JP3458234B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents

光磁気記録方法

Info

Publication number
JP3458234B2
JP3458234B2 JP22112591A JP22112591A JP3458234B2 JP 3458234 B2 JP3458234 B2 JP 3458234B2 JP 22112591 A JP22112591 A JP 22112591A JP 22112591 A JP22112591 A JP 22112591A JP 3458234 B2 JP3458234 B2 JP 3458234B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse
laser
magneto
magnetic domain
optical recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP22112591A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0562269A (ja
Inventor
才明 鴇田
元治 田中
篤行 和多田
美子 黒沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP22112591A priority Critical patent/JP3458234B2/ja
Priority to US07/900,172 priority patent/US5459701A/en
Publication of JPH0562269A publication Critical patent/JPH0562269A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3458234B2 publication Critical patent/JP3458234B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は単層の垂直磁化膜を記録
層とする光磁気記録媒体を用い、反磁界を利用して高速
にオーバーライトを行う光磁気記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、書き換え可能な光記録媒体とし
て、磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体が精力的に
研究開発され、一部では実用化されるに至っている。こ
の光磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、書き換えが可能
という点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイ
ル、コンピュータ用メモリ等への利用が有望視されてい
る。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ
以上の性能を持った記録媒体とするためには、いくつか
の技術的課題があり、その中の主要なものの1つに、オ
ーバーライト技術がある。
【0003】現在市販されている光磁気記録媒体は情報
を書き換えるのに元の情報をあらかじめ消去し、その後
に新しい情報を書き込むという工程を踏む必要があり、
この消去操作が時間的なロスとなっている。この欠点を
解消するのが、オーバーライト技術である。これまで提
案されているオーバーライト技術は、記録の方法により
磁界変調方式と光変調方式(マルチビーム方式、2層膜
方式等)に大別される。
【0004】磁界変調方式は光の強度を一定に保ち記録
情報に応じて印加磁界の極性を反転させて記録を行う
である。この方法では、磁界の反転を高速で行うため
に、浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の対応が検討さ
れているが、媒体交換が困難となる問題があり、それと
ともに光磁気記録媒体の片側の面のみしか使用できず、
記憶容量が半減するなどの不具合がある。
【0005】一方、光変調方式は印加磁界を一定に保ち
記録情報に応じて照射レーザービームをオン・オフある
いは強度変調させて記録を行う方法である。光変調方式
のうちマルチビーム方式は、2〜3個のレーザービーム
を用い、磁界の方向を光磁気記録媒体が1回転する毎に
反転させて記録/消去を行う擬似オーバーライト方法
あるが、装置構成が複雑化し、コストアップを招くなど
の欠点を有している。また、2層膜方式は光磁気記録媒
体の記録層を2層膜とし、オーバーライトを達成する
で、例えば特開昭62−175948号公報等に開示
されている。同公報に記載されている方法は、例えばT
