JP2607476B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP2607476B2 JP2607476B2 JP61110755A JP11075586A JP2607476B2 JP 2607476 B2 JP2607476 B2 JP 2607476B2 JP 61110755 A JP61110755 A JP 61110755A JP 11075586 A JP11075586 A JP 11075586A JP 2607476 B2 JP2607476 B2 JP 2607476B2
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- iron
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- recording
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を
行う光磁気記録に係わり、特に小さなバイアス磁界で記
録再生するのに好適な光磁気記録媒体に関する。
行う光磁気記録に係わり、特に小さなバイアス磁界で記
録再生するのに好適な光磁気記録媒体に関する。
高密度，大容量，情報の任意読み出し，書き換え等が
可能な光磁気記録は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸の
ある磁性薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによ
つて、同時にバイアス磁界を印加することにより、任意
の位置に反転磁区を作ることによつて、それらの磁化の
向きに対応して、“1",“0"の２値情報が記録される。
一方かかる反転記録を行つた２値信号の読み出しは、通
常ポーラー・カー効果あるいはフアラデー効果を利用し
て行う。また該記録を消去する場合は、レーザー光を記
録部に照射し、同時に記録の場合とは反対方向にバイア
ス磁界を印加して、反転磁区を消すことにより消去する
（例えば特開昭56−61031号等）。
可能な光磁気記録は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸の
ある磁性薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによ
つて、同時にバイアス磁界を印加することにより、任意
の位置に反転磁区を作ることによつて、それらの磁化の
向きに対応して、“1",“0"の２値情報が記録される。
一方かかる反転記録を行つた２値信号の読み出しは、通
常ポーラー・カー効果あるいはフアラデー効果を利用し
て行う。また該記録を消去する場合は、レーザー光を記
録部に照射し、同時に記録の場合とは反対方向にバイア
ス磁界を印加して、反転磁区を消すことにより消去する
（例えば特開昭56−61031号等）。
従つて、光磁気記録方式では、従来の消去が不可能な
光デイスクと比較して、外部磁界を印加する必要があ
り、このことが光磁気記録装置の小型化への大きな障害
となつている。特に、従来の記録消去の最適外部磁界は
3000e以上であり、そのため外部磁界発生のマグネツト
が大きくなつたり、また記録媒体表面の温度がマグネツ
トの熱により高温に上昇し、記録媒体の寿命を著しく劣
化させる等々の問題を有していた。
光デイスクと比較して、外部磁界を印加する必要があ
り、このことが光磁気記録装置の小型化への大きな障害
となつている。特に、従来の記録消去の最適外部磁界は
3000e以上であり、そのため外部磁界発生のマグネツト
が大きくなつたり、また記録媒体表面の温度がマグネツ
トの熱により高温に上昇し、記録媒体の寿命を著しく劣
化させる等々の問題を有していた。
本発明の目的は、小さなバイアス磁界で記録・再生す
るのに公的な光磁気記録媒体を提供することにある。
るのに公的な光磁気記録媒体を提供することにある。
かかる記録媒体を得るには、例えば第１図に示すよう
に、実質的に補償点書きこみ（初期磁化の方向と同じ方
向にバイアス磁場を印加することにより書き込むもの
で、補償温度が室温以上に設定されるもの）の膜面上に
誘導体膜を介して、垂直磁化膜を配設した多層膜媒体を
形成すれば目的を達成出来る。すなわち本願発明では、
光学的に透明な基板と、基板上に形成された干渉膜と、
干渉膜の上に形成された補償点書き込みを行うための室
温以上の補償温度を有する希土類−鉄系非晶質硬磁性記
録膜と、希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜の上に形成さ
れた誘電体膜と、誘電体膜の上に形成されたCoを含有す
る金属垂直磁化膜から構成される光磁気記録媒体、およ
び、バイアス磁界を印加する外部バイアス手段を用い、
希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜と金属垂直磁化膜を同
じ方向に初期磁化しておき、金属磁化膜の磁化により希
土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜の初期磁化方向と同じ向
きのバイアス磁界を希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜に
作用せしめるとともに、光ビームの照射により希土類−
鉄系非晶質硬磁性記録膜を補償温度以上に加熱し、もっ
て記録を行う。
に、実質的に補償点書きこみ（初期磁化の方向と同じ方
向にバイアス磁場を印加することにより書き込むもの
で、補償温度が室温以上に設定されるもの）の膜面上に
誘導体膜を介して、垂直磁化膜を配設した多層膜媒体を
形成すれば目的を達成出来る。すなわち本願発明では、
光学的に透明な基板と、基板上に形成された干渉膜と、
干渉膜の上に形成された補償点書き込みを行うための室
温以上の補償温度を有する希土類−鉄系非晶質硬磁性記
録膜と、希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜の上に形成さ
