JP2000173116A - 光磁気記録媒体及び再生装置 - Google Patents

光磁気記録媒体及び再生装置

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JP2000173116A JP10348103A JP34810398A JP2000173116A JP 2000173116 A JP2000173116 A JP 2000173116A JP 10348103 A JP10348103 A JP 10348103A JP 34810398 A JP34810398 A JP 34810398A JP 2000173116 A JP2000173116 A JP 2000173116A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 繰り返し再生が発生しない磁区拡大再生を実
現し、再生信号振幅を低下させることなく、光の回折限
界以下の周期の信号が再生可能とし、記録密度を大幅に
向上する。 【解決手段】 第１、第２、第３磁性層１，２，３及び
非磁性中間層５、第４磁性層４は順次積層されている。
第１磁性層１は、再生温度近傍の温度において第３磁性
層３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が
大きな垂直磁化膜からなる。第２磁性層２は、第１及び
第３磁性層よりもキュリー温度が低い磁性膜からなる。
第４磁性層４は、磁化方向が揃った垂直磁化膜であり、
且つ、所定温度以上において、前記第１磁性層１と静磁
結合することにより、前記第１磁性層内に磁化方向が揃
った領域を形成する。情報の再生は、光ビーム照射によ
り第４磁性層４が第１磁性層１に静磁結合する温度以上
に加熱して行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク、
光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体及びそ
れを再生する再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。
【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
【０００４】上記の欠点を解消するために、「Ｈｉｇｈ
−Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｗｉｔｈ Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌ
ｌＤｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ」
（Ｊｏｉｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅ
ｃｏｒｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍ
ｐｏｓｉｕｍ／Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ １
９９７ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ、Ｔｕ−Ｅ
−０４、 ｐ．３８、３９） において、第１、第２、
第３磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体であっ
て、第１磁性層は、再生温度近傍の温度において第３磁
性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が
大きな垂直磁化膜からなり、第２磁性層のキュリー温度
が第１磁性層及び第３磁性層のキュリー温度より低い光
磁気記録媒体を用いて、光ビーム照射により温度上昇し
た領域に磁壁を移動させ、小さな記録ビット径及び記録
ビット間隔においても、再生信号強度の低下を招くこと
なく、個々の記録ビットを分離して再生する技術が記さ
れている。
【０００５】図１０は、この再生方法を説明する図であ
る。図１０において、第１磁性層１と第２磁性層２と第
３磁性層３とが交換結合状態で積層されており、各層の
積層状態でのキュリー温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、
Ｔｃ３とすると、Ｔｃ１とＴｃ２はＴｃ２＜Ｔｃ１なる
関係にある。図中、矢印は、各磁性層の遷移金属磁気モ
ーメントの向きを示している。ここで、第３磁性層３に
は、記録された磁区がすでに形成されており、上向きの
磁区及び下向きの磁区が交互に繰り返し存在している。
【０００６】このような光磁気記録媒体において、第１
磁性層１側から、再生のための光ビーム６が集光照射さ
れると、第２磁性層２にキュリー温度以上に温度上昇し
た領域が発生するが、キュリー温度以下の領域において
は、交換結合により、第３磁性層３の磁区情報が第２磁
性層２を介して第１磁性層１へと転写される。すなわ
ち、光ビームが照射されている領域１０の先端部分の上
向きの遷移金属磁気モーメントは、第３磁性層３から第
１磁性層１へとそのまま転写される。
【０００７】一方、第２磁性層２におけるキュリー温度
以上に温度上昇した領域（ディスク基板の回転等に伴う
媒体移動により光ビーム６より後方に位置する）では、
第１磁性層１と第３磁性層３との交換結合が第２磁性層
２により遮断されるため、第１磁性層１の磁壁は、容易
に移動可能な状態となる。
【０００８】第３磁性層３の情報がそのまま第１磁性層
１に転写されると、本来、磁壁７が形成されることにな
るが、第２磁性層２がキュリー温度以上になった領域に
おいて、第１磁性層１の磁壁が容易に移動するため、磁
壁７は最も安定な位置へと移動することになる。ここ
で、磁壁エネルギー密度が温度上昇とともに小さくなる
ことを考慮すると、磁壁７は、光ビーム６の照射によ
り、最も温度が上昇した位置へと移動し、磁壁８を形成
することになる。
【０００９】このように、この光磁気記録媒体では、第
２磁性層２の性質によって磁壁を移動させることがで
き、これにより第３磁性層３の記録磁区を第１磁性層１
において拡大することができる。よって、記録磁区を小
さくした場合においても第１磁性層１から得られる再生
信号振幅を大きくすることができ、光の回折限界以下の
周期の信号を再生することが可能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
再生方法においては、先端部分からの磁壁移動と後端部
分からの磁壁移動が存在するため、一つの磁区を二度再
生するという問題がある。以下、図１１及び図１２を用
いて、この点について説明する。
【００１１】図１１は、第３磁性層３に形成された孤立
磁区９が、光ビーム６の先端部分に存在し、孤立磁区９
の位置で、第３磁性層３と第１磁性層１とが交換結合
し、上向きモーメントが第１磁性層１に転写された際の
様子を示すものである。なお、この図における第２磁性
層２中の黒塗りの部分は第２磁性層２がキュリー温度以
上に加熱される領域Ｘである。
【００１２】この図１１に示す状態では、上記したよう
に磁壁７が磁壁８の位置まで移動して磁区の拡大が実現
され、光ビーム６が照射されている領域１０に対して、
上向きモーメントを有する再生磁区１１が形成されるた
め、大きな再生信号振幅が得られる。
【００１３】この図１１の状態から媒体（光磁気記録媒
体）が光ビーム６に対して相対的に移動して、孤立磁区
９がＸを通過している際には、第１磁性層１には第３磁
性層３の下向きモーメントが転写され、領域１１のモー
メントも下向きとなる。
【００１４】更に、媒体が移動して、図１２に示すよう
な状態、すなわち、孤立磁区９が第２磁性層２の領域Ｘ
の後端部分に存在する状態となると、第３磁性層３の孤
立磁区９の上向きモーメントが第１磁性層１へと転写さ
れ、磁壁７’は、最も安定な磁壁８’の位置まで移動す
ることになる。したがって、光ビーム６が照射されてい
る領域１０に対して、上向きモーメントを有する再生磁
区１２が存在することになる。
【００１５】以上のように、孤立磁区９は、光ビーム照
射により第２磁性層２がキュリー温度以上に加熱される
領域Ｘの前端部分の位置に存在する時（図１１の状態）
に一度再生され、領域Ｘの後端部分の位置に存在する時
（図１２の状態）に再度再生されることになる。この現
象については、「Ｈｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｍａｇｎ
ｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｗｉｔ
ｈ Ｄｏｍａｉｎ Ｗａｌｌ Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎ
ｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ」（Ｊｏｉｎｔ Ｍａｇｎｅｔ
ｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ／Ｉｎｔｅｒｎ
ａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ Ｏｐｔｉｃ
ａｌ Ｍｅｍｏｒｙ １９９７ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｄｉｇｅｓｔ、 Ｔｕ−Ｅ−０４、 ｐ．３８、３９）
にも記載されているように、第３磁性層３と第１磁性層
１との交換結合が安定している比較的長い記録磁区で顕
著に発生するものである。
【００１６】上記のように、従来の光磁気記録媒体では
比較的長い記録磁区の再生を安定に行なえず、より高密
度なマークエッジ記録方式での記録再生を行なう際に、
大きな問題となる。
【００１７】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、再生信号振幅を
低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を再
生するとともに、長い記録磁区においても、繰り返し再
生の発生しない光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光磁気
記録媒体は、少なくとも、第１，第２，第３磁性層，非
磁性中間層、第４磁性層が順次積層され、第１磁性層
は、所定温度近傍において第３磁性層に比べて相対的に
磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜から
なり、第２磁性層は、第１及び第３磁性層よりもキュリ
ー温度が低い磁性膜からなり、第４磁性層は、磁化方向
が揃った垂直磁化膜であり、且つ、第２磁性層のキュリ
ー温度より高い所定温度以上において、前記第１磁性層
と静磁結合することにより、前記第１磁性層内に磁化方
向が揃った領域を形成するものである。
【００１９】請求項２に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、第３磁性層，第
４磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ３，Ｔｃ４とし
たときに、Ｔｃ３＜Ｔｃ４≦３８０℃なる条件を満足す
るものである。
【００２０】請求項３に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、第４磁性層の補
償温度をＴｃｏｍｐ４としたときに、−６０℃≦Ｔｃｏ
ｍｐ４≦１２０℃なる条件を満足するものである。
【００２１】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、第１磁性層の磁
壁抗磁力が３５ｋＡ／ｍ以下であるものである。
【００２２】請求項５に記載の再生装置は、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体を再生す
る再生装置であって、再生時に、前記光磁気記録媒体に
光ビームを照射する照射手段と、光ビームの照射光強度
を、前記光磁気記録媒体の第４磁性層が第１磁性層に静
磁結合する温度以上に加熱できる強度に制御する制御手
段と、を有してなるものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光磁気記録媒体に
ついて詳細に説明するが、まず、本発明の光磁気記録媒
体の原理について説明する。
【００２４】図１は、本発明の光磁気記録媒体における
再生時の状態を示す断面図である。本発明の光磁気記録
媒体は、第１磁性層（再生層）１、第２磁性層２、第３
磁性層（記録層）３、非磁性中間層５、第４磁性層（磁
界発生層）４が順次積層されており、第１磁性層１は、
再生温度近傍の温度において第３磁性層３に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜
からなっている。また、第２磁性層２は、第１及び第３
磁性層よりもキュリー温度が低い磁性膜からなってい
る。第１磁性層１および第３磁性層３は、第１磁性層１
における磁壁移動がスムーズに行われるように、第２磁
性層２のキュリー温度以上において、発生する漏洩磁界
が小さくなるように磁気特性が設定されている。第４磁
性層４は、磁化方向が揃った垂直磁化膜であり、再生時
に光ビーム６が照射される領域の高温部分（少なくとも
第２磁性層のキュリー温度より高温の部分）において、
漏洩磁界を発生し、前記第１磁性層１と静磁結合するよ
うに磁気特性が設定されている。
【００２５】このような光磁気記録媒体では、第３磁性
層３に上向き及び下向きの磁気モーメントとして情報が
記録される。そして、再生動作は以下のように行われ
る。
【００２６】室温において第１磁性層１，第２磁性層
２，第３磁性層３は交換結合しており、第３磁性層３に
記録された情報が第２磁性層２を介して第１磁性層１に
転写されている。
【００２７】再生時には、第１磁性層１側から再生装置
の光ビーム照射手段が光ビーム６を照射して、第２磁性
層２にキュリー温度以上に加熱された領域を形成する。
このとき、上記加熱領域においては第２磁性層２の磁化
が消失しているため、上記交換結合が遮断され、第１磁
性層１の上記領域に位置する部分の磁壁は容易に移動可
能な状態となる。このため、第２磁性層２がキュリー温
度以上の領域においては、磁壁７が後方へと移動し、大
きな磁区が形成されることになる。
【００２８】従来例では、ここにおいて、比較的長い記
録磁区を再生する際に、第１磁性層１に照射される光ビ
ーム６の後端からも磁壁の移動が生じるため、先に示し
たような同一記録磁区の繰り返し再生を行ってしまう。
【００２９】そこで、本発明では、磁化方向が揃った垂
直磁化膜であり、温度上昇時に漏洩磁界を発生する第４
磁性層４を積層している。そして、情報の再生時には、
再生装置における光ビーム照射手段が光ビームを光磁気
記録媒体に照射して、光磁気記録媒体を所定温度（再生
温度）以上に加熱する。より詳しくは、第４磁性層４が
第１磁性層１と静磁結合するのに十分な漏洩磁界を発生
できる強度に制御された光ビームを光磁気記録媒体に照
射する。なお、光ビーム強度の制御は再生装置の制御手
段が制御する。
【００３０】これにより、第１磁性層１内に第４磁性層
４との静磁結合により磁化方向が揃った領域１３を形成
することができ、この領域１３によって、磁壁７の光ビ
ーム６の後端からの移動を抑制することができる。
【００３１】図２、図３は、従来技術の説明に用いた図
１１、図１２と同様に、孤立磁区９が媒体移動に伴い移
動した時の様子を説明する断面模式図である。
【００３２】図２に示すように、孤立磁区９が先端部分
に位置する場合、図１１と同様に、磁壁５は磁化方向が
揃った領域１３のエッジ１４まで移動し、磁区の拡大再
生が実現する。一方、図３に示すように、孤立磁区９が
後端部分に位置する場合、磁壁７’は磁化方向が揃った
領域のエッジ１４’まで移動することになる。ここで、
この後端部分において拡大された磁区は、光ビーム６の
照射領域１０の範囲外に存在するため、光ビーム６によ
り再生されることはなく、図１１および図１２において
説明したような繰り返し再生が起こることなく、先端領
域のみからの磁区拡大再生を実現することが可能とな
る。
【００３３】したがって、長い記録磁区も正確に再生す
ることが可能となり、高密度なマークエッジ記録にも対
応することができる。
【００３４】〔実施の形態〕本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明すれば以下の通りである。な
お、本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気デ
ィスクを適用した場合について説明する。
【００３５】本発明の光磁気記録媒体は、図４に示すよ
うに、光磁気ディスク基板１５上に透明誘電体保護層１
６、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性層３、非磁
性中間層５、第４磁性層４、保護層１７が順次形成され
た構成を有している。
【００３６】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム６が基板１５及び透
明誘電体保護層１６を通して、第１磁性層１へ絞りこま
れ、第３磁性層３をキュリー温度以上に温度上昇させる
と共に外部磁界を加えることにより、第３磁性層３の磁
化方向を制御することにより記録が行われる。また、再
生は、同一光ビーム６を記録時よりも弱いパワーに設定
し、極カー効果として知られる光磁気効果によって、情
報の再生が行われるようになっている。上記極カー効果
とは、光入射表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の
偏光面の回転の向きが逆方向になる現象である。
【００３７】基板１５は、例えばポリカーボネート等の
透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜形成表
面に光ビーム６を導く案内溝１８等を有している。本発
明において、案内溝１８はランド１９部分のみまたは案
内溝１８部分のみに記録を行なうための案内溝１８であ
っても良く、また、ランド１９部分及び案内溝１８部分
の両方に記録を行なうための案内溝１８であっても良い
が、案内溝１８の深さが第１磁性層１の膜厚の２倍以上
であることが望ましい。
【００３８】図５は、本光磁気記録媒体を案内溝１８を
有する基板１５上に形成した際の断面図を示ものである
が、案内溝１８の深さは、１００ｎｍの矩形に形成して
あり、第１磁性層１の膜厚４０ｎｍの２倍以上の深さを
有している。このため、ランド１９上に積層された第１
磁性層１は、案内溝１８とランド１９の段差部分２０で
ほぼ分離されている。なお、実際には、スパッタリング
により第１磁性膜１が形成されるため、段差部分２０に
も磁性膜が形成され、第１磁性層１が繋がってしまう
が、その膜厚が極めて薄くなるため、段差部分２０にお
ける磁気的結合は無視できる。
【００３９】本発明においては、各情報トラック間で互
いに磁気的に分離されているとは、このような状態にあ
ることを意味している。このランド１９上に溝幅いっぱ
いに反転磁区を形成すると、図６に示すように、段差部
分２０における磁区の境界部には、磁壁が形成されず、
ランド１９上の磁区の境界部には閉じてない磁壁２１が
形成される。このような閉じてない磁壁２１は、トラッ
ク方向に移動させても、段差部分２０において磁壁の生
成・消滅を伴わないため、容易に移動させることができ
る。
【００４０】透明誘電体保護層１６は、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体を用いること
が望ましく、その膜厚は、入射する光ビーム６に対して
良好な干渉効果が実現し、媒体の極カー回転角が増大す
べく設定される必要があり、光ビーム６の波長をλ、透
明誘電体保護層１６の屈折率をｎとした場合、透明誘電
体保護層１６の膜厚は（λ／（４ｎ））程度に設定され
る。例えば、光ビーム６の波長を６８０ｎｍとした場
合、透明誘電体保護層１６の膜厚を４０ｎｍ〜１００ｎ
ｍ程度に設定すれば良い。
【００４１】第１磁性層１のキュリー温度Ｔｃ１は、１
４０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ１＜１４０℃に
おいては、第１磁性層１のキュリー温度低下にともなう
カー回転角の低下が顕著となり、再生信号強度が低下
し、良好な再生特性が得られなくなる。
【００４２】また、第１磁性層１の膜厚は、２０〜８０
ｎｍの範囲に設定されていることが望ましい。第１磁性
層１の膜厚が２０ｎｍより薄くなると、透過する光量が
大きくなることにより、良好なマスク効果が得られなく
なるとともに、再生信号強度が低下し、再生特性の劣化
を招くことになる。また、第１磁性層１の膜厚が８０ｎ
ｍより厚くなると、膜厚増加による記録感度劣化が顕著
となってくる。
【００４３】上記磁気特性を満足する第１磁性層１とし
ては、ＧｄＦｅ、及び、ＧｄＦｅＤ、または、ＧｄＦｅ
ＣｏＤ（Ｄは、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓ
ｉ、Ａｌの中から選ばれる元素、または、それら２種類
以上の元素からなるもの）、及び、ＧｄＨＲＦｅ、また
は、ＧｄＨＲＦｅＣｏ、または、ＧｄＨＲＦｅＣｏＤ
（ＨＲは重希土類金属であり、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ
の中から選ばれる元素、または、それら２種類以上の元
素からなる。一方、Ｄは、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｐｄ、
Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌの中から選ばれる元素、または、それ
ら２種類以上の元素からなるもの）、及び、ＧｄＬＲＦ
ｅ、または、ＧｄＬＲＦｅＣｏ、または、ＧｄＬＲＦｅ
ＣｏＤ（ＬＲは軽希土類金属であり、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍの中から選ばれる元素、または、それら２種類
以上の元素からなる。一方、Ｄは、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌの中から選ばれる元素、ま
たは、それら２種類以上の元素からなるもの）等の材料
からなる垂直磁化膜を採用することが可能である。
【００４４】第２磁性層２は、希土類遷移金属合金から
なる磁性膜からなり、そのキュリー温度が、第１磁性層
１及び第３磁性層３のキュリー温度よりも低く設定され
ている。第２磁性層２のキュリー温度Ｔｃ２は、４０℃
以上２２０℃以下であることが望ましい。Ｔｃ２＜４０
℃においては、第２磁性層２のキュリー温度が低くなり
過ぎることにより、温度上昇していない部分における第
１磁性層１と第３磁性層３との交換結合状態を安定に維
持することが困難となり、再生信号品質が劣化してしま
う。Ｔｃ２＞２２０℃においては、高い温度領域まで、
第１磁性層１と第３磁性層３とが交換結合してしまうた
め、磁区拡大する領域が狭くなり、再生信号強度が低下
し、信号品質が劣化してしまう。
【００４５】また、第２磁性層２の膜厚は２ｎｍ〜８０
ｎｍの範囲に設定されていることが望ましい。第２磁性
層２の膜厚が２ｎｍより薄くなると、第２磁性層２がキ
ュリー温度以上に温度上昇した領域において、第１磁性
層１と第３磁性層３との交換結合を遮断することができ
なくなり、第１磁性層１における磁壁移動が阻害され、
安定した磁区拡大再生を実現することが困難となる。ま
た、第２磁性層２の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、膜
厚増加による記録感度劣化が顕著となってくる。
【００４６】上記磁気特性を満足する第２磁性層２とし
ては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＤ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＤ、ＤｙＦｅＤ、ＤｙＦｅＣｏＤ、ＴｂＤｙ
ＦｅＤ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＤ（Ｄは、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ａｌの中から選ばれる元素、ま
たは、それら２種類以上の元素からなるもの）等の材料
からなる垂直磁化膜を採用することが可能である。
【００４７】第３磁性層３は、希土類遷移金属合金から
なる垂直磁化膜からなり、そのキュリー温度が、第２磁
性層２のキュリー温度よりも高く設定されている。第３
磁性層３のキュリー温度Ｔｃ３は、１８０℃以上３００
℃以下であることが望ましい。Ｔｃ３＜１８０℃におい
ては、第３磁性層３のキュリー温度が低くなり過ぎるこ
とにより、再生時、わずかな温度上昇により第３磁性層
３のキュリー温度以上に媒体が加熱され、記録した情報
が消去されることになり、極めてパワーマージンが狭く
なってしまう。また、Ｔｃ３＞３００℃においては、記
録を行なうために、第３磁性層３を３００℃以上に加熱
する必要があり、記録感度劣化が顕著となってくるとと
もに、第１磁性層１及び第２磁性層２及び第３磁性層が
３００℃以上に加熱されることにより、各磁性層の磁気
特性が劣化し、記録消去にともない再生信号品質が劣化
してしまう。
【００４８】また、第３磁性層３については、第４磁性
層４が第１磁性層１と静磁結合する高温領域において、
第３磁性層３から発生する漏洩磁界が、第４磁性層４と
第１磁性層１との静磁結合を妨げない程度に小さくなる
ように磁気特性を設定する必要がある。この温度領域で
第３磁性層３から発生する漏洩磁界が大きいと、第４磁
性層４と第１磁性層１との間の静磁結合が不安定にな
り、光ビーム６の後端からの磁壁移動を十分に抑制する
ことができなくなる。
【００４９】また、その膜厚は５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲
に設定することが望ましい。第３磁性層３の膜厚が５ｎ
ｍより薄くなると、安定した記録を行なうことが困難と
なり、記録ノイズが上昇することにより、再生信号品質
が劣化する。また、第３磁性層３の膜厚が８０ｎｍより
厚くなると、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となっ
てくる。
【００５０】上記磁気特性を満足する第３磁性層３とし
ては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からなる
垂直磁化膜を採用することが可能である。
【００５１】非磁性中間層５は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
ＳｉＮ、Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、または、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からな
り、第３磁性層３と第４磁性層４との間の交換結合を遮
断する目的で形成されるものである。その膜厚は２ｎｍ
〜２０ｎｍの範囲に設定することが望ましい。非磁性中
間層５の膜厚が２ｎｍより薄くなると、第３磁性層３と
第４磁性層４との間の交換結合を遮断することができな
くなる。また、非磁性中間層５の膜厚が２０ｎｍよりも
厚くなると、第４磁性層４と第１磁性層１との静磁結合
が弱くなるため、光ビーム６の後端からの磁壁移動を抑
制することができなくなる。
【００５２】第４磁性層４は、希土類遷移金属合金から
なる垂直磁化膜からなり、予め、光ビーム６を照射する
ことで第４磁性層４をキュリー温度以上に加熱し、外部
磁場を与えることにより磁化方向を揃える初期化を行
う。第４磁性層４のキュリー温度Ｔｃ４は、第３磁性層
３のキュリー温度Ｔｃ３よりも高く、３８０℃以下に設
定されていることが望ましい。Ｔｃ４＜Ｔｃ３において
は、記録時に第４磁性層４がキュリー温度以上に加熱さ
れ、磁化方向が一定でなくなるため、記録を行なう毎に
初期化を行なう必要が生じる。また、Ｔｃ４＞３８０℃
においては、初期化を行なうために第４磁性層を３８０
℃以上に加熱する必要があり、第１磁性層１及び第２磁
性層２及び第３磁性層が３８０℃以上に加熱されること
により、各磁性層の磁気特性が劣化し、再生信号品質が
劣化してしまう。
【００５３】また、その膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ
以下に設定することが望ましい。第４磁性層４の膜厚が
１０ｎｍより薄くなると、温度上昇時に、第４磁性層４
から発生する漏洩磁界が小さくなり、第４磁性層４と第
１磁性層１との静磁結合が弱くなるため、光ビーム６の
後端からの磁壁移動を抑制することができなくなる。ま
た、第４磁性層４の膜厚が１００ｎｍより厚くなると、
第４磁性層を初期化する際の光ビーム６の照射光強度が
強くなりすぎ、第４磁性層４の磁化方向を揃えることが
困難になる。
【００５４】また、第４磁性層４は第２磁性層２のキュ
リー温度Ｔｃ２近傍においては第１磁性層１と静磁結合
せず、それ以上の所定温度以上において第１磁性層１と
静磁結合することが望ましい。このような第４磁性層と
しては、キュリー温度Ｔｃ２近傍において温度上昇とと
もに磁化の大きさが増大する磁性層であることが望まし
い。
【００５５】上記磁気特性を満足する第４磁性層４とし
ては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からなる
垂直磁化膜を採用することが可能である。
【００５６】保護層１７は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、第
１磁性層１及び第２磁性層２及び第３磁性層３に用いる
希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成される
ものであり、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定
されている。
【００５７】また、この構成に、更に、保護層１４の上
部にＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、
ＡｌＣｏ、Ｃｕ等からなる熱拡散金属層を付加すること
により、媒体の熱的特性を改善することが可能となる。
更に、場合によっては、保護層１７上、または、上記熱
拡散層上に紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑
層が形成されることもある。
【００５８】また、低磁界記録を目的として、第３磁性
層３に接して、第３磁性層３の保磁力より小さな保磁力
を有し、第３磁性層３のキュリー温度よりも高いキュリ
ー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜から
なる記録補助層を積層して形成しても良い。
【００５９】以下、上記構成の光磁気ディスクの形成方
法及び記録再生方法の具体例を説明する。
【００６０】＜実施例１＞ （１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の磁気ディスクの形成方法について説明する。
まず、ＡｌターゲットとＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットと
ＤｙＦｅ合金ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット
とをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、深さ１００ｎｍ
の案内溝を有しディスク状に形成されたポリカーボネー
ト製の基板１５を配置する。そして、スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板１５上に
ＡｌＮからなる透明誘電体保護層１６を膜厚８０ｎｍで
形成する。
【００６１】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１６上に、Ｇｄ0.27（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.73からな
る第１磁性層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その第１磁
性層１は、垂直磁化膜であり、補償温度が１４０℃であ
り、キュリー温度が２８０℃であった。
【００６２】次に、引き続き、ＤｙＦｅ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記第１磁性層１上に、Ｄｙ0.25Ｆｅ0.75からなる
第２磁性層２を膜厚１０ｎｍで形成する。その第２磁性
層２は、垂直磁化膜であり、補償温度が４０℃であり、
キュリー温度が８０℃であった。
【００６３】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記第２磁性層２上に、Ｔｂ0.27（Ｆｅ0.88Ｃｏ
0.12）0.73からなる第３磁性層３を膜厚３０ｎｍで形成
する。その第３磁性層３は、垂直磁化膜であり、補償温
度が１６０℃であり、キュリー温度が２６０℃であっ
た。
【００６４】次に、引き続き、Ａｌターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第
３磁性層３上にＡｌからなる非磁性中間層５を１０ｎｍ
形成する。
【００６５】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記非磁性中間層５上に、Ｔｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃ
ｏ0.20）0.77からなる第４磁性層４を膜厚３０ｎｍで形
成する。その第４磁性層４は、垂直磁化膜であり、補償
温度が２０℃であり、キュリー温度が３００℃であっ
た。
【００６６】次にアルゴンと窒素の混合ガスを導入し、
Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔ
ｏｒｒの条件で、上記第４磁性層４上にＡｌＮからなる
保護層１７を膜厚２０ｎｍで形成する。
【００６７】（２）記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。
【００６８】まず、記録再生用レーザを７．２ｍＷで連
続照射しながら、−１５ｋＡ／ｍの記録磁界を連続して
加えることにより第４記録層４の初期化を行なった。次
に、記録再生用レーザを６．４ｍＷで連続照射しなが
ら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより第
３磁性層３に、記録磁界の向きに対応した上向き磁化と
下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。記録磁界
の変調周波数を変えることにより、０．１〜０．５μｍ
の範囲のマーク長の磁区パターンを記録した。ここで、
マーク長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区をマ
ーク長の２倍の長さのピッチで形成していることを意味
する。
【００６９】次に、記録再生用レーザを２．４ｍＷで連
続照射して測定してＣＮＲ（信号対雑音比）のマーク長
依存性を測定した。図７は、その結果を実施例１として
示す図である。なお、比較のため、実施例１において、
非磁性中間層５と第４磁性層４を除いた構成の光磁気デ
ィスクにおけるＣＮＲを比較例１として同図に示してい
る。
【００７０】実施例１と比較例１とを比べると、マーク
長０．１５μｍ以下の範囲において両者とも４０ｄＢ以
上のＣＮＲが得られているが、比較例１のＣＮＲは、
０．１５μｍ以上のマーク長においてＣＮＲが急激に減
少していることがわかる。これは、比較例１において、
マーク長が長くなることにより、後端部分からの磁壁移
動による拡大磁区が、先端部分からの磁壁移動による拡
大磁区と同時に再生されることにより、再生ノイズが上
昇したことによるものである。
【００７１】一方、実施例１においては、第１磁性層１
の光ビーム６照射領域内に形成された磁化方向が揃った
部分で、後端部分からの磁壁移動が停止し、光ビームス
ポット内に後端部分からの磁壁移動による拡大磁区が侵
入してこないため、０．１５μｍ以上のマーク長におい
てもＣＮＲの減少が全く観測されない。このように、実
施例１記載の光磁気記録媒体は、繰り返し再生が起こる
ことなく、先端領域のみからの磁区拡大再生を実現する
ことが可能となり、マークエッジ記録に対応可能な光磁
気記録媒体であることが確認された。
【００７２】＜実施例２＞実施例１の光磁気記録媒体に
おいて、第４磁性層４の磁気特性のみを組成調整により
変えて光磁気ディスクを作成し、記録再生特性を調査し
た。表１は、第４磁性層４の組成，キュリー温度を変化
させたときのマーク長０．１μｍ及びマーク長０．３μ
ｍにおけるＣＮＲの測定結果を示す表である。なお、こ
の測定に際しては、各ディスクにおいて最大のＣＮＲが
得られるように、再生パワーを調整して行なった。
【００７３】
【表１】
【００７４】ディスクＮｏ．１−１〜Ｎｏ．１−６は第
４磁性層４の希土類金属と遷移金属との含有比率を一定
に保ち、ＦｅとＣｏの比率を変えることにより、補償温
度をほぼ２０℃一定として、キュリー温度を変えたもの
である。
【００７５】ディスクＮｏ．１−１においてＣＮＲが低
くなっているが、これは、第４磁性層４のキュリー温度
が４００℃と高く、第４磁性層４を初期化するために、
各磁性層が少なくとも４００℃以上の温度まで上昇し、
各磁性層の磁気特性が劣化したものである。このことか
ら、第４磁性層４のキュリー温度は、３８０℃以下であ
ることが望ましいことがわかる。
【００７６】また、ディスクＮｏ．１−６においてＣＮ
Ｒが低くなっているが、これは、第４磁性層のキュリー
温度が２６０℃と低くなっていることによるものであ
る。本発明の光磁気記録媒体においては、記録時に、少
なくとも第３磁性層３をキュリー温度以上に上昇させる
必要があるが、ここで、第３磁性層３，第４磁性層４の
キュリー温度が共に２６０℃であるため、記録時に第４
磁性層４がキュリー温度以上に上昇してしまい、第４磁
性層４の磁化方向が一定でなくなる。
【００７７】このことにより、再生時、第１磁性層１内
に、磁化方向の揃った領域を形成することができなくな
り、第１磁性層１における光ビーム６の後端からの磁壁
移動を抑制することができず、マーク長０．３μｍにお
いてＣＮＲの低下が発生してしまうものである。このこ
とから、第３磁性層３のキュリー温度をＴｃ３、第４磁
性層４のキュリー温度をＴｃ４としたとき、少なくと
も、Ｔｃ４＞Ｔｃ３であることが望ましいことがわか
る。
【００７８】次にディスクＮｏ．１−７〜ディスクＮ
ｏ．１−１１は、第４磁性層４のＦｅとＣｏの含有比率
を一定に保ち、希土類金属と遷移金属との含有比率を変
えることにより、補償温度を変えたものである。
【００７９】ディスクＮｏ．１−７においてＣＮＲが低
くなっているが、これは、第４磁性層４の補償温度が１
４５℃と高いため、再生温度において、第４磁性層４か
ら発生する漏洩磁界が小さく、第１磁性層１との静磁結
合が弱いために、マーク長０．３μｍにおいて第１磁性
層１における光ビーム６後端からの磁壁移動を十分に抑
制できなかったことによるものである。このことから、
第４磁性層４の補償温度は１２０℃以下であることが望
ましいことがわかる。
【００８０】また、ディスクＮｏ．１−１２においてＣ
ＮＲが極めて低くなっているが、これは第４磁性層４の
補償温度が−９０℃と低いため、比較的低い温度におい
ても第４磁性層４から発生する漏洩磁界が強く、再生時
に、第１磁性層１における磁壁移動が阻害されるため、
磁区拡大再生が実現しなかったことにより、マーク長
０．３μｍ，マーク長０．１μｍ共にＣＮＲが低くなっ
たものである。この結果より、第４磁性層４の補償温度
は−６０℃以上であることが望ましいことがわかる。
【００８１】＜実施例３＞実施例１の光磁気記録媒体に
おいて、第４磁性層４の膜厚のみを変えて光磁気ディス
クを作成し、記録再生特性を調査した。図８は、マーク
長０．１μｍ及びマーク長０．３μｍにおけるＣＮＲと
第４磁性層４の膜厚との関係を示している。なお、この
測定に際しては、各ディスクにおいて最大のＣＮＲが得
られるように、再生パワーを調整して行なった。
【００８２】図８より、第４磁性層４の膜厚が１０ｎｍ
よりも薄い場合及び１００ｎｍよりも厚い場合に、マー
ク長０．３μｍにおいてＣＮＲが低くなっていることが
わかる。
【００８３】第４磁性層４の膜厚が１０ｎｍよりも薄い
場合には、再生時に、第４磁性層４から発生する漏洩磁
界が小さく、第１磁性層１との静磁結合が弱くなるた
め、第１磁性層１内に磁壁移動を抑制する磁化方向の揃
った領域１３を形成することができない。このため、光
ビーム６後端からの磁壁移動を抑制することができず、
マーク長が長い０．３μｍにおいては、後端部分からの
磁壁移動による拡大磁区が、先端部分からの磁壁移動に
よる拡大磁区と同時に再生されることにより、再生ノイ
ズが上昇しＣＮＲが低下したものである。このことか
ら、第４磁性層４の膜厚は１０ｎｍ以上であることが望
ましい。
【００８４】また、第４磁性層４の膜厚が１００ｎｍよ
りも厚い場合には、第４磁性層４を初期化する際に、照
射可能な最大強度の光を照射しても第４磁性層４がキュ
リー温度以上に加熱されず、第４磁性層４の磁化方向を
揃えることが困難となる。このため、再生時に第４磁性
層４から発生する漏洩磁界が小さくなり、第１磁性層１
との静磁結合が弱くなることによって、ＣＮＲが低下し
たものである。このことから、第４磁性層４の膜厚は１
００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００８５】＜実施例４＞実施例１の光磁気記録媒体に
おいて、非磁性中間層５の膜厚のみを変えて光磁気ディ
スクを作成し、記録再生特性を調査した。図９は、マー
ク長０．１μｍ及びマーク長０．３μｍにおけるＣＮＲ
と非磁性中間層５の膜厚との関係を示している。なお、
この測定に際しては、各ディスクにおいて最大のＣＮＲ
が得られるように、再生パワーを調整して行なった。
【００８６】図９より、非磁性中間層５の膜厚が２ｎｍ
よりも薄い場合にはマーク長０．３μｍ及びマーク長
０．１μｍにおいて、非磁性中間層５の膜厚が２０ｎｍ
よりも厚い場合にはマーク長０．３μｍにおいて、それ
ぞれＣＮＲが極めて低くなっていることがわかる。
【００８７】非磁性中間層５の膜厚が２ｎｍよりも薄い
場合には、第３磁性層３と第４磁性層４との交換結合を
遮断することができず、記録時に、第３磁性層３への正
確な記録が行われなかったことによりＣＮＲが大きく低
下したものである。このことから、非磁性中間層５の膜
厚は２ｎｍ以上であることが望ましい。
【００８８】また、非磁性中間層５の膜厚が２０ｎｍよ
りも厚い場合には、第１磁性層１と第４磁性層４との距
離が大きくなり、再生時に第４磁性層４が第１磁性層１
の位置に作る磁界が小さくなるため、第４磁性層４と第
１磁性層１との静磁結合が弱くなる。このため、光ビー
ム６後端からの磁壁移動を抑制することができず、マー
ク長の長い０．３μｍにおいてＣＮＲが低下してしまう
ものである。このことから、第４磁性層４の膜厚は２０
ｎｍ以下であることが望ましい。
【００８９】＜実施例５＞実施例１の光磁気記録媒体に
おいて、第１磁性層１のＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加し、
第１磁性層１の磁壁抗磁力を変えて光磁気ディスクを作
製した。作製したディスクにおいて、室温における保磁
力を磁壁抗磁力とし、マーク長０．１μｍにおけるＣＮ
Ｒと磁壁抗磁力との関係を調査した。その結果、第１磁
性層１の磁壁抗磁力が３５ｋＡ／ｍを超えるディスクに
おいては、ＣＮＲが大きく低下することが明らかとなっ
た。このことから第１磁性層の磁壁抗磁力は３５ｋＡ／
ｍ以下であることが望ましい。
【００９０】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の光磁気記
録媒体は、少なくとも、第１，第２，第３磁性層，非磁
性中間層、第４磁性層が順次積層され、第１磁性層は、
所定温度近傍において第３磁性層に比べて相対的に磁壁
抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からな
り、第２磁性層は、第１及び第３磁性層よりもキュリー
温度が低い磁性膜からなり、第４磁性層は、磁化方向が
揃った垂直磁化膜であり、且つ、所定温度以上におい
て、前記第１磁性層と静磁結合することにより、前記第
１磁性層内に磁化方向が揃った領域を形成するものであ
る。
【００９１】この光磁気記録媒体及び再生方法によれ
ば、繰り返し再生が発生しない磁区拡大再生が実現し、
再生信号振幅を低下させることなく、光の回折限界以下
の周期の信号が再生可能となり、記録密度を大幅に向上
させることができる。
【００９２】また、請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、第３磁
性層及び第４磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ３，
Ｔｃ４としたときに、Ｔｃ３＜Ｔｃ４≦３８０℃なる条
件を満足することを特徴としている。
【００９３】すなわち、請求項２に記載の光磁気記録媒
体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、最も
効果的に光ビーム後端からの磁壁移動を抑制することが
できるキュリー温度の第４磁性層を持った構成となって
いる。したがって、第４磁性層のキュリー温度を上記範
囲に設定することで、最も良好なＣＮＲを得ることがで
き、記録密度を大幅に向上させることができる。
【００９４】また、請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、第４磁
性層の補償温度をＴｃｏｍｐ４としたときに、−６０℃
≦Ｔｃｏｍｐ４≦１２０℃なる条件を満足することを特
徴としている。
【００９５】すなわち、請求項３に記載の光磁気記録媒
体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、最も
効果的に光ビーム後端からの磁壁移動を抑制することが
できる補償温度の第４磁性層を持った構成となってい
る。したがって、第４磁性層の補償温度を上記範囲に設
定することで、最も良好なＣＮＲを得ることができ、記
録密度を大幅に向上させることができる。
【００９６】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、第１磁性層の磁
壁抗磁力が３５ｋＡ／ｍ以下であるものである。
【００９７】すなわち、請求項４に記載の光磁気記録媒
体は、光ビーム先端からの磁壁移動が効果的に行われる
磁壁抗磁力の第１磁性層を持った構成となっている。し
たがって、第１磁性層の磁壁抗磁力を上記範囲に設定す
ることにより、光の回折限界以下の周期の信号において
も高いＣＮＲを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【図２】本発明の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【図３】本発明の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【図４】本発明の光磁気ディスクの構成を示す断面図で
ある。
【図５】本発明の光磁気ディスクの構成を示す断面図で
ある。
【図６】本発明の光磁気ディスクの磁壁を説明する平面
図である。
【図７】本発明の光磁気ディスクのＣＮＲのマーク長依
存性を示す図である。
【図８】本発明の光磁気ディスクのＣＮＲの第４磁性層
膜厚依存性を示す図である。
【図９】本発明の光磁気ディスクのＣＮＲの非磁性中間
層膜厚依存性を示す図である。
【図１０】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【図１１】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【図１２】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。
【符号の説明】
１ 第１磁性層 ２ 第２磁性層 ３ 第３磁性層 ４ 第４磁性層 ５ 非磁性中間層 ６ 光ビーム

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも、第１磁性層、第２磁性層、
    第３磁性層，非磁性中間層、第４磁性層が順次積層さ
    れ、 該第１磁性層は、所定温度近傍において該第３磁性層に
    比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな
    垂直磁化膜からなり、 該第２磁性層は、該第１磁性層及び該第３磁性層よりも
    キュリー温度が低い磁性膜からなり、 該第４磁性層は、磁化方向が揃った垂直磁化膜であり、
    且つ、該第２磁性層のキュリー温度より高い所定温度以
    上において、該第１磁性層と静磁結合することにより、
    該第１磁性層内に磁化方向が揃った領域を形成すること
    を特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、前記第３磁性層および前記第４磁性層のキュリー温
    度をそれぞれＴｃ３およびＴｃ４としたときに、 Ｔｃ３＜Ｔｃ４≦３８０℃ なる条件を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、前記第４磁性層の補償温度をＴｃｏｍｐ４としたと
    きに、 −６０℃≦Ｔｃｏｍｐ４≦１２０℃ なる条件を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
    て、前記第１磁性層の磁壁抗磁力が３５ｋＡ／ｍ以下で
    あることを特徴とする光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体を再生する再生装置であって、 再生時に、該光磁気記録媒体に光ビームを照射する照射
    手段と、該光ビームの照射光強度を、該光磁気記録媒体
    の前記第４磁性層が前記第１磁性層に静磁結合する温度
    以上に加熱できる強度に制御する制御手段と、を有して
    なることを特徴とする再生装置。
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