JPH0550059B2 - - Google Patents
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- JPH0550059B2 JPH0550059B2 JP57224730A JP22473082A JPH0550059B2 JP H0550059 B2 JPH0550059 B2 JP H0550059B2 JP 57224730 A JP57224730 A JP 57224730A JP 22473082 A JP22473082 A JP 22473082A JP H0550059 B2 JPH0550059 B2 JP H0550059B2
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- recording
- magneto
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- laser beam
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光磁気記録再生消去方法及びその装
置に関し、詳しくは磁性薄膜から成る記録媒体に
照射するレーザ光の強度を変化させることによつ
て、記録情報を書き替えることを特徴とする光磁
気記録再生消去方法及び装置に関する。
置に関し、詳しくは磁性薄膜から成る記録媒体に
照射するレーザ光の強度を変化させることによつ
て、記録情報を書き替えることを特徴とする光磁
気記録再生消去方法及び装置に関する。
光記録方式、特に光デイスクメモリ方式は、高
密度・大容量記録が可能であり、かつ非接触・高
速アクセスもできるという点から大容量フアイル
メモリの一つとして近年注目を集めている。その
中でも記録媒体としてMnBi、MnCuBi、
MnTiBi、MnAlGeなどの結晶性磁性薄膜あるい
はTb、Gd、Dy、Hoなどの希土類金属とFe、
Co、Niなどの遷移金属との組み合わせによつて
作成される非晶質磁性薄膜を用いた光磁気デイス
クメモリは、記録情報の書き替えが可能であると
いう利点を持つていることから、各所で盛んに研
究されている。
密度・大容量記録が可能であり、かつ非接触・高
速アクセスもできるという点から大容量フアイル
メモリの一つとして近年注目を集めている。その
中でも記録媒体としてMnBi、MnCuBi、
MnTiBi、MnAlGeなどの結晶性磁性薄膜あるい
はTb、Gd、Dy、Hoなどの希土類金属とFe、
Co、Niなどの遷移金属との組み合わせによつて
作成される非晶質磁性薄膜を用いた光磁気デイス
クメモリは、記録情報の書き替えが可能であると
いう利点を持つていることから、各所で盛んに研
究されている。
従来、公知の光磁気記録再生消去装置において
は、情報の記録・再生・消去に対してそれぞれ次
のような動作がとられる。
は、情報の記録・再生・消去に対してそれぞれ次
のような動作がとられる。
記録には、レーザ光により発生する熱を利用す
る。レーザ光ビームを１〜2μｍφの微小スポツ
トに絞り、記録媒体に照射し、媒体温度を上昇さ
せる。キユーリ温度記録をおこなう場合には、記
録媒体をキユーリ温度以上に上昇させ、外部印加
磁界あるいは記録媒体の反磁界によつて反転磁区
を形成する。補償温度記録をおこなう場合には記
録媒体の補償温度を室温付近に設定し、レーザ光
ビーム照射によつてある温度まで昇温させ、媒体
の保磁力低下を利用し、外部印加磁界によつて反
転磁区を形成する。前記手段により、記録２値信
号「１」「０」を記録媒体の反転磁区の有無に対
応した形で記録できる。
る。レーザ光ビームを１〜2μｍφの微小スポツ
トに絞り、記録媒体に照射し、媒体温度を上昇さ
せる。キユーリ温度記録をおこなう場合には、記
録媒体をキユーリ温度以上に上昇させ、外部印加
磁界あるいは記録媒体の反磁界によつて反転磁区
を形成する。補償温度記録をおこなう場合には記
録媒体の補償温度を室温付近に設定し、レーザ光
ビーム照射によつてある温度まで昇温させ、媒体
の保磁力低下を利用し、外部印加磁界によつて反
転磁区を形成する。前記手段により、記録２値信
号「１」「０」を記録媒体の反転磁区の有無に対
応した形で記録できる。
再生は磁気光学効果（Kerr効果あるいは
Faraday効果）を用いておこなわれる。すなわ
ち、記録媒体の反転磁区の有無に対応して媒体か
らの反射光あるいは透過光の偏光面が回転するこ
とを利用し、記録媒体から情報を読み出す。記録
媒体には記録時にくらべ低パワレベルのレーザ光
が照射され、その反射光または透過光から信号を
再生する。
Faraday効果）を用いておこなわれる。すなわ
ち、記録媒体の反転磁区の有無に対応して媒体か
らの反射光あるいは透過光の偏光面が回転するこ
とを利用し、記録媒体から情報を読み出す。記録
媒体には記録時にくらべ低パワレベルのレーザ光
が照射され、その反射光または透過光から信号を
再生する。
記録情報を一括して消去する場合には、外部磁
界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ光ビーム
を記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射す
る。外部磁界印加により記録媒体の磁化状態は記
録前の初期状態に戻る。また一括消去をおこなわ
ずに、既記録部に追加記録をすることによつて情
報を書き替える場合には、記録レーザ光のパルス
に同期させて外部印加磁界の高速スイツチングを
おこない、新たに記録情報「１」「０」に対応し
た磁化状態を形成する方法をとる。
界を記録時とは逆極性に印加し、レーザ光ビーム
を記録時と同等の強度で記録媒体に一様に照射す
る。外部磁界印加により記録媒体の磁化状態は記
録前の初期状態に戻る。また一括消去をおこなわ
ずに、既記録部に追加記録をすることによつて情
報を書き替える場合には、記録レーザ光のパルス
に同期させて外部印加磁界の高速スイツチングを
おこない、新たに記録情報「１」「０」に対応し
た磁化状態を形成する方法をとる。
ここで、公知の外部磁界印加手段は、たとえば
空心コイルを用いる方法、垂直磁気記録用ヘツド
を用いる方法、あるいは永久磁石を用いる方法で