れた誘電体膜と、誘電体膜の上に形成されたCoを含有す
る金属垂直磁化膜から構成される光磁気記録媒体、およ
び、バイアス磁界を印加する外部バイアス手段を用い、
希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜と金属垂直磁化膜を同
じ方向に初期磁化しておき、金属磁化膜の磁化により希
土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜の初期磁化方向と同じ向
きのバイアス磁界を希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜に
作用せしめるとともに、光ビームの照射により希土類−
鉄系非晶質硬磁性記録膜を補償温度以上に加熱し、もっ
て記録を行う。
本発明の媒体構成では、初期磁化で第１図（ａ）に示
すように、二つの垂直磁化膜層を同じ方向に磁化してお
く（矢印方向）。補償点書き込み膜では、記録時は初期
磁化と同じ方向にバイアス磁界を印加することにより書
き込みが行われることから、本発明の媒体構造では、記
録膜上の垂直磁化膜の磁化により、バイアス磁界がより
効果的に記録膜上に作用し、そのため小さなバイアス磁
界でも十分書き込みが行えるようになる。記録膜上に反
転磁区が形成されると、その箇所の転写により上部の垂
直磁化膜上にも第１図（ｂ）に示すように、反転磁区が
形成される。消去はバイアス磁界を記録時と反対方向に
印加した行うことから、上記反転磁区を形成した第二の
垂直磁化膜の磁化は、消去でのバイアス磁界を強めるよ
うに作用し、小さなバイアス磁界で消去出来る。
すように、二つの垂直磁化膜層を同じ方向に磁化してお
く（矢印方向）。補償点書き込み膜では、記録時は初期
磁化と同じ方向にバイアス磁界を印加することにより書
き込みが行われることから、本発明の媒体構造では、記
録膜上の垂直磁化膜の磁化により、バイアス磁界がより
効果的に記録膜上に作用し、そのため小さなバイアス磁
界でも十分書き込みが行えるようになる。記録膜上に反
転磁区が形成されると、その箇所の転写により上部の垂
直磁化膜上にも第１図（ｂ）に示すように、反転磁区が
形成される。消去はバイアス磁界を記録時と反対方向に
印加した行うことから、上記反転磁区を形成した第二の
垂直磁化膜の磁化は、消去でのバイアス磁界を強めるよ
うに作用し、小さなバイアス磁界で消去出来る。
小さなバイアス磁界で記録・再生出来る記録媒体を作
成することにより、マグネツトの温度上昇を抑えて、そ
の熱輻射による記録膜面上の温度上昇を大巾に抑え、光
磁気記録媒体の寿命を著しく向上することが出来る。ま
た小さなバイアス磁界で良いため、マグネツトの大きさ
を小さくすることが出来、装置を小型化することが出来
る利点を有している。
成することにより、マグネツトの温度上昇を抑えて、そ
の熱輻射による記録膜面上の温度上昇を大巾に抑え、光
磁気記録媒体の寿命を著しく向上することが出来る。ま
た小さなバイアス磁界で良いため、マグネツトの大きさ
を小さくすることが出来、装置を小型化することが出来
る利点を有している。
また、希土類−鉄族系非晶質記録膜と第二の、例えば
金属垂直磁化膜の間に誘電体膜を設けているがこれは記
録感度を損わないようにするためである。すなわち、記
録膜上に直接第二の金属垂直磁化膜を配設すると、その
熱伝導の効果により、熱磁気記録での温度上昇が著しく
抑えられ、その結果記録感度が著しく劣化する。
金属垂直磁化膜の間に誘電体膜を設けているがこれは記
録感度を損わないようにするためである。すなわち、記
録膜上に直接第二の金属垂直磁化膜を配設すると、その
熱伝導の効果により、熱磁気記録での温度上昇が著しく
抑えられ、その結果記録感度が著しく劣化する。
さらに磁化膜に、例えば高耐食性を示すCo−Cr,Co−N
i−Ｐ等の垂直磁化膜を用いると、耐食性，耐酸化性の
悪い希土類−鉄族系非晶質膜を保護する効果を生じ、記
録媒体の寿命を著しく向上させることが出来る。また希
土類−鉄族系非晶質記録膜の保磁力は、書き込み反転磁
区を安定に存在させるため高保磁力にする必要がある。
i−Ｐ等の垂直磁化膜を用いると、耐食性，耐酸化性の
悪い希土類−鉄族系非晶質膜を保護する効果を生じ、記
録媒体の寿命を著しく向上させることが出来る。また希
土類−鉄族系非晶質記録膜の保磁力は、書き込み反転磁
区を安定に存在させるため高保磁力にする必要がある。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
直径120mmのガラス基板上１に、Arガス圧５×10-3Tor
rのもとで、マグネトロンスパツタ法でSiO（膜圧1000
Å）2,Tb25Fe70Co5非晶質膜（膜圧1000Å）3,SiO2（膜
圧200Å）4,CoCr膜（膜圧1000Å）５の順に形成した本
発明の多層膜光磁気デイスクと、同じガラス基板上に従
来の構成でSiO2（膜圧1000Å），Tb25Fe70Co5非晶質膜
（膜圧1000Å），SiO2（膜圧1000Å）の順に形成した多
層膜光磁気デイスクを作成した。
rのもとで、マグネトロンスパツタ法でSiO（膜圧1000
Å）2,Tb25Fe70Co5非晶質膜（膜圧1000Å）3,SiO2（膜
圧200Å）4,CoCr膜（膜圧1000Å）５の順に形成した本
発明の多層膜光磁気デイスクと、同じガラス基板上に従
来の構成でSiO2（膜圧1000Å），Tb25Fe70Co5非晶質膜
（膜圧1000Å），SiO2（膜圧1000Å）の順に形成した多
層膜光磁気デイスクを作成した。
これらのデイスクを用いて、半導体レーザ（波長λ＝
822nm）で、回転数1800rpm,測定帯域Δｆ＝30KHz,測定
周波数＝1MHzの条件のもとに、バイアス磁界Hexを変
化させながら記録して、その再生出力Ｃを測定した。そ
の結果を第２図に示す。図から明らかなように、本発明
のデイスクは、従来デイスクと比べて、記録感度を損な
わずに、より小さなバイアス磁界で書き込みが出来、よ
り大きな再生出力が得られることがわかる。また消去磁
界も従来デイスクと比べて1/3〜1/2の磁界で消去出来る
ことがわかつた。
822nm）で、回転数1800rpm,測定帯域Δｆ＝30KHz,測定
周波数＝1MHzの条件のもとに、バイアス磁界Hexを変
化させながら記録して、その再生出力Ｃを測定した。そ
の結果を第２図に示す。図から明らかなように、本発明
のデイスクは、従来デイスクと比べて、記録感度を損な
わずに、より小さなバイアス磁界で書き込みが出来、よ
り大きな再生出力が得られることがわかる。また消去磁
界も従来デイスクと比べて1/3〜1/2の磁界で消去出来る
ことがわかつた。
以上の説明から明らかなように、本発明の誘電体膜を
介して、記録膜と第２図の垂直磁化膜を配設した光磁気
デイスクは、小さなバイアス磁界で書き込みと消去が出
来ることから、バイアス磁界を発生させるマグネツトを
小さくすることが出来、装置をより小型化出来る。
介して、記録膜と第２図の垂直磁化膜を配設した光磁気
デイスクは、小さなバイアス磁界で書き込みと消去が出
来ることから、バイアス磁界を発生させるマグネツトを
小さくすることが出来、装置をより小型化出来る。
第１図は本発明の一実施例の多層膜デイスク媒体の断面
図、第２図は光磁気デイスクの再生出力対バイアス磁界
の線図である。 １……透明基板、２……干渉膜、３……希土類−鉄族系
非晶質膜、４……誘電体膜、５……垂直磁化膜、６……
ガラス/SiO/TbFeCo/SiO2/CoCrデイスク、７……ガラス/
SiO/TbFeCo/SiO2デイスク。
図、第２図は光磁気デイスクの再生出力対バイアス磁界
の線図である。 １……透明基板、２……干渉膜、３……希土類−鉄族系
非晶質膜、４……誘電体膜、５……垂直磁化膜、６……
ガラス/SiO/TbFeCo/SiO2/CoCrデイスク、７……ガラス/
SiO/TbFeCo/SiO2デイスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式 会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−148163（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−151853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−60746（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−108045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154347（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】光学的に透明な基板と、該基板上に形成さ
れた干渉膜と、該干渉膜の上に形成された補償点書き込
みを行うための室温以上の補償温度を有する希土類−鉄
系非晶質硬磁性記録膜と、該希土類−鉄系非晶質硬磁性
記録膜の上に形成された誘電体膜と、該誘電体膜の上に
形成されたCoを含有する金属垂直磁化膜から構成される
光磁気記録媒体、および、バイアス磁界を印加する外部
バイアス手段を用い、上記希土類−鉄系非晶質硬磁性記
録膜と金属垂直磁化膜を同じ方向に初期磁化しておき、
上記金属磁化膜の磁化により上記希土類−鉄系非晶質硬
磁性記録膜の初期磁化方向と同じ向きの上記バイアス磁
界を上記希土類−鉄系非晶質硬磁性記録膜に作用せしめ
るとともに、光ビームの照射により上記希土類−鉄系非
晶質硬磁性記録膜を補償温度以上に加熱し、もって記録
を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110755A JP2607476B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110755A JP2607476B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62267941A JPS62267941A (ja) | 1987-11-20 |
| JP2607476B2 true JP2607476B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=14543740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61110755A Expired - Fee Related JP2607476B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607476B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108045A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 光磁気記録媒体および光磁気記録装置 |
| JPS5960746A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS59148163A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS60151853A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0695404B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-11-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61110755A patent/JP2607476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62267941A (ja) | 1987-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |