JP2002203343A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

光ディスクおよびその製造方法

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清 内田
Yasumori Hino
泰守 日野
Motoyoshi Murakami
元良 村上
Norio Miyatake
範夫 宮武
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録密度が高く、短時間で初期化することが
できる光ディスクおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１と基板１１の上方に配置された
記録層１２とを備え、基板１１側から入射される光を用
いてＤＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディ
スクであって、基板１１と記録層１２との間に配置され
た第１の誘電体層１３と、記録層１２に対して基板１１
とは反対側に配置された第２の誘電体層１４とを備え、
記録層１２が第２の誘電体層１４側から入射された波長
λの光を用いて初期化された層であり、第２の誘電体層
１４の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上λ／（２×ｎ）以
下（ただし、ｎは第２の誘電体層の屈折率）である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録または
再生に用いられる光ディスクとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの分野では、より高密度に情
報を記録することが求められている。このような高密度
記録を実現する方法として、ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ
Ｗａｌｌ Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｉ
ｏｎ）方式（磁壁移動検出方式）の光ディスクが提案さ
れている。
【０００３】ＤＷＤＤ方式の光ディスクでは、隣接する
記録トラック間で磁気的な結合を弱める必要がある。こ
のため、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合に
は、情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック
間の磁気的な結合を弱める初期化を行う。このような初
期化の方法については、従来から報告されている（特開
平６−２９０４９６号公報や特開平１０−３４０４９３
号公報参照）。
【０００４】従来の光ディスクの構造および初期化の方
法について、一例を図１０に示す。図１０に示すよう
に、従来の光ディスク１は、基板２と、基板２上に順次
積層された第１の誘電体層３、記録層４、第２の誘電体
層５および保護コート層６とを備える。基板２の記録層
４側の表面には、グルーブ２ａが形成されている。径方
向に隣接する２つのグルーブ２ａ間は、ランドと呼ばれ
る部分であり、この部分が記録トラックとなる。グルー
ブ２ａの幅はたとえば０．２μｍであり、ランド部の幅
は１．４μｍである。記録層４は、ＤＷＤＤ方式で再生
を行うために３層以上の磁性体層を備える。
【０００５】次に、光ディスク１の初期化方法について
説明する。光ディスク１の初期化では、グルーブ２ａに
沿ってアニール用のレーザ光７（レーザパワー：１０ｍ
Ｗ、λ＝７８０ｎｍ、対物レンズ８のＮＡ＝０．５、光
スポットの直径：約８００ｎｍ）を照射することによっ
て、グルーブ２ａ上の記録層４の磁気的結合を消失させ
る。この初期化工程において、レーザ光７の光スポット
の移動速度は、たとえば２ｍ／ｓｅｃである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような初期化方法では、グルーブ２ａ以外の部分にも光
スポットが照射されてしまうため、有効な記録トラック
が狭くなり、信号レベルが低下するという問題があっ
た。そのため、記録層４に照射される光スポットを小さ
くすることが必要となるが、第１の誘電体層３は、記録
・再生用のレーザ光の波長にあわせて最適化されている
ため、アニール用のレーザ光７の光スポットを小さくす
ることが困難であるという問題があった。また、同様の
理由で、記録層４におけるアニール用のレーザ光７の吸
収効率を上げることが困難であったため、速い線速度で
初期化を行うことができず、初期化に時間がかかるとい
う問題があった。
【０００７】上記問題を解決するため、本発明は、記録
密度が高く、短時間で初期化することができる光ディス
クおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の光ディスクは、基板と前記基板の上
方に配置された記録層とを備え、前記基板側から入射さ
れる光を用いてＤＷＤＤ方式によって情報信号の再生を
行う光ディスクであって、前記基板と前記記録層との間
に配置された第１の誘電体層と、前記記録層に対して前
記基板とは反対側に配置された第２の誘電体層とを備
え、前記記録層が前記第２の誘電体層側から入射される
波長λの光を用いて初期化された層であり、前記第２の
誘電体層の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上λ／（２×
ｎ）以下（ただし、ｎは第２の誘電体層の屈折率）であ
ることを特徴とする。上記光ディスクでは、初期化用の
レーザ光にあわせて第２の誘電体層の厚さを規定してい
るため、初期化用のレーザ光のスポットを小さくでき、
また、初期化用のレーザ光によるアニールの効率を高め
ることができる。したがって、上記光ディスクによれ
ば、記録密度が高く、短時間で初期化することができる
光ディスクが得られる。なお、この明細書で「初期化」
とは、記録層の一部をアニールすることによって記録ト
ラック間の磁気的な結合を弱める工程をいう。
【０００９】上記第１の光ディスクでは、前記第２の誘
電体層は、窒化シリコンからなり且つ厚さが４０ｎｍ〜
６０ｎｍの範囲内であり、前記波長λが４００ｎｍ〜４
１０ｎｍの範囲内であってもよい。上記構成によれば、
第２の誘電体層が薄いため、生産性よく製造することが
可能になる。また、上記構成によれば、十分な耐腐食性
が得られる。
【００１０】上記第１の光ディスクでは、前記第２の誘
電体層は、窒化シリコンからなり且つ厚さが２５ｎｍ〜
３０ｎｍの範囲内であり、前記波長λが４００ｎｍ〜４
４０ｎｍの範囲内であってもよい。上記構成によれば、
第２の誘電体層が薄いため、生産性よく製造することが
可能になる。また、上記構成によれば、十分な耐腐食性
が得られる。さらに、上記構成によれば、光の吸収量を
大きくすることができ、初期化を行うために必要なレー
ザ光のエネルギーを低下させることができる。
【００１１】上記第１の光ディスクでは、前記第２の誘
電体層の屈折率が、前記第１の誘電体層の屈折率よりも
大きくてもよい。上記構成によれば、比較的薄い第２の
誘電体層でも初期化用のレーザ光を効率よく利用できる
ため、第２の誘電体層の成膜時間を短縮できる。
【００１２】上記第１の光ディスクでは、前記記録層の
