JPH08115540A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH08115540A JPH08115540A JP27711294A JP27711294A JPH08115540A JP H08115540 A JPH08115540 A JP H08115540A JP 27711294 A JP27711294 A JP 27711294A JP 27711294 A JP27711294 A JP 27711294A JP H08115540 A JPH08115540 A JP H08115540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- magnetic layer
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 再現性良く作製出来、信頼性良くオーバーラ
イトが出来、その上再生特性の良い光磁気記録媒体の提
供。 【構成】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層の上に、以
下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）の要件を
満足する磁性膜３から成る中間層４を積層し、層の上に
垂直磁気異方性を示す第２磁性層５を積層した積層構造
を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体。（Ａ）
Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ（Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒ
ｏｏｍ：室温）、（Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５
５０ｅｍｕ／ｃｃ（Ｍｓ：飽和磁化）、（Ｃ）２００Å
≦ｔ≦４００Å（ｔ：層の厚さ）、（Ｄ）ＴC＞Ｔ
C1（ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層の
キュリー温度）
イトが出来、その上再生特性の良い光磁気記録媒体の提
供。 【構成】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層の上に、以
下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）の要件を
満足する磁性膜３から成る中間層４を積層し、層の上に
垂直磁気異方性を示す第２磁性層５を積層した積層構造
を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体。（Ａ）
Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ（Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒ
ｏｏｍ：室温）、（Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５
５０ｅｍｕ／ｃｃ（Ｍｓ：飽和磁化）、（Ｃ）２００Å
≦ｔ≦４００Å（ｔ：層の厚さ）、（Ｄ）ＴC＞Ｔ
C1（ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層の
キュリー温度）
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気記録方式では、オーバーライトが問
題で、磁界変調方式およびマルチビーム方式、交換結合
膜方式などの光変調方式が検討されている。磁界変調方
式では高周波化に対応するため、浮上タイプの磁気ヘッ
ドを用いる必要があり、媒体交換が難しい、ディスクの
片側しか使えないなどの問題点を有している。マルチビ
ームによる擬似オーバーライト方式では、２〜３コのレ
ーザビームを用い、トラック毎に記録／消去を行ない、
磁界の方向を変える必要があるなど装置が複雑になる、
コストアップになるなどの問題点を有している。交換結
合２層膜を用いたオーバーライト方式（特開昭６２−１
７５９４８）では記録に先立ち予め初期化磁界により、
補助層の磁化を１方向にそろえ、記録層のキュリー温度
ＴC1、補助層のキュリー温度ＴC2としたときに、媒体の
温度をＴC1≦Ｔ＜ＴC2となる温度迄上げて補助層の磁化
方向を記録層に転写させ、消去を行ない、Ｔ≧ＴC2迄昇
温し、記録磁界を印加して補助層の磁化を反転させ、冷
却過程において記録層に転写して記録を行なう。このた
め、磁性層間の交換結合力の制御が重要であるが、仲々
安定して作製出来なかった。
題で、磁界変調方式およびマルチビーム方式、交換結合
膜方式などの光変調方式が検討されている。磁界変調方
式では高周波化に対応するため、浮上タイプの磁気ヘッ
ドを用いる必要があり、媒体交換が難しい、ディスクの
片側しか使えないなどの問題点を有している。マルチビ
ームによる擬似オーバーライト方式では、２〜３コのレ
ーザビームを用い、トラック毎に記録／消去を行ない、
磁界の方向を変える必要があるなど装置が複雑になる、
コストアップになるなどの問題点を有している。交換結
合２層膜を用いたオーバーライト方式（特開昭６２−１
７５９４８）では記録に先立ち予め初期化磁界により、
補助層の磁化を１方向にそろえ、記録層のキュリー温度
ＴC1、補助層のキュリー温度ＴC2としたときに、媒体の
温度をＴC1≦Ｔ＜ＴC2となる温度迄上げて補助層の磁化
方向を記録層に転写させ、消去を行ない、Ｔ≧ＴC2迄昇
温し、記録磁界を印加して補助層の磁化を反転させ、冷
却過程において記録層に転写して記録を行なう。このた
め、磁性層間の交換結合力の制御が重要であるが、仲々
安定して作製出来なかった。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、再現性良く作製出来、信頼性
良くオーバーライトが出来、その上再生特性の良い光磁
気記録媒体を提供することにある。
良くオーバーライトが出来、その上再生特性の良い光磁
気記録媒体を提供することにある。
【０００４】
【構成】本発明は、垂直磁気異方性を示す第１磁性層の
上に、以下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）
の要件を満足する磁性膜から成る中間層を積層し、該層
の上に垂直磁気異方性を示す第２磁性層を積層した積層
構造を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体に関
する。 （Ａ）Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ （Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒｏｏｍ：室温） （Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ （Ｍｓ：飽和磁化） （Ｃ）２００Å≦ｔ≦４００Å （ｔ：層の厚さ） （Ｄ）ＴC＞ＴC1 （ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） 以下、本発明の光磁気記録媒体を図１に基づいて説明す
る。本発明の光磁気記録媒体の基板としては、ガラス、
プラスチック、セラミック等の透明支持体が用いられ
る。該基板上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ等
からなる保護層２（膜厚：１００〜５０００Å）を設
け、該保護層２上に磁気異方性を示す第１磁性層３を設
ける。
上に、以下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）
の要件を満足する磁性膜から成る中間層を積層し、該層
の上に垂直磁気異方性を示す第２磁性層を積層した積層
構造を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体に関
する。 （Ａ）Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ （Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒｏｏｍ：室温） （Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ （Ｍｓ：飽和磁化） （Ｃ）２００Å≦ｔ≦４００Å （ｔ：層の厚さ） （Ｄ）ＴC＞ＴC1 （ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） 以下、本発明の光磁気記録媒体を図１に基づいて説明す
る。本発明の光磁気記録媒体の基板としては、ガラス、
プラスチック、セラミック等の透明支持体が用いられ
る。該基板上にＳｉＯ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ等
からなる保護層２（膜厚：１００〜５０００Å）を設
け、該保護層２上に磁気異方性を示す第１磁性層３を設
ける。
【０００５】第１磁性層３は、下式（１）で表わされる
アモルファス磁性材料で構成される。
アモルファス磁性材料で構成される。
【数３】 （ＲＥ１)X（Ｆｅ 1-Y Ｃｏ Y)1-X （１） （前式中、ＲＥ１は、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥ
ｒよりなる群から選ばれた少なくとも１種のものを表
す。Ｘは、０．１５≦Ｘ≦０．４０、Ｙは、０≦Ｙ≦
０．４である。） 前式（１）で表わされる磁性層としては、Ｔｂ−Ｆｅ、
Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−
Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ等の重希土
類−遷移金属系アモルファス磁性材料から成る。前記重
希土類成分は、該成分にＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ
およびＥｕよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の
軽希土元素（ＲＥ２）を添加し、前式（１）のＲＥ１成
分を
ｒよりなる群から選ばれた少なくとも１種のものを表
す。Ｘは、０．１５≦Ｘ≦０．４０、Ｙは、０≦Ｙ≦
０．４である。） 前式（１）で表わされる磁性層としては、Ｔｂ−Ｆｅ、
Ｇｄ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇ
ｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−
Ｈｏ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｅｒ−Ｆｅ−Ｃｏ等の重希土
類−遷移金属系アモルファス磁性材料から成る。前記重
希土類成分は、該成分にＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ
およびＥｕよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の
軽希土元素（ＲＥ２）を添加し、前式（１）のＲＥ１成
分を
【数４】 （ＲＥ１)1-Z（ＲＥ２)Z （２） （前式中、ＲＥ１は前記に同じ。ＲＥ２は軽希土元素を
表わす。Ｚは０＜Ｚ≦０．５である。）としたもの（以
下、軽希土元素添加磁性材料という。）であってもよ
い。但し、ＲＥ２成分がＲＥ１成分より多くなると垂直
磁気異方性が小さくなり、好ましくない。前記第１磁性
層３の上に中間層４を設ける。中間層４も第１磁性層３
と同様、前式（１）で表わされる重希土類−遷移金属系
アモルファス磁性材料あるいは前記軽希土元素添加磁性
材料から成る。前記第１磁性層３と中間層４は、スパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により作製す
ることができる。
表わす。Ｚは０＜Ｚ≦０．５である。）としたもの（以
下、軽希土元素添加磁性材料という。）であってもよ
い。但し、ＲＥ２成分がＲＥ１成分より多くなると垂直
磁気異方性が小さくなり、好ましくない。前記第１磁性
層３の上に中間層４を設ける。中間層４も第１磁性層３
と同様、前式（１）で表わされる重希土類−遷移金属系
アモルファス磁性材料あるいは前記軽希土元素添加磁性
材料から成る。前記第１磁性層３と中間層４は、スパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により作製す
ることができる。
【０００６】中間層４の厚さは２００〜４００Åが好ま
しい。厚さが２００Å未満では第１磁性層および第２磁
性層間に働く交換結合力が強くなりすぎ、４００Åを越
えると交換結合力が弱くなりすぎてオーバーライトが出
来なくなる。中間層４の上には第２磁性層５を設ける。
該第２磁性層５も第１磁性層３および中間層４と同様、
前式（１）で表わされる重希土類−遷移金属系アモルフ
ァス磁性材料あるいは前記軽希土元素添加磁性材料から
成り、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等
により作製することができる。該第２磁性層５の厚さ
は、１００〜３０００Åが好ましい。厚さが１００Å未
満では垂直磁化膜になりにくく、３０００Åを越えると
記録密度が悪くなる。前記のように本発明の光磁気記録
媒体は、第１磁性層、第２磁性層および中間層が前式
（１）で表わされる重希土類−遷移金属系アモルファス
磁性材料および／または軽希土元素添加磁性材料から構
成されるものであるが、前記磁性材料の重希土類と遷移
金属の割合、さらには軽希土元素添加の割合を変えるこ
とにより、前記各層を種々の組合せの磁性材料で構成す
ることもできる。この第２磁性層の上には、必要に応じ
てＳｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2等で構成される
厚さ１００〜５０００Åの保護層６を設けてもよい。本
発明の光磁気記録媒体は、前記のような第１磁性層、中
間層および第２磁性層を有することが必須の構成要件で
あり、前記構成要件に加えて他の構成を採用した種々の
態様のものが含まれる。
しい。厚さが２００Å未満では第１磁性層および第２磁
性層間に働く交換結合力が強くなりすぎ、４００Åを越
えると交換結合力が弱くなりすぎてオーバーライトが出
来なくなる。中間層４の上には第２磁性層５を設ける。
該第２磁性層５も第１磁性層３および中間層４と同様、
前式（１）で表わされる重希土類−遷移金属系アモルフ
ァス磁性材料あるいは前記軽希土元素添加磁性材料から
成り、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等
により作製することができる。該第２磁性層５の厚さ
は、１００〜３０００Åが好ましい。厚さが１００Å未
満では垂直磁化膜になりにくく、３０００Åを越えると
記録密度が悪くなる。前記のように本発明の光磁気記録
媒体は、第１磁性層、第２磁性層および中間層が前式
（１）で表わされる重希土類−遷移金属系アモルファス
磁性材料および／または軽希土元素添加磁性材料から構
成されるものであるが、前記磁性材料の重希土類と遷移
金属の割合、さらには軽希土元素添加の割合を変えるこ
とにより、前記各層を種々の組合せの磁性材料で構成す
ることもできる。この第２磁性層の上には、必要に応じ
てＳｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2等で構成される
厚さ１００〜５０００Åの保護層６を設けてもよい。本
発明の光磁気記録媒体は、前記のような第１磁性層、中
間層および第２磁性層を有することが必須の構成要件で
あり、前記構成要件に加えて他の構成を採用した種々の
態様のものが含まれる。
【０００７】以下、本発明の別の態様の光磁気記録媒体
を説明する。図２に示すように光の入射側に第１磁性層
３０に隣接して、第１磁性層３０より保磁力（ＨC）が
小さく、キュリー温度（ＴC）が高い垂直磁気異方性を
示す磁性膜から成る再生層７０を設けることができる。
再生層７０の材料としては、前記第１磁性層３、中間層
４および第２磁性層５と同様に前式（１）の材料が挙げ
られる。再生層７０の厚さは、光が透過することができ
る位に薄くする必要があり、６００Å以下が最適であ
る。再生層７０は第１磁性層３０、中間層４０および第
２磁性層５０と同様にスパッタ法、蒸着法、イオンプレ
ーティング法等により形成することができる。再生層７
０は再生特性を向上させる役目をもつ。この場合、再生
層７０の磁化は、第１磁性層の磁化情報を転写した状態
になっていないといけないため、再生層７０の保磁力Ｈ
crは第１磁性層３０の保磁力ＨC1より小さいことが必要
である。すなわち、Ｈcr＜ＨC1（ＨC1：第１磁性層の保
磁力）という条件を満足していないといけない。また、
第１磁性層３０の磁化情報がなくなる前に再生層７０の
磁化情報がなくなると読取りエラーになるため、再生層
のキュリー温度Ｔcrは、Ｔcr＞ＴC1という条件を満足し
ていないといけない。再生層７０に転写された磁化情報
は再生レーザ光を用いて、磁気光学効果を利用して読出
す。このとき、再生層７０は磁気光学効果の大きい材料
から成っているうえ、再生層７０の膜厚は光が透過でき
る位に薄く（６００Å以下）なっているため、Ｋｅｒｒ
効果だけでなく、Ｆａｒａｄａｙ効果も利用出来、磁気
光学効果をエンハンスすることが出来て、再生特性を向
上させることができる。
を説明する。図２に示すように光の入射側に第１磁性層
３０に隣接して、第１磁性層３０より保磁力（ＨC）が
小さく、キュリー温度（ＴC）が高い垂直磁気異方性を
示す磁性膜から成る再生層７０を設けることができる。
再生層７０の材料としては、前記第１磁性層３、中間層
４および第２磁性層５と同様に前式（１）の材料が挙げ
られる。再生層７０の厚さは、光が透過することができ
る位に薄くする必要があり、６００Å以下が最適であ
る。再生層７０は第１磁性層３０、中間層４０および第
２磁性層５０と同様にスパッタ法、蒸着法、イオンプレ
ーティング法等により形成することができる。再生層７
０は再生特性を向上させる役目をもつ。この場合、再生
層７０の磁化は、第１磁性層の磁化情報を転写した状態
になっていないといけないため、再生層７０の保磁力Ｈ
crは第１磁性層３０の保磁力ＨC1より小さいことが必要
である。すなわち、Ｈcr＜ＨC1（ＨC1：第１磁性層の保
磁力）という条件を満足していないといけない。また、
第１磁性層３０の磁化情報がなくなる前に再生層７０の
磁化情報がなくなると読取りエラーになるため、再生層
のキュリー温度Ｔcrは、Ｔcr＞ＴC1という条件を満足し
ていないといけない。再生層７０に転写された磁化情報
は再生レーザ光を用いて、磁気光学効果を利用して読出
す。このとき、再生層７０は磁気光学効果の大きい材料
から成っているうえ、再生層７０の膜厚は光が透過でき
る位に薄く（６００Å以下）なっているため、Ｋｅｒｒ
効果だけでなく、Ｆａｒａｄａｙ効果も利用出来、磁気
光学効果をエンハンスすることが出来て、再生特性を向
上させることができる。
【０００８】また、本発明の別の態様の光磁気記録媒体
では、図３に示すように光の入射側とは反対側に、第２
磁性層５００に隣接して熱伝導層７００を設けることが
できる。この熱伝導層７００は、熱の横方向への拡がり
を少なくし、記録磁区形状を均一なものにして再生特性
を向上させる役目をもつ。熱伝導層７００の材料として
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等
があげられる。膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、
スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により
形成することができる。このような構成にすると、記録
の際、熱伝導層７００がヒートシンク層としての役割を
果たし、各磁性膜の膜温度の横方向への拡がりが少なく
なり、記録磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なると
か、記録磁区の長さが実際の記録パターンより長く伸び
てしまう等の不具合点がなくなり、均一な磁区形状にな
り、再生特性が改良される。また、熱の横への拡がりが
ないため、微小な磁区の記録も可能になり、高密度記録
にも適する。
では、図３に示すように光の入射側とは反対側に、第２
磁性層５００に隣接して熱伝導層７００を設けることが
できる。この熱伝導層７００は、熱の横方向への拡がり
を少なくし、記録磁区形状を均一なものにして再生特性
を向上させる役目をもつ。熱伝導層７００の材料として
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等
があげられる。膜厚は１００〜３０００Åが好ましく、
スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等により
形成することができる。このような構成にすると、記録
の際、熱伝導層７００がヒートシンク層としての役割を
果たし、各磁性膜の膜温度の横方向への拡がりが少なく
なり、記録磁区の前縁の形状と後縁の形状が異なると
か、記録磁区の長さが実際の記録パターンより長く伸び
てしまう等の不具合点がなくなり、均一な磁区形状にな
り、再生特性が改良される。また、熱の横への拡がりが
ないため、微小な磁区の記録も可能になり、高密度記録
にも適する。
【０００９】図１の本記録媒体（但し、保護層は図示せ
ず）を用いた記録および消去方法を図４に基づいて説明
する。記録および消去は、初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を用
いて照射光のパワー変化で行なう。消去を行なうときに
は、初期化磁界の下を通した後、低いレーザパワー（Ｐ
L）を照射し、膜温度をＴC1付近（ＴC1−３０≦Ｔ≦Ｔ
C1＋３０〔℃〕）迄上げて行なう。レーザ照射を行なう
前は、第１磁性層３は前に記録された方向に磁化は向い
ており、第２磁性層５は第１磁性層３の磁化による交換
結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が向いて
おり、中間層４も第１磁性層３の磁化による交換結合力
によりエネルギー的に安定な方向に向いている。そこへ
初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を与えると、第２磁性層３は保
磁力（ＨC2）が小さいので（Ｈｉｎｉ）の磁界方向に磁
化反転し、中間層４の磁化の垂直成分は第２磁性層５と
の交換結合力によりエネルギー的に安定な方向（図では
第２磁性層５の磁化とは反対方向）を向く。これを初期
化という。この初期化のあとレーザ照射を行なうと、そ
の照射された部分は第１磁性層３のキュリー温度
（ＴC1）付近迄膜温度が上昇するため、第１磁性層３の
磁化は徐々に小さくなり、ＴC1で磁化はゼロになる。第
２磁性層５の初期化された磁化は、逆にＴC1付近でＨC2
が非常に大きくなるためそのまま凍結される。また、中
間層４の磁化も温度上昇とともに垂直成分が増すためそ
のまま凍結される。そのあと、レーザ照射が終り、膜温
度が降下する際に、第２磁性層５の磁化が中間層４を介
して交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写（第２磁
性層５の磁化とは反対方向を向く）され、室温にもどっ
たときにはＨC1は非常に大きいため、そのまま凍結され
る。記録を行なうときには高いレーザパワー（ＰH）を
照射し、膜温度をＴC2付近（ＴC2−３０≦Ｔ≦ＴC2＋３
０〔℃〕）迄上げて行なう。膜温度をＴC2付近迄上げる
と第１磁性層３の磁化はゼロになり、中間層および第２
磁性層５の磁化もゼロに近づく。このため、第２磁性層
５はバイアス磁界Ｈｂ方向に磁化反転して記録され、冷
却過程で凍結される。そして、ＴC1付近を温度降下する
ときに、交換結合力により中間層４を介して第２磁性層
５から第１磁性層３へ磁化転写され、室温で第１磁性層
３の磁化は凍結される。中間層４の磁化の垂直成分は、
降温過程で第２磁性層５との交換結合力によりエネルギ
ー的に安定な方向を向く。
ず）を用いた記録および消去方法を図４に基づいて説明
する。記録および消去は、初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を用
いて照射光のパワー変化で行なう。消去を行なうときに
は、初期化磁界の下を通した後、低いレーザパワー（Ｐ
L）を照射し、膜温度をＴC1付近（ＴC1−３０≦Ｔ≦Ｔ
C1＋３０〔℃〕）迄上げて行なう。レーザ照射を行なう
前は、第１磁性層３は前に記録された方向に磁化は向い
ており、第２磁性層５は第１磁性層３の磁化による交換
結合力によりエネルギー的に安定な方向に磁化が向いて
おり、中間層４も第１磁性層３の磁化による交換結合力
によりエネルギー的に安定な方向に向いている。そこへ
初期化磁界（Ｈｉｎｉ）を与えると、第２磁性層３は保
磁力（ＨC2）が小さいので（Ｈｉｎｉ）の磁界方向に磁
化反転し、中間層４の磁化の垂直成分は第２磁性層５と
の交換結合力によりエネルギー的に安定な方向（図では
第２磁性層５の磁化とは反対方向）を向く。これを初期
化という。この初期化のあとレーザ照射を行なうと、そ
の照射された部分は第１磁性層３のキュリー温度
（ＴC1）付近迄膜温度が上昇するため、第１磁性層３の
磁化は徐々に小さくなり、ＴC1で磁化はゼロになる。第
２磁性層５の初期化された磁化は、逆にＴC1付近でＨC2
が非常に大きくなるためそのまま凍結される。また、中
間層４の磁化も温度上昇とともに垂直成分が増すためそ
のまま凍結される。そのあと、レーザ照射が終り、膜温
度が降下する際に、第２磁性層５の磁化が中間層４を介
して交換結合力により第１磁性層３へ磁化転写（第２磁
性層５の磁化とは反対方向を向く）され、室温にもどっ
たときにはＨC1は非常に大きいため、そのまま凍結され
る。記録を行なうときには高いレーザパワー（ＰH）を
照射し、膜温度をＴC2付近（ＴC2−３０≦Ｔ≦ＴC2＋３
０〔℃〕）迄上げて行なう。膜温度をＴC2付近迄上げる
と第１磁性層３の磁化はゼロになり、中間層および第２
磁性層５の磁化もゼロに近づく。このため、第２磁性層
５はバイアス磁界Ｈｂ方向に磁化反転して記録され、冷
却過程で凍結される。そして、ＴC1付近を温度降下する
ときに、交換結合力により中間層４を介して第２磁性層
５から第１磁性層３へ磁化転写され、室温で第１磁性層
３の磁化は凍結される。中間層４の磁化の垂直成分は、
降温過程で第２磁性層５との交換結合力によりエネルギ
ー的に安定な方向を向く。
【００１０】以下、本発明の具体的実施態様を示す。 １．垂直磁気異方性を示す第１磁性層の上に、以下の条
件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）の要件を満足す
る磁性膜から成る中間層を積層し、該層の上に垂直磁気
異方性を示す第２磁性層を積層した積層構造を有する光
磁気記録媒体。 （Ａ）Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ （Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒｏｏｍ：室温） （Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ （Ｍｓ：飽和磁化） （Ｃ）２００Å≦ｔ≦４００Å （ｔ：層の厚さ） （Ｄ）ＴC＞ＴC1 （ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） ２．前記光磁気記録媒体において、第１磁性層、第２磁
性層および中間層が下式（１）で表わされるアモルファ
ス磁性材料で構成される光磁気記録媒体。
件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）の要件を満足す
る磁性膜から成る中間層を積層し、該層の上に垂直磁気
異方性を示す第２磁性層を積層した積層構造を有する光
磁気記録媒体。 （Ａ）Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ （Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒｏｏｍ：室温） （Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ （Ｍｓ：飽和磁化） （Ｃ）２００Å≦ｔ≦４００Å （ｔ：層の厚さ） （Ｄ）ＴC＞ＴC1 （ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） ２．前記光磁気記録媒体において、第１磁性層、第２磁
性層および中間層が下式（１）で表わされるアモルファ
ス磁性材料で構成される光磁気記録媒体。
【数５】 （ＲＥ１)X（Ｆｅ 1-Y Ｃｏ Y)1-X （１） （前式中、ＲＥ１は、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥ
ｒよりなる群から選ばれた少なくとも１種のものを表
す。Ｘは、０．１５≦Ｘ≦０．４０、Ｙは、０≦Ｙ≦
０．４である。） ３．前記１または２記載の光磁気記録媒体において、該
媒体の光の入射側に、第１磁性層に隣接して下記の要件
を満足する前式（１）で表わされるアモルファス磁性材
料で構成される再生層を積層した光磁気記録媒体。 Ｈcr＜ＨC1 （Ｈcr：再生層の保磁力、ＨC1：第１磁性層の保磁力） Ｔcr＞ＴC1 （Ｔcr：再生層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度）
ｒよりなる群から選ばれた少なくとも１種のものを表
す。Ｘは、０．１５≦Ｘ≦０．４０、Ｙは、０≦Ｙ≦
０．４である。） ３．前記１または２記載の光磁気記録媒体において、該
媒体の光の入射側に、第１磁性層に隣接して下記の要件
を満足する前式（１）で表わされるアモルファス磁性材
料で構成される再生層を積層した光磁気記録媒体。 Ｈcr＜ＨC1 （Ｈcr：再生層の保磁力、ＨC1：第１磁性層の保磁力） Ｔcr＞ＴC1 （Ｔcr：再生層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度）
【００１１】４．前記３の光磁気記録媒体において、再
生層の厚さが、６００Å未満である光磁気記録媒体。 ５．前記２、３または４の光磁気記録媒体において、前
式（１）のアモルファス磁性材料が、ＲＥ１成分にＣ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、ＳｍおよびＥｕよりなる群から
選ばれた少なくとも１種類の軽希土元素（ＲＥ２）を添
加し、ＲＥ１成分を
生層の厚さが、６００Å未満である光磁気記録媒体。 ５．前記２、３または４の光磁気記録媒体において、前
式（１）のアモルファス磁性材料が、ＲＥ１成分にＣ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、ＳｍおよびＥｕよりなる群から
選ばれた少なくとも１種類の軽希土元素（ＲＥ２）を添
加し、ＲＥ１成分を
【数６】 （ＲＥ１)1-Z（ＲＥ２)Z （２） （前式中、ＲＥ１は前記に同じ。ＲＥ２は軽希土元素を
表わす。Ｚは０＜Ｚ≦０．５である。）としたアモルフ
ァス磁性材料からなる光磁気記録媒体。 ６．前記１、２、３、４または５の光磁気記録媒体にお
いて、第１磁性層、第２磁性層および中間層、さらには
再生層を積層した場合には再生層が、スパッタ法、蒸着
法、イオンプレーティング法等により作製されたもので
ある光磁気記録媒体。
表わす。Ｚは０＜Ｚ≦０．５である。）としたアモルフ
ァス磁性材料からなる光磁気記録媒体。 ６．前記１、２、３、４または５の光磁気記録媒体にお
いて、第１磁性層、第２磁性層および中間層、さらには
再生層を積層した場合には再生層が、スパッタ法、蒸着
法、イオンプレーティング法等により作製されたもので
ある光磁気記録媒体。
【００１２】７．前記１、２、３、４、５または６の光
磁気記録媒体において、該媒体の光の入射側とは反対側
に第２磁性層に隣接して熱伝導層を設けた光磁気記録媒
体。 ８．前記１、２、３、４、５、６または７の光磁気記録
媒体において、基板上および／または光の入射側と反対
側の最上層に保護層を設けた光磁気記録媒体。 ９．前記８の光磁気記録媒体において、保護層が、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、 ＡｌＮ等で構成されたもの
である光磁気記録媒体。
磁気記録媒体において、該媒体の光の入射側とは反対側
に第２磁性層に隣接して熱伝導層を設けた光磁気記録媒
体。 ８．前記１、２、３、４、５、６または７の光磁気記録
媒体において、基板上および／または光の入射側と反対
側の最上層に保護層を設けた光磁気記録媒体。 ９．前記８の光磁気記録媒体において、保護層が、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯ、Ｓｉ3Ｎ4、 ＡｌＮ等で構成されたもの
である光磁気記録媒体。
【００１３】以下、実施例について説明する。
【００１４】実施例１ ガラス基板の上にｒｆマグネトロンスパッタ法で中間層
の組成および膜厚を変えて膜を作製し、界面磁壁エネル
ギーσW の変化を調べた。膜構成を以下に示す。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.17（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.83 （１０
０〜２００Å） Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （１５０〜３００
Å） Ｇｄ0.35（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.65 （９０〜１３０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 中間層の磁気特性は次のようになった。 Ｇｄ0.17（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.83 Ｍｓ＝７００emu/c
c、Tcomp＜Troom Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 Ｍｓ＝４５０emu/c
c、Tcomp＜Troom Ｇｄ0.35（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.65 Ｍｓ＝３８０emu/c
c、Tcomp＞Troom 各組成で中間層の膜厚を変えたときのσW の変化は図５
のようになり、Ｍｓが４５０ｅｍｕ／ｃｃのとき膜厚に
対するσW の変化が小さく安定していることが分かっ
た。また、オーバーライト特性はσW が０．７〜２．０
ｅｒｇ／ｃｍ2のとき良くなるので、中間層の膜厚は２
００〜４００Åが適している。同様にＭｓが３５０ｅｍ
ｕ／ｃｃの場合も５５０ｅｍｕ／ｃｃの場合も図５の４
５０ｅｍｕ／ｃｃのときと同じような特性を示すことが
分かっている。すなわち、中間層が次の条件を満足する
とき、再現性良く、信頼性の高いオーバーライトメディ
アが作製出来る。 ３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ ２００Å≦ｔ≦４００Å Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ
の組成および膜厚を変えて膜を作製し、界面磁壁エネル
ギーσW の変化を調べた。膜構成を以下に示す。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.17（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.83 （１０
０〜２００Å） Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （１５０〜３００
Å） Ｇｄ0.35（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.65 （９０〜１３０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 中間層の磁気特性は次のようになった。 Ｇｄ0.17（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.83 Ｍｓ＝７００emu/c
c、Tcomp＜Troom Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 Ｍｓ＝４５０emu/c
c、Tcomp＜Troom Ｇｄ0.35（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.65 Ｍｓ＝３８０emu/c
c、Tcomp＞Troom 各組成で中間層の膜厚を変えたときのσW の変化は図５
のようになり、Ｍｓが４５０ｅｍｕ／ｃｃのとき膜厚に
対するσW の変化が小さく安定していることが分かっ
た。また、オーバーライト特性はσW が０．７〜２．０
ｅｒｇ／ｃｍ2のとき良くなるので、中間層の膜厚は２
００〜４００Åが適している。同様にＭｓが３５０ｅｍ
ｕ／ｃｃの場合も５５０ｅｍｕ／ｃｃの場合も図５の４
５０ｅｍｕ／ｃｃのときと同じような特性を示すことが
分かっている。すなわち、中間層が次の条件を満足する
とき、再現性良く、信頼性の高いオーバーライトメディ
アが作製出来る。 ３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ ２００Å≦ｔ≦４００Å Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ
【００１５】実施例２ グルーブ付きＰＣ基板（１３０ｍｍφ）の上にｒｆマグ
ネトロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製
した。 従来の膜 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 本発明の膜 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各々の第１磁性層および第２磁性層の磁気特性、中間層
の磁気特性は以下のようになった。
ネトロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製
した。 従来の膜 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 本発明の膜 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各々の第１磁性層および第２磁性層の磁気特性、中間層
の磁気特性は以下のようになった。
【表１】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Ｍｓ(emu/cc) Ｈｃ(KOe） Ｔcomp(℃) Ｔｃ(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 第１磁性層 ３４ １０．２ ━━ １８０ 第２磁性層 １６０ １．８ １８０ ２８０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 中 間 層 ４５０ ０．０５ ━━ ３００ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 以上の２つの媒体のオーバーライト特性を測定し、比較
した。測定条件を次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎ、又１万回オーバーライトを繰返した後のＣ／Ｎを下
表に示す。
した。測定条件を次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎ、又１万回オーバーライトを繰返した後のＣ／Ｎを下
表に示す。
【表２】 本実施例の結果より、第１磁性層と第２磁性層との間に
中間層を設けた場合、従来の設けない場合よりオーバー
ライト特性が良くなることが分かった。また、繰返し特
性も向上し、オーバーライトの信頼性が良くなることが
分かった。
中間層を設けた場合、従来の設けない場合よりオーバー
ライト特性が良くなることが分かった。また、繰返し特
性も向上し、オーバーライトの信頼性が良くなることが
分かった。
【００１６】実施例３ グルーブ付きＰＣ基板（１３０ｍｍφ）上にｒｆマグネ
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：（Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)
0.78 （５００Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各々の層の磁気特性は以下のようになった。
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：（Ｎｄ0.2Ｔｂ0.8)0.22（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)
0.78 （５００Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各々の層の磁気特性は以下のようになった。
【表３】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Ｍｓ(emu/cc) Ｈｃ(KOe） Ｔcomp(℃) Ｔｃ(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 第１磁性層 ４３ ９．４ ━━ １８０ 中 間 層 ４５０ ０．０５ ━━ ３００ 第２磁性層 １６０ １．８ １８０ ２８０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ この媒体のオーバーライト特性を評価した。測定条件を
次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
【表４】 本実施例の結果より、第１磁性層に軽希土類元素を添加
した場合でも入れない場合（実施例２参照）と同等のオ
ーバーライト特性が得られることが分かった。軽希土類
元素を添加した場合には、レーザ光の波長が短かくなっ
た場合でも磁気光学効果の落ち込みが小さいので有利で
ある。
した場合でも入れない場合（実施例２参照）と同等のオ
ーバーライト特性が得られることが分かった。軽希土類
元素を添加した場合には、レーザ光の波長が短かくなっ
た場合でも磁気光学効果の落ち込みが小さいので有利で
ある。
【００１７】実施例４ グルーブ付きＰＣ基板（１３０ｍｍφ）上にｒｆマグネ
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 再 生 層：（Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)
0.78 （３００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各層の磁気特性を以下に示す。
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 再 生 層：（Ｇｄ0.5Ｔｂ0.5)0.22（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)
0.78 （３００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） 各層の磁気特性を以下に示す。
【表５】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Ｍｓ(emu/cc) Ｈｃ(KOe） Ｔcomp(℃) Ｔｃ(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 再 生 層 １９８ １．０ ━━ ２３０ 第１磁性層 ３４ １０．２ ━━ １８０ 中 間 層 ４５０ ０．０５ ━━ ３００ 第２磁性層 １６０ １．８ １８０ ２８０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ この媒体のオーバーライト特性を評価した。測定条件を
以下に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
以下に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
【表６】 本実施例の結果より、再生層を設けた方が再生Ｃ／Ｎが
高くなり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
高くなり、オーバーライト特性も良いことが分かった。
【００１８】実施例５ グルーブ付きＰＣ基板（１３０ｍｍφ）上にｒｆマグネ
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 再 生 層：（Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23（Ｆｅ0.9
Ｃｏ0.1)0.77（３００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）各層の磁気特性を
以下に示す。
トロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 再 生 層：（Ｎｄ0.2Ｇｄ0.4Ｔｂ0.4)0.23（Ｆｅ0.9
Ｃｏ0.1)0.77（３００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å）各層の磁気特性を
以下に示す。
【表７】 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ Ｍｓ(emu/cc) Ｈｃ(KOe） Ｔcomp(℃) Ｔｃ(℃) ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ 再 生 層 ２０８ ０．８ ━━ ２３０ 第１磁性層 ３４ １０．２ ━━ １８０ 中 間 層 ４５０ ０．０５ ━━ ３００ 第２磁性層 １６０ １．８ １８０ ２８０ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ この媒体のオーバーライト特性を評価した。測定条件を
次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
次に示す。 記録時のレーザパワー：１２ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
【表８】 本実施例の結果より、再生層に軽希土類元素を添加した
場合でも、再生層を設けない場合（実施例２参照）より
Ｃ／Ｎが高くなり、オーバーライト特性も良いことが分
かった。
場合でも、再生層を設けない場合（実施例２参照）より
Ｃ／Ｎが高くなり、オーバーライト特性も良いことが分
かった。
【００１９】実施例６ グルーブ付きＰＣ基板（１３０mmφ）上にｒｆマグネト
ロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） この媒体の第１磁性層、中間層、第２磁性層の磁気特性
は、実施例２と同じである。この媒体のオーバーライト
特性を評価した。測定条件を次に示す。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
ロンスパッタ法で下記の膜を連続的に積層して作製し
た。 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （１０００Å） 第１磁性層：Ｔｂ0.21（Ｆｅ0.9Ｃｏ0.1)0.79 （５０
０Å） 中 間 層：Ｇｄ0.21（Ｆｅ0.8Ｃｏ0.2)0.79 （３０
０Å） 第２磁性層：（Ｇｄ0.6Ｔｂ0.4)0.28（Ｆｅ0.85Ｃｏ
0.15)0.72（８００Å） 熱伝導層 ：Ａｌ （１０００Å） 保 護 層：Ｓｉ3Ｎ4 （５００Å） この媒体の第１磁性層、中間層、第２磁性層の磁気特性
は、実施例２と同じである。この媒体のオーバーライト
特性を評価した。測定条件を次に示す。 記録時のレーザパワー：１３ｍＷ 消去時のレーザパワー：６ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ 線速 ：７ｍ／ｓ 初期化磁界 ：３ＫＯｅ バイアス磁界 ：０．４ＫＯｅ １ＭＨｚの信号を記録、再生したときのＣ／Ｎおよびこ
の上に２ＭＨｚのオーバーライトを実施したときのＣ／
Ｎを下表に示す。
【表９】 本実施例の結果より、熱伝導層を設けた方が設けない場
合（実施例２参照）よりＣ／Ｎが高くなり、オーバーラ
イト特性も良くなることが分かった。
合（実施例２参照）よりＣ／Ｎが高くなり、オーバーラ
イト特性も良くなることが分かった。
【００２０】（１）請求項１に対応する作用効果 特定の条件を満たす中間層を第１磁性層と第２磁性層と
の間に設けることにより、信頼性良くオーバーライト出
来、また再現性の良い安定した媒体作製が出来る。 （２）請求項２に対応する作用効果 前式（１）のアモルファス磁性材料を第１磁性層、第２
磁性層および中間層に用いることにより、良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。 （３）請求項３に対応する作用効果 再生層を積層することにより、再生Ｃ／Ｎおよびオーバ
ーライト特性を向上させることができる。 （４）請求項４に対応する作用効果 第１磁性層、第２磁性層および中間層、さらには中間層
を設ける場合にあっては再生層を、ＲＥ１成分として軽
希土類元素を添加したものである前式（１）のアモルフ
ァス磁性材料で構成することにより、照射光の短波長化
時のオーバーライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５に対応する作用効果 熱伝導層を設けることにより、再生Ｃ／Ｎおよびオーバ
ーライト特性を向上させることができる。
の間に設けることにより、信頼性良くオーバーライト出
来、また再現性の良い安定した媒体作製が出来る。 （２）請求項２に対応する作用効果 前式（１）のアモルファス磁性材料を第１磁性層、第２
磁性層および中間層に用いることにより、良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。 （３）請求項３に対応する作用効果 再生層を積層することにより、再生Ｃ／Ｎおよびオーバ
ーライト特性を向上させることができる。 （４）請求項４に対応する作用効果 第１磁性層、第２磁性層および中間層、さらには中間層
を設ける場合にあっては再生層を、ＲＥ１成分として軽
希土類元素を添加したものである前式（１）のアモルフ
ァス磁性材料で構成することにより、照射光の短波長化
時のオーバーライト特性を向上させることができる。 （５）請求項５に対応する作用効果 熱伝導層を設けることにより、再生Ｃ／Ｎおよびオーバ
ーライト特性を向上させることができる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の１実施態様を示す図
である。
である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の他の態様（再生層を
形成）を示す図である。
形成）を示す図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の他の態様（熱伝導層
を形成）を示す図である。
を形成）を示す図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体の記録および消去プロ
セスを示す図である。 （ａ）消去プロセス （ｂ）再生プロセス
セスを示す図である。 （ａ）消去プロセス （ｂ）再生プロセス
【図５】実施例１の光磁気記録媒体の中間層の膜の厚さ
を変えた時のσW の変化を示す図である。
を変えた時のσW の変化を示す図である。
１ 基板 ２ 保護層 ３ 第１磁性層 ４ 中間層 ５ 第２磁性層 ６ 保護層 １０ 基板 ２０ 保護層 ３０ 第１磁性層 ４０ 中間層 ５０ 第２磁性層 ６０ 保護層 １００ 基板 ２００ 保護層 ３００ 第１磁性層 ４００ 中間層 ５００ 第２磁性層 ６００ 保護層 ７００ 熱伝導層
Claims (5)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す第１磁性層の上
に、以下の条件（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）の
要件を満足する磁性膜から成る中間層を積層し、該層の
上に垂直磁気異方性を示す第２磁性層を積層した積層構
造を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体。 （Ａ）Ｔｃｏｍｐ＜Ｔｒｏｏｍ （Ｔｃｏｍｐ：補償温度、Ｔｒｏｏｍ：室温） （Ｂ）３５０ｅｍｕ／ｃｃ≦Ｍｓ≦５５０ｅｍｕ／ｃｃ （Ｍｓ：飽和磁化） （Ｃ）２００Å≦ｔ≦４００Å （ｔ：層の厚さ） （Ｄ）ＴC＞ＴC1 （ＴC：中間層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、第１磁性層、第２磁性層および中間層が下式（１）
で表わされるアモルファス磁性材料で構成されるオーバ
ーライト可能な光磁気記録媒体。 【数１】 （ＲＥ１)X（Ｆｅ 1-Y Ｃｏ Y)1-X （１） （前式中、ＲＥ１は、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥ
ｒよりなる群から選ばれた少なくとも１種のものを表
す。Ｘは、０．１５≦Ｘ≦０．４０、Ｙは、０≦Ｙ≦
０．４である。） - 【請求項３】 請求項１または２記載の光磁気記録媒体
において、該媒体の光の入射側に、第１磁性層に隣接し
て下記の要件を満足する前式（１）で表わされるアモル
ファス磁性材料で構成される再生層を積層したオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体。 Ｈcr＜ＨC1 （Ｈcr：再生層の保磁力、ＨC1：第１磁性層の保磁力） Ｔcr＞ＴC1 （Ｔcr：再生層のキュリー温度、ＴC1：第１磁性層のキ
ュリー温度） - 【請求項４】 請求項２または３記載の光磁気記録媒体
において、前式（１）のアモルファス磁性材料が、ＲＥ
１成分にＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、ＳｍおよびＥｕより
なる群から選ばれた少なくとも１種類の軽希土元素（Ｒ
Ｅ２）を添加し、前式（１）のＲＥ１成分を 【数２】 （ＲＥ１)1-Z（ＲＥ２)Z （２） （前式中、ＲＥ１は前記に同じ。ＲＥ２は軽希土元素を
表わす。Ｚは０＜Ｚ≦０．５である。）としたアモルフ
ァス磁性材料からなる光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の光磁気
記録媒体において、該媒体の光の入射側とは反対側に第
２磁性層に隣接して熱伝導層を設けた光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27711294A JPH08115540A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27711294A JPH08115540A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115540A true JPH08115540A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17578955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27711294A Pending JPH08115540A (ja) | 1994-10-17 | 1994-10-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115540A (ja) |
-
1994
- 1994-10-17 JP JP27711294A patent/JPH08115540A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05225627A (ja) | 高密度光磁気ディスク | |
| US5420833A (en) | Magneto-optical recording medium having first and second magnetic layers | |
| US5663935A (en) | Magneto-optical recording medium having two magnetic layers of exchange-coupled at ferromagnetic phase | |
| KR100238692B1 (ko) | 광자기기록매체 | |
| EP0376680B1 (en) | Overwritable magneto-optical recording medium and recording method utilizing the same | |
| JPH056588A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| US6844083B2 (en) | Magneto-optical recording medium possessing a magnetic assist layer | |
| JPH07230637A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 | |
| JPH08115540A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10312594A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2604475B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08194976A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP3000385B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3395189B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3613267B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2893089B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH07169122A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPH06302030A (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JPH05325283A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP2959646B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 | |
| JP2869449B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| JPH05325288A (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2805787B2 (ja) | 光磁気記録方法 |