JPH01251357A - 帯状消去及び細長磁区記録のための直接書換え型磁気光学システム、及びシングルヘッド直接書換え型磁気光学システムを含む磁気光学的記録媒体に記録されたディジタルデータのための直接書換え方法及び装置 - Google Patents
帯状消去及び細長磁区記録のための直接書換え型磁気光学システム、及びシングルヘッド直接書換え型磁気光学システムを含む磁気光学的記録媒体に記録されたディジタルデータのための直接書換え方法及び装置Info
- Publication number
- JPH01251357A JPH01251357A JP28659388A JP28659388A JPH01251357A JP H01251357 A JPH01251357 A JP H01251357A JP 28659388 A JP28659388 A JP 28659388A JP 28659388 A JP28659388 A JP 28659388A JP H01251357 A JPH01251357 A JP H01251357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- temperature
- laser
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 187
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- QEIFUUMJTNGKGR-UHFFFAOYSA-N [Co].[Tb].[Gd] Chemical compound [Co].[Tb].[Gd] QEIFUUMJTNGKGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVZWMWMGZSBXML-UHFFFAOYSA-N [Co].[Fe].[Tb].[Gd] Chemical compound [Co].[Fe].[Tb].[Gd] DVZWMWMGZSBXML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- SDVIPADSGIIEHD-UHFFFAOYSA-N cobalt terbium Chemical compound [Co].[Tb] SDVIPADSGIIEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100128227 Caenorhabditis elegans lid-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000767 Tm alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Gd] Chemical compound [Fe].[Co].[Gd] BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Tb] Chemical compound [Fe].[Co].[Tb] FOPBMNGISYSNED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000005557 antagonist Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/21—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is of read-only, rewritable, or recordable type
- G11B2220/215—Recordable discs
- G11B2220/216—Rewritable discs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2525—Magneto-optical [MO] discs
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁区域の磁気光学的記録及び消去、磁気光学
的データストレイジ、そして、特に外部磁気バイアスの
不存在下における磁気光学的補償点法による記録及び消
去、並びに磁気光学的記録媒体の磁区域に記憶されたデ
ィジタルデータの直接的な書換え変調により記録データ
の変調を行うための方法、装置及びシステムに関するも
のである。 発明の背景 テルビニウム−鉄−コバルト（ＴｂＦｅＣｏ） 、ガド
リニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ ）及
びガドリニウム−テルビウム鉄コバルト（ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ ）などの希土類−遷移金属非晶質合金からなるよ
うな薄膜状フェリ磁性材料は、高密度磁気光学的記録媒
体として周知である。その磁気光学材料内には、約１μ
ｍサイズの磁区域を記録することができる。これらのフ
ェリ磁性材料は室温において貰い保磁力を有するが、室
温より高い温度では低い保磁力を有する。好ましくは保
護膜を有するディスク型の記録媒体は、外部磁界の存在
下にいてそのディスクを加熱し、次いで、冷却可能な状
態又は飽和磁界を加えることにより表面に直角な特定方
向の磁化を生じ、ディスクはその後、所望の磁気極性の
外部磁界の存在下において小スポット加熱（なるべくな
ら、レーザーエネルギーによる）を行われ、これにより
データが記憶される。加熱された領域はその領域が室温
まで冷却されて高い保磁力の状態に戻ったとき、外部磁
界の方向に磁化される。ディスク状のデータはディスク
面から反射された偏光の効果を観察することにより読取
られる。このように外部磁気バイアスとともに動作する
システムは、その記録媒体の補償温度以上の加熱、又は
キューリー温度以上の加熱によって動作するものである
。可逆的な外部磁界を用いるシステムは、加えられた外
部磁界の極性に従って記録された磁気状態を直接制御し
得るという利点を有するが、動作が遅いという欠点をも
っている。 外部磁気バイアスの不存在下において動作する磁気光学
的記録システムもまた周知である。本発明者らがすでに
開発した磁気バイアス不使用の補償点システムは室温よ
り数ｌＯ℃高く、なるべ（なら、キューリー温度より少
くとも５０℃低い補償温度を有する磁気光学媒体を使用
するものである。 このような媒体においては、局部領域をレーザービーム
により補償点以上に加熱し、自ら発生する磁気バイアス
によりその磁区域内の磁気極性を反転し、安定な磁区域
として記録することができる。その磁区域は比較的低い
エネルギーレベルのレーザーパルスを加えることにより
消去され、先に記録された磁区域の範囲内に新たな磁区
域を形成することができる。内側の磁区域が正確なエネ
ルギーレベルのレーザーパルスにおいて形成されるなら
ば、その内債磁区の磁壁は、周辺磁区の磁壁が収縮する
ときに拡大しようとする。これは磁壁同志が互いに相手
を破壊するまで持続し、これによって先に記録された磁
区域が消去される。 外部磁気バイアス不使用のキューリー点システムちまた
周知であるが、これは補償点方式とは顕著な原理的相違
を有する。この場合、磁気光学媒体はなるべくなら、８
０℃〜１８０℃程度の範囲内にある比較的低いキューリ
ー点を有しなければならない。ある領域がキューリー点
温度以上に加熱されると、その加熱領域は磁化され、冷
却後、その加熱領域の半径の約半分の範囲内に逆磁気極
性の安定な磁区域が形成される。先に記録された磁区域
を消去するためには、その磁区域を含む領域をキューリ
ー点ＩＭ度以上に加熱し、これによって加熱領域の磁化
を消滅させる。消去パルスのエネルギーが先に記憶され
た磁区域を含む領域をキューリー点よりわずかに高く加
熱する程度の大きさであれば、冷却後、形成しようとす
る逆磁気極性の磁区域は不安定であり、したがって、冷
却後消滅する。 このような外部磁気バイアス不使用のキューリー点シス
テムは、昭和５７年１２月２１日付で出願され、昭和５
９年６月３０日付で公開された岡田他の発明による日本
国特許願（特開昭５９−１１３５０６号）において開示
されている。このシステムにおける磁気光学媒体は８０
℃〜１８０℃程度の比較的低いキューリー点を有するも
のである。 岡田他が開示したキューリー点システムによれば、記録
及び消去はシングルビーム、直接書換え動作により達せ
られる。スポット磁区を記録すべく用いられるレーザー
パルスはその磁区を消去するに必要なレーザーパルスよ
り大きい。したがって、この大きい記録パルスは先の磁
気履歴とは無関係に状態“１”を表わす磁区を形成し、
より小さい消去パルスは先の磁気履歴とは無関係に磁区
域を消滅させ、状態“Ｏ”を表示させることになる。い
ずれの場合においても、キューリー点損失より高い温度
に加熱された領域には磁気的な損失が生じ、先の磁気履
歴を消しさるものである。冷却されたときの磁区域の存
在又は不存在はキューリー点以上に加熱された領域のサ
イズに応じたものとなる。 外部磁気バイアス不使用のいわゆるバイアスレスシステ
ムは、磁界変化に必要な遅延時間による影響を受けない
ため、きわめて高速の動作が可能となる。このようなバ
イアスレスシステムはさらに、記録媒体に近接してかさ
高い磁気素子を用いる必要をな（するものである。 周知のシステムにおいて記録された磁区域は最も低いエ
ネルギー配置に対応する円筒状磁壁内で安定するものと
考えられていた。これについては、例えば１９６９年１
２月発行のベルシステムテクニカルジャーナルＶｏ１．
４８、南１０のＡ、 Ａ。 シー１による“円筒状磁区（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ
Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄｏｍａｉｎｓ）の理論”と駆する
論文を参照されたい。磁区の移動度は磁気バブルメモリ
ーの開発をもたらしたものである。磁区の発生において
、加えられた熱エネルギーが低すぎる場合にはその磁区
は破壊される。加えられた熱エネルギーが最少スレッシ
ョルドレベルを（それほど大き゛くなく）上回ると、磁
区は拡大して確立される。その場合、最少エネルギーレ
ベル配置において磁区を形成しようとする磁区形成力学
に影響する幾つかの反作用力が発生する。 発明の要約 運動系においてバイアスレス記録を用いることにより、
細長片状に安定な磁区を形成し得ることが見出されてい
る。回転ディスク媒体によれば、正確な量の熱エネルギ
ーがそのディスク面を横切って移動するレーザービーム
により加えられ、不連続な区分として破壊されない細長
片磁区域が形成される。この細長片磁区域はレーザービ
ームの連続した付勢により又はレーザーの至近間隔パル
ス付勢により記録形成される′。このような細長片磁区
域は記録媒体上の記録データ密度を顕著に増大すること
ができるパルス幅変調、及び掃引長さ制限型コード記録
において特に有効に用いることができる。 細長片又は帯状磁区域を書込むために用いられるよりも
、低いエネルギーレベルにおいて連続付勢されたレーザ
ービームを用い、これがディスク面を横切るように移動
させることは、そのビーム通路における何らかの磁区を
消滅させるという驚異的事実が見出された。選択的に同
様な消去動作は予想される磁区幅又は直径の半分以下の
距離だけ隔った低エネルギーの“消去”パルス列を加え
ることにより達せられる。 この新たに発見された技術を利用する好ましいオペレー
ションの方法は、動作が記録中である限り、“消去”レ
ベルにおけるレーザーエネルギーを連続的に付勢し、磁
区域が記録されるべき場合には、比較的高い“書込み”
レベルのレーザーエネルギーをその上に重ね合わせるこ
とからなっている。この技術によれば、所望のデータは
記録媒体を横切る単一のレーザーパルスにより記録媒体
の先の磁気履歴とは無関係に記録される。別の好ましい
技術は記録中においてレーザーを連続的な“消去”レベ
ルにおいて付勢し、細片磁区域が要求されるとき、その
上に至近間隔で連なる“書込み”パルス列を重ね合わせ
るものである。さらに、別の技術は固定されたパワーレ
ベルにおいてレーザーを付勢し、これによって書込みの
ために正確なパワーレベルで連続的な付勢を行うととも
に、パルス付勢されたレーザーのデユーティ−サイクル
により消去を達成するようにしたものである。さらに、
別の選択的な方法によれば、通常は至近間隔で連なる“
消去”パルス列を加え、磁区域が要求される部分では前
記至近間隔パルスの振幅を“書込み”レベルまで拡大さ
せるものである。 本発明の目的において“細長磁区域”とはトラック方向
の長さがトラック幅の少くとも１．５倍であり、“スト
リップ消去”又は“帯状消去”とはトラック幅の少くと
も１．５倍だけトラックに沿ってのびる範囲における磁
区域を消去するものである。 さらに、所定温度（４０℃）と、高いキューリー温度と
の間の補償点を有するフェリ磁性記録媒体を用いること
により、選択された領域を補償点より高（キューリー点
より低い加熱温度まで上昇させ、外部磁気バイアスを用
いることなく記録及び消去を行うことがモきる。レーザ
ーパルスが十分大きい範囲を補償点以上に加熱すべく加
えられるならば、保磁力は低下し、記録媒体の自己減磁
界はその範囲が冷却されるとき逆磁気特性の磁区を形成
する。しかる後、同じ範囲内に、より小さいパルスが加
えられるならば、先の磁区内で形成された磁区がこれを
包囲する磁壁内において拡大し、やがて磁壁は互いに衝
突して破壊する。 消去機構はキューリー点消去において用いられた機構か
らは顕著に相違するものであるが、本発明では消去レー
ザーパルスが記録レーザーパルスより小さいという補償
点オペレーションが発見された。この発見により、シン
グルビーム直接切換動作が補償点方式において少くとも
単一データスポットオペレーションのために可能となる
。 しかしながら、補償点オペレーションにおいては、磁区
成長の危険が存在する。この場合、データは連続した“
１”が′０” （消去）を介在することなく記録される
ような多重バスにおいて記録される。磁区又はデータス
ポットは連続パス上のわずかな誤整列に基づいて成長し
、信頼性よ（消去できないほど拡大された磁区を発生す
る。さらに、そこでは連続した消去パルスが累加的な効
果により記録磁区を生ずるという危険も存在する。 補償点オペレーションは領域をキューリー点以上に加熱
するものではなく、したがって、キューリー点オペレー
ションの場合のように、新たなデータが記録されるたび
毎に、先の磁気履歴を消去するものではない。発明者ら
は記録媒体を十分な磁区移動度、及び連続記録又は消去
動作間における十分な時間経過を提供するような細長構
造とするならば、磁区は連続した記録パルスを加えても
成長しないで移動し、同一サイズを維持するとともに、
最終のレーザーパルスによって再整列することを発見し
た。さらに、これらの条件下において、消去パルスは磁
区を形成するほどに累積しないものである。 第１図は逆磁気極性のスボッ＋−ｔｎ区を書込み及び消
去するだめの補償点磁気光学的記憶システムを略示する
ものである。磁気光学的記憶媒体は適当な駆動モータ（
１２）により回転駆動されるディスク（１０）の表面上
に形成されている。このディスク面に対しては、レーザ
光源（１４）よりハーフミラ−（１６）及びレンズ（１
８）を通してレーザエネルギーの偏光ビームが投射され
るようになっている。ディスク面から反射されたビーム
は再びレンズ（１８）を通ってミラー（１６）に反射さ
れ、さらに偏光子（２０）を通じてフォト検出器（２２
）に入射する。フォ日灸出器（２２）は受は入れた光量
を指示する信号を増幅器（２４）に供給するものである
。レーザ光源（１４）及びレンズ（１８）はヘッドユニ
ット（３８）を構成し、このユニット（３８）はトラッ
ク位置決め機構（３６）により、ディスク（１０）の種
々の記録用トラックに対応するそのディスク中心から種
々に異なった位置を選択的に占めることができる。 ディスク（１０）はスパッタなどのような表面処理法に
より基板（７）上に形成された磁気光学的記録媒体（８
）を有する。この記録面は酸化珪素などのような光透明
性保護層（９）により被覆されている。保護層としては
他にも適当な物質、例えば窒化珪素、窒化アルミニウム
、酸化チタン及び酸化ジルコン等を用いることができる
。基板はアルミニウム、ガラス（例えばコーニンググラ
ス社の型番号０２１１または７０５９で指定されるもの
等）、またはポリカーボネイト、及び感光膜によって被
覆された種々のガラス基板から形成することができる。 ところで、第１Ｍ図は細長は区の書込み及びストリップ
消去（帯状消去）を行うための補償点磁気光学的記録シ
ステムを略示するものである。磁気光学的記録媒体は適
当な駆動モータ（１２）により回転駆動されるディスク
（１０）の表面に形成されている。レーザ光源（１４）
はハーフミラ−（１６）及びレンズ（１８）を通してこ
のディスク面にレーザエネルギーの偏光ビームを投射す
るものである。ディスク面から反射された光は再びレン
ズ（１８）を通過してからミラー（１６）に反射され、
さらに偏光子（２０）を通じてフォト検出器（２２）に
入射する。このフォト検出器（２２）は増幅器（２４）
に受光量を指示する電気信号を供給するものである。レ
ーザ光源（１４）、ミラー（１６）及びレンズ（１８）
はヘッドユニット（３８）を構成し、このユニット（３
８）はトランク位置決め機ｆ！４（３６）により、ディ
スク（１０）の種々の記録用トラックに対応するディス
ク中心から種々に異なった距離の位置を選択的に占める
ことができる。 ディスク（１０）はスパッタなどのような表面処理法に
より基板（７）上に形成された磁気光学的記録媒体（８
）を有する。この記録面は酸化珪素などのような光透明
性保護層（９）により被覆されている。この保護層とし
ては他にも適当な物質、例えば窒化珪素、窒化アルミニ
ウム、酸化チタン及び酸化ジルコン等を用いることがで
きる。基板はアルミニウム、ガラス（例えばコーニング
グラス社の０２１１番または７０５９番等）、またはポ
リカーボネイ１−１及び感光層により被覆された種々の
ガラス基板から形成することができる。 記録層はガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴ
ｂＣｏ） 、テルビウムーコバルｌ−（ＴｂＣｏ） 、
テルビウム鉄コバルト（ＴｂＦｅＣｏ） 、ガドリニウ
ム−テルビウム鉄コバルト（ＧｄＴｂＦｅＣｏ）などの
ような合金からなるフェリ磁性体磁気からなる光学材料
より形成され、なるべくなら予想される最高周囲温度Ｔ
ａより高く、その合金の結晶点（３００℃以上）より低
い補償温度Ｔｃを有するものである。このような補償温
度は通常の室温より少なくとも数１０℃以上高くなけれ
ばならない、実験により、フェリ磁性材料の磁区又は磁
区域は本発明の補償点技術によるならば４０℃〜１４０
°Ｃの補償温度において、材料に磁気バイアスを与える
ことなく消去できることが確認された。消去はこの範囲
外の温度においては信頼性良く行うことはできないと考
えられる。したがって補償温度の好ましい範囲は６０℃
〜１００℃である。キューリ温度は補償点より少なくと
も５０℃、そして好ましくは１００℃以上高い温度であ
る１５０℃以上でなければならない。酸化によって生ず
るであろう面内ヒステリシス（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｈｙ
ｓｔｅｒｅｓｉｓ）はこれにより回避することができる
。 一般にフエＩＪ ｌ性記録媒体の補（Ｍ温度は二つのタ
イプの磁気物質の比率関数であることが知られている。 希土類、遷移金属の磁気−光学構造において補償温度は
希土類と遷移金属との比率の関数である。構造中に２以
上の希土類が含まれる場合、補償温度はそれらの希土類
の比率とはほぼ無関係に設定される。例えばガドリニウ
ム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）などのよう
な鉄を含む構造においては補償温度は鉄／コバル） （
Ｆｅ／Ｃｏ ）比とはほぼ無関係となる。コバルトが遷
移金属であるｊ＋’ｉ造においては約７７％のコバルト
が５０℃の補償温度を決定するが、コバルトが約７５．
８％であれば１００℃の補償温度を決定する。 記録媒体には良好な磁区移動度が要求される。 これは特定スポットの多重通過記録により磁区が再整列
し成長しないようにするためである。ガドリニウムなど
の軽希土類を含むフェリ磁性合金は通常良好な移動度を
提供するものである。実効動作レベルに対する保磁力を
富めるためテルビウムなどのような重希土類についても
ほぼ等しい組成比が要求される。実験的に６′れりされ
た好ましい構造（原子百分率において）は次の通りであ
る。 （１１ＴｂｚｓＦｅｓｓＣＯｚｏは補償温度８０℃、キ
ューリ温度３３０℃、そして２７℃における保磁力ｔｌ
ｃが４にエルステッドであった （２１ Ｇｄ１３Ｔｂ１３Ｆｅ５ｇＣＯ１５は補償温
度９０℃、キューり温度３３０℃、そして２７℃におけ
る保磁力１１ｃが２．５にエルステッドであった（３）
Ｔｂ＋ｑ、 ５ｃｏｌｌＯ，ｓは補償温度１２０℃
、キューり温度４００℃、そして２７°Ｃにおける保磁
力Ｈｃが１．８にエルステッドであった磁区の成長は補
償点以上に加熱された状態で連続したエリアが重なると
き同様に生ずるものである。補償点温度以上で重なり合
う連続消去パルスは新たな磁区を発生することができる
。したがって基本的には同一スポットへの書込みまたは
消去を行う連続動作もしくは連続バスにおけるそのよう
な重なり（オーバーラツプ）を回避するため、記録媒体
は補償点以下まで急速に冷却される。約１０１００ｎナ
ノメータ）程度の記録媒体の薄膜は常時多重パスのため
に要求される温度よりかなり低い室温まで冷却される。 ディスクは製造後初期磁気状態を形成するため、約２０
にエルステッドの飽和磁界中に置かれる。 冷却後外部磁界の影舌下において記録領域はバイアス磁
界と同方向に整列した正味磁気モーメントを有するもの
とする。 第１図に示す通り、レーザ光源（１４）は電源（３０）
により付勢される。ディスクが低速から適当な速度まで
の回転速度で動作するものである場合において比較的廉
価なレーザ装置としては、たとえば波長７８２μｍにお
いて電力２０ミリワツトまで動作するシャープ電気製の
型番号ＬＴ０２４ＭＤＤダイオードレーザなどのような
半導体ダイオードレーザを用いることができる。別の好
ましいダイオードレーザとしては日立製作所から製造販
売されている波長８２０μｍの１化Ｐ １４００があ
る。より高速でディスクを回転させるべくより多くの電
力を要求するシステムの場合には、アルゴンガスレーデ
を用いることができる。 ダイオードレーザにより、約１〜２０ミリワツト程度の
電力レベルにおいて１０ｎ秒〜１μ秒間隔で付勢するこ
とは“書込み”及び“消去”動作中において記録媒体の
磁気状態に悪影響を与えるため“読取り”動作において
は記録媒体の磁気状態を変化しないよう低レベルの電力
が用いられる。 ガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）
において中核をなすミクロンサイズのスポット磁区は、
たとえばそのフィルムを外部磁界の不存在下において、
７ミリワツト、３００ｎ秒パルス幅のレーザパワーで局
部加熱することにより得ることができる。３００ｎ秒パ
ルス間隔により書き込まれたスポット磁区はこの後同じ
電力レベルにおいて１００〜２００ｎ秒幅のパルスを加
えることにより完全に消去することができる。１２ミリ
ワツトのレーザパワーによれば１００ｎ秒パルスで書き
込まれたスポット磁区は３０〜８０ｎ秒パルスにより消
去され、１５０ｎ秒パルスにより古き込まれたスポット
磁区は３５〜１３０ｎ秒パルスにより消去することがで
き、さらに２０Ｏｎ秒パルスにより書き込まれたスポッ
ト磁区は４５〜１７５ｎ秒パルスによって消去すること
ができる。 電源（３０）にはワンショットマルチバイブレーク（３
Ｉ）が接続され、より長い′書込み“パルスに対応する
持続時間り、のパルスを発生すべくセットされ、電１Ｊ
ＪＴ（３０）に接続された別のワンショットマルチバイ
ブレーク（３２）はより短い“消去“パルスに対応する
持続時間Ｄ２のパルスを発生するようにセットされてい
る。 レンズ（１８）はその電力半値直径において加熱される
べき領域の直径より幾分小さい直径を有する領分にビー
ムを集束するように配置されている。 本発明に従った四込み及び消去動作において、レーザパ
ルスパワーを選択する目的は、キューリ温度を顕著に上
回ることなく補償点以上の温度で領分加熱を・行うこと
である。したがって局部加熱はデータが古き込まれるべ
く制限された領域のみを補償点以上に温度上昇させ、か
つ保磁力の局部的な減少を生ずるものである。 ディスク（１０）のトラックに書き込まれたデータは、
レーザ光源（１４）より直線偏光された読取り光ビーム
を生ずることにより、そのトラックから非破壊的に読み
出すことができる。このレーザ光源（１４）は磁化が容
易に変化するまでも高温に加熱しない程度の低レベル電
源（第１図には図示しない）により付勢され、ディスク
表面に向かって光ビームを照射するものである。反射ビ
ームにおいて偏光は残留磁気モーメントの方向に応じた
方向に回転する。したがって反射ビームの偏光は読取中
の領域にストアされたデータの２進状態を判定すべく分
析することができる。 他方第１Ｍ図に示すように、レーザ光源（１４）は３個
の電源（３０）〜（３２）の一つにより、または選択的
に異なったレベルもしくは異なったデユーティ−サイク
ルで動作する単一の電源により付勢される。ディスクが
低速から適当な速度までの範囲で動作する場合において
、比較的廉価なレーザユニットとしては、たとえば波長
７８２μｍで２０ミリワツトの電力まで動作するシャー
プ電機層の型番号ＬＴＯ２４ＭＤＤダイオードレーザを
好ましく用いることができる。別の好ましいダイオード
レーザとしては日立製作所より製造販売された波長８２
０μｍで動作する型番号ＨＬＰ１４００のものが存在す
る。より高速でディスクを回転させるために、より大き
い電力を必要とするシステムにおいてはアルゴンガスレ
ーザを用いることができる。ダイオードレーザにより約
１〜２０ミリワンド程度の電力レベルで１０ｎ秒〜１ミ
リ秒間付勢することは、“書込み”及び“消去”動作中
に記録媒体の磁気状態に悪影響を与えるため、“読取り
”動作のためには記録媒体の磁気状態を変化しないよう
比較的低い電力レベルが用いられる。ガドリニウム−テ
ルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）フィルムにおいて
中核をなすミクロンサイズのスポット磁区は、たとえば
書込み用電源（３０）を用いてフィルムを局部加熱する
ことにより達成される。この局部加熱は外部磁界が存在
しない状態で３００ｎ秒のパルス幅における７ミリワツ
トのレーザパワーを加えることにより行われる。３００
ｎ秒幅のパルスにより古き込まれたスポット磁区は消去
用電源（３工）からこれに続いて供給される同−ｔカレ
ベルの１００〜２００ｎ秒幅のパルスにより、完全に消
去することができる。１２ミリワツトのレーザパワーに
より１００ｎ秒パルス幅で書き込まれたスポット磁区は
３０〜８０ｎ秒パルスにより消去することができ、１５
０ｎ秒パルスにより凹き込まれたスポット磁区は３５〜
１３０ｎ秒パルスにより消去することができ、さらに２
００ｎ珍パルスにより書き込まれたスポット磁区は４５
〜１７５ｎ秒パルスにより消去することができる。 レンズ（１８）は加熱されるべき領域の直径より幾分小
さい直径を有する範囲内に、レーザビームをその電力半
値径で集束すべく用いられるものである。本発明に従っ
た書込み及び消去においてレーザパルス電力を選択する
目的は、ある領分をキューリ温度以上に加熱することで
ある。すなわち局部加熱は温度を補償点以上に高くし、
データが書き込まれるべく実質的に制限された領域のみ
において保磁力を局部的に減少させるものである。 ディスク（１０）のトラックに書ぎ込まれたデータは、
上述した通りレーザ光源（１４）から直線偏光された読
取り光ビームを発生させることにより、非破壊的に読み
出すことができる。この場合レーザ光源（１４）は読取
り用電源（３２）により（当該領域の磁化が変化するほ
ど高温にしないような振幅で）付勢され、これによって
生じたレーザビームがディスク面に向かって照射される
。反射ビームにおいて偏光は正味磁気モーメントの方向
に応じて回転する。したがって反射ビームの偏光伏皿は
読取中の領域に記憶されたデータの２進状態を判定すべ
く分析されることができる。 本発明は磁気光学媒体の選択された領域におけるスポッ
ト磁区での記録及び消去、並びに細長磁区の記３．★及
びすでに書き込まれた情報のストリップ消去を容易にす
るものである。この方法は特別の構造を有する薄膜状磁
気光学記録媒体（補償温度が４０℃〜１４０℃であって
キューリ点温度がこの補償温度より少なくとも５０°Ｃ
高いもの）において、再加熱される領域内に生じる自己
減磁界を利用することにより、その領域の残留磁化を反
転し、これによって外部バイアス磁界の必要性をなくし
たものである。本発明に含まれるべき物理的プロセスは
、以下第２ａ〜２ｈ図を参照して説明することとする。 一般に十分大きい領域が補償点以上に加熱されてその領
域内の保磁力が低下すると、減磁界はその領域が冷却さ
れるとき逆磁気極性の安定な磁区を形成する。すでに記
録された磁区を消去するためには、先の磁区内にあらた
な磁区域を形成するめ、比較的低いエネルギーのレーザ
ビームが用いられる。この新たな磁区は拡大して周囲の
磁壁に及んでい（。この拡大は磁壁が互いに打消し合い
磁区が消滅するまで行われる。 この補償点技術はストリップ消去、すなわちレーザビー
ムの通路中において、先の磁気履歴に関係なく全ての磁
区を信頼性よく消去できるという驚異的な機能を発渾す
るものであることが見出された。レーザービームは安定
な磁区を生ずるためには不十分であるが、すでに記録さ
れた磁区を消滅させるべく拡大するような磁区を発生す
るに十分な中心電力レベルにおいて駆動されなければな
らない。レーザは中間パワーレベルにおいて連続的に駆
動される。すなわちレーザは、近接した間隔のレーザパ
ルスを発生するために付勢されるものである。補償点技
術はまた細長片磁区を記録し得るものであることが見出
されている。これらの細長片磁区はレーザを比較的高い
パワーレベルにおいて連続的に作動させること、すなわ
ち比較的高いパワーレベルにおいて近接した間隔のパル
ス列を用いることにより達成し得るものである。 ストリップ消去はビーム通路中の何らかの磁区を消去し
、先の磁気履歴に関係なく、しかも消去中の先の磁区に
関する正確な位置決めを必要とすることなく、実際上“
０”状態を記録し得るものである。ストリップ消去を細
長磁区のストリ・ノブ記録と結合することは、パルス幅
変調または動作長制限式のコード化記録技術の使用を可
能にするものである。この技術はトラックに沿って記録
することができるデータ密度を顕著に増大させるもので
ある。 直径１３０龍、厚さ１．２１１のガラスディスクはター
ゲット補償温度が６０℃〜１２０℃の範囲にあるＧｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜構造（厚さＬｏｏｍｍ）によ被覆さ
れた。テストはトラック速度約３ｍ／秒において、中心
から４５〜５０ｎ＋の位置にあるトラック上に補償点技
術を用いて実施された。ここでは波長７８２ｎｍにおい
て動作するシャープ半導体レーザがストリップ消去のた
めに５．５ ミリワットにおいて連続的に付勢され、細
長片磁区記録の期間中においては８．０ ミリワットで
連続的に付勢されたものである。ストリップ消去はまた
５０％デユーティサイクルで周波数５〜６メガヘルツ、
ピーク値８ミリワツトのレーザパワーを用いて実施され
た。概して好ましいレーザパワーレベルは記録媒体の補
償温度における上界に伴って上昇し、また記録媒体の厚
さが増すに従って上界する。好ましいパワーレベルはま
た直線速度の上昇に伴って上昇する。 レーザのパルス付勢を利用したストリ、７プ消去の場合
、レーザパルスは予想される最少の磁区直径（または６
イ（区幅）の１／２以下の間隔を有するべきである。こ
の間隔によりレーザは何らかの記録を有するｉｉｌ区が
消去ステーションを通過するとき、少な（とも２個の消
去パルスを発生する。このようにしてレーザを中間消去
パワーレベルにおいてパルス化することにより不連続ま
たは、Ｉ［長い連続通路に沿った幾つかのけ区が消去さ
れる。同様の間隔はパルスレーザを用いて細長片磁区に
記録を行うとき用いられるべきである。このような近接
したパルス間隔によれば、個々の磁区は漸進的な加熱領
域を発生するため時間的に十分近接したレーザパルスが
加えられる限り、細長片磁区として一体化するよに形成
される。 本発明に従ってストリップ消去及び記録技術を利用する
４つの方法は第１Ａ−ＩＦ図において図解されている。 トラックに沿って記録されたデータは第１Ａ図に示され
、この場合磁気状態は通常“Ｏ”状態にあり、斜線領域
は“１”状態を意味する逆磁気極性の記録磁区を代表す
るものとする。 さらに図示のような書換え（オーバーライド）の要求が
存在するトラック部分が第１Ｆ図に示すような書換デー
タとして記録し直されるものとする。 データを変換するための一つの方法は、第１Ｂ図に示す
ようにレーザの連続的な付勢を採用することである。書
換えが要求されない場合、レーザはデータを読取るため
に用いられる、記録データに影響をあたえない程度の低
いパワーレベルにおいて付勢される。書換えセグメン］
・中においてレーザは消去用の中間パワーレベルＰ２ま
たは書込み用のより高いパワーレベルＰｌのいずれかに
おいて駆動される。レーザがパワーレベルＰ２において
動作している限り、記録媒体は“０”状態を記録すべく
消去される。またレーザがより高いパワーレベルＰユに
おいて駆動される限り、逆極性の磁区が“ｌ”状態とし
て記録される。 第１Ｂ図に示す方法に従ったオペレーションは第３Ａ図
に略示された論理制御回路を用いて達成される。第３Ａ
図において端子（７０）は“読取り”に対応するゼロレ
ベル及び“書込み”に対応するハイレベルの“読み／四
き”制御信号を受信する。 端子（７１）は“０”に対応するゼロレベル、及び“１
”に対応するハイレベルを有するデータ制御信号を受信
する。端子（７０）はインバータ（７２）を介して読取
用電源（３２）に接続され、さらにアンドゲート（７３
）及び（７４）を介してそれぞれ書込用電源（３０）及
び消去用電源（３１）に接続される。端子（７１）はア
ンドゲート（７３）を介して書込用電源（３０）に結合
される。゛読取り”信号（端子（７０）においてはゼロ
レベル）はインバータ（７２）の出力において高信号と
なり、これは読取用電源（３２）を駆動してレーザを低
レベルＰ１に付勢する。他方、端子（７０）における“
書込み”信号はアンドゲート（７３）及び（７４）を完
全入力状態とし、端子（７１）から供給されたデータ情
報に従ってゲート出力を発生させる。 端子（７１）に高信号（“１”レベル）が出現すると、
この信号はアンドゲート（７３）を通じて書込用電源（
３０）ヲ駆動し、レーザを高パワーレベルＰ３に付勢さ
せるものである。端子（７１）においてゼロレベル信号
が存在すると、インバータ（７５）は真出力信号を発生
し、これはアントゲ−１−（７４）をｉｉｌして消去用
Ｎ、源（３１）を駆動し、これによってレーザを中間パ
ワーレベルに付勢させるものである。データを書換える
ための別の方法は第１Ｅ図に示されており、この場合レ
ーザパルスは書換動作中において用いられる。中間パワ
ーレベルにおけるパルスは消去及び“０”状態記録のた
めに用いられ、より高いパワーレベルにおけるパルスは
１”状態を示す不連続な細長磁区を記録するために用い
られる。この２種類のパワーレベルは、図示の通り同−
周波数及び同一デユーティサイクルにおいて二つの異な
ったパワーレベルを用いることにより確立される。選択
的に一定のピークパワーレベルを採用し、デユーティ−
サイクルの方を変えるごとによりパワーレベルを変化さ
せても良い。 第１Ｅ図に従ったオペレーションは、ｉ３Ｄ図に略示す
るような制御回路を用いることにより達成される。この
回路においてはアンドゲート（７３）及び（７４）の出
力を第３Ａ図の場合のように電源（３０）及び（３１）
に接続するのではなく、アンドゲート（７３）はパルス
発生器（７９）を介して電源（３０）に結合し、アンド
ゲート（７，１）はパルス発生器（８０）を介して電源
（３１）に結合するものである。これらのパルス発生器
におけるパルス繰返し速度は、記録媒体において補償温
度以上となる連続加熱領域のオーバーラツプを達成する
に十分な頻度、たとえば少なくとも５メガヘルツより高
いものであることが望ましい。電源（３０）及び（３１
）のパワーレベルはパルス発生器のデユーティ−サイク
ルに従って調整される。 上述した方法の混成型からなる他のデータ書換方法は、
第１Ｃ図及び第１Ｄ図において略示されている。第１Ｃ
図においてデータ消去はレーザのパルス付勢によって達
成され、口込みはレーザの連続付勢によって達成される
。レーザは消去及び書込み動作において等しいピーク電
力により駆動されるが、消去動作に必要なより低いパワ
ーレベルはデユーティ−サイクルを妥当に調整すること
により確立される。第１Ｄ図においてレーザは消去動作
のための中間レベルにおいて連続的に付勢され、書込み
動作のための高電力レベルにおいてパルス付勢される。 第１Ｃ図及び第１Ｄ図による方法に従ったオペレーショ
ンは、それぞれ第３Ｂ図及び第３Ｃ図に示された制御回
路を用いて実行される。第３Ｃ図においてアンドゲート
（７３）と書込み用電源（３０）との間にはパルス発生
器が結合される。第３Ｂ図において消去パルス発生器（
７８）はアンドゲート（７４）の出力に接続され、その
出力パルスは″書込み“動作のために用いられる同一の
電源（３０）を駆動すべく用いられる。消去パルス発生
器は約５０％のデユーティ−サイクルを有することによ
りレーザパワーレベルを消去動作に適した中間レベルに
減少させるものである。 本発明により直接書換動作を実行するに適した制御回路
は第１図に略示されている。タイミングクロックパルス
は、常套的にはディスク上のタイミングトランクから導
出され、記録されるべき２進データは端子（４１）に供
給される。データ端子（４１）はアンドゲート（３３）
の１人力に直結され、アンドゲート（３３）の１人力に
対してはインバータ（３５）を介して接続される。端子
（４０）はアンドゲート（３３）及び（３４）の各他方
の入力に接続される。アントゲ−１−（３３）及び（３
４）の出力はそれぞれワンショッＩ・回路（３１）及び
（３２）に接続される。 本発明による直接書換オペレーションは第１ａ〜第１ｄ
図において略示されている。第１ａ図にはディスク上の
データトラックに沿ったデータスボッ］・ロケーション
の位置を指定する１８個のタイミングパルス列が示され
る。第１ｂ図に示す通り、すでに記録されたデータはロ
ケーション２．３．７，９．１０，１１．１５及び１６
において逆磁気極性の磁区としてＲｉかれている。レー
ザが次のパスで第１Ｃ図に示すロケーション３．５．６
．９．１０．１４．１５及び１８においてワンショット
回路（３１）から供給されるより大きい書込みパルスに
よって付勢される場合、逆極性の磁区は第１ｄ図に示す
通りトラック上の対応するロケーションにおいて斜線領
域により指示された如く記録される。ワンショッ！・回
路（３２）から供給されたロケーション１．２、↓、７
．８．１１．１２．１３．１６及び１７における短い消
去パルスは、これらのロケーションにおいてすでに記録
された何らかの磁区を消去するものである。 これまでの説明から明らかな通り、高エネルギーの“書
込み”パルスを加えることはそのデータロケーションに
、先の磁気履歴に関係なく“１”状態に対応する逆磁気
極性の磁区をもたらすことになる。同様に低エネルギー
の“消去”パルスを加えることは先の磁気履歴に関係な
く“０”状態をもたらすことになる。すなわち何らかの
存在磁区は消去され、磁区領域が存在しなければ何も形
成されないということになる。したがって“書込み”及
び“消去”パルスのパターンに応じた単一ビームパスに
よってデータパターンが直接制御される。 磁区移動度を提供するためにガドリニウムを含み、保磁
力を増大させるためにテルビウムを含む（ＧｄＴｂＲｅ
Ｃｏ） 、膜厚さ１０１００ｎナノメータ）程度の記録
媒体によれば、データスポットを１０００回操り返して
記録しても顕著な磁区成長は何ら生じなかった。さらに
多重消去パルスもそのような媒体において記録磁区を生
ずるものではない。 幾つか得られた実例において、磁区の再記録はその磁区
の何らかの有孔率を示すようなコントラストを減少させ
ることができる。この問題（コンＩ・ラスト）はフィル
ムの下側において小永久磁石（５０） （第１図）を配
置し、消去プログラムに悪影響を与えること（すなわち
先の磁化状態に対抗すること）なく、記録プロセスを促
進する方向においてるイ２界を発生することにより排除
することができる。このような非可逆的磁界の使用は外
部逆磁界が存在する場合に生じていた動作速度への悪影
響を生ずるものではない。 “書込み“及び“消去”動作のための異なったエネルギ
ーレベルにおけるレーザパルスは等しいパルス幅におい
て異なった電力レベルを用いることにより６■立するこ
ができる。ＧｄＴｂＦｅＣｏ媒体によれば、８．３ ミ
リワットのレベルを有する８００ｎ秒のレーザパルスに
よって書き込まれた磁区（０゜５μｍの磁区サイズ）は
、２．６〜７．３ ミリワラ１、の電力レベルにおいて
等しい時間幅のレーザパルスを用いることにより消去す
ることができる。また０、７μｍの磁区サイズであれば
同一時間幅における６、８〜９．２ ミリワットのレー
ザパルスにより消去することができる。また７、９ ミ
リワットの電力レベルを有する１０００ｎ秒パルスを用
いた１゜０ミクロンサイズの記録磁区は、同一時間幅に
おける２、４〜６．９マイクロワツトのパルスにより消
去することができる。さらに１０．５ミリワツトの電力
レベルを有する１０００ｎ秒パルスを用いて記録するこ
とができた１、２ ミクロンサイズの磁区は、同一時間
幅における３、３〜７．４ ミリワットのパルスを用い
て消去することができる。 高エネルギーの″書込みパルス”及び低エネルギーの“
消去パルス”を得るための選択的な装置は第３図におい
て略示されている。この装置において、レーザ（１４）
により生成された光パルスは等しい時間幅を有するもの
であるが、“書込み”動作の場合には高電力レベルとな
り、“消去”動作においては中間電力レベルとなるもの
である。端子（４０）におけるタイミングパルスはワン
ショットマルチバイブレーク（８０）に供給される。こ
のマルチバイブレークからはアンドゲート（８１）及び
（８２）に対して時間幅制御されたパルスが供給される
。 データ端子（４１）はアンドゲート（８１）の他方の入
力端子に直結されるが、アントゲ−１−（８２）の他方
の入力端子にはインバータ（３１）を介して接続される
。 アンドゲート（８１）の出力は書込み用電源（９１）を
駆動し、この電源（９１）はダイオードレーザ（１４）
を動作時に尚電力レベルで付勢するものである。アント
ゲ−！−（８２）の出力は電源（９２）を駆動し、この
電源（９２）はダイオードレーザ（１４）を動作時に中
間電力レベルで付勢するものである。読取用電源（９０
）はダイオードレーザ（１４）を磁気記録媒体の状態に
影響しない程度の低い電力レベルにおいて付勢するため
、このレーザダイオードに接続されている。 本発明による四込み動作において重要なことは、ある領
域に対し、保磁力を減少させるために補償温度より十分
高い温度の熱エネルギーを供給し、かつ冷却後述磁気極
性の磁区を形成することである。また本発明による消去
動作において重要なことは、それ自体が成長し、周辺磁
区を消滅させるような磁区を生成するに十分であって、
しかも冷却後において安定な磁区を形成しない程度の適
度なエネルギー量を供給することである。書込み及び消
去動作に要するエネルギーは異なったパルス幅を有する
等しいパワーレベルのレーザパルス（第１図）によるか
、または異なったパワーレベルにおける同一時間幅のレ
ーザパルス（第３図）によって供給することができる。 このエネルギーはまた補償温度以上の温度に加熱される
オーバーラツプ領域を発生するため十分に近接した間隔
を有する多重パルスを用いて供給することもできる。 自己反転式データ書換え法（薄膜状の磁気光学的記録媒
体における自己減磁界を用いる）の実施中、物理的に生
ずる現象は第２ａ〜２ｈ図において模式的に示されてい
る。最初の書換動作が遂行されるに先立って、記録媒体
Ｊｌ（６０）は磁気光学材料の補償温度′「Ｃより低い
周囲温度Ｔａにおかれる。記録領域の各々はデータの第
１セツトにおける１つのビットを収容する。第２ａ図は
、たとえば２進“１”状態からなる等しいデータ値から
始まるデータセットの場合、３つの連続した領域（Ｎ−
１）、Ｎ、及び（Ｎ＋１）の各々において正味磁気モー
メント（広幅矢印（６２ａ）〜（６２ｏ）で示す）は、
いずれも媒体層の表面（６０ａ）に対して実質上垂直な
同一方向（この場合上向き）を向いており、かつほぼ等
しい振幅を存するものである。 正味磁気モーメントＭの振幅及び方向は、磁気光学合金
の各成分の磁気モーメントの相対的な振幅及び方向によ
って確立される。ここに合金中の遷移金Ｊｍ （ＴＭ）
成分の下向きモーメント（６４ａ）は、各部分領域にお
いて希土［（ＲＥ）合金成分の上向きモーメント（６４
ｂ）より小さい振幅を有する。 領域Ｎが書換手段（第１図のレーザ（１８）からなる）
からエネルギーを受は取ると、その領域の温度は補償温
度ＴＣを越えるまで上昇する。入射光ビーム（１５）の
エネルギーは実質的なガウス分布を有するため、領域Ｎ
の全体は均一には加熱されない。したがって個々の合金
成分による磁気モーメント（たとえばモーメント（６２
ａ）及び（６２ｂ）等）及び正味磁気モーメント（例え
ば正味モーメント（６２ａ） （６２ｂ） （６２ｎ）
及び（６２ｏ）等）がいずれもエネルギーを受は入れる
領域Ｎから分離した部分領域で実質上不変の状態に維持
される間において、加熱された領域Ｎに近い部分領域は
ビームの外縁からエネルギーを受は取ることになる。遷
移金属ＴＭ酸成分磁気モーメント（６４ｃ）はこれら他
の領域（Ｎ−１）、（Ｎ＋１）等における補償温度より
低い上昇温度に応答して幾分か減少する。この減少分は
希土［ＲＥ酸成分磁気モーメン） （６４ｄ）における
減少分程には大きくならない。そして部分領域の正味モ
ーメント（例えば正味モーメント（６５ｃ°）及び（６
４ｍ”）等）は減少する。温度が上昇すると、正味磁気
モーメント（たとえば正味モーメント（６５ａ”）及び
（６４ｏ’）等）の減少は連続して生ずる。 この減少は領域Ｎにより近いため、ＴＭモーメント（６
４ｅ）の減少より早くなるＲＥモーメント（６４ｆ）の
減少に応答するものである。幾つかの部分領域において
温度が補償温度に達すると、ＴＭ及びＲＥモーメント（
６４ｇ）及び（６４＋＋）の減少した振幅は定義により
等しくなる。そして正味磁気モーメンｈ（（ｉ２ｅ’）
、（６２に’）、、、は大きさがゼロとなる（そして領
域Ｎの周縁が規定される）。正味磁気モーメントゼロの
Ｓ置載（６２）の内側における部分領域温度は補償温度
を上回り、ＴＭモーメント（たとえば磁気モーメント（
６４ｉ） 、（６４ｋ） 、（６４ｍ）、、。 ）の減少して振幅は、ここでＲＥモーメントの減少した
振幅より大きくなるため（たとえば磁気モーメント（６
４１） 、（６４ｍ） 、（６２ｆ） 〜（６２ｊ）、
、、はずべて保存される）、大きさが増し、方向が反対
（たとえば記録層内に向かう）となる。 第２ｂ図の中央領域における磁化と反対の自己減磁界は
、成分モーメントの方向を第２Ｃ図に示すように逆転す
る。領域Ｎの周縁内においてこれに近接した部分領域に
おける成分モーメントは、先の方向（たとえばモーメン
ト（６４ｉ）及び（６４ｊ）によって系す）において固
定され、これにより正味モーメントは新たなくここで反
転した）方向に固定されることになる。しかしながら、
より中央に近い部分領域における成分モーメントは初期
方向と反対の方向（たとえば正味磁気モーメント（６２
ｊ°）、（６２ｈ”）、（６２ｉ”）、、、などのよう
な上向き方向）となる。光ビームの除去／オフ−スイッ
チング後において部分領域温度が冷却により低下する゛
と、合金成分磁気モーメントの振幅はそれらの周囲温度
時の値に対して上昇し、各部分領域が補償温度を越える
と、その正味磁気モーメント（６２）はゼロまで低下す
る。第２Ｄ図に示す通り、補償温度より低い温度の各部
分領域においてＲＥ Ｌｌｌｌ上気メント（たとえば磁
気モーメンＩ−（６４ｎ’ ）等）の振幅は再びＴＭＶ
ｉ！Ｌ気モーメント（たとえば磁気モーメント（６４ｍ
’ ）等）の振幅より大きくなり、その正味モーメント
（たとえば正味磁気モーメンｌ−（６２ｈ’ ））の方
向は再び同様な反転方向となる。領域Ｎの残りの部分９
■域はそれらの正味磁気モーメント（たとえば正味磁気
モーメント（６２ｇ’） 、（６２ｉ’ ）、、、）の
同様な反転をもたらすものである。すなわち領域Ｎの部
分領域のすべては領域Ｎの補償温度より高い温度への加
熱に先立って、その整列方向と反対の方向に整列した正
味磁気モーメントを有する。対向したモーメントが磁壁
内の中核をなすとき（領域Ｎの両側における周辺部分領
域（６６ａ）及び（６６ｂ）において形成されるとき）
、直径りの安定な磁区が形成され、関連する新たなデー
タビットの値が記憶される。゛一方第１Ｍ図において示
された選択的な実施例を参照すると、領域Ｎは書換手段
（レーザ（１４））からのエネルギーを受は取り、その
領域の温度は第２ｂ図に示すように補償温度Ｔｃを上回
るまで上昇する。入射光ビーム（１５）は実質上ガウス
分布に従ったエネルギーを有し、領域Ｎの全体は均一に
は加熱されない。したがって個々の合金成分の磁気モー
メント（たとえばモーメント（６４ａ）及び（６４ｂ）
）及び正味磁気モーメント（たとえば正味モーメント
（６２ａ） （６２ｂ） （６２ｎ）及び（６２ｏ）等
）の全てが領域Ｎの受容エネルギーから分離した部分領
域において実質上不変の状態に止まり、加熱領域Ｎに近
接した側部分はビームの外縁からエネルギーを受けるも
のである。遷移金属ＴＭ酸成分磁気モーメンｌ−（６４
）はこれら他の領域（Ｎ−１）、（Ｎ＋１）等々におけ
る補償温度より低い範囲まで上昇した温度に応答して幾
分減少する。これは希土類ＲＥ酸成分磁気モーメン）
（６４ｄ）の減少より大きいものではなく、その部分領
域の正味モーメント（たとえば正味モーメント（６２ｃ
’ ） （６２ｍ’ ）等）は減少する。温度が上昇す
るとき、正味磁気モーメント（たとえば正味モーメント
（６２ｄ”）及び（６２１″）等）の大きさの減少は、
ＲＥモーメント（６４ｆ）のより早い減少に応答して引
き続き生ずるものであり、これは領域Ｎにより近いロケ
ーションを有するものである。幾つかの部分領域におい
てそれらの温度が補償温度に到達すると、ＴＭ及びＲＥ
モーメント（６４ｇ）及び（６４ｈ）の低下した振幅は
互いに等しくなり、正味磁気モーメント（６２ｅ’）、
（６２に’）、、、 はゼロの大きさとなる（これによ
り領域Ｎの周辺が限定される）。正味磁気モーメントが
ゼロの領域（６２）の内側に向かうと部分領域温度は補
償温度を上回り、ＴＭモーメント（たとえば磁気モーメ
ント（６４ｉ） 、（６４ｋ） 、（６４ｍ）、、、）
の低下した振幅は、ここでＲＥモーメント（たとえば磁
気モーメント（６４ｊ） 、（６４１） 、（６４ｍ）
、（６２ｆ）〜（６２ｊ’）、、、）の低下した振
幅より大きくなり、かつすべて反転されるため、逆方向
（たとえば記録層に入る方向）において増大した大きさ
を有することになる。 自己減磁界は第２ｂ図の中央領域における磁化に対向し
て成分モーメントの方向を第２Ｃ図に示すように逆転す
る。これらの成分モーメントは領域Ｎの周辺内において
それに近接したものであり、先の方向くたとえばモーメ
ント（６２ｉ）及び（６２ｊ）により示す方向）におい
て固定され、この結果正味モーメントは新たな（ここで
反転された）方向において固定される。しかしながら、
より中央に近い部分領域における成分モーメントは初期
方向と反対の方向（たとえば正味磁気モーメント（６２
ｇ”）、（６２ｈ’）、（６２１”）１１．で示すよう
な上向き方向）となる。光ビームの除去／オフ−スイッ
チング後における冷却により部分領域温度が低下すると
、合金成分磁気モーメントの振幅はそれらの周囲温度時
の値に上昇し、各部分領域が補償温度以上になると、そ
の正味磁気モーメント（６２）がゼロまで減少する。第
２ｄ図に示す通り、補償温度より低い温度の各部分領域
においてＲＥｌを気モーメント（たとえば磁気モーメン
ト（６４ｎ’ ）等）の振幅は再びＴ Ｍ 磁気モーメ
ント（磁気モーメント（６４ｍ０）等）の振幅より大き
くなり、正味モーメント（たとえば正味磁気モーメント
（６２ｈ０）等）の方向は再び同一の反転方向とな、る
。領域Ｎの残りの部分領域はそれらの正味磁気モーメン
ト（たとえば正味磁気モーメンｔ・（６２ｇ’ ） 、
（６２ｉ’ ） 、、。 ）の同様な反転を形成することになる。したがって領域
Ｎの全ての部分領域は領域Ｎの補償温度より高い温度へ
の加熱に先立って、整列方向と逆の方向に整列すること
となる。対向したモーメントが（たとえば領域Ｎの両側
の周辺部分領域（６６ａ）及び（６６ｂ）において）磁
壁内の中核をなすとき、直径りの安定な磁区が形成され
、関連するデータビットの新たな値がストアされる。 次に第２ｅ〜第２ｈ図を参照すると、磁区内に記憶され
たデータ値（たとえば論理ゼロ）と、磁区Ｎに記ｔαす
べき２進データの新たなビットからなる論理値（たとえ
ば論理工）との比較は、磁区Ｎが書き替えられるべきこ
とを指示する。この決定は占込み用レーザダイオードを
付勢し、何らの意図的な外部バイアス磁界も存在しない
状態において、磁区Ｎを再び加熱し、補償温度を越える
まで温度上昇させるものである。第２ｅ図の磁壁部（６
６ａ）及び（６６ｂ）により典型的に示された磁壁は突
発的に破壊されるものではなく、合金成分の優勢磁気モ
ーメントの反転に基づいて磁区Ｎ内における部分領域の
正味磁気モーメント（６２）の反転をもたらすものであ
る。かくして加熱された磁区Ｎ内の部分領域における正
味磁気モーメント（６２ｆ’）〜（６２ｊ’）及び（６
２ｆ”）〜（６２ｊ”）は入射光ビームエネルギーのガ
ウス分布により振幅変調されるだけでなく、それらを磁
気光学材料層から上向きに分離する方向に反転させるも
のである。直近部分領域の自己ｉ％Ｈｆｔ界（すなわち
部分領域（６２ｆ″）及び（６２ｊ”）の上向き正味モ
ーメント）は第２ｆ図に示す通り、加熱された磁区Ｎの
部分領域（６２ｈ″）によって代表される中央部分領域
での局部磁界の反転をもたらし、その結果少なくとも一
つの内側部分領域が、再び反転された方向に沿った正味
磁気モーメントを有することになる（たとえばより大き
い磁区／ ｉｆｆ域Ｎ内において、領域／磁区直径りよ
り小さい直径Ｄ°の領域の下向き残留磁気モーメント（
６２ｈ”）参照）。対向壁部（６８ａ）及び（６８ｂ）
により示された第２の内部磁壁は、その部分領域に近接
して存在することになる。局部壁の運動は内側壁部を外
側壁部の関連部分における位置まで拡大・せしめるもの
であり、これらの２壁は互いに接近して相手の壁部を消
滅させ、その結果正味磁気モーメント（６２ｇ″）〜（
６２１”）（第２ｇ図参照）が、やはり反転される領域
の直径Ｄ”は、磁区直径Ｄ°より大きくなる。磁区Ｎの
温度が加熱用パルスの休止に伴なう冷却により補償温度
以下に低下するとき、ＲＥ及びＴＭ合金成分の磁気モー
メントの相対的な振幅は変化し、部分領域の正味磁気モ
ーメントの全ては再び同一方向（たとえば第２ｈ図の正
味磁気モーメント（６２ｅ）〜（６２ｋ）の場合上向き
方向）を向くことになる。したがって磁区Ｎに記憶され
たデータ値はその磁区に先に記憶されたデータ値の状態
から反転（たとえば論理ゼロより論理１状態へ）される
。 ここで第４〜７図を参照して、本発明の実施に用いられ
た装置の具体的実施例につき詳細に説明する。まず第４
図及び第４ａ図を参照して、ディジタル情報の磁気光学
的記憶を行うための装置（１０）は記憶ディスク（１１
）を有する。しかしながら記憶手段としては円筒型であ
ってもよい。ディスクは中心開口（１１°）を有し、こ
の中心開口（１１’）には動作中において中央スピンド
ル部＋４’（１２）が貫通し突出する。ディスクは周知
の駆動機構（図示せず）によりスピンドル（１２）のま
わりを矢印Ａの方向に回転することができる。ディスク
（１１）自体はガラスなどのような実質的な非磁性体か
らなる平円板型部材（１１−１）を含むものである。こ
の基板は互いに間隔をおいて実質上平行した一対の円形
表面（ｌｌａ）及び（１１ａ”）を有し、これらの面の
少なくとも一方（好ましくは両方）の上には磁気光学的
記録媒体の薄膜（１１−２）または（１１−２°）がス
パッタリング、その他類似の方法において形成される。 −記録用薄膜層の外向き円形面（Ｉｌｂ）（そして第２
の層（１１−１’）が存在するならば第２の表面（１１
ｂ”）も）はガラスなどのような光学的透明性を有する
保ｆｉｆ［（１１−３） （、または１１−３”）によ
って好ましく被覆される。各記録層（１１−２）または
（１１−２’）は多数の微視的なデータストレージ領域
リッド、たとえば上部記録層（１１−２）を通じて形成
された連続ストレージ領域（ｌｉｄ−１）〜（ｌｉｄ−
４）及び下部記録層（１１−２’）を通じて形成された
連続ストレージ領域（１１ｄ’−１）〜（ｌｉｄ’−４
）によって特徴づけられるものである。各記録領域は各
１ミクロン程度の平均直径りを存する。各記録層はガド
リニウム−テルビウム−コバルト（（ＧｄＴｂＣｏ）、
テルビウム−コバルト （ＧｄＣｏ） 、ガドリニウム
鉄コバルト （ＧｄＦｅＣｏ）などのような合金からな
る磁気光学材料より形成され、予測される最高周囲温度
Ｔａよりは高く、その合金の結晶化温度より十分に低い
補償温度ＴＣを有する。これらの補償温度は通常の室温
より、数１０℃程度高いことが望ましい。 ガドリニウム−テルビウムコバルト（ＧｄＴｂＣｏ）合
金及びテルビウムコバルト （ＴｂＣｏ）合金における
結晶化温度は約２５０℃であり、したがって補償温度は
記録媒体の何らの結晶化をも排除するため２００℃以下
、なるべくなら１４０°Ｃ以下にすべきである。 通常の室温より数１０°Ｃ高い温度として本発明では、
補償温度Ｔｃの最低を４０℃にセットする。 ディスクドライブ方式は通常、周囲温度５５℃程度まで
動作するように設計されるため、６０℃以上の補償温度
であることが望ましい。 。 実験的な作業により、フェリ磁性材料における磁区は補
償温度が約４０℃〜１４０℃の範囲内にある材料におい
て、磁気バイアスを用いることなく消去できることが確
認された。この範囲外における消去は信頼性よ（行える
ものではない。 本発明による記録媒体にとって好ましい補償温度は８０
℃である。このような目標温度付近における実際の補償
温度の好ましい範囲はすでに述べた通り６０℃〜１００
℃である。 いずれか１つの領域（ｌｉｄ）に記憶されたデータビッ
トの二進値は、ディスク（１１）の製造直後における初
期値が不特定である。各領域は補償温度ＴＣより高い温
度まで加熱され、一方、外部バイアス磁界（１４）が初
期設定用としてディスク面に実質上直交した方向（例え
ば、矢印Ｂで示す上向き方向）に確立され、前記加熱領
域をそれが冷却される際に通過する場合、各領域はその
外部磁界（１４）の影響下において例えばその磁界（１
４）の方向と同じ上向き方向に沿った正味磁気モーメン
トを有することになる。この初期磁気−メントの方向は
二進値のいずれかとして割り当てられ、その方向に関す
る限り、二進値の割当は一貫して利用される。上記の構
成においてはラン長さ制限型コード化を用い、各磁区が
２ビツト以上のデータを収容するようにすることも可能
である。 初期化された記憶領域には大量のデータを実質上同時に
書き込むことが可能であるが、説明の便宜上、熱放射線
としての単一ビーム（１５）がライン（１Ｇ）に沿って
放射状に移動可能であるものとする。これによって連続
的に配置された領域（ｌｌｄ−一）からなる同心円トラ
ック（渦巻きトラックでもよい）の選択された一つを規
定する複数点のうちの現に選択され一転に向かって降下
させることができる。この場合、ディジタル動作の１ビ
ツトは領域（ｌｉｄ−ｗ）の各々において最初に書込ま
れるものである。ビームはレーザーダイオード（１４）
及び集束レンズ手段（１９）などからなる光源手段（１
７）により生成された光放射線であり、これは矢印Ｃで
示すように、ディスクに導かれる。レーザーダイオード
は対応するレザー電源−８′）からそのダイオードに流
れる電流■に応答して光放射出力を発生する。この電流
はまた、ｉ？ｉｑｍ入力（１８ａ ）に受は入れられた
書込み信号に応答したパルス型をなすものであり、これ
は約１〜２０ミリワツトの電力レベルを有し、最少時間
間隔１０ｎ秒から最大時間間隔１μ秒程度までのパルス
幅を有する光パルス信号を発生するものである。 ガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄｔｂＣｏ）
フィルムにおけるμｍサイズの磁区の中核をなす好まし
い大きさは、外部磁界を加えることなく、７ミリワツト
のレーザーパワーにおいて３００ｎｆｔパルス幅でフィ
ルムを局部加熱することにより形成される。３０００秒
幅のパルスで書き込まれた磁区は同一パワーレベルにお
ける１００〜２００秒幅の連続パルスを用いることによ
り完全に消去することができる。１２ミリワツトのレー
ザーパワーによれば、１００ｎ秒幅のパルスで書き込ま
れた磁区は３０〜８０ｎ秒パルスにより消去することが
でき、１８０ｎ秒パルスで書き込まれた磁区は３５〜１
３０ ｎ秒パルスにより消去することができ、さらに、
２０００秒パルスで書き込まれた磁区は４５〜１７５ｎ
秒パルスにより消去することができる。 ビーム集束手段（１９）は電力半値・直径において、加
熱されるべき領域の直径りより小さい直径を有する断面
積までビームを集束するように構成すべきである。この
ような局部加熱は温度を上昇させ、実質上データが書き
込まれるべき１領域（例えば、第２図における領域Ｎ）
のみを温度上昇させてその保磁力の局部的な減少をもた
らすものである。 何らかの書込み領域（ｌｉｄ−ｒ）に収容されたデータ
は、面偏光（２１）からなる読取り用光ビームを当てる
ことにより、その領域から非破壊的に読出すことができ
る。この光強度は読取り用ビームが入射した面の領域に
おいても磁化を変化させるに十分なものであり、これは
矢印りにおいて示す通り、ディスク面Ｈ１ｃ）に向かっ
て投射される。入射光の一部は領域面（ｌｌｂ）から反
射され、その反射ビームの偏光面はその領域の正味磁気
モーメントが突出する方向に応じて回転する。したがっ
て、反射ビームの予め選択された偏光状態は、読取り中
の領域において記憶されたデータの二進状態を決定すべ
く分析することができる。例えば、書込み用レーザーダ
イオード（１８）の出力電力より低い出力電力を有する
セパレート型のレーザーダイオード（２３）は偏光手段
（２６）を通る光路によって偏光された光ビーム（２４
）を提供する。このような低電力による読取用偏光ビー
ム及び高電力による書込み用ビームを基本的には同一領
域ｄ（この領域はトラック（４２）に沿った間隔がゼロ
となるように領域（ｌｉｄ−ｒ）、（ｌｌｄ−ｗ）を−
磁化したものである）に投射すべ（周知の光学系ととも
に単一の可変電力レーザーダイオードを用いてもよいこ
とは明らかである。偏光ビーム（２８）はレンズ手段（
３０）により集束され、ビームスブリット手段（３２）
を通過した後において領域（ｌｌｄ−ｒ）の直径より小
さい直径まで絞り込まれる。ここからの反射ビーム（３
４）はディスク（１１）から矢印Ｅに沿って進行し、ス
プリット手段（３２）より再反射され、方向を変えられ
る。この方向を変えられたビーム（３６）はレンズ手段
（３８）により同様に集束され、検出手段（４０）の能
動部に入射し、これによって検出手段（４０）はディス
クデータ読出し出力端子（４０ａ）において、読出し中
の領域（ｌｌｄ−ｒ）の正味磁気モーメントの状態に対
応する論理出力信号を発生する。本発明は、磁気光学媒
体の選択された領域においてすでに書き込まれた情報の
直接的な書込み、又は消去を容易に行おうとするもので
ある。この方法は特定の組成を有する薄膜状磁気光学記
録媒体において再加熱された領域内に生じた自己減磁界
を採用し、これによってその領域の正味の磁化を反転し
、したがって、従来技術におけるような何らかの外部バ
イアス磁界の形成を不要としたものである。この新たな
方法において包含されるべき物理的なプロセスについて
は、以下第２ａ〜２ｈ図を参照して説明するが、それは
種々の実施および変形可能な本発明の自己反転型データ
変調方法の特定の形態（以下、“読出し後書込み” （
ｒｅａｄ ｂｅｆｏｒｅ ｗｒｉｔｅ）方式と称する
）に関するものである。 本発明において、関連するＮ個の連続した記憶領域の各
々に現に記憶されている二進値の上に新たなデータシー
ケンスのＮ個の連続ビットの各二進値を書き込むための
方法は、各関連領域の中身を質関し、その領域に記憶さ
れたビットの現在値をそこから読み取るものである。読
み出されたデータ値はここで、その領域に記憶されるべ
き新たなデータ値と比較される。比較により、質問され
た領域（ｌｉｄ−ｒ）にすでに記憶された二進データ値
が新たな二進値に対応することが指示されれば、その領
域については何らの処理も不要であり、新たなデータに
おける次のビットが磁気光学媒体層に先に記憶された次
のデータビットの値と比較される。その比較により、質
問された領域に存在する二進値が新たに記憶すべき二進
値と相違するものであることがわかると、その質問領域
の加熱を行うための書換え付勢信号が発生し、これによ
ってその領域はその磁気光学材料の補償温度Ｔｃより高
い温度まで加熱され、その領域における現実の正味磁気
モーメントＭを自己反転させ、その状態における安定な
磁区を維持するようになっている。このような動作中に
おける記憶媒体層に対しては、その正味磁気モーメント
を強制的に反転するような実質的な外部磁界は何ら存在
しないものとする。ディスクは好ましくはよ（制御され
た速度において回転しているため、読みだされた領域（
ｌｌｄ−ｒ）は読みだされたときの位置から仮想円周軌
跡（４２）に沿って別の位置まで移動しており、領域の
書換え（ここでは書換えられるべき領域（１１ｄ−一）
として紹介）を行うべき現実の位置は正常な“読取り後
書込み”決定シーケンスに要した時間に対応する位置を
幾分通り過ぎた位置にあり、何らかの調整もしくは較正
を要するものである。書換え付勢信号を発生するために
は、読取り及び比較動作に基づいて時間遅延技術が導入
される。これにより、正確な領域が書換えビーム（１５
）の焦点に合致する位置（ｌｉｄ−２）に達したときに
おいてのみ書換え用エネルギー源が付勢される。 読取り後書込み（例えば、読取り一比較−遅延−付勢）
動作シーケンスは、例えば第４ｂ図に示されたような副
回路（５０）の機能により少くとも部分的に達せられる
。ディスクから読み取られたデータは出力（４０ａ）の
適当なバッファ処理の後、副回路の第１人力（５０ａ）
に導入される。可能な一実施例において入来データは、
まずデータ遅延手段（５２）において領域（ｌｌｄ−ｒ
）が要求する時間間隔だけ遅延される。この時間間隔と
は読取られた磁区が、領域（１０ｄ−ｗ）を書換えるこ
とができる位置のわずかに手前の所定位置に前進する時
間である。遅延された読取りデータビット値は、例えば
排他的オア（ＸＯＲ）ゲートからなる比較手段（５４）
の第１人力（５４ａ）に供給される。入来したデータビ
ット値は、第２の副回路入力（５０ｂ）に供給され、Ｘ
ＯＲゲートの他方の入力（５４ｂ）に結合される。 ゲートの両人力が同じ二進値であれば、ゲート出力（５
４ｃ）は例えば論理０状態となるが、両人力の状態が異
なる場合においてのみ、例えば論理１状態を表わす第２
ベルとなる。このゲート出力はフリップフロップ論理素
子（５６）のデータ人力りに供給される。のフリップフ
ロップはまた、同期端子５ＹＮＣからフリップ人力Ｃを
受取るものである。この５ＹＮＣ信号は周知の態様にお
いて少くともディスク記憶領域のフォーマット化により
提供される同期信号から得ることができる。かくして比
較手段の出力（５４ｃ）における論理レベルはフリップ
７０ツブを介してクロック制御され、そのフリップフロ
ップ出力Ｑ信号はレーザー電源の付勢出力（１８ａ）と
して副回路出力（５０ｄ）に供給され、これによって関
連する記憶領域上に集束されるべきレーザー光パルスを
生ずるものである。このときその記憶領域は領域（ｌｌ
ｄ−ｒ）が読取られる位置から領域（ｌｌｄ−ｗ）が書
換えられる位置まで移動している。比較はまず入力（５
０ａ ）をゲート入力（５４ａ）に接続することにより
実行され、この場合、遅延手段（５２）はその比較手段
の後方であって同期化手段（５６）の直前に配置される
。遅延手段（５２）はまた同期化手段（５６）の後方に
おいても配置し得ることを理解すべきである。さらに、
データ遅延手段自体は入力（５０ｅ）において現実の読
取りデータから復元されたクロック信号を受信して所望
の領域又は磁区Ｎを生じ、精度損失を生ずることなく遅
延動作を行うものである。さらに、書換えステーション
（素子（１８）及び（１９）からなる）の後方には、別
の読取りステーション（図示せず）を配置し、その領域
を読取らせることにより、その領域における正味磁気モ
ーメントが逆転し、したがって、そ°の領域に記憶され
たデータビットの値が実際に書換えられたか否かを検証
させることができる。 “消去後書込み”動作のためには第５図に示すような装
置が構成される。この装置には同一ディスクトラック（
４２）上に集束された書込みビーム（１５）及び読取り
ビーム（３４）間に熱放射線の第２ビーム（６５）を形
成するものである。レーザーダイオード（６８）はレン
ズ（６９）により集束された光放射線ビームを発生し、
このレーザービームをレーザーダイオード（１８）及び
レンズ（１９）からなるレーザー光源と同じ態様で記録
媒体上のトラック（４２）に投射するものである。レー
ザーダイオード（６８）は消去用レーザー電源（６４）
に接続され、レーザーダイオード（１８）は書込み用レ
ーザー電源（６２）に接続されている。これらのレーザ
ー電源は各対応レーザーダイオードに対し、受取ったト
リガーパルスに応答した電流パルスを供給するものであ
る。パルスの大きさは記録媒体の物理的特性、厚さ、及
びディスクの回転速度に従って選択される。ダイオード
に供給されたレーザーパワーが１２ミリワツトの場合、
書込み用レーザー電源（６２）が発生する書込みパルス
は例えば１５０ ｎ秒の時間幅となり、消去用レーザー
電源（６４）によって対応した消去パルスは約９０ｎ秒
のパルス幅を有する。 第６図に示された回路構成は第５図の装置とともに用い
られて選択的な消去後、書込みシステムを構成するもの
である。検出器（４０）からのディスクデータ読取り出
力（第５図における端子（４０ａ ）より）は、アンド
ゲート（７０）のディスクデータ入力に接続され、この
アンドゲートの他方の入力には書込み命令が供給される
。記録されるべきデータはアンドゲート（７４）の入力
データ端子に供給される。このアンドゲートの他方の入
力にも同様の書込み命令が供給される。 アンドゲート（７０）の出力はＮ１−磁区データ遅延回
路（７１）を介して伝達され、アンドゲート（７４）の
出力はＮ２−磁区データ遅延回路（７５）を介して伝達
される。回路（７１）における遅延は所定の磁区が読取
りステーション（ビーム（３４）による）から消去ステ
ーション（ビーム（６５）による）に移動するために必
要な時間に対応する。また、回路（７５）における遅延
は磁区が読取リステーショから書込みステーション（ビ
ーム（１５）による）に移動するために必要な時間に対
応する。なるべくなら、これらの遅延回路はディスクの
インクリメント動作と同期する端子（７８）に供給され
たクロックパルスにより制御される。 遅延回路（７１）及び（７５）の出力はそれぞれフリッ
プフロップ回路（７２）及び（７６）のデータＤ入力に
接続される。クロックＣ入力は常套的な５ＹＮＣ（同期
）信号を受信する。プリップフロップ回路（７２）のＱ
出力（７３）は消去用レーザー電源（６４）のトリガー
人力に供給され、フリップフロップ回路（７６）のＱ出
力（７７）は書込み用レーザー電源（６２）のトリガー
人力に供給される。 “消去後書込み”システムの動作説明において、“０”
は低信号レベルであって、磁気光学媒体の初期バイアス
状態に対応するものであり、“１”は高信号レベルであ
って、磁気光学媒体に記録された磁区の磁気状態に対応
するものである。書込み命令が出現すると、読取りステ
ーションを通過した磁区は“１”を発生し、これは条件
材はアンドゲート（７０）及び遅延回路（７１）を介し
て伝達され、レーザーダイオード（６８）を付勢するた
めのトリガーパルスを発生するものである。ダイオード
（６８）からのレーザーパルスは対応する磁区が消去ス
テーションの下方を通過するとき、それを消去する。し
たがって、書込み命令の存在下において、読取りステー
ションに検出されたいずれかの磁区は消去ステーション
において消去され、かくして記録媒体はそれが書込みス
テーションに到達したときに既知状態（初期バイアス“
０”状態）におかれる。書込み命令が存在する場合にお
いて、アンドゲート（７４）のデータ入力が“１”レベ
ルであれば、このデータ値は遅延回路（７５）を介して
伝達され、書込み用レーザーダイオード（１８）をパル
ス付勢して対応する磁区の“書込み”を行うためのトリ
ガーパルスを発生する。この書込みは記録媒体上の対応
領域が書込みステーションの下方を通過する際に、記録
媒体上に“１”を記録することに他ならない。他方、デ
ータ入力が“Ｏ”であれば、書込み用レーザーダイオー
ド（１８）は対応領域が書込みステーショの下方を通過
するときにパルス供給されず、したがって、記録媒体は
“０”値に維持される。 アンドゲート（７４）は入力データを書込みステーショ
における記録媒体の既知“Ｏ”状態と比較し、入力デー
タピットがその既知状態と異なる場合においてのみ遅延
回路を介してパルスを供給し、書込み用レーザー（１８
）をパルス付勢するものである。 第７図は読取りステーション又は消去パルスの正確なタ
イミングを必要としないパルス型の消去後書込みシステ
ムの回路構成を示すものである。 この回路では書込み命令の存在下において、消去用レー
ザーはデータ記録された磁区が消去ステーションを通過
する際に少くとも２個のレーザーパルスを発生するに十
分な繰返し頻度においてパルス付勢されるものである。 この場合、１個のレーザー消去パルスが対応磁区の中央
７５％範囲内に入射するならば、信頼性ある完全な消去
を行うことができる。したがって、消去用レーザーパル
ス周波数が消去ステーションの下方を通過する磁区速度
（磁区数／単位時間）の少くとも２倍であれば、１個の
レーザーパルスが公称磁区直径の少くとも中央７５％領
域に入射するであろう。この態様において書込みステー
ションの前方における細片に沿ったすべての磁区が消去
され、記録媒体はこれらの磁区において既知状態（すな
わち、初期バイアス“０”状態）におかれる。 パルス型消去後書込み構造においてクロックパルス発生
器（７９）は消去ステーションの下方を通る磁区の速度
の少くとも２倍の繰返し周波数を有するクロックパルス
を発生する。これらのクロックパルスは書込み命令によ
り条件付けられたとき、アンドゲート（８０）を介して
伝達され、消去用レーザー電源（６４）のトリガーパル
スを供給する。レーザーダイオード（６８）は書込み命
令が存在する場合においてパルス付勢され、記録ディス
クを帯状消去するものである。 アンドゲート（８４）の一方の入力には入力データが供
給され、そのゲートの他方の入力には書込み命令が供給
される。アンドゲート（８４）の出力はフリップフロッ
プ回路（８６）のデータＤ入力に接続され、このフリッ
プフロップは書込み用レーザー電源（６２）にトリガー
パルスを供給するものである。 Ｎ３−磁区データ遅延回路（８５）は消去ステーション
（ビーム（６５）による）から書込みステーション（ビ
ーム（１５）による）までのディスク移動時間に対応す
る遅延時間を発生するものである。書込み命令が存在す
るとき、入力データ“１”は記録媒体上に“１”を記録
すべくレーザーダイオード（１８）を付勢するためのパ
ルスを発生するが、入力データ“０″はレーザーダイオ
ード（１８）へのパルスを発生せず、したがって、記録
媒体は０”状態に維持される。
的データストレイジ、そして、特に外部磁気バイアスの
不存在下における磁気光学的補償点法による記録及び消
去、並びに磁気光学的記録媒体の磁区域に記憶されたデ
ィジタルデータの直接的な書換え変調により記録データ
の変調を行うための方法、装置及びシステムに関するも
のである。 発明の背景 テルビニウム−鉄−コバルト（ＴｂＦｅＣｏ） 、ガド
リニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ ）及
びガドリニウム−テルビウム鉄コバルト（ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ ）などの希土類−遷移金属非晶質合金からなるよ
うな薄膜状フェリ磁性材料は、高密度磁気光学的記録媒
体として周知である。その磁気光学材料内には、約１μ
ｍサイズの磁区域を記録することができる。これらのフ
ェリ磁性材料は室温において貰い保磁力を有するが、室
温より高い温度では低い保磁力を有する。好ましくは保
護膜を有するディスク型の記録媒体は、外部磁界の存在
下にいてそのディスクを加熱し、次いで、冷却可能な状
態又は飽和磁界を加えることにより表面に直角な特定方
向の磁化を生じ、ディスクはその後、所望の磁気極性の
外部磁界の存在下において小スポット加熱（なるべくな
ら、レーザーエネルギーによる）を行われ、これにより
データが記憶される。加熱された領域はその領域が室温
まで冷却されて高い保磁力の状態に戻ったとき、外部磁
界の方向に磁化される。ディスク状のデータはディスク
面から反射された偏光の効果を観察することにより読取
られる。このように外部磁気バイアスとともに動作する
システムは、その記録媒体の補償温度以上の加熱、又は
キューリー温度以上の加熱によって動作するものである
。可逆的な外部磁界を用いるシステムは、加えられた外
部磁界の極性に従って記録された磁気状態を直接制御し
得るという利点を有するが、動作が遅いという欠点をも
っている。 外部磁気バイアスの不存在下において動作する磁気光学
的記録システムもまた周知である。本発明者らがすでに
開発した磁気バイアス不使用の補償点システムは室温よ
り数ｌＯ℃高く、なるべ（なら、キューリー温度より少
くとも５０℃低い補償温度を有する磁気光学媒体を使用
するものである。 このような媒体においては、局部領域をレーザービーム
により補償点以上に加熱し、自ら発生する磁気バイアス
によりその磁区域内の磁気極性を反転し、安定な磁区域
として記録することができる。その磁区域は比較的低い
エネルギーレベルのレーザーパルスを加えることにより
消去され、先に記録された磁区域の範囲内に新たな磁区
域を形成することができる。内側の磁区域が正確なエネ
ルギーレベルのレーザーパルスにおいて形成されるなら
ば、その内債磁区の磁壁は、周辺磁区の磁壁が収縮する
ときに拡大しようとする。これは磁壁同志が互いに相手
を破壊するまで持続し、これによって先に記録された磁
区域が消去される。 外部磁気バイアス不使用のキューリー点システムちまた
周知であるが、これは補償点方式とは顕著な原理的相違
を有する。この場合、磁気光学媒体はなるべくなら、８
０℃〜１８０℃程度の範囲内にある比較的低いキューリ
ー点を有しなければならない。ある領域がキューリー点
温度以上に加熱されると、その加熱領域は磁化され、冷
却後、その加熱領域の半径の約半分の範囲内に逆磁気極
性の安定な磁区域が形成される。先に記録された磁区域
を消去するためには、その磁区域を含む領域をキューリ
ー点ＩＭ度以上に加熱し、これによって加熱領域の磁化
を消滅させる。消去パルスのエネルギーが先に記憶され
た磁区域を含む領域をキューリー点よりわずかに高く加
熱する程度の大きさであれば、冷却後、形成しようとす
る逆磁気極性の磁区域は不安定であり、したがって、冷
却後消滅する。 このような外部磁気バイアス不使用のキューリー点シス
テムは、昭和５７年１２月２１日付で出願され、昭和５
９年６月３０日付で公開された岡田他の発明による日本
国特許願（特開昭５９−１１３５０６号）において開示
されている。このシステムにおける磁気光学媒体は８０
℃〜１８０℃程度の比較的低いキューリー点を有するも
のである。 岡田他が開示したキューリー点システムによれば、記録
及び消去はシングルビーム、直接書換え動作により達せ
られる。スポット磁区を記録すべく用いられるレーザー
パルスはその磁区を消去するに必要なレーザーパルスよ
り大きい。したがって、この大きい記録パルスは先の磁
気履歴とは無関係に状態“１”を表わす磁区を形成し、
より小さい消去パルスは先の磁気履歴とは無関係に磁区
域を消滅させ、状態“Ｏ”を表示させることになる。い
ずれの場合においても、キューリー点損失より高い温度
に加熱された領域には磁気的な損失が生じ、先の磁気履
歴を消しさるものである。冷却されたときの磁区域の存
在又は不存在はキューリー点以上に加熱された領域のサ
イズに応じたものとなる。 外部磁気バイアス不使用のいわゆるバイアスレスシステ
ムは、磁界変化に必要な遅延時間による影響を受けない
ため、きわめて高速の動作が可能となる。このようなバ
イアスレスシステムはさらに、記録媒体に近接してかさ
高い磁気素子を用いる必要をな（するものである。 周知のシステムにおいて記録された磁区域は最も低いエ
ネルギー配置に対応する円筒状磁壁内で安定するものと
考えられていた。これについては、例えば１９６９年１
２月発行のベルシステムテクニカルジャーナルＶｏ１．
４８、南１０のＡ、 Ａ。 シー１による“円筒状磁区（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ
Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄｏｍａｉｎｓ）の理論”と駆する
論文を参照されたい。磁区の移動度は磁気バブルメモリ
ーの開発をもたらしたものである。磁区の発生において
、加えられた熱エネルギーが低すぎる場合にはその磁区
は破壊される。加えられた熱エネルギーが最少スレッシ
ョルドレベルを（それほど大き゛くなく）上回ると、磁
区は拡大して確立される。その場合、最少エネルギーレ
ベル配置において磁区を形成しようとする磁区形成力学
に影響する幾つかの反作用力が発生する。 発明の要約 運動系においてバイアスレス記録を用いることにより、
細長片状に安定な磁区を形成し得ることが見出されてい
る。回転ディスク媒体によれば、正確な量の熱エネルギ
ーがそのディスク面を横切って移動するレーザービーム
により加えられ、不連続な区分として破壊されない細長
片磁区域が形成される。この細長片磁区域はレーザービ
ームの連続した付勢により又はレーザーの至近間隔パル
ス付勢により記録形成される′。このような細長片磁区
域は記録媒体上の記録データ密度を顕著に増大すること
ができるパルス幅変調、及び掃引長さ制限型コード記録
において特に有効に用いることができる。 細長片又は帯状磁区域を書込むために用いられるよりも
、低いエネルギーレベルにおいて連続付勢されたレーザ
ービームを用い、これがディスク面を横切るように移動
させることは、そのビーム通路における何らかの磁区を
消滅させるという驚異的事実が見出された。選択的に同
様な消去動作は予想される磁区幅又は直径の半分以下の
距離だけ隔った低エネルギーの“消去”パルス列を加え
ることにより達せられる。 この新たに発見された技術を利用する好ましいオペレー
ションの方法は、動作が記録中である限り、“消去”レ
ベルにおけるレーザーエネルギーを連続的に付勢し、磁
区域が記録されるべき場合には、比較的高い“書込み”
レベルのレーザーエネルギーをその上に重ね合わせるこ
とからなっている。この技術によれば、所望のデータは
記録媒体を横切る単一のレーザーパルスにより記録媒体
の先の磁気履歴とは無関係に記録される。別の好ましい
技術は記録中においてレーザーを連続的な“消去”レベ
ルにおいて付勢し、細片磁区域が要求されるとき、その
上に至近間隔で連なる“書込み”パルス列を重ね合わせ
るものである。さらに、別の技術は固定されたパワーレ
ベルにおいてレーザーを付勢し、これによって書込みの
ために正確なパワーレベルで連続的な付勢を行うととも
に、パルス付勢されたレーザーのデユーティ−サイクル
により消去を達成するようにしたものである。さらに、
別の選択的な方法によれば、通常は至近間隔で連なる“
消去”パルス列を加え、磁区域が要求される部分では前
記至近間隔パルスの振幅を“書込み”レベルまで拡大さ
せるものである。 本発明の目的において“細長磁区域”とはトラック方向
の長さがトラック幅の少くとも１．５倍であり、“スト
リップ消去”又は“帯状消去”とはトラック幅の少くと
も１．５倍だけトラックに沿ってのびる範囲における磁
区域を消去するものである。 さらに、所定温度（４０℃）と、高いキューリー温度と
の間の補償点を有するフェリ磁性記録媒体を用いること
により、選択された領域を補償点より高（キューリー点
より低い加熱温度まで上昇させ、外部磁気バイアスを用
いることなく記録及び消去を行うことがモきる。レーザ
ーパルスが十分大きい範囲を補償点以上に加熱すべく加
えられるならば、保磁力は低下し、記録媒体の自己減磁
界はその範囲が冷却されるとき逆磁気特性の磁区を形成
する。しかる後、同じ範囲内に、より小さいパルスが加
えられるならば、先の磁区内で形成された磁区がこれを
包囲する磁壁内において拡大し、やがて磁壁は互いに衝
突して破壊する。 消去機構はキューリー点消去において用いられた機構か
らは顕著に相違するものであるが、本発明では消去レー
ザーパルスが記録レーザーパルスより小さいという補償
点オペレーションが発見された。この発見により、シン
グルビーム直接切換動作が補償点方式において少くとも
単一データスポットオペレーションのために可能となる
。 しかしながら、補償点オペレーションにおいては、磁区
成長の危険が存在する。この場合、データは連続した“
１”が′０” （消去）を介在することなく記録される
ような多重バスにおいて記録される。磁区又はデータス
ポットは連続パス上のわずかな誤整列に基づいて成長し
、信頼性よ（消去できないほど拡大された磁区を発生す
る。さらに、そこでは連続した消去パルスが累加的な効
果により記録磁区を生ずるという危険も存在する。 補償点オペレーションは領域をキューリー点以上に加熱
するものではなく、したがって、キューリー点オペレー
ションの場合のように、新たなデータが記録されるたび
毎に、先の磁気履歴を消去するものではない。発明者ら
は記録媒体を十分な磁区移動度、及び連続記録又は消去
動作間における十分な時間経過を提供するような細長構
造とするならば、磁区は連続した記録パルスを加えても
成長しないで移動し、同一サイズを維持するとともに、
最終のレーザーパルスによって再整列することを発見し
た。さらに、これらの条件下において、消去パルスは磁
区を形成するほどに累積しないものである。 第１図は逆磁気極性のスボッ＋−ｔｎ区を書込み及び消
去するだめの補償点磁気光学的記憶システムを略示する
ものである。磁気光学的記憶媒体は適当な駆動モータ（
１２）により回転駆動されるディスク（１０）の表面上
に形成されている。このディスク面に対しては、レーザ
光源（１４）よりハーフミラ−（１６）及びレンズ（１
８）を通してレーザエネルギーの偏光ビームが投射され
るようになっている。ディスク面から反射されたビーム
は再びレンズ（１８）を通ってミラー（１６）に反射さ
れ、さらに偏光子（２０）を通じてフォト検出器（２２
）に入射する。フォ日灸出器（２２）は受は入れた光量
を指示する信号を増幅器（２４）に供給するものである
。レーザ光源（１４）及びレンズ（１８）はヘッドユニ
ット（３８）を構成し、このユニット（３８）はトラッ
ク位置決め機構（３６）により、ディスク（１０）の種
々の記録用トラックに対応するそのディスク中心から種
々に異なった位置を選択的に占めることができる。 ディスク（１０）はスパッタなどのような表面処理法に
より基板（７）上に形成された磁気光学的記録媒体（８
）を有する。この記録面は酸化珪素などのような光透明
性保護層（９）により被覆されている。保護層としては
他にも適当な物質、例えば窒化珪素、窒化アルミニウム
、酸化チタン及び酸化ジルコン等を用いることができる
。基板はアルミニウム、ガラス（例えばコーニンググラ
ス社の型番号０２１１または７０５９で指定されるもの
等）、またはポリカーボネイト、及び感光膜によって被
覆された種々のガラス基板から形成することができる。 ところで、第１Ｍ図は細長は区の書込み及びストリップ
消去（帯状消去）を行うための補償点磁気光学的記録シ
ステムを略示するものである。磁気光学的記録媒体は適
当な駆動モータ（１２）により回転駆動されるディスク
（１０）の表面に形成されている。レーザ光源（１４）
はハーフミラ−（１６）及びレンズ（１８）を通してこ
のディスク面にレーザエネルギーの偏光ビームを投射す
るものである。ディスク面から反射された光は再びレン
ズ（１８）を通過してからミラー（１６）に反射され、
さらに偏光子（２０）を通じてフォト検出器（２２）に
入射する。このフォト検出器（２２）は増幅器（２４）
に受光量を指示する電気信号を供給するものである。レ
ーザ光源（１４）、ミラー（１６）及びレンズ（１８）
はヘッドユニット（３８）を構成し、このユニット（３
８）はトランク位置決め機ｆ！４（３６）により、ディ
スク（１０）の種々の記録用トラックに対応するディス
ク中心から種々に異なった距離の位置を選択的に占める
ことができる。 ディスク（１０）はスパッタなどのような表面処理法に
より基板（７）上に形成された磁気光学的記録媒体（８
）を有する。この記録面は酸化珪素などのような光透明
性保護層（９）により被覆されている。この保護層とし
ては他にも適当な物質、例えば窒化珪素、窒化アルミニ
ウム、酸化チタン及び酸化ジルコン等を用いることがで
きる。基板はアルミニウム、ガラス（例えばコーニング
グラス社の０２１１番または７０５９番等）、またはポ
リカーボネイ１−１及び感光層により被覆された種々の
ガラス基板から形成することができる。 記録層はガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴ
ｂＣｏ） 、テルビウムーコバルｌ−（ＴｂＣｏ） 、
テルビウム鉄コバルト（ＴｂＦｅＣｏ） 、ガドリニウ
ム−テルビウム鉄コバルト（ＧｄＴｂＦｅＣｏ）などの
ような合金からなるフェリ磁性体磁気からなる光学材料
より形成され、なるべくなら予想される最高周囲温度Ｔ
ａより高く、その合金の結晶点（３００℃以上）より低
い補償温度Ｔｃを有するものである。このような補償温
度は通常の室温より少なくとも数１０℃以上高くなけれ
ばならない、実験により、フェリ磁性材料の磁区又は磁
区域は本発明の補償点技術によるならば４０℃〜１４０
°Ｃの補償温度において、材料に磁気バイアスを与える
ことなく消去できることが確認された。消去はこの範囲
外の温度においては信頼性良く行うことはできないと考
えられる。したがって補償温度の好ましい範囲は６０℃
〜１００℃である。キューリ温度は補償点より少なくと
も５０℃、そして好ましくは１００℃以上高い温度であ
る１５０℃以上でなければならない。酸化によって生ず
るであろう面内ヒステリシス（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｈｙ
ｓｔｅｒｅｓｉｓ）はこれにより回避することができる
。 一般にフエＩＪ ｌ性記録媒体の補（Ｍ温度は二つのタ
イプの磁気物質の比率関数であることが知られている。 希土類、遷移金属の磁気−光学構造において補償温度は
希土類と遷移金属との比率の関数である。構造中に２以
上の希土類が含まれる場合、補償温度はそれらの希土類
の比率とはほぼ無関係に設定される。例えばガドリニウ
ム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）などのよう
な鉄を含む構造においては補償温度は鉄／コバル） （
Ｆｅ／Ｃｏ ）比とはほぼ無関係となる。コバルトが遷
移金属であるｊ＋’ｉ造においては約７７％のコバルト
が５０℃の補償温度を決定するが、コバルトが約７５．
８％であれば１００℃の補償温度を決定する。 記録媒体には良好な磁区移動度が要求される。 これは特定スポットの多重通過記録により磁区が再整列
し成長しないようにするためである。ガドリニウムなど
の軽希土類を含むフェリ磁性合金は通常良好な移動度を
提供するものである。実効動作レベルに対する保磁力を
富めるためテルビウムなどのような重希土類についても
ほぼ等しい組成比が要求される。実験的に６′れりされ
た好ましい構造（原子百分率において）は次の通りであ
る。 （１１ＴｂｚｓＦｅｓｓＣＯｚｏは補償温度８０℃、キ
ューリ温度３３０℃、そして２７℃における保磁力ｔｌ
ｃが４にエルステッドであった （２１ Ｇｄ１３Ｔｂ１３Ｆｅ５ｇＣＯ１５は補償温
度９０℃、キューり温度３３０℃、そして２７℃におけ
る保磁力１１ｃが２．５にエルステッドであった（３）
Ｔｂ＋ｑ、 ５ｃｏｌｌＯ，ｓは補償温度１２０℃
、キューり温度４００℃、そして２７°Ｃにおける保磁
力Ｈｃが１．８にエルステッドであった磁区の成長は補
償点以上に加熱された状態で連続したエリアが重なると
き同様に生ずるものである。補償点温度以上で重なり合
う連続消去パルスは新たな磁区を発生することができる
。したがって基本的には同一スポットへの書込みまたは
消去を行う連続動作もしくは連続バスにおけるそのよう
な重なり（オーバーラツプ）を回避するため、記録媒体
は補償点以下まで急速に冷却される。約１０１００ｎナ
ノメータ）程度の記録媒体の薄膜は常時多重パスのため
に要求される温度よりかなり低い室温まで冷却される。 ディスクは製造後初期磁気状態を形成するため、約２０
にエルステッドの飽和磁界中に置かれる。 冷却後外部磁界の影舌下において記録領域はバイアス磁
界と同方向に整列した正味磁気モーメントを有するもの
とする。 第１図に示す通り、レーザ光源（１４）は電源（３０）
により付勢される。ディスクが低速から適当な速度まで
の回転速度で動作するものである場合において比較的廉
価なレーザ装置としては、たとえば波長７８２μｍにお
いて電力２０ミリワツトまで動作するシャープ電気製の
型番号ＬＴ０２４ＭＤＤダイオードレーザなどのような
半導体ダイオードレーザを用いることができる。別の好
ましいダイオードレーザとしては日立製作所から製造販
売されている波長８２０μｍの１化Ｐ １４００があ
る。より高速でディスクを回転させるべくより多くの電
力を要求するシステムの場合には、アルゴンガスレーデ
を用いることができる。 ダイオードレーザにより、約１〜２０ミリワツト程度の
電力レベルにおいて１０ｎ秒〜１μ秒間隔で付勢するこ
とは“書込み”及び“消去”動作中において記録媒体の
磁気状態に悪影響を与えるため“読取り”動作において
は記録媒体の磁気状態を変化しないよう低レベルの電力
が用いられる。 ガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）
において中核をなすミクロンサイズのスポット磁区は、
たとえばそのフィルムを外部磁界の不存在下において、
７ミリワツト、３００ｎ秒パルス幅のレーザパワーで局
部加熱することにより得ることができる。３００ｎ秒パ
ルス間隔により書き込まれたスポット磁区はこの後同じ
電力レベルにおいて１００〜２００ｎ秒幅のパルスを加
えることにより完全に消去することができる。１２ミリ
ワツトのレーザパワーによれば１００ｎ秒パルスで書き
込まれたスポット磁区は３０〜８０ｎ秒パルスにより消
去され、１５０ｎ秒パルスにより古き込まれたスポット
磁区は３５〜１３０ｎ秒パルスにより消去することがで
き、さらに２０Ｏｎ秒パルスにより書き込まれたスポッ
ト磁区は４５〜１７５ｎ秒パルスによって消去すること
ができる。 電源（３０）にはワンショットマルチバイブレーク（３
Ｉ）が接続され、より長い′書込み“パルスに対応する
持続時間り、のパルスを発生すべくセットされ、電１Ｊ
ＪＴ（３０）に接続された別のワンショットマルチバイ
ブレーク（３２）はより短い“消去“パルスに対応する
持続時間Ｄ２のパルスを発生するようにセットされてい
る。 レンズ（１８）はその電力半値直径において加熱される
べき領域の直径より幾分小さい直径を有する領分にビー
ムを集束するように配置されている。 本発明に従った四込み及び消去動作において、レーザパ
ルスパワーを選択する目的は、キューリ温度を顕著に上
回ることなく補償点以上の温度で領分加熱を・行うこと
である。したがって局部加熱はデータが古き込まれるべ
く制限された領域のみを補償点以上に温度上昇させ、か
つ保磁力の局部的な減少を生ずるものである。 ディスク（１０）のトラックに書き込まれたデータは、
レーザ光源（１４）より直線偏光された読取り光ビーム
を生ずることにより、そのトラックから非破壊的に読み
出すことができる。このレーザ光源（１４）は磁化が容
易に変化するまでも高温に加熱しない程度の低レベル電
源（第１図には図示しない）により付勢され、ディスク
表面に向かって光ビームを照射するものである。反射ビ
ームにおいて偏光は残留磁気モーメントの方向に応じた
方向に回転する。したがって反射ビームの偏光は読取中
の領域にストアされたデータの２進状態を判定すべく分
析することができる。 他方第１Ｍ図に示すように、レーザ光源（１４）は３個
の電源（３０）〜（３２）の一つにより、または選択的
に異なったレベルもしくは異なったデユーティ−サイク
ルで動作する単一の電源により付勢される。ディスクが
低速から適当な速度までの範囲で動作する場合において
、比較的廉価なレーザユニットとしては、たとえば波長
７８２μｍで２０ミリワツトの電力まで動作するシャー
プ電機層の型番号ＬＴＯ２４ＭＤＤダイオードレーザを
好ましく用いることができる。別の好ましいダイオード
レーザとしては日立製作所より製造販売された波長８２
０μｍで動作する型番号ＨＬＰ１４００のものが存在す
る。より高速でディスクを回転させるために、より大き
い電力を必要とするシステムにおいてはアルゴンガスレ
ーザを用いることができる。ダイオードレーザにより約
１〜２０ミリワンド程度の電力レベルで１０ｎ秒〜１ミ
リ秒間付勢することは、“書込み”及び“消去”動作中
に記録媒体の磁気状態に悪影響を与えるため、“読取り
”動作のためには記録媒体の磁気状態を変化しないよう
比較的低い電力レベルが用いられる。ガドリニウム−テ
ルビウム−コバルト（ＧｄＴｂＣｏ）フィルムにおいて
中核をなすミクロンサイズのスポット磁区は、たとえば
書込み用電源（３０）を用いてフィルムを局部加熱する
ことにより達成される。この局部加熱は外部磁界が存在
しない状態で３００ｎ秒のパルス幅における７ミリワツ
トのレーザパワーを加えることにより行われる。３００
ｎ秒幅のパルスにより古き込まれたスポット磁区は消去
用電源（３工）からこれに続いて供給される同−ｔカレ
ベルの１００〜２００ｎ秒幅のパルスにより、完全に消
去することができる。１２ミリワツトのレーザパワーに
より１００ｎ秒パルス幅で書き込まれたスポット磁区は
３０〜８０ｎ秒パルスにより消去することができ、１５
０ｎ秒パルスにより凹き込まれたスポット磁区は３５〜
１３０ｎ秒パルスにより消去することができ、さらに２
００ｎ珍パルスにより書き込まれたスポット磁区は４５
〜１７５ｎ秒パルスにより消去することができる。 レンズ（１８）は加熱されるべき領域の直径より幾分小
さい直径を有する範囲内に、レーザビームをその電力半
値径で集束すべく用いられるものである。本発明に従っ
た書込み及び消去においてレーザパルス電力を選択する
目的は、ある領分をキューリ温度以上に加熱することで
ある。すなわち局部加熱は温度を補償点以上に高くし、
データが書き込まれるべく実質的に制限された領域のみ
において保磁力を局部的に減少させるものである。 ディスク（１０）のトラックに書ぎ込まれたデータは、
上述した通りレーザ光源（１４）から直線偏光された読
取り光ビームを発生させることにより、非破壊的に読み
出すことができる。この場合レーザ光源（１４）は読取
り用電源（３２）により（当該領域の磁化が変化するほ
ど高温にしないような振幅で）付勢され、これによって
生じたレーザビームがディスク面に向かって照射される
。反射ビームにおいて偏光は正味磁気モーメントの方向
に応じて回転する。したがって反射ビームの偏光伏皿は
読取中の領域に記憶されたデータの２進状態を判定すべ
く分析されることができる。 本発明は磁気光学媒体の選択された領域におけるスポッ
ト磁区での記録及び消去、並びに細長磁区の記３．★及
びすでに書き込まれた情報のストリップ消去を容易にす
るものである。この方法は特別の構造を有する薄膜状磁
気光学記録媒体（補償温度が４０℃〜１４０℃であって
キューリ点温度がこの補償温度より少なくとも５０°Ｃ
高いもの）において、再加熱される領域内に生じる自己
減磁界を利用することにより、その領域の残留磁化を反
転し、これによって外部バイアス磁界の必要性をなくし
たものである。本発明に含まれるべき物理的プロセスは
、以下第２ａ〜２ｈ図を参照して説明することとする。 一般に十分大きい領域が補償点以上に加熱されてその領
域内の保磁力が低下すると、減磁界はその領域が冷却さ
れるとき逆磁気極性の安定な磁区を形成する。すでに記
録された磁区を消去するためには、先の磁区内にあらた
な磁区域を形成するめ、比較的低いエネルギーのレーザ
ビームが用いられる。この新たな磁区は拡大して周囲の
磁壁に及んでい（。この拡大は磁壁が互いに打消し合い
磁区が消滅するまで行われる。 この補償点技術はストリップ消去、すなわちレーザビー
ムの通路中において、先の磁気履歴に関係なく全ての磁
区を信頼性よく消去できるという驚異的な機能を発渾す
るものであることが見出された。レーザービームは安定
な磁区を生ずるためには不十分であるが、すでに記録さ
れた磁区を消滅させるべく拡大するような磁区を発生す
るに十分な中心電力レベルにおいて駆動されなければな
らない。レーザは中間パワーレベルにおいて連続的に駆
動される。すなわちレーザは、近接した間隔のレーザパ
ルスを発生するために付勢されるものである。補償点技
術はまた細長片磁区を記録し得るものであることが見出
されている。これらの細長片磁区はレーザを比較的高い
パワーレベルにおいて連続的に作動させること、すなわ
ち比較的高いパワーレベルにおいて近接した間隔のパル
ス列を用いることにより達成し得るものである。 ストリップ消去はビーム通路中の何らかの磁区を消去し
、先の磁気履歴に関係なく、しかも消去中の先の磁区に
関する正確な位置決めを必要とすることなく、実際上“
０”状態を記録し得るものである。ストリップ消去を細
長磁区のストリ・ノブ記録と結合することは、パルス幅
変調または動作長制限式のコード化記録技術の使用を可
能にするものである。この技術はトラックに沿って記録
することができるデータ密度を顕著に増大させるもので
ある。 直径１３０龍、厚さ１．２１１のガラスディスクはター
ゲット補償温度が６０℃〜１２０℃の範囲にあるＧｄ−
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜構造（厚さＬｏｏｍｍ）によ被覆さ
れた。テストはトラック速度約３ｍ／秒において、中心
から４５〜５０ｎ＋の位置にあるトラック上に補償点技
術を用いて実施された。ここでは波長７８２ｎｍにおい
て動作するシャープ半導体レーザがストリップ消去のた
めに５．５ ミリワットにおいて連続的に付勢され、細
長片磁区記録の期間中においては８．０ ミリワットで
連続的に付勢されたものである。ストリップ消去はまた
５０％デユーティサイクルで周波数５〜６メガヘルツ、
ピーク値８ミリワツトのレーザパワーを用いて実施され
た。概して好ましいレーザパワーレベルは記録媒体の補
償温度における上界に伴って上昇し、また記録媒体の厚
さが増すに従って上界する。好ましいパワーレベルはま
た直線速度の上昇に伴って上昇する。 レーザのパルス付勢を利用したストリ、７プ消去の場合
、レーザパルスは予想される最少の磁区直径（または６
イ（区幅）の１／２以下の間隔を有するべきである。こ
の間隔によりレーザは何らかの記録を有するｉｉｌ区が
消去ステーションを通過するとき、少な（とも２個の消
去パルスを発生する。このようにしてレーザを中間消去
パワーレベルにおいてパルス化することにより不連続ま
たは、Ｉ［長い連続通路に沿った幾つかのけ区が消去さ
れる。同様の間隔はパルスレーザを用いて細長片磁区に
記録を行うとき用いられるべきである。このような近接
したパルス間隔によれば、個々の磁区は漸進的な加熱領
域を発生するため時間的に十分近接したレーザパルスが
加えられる限り、細長片磁区として一体化するよに形成
される。 本発明に従ってストリップ消去及び記録技術を利用する
４つの方法は第１Ａ−ＩＦ図において図解されている。 トラックに沿って記録されたデータは第１Ａ図に示され
、この場合磁気状態は通常“Ｏ”状態にあり、斜線領域
は“１”状態を意味する逆磁気極性の記録磁区を代表す
るものとする。 さらに図示のような書換え（オーバーライド）の要求が
存在するトラック部分が第１Ｆ図に示すような書換デー
タとして記録し直されるものとする。 データを変換するための一つの方法は、第１Ｂ図に示す
ようにレーザの連続的な付勢を採用することである。書
換えが要求されない場合、レーザはデータを読取るため
に用いられる、記録データに影響をあたえない程度の低
いパワーレベルにおいて付勢される。書換えセグメン］
・中においてレーザは消去用の中間パワーレベルＰ２ま
たは書込み用のより高いパワーレベルＰｌのいずれかに
おいて駆動される。レーザがパワーレベルＰ２において
動作している限り、記録媒体は“０”状態を記録すべく
消去される。またレーザがより高いパワーレベルＰユに
おいて駆動される限り、逆極性の磁区が“ｌ”状態とし
て記録される。 第１Ｂ図に示す方法に従ったオペレーションは第３Ａ図
に略示された論理制御回路を用いて達成される。第３Ａ
図において端子（７０）は“読取り”に対応するゼロレ
ベル及び“書込み”に対応するハイレベルの“読み／四
き”制御信号を受信する。 端子（７１）は“０”に対応するゼロレベル、及び“１
”に対応するハイレベルを有するデータ制御信号を受信
する。端子（７０）はインバータ（７２）を介して読取
用電源（３２）に接続され、さらにアンドゲート（７３
）及び（７４）を介してそれぞれ書込用電源（３０）及
び消去用電源（３１）に接続される。端子（７１）はア
ンドゲート（７３）を介して書込用電源（３０）に結合
される。゛読取り”信号（端子（７０）においてはゼロ
レベル）はインバータ（７２）の出力において高信号と
なり、これは読取用電源（３２）を駆動してレーザを低
レベルＰ１に付勢する。他方、端子（７０）における“
書込み”信号はアンドゲート（７３）及び（７４）を完
全入力状態とし、端子（７１）から供給されたデータ情
報に従ってゲート出力を発生させる。 端子（７１）に高信号（“１”レベル）が出現すると、
この信号はアンドゲート（７３）を通じて書込用電源（
３０）ヲ駆動し、レーザを高パワーレベルＰ３に付勢さ
せるものである。端子（７１）においてゼロレベル信号
が存在すると、インバータ（７５）は真出力信号を発生
し、これはアントゲ−１−（７４）をｉｉｌして消去用
Ｎ、源（３１）を駆動し、これによってレーザを中間パ
ワーレベルに付勢させるものである。データを書換える
ための別の方法は第１Ｅ図に示されており、この場合レ
ーザパルスは書換動作中において用いられる。中間パワ
ーレベルにおけるパルスは消去及び“０”状態記録のた
めに用いられ、より高いパワーレベルにおけるパルスは
１”状態を示す不連続な細長磁区を記録するために用い
られる。この２種類のパワーレベルは、図示の通り同−
周波数及び同一デユーティサイクルにおいて二つの異な
ったパワーレベルを用いることにより確立される。選択
的に一定のピークパワーレベルを採用し、デユーティ−
サイクルの方を変えるごとによりパワーレベルを変化さ
せても良い。 第１Ｅ図に従ったオペレーションは、ｉ３Ｄ図に略示す
るような制御回路を用いることにより達成される。この
回路においてはアンドゲート（７３）及び（７４）の出
力を第３Ａ図の場合のように電源（３０）及び（３１）
に接続するのではなく、アンドゲート（７３）はパルス
発生器（７９）を介して電源（３０）に結合し、アンド
ゲート（７，１）はパルス発生器（８０）を介して電源
（３１）に結合するものである。これらのパルス発生器
におけるパルス繰返し速度は、記録媒体において補償温
度以上となる連続加熱領域のオーバーラツプを達成する
に十分な頻度、たとえば少なくとも５メガヘルツより高
いものであることが望ましい。電源（３０）及び（３１
）のパワーレベルはパルス発生器のデユーティ−サイク
ルに従って調整される。 上述した方法の混成型からなる他のデータ書換方法は、
第１Ｃ図及び第１Ｄ図において略示されている。第１Ｃ
図においてデータ消去はレーザのパルス付勢によって達
成され、口込みはレーザの連続付勢によって達成される
。レーザは消去及び書込み動作において等しいピーク電
力により駆動されるが、消去動作に必要なより低いパワ
ーレベルはデユーティ−サイクルを妥当に調整すること
により確立される。第１Ｄ図においてレーザは消去動作
のための中間レベルにおいて連続的に付勢され、書込み
動作のための高電力レベルにおいてパルス付勢される。 第１Ｃ図及び第１Ｄ図による方法に従ったオペレーショ
ンは、それぞれ第３Ｂ図及び第３Ｃ図に示された制御回
路を用いて実行される。第３Ｃ図においてアンドゲート
（７３）と書込み用電源（３０）との間にはパルス発生
器が結合される。第３Ｂ図において消去パルス発生器（
７８）はアンドゲート（７４）の出力に接続され、その
出力パルスは″書込み“動作のために用いられる同一の
電源（３０）を駆動すべく用いられる。消去パルス発生
器は約５０％のデユーティ−サイクルを有することによ
りレーザパワーレベルを消去動作に適した中間レベルに
減少させるものである。 本発明により直接書換動作を実行するに適した制御回路
は第１図に略示されている。タイミングクロックパルス
は、常套的にはディスク上のタイミングトランクから導
出され、記録されるべき２進データは端子（４１）に供
給される。データ端子（４１）はアンドゲート（３３）
の１人力に直結され、アンドゲート（３３）の１人力に
対してはインバータ（３５）を介して接続される。端子
（４０）はアンドゲート（３３）及び（３４）の各他方
の入力に接続される。アントゲ−１−（３３）及び（３
４）の出力はそれぞれワンショッＩ・回路（３１）及び
（３２）に接続される。 本発明による直接書換オペレーションは第１ａ〜第１ｄ
図において略示されている。第１ａ図にはディスク上の
データトラックに沿ったデータスボッ］・ロケーション
の位置を指定する１８個のタイミングパルス列が示され
る。第１ｂ図に示す通り、すでに記録されたデータはロ
ケーション２．３．７，９．１０，１１．１５及び１６
において逆磁気極性の磁区としてＲｉかれている。レー
ザが次のパスで第１Ｃ図に示すロケーション３．５．６
．９．１０．１４．１５及び１８においてワンショット
回路（３１）から供給されるより大きい書込みパルスに
よって付勢される場合、逆極性の磁区は第１ｄ図に示す
通りトラック上の対応するロケーションにおいて斜線領
域により指示された如く記録される。ワンショッ！・回
路（３２）から供給されたロケーション１．２、↓、７
．８．１１．１２．１３．１６及び１７における短い消
去パルスは、これらのロケーションにおいてすでに記録
された何らかの磁区を消去するものである。 これまでの説明から明らかな通り、高エネルギーの“書
込み”パルスを加えることはそのデータロケーションに
、先の磁気履歴に関係なく“１”状態に対応する逆磁気
極性の磁区をもたらすことになる。同様に低エネルギー
の“消去”パルスを加えることは先の磁気履歴に関係な
く“０”状態をもたらすことになる。すなわち何らかの
存在磁区は消去され、磁区領域が存在しなければ何も形
成されないということになる。したがって“書込み”及
び“消去”パルスのパターンに応じた単一ビームパスに
よってデータパターンが直接制御される。 磁区移動度を提供するためにガドリニウムを含み、保磁
力を増大させるためにテルビウムを含む（ＧｄＴｂＲｅ
Ｃｏ） 、膜厚さ１０１００ｎナノメータ）程度の記録
媒体によれば、データスポットを１０００回操り返して
記録しても顕著な磁区成長は何ら生じなかった。さらに
多重消去パルスもそのような媒体において記録磁区を生
ずるものではない。 幾つか得られた実例において、磁区の再記録はその磁区
の何らかの有孔率を示すようなコントラストを減少させ
ることができる。この問題（コンＩ・ラスト）はフィル
ムの下側において小永久磁石（５０） （第１図）を配
置し、消去プログラムに悪影響を与えること（すなわち
先の磁化状態に対抗すること）なく、記録プロセスを促
進する方向においてるイ２界を発生することにより排除
することができる。このような非可逆的磁界の使用は外
部逆磁界が存在する場合に生じていた動作速度への悪影
響を生ずるものではない。 “書込み“及び“消去”動作のための異なったエネルギ
ーレベルにおけるレーザパルスは等しいパルス幅におい
て異なった電力レベルを用いることにより６■立するこ
ができる。ＧｄＴｂＦｅＣｏ媒体によれば、８．３ ミ
リワットのレベルを有する８００ｎ秒のレーザパルスに
よって書き込まれた磁区（０゜５μｍの磁区サイズ）は
、２．６〜７．３ ミリワラ１、の電力レベルにおいて
等しい時間幅のレーザパルスを用いることにより消去す
ることができる。また０、７μｍの磁区サイズであれば
同一時間幅における６、８〜９．２ ミリワットのレー
ザパルスにより消去することができる。また７、９ ミ
リワットの電力レベルを有する１０００ｎ秒パルスを用
いた１゜０ミクロンサイズの記録磁区は、同一時間幅に
おける２、４〜６．９マイクロワツトのパルスにより消
去することができる。さらに１０．５ミリワツトの電力
レベルを有する１０００ｎ秒パルスを用いて記録するこ
とができた１、２ ミクロンサイズの磁区は、同一時間
幅における３、３〜７．４ ミリワットのパルスを用い
て消去することができる。 高エネルギーの″書込みパルス”及び低エネルギーの“
消去パルス”を得るための選択的な装置は第３図におい
て略示されている。この装置において、レーザ（１４）
により生成された光パルスは等しい時間幅を有するもの
であるが、“書込み”動作の場合には高電力レベルとな
り、“消去”動作においては中間電力レベルとなるもの
である。端子（４０）におけるタイミングパルスはワン
ショットマルチバイブレーク（８０）に供給される。こ
のマルチバイブレークからはアンドゲート（８１）及び
（８２）に対して時間幅制御されたパルスが供給される
。 データ端子（４１）はアンドゲート（８１）の他方の入
力端子に直結されるが、アントゲ−１−（８２）の他方
の入力端子にはインバータ（３１）を介して接続される
。 アンドゲート（８１）の出力は書込み用電源（９１）を
駆動し、この電源（９１）はダイオードレーザ（１４）
を動作時に尚電力レベルで付勢するものである。アント
ゲ−！−（８２）の出力は電源（９２）を駆動し、この
電源（９２）はダイオードレーザ（１４）を動作時に中
間電力レベルで付勢するものである。読取用電源（９０
）はダイオードレーザ（１４）を磁気記録媒体の状態に
影響しない程度の低い電力レベルにおいて付勢するため
、このレーザダイオードに接続されている。 本発明による四込み動作において重要なことは、ある領
域に対し、保磁力を減少させるために補償温度より十分
高い温度の熱エネルギーを供給し、かつ冷却後述磁気極
性の磁区を形成することである。また本発明による消去
動作において重要なことは、それ自体が成長し、周辺磁
区を消滅させるような磁区を生成するに十分であって、
しかも冷却後において安定な磁区を形成しない程度の適
度なエネルギー量を供給することである。書込み及び消
去動作に要するエネルギーは異なったパルス幅を有する
等しいパワーレベルのレーザパルス（第１図）によるか
、または異なったパワーレベルにおける同一時間幅のレ
ーザパルス（第３図）によって供給することができる。 このエネルギーはまた補償温度以上の温度に加熱される
オーバーラツプ領域を発生するため十分に近接した間隔
を有する多重パルスを用いて供給することもできる。 自己反転式データ書換え法（薄膜状の磁気光学的記録媒
体における自己減磁界を用いる）の実施中、物理的に生
ずる現象は第２ａ〜２ｈ図において模式的に示されてい
る。最初の書換動作が遂行されるに先立って、記録媒体
Ｊｌ（６０）は磁気光学材料の補償温度′「Ｃより低い
周囲温度Ｔａにおかれる。記録領域の各々はデータの第
１セツトにおける１つのビットを収容する。第２ａ図は
、たとえば２進“１”状態からなる等しいデータ値から
始まるデータセットの場合、３つの連続した領域（Ｎ−
１）、Ｎ、及び（Ｎ＋１）の各々において正味磁気モー
メント（広幅矢印（６２ａ）〜（６２ｏ）で示す）は、
いずれも媒体層の表面（６０ａ）に対して実質上垂直な
同一方向（この場合上向き）を向いており、かつほぼ等
しい振幅を存するものである。 正味磁気モーメントＭの振幅及び方向は、磁気光学合金
の各成分の磁気モーメントの相対的な振幅及び方向によ
って確立される。ここに合金中の遷移金Ｊｍ （ＴＭ）
成分の下向きモーメント（６４ａ）は、各部分領域にお
いて希土［（ＲＥ）合金成分の上向きモーメント（６４
ｂ）より小さい振幅を有する。 領域Ｎが書換手段（第１図のレーザ（１８）からなる）
からエネルギーを受は取ると、その領域の温度は補償温
度ＴＣを越えるまで上昇する。入射光ビーム（１５）の
エネルギーは実質的なガウス分布を有するため、領域Ｎ
の全体は均一には加熱されない。したがって個々の合金
成分による磁気モーメント（たとえばモーメント（６２
ａ）及び（６２ｂ）等）及び正味磁気モーメント（例え
ば正味モーメント（６２ａ） （６２ｂ） （６２ｎ）
及び（６２ｏ）等）がいずれもエネルギーを受は入れる
領域Ｎから分離した部分領域で実質上不変の状態に維持
される間において、加熱された領域Ｎに近い部分領域は
ビームの外縁からエネルギーを受は取ることになる。遷
移金属ＴＭ酸成分磁気モーメント（６４ｃ）はこれら他
の領域（Ｎ−１）、（Ｎ＋１）等における補償温度より
低い上昇温度に応答して幾分か減少する。この減少分は
希土［ＲＥ酸成分磁気モーメン） （６４ｄ）における
減少分程には大きくならない。そして部分領域の正味モ
ーメント（例えば正味モーメント（６５ｃ°）及び（６
４ｍ”）等）は減少する。温度が上昇すると、正味磁気
モーメント（たとえば正味モーメント（６５ａ”）及び
（６４ｏ’）等）の減少は連続して生ずる。 この減少は領域Ｎにより近いため、ＴＭモーメント（６
４ｅ）の減少より早くなるＲＥモーメント（６４ｆ）の
減少に応答するものである。幾つかの部分領域において
温度が補償温度に達すると、ＴＭ及びＲＥモーメント（
６４ｇ）及び（６４＋＋）の減少した振幅は定義により
等しくなる。そして正味磁気モーメンｈ（（ｉ２ｅ’）
、（６２に’）、、、は大きさがゼロとなる（そして領
域Ｎの周縁が規定される）。正味磁気モーメントゼロの
Ｓ置載（６２）の内側における部分領域温度は補償温度
を上回り、ＴＭモーメント（たとえば磁気モーメント（
６４ｉ） 、（６４ｋ） 、（６４ｍ）、、。 ）の減少して振幅は、ここでＲＥモーメントの減少した
振幅より大きくなるため（たとえば磁気モーメント（６
４１） 、（６４ｍ） 、（６２ｆ） 〜（６２ｊ）、
、、はずべて保存される）、大きさが増し、方向が反対
（たとえば記録層内に向かう）となる。 第２ｂ図の中央領域における磁化と反対の自己減磁界は
、成分モーメントの方向を第２Ｃ図に示すように逆転す
る。領域Ｎの周縁内においてこれに近接した部分領域に
おける成分モーメントは、先の方向（たとえばモーメン
ト（６４ｉ）及び（６４ｊ）によって系す）において固
定され、これにより正味モーメントは新たなくここで反
転した）方向に固定されることになる。しかしながら、
より中央に近い部分領域における成分モーメントは初期
方向と反対の方向（たとえば正味磁気モーメント（６２
ｊ°）、（６２ｈ”）、（６２ｉ”）、、、などのよう
な上向き方向）となる。光ビームの除去／オフ−スイッ
チング後において部分領域温度が冷却により低下する゛
と、合金成分磁気モーメントの振幅はそれらの周囲温度
時の値に対して上昇し、各部分領域が補償温度を越える
と、その正味磁気モーメント（６２）はゼロまで低下す
る。第２Ｄ図に示す通り、補償温度より低い温度の各部
分領域においてＲＥ Ｌｌｌｌ上気メント（たとえば磁
気モーメンＩ−（６４ｎ’ ）等）の振幅は再びＴＭＶ
ｉ！Ｌ気モーメント（たとえば磁気モーメント（６４ｍ
’ ）等）の振幅より大きくなり、その正味モーメント
（たとえば正味磁気モーメンｌ−（６２ｈ’ ））の方
向は再び同様な反転方向となる。領域Ｎの残りの部分９
■域はそれらの正味磁気モーメント（たとえば正味磁気
モーメント（６２ｇ’） 、（６２ｉ’ ）、、、）の
同様な反転をもたらすものである。すなわち領域Ｎの部
分領域のすべては領域Ｎの補償温度より高い温度への加
熱に先立って、その整列方向と反対の方向に整列した正
味磁気モーメントを有する。対向したモーメントが磁壁
内の中核をなすとき（領域Ｎの両側における周辺部分領
域（６６ａ）及び（６６ｂ）において形成されるとき）
、直径りの安定な磁区が形成され、関連する新たなデー
タビットの値が記憶される。゛一方第１Ｍ図において示
された選択的な実施例を参照すると、領域Ｎは書換手段
（レーザ（１４））からのエネルギーを受は取り、その
領域の温度は第２ｂ図に示すように補償温度Ｔｃを上回
るまで上昇する。入射光ビーム（１５）は実質上ガウス
分布に従ったエネルギーを有し、領域Ｎの全体は均一に
は加熱されない。したがって個々の合金成分の磁気モー
メント（たとえばモーメント（６４ａ）及び（６４ｂ）
）及び正味磁気モーメント（たとえば正味モーメント
（６２ａ） （６２ｂ） （６２ｎ）及び（６２ｏ）等
）の全てが領域Ｎの受容エネルギーから分離した部分領
域において実質上不変の状態に止まり、加熱領域Ｎに近
接した側部分はビームの外縁からエネルギーを受けるも
のである。遷移金属ＴＭ酸成分磁気モーメンｌ−（６４
）はこれら他の領域（Ｎ−１）、（Ｎ＋１）等々におけ
る補償温度より低い範囲まで上昇した温度に応答して幾
分減少する。これは希土類ＲＥ酸成分磁気モーメン）
（６４ｄ）の減少より大きいものではなく、その部分領
域の正味モーメント（たとえば正味モーメント（６２ｃ
’ ） （６２ｍ’ ）等）は減少する。温度が上昇す
るとき、正味磁気モーメント（たとえば正味モーメント
（６２ｄ”）及び（６２１″）等）の大きさの減少は、
ＲＥモーメント（６４ｆ）のより早い減少に応答して引
き続き生ずるものであり、これは領域Ｎにより近いロケ
ーションを有するものである。幾つかの部分領域におい
てそれらの温度が補償温度に到達すると、ＴＭ及びＲＥ
モーメント（６４ｇ）及び（６４ｈ）の低下した振幅は
互いに等しくなり、正味磁気モーメント（６２ｅ’）、
（６２に’）、、、 はゼロの大きさとなる（これによ
り領域Ｎの周辺が限定される）。正味磁気モーメントが
ゼロの領域（６２）の内側に向かうと部分領域温度は補
償温度を上回り、ＴＭモーメント（たとえば磁気モーメ
ント（６４ｉ） 、（６４ｋ） 、（６４ｍ）、、、）
の低下した振幅は、ここでＲＥモーメント（たとえば磁
気モーメント（６４ｊ） 、（６４１） 、（６４ｍ）
、（６２ｆ）〜（６２ｊ’）、、、）の低下した振
幅より大きくなり、かつすべて反転されるため、逆方向
（たとえば記録層に入る方向）において増大した大きさ
を有することになる。 自己減磁界は第２ｂ図の中央領域における磁化に対向し
て成分モーメントの方向を第２Ｃ図に示すように逆転す
る。これらの成分モーメントは領域Ｎの周辺内において
それに近接したものであり、先の方向くたとえばモーメ
ント（６２ｉ）及び（６２ｊ）により示す方向）におい
て固定され、この結果正味モーメントは新たな（ここで
反転された）方向において固定される。しかしながら、
より中央に近い部分領域における成分モーメントは初期
方向と反対の方向（たとえば正味磁気モーメント（６２
ｇ”）、（６２ｈ’）、（６２１”）１１．で示すよう
な上向き方向）となる。光ビームの除去／オフ−スイッ
チング後における冷却により部分領域温度が低下すると
、合金成分磁気モーメントの振幅はそれらの周囲温度時
の値に上昇し、各部分領域が補償温度以上になると、そ
の正味磁気モーメント（６２）がゼロまで減少する。第
２ｄ図に示す通り、補償温度より低い温度の各部分領域
においてＲＥｌを気モーメント（たとえば磁気モーメン
ト（６４ｎ’ ）等）の振幅は再びＴ Ｍ 磁気モーメ
ント（磁気モーメント（６４ｍ０）等）の振幅より大き
くなり、正味モーメント（たとえば正味磁気モーメント
（６２ｈ０）等）の方向は再び同一の反転方向とな、る
。領域Ｎの残りの部分領域はそれらの正味磁気モーメン
ト（たとえば正味磁気モーメンｔ・（６２ｇ’ ） 、
（６２ｉ’ ） 、、。 ）の同様な反転を形成することになる。したがって領域
Ｎの全ての部分領域は領域Ｎの補償温度より高い温度へ
の加熱に先立って、整列方向と逆の方向に整列すること
となる。対向したモーメントが（たとえば領域Ｎの両側
の周辺部分領域（６６ａ）及び（６６ｂ）において）磁
壁内の中核をなすとき、直径りの安定な磁区が形成され
、関連するデータビットの新たな値がストアされる。 次に第２ｅ〜第２ｈ図を参照すると、磁区内に記憶され
たデータ値（たとえば論理ゼロ）と、磁区Ｎに記ｔαす
べき２進データの新たなビットからなる論理値（たとえ
ば論理工）との比較は、磁区Ｎが書き替えられるべきこ
とを指示する。この決定は占込み用レーザダイオードを
付勢し、何らの意図的な外部バイアス磁界も存在しない
状態において、磁区Ｎを再び加熱し、補償温度を越える
まで温度上昇させるものである。第２ｅ図の磁壁部（６
６ａ）及び（６６ｂ）により典型的に示された磁壁は突
発的に破壊されるものではなく、合金成分の優勢磁気モ
ーメントの反転に基づいて磁区Ｎ内における部分領域の
正味磁気モーメント（６２）の反転をもたらすものであ
る。かくして加熱された磁区Ｎ内の部分領域における正
味磁気モーメント（６２ｆ’）〜（６２ｊ’）及び（６
２ｆ”）〜（６２ｊ”）は入射光ビームエネルギーのガ
ウス分布により振幅変調されるだけでなく、それらを磁
気光学材料層から上向きに分離する方向に反転させるも
のである。直近部分領域の自己ｉ％Ｈｆｔ界（すなわち
部分領域（６２ｆ″）及び（６２ｊ”）の上向き正味モ
ーメント）は第２ｆ図に示す通り、加熱された磁区Ｎの
部分領域（６２ｈ″）によって代表される中央部分領域
での局部磁界の反転をもたらし、その結果少なくとも一
つの内側部分領域が、再び反転された方向に沿った正味
磁気モーメントを有することになる（たとえばより大き
い磁区／ ｉｆｆ域Ｎ内において、領域／磁区直径りよ
り小さい直径Ｄ°の領域の下向き残留磁気モーメント（
６２ｈ”）参照）。対向壁部（６８ａ）及び（６８ｂ）
により示された第２の内部磁壁は、その部分領域に近接
して存在することになる。局部壁の運動は内側壁部を外
側壁部の関連部分における位置まで拡大・せしめるもの
であり、これらの２壁は互いに接近して相手の壁部を消
滅させ、その結果正味磁気モーメント（６２ｇ″）〜（
６２１”）（第２ｇ図参照）が、やはり反転される領域
の直径Ｄ”は、磁区直径Ｄ°より大きくなる。磁区Ｎの
温度が加熱用パルスの休止に伴なう冷却により補償温度
以下に低下するとき、ＲＥ及びＴＭ合金成分の磁気モー
メントの相対的な振幅は変化し、部分領域の正味磁気モ
ーメントの全ては再び同一方向（たとえば第２ｈ図の正
味磁気モーメント（６２ｅ）〜（６２ｋ）の場合上向き
方向）を向くことになる。したがって磁区Ｎに記憶され
たデータ値はその磁区に先に記憶されたデータ値の状態
から反転（たとえば論理ゼロより論理１状態へ）される
。 ここで第４〜７図を参照して、本発明の実施に用いられ
た装置の具体的実施例につき詳細に説明する。まず第４
図及び第４ａ図を参照して、ディジタル情報の磁気光学
的記憶を行うための装置（１０）は記憶ディスク（１１
）を有する。しかしながら記憶手段としては円筒型であ
ってもよい。ディスクは中心開口（１１°）を有し、こ
の中心開口（１１’）には動作中において中央スピンド
ル部＋４’（１２）が貫通し突出する。ディスクは周知
の駆動機構（図示せず）によりスピンドル（１２）のま
わりを矢印Ａの方向に回転することができる。ディスク
（１１）自体はガラスなどのような実質的な非磁性体か
らなる平円板型部材（１１−１）を含むものである。こ
の基板は互いに間隔をおいて実質上平行した一対の円形
表面（ｌｌａ）及び（１１ａ”）を有し、これらの面の
少なくとも一方（好ましくは両方）の上には磁気光学的
記録媒体の薄膜（１１−２）または（１１−２°）がス
パッタリング、その他類似の方法において形成される。 −記録用薄膜層の外向き円形面（Ｉｌｂ）（そして第２
の層（１１−１’）が存在するならば第２の表面（１１
ｂ”）も）はガラスなどのような光学的透明性を有する
保ｆｉｆ［（１１−３） （、または１１−３”）によ
って好ましく被覆される。各記録層（１１−２）または
（１１−２’）は多数の微視的なデータストレージ領域
リッド、たとえば上部記録層（１１−２）を通じて形成
された連続ストレージ領域（ｌｉｄ−１）〜（ｌｉｄ−
４）及び下部記録層（１１−２’）を通じて形成された
連続ストレージ領域（１１ｄ’−１）〜（ｌｉｄ’−４
）によって特徴づけられるものである。各記録領域は各
１ミクロン程度の平均直径りを存する。各記録層はガド
リニウム−テルビウム−コバルト（（ＧｄＴｂＣｏ）、
テルビウム−コバルト （ＧｄＣｏ） 、ガドリニウム
鉄コバルト （ＧｄＦｅＣｏ）などのような合金からな
る磁気光学材料より形成され、予測される最高周囲温度
Ｔａよりは高く、その合金の結晶化温度より十分に低い
補償温度ＴＣを有する。これらの補償温度は通常の室温
より、数１０℃程度高いことが望ましい。 ガドリニウム−テルビウムコバルト（ＧｄＴｂＣｏ）合
金及びテルビウムコバルト （ＴｂＣｏ）合金における
結晶化温度は約２５０℃であり、したがって補償温度は
記録媒体の何らの結晶化をも排除するため２００℃以下
、なるべくなら１４０°Ｃ以下にすべきである。 通常の室温より数１０°Ｃ高い温度として本発明では、
補償温度Ｔｃの最低を４０℃にセットする。 ディスクドライブ方式は通常、周囲温度５５℃程度まで
動作するように設計されるため、６０℃以上の補償温度
であることが望ましい。 。 実験的な作業により、フェリ磁性材料における磁区は補
償温度が約４０℃〜１４０℃の範囲内にある材料におい
て、磁気バイアスを用いることなく消去できることが確
認された。この範囲外における消去は信頼性よ（行える
ものではない。 本発明による記録媒体にとって好ましい補償温度は８０
℃である。このような目標温度付近における実際の補償
温度の好ましい範囲はすでに述べた通り６０℃〜１００
℃である。 いずれか１つの領域（ｌｉｄ）に記憶されたデータビッ
トの二進値は、ディスク（１１）の製造直後における初
期値が不特定である。各領域は補償温度ＴＣより高い温
度まで加熱され、一方、外部バイアス磁界（１４）が初
期設定用としてディスク面に実質上直交した方向（例え
ば、矢印Ｂで示す上向き方向）に確立され、前記加熱領
域をそれが冷却される際に通過する場合、各領域はその
外部磁界（１４）の影響下において例えばその磁界（１
４）の方向と同じ上向き方向に沿った正味磁気モーメン
トを有することになる。この初期磁気−メントの方向は
二進値のいずれかとして割り当てられ、その方向に関す
る限り、二進値の割当は一貫して利用される。上記の構
成においてはラン長さ制限型コード化を用い、各磁区が
２ビツト以上のデータを収容するようにすることも可能
である。 初期化された記憶領域には大量のデータを実質上同時に
書き込むことが可能であるが、説明の便宜上、熱放射線
としての単一ビーム（１５）がライン（１Ｇ）に沿って
放射状に移動可能であるものとする。これによって連続
的に配置された領域（ｌｌｄ−一）からなる同心円トラ
ック（渦巻きトラックでもよい）の選択された一つを規
定する複数点のうちの現に選択され一転に向かって降下
させることができる。この場合、ディジタル動作の１ビ
ツトは領域（ｌｉｄ−ｗ）の各々において最初に書込ま
れるものである。ビームはレーザーダイオード（１４）
及び集束レンズ手段（１９）などからなる光源手段（１
７）により生成された光放射線であり、これは矢印Ｃで
示すように、ディスクに導かれる。レーザーダイオード
は対応するレザー電源−８′）からそのダイオードに流
れる電流■に応答して光放射出力を発生する。この電流
はまた、ｉ？ｉｑｍ入力（１８ａ ）に受は入れられた
書込み信号に応答したパルス型をなすものであり、これ
は約１〜２０ミリワツトの電力レベルを有し、最少時間
間隔１０ｎ秒から最大時間間隔１μ秒程度までのパルス
幅を有する光パルス信号を発生するものである。 ガドリニウム−テルビウム−コバルト（ＧｄｔｂＣｏ）
フィルムにおけるμｍサイズの磁区の中核をなす好まし
い大きさは、外部磁界を加えることなく、７ミリワツト
のレーザーパワーにおいて３００ｎｆｔパルス幅でフィ
ルムを局部加熱することにより形成される。３０００秒
幅のパルスで書き込まれた磁区は同一パワーレベルにお
ける１００〜２００秒幅の連続パルスを用いることによ
り完全に消去することができる。１２ミリワツトのレー
ザーパワーによれば、１００ｎ秒幅のパルスで書き込ま
れた磁区は３０〜８０ｎ秒パルスにより消去することが
でき、１８０ｎ秒パルスで書き込まれた磁区は３５〜１
３０ ｎ秒パルスにより消去することができ、さらに、
２０００秒パルスで書き込まれた磁区は４５〜１７５ｎ
秒パルスにより消去することができる。 ビーム集束手段（１９）は電力半値・直径において、加
熱されるべき領域の直径りより小さい直径を有する断面
積までビームを集束するように構成すべきである。この
ような局部加熱は温度を上昇させ、実質上データが書き
込まれるべき１領域（例えば、第２図における領域Ｎ）
のみを温度上昇させてその保磁力の局部的な減少をもた
らすものである。 何らかの書込み領域（ｌｉｄ−ｒ）に収容されたデータ
は、面偏光（２１）からなる読取り用光ビームを当てる
ことにより、その領域から非破壊的に読出すことができ
る。この光強度は読取り用ビームが入射した面の領域に
おいても磁化を変化させるに十分なものであり、これは
矢印りにおいて示す通り、ディスク面Ｈ１ｃ）に向かっ
て投射される。入射光の一部は領域面（ｌｌｂ）から反
射され、その反射ビームの偏光面はその領域の正味磁気
モーメントが突出する方向に応じて回転する。したがっ
て、反射ビームの予め選択された偏光状態は、読取り中
の領域において記憶されたデータの二進状態を決定すべ
く分析することができる。例えば、書込み用レーザーダ
イオード（１８）の出力電力より低い出力電力を有する
セパレート型のレーザーダイオード（２３）は偏光手段
（２６）を通る光路によって偏光された光ビーム（２４
）を提供する。このような低電力による読取用偏光ビー
ム及び高電力による書込み用ビームを基本的には同一領
域ｄ（この領域はトラック（４２）に沿った間隔がゼロ
となるように領域（ｌｉｄ−ｒ）、（ｌｌｄ−ｗ）を−
磁化したものである）に投射すべ（周知の光学系ととも
に単一の可変電力レーザーダイオードを用いてもよいこ
とは明らかである。偏光ビーム（２８）はレンズ手段（
３０）により集束され、ビームスブリット手段（３２）
を通過した後において領域（ｌｌｄ−ｒ）の直径より小
さい直径まで絞り込まれる。ここからの反射ビーム（３
４）はディスク（１１）から矢印Ｅに沿って進行し、ス
プリット手段（３２）より再反射され、方向を変えられ
る。この方向を変えられたビーム（３６）はレンズ手段
（３８）により同様に集束され、検出手段（４０）の能
動部に入射し、これによって検出手段（４０）はディス
クデータ読出し出力端子（４０ａ）において、読出し中
の領域（ｌｌｄ−ｒ）の正味磁気モーメントの状態に対
応する論理出力信号を発生する。本発明は、磁気光学媒
体の選択された領域においてすでに書き込まれた情報の
直接的な書込み、又は消去を容易に行おうとするもので
ある。この方法は特定の組成を有する薄膜状磁気光学記
録媒体において再加熱された領域内に生じた自己減磁界
を採用し、これによってその領域の正味の磁化を反転し
、したがって、従来技術におけるような何らかの外部バ
イアス磁界の形成を不要としたものである。この新たな
方法において包含されるべき物理的なプロセスについて
は、以下第２ａ〜２ｈ図を参照して説明するが、それは
種々の実施および変形可能な本発明の自己反転型データ
変調方法の特定の形態（以下、“読出し後書込み” （
ｒｅａｄ ｂｅｆｏｒｅ ｗｒｉｔｅ）方式と称する
）に関するものである。 本発明において、関連するＮ個の連続した記憶領域の各
々に現に記憶されている二進値の上に新たなデータシー
ケンスのＮ個の連続ビットの各二進値を書き込むための
方法は、各関連領域の中身を質関し、その領域に記憶さ
れたビットの現在値をそこから読み取るものである。読
み出されたデータ値はここで、その領域に記憶されるべ
き新たなデータ値と比較される。比較により、質問され
た領域（ｌｉｄ−ｒ）にすでに記憶された二進データ値
が新たな二進値に対応することが指示されれば、その領
域については何らの処理も不要であり、新たなデータに
おける次のビットが磁気光学媒体層に先に記憶された次
のデータビットの値と比較される。その比較により、質
問された領域に存在する二進値が新たに記憶すべき二進
値と相違するものであることがわかると、その質問領域
の加熱を行うための書換え付勢信号が発生し、これによ
ってその領域はその磁気光学材料の補償温度Ｔｃより高
い温度まで加熱され、その領域における現実の正味磁気
モーメントＭを自己反転させ、その状態における安定な
磁区を維持するようになっている。このような動作中に
おける記憶媒体層に対しては、その正味磁気モーメント
を強制的に反転するような実質的な外部磁界は何ら存在
しないものとする。ディスクは好ましくはよ（制御され
た速度において回転しているため、読みだされた領域（
ｌｌｄ−ｒ）は読みだされたときの位置から仮想円周軌
跡（４２）に沿って別の位置まで移動しており、領域の
書換え（ここでは書換えられるべき領域（１１ｄ−一）
として紹介）を行うべき現実の位置は正常な“読取り後
書込み”決定シーケンスに要した時間に対応する位置を
幾分通り過ぎた位置にあり、何らかの調整もしくは較正
を要するものである。書換え付勢信号を発生するために
は、読取り及び比較動作に基づいて時間遅延技術が導入
される。これにより、正確な領域が書換えビーム（１５
）の焦点に合致する位置（ｌｉｄ−２）に達したときに
おいてのみ書換え用エネルギー源が付勢される。 読取り後書込み（例えば、読取り一比較−遅延−付勢）
動作シーケンスは、例えば第４ｂ図に示されたような副
回路（５０）の機能により少くとも部分的に達せられる
。ディスクから読み取られたデータは出力（４０ａ）の
適当なバッファ処理の後、副回路の第１人力（５０ａ）
に導入される。可能な一実施例において入来データは、
まずデータ遅延手段（５２）において領域（ｌｌｄ−ｒ
）が要求する時間間隔だけ遅延される。この時間間隔と
は読取られた磁区が、領域（１０ｄ−ｗ）を書換えるこ
とができる位置のわずかに手前の所定位置に前進する時
間である。遅延された読取りデータビット値は、例えば
排他的オア（ＸＯＲ）ゲートからなる比較手段（５４）
の第１人力（５４ａ）に供給される。入来したデータビ
ット値は、第２の副回路入力（５０ｂ）に供給され、Ｘ
ＯＲゲートの他方の入力（５４ｂ）に結合される。 ゲートの両人力が同じ二進値であれば、ゲート出力（５
４ｃ）は例えば論理０状態となるが、両人力の状態が異
なる場合においてのみ、例えば論理１状態を表わす第２
ベルとなる。このゲート出力はフリップフロップ論理素
子（５６）のデータ人力りに供給される。のフリップフ
ロップはまた、同期端子５ＹＮＣからフリップ人力Ｃを
受取るものである。この５ＹＮＣ信号は周知の態様にお
いて少くともディスク記憶領域のフォーマット化により
提供される同期信号から得ることができる。かくして比
較手段の出力（５４ｃ）における論理レベルはフリップ
７０ツブを介してクロック制御され、そのフリップフロ
ップ出力Ｑ信号はレーザー電源の付勢出力（１８ａ）と
して副回路出力（５０ｄ）に供給され、これによって関
連する記憶領域上に集束されるべきレーザー光パルスを
生ずるものである。このときその記憶領域は領域（ｌｌ
ｄ−ｒ）が読取られる位置から領域（ｌｌｄ−ｗ）が書
換えられる位置まで移動している。比較はまず入力（５
０ａ ）をゲート入力（５４ａ）に接続することにより
実行され、この場合、遅延手段（５２）はその比較手段
の後方であって同期化手段（５６）の直前に配置される
。遅延手段（５２）はまた同期化手段（５６）の後方に
おいても配置し得ることを理解すべきである。さらに、
データ遅延手段自体は入力（５０ｅ）において現実の読
取りデータから復元されたクロック信号を受信して所望
の領域又は磁区Ｎを生じ、精度損失を生ずることなく遅
延動作を行うものである。さらに、書換えステーション
（素子（１８）及び（１９）からなる）の後方には、別
の読取りステーション（図示せず）を配置し、その領域
を読取らせることにより、その領域における正味磁気モ
ーメントが逆転し、したがって、そ°の領域に記憶され
たデータビットの値が実際に書換えられたか否かを検証
させることができる。 “消去後書込み”動作のためには第５図に示すような装
置が構成される。この装置には同一ディスクトラック（
４２）上に集束された書込みビーム（１５）及び読取り
ビーム（３４）間に熱放射線の第２ビーム（６５）を形
成するものである。レーザーダイオード（６８）はレン
ズ（６９）により集束された光放射線ビームを発生し、
このレーザービームをレーザーダイオード（１８）及び
レンズ（１９）からなるレーザー光源と同じ態様で記録
媒体上のトラック（４２）に投射するものである。レー
ザーダイオード（６８）は消去用レーザー電源（６４）
に接続され、レーザーダイオード（１８）は書込み用レ
ーザー電源（６２）に接続されている。これらのレーザ
ー電源は各対応レーザーダイオードに対し、受取ったト
リガーパルスに応答した電流パルスを供給するものであ
る。パルスの大きさは記録媒体の物理的特性、厚さ、及
びディスクの回転速度に従って選択される。ダイオード
に供給されたレーザーパワーが１２ミリワツトの場合、
書込み用レーザー電源（６２）が発生する書込みパルス
は例えば１５０ ｎ秒の時間幅となり、消去用レーザー
電源（６４）によって対応した消去パルスは約９０ｎ秒
のパルス幅を有する。 第６図に示された回路構成は第５図の装置とともに用い
られて選択的な消去後、書込みシステムを構成するもの
である。検出器（４０）からのディスクデータ読取り出
力（第５図における端子（４０ａ ）より）は、アンド
ゲート（７０）のディスクデータ入力に接続され、この
アンドゲートの他方の入力には書込み命令が供給される
。記録されるべきデータはアンドゲート（７４）の入力
データ端子に供給される。このアンドゲートの他方の入
力にも同様の書込み命令が供給される。 アンドゲート（７０）の出力はＮ１−磁区データ遅延回
路（７１）を介して伝達され、アンドゲート（７４）の
出力はＮ２−磁区データ遅延回路（７５）を介して伝達
される。回路（７１）における遅延は所定の磁区が読取
りステーション（ビーム（３４）による）から消去ステ
ーション（ビーム（６５）による）に移動するために必
要な時間に対応する。また、回路（７５）における遅延
は磁区が読取リステーショから書込みステーション（ビ
ーム（１５）による）に移動するために必要な時間に対
応する。なるべくなら、これらの遅延回路はディスクの
インクリメント動作と同期する端子（７８）に供給され
たクロックパルスにより制御される。 遅延回路（７１）及び（７５）の出力はそれぞれフリッ
プフロップ回路（７２）及び（７６）のデータＤ入力に
接続される。クロックＣ入力は常套的な５ＹＮＣ（同期
）信号を受信する。プリップフロップ回路（７２）のＱ
出力（７３）は消去用レーザー電源（６４）のトリガー
人力に供給され、フリップフロップ回路（７６）のＱ出
力（７７）は書込み用レーザー電源（６２）のトリガー
人力に供給される。 “消去後書込み”システムの動作説明において、“０”
は低信号レベルであって、磁気光学媒体の初期バイアス
状態に対応するものであり、“１”は高信号レベルであ
って、磁気光学媒体に記録された磁区の磁気状態に対応
するものである。書込み命令が出現すると、読取りステ
ーションを通過した磁区は“１”を発生し、これは条件
材はアンドゲート（７０）及び遅延回路（７１）を介し
て伝達され、レーザーダイオード（６８）を付勢するた
めのトリガーパルスを発生するものである。ダイオード
（６８）からのレーザーパルスは対応する磁区が消去ス
テーションの下方を通過するとき、それを消去する。し
たがって、書込み命令の存在下において、読取りステー
ションに検出されたいずれかの磁区は消去ステーション
において消去され、かくして記録媒体はそれが書込みス
テーションに到達したときに既知状態（初期バイアス“
０”状態）におかれる。書込み命令が存在する場合にお
いて、アンドゲート（７４）のデータ入力が“１”レベ
ルであれば、このデータ値は遅延回路（７５）を介して
伝達され、書込み用レーザーダイオード（１８）をパル
ス付勢して対応する磁区の“書込み”を行うためのトリ
ガーパルスを発生する。この書込みは記録媒体上の対応
領域が書込みステーションの下方を通過する際に、記録
媒体上に“１”を記録することに他ならない。他方、デ
ータ入力が“Ｏ”であれば、書込み用レーザーダイオー
ド（１８）は対応領域が書込みステーショの下方を通過
するときにパルス供給されず、したがって、記録媒体は
“０”値に維持される。 アンドゲート（７４）は入力データを書込みステーショ
における記録媒体の既知“Ｏ”状態と比較し、入力デー
タピットがその既知状態と異なる場合においてのみ遅延
回路を介してパルスを供給し、書込み用レーザー（１８
）をパルス付勢するものである。 第７図は読取りステーション又は消去パルスの正確なタ
イミングを必要としないパルス型の消去後書込みシステ
ムの回路構成を示すものである。 この回路では書込み命令の存在下において、消去用レー
ザーはデータ記録された磁区が消去ステーションを通過
する際に少くとも２個のレーザーパルスを発生するに十
分な繰返し頻度においてパルス付勢されるものである。 この場合、１個のレーザー消去パルスが対応磁区の中央
７５％範囲内に入射するならば、信頼性ある完全な消去
を行うことができる。したがって、消去用レーザーパル
ス周波数が消去ステーションの下方を通過する磁区速度
（磁区数／単位時間）の少くとも２倍であれば、１個の
レーザーパルスが公称磁区直径の少くとも中央７５％領
域に入射するであろう。この態様において書込みステー
ションの前方における細片に沿ったすべての磁区が消去
され、記録媒体はこれらの磁区において既知状態（すな
わち、初期バイアス“０”状態）におかれる。 パルス型消去後書込み構造においてクロックパルス発生
器（７９）は消去ステーションの下方を通る磁区の速度
の少くとも２倍の繰返し周波数を有するクロックパルス
を発生する。これらのクロックパルスは書込み命令によ
り条件付けられたとき、アンドゲート（８０）を介して
伝達され、消去用レーザー電源（６４）のトリガーパル
スを供給する。レーザーダイオード（６８）は書込み命
令が存在する場合においてパルス付勢され、記録ディス
クを帯状消去するものである。 アンドゲート（８４）の一方の入力には入力データが供
給され、そのゲートの他方の入力には書込み命令が供給
される。アンドゲート（８４）の出力はフリップフロッ
プ回路（８６）のデータＤ入力に接続され、このフリッ
プフロップは書込み用レーザー電源（６２）にトリガー
パルスを供給するものである。 Ｎ３−磁区データ遅延回路（８５）は消去ステーション
（ビーム（６５）による）から書込みステーション（ビ
ーム（１５）による）までのディスク移動時間に対応す
る遅延時間を発生するものである。書込み命令が存在す
るとき、入力データ“１”は記録媒体上に“１”を記録
すべくレーザーダイオード（１８）を付勢するためのパ
ルスを発生するが、入力データ“０″はレーザーダイオ
ード（１８）へのパルスを発生せず、したがって、記録
媒体は０”状態に維持される。
第１図及び第１Ｍ図は光学記録ディスク及びそのディス
ク上に記録されたディジタルデータを消去し、かつ書換
えるための装置を示す線図、第１Ａ〜ＩＦ図はレーザー
をＩＩＪ御して細片磁区を発生し、かつ帯状消去を行う
ための種々の方法を示す原理図、 第１ａ〜ｌｄ図は本発明に従って直接書換えを行うため
にレーザー制御する特別の方法を示す原理図、 第２ａ〜２ｈ図は記憶値における連続した２回の変化前
、変化中及び変化後の幾つかの隣接データビット記憶領
域における正味磁気モーメントを表わす模式図、 第３図はディスク上に記憶されたディジタルデータの読
取り、消去及び書込みを行うための選択的な装置実施例
を示すブロック線図、 第３Ａ〜３Ｄ図は本発明に従って種々に構成された制御
構造を示す論理ブロック線図、第４図は磁気光学的記録
ディスク及び多数の記録領域においてディジタルデータ
を読取り、かつ書換えるための装置を示す斜視図、 第４ａ図は記録ディスクの部分断面図、第４ｂ図は特定
の記憶領域に記憶されたディジタル値の書換えにおいて
第１図の装置とともに用いるための電子回路を示すブロ
ック略図、第５図は磁気光学的記録ディスク及び多数の
記憶領域におけるディジタルデータの読取り、消去及び
書込みを行うための装置を示す斜視図、第６図は選択的
な消去後書込み動作を第３図の装置とともに用いるため
の電子回路を示すブロック略図、 第７図はパルス型の消去後書込み動作において第３図の
装置とともに用いるための電子回路を示すブロック略図
である。 （７）・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板（８
）・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気光学的記
録媒体（９）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
透過性保護層（１０）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ディスク（１２）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・駆動モータ（１４）・・・・・・・・・・・・
・・・・・・レーザー光源（１６）・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ハーフミラ−（１８）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・レーザーダイオード（２０）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・偏光子（２２）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォト検出器（
２４）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光ビーム
（５０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・副回路
特許出願人 ムーヴイド インフォーメイション テ
クノロジー インコーホレイテッド 代 理 人 新 実 健 部
外１名 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、ＩＭ Ｌ Ｌ Ｌ ロ−Ｆ
ＩＧ、３Ａ ＦＩＧ、 ３８ ヒ１し、５Ｕ 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和６３年特許願第２８６５９３号
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ６、補正により増加請求項の数 ８、補正の内容 （１） 明細書、図面の簡単な説明の項（第８６頁〜
第８８頁）を別紙の通り補正する。 （２） ＩＮ面、第１Ｍ図、第１ａ図、第１ｂ図、第
１ｃ図及び第１ｄ図を別紙の通り補正する。 ９６添付書類の目録 （１） Ｍ正図面（第１Ｇ図、第１Ｈ図、第１！図、
第１Ｊ図及び第１Ｋ図） １通
ク上に記録されたディジタルデータを消去し、かつ書換
えるための装置を示す線図、第１Ａ〜ＩＦ図はレーザー
をＩＩＪ御して細片磁区を発生し、かつ帯状消去を行う
ための種々の方法を示す原理図、 第１ａ〜ｌｄ図は本発明に従って直接書換えを行うため
にレーザー制御する特別の方法を示す原理図、 第２ａ〜２ｈ図は記憶値における連続した２回の変化前
、変化中及び変化後の幾つかの隣接データビット記憶領
域における正味磁気モーメントを表わす模式図、 第３図はディスク上に記憶されたディジタルデータの読
取り、消去及び書込みを行うための選択的な装置実施例
を示すブロック線図、 第３Ａ〜３Ｄ図は本発明に従って種々に構成された制御
構造を示す論理ブロック線図、第４図は磁気光学的記録
ディスク及び多数の記録領域においてディジタルデータ
を読取り、かつ書換えるための装置を示す斜視図、 第４ａ図は記録ディスクの部分断面図、第４ｂ図は特定
の記憶領域に記憶されたディジタル値の書換えにおいて
第１図の装置とともに用いるための電子回路を示すブロ
ック略図、第５図は磁気光学的記録ディスク及び多数の
記憶領域におけるディジタルデータの読取り、消去及び
書込みを行うための装置を示す斜視図、第６図は選択的
な消去後書込み動作を第３図の装置とともに用いるため
の電子回路を示すブロック略図、 第７図はパルス型の消去後書込み動作において第３図の
装置とともに用いるための電子回路を示すブロック略図
である。 （７）・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板（８
）・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気光学的記
録媒体（９）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
透過性保護層（１０）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ディスク（１２）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・駆動モータ（１４）・・・・・・・・・・・・
・・・・・・レーザー光源（１６）・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ハーフミラ−（１８）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・レーザーダイオード（２０）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・偏光子（２２）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォト検出器（
２４）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光ビーム
（５０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・副回路
特許出願人 ムーヴイド インフォーメイション テ
クノロジー インコーホレイテッド 代 理 人 新 実 健 部
外１名 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、ＩＭ Ｌ Ｌ Ｌ ロ−Ｆ
ＩＧ、３Ａ ＦＩＧ、 ３８ ヒ１し、５Ｕ 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和６３年特許願第２８６５９３号
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ６、補正により増加請求項の数 ８、補正の内容 （１） 明細書、図面の簡単な説明の項（第８６頁〜
第８８頁）を別紙の通り補正する。 （２） ＩＮ面、第１Ｍ図、第１ａ図、第１ｂ図、第
１ｃ図及び第１ｄ図を別紙の通り補正する。 ９６添付書類の目録 （１） Ｍ正図面（第１Ｇ図、第１Ｈ図、第１！図、
第１Ｊ図及び第１Ｋ図） １通
第１図は光学記録ディスク及びそのディスク上に記録さ
れたディジタルデータを消去し、かつ書換えるための装
置を示す線図、 第１Ａ〜ＩＦ図はレーザーを制御して細片磁区を発生し
、かつ帯状消去を行うための種々の方法を示す原理図、 第１Ｇ図は光学記録ディスク及びそのディスク上に記録
されたディジタルデータを消去し、かつ書換えるための
装置の別の実施例を示す線図、第１Ｈ〜ＩＫ図は本発明
に従って直接書換えを行うためにレーザー制御する特別
の方法を示す原理図、 第２ａ〜２ｈ図は記憶値における連続した２回の変化前
、変化中及び変化後の幾つかの隣接データビット記憶領
域における正味磁気モーメントを表わす模式図、 第３図はディスク上に記憶されたディジタルデータの読
取り、消去及び書込みを行うための選択的な装置実施例
を示すブロック線図、 第３Ａ〜３Ｄ図は本発明に従って種々に構成された制御
構造を示す論理ブロック線図、第４図は磁気光学的記録
ディスク及び多数の記録領域においてディジタルデータ
を読取り、かつ書換えるための装置を示す斜視図。 第４ａ図は記録ディスクの部分断面図、第４ｂ図は特定
の記憶領域に記憶されたディジタル値の書換えにおいて
第１図の装置とともに用いるための電子回路を示すブロ
ック略図、第５図は磁気光学的記録ディスク及び多数の
記憶領域におけるディジタルデータの読取り、消去及び
書込みを行うための装置を示す斜視図、第６図は選択的
な消去後書込み動作を第３図の装置とともに用いるため
の電子回路を示すブロック略図、 第７図はパルス型の消去後書込み動作においで第３図の
装置とともに用いるための電子回路を示すブロック略図
である。 （７）・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板（８
）・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気光学的記
録媒体（９）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
透過性保護層（１０）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ディスク（１２）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・駆動モータ（１４）・・・・・・・・・・・・
・・・・・・レーザー光源（１６）・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ハーフミラ−（１８）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・レーザーダイオード（２０）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・偏光子（２２）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォト検出器（
２４）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光ビーム
（５０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・副回路
インコーホレイテッド 代 理 人 新 実 健 部
外１名 ＦＩＧ、 ｌ Ｇ −、−３＝８２−
れたディジタルデータを消去し、かつ書換えるための装
置を示す線図、 第１Ａ〜ＩＦ図はレーザーを制御して細片磁区を発生し
、かつ帯状消去を行うための種々の方法を示す原理図、 第１Ｇ図は光学記録ディスク及びそのディスク上に記録
されたディジタルデータを消去し、かつ書換えるための
装置の別の実施例を示す線図、第１Ｈ〜ＩＫ図は本発明
に従って直接書換えを行うためにレーザー制御する特別
の方法を示す原理図、 第２ａ〜２ｈ図は記憶値における連続した２回の変化前
、変化中及び変化後の幾つかの隣接データビット記憶領
域における正味磁気モーメントを表わす模式図、 第３図はディスク上に記憶されたディジタルデータの読
取り、消去及び書込みを行うための選択的な装置実施例
を示すブロック線図、 第３Ａ〜３Ｄ図は本発明に従って種々に構成された制御
構造を示す論理ブロック線図、第４図は磁気光学的記録
ディスク及び多数の記録領域においてディジタルデータ
を読取り、かつ書換えるための装置を示す斜視図。 第４ａ図は記録ディスクの部分断面図、第４ｂ図は特定
の記憶領域に記憶されたディジタル値の書換えにおいて
第１図の装置とともに用いるための電子回路を示すブロ
ック略図、第５図は磁気光学的記録ディスク及び多数の
記憶領域におけるディジタルデータの読取り、消去及び
書込みを行うための装置を示す斜視図、第６図は選択的
な消去後書込み動作を第３図の装置とともに用いるため
の電子回路を示すブロック略図、 第７図はパルス型の消去後書込み動作においで第３図の
装置とともに用いるための電子回路を示すブロック略図
である。 （７）・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板（８
）・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気光学的記
録媒体（９）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光
透過性保護層（１０）・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ディスク（１２）・・・・・・・・・・・・・・
・・・・駆動モータ（１４）・・・・・・・・・・・・
・・・・・・レーザー光源（１６）・・・・・・・・・
・・・・・・・・・ハーフミラ−（１８）・・・・・・
・・・・・・・・・・・・レーザーダイオード（２０）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・偏光子（２２）
・・・・・・・・・・・・・・・・・・フォト検出器（
２４）・・・・・・・・・・・・・・・・・・光ビーム
（５０）・・・・・・・・・・・・・・・・・・副回路
インコーホレイテッド 代 理 人 新 実 健 部
外１名 ＦＩＧ、 ｌ Ｇ −、−３＝８２−
Claims (28)
- （１）自身が位置する面に直交した正味の磁化を有する
薄膜状磁気光学的記録媒体であって、その媒体の補償温
度より高く、しかもその媒体のキューリー温度より低い
加熱温度まで昇温された磁壁境界領域の少くとも一部に
おいて、外部バイアス磁界が存在しない状態で正味残留
磁化の方向を自己反転することができるように組成決定
された前記記録媒体と、 前記媒体の選択された領域における少くとも一部にその
部分を周囲温度から前記加熱温度まで昇温させるに十分
なエネルギーを有する電磁放射線を一時的に照射するこ
とにより、少くとも前記部分の正味磁化を外部バイアス
磁界の不存在下において反転し、これによって周囲温度
への冷却後においても前記部分の正味磁化の反転を維持
するためのエネルギー照射手段と、前記照射手段を制御
して前記媒体の選択された領域上に第１の時間幅及び第
１のパワーレベルを有する第１の光パルスを一時的に入
射させることによりその領域内に磁壁境界領域を形成し
、前記領域内の正味磁化を第１の方向に整列させるため
の書込み手段と、 前記照射手段を制御して前記領域のうちの少くとも選択
された部分上に前記第１の光パルスによるエネルギーよ
り小さいエネルギーを付与するための第２の時間幅及び
第２のパワーレベルを有する第２の光パルスを入射させ
ることにより、前記選択された部分内の正味磁化を前記
第１の方向と反対の第２の方向に再整列させるための消
去手段と を備えたことを特徴とする磁気光学的情報記憶システム
。 - （２）前記記録媒体が４０℃〜１４０℃の補償温度と前
記補償温度より少くとも５０℃高いキューリー温度とを
有するフェリ磁性材料からなることを特徴とする請求項
（１）に記載のシステム。 - （３）前記記録媒体が６０℃〜１００℃の補償温度と前
記補償温度より少くとも１００℃高いキューリー温度と
を有するフェリ磁性材料からなることを特徴とする請求
項（１）に記載のシステム。 - （４）前記記録媒体がガドリニウム、テルビウム、及び
少くとも１種類の遷移金属成分を含む非晶質合金を含む
ことを特徴とする請求項（２）に記載のシステム。 - （５）前記合金がほぼ等しい比率でガドリニウム及びテ
ルビウムを含むものであることを特徴とする請求項２に
記載のシステム。 - （６）前記第１及び第２のパワーレベルが等しく、前記
第２の時間幅が前記第１の時間幅よりも短いことを特徴
とする請求項（１）に記載のシステム。 - （７）前記第１及び第２の時間幅が等しく、前記第２の
パワーレベルが前記第１のパワーレベルより小さいもの
であることを特徴とする請求項（１）に記載のシステム
。 - （８）磁気光学的記録媒体上のトラックに沿って逆磁気
極性の磁区記録を行うことにより直接的なデータの書換
えを行うための方法であって、４０℃〜１４０℃の補償
温度及び前記補償温度より少くとも５０℃高いキューリ
ー温度を有するフェリ磁性記録媒体からなる薄膜層を用
意し、前記記録媒体に関して相対的に移動することによ
り前記トラックに沿った選択的なデータスポットを前記
補償温度より高く、前記キューリー温度よりも顕著に高
くない温度まで加熱するためのレーザーを用い、記録磁
区が要求されるときは如何なる可逆的な外部磁気バイア
スをも加えることなくその区域にデータ記録を行うに十
分な高エネルギーレベルまで前記レーザーを付勢し、記
録磁区が要求されないときは何らの可逆的な磁気バイア
スをも加えることなく幾つかのすでに記録された磁区を
消去するに十分であって、新たな記録磁区を形成するに
は不十分な低エネルギーレベルにおいて前記レーザーを
付勢する ことを特徴とする磁気光学的記録媒体上のトラックへの
データ直接書換え法。 - （９）前記フェリ磁性記録媒体が６０℃〜１００℃の補
償温度と、前記補償温度より少くとも１００℃高いキュ
ーリー温度とを有することを特徴とする請求項（８）に
記載の方法。 - （１０）前記フェリ磁性記録媒体がガドリニウム、テル
ビウム、及び少くとも１種類の遷移金属成分を含む合金
をからなることを特徴とする請求項（８）に記載の方法
。 - （１１）前記選択されたデータスポットの加熱後におけ
る室温への冷却に要する時間が、同じデータハポットの
連続した２回の加熱動作間の時間より短いことを特徴と
する請求項（８）に記載の方法。 - （１２）前記高エネルギーレベル及び前記低エネルギー
レベルにおける各レーザー付勢が同一のパワーレベルで
あって異なったパルス幅により行われることを特徴とす
る請求項（８）に記載の方法。 - （１３）前記高エネルギーレベル及び前記低エネルギー
レベルにおける各レーザー付勢が等しいパルス幅であっ
て、異なったパワーレベルにより行われることを特徴と
する請求項（８）に記載の方法。 - （１４）外部磁気バイアスの不存在下において磁気光学
媒体上に直接的な書換え記録を行うためのシステムであ
って、 自身の表面に直交した一軸異方性を呈し、室温より少く
とも数１０℃高い補償温度を有する薄膜状フェリ磁性記
録媒体と、 前記媒体の選択された領域を前記補償温度より高い温度
まで加熱すべく照射するためのレーザー光源と、 前記レーザー光源を“書込み”エネルギーレベル及びそ
れより低い“消去”エネルギーレベルにおいて付勢する
ための電源回路と、 前記レーザー光源を前記電源回路を介して前記媒体上に
おいて逆磁気極性のスポット磁区を発生するに十分な前
記“書込み”エネルギーレベルにおいて付勢するための
書込み制御回路と、 前記レーザー光源を逆磁気極性の磁区が要求されないと
き、前記電源回路を介して前記“消去”エネルギーレベ
ルにおいて付勢するための消去制御回路と を備えたことを特徴とする磁気光学媒体上に直接的なデ
ータ切換えを行うためのシステム。 - （１５）前記記録媒体が４０℃〜１４０℃の補償温度及
び前記補償温度より少くとも５０℃高いキューリー温度
を有することを特徴とする請求項（１４）に記載のシス
テム。 - （１６）前記記録媒体が６０℃〜１００℃の補償温度と
前記補償温度より少くとも１００℃高いキューリー温度
とを有することを特徴とする請求項（１４）に記載の方
法。 - （１７）前記レーザー光源が前記記録媒体を前記補償温
度よりは高いが前記キューリー温度を越えない温度まで
加熱するものであることを特徴とする請求項（１４）に
記載のシステム。 - （１８）前記システムがさらに、前記レーザー光源が前
記“書込み”レベル又は前記“消去”レベルのいずれに
おいても付勢されないときにおいて、記録媒体の磁気状
態を変えない程度のパワーレベルにより前記レーザー光
源を前記電源を介して付勢するための読取り制御回路を
含むことを特徴とする請求項（１４）に記載のシステム
。 - （１９）前記フェリ磁性記録媒体がガドリニウムを含む
ことを特徴とする請求項（１４）に記載のシステム。 - （２０）前記フェリ磁性媒体がガドリニウムとほぼ等し
い比率においてテルビウムを含むことを特徴とする請求
項（１９）に記載のシステム。 - （２１）前記“書込み”及び”消去”エネルギーレベル
が等しい時間幅であって、異なったパワーレベルを有す
るパルスによって形成されるものであることを特徴とす
る請求項（１４）に記載のシステム。 - （２２）前記“書込み”及び“消去”エネルギーレベル
が等しいパワーレベルであって、異なった時間幅のパル
スにより形成されるものであることを特徴とする請求項
（１４）に記載のシステム。 - （２３）磁気光学的記録媒体上のトラックに沿って予め
記録された磁区を帯状消去するための方法であって、 ４０℃以上の補償温度を有するフェリ磁性記録媒体の薄
膜層を用意し、 前記トラックに沿ったそのトラック幅の少くとも１．５
倍の距離を有する部分を漸進的に加熱することにより、
前記補償温度以上に昇温させるためのレーザーエネルギ
ーを発生するレーザーを用い、 前記トラックに加えられる前記レーザーエネルギーを逆
磁気極性の新たな磁区を記録するには不十分であるが、
すでに記録された磁区を消去するに十分なエネルギーレ
ベルとすることを特徴とする磁気光学的記録媒体上のト
ラックに沿って予め記録された磁区を連続消去するため
の方法。 - （２４）磁気光学的記録媒体上のトラックに沿って逆磁
気極性の細長磁区域を記録するための方法であって、 レーザービームを用いて４０℃以上の補償温度を有する
希土類と遷移金属との合金からなる薄膜状フェリ磁性層
を用意し、 前記トラックの少くとも一部を前記補償温度より高い温
度まで漸進的に加熱し、 その際において、前記トラックに加えられるレーザーエ
ネルギーが前記記録媒体に顕著な外部磁気バイアスを加
えることなく細長磁区域を記録するに十分な大きさとな
るようにすることを特徴とする磁気光学的記録媒体上の
トラックに沿って逆極性の細長磁区域を記録するための
方法。 - （２５）磁気光学的記録媒体上のトラックに沿って逆磁
気極性の細長磁区域を記録するとともに、すでに記録さ
れた磁区域を帯状消去するための方法であって、 ４０℃以上の補償温度を有するフェリ磁性記録媒体の薄
膜層を用意し、 前記トラックの少くとも一部を全身的に加熱するために
前記記録媒体に関して相対的に移動するレーザーを用い
、前記レーザーを前記トラックに沿った記録軸が要求さ
れるときにおいて何らの可逆的な外部磁気バイアスをも
用いることなく細長磁区域を記録するに十分な高エネル
ギーレベルにおいて付勢し、さらに前記レーザーを新た
な磁区域を記録するには不十分であって、すでに記録さ
れた磁区域を消去するに十分な大きさの比較的低いエネ
ルギーレベルにおいて付勢する ことを特徴とする磁気光学媒体上のトラックに沿って細
長磁区域の記録及び帯状消去を行うための方法。 - （２６）可逆的な外部磁気バイアスの不存在下において
磁気光学媒体上にデータ記録を行うためのシステムであ
って、 その表面に直交した１軸異方性を有し、補償温度が室温
より少くとも数１０℃高い薄膜状フェリ磁性記録媒体と
、 前記記録媒体の選択的な領域を照射して前記補償温度よ
り高い温度まで加熱するための、前記記録媒体に関して
相対的に移動することができるレーザー光源と、 前記レーザー光源を“書込み”エネルギーレベル及びよ
り低い“消去”エネルギーレベルにおいて付勢するため
の電源と、 前記媒体上に細長磁区域を形成するに十分な前記“書込
み”レベルにおいて前記レーザー光源を前記電源回路を
介して付勢するための書込み制御回路と、 前記媒体の帯状消去が要求されるとき、前記レーザー光
源を前記電源回路を介して前記“消去”レベルにおいて
付勢するための消去制御回路と を備えたことを特徴とする磁気光学媒体への記録を行う
ためのシステム。 - （２７）室温より数１０℃高い補償温度を有する磁気光
学的記録媒体上にデータの書換えを行うための方法であ
って、 （ａ）データ消去中の領域を何らかの実質的な外部バイ
アス磁界中におくことなく、前記補償温度より高い温度
まで一時的に加熱することにより記録されるべき前記記
録媒体上の領域における予め記録された如何なる磁区域
をも消去して、前記記録媒体中に既知の磁気状態を確立
する段階と、 （ｂ）記録されるべきデータビットを受信する段階と、 （ｃ）そのデータビット及び前記既知の状態が等しくな
い場合において書込み信号を発生する段階と、 （ｄ）前記書込み信号に応答して、必要な領域部分を実
質的な如何なる外部磁気バイアス磁界も存在しない状態
において前記補償温度まで一時的に加熱することにより
、前記消去された領域に磁区域を書込む段階 を備えたことを特徴とする磁気光学的記録媒体へのデー
タ書換え方法。 - （２８）（ａ）自身の表面に直交した１軸異方性を有す
る薄膜状フェリ磁性記録媒体であって、室温より十分高
い補償温度を有することにより何らの外部バイアス磁界
をも加えることなく、先に記録された磁区域を前記補償
温度より高い温度まで一時的に加熱することにより消去
できるようにしたものと、 （ｂ）前記記録媒体の選択された領域を前記補償温度よ
り高い温度まで一時的に加熱することにより、前記記録
媒体内に生じた自己減磁界を用いて磁区域を形成するた
めの書込み手段と、 （ｃ）前記記録媒体の選択された領域を前記補償温度よ
り高い温度まで一時的に加熱することにより、先に形成
された磁区域をその範囲内で生じた自己減磁界を用いて
消去することにより前記媒体中に既知の状態を確立する
ための消去手段と、 （ｄ）前記消去手段を制御して記録されるべき前記記録
媒体の領域を消去するための消去制御装置と、 （ｅ）記録されるべきデータビットを受信するためのデ
ータ受信手段と、 （ｆ）受信されたデータを前記既知の状態と比較して受
信データビットが前記既知の状態と相違するときに書込
み信号を発生するための比較手段と、 （ｇ）前記書込み手段を制御して前記受信データビット
が前記既知の状態と相違するときのみ前記書込み信号に
応答して磁区域を生成するための書込み制御装置 を備えたことを特徴とする磁気光学的記録媒体上にデー
タの書換えを行うためのシステム。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/119116 | 1987-11-12 | ||
| US07/119,116 US4888750A (en) | 1986-03-07 | 1987-11-12 | Method and system for erase before write magneto-optic recording |
| US15484488A | 1988-02-10 | 1988-02-10 | |
| US07/154,240 US4882718A (en) | 1986-03-07 | 1988-02-10 | Single-head, direct overwrite magneto-optic system and method |
| US07/154844 | 1988-02-10 | ||
| US07/154240 | 1988-02-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251357A true JPH01251357A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=27382254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28659388A Pending JPH01251357A (ja) | 1987-11-12 | 1988-11-12 | 帯状消去及び細長磁区記録のための直接書換え型磁気光学システム、及びシングルヘッド直接書換え型磁気光学システムを含む磁気光学的記録媒体に記録されたディジタルデータのための直接書換え方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0316188A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01251357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665468A (en) * | 1993-07-02 | 1997-09-09 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5170390A (en) * | 1988-08-22 | 1992-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element and driving system |
| GB2234623B (en) * | 1988-11-04 | 1993-04-14 | Ricoh Kk | Magneto-optical recording method and magneto-optical recording medium for use in the same |
| US5148416A (en) * | 1989-06-05 | 1992-09-15 | Nikon Corporation | Signal processing circuit for magnetooptical record/reproducing apparatus |
| JPH03127347A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP2575511B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1997-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP2636957B2 (ja) * | 1990-08-10 | 1997-08-06 | シャープ株式会社 | 磁気記録再生装置 |
| US5361248A (en) * | 1992-06-01 | 1994-11-01 | Eastman Kodak Company | Direct overwrite magneto-optical storage medium not requiring an initialization magnet |
| JP3567472B2 (ja) * | 1993-09-29 | 2004-09-22 | ソニー株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH0927154A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Fujitsu Ltd | 光磁気ディスク装置 |
| JP3842544B2 (ja) | 2000-11-09 | 2006-11-08 | 富士通株式会社 | 情報記憶装置および情報再生方法 |
| ATE478419T1 (de) | 2006-05-24 | 2010-09-15 | Stichting Katholieke Univ | Magnetooptische schaltanordnung und verfahren zum schalten eines magnetisierbaren mediums |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59113506A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-06-30 | Nec Corp | 光磁気記録再生消去方法及びその装置 |
| US4679180A (en) * | 1986-03-07 | 1987-07-07 | General Electric Company | Process for direct over-writing of digital data recorded on magneto-optical recording media |
-
1988
- 1988-11-11 EP EP19880310628 patent/EP0316188A3/en not_active Withdrawn
- 1988-11-12 JP JP28659388A patent/JPH01251357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665468A (en) * | 1993-07-02 | 1997-09-09 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0316188A2 (en) | 1989-05-17 |
| EP0316188A3 (en) | 1990-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4888750A (en) | Method and system for erase before write magneto-optic recording | |
| Shieh et al. | Magneto‐optic recording materials with direct overwrite capability | |
| US4882718A (en) | Single-head, direct overwrite magneto-optic system and method | |
| JPH01251357A (ja) | 帯状消去及び細長磁区記録のための直接書換え型磁気光学システム、及びシングルヘッド直接書換え型磁気光学システムを含む磁気光学的記録媒体に記録されたディジタルデータのための直接書換え方法及び装置 | |
| EP0315415B1 (en) | Overwriting information in magneto-optical memory | |
| US5323374A (en) | Method of magneto-optical recording | |
| JPH0721894B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| EP0601856B1 (en) | Magneto-optical recording method | |
| JPH0721892B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPH0551975B2 (ja) | ||
| JPH0721895B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| US5184335A (en) | Method and system for erasing previously recorded domains in a magneto-optic recording medium | |
| US5528564A (en) | Direct overwrite magneto-optic system for strip erasing and recording elongated domains | |
| US5329505A (en) | System and method for overwriteable magneto-optical recording | |
| JPH05205332A (ja) | 光学的データ記憶媒体及びその製造方法 | |
| JP2604700B2 (ja) | 光磁気記録再生消去方式及び装置 | |
| JPH0721893B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2591729B2 (ja) | 光磁気記録再生消去方式及び装置 | |
| JP2790685B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3458234B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2604702B2 (ja) | 光磁気記録再生消去方式及びその装置 | |
| JPH08161788A (ja) | 光学装置 | |
| US20050002282A1 (en) | Information recording method capable of forming micro marks by optical modulation | |
| JPH05182272A (ja) | 光磁気記録方式 | |
| JPH056591A (ja) | 光磁気記録方式 |