JP3398766B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録方法に関する。 【０００２】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、書き換えが可能という点で文書情報ファイル、
ビデオ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への
利用が有望視されている。光磁気記録媒体を磁気ディス
クと同等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とす
るためには、いくつかの技術的課題があり、その中の主
要なものの１つに、オーバーライト技術がある。 【０００３】現在市販されている光磁気記録媒体は情報
を書き換えるのに元の情報をあらかじめ消去し、その後
に新しい情報を書き込むという工程を踏む必要があり、
この消去操作が時間的なロスとなっている。この欠点を
解消するのが、オーバーライト技術である。これまで提
案されているオーバーライト技術は、記録の方法により
磁界変調方式と光変調方式（マルチビーム方式、２層膜
方式、等）に大別される。 【０００４】磁界変調方式は光の強度を一定に保ち記録
情報に応じて印加磁界の極性を反転させて記録を行う方
式である。この方式では、磁界の反転を高速で行うため
に、浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の対応が検討さ
れているが、媒体交換が困難となる問題があり、それと
ともに光磁気記録媒体の片側の面のみしか使用できず、
記録容量が半減するなどの不具合がある。 【０００５】一方、光変調方式は印加磁界を一定に保ち
記録情報に応じて照射レーザーをオン・オフあるいは強
度変調させて記録を行う方式である。光変調方式のうち
マルチビーム方式は、２〜３個のレーザーを用い、磁界
の方向を光磁気記録媒体が１回転する毎に反転させて記
録／消去を行う擬似オーバーライト方式であるが、装置
構成が複雑化し、コストアップを招くなどの欠点を有し
ている。また、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を
２層膜とし、オーバーライトを達成するもので、例えば
特開昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。
同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
る記録層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層とを備えた光磁
気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界の印加
と、パワーの異なるレーザーの照射によりオーバーライ
トを実現しようとするものである。すなわち、この方式
では、記録に先立ち予め４ＫＯｅ程度の初期化用磁界に
より補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザーを照
射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、記録用磁界（初期化用
磁界と反対方向）に印加して補助層の磁化を反転させ、
媒体が冷却される際にその磁化を記録層に転写させるこ
とにより記録を行い、また、低出力レーザーを照射して
媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1は記録層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、補助層の磁化方向を記
録層に転写させることにより消去を行う。しかしなが
ら、この方式は高速性の点で有利であるが、書き込み時
のレーザーパワーが高く、またオーバーライトに先立っ
て行なう初期化の過程で非常に大きな磁界を付与しなけ
ればならないという問題があった。 【０００６】上記に示したように光磁気記録のオーバー
ライト方式としていくつかの方式の提案がなされている
が、いずれも長所ばかりでなく短所も合わせ持ってお
り、実用化のためにはいくつのブレークスルーを重ねな
ければならないと言われている。 【０００７】一方、反磁界を利用したオーバーライト方
式が、前記方式と同様に提案されている。この方式は、
一定外部磁界のもとで信号記録に際しては従来通りのレ
ーザー照射により磁区を形成し、信号消去に際しては記
録磁区の直上にレーザー照射することにより記録磁区の
消去を行うことを特徴とするダイレクトオーバーライト
方式〔Han-Ping; Appl. Phys. Lett. 49, p8(1986)〕で
ある。これは光変調方式の一種であるが、使用する記録
媒体は単層構造であり、二層記録媒体と比べて低パワー
で書き込める可能性が高く、また初期化用の磁界を用意
する必要もないため注目されている。 【０００８】しかし、この方式においてはレーザー照射
条件の違いによる反磁界エネルギー、磁壁エネルギー、
ゼーマンエネルギーの磁壁位置での大きさの差を利用し
て磁区の生成、消滅を制御しているために、磁性膜特
性、外部磁界、あるいはレーザー照射条件のばらつきに
より、磁区の大きさが変化しやすく、また消去時に磁区
消し残りが生じやすい。 【０００９】本発明は、従来技術におけるこれらの問題
を解決し、磁区の形状のばらつき、消し残りを防ぎ、確
実な記録、消去を行なうことができるオーバーライト可
能な光磁気記録方法を提供することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す単層
の磁性膜により形成された記録層を有する光磁気記録媒
体に対し、一定外部磁界のもとで、レーザー光の照射条
件を変化させることにより情報の重ね書きを行なう光磁
気記録方法において、情報記録後の記録信号領域に対
し、集光された強度の等しいレーザーパルスを連続的に
照射することを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。本発明において、上記記録信号領域とは、光磁気記
録媒体における記録信号としての磁区を形成する部分で
あり、具体的には、例えば光磁気ディスクの、あるセク
タ内のデータフィールドを指す。 【００１１】以下本発明の光磁気記録方法を詳細に説明
する。本発明においては、情報記録後の記録信号領域
（磁区）に対し、集光された強度の等しいレーザーパル
スを連続的に照射することによって情報記録後の記録磁
区の形状を均一化するとともに、情報記録時の消し残り
磁区を除去することを特徴としている。ここで言う「情
報記録」とは反磁界を利用したダイレクトオーバーライ
ト方式、あるいは磁壁移動タイプダイレクトオーバーラ
イト方式などと一般的に呼ばれるものであり、また「情
報記録後」とは情報記録の行なわれた後であればいつで
もよく、情報記録時からの時間的な制約はない。そのた
め情報記録用の光ヘッドに近接して上記レーザーパルス
を発生するための光源を設ける必要はない。情報記録後
のレーザーパルスの照射条件は外部磁界の大きさ等にも
よるが、通常、強度３〜２０ｍＷ、パルス幅５〜２００
ｎｓｅｃ、照射間隔０．３〜１．０μｍが好ましい。 【００１２】図１及び図２はダイレクトオーバーライト
方式において生じやすい消し残り現象を説明するための
模式図である。図１（ａ）に示す２種類のレーザーパル
ス列Ａ、Ａ’を光磁気記録媒体に照射することにより図
１（ｂ）に示す磁区列１が得られるが、この磁区列１の
上に図２（ａ）に示すレーザーパルス列を照射してダイ
レクトオーバーライトを実施する際に、本来図２（ｂ）
のように形成されるべき磁区列１が図２（ｃ）あるいは
図２（ｄ）に示される消し残り磁区２を含んだものとな
る現象が往々に見られる。 【００１３】本発明者らは、これらの消し残り磁区現象
をなくす手法を種々検討した結果、情報記録後の記録信
号領域に対し、集光された強度の等しいレーザーパルス
を連続的に照射することによって選択的に消し残り磁区
を消去することが可能であることを見出した。この手法
を用いると、消し残り磁区の消去と同時に、磁区形状の
乱れすなわち磁壁部の凹凸が少なくなり、記録された磁
区自体の形状も均一化されることが確認された（図３参
照）。 【００１４】この消し残り磁区の消去の原理を把握する
ため、Huthの理論(B.G. Huth, IBMJ. RES. DEVELOP 197
4年 3月) をもとに表１に示す各条件にて磁区の形成、
消去条件を計算した。その結果を図４に示す。図中太い
実線はレーザー照射によって形成される円筒磁区の直径
を示し、細い実線で囲まれる範囲はレーザー照射によっ
てこの範囲内にある磁区が範囲内の下限の大きさまで収
縮あるいは消滅する場合を示す。また○は１μｍ径の磁
区（△）にレーザー照射を行なった際の磁区径の変化を
実測した値である。 【００１５】 【表１】 【００１６】図４よりパルス幅が１００ｎｓｅｃ以下の
レーザーパルス照射において磁区の消滅する現象がある
ことが確認できる。仮にレーザーパルス幅を３０ｎｓｅ
ｃに設定した場合、０．６μｍ未満の磁区は完全に消滅
し、０．６μｍ以上の磁区は変化しないということにな
り、０．６μｍ未満の消し残り磁区のみ選択的に消去で
きることが示唆される。またこのレーザーパルス照射に
より磁区形状が改善されるメカニズムとしては磁壁の凸
部がレーザー照射により収縮するため凹凸が小さくなる
