JP3395189B2

JP3395189B2 - 光磁気記録方法

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Publication number: JP3395189B2
Application number: JP10598691A
Authority: JP
Inventors: 良弘武藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-05-10
Filing date: 1991-05-10
Publication date: 2003-04-07
Anticipated expiration: 2018-04-07
Also published as: JPH04335232A

Description

【発明の詳細な説明】【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録方法例えば
レーザー光照射による光（熱）磁気記録方法であって、
その記録の読出しはカー回転角の検出によって行うこと
ができるようにした光磁気記録方法に関わる。【０００２】【従来の技術】光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行う記録媒体に対してのその情報の光
（熱）磁気記録方法においては、垂直磁化膜による磁性
薄膜を有する記録媒体に対し、その磁化の方向を膜面に
垂直な一方向に予め揃えるいわゆる初期化を施してお
き、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を有する磁区を
レーザー光照射等の局部加熱により形成することによっ
て、２値化された情報ビットとして情報を記録してい
る。【０００３】光（熱）磁気記録方法においては、情報の
書き換えに先立って、記録された情報の消去（上記初期
化に相当）の過程すなわち消去のための時間を要し、高
転送レートでの記録を実現できない。これに対し、この
ような独立の消去過程の時間が不要とされた重ね書き、
いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案
されている。【０００４】このオーバーライト方式の光磁気記録方法
の中で有望視されている方法としては、例えば媒体に対
する外部磁場変調法と、記録用のヘッドの他に消去用の
ヘッドを設ける２ヘッド法とが知られている。【０００５】外部磁場変調法とは、例えば特公昭６０−
４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に
対する昇温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流
の状態に対応する極性の磁場を印加することにより記録
を行うものである。【０００６】ところで、上述のような外部磁場変調法に
よって情報転送レートの高い高速記録を行おうとする
と、例えばＭＨｚオーダで動作する電磁石が必要とな
る。このような電磁石の作製は困難であり、また作製で
きたとしても消費電力及び発熱が大きく実用的でないと
いう問題点がある。また、２ヘッド法では、余分なヘッ
ドを必要とし、２つのヘッドを離して設置しなければな
らず、ドライブシステムへの負担が大きく、経済性が悪
く、量産にも向かない等の問題点を有している。【０００７】そこでレーザー光等による媒体の加熱温度
を切換制御することで容易に書き換えすなわちオーバー
ライトが可能な光磁気記録方法が注目される。【０００８】本出願人は、このような問題点の解決をは
かる光（熱）磁気記録方法を、特開昭６３−５２３５４
号出願、及び特開昭６３−５２３５５号出願で提供し
た。これら出願で提案された光（熱）磁気記録方法は、
第１及び第２の希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造に
よる熱（光）磁気記録媒体を用い、所要の第１の外部磁
場の印加の下に第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ
₁以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じ
ない第１の温度Ｔ₁に加熱する第１の加熱状態と、温度
Ｔｃ₁以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転さ
せるに充分な第２の温度Ｔ₂に加熱する第２の加熱状態
とを、記録しようとする情報例えば“０”，“１”に応
じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁性薄膜
の交換結合力により第１の磁性薄膜の副格子磁化の向き
を第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃えて、例えば
“０”，“１”の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜
に形成すると共に、第２の外部磁場によって、或いは第
２の磁性薄膜組成を、その補償温度が室温から第２の温
度Ｔ₂間に存在するように選定することによって、室温
で第１の外部磁場のみによって第２の磁性薄膜の副格子
磁化が反転するようにして、オーバーライト可能な状態
を得るようにするものである。【０００９】この場合、消去のための特別の過程（時
間）を要することがなく高転送レート化を図ることがで
きるとか、上述した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調
方式による場合の諸問題を解決できる。【００１０】上記特開昭６３−５２５３４号出願による
熱（光）磁気記録方法について説明すると、この記録方
法では、図８に温度Ｔに対応して上述した第１及び第２
の各磁性薄膜１及び２における各磁化状態を、各図示の
薄膜１及び２内に矢印をもって模式的に示すように、室
温Ｔ_R下において、両磁性薄膜１及び２の磁化の向きが
同一である状態Ａと、互いに逆向きの状態Ｂとの２態様
によって例えば“０”，“１”の情報の記録がなされ
る。【００１１】これら記録は、記録磁界即ち第１の外部磁
場Ｈｅｘの印加と、レーザー光照射による第１及び第２
の加熱温度Ｔ₁及びＴ₂による加熱によって行われる。【００１２】まず例えば状態Ａにある部位に対してレー
ザー光を照射して、このレーザー光の強度あるいは照射
時間を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度Ｔ
を、第１の磁性薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ₁以上で
かつ所要の記録磁界（外部磁場）Ｈｅｘによって第２の
磁性薄膜２に磁化反転の生じない第１の加熱温度Ｔ₁に
加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性薄膜１は
磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了して磁性薄
膜１及び２の積層膜が温度Ｔｃ₁以下に下がると第１の
磁性薄膜１に磁化が生じる。このとき、第２の磁性薄膜
２との交換結合力が支配的となるようになされていて、
これによって第１の磁性薄膜１の磁化の向きは、第２の
磁性薄膜２と同一の向きとされる。つまり、状態Ａを生
じさせて、例えば“０”の情報の記録を行う。【００１３】一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ₁より
高くかつ第２の磁性薄膜２の磁化を記録磁界（外部磁
場）Ｈｅｘによって反転することができる第２の加熱温
度Ｔ₂に加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性
薄膜１は磁化を失い、一方、第２の磁性薄膜２が記録磁
界Ｈｅｘによってその磁化が反転した状態Ｄが生じる
が、この加熱が終了して磁性薄膜１及び２の積層膜が温
度Ｔｃ₁に下がると第１の磁性薄膜１に第２の磁性薄膜
２による交換結合力によって状態Ｅ、すなわちもとの初
期状態とはその磁化の向きが逆の状態が形成される。こ
のとき第２の磁性薄膜に対する初期化磁界即ち第２の外
部磁界、いわば外部補助磁場Ｈ_SUbを印加して室温Ｔ_R
近傍で保磁力が比較的低く選定されている第２の磁性薄
膜２のみの磁化の向きを反転させ、両磁性薄膜１及び２
間に磁壁ＭＷが生じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａと
は第１の磁性薄膜１の磁化の向きのみが反転した状態Ｂ
を生じさせて例えば“１”の情報の記録を行う。【００１４】このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報
“０”，“１”の記録がなされこの第１の磁性薄膜１に
よる磁化の向きを読み出しレーザー光照射のカー回転に
よって検出するものである。【００１５】この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれ
においてもこれの上に光強度変調オーバーライトが可能
である。すなわちいずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ
₁及びＴ₂の加熱を行う場合、状態Ｃの過程を経ること
によって前述したと同様に温度Ｔ₁及びＴ₂の選定によ
って初期の状態が状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わ
ず情報“０”及び“１”によって状態Ａ及び状態Ｂのオ
ーバーライトが可能となる。【００１６】ところで、上述の構成による光磁気記録媒
体では、その第１及び第２の磁性薄膜１及び２の積層膜
の界面には、交換エネルギーが働いており、このために
第１の状態Ｂでは磁壁ＭＷが発生するものであり、この
磁壁エネルギーσ_Wは、下記数１となる。【００１７】【数１】 σ_W≒２（（Ａ₁Ｋ₁）^1/2＋（Ａ₂Ｋ₂）^1/2）【００１８】（Ａ₁及びＡ₂，Ｋ₁及びＫ₂はそれぞれ
第１及び第２の磁性薄膜１及び２の交換定数、垂直磁気
異方性定数）そして、そのオーバーライトのために必要
な条件は、室温（−２０℃〜６０℃）において状態Ｂか
ら状態Ａへの移行が生じることがないようにするための
条件下記数２となる。【００１９】【数２】Ｈｃ₁＞Ｈｗ₁＝σ_W／２Ｍ_S1ｈ₁ 【００２０】また状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じない
ようにするために下記数３の条件を満足することが必要
である。【００２１】【数３】Ｈｃ₂＞Ｈｗ₂＝σ_W／２Ｍｓ₂ｈ₂ 【００２２】さらにまた状態Ｅにおいて、その第１の磁
性薄膜１が、外部補助磁場Ｈ_SUbによって反転してしま
うことがないようにするためには、【００２３】【数４】Ｈｃ₁±Ｈｗ₁＞Ｈ_SUb 【００２４】ここに左辺の＋−は、第１の磁性薄膜１が
希土類金属優勢膜であり、第２の磁性薄膜２が遷移金属
優勢膜である場合は「＋」となり、第１及び第２の磁性
薄膜１及び２が共に遷移金属優勢膜である場合は「−」
となる。【００２５】一方状態Ｅから状態Ｂへの移行を生じせし
めるためには、下記数５を満足することが必要である。【００２６】【数５】Ｈ_SUb＞Ｈｃ₂＋Ｈｗ₂＝Ｈｃ₂＋σ_W／２Ｍｓ₂ｈ₂ 【００２７】また、さらに加熱温度が第１の磁性薄膜１
のキュリー温度Ｔｃ₁近傍において、状態Ｃから状態Ａ
への移行、すなわち第１の磁性薄膜１の磁化の向きが第
２の磁性薄膜２の磁化の向きに揃えられるためには、下
記数６の条件が満足されることが必要である。【００２８】【数６】Ｈｗ₁＞Ｈｃ₁＋Ｈｅｘ【００２９】さらに状態Ｃから状態Ｅへの移行が生じな
いために、下記数７の条件が満足されることが必要であ
る。【００３０】【数７】Ｈｃ₂−Ｈｗ₂＞Ｈｅｘ【００３１】尚、上記各式においてＨｗ₁及びＨｗ₂は
上記数２及び数３で定義された交換結合力による実効的
磁界、Ｈｃ₁及びＨｃ₂、Ｍｓ₁及びＭｓ₂、ｈ₁及び
ｈ₂はそれぞれ第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和
磁化、厚さである。【００３２】これらより明らかなように、室温において
は上記数２及び数３を満足し得る上で磁壁エネルギーσ
_Wは小さい方が望ましいが、実際には例えば文献：イン
ターマグ’８７（Ｉｎｔｅｒｍａｇ’８７）ＢＢ−０７
よりＫ〜４×１０⁶ｅｒｇ／ｃｍ³，Ａ＝２×１０^-6ｅ
ｒｇ／ｃｍと推定すると、σ_W≒２．５ｅｒｇ／ｃｍ ³
という可成り高い値を示す。【００３３】一方、２層膜ヒステリシスループからの実
測値ではσ_W＝３〜８ｅｒｇ／ｃｍ ³にある。今、仮に
σ_W＝５ｅｒｇ／ｃｍ²とし、ＨｃＭｓ≒０．４５×１
０⁶ｅｒｇ／ｃｍ²を用いてＨｅｘ＝２ｋＯｅとして上
記数７を室温Ｔ_Rで確保するには、すなわちＨｃ₂−Ｈ
ｗ₂＞２ｋＯｅを確保するには、ｈ₂＝１１００Å，Ｈ
ｃ₂＝４ｋＯｅ，Ｈｗ₂≦２ｋＯｅ程度となり、第２の
磁性薄膜２の膜厚ｈ₂が大きくなるとともに上記数５よ
り外部補助磁場Ｈ_SUbが大きくなる。【００３４】一方、前述の図８で説明した光磁気記録方
法において、その室温での磁壁エネルギー密度σ_Wを小
さくし、かつ上記数５を満足させるようなσ_Wの温度特
性を改善することによって第２の磁性薄膜２の膜厚ｈ₂
及び外部補助磁場Ｈ_SUbの減少をはかるものとして本出
願人は先に特開平２−２４８０１号及び特開平２−１２
１１０３号において熱磁気記録方法の提案をなした。【００３５】上記特開平２−２４８０１号出願で提案さ
れた記録方法においては、図９に示す光磁気記録媒体１
０を用意するものである。この光磁気記録媒体１０は、
垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜１及び
２が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有
する第３の磁性薄膜３を介して順次磁気的に結合されて
積層された積層膜を有してなる。【００３６】そしてこの記録媒体１０に対してレーザー
光照射による温度Ｔを図８で説明したと同様に図９に示
すように、第１及び第２の温度Ｔ₁及びＴ₂に加熱する
ことによる情報記録を行う。すなわち、第１の磁性薄膜
１のほぼキュリー温度Ｔｃ₁以上でかつ第２の磁性薄膜
２の磁気モーメントの反転の生じない第１の温度Ｔ₁に
加熱する第１の加熱状態と、第１の磁性薄膜１のキュリ
ー温度Ｔｃ₁以上でかつ第２の磁性薄膜２の磁気モーメ
ントを反転させるに充分な第２の温度Ｔ₂に加熱する第
２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて
変調し、それぞれの加熱状態から冷却することにより上
述した状態Ａ及び状態Ｂを得る。【００３７】このような方法においても、第１の磁性薄
膜１の磁化状態によって情報記録を行うものであるが、
この方法による場合、第１及び第２の磁性薄膜１及び２
が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有す
る第３の磁性薄膜３を介して磁気的に結合されているこ
とによって、第１および第２の磁性薄膜１及び２間の磁
壁エネルギーσ_Wが低減化され、これによって上記数５
の条件が満たされやすくなり、前記状態ＥからＢへの移
行すなわち第２の磁性薄膜２の初期化のための外部補助
磁場Ｈ_SUbの低減化をはかることができると共に積層膜
全体の厚さの低減化をはかることができる。【００３８】ところで、前述した図８及び図９のいずれ
の場合も、第２の磁性薄膜２は、記録される磁区状態を
決める役割と、初期化磁界（外部補助磁場）の大きさを
決める役割とが課せられる。つまり第２の磁性薄膜２と
しては、初期化磁界を小さくするために、室温Ｔ_Rでの
おおよその保磁力Ｈｃ₂が小さい材料を用いることが望
まれるが、このように室温での保磁力Ｈｃ₂が小さく実
効的な垂直磁気異方性が小さいときは、記録磁区状態
（形状、磁化状態）が乱れ、記録時ノイズが増加し、Ｓ
／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が充分高められない。【００３９】【発明が解決しようとする課題】本発明においては、こ
の初期化磁界（外部補助磁界Ｈ_SUb）の低減化とノイズ
の低減化との相容れない課題の解決をはかることを目的
とする。【００４０】【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともそ
れぞれ垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜
が、第３の磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されて積
層された積層膜を有してなり、この第２の磁性薄膜は、
交換結合され、共に室温で希土類金属優勢膜よりなる第
１及び第２の構成膜が積層されてなる光磁気記録媒体を
構成する。第１及び第２の構成膜の室温における保磁力
をそれぞれＨｃ_2-1及びＨｃ_2-2とし、キュリー温度を
それぞれＴｃ_2-1及びＴｃ_2-2とするときに図２にその
関係を曲線１２１及び１２２で示すように、Ｈｃ_2-1＞
Ｈｃ_2-2、Ｔｃ_2-1＞Ｔｃ_2-2とする。また第３の磁性
薄膜は、第１及び第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性より
小さく、垂直磁気異方性定数が１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｍ
³以下を有する磁性薄膜によって構成される。【００４１】そしてこの光磁気記録媒体を用いて第１の
磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ₁近傍で第２の磁性薄
膜の磁気モーメントの反転を生じさせることのない第１
の温度Ｔ₁に加熱する第１の加熱状態と、キュリー温度
Ｔｃ₁以上で第１の構成膜の磁気モーメントを反転させ
るに充分な温度Ｔ₂に加熱する第２の加熱状態とを、記
録しようとする情報信号に応じて変調し、室温から第１
又は第２の加熱状態まで昇温し、この加熱状態から室温
まで冷却する全温度変化過程において、第１及び第２の
構成膜の間に界面磁壁が生じないものとする。【００４２】【作用】本発明方法においても、その磁化態様は、図８
若しくは図９で説明した過程と同様の過程による記録、
再生方法が採られるが、上述したように本発明において
は、第２の磁性薄膜２を第１及び第２の構成膜２１及び
２２によって構成し、室温での保磁力Ｈｃ_2-1及びＨｃ
_2-2をＨｃ_2-1＞Ｈｃ_2-2としたことによって、この第
２の磁性薄膜２全体の反転磁界Ｈｅｆｆ（保磁力）Ｈｃ
₂としては、保磁力の小さい第２の構成膜２２の存在に
よってその低減化が図られることから、前記数５によっ
て初期化磁界（補助磁界）Ｈ_SUbを低く抑えた状態で、
Ｔｃ_2-1＞Ｔｃ_2-2としたことから、記録温度Ｔ₂で
は、Ｔｃ_2-1＞Ｔ_2-2とすることによって、この記録時
において保磁力の小さい第２の構成膜２２は実質的にそ
の磁気的特性を失うようにすることができ、これの情報
磁区の形成への関与を回避でき、高いＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）
を確保できる。つまり保磁力の高い第１の構成膜２１に
よって情報磁区が形成されることから、発生した記録磁
区は鮮明となり、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）にすぐれた光磁気記
録を行うことができるものである。【００４３】【実施例】本発明の一例を説明するに、まず図１を参照
してこれに用いる光磁気記録媒体Ｓについて説明する。
この光磁気記録媒体Ｓは例えばガラス板やアクリル板等
の光透過性基板５の一方の面に、保護膜または干渉膜と
なる透明の誘電体６を介して、第１の磁性薄膜１と、第
３の磁性薄膜３と、更に第２の磁性薄膜２を構成する第
１及び第２の構成膜２１及び２２とを順次例えばマグネ
トロン型スパッタ装置によって多源ターゲットをもって
形成する。【００４４】第１の磁性薄膜１は、希土類−遷移金属薄
膜による垂直磁気異方性の大きい磁性薄膜によって構成
される。【００４５】第２の磁性薄膜２の第１及び第２の構成膜
２１と２２とは、比較的大きい垂直磁気異方性を有する
材料と垂直磁気異方性の弱い材料とにより構成する。そ
して第１及び第２の構成膜の室温における保磁力をそれ
ぞれＨｃ_2-1及びＨｃ_2-2とし、キュリー温度をそれぞ
れＴｃ_2-1及びＴｃ_2-2とするときＨｃ_2-1＞Ｈ
ｃ_2-2、Ｔｃ_2-1＞Ｔｃ_2-2とする。尚、この場合の第
１及び第２の構成膜の保磁力の温度依存性を図２におい
て曲線１２１及び１２２として示す。図２において、Ｔ
compは第１の構成膜２１の補償温度を示す。第３の磁性
薄膜３は、室温で面内磁気異方性もしくは第１及び第２
の磁性薄膜１及び２に比し小さい垂直磁気異方性の例え
ば１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｍ³以下で、かつ、その有効異
方性定数Ｋの温度特性曲線が、上に凸の特性ないしは直
線的特性を示す希土類優勢金属膜で、室温での飽和磁化
Ｍｓが０〜４５０ｅｍｕ／ｃｍ³である材料とする。【００４６】参考例１図３に示すように、光透過性基板５上に、誘電体膜６を
介してそれぞれ厚さ４００Åの第１の構成膜２１と第２
の構成膜２２とをスパッタした場合の特性についてみ
る。【００４７】この場合、第１の構成膜２１は、飽和磁化
Ｍｓ_2-1＝２１７ｅｍｕ／ｃｍ³、保磁力Ｈｃ_2-1＝
４．７（ｋＯｅ）、キュリー温度Ｔｃ_2-1＝３２４℃、
補償温度Ｔ_comp＝１９０℃の特性を有する（Ｇｄ₃Ｔ
ｂ）（Ｆｅ₆₆Ｃｏ₃₀Ｃｒ₄）によって構成した。【００４８】また、第２の構成膜２２は、キュリー温度
Ｔｃ_2-2が第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ_2-2が
第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ_2-1より充分低い
例えば２００℃のＧｄ（Ｆｅ₉₁Ｃｏ₅Ｃｒ₄）によって
構成した。【００４９】この構成による磁性薄膜２について、第２
の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ_2-2を、希土類元素のＧｄ
の添加量を変えることによって変化させて、それぞれの
Ｃ／Ｎを測定した結果を図４中●印（実線曲線）をもっ
てプロットした。【００５０】比較例１第１の構成膜２１については、参考例１と同様の磁性膜
によって構成し、第２の構成膜２２については、Ｇｄ
（Ｆｅ₆₆Ｃｏ₃₀Ｃｒ₄）のキュリー温度Ｔｃ_2-2が３５
０〜３６０℃程度のものによって構成した。この場合の
同様のＭｓ_2-2を変えてＣ／Ｎを測定した結果を図４中
○印（破線曲線）をもってプロットして示した【００５１】尚、この場合のＣ／Ｎの測定は、記録磁界
を３００（Ｏｅ）とし、照射レーザ光の実施例１及び比
較例の各媒体に対する各相対線速度を１０ｍ／ｓｅｃ、
記録周波数５ＭＨｚとした場合である。【００５２】また図５に、参考例１及び比較例における
第１及び第２の構成膜２１及び２２の全体としての保磁
力Ｈ_effの、同様に第２の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ
_2-2を変化させて測定した結果をそれぞれ●印（実線曲
線）及び○印（破線曲線）でプロットした。【００５３】図４をみて明らかなように、参考例１にお
けるように、Ｈｃ_2-1＞Ｈｃ_2-2と共に、Ｔｃ_2-1＞Ｔ
ｃ_2-2としたものは、高いＣ／Ｎが得られている。そし
て、図５の参考例１による実線曲線によれば、例えばＨ
_eff＝２．２ｋＯｅとなるＭｓ_2-2は約１７０ｅｍｕ／
ｃｃとなるが、このＭｓ_2-2＝１７０ｅｍｕ／ｃｃでの
Ｃ／Ｎを図４の実線曲線からみると、Ｃ／Ｎは約５２ｄ
Ｂが得られる。因みに、上述の構成膜２１の単層構造で
は、Ｃ／Ｎは５３ｄＢ程度であるので、参考例１におけ
るように第１及び第２の構成膜２１及び２２による２層
構造としてＨ_effを下げても、Ｃ／Ｎに殆んど遜色がな
いことがわかる。【００５４】次に、このように、第１の構成膜２１とし
て同一の磁性膜を用いるにも拘わらず記録に差が生じる
ことの原因を調べるために、図６に第２の構成膜２２の
飽和磁化Ｍｓ_2-2を変化させたときの補償温度の測定結
果を図６に示す。図６において●印及び○印は参考例１
及び比較例１によるもの、△印は比較例１における第２
の構成膜２２のみの厚さ８００Åとした単層構造とした
場合のものである。尚、図６中実線の直線６１は参考例
１及び比較例１における第１の構成膜のみの補償温度Ｔ
_compを表わしたものである。【００５５】図６から明らかなように、第２の構成膜２
２がＧｄ（Ｆｅ₉₁Ｃｏ₅Ｃｒ₄）の実施例１では、●印
（実線曲線）のように第２の構成膜の組成の影響を殆ん
ど受けることなく、Ｔ_compは殆んど変化しないが、第２
の構成膜２２がＧｄ（Ｆｅ₆₆Ｃｏ₃₀Ｃｒ₄）の比較例１
の○印（破線曲線）では、Ｇｄ（Ｆｅ₆₆Ｃｏ₃₀Ｃｒ₄）
の単層の△印（鎖線曲線）で示す補償温度変化に対応し
て変化している。このように、第２の構成膜２２のキュ
リー温度Ｔｃ_2-2が低いＧｄ（Ｆｅ₉₁Ｃｏ₅Ｃｒ₄）で
は、高温で第１の構成膜２１の特性に影響を与えないこ
とがわかる。【００５６】つまり、参考例１では第１の構成膜２１の
記録特性に余り影響を与えずに良好なＣ／Ｎを確保し、
しかも室温における反転磁界Ｈ_effを低めることができ
る。【００５７】参考例２参考例１の構成を採り、第２の磁性薄膜２として反転磁
界Ｈ_eff＝２．４ｋＯｅ、Ｃ／Ｎが約５２ｄＢとした光
磁気ディスクを作製した。【００５８】比較例２保磁力Ｈｃが２．７ｋＯｅの（Ｇｄ₃Ｔｂ）（Ｆｅ₆₆Ｃ
ｏ₃₀Ｃｒ₄）の単層膜による光磁気ディスクを作製し
た。【００５９】図７中●印及び△印はそれぞれ参考例２と
比較例２の図８、９で説明した記録磁界Hex とＣ／Ｎの
関係の測定結果を示す。これによればＨexの小さいとこ
ろで第２の磁性薄膜２が２層構造のものは、単層膜に比
し約７ｄＢＣ／Ｎの向上がはかられる。【００６０】実施例１図１に示す構造を有し、第１の磁性薄膜１が厚さ４００
ÅのＴｂ（Ｆｅ₉₁Ｃｏ₅Ｃｒ₄）によって構成され、第
３の磁性薄膜３が厚さ１５０ÅのＧｄ（ＦｅＣｏ₉₁Ｃｒ
₄）によって構成され、第２の磁性薄膜２が厚さ４００
Åの（Ｇｄ₃Ｔｂ）（Ｆｅ₆₆Ｃｏ₃₀Ｃｒ₄）による第１
の構成膜２１と、厚さ４００ÅのＧｄ（Ｆｅ₉₁Ｃｏ₅Ｃ
ｒ₄）による第２の構成膜２２とによるＨｃ_2-1＞Ｈｃ
_2-2、Ｔｃ_2-1＞Ｔｃ_2-2とした構成の２通りの光磁気
ディスク（試料１及び２）を作製した。【００６１】比較例３実施例１と同様の構成によるが、第２の磁性薄膜２を、
単層とした光磁気ディスク（試料３）を作製した。【００６２】各試料１〜３の特性を下記表１に示す。【００６３】【表１】【００６４】これより明らかなように、本発明による試
料１及び２は、本発明によらない試料３に比し、記録磁
界Ｈｅｘを小さくでき、初期化磁界Ｈ_SUbを低く抑えた
状態でＣ／Ｎの向上がはかられる。【００６５】尚、上述の本発明で用いる光磁気記録媒体
の第１及び第２の構成膜２１及び２２の積層関係は、互
いに上下いずれでも良い。【００６６】【発明の効果】上述したように本発明によれば、Ｃ／Ｎ
を確保しつつ、記録のための印加磁界、即ち図８及び図
９の記録過程における外部磁界Ｈ_SUb及びＨｅｘを低め
ることができるので、これら外部磁界を与えるための磁
界発生手段の小型化、消費電力の低減化等をはかること
ができるなど実用上大きな利点を有する。

【図面の簡単な説明】【図１】本発明による光磁気記録媒体の断面図である。【図２】温度−保磁力曲線図である。【図３】第２の磁性膜の構成図である。【図４】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。【図５】保磁力測定曲線図である。【図６】補償温度測定曲線図である。【図７】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。【図８】磁化状態図である。【図９】磁化状態図である。【符号の説明】Ｓ光磁気記録媒体１第１の磁性薄膜２第２の磁性薄膜２１第１の構成膜２２第２の構成膜３第３の磁性薄膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】【請求項１】少なくともそれぞれ垂直磁気異方性を有
する第１及び第２の磁性薄膜が、第３の磁性薄膜を介し
て順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有してな
り、上記第２の磁性薄膜は、交換結合され、共に室温で希土
類金属優勢膜よりなる第１及び第２の構成膜が積層され
てなり、上記第１及び第２の構成膜の室温における保磁
力をそれぞれＨｃ_2-1及びＨｃ_2-2とし、キュリー温度
をそれぞれＴｃ_2-1及びＴｃ_2-2とするとき、Ｈｃ_2-1
＞Ｈｃ_2-2、Ｔｃ_2-1＞Ｔｃ_2-2とされ、上記第３の磁性薄膜の垂直磁気異方性が、上記第１及び
第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性より小さく、垂直磁気
異方性定数が１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｍ³以下とされた光
磁気記録媒体を用い、上記第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ₁近傍で上
記第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生じさせる
ことのない第１の温度Ｔ₁に加熱する第１の加熱状態
と、上記キュリー温度Ｔｃ₁以上で上記第１の構成膜の
磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ₂に加熱す
る第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応
じて変調し、室温から上記第１又は第２の加熱状態まで昇温し、上記
加熱状態から室温まで冷却する全温度変化過程におい
て、上記第１及び第２の構成膜の間に界面磁壁が生じな
いことを特徴とする光磁気記録方法。