ向きＪ８となり、「逆Ａ向き、８のビットか形
成される。 室温サイクル 高じヘルのビームを照射する。この結果、媒体温度フ・
丁、に上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー占Ｔ、（に
ほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態か
第２２図状態５である。 ビームの照射か続いて、媒体温度か更に上昇しＴ、にす
ると、第２層の温度Ｔ、はＴ　ｃ　２にほぼ等しＣ・○
て、第２層の磁化も消失する。これが状態６である。 状態６においてレーサービームのスボ７・上領域から外
れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度かＴ　
Ｃ２より少し下がると、第２層に磁化が出現下る。この
場合、↓Ｈｂのために「逆Ａ向き」８の磁化う・出現す
る。媒体温度は今Ｔ　ｅａ。、２より高いのて７Ｍスピ
ンかＲＥスピンより強いことがら、スピン状態は第１２
図（２Ａ）である。しかし、温度はＴ。、より高いので
第１層には磁化か現れない。 この状態か第２２図状態７である。 そして、媒体温度か更に下かり、Ｔｃ１より少し下がる
と、第１層に磁化か出現する。そのとき第２層からの交
換結合力かＲＥスピン同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士（、
）を揃えるように働：。個の場合、媒体温度はＴｅｏｍ
ｉｌより低いのてＲＥスピンかＴＭスビノより強いこと
から、スピン状態は第１２図（ＩＡ）となる。そのため
、第１Ｍには第１２図（ＩＡ’）のスピン状態か出現す
る。つまり第１２図（ＩＢ）に示される「Ａ向き」９の
磁化か↓Ｈｂに抗して出現する訳である。この状態っ１
第２２図状聾８である。 やがて媒体の温度は状態８のときの温度から室温まで低
下する。室温でのＨＣｌは十分に大きいので第１層の磁
化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」介のビッ
ト形成が完了する。 〔クラス７の説明〕 第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■象限
・タイプ４）に属する特定の媒体瀬７を例にとり、オー
バーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα７は、次式４１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、第１９因
の如くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉ。 により反転せずに第２層のみか反転する条件は、式４２
である。この媒体Ｎα７は式４２を満足する。 式４２ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４５て示される。 Ｈｉｎｉ　　か無くなると、反転した第２層の磁化は交
換結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても
第２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式４
３〜４４て示される。この媒体Ｎα７は式４３〜４４を
満足する。 式４５・ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足する旧
ｎ１．により例えば「Ａ向きｊ？に向けられる。このと
き、媒体温度は室温でありＴｅａｍｐ、２より高いこと
がら７Ｍスピンの方かＲＥスピンより強く、そのため、
スピン状態は第１２図（４Ａ）である。第１層は前の記
録状態のままであり、今の状態は第２３図状態１又は状
態２に示される。この状態は記録直前まで維持される。 ここては記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向きＪ↓に印加される。 −低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴ、に上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー＝、　Ｔ　ｃ
　１にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この
状態ては、ＨＣ２はまｔ：十分に大きいのて、第２層の
磁化宕は↓Ｈｂて反転することはない。これか第２３図
状態３である。 状態３においてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ　ｌ
より少し下がると、第１層に磁化か出現する。二のとき
、第１２図（４Ａ）に示された第２層のＲＥ、７Ｍスピ
ンか交換結合力により第１層の各スピレに影響を及ぼす
。つまり、交換結合力はＲＥスピン同士（ニ）、ＴＮ１
スピン同士（′）を揃えるように働く。その結果、第１
層には、第１２図（４へ）に示されたスピン状態か出現
する。つまり、第１２図４４３）に示された「Ａ向き」
９の磁化か↓Ｈｂに抗して出現する。この状態を第２３
図に状態４として示す。 状態４は媒体温度か室温まで下がっても維持される。こ
の結果、前に記録されたヒツトにｆ！１ｃｌｅなく第１
層の磁化は「、Ａ向きｊＯとなり、　ＵＡ向き１合のヒ
ントか形成される。 高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
、に上昇すると、Ｔ、は第１１のキュリー点Ｔ　ｅ　ｌ
にほぼ等しいので、第１＠の磁化は消失する。これか第
２３図状態５である。 ビームの照射か続いて、媒体温度か更に上昇しＴＨにな
ると、第２】の温度Ｔ８はキュリー、つＴ　Ｃ２にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する。 これか第２３図状態６である。 状態６においてレーサービームのスボ２・ト領域から外
れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度かＴ　
Ｃ２より少し下がると、第２層の磁化っｈ出現する。こ
の場合、↓Ｈｂのために「逆へ向き」の磁化８か出現す
る。媒体温度は今Ｔｅｏｍｐ２より高いのてＴＭスピン
か強（、そのためスピン状態は第１２図（２Ａ）で示さ
れる。しかし、温度はまたＴｃ＋より高いので第１層に
は磁化が現れない。この状態か第２３図状態７である。 媒体温度か更に下かり、Ｔｃ＋より少し下がると、第１
層に磁化か出現する。そのとき第２層からの交換結合力
かＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（ニ）を揃え
るように働く。そのため第１層には第１２図（２Ａ）の
スピン状態か出現し、第１２図（２Ｂ）に示された「逆
Ａ向きＪ８の磁化か出現するのである。二〇状態を第２
３図に状態８として示す。 やがて媒体の温度は状態８のときの温度から室温まで低
下する。室温でのＨＣｌは十分に大きいのて第１層の磁
化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き」８のビ
ット形成か完了する。 〔クラス８の説明〕 第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ２）に属する特定の媒体勲８を例にとり、オー
バーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα８は、次式４６ ％式％ の関係を存する。この関係をグラフで示すと、第１５図
の如くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界１旧。 により反転せずに第２層のみ力・反転する条件は、式４
７である。この媒体Ｎα８は室温て式４７を満足する。 式４７゜ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式５０で示される。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式４８
〜４９て示される。この媒体Ｎ（Ｌ８は式４８〜４９を
満足する。 σ。 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の記録補
助第２層の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満
足するＨｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」合に向：す
られる。このとき、媒体温度は室温てあり、Ｔｒｏ＠、
２より低いことがらＲＥスピレか強（、そのためスピン
状態は第１２図（ＩＡ）て示される。 第１層は前の記録状態のままて残るので、今の状態は第
２４図状態１又は状態２に示される。この状態は記録直
前まて維持される。二こでは、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き
」↑に印加される。 温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ１にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。しかし、この
温度ではまた第２層のＨｅ２は大きいので、第２層の磁
化は↑Ｈｂによって反転されることはない。この状態を
第２４図に状態３として示す。 状態３においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ　ｌ
より少し下がると、第１層に磁化が出現する。このとき
、第１２ＩＮ（ＩＡ＋＋こ示された第２層のＲＥ、ＴＭ
スピンか交換結合力により第１層の各スピンに影響を及
はす。っまＩＩＲＥスピン同士（Ｔ）、ＴＭスピン同士
（、・をＳえる力が働く。 但し、媒体温度はＴ、。、。、より高いのミＴＭスピン
か強い。その結果、？ｊＦ、１層には、第１２図（２Ａ
）に示されたスピン状態か呂現し、第１２図（２Ｂ）に
示された「逆Ａ向きＪ８の磁化力づＨｂに抗して出現す
る。この状態を第２４図に状態４として示す。 状態４は媒体温度っ・室温まで下がっても保持される。 この結果、前に記録されたビットに関係なく第１層の磁
化は「逆Ａ向き」８となり、「逆Ａ向き」荏のビットが
第１層に形成される。 □高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
Ｌに上昇すると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ。、にほ
ぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これか第２４
図状態５である。 更にビームの照射か続き、媒体温度かＴ　ｅ　ａ。、。 より少し高くなると、ＲＥスピン（Ｔ）及び７Ｍスピン
（、）の向きは変わらずに、強度の大小関係か逆転し、
スピン状態は第１２図（ＩＡ）がら第１２図（２Ａ）に
移行する。その結果、第２＠の磁化は反転して「逆Ａ向
き」砂となる。この状態が第２４図状態６である。 しかし、この温度ではＨｃ２かまた大きいので、第２層
の磁化８は↑Ｈｂて反転されることはない。 更にビームの照射か続き、そのため媒体温度か更に上昇
してＴＨになったとする。すると、Ｔ、はＴｃ２にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する。 これが状態７である。 状態７においてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ。２より
少し下がると、第２層に磁化か生じる。この場合、↑Ｈ
ｂにより「Ａ向き」合の磁化か８現する。このとき、媒
体温度はＴ１゜１．、より高いので７Ｍスピンか強く、
スピン状態は第１２図（４Ａ）で示される。しかし、温
度はまだＴ。１より高いので、第１層には磁化が現れな
い。この状態を第２４図に状態８として示す。 更に媒体温度か低下してＴｅｏｍｙ、２より少し下がる
と、ＲＥスピン（↓）及び７Ｍスピン（：）の向きは変
わらずに、強度の大小関係か逆転し、スピン状態は第１
２図（４Ａ）から第１２図（３Ａ）に移行する。 その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」凸とな
る。この状態では、ＨＣ２は既に相当大きくなっている
ので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転されることはな
い。そして、温度はまだＴ　ｃ　１より高いので第１層
の磁化はまだ現れない。二〇状態か第２４図状態９であ
る。 更に、媒体温度か低下してＴ　ｅ　ｌより少し下がると
、第１層にも磁化が出現する。この場合、第１２図（３
Ａ′Ｖに示されたスピン状態の第２層が交換結合力によ
り第１層に影響を及ぼす。つまり、ＲＥスピン同士（↓
）、ＴＭスピン同士（゛）を揃える力か働（。但し、媒
体温度は今Ｔ、。ａｐ　ｌより高いので７Ｍスピンかよ
り強く。その結果、第１層に第１２図（４Ａ）に示され
たスピン状態が出現し、第１２図（４８′ｌに示された
「Ａ向き」合の磁化か出現するのである。二〇状態を第
２４図に状態１ｏとして示す。 やつ・て媒体の温度は状態１０のときの温度から室温ま
で低下する。室温でのＨｃ　ｔは十分に大きいので第１
層の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」廿
のビット形成が完了する。 〔クラス９の説明〕 第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ４）に属する特定の媒体Ｎα９を例にとり、オ
ーバーライトの原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα９は、次式５１ ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、第１９図
の如くなる。 室温Ｔアて第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉにより
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式５２である
。この媒体Ｎａ９は式５２を満足する。 式５２ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式５５て示される。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それても第
２層の磁化か再度反転せずに保持される条件は、式５３
〜５４て示される。この媒体Ｎα９は式５３〜５４を満
足する。 式５５： 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足するＨ
ｉ旧、により例えば「Ａ向き」合に向けられる。このと
き、媒体温度は室温でＴｃｅｓｌ！より高いことから７
ＭスピンかＲＥスピンより強いので、スピン状態は第１
２図（ＩＡ）で示される。第１層は前の記録状態のまま
で残り、磁化の状態は第２５図状態１又は状態２に示さ
れる。この状態は記録直前まで維持される。ここては記
録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓に印加される。 一低温サイクル 低レベルのビームを照射して媒体温度をＴＬに上昇させ
る。そうすると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ　ＣＩに
ほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。この状態で
は、ＨＣ２はまだ十分に大きいので、第２層の磁化９は
↓Ｈｂて反転することはない。この状態か第２ｃｉ図状
態３である。 状！！！３においてレーサービームのスポット領域から
外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ
　ｌより少し下がると、第１層に磁化か出現する。この
とき、第１２図（ＩＡ）で示されたスピン状態の第２層
か交換結合力により第１＠の各スピンに影響を及ぼす。 交換結合力はＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（
、）を揃えるように働く。但し、媒体温度はＴｅａｍｏ
、ｌより高いので７Ｍスピンがより強い。その結果、第
１層には、第１２図（２Ａ）に示されたスピン状態か出
現し、第１２図（２Ｂ）に示された「Ａ向き」８の磁化
か出現する。 この状態か第２５図状態４である。 状態４は媒体温度か室温まで下がっても保持される。こ
の結果、前に記録されたヒントに関係なく第１層の磁化
は「逆Ａ向き」８となり、「逆Ａ向き」８のビットか第
１層に形成される。 □高温サイクル 高レベルのビームを照射する。この結果、媒体温度かＴ
、に上昇すると、ＴＬは第１＠のキュリーＱ、　７　ｃ
、にほぼ等しいので、第１層の磁化は消失する。これか
第２５図状！！ｙｉ５である。 ビームの照射か続いて、媒体温度か更に上昇しＴ□にな
ると、媒体特に第２層の温度Ｔ１．ｌはＴ　（２にほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失下る。これか状態６で
ある。 状態６においてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度かＴ　ｃ
ｔより少し下がると、第２層に磁化か出現する。この場
合、↓Ｈｂのために「逆Ａ向き」凸の磁化か出現する。 媒体温度はＴｅ、わ、２より低いので、ＲＥ又ビンかよ
り強い。そのため、スピン状態は第１２図（３Ａ）で示
される。しかし、この温度はまたＴ　ｅ　ｌより高いの
で第１層には磁化はない。この状態か第２５図状態７で
ある。 媒体温度か更に下かり、Ｔ　ｅ　ｌより少し下がると、
第１層に磁化か出現する。そのどき、第１２図（３Ａ　
）で示されたスピン状態の第２層か変換結合力により第
１層のスピンに影響を及はす。つまり、交換結合力かＲ
Ｅスピッ同士（↓）、ＴＭスピン同士（゛）を揃えるよ
うに働く。但し、媒体温度はＴｅ０＋ｓ、、ｌより高い
ので７Ｍスピンかより強い。そのため第１層には第１２
図（４層のスピン状態か出現し、第１２図（４トに示す
「Ａ向き」釘の磁化か↓Ｈｂに打ち勝−で出現するので
ある。この状態か状態８である。 やがて媒体の温度は状態８のときの温度から室温まで低
下するっ室温でのＨＣｌは十分に大きいので第１＠の磁
化は安定に保持される。こうして、［Ａ向き」９のピン
ト形成か完了する。 以上のクラス１〜９の説明は、低温サイクルも高温サイ
クルもキュリー点近傍で行なう例の説明であった。しか
し、キュリー点より低い温度でも両サイクルを実施する
ことは可能であるので、この例をいくつかのクラスにつ
いて説明する。残りのクラスももちろん可能であるが、
紙面の都合で省略する。 〔クラスｌの別の例の説明〕 第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ象限
・タイプ１）に属する媒体瀬１−２を例にとり、オーバ
ーライト原理について詳細に説明する。 この媒体覧１−２は、次式１１の２ Ｔ　Ｒ＜Ｔｅａｍ、、　ｔ　＜　ＴＬ　＜　Ｔｘ　≦Ｔ
ｃｔ≦Ｔ、２及び式１１の３　’、　Ｔｅａｓｌ　２　
　＜ＴＣの関係を宵する。尚、本明細嘗て記号「≦」に
おける「＝」の意味は、厳密な意味で等しくなくともよ
く、はぼ等しい場合をも含むものと理解されたい。 説明を簡単にする目的から、以下の説明は、Ｔ　、＜Ｔ
ｃ＋＜Ｔｃｔの関係を有するものについて説明する。Ｔ
ｅａｍｃ、２は、Ｔ、よりも高くとも、等しくとも、低
くともよいが、説明を簡単にする目的から、以下の説明
では、 Ｔ　Ｌ　＜Ｔ　ｅａｍｏ□とする。以上の関係をグラフ
て示すと、第２６図の如くなる。なお、細線は第１Ｈの
グラフを示し、太線は第２１ｉｉｆのグラフを示す。 室温Ｔ２て第１層（記録層）の磁界か初期補助磁界旧ｎ
１　　により反転せずに第２層のみか反転する条件は、
式１２である。この媒体Ｎα１−２は式１２を満足する
。 式１２ ％式％ このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式１５て示される。 Ｈｉ旧　か無くなると、第１層、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それても第１
層、第２層の磁化か反転せずに保持される条件は、式１
３〜１４て示される。この媒体Ｎα１２は式１３〜１４
を満足する。 σ　。 式１３ＨＣ１〉 ２Ｍ、、↑ ２Ｍ５２ｔ２ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに 次式１５ ％式％ を満足するＨｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」９に向
けられる。媒体温度は室温てありＴｃ。、２．より低い
ことからＲＥスピンか７Ｍスピンより強い、そのためス
ピン状態は第１２図（ＩＡ）に示される。このとき、第
１層は前の記録状態のままで残る。この状態は第２７図
に状！＋又は２として示される。太線は界面磁壁を示す
（以下、同様）。状ｖ、■、２は記録直前まで維持され
る。そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」　↑に印加され
る。 なお、記録磁界Ｈｂは、一般の磁界かそうであるように
、レーサービームの照射領域（スポット領域）と同一の
範囲に絞ることは難しい。媒体かディスク状の場合、−
旦記録された情報（ヒント）は、１回転した場合、途中
で１旧　の影響を受け、再び状態１，２となる。そして
、次に、そのビットは、レーザービームの照射領域（ス
ポット領域）に近いところを通過する。このとき、状態
１．２のビットは、記録磁界Ｈｂ印加手段に近つくので
その影響を受ける。この場合、Ｈｂと反対向きの磁化を
育する状態２のビットの第１層の磁化の向きがＩ（ｂに
よって反転させられたとすると、１回転前に記録された
ばかりの情報か消失することになる。そうなってはなら
ない条件は、 σ１ 次式Ｉ５の２　：Ｈｅ＋＞Ｈｂ＋ ２Ｍｓ＋ｔ で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要かある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式１５の２で示される。 さて、状態ｌ、２のビットは、いよいよレーザービーム
のスポット領域に到達する。レーザービームの強度は、
低レベルと高レベルの２種かある。 低温サイクル 低レベルのレーサービームか照射されて、媒体温度かＴ
ｃｏｓｐ、＋以上に上昇する。そうすると、Ｐタイプか
らＡタイプに移行する。そして、第１ＭのＲＥ、Ｔ’Ｍ
各スビスピン向は変わらないが、強度の大小関係か逆転
し、その結果、第１層の磁化が反転する。これにより第
２７図状態１のビットは第２７図状態３に移行し、第２
７図状態２のビットは第２７図状態４に移行する。 レーサービームの照射か続し１て、媒体温度は、やかて
Ｔ　Ｌ　Ｓになる。すると、 の関係となり、Ｈｂ↑か存在しても、状態４は状態５に
遷移する。他方、状態３は、Ｈｂ↑が存在しても、その
ままの状態を保つため、同し状態５になる。 この状態５てレーザービームのスポット領域から外れる
と媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴｃｏａｌ、１
以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関係か
逆転し、スピン状態は第１２図（２，Ａ）から第１２図
（ＩＡ）に移行する。その結果、第１層の磁化は、第１
２図（ＩＢ）に示された「Ａ向き」９となる。これか第
２７区状態６である。状態６は媒体温度か室温まて下か
っても保持される。 その結果、第１層に「Ａ向き」今のビットか形成される
。 高温サイクル 高レベルのレーサービームか照射されると、媒体温度は
、Ｔｅ。、。１を経て低温Ｔ　ＬＳに上昇する。 その結果、第２７図状態５と同し第２７図状態７になる
。 高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度か第２層のＴ　ｃＯＩａ。２を越
えると、ＡタイプかＰタイプに移行する。同時に、第２
暦のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の
大小関係か逆転し、スピン状態は第１２図（ＩＡ）から
第１２図（２Ａ）に移行する。 そのため、第２層の磁化か反転し、「逆Ａ向き」８の磁
化になる。これか状態８である。 しかし、この温度ではＨｃ　２かまた大きいので、↑Ｈ
ｂによって第２層の磁化か反転されることはない。さら
に温度か上昇し、Ｔ、になると、第１百、第２＠は、そ
の温度かキュリー点に近いので保磁力か小さくなる。そ
の結果、媒体は、下記ｆｌｊ〜（３）のいずれか１つの
関係式 ％式％ を満足する。そのため、両層２・９（ヒ：ま、はぼ同時
に反転し、Ｈｂ　↑の向き（二従う。この状態か第２７
図状態９である。 二〇状態９てレーサービームのスポット領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴ　ｅ６１□
以下になると、ＰタイプからＡタイプに移行する。同時
に、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係か逆転し、スピン状態は第１２図（４Ａ）か
ら第１２図（３Ａ）に移行する。 そ結果、第２層の磁化は反転し、第１２図（３Ｂ）に示
される「逆Ａ向き」８の磁化になる。これか状態ｌＯで
ある。 媒体の温度かこの状態ｌＯのときの温度から更に低下し
て、Ｔｏｏ。２１以下になると、Ａタイプから元のＰタ
イプに戻る。同時に、第１層のＲＥスピンとＴＭスピン
の強度の大小関係の逆転か起こり、スピン状態は第１２
図（４Ａ）から（３Ａ）に移行する。その結果、第１層
の磁化は反転し、第１２図（３Ｂ）に示した「逆Ａ向き
」８の磁化となる。これか状態１１である。 やがて媒体の温度は状態１１のときの温度から室温まで
低下する。室温でのＨＣｌは十分に大きくσ。 式１５の３　：　　Ｈｂ　＜ＨＣ１＋ ２Ｍｓ＋ｔ か満足されるので第１層の磁化８は、↑Ｈｂによって反
転されることなく、状態１１か維持される。 こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のビットか形成され
る。 〔クラス４の別の例の説明〕 第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・■象限
・タイプ４）に属する媒体Ｎα４−２を側部とり、オー
バーライト原理（二ついて詳細に説明する。 この媒体Ｎα４−２は、次式２６の２ ＴＲ＜ＴＬ　＜ＴＨ≦Ｔ　ｅ　ｌ≦Ｔｏ２の関係を存す
る。説明を簡単にする目的から、以下の説明ては、Ｔ□
くＴ。ｌくＴｅ２とする。この関係をグラフで示すと、
第２８図の如（なる。 室温Ｔ２て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈ＋ｎｉにより
反転せずに第２層のみか反転する条件：よ、式２７であ
る。この媒体Ｎα４−２は式２７を満足する。 式２７ ％式％ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式は、式３０て示される
っ１旧、か無１．なると、第１層、第２１の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受（ブる。それても
第１盲、第２層の磁化か反転せずに保持される条件は、
式２８〜２９て示される。この媒体Ｎα４２は式２８〜
２９を満足する。 σ１ 式２８１　　Ｈｃｌ＞ Ｍｓ１ｔ σ。 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」宕に向げられる。こ
の場合、媒体温度は室温でありＴ、、っ、□より低いの
で、ＲＥスピノかより強い。 スピン状態は第１２図（ＩＡ）に示される。他方、第１
唱は前の記録状態のままで残る。従って、磁化の向きは
第２９図の状態１又は２の１．・ずれかである。 状態１．２は記録直前まで維持される。 記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き、↓に印加するとする。 なお、媒体かディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの状態１ｂのビット）かＨｂ
印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはならな
い条件は、次式３０の２：て示され、ディスク媒体は、
室温でこの条件式を満足させる必要かある。また、「初
期化」された第２層かＨｂ印加手段に近づいたときＨｂ
によって反転してしまわない条件は、次式３０の３・の
関係か成立する状態となり、第２９図の状態２か状！！
！３に遷移する。他方、状態１はそのままの状態を保つ
ため同じ状態３になる。 第２９図状態３においてレーサービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。 この状態３は、媒体温度か室温まで下かっても、室温て
のＨｃｌか十分に大きい（式３０の４参照）ので維持さ
れる。 ２Ｍ５ｚｔ＋ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つか
式３０の２及び式３０の３である。 さて、状態ｌ、２のビットは、いよいよレーザービーム
のスポット領域に到達する。レーザービームの強度は、
低レベルと高レベルの２種かある。 低温サイクル 低レベルのレーザービームか照射されて、媒体温度はＴ
　ＬＳに上昇する。そうすると、その結果、第１層に「
Ａ向き」合のビットか形成される。 高温サイクル 高レベルのレーサービームか照射されると、媒体温度は
、低温Ｔ　ＬＳに上昇する。その結果、状態低温サイク
ルの第２９図状態３と同じ状態４となる。 ビームの照射か続いて、媒体温度つ１更に上昇しＴ、に
なると、Ｔ、は第１層、第２層のキュリー点に近；なる
ので保磁力か小さくなる。その結果、媒体は、下記ｉ１
１〜（３）のいずれか１つの関係式％式％ やがて媒体温度は室温まで低下する。しかし、状態５は
そのままである。 こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のヒツトか形成され
る。 Ｍｓ、ｔユ　＋ＭＳ２ｔ２ ２Ｍ３＋ｔ σ曹 かつ　　Ｈｂ　＞　ＨＣ２− Ｍｓｚｔ２ ２Ｍｓ＋ｔ Ｍｓ２ｔｚ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。これか第２９図状態５である。 状態５においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体の温度は低下を始める。 〔クラス５の別の例の説明〕 第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ３）に属する媒体階５−２を例にとり、オーバ
ーライト原理について詳細に説明する。 この媒体翫５−２は次式３１り２二 Ｔ　＊　＜Ｔｃｏ＋ｍｐ、　ｌ〈ＴＬ　＜ＴＨ≦Ｔ　Ｃ
ｌ≦Ｔｃ２の関係を有する。説明を簡単にする目的から
、以下の説明ては、Ｔ　Ｈ＜　Ｔ　ｃ　＋　＜　Ｔ　ｅ
　２とする。この関係をグラフで示すと、第３０図の如
くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉｎｉこより
反転せずに第２層のみか反転する条件は、式３２である
。この媒体Ｎα５−２は式３２を満足する。 式３２ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式は、式３５て示される
。 旧ｎ１．か蕉くなると、第１１、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それて（第１
層、第２＠の磁化か反転せずに保持される条件は、式３
３〜３４て示される。この媒体覧５−２は式３３〜３４
を満足する。 ２　Ｍｓ＋　ｔ σ。 式３４　　　Ｈｃｆ＞ Ｍｓ２ｔｔ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３５％式％ の条件を満足するＨｉｎｉ　　により例えば「Ａ向き」
今に向けられる。この場合、媒体温度は室温てＴｃａｍ
ｐ、２より高いのてＴＭスピンかＲＥスビシより強く、
そのためスピン状態は第１２図（４Ａ）で示される。第
１層は前の記録状態のままで残るので、磁化状態は第３
１図に示した状！’１ｌＩＩＩ又は２のいずれかである
。状ｔ！！ｌ、２は記録直前まで維持される。 記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加するとする。 なお、媒体かディスク状の場合、前に記録された上２ノ
ド（特に第１層がＨｂと反対向きの状態２のヒソ日かＨ
ｂ印加手段に近ついたとき、Ｈｂによって反転してはな
らない条件は、次式３５の２ ２Ｍ３１ｔ て示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要かある。また、１１初期化コされた第２層つへ
、Ｈｂ印加手段に近づいたときＨｂによって反転されて
しまわない条件は、次式３５の２　Ｍｓ＋　ｔ　２ て、Ｔ　ｐれる。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１
つか式３５の２及び式３５の３である。 さて、状態ｌ、２のヒ２・トは、いよいよレーサービー
ムのスポット領域に到達する。レーサービームの強度は
、低レベルと高レベルの２種ある。 低温サイクル 低レベルのレーサービームが照射されて、媒体温度はＴ
ｃｏｓｎ、１以上に上昇する。すると、ＡタイプからＰ
タイプに変化する。同時に、第１層のＲＥ、ＴＭ各スス
ピン方向は変わらないが、強度の大小関係か逆転する。 そのため、第１層の磁化が反転し、第３１図状態１のヒ
ツトは状態３に移行し、第３１図状態２のヒントは状態
４に移行する。 この状態から、更に媒体温度か上がりＴＬ、になると、
下記条件式か満足される。 σＷ Ｈｃ　１　＋　）（ｌ）　＜ ２Ｍｓ：ｔ そうすると、状態４か状態５Ｉこ遷移す己。他方、状態
３はそのままの状態を保つため同し状態５になる。 この状態てレーサービームのスポ７・上領域から外れる
と、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴｃ、、
、　、以下に冷えるとＰタイプから元のＡタイプに戻る
。同時に、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関
係か逆転し、スピン状態は第１２図（４Ａ）から第１２
図（３Ａ）に移行する。その結果、第１層の磁化は反転
し、第１２図（３Ｂ）に示された「逆Ａ向き」■を向く
。これか状！！６である。 やがて、媒体温度は室温まで低下するが、状態６か維持
される。 その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビットか形成され
る。 高温サイクル 高レベルのレーザービームか照射されると、媒体温度は
、ＴｅｏｍＤ、ｌを経て低温Ｔ　１４に上昇する。 その結果、第３１図状態５と同じ状態７となる。 ビームの照射か続き、やがて媒体温度はＴ９に上昇する
。Ｔ、Ｉは、第１層、第２層のキュリー点に近いので、
両層の保磁力は小さくなる。その結果、媒体は、下記ｆ
１）〜（３）のいずれか１つの関係式・２　Ｍｓ＋　ｉ
　＋　　　　　２　ＭＢ２　ｔ　２Ｍｓ、ｔ　＋　　Ｈ
Ｃ＋＋ＭＳ２　ｔ　２　　Ｈｃｔ２Ｍｓ’ｔ ２Ｍｓ＋ｊ ２ＭＳ２Ｔ２ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに倣う。これか第３１図状態８である。 状態８においてレーザービームのスボ・ノド領域から外
れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度か低下して
Ｔｅｏｍｐ、ｌ以下になると、Ｐタイプから元のＡタイ
プに戻る。同時に、第１層のＴＭスピンとＲＥスピンの
強度の大小関係か逆転し、スピン状態は第１２図（２Ａ
）から（ＩＡ）に移行する。そのため、第１層の磁化か
反転し、第１２図（ＩＢ）に示された「Ａ向き」合の磁
化になる。これか第３１図状態９である。 やがて媒体の温度は状態９のときの温度から室温まで低
下する。室温でのＨｃ、は十分に大きく、次式３５の４ Ｍｓ１ｔ か満足されるので、第１層の磁化は状態９のまま安定に
維持される。 こうして、第１層に「Ａ向き」のヒツトつ１形成される
。 〔クラス７の別の例の説明〕 第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■象限
・タイプ４）に属する媒体Ｎα７−２を例にとり、オー
バーライト原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎα７−２は、次式４１の２−Ｔ＊　＜ＴＬ　
＜Ｔ１．ｌ≦Ｔ　ｅ　ｌ≦Ｔ３□の関係を育する。説明
を簡単にする目的から、以下の説明では＜　Ｔ　Ｈ＜　
Ｔ　ｅ　ｌ　＜　Ｔ　、　２とする。この関係をグラフ
で示すと、第２８図ののＱΩ′、なる。 室温Ｔ、て第１層の磁化つ・初期補助磁界Ｈｉｎにより
反転せずに第２＠のみ力・反転する条件は、式４２であ
る。この媒体＼α７−２は式４２を満足する。 式４２ ％式％ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式）ま、式４５て示され
る。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、第１＠、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それても第
１層、第２層の各磁化か反転せずに保持される条件は、
式４３〜４４て示される。 この媒体 する状態１のビット）が、Ｈｂ印加手段に近づいＮα７
−２は式４３〜４４を満足する。 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５たとき、）Ｉｂによ
って反転してはならない条件は、次式４５の２ σ。 Ｈｂ＜Ｈ８１＋ ２　ＭＳ、　ｔ て示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要かある。また、初期化された第２層が、Ｅ−（
ｂ印加手段に近ついたときＨｂによって反転されてしま
わない条件は、次式４５の３の条件を満足するＨｉｎｉ
　　により例えばｒＡ向き」今に向けられる。媒体温度
は室温てありＴｅｏｍｎ２より高いのて７ＭスピンかＲ
Ｅスピンより強い。 そのため、第２１のスピン状態は第１２図（４Ａ）て示
される。第１層は前の記録状態のままで残るので、磁化
状態は第３２図の状態１又は２て示される。状態１．２
は記録直前まで維持される。記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向
き」　↓に印加するとする。 なお、媒体かディスク状の場合、記録されたヒント（特
に第１層かＨｂと反対向きの磁化を有２Ｍ５２ｔ＋ て示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの条件は
、式４５の２及び式４５の３で示される。 さて、７管ｌ、２のヒントは、いよいよレーザービーム
のスポット領域に到達する。レーサービームの強度は、
低レベルと高レベルの２種ある。 低温サイクル 低し・＼ルのレーサービームか照射されて、媒体温度つ
・Ｔ　Ｌ　ｓ　に上昇する。そうすると、下記条件２Ｍ
、＋ｔ か満足され、第３２図状態２は状態３に遷移する。 他方、状態ｌはそのままの状態を保つため、同じ状態３
になる。 状態３においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。室温でよ、Ｈｏ１は十
分に大きい（式４５の２参照）のて、状態３は室温ても
維持される。 その結果、第１層に「Ａ向き」今のヒツトか形成される
。 高温サイクル 高レベルのレーサービームか照射されて媒体温度は、低
温Ｔ　Ｌ３に上昇する。その結果、第３２図の状態３と
同し状態４になる。 ビームの照射か続いて、媒体温度は更に上昇しＴ、にな
る。すると、Ｔ、は第１層、第２層のキュ＋Ｊ　　、、
ｑに近くなるので、その結果、媒体は、下記中　〜（３
）のいずれか１つの関係式％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、↓Ｈｂの向きに従う。これが第３２図状態５である
。 状態５においてレーザービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下し始める。やがて媒体温度は室温
に戻る。しかし、状態５は変らない。 その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビ、、／　ｌ−が
形成される。 〔クラス８の別の例の説明〕 第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■象限
・タイプ２）に属する媒体嵐８−２を例にとり、オーバ
ーライト原理について詳細に説明する。 この媒体Ｎｕ８−２は、次式４６の２ Ｔｔ　＜ＴＬ　＜ＴＨ≦Ｔｅ１≦Ｔｅ２の関係を有する
。説明を簡単にする目的から、以下の説明ては、Ｔ　Ｈ
＜　Ｔ　ｃ　＋　〈Ｔ　ｅ　ｔとする。また、Ｔｅ６１
１１２は、ＴＬ、Ｔ、より低くても等しくでも高くても
良いが、説明を簡単にする目的から、以下の説明ては、
ＴＬ＜ＴＣｏＩｌｌ　２　＜Ｔ　ｅ　ｌとする。この関
係をグラフで示すと、第３３図の如くなる。 室温Ｔ、て第１層の磁化か初期補助磁界Ｈｉ旧により反
転せずに第２層のみか反転する条件は、式４７である。 この媒体隘８−２は室温て式４７を満足する。式４７ このとき、Ｈｉｎｉ　　の条件式は、式５０て示される
。 Ｈｉｎｉ、か無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それても第
１層、第２層の各磁化か反転せずに保持される条件は、
式４８〜４９て示される。この媒体ＮαＢ−２は式４８
〜４９を満足する。 ２Ｍｓ＋ｔ σ冑 式４９：　　Ｈｃｔ＞ Ｍｇ２１２ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０％式％ の条件を満足するＨｉｎｉ、により例えばｒＡ向き」今
に向けられる。この場合、媒体温度は令室温でありＴ、
。１，２より低いことから、スピン状態は第１２図（Ｉ
Ａ）で示される。第１層は前の記録状態のままて残り、
従って、磁化状態は第３４図の状！！！１又は２て示さ
れる。状態ｌ、２は記録直前まで維持される。記録磁界
Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする。 なお、媒体かディスク状の場合、１回転前に記録された
ばかりのビット（特に第１層かＨｂと反対向きの磁化を
有する状態２のビット）かＨｂによって反転してはなら
ない条件は、次式５０の２σ１ Ｈｂ　＜Ｈｃ＋＋ ２Ｍ＋ｚｊ て示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要かある。逆に言えば、Ｈｂの大きさを決定する
１つの条件は、式５０の２で示される。 さて、状態ｌ、２のビットは、いよいよレーサービーム
のスポット領域に到達する。レーザービームの強度は、
低レベルと高しベルの２種ある。 低温サイクル 低レベルのレーザービームか照射されて、媒体温度はＴ
　ＬＳに上昇する。そうすると、下記条件式％式％） か満足され、第３４図状懸２か状態３に遷移する。 他方、第３４図状態５はそのままの状態を保つため、同
し状態３になる。 状態３においてレーサービームのスボ・ソト領域から外
れると、媒体温度は低下を始める。状態３は、媒体温度
か室温まで下がってもＨ６，か十分に大きい（式５０の
２参照）ので、維持される。その結果、第１層に「逆Ａ
向き」８のヒ・ソトか形成される。 高温サイクル 高レベルのレーサービームか照射されて媒体温度は、先
ず低温ＴＬ３に上昇する。その結果、低温サイクルの第
３４図の状態３と同し状態４となる。 高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度かＴ　ｅａｍ’ｐ、　２を超える
と、ＡタイプからＰタイプに移行する。同時に第２層の
ＲＥスピン（↑）及びＴＭスピン（ニ）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係か逆転し、スピン状態は第１２図
（ＩＡ）から（２Ａ）に移行する。その結果、第２層の
磁化は反転して第１２図（２Ｂ）に示された「逆Ａ向き
」８となる。この状態か第３４図状態５である。しかし
、この温度ではＨ６゜がまだ大きいので、第２層の磁化
８は↑Ｈｂて反転されることはない。 更にビームの照射か続き、やがて媒体温度は更に上昇し
てＴ、になる。すると、媒体温度（ま第１層、第２層の
キュリー点近くになるのて、両層の保磁力は小さくなる
。その結果、媒体は、下記（１）〜（３）のいずれか１
つの関係式・ σＷ　　　　　　　　　　σＷ ＨＣＩ　ＨＣ２１＜　十 ２　Ｍｓ＋　ｔ　＋　　　　２　Ｍ９２　ｔ　２ＭＳ１
ｔＩ ２Ｍ３□ｔ２ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、↑Ｈｂの向きに従う。これか第３４図状態６である
。 状態６においてレーサービームのスポット領域から外れ
ると、媒体温度は低下を始める。媒体温度かＴｏ。１．
２より下がると、Ｐタイプから元のＡタイプに戻る。同
時に、第２１１のＲＥスピン（↓）及びＴＭスピン（′
ｉ）の向きは変わらずに、強度の大小関係か逆転し、ス
ピン状態は第１２図（４Ａ）から（３Ａ）に移行する。 その結果、第２層の磁化は反転して第１２図（３Ｂ）に
示された「逆Ａ向き」８となる。この状態では、Ｈｃｔ
は既に相当大きくなっているので第２層の磁化８は↑Ｈ
ｂにより反転されることはない。これが第３４図状態７
である。 やがて媒体の温度は状ｔ１．７のときの温度から室温ま
で低下する。しかし、状態７は変わらない。 こうして、第１層に「Ａ向き」今のビットが形成される
。 〔発明か解決しようとする課題〕 従来のオーバーライト可能な光磁気記録媒体は、レーサ
ービームの強度のうち低レベルＰＬのマージン（設定許
容範囲）か狭いと言う問題点があった。 つまり、Ｐ、を余り低くすると、ビットＢ。か形成され
ず、そのためピットエラーレート（ＢＥＲ）か高くなり
、逆にＰＬを余り高くすると、高温サイクルが生じて、
ビットＢ、が形成され、そのためＢＥＲか高くなる。従
って、ビーム強度を変えてＢＥＲを測定すると、一般に
第１図（２）に示すグラフか得られる。低い方でＢＥＲ
が急に立ち上かる変曲点と高い方てＢＥＲが急に立ち上
がる変曲点との差を、ＰＬのマージンと呼ぶことにする
。 従来の媒体は、このＰＬのマージンか狭いと言う問題点
かあった。そのため、次のような２次的問題か引き起こ
される。（１）現在、光源に使用する半導体レーザーの
設定精度は±１０％程度であり、また、製造時にルーザ
ー個体間に±１０％程度のバラツキかあり、また時間の
経過と共に±ｌＯ％程度変動する。更に、経時変化や周
囲の環境の変化で設定精度が±１０％程度変動する。（
２）ゴミやほこりの影響で光学系を通って第１層、第２
層に到達するレーザービームの強度が、時間の経過と共
に±１０％程度変動する。（３）光学系の製造時に個体
間に±１０％程度のバラツキかあり、第１層、第２層に
到達するレーザービームの強度が、±１０％程度バラツ
キかある。（４）これらのバラツキ又は変動により、 ＰＬのマージンか狭いと、記録装置の良品率か低下した
り、マージン外のＰＬが媒体に照射される結果、記録す
べき情報か記録できなかったり、再生時にＣ／Ｎ比か低
下する。 〔課題を解決するための手段〕 本発明者は、鋭意研究の結果、偶然にも、オーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体において、第２層に直接又は中
間層を介して熱拡散層例えば銅（Ａｕ）層を隣接して設
けることにより、低レベルＰ、のマージンか拡大するこ
とを見出し、本発明を成すに至った。 よって、本発明は、「垂直磁化可能な磁性薄膜からなる
記録層（第１層）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる
記録補助層（第２層）とを含み、両層は交換結合してお
り、かつ、室温で第１層の磁化の向きは変えないで第２
百の磁化のみを所定の向きに向けておくことができるオ
ーバーライト可能な多層光磁気記録媒体において、 第２層に直接又は保護層を介して隣接した熱拡散層を設
けたことを特徴とする、低レベルのマージンか拡大した
オーバーライト可能な光磁気記録媒体」を提供する。 〔作用〕 熱拡散層としては、熱伝導率の高い材料例えばＡＣＡｇ
、Ａｕ、Ｃｕ等か使用される。温度拡散層の厚さは、一
般に２０〜５００人好ましくは５０〜３００人程度あれ
ば、充分である。 第２層の腐食防止のため、第２層と温度拡散層との間に
厚さ５００Å以下の誘電体からなる保護層を設けてもよ
い。このような誘電体としては、できるだけ熱伝導率の
高い材料例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チ
タン、窒化クロムなとを使用することか好ましい。 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものてはない。 〔実施例１　　　　クラス８〕 まず、表面に厚さ１０００人の窒化ケイ素（ＳｉＮ）か
らなる第１保護層の成形された厚さ１．２ｍｍ、直径２
００ｍｍのガラス基板を用意する。 ３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
ターゲットとして組成の異なるＴｂＦｅＣｏ合金、Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金の２個をｉｔ：Ｘｏそして、前記基板を該
装置のチャンバー内にセットする。 該装置のチャンバー内を一旦７　Ｘ　ｔｏ−７Ｔｏｒｒ
　　以下の真空度に排気した後、Ａｒガスを５　Ｘ　１
０”Ｔｏｒｒ、導入する。そして、堆積（ｄｅｐｏｓ　
ｉ　ｔ　１ｏｎ）速度約２人／秒で、スパッタリングを
行なう。 最初にターゲットとして第１のＴｂＦｅＣｏ合金を用い
て、基板上に、厚さ６００人のＴｂ２＋　Ｆｅ７ｏ　Ｃ
ｏ。 （注、添字の数字は、原子％、以以下上）の垂直磁化膜
からなる第１層（記録層）を形成する。 続いて、真空状態を保持したまま、ターゲットを第２の
ＴｂＦｅＣｏ合金に取り替え、同様にスパッタリングを
行ない、第１層の上に厚さ５００．＆のＴｂ２゜Ｆｅ５
ｔＣＯｔ２の垂直磁化膜からなる第２層（記録補助層）
を形成する。 次に第２層の上にスパッタリングにより厚さ１００人の
ＳｉＮからなる第２保護層を形成する。 更にスパッタリングにより厚さ２００人のＣｕからなる
熱拡散層３を形成する。 最後にスパッタリングにより厚さ８００人のＳｉＮから
なる第３保護層を積層する。 こうして、クラス８　（Ａタイプ・第■象限・タイプ２
）属する２音光磁気記録媒体Ｎα８か製造される。 この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。Ｍｓ
　、　Ｈｅ　、σ、の値は、いずれも２５°Ｃての値で
ある。 第　　２　　表 て反転されずに、第２層の磁化のみか反転される。 更に、式４８ 及び式４９ この媒体は、式４７・ ＝７５７７　０ｅ を満足している。また、式５０に於いて、２　Ｍｓｘ　
ｔ２ Ｍｓ１ｔ であるので、初期補助磁界１旧、を例えば「Ａ向き」　
↑の９０００　０ｅとすれば、式５０か満足される。 そうすれば、第１層の磁化は室温でＨ１旧、によっを満
足しているので、Ｈｉｎｉ、か取り去られても、第１層
、第２層の磁化はそれぞれ保持される。 また、記録磁界ＨｂをＨｉｎｉ、　　と同じ「Ａ向き」
↑の３５００ｅとすれば、室温で式５０の２＝か満足さ
れるので、記録されたビットの第１層の「逆Ａ向き」８
磁化が、室温で再び↑Ｈｂの影響を受けても反転するこ
とはない。 更に、低温サイクルで第１層に「逆Ａ向き」ａのビット
か形成されたとき、このビットは、その直後、室温て↑
Ｈｂの影響を受けるが、この媒体は、室温で上式５０の
２を満足するので、その磁化て反転することはない。 この媒体は、１１５°Ｃて次の値を示す。 ８２　ｅｍｕ／ｃｃ ＝　２２５０　０６ ＝２６１ ８は、↑Ｈｂ ところて、 眼 σＷ の条件式か満足され、１１５°Ｃでは、Ｈｂか存在して
も、第２層の磁化によって第１層の磁化か反転させられ
る。 また、この媒体は、２０９°Ｃて次の値を示す。 〜１ｓ＋＝　３５　　ｅｍｕ／ｃｃ　　　Ｍｓ２＝　２
４．５ｅｍｕ／ｃｃＨｃ１”　１００　０ｅ　　　　Ｈ
Ｏ２＝７５０　０ｅσ、＝０．１ 従って、関係式（２） ％式％ か満足され、２０９°Ｃては、Ｈｂによって、第１層、
第２層の磁化は共に反転させられることになる。 そこで、Ｔ、　＝ｌ！５°Ｃ，Ｔ、　＝２０９°Ｃに設
定すれば、式４６の２　：Ｔ＊　＜ＴＬ＜Ｔ、≦Ｔ　ｅ
ｌ≦Ｔ　ｃ’ｒも満足され、オーバーライトか可能にな
る。 そして、本媒体は、 Ｔｃ−−−、ｚ＝　ｔｓｏｏＣ＜Ｔｃ１＝２１５°Ｃも
満足する。 〔比較例〕 熱拡散Ｎ３を設けない外は実施例と全く同様にしてオー
バーライト可能な光磁気記録媒体魔８を製作した。 〔参考例−マージンの測定〕 実施例の媒体と比較例の媒体について、市販の光磁気評
価装置を用いてビットエラーレート（ＢＥＲ）を測定し
、低レベルＰＬのマージンを求めた。この結果を比較例
の媒体については第１図（２）に示し、実施例の媒体に
ついては第１図（３）に示す。 この結果から、比較例のマージンは４．２−３．０＝１
．２ａ＋Ｗと狭いのに比へて、実施例のマージンは５．
５−３．５　＝２．００１Ｗと広く、約６７％も拡大し
ている。 〔実施例２〕 Ｃｕの代わりにＡｕを用いて熱拡散層３を作成した外は
実施例１と同様に媒体を製作した。 〔実施例３〕 ＣｕＯ代わりにＡｇを用いて熱拡散層３を作成した外は
実施例１と同様に媒体を製作した。 〔発明の効果〕 以上のとおり、本発明によれば、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体に初めて熱拡散層を設けたことにより、
低温サイクルを実施する低レベルのレーザービームの強
度Ｐ、のマージンを拡大することかできる。そのため、
記録装置の良品率か高まり、また、記録時のトラブルも
減少する。 その外、Ｃ／Ｎ比も向上する効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図ｍは、本発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第１図（２）は、比較例（従来例）のオーバーライトな
光磁気記録媒体について、マージンを求めるために測定
したビットエラーレートのグラフである。 第１図（３）は、同し〈実施例のオーバーライトな光磁
気記録媒体についてのグラフである。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、基本発明に従いオーバーライトする場合のレ
ーザービームの波形図である。 第５図は、基本発明に従い２本のビームてオバーライト
する場合のレーサービームの波形図である。 第６図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第１
層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラフ
である。 第７図は、第１層ど第２層の磁化の向きを示す概念図で
ある。 第８図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。 第９図は、Ｐタイプ媒体、Ａタイプ媒体について、低温
サイクル、高温サイクルの結果、第１層と第２層の磁化
の向きかどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。 第１Ｏ図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１１図は、希土類（ＲＥ）原子のスピンを示すベクト
ル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子のスピンを示す
ベクトル（α線の矢）とを比較するための説明図である
。 第１２図は、スピンを示すベクトルと合金の磁化の向き
を示す矢合との関係を示す説明図である。 第１３図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第１４回は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１５図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第１６図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１７図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第１８図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第１９図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第２０図ないし第２５図は、第１層と第２層の磁化の向
きの変化を示す説明図である。 第２６図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒・体の
第１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグ
ラフである。 第２７図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第２８図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第２９図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第３０図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第３１図及び第３２図は、第１層と第２層の磁化の向き
の変化を示す説明図である。 第３３図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第
１層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラ
フである。 第３４図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。 第　１図（Ｖ） 第１　図（２）兵厭例 Ｐｔ　　（−り 〔主要部分の符号の説明〕 レーザービーム 直線偏光 「Ａ向き」磁化を存するビット 「逆Ａ向き」磁化を育するビット 記録層（第１層） 記録補助層（第２層） 一基板 一熱拡散層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録層（第１層）
   と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録補助層（第２
   層）とを含み、両層は交換結合しており、かつ、室温で
   第１層の磁化の向きは変えないで第２層の磁化のみを所
   定の向きに向けておくことができるオーバーライト可能
   な多層光磁気記録媒体において、 第２層に直接又は保護層を介して隣接した熱拡散層を設
   けたことを特徴とする、低レベルのマージンが拡大した
   オーバーライト可能な光磁気記録媒体。 ２　前記保護層が、厚さ５００Å以下の誘電体からなる
   ことを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体。 ３　前記熱拡散層が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌからな
   ることを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体。