JPH056588A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH056588A JPH056588A JP3254566A JP25456691A JPH056588A JP H056588 A JPH056588 A JP H056588A JP 3254566 A JP3254566 A JP 3254566A JP 25456691 A JP25456691 A JP 25456691A JP H056588 A JPH056588 A JP H056588A
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- film
- optical recording
- magnetic field
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】
【目的】 媒体構成を容易にし、単一レーザビーム、単
一バイアス磁界で信頼性の良いオーバーライトを実現す
る。 【構成】支持体1の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜
3と、室温で反強磁性相を示し該強磁性膜3のキュリー
温度付近にて磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜4とを積層し、光磁気記録媒体を構成する。この光
磁気記録媒体を用い、高パワーのレーザビームを照射し
て媒体温度を磁気相転移温度以上に加熱し、一定強度の
バイアス磁界を加えて記録を行い、低パワーのレーザビ
ームを照射して媒体温度を磁気相転移温度より低い温度
まで加熱し上記と同じバイアス磁界を加えて消去を行
う。記録情報は消去時より小さいパワーのレーザビーム
を照射して再生する。
一バイアス磁界で信頼性の良いオーバーライトを実現す
る。 【構成】支持体1の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜
3と、室温で反強磁性相を示し該強磁性膜3のキュリー
温度付近にて磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜4とを積層し、光磁気記録媒体を構成する。この光
磁気記録媒体を用い、高パワーのレーザビームを照射し
て媒体温度を磁気相転移温度以上に加熱し、一定強度の
バイアス磁界を加えて記録を行い、低パワーのレーザビ
ームを照射して媒体温度を磁気相転移温度より低い温度
まで加熱し上記と同じバイアス磁界を加えて消去を行
う。記録情報は消去時より小さいパワーのレーザビーム
を照射して再生する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト(重ね書き)が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの1つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式(マルチビ
ーム方式、2層膜方式等)に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト(重ね書き)が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの1つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式(マルチビ
ーム方式、2層膜方式等)に大別される。
【0003】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【0004】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、2〜3個のレーザビームを用い、磁界の方向を1回
転毎に反転させてトラック毎に記録/消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、2層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を2層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭62−
175948号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばTbFeからなるメモリ層と
TbFeCoからなる補助層との2層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度TをT>Tc2(Tc2は補助層のキュリー
温度)なる温度迄昇温させ、記録用磁界(初期化用磁界
と反対方向)を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をTc1<T<Tc2(Tc1はメモリ層のキ
ュリー温度)なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、媒体設計が難しい等の問題があっ
た。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、2〜3個のレーザビームを用い、磁界の方向を1回
転毎に反転させてトラック毎に記録/消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、2層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を2層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭62−
175948号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばTbFeからなるメモリ層と