感度を調整するために前記第２の誘電体層上に配置され
た熱伝導調整層をさらに備えてもよい。上記構成によれ
ば、記録層の感度を調整できるとともに、記録や再生が
可能なパワー範囲を広げることができる。
【００１３】上記第１の光ディスクでは、前記第２の誘
電体層に対して前記基板とは反対側に形成された保護コ
ート層をさらに備え、前記保護コート層が前記基板より
も薄くてもよい。上記構成によれば、保護コート層を通
じて記録層に、大きなＮＡのレンズでレーザ光を照射す
ることができ、アニール幅を小さくすることができる。
【００１４】上記第１の光ディスクでは、前記基板の前
記記録層側の表面に段差が形成されており、前記記録層
の記録トラックが前記段差によって磁気的に分離されて
いてもよい。上記構成によれば、ランド部に初期化用レ
ーザを照射することによって光の閉じ込め効果を利用し
て狭い幅をアニールすることができ、記録トラック間の
磁気的な結合を遮断することが容易で且つトラックピッ
チを狭くすることが可能な光ディスクが得られる。ま
た、グルーブを記録トラックとして用いることによっ
て、面粗さが少ない部分を記録トラックとして使用する
ことになり、ＤＷＤＤ特性が良好な光ディスクが得られ
る。
【００１５】また、上記目的を達成するため、本発明の
光ディスクの製造方法は、基板と前記基板の上方に配置
された記録層とを備え、前記基板側から入射される光を
用いてＤＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光デ
ィスクの製造方法であって、（ｉ）前記基板上に、第１
の誘電体層と前記記録層と第２の誘電体層とをこの順序
で形成する工程と、（ii）前記記録層に対して前記第２
の誘電体層側から初期化用レーザ光を照射することによ
って、前記記録層の一部の磁気的な結合を減少させる初
期化を行う工程とを含むことを特徴とする。上記光ディ
スクの製造方法によれば、記録密度が高い光ディスクを
生産性よく製造できる。
【００１６】上記製造方法では、前記初期化用レーザ光
の波長がλであり、前記第２の誘電体層の厚さが、λ／
（１２×ｎ）以上λ／（２×ｎ）以下（ただし、ｎは第
２の誘電体層の屈折率）であることが好ましく、λ／
（４×ｎ）の近傍であることが特に好ましい。
【００１７】上記製造方法では、前記初期化用レーザ光
が、開口数が０．６５以上の対物レンズで集光されたレ
ーザ光であってもよい。上記構成によれば、レーザスポ
ットを小さくすることができ、記録密度が特に高い光デ
ィスクを製造できる。
【００１８】上記製造方法では、前記（ii）の工程の際
に、前記記録層にトラッキングサーボ用レーザ光を照射
してトラッキングサーボを行ってもよい。上記構成によ
れば、トラッキング制御の精度が向上するため、アニー
ルの半径方向の位置精度も向上し、ＤＷＤＤ動作が安定
する。
【００１９】上記製造方法では、前記初期化用レーザ光
の波長が、前記トラッキングサーボ用レーザ光の波長よ
りも短くてもよい。上記構成によれば、トラック密度を
向上させることができる。
【００２０】上記製造方法では、前記（ii）の工程のの
ちに、前記第２の誘電体層上に、前記記録層の感度を調
整するための熱伝導調整層を形成する工程をさらに含ん
でもよい。
【００２１】また、本発明の第２の光ディスクは、基板
と前記基板の上方に配置された記録層とを備え、前記基
板側から入射される光を用いてＤＷＤＤ方式によって情
報信号の再生を行う光ディスクであって、前記基板に
は、サンプルサーボ方式でトラッキング制御を行うため
のサンプルサーボピットが形成されており、前記基板の
記録再生領域には、記録トラックとなる溝が同心円状ま
たはスパイラル状に形成されており、前記記録トラック
のトラックピッチが０．５μｍ〜０．６μｍの範囲内で
あり、前記記録トラックは、波長λが４００ｎｍ〜４４
０ｎｍの範囲内であるレーザ光のレーザスポットを溝間
部に走査することによって、隣接する記録トラックと磁
気的に遮断されていることを特徴とする。
【００２２】上記第２の光ディスクでは、前記基板と前
記記録層との間に配置された第１の誘電体層と、前記記
録層に対して前記基板とは反対側に配置された第２の誘
電体層とを備え、前記記録トラックは、前記第２の誘電
体層側からレーザ光を照射することによって隣接する記
録トラックと磁気的に遮断されていてもよい。
【００２３】上記第２の光ディスクでは、前記第２の誘
電体層の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上λ／（２×ｎ）
以下（ただし、ｎは第２の誘電体層の屈折率である）で
あってもよい。上記第２の光ディスクによれば、高密度
に情報を記録することが可能になる。また、上記第２の
光ディスクでは、波長が６００ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲
内のレーザ光を用いて再生を行うことができる。このよ
うな波長範囲のレーザ光の光源（レーザダイオード）
は、入手しやすい、高パワーを出せる、特性が安定して
いるといった利点がある。
【００２４】上記第２の光ディスクでは、前記溝の部分
の反射率ＲGと、前記溝間部の反射率ＲLとが、０．９５
＜ＲG／ＲL≦１．０を満たしてもよい。
【００２５】また、本発明の第３の光ディスクは、基板
と前記基板の上方に配置された記録層とを備え、前記基
板側から入射される光を用いてＤＷＤＤ方式によって情
報信号の再生を行う光ディスクであって、前記基板に
は、サンプルサーボ方式でトラッキング制御を行うため
のサンプルサーボピットが形成されており、前記基板の
記録再生領域には、同心円状またはスパイラル状に記録
トラックが形成されており、前記記録トラックのトラッ
クピッチが０．５μｍ〜０．６μｍの範囲内であり、前
記記録トラックは、波長λが４００ｎｍ〜４４０ｎｍで
あるレーザ光のレーザスポットを走査することによっ
て、隣接する記録トラックと磁気的に遮断されており、
前記記録トラックの反射率ＲRと、隣接する記録トラッ
クの間の領域の反射率ＲMとが０．９５＜ＲR／ＲM≦
１．０を満たすことを特徴とする。上記第３の光ディス
クによれば、高密度に情報を記録することが可能にな
る。また、上記第３の光ディスクでは、波長が６００ｎ
ｍ〜６５０ｎｍの範囲内のレーザ光を用いて再生を行う
ことができる。このような波長範囲のレーザ光の光源
（レーザダイオード）は、入手しやすい、高パワーを出
せる、特性が安定しているといった利点がある。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
【００２７】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
光ディスクについて一例を説明する。実施形態１の光デ
ィスク１０について、一部断面図を図１に示す。
【００２８】図１を参照して、光ディスク１０は、基板
１１と、基板１１の上方に配置された記録層１２と、基
板１１と記録層１２との間に配置された第１の誘電体層
１３と、記録層１２に対して基板１１とは反対側に配置
された第２の誘電体層１４と、第２の誘電体層１４上に
配置された保護コート層１５とを備える。光ディスク１
０は、基板１１側から入射される光を用いて情報信号の
再生を行う光ディスクである。
【００２９】基板１１は、円板状の基板である。基板１
１には、たとえば、ポリカーボネートやガラス等からな
る基板を用いることができ、厚さは、たとえば０．５ｍ
ｍ〜１．２ｍｍ程度である。なお、図４および５に示す
ように、基板１１の記録層１２側の表面に段差が形成さ
れており、記録層１２が段差によって磁気的に分離され
ていてもよい。
【００３０】第１の誘電体層１３および第２の誘電体層
１４には、たとえば、Ｓｉ3Ｎ4などの窒化シリコン、Ａ
ｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2などの透明誘
電材料が使用できる。
【００３１】第２の誘電体層１４の厚さは、第２の誘電
体層１４側から初期化用のレーザ光を照射したときに、
その反射率が低く、光が効率よく吸収されるように設定
される。具体的には、第２の誘電体層１４の厚さは、λ
／（４×ｎ）の前後が好ましく、λ／（１２×ｎ）以上
λ／（２×ｎ）以下（好ましくは、λ／（６×ｎ）以上
λ／（２×ｎ）以下）である。従来の光ディスクとは異
なり、光ディスク１０では、第２の誘電体層１４側から
初期化用（アニール用）のレーザ光を照射して初期化を
行うことによって、効率的に初期化を行うことができ
る。また、光ディスク１０では、初期化用のレーザ光の
光スポットを小さくできるため、記録トラックの実質的
な幅を広くすることができる。また、記録層１２におけ
る初期化用のレーザ光の吸収効率を高めることができる
ため、光スポットを速い線速度で走査することができ、
初期化時間を短縮できる。
【００３２】具体的には、第２の誘電体層１４として、
屈折率が約２である窒化シリコンを用い、初期化用のレ
ーザ光の波長λが４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内であ
る場合には、第２の誘電体層１４の厚さを４０ｎｍ〜６
０ｎｍの範囲内とすることができる。また、第２の誘電
体層１４として、屈折率が約２である窒化シリコンを用
い、初期化用のレーザ光の波長λが４００ｎｍ〜４４０
ｎｍの範囲内である場合には、第２の誘電体層１４の厚
さを２５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内とすることができる。
【００３３】保護コート層１５は、基板１１と同様の材
料を用いて形成できるが、基板１１よりも屈折率が大き
いことが好ましい。保護コート層１５は、たとえば、紫
外線硬化性樹脂を塗布して硬化させて形成してもよい
し、第２の誘電体層１４上に基板を貼り合わせてもよ
い。
【００３４】記録層１２は、ＤＷＤＤ方式で再生が可能
なように３層以上の磁性体層を含む。記録層１２は、第
２の誘電体層１４側から入射された波長λの光を用いて
初期化された層である。記録層１２の一例として、記録
層１２が、基板１１側から順に積層された第１の磁性体
層２１、第２の磁性体層２２および第３の磁性体層２３
を含む場合には、各層の材料として、以下のものを用い
ることができる。第１の磁性体層２１の材料には、小さ
な磁壁抗磁力を有し、第２の磁性体層２２のキュリー温
度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料で、そのキュ
リー温度が第３の磁性体層２３よりも低く第２の磁性体
層２２よりも高い材料を用いることができる。たとえ
ば、ＧｄＣｏやＧｄＦｅＣｏ、またはその合金でキュリ
ー温度が２２０℃〜２６０℃程度のものを用いることが
できる。
【００３５】第２の磁性体層２２の材料としては、キュ
リー温度が第１の磁性体層２１や第３の磁性体層２３よ
りも低いものであり、そのキュリー温度直下まで大きな
磁壁抗磁力を有する材料を用いることが好ましい。たと
えば、ＤｙＦｅやＴｂＦｅ、またはその合金を用いるこ
とができ、その典型的なキュリー温度として１４０℃〜
１８０℃のものを用いることができる。
【００３６】第３の磁性体層２３は大きな磁壁抗磁力を
有し、第１の磁性体層２１や第２の磁性体層２２よりも
高いキュリー温度を有し、第２の磁性体層２２のキュリ
ー温度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料を用いる
ことができる。たとえば、ＴｂＦｅＣｏ、またはその合
金で、キュリー温度が２８０℃〜３００℃のものを用い
ることができる。
【００３７】以下では、記録層１２が、基板１１側から
順に積層された第１の磁性体層２１、第２の磁性体層２
２および第３の磁性体層２３を含む光ディスクについ
て、図２を用いてその機能を説明する。
【００３８】図２（ａ）に、再生用レーザ光が照射され
ていないときの記録層１２の状態を模式的に示す。情報
信号は、第３の磁性体層２３に磁化情報として記録され
る。再生用レーザ光が照射されていない状態では、第１
の磁性体層２１、第２の磁性体層２２および第３の磁性
体層２３が交換結合しているため、第３の磁性体層２３
の磁化情報が第２の磁性体層２２および第１の磁性体層
２１に転写されている。
【００３９】再生用レーザ光を照射したときの記録層１
２の状態を、図２（ｂ）に模式的に示す。再生用レーザ
光は、光ディスクに対して矢印の方向に相対的に移動す
る。再生用レーザ光が照射されて各層の温度が上昇する
と、第２の磁性体層２２の一部に、温度がキュリー温度
以上となる部分２２ｐ（図中の斜線で表す）が生じる。
部分２２ｐでは、第１の磁性体層２１と第３の磁性体層
２３との交換結合が遮断される。このとき、温度に依存
する磁壁エネルギー密度の勾配によって、第１の磁性体
層２１の磁壁が移動する。このため、部分２２ｐに隣接
するする第１の磁性体層２１には、拡大された磁区２１
ａが存在する。そして、部分２２ｐの前方（基板１１に
対する再生用レーザ光の相対的な移動方向を前方とす
る。図２（ｂ）の矢印の方向である。）に位置する磁区
２２ａを介して、第３の磁性体層２３の磁区２３ａの情
報が拡大された磁区２１ａに転写されている。
【００４０】図２（ｂ）の状態から再生用レーザ光が前
方に移動すると、図２（ｃ）に示すように、磁区２２ａ
の温度が上昇して部分２２ｐとなる。このとき、部分２
２ｐの前方に位置する磁区２２ｂに隣接する磁区２１ｂ
の磁壁が移動する。そして、図２（ｄ）に示すように、
拡大された磁区２１ｂが形成される。そして、拡大され
た磁区２１ｂには、第２の磁性体層２２を介して磁区２
３ｂの情報が転写されている。
【００４１】このように、ＤＷＤＤ方式では、第３の磁
性体層２３に記録された情報が拡大されて第１の磁性体
層２１に転写される。したがって、ＤＷＤＤ方式では、
再生用レーザ光のスポット径よりも小さい磁区の情報を
再生することが可能となる。光ディスク１０では、ＤＷ
ＤＤ方式によって再生を行うことによって、特に高密度
に情報を記録・再生することが可能である。なお、この
ような微少な磁区への記録は、光パルス磁界変調記録な
どによって行うことができる。
【００４２】以上のように、実施形態１の光ディスク１
０によれば、記録密度が高く、短時間で初期化すること
ができる光ディスクが得られる。
【００４３】なお、本発明の光ディスクは、第２の誘電
体層１４と保護コート層１５との間に、記録層１２の感
度を調節するための熱伝導調整層をさらに備えてもよ
い。熱伝導調整層には、金属膜を用いることができ、た
とえば、アルミニウムや金からなる膜を用いることがで
きる。熱伝導調整層の厚さは、一般的には、５０ｎｍ〜
５００ｎｍ程度である。
【００４４】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
光ディスクの製造方法について一例を説明する。実施形
態２の製造方法は、基板側から入射される光を用いてＤ
ＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディスクの
製造方法である。なお、以下では、実施形態１で説明し
た光ディスク１０を製造する場合について説明する。ま
た、上記実施形態で説明した部分と同様の部分について
は、同一の符号を付して重複する説明を省略する（以下
の実施形態において同様である）。
【００４５】実施形態２の製造方法では、まず、基板１
１上に、第１の誘電体層１３と記録層１２と第２の誘電
体層１４とを、この順序で形成する（以下、この工程を
工程（ｉ）という場合がある）。これらの各層は、たと
えばマグネトロンスパッタ装置によるスパッタリング
法、蒸着法などによって連続的に形成できる。特に、記
録層１２を構成する複数の磁性体層は、真空を破ること
なく連続成膜することによって磁気的な交換結合を維持
させることができる。基板１１から第２の誘電体層１４
までの間に、上記層以外の層を形成してもよい。
【００４６】上記工程（ｉ）ののち、記録層１２に対し
て、第２の誘電体層１４側から波長λの初期化用レーザ
を照射することによって、記録層１２の一部の磁気的な
結合を弱める初期化を行う（以下、この工程を工程（i
i）という場合がある）。この初期化工程については、
後述する。
【００４７】なお、上記工程（ｉ）と工程（ii）との間
に、第２の誘電体層１４上に保護コート層１５を形成す
る工程を含んでもよい。また、保護コート層１５は、工
程（ii）ののちに行ってもよい。
【００４８】また、上記工程（ii）ののちに、第２の誘
電体層１４上に、実施形態１で説明した熱伝導調整層を
形成する工程をさらに含んでもよい。熱伝導調整層は、
スパッタリング法や蒸着法によって形成できる。この場
合には、熱伝導調整層を形成したのちに、保護コート層
１５を形成する。
【００４９】以下に、光ディスク１０の初期化工程（工
程（ii））について、一例を説明する。なお、以下で
は、屈折率が１．５８であるポリカーボネートからなる
基板１１と、Ｓｉ3Ｎ4からなる第１の誘電体層１３（厚
さ７０ｎｍ）と、Ｓｉ3Ｎ4からなる第２の誘電体層１４
（厚さ１３０ｎｍ）と、屈折率が１．６のアクリレート
系の紫外線硬化性樹脂からなる保護コート層１５（厚さ
２０μｍ）とを用いた光ディスク１０の初期化について
説明する。同様に、以下では、記録層１２が、図２に示
すように、基板１１側から順に積層された第１の磁性体
層２１、第２の磁性体層２２、および第３の磁性体層２
３とを含む光ディスク１０の初期化について説明する。
ここで、第１の磁性体層２１はＧｄＣｏ層（厚さ３０ｎ
ｍ）であり、第２の磁性体層２２はＤｙＦｅ層（厚さ１
０ｎｍ）であり、第３の磁性体層２３はＴｂＦｅＣｏ層
（厚さ４０ｎｍ）である。
【００５０】光ディスク１０の初期化に用いる初期化装
置の一例として、初期化装置３０の構成を図３に模式的
に示す。図３を参照して、初期化装置３０は、アニール
用のレーザ光源３１と、ビームスプリッタ３２と、フォ
ーカス検出器３３と、対物レンズ３４（ＮＡ＝０．８
５）と、フォーカスアクチュエータ３５とを備える。な
お、図３では、第１の誘電体層１３と記録層１２と第２
の誘電体層１４とをまとめて、記録再生層３６としてい
る。なお、図３では理解を容易にするために保護コート
層１５の図示を省略しているが、記録再生層３６上に
は、保護コート層１５が形成されている。
【００５１】図３の光ディスク１０は、クロックピット
３７と、ウォブルピット３８とを備える。記録再生層３
６の一部は、記録トラック３９となる。記録・再生に用
いるレーザ光の波長は、６００ｎｍ〜６８０ｎｍの範囲
内である。記録・再生用のレーザ光のレーザスポットの
直径は、約０．６５μｍ〜０．７５μｍの範囲内であ
る。記録トラックのトラックピッチは、０．６μｍ〜
０．７μｍの範囲内である。記録・再生に用いるレーザ
光に対する記録トラック３９の反射率ＲRとミラー部
（すなわち、隣接する２つの記録トラックの間の領域）
の反射率ＲMとは、０．９５＜ＲR／ＲM≦１．０を満た
す。
【００５２】レーザ光源３１から射出されたアニール用
のレーザ光Ｌ１（波長６５０ｎｍ）は、ビームスプリッ
タ３２を通過して、対物レンズ３４で絞られてレーザス
ポットＳ１を形成する。初期化装置３０では、保護コー
ト層１５の厚さに対応したＮＡ０．８５の対物レンズ３
４を使用しているため、レーザスポットＳ１は従来のも
のより小さくなり、その直径は３８０ｎｍとなる。レー
ザスポットＳ１から反射した光は、対物レンズ３４とビ
ームスプリッタ３２とを介してフォーカス検出器３３で
検出される。この検出信号に基づいてフォーカスアクチ
ュエータ３５が駆動され、レーザスポットＳ１の直径が
大きく変化しないように制御される。
【００５３】光ディスク１０の初期化は、径方向に隣接
する２つの記録トラック３９の間を、レーザ光Ｌ１を照
射してアニールすることによって行われる。すなわち、
レーザスポットＳ１が、隣接する２つの記録トラックの
中央を走査するように、レーザ光Ｌ１を制御する。換言
すれば、レーザスポットＳ１は、記録トラックの中心か
ら径方向にトラックピッチの２分の１だけ離れた線上を
走査する。このとき、レーザスポットＳ１は、光ディス
ク１０の回転駆動機構（図示せず）と、レーザスポット
Ｓ１を光ディスクの半径方向に移動させる機構（図示せ
ず）とを用いて、光ディスク１０の記録再生層３６に対
して適切な線速度で移動させる。このようにして、レー
ザ光Ｌ１を照射することによって、アニール領域１００
を形成する初期化が行われる。アニール領域１００で
は、第１の磁性体層２１と第２の磁性体層２２と第３の
磁性体層２３とが昇温されてその磁化の様子が周辺とは
異なり、磁気結合が遮断された状態となる。レーザ光源
３１の出射レーザパワーが５０ｍＷの場合、２０ｍ／ｓ
ｅｃの線速度で、アニール領域１００の幅を０．１８μ
ｍにすることができた。これは、初期化に使用したレー
ザ光Ｌ１の波長が従来例で説明したアニール用レーザ光
の波長よりも短いこと、使用した対物レンズ３４のＮＡ
が従来例で説明したものよりも大きいこと、および、第
２の誘電体層１４の厚さをレーザ光Ｌ１の吸収が最も大
きくなるように設定したことによる。
【００５４】なお、図３では、サンプルサーボトラッキ
ング方式の光ディスクの一例を示したが、本発明の光デ
ィスクはこれに限定されない（他の実施形態においても
同様である）。たとえば、図４に示すように、ランド４
１とグルーブ４２の両方が記録トラックとなる光ディス
クでもよい。この場合には、ランド４１とグルーブ４２
との段差部にアニール領域１１０を形成すればよい。ま
た、図５に示すように、幅が狭いランド５１と幅が広い
グルーブ５２とを備え、グルーブ５２が記録トラックと
なる光ディスクでもよい。この場合には、ランド５１に
アニール領域１２０を形成すればよい。また、図５とは
逆に、幅が広いランドと幅が狭いグルーブとを備え、ラ
ンドが記録トラックとなる光ディスクでもよい。
【００５５】また、実施形態２では、第２の誘電体層１
４の材料として、屈折率が２．０のＳｉ3Ｎ4を用いる例
を示したが、第２の誘電体層１４の材料として、屈折率
が２．６のＺｎＳｅや屈折率が２．２のＺｎＳを用いて
もよい（他の実施形態においても同様である）。この場
合には、比較的薄い第２の誘電体層１４でも初期化用の
レーザ光を効率よく利用できるため、第２の誘電体層１
４の成膜時間を短縮できるという利点がある。また、初
期化用レーザ光の波長における第２の誘電体層１４の複
素屈折率の虚数部を０．１より小さくすることによっ
て、初期化する時のエネルギーロスを小さくすることが
でき、より小さいパワーまたはより少ない時間で初期化
を行うことができる。また、第２の誘電体層１４におけ
る初期化用レーザ光の透過率を９０％以上とすることに
よって、より小さいパワーまたはより少ない時間で初期
化を行うことができる。
【００５６】また、実施形態２では、保護コート層１５
が屈折率１．６のアクリレート系樹脂からなり、基板１
１が屈折率１．５８であるポリカーボネートからなる場
合について説明したが、保護コート層１５の屈折率は、
基板１１と同程度またはそれ以下であっても本発明の効
果が得られる（他の実施形態においても同様である）。
【００５７】また、実施形態２では、保護コート層１５
を形成した後に、レーザ光Ｌ１による初期化を実施した
例を中心に説明したが、保護コート層１５を形成する前
に初期化を実施することも可能である（他の実施形態に
おいても同様である）。この場合には対物レンズ３４に
より大きなＮＡを有するものを採用することが可能であ
り、たとえばＮＡ０．９程度のレンズを用いることがで
きる。その結果、レーザスポットＳ１をより小さくする
ことができ、記録密度をさらに向上させることができ
る。
【００５８】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
光ディスクの製造方法について他の一例を説明する。実
施形態３の製造方法は、実施形態２の製造方法と、初期
化の工程（工程（ii））のみが異なるため、重複する説
明は省略する。
【００５９】以下に、実施形態３における初期化の方法
について説明する。実施形態３の製造方法で用いる初期
化装置６０の構成を、図６に模式的に示す。
【００６０】図６を参照して、初期化装置６０は、アニ
ール用のレーザ光源３１と、ビームスプリッタ３２、６
２および６５と、フォーカス検出器３３と、対物レンズ
３４と、フォーカスアクチュエータ３５と、トラッキン
グサーボ用のレーザ光源６１と、光検出器６３と、トラ
ッキングアクチュエータ６４とを備える。なお、図６で
は、図３と同様に、保護コート層１５の図示を省略して
いる。
【００６１】次に、図６を用いて、その動作を説明す
る。レーザ光源６１から射出されたレーザ光Ｌ２は、ビ
ームスプリッタ６２とビームスプリッタ３２とを通過
し、対物レンズ３４で集光されてレーザスポットＳ２を
形成する。同時に、初期化用のレーザ光源３１から射出
されたレーザ光Ｌ１は、ビームスプリッタ６２とビーム
スプリッタ３２とを通過して、対物レンズ３４で集光さ
れてレーザスポットＳ１を形成する。レーザスポットＳ
１の中心とレーザスポットＳ２の中心との距離は、ほぼ
記録トラック３９のピッチの半分となるように設定され
る。また、レーザスポットＳ１およびＳ２の中心を結ぶ
線が、記録トラック３９の長手方向に垂直な方向になる
ように設定される。
【００６２】レーザスポットＳ２から反射した光は、対
物レンズ３４を経てビームスプリッタ３２に入り、ビー
ムスプリッタ６５の方向にその光路を曲げて光検出器６
３に入る。光検出器６３からの信号に適切なウインドウ
ゲートを設けてサンプリングサーボ信号を得て、トラッ
キングアクチュエータ６４に送って、レーザスポットＳ
２が記録トラック３９上を走査するように調整する。
【００６３】レーザスポットＳ１からの反射光は対物レ
ンズ３４を経てビームスプリッタ３２に入り、ビームス
プリッタ６５の方向にその光路を曲げてフォーカス検出
器３３に入る。フォーカス検出器３３からの信号をフォ
ーカスアクチュエータ３５に送って、フォーカスアクチ
ュエータ３５を動作させてレーザスポットＳ１の径が大
きく変化しないように制御する。
【００６４】光ディスクの回転駆動機構（図示せず）
と、レーザスポットＳ１およびＳ２を光ディスクの半径
方向に移動する機構（図示せず）とを用いて、レーザス
ポットＳ１と光ディスクとを適切な線速度と送りで移動
させると、隣接する記録トラック３９の間にアニール領
域１３０を作り出すことができる。アニール領域１３０
では第１の磁性体層２１と第２の磁性体層２２と第３の
磁性体層２３とが昇温され、その磁化の様子が周辺とは
異なるものとなり、磁気結合が遮断された状態となる。
【００６５】実施形態３の製造方法の場合、レーザスポ
ットＳ２によってトラッキングサーボが可能となるた
め、簡単な機構で光ディスクを半径方向に移動すること
ができる。
【００６６】また、光ディスクのアドレスなどを読み込
んでアニール処理ができるため、実施形態４に示すよう
な加熱や温度測定が可能となる。
【００６７】なお、実施形態３ではサンプルサーボトラ
ッキング方式の光ディスクの製造方法について説明した
が、実施形態２で説明した図４または図５に示す光ディ
スクも同様に製造できる。
【００６８】なお、実施形態３の製造方法では、レーザ
スポットＳ１の走査直前の記録再生層３６を加熱しても
よい（他の実施形態においても同様である）。そのよう
な加熱は、たとえば、赤外線の照射による加熱、電磁誘
導加熱、マイクロ波加熱、またはレーザ加熱などによっ
て行うことができる。赤外線の照射によって加熱を行う
場合について、初期化装置の一部を図７に模式的に示
す。
【００６９】図７において、光ディスクの記録再生層３
６は、対物レンズ３４に対して矢印の方向に相対的に移
動する。図７の初期化装置は、図６の初期化装置に加え
て、さらに赤外線照射装置７１を備える。赤外線照射装
置７１は、レーザ光Ｌ１の走査直前の位置に配置されて
いる。
【００７０】図７の初期化装置を用いた製造方法では、
レーザスポットＳ１の走査直前の箇所に赤外線照射装置
７１から赤外線を照射することによって記録再生層３６
の温度を事前に高め、その後、レーザスポットＳ１を用
いたアニール処理によって初期化を実施する。この赤外
線照射によって記録再生層３６の温度を約１００℃に高
めることが可能であり、初期化に要する時間を約２割短
縮することが可能であった。また、１００℃に維持され
た恒温庫に光ディスクを保存後、光ディスクの温度が保
たれた状態で、上述した赤外線照射とレーザスポットＳ
１の走査とを行うことによって、初期化に要する時間を
さらに１割程度短縮することができた。
【００７１】（実施形態４）実施形態４では、本発明の
光ディスクの製造方法についてその他の一例を説明す
る。なお、実施形態４の製造方法は、実施形態２で説明
した製造方法と比べて初期化工程（工程（ii））のみが
異なるため、重複する説明を省略する。
【００７２】図８に、実施形態４で用いる初期化装置８
０の構成の一部を模式的に示す。初期化装置８０は、図
６に示した初期化装置６０の構成に加えて、第１の再生
用のレーザ光源８１、記録用の第１の磁気ヘッド８２、
対物レンズ８３、ビームスプリッタ８４、光検出器８
５、第２の再生用のレーザ光源９１、記録用の第２の磁
気ヘッド９２、対物レンズ９３、ビームスプリッタ９
４、光検出器９５、作動増幅器９６、および赤外線セン
サ９７を備える。
【００７３】次に、初期化装置８０の動作について図８
を用いて説明する。光ディスクは、レーザスポットＳ１
に対して、矢印の方向に相対的に移動する。図８には図
示していないが図３に示したようなフォーカス制御系に
よってレーザスポットＳ１はフォーカス制御されてお
り、図６に示したようなトラッキング制御系によってト
ラッキング制御が行われている。
【００７４】レーザスポットＳ１の走査直前の箇所の温
度を測定するために、赤外線センサ９７をレーザスポッ
トＳ１の走査直前の箇所に設置する。この赤外線センサ
９７から出力される温度に関する信号を、信号ケーブル
９８によってレーザ光源３１にフィードバックしてレー
ザ光源３１の出力を制御する。この方式を採用すること
によって、たとえばアニール領域の幅の均一性を向上さ
せ、情報の記録再生時における再生信号のレベルの安定
度を向上させ、再生時のノイズレベルを低減することが
可能になる。
【００７５】あるいは、レーザ光源８１から出射された
レーザ光を、ビームスプリッタ８４と対物レンズ８３と
を介して、基板１１側から記録再生層３６に照射してト
ラック制御とフォーカス制御を行い、第１の磁気ヘッド
８２を用いて単一周波数の矩形波型磁界を印可して記録
し、その際の再生信号レベルを光検出器８５にて検出し
てもよい。記録再生層３６はその温度に応じて光磁気信
号が変化するため、この特性を利用してレーザ光の照射
点の温度に相当する信号を得て、信号ケーブル９９によ
ってレーザ光源３１にフィードバックすることができ
る。この場合には、レーザスポットＳ１の走査直前の微
細箇所に関する温度に相当する信号が得られ、アニール
領域の幅の均一性をさらに向上させ、再生信号のレベル
の高周波領域での安定度を向上させ、高周波領域の再生
時ノイズレベルを低減することが可能である。
【００７６】また、図７に示した赤外線照射装置７１の
ような加熱装置が存在する場合には、レーザ光源９１か
ら出射されたレーザ光を、ビームスプリッタ９４と対物
レンズ９３とを介して、基板１１側から記録再生層３６
の加熱装置の影響が少ない箇所に照射してトラック制御
とフォーカス制御を行い、第２の磁気ヘッド９２によっ
て単一周波数の矩形波型信号を記録して、その際の信号
レベルを光検出器９５で検出することによって、レーザ
光照射部分の記録再生層３６の温度に相当する信号を得
る。そして、光検出器９５からの信号と光検出器８５か
らの信号との差分を作動増幅器９６を用いて増幅し、得
られた信号をレーザ光源３１にフィードバックしてもよ
い。この方法を採用すると、加熱装置がある場合でも安
定した幅のアニール領域を得ることができ、大きな再生
Ｓ／Ｎが得られる。
【００７７】なお、実施形態４では、温度測定の方法と
して赤外線センサ９７や光磁気信号から温度相当信号を
得る方法を採用したが、他の方法で温度を測定してもよ
い。
【００７８】（実施形態５）実施形態５では、本発明の
光ディスクおよびその製造方法について他の一例を説明
する。実施形態５の光ディスクは、実施形態１の光ディ
スクと比べて記録トラックの形態のみが異なるため、重
複する説明は省略する。また、実施形態５の製造方法
は、実施形態２の製造方法と比べて、初期化の工程（工
程（ii））のみが異なるため、重複する説明は省略す
る。実施の形態５の光ディスク１０ａについて、要部を
拡大した一部分解斜視図を図９に示す。なお、図９にお
いては一部のハッチングを省略する。
【００７９】図９を参照して、光ディスク１０ａは、円
盤状の基板１１と、基板１１の上方に配置された記録層
１２と、基板１１と記録層１２との間に配置された第１
の誘電体層１３と、記録層１２に対して基板１１とは反
対側に配置された第２の誘電体層１４と、第２の誘電体
層１４上に配置された保護コート層（図示せず）とを備
える。
【００８０】光ディスク１０ａでは、ディスクの周方向
に、データ領域１０７とピット領域１０８とが交互に配
置されている。データ領域１０７には、径方向に、グル
ーブ（溝）１０２とランド１０３とが交互に配置されて
いる。グルーブ１０２は、基板１１の記録再生領域に、
同心円状またはスパイラル状に配置されている。ランド
１０３は、隣接する２つの溝（グルーブ１０２）の間の
部分（溝間部）である。グループ１０２は、記録トラッ
クとなる部分である。記録トラックは、記録・再生に用
いるレーザ光よりも波長が短い（たとえば、０．５μｍ
〜０．６μｍの範囲内）レーザ光のレーザスポットをラ
ンド（溝間部）１０３に照射することによって隣接する
記録トラックと磁気的に遮断されている。ここで、グル
ーブ１０２の反射率ＲGと、ランド１０３の反射率ＲLと
は、０．９５＜ＲG／ＲL≦１．０の関係を満たす。
【００８１】ピット領域１０８には、アドレスピット１
０６と、ウォブルピット３８１および３８２とが形成さ
れている。ウォブルピット３８１および３８２は、サン
プルサーボ方式でトラッキング制御を行うためのサンプ
ルサーボピットである。記録・再生に用いるレーザ光
は、波長が６００ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内であり、レ
ーザスポットの直径が約０．６５μｍ〜０．７５μｍの
範囲内である。記録トラックのトラックピッチは、０．
５μｍ〜０．６μｍの範囲内であり、記録再生に用いる
レーザ光のレーザスポットの直径よりも小さい。ランド
１０３の幅は、トラックピッチの２５％〜４５％の範囲
内である（ここで、トラックピッチは、グルーブ１０２
の幅とランド１０３の幅との合計に等しい）。光ディス
ク１０ａのその他の特徴に関しては、実施形態１に記載
の光ディスク１０と同様である。たとえば、第２の誘電
体層１４の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上でλ／（２×
ｎ）以下（ただし、ｎは第２の誘電体層１４の屈折率で
あり、λは初期化用レーザ光の波長である）である。
【００８２】実施形態５の光ディスクの製造方法につい
て一例を説明する。
【００８３】まず、実施形態２と同様に、基板１１上
に、第１の誘電体層１３と記録層１２と第２の誘電体層
１４とを、この順序で形成する（工程（ｉ））。
【００８４】上記工程（ｉ）ののち、記録層１２に対し
て第２の誘電体層１４側から波長λの初期化用レーザを
照射することによって、記録層１２の一部の磁気的な結
合を弱める初期化を行う。初期化装置３０は、実施形態
２で説明したものと同様のものを用いることができる。
ただし、実施形態５の製造方法では、波長λが４００ｎ
ｍ〜４４０ｎｍの範囲内である青紫色レーザを射出する
レーザ光源３１を用いる。また、ビームスプリッタ３
２、フォーカス検出器３３、対物レンズ３４（ＮＡ＝
０．８５）と、フォーカスアクチュエータ３５は、青紫
色レーザ用に調整されたものを使用する。
【００８５】以下、図３を参照しながら初期化の工程に
ついて説明する。なお、以下の説明では、初期化用（ア
ニール用）のレーザ光の波長が４００ｎｍである場合を
例にして説明する。レーザ光源３１から射出されたアニ
ール用のレーザ光Ｌ１（波長が４００ｎｍ）は、ビーム
スプリッタ３２を通過して、対物レンズ３４で絞られて
レーザスポットＳ１を形成する。初期化装置３０では、
保護コート層１５の厚さに対応したＮＡ０．８５の対物
レンズ３４を使用しているため、レーザスポットＳ１は
従来のものより小さくなり、その直径は約２４０ｎｍ程
度となる。レーザスポットＳ１から反射した光は、対物
レンズ３４とビームスプリッタ３２とを介してフォーカ
ス検出器３３で検出される。この検出信号に基づいてフ
ォーカスアクチュエータ３５が駆動され、レーザスポッ
トＳ１の直径が大きく変化しないように制御される。
【００８６】光ディスク１０の初期化は、ランド１０３
上にレーザ光Ｌ１を照射してアニールすることによって
行われる。すなわち、レーザスポットＳ１が、ランド１
０３の中央を走査するように、たとえばプッシュプルト
ラッキング制御方法などを利用してレーザ光Ｌ１の位置
を制御する。このとき、光ディスク１０の回転駆動機構
（図示せず）と、レーザスポットＳ１を光ディスクの径
方向に移動させる機構（図示せず）とを用いて、光ディ
スク１０の記録再生層３６に対して適切な線速度でレー
ザスポットＳ１を移動させる。レーザ光Ｌ１が照射され
たランド１０３では、第１の磁性体層２１と第２の磁性
体層２２と第３の磁性体層２３とが昇温されて、その磁
化の様子が周辺とは異なり、磁気結合が遮断された状態
となる。このようにして、レーザ光Ｌ１をランド１０３
上に照射することによってランド１０３の初期化が行わ
れる。レーザ光源３１の出射レーザパワーが６ｍＷの場
合、３ｍ／ｓｅｃの線速度で、ランド１０３内のアニー
ル領域（初期化領域）の幅を約０．２μｍ以下にするこ
とができた。これは、青紫色レーザを初期化に使用した
こと、使用した対物レンズ３４のＮＡが従来例で説明し
たものよりも大きいこと、レーザ光Ｌ１の反射を小さく
してレーザ光Ｌ１の吸収量が大きくなるように第２の誘
電体層１４の厚さを設定したこと、および、凸部形状の
ランド１０３部に光スポットを照射することにより光が
凸部に吸収され実質的に狭いアニール幅が実現できたこ
とによるものである。
【００８７】（実施形態６）実施形態６では、本発明の
光ディスクのその他の一例について説明する。なお、上
記実施形態で説明した部分と同様の部分については重複
する説明を省略する。
【００８８】実施形態６の光ディスクは、基板と基板の
上方に配置された記録層とを備え、基板側から入射され
る光を用いてＤＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行
う光ディスクである。
【００８９】具体的には、実施形態１の光ディスクと同
様に、基板１１と、基板１１の上方に配置された記録層
１２と、基板１１と記録層１２との間に配置された第１
の誘電体層１３と、記録層１２に対して基板１１とは反
対側に配置された第２の誘電体層１４と、第２の誘電体
層１４上に配置された保護コート層１５とを備える。
【００９０】実施形態６の光ディスクでは、第２の誘電
体層の厚さに限定はないが、実施形態１と同様の厚さに
設定することが好ましい。
【００９１】そして、実施形態６の光ディスクは、基板
に、サンプルサーボ方式でトラッキング制御を行うため
のサンプルサーボピットが形成されており、基板の記録
再生領域には、同心円状またはスパイラル状に記録トラ
ックが形成されている。そして、実施形態６の光ディス
クでは、記録・再生に用いるレーザ光は、波長が６００
ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内であり、レーザスポットの直
径が約０．６５μｍ〜０．７５μｍの範囲内である。ま
た、記録トラックのトラックピッチは、０．５μｍ〜
０．６μｍの範囲内であり、記録再生に用いるレーザ光
のレーザスポットの直径よりも小さい。また、記録トラ
ックは、記録・再生に用いるレーザ光よりも波長が短い
レーザスポットを走査することによって、隣接する記録
トラックと磁気的に遮断されている。そして、記録・再
生に用いるレーザ光に対する記録トラックの反射率ＲR
とミラー部（すなわち、隣接する２つの記録トラックの
間の領域）の反射率ＲMとは、０．９５＜ＲR／ＲM≦
１．０を満たす。
【００９２】以上、本発明の実施形態について例を挙げ
て説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本
発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用すること
ができる。
【００９３】
【発明の効果】以上のように、本発明の光ディスクおよ
びその製造方法では、記録トラック間のアニール領域の
幅を小さくでき、しかもアニール領域の幅の均一性を高
くできる。このため、本発明の光ディスクによれば、記
録密度が高く、信号レベルが大きく、ノイズが低い光デ
ィスクが得られる。しかも、アニールする際の走査の速
度を早めることができるため、短時間で初期化が可能で
あり、生産性が格段に向上するという顕著な効果が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光ディスクについて一例を示す一部
断面図である。
【図２】 本発明の光ディスクの機能を示す模式図であ
る。
【図３】 本発明の光ディスクの製造方法について一工
程の一例を模式的に示す斜視図である。
【図４】 本発明の光ディスクの製造方法によって製造
される光ディスクについて一例の構造を模式的に示す斜
視図である。
【図５】 本発明の光ディスクの製造方法によって製造
される光ディスクについて他の一例の構造を模式的に示
す斜視図である。
【図６】 本発明の光ディスクの製造方法について一工
程の他の一例を模式的に示す斜視図である。
【図７】 本発明の光ディスクの製造方法について一工
程のその他の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】 本発明の光ディスクの製造方法について一工
程のその他の一例を模式的に示す斜視図である。
【図９】 本発明の光ディスクについて他の一例を示す
一部分解斜視図である。
【図１０】 従来の光ディスクの製造方法について一例
を示す断面図である。
【符号の説明】
１０、１０ａ 光ディスク １１ 基板 １２ 記録層 １３ 第１の誘電体層 １４ 第２の誘電体層 １５ 保護コート層 ２１ 第１の磁性体層 ２２ 第２の磁性体層 ２３ 第３の磁性体層 ３０、６０、８０ 初期化装置 ３１、６１、８１、９１ レーザ光源 ３４、８３、９３ 対物レンズ ３６ 記録再生層 ３９ 記録トラック ４１、５１ ランド ４２、５２ グルーブ ７１ 赤外線照射装置 １００、１１０、１２０、１３０ アニール領域 １０２ グルーブ（溝） １０３ ランド（溝間部） １０６ アドレスピット １０７ データ領域 １０８ ピット領域 ３８１、３８２ ウォブルピット（サンプルサーボピッ
ト） Ｌ１、Ｌ２ レーザ光 Ｓ１、Ｓ２ レーザスポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｄ ５２１Ｅ ５２１Ｆ ５２１Ｇ ５３１ ５３１Ａ ５３１Ｄ ５３１Ｋ ５３１Ｖ ５４６ ５４６Ｃ (72)発明者 村上 元良 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮武 範夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 CC11 FF12 FG04 GG16

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と前記基板の上方に配置された記録
    層とを備え、前記基板側から入射される光を用いてＤＷ
    ＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディスクであ
    って、 前記基板と前記記録層との間に配置された第１の誘電体
    層と、前記記録層に対して前記基板とは反対側に配置さ
    れた第２の誘電体層とを備え、 前記記録層が前記第２の誘電体層側から入射される波長
    λの光を用いて初期化された層であり、 前記第２の誘電体層の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上λ
    ／（２×ｎ）以下（ただし、ｎは第２の誘電体層の屈折
    率）であることを特徴とする光ディスク。
  2. 【請求項２】 前記第２の誘電体層は、窒化シリコンか
    らなり且つ厚さが４０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内であり、 前記波長λが４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内である請
    求項１に記載の光ディスク。
  3. 【請求項３】 前記第２の誘電体層は、窒化シリコンか
    らなり且つ厚さが２５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であり、 前記波長λが４００ｎｍ〜４４０ｎｍの範囲内である請
    求項１に記載の光ディスク。
  4. 【請求項４】 前記第２の誘電体層の屈折率が、前記第
    １の誘電体層の屈折率よりも大きい請求項１に記載の光
    ディスク。
  5. 【請求項５】 前記記録層の感度を調整するために前記
    第２の誘電体層上に配置された熱伝導調整層をさらに備
    える請求項１に記載の光ディスク。
  6. 【請求項６】 前記第２の誘電体層に対して前記基板と
    は反対側に形成された保護コート層をさらに備え、 前記保護コート層が前記基板よりも薄い請求項１ないし
    ５のいずれかに記載の光ディスク。
  7. 【請求項７】 前記基板の前記記録層側の表面に段差が
    形成されており、前記記録層の記録トラックが前記段差
    によって磁気的に分離されている請求項１ないし６のい
    ずれかに記載の光ディスク。
  8. 【請求項８】 基板と前記基板の上方に配置された記録
    層とを備え、前記基板側から入射される光を用いてＤＷ
    ＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディスクの製
    造方法であって、 （ｉ）前記基板上に、第１の誘電体層と前記記録層と第
    ２の誘電体層とをこの順序で形成する工程と、 （ii）前記記録層に対して前記第２の誘電体層側から初
    期化用レーザ光を照射することによって、前記記録層の
    一部の磁気的な結合を減少させる初期化を行う工程とを
    含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記初期化用レーザ光の波長がλであ
    り、 前記第２の誘電体層の厚さが、λ／（１２×ｎ）以上λ
    ／（２×ｎ）以下（ただし、ｎは第２の誘電体層の屈折
    率）である請求項８に記載の光ディスクの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記初期化用レーザ光が、開口数が
    ０．６５以上の対物レンズで集光されたレーザ光である
    請求項８または９に記載の光ディスクの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記（ii）の工程の際に、前記記録層
    にトラッキングサーボ用レーザ光を照射してトラッキン
    グサーボを行う請求項８ないし１０のいずれかに記載の
    光ディスクの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記初期化用レーザ光の波長が、前記
    トラッキングサーボ用レーザ光の波長よりも短い請求項
    １１に記載の光ディスクの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記（ii）の工程ののちに、 前記第２の誘電体層上に、前記記録層の感度を調整する
    ための熱伝導調整層を形成する工程をさらに含む請求項
    ８ないし１２のいずれかに記載の光ディスクの製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 基板と前記基板の上方に配置された記
    録層とを備え、前記基板側から入射される光を用いてＤ
    ＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディスクで
    あって、 前記基板には、サンプルサーボ方式でトラッキング制御
    を行うためのサンプルサーボピットが形成されており、 前記基板の記録再生領域には、記録トラックとなる溝が
    同心円状またはスパイラル状に形成されており、 前記記録トラックのトラックピッチが０．５μｍ〜０．
    ６μｍの範囲内であり、 前記記録トラックは、波長λが４００ｎｍ〜４４０ｎｍ
    の範囲内であるレーザ光のレーザスポットを溝間部に走
    査することによって、隣接する記録トラックと磁気的に
    遮断されていることを特徴とする光ディスク。
  15. 【請求項１５】 前記基板と前記記録層との間に配置さ
    れた第１の誘電体層と、前記記録層に対して前記基板と
    は反対側に配置された第２の誘電体層とを備え、 前記記録トラックは、前記第２の誘電体層側からレーザ
    光を照射することによって隣接する記録トラックと磁気
    的に遮断されている請求項１４に記載の光ディスク。
  16. 【請求項１６】 前記第２の誘電体層の厚さが、λ／
    （１２×ｎ）以上λ／（２×ｎ）以下（ただし、ｎは第
    ２の誘電体層の屈折率である）である請求項１５に記載
    の光ディスク。
  17. 【請求項１７】 前記溝の部分の反射率ＲGと、前記溝
    間部の反射率ＲLとが、０．９５＜ＲG／ＲL≦１．０を
    満たす請求項１４ないし１６のいずれかに記載の光ディ
    スク。
  18. 【請求項１８】 基板と前記基板の上方に配置された記
    録層とを備え、前記基板側から入射される光を用いてＤ
    ＷＤＤ方式によって情報信号の再生を行う光ディスクで
    あって、 前記基板には、サンプルサーボ方式でトラッキング制御
    を行うためのサンプルサーボピットが形成されており、 前記基板の記録再生領域には、同心円状またはスパイラ
    ル状に記録トラックが形成されており、 前記記録トラックのトラックピッチが０．５μｍ〜０．
    ６μｍの範囲内であり、 前記記録トラックは、波長λが４００ｎｍ〜４４０ｎｍ
    の範囲内であるレーザ光のレーザスポットを走査するこ
    とによって、隣接する記録トラックと磁気的に遮断され
    ており、 前記記録トラックの反射率ＲRと、隣接する記録トラッ
    クの間の領域の反射率ＲMとが０．９５＜ＲR／ＲM≦
    １．０を満たすことを特徴とする光ディスク。
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