JPH0528564A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH0528564A JPH0528564A JP20144391A JP20144391A JPH0528564A JP H0528564 A JPH0528564 A JP H0528564A JP 20144391 A JP20144391 A JP 20144391A JP 20144391 A JP20144391 A JP 20144391A JP H0528564 A JPH0528564 A JP H0528564A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアス磁界を印加せずにしかも単一レーザ
ビームで信頼性の良いオーバーライトを実現する。 【構成】 支持体１の上に特定の磁気特性をもち垂直磁
気異方性を示すメモリ層３と、メモリ層３と補助層５と
の間の磁気相互作用をコントロールする中間層４と、特
定の磁気特性をもち垂直磁気異方性を示す補助層５とを
積層した記録層を有する光磁気記録媒体を用いる。バイ
アス磁界は印加しないで、記録時にはメモリ層３及び補
助層５が共にメモリ層３のキュリー温度付近迄昇温する
ような条件でレーザ照射を行い、消去時にはメモリ層３
のみがそのキュリー温度付近迄昇温するような条件でレ
ーザ照射を行う。
ビームで信頼性の良いオーバーライトを実現する。 【構成】 支持体１の上に特定の磁気特性をもち垂直磁
気異方性を示すメモリ層３と、メモリ層３と補助層５と
の間の磁気相互作用をコントロールする中間層４と、特
定の磁気特性をもち垂直磁気異方性を示す補助層５とを
積層した記録層を有する光磁気記録媒体を用いる。バイ
アス磁界は印加しないで、記録時にはメモリ層３及び補
助層５が共にメモリ層３のキュリー温度付近迄昇温する
ような条件でレーザ照射を行い、消去時にはメモリ層３
のみがそのキュリー温度付近迄昇温するような条件でレ
ーザ照射を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
磁気記録媒体及び光磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、初期化用磁石が必要になる、Ｔ
ｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いるので記録感
度が悪くなるなどの問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界
と反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体
が冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させること
により記録を行い、また、低出力レーザビームを照射し
て媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキ
ュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向を
メモリ層に転写させることにより消去を行う。そのた
め、この方式では、初期化用磁石が必要になる、Ｔ
ｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いるので記録感
度が悪くなるなどの問題があった。
【０００５】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、バイアス磁界なしでしかも単一レーザビームで信
頼性良くオーバーライトできる光磁気記録媒体及び光磁
気記録方法を提供することを目的とする。
消し、バイアス磁界なしでしかも単一レーザビームで信
頼性良くオーバーライトできる光磁気記録媒体及び光磁
気記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、補償温度が室温以上にある
垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室
温付近で磁化が小さくて保磁力が大きく、メモリ層のキ
ュリー温度付近で磁化が大きくなる垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなる補助層と、メモリ層と補助層との間
の交換結合力を調整するために両層間に介在する中間層
とを積層した３層膜からなる記録層を有することを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
するため、本発明によれば、補償温度が室温以上にある
垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室
温付近で磁化が小さくて保磁力が大きく、メモリ層のキ
ュリー温度付近で磁化が大きくなる垂直磁気異方性を示
す強磁性膜からなる補助層と、メモリ層と補助層との間
の交換結合力を調整するために両層間に介在する中間層
とを積層した３層膜からなる記録層を有することを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００７】また、本発明によれば、上記光磁気記録媒
体を用い、バイアス磁界を印加しないで、レーザ照射条
件のみを変化させることによりオーバーライト可能な光
磁気記録を行う方法であって、記録時にはメモリ層及び
補助層が共にメモリ層のキュリー温度付近迄昇温するよ
