JP3000385B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はオーバーライト可能な光磁気記録方法に関す
る。
る。
近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピュータ用メモリ等への利用が期待されてい
る。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ
以上の性能を持った記録媒体とするためには、いくつか
の技術的課題があり、その中の主要なものの１つに、オ
ーバーライト技術がある。現在提案されているオーバー
ライト技術は、記録の方法により磁界変調方式と光変調
方式（マルチビーム方式、２層膜方式等）に大別され
る。
果を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、
一部では実用化されるに至っている。この光磁気記録媒
体は大容量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容
易さ等の利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可
能という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピュータ用メモリ等への利用が期待されてい
る。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ
以上の性能を持った記録媒体とするためには、いくつか
の技術的課題があり、その中の主要なものの１つに、オ
ーバーライト技術がある。現在提案されているオーバー
ライト技術は、記録の方法により磁界変調方式と光変調
方式（マルチビーム方式、２層膜方式等）に大別され
る。
磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界の極性を反
転させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の
反転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの
磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が困難であ
る。
転させて記録を行う方式である。この方式では、磁界の
反転を高速で行わなくてはならないため、浮上タイプの
磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が困難であ
る。
一方、光変調方式は記録情報に応じて照射レーザビー
ムをオン・オフあるいは強度変調させて記録を行う方式
である。この方式のうちマルチビーム方式は、２〜３個
のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎に反転さ
せてトラック毎に記録／消去を行う擬似オーバーライト
方式であるが、装置構成が複雑化し、コストアップを招
くなどの欠点を有している。また、２層膜方式は光磁気
記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成
しようとするもので、例えば特開昭62−175948号公報等
に開示されている。同公報に記載されている方式は、例
えばTbFeからなるメモリ層とTbFeCoからなる補助層との
２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化
を行った後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビ
ームの照射によりオーバーライトを実現しようとするも
のである。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め
初期化用磁界により補助層の磁化を一方向に備え、高出
力レーザビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞TC2（TC2は
補助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁
界（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化
を反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層
に転写させることにより記録を行い、また、低出力レー
ザビームを照射して媒体温度をTC1＜Ｔ＜TC2（TC1はメ
モリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の
磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を行
う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい、媒体
の保管時等の外部からの磁界の影響を受けやすい等の問
題があった。
ムをオン・オフあるいは強度変調させて記録を行う方式
である。この方式のうちマルチビーム方式は、２〜３個
のレーザビームを用い、磁界の方向を１回転毎に反転さ
せてトラック毎に記録／消去を行う擬似オーバーライト
方式であるが、装置構成が複雑化し、コストアップを招
くなどの欠点を有している。また、２層膜方式は光磁気
