JPH04313833A - 光磁気記録媒体およびそれを用いた光磁気記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録に関するもの
で、特に直接重ね書きが可能で高密度記録に適した光磁
気記録媒体ならびにそれを用いた光磁気記録再生方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、書換え可能な光記録方式の一つと
して垂直磁化膜を記録層に用いた光磁気記録方式の研究
が盛んに行われ、第１世代の記録再生装置と記録媒体が
商品化されるに至っている。しかしながらこの第１世代
の記録再生装置では、情報の書換えを行うためには、既
に書かれている情報を消去する過程と、新たな情報を書
き込む過程の２段階を経る必要があるために、消去動作
を必要としない直接重ね書き（ダイレクトオーバーライ
ト）は不可能であり、情報の実質的な転送速度は、固定
磁気ディスク装置などと比較して劣ると考えられている
。一方、光磁気記録における記録密度は記録ならびに再
生に用いられる収束光の太さ、すなわち波長に依存する
ため限界があるが、デジタル動画記録の応用や光磁気記
録媒体の小型化の観点から、大容量化の要求はさらに高
まっている。このような観点からダイレクトオーバーラ
イトの実現や高密度記録の研究が盛んにおこなわれてい
る。

【０００３】ダイレクトオーバーライト技術としては特
開昭６２−１７５９４８等に開示されているように交換
結合多層膜を記録媒体として用いる、いわゆる光強度変
調オーバーライト方式が提案されている。一方、高密度
記録技術としては、従来光ヘッドに用いられているレー
ザー光より波長の短い光源の実現を前提とした記録材料
の研究が主におこなわれ、その成果として白金やパラジ
ウムとコバルトの組成変調周期多層膜やネオジウムを含
有した希土類−遷移金属合金膜等が提案されている。そ
して、これらの技術を組み合わせることにより将来は高
密度記録とダイレクトオーバーライトを両立する光磁気
記録媒体や光磁気記録再生方法が実現できると考えられ
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
技術においては記録密度の限界は記録ならびに再生に用
いる光の波長に依存しており、回折限界より小さい記録
磁区からの再生信号は隣接トラックや前後の記録磁区か
らの影響で損なわれてしまう。そこで、本発明はこのよ
うな課題を鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、光磁気記録におけるダイレクトオーバーライトと
高密度記録を両立する光磁気記録媒体と光磁気記録再生
方法を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は室温において小さな保磁力を有する垂直磁化膜からな
る第１の磁性層と、室温において大きな保磁力を有する
垂直磁化膜からなる第２の磁性層と、室温において小さ
な保磁力を有する垂直磁化膜からなる第３の磁性層を実
質的に透明な基板上に順次積層してなる交換結合３層膜
を具備し、第２の磁性層のキュリー点が第３の磁性層の
キュリー点よりも低いことを特徴とする。ここで、第１
の磁性層は希土類−遷移金属合金膜または白金、パラジ
ウムの少なくとも１種以上の貴金属とコバルトの組成変
調周期多層膜からなり、第２の磁性層ならびに第３の磁
性層はともに希土類−遷移金属合金膜からなる。また、
本発明の光磁気記録媒体の特に好ましい形態のひとつは
、第１ならびに第２の磁性層が遷移金属リッチ（以降で
はＴＭリッチとよぶ）の希土類−遷移金属合金膜であり
、第３の磁性層が室温からキュリー点までの温度範囲に
磁気補償点を有さず、室温において希土類リッチ（以降
ではＲＥリッチとよぶ）の希土類−遷移金属合金膜から
なるものである。別の好ましい形態としては第１の磁性
層は希土類−遷移金属合金膜または白金、パラジウムの
少なくとも１種以上の貴金属とコバルトの組成変調周期
多層膜からなり、第２の磁性層がＴＭリッチの、第３の
磁性層が室温からキュリー点までの温度範囲に磁気補償
点を有さず、室温においてＲＥリッチの希土類−遷移金
属合金膜からなるものがある。

【０００６】また、本発明の光磁気記録再生方法は上述
の光磁気記録媒体を用い、周囲温度下で光磁気記録媒体
面に垂直な方向に第１の磁界を印加した後、該光磁気記
録媒体面に垂直な方向に第２の磁界を印加しながら、情
報に応じて強度変調した収束光ビームを該光磁気記録媒
体に設けられた磁性層に照射して情報の記録をおこない
、周囲温度下で光磁気記録媒体面に垂直な方向に第１の
磁界を印加した後、該光磁気記録媒体面に垂直な方向に
第３の磁界を印加しながら、収束光ビームを該光磁気記
録媒体に設けられた磁性層に照射し、その反射光から情
報の再生をおこなうことを特徴としている。また特に好
ましいものとして開示した光磁気記録媒体を用いる場合
には、第１の磁界と第３の磁界が同じ向きに、第２の磁
界が第１の磁界および第３の磁界と逆向きに設定される
。

【０００７】

【作用】図１は本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模
式図である。円盤状の透明基板１１上に各々垂直磁化膜
からなる互いに磁気提起に交換結合した第１の磁性層１
２、第２の磁性層１３、第３の磁性層１４が順次積層さ
れている。これらの磁性層は後述するように情報の記録
・再生に対してそれぞれ異なる機能を果たすので、以降
の記述ではその機能に準じて順に再生層、記録層、補助
層と呼ぶことにする。記録層はキュリー点は補助層のキ
ュリー点よりも低いものを用いる。この光磁気記録媒体
を用いた本発明の光磁気記録再生方法を説明する。ここ
では簡単のため、一例としてＴＭリッチの再生層と記録
層と補償点のないＲＥリッチの補助層を用いた場合につ
いて説明する。 １．初期化過程：すでに情報が記録されている光磁気記
録媒体への情報の記録・消去動作に先立ち媒体は初期化
過程を経る。すなわち、媒体面に垂直な第１の磁界（こ
の磁界を以降、初期化磁界と呼ぶ）を印加し、再生層と
補助層の磁化の向きを初期化磁界の向き（ここでは図の
下向き）に一様に揃えておく。このとき記録層には情報
に対応した記録磁区が残るように、記録媒体ならびに初
期化磁界の大きさを適当なものに選ばねばならない。図
２は、初期化過程を経た媒体の各磁性層の磁化状態を模
式的に示したもので矢印で見かけの磁化の向きを表し、
太い線で磁壁を表してある。 ２．再生：初期化された媒体から情報の再生をおこなう
ためには、記録層の記録磁区パターンを再生層に転写す
る必要がある。本発明では再生光の照射による磁性層の
温度上昇に伴う磁気特性の変化と、媒体面に垂直な第２
の磁界（この磁界を以降、再生磁界と呼ぶ）の印加によ
ってこれを実現する。この例の場合図３のように上向き
の磁界を印加しながら基板側から再生光３１を照射する
と、媒体が紙面右から左へ移動するにしたがい、再生光
の照射された領域のうち初期化過程後再生層と記録層の
界面に磁壁が存在した領域の再生層の磁化は、この磁壁
のエネルギーと外部磁界と磁化との相互作用のエネルギ
ーによって反転し、記録層の磁化の再生層への転写がお
こなわれる。再生層に転写された磁区パターンから情報
の再生をおこなう。なお、再生光による磁区の転写は非
常に高速に起こるので、実時間で情報の再生をおこなう
ことができる。

【０００８】このような方法により情報の再生をおこな
うと、再生光がまだ照射されていない次の記録領域と隣
接トラックの再生層は初期化状態にあるため、隣接する
記録磁区情報の再生信号への洩れ込みを防ぐことが出き
る。さらに、再生光による磁性層の温度上昇はエネルギ
ー密度の高い部分に限られるため、再生光の回折限界よ
り小さい記録磁区からも良好な再生信号を得ることがで
き、従来の方法よりも高密度に記録した媒体から再生を
おこなうことができる。 ３．記録：情報の記録は初期化過程を経た光磁気記録媒
体面に垂直な第３の磁界（この磁界を以降、記録磁界と
呼ぶ）を印加しながら、記録情報に応じて２値に強度変
調した記録光を媒体に照射することによりおこなう。こ
の例では記録磁界は初期化磁界と逆向き、すなわち上向
きに印加する。

【０００９】まずエネルギー密度の高い記録光を照射す
る場合について説明する。少なくとも記録層はキュリー
点に達し、補助層は記録磁界によって磁化反転するよう
に磁性層を加熱できる光パワーを選択する。その結果、
加熱領域が冷えると記録動作前の記録層の磁化状態にか
かわらず、図４に示すように、補助層の磁化が記録磁界
と同じ向きで、各層の界面に磁壁を生じないように記録
層と再生層の磁化は配列する。

【００１０】次にエネルギー密度の低い記録光を照射す
る場合について説明する。光パワーは、補助層の磁化の
向きが初期化状態から記録磁界によって反射しない程度
の温度に磁性層を加熱できるように選択する。このとき
記録層と補助層の界面に磁壁が存在する場合には、記録
層の磁気特性の変化により磁壁を解消するために記録層
は磁化反転し、それにならって再生層も磁化反転する。 また、記録層と補助層の界面に磁壁が存在しない場合に
は、再生層と記録層の界面の磁壁を解消するために再生
層は磁化反転する。その結果、いずれの場合にも図５に
示すように、補助層の磁化が記録磁界と逆向きで、各層
の界面に磁壁を生じないように記録層と再生層の磁化は
配列する。

【００１１】上述した記録、再生を実現するためには、
実際の記録、再生過程、さらに保存状態において各々の
磁性層のとりうる磁化状態を安定に実現できるように光
磁気記録媒体の磁気特性と膜厚を選択する必要がある。 さらに、性能上、実用上、製造上の観点からも選択する
ことが必要である。

【００１２】再生層は情報の再生に用いられる層なので
磁気光学効果が大きく、また初期化磁界により磁化反転
をする必要があるので保磁力がある程度小さいことが要
求される。具体的には１〜３ｋＯｅ程度であることが望
ましい。これらの特性が得られるものとしては、ＴＭリ
ッチの希土類−遷移金属合金膜か白金やパラジウムとコ
バルトの組成変調周期多層膜に限られる。また、記録層
は室温で少なくとも５ｋＯｅ程度の大きな保磁力が必要
であり、また補助層は高温まで垂直磁化膜であることが
必要なため、ともに希土類−遷移金属合金膜に限定する
ことができる。ここで、記録層にＲＥリッチの膜を用い
たとき補償点の有無は初期化、記録、再生の各過程にお
ける磁界の向きには影響しないことと、ＴＭリッチの希
土類−遷移金属合金膜も白金やパラジウムとコバルトの
組成変調周期多層膜も磁化の向きと遷移金属スピンの向
きが一致することを考慮すると、いま検討の対象とすべ
き組み合わせは表１に示す６通りであることがわかる。

【表１】 図６（ａ）〜（ｆ）は上述の６つの組み合わせについて
、記録、初期化、再生の各過程における磁化状態と磁界
の向きを示したもので、３層は上から順に再生層、記録
層、補助層である。ここで、記録層のうち記録過程にお
いて高いエネルギー密度の記録光を照射した領域は、再
生時に下向きの磁化をもつものとした。また、記録磁界
と初期化磁界はオーバーライトが可能な向きに設定し、
再生磁界は記録層の磁化情報を補助層に転写できる向き
に設定した。さらに、図中の白抜きの矢印は、Ｗｒｉｔ
ｅ、Ｉｎｉｔ、Ｒｅａｄの順に各々記録磁界、初期化磁
界、再生磁界の向きを表す。これらの組み合わせであれ
ば各層の磁気特性と膜厚を適当に選ぶことにより本発明
の光磁気記録媒体と光磁気記録再生方法を実現すること
ができる。しかしながら実用的な観点からは、さらに以
下の点について考慮することにより、より優れた組み合
わせを見いだすことができる。

【００１３】初期化過程では数ｋＯｅ程度の磁界が記録
媒体に加えられる。したがって記録層の磁化情報が初期
化磁界により破壊される場合がある。したがって初期化
磁界と記録層に記録された円筒磁区の磁化の向きが反平
行なものは好ましくない。次に、図７のように磁区の四
方が磁壁で囲まれた状態は磁壁エネルギーが高く、その
磁区は不安定である。したがって、初期化状態で記録層
の磁区が四方を磁壁で囲まれる組み合わせは好ましくな
い。さらに付け加えると、光磁気記録再生装置は記録磁
界と再生磁界が等しい方が、機構を簡素化できることか
ら望ましい。

【００１４】以上のことを考慮すると、再生層、記録層
、補助層を順にＴＭリッチの希土類−遷移金属合金膜ま
たは貴金属−コバルト系組成変調周期多層膜、ＴＭリッ
チの希土類−遷移金属合金膜、ＲＥリッチの希土類−遷
移金属合金膜とする組み合わせが好ましく、このうち補
助層が補償点をもたないＲＥリッチの希土類−遷移金属
合金膜であるものが最も好ましい組み合わせであること
がわかる。また、この最も好ましい組み合わせにおいて
は、図６（ｃ）に示したように、記録磁界と再生磁界を
同方向に、初期化磁界をこれらの磁界とは逆向きにする
と良好な記録・再生動作を実現することができる。この
ような特性は、再生層としてカー回転角が大きい材料と
して知られるＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤ
ｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＤｙＦｅＣｏのいずれかを主成分
とする垂直磁化膜か、あるいは短波長域でカー回転角が
大きい白金やパラジウムとコバルトの組成変調周期多層
膜を、記録層として保磁力が大きい材料として知られる
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏのいずれかを主成分とする垂直磁
化膜を、補助層として保磁力の小さいＲＥリッチ組成で
も高いキュリー点の膜が得られるＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ
のいずれかを主成分とする垂直磁化膜を用いることによ
り実現できる。

【００１５】

【実施例】以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。

【００１６】図８は本発明の光磁気記録媒体の一実施形
態を模式的に示したものである。この光磁気記録媒体は
直径９０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円形のポリカーボネー
ト基板８１に、膜厚８０ｎｍのＡｌＳｉＮ膜からなる第
１保護層８２と、再生層８３、記録層８４、補助層８５
、膜厚８０ｎｍのＡｌＳｉＮ膜からなる第２保護層８６
を順次積層されてなる。再生層、記録層、補助層の組成
系、特性ならびに膜厚を表２に示す。

【表２】 この光磁気記録媒体の半径３０ｍｍの位置において、記
録磁界３００Ｏｅ、初期化磁界４．０ｋＯｅ、再生磁界
３００Ｏｅ、媒体回転数毎分１８００回転で記録・再生
をおこなった。ここで記録・再生に用いた光は波長８３
０ｎｍのレーザー光であり、記録は３ｍＷと１０ｍＷの
単一周波数の強度変調光でおこなった。

【００１７】図９は、この光磁気記録媒体に記録光パル
ス幅８０ｎｓｅｃ、記録周波数３．７ＭＨｚで記録した
磁区情報の再生Ｃ／Ｎの再生パワー依存性を示したもの
である。再生パワーが２ｍＷ以下では記録層の磁区情報
に対応した信号成分を検出することが出来ないが、２ｍ
Ｗより高い再生パワーの光で再生すると徐々に信号が現
われはじめ、約４．５ｍＷで飽和しＣ／Ｎは約５０ｄＢ
に達する。この値は、初期化磁界を用いない従来の記録
・再生方法による値とほぼ等しい。またさらに再生パワ
ーを高くしていくと約６ｍＷからＣ／Ｎの低下が起こり
、７ｍＷで０ｄＢにまで落ち込む。この例では約３．５
〜６ｍＷのパワーでの再生が可能である。なお、この記
録再生の条件でダイレクトオーバーライト動作は良好に
行なわれている。

【００１８】図１０の実線は４．５ｍＷで再生したとき
のＣ／Ｎを記録周波数に対してプロットしたものである
。ここで記録に際しては記録光パルス幅を８０ｎｓｅｃ
に固定した。図１０によれば記録周波数が高くなるにし
たがいＣ／Ｎは上昇し、約４ＭＨｚをピークに低下する
。このときデジタル記録に必要なＣ／Ｎ４５ｄＢは１．
０〜５．５ＭＨｚの範囲で確保できている。比較のため
に同じ光磁気記録媒体を用いた従来の記録・再生方法に
よる測定値を破線で示す。Ｃ／Ｎは周波数の増加に伴っ
て単調に減少し、３．７ＭＨｚ以下の周波数では、本発
明の実施例よりも高いＣ／Ｎが得られるが、それより高
い周波数におけるＣ／Ｎは相対的に低い。Ｃ／Ｎが４５
ｄＢを超える範囲は約４ＭＨｚ以下である。このように
本発明によれば高い周波数の再生、すなわち高密度記録
された短い記録磁区からの再生が可能なことがわかる。

【００１９】次に、上述した記録条件で１トラックおき
に１．０ＭＨｚと３．７ＭＨｚの信号を記録し、３．７
ＭＨｚで記録したトラックの再生を再生パワー４．５ｍ
Ｗでおこなった。その結果、クロストークである１．０
ＭＨｚ付近の信号成分は全く観測されなかった。またト
ラックピッチが１．０μｍの基板を用いた光磁気記録媒
体の同様なテストにおいてもクロストークは観測されな
かった。このように本発明によれば隣接トラックに記録
した記録磁区からの再生信号への漏れ込み、すなわちト
ラック間クロストークを抑制できることがわかる。

【００２０】

【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、光
磁気記録におけるダイレクトオーバーライトと高密度記
録を両立する光磁気記録媒体と光磁気記録再生方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成を示す模式図で
ある。

【図２】初期化過程を経た媒体の各磁性層の磁化状態を
模式的に表した図である。

【図３】本発明の再生過程の説明図である。

【図４】本発明の記録過程の説明図である。

【図５】本発明の記録過程の説明図である。

【図６】記録、初期化、再生の各過程における磁化状態
と磁界の向きを示す図である。

【図７】初期化状態を示す説明図である。

【図８】本発明の光磁気記録媒体の一実施形態を示す模
式図である。

【図９】光磁気記録媒体に３．７ＭＨｚで記録した磁区
情報の再生Ｃ／Ｎの再生パワー依存性を示した図で実線
は本発明の実施例、破線は従来例を表す。

【図１０】Ｃ／Ｎを記録周波数に対してプロットした図
である。

【符号の説明】

１１　　透明基板 １２　　第１の磁性層 １３　　第２の磁性層 １４　　第３の磁性層 ３１　　再生光 ８１　　基板 ８２　　第１保護層 ８３　　再生層 ８４　　記録層 ８５　　補助層 ８６　　第２保護層

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】室温において小さな保磁力を有する遷移金
   属副格子磁化が優勢な希土類−遷移金属合金垂直磁化膜
   からなる第１の磁性層と、室温において大きな保磁力を
   有する垂直磁化膜からなる第２の磁性層と、室温におい
   て小さな保磁力を有する垂直磁化膜からなる第３の磁性
   層を実質的に透明な基板上に順次積層してなる交換結合
   ３層膜を具備し、該第２の磁性層および該第３の磁性層
   が希土類−遷移金属合金膜であり、該第２の磁性層のキ
   ュリー点が該第３の磁性層のキュリー点よりも低いこと
   を特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】第２の磁性層が室温において遷移金属副格
   子磁化が優勢な希土類−遷移金属合金膜であり、第３の
   磁性層が室温からキュリー点までの温度範囲に磁気補償
   点を有さず、室温において希土類副格子磁化が優勢な希
   土類−遷移金属合金膜であることを特徴とする請求項１
   記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】第１の磁性層がＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦ
   ｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＤｙＦｅＣｏのい
   ずれかを主たる成分とし、第２の磁性層がＮｄＤｙＦｅ
   Ｃｏ、ＮｄＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙ
   ＦｅＣｏのいずれかを主たる成分とし、第３の磁性層が
   ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、
   ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏのいずれかを主たる成分とするこ
   とを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】第１の磁性層が白金、パラジウムの少なく
   とも１種以上の貴金属とコバルトの組成変調周期多層膜
   からなる第１の磁性層と、室温において大きな保磁力を
   有する垂直磁化膜からなる第２の磁性層と、室温におい
   て小さな保磁力を有する垂直磁化膜からなる第３の磁性
   層を実質的に透明な基板上に順次積層してなる交換結合
   ３層膜を具備し、該第２の磁性層および該第３の磁性層
   が希土類−遷移金属合金膜であり、該第２の磁性層のキ
   ュリー点が該第３の磁性層のキュリー点よりも低いこと
   を特徴とする光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】第２の磁性層が室温において遷移金属副格
   子磁化が優勢な希土類−遷移金属合金膜であり、第３の
   磁性層が室温において希土類副格子磁化が優勢な希土類
   −遷移金属合金膜であることを特徴とする請求項４記載
   の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】第２の磁性層がＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴ
   ｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏのい
   ずれかを主たる成分とし、第３の磁性層がＴｂＦｅＣｏ
   、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＤｙ
   ＦｅＣｏのいずれかを主たる成分とすることを特徴とす
   る請求項５記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】周囲温度下で光磁気記録媒体面に垂直な方
   向に第１の磁界を印加した後、該光磁気記録媒体面に垂
   直な方向に第２の磁界を印加しながら、情報に応じて強
   度変調した収束光ビームを該光磁気記録媒体に設けられ
   た磁性層に照射して情報の記録をおこない、周囲温度下
   で光磁気記録媒体面に垂直な方向に第１の磁界を印加し
   た後、該光磁気記録媒体面に垂直な方向に第３の磁界を
   印加しながら、収束光ビームを該光磁気記録媒体に設け
   られた磁性層に照射し、その反射光から情報の再生をお
   こなうことを特徴とする光磁気記録再生方法。
8. 【請求項８】請求項７において光磁気記録媒体が請求項
   １記載の光磁気記録媒体であることを特徴とする光磁気
   記録再生方法。
9. 【請求項９】請求項７において光磁気記録媒体が請求項
   ２記載の光磁気記録媒体であり、第１の磁界と第３の磁
   界が同じ向きで、第２の磁界が該第１の磁界および第３
   の磁界と逆向きであることを特徴とする光磁気記録再生
   方法。
10. 【請求項１０】請求項７において光磁気記録媒体が請求
    項３記載の光磁気記録媒体であり、第１の磁界と第３の
    磁界が同じ向きで、第２の磁界が該第１の磁界および第
    ３の磁界と逆向きであることを特徴とする光磁気記録再
    生方法。
11. 【請求項１１】請求項７において光磁気記録媒体が請求
    項４記載の光磁気記録媒体であることを特徴とする光磁
    気記録再生方法。
12. 【請求項１２】請求項７において光磁気記録媒体が請求
    項５記載の光磁気記録媒体であり、第１の磁界と第３の
    磁界が同じ向きで、第２の磁界が該第１の磁界および第
    ３の磁界と逆向きであることを特徴とする光磁気記録再
    生方法。
13. 【請求項１３】請求項７において光磁気記録媒体が請求
    項６記載の光磁気記録媒体であり、第１の磁界と第３の
    磁界が同じ向きで、第２の磁界が該第１の磁界および第
    ３の磁界と逆向きであることを特徴とする光磁気記録再
    生方法。