JP2903729B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレーザー光の光
強度変調によって繰返しオーバライトが可能な光磁気記
録媒体に係わる。
強度変調によって繰返しオーバライトが可能な光磁気記
録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行う光磁気記録再生方法において、情
報の書き換えすなわちオーバライト(overwrite)を可能
にした記録方法としては、光磁気記録媒体に与える外部
磁場を変調する磁界変調型と、記録用のヘッドのほかに
消去用のヘッドを設ける２ヘッド型とが一般に知られて
いる。
区）の読み出しを行う光磁気記録再生方法において、情
報の書き換えすなわちオーバライト(overwrite)を可能
にした記録方法としては、光磁気記録媒体に与える外部
磁場を変調する磁界変調型と、記録用のヘッドのほかに
消去用のヘッドを設ける２ヘッド型とが一般に知られて
いる。
【０００３】磁界変調型の記録は、例えば、特開昭60−
48806 号公報に開示されているように、膜面に垂直な磁
化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対
し、その記録を行う場合、例えばオーバライト部にレー
ザー光を照射して此処を局部的に加熱し、記録情報、例
えば“０”，“１”に応じて極性が反転変調された磁界
を磁性薄膜に垂直方向に与えて、その磁化による記録を
行うというものである。
48806 号公報に開示されているように、膜面に垂直な磁
化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対
し、その記録を行う場合、例えばオーバライト部にレー
ザー光を照射して此処を局部的に加熱し、記録情報、例
えば“０”，“１”に応じて極性が反転変調された磁界
を磁性薄膜に垂直方向に与えて、その磁化による記録を
行うというものである。
【０００４】ところが、この磁界変調型の記録による場
合、情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、
高い周波数で動作する電磁石が必要となり、作製上の問
題が生じてくると共に、消費電力、発熱の問題が生じて
くる。
合、情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、
高い周波数で動作する電磁石が必要となり、作製上の問
題が生じてくると共に、消費電力、発熱の問題が生じて
くる。
【０００５】一方、２ヘッド型記録は、オーバライトに
先立って消去ヘッドによっていわば記録媒体を初期化す
るものであり、この場合、２つのヘッドを離して設置す
ることからドライブシステムの組立製造の煩雑さ、大型
化、経済性に問題が生じて来る。
先立って消去ヘッドによっていわば記録媒体を初期化す
るものであり、この場合、２つのヘッドを離して設置す
ることからドライブシステムの組立製造の煩雑さ、大型
化、経済性に問題が生じて来る。
【０００６】このような問題を解決するものとして、特
開昭63−52354 号公報、特開昭63−268103号公報、及び
特開平２−24801 号公報に開示された熱（光）磁気記録
方法の提案がある。
開昭63−52354 号公報、特開昭63−268103号公報、及び
特開平２−24801 号公報に開示された熱（光）磁気記録
方法の提案がある。
【０００７】特開昭63−52354 号公報に開示された記録
方法は、図１０にその基本的構造の断面図を示すよう
に、基板１０上に、それぞれ非晶質希土類−遷移金属磁
性薄膜の垂直磁化より成るメモリー層となる第１の磁性
薄膜１と、記録層となる第２の磁性薄膜２とが磁気的に
結合して積層して成る磁気記録媒体を用い、所要の第１
の外部磁界の印加の下に第１の磁性薄膜１のほぼキュリ
ー温度ＴC1以上でかつ第２の磁性薄膜２の副格子磁化の
反転が生じない第１の温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状
態と、温度ＴC1以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化
を反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱する第２の
加熱状態とを、記録しようとする情報例えば“０”，
“１”に応じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２
の磁性薄膜１及び２間の交換結合力により第１の磁性薄
膜１の副格子磁化の向きを第２の磁性薄膜２の副格子磁
化の向きに揃えて、例えば“０”，“１”の記録ビット
（磁区）を第１の磁性薄膜１に形成すると共に、第２の
外部磁界によって、或いは、第２の磁性薄膜２の組成
を、その補償温度が室温から第２の温度Ｔ2 間に存在す
るように設定することによって室温で第１の外部磁界の
みによって第２の磁性薄膜２の副格子磁化が初期化状態
での向き、即ち正方向に反転するようして、オーバライ
トが可能な状態を得るようにするものである。
方法は、図１０にその基本的構造の断面図を示すよう
に、基板１０上に、それぞれ非晶質希土類−遷移金属磁
性薄膜の垂直磁化より成るメモリー層となる第１の磁性
薄膜１と、記録層となる第２の磁性薄膜２とが磁気的に
結合して積層して成る磁気記録媒体を用い、所要の第１
の外部磁界の印加の下に第１の磁性薄膜１のほぼキュリ
ー温度ＴC1以上でかつ第２の磁性薄膜２の副格子磁化の
反転が生じない第１の温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状
態と、温度ＴC1以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化
を反転させるに充分な第２の温度Ｔ2 に加熱する第２の
加熱状態とを、記録しようとする情報例えば“０”，
“１”に応じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２
の磁性薄膜１及び２間の交換結合力により第１の磁性薄
膜１の副格子磁化の向きを第２の磁性薄膜２の副格子磁
化の向きに揃えて、例えば“０”，“１”の記録ビット
（磁区）を第１の磁性薄膜１に形成すると共に、第２の
外部磁界によって、或いは、第２の磁性薄膜２の組成
を、その補償温度が室温から第２の温度Ｔ2 間に存在す
るように設定することによって室温で第１の外部磁界の
みによって第２の磁性薄膜２の副格子磁化が初期化状態
での向き、即ち正方向に反転するようして、オーバライ
トが可能な状態を得るようにするものである。
【０００８】この場合消去のための特別の過程（時間）
を要することがなく高転送レート化をはかることができ
るとか、上述した２ヘッド方式、或いは外部磁場変調方
法による場合の諸問題を解決できるものである。
を要することがなく高転送レート化をはかることができ
るとか、上述した２ヘッド方式、或いは外部磁場変調方
法による場合の諸問題を解決できるものである。