bFeからなる記録層とTbFeCoからなる補助層と
を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化を行った後、外
部磁界の印加と、パワーの異なるレーザービームの照射
によりオーバーライトを実現しようとするものである。
すなわち、この方法では、記録に先立ち予め4KOe程
度の初期化用磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、
高出力レーザービームを照射して媒体温度TをT>Tc
2(Tc2は補助層のキュリー温度)なる温度まで昇温さ
せ、記録用磁界(初期化用磁界と反対方向)を印加して
補助層の磁化を反転させ、媒体が冷却される際にその磁
化をメモリ層に転写させることにより記録を行い、ま
た、低出力レーザービームを照射して媒体温度をTc1
<T<Tc2(Tc1は記録層のキュリー温度)なる温度
まで昇温させ、補助層の磁化方向をメモリ層に転写させ
ることにより消去を行う。しかしながら、この方法は高
速性の点で有利であるが、書き込み時のレーザーパワー
が高く、またオーバーライトに先立って行う初期化の過
程で非常に大きな磁界を付与しなければならないという
問題があった。
【0006】上記に示したように光磁気記録のオーバー
ライト方法としていくつかの方法の提案がなされている
が、いずれも長所ばかりでなく短所も合わせ持ってお
り、実用化のためにはいくつのブレークスルーを重ねな
ければならないと言われている。
【0007】一方、反磁界を利用したオーバーライト
が、前記方法と同様に提案されている(Han-Ping;App
l.Phys.Lett.,49,p8(1986))。この方法は、室温より数
十℃大きい補償温度を持つ記録層を備えた光磁気記録媒
体を用い、外部磁界を使用しないでオーバーライトを行
方法である。その原理を簡単に述べると、記録は記録
層上の記録すべき位置に第1のレーザービーム照射をし
て行う。このレーザービーム照射により照射部分が補償
温度Tcompより高い温度に昇温され、その部分の磁化が
反転すると同時に、逆方向に反磁界が発生し、この反磁
界のために磁化の反転が起こり、磁壁が形成される。そ
して照射終了後の冷却過程で記録磁区が形成される。ま
た、消去は記録磁区の直上に第2のレーザービーム照射
をして行う。このレーザービーム照射により照射部分が
補償温度Tcompより高い温度に昇温され、記録磁区中の
磁化が反転すると同時に、逆方向に反磁界が発生する。
この反磁界によって記録磁区の中心部分の磁化が再度反
転し、第2の磁壁が形成されるが、これは磁壁移動によ
り消滅する。そして照射終了後の冷却過程で記録磁区が
消去される。この方法は、光変調方式の一種であるが、
使用する記録媒体は単層構造であり、2層膜記録媒体と
比べて低パワーで書き込める可能性が高く、また初期化
用の磁界を用意する必要もないため注目されている。
【0008】しかし、この方法においては、前回記録し
た信号をオーバーライトに先立って検出し、その信号と
新たに書き込むベき信号を比較してレーザービーム照射
を行うか否かを決定する為、レーザービームを記録用、
検出用に2個用意するか、または1つのレーザービーム
にて記録検出を兼用するにしても1トラックあたり2回
転する必要が生じてくる。さらに、レーザービーム照射
を行う場合には、前回書かれた磁区と厳密に位置合わせ
を行う必要がある。従って、オーバーライトに先立って
以前に書き込まれていた信号を読み込む機能、その信号
と新たに書き込むべき信号を比較しレーザビーム照射を
行うか否かを判断する機能、さらにレーザビーム照射を
行う時に以前に書き込まれていた信号の直上にレーザー
ビームを照射するための位置合わせ機能を装置に付加し
なければならず、装置構成が複雑化する不具合があっ
た。また、この方法はマーク長変調方式に適用できない
という欠点があった。
【0009】また、特開平1−119941号公報に
は、磁区形成時に単一のレーザーパルスを照射して、磁
区消去時に記録時よりも幅の狭い複数個のレーザーパル
スを照射してオーバーライトを行う方法が提案されてい
る。しかしながら、この方法では、仮に図8(a)に示
すレーザー照射により、同図(b)に示す磁区を形成し
ようと試みた場合、磁区後端のエッヂ部が固定されず同
図(c)に示されるように円筒状の磁区がレーザービー
ムに追随し移動してしまう現象、あるいは同図(d)に
示されるようにエッヂ部の磁区形状が変形してしまう現
象が往々にして見られ、その制御を単パルスのレーザー
照射により行うのは非常に困難である。従って信号のマ
ーク長変調あるいはマークエッヂ記録等に不向きである
という問題があった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おけるこれらの問題点を解決し、簡単な装置構成にてし