ある。
空心コイルを用いる方法、垂直磁気記録用ヘツド
を用いる方法、あるいは永久磁石を用いる方法で
ある。
しかしながら、前記従来の光磁気記録再生消去
装置において一括消去することによつて、記録情
報の書き替えをおこなうには、まず既記録情報を
前記消去動作に従つて消去し、次に新しい記録情
報を前記記録動作に従つて記録するという二段階
の操作をおこなわなければならないという欠点が
あつた。また、追加記録をすることによつて書き
替えをおこなう場合には高速で外部磁界をスイツ
チングしなければならないという問題があつた。
外部磁界の印加手段として空心コイルを用いる場
合には、磁界の高速スイツチングは可能である
が、媒体面での反転磁区を消去するに十分な磁界
を得るには大型のコイルを使用しなければならな
い、あるいはコイルを媒体に相当接近させねばな
らないなど、記録・消去・再生をおこなう光ヘツ
ドの構成が複雑になるという欠点があつた。ま
た、垂直磁気記録用ヘツドを用いる場合には、ヘ
ツドを媒体に接触させることになり、光記録方式
の大きな特徴である非接触性が失われるという欠
点があつた。さらに、永久磁石を用いる場合に
は、印加磁界反転のためには磁石回転駆動機構が
必要であり、磁界のスイツチング速度は空心コイ
ルよりもはるかに遅くなり、かつ光ヘツドの構成
が複雑になることは避けられなかつた。
装置において一括消去することによつて、記録情
報の書き替えをおこなうには、まず既記録情報を
前記消去動作に従つて消去し、次に新しい記録情
報を前記記録動作に従つて記録するという二段階
の操作をおこなわなければならないという欠点が
あつた。また、追加記録をすることによつて書き
替えをおこなう場合には高速で外部磁界をスイツ
チングしなければならないという問題があつた。
外部磁界の印加手段として空心コイルを用いる場
合には、磁界の高速スイツチングは可能である
が、媒体面での反転磁区を消去するに十分な磁界
を得るには大型のコイルを使用しなければならな
い、あるいはコイルを媒体に相当接近させねばな
らないなど、記録・消去・再生をおこなう光ヘツ
ドの構成が複雑になるという欠点があつた。ま
た、垂直磁気記録用ヘツドを用いる場合には、ヘ
ツドを媒体に接触させることになり、光記録方式
の大きな特徴である非接触性が失われるという欠
点があつた。さらに、永久磁石を用いる場合に
は、印加磁界反転のためには磁石回転駆動機構が
必要であり、磁界のスイツチング速度は空心コイ
ルよりもはるかに遅くなり、かつ光ヘツドの構成
が複雑になることは避けられなかつた。
本発明の目的は前記従来の光磁気記録再生消去
方法及び装置の欠点を解決し、光記録方式の特徴
を損うことなく、簡単な装置構成により、記録情
報の書き替えが可能で、かつ高速での記録情報消
去が可能な新規な光磁気記録再生消去方法及び装
置を提供することにある。
方法及び装置の欠点を解決し、光記録方式の特徴
を損うことなく、簡単な装置構成により、記録情
報の書き替えが可能で、かつ高速での記録情報消
去が可能な新規な光磁気記録再生消去方法及び装
置を提供することにある。
本発明によれば、垂直磁気異方性を有する磁性
薄膜を記録媒体とし、記録媒体に照射するレーザ
光ビームによつて記録・再生・消去する光磁気記
録再生消去方法において、前記記録媒体に照射す
るレーザ光の強度を変化させて記録情報を書き替
えることを特徴とする光磁気記録再生消去方法が
得られ、さらには前記方法を用いた光磁気記録再
生消去装置、詳しくは「１」「０」記録信号に対
応してレーザ光源の発振レーザ光強度を変化させ
るレーザ光源変調用回路を具備することを特徴と
する光磁気記録再生消去装置が得られる。
薄膜を記録媒体とし、記録媒体に照射するレーザ
光ビームによつて記録・再生・消去する光磁気記
録再生消去方法において、前記記録媒体に照射す
るレーザ光の強度を変化させて記録情報を書き替
えることを特徴とする光磁気記録再生消去方法が
得られ、さらには前記方法を用いた光磁気記録再
生消去装置、詳しくは「１」「０」記録信号に対
応してレーザ光源の発振レーザ光強度を変化させ
るレーザ光源変調用回路を具備することを特徴と
する光磁気記録再生消去装置が得られる。
以下、本発明の詳細について実施例を示す図面
を用いて説明する。第１図は本発明が適用された
光磁気記録再生消去装置の構成を示したものであ
る。第１図において１は光磁気デイスクである。
この光磁気デイスク１は、有機物樹脂基板あるい
はガラス基板あるいは金属基板より成る円板２の
一方の面もしくは両面に、基板面の垂直方向に磁
化容易軸を有する磁性薄膜３を蒸着法あるいはス
パツタ法により形成したものである。磁性薄膜３
上には、さらに酸化シリコンSiO2等の誘電体か
ら成る劣化防止膜４が形成されている。前記磁性
薄膜３は、前述した結晶性あるいは非晶質磁性薄
膜である。前記光磁気デイスク１はデイスク駆動
用モータ５によつて所定の速度で回転される。
を用いて説明する。第１図は本発明が適用された
光磁気記録再生消去装置の構成を示したものであ
る。第１図において１は光磁気デイスクである。
この光磁気デイスク１は、有機物樹脂基板あるい
はガラス基板あるいは金属基板より成る円板２の
一方の面もしくは両面に、基板面の垂直方向に磁
化容易軸を有する磁性薄膜３を蒸着法あるいはス
パツタ法により形成したものである。磁性薄膜３
上には、さらに酸化シリコンSiO2等の誘電体か
ら成る劣化防止膜４が形成されている。前記磁性
薄膜３は、前述した結晶性あるいは非晶質磁性薄
膜である。前記光磁気デイスク１はデイスク駆動
用モータ５によつて所定の速度で回転される。
第１図の破線内で示す部分は光ヘツド６であ
る。この光ヘツド６は光磁気記録再生消去用の光
学系、光検出機構を具備しており、光ヘツド６自
体は図中に矢印で示したように光磁気デイスク１
の半径方向に所定の速度により移動可能である。
る。この光ヘツド６は光磁気記録再生消去用の光
学系、光検出機構を具備しており、光ヘツド６自
体は図中に矢印で示したように光磁気デイスク１
の半径方向に所定の速度により移動可能である。
前記光ヘツド６においては、７は直線偏光のレ
ーザ光源であり、たとえば半導体レーザが使用さ
れる。８，１１はビームスプリツタである。９は
レーザ光ビーム絞り込みレンズである。レーザ光