【０００９】これに対し特開昭63−268103号公報で開示
された記録方法では、上述の方法における第２の磁界の
省略、ないしは低減化をはかってその記録方法を実施す
る装置のより簡略化をはかることができるようにしたも
のであって、この場合図１１でその基本的構造の断面図
を示すように、基板１０上に、図１０で示したメモリー
層（第１の磁性薄膜１）と記録層（第２の磁性薄膜２）
に加えて更に同様に希土類−遷移金属薄膜の垂直磁化膜
より成る第３の磁性薄膜３が磁気的に結合して順次積層
して成る磁気記録媒体を用い、膜面にほぼ垂直方向の外
部磁界Ｈexの印加の下で第１の磁性薄膜のほぼキュリー
温度ＴC1以下であって第２の磁性薄膜２の遷移金属の副
格子磁化の向きを所定の向き即ち正方向に保持する第１
の温度Ｔ1 による第１の加熱状態と、ほぼキュリー温度
ＴC1以上で第２の磁性薄膜２の遷移金属の副格子磁化の
向きを上述の正方向と逆向きに反転し得る第２の温度Ｔ
2 による第２の加熱状態とを、記録しようとする情報例
えば“０”，“１”に応じて切換え変調し、第１及び第
２の加熱状態からの冷却過程で第３の磁性薄膜３におけ
る副格子磁化は常に正方向として第１の磁性薄膜１の副
格子磁化の向きを反転させることなく第２の磁性薄膜２
の副格子磁化を第３の磁性薄膜３の副格子磁化と同じ向
きに揃えるようにするものである。即ち、この場合、第
３の磁性薄膜３の磁化をもって第２の磁性薄膜２の正方
向に揃えるための外部磁界の省略ないしは減少をはかる
ことができるようにするものである。
された記録方法では、上述の方法における第２の磁界の
省略、ないしは低減化をはかってその記録方法を実施す
る装置のより簡略化をはかることができるようにしたも
のであって、この場合図１１でその基本的構造の断面図
を示すように、基板１０上に、図１０で示したメモリー
層（第１の磁性薄膜１）と記録層（第２の磁性薄膜２）
に加えて更に同様に希土類−遷移金属薄膜の垂直磁化膜
より成る第３の磁性薄膜３が磁気的に結合して順次積層
して成る磁気記録媒体を用い、膜面にほぼ垂直方向の外
部磁界Ｈexの印加の下で第１の磁性薄膜のほぼキュリー
温度ＴC1以下であって第２の磁性薄膜２の遷移金属の副
格子磁化の向きを所定の向き即ち正方向に保持する第１
の温度Ｔ1 による第１の加熱状態と、ほぼキュリー温度
ＴC1以上で第２の磁性薄膜２の遷移金属の副格子磁化の
向きを上述の正方向と逆向きに反転し得る第２の温度Ｔ
2 による第２の加熱状態とを、記録しようとする情報例
えば“０”，“１”に応じて切換え変調し、第１及び第
２の加熱状態からの冷却過程で第３の磁性薄膜３におけ
る副格子磁化は常に正方向として第１の磁性薄膜１の副
格子磁化の向きを反転させることなく第２の磁性薄膜２
の副格子磁化を第３の磁性薄膜３の副格子磁化と同じ向
きに揃えるようにするものである。即ち、この場合、第
３の磁性薄膜３の磁化をもって第２の磁性薄膜２の正方
向に揃えるための外部磁界の省略ないしは減少をはかる
ことができるようにするものである。
【００１０】更に、特開平２−24801 号公報に開示の記
録方法では、図１２に基本的構造の断面図を示すよう
に、図１０で説明した特開昭63−52354 号公報に開示の
記録方法において用いた記録媒体の第１及び第２の磁性
薄膜１及び２間に、両者間の磁壁エネルギーを制御する
中間磁性薄膜４を設けて、上述した第２の磁性薄膜２の
正方向への反転を確実に行うことができるようにするも
のである。
録方法では、図１２に基本的構造の断面図を示すよう
に、図１０で説明した特開昭63−52354 号公報に開示の
記録方法において用いた記録媒体の第１及び第２の磁性
薄膜１及び２間に、両者間の磁壁エネルギーを制御する
中間磁性薄膜４を設けて、上述した第２の磁性薄膜２の
正方向への反転を確実に行うことができるようにするも
のである。
【００１１】上述した各熱（光）磁気記録方法では、上
述した例えば“０”，“１”の情報を記録するための第
１及び第２の加熱は、例えばレーザー光の照射パワーを
変調することによって行うものであるが、このように２
種の加熱状態による記録を行う場合、相対的にスイッチ
ング温度が高くなり、繰返しオーバライトを行うなど高
温加熱が繰返されることによって磁性薄膜の結晶化や、
薄膜相互間の原子の拡散等が問題となり寿命の低下を来
す。特にメモリー層、即ち第１の磁性薄膜１の磁化の不
安定性は、安定確実なオーバライトを阻害し、信頼性の
低下を来す。
述した例えば“０”，“１”の情報を記録するための第
１及び第２の加熱は、例えばレーザー光の照射パワーを
変調することによって行うものであるが、このように２
種の加熱状態による記録を行う場合、相対的にスイッチ
ング温度が高くなり、繰返しオーバライトを行うなど高
温加熱が繰返されることによって磁性薄膜の結晶化や、
薄膜相互間の原子の拡散等が問題となり寿命の低下を来
す。特にメモリー層、即ち第１の磁性薄膜１の磁化の不
安定性は、安定確実なオーバライトを阻害し、信頼性の
低下を来す。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、上述した少くともメモリー層と記録層の２層以上
の磁性薄膜を有し、例えば２値の記録情報に応じた２種
の温度によってその記録を行う記録態様を採る光磁気記
録媒体において、熱的信頼性の問題、寿命の問題であっ
て、これらの改善をはかる。
点は、上述した少くともメモリー層と記録層の２層以上
の磁性薄膜を有し、例えば２値の記録情報に応じた２種
の温度によってその記録を行う記録態様を採る光磁気記
録媒体において、熱的信頼性の問題、寿命の問題であっ
て、これらの改善をはかる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例の略線的断面図を示すように、それぞれ希土類−遷移
金属非晶質磁性薄膜より成る、少くともメモリー層とな
る第１の磁性薄膜１１と、記録層となる第２の磁性薄膜
１２とが磁気的に結合されて積層されて成る光磁気記録
媒体において、少くとも第１の磁性薄膜１１が、図２に
その模式的拡大断面図を示すように、3.5Å〜10.5Åの
厚さの希土類金属層15REと、2.5Å〜22.5Åの厚さの遷
移金属層15TMの繰返し積層構造、すなわち人工格子構造
とする。
例の略線的断面図を示すように、それぞれ希土類−遷移
金属非晶質磁性薄膜より成る、少くともメモリー層とな
る第１の磁性薄膜１１と、記録層となる第２の磁性薄膜
１２とが磁気的に結合されて積層されて成る光磁気記録
媒体において、少くとも第１の磁性薄膜１１が、図２に
その模式的拡大断面図を示すように、3.5Å〜10.5Åの
厚さの希土類金属層15REと、2.5Å〜22.5Åの厚さの遷
移金属層15TMの繰返し積層構造、すなわち人工格子構造
とする。
【００１４】
【作用】上述した希土類金属層15REと、遷移金属層15TM
との繰返し積層構造によって第１の磁性薄膜１１、即ち
メモリー層を構成する場合、信頼性の向上、長寿命化が
はかられた。
との繰返し積層構造によって第１の磁性薄膜１１、即ち
メモリー層を構成する場合、信頼性の向上、長寿命化が
はかられた。
【００１５】
【実施例】図１を参照してメモリー層となる第１の磁性
薄膜１１と、記録層となる第２の磁性薄膜１２を有する
光磁気記録媒体に適用する場合の一実施例を説明する。
この場合、例えばガラス、アクリル、ポリカーボネート
等の光透過性基板１０上に保護膜または干渉膜となる透
明の例えば厚さ 800Åの SiN膜より成る誘電体層１６を
形成し、これの上に例えば第１の磁性薄膜１１、中間層
１３、第２の磁性薄膜１２を順次連続スパッタリングに
よって積層する。更にこれの上に非磁性金属膜或いは誘
電体膜例えば厚さ 800ÅのSiN 膜より成る保護膜１７を
被着形成する。
薄膜１１と、記録層となる第２の磁性薄膜１２を有する
光磁気記録媒体に適用する場合の一実施例を説明する。
この場合、例えばガラス、アクリル、ポリカーボネート
等の光透過性基板１０上に保護膜または干渉膜となる透
明の例えば厚さ 800Åの SiN膜より成る誘電体層１６を
形成し、これの上に例えば第１の磁性薄膜１１、中間層
１３、第２の磁性薄膜１２を順次連続スパッタリングに
よって積層する。更にこれの上に非磁性金属膜或いは誘
電体膜例えば厚さ 800ÅのSiN 膜より成る保護膜１７を
被着形成する。
【００１６】第１及び第２の各磁性薄膜１１及び１２
は、それぞれ、図２で模式的に示すように希土類金属層
15REと、遷移金属層15TMとの繰返し積層の人工格子構造
とする。そして、第２の磁性薄膜１２は、全体として例
えばGdTbFeCo30Cr4 の組成で厚さ 900Åとなるように、
第１の磁性薄膜１１は、全体としてTbFeCo7Cr4で厚さ 3
00Åに形成する。
は、それぞれ、図２で模式的に示すように希土類金属層
15REと、遷移金属層15TMとの繰返し積層の人工格子構造
とする。そして、第２の磁性薄膜１２は、全体として例
えばGdTbFeCo30Cr4 の組成で厚さ 900Åとなるように、
第１の磁性薄膜１１は、全体としてTbFeCo7Cr4で厚さ 3
00Åに形成する。
【００１７】また、中間層１４は、例えばGdFeCo7Cr4を
100Åの厚さに形成する。
100Åの厚さに形成する。
【００１８】第１及び第２の磁性薄膜１１及び１２更に
中間層１４は、例えば図３にその略線的平面図を示すよ
うに、４元のスパッタガン、すなわち４種のターゲット
２１，２２，２３，２４を有するスパッタ装置を用い
る。ターゲット２１はFeCo30Cr4 より成り、ターゲット
２２は、FeCo7Cr4合金より成り、ターゲット２３はGdよ
り成り、ターゲット２４はTbより成る。そして、基板１
０を、矢印ａで示すように自転させ乍ら各ターゲット２
１，２２，２３，２４によるスパッタ位置を順次通過す
るように相対的に矢印ｂで示す公転を行わしめる。そし
て、第１の磁性薄膜１１の形成においては、FeCo7Cr4タ
ーゲット２２とTbターゲット２４のみを動作させ、矢印
ａ及びｂの相対的自転及び公転を行ってスパッタリング
する。このようにすると、FeCo7Cr4による遷移金属層15
TMとTbによる希土類金属層15REとの繰返し構造によるTb
FeCo7Cr4の第１の磁性薄膜１１を形成することができ
る。次に、FeCo7Cr4ターゲット２２とGdターゲット２３
のみを動作させて同様のスパッタリングを行ってGdFeCo
7Cr4による中間層１４の形成を行い、続いて、FeCo30Cr
4 ターゲット２１と、Gdターゲット２３と、Tbターゲッ
ト２４のみを動作させて同様のスパッタリングを行って
GdとTbによる希土類金属層15REと、FeCo30Cr4 による遷
移金属層15TMの繰返し積層構造によるGdTbFeCo30Cr4 に
よる第２の磁性薄膜１２を形成する。
中間層１４は、例えば図３にその略線的平面図を示すよ
うに、４元のスパッタガン、すなわち４種のターゲット
２１，２２，２３，２４を有するスパッタ装置を用い
る。ターゲット２１はFeCo30Cr4 より成り、ターゲット
２２は、FeCo7Cr4合金より成り、ターゲット２３はGdよ
り成り、ターゲット２４はTbより成る。そして、基板１
０を、矢印ａで示すように自転させ乍ら各ターゲット２
１，２２，２３，２４によるスパッタ位置を順次通過す
るように相対的に矢印ｂで示す公転を行わしめる。そし
て、第１の磁性薄膜１１の形成においては、FeCo7Cr4タ
ーゲット２２とTbターゲット２４のみを動作させ、矢印
ａ及びｂの相対的自転及び公転を行ってスパッタリング
する。このようにすると、FeCo7Cr4による遷移金属層15
TMとTbによる希土類金属層15REとの繰返し構造によるTb
FeCo7Cr4の第１の磁性薄膜１１を形成することができ
る。次に、FeCo7Cr4ターゲット２２とGdターゲット２３
のみを動作させて同様のスパッタリングを行ってGdFeCo
7Cr4による中間層１４の形成を行い、続いて、FeCo30Cr
4 ターゲット２１と、Gdターゲット２３と、Tbターゲッ
ト２４のみを動作させて同様のスパッタリングを行って
GdとTbによる希土類金属層15REと、FeCo30Cr4 による遷
移金属層15TMの繰返し積層構造によるGdTbFeCo30Cr4 に
よる第２の磁性薄膜１２を形成する。
【００１９】上述した構造による光磁気記録媒体に対す
る記録は、特開平２−24801 号公報に開示された方法と
同様にして行われる。即ち、この場合、図４に温度Ｔに
対応して上述した第１及び第２の各磁性薄膜１１及び１
２における各磁化状態を短い矢印をもって模式的に示す
ように、室温ＴR 下において、両磁性薄膜１１及び１２
の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状
態Ｂとの２態様によって例えば“０”，“１”の情報の
記録がなされる。そして、これら記録は、外部磁場Ｈex
の印加と、レーザー光照射による第１及び第２の加熱温
度Ｔ1 とＴ2 による加熱によって行われる。まず例えば
状態Ａにある部位に対してレーザー光を照射して、この
レーザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて
変調制御してその加熱温度Ｔを、第１の磁性薄膜１１の
ほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ所要の外部磁場Ｈexに
よって第２の磁性薄膜２に磁化反転の生じない第１の加
熱温度Ｔ1 に加熱する。このような加熱を行うと第１の
磁性薄膜１１は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が
終了して磁性薄膜１１及び１２の積層膜が温度ＴC1に下
がると第１の磁性薄膜１１に磁化が生じる。このとき、
第２の磁性薄膜１２との交換結合力が支配的となるよう
になされていて、これによって第１の磁性薄膜１１の磁
化の向きは、第２の磁性薄膜１２と同一の向きとされ
る。つまり状態Ａを生じさせて、例えば“０”の情報の
記録を行う。
る記録は、特開平２−24801 号公報に開示された方法と
同様にして行われる。即ち、この場合、図４に温度Ｔに
対応して上述した第１及び第２の各磁性薄膜１１及び１
２における各磁化状態を短い矢印をもって模式的に示す
ように、室温ＴR 下において、両磁性薄膜１１及び１２
の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状
態Ｂとの２態様によって例えば“０”，“１”の情報の
記録がなされる。そして、これら記録は、外部磁場Ｈex
の印加と、レーザー光照射による第１及び第２の加熱温
度Ｔ1 とＴ2 による加熱によって行われる。まず例えば
状態Ａにある部位に対してレーザー光を照射して、この
レーザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて
変調制御してその加熱温度Ｔを、第１の磁性薄膜１１の
ほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ所要の外部磁場Ｈexに
よって第２の磁性薄膜２に磁化反転の生じない第１の加
熱温度Ｔ1 に加熱する。このような加熱を行うと第１の
磁性薄膜１１は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が
終了して磁性薄膜１１及び１２の積層膜が温度ＴC1に下
がると第１の磁性薄膜１１に磁化が生じる。このとき、
第２の磁性薄膜１２との交換結合力が支配的となるよう
になされていて、これによって第１の磁性薄膜１１の磁
化の向きは、第２の磁性薄膜１２と同一の向きとされ
る。つまり状態Ａを生じさせて、例えば“０”の情報の
記録を行う。
【００２０】一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ1 以上
でかつ第２の磁性薄膜１２の磁化を外部磁場Ｈexにより
反転させるに充分な第２の加熱温度Ｔ2 に加熱する。こ
のような加熱を行うと第１の磁性薄膜１１は磁化を失
い、第２の磁性薄膜１２の磁化が反転した状態Ｄが生じ
るが、この加熱が終了して磁性薄膜１１及び１２の積層
膜が温度ＴC1に下がると第１の磁性薄膜１１に第２の磁
性薄膜１２による交換結合力によって状態Ｅ、即ち元の
初期状態とその磁化の向きが逆の状態が形成されるが、
このとき外部補助磁場ＨSUB の印加によって室温ＴR 近
傍で第２の磁性薄膜１２の磁化の向きを反転させ両磁性
薄膜１１及び１２の間には中間層１４によって磁壁エネ
ルギーの制御によって所要の磁壁が生じた磁化状態Ｂ、
つまり磁化状態Ａとは第１の磁性薄膜１１の磁化の向き
のみが反転した状態Ｂを生じさせて例えば“１”の情報
の記録を行う。
でかつ第２の磁性薄膜１２の磁化を外部磁場Ｈexにより
反転させるに充分な第２の加熱温度Ｔ2 に加熱する。こ
のような加熱を行うと第１の磁性薄膜１１は磁化を失
い、第２の磁性薄膜１２の磁化が反転した状態Ｄが生じ
るが、この加熱が終了して磁性薄膜１１及び１２の積層
膜が温度ＴC1に下がると第１の磁性薄膜１１に第２の磁
性薄膜１２による交換結合力によって状態Ｅ、即ち元の
初期状態とその磁化の向きが逆の状態が形成されるが、
このとき外部補助磁場ＨSUB の印加によって室温ＴR 近
傍で第２の磁性薄膜１２の磁化の向きを反転させ両磁性
薄膜１１及び１２の間には中間層１４によって磁壁エネ
ルギーの制御によって所要の磁壁が生じた磁化状態Ｂ、
つまり磁化状態Ａとは第１の磁性薄膜１１の磁化の向き
のみが反転した状態Ｂを生じさせて例えば“１”の情報
の記録を行う。
【００２１】このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報
“０”，“１”の記録がなされるものである。そして、
この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこ
れの上に光強度変調オーバーライトが可能である。即ち
いずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ1 及びＴ2 の加熱
を行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述した
と同様に温度Ｔ1 及びＴ2 の選定によって初期の状態が
状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“０”及び
“１”によって状態Ａ及び状態Ｂのオーバーライトが可
能となる。
“０”，“１”の記録がなされるものである。そして、
この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこ
れの上に光強度変調オーバーライトが可能である。即ち
いずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ1 及びＴ2 の加熱
を行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述した
と同様に温度Ｔ1 及びＴ2 の選定によって初期の状態が
状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“０”及び
“１”によって状態Ａ及び状態Ｂのオーバーライトが可
能となる。
【００２２】そして、この光磁気記録媒体からの情報の
読み出しは、情報書き込みのレーザー光より充分パワー
の小さいレーザー光照射によって、光磁気相互作用、即
ちカー効果、ないしはファラデー効果による直線偏光の
偏光面の回転を光強度の変化として、これを電気的出力
に変換して検出する。
読み出しは、情報書き込みのレーザー光より充分パワー
の小さいレーザー光照射によって、光磁気相互作用、即
ちカー効果、ないしはファラデー効果による直線偏光の
偏光面の回転を光強度の変化として、これを電気的出力
に変換して検出する。
【００２３】ここに、第１及び第２の磁性薄膜１１及び
１２の希土類金属層15REの厚さは、3.5 Å〜10.5Åに選
定する。これは、約１原子層から３原子層に相当する。
また、遷移金属層15TMの厚さは2.5 Å〜22.5Åに選定す
る。これは約１原子層から９原子層に相当する。図５は
この希土類金属層15REと遷移金属層15TMの積層の厚さ、
即ち両層の原子層の比RE：TMを変えたときの希土類金属
の全体に占める割合を示したもので、例えば希土類金属
層15REが１原子層、遷移金属層15TMを１原子層の割合と
したRE：TM＝１：１では希土類の含有量は37％となり、
15REを１原子層、15TMを２原子層の割合としたRE：TM＝
１：２では21重量％、RE：TM＝１：４では14重量％程度
となるが、実際上この希土類金属層15REと、遷移金属層
15TMの周期積層構造において、その垂直異方性は、RE：
TM（原子層比）は１：１〜１：４に、即ち、磁性薄膜１
１及び１２中の希土類金属の全体に対する割合は14〜37
重量％が望ましい。即ち、これら磁性薄膜に対する垂直
方向の保磁力ＨC と希土類金属の含有量の関係をみる
と、図６に示すようになる。
１２の希土類金属層15REの厚さは、3.5 Å〜10.5Åに選
定する。これは、約１原子層から３原子層に相当する。
また、遷移金属層15TMの厚さは2.5 Å〜22.5Åに選定す
る。これは約１原子層から９原子層に相当する。図５は
この希土類金属層15REと遷移金属層15TMの積層の厚さ、
即ち両層の原子層の比RE：TMを変えたときの希土類金属
の全体に占める割合を示したもので、例えば希土類金属
層15REが１原子層、遷移金属層15TMを１原子層の割合と
したRE：TM＝１：１では希土類の含有量は37％となり、
15REを１原子層、15TMを２原子層の割合としたRE：TM＝
１：２では21重量％、RE：TM＝１：４では14重量％程度
となるが、実際上この希土類金属層15REと、遷移金属層
15TMの周期積層構造において、その垂直異方性は、RE：
TM（原子層比）は１：１〜１：４に、即ち、磁性薄膜１
１及び１２中の希土類金属の全体に対する割合は14〜37
重量％が望ましい。即ち、これら磁性薄膜に対する垂直
方向の保磁力ＨC と希土類金属の含有量の関係をみる
と、図６に示すようになる。
【００２４】図７は、TbFeCo7Cr4による組成の第１の磁
性薄膜１１と、GdTbFeCo30Cr4 の組成の磁性薄膜１２を
用いて各組成を一定としたものにおいて、矢印ｂの公転
数を変化させて形成したときの繰返し記録可能回数の測
定結果を示したもので、図７中曲線７１は、その公転数
を30rpm としたときで、このとき希土類金属層15REの厚
さは 3.7Åとなった。そして、曲線７２及び７３は、そ
れぞれ公転数を50rpm,80rpm としたときで、このとき希
土類金属層15REの厚さは、2.2 Å, 1.4 Åとそれぞれ測
定されたが、これらでは遷移金属層と希土類金属層との
繰返し積層構造が生じて来ないと思われる。そして、こ
の場合図４で説明した記録態様を採りＨsub ＝6KOe、Ｈ
ex＝600KOeとし、上述した第１の加熱状態の温度Ｔ1 を
得るため即ち上述の“０”の情報の記録のためのレーザ
ーパワーＰL を６mWとし、第２の加熱状態の温度Ｔ2 即
ち上述の“１”の情報の記録のためのレーザーパワーＰ
h を変化させた場合の各記録可能回数、即ち寿命を測定
した場合である。この寿命は、繰返し記録によって通常
の光記録再生のエラー訂正可能なエラーレート１×10-4
バイトエラーレートとなった回数までをその寿命、即ち
記録可能回数とした。これによれば、本発明による曲線
７１のものは、比較例としての曲線７２及び７２に比し
格段に長寿命化が達成されている。これは、熱的ダメー
ジが磁性薄膜１１及び１２に生じ難くなっていることに
因る。即ち上述した第２の温度Ｔ2 は例えば250 ℃〜30
0 ℃であれば良いが、上述の“０”と“１”の情報の記
録パワーＰL とＰh のマージンを大きくするためにＰh
は大とされ、このときの加熱温度は500 〜600 ℃にも及
んでしまい、これによって非晶質磁性薄膜１１及び１２
が結晶化するなどのダメージが生じ易くなるが、本発明
によるときは、結晶化が生じ難くなって長寿命化がはか
られる。
性薄膜１１と、GdTbFeCo30Cr4 の組成の磁性薄膜１２を
用いて各組成を一定としたものにおいて、矢印ｂの公転
数を変化させて形成したときの繰返し記録可能回数の測
定結果を示したもので、図７中曲線７１は、その公転数
を30rpm としたときで、このとき希土類金属層15REの厚
さは 3.7Åとなった。そして、曲線７２及び７３は、そ
れぞれ公転数を50rpm,80rpm としたときで、このとき希
土類金属層15REの厚さは、2.2 Å, 1.4 Åとそれぞれ測
定されたが、これらでは遷移金属層と希土類金属層との
繰返し積層構造が生じて来ないと思われる。そして、こ
の場合図４で説明した記録態様を採りＨsub ＝6KOe、Ｈ
ex＝600KOeとし、上述した第１の加熱状態の温度Ｔ1 を
得るため即ち上述の“０”の情報の記録のためのレーザ
ーパワーＰL を６mWとし、第２の加熱状態の温度Ｔ2 即
ち上述の“１”の情報の記録のためのレーザーパワーＰ
h を変化させた場合の各記録可能回数、即ち寿命を測定
した場合である。この寿命は、繰返し記録によって通常
の光記録再生のエラー訂正可能なエラーレート１×10-4
バイトエラーレートとなった回数までをその寿命、即ち
記録可能回数とした。これによれば、本発明による曲線
７１のものは、比較例としての曲線７２及び７２に比し
格段に長寿命化が達成されている。これは、熱的ダメー
ジが磁性薄膜１１及び１２に生じ難くなっていることに
因る。即ち上述した第２の温度Ｔ2 は例えば250 ℃〜30
0 ℃であれば良いが、上述の“０”と“１”の情報の記
録パワーＰL とＰh のマージンを大きくするためにＰh
は大とされ、このときの加熱温度は500 〜600 ℃にも及
んでしまい、これによって非晶質磁性薄膜１１及び１２
が結晶化するなどのダメージが生じ易くなるが、本発明
によるときは、結晶化が生じ難くなって長寿命化がはか
られる。
【００２５】これは、１個の希土類金属原子に対し、２
個の遷移金属原子が結合した基本的原子対が過不足なく
生じたときに、磁気的にすぐれた垂直異方性及び安定性
を示し、この状態が上述した3.5 Å〜10.5Å（１〜３原
子層）の希土類金属層15REと、2.5 〜22.5Å（１〜９原
子層）で、希土類金属が14〜37重量％で良好に得られる
ものと思われる。
個の遷移金属原子が結合した基本的原子対が過不足なく
生じたときに、磁気的にすぐれた垂直異方性及び安定性
を示し、この状態が上述した3.5 Å〜10.5Å（１〜３原
子層）の希土類金属層15REと、2.5 〜22.5Å（１〜９原
子層）で、希土類金属が14〜37重量％で良好に得られる
ものと思われる。
【００２６】尚、ここで各層15RE, 15TM等の厚さの測定
は、いわゆる小角（２θ）Ｘ線回折による回折強度測定
によって行った。
は、いわゆる小角（２θ）Ｘ線回折による回折強度測定
によって行った。
【００２７】図１の例では、第１及び第２の磁性薄膜１
１及び１２間に、両者間の交換結合、磁気エネルギーを
選定する中間層１４を設けた光磁気記録媒体に本発明を
適用した場合であるが、図１０で示した中間層１４が介
在されない構成による光磁気記録媒体において、少くと
もそのメモリー層となる第１の磁性薄膜１１、望ましく
はメモリー層及び記録層の両磁性薄膜１１及び１２を上
述したと同様の遷移金属層15TMと希土類金属層15REの繰
返し構造とすることができる。
１及び１２間に、両者間の交換結合、磁気エネルギーを
選定する中間層１４を設けた光磁気記録媒体に本発明を
適用した場合であるが、図１０で示した中間層１４が介
在されない構成による光磁気記録媒体において、少くと
もそのメモリー層となる第１の磁性薄膜１１、望ましく
はメモリー層及び記録層の両磁性薄膜１１及び１２を上
述したと同様の遷移金属層15TMと希土類金属層15REの繰
返し構造とすることができる。
【００２８】また、本発明は、上述した図１１の構造の
光磁気記録媒体に適用することもできる。図８は、この
場合の一実施例の略線的断面図で、図１と対応する部分
には同一符号を付す。この場合図１１の各磁性薄膜１，
２，３に対応するメモリー層となる第１の磁性薄膜１１
と、記録層となる第２の磁性薄膜１２と、磁化保持膜と
なる第３の磁性薄膜１３と、更に第２及び第３の磁性薄
膜１２及び１３と間に中間層２４が介在された構成を採
った場合で、この場合においても少くともメモリー層と
なる第１の磁性薄膜１１、更に記録層となる第２の磁性
薄膜１２、更に望ましくは第１，第２，第３の磁性薄膜
１１，１２，１３を共に、図２で説明した 3.5Å〜10.5
Åの厚さの希土類金属層15REと、2.5 Å〜22.5Åの厚さ
の遷移金属層15TMとの繰返し積層構造で、しかも各磁性
薄膜においてその組成が14〜37重量％の希土類金属を含
む組成とする。
光磁気記録媒体に適用することもできる。図８は、この
場合の一実施例の略線的断面図で、図１と対応する部分
には同一符号を付す。この場合図１１の各磁性薄膜１，
２，３に対応するメモリー層となる第１の磁性薄膜１１
と、記録層となる第２の磁性薄膜１２と、磁化保持膜と
なる第３の磁性薄膜１３と、更に第２及び第３の磁性薄
膜１２及び１３と間に中間層２４が介在された構成を採
った場合で、この場合においても少くともメモリー層と
なる第１の磁性薄膜１１、更に記録層となる第２の磁性
薄膜１２、更に望ましくは第１，第２，第３の磁性薄膜
１１，１２，１３を共に、図２で説明した 3.5Å〜10.5
Åの厚さの希土類金属層15REと、2.5 Å〜22.5Åの厚さ
の遷移金属層15TMとの繰返し積層構造で、しかも各磁性
薄膜においてその組成が14〜37重量％の希土類金属を含
む組成とする。
【００２９】この光磁気記録媒体に対する記録は、前述
の特開昭63−268103号公報に開示された方法を採り得
る。
の特開昭63−268103号公報に開示された方法を採り得
る。
【００３０】第１，第２及び第３の磁性薄膜１１，１２
及び１３は、遷移金属(TM)副格子磁化優勢膜いわゆるTM
リッチ膜であっても、希土類金属(RE)副格子磁化優勢膜
いわゆるREリッチ膜のいずれでも良い。
及び１３は、遷移金属(TM)副格子磁化優勢膜いわゆるTM
リッチ膜であっても、希土類金属(RE)副格子磁化優勢膜
いわゆるREリッチ膜のいずれでも良い。
【００３１】例えば第１及び第２の磁性薄膜１１及び１
２は、室温からこれらの各キュリー温度ＴC1及びＴC2に
至る迄の温度でTMリッチ膜、第３の磁性薄膜１３は、室
温から加熱温度Ｔ1 までREリッチ膜であるとする。
２は、室温からこれらの各キュリー温度ＴC1及びＴC2に
至る迄の温度でTMリッチ膜、第３の磁性薄膜１３は、室
温から加熱温度Ｔ1 までREリッチ膜であるとする。
【００３２】第１，第２，第３の磁性薄膜１１，１２，
１３と中間層２４は、それぞれキュリー温度をＴC1，Ｔ
C2，ＴC3，ＴC4とすると、
１３と中間層２４は、それぞれキュリー温度をＴC1，Ｔ
C2，ＴC3，ＴC4とすると、
【００３３】ＴC1＜ＴC2
【００３４】ＴC4＜ＴC2，ＴC3
【００３５】ＴC4≦ＴC1 に選定する。
【００３６】中間層２４は、その膜厚を、この中間層２
４のキュリー温度ＴC4より低い温度で第２及び第３の磁
性薄膜１２及び１３間の交換力を充分に遮断し得る程度
において薄い膜厚例えば 100Åの膜厚に選定する。
４のキュリー温度ＴC4より低い温度で第２及び第３の磁
性薄膜１２及び１３間の交換力を充分に遮断し得る程度
において薄い膜厚例えば 100Åの膜厚に選定する。
【００３７】この例では初期状態で例えば状態Ａ、すな
わち、第１及び第２の磁性薄膜１１及び１２のTMスピン
方向が共に正方向にあって、この時第３の磁性薄膜１３
もまたそのTMスピンが、第１及び第２の磁性薄膜１１及
び１２のそれと同方向にあるものとする。
わち、第１及び第２の磁性薄膜１１及び１２のTMスピン
方向が共に正方向にあって、この時第３の磁性薄膜１３
もまたそのTMスピンが、第１及び第２の磁性薄膜１１及
び１２のそれと同方向にあるものとする。
【００３８】今、この室温ＴR における初期状態Ａか
ら、温度Ｔを第１の温度Ｔ1 或いは第２の温度Ｔ2 に昇
温する。この第１の温度Ｔ1 は、第１の磁性薄膜１１の
ほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ後述する外部磁場Ｈex
により第２の磁性薄膜１２の磁化に反転が生じることの
ない温度とする。第２の温度Ｔ2 は、第１の温度Ｔ1 よ
り高く、かつ第２の磁性薄膜１２のTM副格子磁化を外部
磁場Ｈexによって反転させるに充分な、ほぼ第２の磁性
薄膜１２のキュリー温度ＴC2以上の温度とする。
ら、温度Ｔを第１の温度Ｔ1 或いは第２の温度Ｔ2 に昇
温する。この第１の温度Ｔ1 は、第１の磁性薄膜１１の
ほぼキュリー温度ＴC1以上でかつ後述する外部磁場Ｈex
により第２の磁性薄膜１２の磁化に反転が生じることの
ない温度とする。第２の温度Ｔ2 は、第１の温度Ｔ1 よ
り高く、かつ第２の磁性薄膜１２のTM副格子磁化を外部
磁場Ｈexによって反転させるに充分な、ほぼ第２の磁性
薄膜１２のキュリー温度ＴC2以上の温度とする。
【００３９】このような温度Ｔ1 或いはＴ2 への加熱が
終了した時には、その温度ＴがＴC1より下がったときに
第１の磁性薄膜１１に磁化が現れるが、このときその方
向の決定に関しては、磁性薄膜１１及び１２間のいわゆ
る交換結合力が支配的となるようにされているものとす
る。すなわち、媒体温度ＴがＴC1より下がったときの磁
化状態としては、第１及び第２の磁性薄膜１１及び１２
のTM副格子磁化の向きは互いに揃った図９の状態Ａある
いは状態Ｂのいずれかとなり、その加熱時の温度がＴ1
のとき状態Ａに、加熱時の温度がＴ2 のとき状態Ｂとな
る。
終了した時には、その温度ＴがＴC1より下がったときに
第１の磁性薄膜１１に磁化が現れるが、このときその方
向の決定に関しては、磁性薄膜１１及び１２間のいわゆ
る交換結合力が支配的となるようにされているものとす
る。すなわち、媒体温度ＴがＴC1より下がったときの磁
化状態としては、第１及び第２の磁性薄膜１１及び１２
のTM副格子磁化の向きは互いに揃った図９の状態Ａある
いは状態Ｂのいずれかとなり、その加熱時の温度がＴ1
のとき状態Ａに、加熱時の温度がＴ2 のとき状態Ｂとな
る。
【００４０】図９において状態Ｅは、温度Ｔが第１の温
度Ｔ1 に昇温されて第１の磁性薄膜１１の磁化が消失し
た状態であり、これより冷却過程で温度Ｔがほぼ第１の
磁性薄膜１１のキュリー温度ＴC1以下となると前述した
ように第１の磁性薄膜１１はＴＭ副格子磁化が第２の磁
性薄膜１２の交換結合力によって第２の磁性薄膜１２の
それと同方向の磁化方向となり初期の状態Ａとなって例
えば“０”の情報が記録される。また、図９において状
態Ｆは、温度Ｔが第２の温度Ｔ2 に昇温されて第１及び
第２の磁性薄膜１１及び１２の磁化が一旦消失ないし減
少して第２の磁性薄膜１２のTM副格子磁化が磁界Ｈexに
よって反転された状態で、この場合、中間層２４の存在
によって第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３間の交換
力が遮断されていることによって状態Ｆのように両膜１
２及び１３のTM副格子磁化の向きが互いに逆向きとなる
ことができるようにされている。そして更に温度Ｔが、
第１の磁性薄膜１１のキュリー温度ＴC1近傍に下がる
と、第２の磁性薄膜１２による交換結合力によって第１
の磁性薄膜１１に第２の磁性薄膜１２と同方向つまり反
転方向のTM副格子磁化が生じ状態Ｇが生じる。第２及び
第３の磁性薄膜１２及び１３間の中間層２４には第２及
び第３の磁性薄膜１２及び１３の副格子磁化の向きが互
いに逆向きとなることによって界面磁壁２５が発生す
る。そして、更にこの状態Ｇから、温度Ｔが室温ＴR ま
で冷却して来ると、下記数１及び数２の条件の設定によ
って状態Ｂもしくは状態Ｃとなる。この時第１の磁性薄
膜１１のTM副格子磁化が反転方向になることによって例
えば“１”の情報が記録される。
度Ｔ1 に昇温されて第１の磁性薄膜１１の磁化が消失し
た状態であり、これより冷却過程で温度Ｔがほぼ第１の
磁性薄膜１１のキュリー温度ＴC1以下となると前述した
ように第１の磁性薄膜１１はＴＭ副格子磁化が第２の磁
性薄膜１２の交換結合力によって第２の磁性薄膜１２の
それと同方向の磁化方向となり初期の状態Ａとなって例
えば“０”の情報が記録される。また、図９において状
態Ｆは、温度Ｔが第２の温度Ｔ2 に昇温されて第１及び
第２の磁性薄膜１１及び１２の磁化が一旦消失ないし減
少して第２の磁性薄膜１２のTM副格子磁化が磁界Ｈexに
よって反転された状態で、この場合、中間層２４の存在
によって第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３間の交換
力が遮断されていることによって状態Ｆのように両膜１
２及び１３のTM副格子磁化の向きが互いに逆向きとなる
ことができるようにされている。そして更に温度Ｔが、
第１の磁性薄膜１１のキュリー温度ＴC1近傍に下がる
と、第２の磁性薄膜１２による交換結合力によって第１
の磁性薄膜１１に第２の磁性薄膜１２と同方向つまり反
転方向のTM副格子磁化が生じ状態Ｇが生じる。第２及び
第３の磁性薄膜１２及び１３間の中間層２４には第２及
び第３の磁性薄膜１２及び１３の副格子磁化の向きが互
いに逆向きとなることによって界面磁壁２５が発生す
る。そして、更にこの状態Ｇから、温度Ｔが室温ＴR ま
で冷却して来ると、下記数１及び数２の条件の設定によ
って状態Ｂもしくは状態Ｃとなる。この時第１の磁性薄
膜１１のTM副格子磁化が反転方向になることによって例
えば“１”の情報が記録される。
【００４１】そして、ここで状態Ｃとなるときは、第１
及び第２の磁性薄膜１１及び１２の界面に互いのTM副格
子磁化すなわちTMスピンが逆向きとなることによって界
面磁壁２５が生じることになる。ここで、状態Ｇから状
態Ｂをとるか、状態Ｃをとるかは、数１，数２で決定さ
れる。ここに、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３と
中間層２４の各膜厚をｈ2 ，ｈ3 及びｈ4 とし、磁化を
ＭS2，ＭS3及びＭS4とし、保磁力ＨC1，ＨC3及びＨC4と
し、計算上ｈ4 ≪ｈ2 ，ｈ3 とし、ＭS4・ＨC4≪ＭS2・
ＨC2，ＭS3・ＨC3とする。また、第１及び第２の磁性薄
膜１１及び１２間の界面磁壁エネルギー密度をσW1と
し、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３間の界面磁壁
エネルギーをσW2とすると、第３の磁性薄膜１３が磁化
反転しない条件は、
及び第２の磁性薄膜１１及び１２の界面に互いのTM副格
子磁化すなわちTMスピンが逆向きとなることによって界
面磁壁２５が生じることになる。ここで、状態Ｇから状
態Ｂをとるか、状態Ｃをとるかは、数１，数２で決定さ
れる。ここに、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３と
中間層２４の各膜厚をｈ2 ，ｈ3 及びｈ4 とし、磁化を
ＭS2，ＭS3及びＭS4とし、保磁力ＨC1，ＨC3及びＨC4と
し、計算上ｈ4 ≪ｈ2 ，ｈ3 とし、ＭS4・ＨC4≪ＭS2・
ＨC2，ＭS3・ＨC3とする。また、第１及び第２の磁性薄
膜１１及び１２間の界面磁壁エネルギー密度をσW1と
し、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３間の界面磁壁
エネルギーをσW2とすると、第３の磁性薄膜１３が磁化
反転しない条件は、
【００４２】
【数１】 σW2−２ＭS3・ｈ3 ・Ｈex＜２ＭS3・ｈ3 ・ＨC3とな
る。また、状態Ｇから状態Ｃへの遷移条件は、
る。また、状態Ｇから状態Ｃへの遷移条件は、
【００４３】
【数２】 σW2−σW1−２ＭS2・ｈ2 ・Ｈex＞２ＭS2・ｈ2 ・ＨC2
となる。更にまた、状態Ｇから状態Ｂへの遷移条件は、
となる。更にまた、状態Ｇから状態Ｂへの遷移条件は、
【００４４】
【数３】 σW2−σW1−２ＭS2・ｈ2 ・Ｈex＜２ＭS2・ｈ2 ・ＨC2
となる。
となる。
【００４５】したがって上記数１及び数２が共に満足さ
れる条件が与えられるときは、外部磁界Ｈex以外に何ら
特段の外部磁界が与えられずとも、室温で状態Ｃが得ら
れることになる。
れる条件が与えられるときは、外部磁界Ｈex以外に何ら
特段の外部磁界が与えられずとも、室温で状態Ｃが得ら
れることになる。
【００４６】一方、上記数１及び数３が共に満足されな
い場合は、室温で状態Ｂから状態Ｃへの遷移を行うに
は、図９に示すように、初期化状態における正方向の他
の外部磁界Ｈsub を必要とすることになる。
い場合は、室温で状態Ｂから状態Ｃへの遷移を行うに
は、図９に示すように、初期化状態における正方向の他
の外部磁界Ｈsub を必要とすることになる。
【００４７】そして、上述した状態Ｃへの遷移によっ
て、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３の磁化の向
き、すなわちTMスピンの向きは、初期化状態の状態Ａに
おけると同方向の正方向となっていることによって、次
の情報の書き換えに際しての、書き込み情報に応じた温
度変調、即ち第１及び第２の温度Ｔ1 及びＴ2 への温度
上昇に当たっては、初期化状態からの場合と同様に状態
Ｅに遷移されることからオーバライトが可能となる。
て、第２及び第３の磁性薄膜１２及び１３の磁化の向
き、すなわちTMスピンの向きは、初期化状態の状態Ａに
おけると同方向の正方向となっていることによって、次
の情報の書き換えに際しての、書き込み情報に応じた温
度変調、即ち第１及び第２の温度Ｔ1 及びＴ2 への温度
上昇に当たっては、初期化状態からの場合と同様に状態
Ｅに遷移されることからオーバライトが可能となる。
【００４８】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば少くと
もメモリー層となる第１の磁性薄膜１１と、記録層とな
る第２の磁性薄膜１２を有する光磁気記録媒体におい
て、特にそのメモリー層を安定化したことによって、高
温記録によっても確実に、したがって高信頼をもって、
更に長寿命化をはかることができることから、実用に供
してその利益は大である。
もメモリー層となる第１の磁性薄膜１１と、記録層とな
る第２の磁性薄膜１２を有する光磁気記録媒体におい
て、特にそのメモリー層を安定化したことによって、高
温記録によっても確実に、したがって高信頼をもって、
更に長寿命化をはかることができることから、実用に供
してその利益は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気記録媒体の断面図である。
【図２】磁性薄膜の模式的断面図である。
【図３】スパッタ装置の平面図である。
【図４】磁化状態図である。
【図５】希土類−遷移金属層の膜厚と組成の関係を示す
図である。
図である。
【図６】希土類金属の含有量と保磁力ＨC の関係を示す
図である。
図である。
【図７】繰返し記録可能回数の測定結果を示す図であ
る。
る。
【図８】光磁気記録媒体の断面図である。
【図９】磁化状態図である。
【図１０】従来の記録媒体の断面図である。
【図１１】従来の記録媒体の断面図である。
【図１２】従来の記録媒体の断面図である。
１１ 第１の磁性薄膜 １２ 第２の磁性薄膜 １３ 第３の磁性薄膜 １４ 中間層 ２４ 中間層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中沖 有克 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−311641（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−130739（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506
Claims (1)
- 【請求項１】 それぞれ希土類−遷移金属非晶質磁性薄
膜より成る、少くともメモリー層となる第１の磁性薄膜
と記録層となる第２の磁性薄膜とが磁気的に結合されて
積層されて成る光磁気記録媒体において、少くとも上記
第１の磁性薄膜が、 3.5Å〜10.5Åの厚さの希土類金属
層と、2.5 Å〜22.5Åの厚さの遷移金属層の繰返し積層
構造とされたことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024119A JP2903729B2 (ja) | 1990-12-20 | 1991-01-24 | 光磁気記録媒体 |
| EP91121584A EP0492359B1 (en) | 1990-12-20 | 1991-12-17 | Magneto-optical recording medium |
| DE1991625257 DE69125257T2 (de) | 1990-12-20 | 1991-12-17 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-412518 | 1990-12-20 | ||
| JP41251890 | 1990-12-20 | ||
| JP3024119A JP2903729B2 (ja) | 1990-12-20 | 1991-01-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251454A JPH04251454A (ja) | 1992-09-07 |
| JP2903729B2 true JP2903729B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=26361604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024119A Expired - Fee Related JP2903729B2 (ja) | 1990-12-20 | 1991-01-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0492359B1 (ja) |
| JP (1) | JP2903729B2 (ja) |
| DE (1) | DE69125257T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06162583A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1254385A (en) * | 1985-07-26 | 1989-05-23 | Noboru Sato | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
| JP2526906B2 (ja) * | 1987-06-11 | 1996-08-21 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2556563B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| MY104246A (en) * | 1988-10-20 | 1994-02-28 | Mitsui Chemicals Inc | Magnetooptical recording media. |
| NL8803168A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het thermomagnetisch registreren van informatie en het optisch uitlezen van de geregistreerde informatie alsmede een registratie-element dat geschikt is voor toepassing in deze werkwijze. |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP3024119A patent/JP2903729B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-17 DE DE1991625257 patent/DE69125257T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-12-17 EP EP91121584A patent/EP0492359B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0492359A1 (en) | 1992-07-01 |
| JPH04251454A (ja) | 1992-09-07 |
| DE69125257T2 (de) | 1997-10-23 |
| DE69125257D1 (de) | 1997-04-24 |
| EP0492359B1 (en) | 1997-03-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |