JPH06162589A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH06162589A JPH06162589A JP43A JP33241392A JPH06162589A JP H06162589 A JPH06162589 A JP H06162589A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 33241392 A JP33241392 A JP 33241392A JP H06162589 A JPH06162589 A JP H06162589A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【目的】 初期化磁界の印加なしに信頼性良くオーバー
ライトできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に保護層２を介して、第１磁性層３
及び第２磁性層４を設け、更にその上に保護層５を設け
た層構成とする。第１磁性層３及び第２磁性層４は、第
１磁性層３のキュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保
磁力をＨc1、膜厚をｔ1、第２磁性層４の補償温度Ｔcom
p2、キュリー温度をＴc2、保磁力をＨc2、室温をＴroom
としたとき、下記の条件を満足するように磁性材料を選
定する。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2 Ｈc1＞σw／２Ｍs1ｔ1
ライトできる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に保護層２を介して、第１磁性層３
及び第２磁性層４を設け、更にその上に保護層５を設け
た層構成とする。第１磁性層３及び第２磁性層４は、第
１磁性層３のキュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保
磁力をＨc1、膜厚をｔ1、第２磁性層４の補償温度Ｔcom
p2、キュリー温度をＴc2、保磁力をＨc2、室温をＴroom
としたとき、下記の条件を満足するように磁性材料を選
定する。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2 Ｈc1＞σw／２Ｍs1ｔ1
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は初期化磁界を用いないで
オーバーライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法に関する。
オーバーライトを可能とする光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という点で
文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コンピュ
ータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気記録
媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能を持
った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課題が
あり、その中の主要なものの１つに、オーバーライト技
術がある。現在提案されているオーバーライト技術は、
記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マルチビ
ーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、初期化用磁石が必要になるなどの問題があっ
た。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行う方式である。この方式のうちマルチビーム方式
は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方向を１回
転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行う擬似オ
ーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化し、コス
トアップを招くなどの欠点を有している。また、２層膜
方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜とし、オーバー
ライトを達成しようとするもので、例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報等に開示されている。同公報に記載
されている方式は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層と
ＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の記録層を備え
た光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界
の印加とパワーの異なるレーザビームの照射によりオー
バーライトを実現しようとするものである。すなわち、
この方式では、記録に先立ち予め初期化用磁界により補
助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザビームを照射
して媒体温度ＴをＴ＞Ｔc2（Ｔc2は補助層のキュリー温
度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界（初期化用磁界と
反対方向）を印加して補助層の磁化を反転させ、媒体が
冷却される際にその磁化をメモリ層に転写させることに
より記録を行い、また、低出力レーザビームを照射して
媒体温度をＴc1＜Ｔ＜Ｔc2（Ｔc1はメモリ層のキュリー
温度）なる温度迄昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ
層に転写させることにより消去を行う。そのためこの方
式では、初期化用磁石が必要になるなどの問題があっ
た。
【０００５】本発明は上記従来技術の実状に鑑みてなさ
れたものであって、初期化磁界を印加しないで信頼性良
くオーバーライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体
及び光磁気記録方法を提供することを目的とする。
れたものであって、初期化磁界を印加しないで信頼性良
くオーバーライトでき、再生特性が良い光磁気記録媒体
及び光磁気記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層と第２磁性層とを積層してなり、第１磁性層のキ
ュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、膜
厚をｔ1 、第２磁性層の補償温度をＴcomp2 、キュリー
温度をＴc2、保磁力をＨc2、室温をＴroom、第１磁性層
及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσwとしたと
きに下記の条件を満足することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2 Ｈc1＞σw／２Ｍs1ｔ1
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す第１
磁性層と第２磁性層とを積層してなり、第１磁性層のキ
ュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、膜
厚をｔ1 、第２磁性層の補償温度をＴcomp2 、キュリー
温度をＴc2、保磁力をＨc2、室温をＴroom、第１磁性層
及び第２磁性層間の界面磁壁エネルギーをσwとしたと
きに下記の条件を満足することを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2 Ｈc1＞σw／２Ｍs1ｔ1
【０００７】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層と第２磁性層との間に両層間の交換結合
力を調整するための中間層を設けたことを特徴とする光
磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性層と第２磁性層との間に両層間の交換結合
力を調整するための中間層を設けたことを特徴とする光
磁気記録媒体が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下記一般式化
１で表わされるアモルファス磁性膜から成ることを特徴
とする光磁気記録媒体が提供される。
【化１】 （但し、ＲＥ１はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【０００９】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
て、第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁性層より保
磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気異方性を示
す下記一般式化２で表わされるアモルファス磁性膜から
成る再生層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００１０】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第２磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
て、第２磁性層の光入射側とは反対側の面に隣接して熱
伝導層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
【００１１】さらに、本発明によれば、上記のいずれか
の光磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔ
c1付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて
記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
の光磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔ
c1付近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて
記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
【００１２】以下本発明を図面に基づき詳述する。図１
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上に垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性
膜から成る第１磁性層３及び垂直磁気異方性を示すアモ
ルファス磁性膜から成る第２磁性層層４をその順に設
け、さらにその上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）５を
設けた構成を有する。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオ
ンプレーティング法等により形成することができる。
に本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す。この
構成例は、ガラス、プラスチック、セラミックなどから
成る透明基板１上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）２を
設け、その上に垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性
膜から成る第１磁性層３及び垂直磁気異方性を示すアモ
ルファス磁性膜から成る第２磁性層層４をその順に設
け、さらにその上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ
Ｎなどから成る保護層（膜厚１００〜５０００Å）５を
設けた構成を有する。各膜はスパッタ法、蒸着法、イオ
ンプレーティング法等により形成することができる。
【００１３】第１磁性層３の構成材料としては下記式化
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
１で示される希土類−遷移金属系アモルファス合金が好
ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ1はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ2は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ2は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１４】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなどで上記条件を満足する
もの、及びこれらにＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも１種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。特に、軽希土類金属元素を含
む組成の材料を用いた場合、短波長域の光源を用いて再
生したときの再生特性の低下が小さいという利点があ
る。第１磁性層３の膜厚ｔ1は１００〜２０００Åが適
当である。
【００１５】第２磁性層４の構成材料としては、第１磁
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
性層３と同様、下記一般式化１で表される希土類−遷移
金属系アモルファス合金が好ましく使用される。
【化１】 （ただし、ＲＥ1はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ2は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
うちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ2は
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なく
とも１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ｘ≦
０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦０．５である）
【００１６】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｔｂ−Ｓｍ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｅｕ−Ｆｅ−Ｃｏ
など、及びこれらにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及び
Ｅｕのうちの少なくとも一種類の軽希土類金属元素を添
加したものが使用される。この場合も、特に、軽希土類
金属元素を含む組成の材料を用いた場合、短波長域の光
源を用いて再生したときの再生特性の低下が小さいとい
う利点がある。第２磁性層４の膜厚ｔ2は１００〜３０
００Åが適当である。
【００１７】ここで第１磁性層３と第２磁性層４は、第
１磁性層３のキュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保
磁力をＨc1、膜厚をt1、補償温度をＴcomp1、第２磁性
層４のキュリー温度をＴc2、飽和磁化をＭs2、保磁力を
Ｈc2、膜厚をt2、補償温度をＴcomp2、室温をＴroom、
第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面磁壁エネルギー
をσwとしたとき下記の条件を満たしていなければなら
ない。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2 …（２） Ｈc1＞σw／２Ｍs1t1 …（３）
１磁性層３のキュリー温度をＴc1、飽和磁化をＭs1、保
磁力をＨc1、膜厚をt1、補償温度をＴcomp1、第２磁性
層４のキュリー温度をＴc2、飽和磁化をＭs2、保磁力を
Ｈc2、膜厚をt2、補償温度をＴcomp2、室温をＴroom、
第１磁性層３及び第２磁性層４間の界面磁壁エネルギー
をσwとしたとき下記の条件を満たしていなければなら
ない。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 …（１） Ｈc1＞Ｈc2 …（２） Ｈc1＞σw／２Ｍs1t1 …（３）
【００１８】先ず、上記（１）の条件について説明する
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、記録バイアス磁界のみで記録と消
去を行うため、Ｔcomp2はＴc1より大きく、Ｔc2より小
さくなければならない。Ｔc1は８０〜２４０℃が適当で
あり、Ｔc2は１４０〜３００℃が適当である。
と、第２磁性層４の磁化を第１磁性層３へ磁化転写し
て、第１磁性層３に磁化をメモリさせるため、Ｔc2はＴ
c1より大きく、当然Ｔc1とＴc2はＴroomより大きくなけ
ればならない。また、記録バイアス磁界のみで記録と消
去を行うため、Ｔcomp2はＴc1より大きく、Ｔc2より小
さくなければならない。Ｔc1は８０〜２４０℃が適当で
あり、Ｔc2は１４０〜３００℃が適当である。
【００１９】次に、上記（２）及び（３）の条件につい
て説明すると、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化
がバイアス磁界や外部磁界により磁化反転させられるこ
とになるため、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。またＨ
c1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化が交換結合力に
より第２磁性層４の磁化方向を向かないように（３）式
を満たしていなければならない。Ｈc1は４〜１５ＫＯe
が適当であり、Ｈc2は０．２〜３ＫＯeが適当である。
Ｍs1は１０〜１５０ｅｍｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は
１００〜２５０ｅｍｕ／ｃｃが適当である。
て説明すると、Ｈc1≦Ｈc2になると第１磁性層３の磁化
がバイアス磁界や外部磁界により磁化反転させられるこ
とになるため、Ｈc1＞Ｈc2でなければならない。またＨ
c1は室温Ｔroomでの第１磁性層３の磁化が交換結合力に
より第２磁性層４の磁化方向を向かないように（３）式
を満たしていなければならない。Ｈc1は４〜１５ＫＯe
が適当であり、Ｈc2は０．２〜３ＫＯeが適当である。
Ｍs1は１０〜１５０ｅｍｕ／ｃｃが適当であり、Ｍs2は
１００〜２５０ｅｍｕ／ｃｃが適当である。
【００２０】上記の（１）〜（３）の条件を満足するも
のは、記録バイアス磁界のみを用いて第２磁性層４の磁
化方向をレーザ照射温度により変えることができ、その
磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転写できる
ため、初期化磁界なしにオーバーライトを行うことが可
能となる。
のは、記録バイアス磁界のみを用いて第２磁性層４の磁
化方向をレーザ照射温度により変えることができ、その
磁化を第１磁性層３に交換結合力により磁化転写できる
ため、初期化磁界なしにオーバーライトを行うことが可
能となる。
【００２１】上記構成例では記録層を二層構造とした
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力をコントロールする
目的で、両層間に中間層６を設けてもよい。中間層６の
材料としては、第１磁性層３及び第２磁性層４を劣化さ
せないもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁
性材料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属
系アモルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−
Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。
中間層６の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層６は、スパッタ法、蒸着
法、イオンプレーティング法等により形成することがで
きる。
が、本発明によれば、図２に示すように、第１磁性層３
と第２磁性層４との間の交換結合力をコントロールする
目的で、両層間に中間層６を設けてもよい。中間層６の
材料としては、第１磁性層３及び第２磁性層４を劣化さ
せないもので、非磁性材料の垂直磁気異方性の小さい磁
性材料が好ましい。具体的には、希土類金属−遷移金属
系アモルファス磁性膜はもちろんのこと、Ｓｉ，Ａｌ，
Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ−
Ｎ，Ａｌ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等を挙げることができる。
中間層６の膜厚は薄すぎると交換結合力の調整効果は得
られず、厚すぎると両磁性層間の交換結合力が小さくな
りすぎ記録及び消去に支障をきたすので、数Å〜５００
Å程度が適当である。中間層６は、スパッタ法、蒸着
法、イオンプレーティング法等により形成することがで
きる。
【００２２】また、本発明の光磁気記録媒体では、図３
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層７を設けることができる。
に示すように、第１磁性層３の光入射側に隣接して、第
１磁性層３より保磁力Ｈcが小さく、キュリー温度Ｔcが
大きい垂直磁気異方性を示すアモルファス磁性膜から成
る再生層７を設けることができる。
【００２３】再生層７の材料としては、下記一般式化２
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
で表わされる磁気光学効果の大きい希土類−遷移金属系
アモルファス合金が好ましく使用される。
【００２４】
【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、０．１５≦ａ≦
０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦０．５である）
【００２５】具体的には、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層７は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層７は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層７の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層７の保磁力Ｈc3は小さく、Ｈc3＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈc3は０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層７の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層７のキュリー温度Ｔc
3は、Ｔc3＞Ｔc1という条件を満足してないといけな
い。Ｔc3は１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生
層７に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁
気光学効果を利用して読出す。このとき、再生層７は磁
気光学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層７
の膜厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なっ
ているため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利
用することができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再
生特性を向上させることができる。
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏなど、及びこれらにＣｅ、
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくとも１
種類の軽希土類元素を添加したものが使用される。再生
層の膜厚は、光を透過することができる位に薄くする必
要があり、６００Å以下が最適である。再生層７は、ス
パッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により形
成することができる。再生層７は、再生特性を向上させ
る役目をもつ。この場合、再生層７の磁化は、第１磁性
層３の磁化情報を転写した状態になっていないといけな
いため、再生層７の保磁力Ｈc3は小さく、Ｈc3＜Ｈc1と
いう条件を満足してないといけない。Ｈc3は０．１〜２
ＫＯeであるのが好ましい。また、第１磁性層３の磁化
情報がなくなる前に再生層７の磁化情報がなくなると読
取りエラーになるため、再生層７のキュリー温度Ｔc
3は、Ｔc3＞Ｔc1という条件を満足してないといけな
い。Ｔc3は１２０〜３００℃であるのが好ましい。再生
層７に転写された磁化情報は、再生レーザ光を用いて磁
気光学効果を利用して読出す。このとき、再生層７は磁
気光学効果の大きい材料から成っているうえ、再生層７
の膜厚は光が透過できる位に薄く（６００Å以下）なっ
ているため、カー効果だけでなく、ファラデー効果を利
用することができ、磁気光学効果がエンハンスされ、再
生特性を向上させることができる。
【００２６】また、本発明の光磁気記録媒体では、図４
に示すように、第２磁性層４の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層８を設けることができる。この熱伝
導層８は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁区形
状を均一なものにして再生特性を向上させる役目をも
つ。熱伝導層８の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層８
の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。このような構成にすると、記録の際、熱伝導
層８がヒートシンク層としての役割を果たし、各磁性層
の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録磁区の
前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区の長さ
が実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の不具合
点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性が改良
される。また、熱の横への拡がりがないため微小な磁区
の記録も可能になり、高密度記録にも適するものとな
る。
に示すように、第２磁性層４の光入射側とは反対の面に
隣接して、熱伝導層８を設けることができる。この熱伝
導層８は熱の横方向への拡がりを少なくし、記録磁区形
状を均一なものにして再生特性を向上させる役目をも
つ。熱伝導層８の材料としてはＡｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，ＳｉＣ，ＡｌＮ等があげられる。熱伝導層８
の膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、スパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等により形成すること
ができる。このような構成にすると、記録の際、熱伝導
層８がヒートシンク層としての役割を果たし、各磁性層
の膜温度の横方向への拡がりが少なくなり、記録磁区の
前縁の形状と後縁の形状が異なるとか、記録磁区の長さ
が実際の記録パターンより長く伸びてしまう等の不具合
点がなくなり、均一な磁区形状になり、再生特性が改良
される。また、熱の横への拡がりがないため微小な磁区
の記録も可能になり、高密度記録にも適するものとな
る。
【００２７】なお、本発明で用いる光磁気記録媒体の層
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
構成は図１〜図４に示すものに限定されるものでなく種
々の変形、変更が可能である。
【００２８】次に本発明の光磁気記録方法について説明
する。本発明の方法では、Ｔc1付近迄温度上昇する過程
で下記条件を満足するバイアス磁界Ｈbを付与し、初期
化磁界を印加しないで、照射レーザのパワー変化のみで
記録及び消去を行う。 Ｈc1±σw／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc2＋σw／２Ｍs2ｔ2 （４） また、このバイアス磁界ＨbはＴc1付近迄昇温させる過
程で第２磁性層４を初期化するためにも使用される。
する。本発明の方法では、Ｔc1付近迄温度上昇する過程
で下記条件を満足するバイアス磁界Ｈbを付与し、初期
化磁界を印加しないで、照射レーザのパワー変化のみで
記録及び消去を行う。 Ｈc1±σw／２Ｍs1ｔ1＞Ｈb＞Ｈc2＋σw／２Ｍs2ｔ2 （４） また、このバイアス磁界ＨbはＴc1付近迄昇温させる過
程で第２磁性層４を初期化するためにも使用される。
【００２９】図５は本発明の方法による記録及び消去を
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、低いレーザパワー（ＰL）を照射し、膜温度Ｔ
をＴc1付近（Ｔc1−２０≦Ｔ≦Ｔc1＋２０［℃］）迄上
げて行う。レーザ照射を行う前は第１磁性層３では前に
記録された方向に磁化は向いており、第２磁性層４では
第１磁性層３の磁化による交換結合力によりエネルギー
的に安定な方向に磁化が向いている。そこへレーザ照射
を行うと、第２磁性層４の磁化は昇温過程でバイアス磁
界Ｈb方向に向き、Ｔc1付近でＨc2は非常に大きくなる
ので、凍結される。そのとき第１磁性層３の磁化は徐々
に小さくなり、Ｔc1でゼロになる。そのあとレーザ照射
が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層４の磁化が
交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写され、室温に
ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きいため、凍
結される。逆に第２磁性層４はＨc2が小さいので、室温
Ｔroom付近では第１磁性層３の磁化との交換結合力によ
りエネルギー的に安定な方向に磁化が向く。以上のよう
にして消去がなされる。
説明するための図である。本発明において消去を行うと
きには、低いレーザパワー（ＰL）を照射し、膜温度Ｔ
をＴc1付近（Ｔc1−２０≦Ｔ≦Ｔc1＋２０［℃］）迄上
げて行う。レーザ照射を行う前は第１磁性層３では前に
記録された方向に磁化は向いており、第２磁性層４では
第１磁性層３の磁化による交換結合力によりエネルギー
的に安定な方向に磁化が向いている。そこへレーザ照射
を行うと、第２磁性層４の磁化は昇温過程でバイアス磁
界Ｈb方向に向き、Ｔc1付近でＨc2は非常に大きくなる
ので、凍結される。そのとき第１磁性層３の磁化は徐々
に小さくなり、Ｔc1でゼロになる。そのあとレーザ照射
が終り、膜温度が降下する際に、第２磁性層４の磁化が
交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写され、室温に
ＴroomにもどったときにはＨc1は非常に大きいため、凍
結される。逆に第２磁性層４はＨc2が小さいので、室温
Ｔroom付近では第１磁性層３の磁化との交換結合力によ
りエネルギー的に安定な方向に磁化が向く。以上のよう
にして消去がなされる。
【００３０】本発明において記録を行うときには、高い
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−２０≦Ｔ≦Ｔc2＋２０［℃］）迄上げて行う。
膜温度をＴc2付近まで上げると第１磁性層の磁化はゼロ
になり、第２磁性層４の磁化もゼロに近づく。このため
第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈb方向に磁化反転（記
録）され、冷却過程で凍結される。温度降下してＴcomp
2を通る際に、副格子磁化がＴＭドミナントからＲＥド
ミナントに変化するため、全体の磁化は再び反転する。
そして、さらに温度降下してＴc1付近を通るときに、交
換結合力により第２磁性層４から第１磁性層３へ磁化転
写され、室温Ｔroomで第１磁性層３の磁化は凍結され
る。第２磁性層４の磁化は、室温Ｔroom付近で、第１磁
性層３の磁化との交換結合力によりエネルギー的に安定
な方向に向く。以上のようにして記録がなされる。
レーザパワー（ＰH）を照射し、膜温度ＴをＴc2付近
（Ｔc2−２０≦Ｔ≦Ｔc2＋２０［℃］）迄上げて行う。
膜温度をＴc2付近まで上げると第１磁性層の磁化はゼロ
になり、第２磁性層４の磁化もゼロに近づく。このため
第２磁性層４は、バイアス磁界Ｈb方向に磁化反転（記
録）され、冷却過程で凍結される。温度降下してＴcomp
2を通る際に、副格子磁化がＴＭドミナントからＲＥド
ミナントに変化するため、全体の磁化は再び反転する。
そして、さらに温度降下してＴc1付近を通るときに、交
換結合力により第２磁性層４から第１磁性層３へ磁化転
写され、室温Ｔroomで第１磁性層３の磁化は凍結され
る。第２磁性層４の磁化は、室温Ｔroom付近で、第１磁
性層３の磁化との交換結合力によりエネルギー的に安定
な方向に向く。以上のようにして記録がなされる。
【００３１】このように本発明の光磁気記録方法では、
初期化磁界を印加しないで記録及び消去が行え、かつ室
温Ｔroomでは磁性層３，４間に界面磁壁が存在する状態
にはならないので、記録磁区の安定性に優れている。
初期化磁界を印加しないで記録及び消去が行え、かつ室
温Ｔroomでは磁性層３，４間に界面磁壁が存在する状態
にはならないので、記録磁区の安定性に優れている。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではな
い。
【００３３】実施例１及び比較例 グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し、光磁気記録媒体を作製した。 −比較例の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.19(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.81 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） −実施例１の層構成− 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００３４】比較例の媒体の磁気特性を表１に、実施例