かも高速にかつ信頼性に優れたオーバーライトを行うこ
とのできる光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。また、本発明は、マーク長変調方式に好適な光磁気
記録方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、記録層が単層の垂直磁化膜のみか
らなる光磁気記録媒体に、一定外部磁界の元でレーザー
ビームを照射することにより磁区の形成及び消去を制御
してオーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録
方法であって、パルス強度がPw、パルス幅がτwのレー
ザーパルスAと、パルス強度がPe、パルス幅がτeのレ
ーザーパルスA’とが、τw≧τeかつPw・τw>Pe・
τeの関係を満足するレーザーパルスを用い、磁区形成
には複数個のレーザーパルスAを照射し、磁区消去時
には複数個のレーザーパルスA’を照射して、所望の長
さに磁区を形成あるいは消去することを特徴とする光磁
気記録方法が提供される。
【0012】削除
【0013】削除
【0014】磁区形成時と磁区消去時にそれぞれ2種類
のレーザーパルスを組み合わせて複数個照射する場合、
磁区形成時及び磁区消去時ともに、第1番目に照射する
レーザーパルスと第2番目以降に照射するレーザパルス
とで異なった種類のレーザーパルスとすることが望まし
く、磁区形成時に第1番目に照射するレーザーパルス
の強度をPw1、パルス幅をτw1、第2番目以降に照射す
るレーザーパルスの強度をPw2、パルス幅をτw2、磁
区消去時に第1番目に照射するレーザーパルスの強度
A’をPe1、パルス幅をτe1、第2番目以降に照射する
レーザーパルスB’の強度をPe2、パルス幅をτe2とし
たとき、 Pw1<Pe1 Pw1・τw1>Pe1・τe1 Pw2=Pe2 τw2=τe2 なる関係式を同時に満足する必要がある。
【0015】
【作用】本発明では、磁区形成時に複数個のレーザーパ
ルスを印加しているため、第1番目のレーザーパルス照
射で円筒状磁区が形成され、第2番目のレーザーパルス
照射では照射中心が所定距離だけ移動した位置にて照射
が行われ、その照射による熱の伝達が上記円筒状磁区の
照射中心に遠い側の磁壁に寄与を及ぼすことが少なくな
り、この部分の磁壁がピニングされる。第3番目以降の
レーザーパルス照射によっても同様となり、磁区エッジ
部が確実に固定され、所望の長さの磁区が容易に形成さ
れる。また、磁区消去時には磁区形成時とは異なった形
状のレーザーパルスを複数個照射することにより、磁壁
部にかかる反磁界エネルギー、磁壁エネルギー及びゼー
マンエネルギーの和が磁区収縮時により低い状態とな
り、所望の長さにわたって磁区が消し残りなく消去され
る。従って、以前書き込まれていた信号とは無関係に新
しい信号を書き込むことが可能となり、しかも簡単な装
置構成にて高速に信頼性の高いオーバーライトが実現さ
れる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の方法を詳細に説明する。本発
明の方法は、単層の垂直磁化膜を記録層とする光磁気記
録媒体に、一定外部磁界の元で複数個のレーザーパルス
を印加することにより、以前書き込まれていた信号とは
無関係に所望の長さの磁区を形成し、同じく一定外部磁
界の元で複数個のレーザーパルスを印加して所望の長さ
にわたって磁区の消去を行うものである。一定外部磁界
信号記録、消去時に光磁気記録媒体のレーザービーム
照射部に数十〜数百Oe印加する。
【0017】また、本発明の方法はレーザーパルスの印
加の仕方により次の2種に大別される。 (i) 磁区形成時と磁区消去時にそれぞれ1種類のレーザ
ーパルスを複数個照射する方法。 (ii)磁区形成時と磁区消去時にそれぞれ2種以上のレー
ザーパルスを組み合わせて複数個照射する方法。 以下それぞれの方法につき詳述する。
【0018】先ず(i)の方法について説明する。この
を実施するにあたり、光磁気記録装置としては、信号
記録(磁区形成)、消去(磁区消去)時に、一定外部磁界を
印加する場合、磁界発生機構を設ける必要があるが、こ
れには従来使用されている永久磁石、電磁石等を用いれ
ばよく、初期化用磁界あるいは交流磁界等は一切必要な
い。またレーザー出力については、前記の如く信号記
録、消去時に光磁気記録媒体に照射するPw、Peの強度
のレーザーパルスと、信号再生時に光磁気記録媒体に照
射する強度PrのDCレーザーとが用意される(ただし
Pr<Pw、Pr<Pe)。その他、この方法を実施する上
で、特に付加すべき機構はなく、従来用いられていた光
磁気記録装置に簡単な改良を施すだけで使用することが
できる。
【0019】次に本方法において使用される光磁気記録
媒体について述べる。本方法に用いる光磁気記録媒体は
記録層が単層の垂直磁化膜のみからなるもので、その磁
気特性は図2に示すように補償温度Tcompが室温Trよ
りも高い、いわゆる希土類金属リッチな組成を為す希土
類金属−遷移金属(RE−TM)アモルファス磁性膜が
好ましい。光磁気記録媒体の層構成としては、基本的に
は図3に示すように、ガラスあるいはプラスチックより
なる基板1上に前記のような磁気特性を持つRE−TM
系アモルファス磁性膜2をスパッタ法等により形成し、
その上に磁性膜2の劣下を防ぐ為に保護膜3を形成す
る。また磁性膜の均一性の向上、再生信号の特性向上の
為に、下地膜を基板1と磁性膜2の間にはさんでも良
い。また記憶容量アップの為、図2に示す媒体を貼り合
わせて両面に記録できるようにすることも可能である。
【0020】本方法では、上記のようなきわめて簡単な
構成の装置及び媒体を用いてオーバーライトが達成され
るが、下記の条件のときに特に良好なオーバーライトが
実現される。すなわち、図1に示すように磁区形成時す
なわち信号記録時には強度Pw、時間τwのレーザーパル
スを所望の長さの磁区となるまで数回に渡り連続的に照
射し、磁区消去時すなわち信号消去時には強度Pe、パ
ルス幅τeのレーザーパルスを消去磁区が所望の長さと
なるまで数回に渡り連続的に照射する。ただし、Pw、
Pe及びτw、τeはτe≧τw及びPw・τw>Pe・τeな
る関係を満足するものとする。本方法においては、磁区
形成時に複数個のレーザーパルスを印加することによ
り、磁区エッヂ部が確実に固定され所望の長さの磁区が
容易に形成できる。そのメカニズムは以下のように説明
される(図4)。すなわち、磁区形成時に印加するレー
ザーパルスのうち最初のレーザーパルスを照射した時点
で円筒状磁区(半径R)Sが形成される(ただし照射前
に照射部にすでに磁区が存在している場合は、その磁区
はそのまま残る)。この照射後、ある時間的インターバ
ルを置いて第2番目の照射を行うわけであるが、その際
には円筒状磁区の中心からある距離Dだけずれたところ
に照射中心は移動しており、この照射による熱の伝達が
円筒状磁区の照射中心に遠い側の磁壁wに寄与を及ぼす
ことは少なくなる。従って、この部分の磁壁wは第2番
目の照射によって動くことはなく、最初の状態でピニン
グされる。この後、第3番目以降の照射によってもこの
状態は変わらない。つまりパルス状のレーザー照射を行
うことによって磁区エッヂ部が確実に固定され、所望の
長さの磁区エッヂ部が容易に形成される。また、磁区消
去時には磁区形成時とは異なった形状のレーザーパルス
を複数個照射することによって、磁壁部にかかる反磁界
エネルギー、磁壁エネルギー、ゼーマンエネルギーの和
が磁区収縮時により低い状態になるように記録層内の温
度を合わせることが可能となる為、この照射によって磁
区は収縮し最終的に消滅することになる。よって磁区が
所望の長さにわたって消し残りなく消去される。
【0021】本方法を提案するにあたり、本発明者らは
組成、膜厚等を変化させていくつかの光磁気記録媒体を
作製し、以下の方法によりオーバーライト実験を行っ
た。まず、光磁気記録媒体に、静止状態において強度P
w、パルス幅τwのレーザーパルスを、膜面に対し垂直な
方向に印加される一定磁界Hexのもとで照射し、磁区の
形成される範囲を得た(以下、この時の照射条件をA条
件と呼ぶ)。次に、このA条件を用いて、該光磁気記録
媒体を、レーザービームに対し微動させながら連続的に
レーザーパルスを発振させ光磁気記録媒体に照射してス
トライプ状の磁区を得、このストライプ状の磁区の上に
再度レーザービームを照射し、磁区の切断される条件
(以下、この時の照射条件をA′条件と記す)を得た。
次に、これらの条件をもとに実際にオーバーライトを実
施した。ここでは磁性膜として図2に示す温度特性を持
つTbFeCo系アモルファス磁性膜(膜厚2000
Å)を記録層とする光磁気記録媒体をサンプルに用いて
評価した結果を示す。本サンプルは基板にガラスを、保
護膜にSiN膜を使用した。図5は、100Oeの外部
磁界を磁区書込に有利な方向(遷移金属原子のサブラテ
ィスモーメントと逆方向)に印加した状態での上記A、
A′条件を示したものである。図5に示したA、A′条
件のうちA条件として10mW、1000nsecを固
定してA′条件となるべき強度、照射時間を種々変更
し、また、A′条件として15mW、200nsecを
固定してA条件となるべき強度、照射時間を種々変更し
て、各種の照射条件の組合わせでオーバーライト実験を
行った。尚、レーザーパルスの膜面上での照射位置が
0.8μm間隔となるように設定した。その結果、図5
に示すようにA条件に相当する領域では磁区が形成さ
れ、A′条件に相当する部分では磁区は形成されない
か、あるいは以前磁区が存在していた場合は完全に消去
された。これは以前書かれていた磁区情報には一切依存