ビーム絞り込みレンズ９はアクチユエータ１０に
より支持されている。
ーザ光源であり、たとえば半導体レーザが使用さ
れる。８，１１はビームスプリツタである。９は
レーザ光ビーム絞り込みレンズである。レーザ光
ビーム絞り込みレンズ９はアクチユエータ１０に
より支持されている。
１２はフオーカスエラーならびにトラツキング
エラー検出用の受光素子である。フオーカスエラ
ーならびにトラツキングエラー信号はそれぞれサ
ーボ回路１５に入力され、サーボ信号がアクチユ
エータ１０にフイードバツクされる。１３は偏光
フイルタであり、たとえばグラントムソンプリズ
ムが使用される。１４は再生信号検出用の受光素
子であり、たとえばアバランシエフオトダイオー
ドが使用される。１６はレーザ光源変調用回路で
ある。１７は再生信号増幅回路である。
エラー検出用の受光素子である。フオーカスエラ
ーならびにトラツキングエラー信号はそれぞれサ
ーボ回路１５に入力され、サーボ信号がアクチユ
エータ１０にフイードバツクされる。１３は偏光
フイルタであり、たとえばグラントムソンプリズ
ムが使用される。１４は再生信号検出用の受光素
子であり、たとえばアバランシエフオトダイオー
ドが使用される。１６はレーザ光源変調用回路で
ある。１７は再生信号増幅回路である。
次に上記構成の光磁気記録再生消去装置の動作
方式、特に従来方式と大きく異なる書き替え動作
について第２図により説明する。前記光磁気デイ
スク１上にはすでに第２図−ａに示す２値信号情
報がデイスクトラツクに沿つて記録されていると
する。このとき第１図の光磁気デイスク１の磁性
薄膜３の磁化状態は第２図−ｂのようになつてい
る。図中斜線にて表示した部分は「１」信号に対
応して磁化方向が周囲に対して反転した部分であ
る。次に、新たに第２図−ｃに示す２値信号情報
を記録する場合、レーザ光の強度が第２図−ｄに
示すレベルとなるよう、第１図のレーザ光源変調
用回路１６を調整する。第２図−ｄにおいて、レ
ーザ光強度レベルP1は磁化反転部分（「１」信
号）を形成するに十分なレーザ光強度を、P0は
既記録部分の磁化状態（すなわち磁化反転の有
無）にかかわらず、非磁化反転部分（「０」信号）
を形成するレーザ光強度を、またPRは記録時の
フオーカスエラー、トラツキングエラーを検出す
るために必要なレーザ光強度を示している。PR
は再生時のレーザ光強度と同レベルである。第２
図−ｄに示したレーザ光強度によつて磁性薄膜３
に重ね記録をおこなうと、その結果磁性薄膜３の
磁化状態は第２図−ｅになる。第２図−ｂと第２
図−ｅとを比べると、磁性薄膜３の磁化状態は新
たに記録した２値信号情報（第２図−ｃ）に対応
した形に変換されている。すなわち、既記録情報
を一旦消去することなくレーザ光強度を変えなが
ら重ね記録をすることによつて、記録情報の書き
替えが達成される。
方式、特に従来方式と大きく異なる書き替え動作
について第２図により説明する。前記光磁気デイ
スク１上にはすでに第２図−ａに示す２値信号情
報がデイスクトラツクに沿つて記録されていると
する。このとき第１図の光磁気デイスク１の磁性
薄膜３の磁化状態は第２図−ｂのようになつてい
る。図中斜線にて表示した部分は「１」信号に対
応して磁化方向が周囲に対して反転した部分であ
る。次に、新たに第２図−ｃに示す２値信号情報
を記録する場合、レーザ光の強度が第２図−ｄに
示すレベルとなるよう、第１図のレーザ光源変調
用回路１６を調整する。第２図−ｄにおいて、レ
ーザ光強度レベルP1は磁化反転部分（「１」信
号）を形成するに十分なレーザ光強度を、P0は
既記録部分の磁化状態（すなわち磁化反転の有
無）にかかわらず、非磁化反転部分（「０」信号）
を形成するレーザ光強度を、またPRは記録時の
フオーカスエラー、トラツキングエラーを検出す
るために必要なレーザ光強度を示している。PR
は再生時のレーザ光強度と同レベルである。第２
図−ｄに示したレーザ光強度によつて磁性薄膜３
に重ね記録をおこなうと、その結果磁性薄膜３の
磁化状態は第２図−ｅになる。第２図−ｂと第２
図−ｅとを比べると、磁性薄膜３の磁化状態は新
たに記録した２値信号情報（第２図−ｃ）に対応
した形に変換されている。すなわち、既記録情報
を一旦消去することなくレーザ光強度を変えなが
ら重ね記録をすることによつて、記録情報の書き
替えが達成される。
ここで第２図ｄに示したレーザ光強度の時間変
化を実現するには第１図レーザ光源変調用回路１
６として既知の回路構成が使用される。レーザ光
源変調用回路の一実施例を第３図に示す。第３図
において２値信号情報はクロツク信号に同期した
形でデイジタル回路１６０に入力される。２値信
号情報はデイジタル回路１６０によつて２系列の
信号S1，S0に変換される。２値信号情報に対する
信号S1，S0の時間変化は第４図のとおりである。
第４図においてａはクロツク信号、ｂは２値信号
情報、ｃ，ｄはそれぞれS1，S0信号である。信号
S1はクロツク信号に同期して入力信号が“１”で
あるときだけ“１”になる。信号S0はクロツク信
号に同期して入力信号が“０”であるときだけ
“１”になる。信号S1，S0は第３図のパルス発生
回路１６３，１６５のトリガ入力として用いられ
る。第３図において変調用回路１６１，１６２，
１６４の出力は半導体レーザに接続される。変調
用回路１６１は半導体レーザに供給される直流電
流を制御する構成を有し、レーザ光強度レベル
PRを設定する。変調用回路１６２は半導体レー
ザに供給される一方のパルス電流を制御し、レー
ザ光強度レベルP1を設定する。パルス幅とタイ
ミングは変調用回路１６２に接続されたパルス発
生器１６３とトルガ用信号S1により制御される。
第４図ｅに変調用回路１６２の出力電流波形の一
例を示す。変調用回路１６４は半導体レーザに供
給されるもう一方のパルス電流を制御し、レーザ
光強度レベルP0を設定する。パルス幅とタイミ
ングは変調用回路１６４に接続されたパルス発生
器１６５とトリガ用信号S0により制御される。第
４図ｆに変調用回路１６４の出力電流波形の一例
を示す。
化を実現するには第１図レーザ光源変調用回路１
６として既知の回路構成が使用される。レーザ光
源変調用回路の一実施例を第３図に示す。第３図
において２値信号情報はクロツク信号に同期した
形でデイジタル回路１６０に入力される。２値信
号情報はデイジタル回路１６０によつて２系列の
信号S1，S0に変換される。２値信号情報に対する
信号S1，S0の時間変化は第４図のとおりである。
第４図においてａはクロツク信号、ｂは２値信号
情報、ｃ，ｄはそれぞれS1，S0信号である。信号
S1はクロツク信号に同期して入力信号が“１”で
あるときだけ“１”になる。信号S0はクロツク信
号に同期して入力信号が“０”であるときだけ
“１”になる。信号S1，S0は第３図のパルス発生
回路１６３，１６５のトリガ入力として用いられ
る。第３図において変調用回路１６１，１６２，
１６４の出力は半導体レーザに接続される。変調
用回路１６１は半導体レーザに供給される直流電
流を制御する構成を有し、レーザ光強度レベル
PRを設定する。変調用回路１６２は半導体レー
ザに供給される一方のパルス電流を制御し、レー
ザ光強度レベルP1を設定する。パルス幅とタイ
ミングは変調用回路１６２に接続されたパルス発
生器１６３とトルガ用信号S1により制御される。
第４図ｅに変調用回路１６２の出力電流波形の一
例を示す。変調用回路１６４は半導体レーザに供
給されるもう一方のパルス電流を制御し、レーザ
光強度レベルP0を設定する。パルス幅とタイミ
ングは変調用回路１６４に接続されたパルス発生
器１６５とトリガ用信号S0により制御される。第
４図ｆに変調用回路１６４の出力電流波形の一例
を示す。
光磁気記録方式においては、レーザ光照射によ
つて形成される反転磁区の挙動をヒートフロー理
論と反転磁区安定性理論を用いて説明することが
できる。磁性薄膜にレーザ光パルスを照射したと
き、パルス照射中に磁性薄膜の温度は上昇する。
照射終了とともに冷却が始まり、磁性薄膜の温度
は室温に戻る。この一周期の各時刻における磁性
薄膜の温度分布と、そのときの磁性薄膜の磁気特
性から反転磁区の安定性が決定される。
つて形成される反転磁区の挙動をヒートフロー理
論と反転磁区安定性理論を用いて説明することが
できる。磁性薄膜にレーザ光パルスを照射したと
き、パルス照射中に磁性薄膜の温度は上昇する。
照射終了とともに冷却が始まり、磁性薄膜の温度
は室温に戻る。この一周期の各時刻における磁性
薄膜の温度分布と、そのときの磁性薄膜の磁気特
性から反転磁区の安定性が決定される。
レーザ光照射による磁性薄膜の温度分布はヒー
トフローの計算から求めることができる。厳密解
を得るには、磁性薄膜と磁性薄膜を支持する基板
を小体積に分割し、１つの小体積に隣接する小体
積群からの熱の流入、流出を考慮した計算機シミ
ユレーシヨンが用いられるが、一次近似としては
レーザ光ビーム中心から磁性薄膜の半径方向のみ
の熱拡散を考慮した無限固体近似が有効である。
トフローの計算から求めることができる。厳密解
を得るには、磁性薄膜と磁性薄膜を支持する基板
を小体積に分割し、１つの小体積に隣接する小体
積群からの熱の流入、流出を考慮した計算機シミ
ユレーシヨンが用いられるが、一次近似としては
レーザ光ビーム中心から磁性薄膜の半径方向のみ
の熱拡散を考慮した無限固体近似が有効である。
次に反転磁区の安定性について説明する。
半径RWの円筒形の反転磁区が存在するとき、
磁性薄膜の全磁気エネルギETは磁壁エネルギEW、
反磁界エネルギED、外部印加磁界Haとの相互作
用エネルギEHの和である。
磁性薄膜の全磁気エネルギETは磁壁エネルギEW、
反磁界エネルギED、外部印加磁界Haとの相互作
用エネルギEHの和である。
ET＝EW＋ED＋EH
＝2πRWhσw＋ED
＋2hHa∫2〓0∫Rw 0Ｍ（ｒ、θ）rdrdθ……(1)
ここでＭは飽和磁化、σwは磁壁エネルギ密度、
ｈは磁性薄膜の膜厚である。
ｈは磁性薄膜の膜厚である。
式(1)の両辺をRWで微分して磁壁に働く半径方
向の力を求めると、 ∂ET／∂RW＝2πhσw＋2πRh∂σw／∂RW＋∂ED
／∂RW＋4πhHaRWＭ（RW）……(2) となる。式(2)を磁場の単位で表現すると、 HT＝１／4πRWhM（RW）∂ET／∂RW＝σw（RW）／2RM（R
W）＋１／2M（RW） ∂σw（RW）／∂RW＋HD（RW）＋Ha
……(3) となる。HD（RW）は半径RWでの反磁界である。
ここで、磁壁の保磁力としてHW（１／３HC）を導 入すると、反転磁区の安定性は次のように分類で
きる。ただし、HCは保磁力である。
向の力を求めると、 ∂ET／∂RW＝2πhσw＋2πRh∂σw／∂RW＋∂ED
／∂RW＋4πhHaRWＭ（RW）……(2) となる。式(2)を磁場の単位で表現すると、 HT＝１／4πRWhM（RW）∂ET／∂RW＝σw（RW）／2RM（R
W）＋１／2M（RW） ∂σw（RW）／∂RW＋HD（RW）＋Ha
……(3) となる。HD（RW）は半径RWでの反磁界である。
ここで、磁壁の保磁力としてHW（１／３HC）を導 入すると、反転磁区の安定性は次のように分類で
きる。ただし、HCは保磁力である。
() HT＞HW 収縮
() ｜HT｜HW 安定
() −HT＞HW 膨張
以上のヒートフロー理論と反転磁区安定性理論
を用いて記録時の一周期にわたり反転磁区の挙動
を計算機シミユレーシヨンにより求めた。以下に
その手順を述べる。
を用いて記録時の一周期にわたり反転磁区の挙動
を計算機シミユレーシヨンにより求めた。以下に
その手順を述べる。
(1) ヒートフロー計算により時刻ｔにおける半径
方向の温度分布を求める。
方向の温度分布を求める。
(2) 磁性薄膜の飽和磁化Ｍ、保磁力HC、磁壁エ
ネルギ密度σwの温度特性から時刻ｔにおける
Ｍ、HC、σwの半径方向の分布を求める。
ネルギ密度σwの温度特性から時刻ｔにおける
Ｍ、HC、σwの半径方向の分布を求める。
(3) 時刻ｔにおけるキユーリ温度に達している半
径をRCとしたとき反転磁区が存在しないなら
ばRW＝RC＋1000Åとする。
径をRCとしたとき反転磁区が存在しないなら
ばRW＝RC＋1000Åとする。
(4) 磁区の安定性を調べ、安定な磁壁の位置を求
める。
める。
(5) RWRCとなれば時刻ｔでは反転磁区は存在
しない。時刻をΔtだけ進めて(1)に戻る。
しない。時刻をΔtだけ進めて(1)に戻る。
(6) 安定な磁区半径が存在するときには、その半