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
１の磁気特性を表２にそれぞれ示す。
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】また、σwについては比較例の媒体では
１．５ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体では１．４ｅｒ
ｇ／ｃｍ2であり、σw／２Ｍs1ｔ1ついては比較例の媒
体では４．４ＫＯe、実施例１の媒体では４．１ＫＯeで
あった。
１．５ｅｒｇ／ｃｍ2、実施例１の媒体では１．４ｅｒ
ｇ／ｃｍ2であり、σw／２Ｍs1ｔ1ついては比較例の媒
体では４．４ＫＯe、実施例１の媒体では４．１ＫＯeで
あった。
【００３７】上記で作製した比較例及び実施例１の媒体
につき、比較例の媒体については４ＫＯeの初期化磁界
を印加し、実施例１の媒体については初期化磁界を印加
しないで、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、
比較した。バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式
を満足するよう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に
印加した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
３００℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は
約１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
につき、比較例の媒体については４ＫＯeの初期化磁界
を印加し、実施例１の媒体については初期化磁界を印加
しないで、下記の条件でオーバーライト特性を測定し、
比較した。バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式
を満足するよう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に
印加した。また、１２ｍＷのレーザ照射で媒体温度は約
３００℃まで昇温し、６ｍＷのレーザ照射で媒体温度は
約１８０℃まで昇温した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００３８】比較例及び実施例１の媒体について上記条
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
件で１ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及び
この上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ
／Ｎを表３に示す。
【表３】
【００３９】上記本結果より、本発明による実施例１の
媒体は初期化磁界を用いなくとも、初期化磁界を用いた
比較例の媒体と同等のオーバーライト特性が得られるこ
とが分かった。なお、比較例の媒体では初期化磁界を用
いない場合にはオーバーライトはできなかった。
媒体は初期化磁界を用いなくとも、初期化磁界を用いた
比較例の媒体と同等のオーバーライト特性が得られるこ
とが分かった。なお、比較例の媒体では初期化磁界を用
いない場合にはオーバーライトはできなかった。
【００４０】実施例２ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (５０
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層して光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 中間層 ：Ｇｄ0.35(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)0.65 (５０
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４１】第１磁性層の磁気特性と第２磁性層の磁気
特性は実施例１の場合と同じであった。
特性は実施例１の場合と同じであった。
【００４２】この媒体のオーバーライト特性を初期化磁
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ バイアス磁界Ｈb ：０．７ＫＯe
界を印加しないで下記の条件で評価した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ バイアス磁界Ｈb ：０．７ＫＯe
【００４３】上記の条件で実施例２の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
Ｈｚの信号を記録再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に２
ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表４
に示す。
【表４】
【００４４】本結果より、第１磁性層と第２磁性層との
間に中間層を設けた場合には、設けない場合（実施例１
参照）よりさらにオーバーライト特性が良くなることが
分かった。
間に中間層を設けた場合には、設けない場合（実施例１
参照）よりさらにオーバーライト特性が良くなることが
分かった。
【００４５】実施例３ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：(Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (５００Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００４６】第１磁性層及び第２磁性層の磁気特性は以
下のようになった。
下のようになった。
【表５】
【００４７】実施例３の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００４８】上記の条件で実施例３の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
６に示す。
【表６】
【００４９】上記結果より、第１磁性層に軽希土類元素
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
を添加した場合でも、実施例１の媒体と同等のオーバー
ライト特性が得られることが分かった。本実施例のよう
に軽希土類元素を添加した場合には、レーザ光の波長が
短くなった場合でも磁気光効果の落込みが小さいので有
利である。
【００５０】実施例４ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.