うな条件でレーザ照射を行い、消去時にはメモリ層のみ
がそのキュリー温度付近迄昇温するような条件でレーザ
照射を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
体を用い、バイアス磁界を印加しないで、レーザ照射条
件のみを変化させることによりオーバーライト可能な光
磁気記録を行う方法であって、記録時にはメモリ層及び
補助層が共にメモリ層のキュリー温度付近迄昇温するよ
うな条件でレーザ照射を行い、消去時にはメモリ層のみ
がそのキュリー温度付近迄昇温するような条件でレーザ
照射を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
【０００８】以下本発明を図面に基づき詳述する。本発
明の光磁気記録媒体は、記録層が、補償温度が室温以上
にある垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層
と、室温付近で磁化が小さくて保磁力が大きく、メモリ
層のキュリー温度付近で磁化が大きくなる垂直磁気異方
性を示す強磁性膜からなる補助層と、メモリ層と補助層
との間の交換結合力を調整するために両層間に介在する
中間層とを積層してなる。図１にこのような光磁気記録
媒体の一構成例を示す。
明の光磁気記録媒体は、記録層が、補償温度が室温以上
にある垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層
と、室温付近で磁化が小さくて保磁力が大きく、メモリ
層のキュリー温度付近で磁化が大きくなる垂直磁気異方
性を示す強磁性膜からなる補助層と、メモリ層と補助層
との間の交換結合力を調整するために両層間に介在する
中間層とを積層してなる。図１にこのような光磁気記録
媒体の一構成例を示す。
【０００９】この記録媒体は、ガラス、プラスチック、
セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4などから成る保護膜（膜厚１００〜５
０００Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁
性膜からなるメモリ層３を設ける。メモリ層３は、Ｔｂ
−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
などの希土類−遷移金属系アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などを用いて構成される
が、その補償温度Ｔcomp1は室温以上とする。また、膜
厚は１００Å〜５０００Åとする。メモリ層３の上には
中間層４を設けるが、この中間層４はメモリ層３と補助
層５との間の磁気的相互作用をコントロールする役目を
もち、ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｂ−Ｆｅ，
Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いて構成すること
ができる。膜厚は数Å〜５０００Åが適当である。中間
層４の上には補助層５を設ける。この補助層５は室温付
近で保磁力が１ｋＯｅ以上と大きく、キュリー温度Ｔｃ
2がメモリ層３のキュリー温度Ｔｃ1より高く、メモリ層
３のキュリー温度Ｔｃ1付近で磁化が大きくなる(10emu/
cc以上)、垂直磁気異方性をもつ強磁性膜からなる。補
助層５はＴｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系
アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶
膜などを用いて構成され、膜厚は１００Å〜５０００Å
が適当である。補助層５の上にはＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2などからなる保護膜６（膜厚１１００Å〜５００
０Å）が形成される。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオ
ンプレーティング法等により形成することができる。
セラミックスなどからなる透明支持体１上にＳｉＯ2、
ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4などから成る保護膜（膜厚１００〜５
０００Å）を設け、その上に垂直磁気異方性を示す強磁
性膜からなるメモリ層３を設ける。メモリ層３は、Ｔｂ
−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−
Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ
などの希土類−遷移金属系アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐ
ｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などを用いて構成される
が、その補償温度Ｔcomp1は室温以上とする。また、膜
厚は１００Å〜５０００Åとする。メモリ層３の上には
中間層４を設けるが、この中間層４はメモリ層３と補助
層５との間の磁気的相互作用をコントロールする役目を
もち、ＳｉＯ2，ＳｉＯ，Ｓｉ3Ｎ4，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｂ−Ｆｅ，
Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどを用いて構成すること
ができる。膜厚は数Å〜５０００Åが適当である。中間
層４の上には補助層５を設ける。この補助層５は室温付
近で保磁力が１ｋＯｅ以上と大きく、キュリー温度Ｔｃ
2がメモリ層３のキュリー温度Ｔｃ1より高く、メモリ層
３のキュリー温度Ｔｃ1付近で磁化が大きくなる(10emu/
cc以上)、垂直磁気異方性をもつ強磁性膜からなる。補
助層５はＴｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系
アモルファス膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶
膜などを用いて構成され、膜厚は１００Å〜５０００Å
が適当である。補助層５の上にはＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2などからなる保護膜６（膜厚１１００Å〜５００
０Å）が形成される。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオ
ンプレーティング法等により形成することができる。
【００１０】なお、本発明の光磁気記録媒体の層構成は
図１に示すものに限定されるものでなく種々の変形、変
更が可能であり、例えば保護膜６の上に反射膜を設けて
も良いし、保護膜２、５を適当に除いても良い。
図１に示すものに限定されるものでなく種々の変形、変
更が可能であり、例えば保護膜６の上に反射膜を設けて
も良いし、保護膜２、５を適当に除いても良い。
【００１１】メモリ層３と補助層５の磁気特性の温度変
化の一例を図２に示す。この図の例ではメモリ層３およ
び補助層５とも補償温度Ｔcomp1、Ｔcomp2が室温以上に
あるが、補助層５については補償温度Ｔcomp2が室温Ｔr
oom以下にあっても良い。また、メモリ層３の保磁力を
Ｈｃ1、キュリー温度をＴｃ1、メモリ層３をレーザ照射
してＴｃ1付近迄温度を上げたときにその部分に働くま
わりの磁化からの反磁界をＨｄ、補助層５の磁化を
Ｍ2、キュリー温度をＴｃ2とし、さらに、Ｈｄと４πＭ
2の大きさが等しくなる温度をＴｐ、Ｔｓ(Ｔｐ＜Ｔ
ｓ)、(Ｈｃ1＋Ｈｄ)の値が４πＭ2と等しくなる温度を
Ｔｒ，ＨｄとＨｃ1の大きさが等しくなる温度をＴｑと
すると、次のような関係が成立している。 Ｔ≧Ｔｓのとき Ｈｄ≧４πＭ2 Ｔｒ≦Ｔ＜Ｔｓのとき Ｈｃ1＋Ｈｄ≦４πＭ2 メモリ層がＴ≧Ｔｑのとき Ｈｄ≧Ｈｃ1 補助層がＴ≦Ｔｐのとき Ｈｄ＋４πＭ2≧０
化の一例を図２に示す。この図の例ではメモリ層３およ
び補助層５とも補償温度Ｔcomp1、Ｔcomp2が室温以上に
あるが、補助層５については補償温度Ｔcomp2が室温Ｔr
oom以下にあっても良い。また、メモリ層３の保磁力を
Ｈｃ1、キュリー温度をＴｃ1、メモリ層３をレーザ照射
してＴｃ1付近迄温度を上げたときにその部分に働くま
わりの磁化からの反磁界をＨｄ、補助層５の磁化を
Ｍ2、キュリー温度をＴｃ2とし、さらに、Ｈｄと４πＭ
2の大きさが等しくなる温度をＴｐ、Ｔｓ(Ｔｐ＜Ｔ
ｓ)、(Ｈｃ1＋Ｈｄ)の値が４πＭ2と等しくなる温度を
Ｔｒ，ＨｄとＨｃ1の大きさが等しくなる温度をＴｑと
すると、次のような関係が成立している。 Ｔ≧Ｔｓのとき Ｈｄ≧４πＭ2 Ｔｒ≦Ｔ＜Ｔｓのとき Ｈｃ1＋Ｈｄ≦４πＭ2 メモリ層がＴ≧Ｔｑのとき Ｈｄ≧Ｈｃ1 補助層がＴ≦Ｔｐのとき Ｈｄ＋４πＭ2≧０
【００１２】本媒体は作製後、補助層５の補償温度Ｔco
mp2が室温Ｔroom以上にあるときは、メモリ層３と補助
層５を異なる方向に磁化をそろえる初期化が必要であ
り、補助層５の補償温度Ｔcomp2が室温Ｔroomより下に
あるときは、メモリ層３と補助層５を同じ方向に磁化を
そろえる初期化が必要である。
mp2が室温Ｔroom以上にあるときは、メモリ層３と補助
層５を異なる方向に磁化をそろえる初期化が必要であ
り、補助層５の補償温度Ｔcomp2が室温Ｔroomより下に
あるときは、メモリ層３と補助層５を同じ方向に磁化を
そろえる初期化が必要である。
【００１３】次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気
記録方法について説明する。記録するときは、図３
（ａ）に示すようにメモリ層３、補助層５ともＴｒ≦Ｔ
ｗ＜Ｔｓ(Ｔｗ：記録時の温度）の温度になるようにレ
ーザ照射を行なう。このとき、メモリ層５の磁化はない
かあっても非常に小さく、補助層５の磁化は逆に補償温
度Ｔcomp2をこえて磁化方向が室温Ｔroomのときとは逆
（図では下方向から上方向へ変化）になり、大きくな
る。そのため、メモリ層３の加熱部分に働く磁界はＨｄ
−４πＭ2≦０となり、補助層５の磁化方向に磁化さ
れ、冷却過程で補償温度Ｔcomp1を通過するときに磁化
方向が逆になり（図では上方向から下方向に変化）記録
が行なわれる。記録を行なうときの温度範囲はＴｒ≦Ｔ
ｗ＜Ｔｓで、Ｔｓ以上に温度を上げると、Ｈｄ−４πＭ
2≧０となり、Ｈｄが大きくなるので記録ができなくな
り、Ｔｓ以上に温度を上げることはできない。
記録方法について説明する。記録するときは、図３
（ａ）に示すようにメモリ層３、補助層５ともＴｒ≦Ｔ
ｗ＜Ｔｓ(Ｔｗ：記録時の温度）の温度になるようにレ
ーザ照射を行なう。このとき、メモリ層５の磁化はない
かあっても非常に小さく、補助層５の磁化は逆に補償温
度Ｔcomp2をこえて磁化方向が室温Ｔroomのときとは逆
（図では下方向から上方向へ変化）になり、大きくな
る。そのため、メモリ層３の加熱部分に働く磁界はＨｄ
−４πＭ2≦０となり、補助層５の磁化方向に磁化さ
れ、冷却過程で補償温度Ｔcomp1を通過するときに磁化
方向が逆になり（図では上方向から下方向に変化）記録
が行なわれる。記録を行なうときの温度範囲はＴｒ≦Ｔ
ｗ＜Ｔｓで、Ｔｓ以上に温度を上げると、Ｈｄ−４πＭ
2≧０となり、Ｈｄが大きくなるので記録ができなくな
り、Ｔｓ以上に温度を上げることはできない。
【００１４】消去するときには、図３（ｂ）に示すよう
にメモリ層３のみ昇温するようなレーザ照射条件（補助
層５も温度は上がるのであるが、メモリ層３の膜温度迄
は上がらないというレーザ照射条件）で、メモリ層３の
膜温度がＴｅ(メモリ層)≧Ｔｑで補助層５の膜温度がＴ
ｅ(補助層)≦Ｔｐ(Ｔｅ：消去時の温度）のとき、レー
ザ照射部分に働くまわりの磁化からの反磁界Ｈｄの方向
（図では下方向）に磁化反転し、冷却の過程で、補償温
度Ｔcomp1を通過するときに磁化方向が逆（図では下方
向から上方向に変化）になり消去が行なわれる。
にメモリ層３のみ昇温するようなレーザ照射条件（補助
層５も温度は上がるのであるが、メモリ層３の膜温度迄
は上がらないというレーザ照射条件）で、メモリ層３の
膜温度がＴｅ(メモリ層)≧Ｔｑで補助層５の膜温度がＴ
ｅ(補助層)≦Ｔｐ(Ｔｅ：消去時の温度）のとき、レー
ザ照射部分に働くまわりの磁化からの反磁界Ｈｄの方向
（図では下方向）に磁化反転し、冷却の過程で、補償温
度Ｔcomp1を通過するときに磁化方向が逆（図では下方
向から上方向に変化）になり消去が行なわれる。
【００１５】記録するときと消去するときの照射条件の
違いは、照射パワーのみならずパルス幅によっても作り
出せる。例えば、記録のとき長パルスで消去のとき短パ
ルスの照射を行なう。このとき、補償温度が室温以上に
ある記録膜の場合、磁膜エネルギー、反磁界、保磁力な
どの影響により長パルスのとき記録しやすく、短パルス
のとき消去しやすいという性質をもつ。このため、記録
照射条件と消去照射条件のマージンが拡げられる。ま
た、照射パワーとパルス幅の両方を調整してもよい。
違いは、照射パワーのみならずパルス幅によっても作り
出せる。例えば、記録のとき長パルスで消去のとき短パ
ルスの照射を行なう。このとき、補償温度が室温以上に
ある記録膜の場合、磁膜エネルギー、反磁界、保磁力な
どの影響により長パルスのとき記録しやすく、短パルス
のとき消去しやすいという性質をもつ。このため、記録
照射条件と消去照射条件のマージンが拡げられる。ま
た、照射パワーとパルス幅の両方を調整してもよい。
【００１６】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。 実施例 グルーブ付きポリカーボネート基板（１３０ｍｍφ）の
上にｒｆマグネトロンスパッタ法にて下記の膜を真空中
で連続的に積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録膜：Ｔｂ0.23Ｆｅ0.77（８００Å） 中間層：Ｓｉ3Ｎ4（１００Å） 補償膜：Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10)0.78（１０００
Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録層の補償温度Ｔcomp1、キュリー温度Ｔｃ1、補助層
の補償温度Ｔcomp2、キュリー温度Ｔｃ2およびＴｐ，Ｔ
ｑ，Ｔｒ，Ｔｓの各値は次の通りであった。 Ｔcomp1＝７０℃ Ｔｃ1＝１３０℃ Ｔcomp2＝５０℃ Ｔｃ2＝２００℃ Ｔｐ≒ ８０℃ Ｔｑ≒１００℃ Ｔｒ≒１１０℃ Ｔｓ≒１７０℃
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。 実施例 グルーブ付きポリカーボネート基板（１３０ｍｍφ）の
上にｒｆマグネトロンスパッタ法にて下記の膜を真空中
で連続的に積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録膜：Ｔｂ0.23Ｆｅ0.77（８００Å） 中間層：Ｓｉ3Ｎ4（１００Å） 補償膜：Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10)0.78（１０００
Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4（１０００Å） 記録層の補償温度Ｔcomp1、キュリー温度Ｔｃ1、補助層
の補償温度Ｔcomp2、キュリー温度Ｔｃ2およびＴｐ，Ｔ
ｑ，Ｔｒ，Ｔｓの各値は次の通りであった。 Ｔcomp1＝７０℃ Ｔｃ1＝１３０℃ Ｔcomp2＝５０℃ Ｔｃ2＝２００℃ Ｔｐ≒ ８０℃ Ｔｑ≒１００℃ Ｔｒ≒１１０℃ Ｔｓ≒１７０℃
【００１７】以上のようにして得た記録媒体を線速１０
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界は印加しないで、記録時、
消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー、パ
ルス幅を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録
／再生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー： ７ｍＷ；パルス幅：１００ｎｓ 消去時のレーザパワー：１２ｍＷ；パルス幅： ５０ｎｓ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上にその結果、同一条件で２ＭＨｚの記録周波数
でオーバーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢ
で良好な値を示した。
ｍ／秒で駆動させ、外部磁界は印加しないで、記録時、
消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー、パ
ルス幅を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録
／再生特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー： ７ｍＷ；パルス幅：１００ｎｓ 消去時のレーザパワー：１２ｍＷ；パルス幅： ５０ｎｓ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上にその結果、同一条件で２ＭＨｚの記録周波数
でオーバーライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４７ｄＢ
で良好な値を示した。
【００１８】
【発明の効果】本発明では、メモリ層に隣接して中間層
を介してメモリ層のキュリー温度付近で磁化が大きくな
る補助層を設けて光磁気記録媒体を構成するとともに、
この光磁気記録媒体を使用して、記録時には、メモリ層
のキュリー温度付近迄メモリ層、補助層とも昇温するよ
うな条件でレーザ照射をして補助層の磁化方向に磁化し
て記録を行ない、消去時には、メモリ層のみ昇温するよ
うな条件でレーザ照射をして、反磁界方向に磁化して消
去を行なう光磁気記録方法を採用したので、単一ビー
ム、バイアス磁界なしでオーバーライトが信頼性良く行
なえる。
を介してメモリ層のキュリー温度付近で磁化が大きくな
る補助層を設けて光磁気記録媒体を構成するとともに、
この光磁気記録媒体を使用して、記録時には、メモリ層
のキュリー温度付近迄メモリ層、補助層とも昇温するよ
うな条件でレーザ照射をして補助層の磁化方向に磁化し
て記録を行ない、消去時には、メモリ層のみ昇温するよ
うな条件でレーザ照射をして、反磁界方向に磁化して消
去を行なう光磁気記録方法を採用したので、単一ビー
ム、バイアス磁界なしでオーバーライトが信頼性良く行
なえる。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体のメモリ層及び補助層
の磁気特性の温度変化を示す図である。
の磁気特性の温度変化を示す図である。
【図３】（ａ）は記録時における磁化状態を示し、
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
１ 支持体
２，６ 保護膜
３ メモリ層
４ 中間層
５ 補助層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 黒沢 美子
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Claims (2)
- 【請求項１】 補償温度が室温以上にある垂直磁気異方
性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温付近で磁化
が小さくて保磁力が大きく、メモリ層のキュリー温度付
近で磁化が大きくなる垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなる補助層と、メモリ層と補助層との間の交換結合力
を調整するために両層間に介在する中間層とを積層した
３層膜からなる記録層を有することを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体を用
い、バイアス磁界を印加しないで、レーザ照射条件のみ
を変化させることによりオーバーライト可能な光磁気記
録を行う方法であって、 記録時にはメモリ層及び補助層が共にメモリ層のキュリ
ー温度付近迄昇温するような条件でレーザ照射を行い、 消去時にはメモリ層のみがそのキュリー温度付近迄昇温
するような条件でレーザ照射を行うことを特徴とする光
磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20144391A JPH0528564A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20144391A JPH0528564A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528564A true JPH0528564A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16441175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20144391A Pending JPH0528564A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528564A (ja) |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP20144391A patent/JPH0528564A/ja active Pending
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