径に磁壁があるとして時刻をΔtだけ進めて、
(1)に戻り、安定性を判定する。
径に磁壁があるとして時刻をΔtだけ進めて、
(1)に戻り、安定性を判定する。
既知の書き替え方法、すなわちパルスレーザ光
強度を一定にして印加磁界を高速スイツチングす
る方法では、式(3)右辺第４項のHaを変えること
によつてHTを変え、それによつて反転磁区を安
定状態と収縮状態（反転磁区のない状態）に切り
替え、書き替えをおこなう。
強度を一定にして印加磁界を高速スイツチングす
る方法では、式(3)右辺第４項のHaを変えること
によつてHTを変え、それによつて反転磁区を安
定状態と収縮状態（反転磁区のない状態）に切り
替え、書き替えをおこなう。
しかしながら、本発明における書き替え方法
は、外部磁界を印加することなく、レーザ光強度
を変えることによつて反転磁区の安定状態と収縮
状態（反転磁区のない状態）を作り、書き替えを
おこなう。
は、外部磁界を印加することなく、レーザ光強度
を変えることによつて反転磁区の安定状態と収縮
状態（反転磁区のない状態）を作り、書き替えを
おこなう。
重ね記録による書き替えに関し、前記計算機シ
ミユレーシヨン結果をもとに詳細に説明する。
ミユレーシヨン結果をもとに詳細に説明する。
第５図は、ポリメタクリル酸エステル樹脂上の
TbFe膜（500Å厚）にレーザ光を照射したとき
のレーザ光ビーム照射中心から半径方向に対する
飽和磁化分布を示したものである。Tbの組成は
21原子量％、TbFeのキユーリ温度は100℃とし
た。第５図−ａは室温での保磁力と飽和磁化をそ
れぞれ2KOe、40emu／cm3、のTbFe膜に吸収パ
ワ5.0ｍＷ、パルス幅100nsec.、ビーム直径1.5μｍ
φのレーザ光を照射したときのTbFe膜の飽和磁
化分布である。第５図−ａにおいて、曲線２１は
100nsec.のレーザ光照射直後の飽和磁化分布であ
る。飽和磁化がゼロとなる半径RCではTbFe膜の
温度はキユーリ温度に達しており、RCより内側
では磁化は消失している。ここでRCを磁化消失
半径と呼ぶ。前記記録条件ではRC＝1.84μｍであ
る。第５図−ａにおいて曲線２２はTbFe膜の温
度が室温に戻つたときの飽和磁化分布である。半
径RWに磁壁が形成され、RWより内側では磁化は
反転している。すなわち、「１」信号に対応した
反転磁区が形成される。前記記録条件ではRW＝
0.84μｍである。
TbFe膜（500Å厚）にレーザ光を照射したとき
のレーザ光ビーム照射中心から半径方向に対する
飽和磁化分布を示したものである。Tbの組成は
21原子量％、TbFeのキユーリ温度は100℃とし
た。第５図−ａは室温での保磁力と飽和磁化をそ
れぞれ2KOe、40emu／cm3、のTbFe膜に吸収パ
ワ5.0ｍＷ、パルス幅100nsec.、ビーム直径1.5μｍ
φのレーザ光を照射したときのTbFe膜の飽和磁
化分布である。第５図−ａにおいて、曲線２１は
100nsec.のレーザ光照射直後の飽和磁化分布であ
る。飽和磁化がゼロとなる半径RCではTbFe膜の
温度はキユーリ温度に達しており、RCより内側
では磁化は消失している。ここでRCを磁化消失
半径と呼ぶ。前記記録条件ではRC＝1.84μｍであ
る。第５図−ａにおいて曲線２２はTbFe膜の温
度が室温に戻つたときの飽和磁化分布である。半
径RWに磁壁が形成され、RWより内側では磁化は
反転している。すなわち、「１」信号に対応した
反転磁区が形成される。前記記録条件ではRW＝
0.84μｍである。
第５図−ｂはTbFe膜に吸収パワ20ｍＷ、パル
ス幅100nsec.、ビーム直径1.5μｍφのレーザ光を
照射したときのTbFe膜の飽和磁化分布である。
第５図−ｂにおいて、曲線２３は100nsec.のレー
ザ光照射直後の飽和磁化分布である。磁化消失半
径RCは0.90μｍである。第５図−ｂにおいて、曲
線２４はTbFe膜の温度が室温に戻つたときの飽
和磁化分布である。曲線２４は第５図ａの曲線２
２とは異なり、反転磁区がない。すなわち、2.0
ｍW100nsec.のレーザ光では「１」信号に対応す
る反転磁区を形成することはできない。しかにな
がら、このことは2.0ｍＷ、100nsec.のレーザ光
によつて半径0.90μｍ以外の領域に「０」信号に
対応する非反転磁区が形成されたとみることがで
きる。たとえば既に5.0ｍＷ、100nsec.のレーザ
光によつて反転磁区が形成された部分に2.0ｍＷ、
100nsec.のレーザ光を照射する。既に記録されて
いる反転磁区の半径は0.84μｍであるが、2.0ｍ
Ｗ、100nsec.のレーザ光を照射することによつ
て、ビーム中心から半径0.90μｍ以内の部分はキ
ユーリ温度以上に上昇するために、既記録情報
（「１」信号）に対応した磁化状態はその時点で消
失する。そして膜温度の低下とともに「０」信号
に対応した非反転磁区が形成される。既記録情報
（「１」信号）に対応した反転磁区の半径RWは
0.84μｍであり、前記の2.0ｍＷ時の磁化消失半径
（RC＝0.90μｍ）より小さいので、完全に非反転磁
区が形成される。
ス幅100nsec.、ビーム直径1.5μｍφのレーザ光を
照射したときのTbFe膜の飽和磁化分布である。
第５図−ｂにおいて、曲線２３は100nsec.のレー
ザ光照射直後の飽和磁化分布である。磁化消失半
径RCは0.90μｍである。第５図−ｂにおいて、曲
線２４はTbFe膜の温度が室温に戻つたときの飽
和磁化分布である。曲線２４は第５図ａの曲線２
２とは異なり、反転磁区がない。すなわち、2.0
ｍW100nsec.のレーザ光では「１」信号に対応す
る反転磁区を形成することはできない。しかにな
がら、このことは2.0ｍＷ、100nsec.のレーザ光
によつて半径0.90μｍ以外の領域に「０」信号に
対応する非反転磁区が形成されたとみることがで
きる。たとえば既に5.0ｍＷ、100nsec.のレーザ
光によつて反転磁区が形成された部分に2.0ｍＷ、
100nsec.のレーザ光を照射する。既に記録されて
いる反転磁区の半径は0.84μｍであるが、2.0ｍ
Ｗ、100nsec.のレーザ光を照射することによつ
て、ビーム中心から半径0.90μｍ以内の部分はキ
ユーリ温度以上に上昇するために、既記録情報
（「１」信号）に対応した磁化状態はその時点で消
失する。そして膜温度の低下とともに「０」信号
に対応した非反転磁区が形成される。既記録情報
（「１」信号）に対応した反転磁区の半径RWは
0.84μｍであり、前記の2.0ｍＷ時の磁化消失半径
（RC＝0.90μｍ）より小さいので、完全に非反転磁
区が形成される。
前記重ね記録が達成されるためには、「１」信
号記録用のレーザ光強度P1によつて形成される
反転磁区半径RWと「０」信号記録用のレーザ光
強度P0によつて形成される磁化消失半径RCとの
間に RC＞RW の関係が成り立てばよい。
号記録用のレーザ光強度P1によつて形成される
反転磁区半径RWと「０」信号記録用のレーザ光
強度P0によつて形成される磁化消失半径RCとの
間に RC＞RW の関係が成り立てばよい。
既に「１」信号が記録されている反転磁区部分
に、「０」信号を記録する場合であつても、上記
のRCとRWの関係が成立している限り、「０」信号
の記録は可能である。すなわち、反転磁区半径以
上の領域が「０」信号記録用のレーザ光照射によ
り昇温され、それによりその領域の磁化が消失す
るので、既に反転磁区が形成されていた場合でも
その領域は「０」信号記録動作によつて、一旦消
失する。
に、「０」信号を記録する場合であつても、上記
のRCとRWの関係が成立している限り、「０」信号
の記録は可能である。すなわち、反転磁区半径以
上の領域が「０」信号記録用のレーザ光照射によ
り昇温され、それによりその領域の磁化が消失す
るので、既に反転磁区が形成されていた場合でも
その領域は「０」信号記録動作によつて、一旦消
失する。
計算機シミユレーシヨンによれば、室温での保
磁力と飽和磁化がそれぞれ2KOe、40emu／cm3の
TbFe膜（500Å厚）の場合、レーザ光強度に対
する反転磁区半径RWと磁化消失半径RCの変化は
第６図のようになる。P1として2.5ｍＷから3.5ｍ
Ｗを選んだ場合、記録される反転磁区の最大半径
は0.60μｍとなる。一方P0として1.5ｍＷから2.0ｍ
Ｗを選んだとき磁化消失半径は0.60μｍ以上とな
る。第６図のRW、RCの変化を示すグラフにおい
て、太い実線で示した部分がそれぞれこれに相当
する。
磁力と飽和磁化がそれぞれ2KOe、40emu／cm3の
TbFe膜（500Å厚）の場合、レーザ光強度に対
する反転磁区半径RWと磁化消失半径RCの変化は
第６図のようになる。P1として2.5ｍＷから3.5ｍ
Ｗを選んだ場合、記録される反転磁区の最大半径
は0.60μｍとなる。一方P0として1.5ｍＷから2.0ｍ
Ｗを選んだとき磁化消失半径は0.60μｍ以上とな
る。第６図のRW、RCの変化を示すグラフにおい
て、太い実線で示した部分がそれぞれこれに相当
する。
P1及びP0を前述のように選ぶことにより、常
に 磁化消失半径RC＞反転磁区半径RW を満たすことができる。
に 磁化消失半径RC＞反転磁区半径RW を満たすことができる。
つまり第６図からP1として2.5〜3.5ｍＷを選ん
だとき、P0として1.5ｍＷから2.0ｍＷの範囲の値
が許容されることがわかる。このようにしてP1
を設定し上記の方法でP0を決定すればよい。な
お、レーザ光強度のP1として5.0ｍＷ、P0として
2.0ｍＷを用いたとき、TbFe膜に要求される特性
は室温での保磁力が600〜4KOeの範囲、室温で
の飽和磁化が30〜50emu／cm3の範囲である。これ
らの磁気特性は、TbとFeの組成比を選択するこ
とにより得ることができる。
だとき、P0として1.5ｍＷから2.0ｍＷの範囲の値
が許容されることがわかる。このようにしてP1
を設定し上記の方法でP0を決定すればよい。な
お、レーザ光強度のP1として5.0ｍＷ、P0として
2.0ｍＷを用いたとき、TbFe膜に要求される特性
は室温での保磁力が600〜4KOeの範囲、室温で
の飽和磁化が30〜50emu／cm3の範囲である。これ
らの磁気特性は、TbとFeの組成比を選択するこ
とにより得ることができる。
計算機シミユレーシヨンによれば、キユーリ温
度が180℃のGdTbFe膜あるいはキユーリ温度が
80℃のTbDyFe膜においても、重ね記録のできる
P1、P0が存在する。第７図はキユーリ温度180
℃、室温で飽和磁化40emu／cm3、室温での保磁力
4KOeのGdTbFe膜（500Å／ポリメタクリル酸エ
ステル樹脂上）に100nsec.のレーザ光を照射した
ときの磁化消失半径RCと反転磁区半径RWを、レ
ーザ光強度に対して求めた結果である。たとえ
ば、RW＝0.30μｍに選んだとき、P1＝3.5ｍＷ、
P0＝2.5ｍＷとすることにより、重ね記録が可能
である。なお記録の再生方法は既知の方法を用い
る。すなわち、記録ビツドに変化をもたらさない
程度に弱いレーザパワーを一定レベルでデイスク
に連続照射することにより、再生できる。
度が180℃のGdTbFe膜あるいはキユーリ温度が
80℃のTbDyFe膜においても、重ね記録のできる
P1、P0が存在する。第７図はキユーリ温度180
℃、室温で飽和磁化40emu／cm3、室温での保磁力
4KOeのGdTbFe膜（500Å／ポリメタクリル酸エ
ステル樹脂上）に100nsec.のレーザ光を照射した
ときの磁化消失半径RCと反転磁区半径RWを、レ
ーザ光強度に対して求めた結果である。たとえ
ば、RW＝0.30μｍに選んだとき、P1＝3.5ｍＷ、
P0＝2.5ｍＷとすることにより、重ね記録が可能
である。なお記録の再生方法は既知の方法を用い
る。すなわち、記録ビツドに変化をもたらさない
程度に弱いレーザパワーを一定レベルでデイスク
に連続照射することにより、再生できる。
以上、本発明をTbFe、GdTbFe、TbDyFe膜
について述べたが、本発明はこのような材料に限
られるものではなく、希土類・遷移金属非晶質磁
性薄膜に広く適用できる。
について述べたが、本発明はこのような材料に限
られるものではなく、希土類・遷移金属非晶質磁
性薄膜に広く適用できる。
本発明にかかる光磁気記録再生消去方法及び装
置は従来方式の光磁気記録再生消去装置において
重要な問題点があつた書き替え方法に対して画期
的な解決法を提供するものである。すなわち、従
来の既に記録されている情報を一旦一括消去して
から記録をおこなうという二段階書き替え方法、
あるいは外部印加磁界を高速スイツチングするこ
とによつて書き替えをおこなう方法に対し、本発
明は記録情報に対応してレーザ光強度を変えなが
ら重ね記録することによつて外部から磁界を印加
することなく一回の操作により書き替えを達成し
得るものである。
置は従来方式の光磁気記録再生消去装置において
重要な問題点があつた書き替え方法に対して画期
的な解決法を提供するものである。すなわち、従
来の既に記録されている情報を一旦一括消去して
から記録をおこなうという二段階書き替え方法、
あるいは外部印加磁界を高速スイツチングするこ
とによつて書き替えをおこなう方法に対し、本発
明は記録情報に対応してレーザ光強度を変えなが
ら重ね記録することによつて外部から磁界を印加
することなく一回の操作により書き替えを達成し
得るものである。
第１図は本発明の一実施例の光磁気記録再生消
去装置を構成図である。第２図は重ね記録時の各
部の動作モードならびに記録状態を示す模式図で
ある。第３図はレーザ光源変調用回路の一実施例
を示す図である。第４図は第３図のレーザ光源変
調用回路各部の信号波形図である。第５図は磁性
薄膜にレーザ光を照射したときの飽和磁化の分布
を示した図である。第６図および第７図はポリメ
タクリル酸エステル樹脂上のTbFe膜、GdTbFe
膜それぞれにレーザ光ビームを照射したときの反
転磁区半径RWと飽和磁化がゼロになる半径（磁
化消失半径）RCのレーザ光強度依存性を示した
図である。 図において、１は光磁気デイスク、２は円板、
３は磁性薄膜、４は劣化防止膜、５はデイスク駆
動用モータ、６は光ヘツド、７はレーザ光源、８
および１１はビームスプリツタ、９はレーザ光ビ
ーム絞り込みレンズ、１０はアクチユエータ、１
２はフオーカスおよびトラツキングエラー検出用
受光素子、１３は偏光フイルタ、１４は再生信号
検出用受光素子、１５はサーボ回路、１６はレー
ザ光源変調用回路、１７は再生信号増幅回路、２
１〜２４は磁性薄膜の飽和磁化の分布曲線、１６
０はデイジタル回路、１６１，１６２および１６
４は変調用回路、１６３および１６５はパルス発
生器である。
去装置を構成図である。第２図は重ね記録時の各
部の動作モードならびに記録状態を示す模式図で
ある。第３図はレーザ光源変調用回路の一実施例
を示す図である。第４図は第３図のレーザ光源変
調用回路各部の信号波形図である。第５図は磁性
薄膜にレーザ光を照射したときの飽和磁化の分布
を示した図である。第６図および第７図はポリメ
タクリル酸エステル樹脂上のTbFe膜、GdTbFe
膜それぞれにレーザ光ビームを照射したときの反
転磁区半径RWと飽和磁化がゼロになる半径（磁
化消失半径）RCのレーザ光強度依存性を示した
図である。 図において、１は光磁気デイスク、２は円板、
３は磁性薄膜、４は劣化防止膜、５はデイスク駆
動用モータ、６は光ヘツド、７はレーザ光源、８
および１１はビームスプリツタ、９はレーザ光ビ
ーム絞り込みレンズ、１０はアクチユエータ、１
２はフオーカスおよびトラツキングエラー検出用
受光素子、１３は偏光フイルタ、１４は再生信号
検出用受光素子、１５はサーボ回路、１６はレー
ザ光源変調用回路、１７は再生信号増幅回路、２
１〜２４は磁性薄膜の飽和磁化の分布曲線、１６
０はデイジタル回路、１６１，１６２および１６
４は変調用回路、１６３および１６５はパルス発
生器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 垂直磁気異方性を有する磁性薄膜を記録媒体
とし、レーザ光によつて情報を記録・再生・消去
する光磁気記録再生消去方法において、２値信号
と反転磁区の有無を対応させ、前記記録媒体の既
記録部に照射するレーザ光の強度を変化させて記
録情報を書き替え、「１」信号記録時のレーザ光
強度をP1、「０」信号記録時のレーザ光強度をP0
としたとき、P1＞P0であり、また、P1照射時に
前記磁性薄膜に形成される反転磁区半径をRW、
P0照射時に生じる前記磁性薄膜の磁化消失半径
をRCとしたとき、RC＞RWであることを特徴とす
る光磁気記録再生消去方法。 ２ 光学系と光検出器を具備し、かつ移動可能な
光ヘツドと光磁気デイスクとを有する光磁気記録
再生消去装置において、「１」記録信号と「０」
記録信号に対して、独立にレーザ光源の発振レー
ザ光強度並びにパルス幅を変化させるレーザ光源
変調用回路を具備したことを特徴とする光磁気記
録再生消去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22473082A JPS59113506A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 光磁気記録再生消去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22473082A JPS59113506A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 光磁気記録再生消去方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113506A JPS59113506A (ja) | 1984-06-30 |
| JPH0550059B2 true JPH0550059B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=16818339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22473082A Granted JPS59113506A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 光磁気記録再生消去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113506A (ja) |
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| JP2591729B2 (ja) * | 1984-08-17 | 1997-03-19 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録再生消去方式及び装置 |
| JPH0721895B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-03-08 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録方法 |
| US5184335A (en) * | 1986-03-07 | 1993-02-02 | Movid Information Technology, Inc. | Method and system for erasing previously recorded domains in a magneto-optic recording medium |
| US5528564A (en) * | 1986-03-07 | 1996-06-18 | Movid Information Technology, Inc. | Direct overwrite magneto-optic system for strip erasing and recording elongated domains |
| JPH0816994B2 (ja) * | 1986-07-31 | 1996-02-21 | ソニー株式会社 | ディスク記録装置 |
| US5020040A (en) * | 1987-06-24 | 1991-05-28 | Digital Equipment Corporation | Overwriting system for magneto-optical recording with self timing track |
| JP2642639B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1997-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 光磁気記録方法 |
| US5144601A (en) * | 1987-11-02 | 1992-09-01 | Fujitsu Limited | Magneto-optical overwriting methods using erasing pulses, each of which has a higher frequency and narrower width than that of the overwriting pulses |
| JP2579965B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1997-02-12 | 富士通株式会社 | 光磁気記録方法 |
| DE3883349T2 (de) * | 1987-11-02 | 1993-12-02 | Fujitsu Ltd | Gleichzeitiges Löschen und erneutes Einschreiben einer Information in einen magnetooptischen Speicher. |
| EP0316188A3 (en) * | 1987-11-12 | 1990-10-31 | MOVID Information Technology, Inc. | Method and apparatus for direct overwriting of digital data recorded on magneto-optical recording media including a direct overwrite magneto-optic system for strip erasing and recording elongated domains and a single-head, direct overwrite magneto-optic system |
| JP2669532B2 (ja) * | 1988-05-20 | 1997-10-29 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571051A (en) * | 1980-03-14 | 1982-01-06 | Hainrihi Baumugaruten Kg Aizen | Holding web holding side grip for vessel |
| JPS5778653A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording method |
| JPS57200960A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Recording and reproducing method and its device |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22473082A patent/JPS59113506A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571051A (en) * | 1980-03-14 | 1982-01-06 | Hainrihi Baumugaruten Kg Aizen | Holding web holding side grip for vessel |
| JPS5778653A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording method |
| JPS57200960A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Recording and reproducing method and its device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59113506A (ja) | 1984-06-30 |
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