78 (３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００５１】再生層、第１磁性層及び第２磁性層の磁気
特性は以下のようになった。
特性は以下のようになった。
【表７】
【００５２】実施例４の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。
記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。
記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００５３】上記の条件で実施例４の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
８に示す。
【表８】
【００５４】上記結果より、再生層を設けた方が実施例
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
１〜３の媒体に比べ再生Ｃ／Ｎがさらに一層高くなり、
オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００５５】実施例５ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜を
真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 再生層 ：(Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23(Ｆｅ0.9Ｃ
ｏ0.1)0.77(３００Å) 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１５００Å) 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００５６】再生層、第１磁性層及び第２磁性層の磁気
特性は以下のようになった。
特性は以下のようになった。
【表９】
【００５７】実施例５の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００５８】上記の条件で実施例５の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１０に示す。
【表１０】
【００５９】上記結果より、再生層に軽希土類元素を添
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
加した場合でも再生層を設けない実施例１よりＣ／Ｎが
さらに高くなり、オーバーライト特性も良いことが分か
った。再生層に軽希土類金属を添加すると、レーザ光の
波長が短くなった場合でも磁気光学効果の落込みが小さ
いので有利である。
【００６０】実施例６ グルーブ付きポリカーボネート（ＰＣ）基板（直径１３
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１２００Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
０ｍｍφ）上にｒｆマグネトロンスパッタ法で下記の膜
を真空中で連続的に積層し光磁気記録媒体を作製した。 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （８００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21(Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 (５００
Å) 第２磁性層：(Ｇｄ0.9Ｔｂ0.1)0.28(Ｆｅ0.85Ｃｏ0.15)
0.72 (１２００Å) 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保護層 ：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）
【００６１】第１磁性層及び第２磁性層の磁気特性は以
下のようになった。
下のようになった。
【表１１】
【００６２】実施例６の媒体について初期化磁界を印加
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
しないで下記の条件でオーバーライト特性を評価した。
バイアス磁界Ｈbについては前述の（４）式を満足する
よう０．８ＫＯeの磁界を図５に示す方向に印加した。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー： ６ｍＷ 再生時のレーザパワー： １ｍＷ 線速 ： ７ｍ／ｓ
【００６３】上記の条件で実施例６の媒体について１Ｍ
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１２に示す。
Ｈｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎ及びこの上に
２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／Ｎを表
１２に示す。
【表１２】
【００６４】上記結果より、熱伝導層を設けた方が熱伝
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
導層を設けない実施例１の場合よりＣ／Ｎがさらに高く
なり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００６５】
（１）請求項１の発明によれば前記条件を満たす第１磁
性層と第２磁性層とを積層することにより、初期化磁界
を用いないでオーバーライトが可能になる光磁気記録媒
体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間に中間層を設けることにより、オーバーライト
特性がより一層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層及び第２磁
性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁性膜を用いる
ことにより、より良好なオーバーライト特性を得ること
ができる。また、第１磁性層または第２磁性層に軽希土
類元素を添加することにより、照射光の短波長化時のオ
ーバーライト特性を向上させることができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、初期化磁界を印加し
ないでオーバーライトが可能となる。
性層と第２磁性層とを積層することにより、初期化磁界
を用いないでオーバーライトが可能になる光磁気記録媒
体が提供される。 （２）請求項２の発明によれば、第１磁性層と第２磁性
層との間に中間層を設けることにより、オーバーライト
特性がより一層向上する。 （３）請求項３の発明によれば、第１磁性層及び第２磁
性層にそれぞれ特定組成のアモルファス磁性膜を用いる
ことにより、より良好なオーバーライト特性を得ること
ができる。また、第１磁性層または第２磁性層に軽希土
類元素を添加することにより、照射光の短波長化時のオ
ーバーライト特性を向上させることができる。 （４）請求項４の発明によれば、再生層を積層すること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。また、再生層に軽希土類元素
を添加することにより、照射光の短波長化時のオーバー
ライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５の発明によれば、熱伝導層を設けること
により、再生Ｃ／Ｎ及びオーバーライト特性をより一層
向上させることができる。 （６）請求項６の発明によれば、上記のような媒体を用
い、Ｔc1付近迄温度を上げて消去を行い、Ｔc2付近迄温
度を上げて記録を行うことにより、初期化磁界を印加し
ないでオーバーライトが可能となる。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の媒体において第１磁性層と第２磁性層の
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
間に中間層を設けた構成例を示す断面図である。
【図３】図１の媒体において第１磁性層の光入射側面に
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
隣接して再生層を設けた構成例を示す断面図である。
【図４】図１の媒体において第２磁性層の光入射側とは
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
反対の側の面に隣接して熱伝導層を設けた構成例を示す
断面図である。
【図５】（ａ）は本発明による記録の方法、（ｂ）は消
去の方法の説明図である。
去の方法の説明図である。
１ 基板 ２、５ 保護層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ６ 中間層 ７ 再生層 ８ 熱伝導層
フロントページの続き (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鴇田 才明 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層と第２
磁性層とを積層してなり、第１磁性層のキュリー温度を
Ｔc1、飽和磁化をＭs1、保磁力をＨc1、膜厚をｔ1、第
２磁性層の補償温度をＴcomp2、キュリー温度をＴc2、
保磁力をＨc2、室温をＴroom、第１磁性層及び第２磁性
層間の界面磁壁エネルギーをσwとしたときに下記の条
件を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 Ｔroom＜Ｔc1＜Ｔcomp2＜Ｔc2 Ｈc1＞Ｈc2 Ｈc1＞σw／２Ｍs1ｔ1 - 【請求項２】 第１磁性層と第２磁性層との間に両層間
の交換結合力を調整するための中間層を設けたことを特
徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 第１磁性層及び第２磁性層がそれぞれ下
記一般式化１で表わされるアモルファス磁性膜から成る
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁気記録媒
体。 【化１】 （但し、ＲＥ1はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ２はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、 ０．１５≦ｘ≦０．３５、０≦ｙ≦０．４、０≦ｚ≦
０．５である） - 【請求項４】 第１磁性層の光入射側に隣接して第１磁
性層より保磁力が小さくキュリー温度が大きい垂直磁気
異方性を示す下記一般式化２で表わされるアモルファア
ス磁性膜から成る再生層を設けたことを特徴とする請求
項１〜３のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 【化２】 （但し、ＲＥ３はＴｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒのう
ちの少なくとも１種類の重希土類金属元素、ＲＥ４はＣ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕのうちの少なくと
も１種類の軽希土類金属元素であり、 ０．１５≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．４、０≦ｃ≦
０．５である） - 【請求項５】 第２磁性層の光入射側とは反対側の面に
隣接して熱伝導層を設けたことを特徴とする請求項１〜
４のいずれか一項に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の光
磁気記録媒体を用い、初期化磁界を印加せずに、Ｔc1付
近迄昇温させて消去を行い、Ｔc2付近迄昇温させて記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06162589A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| US08/154,169 US5420833A (en) | 1992-11-18 | 1993-11-17 | Magneto-optical recording medium having first and second magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06162589A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162589A true JPH06162589A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18254696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06162589A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5420833A (ja) |
| JP (1) | JPH06162589A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0838814B1 (en) * | 1986-07-08 | 2002-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 2000-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5596555A (en) * | 1993-07-29 | 1997-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium having magnetic layers that satisfy predetermined coercive force relationships, and recording/reproduction method for the medium |
| JP2809991B2 (ja) | 1994-01-14 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JPH07230637A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Canon Inc | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
| CA2142767C (en) * | 1994-02-21 | 1998-11-17 | Naoki Nishimura | Magneto-optical recording medium, and information reproducing method using the medium |
| JPH07244876A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-09-19 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 |
| JPH07320320A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法並びに光磁気記録情報の再生方法 |
| JP3426034B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2003-07-14 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および記録再生方法並びに光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3277245B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2002-04-22 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US6423430B1 (en) * | 1995-07-17 | 2002-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium for short wavelength |
| JP3781823B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2006-05-31 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US6913836B1 (en) * | 1999-06-03 | 2005-07-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve type magnetoresistive sensor and method of manufacturing the same |
| JP2002197630A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US6939654B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-09-06 | Ricoh Company, Ltd. | Carrier and developer for developing latent electrostatic images |
| US7245430B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for displaying three-dimensional stereo image using light deflector |
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|---|---|---|---|---|
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| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US5265073A (en) * | 1987-03-13 | 1993-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same |
| US5233575A (en) * | 1989-11-10 | 1993-08-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP43A patent/JPH06162589A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-17 US US08/154,169 patent/US5420833A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5420833A (en) | 1995-05-30 |
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