せず、A、A′の2値条件のみにより決定された。A条
件及びA′条件の組み合わせとオーバーライトの可否の
例を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】以上のことからτw≧τe、Pw・τw>P
e・τeの場合に特に良好なオーバーライトが可能である
ことが判明した。
【0024】次に(ii)の方法について説明する。この
で使用する光磁気記録装置の装置構成としては(i)の
方法の場合と同様簡単な装置構成とすることができる。
また、使用する光磁気記録媒体も(i)の場合と同様な媒
体を使用することができる。
【0025】本方法を提案するにあたり、本発明者らは
以下のような実験を行った。即ち、前述のオーバーライ
ト実験で使用したものと同様な光磁気記録媒体(TbF
eCo膜)をサンプルとし、このサンプルに対しレーザ
ービームを照射し記録、消去を以下のようにして行っ
た。記録に際してはサンプルを固定し、様々な強度及び
パルス幅でレーザーパルスをサンプルに照射し、それに
よって形成される磁区半径を測定した。また消去は半径
0.5μmの円筒状磁区の直上にレーザービーム照射を
やはり様々な条件にて行い、その変化を調べた。使用し
た装置は、光ピックアップのもれ磁界を減少させるため
光ピックアップを磁気シールドしてあり、サンプル上の
記録位置における外部磁界は磁区書込に有利な方向(遷
移金属原子のサブラティスモーメントと逆方向)に10
0Oe印加されている状態にした。その結果の一例を図
6に示す。
【0026】図6は、パルス強度15mWのもとで、パ
ルス幅を変化させて磁区半径を測定した結果である。図
中太実線は磁気バブル理論に基づく磁区半径計算(B.G.
HUTH;IBM J.RES.DEV.,1974年3月)の結果であり、細実
線はレーザービーム照射により磁区が収縮あるいは消滅
する磁区半径の範囲である。矢印は磁区上にレーザービ
ーム照射を行った時の磁区半径の変化を示す。○は書込
磁区半径の測定値、また破線の矢印は円筒状磁区(磁区
半径は△で示される)上にレーザービーム照射を行った
時の磁区半径の変化を実測した結果を示す。この結果か
ら、レーザービーム照射条件により、このサンプルは、
磁区半径を制御できることが確認できた。なお、磁性膜
がTcomp<Trの磁気特性を持つサンプル、あるいは磁
性膜がTcompを持たないサンプルについても上記と同様
な実験を行ったが、これらのサンプルについては磁区の
収縮あるいは消滅する現象は見られなかった。
【0027】さらに、本発明者は上記実験結果をふまえ
て、図2の特性を示す磁性膜を有するサンプルを一定速
度で動かし、サンプルに様々な形状(強度、パルス幅)の
レーザービームパルスを照射し、オーバーライトが良好
に行える条件を求めた。その結果、図7(a)に示すよ
うな条件(A,B,A′,B′条件)、すなわち、 Pw1<Pe1 Pw1・τw1>Pe1・τe1 Pw2=Pe2 τw2=τe2 (ただし、Pw1、τw1はそれぞれ磁区形成時に第1番目
に照射するレーザーパルスの強度及びパルス幅、Pw2
τw2はそれぞれ磁区形成時に第2番目以降に照射するレ
ーザーパルスの強度及びパルス幅、Pe1、τe1はそれぞ
れ磁区消去時に第1番目に照射するレーザーパルスの強
度及びパルス幅、Pe2、τe2はそれぞれ磁区消去時に第
2番目以降に照射するレーザーパルスの強度及びパルス
幅である。)とすれば、オーバーライトが良好に行える
ことが確認できた。ここで、A,A′、B,B′条件の
役割について以下に述べる。 ・A条件は、その直前まで後述するB′条件により磁区
のない状態が形成された後、それに続く照射としてB′
条件によって運ばれてきた円筒状磁区を受け取り、その
磁区の後端のエッヂ部を固定する。従って、B′条件照
射後の余熱が存在する環境下でも十分シャープなエッヂ
を形成する必要がある。実験では5mW、500nse
cのパルスを用いた。 ・B条件は、その直前にA条件照射が行われ前述のよう
に円筒状磁区が安定化された後、この円筒状磁区の遠い
側の磁区を固定したまま磁区を引き伸ばす為に使われ
る。この条件としては図6中の15mW、200nse
cのレーザーパルスが良好であった。この際、磁区幅は
1.0μm前後のものであった。また、B条件とA条件
を一致させた場合、すなわちB条件として前述のA条件
5mW、500nsecを用いた場合においても磁区形
成は可能である。この場合、レーザー駆動部の負担を軽
減することができる点で有利であるが、ディスク回転速
度、記録周波数等を向上させる上ではB条件を独立に設
定しておいた方が有利である。 ・A′条件は、前記B条件に続いて行われる照射であっ
て、B条件によって引き伸ばされてきた磁区を切断する
と同時に照射部にオーバーライト以前の記録磁区が残っ
ていた場合は、それを消去する働きをする。今回の実施
例においては図6中の15mW、100nsecのレー
ザーパルスを用いた。 ・B′条件は、A′条件によって磁区が消去された後、
この磁区のない状態を次の磁区形成部まで続ける働きを
する。実施例としては、15mW、200nsecのレ
ーザーパルスを用いた。 ここで、B′=Bとなっている点について述べる。磁区
を引き伸ばす場合(B条件)も磁区のない状態を引き伸
ばす場合(B′条件)も、ともに同条件で行われている
わけであるが、B条件の場合は、照射部にある円筒状の
磁区が形成され、それが次のB′条件照射(間隔Dを置
いた部分に照射される)の際にそちらの照射部まで引っ
張り込まれる(見かけ上照射部から照射部まで磁区が移
動しているように見える)。その際、以前書かれていた
磁区が存在していたとしても、この円筒状磁区に吸収さ
れ、B′条件照射を行った後には磁区は残らないように
なる。そして、B′条件照射を数回続けて行った後、最
後のB′条件照射部まで移動した円筒状磁区はB′条件
照射に続くA条件照射により固定され新たな記録磁区と
なるわけである。B条件照射の場合はA条件照射により
固定化された磁区を円筒状のまま引き寄せることはでき
ない為、A条件照射部に形成された円筒状磁区の遠い側
の磁壁は固定されたままになりストライプ状に伸びるこ
とになる。図7(a)のようなレーザーパルスを照射し
た場合、磁区は図7(b)のMのように形成される。な
お、A,B,A′,B′条件の組合せの一例を表2に示
す。
【0028】
【表2】
【0029】これに対し、図1(c)及び(d)ような
条件でレーザービームパルスを照射してみたところ、い
かなるパルス強度の組み合わせにおいても良好なオーバ
ーライトを行うことはできなかった。
【0030】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、前記構成としたので、簡単な装置構成にて高速な
オーバーライトが可能となり、かつ信頼性に優れたもの
となる。その上、低パワー記録が可能で、しかも信号の
マーク長変調あるいはマークエッヂ記録等にも好適とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の方法における記録、消去時のレ
ーザービーム照射条件の説明図である。
【図2】本発明に用いる光磁気記録媒体の磁性膜の特性
説明図である。
【図3】本発明に用いる光磁気記録媒体の層構成例を示
す断面図である。
【図4】本発明の方法による磁区形成のメカニズムの説
明図である。
【図5】本発明の第1の方法の記録条件及び消去条件の
範囲の説明図である。
【図6】照射レーザービームのパルス幅を変化させた時
の磁区半径を測定した結果を示す図である。
【図7】本発明の第2の方法における記録、消去時のレ
ーザービーム照射条件の説明図である。
【図8】従来方法の問題点の説明図である。
【符号の説明】
1 基板 2 磁性膜 3 保護膜
フロントページの続き (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平1−119921(JP,A) 特開 平3−214445(JP,A) 特開 平1−251357(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録層が単層の垂直磁化膜のみからなる
    光磁気記録媒体に、一定外部磁界の元でレーザービーム
    を照射することにより磁区の形成及び消去を制御してオ
    ーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録方法で
    あって、パルス強度がPw、パルス幅がτwのレーザーパ
    ルスAと、パルス強度がPe、パルス幅がτeのレーザー
    パルスA’とが、τw≧τeかつPw・τw>Pe・τeの関
    係を満足するレーザーパルスを用い、磁区形成時には
    数個のレーザーパルスAを照射し、磁区消去時には複数
    個のレーザーパルスA’を照射して、所望の長さに磁区
    を形成あるいは消去することを特徴とする光磁気記録方
    法。
  2. 【請求項2】 記録層が単層の垂直磁化膜のみからなる
    光磁気記録媒体に、一定外部磁界の元でレーザービーム
    を照射することにより磁区の形成及び消去を制御してオ
    ーバーライト可能な光磁気記録を行う光磁気記録方法で
    あって、パルス強度がPw 、パルス幅がτw のレーザ
    ーパルスAと、パルス強度がPw 、パルス幅がτw
    のレーザーパルスBと、パルス強度がPe 、パルス幅
    がτe のレーザーパルスA’と、パルス強度がP
    e 、パルス幅がτe のレーザーパルスB’とがPw
    <Pe 、Pw ・τw >Pe ・τe 、Pw =P
    かつτw =τe の関係を満足するレーザーパル
    スを用い、磁区形成時には第1番目にレーザーパルス
    A、第2番目以降にレーザーパルスBを照射し、磁区消
    去時には第1番目にレーザーパルスA’、第2番目以降
    にレーザーパルスB’を照射して、所望の長さに磁区を
    形成あるいは消去することを特徴とする光磁気記録方
    法。
JP22112591A 1991-06-17 1991-08-06 光磁気記録方法 Expired - Fee Related JP3458234B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22112591A JP3458234B2 (ja) 1991-06-17 1991-08-06 光磁気記録方法
US07/900,172 US5459701A (en) 1991-06-17 1992-06-17 Magneto-optical recording method

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17319191 1991-06-17
JP3-173191 1991-06-21
JP17739191 1991-06-21
JP3-177391 1991-06-21
JP22112591A JP3458234B2 (ja) 1991-06-17 1991-08-06 光磁気記録方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0562269A JPH0562269A (ja) 1993-03-12
JP3458234B2 true JP3458234B2 (ja) 2003-10-20

Family

ID=27323743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22112591A Expired - Fee Related JP3458234B2 (ja) 1991-06-17 1991-08-06 光磁気記録方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3458234B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8565527B2 (en) 2005-01-27 2013-10-22 Thomson Licensing Film marking detection system

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0562269A (ja) 1993-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2972899B2 (ja) 光磁気記録方法
US6671233B1 (en) Magneto-optical recording medium and reproduction method therefor
JPH0721894B2 (ja) 光磁気記録方法
JPH08273222A (ja) 光磁気記録媒体及びその再生方法
JP3458234B2 (ja) 光磁気記録方法
JPH0551975B2 (ja)
JP2838908B2 (ja) 光磁気記録方法
JP3398766B2 (ja) 光磁気記録方法
JP3078550B2 (ja) 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体
JPH06195784A (ja) 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報記録方法
JP3458233B2 (ja) 光磁気記録方式
JP3556958B2 (ja) 光磁気記録方法
JP3184272B2 (ja) 光磁気記録方法
JPH0721893B2 (ja) 光磁気記録方法
JPH05290435A (ja) 光磁気記録方式
JPH056591A (ja) 光磁気記録方式
JP3071246B2 (ja) 光磁気記録方法
JP3057450B2 (ja) 光磁気記録媒体
JPH0226281B2 (ja)
JPH0512740A (ja) 光磁気記録方式
JPH0536147A (ja) 光磁気記録方法
JPH06150423A (ja) 光磁気記録装置
Sukeda et al. High Speed Magnetic Field Modulation in Pit-Edge Magneto-Optic Recording
JPH0676405A (ja) 光磁気記録媒体及び該媒体の記録方法
JPH0562281A (ja) 光磁気記録方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees