JPH10172194A - 光磁気記録媒体の再生装置及び再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の再生装置及び再生方法Info
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- JPH10172194A JPH10172194A JP33382596A JP33382596A JPH10172194A JP H10172194 A JPH10172194 A JP H10172194A JP 33382596 A JP33382596 A JP 33382596A JP 33382596 A JP33382596 A JP 33382596A JP H10172194 A JPH10172194 A JP H10172194A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度に記録可能な光磁気記録媒体を用いた
ハードディスクを再生する再生装置および再生方法を提
供する。 【解決手段】 信号を記録する記録層と、記録層より大
きい磁区を有する再生層を記録層上に形成した光磁気記
録媒体に、再生しようとする磁区を再生層に拡大転写す
るためのレーザ光を照射する光学手段と、再生層に拡大
転写された磁区からの漏洩磁界を検出する磁気手段とを
設ける。
ハードディスクを再生する再生装置および再生方法を提
供する。 【解決手段】 信号を記録する記録層と、記録層より大
きい磁区を有する再生層を記録層上に形成した光磁気記
録媒体に、再生しようとする磁区を再生層に拡大転写す
るためのレーザ光を照射する光学手段と、再生層に拡大
転写された磁区からの漏洩磁界を検出する磁気手段とを
設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、媒体の高品質化及
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した光
磁気記録媒体及びその再生方法に関する。
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した光
磁気記録媒体及びその再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。
【０００３】高密度記録再生技術は、媒体側の技術と装
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、信号が記録された磁区
を再生層に転写して外部磁界により磁区を拡大して再生
する磁区拡大による再生方法がある。
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、信号が記録された磁区
を再生層に転写して外部磁界により磁区を拡大して再生
する磁区拡大による再生方法がある。
【０００４】また、ハードディスクにおいては、信号を
記録する記録層は面内磁化膜から構成されている。
記録する記録層は面内磁化膜から構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のハードディスク
では、記録層に面内磁化膜を用いるために最小ドメイン
長は０.２μｍ程度が限界である。この結果、高密度に
記録可能なハードディスクを作製することができないと
言う問題があった。また、将来的にはより高密度化が可
能な垂直磁化膜へ移行すると考えられる。しかし、垂直
磁化膜を用いた場合においても、０.２μｍ以下のドメ
イン長で高密度に記録された小さなドメインからの再生
信号の強度が弱いために正確な再生が困難であるという
問題があった。
では、記録層に面内磁化膜を用いるために最小ドメイン
長は０.２μｍ程度が限界である。この結果、高密度に
記録可能なハードディスクを作製することができないと
言う問題があった。また、将来的にはより高密度化が可
能な垂直磁化膜へ移行すると考えられる。しかし、垂直
磁化膜を用いた場合においても、０.２μｍ以下のドメ
イン長で高密度に記録された小さなドメインからの再生
信号の強度が弱いために正確な再生が困難であるという
問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、かかる問題を解決し、
高密度に記録したハードディスクを再生する再生装置と
その再生方法を提供するものである。
高密度に記録したハードディスクを再生する再生装置と
その再生方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、信号を記録す
る第１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられ、第１の
磁性層の磁区より大きい磁区を有する第２の磁性層とを
含む光磁気記録媒体の再生装置であって、光磁気記録媒
体に、第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇
温させるためのレーザ光を照射する光学手段と、第１の
磁性層中の特定の磁区が転写される前記第２の磁性層中
の磁区からの漏洩磁界を検出する磁気手段とを含むこと
を特徴とする。
る第１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられ、第１の
磁性層の磁区より大きい磁区を有する第２の磁性層とを
含む光磁気記録媒体の再生装置であって、光磁気記録媒
体に、第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇
温させるためのレーザ光を照射する光学手段と、第１の
磁性層中の特定の磁区が転写される前記第２の磁性層中
の磁区からの漏洩磁界を検出する磁気手段とを含むこと
を特徴とする。
【０００８】また、本発明は、信号を記録する第１の磁
性層と、第１の磁性層上に設けられた非磁性層と、非磁
性層上に設けられ、第１の磁性層の磁区より大きい磁区
を有する第２の磁性層とを含む光磁気記録媒体の再生装
置であって、光磁気記録媒体に、第１の磁性層中の特定
の磁区を所定温度以上に昇温させるためのレーザ光を照
射する光学手段と、第１の磁性層中の特定の磁区が非磁
性層を介して転写される第２の磁性層中の磁区からの漏
洩磁界を検出する磁気手段とを含むことを特徴とする。
性層と、第１の磁性層上に設けられた非磁性層と、非磁
性層上に設けられ、第１の磁性層の磁区より大きい磁区
を有する第２の磁性層とを含む光磁気記録媒体の再生装
置であって、光磁気記録媒体に、第１の磁性層中の特定
の磁区を所定温度以上に昇温させるためのレーザ光を照
射する光学手段と、第１の磁性層中の特定の磁区が非磁
性層を介して転写される第２の磁性層中の磁区からの漏
洩磁界を検出する磁気手段とを含むことを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、光学手段が光磁気記録媒
体の第１の磁性層側からレーザ光を照射し、磁気手段が
光磁気記録媒体の第２の磁性層側から漏洩磁界を検出す
ることを特徴とする。また、本発明は、好ましくは、第
１の磁性層が垂直磁化膜であり、第２の磁性層が面内磁
化膜であることを特徴とする。
体の第１の磁性層側からレーザ光を照射し、磁気手段が
光磁気記録媒体の第２の磁性層側から漏洩磁界を検出す
ることを特徴とする。また、本発明は、好ましくは、第
１の磁性層が垂直磁化膜であり、第２の磁性層が面内磁
化膜であることを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、好ましくは、第１の磁性
層、および第２の磁性層が垂直磁化膜であることを特徴
とする。また、本発明は、好ましくは、レーザ光の波長
が６２０〜６５０ｎｍの範囲であることを特徴とする。
また、本発明は、好ましくは、レーザ光の波長が６６５
〜６９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。
層、および第２の磁性層が垂直磁化膜であることを特徴
とする。また、本発明は、好ましくは、レーザ光の波長
が６２０〜６５０ｎｍの範囲であることを特徴とする。
また、本発明は、好ましくは、レーザ光の波長が６６５
〜６９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、基板と、基板上に設けら
れ、信号を記録する第１の磁性層と、第１の磁性層上に
設けられ、第１の磁性層の磁区より大きい磁区を有する
第２の磁性層とを含む光磁気記録媒体の再生方法であっ
て、第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇温
させるためのレーザ光を光磁気記録媒体に照射する第１
の工程と、第１の磁性層中の特定の磁区が転写される第
２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する第２の工
程とを含むことを特徴とする。
れ、信号を記録する第１の磁性層と、第１の磁性層上に
設けられ、第１の磁性層の磁区より大きい磁区を有する
第２の磁性層とを含む光磁気記録媒体の再生方法であっ
て、第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇温
させるためのレーザ光を光磁気記録媒体に照射する第１
の工程と、第１の磁性層中の特定の磁区が転写される第
２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する第２の工
程とを含むことを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、基板と、基板上に設けら
れ、信号を記録する第１の磁性層と、第１の磁性層上に
設けられた非磁性層と、非磁性層上に設けられ、第１の
磁性層の磁区より大きい磁区を有する第２の磁性層とを
含む光磁気記録媒体の再生方法であって、第１の磁性層
中の特定の磁区を所定温度以上に昇温させるためのレー
ザ光を光磁気記録媒体に照射する第１の工程と、第１の
磁性層中の特定の磁区が非磁性層を介して転写される第
２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する第２の工
程とを含むことを特徴とする。
れ、信号を記録する第１の磁性層と、第１の磁性層上に
設けられた非磁性層と、非磁性層上に設けられ、第１の
磁性層の磁区より大きい磁区を有する第２の磁性層とを
含む光磁気記録媒体の再生方法であって、第１の磁性層
中の特定の磁区を所定温度以上に昇温させるためのレー
ザ光を光磁気記録媒体に照射する第１の工程と、第１の
磁性層中の特定の磁区が非磁性層を介して転写される第
２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する第２の工
程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図を参照しつつ、本発明の実施の
形態を説明する。図１を参照して、ハードディスクに用
いる光磁気記録媒体の断面構造を説明する。光磁気記録
媒体１０は、ガラス、ポリカーボネート等の透光性基板
１上に垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏから成る記録層
２、面内磁化膜であるＧｄＦｅＣｏから成る再生層３を
順次積層した構造から成る。前記記録層２、および前記
再生層３はマグネトロンスパッタ法により形成され、各
層の膜厚は、前記記録層２が４００〜６００Å、前記再
生層３が８００〜１２００Åである。
形態を説明する。図１を参照して、ハードディスクに用
いる光磁気記録媒体の断面構造を説明する。光磁気記録
媒体１０は、ガラス、ポリカーボネート等の透光性基板
１上に垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏから成る記録層
２、面内磁化膜であるＧｄＦｅＣｏから成る再生層３を
順次積層した構造から成る。前記記録層２、および前記
再生層３はマグネトロンスパッタ法により形成され、各
層の膜厚は、前記記録層２が４００〜６００Å、前記再
生層３が８００〜１２００Åである。
【００１４】また、前記光磁気記録媒体１０において
は、前記記録層２はＴｂＦｅＣｏに限らず、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択される元素と、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される元素から成る合金もしく
は多層膜であってもよい。また、前記再生層３はＧｄＦ
ｅＣｏに限らず、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択され
る元素と、Ｆｅ、Ｃｏ、にから選択される元素とから成
る合金もしくは多層膜であってもよい。また、前記再生
層３に用いられるＧｄＦｅＣｏはＦｅＣｏに対するＧｄ
の組成比が１７〜２６ａｔ．％のものである。前記再生
層３には前記記録層２の磁区より大きい磁性膜を用いる
ことが前記光磁気記録媒体１０の１つの特徴である。
は、前記記録層２はＴｂＦｅＣｏに限らず、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択される元素と、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される元素から成る合金もしく
は多層膜であってもよい。また、前記再生層３はＧｄＦ
ｅＣｏに限らず、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択され
る元素と、Ｆｅ、Ｃｏ、にから選択される元素とから成
る合金もしくは多層膜であってもよい。また、前記再生
層３に用いられるＧｄＦｅＣｏはＦｅＣｏに対するＧｄ
の組成比が１７〜２６ａｔ．％のものである。前記再生
層３には前記記録層２の磁区より大きい磁性膜を用いる
ことが前記光磁気記録媒体１０の１つの特徴である。
【００１５】図２を参照して、前記光磁気記録媒体１０
の再生機構について説明する。光磁気記録媒体１０に信
号が記録された状態では図２（ａ）に示すように前記記
録層２には信号が記録された所定の大きさの磁区が形成
されており、記録層２上に形成された再生層３において
は、面内で一定の方向を向いた磁化が発生している状態
となっている。記録層２側からレーザ光９９が照射さ
れ、記録層２中の磁区２１が所定の温度以上に昇温され
ると磁区２１の磁化２２が交換結合力により再生層３へ
転写され、磁化２２と同じ向きの磁化を有する磁区３１
が現れる（図２（ｂ））。この場合、再生層３は室温で
は面内磁化膜であるが、１００℃程度に昇温されると垂
直磁化膜となるものである。また、再生層３の磁区は記
録層２の磁区より大きいので再生層３に現れる磁区３１
は記録層２の磁区２１より大きい。再生層３に磁区３１
が現れると、当該磁区３１による漏洩磁界３２が再生層
３の表面側に形成される。本発明においては、前記磁区
３１により形成される漏洩磁界３２を後述する磁気手段
で検出することにより信号を再生する。従って、記録層
２の磁区２１に記録された信号は再生層３に磁区が拡大
されて転写され、拡大された磁区３１からの漏洩磁界３
２を検出することにより再生される結果、磁区拡大によ
る再生が可能となる。前記レーザ光９９が照射されなく
なると前記磁区３１の温度が低温になるため垂直方向を
むいていた磁化が面内方向をむいて転写された磁区３１
は消滅し、上記図２（ａ）の状態に戻る（図２
（ｃ））。この工程を繰り返すことにより記録層２に記
録された信号は順次、再生される。
の再生機構について説明する。光磁気記録媒体１０に信
号が記録された状態では図２（ａ）に示すように前記記
録層２には信号が記録された所定の大きさの磁区が形成
されており、記録層２上に形成された再生層３において
は、面内で一定の方向を向いた磁化が発生している状態
となっている。記録層２側からレーザ光９９が照射さ
れ、記録層２中の磁区２１が所定の温度以上に昇温され
ると磁区２１の磁化２２が交換結合力により再生層３へ
転写され、磁化２２と同じ向きの磁化を有する磁区３１
が現れる（図２（ｂ））。この場合、再生層３は室温で
は面内磁化膜であるが、１００℃程度に昇温されると垂
直磁化膜となるものである。また、再生層３の磁区は記
録層２の磁区より大きいので再生層３に現れる磁区３１
は記録層２の磁区２１より大きい。再生層３に磁区３１
が現れると、当該磁区３１による漏洩磁界３２が再生層
３の表面側に形成される。本発明においては、前記磁区
３１により形成される漏洩磁界３２を後述する磁気手段
で検出することにより信号を再生する。従って、記録層
２の磁区２１に記録された信号は再生層３に磁区が拡大
されて転写され、拡大された磁区３１からの漏洩磁界３
２を検出することにより再生される結果、磁区拡大によ
る再生が可能となる。前記レーザ光９９が照射されなく
なると前記磁区３１の温度が低温になるため垂直方向を
むいていた磁化が面内方向をむいて転写された磁区３１
は消滅し、上記図２（ａ）の状態に戻る（図２
（ｃ））。この工程を繰り返すことにより記録層２に記
録された信号は順次、再生される。
【００１６】また、本発明に係る光磁気記録媒体は前記
光磁気記録媒体１０に限らず、図３に示すものでもよ
い。即ち、図３に示す光磁気記録媒体１１は、再生層４
がＧｄＦｅＣｏから成る室温において既に垂直磁化膜で
ある点が前記光磁気記録媒体１０と異なる点である。前
記再生層４に用いる磁性膜としては、ＧｄＦｅＣｏに限
らず、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択される元素と、
Ｆｅ、Ｃｏ、にから選択される元素とから成る合金もし
くは多層膜であってもよい。また、前記再生層４に用い
られるＧｄＦｅＣｏはＦｅＣｏに対するＧｄの組成比が
２７〜３２ａｔ．％のものである。
光磁気記録媒体１０に限らず、図３に示すものでもよ
い。即ち、図３に示す光磁気記録媒体１１は、再生層４
がＧｄＦｅＣｏから成る室温において既に垂直磁化膜で
ある点が前記光磁気記録媒体１０と異なる点である。前
記再生層４に用いる磁性膜としては、ＧｄＦｅＣｏに限
らず、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏから選択される元素と、
Ｆｅ、Ｃｏ、にから選択される元素とから成る合金もし
くは多層膜であってもよい。また、前記再生層４に用い
られるＧｄＦｅＣｏはＦｅＣｏに対するＧｄの組成比が
２７〜３２ａｔ．％のものである。
【００１７】図４を参照して、前記光磁気記録媒体１１
が再生される機構について説明する。光磁気記録媒体１
１に信号が記録された状態では図４（ａ）に示すように
記録層２には信号が記録された所定の大きさの磁区が形
成されており、記録層２上に形成された再生層４におい
ては、特に明確な磁区が形成されていない。これは、再
生層４の磁区が記録層２の磁区より大きいことに起因す
るものである。また、信号が記録された記録層２上に垂
直磁化膜からなる再生層４を形成すると、本来は、記録
層２の各磁区の磁化の影響により各々の磁化に合った方
向を向くが、本発明においては、再生層４の磁化を予め
再生層４から記録層２に向かう方向に初期化している。
記録層２側からレーザ光９９が照射されると記録層２の
磁区２４が所定温度以上に昇温され、磁化２３が交換結
合力により再生層４に転写されて再生層４に磁区２４よ
り大きい磁区４１が現れる（図４（ｂ））。再生層４に
磁区４１が現れると磁区４１からの漏洩磁界４２が再生
層４の表面側に形成され、この漏洩磁界４２を後述する
磁気手段により検出することにより信号を再生する。従
って、再生層に記録層の磁区より大きい磁区を有する垂
直磁化膜を用いた場合にも記録層２の磁区を再生層４に
拡大転写して信号を再生できる。磁区２４の磁化２３
は、再生層４の初期化磁化の方向とは逆方向であり、記
録層２から再生層４に向かう方向であるので、漏洩磁界
４２の方向は再生層４から出る方向となる。また、磁化
２３とは逆、即ち、再生層４の初期化磁化と同じ方向の
磁化２１を有する磁区２２が再生される場合には、再生
層４の初期化磁化の方向が再生層４から記録層２へ向か
う方向であるので、再生層４に変化は生じず、再生層４
の表面側には方向が逆の弱い漏洩磁界が形成される。従
って、記録層２に記録された信号は、漏洩磁界の極性と
強度によって再生されることになる。前記レーザ光９９
が照射されなくなると再生層４の磁区４１の温度が低温
になり磁区２４の磁化２３との交換結合力が切れ、磁区
４１は消滅し、上記図４（ａ）の状態に戻る（図４
（ｃ））。この工程を繰り返すことにより記録層２に記
録された信号は順次、再生される。
が再生される機構について説明する。光磁気記録媒体１
１に信号が記録された状態では図４（ａ）に示すように
記録層２には信号が記録された所定の大きさの磁区が形
成されており、記録層２上に形成された再生層４におい
ては、特に明確な磁区が形成されていない。これは、再
生層４の磁区が記録層２の磁区より大きいことに起因す
るものである。また、信号が記録された記録層２上に垂
直磁化膜からなる再生層４を形成すると、本来は、記録
層２の各磁区の磁化の影響により各々の磁化に合った方
向を向くが、本発明においては、再生層４の磁化を予め
再生層４から記録層２に向かう方向に初期化している。
記録層２側からレーザ光９９が照射されると記録層２の
磁区２４が所定温度以上に昇温され、磁化２３が交換結
合力により再生層４に転写されて再生層４に磁区２４よ
り大きい磁区４１が現れる（図４（ｂ））。再生層４に
磁区４１が現れると磁区４１からの漏洩磁界４２が再生
層４の表面側に形成され、この漏洩磁界４２を後述する
磁気手段により検出することにより信号を再生する。従
って、再生層に記録層の磁区より大きい磁区を有する垂
直磁化膜を用いた場合にも記録層２の磁区を再生層４に
拡大転写して信号を再生できる。磁区２４の磁化２３
は、再生層４の初期化磁化の方向とは逆方向であり、記
録層２から再生層４に向かう方向であるので、漏洩磁界
４２の方向は再生層４から出る方向となる。また、磁化
２３とは逆、即ち、再生層４の初期化磁化と同じ方向の
磁化２１を有する磁区２２が再生される場合には、再生
層４の初期化磁化の方向が再生層４から記録層２へ向か
う方向であるので、再生層４に変化は生じず、再生層４
の表面側には方向が逆の弱い漏洩磁界が形成される。従
って、記録層２に記録された信号は、漏洩磁界の極性と
強度によって再生されることになる。前記レーザ光９９
が照射されなくなると再生層４の磁区４１の温度が低温
になり磁区２４の磁化２３との交換結合力が切れ、磁区
４１は消滅し、上記図４（ａ）の状態に戻る（図４
（ｃ））。この工程を繰り返すことにより記録層２に記
録された信号は順次、再生される。
【００１８】図４の説明においては、前記再生層４の初
期化磁化は再生層４から記録層２へ向かう方向として説
明したが、これに限るものではなく、記録層２から再生
層４へ向かう方向であってもよい。この場合には前記磁
化２４が再生される場合には弱い漏洩磁界が検出され、
磁区２２が再生される場合には強い漏洩磁界が検出され
ることになる。
期化磁化は再生層４から記録層２へ向かう方向として説
明したが、これに限るものではなく、記録層２から再生
層４へ向かう方向であってもよい。この場合には前記磁
化２４が再生される場合には弱い漏洩磁界が検出され、
磁区２２が再生される場合には強い漏洩磁界が検出され
ることになる。
【００１９】前記光磁気記録媒体１０および１１におい
ては、前記記録層２から前記再生層３（または再生層
４）への転写は交換結合力により行われるが、これに限
らず、図５に示すように記録層２と再生層３（または再
生層４）との間に非磁性層５を挿入した構造であっても
よい。この場合には、記録層２から再生層３（または再
生層４）への磁区の転写は静磁結合により行われる以外
は、上記図２、及び図４の説明と同様の機構により記録
層２に記録された信号が拡大転写されて再生される。ま
た、前記非磁性層３に用いられる材料としては、Ｓｉ
Ｎ、ＡｌＮ、ＴｉＮＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｎＯ、ＳｉＡｌＯＮ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2が適して
おり、その膜厚の範囲は、３０〜３００Åである。
ては、前記記録層２から前記再生層３（または再生層
４）への転写は交換結合力により行われるが、これに限
らず、図５に示すように記録層２と再生層３（または再
生層４）との間に非磁性層５を挿入した構造であっても
よい。この場合には、記録層２から再生層３（または再
生層４）への磁区の転写は静磁結合により行われる以外
は、上記図２、及び図４の説明と同様の機構により記録
層２に記録された信号が拡大転写されて再生される。ま
た、前記非磁性層３に用いられる材料としては、Ｓｉ
Ｎ、ＡｌＮ、ＴｉＮＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｎＯ、ＳｉＡｌＯＮ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2が適して
おり、その膜厚の範囲は、３０〜３００Åである。
【００２０】本発明においては、上記説明したように信
号を記録する記録層に垂直磁化膜を用いて高密度記録を
可能とし、再生は、記録層上に設けた再生層に磁区を拡
大転写して再生できる光磁気記録媒体をハードディスク
として用いることを特徴としている。図５を参照して、
本発明における光磁気記録媒体を再生する光学手段と磁
気手段とについて説明する。光学手段５０は半導体レー
ザ９、レーザ光を平行光にするコリメータレンズ８、お
よびレーザ光を光磁気記録媒体に集光照射する対物レン
ズ７とから成っており、磁気手段６０は芯棒６と芯棒６
のまわりに巻かれたコイルとから成っている。また、光
学手段５０は光磁気記録媒体の基板１側に設置され、磁
気手段６０は光磁気記録媒体の信号記録面１ａ側、更に
詳しくは前記再生層３（または前記再生層４）側に設置
される。前記半導体レーザ９から発せられた波長６３５
（許容誤差±１５）ｎｍのレーザ光は前記コリメータレ
ンズ８で平行光にされ、前記対物レンズ７に入射し、該
対物レンズ７で集光されて光磁気記録媒体の基板１を通
って信号記録面１ａに照射される。レーザ光が前記信号
記録面１ａに照射されて前記記録層２の磁区のうち、再
生しようとしている磁区が前記再生層３（または前記再
生層４）へ拡大転写されて再生層３（または再生層４）
の表面側に漏洩磁界が生成されると磁気手段６０のコイ
ル６ａの領域に漏洩磁界が及ぶ。再生中は光磁気記録媒
体は一定速度で一定の方向に移動しているので、相対的
には磁界中をコイルが移動することになり、コイルの両
端６ｂ、６ｃには電圧が生じることになる。コイルの両
端に生じる電圧は、漏洩磁界が大きい程、高くなり、漏
洩磁界の方向によって前記両端６ｂ、６ｃに生じる電圧
の極性が異なる。従って、コイルの両端６ｂ、６ｃに生
じる電圧の大きさ、および極性を検出することにより信
号を再生することができる。
号を記録する記録層に垂直磁化膜を用いて高密度記録を
可能とし、再生は、記録層上に設けた再生層に磁区を拡
大転写して再生できる光磁気記録媒体をハードディスク
として用いることを特徴としている。図５を参照して、
本発明における光磁気記録媒体を再生する光学手段と磁
気手段とについて説明する。光学手段５０は半導体レー
ザ９、レーザ光を平行光にするコリメータレンズ８、お
よびレーザ光を光磁気記録媒体に集光照射する対物レン
ズ７とから成っており、磁気手段６０は芯棒６と芯棒６
のまわりに巻かれたコイルとから成っている。また、光
学手段５０は光磁気記録媒体の基板１側に設置され、磁
気手段６０は光磁気記録媒体の信号記録面１ａ側、更に
詳しくは前記再生層３（または前記再生層４）側に設置
される。前記半導体レーザ９から発せられた波長６３５
（許容誤差±１５）ｎｍのレーザ光は前記コリメータレ
ンズ８で平行光にされ、前記対物レンズ７に入射し、該
対物レンズ７で集光されて光磁気記録媒体の基板１を通
って信号記録面１ａに照射される。レーザ光が前記信号
記録面１ａに照射されて前記記録層２の磁区のうち、再
生しようとしている磁区が前記再生層３（または前記再
生層４）へ拡大転写されて再生層３（または再生層４）
の表面側に漏洩磁界が生成されると磁気手段６０のコイ
ル６ａの領域に漏洩磁界が及ぶ。再生中は光磁気記録媒
体は一定速度で一定の方向に移動しているので、相対的
には磁界中をコイルが移動することになり、コイルの両
端６ｂ、６ｃには電圧が生じることになる。コイルの両
端に生じる電圧は、漏洩磁界が大きい程、高くなり、漏
洩磁界の方向によって前記両端６ｂ、６ｃに生じる電圧
の極性が異なる。従って、コイルの両端６ｂ、６ｃに生
じる電圧の大きさ、および極性を検出することにより信
号を再生することができる。
【００２１】また、半導体レーザ９の発するレーザ光の
波長は６３５ｎｍに限らず、６８０（許容誤差±１５）
ｎｍであってもよい。図７を参照して、光磁気記録媒体
１０を用いたハードディスクの再生装置について説明す
る。電圧検出回路５３により電圧として検出された再生
信号とエラー信号は、再生信号増幅回路５１へ送られ
る。再生信号は前記再生信号増幅回路５１で増幅され、
サーボ回路５２とローパス回路２６とへ送られる。該ロ
ーパス回路２６へ送られた再生信号は、ローパス回路２
６で積分され復号器２８とクロック発生回路２７に送ら
れる。該クロック発生回路２７で発生したクロックは前
記サーボ回路５２、及び復号器２８に送られる。前記サ
ーボ回路５２は送られてきたエラー信号とクロックとに
よりスピンドルモータ２５を所定の回転数で回転させる
と共に、前記光学手段５０中の対物レンズを制御し、ト
ラッキングサーボ、フォーカスサーボを行う。前記復号
器２８は送られてきたクロックに同期して記録時に変調
された信号を復調し、復調された再生信号を再生データ
として出力する。また、レーザ駆動回路２９には、前記
クロック発生回路から送られるクロックに基づいて前記
光学手段５０中の半導体レーザ９を所定のパワーで選択
駆動する。
波長は６３５ｎｍに限らず、６８０（許容誤差±１５）
ｎｍであってもよい。図７を参照して、光磁気記録媒体
１０を用いたハードディスクの再生装置について説明す
る。電圧検出回路５３により電圧として検出された再生
信号とエラー信号は、再生信号増幅回路５１へ送られ
る。再生信号は前記再生信号増幅回路５１で増幅され、
サーボ回路５２とローパス回路２６とへ送られる。該ロ
ーパス回路２６へ送られた再生信号は、ローパス回路２
６で積分され復号器２８とクロック発生回路２７に送ら
れる。該クロック発生回路２７で発生したクロックは前
記サーボ回路５２、及び復号器２８に送られる。前記サ
ーボ回路５２は送られてきたエラー信号とクロックとに
よりスピンドルモータ２５を所定の回転数で回転させる
と共に、前記光学手段５０中の対物レンズを制御し、ト
ラッキングサーボ、フォーカスサーボを行う。前記復号
器２８は送られてきたクロックに同期して記録時に変調
された信号を復調し、復調された再生信号を再生データ
として出力する。また、レーザ駆動回路２９には、前記
クロック発生回路から送られるクロックに基づいて前記
光学手段５０中の半導体レーザ９を所定のパワーで選択
駆動する。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、高密度に記録可能なハ
ードディスクを作製することができ、その再生も高密度
且つ正確に行うことができる。また、本発明によれば、
レーザ光を照射する光学手段と、漏洩磁界を検出する磁
気手段とにより信号を記録した磁区を拡大転写して再生
できるハードディスクを提供することができる。
ードディスクを作製することができ、その再生も高密度
且つ正確に行うことができる。また、本発明によれば、
レーザ光を照射する光学手段と、漏洩磁界を検出する磁
気手段とにより信号を記録した磁区を拡大転写して再生
できるハードディスクを提供することができる。
【図１】光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】面内磁化膜から成る再生層を用いた光磁気記録
媒体の再生機構を説明する図である。
媒体の再生機構を説明する図である。
【図３】光磁気記録媒体の他の断面構造図である。
【図４】垂直磁化膜から成る再生層を用いた光磁気記録
媒体の再生機構を説明する図である。
媒体の再生機構を説明する図である。
【図５】非磁性層を記録層と再生層との間に挿入した光
磁気記録媒体の断面構造図である。
磁気記録媒体の断面構造図である。
【図６】光磁気記録媒体の再生手段を説明する図であ
る。
る。
【図７】光磁気記録媒体の再生装置のブロック図であ
る。
る。
１・・・基板 １ａ・・・信号記録面 ２・・・記録層 ３、４・・・再生層 ５・・・非磁性層 ６・・・芯棒 ６ａ・・・コイル ６ｂ、６ｃ・・・端子 ７・・・対物レンズ ８・・・コリメータレンズ ９・・・半導体レーザ １０、１１・・・光磁気記録媒体 ２２、２４、３１、４１・・・磁区 ３２、４２・・・漏洩磁界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 誉久 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 信号を記録する第１の磁性層と、前記第
１の磁性層上に設けられ、前記第１の磁性層の磁区より
大きい磁区を有する第２の磁性層とを含む光磁気記録媒
体の再生装置であって、 前記光磁気記録媒体に、前記第１の磁性層中の特定の磁
区を所定温度以上に昇温させるためのレーザ光を照射す
る光学手段と、 前記第１の磁性層中の特定の磁区が転写される前記第２
の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する磁気手段と
を含む光磁気記録媒体の再生装置。 - 【請求項２】 信号を記録する第１の磁性層と、前記第
１の磁性層上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層上
に設けられ、前記第１の磁性層の磁区より大きい磁区を
有する第２の磁性層とを含む光磁気記録媒体の再生装置
であって、 前記光磁気記録媒体に、前記第１の磁性層中の特定の磁
区を所定温度以上に昇温させるためのレーザ光を照射す
る光学手段と、 前記第１の磁性層中の特定の磁区が前記非磁性層を介し
て転写される前記第２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界
を検出する磁気手段とを含む光磁気記録媒体の再生装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 前記光学手段は、前記光磁気記録媒体の前記第１の磁性
層側からレーザ光を照射し、 前記磁気手段は、前記光磁気記録媒体の前記第２の磁性
層側から漏洩磁界を検出する光磁気記録媒体の再生装
置。 - 【請求項４】 請求項１または２において、 前記第１の磁性層は、垂直磁化膜であり、 前記第２の磁性層は、面内磁化膜である光磁気記録媒体
の再生装置。 - 【請求項５】 請求項１または２において、 前記第１の磁性層、および前記第２の磁性層は、垂直磁
化膜である光磁気記録媒体の再生装置。 - 【請求項６】 請求項３から５において、 前記レーザ光の波長は、６２０〜６５０ｎｍの範囲であ
る光磁気記録媒体の再生装置。 - 【請求項７】 請求項３から５において、 前記レーザ光の波長は、６６５〜６９５ｎｍの範囲であ
る光磁気記録媒体の再生装置。 - 【請求項８】 基板と、 前記基板上に設けられ、信号を記録する第１の磁性層
と、 前記第１の磁性層上に設けられ、前記第１の磁性層の磁
区より大きい磁区を有する第２の磁性層とを含む光磁気
記録媒体の再生方法であって、 前記第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇温
させるためのレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射する
第１の工程と、 前記第１の磁性層中の特定の磁区が転写される前記第２
の磁性層中の磁区からの漏洩磁界を検出する第２の工程
とを含む光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項９】 基板と、 前記基板上に設けられ、信号を記録する第１の磁性層
と、 前記第１の磁性層上に設けられた非磁性層と、 前記非磁性層上に設けられ、前記第１の磁性層の磁区よ
り大きい磁区を有する第２の磁性層とを含む光磁気記録
媒体の再生方法であって、 前記第１の磁性層中の特定の磁区を所定温度以上に昇温
させるためのレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射する
第１の工程と、 前記第１の磁性層中の特定の磁区が前記非磁性層を介し
て転写される前記第２の磁性層中の磁区からの漏洩磁界
を検出する第２の工程とを含む光磁気記録媒体の再生方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33382596A JPH10172194A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 光磁気記録媒体の再生装置及び再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33382596A JPH10172194A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 光磁気記録媒体の再生装置及び再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172194A true JPH10172194A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18270372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33382596A Pending JPH10172194A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 光磁気記録媒体の再生装置及び再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6226234B1 (en) * | 1995-12-20 | 2001-05-01 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optic recording medium and reproducing method for reproducing magnetic domain in enlarged form on a reproducing layer |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP33382596A patent/JPH10172194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6226234B1 (en) * | 1995-12-20 | 2001-05-01 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optic recording medium and reproducing method for reproducing magnetic domain in enlarged form on a reproducing layer |
| US6385140B2 (en) | 1995-12-20 | 2002-05-07 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical recording medium and reproducing method for reproducing magnetic domain in enlarged form on a reproducing layer |
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