JP3035629B2 - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方式 - Google Patents

光磁気記録媒体及び光磁気記録方式

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JP3035629B2 JP2242017A JP24201790A JP3035629B2 JP 3035629 B2 JP3035629 B2 JP 3035629B2 JP 2242017 A JP2242017 A JP 2242017A JP 24201790 A JP24201790 A JP 24201790A JP 3035629 B2 JP3035629 B2 JP 3035629B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はオーバーライト可能な光磁気記録媒体及び光
磁気記録方式に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 光変調オーバーライト方式として特開昭62−175948号
公報に信号記録層と記録補助層との2層記録膜を持つ光
磁気記録媒体を用いた方式が提案されている。この方式
によれば、記録補助層は磁化が記録直前に一定方向を向
くよう磁界印加され、その方向は記録補助層内の遷移金
属のサブモーメントが外部磁界と逆向きとなるように設
定されている。信号記録はレーザービーム強度を2値に
変調することにより行われる。すなわち高出力時には信
号記録層の磁化は外部磁界と同方向を向き、低出力時に
はそれとは逆方向を向き、これにより、信号のオーバー
ライトが達成される。
しかしながら、上記方式では記録補助層の磁化を記録
直前に同一方向に揃える必要があり、その磁界発生のた
めの機構(初期化用マグネット)を設ければならず、そ
のために装置が複雑化してしまう欠点がある。
一方、第13回日本応用磁気学会学術講演概要集23aC−
3(1989)には上記方式で述べた記録補助層に対する磁
界印加を必要としない方式が提案されている。この方式
は、記録補助層と信号記録層との間に作用する交換結合
力を利用して初期化磁界なしにオーバーライトを可能と
するものである。ところが、この方式では薄膜の不均一
性に基づく記録エラーに対してどの程度の余裕度がある
のが不明である。
また、本発明者らは特願平2−66032号(特開平3−2
68250号公報)において2層膜構造の記録膜を持つ光磁
気記録媒体を用いた新規な光磁気記録方式を提案してい
る。この方式の媒体の記録補助層では、上向きの磁化か
らなる磁区と、下向きの磁化からなる磁区が、トラック
方向において周期的に繰り返されている。そして信号記
録時にはレーザーを高速発振させ、集光したレーザービ
ームを、ディスクを回転させることによって信号記録層
上トラック方向にスキャンさせる。この時1つのビット
がビームに追随した形で信号記録層を移動するが、レー
ザー発振を記録補助層の磁化の周期に同期させ、開始、
停止させることによって前記ビットが所定位置に固定さ
れ、信号記録がなされる。ところが、この方式ではレー
ザー発振と、記録補助層内の磁化周期との同期を行うた
めの機構を付加しなければならない。
本発明は以上のような従来技術の問題点を解決し、記
録時に記録補助層の初期化を必要とせず、また余分な機
構を付加することなくオーバーライトを可能とし、しか
も余裕度の大きい光磁気記録を実現することのできる光
磁気記録媒体及び光磁気記録方式を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明によれば、それぞれ
膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜
よりなる信号記録層及び記録補助層を有する光磁気記録
媒体であって、信号記録層は記録すべき信号“0"と信号
“1"で磁化の向きが反対になるようにして信号を記録す
べき層であり、記録補助層は自らは磁化反転はしないが
記録に際して信号記録層への信号記録を補助する層であ
り、記録補助層のキュリー温度が信号記録層のキュリー
温度より大きく、かつ信号記録層の補償点が室温より高
く、初期化時に、記録補助層の記録部の磁化方向とトラ
ック部及びその近傍の磁化方向が逆向きに設定されてお
り、かつ、信号記録層の磁化方向が記録補助層の記録部
の磁化方向と同じ向きに設定されていることを特徴とす
る光磁気記録媒体が提供される。
また、本発明によれば、請求項1記載の光磁気記録媒
体を用い、信号“0"記録時には低パワーにてレーザービ
ームを照射することによってレーザービーム照射部直下
の記録補助層の磁区の磁化情報を信号記録層に転写し、
信号“1"記録時には高パワーにてレーザービームを照射
することによってレーザービーム照射部直下の記録補助
層の磁区と相隣り合う反対方向の磁化方向を持つ磁区の
磁化情報を信号記録層に転写することによりオーバーラ
イト可能な光磁気記録を行うことを特徴とする光磁気記
録方式が提供される。
次に本発明の光磁気記録媒体の構成について説明す
る。
本発明の光磁気記録媒体は、通常、透明な円盤状の基
板上に、それぞれの膜面に対して垂直方向に磁化容易軸
を有する垂直磁化膜よりなる信号記録層及び記録補助層
などの、幾つかの物質を層状に積層した構成を有し、信
号記録層及び記録補助層の、それぞれの磁化方向は、初
期化時において、記録補助層の記録部の磁化方向とトラ
ック部及びその近傍の磁化方向が逆向きに設定されてお
り、かつ信号記録層の磁化方向が記録補助層の記録部の
磁化方向と同じ向きに設定されている。
<信号記録層> 信号記録層とは、層状に積層した物質の中で記録すべ
き信号“0"と信号“1"で磁化の向きが反対になるように
して信号を記録する層である。
信号の読み書きは光(レーザー)を信号記録層に集光
することによって行なうことができる。尚、信号の書き
込みに関しては後記する実施例において詳細かつ具体的
に説明する。また、信号の読み出しに関しては通常の光
磁気記録媒体の信号読み出し原理を用いて読み出すこと
ができる。
この信号記録層は、希土類金属(RE)と遷移金属(T
M)との合金で構成され、希土類金属としてテルビウム
(Tb)、ガドリニウム(Gd)、ディスプロシウム(Dy)
等と、遷移金属として鉄(Fe)、コバルト(Co)等を組
み合わせたアモルファス合金で構成されるのが好まし
い。具体的には、TbFeCo、GdFeCo、DyFeCo、TbGdFeCo、
TbDyFeCo等が挙げられる。
この内、TbDyFeCoが、キュリー温度及び補償点を次に
説明する記録補助層の磁気特性と関連づけて設定する上
で特に好ましい。
<記録補助層> 記録補助層は層状に積層した物質の中で光(レーザ
ー)の照射される側からみて信号記録層の裏側に、信号
記録層に重なって積層される層であり、それ自身は磁化
反転せず、信号記録を行なうものではなく、信号記録の
補助をする層である。
この記録補助層は、希土類金属(RE)と遷移金属(T
M)との合金で合成され、希土類金属としてテルビウム
(Tb)、ガドリニウム(Gd)、ディスプロシウム(Dy)
等と、遷移金属として鉄(Fe)、コバルト(Co)等を組
み合わせたアモルファス合金で構成されるのが好まし
い。具体的には、TbFeCo、GdFeCo、DyFeCo、TbGdFeCo、
TbDyFeCo等が挙げられる。
この内、TbGdFeCoが、キュリー温度を信号記録層の磁
気特性と関連づけて設定する上で特に好ましい。
<各層の磁気特性> 信号記録層のキュリー温度は100〜200℃に設定するの
が好ましい。また補償点は室温以上に設定し、特に60〜
100℃に設定するのが好ましい。
また、記録補助層のキュリー温度は信号記録層のキュ
リー温度より高く設定し、特に200℃以上に設定するの
が好ましい。
<基板> 基板には、ガラス、プラスチック等の透明の材料が用
いられる。
〔作 用〕
本発明では、光磁気記録媒体の信号記録層と記録補助
層が上記のような構成となっているので、記録レーザー
パワーを2つのレベルに変調することにより、界面磁壁
エネルギーの働きのため、初期化用マグネットを配置し
たり、上記のような機構を設置したりすることなく余裕
度をもってオーバーライトを行うことが可能となり、前
記従来技術の課題が解決される。
〔実施例〕
以下本発明の光磁気記録媒体及びそれを用いたオーバ
ーライト可能な光磁気記録方式について実施例に基づき
詳細に説明する。
第1図は本実施例に係る光磁気記録媒体の構成を示す
斜視断面図であり、プラスチック(ポリカーボネート)
基板あるいはガラス(パイレックスガラス)基板等から
なる基板1上に信号記録層(TbDyFeCo)2及び記録補助
層(TbGdFeCo)3が順に積層されている。図中4はトラ
ック部、5はランド部である。この光磁気記録媒体の特
徴は、初期化時(初期状態)において、記録補助層3の
ランド部5内の記録領域の磁化方向とトラック部4及び
その近傍の磁化方向が逆向きに設定されており、信号記
録層2の磁化は全体にわたって記録補助層3のランド部
5内の記録領域の磁化方向と同じ向きに設定されてい
る。そして記録補助層3のランド部5内の記録領域の磁
区と、トラック部4及びその近傍における磁区とはトラ
ック方向に平行なストライプ状に配置されている。この
うち前者の磁区は、ランド部5の幅方向の中心と該磁区
の幅方向の中心がほぼ一致するように配置され(以下こ
の磁区をランド部内磁区と呼ぶ)、その幅は信号(ビッ
ト)幅と一致するように決められている。信号記録層2
の膜厚は200〜5000Å程度、記録補助層3の膜厚は信号
記録層より厚く設定するのが好ましい。また信号記録層
2及び記録補助層3の磁化温度特性は第2図に示すよう
な関係になっていることが好ましい。すなわち、信号記
録層2、記録補助層3のキュリー温度をそれぞれTc1、T
c2とするとTc1<Tc2の関係にあり、信号記録層2の補償
点Tcomp1が室温より高く、かつ室温における信号記録層
2の保磁力Hc1が記録補助層3の保磁力Hc2より小さいこ
とが好ましい。このような層構成材料としては両者とも
希土類金属(RE)−遷移金属(TM)アモルファス合金が
好ましく用いられる。
尚、第1図に示した、本発明の実施例の光磁気記録媒
体は、いずれも第2図に示す磁気特性を有していた。な
お、第1図において、矢印で示される磁化はRE−TMアモ
ルファス合金におけるTMのサブモーメントを指すものと
し、また信号記録はランド部5上に行うものとしてい
る。
第1図には本発明に係る光磁気記録媒体の最も基本的
な構成を示したが、本発明は勿論この構成例のみに限定
されるものではなく、基板1と信号記録層2の間に誘電
体膜からなる下地層を設けてもよく、あるいは記録補助
層3の上に誘電体膜からなる保護層を設けてもよく、あ
るいはその他の層構成を採用してもよい。
次に上記光磁気記録媒体を用いた本発明の光磁気記録
方式の記録原理について述べる。
信号(ビット)有の場合を“1"、無の場合を“0"とす
れば、本方式による信号記録には“0"→“1"、“1"→
“0"、“0"→“0"、“1"→“1"の4工程があり、以下そ
れぞれの場合について説明する。
“0"→“1"の場合 第3図(a)に示すように初期状態において信号記録
層2内の磁化方向はランド部内磁区と同方向を向いてい
るが、この状態から高パワーにてレーザービーム照射を
信号記録部に行うとランド部内磁区幅(便宜上D2呼ぶ)
以上の幅にまたがって信号記録層2はTc1以上にまで昇
温される。この場合、照射レーザーパワー強度は4〜20
mW程度が好ましい。レーザービーム照射終了後の降温過
程で、まずレーザースポット中心から遠い部分から先に
Tc1を横切って降温される(第3図(b)中斜線部)。
この部分では、記録補助層3の磁化は上を向いており、
この磁化方向にひきずられて信号記録層2の磁化はTc1
以下に降温される過程で上向きとなる。さらにD2内の領
域までTc1以下に降温された場合でも磁壁移動により上
向きの磁化が引きつがれる。その結果、信号記録層2が
第2図に示すような磁化温度特性を持つ場合、室温近傍
では書き込まれた信号(ビット)とランド部内磁化はト
ータル的な磁化方向が同方向となるため室温においては
信号はD2の幅を持ってランド部内磁区の直下に位置する
ことになる(第3図(c))。
“1"→“0"の場合 これは信号(ビット)が書かれている状態から消去す
る過程で等価である。この場合には低パワーにてレーザ
ービームを照射することによりD2幅の範囲内のみ信号記
録層2の温度をTc1以上に昇温し、ランド部内磁化の方
向と揃う方向に降温時の信号記録層の磁化を向ける(第
4図(a)−(c))。この場合、照射レーザーパワー
強度は高パワーレーザービーム強度との差が2mW以上と
なるように設定するのが好ましい。
“0"→“0"の場合 と同様に低パワーにてレーザービーム照射を行う。
降温過程はと同様であり、“0"の情報がそのまま継続
される。
“1"→“1"の場合 と同様に高パワーにてレーザー照射を行う。降温過
程はと同様であり、“1"の情報がそのまま継続され
る。
上記〜に示すように、本発明の方式では、信号
“0"記録時には低パワーにてレーザービームを照射する
ことによってレーザービーム照射部直下の記録補助層3
の磁区(ランド部内磁区)の磁化情報を信号記録層3に
転写し、信号“1"記録時には高パワーにてレーザービー
ムを照射することによってレーザービーム照射部直下の
記録補助層3の磁区と相隣り合う反対方向の磁化方向を
持つ磁区の磁化情報が信号記録層に転写される。
〔発明の効果〕
請求項1記載の光磁気記録媒体によれば、信号“0"書
き込み時及び信号“1"書き込み時において、記録補助層
から信号記録層に磁区情報の転写を行う際の転写開始位
置があらかじめ決定されているため、記録時に記録補助
層の初期化を行う必要がなくなる。
請求項2記録の光磁気記録方式によれば、上記に示す
通り記録補助層の初期化工程を行わないため、装置が簡
略化でき、また従来の光変調オーバーライト方式に見ら
れたような信号記録層の保磁力Hc、膜厚h及び信号記録
層、記録補助層の間の界面磁壁エネルギーσの作用によ
りオーバーライトが可能となるため、媒体設計時の余裕
度が高まり、信頼性も増す。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光磁気記録媒体の構成を示す斜視
断面図、第2図は第1図の光磁気記録媒体の信号記録層
及び記録補助層の磁化温度特性を示す図、第3図及び第
4図は本発明に係る光磁気記録方式の原理を説明するた
めの図である。 1……基板、2……信号記録層 3……記録補助層、4……トラック部 5……ランド部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−241051(JP,A) 特開 平2−37544(JP,A) 特開 昭62−110638(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/10

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】それぞれ膜面に対して垂直方向に磁化容易
    軸を有する垂直磁化膜よりなる信号記録層及び記録補助
    層を有する光磁気記録媒体であって、 信号記録層は記録すべき信号“0"と信号“1"で磁化の向
    きが反対になるようにして信号を記録すべき層であり、
    記録補助層は自らは磁化反転はしないが記録に際して信
    号記録層への信号記録を補助する層であり、 記録補助層のキュリー温度が信号記録層のキュリー温度
    より大きく、かつ信号記録層の補償点が室温より高く、 初期化時に、記録補助層の記録部の磁化方向とトラック
    部及びその近傍の磁化方向が逆向きに設定されており、
    かつ、信号記録層の磁化方向が記録補助層の記録部の磁
    化方向と同じ向きに設定されていることを特徴とする光
    磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】請求項1記載の光磁気記録媒体を用い、 信号“0"記録時には低パワーにてレーザービームを照射
    することによってレーザービーム照射部直下の記録補助
    層の磁区の磁化情報を信号記録層に転写し、 信号“1"記録時には高パワーにてレーザービームを照射
    することによってレーザービーム照射部直下の記録補助
    層の磁区と相隣り合う反対方向の磁化方向を持つ磁区の
    磁化情報を信号記録層に転写することによりオーバーラ
    イト可能な光磁気記録を行うことを特徴とする光磁気記
    録方式。
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