JPH0551975B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光磁気記録再生消去方法及び装置に
関し、詳しくは磁性薄膜から成る記録媒体に一定
の磁界を外部より印加した状態で、記録媒体に照
射するレーザ光の強度を変化させることによつて
記録情報を書き替えることを特徴とする光磁気記
録再生消去方法及び装置に関する。

光記録方式、特に光デイスクメモリ方式は、高
密度・大容量記録が可能であり、かつ非接触・高
速アクセスもできるという点から大容量フアイル
メモリの一つとして近年注目を集めている。その
中でも記録媒体としてMnBi、MnCuBi、
MnTiBi、MnAlGeなどの結晶性磁性薄膜あるい
はTb、Gd、Dy、Hoなどの希土類金属とFe、
Co、Niなどの遷移金属との組み合わせによつて
作成される非晶質磁性薄膜を用いた光磁気デイス
クメモリは、記録情報の書き替えが可能であると
いう利点を持つていることから、各所で盛んに研
究されている。

従来、公知の光磁気記録再生消去装置において
は、情報の記録・再生・消去に対して、それぞれ
次のような動作がとられる。

記録には、レーザ光により発生する熱を利用す
る。レーザ光ビームを１〜2μｍφの微小スポツ
トに絞り、記録媒体に照射し、媒体温度を上昇さ
せる。キユーリ温度記録をおこなう場合には、記
録媒体をキユーリ温度以上に上昇させ、外部印加
磁界あるいは記録媒体の反磁界によつて反転磁区
を形成する。補償温度記録をおこなう場合には記
録媒体の補償温度を室温付近に設定し、レーザ光
ビーム照射によつてある温度まで昇温させ、媒体
の保磁力低下を利用し、外部印加磁界によつて反
転磁区を形成する。前記手段により記録２値信号
「１」「０」を記録媒体の反転磁区の有無に対応し
た形で記録できる。

再生は磁気光学効果（Kerr効果あるいは
Faraday効果）を用いておこなわれる。すなわち
記録媒体の反転磁区の有無に対応して媒体からの
反射光あるいは透過光の偏光面が回転することを
利用し、記録媒体から情報を読み出す。記録媒体
には記録時にくらべ低パワレベルのレーザ光が照
射され、その反射光または透過光から信号を再生
する。

記録情報を一括して消去する場合には、外部磁
界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ光ビーム
を記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射す
る。外部磁界印加により記録媒体の磁化状態は記
録前の初期状態に戻る。また一括消去をおこなわ
ずに、既記録部に追加記録をすることによつて情
報を書き替える場合には、記録レーザ光のパルス
に同期させて外部印加磁界の高速スイツチングを
おこない、新たに記録情報「１」「０」に対応し
た磁化状態を形成する方法をとる。

ここで、公知の外部磁界印加手段は、たとえば
空心コイルを用いる方法、垂直磁気記録用ヘツド
を用いる方法、あるいは永久磁石を用いる方法で
ある。

しかしながら、前記従来の光磁気記録再生消去
装置において一括消去することによつて記録情報
の書き替えをおこなうには、まず既記録情報を前
記消去動作に従つて消去し、次に新しい記録情報
を前記記録動作に従つて記録するという二段階の
操作をおこなわなければならないという欠点があ
つた。また、追加記録をすることによつて書き替
えをおこなう場合には高速で外部磁界をスイツチ
ングしなければならないという問題があつた。外
部磁界の印加手段として空心コイルを用いる場合
には、磁界の高速スイツチングは可能であるが、
媒体面での反転磁区を消去するに十分な磁界を得
るには大型のコイルを使用しなければならない、
あるいはコイルを媒体に相当近接させねばならな
いなど、記録・消去・再生をおこなう光ヘツドの
構成が複雑になるという欠点があつた。また、垂
直磁気記録用ヘツドを用いる場合には、ヘツドを
媒体に接触させることになり、光記録方式の大き
な特徴である非接触性が失われるという欠点があ
つた。さらに、永久磁石を用いる場合には、印加
磁界反転のためには磁石回転駆動機構が必要であ
り、磁界のスイツチング速度は空心コイルよりも
はるかに遅くなり、かつ光ヘツドの構成が複雑に
なることは避けられなかつた。

本発明の目的は前記従来の光磁気記録再生消去
方法及び装置の欠点を解決し、光記録方式の特徴
を損うことなく、簡単な装置構成により、記録情
報の書き替えが可能で、かつ高速での記録情報消
去が可能な新規な光磁気記録再生消去方法及び装
置を提供することにある。

本発明によれば、垂直磁気異方性を有する磁性
薄膜を記録媒体とし、レーザ光によつて情報を記
録・再生・消去する光磁気記録再生消去方法にお
いて前記記録媒体に一定の磁界を外部より印加
し、前記記録媒体記録部に照射するレーザ光の強
度を変化させて記録情報を書き替えることを特徴
とする光磁気記録再生消去方法が得られ、さらに
は前記方法を用いた光磁気記録再生消去装置、詳
しくは記録媒体に一定の磁界を印加するコイル
と、前記コイルに電流を供給する電源回路と、
「１」「０」記録信号に対応してレーザ光源の発振
レーザ光強度を変化させるレーザ光源変調用回路
を具備することを特徴とする光磁気記録再生消去
装置が得られる。

以下本発明の詳細について実施例を示す図面を
用いて説明する。第１図は本発明が適用された光
磁気、記録再生消去装置の構成を示したものであ
る。第１図において１は光磁気デイスクである。
この光磁気デイスク１は、有機物樹脂基板あるい
はガラス基板あるいは金属基板より成る円板２の
一方の面もしくは両面に、基板面の垂直方向に磁
化容易軸を有する磁性薄膜３を蒸着法あるいはス
パツタ法により形成したものである。磁性薄膜３
上には、さらに酸化シリコンSiO₂等の誘電体か
ら成る劣化防止膜４が形成されている。前記磁性
薄膜３は、前述した結晶性あるいは非晶質磁性薄
膜である。前記光磁気デイスク１はデイスク駆動
用モータ５によつて所定の速度で回転される。

第１図の破線で囲まれた部分は光ヘツドであ
る。この光ヘツド６は光磁気記録再生消去用の光
学系、光検出機構を具備しており、光ヘツド６自
体は図中に矢印で示したように光磁気デイスク１
の半径方向に所定の速度により移動可能である。

前記光ヘツド６において、７は直線偏光のレー
ザ光源であり、たとえば半導体レーザが使用され
る。８，１２はビームスプリツタである。９はレ
ーザ光集光用レンズである。レーザ光ビーム集光
用レンズ９はアクチユエータ１０により支持され
ている。１１は外部磁界印加用のコイルである。
１３はフオーカスエラーならびにトラツキングエ
ラー検出用の受光素子である。フオーカスエラー
ならびにトラツキングエラー信号はそれぞれサー
ボ回路１６に入力され、サーボ信号がアクチユエ
ータ１０にフイードバツクされる。１４は偏光フ
イルタであり、たとえばグラントムソンプリズム
が使用される。１５は再生信号検出用の受光素子
であり、たとえばアバランシエ・フオトダイオー
ドが使用される。１７はレーザ光源変調用回路で
ある。１８は外部磁界印加用コイルへの電流供給
回路である。１９は再生信号増幅回路である。

次に上記構成の光磁気記録再生消去装置の動作
方法、特に従来方法と大きく異なる書き替え方法
について第２図により説明する。前記光磁気デイ
スク１上にはすでに第２図ａに示す２値信号情報
がデイスクトラツクに沿つて記録されている。こ
のとき光磁気デイスク１の磁性薄膜３の磁化状態
は第２図ｂのようになつている。第２図ｂ中に斜
線にて表示した部分は「１」信号に対応して磁化
方向が周囲に対して反転している。次に新たに第
２図ｃに示す２値信号情報に書き替えたい場合、
磁性薄膜３に吸収されるレーザ光パワーが第２図
ｄに示すレベルになるようにレーザ光源変調用回
路１７を調整する。このとき磁性薄膜３には磁界
印加用コイル１１によつて一定の磁界Haが印加
される。第２図ｄにおいて、レーザ光パワーレベ
ルP₁は磁化反転部分（「１」信号）を形成するに
十分なレーザ光パワーを示している。P₀は、既
記録部分の磁化状態−すなわち磁化反転の有無に
かかわらず、非磁化反転部分（「０」信号）を形
成するレーザ光パワを示している。またP_Rは記
録時のフオーカスエラー、トラツキングエラーを
検出するために必要なレーザ光パワーを示してい
る。P_Rは再生時のレーザ光パワーと同レベルで
ある。第２図ｄに示したレーザ光パワーによつて
磁性薄膜３に重ね記録をおこなうと、その結果磁
性薄膜３の磁化状態は第２図ｅになる。第２図ｂ
と第２図ｄとを比べると、磁性薄膜３の磁化状態
はレーザ光照射により新たに記録した２値信号情
報に対応した形に変換される。すなわち、既記録
情報を一且一括消去することなく、既記録情報を
有する光磁気デイスク１上に一定磁界を印加しレ
ーザ光強度を変えながら重ね記録することによつ
て、記録情報の書き替えが達成される。

ここで第２図ｄに示したレーザ光強度の時間変
化を実現するには第１図レーザ光源変調用回路１
７として既知の回路構成が使用される。レーザ光
源変調用回路の一実施例を第３図に示す。第３図
において２値信号情報はクロツク信号に同期した
形でデイジタル回路１７０に入力される。２値信
号情報はデイジタル回路１７０によつて２系列の
信号S₁，S₀に変換される。２値信号情報に対する
信号S₁，S₀の時間変化は第４図のとおりである。
第４図においてａはクロツク信号、ｂは２値信号
情報、ｃ，ｄはそれぞれS₁，S₀で信号ある。信号
S₁はクロツク信号に同期して入力信号が“１”で
あるときだけ“１”になる。S₀はクロツク信号に
同期して入力信号が“０”であるときだけ“１”
になる。信号S₁，S₀は第３図のパルス発生回路１
７３，１７５のトリガ入力として用いられる。第
３図において変調用回路１７１，１７２，１７４
の出力は半導体レーザに接続される。変調用回路
１７１は半導体レーザに供給される直流電流を制
御する構成を有し、レーザ光強度レベルP_Rを設
定する。変調用回路１７２は半導体レーザに供給
される一方のパルス電流を制御し、レーザ光強度
レベルP₁を設定する。パルス幅とタイミングは
変調用回路１７２に接続されたパルス発生器１７
３とトリガ用信号S₁により制御される。第４図ｅ
に変調用回路１７２の出力電流波形の一例を示
す。変調用回路１７４は半導体レーザに供給され
るもう一方のパルス電流を制御し、レーザ光強度
レベルP₀を設定する。パルス幅とタイミングは
変調用回路１７４に接続されたパルス発生器１７
５とトリガ用信号S₀により制御される。第４図ｆ
に変調用回路１７４の出力電流波形の一例を示
す。

光磁気記録方式においては、レーザ光照射によ
つて形成される反転磁区の挙動をヒートフロー理
論と反転磁区安定性理論を用いて説明することが
できる。磁性薄膜にレーザ光パルスを照射したと
き、パルス照射中に磁性薄膜の温度は上昇する。
照射終了とともに冷却が始まり、磁性薄膜の温度
は室温に戻る。この一周期の各時間における磁性
薄膜の温度分布と、そのときの磁性薄膜の磁気特
性から反鉄磁区の安定性を判定することができ
る。レーザ光照射による磁性薄膜の温度分布はヒ
ートフローの計算から求めることができる。厳密
解を得るには磁性薄膜と磁性薄膜を支持する基板
を小体積に分割し、１つの小体積に隣接する小体
積群からの熱の流入、流出を考慮した計算機シミ
ユレーシヨンが用いられるが、一次近似としては
レーザ光ビーム中心から磁性薄膜の半径方向のみ
の熱拡散を考慮した無限固体近似が有効である。

次に反転磁区の安定性について説明する。半径
R_Wの円筒形の反転磁区が存在するとき、磁性薄
膜の全磁気エネルギE_Tは磁壁エネルギE_W、反磁
界エネルギE_D、外部印加磁界Haとの相互作用エ
ネルギE_Hの和である。

E_T＝E_W＋E_D＋E_H＝2πR_Whσ_W＋E_D＋2hHa∫2π ｏ∫R_W ｏＭ（ｒ，θ）rdrdθ ……(1) ここでＭは飽和磁化、σ_Wは磁壁エネルギ密度、
ｈは磁性薄膜の膜厚である。

式(1)の両辺をR_Wで微分して磁壁に働く半径方
向の力を求めると、 ∂E_T／∂R_W＝2πhσ_W＋2πRh∂σ_W／
∂R_W＋∂E_D／∂R_W＋4πhHaR_WＭ（R_W）……(2) となる。式(2)を磁場の単位で表現すると、 H_T＝１／4πR_WhM（R_W）∂E_T／∂R_W＝σ_W（R_W）／2RM
（R_W）＋１／2M（R_W） ∂σ_W（R_W）／∂R_W＋H_D（R_W）＋
Ha……(3) となる。H_D（R_W）は半径R_Wでの反磁界である。

ここで磁壁の保持力としてH_W（1/3Hc）を導
入すると、反転磁区の安定性は次のように分類で
きる。ただしHcは保持力である。

()H_T＞H_W 収縮 ()｜H_T｜H_W 安定 ()−H_T＞H_W 膨張 以上のヒートフロー理論と反転磁区安定性理論
を用いて記録時の一周期にわたり反転磁区の挙動
を計算機シミユレーシヨンにより求めた。以下に
その手順を述べる。

(1) ヒートフロー計算により時刻ｔにおける半径
方向の温度分布を求める。

(2) 磁性薄膜の飽和磁化Ｍ、保磁力Hc、磁壁エ
ネルギ密度σ_Wの温度特性から時刻ｔにおける
Ｍ、Hc、σ_Wの半径方向の分布を求める。

(3) 時刻ｔにおけるキユーリ温度に達している半
径をRcとしたとき反転磁区が存在しないなら
ずR_W＝Rc＋1000Åとする。

(4) 磁区の安定性を調べ、安定な磁壁の位置を求
める。

(5) R_WRcとなれば時刻ｔでは反転磁区は存在
しない。時刻を△ｔだけ進めて(1)に戻る。

(6) 安定な磁区半径が存在するときには、その半
径に磁壁があるとして時刻を△ｔだけ進めて、
(1)に戻り、安定性を判定する。

既知の書き替え方法、すなわちパルスレーザ光
強度を一定にして、印加磁界を高速スイツチング
する方法では、式(3)右辺第４項のHaを変えるこ
とによつてH_Tを変え、それによつて反転磁区を
安定状態と収縮状態（反転磁区のない状態）に切
り替え、書き替えをおこなう。

しかしながら、本発明における書き替え方法
は、一定の外部磁界を磁性薄膜に印加し、パルス
レーザ光強度を変えることによつて反転磁区の安
定状態と収縮状態（反転磁区のない状態）を作
り、書き替えをおこなう。

重ね記録による書き替えに関し、前記計算機シ
ミユレーシヨンの結果をもとに詳細に説明する。
第５図は、ポリメタクリル酸エステル樹脂上の
TbFe膜（500Å厚）にレーザ光を照射したとき
のレーザ光ビーム照射中心から半径方向に対する
飽和磁化分布を示したものである。TeFe膜には
磁化反転を助ける方向に25Oeの一定磁界が印加
されている。Tbの組成は22原子量％、室温での
保磁力と飽和磁化をそれぞれ2KOe、30emu／
cm³、TbFeのキユーリ温度は100℃とした。第５
図−ａはTbFe膜に吸収パワ5.0^mw、パルス幅
100^nsec、ビーム直径1.5μｍφのレーザ光を照射し
たときのTbFe膜の飽和磁化分布である。第５図
−ａにおいて、曲線２１は100^nsecのレーザ光照射
直後の飽和磁化分布である。飽和磁化がゼロとな
る半径RcではTbFe膜の温度はキユーリ温度に達
しており、Rcより内側では磁化は消失している。
ここでRcを磁化消失半径と呼ぶ。前記記録条件
ではRc＝1.84μｍである。第５図−ａにおいて曲
線２２はTbFe膜の温度が室温に戻つたときの飽
和磁化分布である。半径Rwに磁壁が形成され、
Rwより内側では磁化は反転している。すなわ
ち、「１」信号に対応した反転磁区が形成される。
前記記録条件ではRw＝0.89μｍである。第５図−
ｂはTbFe膜に吸収パワ2.5^mw、パルス幅100^nsec、
ビーム直径1.5μｍφのレーザ光を照射したときの
TbFe膜の飽和磁化分布である。第５図−ｂにお
いて、曲線２３は100^nsecのレーザ光照射直後の飽
和磁化分布である。磁化消失半径Rcは1.10μｍで
ある。第５図−ｂにおいて、曲線２４はTbFe膜
の温度が室温に戻つたときの飽和磁化分布であ
る。曲線２４は第５図−ａの曲線２２とは異な
り、反転磁区がない。すなわち、2.5^mw100^nsecの
レーザ光では25Oeの外部印加磁界が反転磁区の
形成を助ける方向に加えられているにもかかわら
ず、「１」信号に対応する反転磁区を形成するこ
とはできない。しかしながらこのことは2.5^mw
100^nsecのレーザ光によつて半径1.10μｍ以内の領
域に「０」信号に対応する非反転磁区が形成され
たとみることができる。たとえば25Oeの外部磁
界が反転磁区の形成を助ける方向に印加されてい
る状態で、5.0^mw、100^nsecのレーザ光によつて反
転磁区が形成された部分に、2.5^mw、100^nsecのレ
ーザ光を照射する。既に記録されている反転磁区
の半径は0.89μｍであるが、2.5^mw、100^nsecのレー
ザ光を照射することによつて、ビーム中心から半
径1.10μｍ以内の部分はキユーリ温度以上に上昇
するために既記録情報（「１」信号）に対応した
磁化状態はその時点で消失する。そして、膜温度
の低下とともに「０」信号に対応した非反転磁区
が形成される。既記録情報（「１」信号）に対応
した反転磁区の半径Rwは0.89μｍであり、前記の
2.5^mw時の磁化消失半径（Rc＝1.10μｍ）より小さ
いので、完全に非反転磁区が形成される 前記重ね記録が達成されるためには、「１」信
号記録用のレーザ光強度P₁によつて形成される
反転磁区半径Rwと「０」信号記録用のレーザ光
強度P₀によつて形成される磁化消失半径Rcとの
間に Rc＞Rw の関係が成り立てばよい。

既に「１」信号が記録されている反転磁区部分
に、「０」信号を記録する場合であつても、上記
のR_CとR_Wの関係が成立している限り、「０」信号
の記録は可能である。すなわち、反転磁区半径以
上の領域が「０」信号記録用のレーザ光照射によ
り昇温され、それによりその領域の磁化が消失す
るので、既に反転磁区が形成されていた場合でも
その領域は「０」信号記録動作によつて、一旦消
失する。

計算機シミユレーシヨンによれば、室温での保
磁力と飽和磁化がそれぞれ2KOe、30emu／cm³の
TbFe膜（500Å厚）の場合、レーザ光強度に対
する反転磁区半径Rwと磁化消失半径Rcの変化は
第６図のようになる。Rwは外部印加磁界の大き
さと磁界の向きによつて変化する。

第６図には、外部磁界が磁化反転を助ける方向
に印加されているときのR_Wの変化を示した。こ
こでは一例として外部磁界が25Oeと50Oeの２つ
の場合について説明する。

第６図から外部印加磁界を25Oeとしたとき、
P₁として4.0ｍＷから5.0ｍＷを選んだ場合、記録
される反転磁区の最大半径は0.89μｍとなる。一
方P₀として1.8ｍＷから3.2ｍＷを選んだ場合磁化
消失半径は0.89μｍ以上となる。第６図のR_W，R_C
の変化を示すグラフにおいて、太い実線Ａ，
A′で示した部分がそれぞれP₁，P₀の領域に相当
する。

また、外部印加磁界を50Oeとしたとき、P₁と
して1.8ｍＷから2.3ｍＷを選んだ場合、記録され
る反転磁区の最大半径は0.48μｍとなり、P₀とし
て、1.3ｍＷから1.6ｍＷを選んだ時、磁化消失半
径は0.48μｍ以上となる。第６図のR_W，R_Cの変化
を示すグラフにおいて、太い実線Ｂ，B′で示し
た部分がそれぞれP₁及びP₀の領域に相当する。

P₁，P₀を前述のように選ぶことにより、常に 磁化消失半径R_C＞反転磁区半径R_W を満たすことができる。

結局、第６図から外部磁界が25Oeのとき、P₁
として4.0〜5.0ｍＷを選んだとき、P₀として1.8ｍ
Ｗから3.2ｍＷの範囲の値が許容されることがわ
かる。また、外部印加磁界が50Oeのときには、
P₁として1.8〜2.3を選んだとき、P₀として1.3から
1.6ｍＷの範囲の値が許容されることがわかる。
このようにして外部磁界とP₁を設定し上記の方
法でP₀を決定すればよい。外部印加磁界の大き
さを変えることによつてP₁，P₀の許容値を変え
ることができ、磁化反転を助ける方向に印加する
外部磁界の大きさを大きくすることが、書き替え
に要するレーザ光強度を下げる効果を持つ。

また、計算機シミユレーシヨンの結果によれ
ば、重ね記録による書き替えをおこなう場合、外
部磁界を印加することによつて、磁性薄膜に要求
される特性を広範囲にわたつて許容することがで
きる。たとえば、第７図に示したように室温での
保磁力750Oe、室温での飽和磁化30emu／cm³の特
性を有するTbFe膜（膜厚500Å、キユーリ温度
100℃）では、外部磁界を印加しない時記録レー
ザ光パワが5^mw以下の範囲では反転磁区を形成す
るができず、重ね記録による書き替えもできな
い。ところが磁化反転を助ける方向に25θeの外部
磁場を印加することにより、P₁＝5^mw、P₀＝2.0^mw
の条件でRw＝0.84μｍの反転磁区が形成でき、書
き替えができる。

なお、P₁＝5^mw、P₀＝2.0^mwとしたとき、TbFe
膜の室温での特性が保磁力500〜5KOeの範囲、
飽和磁化15〜50emu／cm³の範囲であれば外部磁界
を磁化反転を助ける方向に０〜100Oe印加するこ
とによつて書き替えが達成される。また、これら
の磁気特性はTbとFeの組成比を選択することに
より得ることができる。

計算機シミユレーシヨンによれば、キユーリ温
度が180℃のGdTbFe膜、あるいはキユーリ温度
が80℃のTbDyFe膜においても重ね記録による書
き替えのできるP₁，P₀が存在する。第８図はキ
ユーリ温度180℃、室温での保磁力2KOe、室温
での飽和磁化40emu／cm³のGdTbFe膜（500Å
厚／ポリメタクリル酸エステル樹脂上）に外部磁
界を磁化反転を助ける方向に25Oe印加し、
100^nsecのレーザ光を照射したときの磁化消失半径
Rcと反転磁化半径Rwを、レーザ光強度に対して
求めた結果である。たとえばRw＝0.5μｍに選ん
だとき、P₁＝3.8^mw、P₀＝3.0^mwとすることにより
重ね記録による書き替えが可能である。なお記録
の再生方法は既知の方法を用いる。すなわち、記
録ビツドに変化をもたらさない程度に弱いレーザ
パワーを一定レベルでデイスクに連続照射するこ
とにより、再生できる。

以上、本発明をTbFe、GdTbFe、TbDyFe膜
について述べたが、本発明はこのような材料に限
られるものではなく、光磁気メモリ用の結晶性磁
性薄膜、希土類−遷移金属非晶質磁性薄膜に広く
適用できる。

本発明にかかる光磁気記録再生消去方法及び装
置は従来方式の光磁気記録再生消去方法及び装置
において重要な問題点であつた書き替え方法に関
して画期的な解決法を提供するものである。すな
わち、既に記録されている情報を一且一括消去し
てから記録をおこなう従来の二段階書き替え方
法、あるいは外部印加磁界を高速スイツチングす
ることによつて書き替えをおこなう従来の方法に
対し、本発明は一定の磁界を印加した状態で記録
情報に対応してレーザ光強度を変えながら重ね記
録することによつて一回の操作により書き替えを
達成し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光磁気記録再生消
去装置の構成図である。第２図は重ね記録時の各
部の動作モードならびに記録状態を示す模式図で
ある。第３図はレーザ光源変調用回路の一実施例
を示す図である。第４図は第３図のレーザ光源変
調用回路の各部信号波形図である。第５図は磁性
薄膜にレーザ光を照射したときの飽和磁化の分布
図である。第６図、第７図および第８図はポリメ
タクリル酸エステル樹脂上のTbFe膜、GdTbFe
膜それぞれにレーザ光ビームを照射したときの反
転磁区半径Rwと飽和磁化がゼロになる半径（磁
化消失半径）Rcのレーザ光強度依存性を示した
図である。 図において１は光磁気デイスク、２は円板、３
は磁性薄膜、４は劣化防止膜、５はデイスク駆動
用モータ、６は光ヘツド、７はレーザ光源、８お
よび１２はビームスプリツタ、９はレーザ光ビー
ム絞り込みレンズ、１０はアクチユエータ、１１
は磁界印加用コイル、１３はフオーカスおよびト
ラツキングエラー検出用受光素子、１４は偏光フ
イルタ、１５は再生信号検出用受光素子、１６は
サーボ回路、１７はレーザ光源変調用回路、１８
は磁界印加コイル用電源、１９は再生信号増幅回
路、２１〜２４は磁性薄膜の飽和磁化の分布曲
線、１７０はデイジタル回路、１７１，１７２お
よび１７４は変調用回路、１７３および１７５は
パルス発生器である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を記録媒体
   とし、レーザ光によつて情報を記録・再生・消去
   する光磁気記録再生消去方法において、前記記録
   媒体に一定の磁界を外部より印加し、２値信号と
   反転磁区の有無を対応させ、前記記録媒体の既記
   録部に照射するレーザ光の強度を変化させて記録
   情報を書き替え、「１」信号記録時のレーザ光強
   度をP₁、「０」信号記録時のレーザ光強度をP₀と
   したとき、P₁＞P₀であり、また、P₁照射時に前
   記磁性薄膜に形成される反転磁区半径をR_W、P₀
   照射時に生じる前記磁性薄膜の磁化消失半径を
   R_Cとしたとき、R_C＞R_Wであることを特徴とする
   光磁気記録再生消去方法。 ２ 光学系と光検出器を具備し、かつ移動可能な
   光ヘツドと光磁気デイスクとを有する光磁気記録
   再生消去装置において、記録媒体に一定の磁界を
   印加するコイルと、前記コイルに電流を供給する
   電源回路と、「１」記録信号と「０」記録信号に
   対して、独立にレーザ光源の発振レーザ光強度並
   びにパルス幅を変化させるレーザ光源変調用回路
   を具備したことを特徴とする光磁気記録再生消去
   装置。