JP2927791B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP2927791B2 JP2927791B2 JP62255848A JP25584887A JP2927791B2 JP 2927791 B2 JP2927791 B2 JP 2927791B2 JP 62255848 A JP62255848 A JP 62255848A JP 25584887 A JP25584887 A JP 25584887A JP 2927791 B2 JP2927791 B2 JP 2927791B2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気記録媒体の記録方式に係わる。
（従来の技術）
近年、レーザーを用いた高密度記録法として、レーザ
ー光を照射して記録媒体を局部加熱することによりビッ
トを書き込み、磁気光学効果を利用して読みだすという
光磁気記録が研究開発されている。その記録媒体として
は、希土類−遷移金属合金からなる非晶質磁性薄膜が注
目されている。光磁気記録方式では、従来単一記録層、
単一ビームにより光変調方式で行われていたため、重ね
書き（オーバーライト）記録が不可能であった。そこ
で、重ね書き記録を可能にする方法として、磁界変調方
式、マルチビームによる疑似重ね書き記録方式、２層膜
による方式等が考えられている。 （発明が解決しようとする問題点） 磁界変調方式では、高周波で高磁場を発生する事が困
難であり、ハードディスク等に使われているスライダー
を用いた方法は、光磁気記録の特徴である非接触性を犠
牲にする等の欠点を有している。また、マルチビームに
よる類似オーバーライト方式は、装置が複雑になる欠点
を有している。また、従来の２層膜を利用したオーバー
ライト方式（第34回応用物理学関連連合講演会予稿集,2
8p−ZL−3,P721,1987）では次のような方法がとられ
る。記録に先立ち予め外部磁場により補助層の磁化を一
方向にそろえる。次にメモリー層のキュリー温度TCR、
また記録時に先行外部磁場の方向と逆向きに印加されて
いる外部磁場の大きさと補助層の保磁力とが等しくなる
温度をTBとしたときに、媒体の温度ＴをTCR＜Ｔ＜TBな
る温度まで昇温させ、その後冷却すると、予め一方向に
そろえられた補助層の磁化方向が記録層に転写される。
また媒体をTB以上に昇温した後に冷却すると、記録時に
印加されている磁場方向に記録層の磁化が向く。このた
めに、記録に先立ち補助層を予め消去するための外部磁
場と記録時に印加する二つの外部磁場が必要となり、装
置が複雑になる。 本発明の目的は、単一ビーム、単一磁場によりオーバ
ーライトが可能となる光磁気記録の記録方式を提供する
ことにある。 （発明が解決しようとする手段） 本発明は光磁気記録媒体の記録層として垂直磁化膜か
らなる読み出し層と垂直磁化膜であるフェリ磁性体から
なる書き込み層とが積層された２層膜を有し、室温をT
r、読み出し層、書き込み層の室温での保磁力をそれぞ
れHcR,HcW、読み出し層のキュリー温度をTcR、書き込み
層のキュリー温度をTcW、書き込み層の補償温度をTcom
p.wとしたときに、HcW＜HcR、Tr＜TcR＜Tcomp・ｗ＜TcW
なる関係を満足する光磁気記録媒体を用い、HcW＜Hext.
＜HcRとなるように記録媒体に垂直方向に外部磁場（He
x.t）を印加し、書き込み層の補償温度Tcomp.wよりも高
温側で外部磁場の大きさと書き込み層の保磁力とが等し
くなる温度をTBとしたときに、記録はレーザー照射によ
り記録膜を媒体温度ＴをTcompw＜Ｔ＜TBなる関係を満足
するように昇温してから冷却する場合とTB＜Ｔなる温度
まで昇温してから冷却する場合を含むことを特徴とする
光磁気記録方法である。 （作用） 本発明では、光磁気記録媒体の記録層として室温以上
に補償組成を有する書き込み層と該書き込み層の磁化方
向を転写する読み出し層とを設けた記録媒体を利用す
る。第１図には、この記録媒体に要求される書き込み
層、読み出し層の保磁力の温度特性を示す。第１図
（ａ），（ｂ）において、1,1′は読み出し層の保磁力
の温度特性であり、２は書き込み層の保磁力の温度特性
である。第１図（ａ）は読み出し層の補償温度が室温と
キュリー温度の間に存在しない場合であり、第１図
（ｂ）は存在する場合である。このように、本発明では
書き込み層の補償温度が室温より高い温度にある記録媒
体を用いるが、読み出し層の場合には、必ずしも補償温
度が室温以上にある必要はない。室温をTr、室温におけ
る読み出し層、書き込み層の保磁力をそれぞれHcR、H
cW、読み出し層のキュリー温度TcR、書き込み層のキュ
リー温度TcW、書き込み層の補償温度Tcomp.wとしたおき
に、HcW＜HcR、TcR＜Tcomp.w＜TcWの関係を満足しなけ
ればならない。 次に、本発明である光磁気記録の記録方式に付いて説
明する。記録時には、第１図に示すように室温における
読み出し層の保磁力HcRよりも小さいが書き込み層の保
磁力HcWよりも大きい外部磁場３を印加する。このため
に、室温では書き込み層の磁化は外部磁場方向を常に向
くことになる。第１図において、書き込み層の補償温度
より高温側で、書き込み層の保磁力と外部磁場の大きさ
が等しくなる温度をTBとする。外部磁場を印加した状態
で、第２図中の書き込みレベル５の強度のレーザーを媒
体に照射することにより媒体の温度Ｔを第１図中のTcom
pw＜Ｔ＜TBなる領域Ａまで昇温し、そののちに冷却させ
るとすると、読み出し層のキュリー温度TcRでは、書き
込み層の磁化は外部磁場と同一方向に向いていることに
なり、さらに媒体が冷却されていくと書き込み層の磁化
方向が読み出し層に転写されることになる。転写に際
し、読み出し層の磁化が書き込み層の磁化と同一方向に
転写される場合には、室温での読み出し層の磁化は、第
１図（ａ）の場合には外部磁場方向に向くことになり、
第１図（ｂ）では、キュリー温度TcR付近で書き込み層
と同一方向に転写された読み出し層の磁化は、媒体の温
度が下がり読み出し層の補償温度以下に媒体温度が下が
ると磁化方向が反転するために、室温での読み出し層の
磁化は外部磁場と逆向きに向くことになる。レベル５の
強度をTcRよりも高いTcomp.w以上となるように昇温する
のは、磁化反転を安定に実現するためである。次に、前
記外部磁場中で、第２図中の書き込みレベル６の強度の
レーザー照射により磁性媒体の温度Ｔを第１図中のTB＜
Ｔなる領域Ｂまで昇温しそののちに冷却する場合を考え
る。この場合には、媒体の温度が書き込み層の補償温度
以上では、書き込み層の磁化は外部磁場方向を向くこと
になるが、媒体の温度が補償温度以下に下がると、書き
込み層の磁化は外部磁場とは逆向きに向くことになる。
したがって、この場合には、媒体の温度がTcR付近まで
下がった時、読み出し層に転写される書き込み層の磁化
方向は、先ほどの場合と逆向きになる。このように、外
部磁場中で磁性媒体へ照射するレーザーバワーを変化さ
せることにより、単一ビーム、単一静磁場による光磁気
記録の重ね書きが可能となる。また、再生方法は、無磁
場中で媒体温度ＴがＴ＜TcRとなる第２図の読み出しレ
ベル４のレーザー照射により従来と同一方法により行う
ことができる。再生時には外部磁場を必要としないが、
再生時のレーザー照射により読み出し層の温度が上が
り、読み出し層の保磁力が外部磁場よりも小さくならな
ければ外部磁場を印加したままで再生することができ
る。 以上は、書き込み層の磁化方向が読み出し層に転写さ
れる際に、同一方向に転写される場合を説明したが、逆
向きに転写される媒体構成にしても良い。 この方法では、従来の単一ビーム、単一磁場の光磁気
記録装置をそのまま利用することができ、従来の２層膜
を利用した重ね書き方法で必要とした先行外部磁場を必
要としないことを特徴としている。 （実施例） 第３図は、本発明を実施するための媒体構成図を示
す。第３図において７はポリカーボネイト基板（PC）、
８は誘電体層、９は読み出し層、10は書き込み層、11は
保護層である。 基板とした用いたPC基板７は、外径130mmφ、内径15m
mφのグループ付き基板である。この基板上に、誘電体
層８、読み出し層９、書き込み層10、保護膜層11をスパ
ッター法により真空中で連続成膜を行った。誘電体層
８、保護膜膜11として膜厚800ÅのSi3N4を用いた。読み
出し層９、書き込み層10としてそれぞれ膜厚500ÅのDy
0.21Fe0.79、（Gd0.5Tb0.5）0.27（Fe0.95Co0.5）0.73
膜を用いた。第４図に、読み出し層の保磁力の温度特性
12と書き込み層の保磁力の温度特性13とを示す。読み出
し層９、書き込み層10のキュリー温度はそれぞれ210
℃、120℃であり、書き込み層の補償温度は、180℃とな
っている。 この記録媒体に垂直に2KOeの外部磁場を印加し、線速
10m/sでオーバーライト特性の測定を行った。はじめ
に、第２図中の書き込みパワーレベル５が5.2mW、書き
込み時のレーザー照射レベル６が7.3mW、読み出し時の
レーザー照射レベル４が1mWの条件で、1MHzの信号を記
録・再生を行ったところC/N比48dBが得られた。さらに
この上に、同一条件により2MHzの信号を重ね書きしたと
ころC/N比47dBが得られた。 このように、本発明による光磁気記録の記録方式によ
り、単一ビーム、単一磁場の従来の光磁気記録装置を用
いて良好なオーバーライト特性を得ることができた。 （発明の効果） 本発明によれば、従来の単一ビーム、単一静磁場の光
磁気記録装置によりレーザー照射強度の変調のみにより
光磁気記録媒体への重ね書きが可能となる。
ー光を照射して記録媒体を局部加熱することによりビッ
トを書き込み、磁気光学効果を利用して読みだすという
光磁気記録が研究開発されている。その記録媒体として
は、希土類−遷移金属合金からなる非晶質磁性薄膜が注
目されている。光磁気記録方式では、従来単一記録層、
単一ビームにより光変調方式で行われていたため、重ね
書き（オーバーライト）記録が不可能であった。そこ
で、重ね書き記録を可能にする方法として、磁界変調方
式、マルチビームによる疑似重ね書き記録方式、２層膜
による方式等が考えられている。 （発明が解決しようとする問題点） 磁界変調方式では、高周波で高磁場を発生する事が困
難であり、ハードディスク等に使われているスライダー
を用いた方法は、光磁気記録の特徴である非接触性を犠
牲にする等の欠点を有している。また、マルチビームに
よる類似オーバーライト方式は、装置が複雑になる欠点
を有している。また、従来の２層膜を利用したオーバー
ライト方式（第34回応用物理学関連連合講演会予稿集,2
8p−ZL−3,P721,1987）では次のような方法がとられ
る。記録に先立ち予め外部磁場により補助層の磁化を一
方向にそろえる。次にメモリー層のキュリー温度TCR、
また記録時に先行外部磁場の方向と逆向きに印加されて
いる外部磁場の大きさと補助層の保磁力とが等しくなる
温度をTBとしたときに、媒体の温度ＴをTCR＜Ｔ＜TBな
る温度まで昇温させ、その後冷却すると、予め一方向に
そろえられた補助層の磁化方向が記録層に転写される。
また媒体をTB以上に昇温した後に冷却すると、記録時に
印加されている磁場方向に記録層の磁化が向く。このた
めに、記録に先立ち補助層を予め消去するための外部磁
場と記録時に印加する二つの外部磁場が必要となり、装
置が複雑になる。 本発明の目的は、単一ビーム、単一磁場によりオーバ
ーライトが可能となる光磁気記録の記録方式を提供する
ことにある。 （発明が解決しようとする手段） 本発明は光磁気記録媒体の記録層として垂直磁化膜か
らなる読み出し層と垂直磁化膜であるフェリ磁性体から
なる書き込み層とが積層された２層膜を有し、室温をT
r、読み出し層、書き込み層の室温での保磁力をそれぞ
れHcR,HcW、読み出し層のキュリー温度をTcR、書き込み
層のキュリー温度をTcW、書き込み層の補償温度をTcom
p.wとしたときに、HcW＜HcR、Tr＜TcR＜Tcomp・ｗ＜TcW
なる関係を満足する光磁気記録媒体を用い、HcW＜Hext.
＜HcRとなるように記録媒体に垂直方向に外部磁場（He
x.t）を印加し、書き込み層の補償温度Tcomp.wよりも高
温側で外部磁場の大きさと書き込み層の保磁力とが等し
くなる温度をTBとしたときに、記録はレーザー照射によ
り記録膜を媒体温度ＴをTcompw＜Ｔ＜TBなる関係を満足
するように昇温してから冷却する場合とTB＜Ｔなる温度
まで昇温してから冷却する場合を含むことを特徴とする
光磁気記録方法である。 （作用） 本発明では、光磁気記録媒体の記録層として室温以上
に補償組成を有する書き込み層と該書き込み層の磁化方
向を転写する読み出し層とを設けた記録媒体を利用す
る。第１図には、この記録媒体に要求される書き込み
層、読み出し層の保磁力の温度特性を示す。第１図
（ａ），（ｂ）において、1,1′は読み出し層の保磁力
の温度特性であり、２は書き込み層の保磁力の温度特性
である。第１図（ａ）は読み出し層の補償温度が室温と
キュリー温度の間に存在しない場合であり、第１図
（ｂ）は存在する場合である。このように、本発明では
書き込み層の補償温度が室温より高い温度にある記録媒
体を用いるが、読み出し層の場合には、必ずしも補償温
度が室温以上にある必要はない。室温をTr、室温におけ
る読み出し層、書き込み層の保磁力をそれぞれHcR、H
cW、読み出し層のキュリー温度TcR、書き込み層のキュ
リー温度TcW、書き込み層の補償温度Tcomp.wとしたおき
に、HcW＜HcR、TcR＜Tcomp.w＜TcWの関係を満足しなけ
ればならない。 次に、本発明である光磁気記録の記録方式に付いて説
明する。記録時には、第１図に示すように室温における
読み出し層の保磁力HcRよりも小さいが書き込み層の保
磁力HcWよりも大きい外部磁場３を印加する。このため
に、室温では書き込み層の磁化は外部磁場方向を常に向
くことになる。第１図において、書き込み層の補償温度
より高温側で、書き込み層の保磁力と外部磁場の大きさ
が等しくなる温度をTBとする。外部磁場を印加した状態
で、第２図中の書き込みレベル５の強度のレーザーを媒
体に照射することにより媒体の温度Ｔを第１図中のTcom
pw＜Ｔ＜TBなる領域Ａまで昇温し、そののちに冷却させ
るとすると、読み出し層のキュリー温度TcRでは、書き
込み層の磁化は外部磁場と同一方向に向いていることに
なり、さらに媒体が冷却されていくと書き込み層の磁化
方向が読み出し層に転写されることになる。転写に際
し、読み出し層の磁化が書き込み層の磁化と同一方向に
転写される場合には、室温での読み出し層の磁化は、第
１図（ａ）の場合には外部磁場方向に向くことになり、
第１図（ｂ）では、キュリー温度TcR付近で書き込み層
と同一方向に転写された読み出し層の磁化は、媒体の温
度が下がり読み出し層の補償温度以下に媒体温度が下が
ると磁化方向が反転するために、室温での読み出し層の
磁化は外部磁場と逆向きに向くことになる。レベル５の
強度をTcRよりも高いTcomp.w以上となるように昇温する
のは、磁化反転を安定に実現するためである。次に、前
記外部磁場中で、第２図中の書き込みレベル６の強度の
レーザー照射により磁性媒体の温度Ｔを第１図中のTB＜
Ｔなる領域Ｂまで昇温しそののちに冷却する場合を考え
る。この場合には、媒体の温度が書き込み層の補償温度
以上では、書き込み層の磁化は外部磁場方向を向くこと
になるが、媒体の温度が補償温度以下に下がると、書き
込み層の磁化は外部磁場とは逆向きに向くことになる。
したがって、この場合には、媒体の温度がTcR付近まで
下がった時、読み出し層に転写される書き込み層の磁化
方向は、先ほどの場合と逆向きになる。このように、外
部磁場中で磁性媒体へ照射するレーザーバワーを変化さ
せることにより、単一ビーム、単一静磁場による光磁気
記録の重ね書きが可能となる。また、再生方法は、無磁
場中で媒体温度ＴがＴ＜TcRとなる第２図の読み出しレ
ベル４のレーザー照射により従来と同一方法により行う
ことができる。再生時には外部磁場を必要としないが、
再生時のレーザー照射により読み出し層の温度が上が
り、読み出し層の保磁力が外部磁場よりも小さくならな
ければ外部磁場を印加したままで再生することができ
る。 以上は、書き込み層の磁化方向が読み出し層に転写さ
れる際に、同一方向に転写される場合を説明したが、逆
向きに転写される媒体構成にしても良い。 この方法では、従来の単一ビーム、単一磁場の光磁気
記録装置をそのまま利用することができ、従来の２層膜
を利用した重ね書き方法で必要とした先行外部磁場を必
要としないことを特徴としている。 （実施例） 第３図は、本発明を実施するための媒体構成図を示
す。第３図において７はポリカーボネイト基板（PC）、
８は誘電体層、９は読み出し層、10は書き込み層、11は
保護層である。 基板とした用いたPC基板７は、外径130mmφ、内径15m
mφのグループ付き基板である。この基板上に、誘電体
層８、読み出し層９、書き込み層10、保護膜層11をスパ
ッター法により真空中で連続成膜を行った。誘電体層
８、保護膜膜11として膜厚800ÅのSi3N4を用いた。読み
出し層９、書き込み層10としてそれぞれ膜厚500ÅのDy
0.21Fe0.79、（Gd0.5Tb0.5）0.27（Fe0.95Co0.5）0.73
膜を用いた。第４図に、読み出し層の保磁力の温度特性
12と書き込み層の保磁力の温度特性13とを示す。読み出
し層９、書き込み層10のキュリー温度はそれぞれ210
℃、120℃であり、書き込み層の補償温度は、180℃とな
っている。 この記録媒体に垂直に2KOeの外部磁場を印加し、線速
10m/sでオーバーライト特性の測定を行った。はじめ
に、第２図中の書き込みパワーレベル５が5.2mW、書き
込み時のレーザー照射レベル６が7.3mW、読み出し時の
レーザー照射レベル４が1mWの条件で、1MHzの信号を記
録・再生を行ったところC/N比48dBが得られた。さらに
この上に、同一条件により2MHzの信号を重ね書きしたと
ころC/N比47dBが得られた。 このように、本発明による光磁気記録の記録方式によ
り、単一ビーム、単一磁場の従来の光磁気記録装置を用
いて良好なオーバーライト特性を得ることができた。 （発明の効果） 本発明によれば、従来の単一ビーム、単一静磁場の光
磁気記録装置によりレーザー照射強度の変調のみにより
光磁気記録媒体への重ね書きが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明を実施するために用いる媒体の保磁力
の温度特性を示す図、第２図は本発明を実施するための
レーザパワーの変調法の説明図、第３図は、実施例に用
いた媒体の媒体構成図、第４図は、実施例に用いた読み
込み層、書き込み層の保磁力の温度特性を示す図 1,1′……読み出し層に要求される保磁力の温度特性、
２……書き込み層に要求される保磁力の温度特性、３…
…外部磁場レベル、４……読み出し時のレーザー照射レ
ベル、５……書き込み時のレーザー照射レベル、６……
書き込み時のレーザー照射レベル、７……基板、８……
誘電体層、９……読み出し層、10……書き込み層、11…
…保護膜層、12……読み出し層の保磁力の温度特性、13
……書き込み層の保磁力の温度特性
の温度特性を示す図、第２図は本発明を実施するための
レーザパワーの変調法の説明図、第３図は、実施例に用
いた媒体の媒体構成図、第４図は、実施例に用いた読み
込み層、書き込み層の保磁力の温度特性を示す図 1,1′……読み出し層に要求される保磁力の温度特性、
２……書き込み層に要求される保磁力の温度特性、３…
…外部磁場レベル、４……読み出し時のレーザー照射レ
ベル、５……書き込み時のレーザー照射レベル、６……
書き込み時のレーザー照射レベル、７……基板、８……
誘電体層、９……読み出し層、10……書き込み層、11…
…保護膜層、12……読み出し層の保磁力の温度特性、13
……書き込み層の保磁力の温度特性
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光磁気記録媒体の記録層として垂直磁化膜からなる
読み出し層と垂直磁化膜であるフェリ磁性体からなる書
き込み層とが積層された２層膜を有し、室温をTr、読み
出し層、書き込み層の室温での保磁力をそれぞれHCR、H
CW、読み出し層のキュリー温度をTCR、書き込み層のキ
ュリー温度をTCW、書き込み層の補償温度をTcomp.wとし
たときに、HCW＜HCR、Tr＜TCR＜Tcopm.w＜TCWなる関係
を満足する光磁気記録媒体を用い、HCW＜Hext.＜HCRと
なるように記録媒体に垂直方向に外部磁場Hext.を印加
し、書き込み層の補償温度Tcomp.wよりも高温側で外部
磁場の大きさと書き込み層の保磁力とが等しくなる温度
をTBとしたときに、記録レーザ照射により記録膜を媒体
温度ＴをTcomp.w＜Ｔ＜TBなる関係を満足するように昇
温してから冷却する場合とTB＜Ｔなる温度まで昇温して
から冷却する場合を含むことを特徴とする光磁気記録方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255848A JP2927791B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255848A JP2927791B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0198147A JPH0198147A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2927791B2 true JP2927791B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17284432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255848A Expired - Lifetime JP2927791B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927791B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2617493B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録方式 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155449A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 光磁気記録方法 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255848A patent/JP2927791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0198147A (ja) | 1989-04-17 |
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