JP2893089B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP2893089B2 JP2893089B2 JP7739190A JP7739190A JP2893089B2 JP 2893089 B2 JP2893089 B2 JP 2893089B2 JP 7739190 A JP7739190 A JP 7739190A JP 7739190 A JP7739190 A JP 7739190A JP 2893089 B2 JP2893089 B2 JP 2893089B2
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- Japan
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はオーバーライト可能な光磁気記録方法に関す
る。
る。
近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピュータ用メモリ等への利用が期待されてい
る。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ
以上の性能を持った記録媒体とするためには、いくつか
の技術的課題があり、その中の主要なものの１つに、オ
ーバーライト技術がある。現在提案されているオーバー
ライト技術は、記録の方法により磁界変調方式と光変調
方式（マルチビーム方式、２層膜方式等）に大別され
る。
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピュータ用メモリ等への利用が期待されてい
る。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ
以上の性能を持った記録媒体とするためには、いくつか
の技術的課題があり、その中の主要なものの１つに、オ
ーバーライト技術がある。現在提案されているオーバー
ライト技術は、記録の方法により磁界変調方式と光変調
方式（マルチビーム方式、２層膜方式等）に大別され
る。
磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界の極性を反
転させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の
反転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの
磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体変換が困難であ
る。
転させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の
反転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの
磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体変換が困難であ
る。
一方、光変調方式は記録情報に応じて照射レーザビー
ムをオン・オフあるいは強度変調させて記録を行う方式
である。この方式のうちマルチビーム方式は、２〜３個
のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎に反転さ
せてトラック毎に記録／消去を行う擬似オーバーライト
方式であるが、装置構成が複雑化し、コストアップを招
くなどの欠点を有している。また、２層膜方式は光磁気
記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成
しようとするもので、例えば特開昭62−175948号公報等
に開示されている。同公報に記録されている方式は、例
えばTbFeからなるメモリ層とTbFeCoからなる補助層との
２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化
を行った後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビ
ームの照射によりオーバーライトを実現しようとするも
のである。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め
初期化用磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出
力レーザビームを照射して媒体温度ＴをＴTC2（TC2は
補助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁
界（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化
を反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層
に転写させることにより記録を行い、また、低出力レー
ザビームを照射して媒体温度をTC1Ｔ＜TC2（TC1はメ
モリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の
磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を行
う。このように、この方式では、補助層の磁化を一方向
に揃える初期化に4KOe程度の大きな初期化用磁界を用い
ているため、消費電力が大きくなる上、媒体の記録状態
の安定性への影響が懸念される。
ムをオン・オフあるいは強度変調させて記録を行う方式
である。この方式のうちマルチビーム方式は、２〜３個
のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎に反転さ
せてトラック毎に記録／消去を行う擬似オーバーライト
方式であるが、装置構成が複雑化し、コストアップを招
くなどの欠点を有している。また、２層膜方式は光磁気
記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成
しようとするもので、例えば特開昭62−175948号公報等
に開示されている。同公報に記録されている方式は、例
えばTbFeからなるメモリ層とTbFeCoからなる補助層との
２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化
を行った後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビ
ームの照射によりオーバーライトを実現しようとするも
のである。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め
初期化用磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出
力レーザビームを照射して媒体温度ＴをＴTC2（TC2は
補助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁
界（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化
を反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層
に転写させることにより記録を行い、また、低出力レー
ザビームを照射して媒体温度をTC1Ｔ＜TC2（TC1はメ
モリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の
磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を行
う。このように、この方式では、補助層の磁化を一方向
に揃える初期化に4KOe程度の大きな初期化用磁界を用い
ているため、消費電力が大きくなる上、媒体の記録状態
の安定性への影響が懸念される。
本発明は以上のような従来技術の欠点を解消し、媒体
構成が簡単で、初期化用磁界が小さく、単一レーザビー
ムで信頼性良くオーバーライトできる光磁気記録方法を
提供することを目的とする。
構成が簡単で、初期化用磁界が小さく、単一レーザビー
ムで信頼性良くオーバーライトできる光磁気記録方法を
提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、垂直磁気
異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、補償温度が
室温以下にある希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜
からなる補助層とを積層した２層膜からなり、かつ、メ
モリ層のキュリー温度をTC1，補助層のキュリー温度をT
C2としたときにTC1＜TC2なる関係を満足する記録層を有
する光磁気媒体を用い、記録時には媒体温度が補助層の
キュリー温度TC2付近迄昇温するような高いパワーのレ
ーザビームを照射するとともに外部磁界Hexを印加し、
消去時には媒体温度がメモリ層のキュリー温度TC1付近
迄昇温するような低いパワーのレーザビームを照射する
とともに記録時と同じ外部磁界Hexを印加し、かつ、補
助層の磁化を一方向に揃える初期化を、記録あるいは消
去後の媒体温度降下時にTroom＜Tini＜TC1（Troomは室
温）の温度範囲内で Hc1＞Hc2＞δw/2Msh Hc1：メモリ層の保磁力 Hc2：補助層の保磁力 δw:メモリ層、補助層間の磁壁エネルギー Ms:補助層の飽和磁化 h:補助層の膜厚 の条件を満足する温度Tini下に初期化磁界Hiniを印加す
ることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方
法が提供される。
異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、補償温度が
室温以下にある希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜
からなる補助層とを積層した２層膜からなり、かつ、メ
モリ層のキュリー温度をTC1，補助層のキュリー温度をT
C2としたときにTC1＜TC2なる関係を満足する記録層を有
する光磁気媒体を用い、記録時には媒体温度が補助層の
キュリー温度TC2付近迄昇温するような高いパワーのレ
ーザビームを照射するとともに外部磁界Hexを印加し、
消去時には媒体温度がメモリ層のキュリー温度TC1付近
迄昇温するような低いパワーのレーザビームを照射する
とともに記録時と同じ外部磁界Hexを印加し、かつ、補
助層の磁化を一方向に揃える初期化を、記録あるいは消
去後の媒体温度降下時にTroom＜Tini＜TC1（Troomは室
温）の温度範囲内で Hc1＞Hc2＞δw/2Msh Hc1：メモリ層の保磁力 Hc2：補助層の保磁力 δw:メモリ層、補助層間の磁壁エネルギー Ms:補助層の飽和磁化 h:補助層の膜厚 の条件を満足する温度Tini下に初期化磁界Hiniを印加す
ることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方
法が提供される。
以下本発明を図面に基づき詳述する。
本発明の光磁気記録媒体は記録層が垂直磁気異方性を
示す強磁性膜からなるメモリ層と、補償温度が室温以下
にある希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜からなる
補助層とを積層してなる。第１図にこのような光磁気記
録媒体の一構成例を示す。この記録媒体は、ガラス、プ
ラスチック、セラミックスなどからなる透明支持体１上
にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜２（膜厚100Å
〜5000Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁
性膜３（膜厚100Å〜5000Å）を設け、その上に補償温
度Tcompが室温以下にある希土類−遷移金属系アモルフ
ァス磁性膜４（膜厚100Å〜10000Å）を設け、さらにそ
の上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜５（膜厚10
0Å〜5000Å）を設けて構成される。各膜はスパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。強磁性膜３は例えばTb−Fe,Gd−Fe,Dy−
Fe,Gd−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,Tb−Fe−Co,Gd
−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Co
などの希土類−遷移金属系アモルファス膜、あるいはMn
−Bi,Mn−Cu−Bi,Coスピネルフェライト,Baフェライト
などの多結晶膜により構成することができる。希土類−
遷移金属系アモルファス磁性膜４の材料としては、Tb−
Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,Cd−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,
Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd
−Tb−Fe−Co等を用いることができる。これら強磁性膜
３及び希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜は第２図
に示す如き熱磁気特性（保持力Hc及び飽和磁化Msの温度
依存性）を有している必要がある。また、強磁性膜３の
キュリー温度をTC1、希土類−遷移金属系アモルファス
磁性膜４のキュリー温度をTC2とするとTC1＜TC2という
関係を満足する必要がある。
示す強磁性膜からなるメモリ層と、補償温度が室温以下
にある希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜からなる
補助層とを積層してなる。第１図にこのような光磁気記
録媒体の一構成例を示す。この記録媒体は、ガラス、プ
ラスチック、セラミックスなどからなる透明支持体１上
にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜２（膜厚100Å
〜5000Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁
性膜３（膜厚100Å〜5000Å）を設け、その上に補償温
度Tcompが室温以下にある希土類−遷移金属系アモルフ
ァス磁性膜４（膜厚100Å〜10000Å）を設け、さらにそ
の上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜５（膜厚10
0Å〜5000Å）を設けて構成される。各膜はスパッタ
法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形成する
ことができる。強磁性膜３は例えばTb−Fe,Gd−Fe,Dy−
Fe,Gd−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,Tb−Fe−Co,Gd
−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Co
などの希土類−遷移金属系アモルファス膜、あるいはMn
−Bi,Mn−Cu−Bi,Coスピネルフェライト,Baフェライト
などの多結晶膜により構成することができる。希土類−
遷移金属系アモルファス磁性膜４の材料としては、Tb−
Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,Cd−Tb−Fe,Tb−Dy−Fe,Gd−Dy−Fe,
Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy−Fe−Co,Gd
−Tb−Fe−Co等を用いることができる。これら強磁性膜
３及び希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜は第２図
に示す如き熱磁気特性（保持力Hc及び飽和磁化Msの温度
依存性）を有している必要がある。また、強磁性膜３の
キュリー温度をTC1、希土類−遷移金属系アモルファス
磁性膜４のキュリー温度をTC2とするとTC1＜TC2という
関係を満足する必要がある。
なお、本発明において使用される光磁気記録媒体の層
構成は第１図に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良い。
構成は第１図に示すものに限定されるものでなく種々の
変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜
を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良い。
次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気記録方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
記録は、高いパワーのレーザビームを記録すべき部分
に照射して媒体温度を希土類−遷移金属系アモルファス
磁性膜４のキュリー温度TC2付近迄上げるとともに、外
部磁界Hexを印加して行う（第３図（ａ））。当該記録
すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性
膜３が上向き（または下向き）で希土類−遷移金属系ア
モルファス磁性膜４が上向きであったものが、高いパワ
ーのレーザビーム照射によりTC2付近迄昇温するため強
磁性膜３では磁化が消失し、希土類−遷移金属系アモル
ファス磁性膜４では上向きの大きさが小さい磁化とな
る。そしてこの時、外部磁界Hexが下向きに印加される
ことからその磁化は反転され、下向きとなり、この下向
きの磁化は、冷却の過程でTC1付近になったとき強磁性
膜３の方へ転写され、そのまま保持される。
に照射して媒体温度を希土類−遷移金属系アモルファス
磁性膜４のキュリー温度TC2付近迄上げるとともに、外
部磁界Hexを印加して行う（第３図（ａ））。当該記録
すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態において強磁性
膜３が上向き（または下向き）で希土類−遷移金属系ア
モルファス磁性膜４が上向きであったものが、高いパワ
ーのレーザビーム照射によりTC2付近迄昇温するため強
磁性膜３では磁化が消失し、希土類−遷移金属系アモル
ファス磁性膜４では上向きの大きさが小さい磁化とな
る。そしてこの時、外部磁界Hexが下向きに印加される
ことからその磁化は反転され、下向きとなり、この下向
きの磁化は、冷却の過程でTC1付近になったとき強磁性
膜３の方へ転写され、そのまま保持される。
消去は、記録時より低いパワーのレーザビームを消去
すべき部分に照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー
温度TC1付近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して
行う（第３図（ｂ））。媒体温度がTC1付近になるとあ
らかじめ初期化されて上向きになっている希土類−遷移
金属アモルファス磁性膜４の磁化の大きさは下向きにな
っている強磁性膜３の磁化の大きさより大きくなる（希
土類−遷移金属アモルファス磁性膜４の保磁力HC2の大
きさは外部磁界Hexの大きさより大）ため、希土類−遷
移金属アモルファス磁性膜４の磁化が強磁性膜４に転写
され、強磁性膜３の磁化が上向きとなり、消去がなされ
る。
すべき部分に照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー
温度TC1付近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して
行う（第３図（ｂ））。媒体温度がTC1付近になるとあ
らかじめ初期化されて上向きになっている希土類−遷移
金属アモルファス磁性膜４の磁化の大きさは下向きにな
っている強磁性膜３の磁化の大きさより大きくなる（希
土類−遷移金属アモルファス磁性膜４の保磁力HC2の大
きさは外部磁界Hexの大きさより大）ため、希土類−遷
移金属アモルファス磁性膜４の磁化が強磁性膜４に転写
され、強磁性膜３の磁化が上向きとなり、消去がなされ
る。
本発明では上記のようにして消去を行うため、希土類
−遷移金属アモルファス磁性膜４の飽和磁化Msは温度に
対して（特にTC1付近迄は）あまり変化しない特性を持
つことが望ましい。特にドライブ装置内の温度上昇など
により、記録、再生、消去などの各条件が変化すること
は極力避けなければならない。一般に、補償温度Tcomp
が室温以下にある磁性膜の飽和磁化Msの温度変化は第２
図の破線で示すようにそのキュリー温度（TC2）付近を
除いて小さく、補償温度Tcompが室温以上にある磁性膜
では補償温度Tcompで飽和磁化Msがゼロとなるため温度
変化が大きい。この点のみからすると、単純に補償温度
Tcompが室温以下にある希土類−遷移金属アモルファス
磁性膜を補助層に用いることで所期の目的を達成し得る
と考えられる。ところが、この磁性膜では保磁力HCの温
度変化が飽和磁化Msより大きくなり、しかも室温付近で
保磁力HCは大きくなる。これは、従来のように室温で初
期化するときには、かなり大きな初期化用磁界Hiniを必
要とする。そこで、本発明では、補助層として希土類−
遷移金属アモルファス磁性膜を用いるとともに該補助層
の磁化の初期化を、記録／消去後の媒体温度降下時に、
すなわち媒体温度がTroom＜Tini＜TC1なる温度Tiniの時
に、第３図（ａ）に示すように、初期化用磁界Hini（印
加方向は外部磁界Hexとは反対の方向）を用いて希土類
−遷移金属アモルファス磁性膜４の磁化を上向きに揃え
ることにより行うことで、初期化用磁界が小さくてすむ
ようにしている。この初期化温度Tiniの時、強磁性膜３
と希土類−遷移金属アモルファス磁性膜４の磁気特性は
次のような条件を満たしている必要がある。
−遷移金属アモルファス磁性膜４の飽和磁化Msは温度に
対して（特にTC1付近迄は）あまり変化しない特性を持
つことが望ましい。特にドライブ装置内の温度上昇など
により、記録、再生、消去などの各条件が変化すること
は極力避けなければならない。一般に、補償温度Tcomp
が室温以下にある磁性膜の飽和磁化Msの温度変化は第２
図の破線で示すようにそのキュリー温度（TC2）付近を
除いて小さく、補償温度Tcompが室温以上にある磁性膜
では補償温度Tcompで飽和磁化Msがゼロとなるため温度
変化が大きい。この点のみからすると、単純に補償温度
Tcompが室温以下にある希土類−遷移金属アモルファス
磁性膜を補助層に用いることで所期の目的を達成し得る
と考えられる。ところが、この磁性膜では保磁力HCの温
度変化が飽和磁化Msより大きくなり、しかも室温付近で
保磁力HCは大きくなる。これは、従来のように室温で初
期化するときには、かなり大きな初期化用磁界Hiniを必
要とする。そこで、本発明では、補助層として希土類−
遷移金属アモルファス磁性膜を用いるとともに該補助層
の磁化の初期化を、記録／消去後の媒体温度降下時に、
すなわち媒体温度がTroom＜Tini＜TC1なる温度Tiniの時
に、第３図（ａ）に示すように、初期化用磁界Hini（印
加方向は外部磁界Hexとは反対の方向）を用いて希土類
−遷移金属アモルファス磁性膜４の磁化を上向きに揃え
ることにより行うことで、初期化用磁界が小さくてすむ
ようにしている。この初期化温度Tiniの時、強磁性膜３
と希土類−遷移金属アモルファス磁性膜４の磁気特性は
次のような条件を満たしている必要がある。
ここで、HC1は強磁性膜３の保磁力、HC2は希土類−遷
移金属アモルファス磁性膜４の保磁力、δｗは両膜3,4
間の磁壁エネルギー、Msは希土類−遷移金属アモルファ
ス磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはいずれもTiniで
の値であり、ｈは希土類−遷移金属アモルファス磁性膜
４の膜厚である。
移金属アモルファス磁性膜４の保磁力、δｗは両膜3,4
間の磁壁エネルギー、Msは希土類−遷移金属アモルファ
ス磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはいずれもTiniで
の値であり、ｈは希土類−遷移金属アモルファス磁性膜
４の膜厚である。
また、再生は媒体温度がTC1以下となるパワーレベル
（記録・消去時より小）のレーザビームを照射すること
により行われる。
（記録・消去時より小）のレーザビームを照射すること
により行われる。
次に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はここに例示の実施例に限定されるものではない。
発明はここに例示の実施例に限定されるものではない。
グループ付きポリカーボネート基板（直径130mm）の
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、記録媒体を得た。
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、記録媒体を得た。
保護膜：Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜：Tb0.21（Fe0.92CO0.08）0.79膜（500Å） 希土類−遷移金属アモルファス磁性膜： Tb0.19（Fe0.85CO0.15）0.91膜（1500Å） 保護膜：Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜のキュリー温度TC1並びに希土類−遷移金属
アモルファス磁性膜のキュリー温度TC2及び補償温度Tco
mpは次の通りであった。
アモルファス磁性膜のキュリー温度TC2及び補償温度Tco
mpは次の通りであった。
TC1＝160℃ TC2＝260℃ Tcomp＜Troom 以上のようにして得た記録媒体を線速10m/秒で駆動さ
せ、記録／消去ヘッドの進行方向側の隣りに初期化用磁
石（初期化用磁界Hini＝2KOe）を設け、また外部磁界He
x＝400 Oe（記録時と消去時ともに同一方向）とし、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
せ、記録／消去ヘッドの進行方向側の隣りに初期化用磁
石（初期化用磁界Hini＝2KOe）を設け、また外部磁界He
x＝400 Oe（記録時と消去時ともに同一方向）とし、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
記録時のレーザパワー:8mW 消去時のレーザパワー:5mW 再生時のレーザパワー:1mW また、初期化は記録／消去後の温度降下の際、媒体温
度が100℃になった時に2KOeの初期化用磁界を印加して
行った。その結果、C/N比は48dBであった。さらに、該
記録媒体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーラ
イトを実施しところ、C/N比47dBで良好な値を示した。
なお、記録時、消去時及び再生時のレーザービーム照射
による媒体の昇温度はそれぞれ260℃、160℃及び30℃で
あった。
度が100℃になった時に2KOeの初期化用磁界を印加して
行った。その結果、C/N比は48dBであった。さらに、該
記録媒体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーラ
イトを実施しところ、C/N比47dBで良好な値を示した。
なお、記録時、消去時及び再生時のレーザービーム照射
による媒体の昇温度はそれぞれ260℃、160℃及び30℃で
あった。
本発明によれば、前記構成としたことにより、保存安
定性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバー
ライトのできる光磁気記録方法を提供できる。
定性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバー
ライトのできる光磁気記録方法を提供できる。
第１図は本発明において用いられる光磁気記録媒体の層
構成を示す断面図、第２図は上記光磁気記録媒体の強磁
性膜及び希土類−遷移金属アモルファス磁性膜の保磁力
HC及び飽和磁化Msの温度特性を示す図、第３図は初期化
時、記録時及び消去時における磁化状態を示す図であ
る。 １……支持体 2,5……保護膜 ３……強磁性膜（メモリ層） ４……希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜（補助
層）
構成を示す断面図、第２図は上記光磁気記録媒体の強磁
性膜及び希土類−遷移金属アモルファス磁性膜の保磁力
HC及び飽和磁化Msの温度特性を示す図、第３図は初期化
時、記録時及び消去時における磁化状態を示す図であ
る。 １……支持体 2,5……保護膜 ３……強磁性膜（メモリ層） ４……希土類−遷移金属系アモルファス磁性膜（補助
層）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−78079（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−291237（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10
Claims (1)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメ
モリ層と、補償温度が室温以下にある希土類−遷移金属
系アモルファス磁性膜からなる補助層とを積層した２層
膜からなり、かつ、メモリ層のキュリー温度をTc1，補
助層のキュリー温度をTc2としたときにTc1＜Tc2なる関
係を満足する記録層を有する光磁気記録媒体を用い、記
録時には媒体温度が補助層のキュリー温度Tc2付近迄昇
温するような高いパワーのレーザビームを照射するとと
もに外部磁界Hexを印加し、消去時には媒体温度がメモ
リ層のキュリー温度Tc1付近迄昇温するような低いパワ
ーのレーザビームを照射するとともに記録時と同じ外部
磁界Hexを印加し、かつ、補助層の磁化を一方向に揃え
る初期化を、記録あるいは消去後の媒体温度降下時にTr
oom＜Tini＜Tc1（Troomは室温）の温度範囲内で Hc1＞Hc2＞δw/2Msh Hc1：メモリ層の保磁力 Hc2：補助層の保磁力 δw:メモリ層、補助層間の磁壁エネルギー Ms:補助層の飽和磁化 h:補助層の膜厚 の条件を満足する温度Tini下に初期化磁界Hiniを印加す
ることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7739190A JP2893089B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7739190A JP2893089B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276448A JPH03276448A (ja) | 1991-12-06 |
| JP2893089B2 true JP2893089B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=13632596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7739190A Expired - Fee Related JP2893089B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2893089B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036409A1 (fr) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Procede d'enregistrement magnetique |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7739190A patent/JP2893089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03276448A (ja) | 1991-12-06 |
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