記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成
しようとするもので、例えば特開昭62−175948号公報等
に開示されている。同公報に記載されている方式は、例
えばTbFeからなるメモリ層とTbFeCoからなる補助層との
２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化
を行った後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビ
ームの照射によりオーバーライトを実現しようとするも
のである。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め
初期化用磁界により補助層の磁化を一方向に備え、高出
力レーザビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞TC2（TC2は
補助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁
界（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化
を反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層
に転写させることにより記録を行い、また、低出力レー
ザビームを照射して媒体温度をTC1＜Ｔ＜TC2（TC1はメ
モリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助層の
磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を行
う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい、媒体
の保管時等の外部からの磁界の影響を受けやすい等の問
題があった。
本発明は以上のような従来技術の欠点を解消し、信頼
性が高く、媒体構成が簡単な単一レーザビームでオーバ
ーライトできる光磁気記録方法を提供することを目的と
する。
性が高く、媒体構成が簡単な単一レーザビームでオーバ
ーライトできる光磁気記録方法を提供することを目的と
する。
上記目的を達成するため、本発明によれば、本発明に
よれば、上記の光磁気記録媒体を用い、記録時には媒体
温度が補助層のキュリー温度TC2付近迄昇温するような
高いパワーのレーザビームを照射するとともに外部磁界
Hexを印加し、消去時には媒体温度がメモリ層のキュリ
ー温度TC1付近迄昇温するような低いパワーのレーザビ
ームを照射するとともに記録時と同じ外部磁界Hexを印
加し、かつ、補助層の磁化を一方向に揃える初期化を、
記録あるいは消去後の媒体温度降下時のTpc＜Ｔ＜Tc1の
時に初期化用磁界Hiniを用いて行うことを特徴とするオ
ーバーライト可能な光磁気記録方法が提供される。
よれば、上記の光磁気記録媒体を用い、記録時には媒体
温度が補助層のキュリー温度TC2付近迄昇温するような
高いパワーのレーザビームを照射するとともに外部磁界
Hexを印加し、消去時には媒体温度がメモリ層のキュリ
ー温度TC1付近迄昇温するような低いパワーのレーザビ
ームを照射するとともに記録時と同じ外部磁界Hexを印
加し、かつ、補助層の磁化を一方向に揃える初期化を、
記録あるいは消去後の媒体温度降下時のTpc＜Ｔ＜Tc1の
時に初期化用磁界Hiniを用いて行うことを特徴とするオ
ーバーライト可能な光磁気記録方法が提供される。
以下本発明を図面に基づき詳述する。
本発明の方法に用いられる光磁気記録媒体は記録層が
垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室
温で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜とを積層してなる。第
１図にこのような強磁気記録媒体の一構成例を示す。こ
の記録媒体は、ガラス、プラスチック、セラミックスな
どからなる透明支持体１上にSi3N4、SiO、SiO2などから
なる保護膜２（膜厚100Å〜5000Å）を設け、その上に
垂直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚100Å〜5000
Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示し室温より
温度を高くすると磁気相転移を生じて強磁性相を示す反
強磁性膜４（膜厚100Å〜10000Å）を設け、さらにその
上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜５（膜厚100
Å〜5000Å）を設けて構成される。各膜はスパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。強磁性膜３は例えばTb−Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,G
d−Tb−Fe,Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy
−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Coなどの希土類−遷移金属系ア
モルファス膜、あるいはMn−Bi,Mn−Cu−Bi,Coスピルネ
ルフェライト,Baフェライトなどの多結晶膜により構成
することができる。反強磁性膜４は例えばMn2Sb,Mn2-XS
bYX（Ｙ＝Cr,Ti,V等）を用いて構成することができる。
これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は第２図に示す如き
熱磁気特性を有している必要がある。また、強磁性膜３
のキュリー温度をTC1、反強磁性膜４のキュリー温度をT
C2とするとTC1＜TC2という関係を満足する必要がある。
垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室
温で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相転移を
生じて強磁性相を示す反強磁性膜とを積層してなる。第
１図にこのような強磁気記録媒体の一構成例を示す。こ
の記録媒体は、ガラス、プラスチック、セラミックスな
どからなる透明支持体１上にSi3N4、SiO、SiO2などから
なる保護膜２（膜厚100Å〜5000Å）を設け、その上に
垂直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚100Å〜5000
Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示し室温より
温度を高くすると磁気相転移を生じて強磁性相を示す反
強磁性膜４（膜厚100Å〜10000Å）を設け、さらにその
上にSi3N4、SiO、SiO2などからなる保護膜５（膜厚100
Å〜5000Å）を設けて構成される。各膜はスパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。強磁性膜３は例えばTb−Fe,Gd−Fe,Dy−Fe,G
d−Tb−Fe,Tb−Fe−Co,Gd−Fe−Co,Dy−Fe−Co,Tb−Dy
−Fe−Co,Gd−Tb−Fe−Coなどの希土類−遷移金属系ア
モルファス膜、あるいはMn−Bi,Mn−Cu−Bi,Coスピルネ
ルフェライト,Baフェライトなどの多結晶膜により構成
することができる。反強磁性膜４は例えばMn2Sb,Mn2-XS
bYX（Ｙ＝Cr,Ti,V等）を用いて構成することができる。
これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は第２図に示す如き
熱磁気特性を有している必要がある。また、強磁性膜３
のキュリー温度をTC1、反強磁性膜４のキュリー温度をT
C2とするとTC1＜TC2という関係を満足する必要がある。
次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気記録方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
記録は、高いパワーのレーザビームを記録すべき部分
に照射して媒体温度を反強磁性膜４のキュリー温度TC2
付近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して行う。
当該記録すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態におい
て強磁性膜３が上向き（または下向き）で反強磁性膜４
が見かけ上ゼロであったものが、高いパワーのレーザビ
ーム照射によりTC2付近迄昇温するため強磁性膜３では
磁化が消失し、反強磁性膜４では上向きの大きさが小さ
い磁化となる。そしてこの時、外部磁界Hexが下向きに
印加されていることからその磁化は反転され、下向きと
なり、この下向きの磁化は、冷却の過程でTC1付近にな
ったとき強磁性膜３の方へ転写され、そのまま保持され
る。このとき反強磁性膜４の磁化は室温に戻ると反強磁
性相になるため見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチ
フェロ的な結合が存在しているため、外部から大きな磁
界が加わっても反転することはなく安定であり、また室
温においては反強磁性膜４の磁化が強磁性膜３の磁化に
影響を与えることがないので、信頼性が向上する。な
お、第３図（ａ）には記録後の降温時における磁化状態
が示してある。
に照射して媒体温度を反強磁性膜４のキュリー温度TC2
付近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して行う。
当該記録すべき部分の磁化は通常の媒体駆動状態におい
て強磁性膜３が上向き（または下向き）で反強磁性膜４
が見かけ上ゼロであったものが、高いパワーのレーザビ
ーム照射によりTC2付近迄昇温するため強磁性膜３では
磁化が消失し、反強磁性膜４では上向きの大きさが小さ
い磁化となる。そしてこの時、外部磁界Hexが下向きに
印加されていることからその磁化は反転され、下向きと
なり、この下向きの磁化は、冷却の過程でTC1付近にな
ったとき強磁性膜３の方へ転写され、そのまま保持され
る。このとき反強磁性膜４の磁化は室温に戻ると反強磁
性相になるため見かけ上の磁化はゼロとなるが、アンチ
フェロ的な結合が存在しているため、外部から大きな磁
界が加わっても反転することはなく安定であり、また室
温においては反強磁性膜４の磁化が強磁性膜３の磁化に
影響を与えることがないので、信頼性が向上する。な
お、第３図（ａ）には記録後の降温時における磁化状態
が示してある。
消去は、低いパワーのレーザビームを消去すべき部分
に照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー温度TC1付
近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して行う（第
３図（ｂ））。媒体温度がTC1付近になるとあらかじめ
初期化されて上向きになっている反強磁性膜４の磁化の
大きさは下向きになっている強磁性膜３の磁化の大きさ
より大きくなる（反強磁性膜４の保磁力HC2の大きさは
外部磁界Hexの大きさより大）ため、反強磁性膜４の磁
化が強磁性膜４に転写され、強磁性膜３の磁化が上向き
となり、消去がなされる。
に照射して媒体温度を強磁性膜３のキュリー温度TC1付
近迄上げるとともに、外部磁界Hexを印加して行う（第
３図（ｂ））。媒体温度がTC1付近になるとあらかじめ
初期化されて上向きになっている反強磁性膜４の磁化の
大きさは下向きになっている強磁性膜３の磁化の大きさ
より大きくなる（反強磁性膜４の保磁力HC2の大きさは
外部磁界Hexの大きさより大）ため、反強磁性膜４の磁
化が強磁性膜４に転写され、強磁性膜３の磁化が上向き
となり、消去がなされる。
反強磁性膜４の磁化の初期化は、記録／消去後の媒体
温度降下時に、すなわち媒体温度がTC1以下（相転移温
度Tpcよりは上）の時に、第３図（ａ）に示すように、
初期化用磁界Hini（印加方向は外部磁界Hexとは反対の
方向）を用いて反強磁性膜４の磁化を上向きに揃えるこ
とにより行う。
温度降下時に、すなわち媒体温度がTC1以下（相転移温
度Tpcよりは上）の時に、第３図（ａ）に示すように、
初期化用磁界Hini（印加方向は外部磁界Hexとは反対の
方向）を用いて反強磁性膜４の磁化を上向きに揃えるこ
とにより行う。
また、再生は媒体温度がTC1以下となるパワーレベル
のレーザビームを照射することにより行われる。
のレーザビームを照射することにより行われる。
次に本発明に用いられる別のタイプの光磁気記録媒体
について説明する。この光磁気記録媒体は、記録層が垂
直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温
で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相転移を生
じて強磁性相を示す反強磁性膜と、その間に両層の交換
結合力を調整する中間層を設けてなる。第４図にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、第１図と同様の透明支持体１上に保護膜２を設け、
その上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３を設け、その
上に強磁性膜３と反強磁性膜４との間の交換結合力を調
整するための中間層６を設け、その上に室温で反強磁性
相を示し室温より温度を高くすると磁気相転移を生じて
強磁性相を示す反強磁性膜４を設け、さらにその上に保
護膜５を設けて構成される。中間層６以外の各膜は第１
図のものと同様に構成することができる。中間層６は強
磁性膜３及び反強磁性膜４との間の交換結合力を調整す
るために設けられるもので、その材料としては、これら
磁性膜3,4を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁
気異方性をもつ磁性材料が好ましい。具体的には、この
ような材料としては、Si,Al,Ag,Au,Cu,Fe,Co,Ni,Cr,Si
−N,Al−N,Fe−Ｎ等を挙げることができる。中間層６の
膜厚は、薄すぎると両磁性層3,4間に作用する交換結合
力が大きくなって大きな初期化用磁界Hiniが必要となる
ので好ましくなく、厚すぎると両磁性層3,4間の交換結
合力が小さくなりすぎ記録、消去に支障をきたすので、
数Å〜100Å程度が適当である。
について説明する。この光磁気記録媒体は、記録層が垂
直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温
で反強磁性相を示し室温より高い温度で磁気相転移を生
じて強磁性相を示す反強磁性膜と、その間に両層の交換
結合力を調整する中間層を設けてなる。第４図にこのよ
うな光磁気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体
は、第１図と同様の透明支持体１上に保護膜２を設け、
その上に垂直磁気異方性を示す強磁性膜３を設け、その
上に強磁性膜３と反強磁性膜４との間の交換結合力を調
整するための中間層６を設け、その上に室温で反強磁性
相を示し室温より温度を高くすると磁気相転移を生じて
強磁性相を示す反強磁性膜４を設け、さらにその上に保
護膜５を設けて構成される。中間層６以外の各膜は第１
図のものと同様に構成することができる。中間層６は強
磁性膜３及び反強磁性膜４との間の交換結合力を調整す
るために設けられるもので、その材料としては、これら
磁性膜3,4を劣化させないもので、非磁性材料か面内磁
気異方性をもつ磁性材料が好ましい。具体的には、この
ような材料としては、Si,Al,Ag,Au,Cu,Fe,Co,Ni,Cr,Si
−N,Al−N,Fe−Ｎ等を挙げることができる。中間層６の
膜厚は、薄すぎると両磁性層3,4間に作用する交換結合
力が大きくなって大きな初期化用磁界Hiniが必要となる
ので好ましくなく、厚すぎると両磁性層3,4間の交換結
合力が小さくなりすぎ記録、消去に支障をきたすので、
数Å〜100Å程度が適当である。
この光磁気記録媒体の記録、消去、再生及び初期化の
各動作は第１図の記録媒体と同様にして行われる（第５
図に第３図に相当する動作説明図を示す）。
各動作は第１図の記録媒体と同様にして行われる（第５
図に第３図に相当する動作説明図を示す）。
なお、この光磁気記録媒体では初期化温度Tiniで初期
化するときには、強磁性膜（メモリ層）３と反強磁性膜
（補助層）４の磁気特性が次のような条件を満たしてい
る必要があり、その条件を満足するように中間層６の膜
厚を制御する。
化するときには、強磁性膜（メモリ層）３と反強磁性膜
（補助層）４の磁気特性が次のような条件を満たしてい
る必要があり、その条件を満足するように中間層６の膜
厚を制御する。
ここで、HC1は強磁性膜３の保磁力、HC2は反強磁性膜
４の保磁力、δｗは両膜3,4間の磁壁エネルギー、Msは
反強磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはいずれもTini
での値であり、ｈは反強磁性膜４の膜厚である。
４の保磁力、δｗは両膜3,4間の磁壁エネルギー、Msは
反強磁性膜４の飽和磁化を示し、これらはいずれもTini
での値であり、ｈは反強磁性膜４の膜厚である。
また、再生は媒体温度がTC1以下となるパワーレベル
のレーザビームを照射することにより行われる。
のレーザビームを照射することにより行われる。
以上、本発明の光磁気記録媒体の構成例を説明してき
たが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく種
々の変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反
射膜を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良
い。
たが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく種
々の変形、変更が可能であり、例えば保護膜５の上に反
射膜を設けても良いし、保護膜2,5を適当に除いても良
い。
次に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はここに例示の実施例に限定されるものではない。
発明はここに例示の実施例に限定されるものではない。
（実施例１） グループ付きポリカーボネート基板（直径130mm）の
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、第１図の構成の記録媒体を得た。
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、第１図の構成の記録媒体を得た。
保護膜:Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜:Tb0.21（Fe0.92Co0.08）0.79膜（800Å） 反強磁性膜:Mn1.6SbCr0.4膜（1000Å） 保護膜:Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜のキュリー温度TC1及び反強磁性膜のキュリ
ー温度TC2は次の通りであった。
ー温度TC2は次の通りであった。
TC1＝160℃ TC2＝240℃ また、反強磁性膜の反強磁性相から強磁性相へ磁性相
転移する温度は50℃であった。
転移する温度は50℃であった。
以上のようにして得た記録媒体を線速10m/秒で駆動さ
せ、初期化用磁界Hini＝2KOe、外部磁界Hex＝400Oe（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
せ、初期化用磁界Hini＝2KOe、外部磁界Hex＝400Oe（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
記録時のレーザパワー:7.5mW 消去時のレーザパワー:5.5mW 再生時のレーザパワー:2mW その結果、C/N比は47dBであった。さらに、該記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライトを
実施したところ、C/N比46dBで良好な値を示した。
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライトを
実施したところ、C/N比46dBで良好な値を示した。
（実施例２） グルーブ付きポリカーボネート基板（直径130mm）の
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、第４図の構成の記録媒体を得た。
上にrf2元マグネトロンスパッタ法により下記の膜を真
空中で順次積層し、第４図の構成の記録媒体を得た。
保護膜:Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜:Tb0.21（Fe0.92Co0.08）0.79膜（600Å） 中間膜:Si3N4（10Å） 反強磁性膜:Mn1.6SbCr0.4膜（1500Å） 保護膜:Si3N4膜（1000Å） 強磁性膜のキュリー温度TC1、反強磁性膜のキュリー
温度TC2及び反強磁性膜の磁気相転移温度Tpcは次の通り
であった。
温度TC2及び反強磁性膜の磁気相転移温度Tpcは次の通り
であった。
TC1＝160℃ TC2＝240℃ Tpc＝50℃ 以上のようにして得た記録媒体を線速10m/秒で駆動さ