のではないかと考えられる。 【００１７】 【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 【００１８】実施例１ 図５に示すように、ガラス基板１１上にＳｉＮ膜１２、
ＴｂＦｅＣｏ膜１３、ＳｉＮ膜１４をそれぞれ高周波マ
グネトロンスパッタ装置により堆積した。膜厚はそれぞ
れ１０００Å、２０００Å、１０００Åである。ＴｂＦ
ｅＣｏ膜は補償点が室温以上のいわゆる希土類金属（Ｒ
Ｅ）リッチの磁性膜である。これを光磁気記録媒体とし
表２に示す各条件で図１（ａ）及び図２（ａ）に示すレ
ーザー照射条件にてダイレクトオーバーライトを実施し
た。その結果、図６のハッチング部で示される範囲内の
Ａ条件、Ａ’条件のレーザー照射条件の組み合わせに
て、それぞれ図１（ｂ）、図２（ｂ）に示す磁区が形成
され完全なダイレクトオーバーライトが可能であった。
ただし、図６中のレーザー照射条件Ａ、Ａ’はそれぞれ
図１中に例示されるＡ、Ａ’のレーザー照射条件に対応
する。 【００１９】 【表２】【００２０】ここで外部磁界を８０Ｏｅとし（外部磁界
の方向は書き込んだ磁区におけるＦｅＣｏの副格子磁化
の方向を正としている）外部磁界以外は表２に示す条件
をそのまま用いて同様の実験を行なったところ、図１
（ａ）の照射条件に対しては図１（ｂ）に示す磁区が形
成されダイレクトオーバーライト可能であったものの、
図２（ａ）の照射条件に対しては、図２（ｃ），（ｄ）
に示される消し残り磁区が見られた。そこでダイレクト
オーバーライト後に１５ｍＷ，３０ｎｓｅｃの照射条件
のレーザーパルスを連続的に媒体に照射したところ媒体
上のレーザーパルスの照射間隔０．３〜１．０μｍの範
囲において良好な消し残り磁区の消滅する現象が見られ
た。連続的に照射するレーザーパルスの照射条件は外部
磁界の大きさ等により変化させる必要があるが、本実施
例の場合は１５ｍＷの光強度の時、２０〜４０ｎｓｅｃ
のパルス幅が良好であった。 【００２１】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、情報記録後の記録信号領域に対し、集光された強
度の等しいレーザーパルスを連続的に照射するようにし
たので、記録磁区の形状が均一化するとともに、消し残
り磁区が消去されるため、再生Ｃ／Ｎの向上及び信号検
出エラーの低減が計れる。
磁気記録方法に関する。 【０００２】 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、既に実用
化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容量高
密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の利点
に加え、書き換えが可能という点で文書情報ファイル、
ビデオ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への
利用が有望視されている。光磁気記録媒体を磁気ディス
クと同等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とす
るためには、いくつかの技術的課題があり、その中の主
要なものの１つに、オーバーライト技術がある。 【０００３】現在市販されている光磁気記録媒体は情報
を書き換えるのに元の情報をあらかじめ消去し、その後
に新しい情報を書き込むという工程を踏む必要があり、
この消去操作が時間的なロスとなっている。この欠点を
解消するのが、オーバーライト技術である。これまで提
案されているオーバーライト技術は、記録の方法により
磁界変調方式と光変調方式（マルチビーム方式、２層膜
方式、等）に大別される。 【０００４】磁界変調方式は光の強度を一定に保ち記録
情報に応じて印加磁界の極性を反転させて記録を行う方
式である。この方式では、磁界の反転を高速で行うため
に、浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の対応が検討さ
れているが、媒体交換が困難となる問題があり、それと
ともに光磁気記録媒体の片側の面のみしか使用できず、
記録容量が半減するなどの不具合がある。 【０００５】一方、光変調方式は印加磁界を一定に保ち
記録情報に応じて照射レーザーをオン・オフあるいは強
度変調させて記録を行う方式である。光変調方式のうち
マルチビーム方式は、２〜３個のレーザーを用い、磁界
の方向を光磁気記録媒体が１回転する毎に反転させて記
録／消去を行う擬似オーバーライト方式であるが、装置
構成が複雑化し、コストアップを招くなどの欠点を有し
ている。また、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を
２層膜とし、オーバーライトを達成するもので、例えば
特開昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。
同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
る記録層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層とを備えた光磁
気記録媒体を用い、初期化を行った後、外部磁界の印加
と、パワーの異なるレーザーの照射によりオーバーライ
トを実現しようとするものである。すなわち、この方式
では、記録に先立ち予め４ＫＯｅ程度の初期化用磁界に
より補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レーザーを照
射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、記録用磁界（初期化用
磁界と反対方向）に印加して補助層の磁化を反転させ、
媒体が冷却される際にその磁化を記録層に転写させるこ
とにより記録を行い、また、低出力レーザーを照射して
媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1は記録層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、補助層の磁化方向を記
録層に転写させることにより消去を行う。しかしなが
ら、この方式は高速性の点で有利であるが、書き込み時
のレーザーパワーが高く、またオーバーライトに先立っ
て行なう初期化の過程で非常に大きな磁界を付与しなけ
ればならないという問題があった。 【０００６】上記に示したように光磁気記録のオーバー
ライト方式としていくつかの方式の提案がなされている
が、いずれも長所ばかりでなく短所も合わせ持ってお
り、実用化のためにはいくつのブレークスルーを重ねな
ければならないと言われている。 【０００７】一方、反磁界を利用したオーバーライト方
式が、前記方式と同様に提案されている。この方式は、
一定外部磁界のもとで信号記録に際しては従来通りのレ
ーザー照射により磁区を形成し、信号消去に際しては記
録磁区の直上にレーザー照射することにより記録磁区の
消去を行うことを特徴とするダイレクトオーバーライト
方式〔Han-Ping; Appl. Phys. Lett. 49, p8(1986)〕で
ある。これは光変調方式の一種であるが、使用する記録
媒体は単層構造であり、二層記録媒体と比べて低パワー
で書き込める可能性が高く、また初期化用の磁界を用意
する必要もないため注目されている。 【０００８】しかし、この方式においてはレーザー照射
条件の違いによる反磁界エネルギー、磁壁エネルギー、
ゼーマンエネルギーの磁壁位置での大きさの差を利用し
て磁区の生成、消滅を制御しているために、磁性膜特
性、外部磁界、あるいはレーザー照射条件のばらつきに
より、磁区の大きさが変化しやすく、また消去時に磁区
消し残りが生じやすい。 【０００９】本発明は、従来技術におけるこれらの問題
を解決し、磁区の形状のばらつき、消し残りを防ぎ、確
実な記録、消去を行なうことができるオーバーライト可
能な光磁気記録方法を提供することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す単層
の磁性膜により形成された記録層を有する光磁気記録媒
体に対し、一定外部磁界のもとで、レーザー光の照射条
件を変化させることにより情報の重ね書きを行なう光磁
気記録方法において、情報記録後の記録信号領域に対
し、集光された強度の等しいレーザーパルスを連続的に
照射することを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。本発明において、上記記録信号領域とは、光磁気記
録媒体における記録信号としての磁区を形成する部分で
あり、具体的には、例えば光磁気ディスクの、あるセク
タ内のデータフィールドを指す。 【００１１】以下本発明の光磁気記録方法を詳細に説明
する。本発明においては、情報記録後の記録信号領域
（磁区）に対し、集光された強度の等しいレーザーパル
スを連続的に照射することによって情報記録後の記録磁
区の形状を均一化するとともに、情報記録時の消し残り
磁区を除去することを特徴としている。ここで言う「情
報記録」とは反磁界を利用したダイレクトオーバーライ
ト方式、あるいは磁壁移動タイプダイレクトオーバーラ
イト方式などと一般的に呼ばれるものであり、また「情
報記録後」とは情報記録の行なわれた後であればいつで
もよく、情報記録時からの時間的な制約はない。そのた
め情報記録用の光ヘッドに近接して上記レーザーパルス
を発生するための光源を設ける必要はない。情報記録後
のレーザーパルスの照射条件は外部磁界の大きさ等にも
よるが、通常、強度３〜２０ｍＷ、パルス幅５〜２００
ｎｓｅｃ、照射間隔０．３〜１．０μｍが好ましい。 【００１２】図１及び図２はダイレクトオーバーライト
方式において生じやすい消し残り現象を説明するための
模式図である。図１（ａ）に示す２種類のレーザーパル
ス列Ａ、Ａ’を光磁気記録媒体に照射することにより図
１（ｂ）に示す磁区列１が得られるが、この磁区列１の
上に図２（ａ）に示すレーザーパルス列を照射してダイ
レクトオーバーライトを実施する際に、本来図２（ｂ）
のように形成されるべき磁区列１が図２（ｃ）あるいは
図２（ｄ）に示される消し残り磁区２を含んだものとな
る現象が往々に見られる。 【００１３】本発明者らは、これらの消し残り磁区現象
をなくす手法を種々検討した結果、情報記録後の記録信
号領域に対し、集光された強度の等しいレーザーパルス
を連続的に照射することによって選択的に消し残り磁区
を消去することが可能であることを見出した。この手法
を用いると、消し残り磁区の消去と同時に、磁区形状の
乱れすなわち磁壁部の凹凸が少なくなり、記録された磁
区自体の形状も均一化されることが確認された（図３参
照）。 【００１４】この消し残り磁区の消去の原理を把握する
ため、Huthの理論(B.G. Huth, IBMJ. RES. DEVELOP 197
4年 3月) をもとに表１に示す各条件にて磁区の形成、
消去条件を計算した。その結果を図４に示す。図中太い
実線はレーザー照射によって形成される円筒磁区の直径
を示し、細い実線で囲まれる範囲はレーザー照射によっ
てこの範囲内にある磁区が範囲内の下限の大きさまで収
縮あるいは消滅する場合を示す。また○は１μｍ径の磁
区（△）にレーザー照射を行なった際の磁区径の変化を
実測した値である。 【００１５】 【表１】 【００１６】図４よりパルス幅が１００ｎｓｅｃ以下の
レーザーパルス照射において磁区の消滅する現象がある
ことが確認できる。仮にレーザーパルス幅を３０ｎｓｅ
ｃに設定した場合、０．６μｍ未満の磁区は完全に消滅
し、０．６μｍ以上の磁区は変化しないということにな
り、０．６μｍ未満の消し残り磁区のみ選択的に消去で
きることが示唆される。またこのレーザーパルス照射に
より磁区形状が改善されるメカニズムとしては磁壁の凸
部がレーザー照射により収縮するため凹凸が小さくなる
のではないかと考えられる。 【００１７】 【実施例】次に本発明の実施例について述べる。 【００１８】実施例１ 図５に示すように、ガラス基板１１上にＳｉＮ膜１２、
ＴｂＦｅＣｏ膜１３、ＳｉＮ膜１４をそれぞれ高周波マ
グネトロンスパッタ装置により堆積した。膜厚はそれぞ
れ１０００Å、２０００Å、１０００Åである。ＴｂＦ
ｅＣｏ膜は補償点が室温以上のいわゆる希土類金属（Ｒ
Ｅ）リッチの磁性膜である。これを光磁気記録媒体とし
表２に示す各条件で図１（ａ）及び図２（ａ）に示すレ
ーザー照射条件にてダイレクトオーバーライトを実施し
た。その結果、図６のハッチング部で示される範囲内の
Ａ条件、Ａ’条件のレーザー照射条件の組み合わせに
て、それぞれ図１（ｂ）、図２（ｂ）に示す磁区が形成
され完全なダイレクトオーバーライトが可能であった。
ただし、図６中のレーザー照射条件Ａ、Ａ’はそれぞれ
図１中に例示されるＡ、Ａ’のレーザー照射条件に対応
する。 【００１９】 【表２】【００２０】ここで外部磁界を８０Ｏｅとし（外部磁界
の方向は書き込んだ磁区におけるＦｅＣｏの副格子磁化
の方向を正としている）外部磁界以外は表２に示す条件
をそのまま用いて同様の実験を行なったところ、図１
（ａ）の照射条件に対しては図１（ｂ）に示す磁区が形
成されダイレクトオーバーライト可能であったものの、
図２（ａ）の照射条件に対しては、図２（ｃ），（ｄ）
に示される消し残り磁区が見られた。そこでダイレクト
オーバーライト後に１５ｍＷ，３０ｎｓｅｃの照射条件
のレーザーパルスを連続的に媒体に照射したところ媒体
上のレーザーパルスの照射間隔０．３〜１．０μｍの範
囲において良好な消し残り磁区の消滅する現象が見られ
た。連続的に照射するレーザーパルスの照射条件は外部
磁界の大きさ等により変化させる必要があるが、本実施
例の場合は１５ｍＷの光強度の時、２０〜４０ｎｓｅｃ
のパルス幅が良好であった。 【００２１】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、情報記録後の記録信号領域に対し、集光された強
度の等しいレーザーパルスを連続的に照射するようにし
たので、記録磁区の形状が均一化するとともに、消し残
り磁区が消去されるため、再生Ｃ／Ｎの向上及び信号検
出エラーの低減が計れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ダイレクトオーバーライト方式において生じや
すい消し残り現象の説明図である。 【図２】ダイレクトオーバーライト方式において生じや
すい消し残り現象の説明図である。 【図３】情報記録後のレーザーパルス照射により記録磁
区形状が均一化された様子を示す図である。 【図４】磁区の生成、消去条件の計算結果を示す図であ
る。 【図５】実施例で用いた媒体の層構成を示す断面図であ
る。 【図６】実施例においてダイレクトオーバーライト可能
なレーザー照射条件Ａ，Ａ’を示す図である。 【符号の説明】 １ 磁区列 ２ 消し残り磁区 １１ 基板 １２ 保護膜（ＳｉＮ膜） １３ 磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ膜） １４ 保護膜（ＳｉＮ膜）
すい消し残り現象の説明図である。 【図２】ダイレクトオーバーライト方式において生じや
すい消し残り現象の説明図である。 【図３】情報記録後のレーザーパルス照射により記録磁
区形状が均一化された様子を示す図である。 【図４】磁区の生成、消去条件の計算結果を示す図であ
る。 【図５】実施例で用いた媒体の層構成を示す断面図であ
る。 【図６】実施例においてダイレクトオーバーライト可能
なレーザー照射条件Ａ，Ａ’を示す図である。 【符号の説明】 １ 磁区列 ２ 消し残り磁区 １１ 基板 １２ 保護膜（ＳｉＮ膜） １３ 磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ膜） １４ 保護膜（ＳｉＮ膜）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 黒沢 美子
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平５−62269（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−6591（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−146544（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−119941（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す単層の磁性膜によ
り形成された記録層を有する光磁気記録媒体に対し、一
定外部磁界のもとで、レーザー光の照射条件を変化させ
ることにより情報の重ね書きを行なう光磁気記録方法に
おいて、情報記録後の記録信号領域（該光磁気録媒体に
おける記録信号としての磁区を形成する部分）に対し、
集光された強度の等しいレーザーパルスを連続的に照射
することを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36016791A JP3398766B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36016791A JP3398766B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182272A JPH05182272A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3398766B2 true JP3398766B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=18468200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36016791A Expired - Fee Related JP3398766B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3398766B2 (ja) |
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| JPH0684224A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Hitachi Ltd | 光磁気ディスクの記録制御方法 |
| JPH06180884A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-06-28 | Sharp Corp | 光磁気記録方法 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP36016791A patent/JP3398766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182272A (ja) | 1993-07-23 |
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