TbFeCoからなる補助層との2層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度TをT>Tc2(Tc2は補助層のキュリー
温度)なる温度迄昇温させ、記録用磁界(初期化用磁界
と反対方向)を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をTc1<T<Tc2(Tc1はメモリ層のキ
ュリー温度)なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、媒体設計が難しい等の問題があっ
た。
【0005】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、信頼性が高く、媒体設計が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。
消し、信頼性が高く、媒体設計が簡単で、しかも単一レ
ーザビーム、単一磁界でオーバーライトできる光磁気記
録媒体及び光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積
層してなる記録層を有することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積
層してなる記録層を有することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
【0007】また、本発明によれば、上記構成におい
て、メモリ層と補助層との間に両層間の交換結合力を調
整するための中間層を設けたことを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
て、メモリ層と補助層との間に両層間の交換結合力を調
整するための中間層を設けたことを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
【0008】また、本発明によれば、上記構成におい
て、補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率が低いこと
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
て、補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率が低いこと
を特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【0009】また、本発明によれば、上記光磁気記録媒
体を用い、上記のいずれかの光磁気記録媒体を用い、補
助層の磁気相転移温度をTpc、メモリ層の保磁力とバ
イアス磁界Hexとが等しくなる温度をTa、補助層の
保磁力とバイアス磁界Hexとが等しくなる温度をTb
としたとき、記録時には媒体温度がTpc≦T<Tbと
なる迄昇温するような条件でレーザ照射を行うとともに
外部磁界Hexを印加し、消去時には媒体温度がTa<
T<Tpcとなる迄昇温するような条件でレーザ照射を
行うとともに記録時と同じ外部磁界Hexを印加するこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が
提供される。
体を用い、上記のいずれかの光磁気記録媒体を用い、補
助層の磁気相転移温度をTpc、メモリ層の保磁力とバ
イアス磁界Hexとが等しくなる温度をTa、補助層の
保磁力とバイアス磁界Hexとが等しくなる温度をTb
としたとき、記録時には媒体温度がTpc≦T<Tbと
なる迄昇温するような条件でレーザ照射を行うとともに
外部磁界Hexを印加し、消去時には媒体温度がTa<
T<Tpcとなる迄昇温するような条件でレーザ照射を
行うとともに記録時と同じ外部磁界Hexを印加するこ
とを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方法が
提供される。
【0010】以下本発明を図面に基づき詳述する。本発
明の光磁気記録媒体は、基本的に、垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる
補助層とを積層してなる記録層を有する。図1にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、ガラス、プラスチック、セラミックスなどからなる
透明支持体1上にSi3N4、SiO、SiO2などから
なる保護膜2(膜厚100Å〜5000Å)を設け、そ
の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜3(膜厚100Å
〜5000Å)を設け、その上に室温で反強磁性相を示
し室温より高い温度であって強磁性膜3のキュリー温度
付近の温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜4(膜厚100Å〜10000Å)を設け、さらに
その上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護
膜5(膜厚100Å〜5000Å)を設けて構成され
る。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング
法等により形成することができる。強磁性膜3は例えば
Tb−Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,Gd−Tb−F
e,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,Tb−Fe
−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−
Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Co、Gd−D
y−Fe−Coなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、あるいはMn−Bi,Mn−Cu−Bi,Co−P
t,Coスピネルフェライト,Baフェライトなどの多
結晶膜により構成することができる。反強磁性膜4は例
えばMn2Sb,(Mn)pSb(Y)q(ただしY=C
r,Ti,V等、p=2−q)を用いて構成することが
できる。これら強磁性膜3及び反強磁性膜4は図2に示
す如き保磁力の温度特性を有している必要がある。すな
わち、強磁性膜3のキュリー温度をTc1、反強磁性膜
4のキュリー温度をTc2、反強磁性膜4の磁気相転移
温度をTpc、強磁性膜3の保磁力Hc1とバイアス磁
界Hexとが等しくなる温度をTa、反強磁性膜4の保
磁力Hc2とバイアス磁界Hexとが等しくなる温度を
Tbとすると、次のような関係が成立している。 Tpc≦T<Tbのとき Hc2>Hc1+Hex Ta<T<Tpcのとき Hc1<Hex T≦Taのとき Hc1≧Hex
明の光磁気記録媒体は、基本的に、垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示
し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で
磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜からなる
補助層とを積層してなる記録層を有する。図1にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、ガラス、プラスチック、セラミックスなどからなる
透明支持体1上にSi3N4、SiO、SiO2などから
なる保護膜2(膜厚100Å〜5000Å)を設け、そ
の上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜3(膜厚100Å
〜5000Å)を設け、その上に室温で反強磁性相を示
し室温より高い温度であって強磁性膜3のキュリー温度
付近の温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁
性膜4(膜厚100Å〜10000Å)を設け、さらに
その上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護
膜5(膜厚100Å〜5000Å)を設けて構成され
る。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング
法等により形成することができる。強磁性膜3は例えば
Tb−Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,Gd−Tb−F
e,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,Tb−Fe
−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−
Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Co、Gd−D
y−Fe−Coなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、あるいはMn−Bi,Mn−Cu−Bi,Co−P
t,Coスピネルフェライト,Baフェライトなどの多
結晶膜により構成することができる。反強磁性膜4は例
えばMn2Sb,(Mn)pSb(Y)q(ただしY=C
r,Ti,V等、p=2−q)を用いて構成することが
できる。これら強磁性膜3及び反強磁性膜4は図2に示
す如き保磁力の温度特性を有している必要がある。すな
わち、強磁性膜3のキュリー温度をTc1、反強磁性膜
4のキュリー温度をTc2、反強磁性膜4の磁気相転移
温度をTpc、強磁性膜3の保磁力Hc1とバイアス磁
界Hexとが等しくなる温度をTa、反強磁性膜4の保
磁力Hc2とバイアス磁界Hexとが等しくなる温度を
Tbとすると、次のような関係が成立している。 Tpc≦T<Tbのとき Hc2>Hc1+Hex Ta<T<Tpcのとき Hc1<Hex T≦Taのとき Hc1≧Hex
【0011】図3は本発明による光磁気記録媒体の別の
構成例を示すものである。この記録媒体が図1の記録媒
体と異なるところは、強磁性膜3と反強磁性膜4の間
に、両膜3,4間の交換結合力を調整するための中間層
6を設けた点である。ここで、中間層6を設けた場合の
利点について述べると、記録するときには、強磁性膜
(メモリ層)3と反強磁性膜(補助層)4の磁気特性は
下記のような条件を満たしている必要がある。 Hc1<Hc2−σw/(2Ms・h)−Hex ここで、Hc1は強磁性膜3の保磁力、Hc2は反強磁性
膜4の保磁力、σwは両膜3,4間の磁壁エネルギー、
Msは反強磁性膜4の飽和磁化、hは反強磁性膜4の膜
厚、Hexはバイアス磁界である。図1のような構成で
は上記の条件を満足するように磁性膜3,4の材料選択
を行う必要がある。ところが、図3のような構成では磁
性膜3,4の材料選択だけでなく中間層6の膜厚制御に
より調整が可能となり、その分だけ材料選択の幅が大き
くなる。中間層6の材料としては、これら磁性膜3,4
を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁気異方性を
もつ磁性材料が好ましい。具体的には、このような材料
としては、前述した希土類−遷移金属系アモルファス膜
はもちろんのこと、Si,Al,Ag,Au,Cu,F
e,Co,Ni,Cr,Si−N,Al−N,Fe−N
等をあげることができる。中間層6の膜厚は、薄すぎる
と交換結合力の調整効果が得られず、厚すぎると両磁性
層3,4間の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に
支障をきたすので、数Å〜5000Å程度が適当であ
る。中間層6はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法等により形成することができる。
構成例を示すものである。この記録媒体が図1の記録媒
体と異なるところは、強磁性膜3と反強磁性膜4の間
に、両膜3,4間の交換結合力を調整するための中間層
6を設けた点である。ここで、中間層6を設けた場合の
利点について述べると、記録するときには、強磁性膜
(メモリ層)3と反強磁性膜(補助層)4の磁気特性は
下記のような条件を満たしている必要がある。 Hc1<Hc2−σw/(2Ms・h)−Hex ここで、Hc1は強磁性膜3の保磁力、Hc2は反強磁性
膜4の保磁力、σwは両膜3,4間の磁壁エネルギー、
Msは反強磁性膜4の飽和磁化、hは反強磁性膜4の膜
厚、Hexはバイアス磁界である。図1のような構成で
は上記の条件を満足するように磁性膜3,4の材料選択
を行う必要がある。ところが、図3のような構成では磁
性膜3,4の材料選択だけでなく中間層6の膜厚制御に
より調整が可能となり、その分だけ材料選択の幅が大き
くなる。中間層6の材料としては、これら磁性膜3,4
を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁気異方性を
もつ磁性材料が好ましい。具体的には、このような材料
としては、前述した希土類−遷移金属系アモルファス膜
はもちろんのこと、Si,Al,Ag,Au,Cu,F
e,Co,Ni,Cr,Si−N,Al−N,Fe−N
等をあげることができる。中間層6の膜厚は、薄すぎる
と交換結合力の調整効果が得られず、厚すぎると両磁性
層3,4間の交換結合力が小さくなりすぎ記録、消去に
支障をきたすので、数Å〜5000Å程度が適当であ
る。中間層6はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティ
ング法等により形成することができる。
【0012】また、本発明の光磁気記録媒体では、図1
又は図2のような構成において、反強磁性膜4の熱伝導
率を強磁性膜3の熱伝導率より低くなるように材料選択
することができる。このような構成にすると、記録の
際、強磁性膜3の熱伝導率が反強磁性膜4の熱伝導率よ
り高いため、強磁性膜3は速く温度が下がるのに対し
て、反強磁性膜4はやや遅れて温度が下がり、反強磁性
膜4の磁化は強磁性膜3の磁化が大きくなるまで存在
し、消えることはないので、記録/消去の信頼性という
点で更にすぐれたものとなる。
又は図2のような構成において、反強磁性膜4の熱伝導
率を強磁性膜3の熱伝導率より低くなるように材料選択
することができる。このような構成にすると、記録の
際、強磁性膜3の熱伝導率が反強磁性膜4の熱伝導率よ
り高いため、強磁性膜3は速く温度が下がるのに対し
て、反強磁性膜4はやや遅れて温度が下がり、反強磁性
膜4の磁化は強磁性膜3の磁化が大きくなるまで存在
し、消えることはないので、記録/消去の信頼性という
点で更にすぐれたものとなる。
【0013】なお、本発明の光磁気記録媒体の層構成は
図1又は図3に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜5の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良
い。
図1又は図3に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜5の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良
い。
【0014】次に、図1及び図3に示す光磁気記録媒体
を用いた光磁気記録方法について説明する。記録は、高
いパワーのレーザビームを記録すべき部分に照射して媒
体温度を強磁性膜3のキュリー温度Tc1付近迄上げる
とともに、外部磁界Hexを印加して行う。当該記録す
べき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性膜
3が上向き(または下向き)で反強磁性膜4が見かけ上
ゼロであったものが、高いパワーのレーザビーム照射に
よりTc1付近迄昇温するため強磁性膜3では磁化が消
失ないし殆んど零となり、反強磁性膜4では磁気相転移
が生じて(Tpcで生じる)反強磁性相から強磁性相に
変化し、しかも図中下向き(飽和磁化とは逆方向)の磁
化が生じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性
膜3の方へ転写され、そのまま保持される。このとき反
強磁性膜4の磁化は室温に戻ると反強磁性相になるため
見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチフェロ的な結合
が存在しているため、外部から大きな磁界が加わっても
反転することはなく安定であり、また室温においては反
強磁性膜4の磁化が強磁性膜3の磁化に影響を与えるこ
とがないので信頼性が向上する。図4の(a)には記録
後の降温時における磁化状態が示してある。なお記録を
行うときの温度範囲はTpc≦T<Tbで、Tb以上に
温度を上げると反強磁性膜4の磁化方向がバイアス磁界
Hex方向(図では上方向)を向いてしまい、記録でき
なくなる。
を用いた光磁気記録方法について説明する。記録は、高
いパワーのレーザビームを記録すべき部分に照射して媒
体温度を強磁性膜3のキュリー温度Tc1付近迄上げる
とともに、外部磁界Hexを印加して行う。当該記録す
べき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性膜
3が上向き(または下向き)で反強磁性膜4が見かけ上
ゼロであったものが、高いパワーのレーザビーム照射に
よりTc1付近迄昇温するため強磁性膜3では磁化が消
失ないし殆んど零となり、反強磁性膜4では磁気相転移
が生じて(Tpcで生じる)反強磁性相から強磁性相に
変化し、しかも図中下向き(飽和磁化とは逆方向)の磁
化が生じる。この下向きの磁化は、冷却の過程で強磁性
膜3の方へ転写され、そのまま保持される。このとき反
強磁性膜4の磁化は室温に戻ると反強磁性相になるため
見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチフェロ的な結合
が存在しているため、外部から大きな磁界が加わっても
反転することはなく安定であり、また室温においては反
強磁性膜4の磁化が強磁性膜3の磁化に影響を与えるこ
とがないので信頼性が向上する。図4の(a)には記録
後の降温時における磁化状態が示してある。なお記録を
行うときの温度範囲はTpc≦T<Tbで、Tb以上に
温度を上げると反強磁性膜4の磁化方向がバイアス磁界
Hex方向(図では上方向)を向いてしまい、記録でき
なくなる。
【0015】消去は、記録時より低いパワーのレーザビ
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をTa≦T<
Tpcの温度迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加
して行う(図4の(b))。この温度では反強磁性膜4
は反強磁性相を呈しており磁化は見かけ上ゼロで、また
強磁性膜3の保磁力Hc1と外部磁界Hexの関係はH
c1<Hexとなっているため、強磁性膜3の磁化が上
向きとなり、消去がなされる。また、再生は媒体温度が
Ta以下となるパワーレベルのレーザビームを照射する
ことにより行われる。
ームを消去すべき部分に照射して媒体温度をTa≦T<
Tpcの温度迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加
して行う(図4の(b))。この温度では反強磁性膜4
は反強磁性相を呈しており磁化は見かけ上ゼロで、また
強磁性膜3の保磁力Hc1と外部磁界Hexの関係はH
c1<Hexとなっているため、強磁性膜3の磁化が上
向きとなり、消去がなされる。また、再生は媒体温度が
Ta以下となるパワーレベルのレーザビームを照射する
ことにより行われる。
【0016】このように反強磁性膜からなる補助層の磁
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。
化は常に同一方向を向いているため、磁化の初期化とい
う操作は必要なく、単一ビーム、単一磁界でのオーバー
ライトが可能となる。
【0017】また、記録時に強磁性膜(メモリ層)3及
び反強磁性膜(補助層)4が共にTpc≦T<Tbの温
度となるようにレーザビーム照射を行い、消去時に強磁
性膜(メモリ層)3のみがTa≦T<Tpcの温度とな
るようにレーザビーム照射を行っても良い。このように
すると、消去時に反強磁性膜4の温度が必ずTpcより
低くなっているので、確実に外部磁界Hex方向に強磁
性膜3の磁化をそろえることが出来、記録/消去の信頼
性を上げることができる。
び反強磁性膜(補助層)4が共にTpc≦T<Tbの温
度となるようにレーザビーム照射を行い、消去時に強磁
性膜(メモリ層)3のみがTa≦T<Tpcの温度とな
るようにレーザビーム照射を行っても良い。このように
すると、消去時に反強磁性膜4の温度が必ずTpcより
低くなっているので、確実に外部磁界Hex方向に強磁
性膜3の磁化をそろえることが出来、記録/消去の信頼
性を上げることができる。
【0018】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。
【0019】実施例1
グルーブ付きポリカーボネート基板(直径130mm)
の上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜
を真空中で順次積層し、図1の構成の記録媒体を得た。 保護膜:Si3N4膜(1000Å) 強磁性膜:Tb0.2(Fe0.95Co0.05)0.8膜(600
Å) 反強磁性膜:Mn1.5SbCr0.5膜(1500Å) 保護膜:Si3N4膜(1000Å)
の上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜
を真空中で順次積層し、図1の構成の記録媒体を得た。 保護膜:Si3N4膜(1000Å) 強磁性膜:Tb0.2(Fe0.95Co0.05)0.8膜(600
Å) 反強磁性膜:Mn1.5SbCr0.5膜(1500Å) 保護膜:Si3N4膜(1000Å)
【0020】強磁性膜のキュリー温度Tc1、反強磁性
膜のキュリー温度Tc2及び磁気相転移温度Tpc、強
磁性膜の保磁力Hc1とバイアス磁界Hexとが等しく
なる温度Ta、反強磁性膜の保磁力Hc2とバイアス磁
界Hexとが等しくなる温度Tbは次の通りであった。 Tc1=150℃ Tc2=260℃ Tpc=120℃ Ta=80℃ Tb=200℃
膜のキュリー温度Tc2及び磁気相転移温度Tpc、強
磁性膜の保磁力Hc1とバイアス磁界Hexとが等しく
なる温度Ta、反強磁性膜の保磁力Hc2とバイアス磁
界Hexとが等しくなる温度Tbは次の通りであった。 Tc1=150℃ Tc2=260℃ Tpc=120℃ Ta=80℃ Tb=200℃
【0021】以上のようにして得た記録媒体を線速10m/
秒で駆動させ、外部磁界Hex=800 Oe(記録時
と消去時ともに同一方向)を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録/再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー:7mW 消去時のレーザパワー:4mW 再生時のレーザパワー:1mW その結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、C/N比47dBで良好な値
を示した。
秒で駆動させ、外部磁界Hex=800 Oe(記録時
と消去時ともに同一方向)を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録/再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー:7mW 消去時のレーザパワー:4mW 再生時のレーザパワー:1mW その結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、C/N比47dBで良好な値
を示した。
【0022】実施例2
実施例1において、反強磁性膜としてMn1.8SbC
r0.2膜(1500Å)を用いるとともに、強磁性膜と
反強磁性膜との間に中間層としてSi3N4膜(10Å)
を設けた以外は同様にして図3の構成の記録媒体を得
た。Tc1、Tc2、Tpc、Ta及びTbは次の通りで
あった。 Tc1=150℃ Tc2=240℃ Tpc=110℃ Ta=80℃ Tb=190℃ この記録媒体に対し実施例1と同様な特性評価を行った
結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、C/N比47dBで良好な値を示
した。
r0.2膜(1500Å)を用いるとともに、強磁性膜と
反強磁性膜との間に中間層としてSi3N4膜(10Å)
を設けた以外は同様にして図3の構成の記録媒体を得
た。Tc1、Tc2、Tpc、Ta及びTbは次の通りで
あった。 Tc1=150℃ Tc2=240℃ Tpc=110℃ Ta=80℃ Tb=190℃ この記録媒体に対し実施例1と同様な特性評価を行った
結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、C/N比47dBで良好な値を示
した。
【0023】実施例3
グルーブ付きポリカーボネート基板(直径130mm)
の上にrfマグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、図1の構成で、実施例1とは強磁性
膜および反強磁性膜の膜厚を変えた記録媒体を得た。 保護膜:Si3N4膜(1000Å) 強磁性膜:Tb0.2(Fe0.95Co0.05)0.8膜(400
Å) 反強磁性膜:Mn1.5SbCr0.5膜(2000Å) 保護膜:Si3N4膜(1000Å) Tc1、Tc2、Tpc、Ta及びTbは次の通りであっ
た。 Tc1=150℃ Tc2=260℃ Tpc=120℃ Ta=80℃ Tb=200℃ この記録媒体に対し実施例1と同様な特性評価を行った
結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、C/N比48dBで良好な値を示
した。
の上にrfマグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、図1の構成で、実施例1とは強磁性
膜および反強磁性膜の膜厚を変えた記録媒体を得た。 保護膜:Si3N4膜(1000Å) 強磁性膜:Tb0.2(Fe0.95Co0.05)0.8膜(400
Å) 反強磁性膜:Mn1.5SbCr0.5膜(2000Å) 保護膜:Si3N4膜(1000Å) Tc1、Tc2、Tpc、Ta及びTbは次の通りであっ
た。 Tc1=150℃ Tc2=260℃ Tpc=120℃ Ta=80℃ Tb=200℃ この記録媒体に対し実施例1と同様な特性評価を行った
結果、C/N比は48dBであった。さらに、同記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライ
トを実施したところ、C/N比48dBで良好な値を示
した。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたことに
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
より、単一ビーム、単一磁界でのオーバーライトが信頼
性良く行える。
【図1】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び反強磁
性膜の保磁力Hcの温度特性を示す図である。
性膜の保磁力Hcの温度特性を示す図である。
【図3】本発明に係る光磁気記録媒体の別の層構成例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図4】(a)は記録時における磁化状態を示し、
(b)は消去時における磁化状態を示す図である。
(b)は消去時における磁化状態を示す図である。
1 支持体
2,5 保護膜
3 強磁性膜(メモリ層)
4 反強磁性膜(補助層)
6 中間層
Claims (4)
- 【請求項1】 垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる
メモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高い該メ
モリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を生じて
強磁性相を示す反強磁性膜からなる補助層とを積層して
なる記録層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 メモリ層と補助層との間に両層間の交換
結合力を調整するための中間層を設けたことを特徴とす
る請求項1に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 補助層の熱伝導率がメモリ層の熱伝導率
より低いことを特徴とする請求項1又は2に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の光磁気
記録媒体を用い、補助層の磁気相転移温度をTpc、メ
モリ層の保磁力とバイアス磁界Hexとが等しくなる温
度をTa、補助層の保磁力とバイアス磁界Hexとが等
しくなる温度をTbとしたとき、記録時には媒体温度が
Tpc≦T<Tbとなる迄昇温するような条件でレーザ
照射を行うとともに外部磁界Hexを印加し、消去時に
は媒体温度がTa<T<Tpcとなる迄昇温するような
条件でレーザ照射を行うとともに記録時と同じ外部磁界
Hexを印加することを特徴とするオーバーライト可能
な光磁気記録方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3254566A JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
US08/263,947 US5736265A (en) | 1990-11-19 | 1994-06-22 | Magneto-optical recording medium and recording method using the same |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31332490 | 1990-11-19 | ||
JP2-313324 | 1990-11-19 | ||
JP1844591 | 1991-01-18 | ||
JP3-18446 | 1991-01-18 | ||
JP1844691 | 1991-01-18 | ||
JP3-18445 | 1991-01-18 | ||
JP3254566A JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH056588A true JPH056588A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=27456968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3254566A Pending JPH056588A (ja) | 1990-11-19 | 1991-09-06 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5736265A (ja) |
JP (1) | JPH056588A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5968678A (en) * | 1995-08-31 | 1999-10-19 | Sanyo Electric., Ltd. | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
US6146752A (en) * | 1996-06-14 | 2000-11-14 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium |
JP3853512B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-12-06 | 株式会社リコー | 磁気光学素子 |
JP4093681B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2008-06-04 | シャープ株式会社 | 熱磁気記録媒体、熱磁気記録方法、熱磁気再生方法、熱磁気記録再生装置 |
US6939654B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-09-06 | Ricoh Company, Ltd. | Carrier and developer for developing latent electrostatic images |
US7245430B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for displaying three-dimensional stereo image using light deflector |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6179216A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 磁気光学記録再生用Mn−Sb系薄膜材料の製造方法 |
JPH0789414B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1995-09-27 | シャープ株式会社 | 光学記憶素子 |
ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3254566A patent/JPH056588A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-22 US US08/263,947 patent/US5736265A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5736265A (en) | 1998-04-07 |
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