せ、初期化用磁界Hini＝2KOe、外部磁界Hex＝400Oe（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
せ、初期化用磁界Hini＝2KOe、外部磁界Hex＝400Oe（記
録時と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記
録時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワ
ーを変化させて1MHzの信号を記録再生し、記録／再生特
性の評価を行った。
記録時のレーザパワー:8mW 消去時のレーザパワー:5mW 再生時のレーザパワー:1mW その結果、C/N比は47dBであった。さらに、該記録媒
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライトを
実施したところ、C/N比46dBで良好な値を示した。
体上に同一条件で2MHzの記録周波数でオーバーライトを
実施したところ、C/N比46dBで良好な値を示した。
本発明によれば、前記構成としたことにより、保存安
定性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバー
ライトのできる光磁気記録方法を提供できる。
定性に優れ、信頼性が高く、媒体設計の容易なオーバー
ライトのできる光磁気記録方法を提供できる。
また、メモリ層と補助層との間に中間層を設けると、
メモリ層と補助層との間に作用する交換結合力が適当に
調整されるため初期化用磁界Hiniを小さくすることがで
き、媒体設計をより容易に行えるようになる。
メモリ層と補助層との間に作用する交換結合力が適当に
調整されるため初期化用磁界Hiniを小さくすることがで
き、媒体設計をより容易に行えるようになる。
第１図は本発明に用いられる光磁気記録媒体の層構成を
示す断面図、第２図は本発明に用いられる光磁気記録媒
体の強磁性膜及び反強磁性膜の飽和磁化Msの温度特性を
示す図、第３図は第１図の記録媒体の初期化時、記録時
及び消去時における磁化状態を示す図、第４図は本発明
に用いられる別のタイプの光磁気記録媒体の層構成を示
す断面図、第５図は第４図の記録媒体の初期化時、記録
時及び消去時における磁化状態を示す図である。 １……支持体 2,5……保護膜 ３……強磁性膜（メモリ層） ４……反強磁性膜（補助層） ６……中間層
示す断面図、第２図は本発明に用いられる光磁気記録媒
体の強磁性膜及び反強磁性膜の飽和磁化Msの温度特性を
示す図、第３図は第１図の記録媒体の初期化時、記録時
及び消去時における磁化状態を示す図、第４図は本発明
に用いられる別のタイプの光磁気記録媒体の層構成を示
す断面図、第５図は第４図の記録媒体の初期化時、記録
時及び消去時における磁化状態を示す図である。 １……支持体 2,5……保護膜 ３……強磁性膜（メモリ層） ４……反強磁性膜（補助層） ６……中間層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−179435（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−244441（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−260933（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/10 506 G11B 11/10 586
Claims (1)
- 【請求項１】垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなるメ
モリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高い温度Tp
cで磁気相転移を生じて強磁性層を示す反強磁性膜から
なる補助層とを積層した２層膜からなり、かつ、メモリ
層のキュリー温度をTc1、補助層のキュリー温度をTcと
した時にTpc＜Tc1＜Tc2なる関係を満足する光磁気記録
媒体を用い、記録時には媒体温度が補助層のキュリー温
度Tc2付近迄昇温するような高いパワーのレーザビーム
を照射するとともに外部磁界Hexを印加し、消去時には
媒体温度がメモリ層のキュリー温度Tc1付近迄昇温する
ような低いパワーのレーザビームを照射するとともに記
録時と同じ外部磁界Hexを印加し、かつ、補助層の磁化
を一方向に揃える初期化を、記録あるいは消去後の媒体
温度降下時のTpc＜Ｔ＜Tc1の時に初期化用磁界Hiniを用
いて行うことを特徴とするオーバーライト可能な光磁気
記録方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5938390 | 1990-03-09 | ||
| JP2-59383 | 1990-03-09 | ||
| JP7408590 | 1990-03-24 | ||
| JP2-74085 | 1990-03-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181534A JPH04181534A (ja) | 1992-06-29 |
| JP3000385B2 true JP3000385B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=
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